JP4476903B2

JP4476903B2 - 薄膜圧電共振器およびフィルタ回路

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Publication number: JP4476903B2
Application number: JP2005242660A
Authority: JP
Inventors: 原亮一尾; 瀬直子梁; 野賢也佐; 本恭章安; 谷和彦板
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2005-08-24
Filing date: 2005-08-24
Publication date: 2010-06-09
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Description

本発明は、薄膜圧電共振器およびフィルタ回路に関する。

無線通信技術の発達、新方式への移行に伴い、複数の送受信システムに対応する通信装置の需要がますます高まっている。加えて、移動体無線端末の高性能化、高機能化に伴い、部品点数が大幅に増加しており、部品の小型化、モジュール化の重要性が高まっている。無線回路中の受動部品の中では、特にフィルタ回路の占める割合が大きいため、無線回路を小型化し、部品点数を削減するためには、フィルタの小型化、モジュール化が必須である。

従来用いられてきたフィルタとしては、誘電体フィルタ、ＳＡＷ(Surface Acoustic Wave)フィルタ、ＬＣフィルタなどが挙げられる。しかし、近年、薄膜バルク弾性波共振器（薄膜圧電共振器）を備えたフィルタが、小型化・モジュール化に最も有望であると考えられている。このタイプのフィルタは、圧電体振動の共振現象を利用しているため、近接して配置しても電磁波のように干渉することはなく、誘電体フィルタやＬＣフィルタに比べて小型化し易い。

また、無線通信に使用する帯域が高周波化していることから、表面波を利用しているＳＡＷフィルタではサブミクロンレベルの微細加工が必要になり、安価に作製することが難しくなってきている。

一方、薄膜圧電共振器を有するフィルタは、圧電体膜の厚み方向の縦振動を利用しているため、圧電体膜の厚みを薄くすれば動作帯域の高周波化が容易に実現できる。また、平面方向（膜面方向）には１μｍレベルの加工寸法で充分なので、高周波化に伴う製造コストの上昇を招かない。

また、薄膜圧電共振器を作製する基板は、ＳＡＷフィルタのように圧電性基板である必要がなく、半導体であるＳｉ基板やＧａＡｓ基板上にも作製でき、ＬＳＩのチップとモノリシックにフィルタを作りこむことも可能である。

このような薄膜圧電共振器においては、励振した弾性振動のエネルギーを閉じ込めるため、共振部分の上部および下部は空気層に接していることが望ましい。これは、薄膜圧電共振器の共振子を構成する圧電体や電極の音響インピーダンスと空気の音響インピーダンスとが大きく異なるため、弾性振動が界面で効率的に反射されて、弾性波のエネルギーが共振部分に閉じ込められるためである。この構造を実現するには、共振器下部に空洞（キャビティ）を設ける必要がある。このキャビティを形成する手段はいくつか知られており、例えば基板上に犠牲層を埋め込んでおき、上下電極と圧電体を形成後、エッチングにより除去する方法、もしくは基板上に共振器を形成後、基板裏面からエッチングにより基板を除去する方法（例えば、特許文献１）、などがある。
Appl. Phys. Lett. 43 (8) p750 K. M. Lakin

キャビティを用いた中空構造は、構造的に機械的強度が弱い。従って、例えば下部電極をキャビティよりも大きく設計して、中空構造内にて下部電極の段差が生じないような方法が考えられる（例えば、特許文献１）。

しかしながら、この方法では上下電極がキャビティ外で対向部を形成し、その対向部が寄生容量として作用するため、圧電共振器の実効的な電気機械的結合係数（圧電性）が低下し、その結果、反共振周波数が低周波数側にシフトする。特に、裏面から基板をエッチングしてキャビティを形成する場合、キャビティパターンと電極パターンの合わせずれ、エッチングしたキャビティの形状ずれ、エッチングプロセスのばらつき、などにより、反共振周波数が変動するという問題がある。反共振周波数のばらつきは、圧電共振器を組み合わせて構成した帯域通過フィルタの帯域の変動要因になるばかりでなく、中心周波数付近のフィルタ形状にも影響を与えてしまうとう問題があった。

本発明は、上記事情を考慮してなされたものであって、プロセスの変動によりキャビティと上下電極との位置ずれが生じても、反共振周波数の変動が生じない共振器構造を有する薄膜圧電共振器およびフィルタ回路を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様による薄膜圧電共振器は、基板と、前記基板の主面から裏面に貫通するキャビティと、前記キャビティを覆うように前記基板の主面上に設けられた下部電極と、前記キャビティを覆うように前記下部電極上に設けられた圧電体膜と、全体が前記キャビティの一部分と平面的に重なるように前記圧電体膜上に設けられた本体部と、前記本体部に接続し一部分が前記キャビティに重なり残りの部分が前記キャビティに重ならならずかつ前記下部電極に重なるように前記圧電体膜上に設けられた突起部と、前記本体部の前記突起部と反対側の前記圧電体膜上に設けられた引き出し部と、前記本体部と前記引き出し部とを接続し、少なくとも一部分が前記キャビティに重ならずかつ前記下部電極に重なるように前記圧電体上に設けられた接続部とを有する上部電極と、を備え、前記突起部の、前記本体部に接続する方向に直交する方向のサイズは、前記接続部の、前記本体部に接続する方向に直交する方向のサイズと実質的に同じであることを特徴とする。

なお、前記突起部の前記残りの部分は、前記接続部の前記一部分と前記キャビティの中心線に対して対称の位置に配置されていてもよい。

なお、前記突起部の前記残りの部分は、前記接続部の前記一部分と前記キャビティの中心線に対して非対称の位置に配置されていてもよい。

なお、前記突起部の前記本体部に接続する方向に直交する方向のサイズは、前記本体部の前記突起部に接続する方向と直交する方向のサイズよりも小さくてもよい。

なお、前記接続部の前記本体部に接続する方向のサイズは、前記突起部の前記本体部に接続する方向のサイズよりも１５μｍよりも大きいことが好ましい。

本発明の第２の態様による薄膜圧電共振器は、基板と、前記基板の主面から裏面に貫通するキャビティと、前記キャビティを覆うように前記基板の主面上に設けられた下部電極と、前記キャビティを覆うように前記下部電極上に設けられた圧電体膜と、全体が前記キャビティの一部分と平面的に重なるように前記圧電体膜上に設けられた本体部と、前記下部電極の長手方向に平行な前記本体部の両辺のうちの一方の辺に接続するように設けられた第１部分と、前記本体部の前記両辺のうちの他方の辺に接続するように設けられた第２部分と、前記第１部分と前記第２部分を連結し、前記下部電極と平面的に重ならない連結部とを有する上部電極と、を備え、前記第１部分の、前記本体部に接続する方向に直交する方向のサイズは、前記第２部分の、前記本体部に接続する方向に直交する方向のサイズと実質的に同じであることを特徴とする。

なお、前記上部電極の第１部分と、前記第２部分とは、前記キャビティの中心線に対して対称の位置に配置されていてもよい。

なお、前記上部電極の前記第１部分と、前記第２部分とは、前記キャビティの中心線に対して非対称の位置に配置されていてもよい。

なお、前記上部電極の前記第１部分の前記本体部に接続する方向に直交する方向のサイズは、前記本体部の前記直交する方向のサイズよりも小さくてもよい。

なお、前記上部電極の前記第１および第２部分の前記本体部に接続する方向のサイズは少なくとも１５μｍであることが好ましい。
また、本発明の第３の態様によるフィルタ回路は、上記第１の態様による薄膜圧電共振器を備えていることを特徴とする。

なお、前記薄膜圧電共振器の前記突起部の前記残りの部分は、前記接続部の前記一部分と前記キャビティの中心線に対して対称の位置に配置されていてもよい。

なお、前記薄膜圧電共振器の前記突起部の前記残りの部分は、前記接続部の前記一部分と前記キャビティの中心線に対して非対称の位置に配置されていてもよい。
なお、前記薄膜圧電共振器の前記突起部の前記本体部に接続する方向に直交する方向のサイズは、前記本体部の前記突起部に接続する方向と直交する方向のサイズよりも小さくてもよい。

なお、前記薄膜圧電共振器の前記接続部の前記本体部に接続する方向のサイズは、前記突起部の前記本体部に接続する方向のサイズよりも１５μｍよりも大きいことが好ましい。

また、本発明の第４の態様によるフィルタ回路は、上記記載の第２の態様による薄膜圧電共振器を備えていることを特徴とする。

なお、前記薄膜圧電共振器の前記上部電極の第１部分と、前記第２部分とは、前記キャビティの中心線に対して対称の位置に配置されていてもよい。

なお、前記薄膜圧電共振器の前記上部電極の前記第１部分と、前記第２部分とは、前記キャビティの中心線に対して非対称の位置に配置されていてもよい。

なお、前記薄膜圧電共振器の前記上部電極の前記第１部分の前記本体部に接続する方向に直交する方向のサイズは、前記本体部の前記直交する方向のサイズよりも小さくてもよい。

なお、前記薄膜圧電共振器の前記上部電極の前記第１および第２部分の前記本体部に接続する方向のサイズは少なくとも１５μｍであることが好ましい。

本発明によれば、プロセスの変動によりキャビティと上下電極との位置ずれが生じても、反共振周波数の変動が生じない共振器構造を有する薄膜圧電共振器およびフィルタ回路を得ることができる。

まず、本発明の実施形態を説明する前に、本発明の原理について説明する。本発明者らは、プロセスによる特性変動の影響が少ない共振器構造について検討を行った。その結果、キャビティ形状のばらつきが共振特性、および共振器を複数組み合わせたフィルタの通過特性に大きな影響を与えることを見出した。このキャビティ形状のばらつきは、犠牲層を用いたキャビティの形成プロセスでも生じるが、裏面からのエッチングによるキャビティの形成プロセスで特に大きい問題となる。キャビティ形状のばらつきは、キャビティサイズそのものの変動、キャビティ位置の変動、の二つが発生しうるが、後者の影響の方がより大きい。この影響をなくすために、本発明者らは電極、キャビティの平面形状について詳細に検討行い、キャビティ外部における上下電極の対向部に生じる寄生容量の面積の総和が、キャビティ位置ずれに対して変化しないような構造を採用すれば、この問題が解決できることを見出した。

以下に本発明の実施形態を図面を参照して説明する。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態による薄膜圧電共振器を図１乃至図２に示す。図１は本実施形態の薄膜圧電共振器１の平面図であり、図２は図１に示す切断線Ａ−Ａで切断したときの断面図である。

本実施形態の薄膜圧電共振器１は、基板１０上に設けられた下部電極１１と、下部電極１１上に設けられた圧電体膜１２と、圧電体膜１２上に設けられた上部電極１３と、下部電極１１の圧電体膜１２と反対側の面に接するように基板１０に設けられたキャビティ（開口）１４とを備えている。

下部電極１１はキャビティ１４を覆っている。圧電体膜１２は下部電極１１の大部分を覆っている。上部電極１３は、本体部１３ａと、突起部１３ｂと、接続部１３ｃと、引き出し部１３ｄとを備えている。本体部１３ａはキャビティ１４の真上に位置するように設けられ、全体がキャビティ１４の一部分と重なり合っている。突起部１３ａは本体部１３ｂの接続部１３ｃと反対側に設けられ、一部分がキャビティ１４と重なり、残りの部分が下部電極１１と重なっている。したがって、突起部１３ｂの上記残りの部分が寄生容量１５となる。接続部１３は本体部１３ａと引き出し部１３ｄとを接続し、一部分がキャビティ１４と重なり、残りの一部分が下部電極１１と重なり合っている。したがって、接続部１３ｃの上記残りの一部分が寄生容量１５となる。なお、本実施形態においては、突起部１３ｂは、接続部１３ｃと、幅（図１においては上下方向の寸法）が同じサイズとなっているとともに、接続部１３ｃと対称の位置に設けられている。突起部１３ｂおよび接続部１３ｃの幅は本体部１３ａの幅よりも小さい。引き出し部１３ｄはキャビティ１４と重ならないように配置され、本体部１３ａと実質的に同じ幅を有している。

本実施形態の薄膜圧電共振器１は以下のように製造される。Ｓｉからなる基板１０上に熱酸化膜（図示せず）を形成した。次に、例えばＡｌからなる下部電極材料膜をスパッタリング法により成膜し、塩素系のＲＩＥによりパターニングし、下部電極１１を形成した。この際、下部電極１１の端面にテーパ形状がつくように加工条件を制御している。続いて、ＡｌＮからなる圧電体膜１２を同じくスパッタリング法により成膜し、塩素系のＲＩＥにより加工した。その後、例えばＭｏからなる上部電極膜をの成膜し、パターニングすることにより上部電極１３を形成した。最後に、基板１０の裏面から基板１０をドライエッチング、もしくはウェットエッチングによりエッチング除去してキャビティ（開口）１４を形成した。

本実施形態に薄膜圧電共振器１は、図１に示すように寄生容量１５が左右対称に設けられているため、キャビティ１４の位置が図１において左右にずれても寄生容量１５の総和は変わらない。この結果、反共振周波数が変動することはなかった。

また、図１の上下方向には寄生容量が存在しないため、キャビティ１４の位置が上下にずれても寄生容量１５には影響しない。製造プロセスによる許容できる位置ずれは、典型的には２ＧＨｚの共振器において多くとも１５μｍであれば充分であり、これ以上大きな位置ずれが製造上生じる可能性は低い。したがって、上部電極１３の接続部１３ｃの長さ（図１においては左右方向の寸法）は、突起部１３ｂの長さよりも１５μｍ長ければ、キャビティ１４が製造プロセスにより左右方向にずれても寄生容量の総和は変わらないことになる。なお、このとき、突起部１３ｂの長さは少なくとも１５μｍ必要である。

なお、本実施形態においては、引き出し部１３ｄの幅は接続部１３ｃのそれよりも大きいが、接続部１３ｃの幅と同じ幅であってもよい。

また、本実施形態においては、寄生容量１５は、図１上で本体部１３ａの左右に設けられていたが、図３に示す変形例のように、本体部１３ａの上下に位置するように設けても良い。この場合、引き出し部１３ｄは環状形状の一部分に切り欠きが設けられており、この切り欠きの部分に本体部１３ａが位置して、引き出し部１３ｄが本体部１３ａに直接接続される構成となっている。引き出し部１３ｄは、下部電極１１の長手方向に平行な、本体部１３ａの両辺のうちの一方の辺に接続するように設けられた第１部分１３ｄ_１と、本体部１３ａの上記両辺のうちの他方の辺に接続するように設けられた第２部分１３ｄ_２と、第１部分１３ｄ_１と第２部分１３ｄ_２を連結し、下部電極１１と平面的に重ならない連結部１３ｄ_３とを有している。なお、下部電極１１の長手方向とは、下部電極１１のキャビティ１４に重なる部分と、下部電極１１の外部電源に接続される部分（図３においては、キャビティ１４に重なる部分の左側の部分）とを結ぶ方向（図３上では左右方向）を意味し、一般に、この方向の下部電極１１の長さは、この方向に垂直な方向の長さよりも長い。そして、第１部分１３ｄ_１の本体部１３ａに接続する方向に直交する方向のサイズ（幅）は、第２部分１３ｄ_２の本体部１３ａに接続する方向に直交する方向のサイズ（幅）と実質的に同じである。なお、上部電極１３ａの第１および第２部分１３ｄ_１、１３ｄ_２の本体部１３ａに接続する方向のサイズは少なくとも１５μｍであることが好ましい。このようにすることにより、製造プロセスでキャビティ１４の位置が図３上で上下方向にずれても、寄生容量１５の総和は変わらず、反共振周波数が変動することを抑制することができる。

この変形例においては、図１に示す実施形態の場合と異なり、本体部１３ａと引き出し部１３ｄとは直接接続されるため、本体部１３ａよりも幅の狭い接続部がない。このため、直列抵抗値が図１に示す実施形態の場合に比べて小さくなり、共振のＱ値が大きくなる。なお、図１に示す実施形態の場合は図３に示す変形例に比べてサイズを小さくすることができるという利点がある。

また、上記第１実施形態およびその変形例においては、２つの寄生容量１５は本体部１３ａの中心線に対して対称となる位置設けられていたが、非対称の位置にあってもよい。

また、寄生容量の総和が変わらないように、第１実施形態においては、突起部１３ｂおよび接続部１３ｃの少なくとも一方を複数個に分割してもよいし、変形例においては、第１および第２部分１３ｄ_１、１３ｄ_２の少なくとも一方を複数個に分割してもよい。

（比較例）
本実施形態の比較例の平面図を図４に示す。この比較例は、図１に示す実施形態において、突起部１３ｂおよび接続部１３ｃを削除し、本体部１３ａと引き出し部１３ｄとを一体化したものを上部電極１３とした構成となっている。この比較例においては、寄生容量１５がキャビティ１４の右側にしか存在しないため、キャビティ１４の上下の位置ずれに対して寄生容量１５の大きさが変化することはないが、左右の位置ずれが起きると寄生容量１５の大きさが変化するので、反共振周波数が変動することとなる。

以上説明したように、本実施形態によれば、プロセスの変動によりキャビティと上下電極との位置ずれが生じても、寄生容量の総和は一定であり、このため、反共振周波数の変動が生じない。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態によるフィルタ回路を、図５、６を参照して説明する。図５は、本実施形態によるフィルタ回路の平面図であり、図６は本実施形態によるフィルタ回路の等価回路図である。

本実施形態のフィルタ回路は、７つの薄膜圧電共振器１Ａ〜１Ｇを備えている。そして、３つの薄膜圧電共振器１Ｂ、１Ｄ、１Ｆは直列接続され、４つの薄膜圧電共振器１Ａ、１Ｃ、１Ｅ、１Ｇは並列に接続されており、本実施形態のフィルタ回路はラダー型帯域通過フィルタ回路である。各薄膜圧電共振器１Ａ〜１Ｇは、第１実施形態またはその変形例のいずれかの薄膜圧電共振器である。

薄膜圧電共振器１Ａは、上部電極および下部電極の一方（例えば、上部電極）が、入力信号ＩＮが入力される電極３１となっており、他方（例えば、下部電極）が接地電位ＧＮＤに接続される電極３２となっている。この薄膜圧電共振器１Ａの寄生容量１５は対称の位置に配置されている。

薄膜圧電共振器１Ｂは、上部電極および下部電極の一方（例えば、上部電極）が、電極３１となっており、他方（例えば、下部電極）が電極３３となっている。この薄膜圧電共振器１Ｂの寄生容量１５は対称の位置に配置されている。すなわち、薄膜圧電共振器１Ａ、１Ｂは、電極３１を例えば、上部電極として共有している。

薄膜圧電共振器１Ｃは、上部電極および下部電極の一方（例えば、下部電極）が電極３３となっており、他方（例えば、上部電極）が接地電位ＧＮＤに接続される電極３４となっている。この薄膜圧電共振器１Ｃの寄生容量１５は対称の位置に配置されている。

薄膜圧電共振器１Ｄは、上部電極および下部電極の一方（例えば、下部電極）が電極３３となっており、他方（例えば、上部電極）が電極３５となっている。この薄膜圧電共振器１Ｄの寄生容量１５は非対称の位置に配置されている。すなわち、薄膜圧電共振器１Ｂ、１Ｃ、１Ｄは、電極３３を例えば、下部電極として共有している。

薄膜圧電共振器１Ｅは、上部電極および下部電極の一方（例えば、上部電極）が電極３５となっており、他方（例えば、下部電極）が、接地電位ＧＮＤに接続される電極３６となっている。この薄膜圧電共振器１Ｅの寄生容量１５は対称の位置に配置されている。

薄膜圧電共振器１Ｆは、上部電極および下部電極の一方（例えば、上部電極）が電極３５となっており、他方（例えば、下部電極）が、出力信号ＯＵＴが出力される電極３７となっている。この薄膜圧電共振器１Ｆの寄生容量１５は非対称の位置に配置されている。すなわち、薄膜圧電共振器１Ｄ、１Ｅ、１Ｆは、電極３５を例えば、上部電極として共有している。

薄膜圧電共振器１Ｇは、上部電極および下部電極の一方（例えば、下部電極）が電極３７となっており、他方（例えば、上部電極）が、接地電位ＧＮＤに接続される電極３８となっている。この薄膜圧電共振器１Ｇの寄生容量１５は対称の位置に配置されている。すなわち、薄膜圧電共振器１Ｆ、１Ｇは、電極３７を例えば、下部電極として共有している。

このように構成された本実施形態のフィルタ回路によれば、このフィルタ回路を構成する各薄膜圧電共振器が第１実施形態またはその変形例のいずれかであるため、第１実施形態の場合と同様に、製造プロセスの変動によりキャビティと上下電極との位置ずれが生じても、寄生容量の総和は一定であり、このため、反共振周波数の変動が生じない。

本発明の各実施形態によれば、キャビティと上下電極の位置ずれが生じても、反共振周波数の変動が生じないような共振器構造が得ることができる。

本発明の第１実施形態による薄膜圧電共振器の平面図。図１に示す切断線Ａ−Ａで切断したときの第１実施形態の薄膜圧電共振器の断面図。第１実施形態の変形例による薄膜圧電共振器の平面図。第１実施形態の比較例による薄膜圧電共振器の平面図。本発明の第２実施形態によるフィルタ回路の平面図。第２実施形態のフィルタ回路の等価回路図。

符号の説明

１薄膜圧電共振器
１０基板
１１下部電極
１２圧電体
１３上部電極
１３ａ本体部
１３ｂ突起部
１３ｃ接続部
１３ｄ引き出し部
１４キャビティ（開口）
１５寄生容量

Claims

基板と、
前記基板の主面から裏面に貫通するキャビティと、
前記キャビティを覆うように前記基板の主面上に設けられた下部電極と、
前記キャビティを覆うように前記下部電極上に設けられた圧電体膜と、
全体が前記キャビティの一部分と平面的に重なるように前記圧電体膜上に設けられた本体部と、前記本体部に接続し一部分が前記キャビティに重なり残りの部分が前記キャビティに重ならならずかつ前記下部電極に重なるように前記圧電体膜上に設けられた突起部と、前記本体部の前記突起部と反対側の前記圧電体膜上に設けられた引き出し部と、前記本体部と前記引き出し部とを接続し、少なくとも一部分が前記キャビティに重ならずかつ前記下部電極に重なるように前記圧電体上に設けられた接続部とを有する上部電極と、
を備え、
前記突起部の、前記本体部に接続する第１の方向に直交する第２の方向のサイズは、前記接続部の前記第２の方向に平行な方向のサイズと実質的に同じでかつ前記本体部の前記第２の方向に平行な方向のサイズよりも小さいことを特徴とする薄膜圧電共振器。
前記突起部の前記残りの部分は、前記接続部の前記一部分と、前記基板の前記主面に平行な平面における前記キャビティの中心を通り前記第２の方向に平行な直線に対して対称の位置に配置されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜圧電共振器。
前記突起部の前記残りの部分は、前記接続部の前記一部分と、前記基板の前記主面に平行な平面における前記キャビティの中心を通り前記第２の方向に平行な直線に対して非対称の位置に配置されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜圧電共振器。
前記接続部の前記第１の方向のサイズは、前記突起部の前記第１の方向のサイズよりも１５μｍよりも大きいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の薄膜圧電共振器。
基板と、
前記基板の主面から裏面に貫通するキャビティと、
前記キャビティを覆うように前記基板の主面上に設けられた下部電極と、
前記キャビティを覆うように前記下部電極上に設けられた圧電体膜と、
全体が前記キャビティの一部分と平面的に重なるように前記圧電体膜上に設けられた本体部と、前記下部電極の長手方向に平行な前記本体部の両辺のうちの一方の辺に接続するように設けられた第１部分と、前記本体部の前記両辺のうちの他方の辺に接続するように設けられた第２部分と、前記第１部分と前記第２部分を連結し、前記下部電極と平面的に重ならない連結部とを有する上部電極と、
を備え、
前記第１部分の、前記本体部に接続する第１の方向に直交する第２の方向のサイズは、前記第２部分の前記第２の方向のサイズと実質的に同じでかつ前記本体部の前記第２の方向に平行な方向のサイズよりも小さいことを特徴とする薄膜圧電共振器。
前記上部電極の第１部分と、前記第２部分とは、前記基板の前記主面に平行な平面における前記キャビティの中心を通り前記第２の方向に平行な直線に対して対称の位置に配置されていることを特徴とする請求項５記載の薄膜圧電共振器。
前記上部電極の前記第１部分と、前記第２部分とは、前記基板の前記主面に平行な平面における前記キャビティの中心を通り前記第２の方向に平行な直線に対して非対称の位置に配置されていることを特徴とする請求項５記載の薄膜圧電共振器。
前記上部電極の前記第１および第２部分の前記第１の方向のサイズは少なくとも１５μｍであることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の薄膜圧電共振器。
請求項１乃至４のいずれかに記載の薄膜圧電共振器を備えていることを特徴とするフィルタ回路。
請求項５乃至８のいずれかに記載の薄膜圧電共振器を備えていることを特徴とするフィルタ回路。