JP2002308846A - レチノイド中間体の製造方法 - Google Patents
レチノイド中間体の製造方法Info
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- JP2002308846A JP2002308846A JP2002000299A JP2002000299A JP2002308846A JP 2002308846 A JP2002308846 A JP 2002308846A JP 2002000299 A JP2002000299 A JP 2002000299A JP 2002000299 A JP2002000299 A JP 2002000299A JP 2002308846 A JP2002308846 A JP 2002308846A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 共役トリエン誘導体の製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 一般式（１） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基、
波線はＥ／Ｚ幾何異性体のいずれか一方もしくはそれら
の混合物であることを表わす。）で示されるジスルホン
誘導体を塩基と反応させる一般式（２） で示される共役トリエン誘導体の製造方法；及び一般式
（４） で示されるスルホン類と一般式（５） （式中、Ｘはハロゲン原子、Ｒおよび波線は前記と同じ
意味を表わす。）で示されるアリルハライド誘導体とを
塩基性化合物の存在下に反応させ一般式（３）で示され
るスルホン誘導体を得、該誘導体をスルホン化反応に供
し、一般式（１）で示されるジスルホン誘導体を得、該
誘導体を塩基と反応させることを特徴とする一般式
（２）で示される共役トリエン誘導体の製造方法。
と。 【解決手段】 一般式（１） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基、
波線はＥ／Ｚ幾何異性体のいずれか一方もしくはそれら
の混合物であることを表わす。）で示されるジスルホン
誘導体を塩基と反応させる一般式（２） で示される共役トリエン誘導体の製造方法；及び一般式
（４） で示されるスルホン類と一般式（５） （式中、Ｘはハロゲン原子、Ｒおよび波線は前記と同じ
意味を表わす。）で示されるアリルハライド誘導体とを
塩基性化合物の存在下に反応させ一般式（３）で示され
るスルホン誘導体を得、該誘導体をスルホン化反応に供
し、一般式（１）で示されるジスルホン誘導体を得、該
誘導体を塩基と反応させることを特徴とする一般式
（２）で示される共役トリエン誘導体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬、飼料添加
物、食品添加物の中間体、例えばレチノール誘導体やカ
ロテノイド類の中間体として有用なジスルホン誘導体、
共役トリエン誘導体の製造方法に関する。
物、食品添加物の中間体、例えばレチノール誘導体やカ
ロテノイド類の中間体として有用なジスルホン誘導体、
共役トリエン誘導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】本発
明者らは、環状スルホン類とC10のアルコール類（ゲラ
ニオールなど）から誘導されるアリルハライド類とのカ
ップリング反応によるレチノールの重要中間体であるス
ルホン誘導体（特開平11-222479号公報）を見出してい
る。しかしながらレチノールの製造方法として、原料の
価格、中間体の精製、工程数等の観点から更に優れた製
造方法の開発が望まれていた。
明者らは、環状スルホン類とC10のアルコール類（ゲラ
ニオールなど）から誘導されるアリルハライド類とのカ
ップリング反応によるレチノールの重要中間体であるス
ルホン誘導体（特開平11-222479号公報）を見出してい
る。しかしながらレチノールの製造方法として、原料の
価格、中間体の精製、工程数等の観点から更に優れた製
造方法の開発が望まれていた。
【０００３】
【課題を解決するための手段】このような状況下、本発
明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結
果、スルホン類（４）にイソプレンから２工程で簡便に
製造でき、かつ低沸点で精製が比較的容易であるＣ５の
アリルハライド誘導体（５）とを塩基性化合物の存在
下、カップリング反応に供し、得られた化合物をスルホ
ン化反応に供することにより一般式（１）で示されるジ
スルホン誘導体が得られ、該誘導体を塩基で処理するこ
とにより一般式（２）で示される共役トリエン誘導体が
製造できることを見いだし本発明に至った。
明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結
果、スルホン類（４）にイソプレンから２工程で簡便に
製造でき、かつ低沸点で精製が比較的容易であるＣ５の
アリルハライド誘導体（５）とを塩基性化合物の存在
下、カップリング反応に供し、得られた化合物をスルホ
ン化反応に供することにより一般式（１）で示されるジ
スルホン誘導体が得られ、該誘導体を塩基で処理するこ
とにより一般式（２）で示される共役トリエン誘導体が
製造できることを見いだし本発明に至った。
【０００４】以下、本発明について詳細に説明する。す
なわち、本発明は、一般式（１） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基、
波線はＥ／Ｚ幾何異性体のいずれか一方もしくはそれら
の混合物であることを表わす。）で示されるジスルホン
誘導体を塩基と反応させることを特徴とする一般式
（２） （式中、Ａｒおよび波線は前記と同じ意味を表わす。）
で示される共役トリエン誘導体の製造方法を提供するも
のである。ジスルホン誘導体（1）は、一般式（４） （式中、Ａｒは前記と同じ意味を表わす。）で示される
スルホン類と一般式（５） （式中、Ｘはハロゲン原子、Ｒおよび波線は前記と同じ
意味を表わす。）で示されるアリルハライド誘導体とを
塩基性化合物の存在下に反応させて得られる一般式
（３） （式中、Ｒは水酸基の保護基、Ａｒおよび波線は前記と
同じ意味を表わす。）で示されるスルホン誘導体をスル
ホン化反応に供することにより得られる。また、一般式
（７） （式中、Ａｒ’は置換基を有しているフェニル基、波線
は前記と同じ意味を表わす。）で示されるジスルホン誘
導体及び、一般式（８） （式中、Ａｒ’および波線は前記と同じ意味を表わ
す。）で示される共役トリエン誘導体は新規化合物であ
る。
なわち、本発明は、一般式（１） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基、
波線はＥ／Ｚ幾何異性体のいずれか一方もしくはそれら
の混合物であることを表わす。）で示されるジスルホン
誘導体を塩基と反応させることを特徴とする一般式
（２） （式中、Ａｒおよび波線は前記と同じ意味を表わす。）
で示される共役トリエン誘導体の製造方法を提供するも
のである。ジスルホン誘導体（1）は、一般式（４） （式中、Ａｒは前記と同じ意味を表わす。）で示される
スルホン類と一般式（５） （式中、Ｘはハロゲン原子、Ｒおよび波線は前記と同じ
意味を表わす。）で示されるアリルハライド誘導体とを
塩基性化合物の存在下に反応させて得られる一般式
（３） （式中、Ｒは水酸基の保護基、Ａｒおよび波線は前記と
同じ意味を表わす。）で示されるスルホン誘導体をスル
ホン化反応に供することにより得られる。また、一般式
（７） （式中、Ａｒ’は置換基を有しているフェニル基、波線
は前記と同じ意味を表わす。）で示されるジスルホン誘
導体及び、一般式（８） （式中、Ａｒ’および波線は前記と同じ意味を表わ
す。）で示される共役トリエン誘導体は新規化合物であ
る。
【０００５】
【発明の実施の形態】一般式（３）で示されるスルホン
誘導体および一般式（５）で示されるアリルハライド誘
導体におけるＲは、水酸基の保護基を示し、かかる水酸
基の保護基としては、例えばホルミル、アセチル、エト
キシアセチル、フルオロアセチル、ジフルオロアセチ
ル、トリフルオロアセチル、クロロアセチル、ジクロロ
アセチル、トリクロロアセチル、ブロモアセチル、ジブ
ロモアセチル、トリブロモアセチル、プロピオニル、２
−クロロプロピオニル、３−クロロプロピオニル、ブチ
リル、２−クロロブチリル、３−クロロブチリル、４−
クロロブチリル、２−メチルブチリル、２−エチルブチ
リル、バレリル、２−メチルバレリル、４−メチルバレ
リル、ヘキサノイル、イソブチリル、イソバレリル、ピ
バロイル、ベンゾイル、ｏ−クロロベンゾイル、ｍ−ク
ロロベンゾイル、ｐ−クロロベンゾイル、 ｏ−ヒドロ
キシベンゾイル、ｍ−ヒドロキシベンゾイル、ｐ−ヒド
ロキシベンゾイル、 ｏ−アセトキシベンゾイル、 ｏ−
メトキシベンゾイル、ｍ−メトキシベンゾイル、ｐ−メ
トキシベンゾイル、ｐ−ニトロベンゾイル等のアシル
基、トリメチルシリル、トリエチルシリル、ｔ−ブチル
ジメチルシリル、ｔ−ブチルジフェニルシリルなどのシ
リル基、テトラヒドロピラニル、メトキシメチル、メト
キシエトキシメチル、１−エトキシエチルなどのアルコ
キシアルキル基、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル
基、ｔ−ブチル基、トリチル基、メチル基、２，２，２
−トリクロロエトキシカルボニル基、アリルオキシカル
ボニル基等が挙げられ、通常、アシル基が好ましく、ア
セチル基がより好ましく用いられる。
誘導体および一般式（５）で示されるアリルハライド誘
導体におけるＲは、水酸基の保護基を示し、かかる水酸
基の保護基としては、例えばホルミル、アセチル、エト
キシアセチル、フルオロアセチル、ジフルオロアセチ
ル、トリフルオロアセチル、クロロアセチル、ジクロロ
アセチル、トリクロロアセチル、ブロモアセチル、ジブ
ロモアセチル、トリブロモアセチル、プロピオニル、２
−クロロプロピオニル、３−クロロプロピオニル、ブチ
リル、２−クロロブチリル、３−クロロブチリル、４−
クロロブチリル、２−メチルブチリル、２−エチルブチ
リル、バレリル、２−メチルバレリル、４−メチルバレ
リル、ヘキサノイル、イソブチリル、イソバレリル、ピ
バロイル、ベンゾイル、ｏ−クロロベンゾイル、ｍ−ク
ロロベンゾイル、ｐ−クロロベンゾイル、 ｏ−ヒドロ
キシベンゾイル、ｍ−ヒドロキシベンゾイル、ｐ−ヒド
ロキシベンゾイル、 ｏ−アセトキシベンゾイル、 ｏ−
メトキシベンゾイル、ｍ−メトキシベンゾイル、ｐ−メ
トキシベンゾイル、ｐ−ニトロベンゾイル等のアシル
基、トリメチルシリル、トリエチルシリル、ｔ−ブチル
ジメチルシリル、ｔ−ブチルジフェニルシリルなどのシ
リル基、テトラヒドロピラニル、メトキシメチル、メト
キシエトキシメチル、１−エトキシエチルなどのアルコ
キシアルキル基、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル
基、ｔ−ブチル基、トリチル基、メチル基、２，２，２
−トリクロロエトキシカルボニル基、アリルオキシカル
ボニル基等が挙げられ、通常、アシル基が好ましく、ア
セチル基がより好ましく用いられる。
【０００６】一般式（１）、（２）、（３）、（４）お
よび（６）で示される化合物におけるＡｒは置換基を有
していてもよいアリール基を示し、アリール基としては
フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、置換基として
は、Ｃ１からＣ５の直鎖または分枝状のアルキル基、Ｃ
１からＣ５の直鎖または分枝状のアルコキシ基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基等が挙げられる。置換基Ａｒの具体例
としては、フェニル、ナフチル、ｏ−トリル，ｍ−トリ
ル，ｐ−トリル、ｏ−メトキシフェニル、ｍ−メトキシ
フェニル、ｐ−メトキシフェニル、ｏ−クロロフェニ
ル、ｍ−クロロフェニル、ｐ−クロロフェニル、ｏ−ブ
ロモフェニル、ｍ−ブロモフェニル、ｐ−ブロモフェニ
ル、ｏ−ヨードフェニル、ｍ−ヨードフェニル、ｐ−ヨ
ードフェニル、ｏ−フルオロフェニル、ｍ−フルオロフ
ェニル、ｐ−フルオロフェニル、ｏ−ニトロフェニル、
ｍ−ニトロフェニル、ｐ−ニトロフェニル等が挙げられ
るが、より好ましくは、トリル基が挙げられる。
よび（６）で示される化合物におけるＡｒは置換基を有
していてもよいアリール基を示し、アリール基としては
フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、置換基として
は、Ｃ１からＣ５の直鎖または分枝状のアルキル基、Ｃ
１からＣ５の直鎖または分枝状のアルコキシ基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基等が挙げられる。置換基Ａｒの具体例
としては、フェニル、ナフチル、ｏ−トリル，ｍ−トリ
ル，ｐ−トリル、ｏ−メトキシフェニル、ｍ−メトキシ
フェニル、ｐ−メトキシフェニル、ｏ−クロロフェニ
ル、ｍ−クロロフェニル、ｐ−クロロフェニル、ｏ−ブ
ロモフェニル、ｍ−ブロモフェニル、ｐ−ブロモフェニ
ル、ｏ−ヨードフェニル、ｍ−ヨードフェニル、ｐ−ヨ
ードフェニル、ｏ−フルオロフェニル、ｍ−フルオロフ
ェニル、ｐ−フルオロフェニル、ｏ−ニトロフェニル、
ｍ−ニトロフェニル、ｐ−ニトロフェニル等が挙げられ
るが、より好ましくは、トリル基が挙げられる。
【０００７】一般式（７）および（８）で示されるＡ
ｒ’は置換基を有しているフェニル基を示し、置換基と
しては、Ｃ１からＣ５の直鎖または分枝状のアルキル
基、Ｃ１からＣ５の直鎖または分枝状のアルコキシ基、
ハロゲン原子、ニトロ基等が挙げられる。置換基Ａｒ’
の具体例としては、ｏ−トリル，ｍ−トリル，ｐ−トリ
ル、ｏ−メトキシフェニル、ｍ−メトキシフェニル、ｐ
−メトキシフェニル、ｏ−クロロフェニル、ｍ−クロロ
フェニル、ｐ−クロロフェニル、ｏ−ブロモフェニル、
ｍ−ブロモフェニル、ｐ−ブロモフェニル、ｏ−ヨード
フェニル、ｍ−ヨードフェニル、ｐ−ヨードフェニル、
ｏ−フルオロフェニル、ｍ−フルオロフェニル、ｐ−フ
ルオロフェニル、ｏ−ニトロフェニル、ｍ−ニトロフェ
ニル、ｐ−ニトロフェニル等が挙げられるが、より好ま
しくは、トリル基が挙げられる。
ｒ’は置換基を有しているフェニル基を示し、置換基と
しては、Ｃ１からＣ５の直鎖または分枝状のアルキル
基、Ｃ１からＣ５の直鎖または分枝状のアルコキシ基、
ハロゲン原子、ニトロ基等が挙げられる。置換基Ａｒ’
の具体例としては、ｏ−トリル，ｍ−トリル，ｐ−トリ
ル、ｏ−メトキシフェニル、ｍ−メトキシフェニル、ｐ
−メトキシフェニル、ｏ−クロロフェニル、ｍ−クロロ
フェニル、ｐ−クロロフェニル、ｏ−ブロモフェニル、
ｍ−ブロモフェニル、ｐ−ブロモフェニル、ｏ−ヨード
フェニル、ｍ−ヨードフェニル、ｐ−ヨードフェニル、
ｏ−フルオロフェニル、ｍ−フルオロフェニル、ｐ−フ
ルオロフェニル、ｏ−ニトロフェニル、ｍ−ニトロフェ
ニル、ｐ−ニトロフェニル等が挙げられるが、より好ま
しくは、トリル基が挙げられる。
【０００８】一般式（５）で示されるアリルハライド誘
導体におけるＸはハロゲン原子を示し、具体的には塩素
原子、臭素原子、沃素原子等が挙げられる。
導体におけるＸはハロゲン原子を示し、具体的には塩素
原子、臭素原子、沃素原子等が挙げられる。
【０００９】本発明に用いられる原料化合物であるスル
ホン類（４）は、例えば、J.Org.Chem.39,2135(1974)に
記載された方法により、またアリルハライド誘導体
（５）は、米国特許4175204号明細書に記載された方法
により容易に製造することができる。
ホン類（４）は、例えば、J.Org.Chem.39,2135(1974)に
記載された方法により、またアリルハライド誘導体
（５）は、米国特許4175204号明細書に記載された方法
により容易に製造することができる。
【００１０】一般式（２）で示される共役トリエン誘導
体は、一般式（１）で示されるジスルホン誘導体を塩基
と反応させることにより得られる。
体は、一般式（１）で示されるジスルホン誘導体を塩基
と反応させることにより得られる。
【００１１】上記反応に用いられる塩基としては、アル
カリ金属の水酸化物、アルカリ金属の水素化物、アルカ
リ金属のアルコキシド、アルカリ金属のアミドなどが挙
げられ、具体的にはアルカリ金属の水酸化物としては、
水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムな
ど、アルカリ金属の水素化物としては、水素化ナトリウ
ム、水素化カリウムなどが挙げられ、アルカリ金属のア
ルコキシドとしては、ナトリウムｔ−ブトキシド、カリ
ウムｔ−ブトキシド、ナトリウムメトキシド、カリウム
メトキシドなどが挙げられ、アルカリ金属のアミドとし
ては、ナトリウムアミド、カリウムアミドなどが挙げら
れる。特にアルカリ金属の水酸化物が好ましく用いられ
る。また、形状は微粉末のものがより好ましい。その使
用量は、一般式（１）で示されるジスルホン誘導体に対
して、通常２〜２０モル倍程度、好ましくは、３〜１５
モル倍程度の範囲である。
カリ金属の水酸化物、アルカリ金属の水素化物、アルカ
リ金属のアルコキシド、アルカリ金属のアミドなどが挙
げられ、具体的にはアルカリ金属の水酸化物としては、
水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムな
ど、アルカリ金属の水素化物としては、水素化ナトリウ
ム、水素化カリウムなどが挙げられ、アルカリ金属のア
ルコキシドとしては、ナトリウムｔ−ブトキシド、カリ
ウムｔ−ブトキシド、ナトリウムメトキシド、カリウム
メトキシドなどが挙げられ、アルカリ金属のアミドとし
ては、ナトリウムアミド、カリウムアミドなどが挙げら
れる。特にアルカリ金属の水酸化物が好ましく用いられ
る。また、形状は微粉末のものがより好ましい。その使
用量は、一般式（１）で示されるジスルホン誘導体に対
して、通常２〜２０モル倍程度、好ましくは、３〜１５
モル倍程度の範囲である。
【００１２】上記反応はアルカリ金属の水酸化物のみで
も進行するが、より反応を促進するために、低級アルコ
ールや相間移動触媒を添加してもよい。
も進行するが、より反応を促進するために、低級アルコ
ールや相間移動触媒を添加してもよい。
【００１３】上記反応に用いられる低級アルコールとし
ては、メタノール、エタノール、ｉ−プロピルアルコー
ル、ｓ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコールなど
が挙げられる。その使用量は、一般式（１）で示される
ジスルホン誘導体に対して、通常、０．５〜３モル倍程
度である。
ては、メタノール、エタノール、ｉ−プロピルアルコー
ル、ｓ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコールなど
が挙げられる。その使用量は、一般式（１）で示される
ジスルホン誘導体に対して、通常、０．５〜３モル倍程
度である。
【００１４】上記反応に用いられる相間移動触媒として
は４級アンモニウム塩、４級ホスホニウム塩、スルホニ
ウム塩等が挙げられる。４級アンモニウム塩としては、
例えば、塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラエ
チルアンモニウム、塩化テトラプロピルアンモニウム、
塩化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラペンチルア
ンモニウム、塩化テトラヘキシルアンモニウム、塩化テ
トラヘプチルアンモニウム、塩化テトラオクチルアンモ
ニウム、塩化テトラヘキサデシルアンモニウム、塩化テ
トラオクタデシルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチ
ルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウ
ム、塩化ベンジルトリブチルアンモニウム、塩化１−メ
チルピリジニウム、塩化１−ヘキサデシルピリジニウ
ム、塩化１，４−ジメチルピリジニウム、塩化テトラメ
チル−２−ブチルアンモニウム、塩化トリメチルシクロ
プロピルアンモニウム、臭化テトラメチルアンモニウ
ム、臭化テトラエチルアンモニウム、臭化テトラプロピ
ルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、臭化
テトラペンチルアンモニウム、臭化テトラヘキシルアン
モニウム、臭化テトラヘプチルアンモニウム、臭化テト
ラオクチルアンモニウム、臭化テトラヘキサデシルアン
モニウム、臭化テトラオクタデシルアンモニウム、臭化
ベンジルトリメチルアンモニウム、臭化ベンジルトリエ
チルアンモニウム、臭化ベンジルトリブチルアンモニウ
ム、臭化１―メチルピリジニウム、臭化１−ヘキサデシ
ルピリジニウム、臭化１，４−ジメチルピリジニウム、
臭化テトラメチル−２−ブチルアンモニウム、臭化トリ
メチルシクロプロピルアンモニウム、沃化テトラメチル
アンモニウム、沃化テトラブチルアンモニウム、沃化テ
トラオクチルアンモニウム、沃化ｔ―ブチルエチルジメ
チルアンモニウム、沃化テトラデシルトリメチルアンモ
ニウム、沃化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム、沃
化オクタデシルトリメチルアンモニウム、沃化ベンジル
トリメチルアンモニウム、沃化ベンジルトリエチルアン
モニウム、沃化ベンジルトリブチルアンモニウム等が挙
げられる。
は４級アンモニウム塩、４級ホスホニウム塩、スルホニ
ウム塩等が挙げられる。４級アンモニウム塩としては、
例えば、塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラエ
チルアンモニウム、塩化テトラプロピルアンモニウム、
塩化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラペンチルア
ンモニウム、塩化テトラヘキシルアンモニウム、塩化テ
トラヘプチルアンモニウム、塩化テトラオクチルアンモ
ニウム、塩化テトラヘキサデシルアンモニウム、塩化テ
トラオクタデシルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチ
ルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウ
ム、塩化ベンジルトリブチルアンモニウム、塩化１−メ
チルピリジニウム、塩化１−ヘキサデシルピリジニウ
ム、塩化１，４−ジメチルピリジニウム、塩化テトラメ
チル−２−ブチルアンモニウム、塩化トリメチルシクロ
プロピルアンモニウム、臭化テトラメチルアンモニウ
ム、臭化テトラエチルアンモニウム、臭化テトラプロピ
ルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、臭化
テトラペンチルアンモニウム、臭化テトラヘキシルアン
モニウム、臭化テトラヘプチルアンモニウム、臭化テト
ラオクチルアンモニウム、臭化テトラヘキサデシルアン
モニウム、臭化テトラオクタデシルアンモニウム、臭化
ベンジルトリメチルアンモニウム、臭化ベンジルトリエ
チルアンモニウム、臭化ベンジルトリブチルアンモニウ
ム、臭化１―メチルピリジニウム、臭化１−ヘキサデシ
ルピリジニウム、臭化１，４−ジメチルピリジニウム、
臭化テトラメチル−２−ブチルアンモニウム、臭化トリ
メチルシクロプロピルアンモニウム、沃化テトラメチル
アンモニウム、沃化テトラブチルアンモニウム、沃化テ
トラオクチルアンモニウム、沃化ｔ―ブチルエチルジメ
チルアンモニウム、沃化テトラデシルトリメチルアンモ
ニウム、沃化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム、沃
化オクタデシルトリメチルアンモニウム、沃化ベンジル
トリメチルアンモニウム、沃化ベンジルトリエチルアン
モニウム、沃化ベンジルトリブチルアンモニウム等が挙
げられる。
【００１５】４級ホスホニウム塩としては、例えば、塩
化トリブチルメチルホスホニウム、塩化トリエチルメチ
ルホスホニウム、塩化メチルトリフェノキシホスホニウ
ム、塩化ブチルトリフェニルホスホニウム、塩化テトラ
ブチルホスホニウム、塩化ベンジルトリフェニルホスホ
ニウム、塩化ヘキサデシルトリメチルホスホニウム、塩
化ヘキサデシルトリブチルホスホニウム、塩化ヘキサデ
シルジメチルエチルホスホニウム、塩化テトラフェニル
ホスホニウム、臭化トリブチルメチルホスホニウム、臭
化トリエチルメチルホスホニウム、臭化メチルトリフェ
ノキシホスホニウム、臭化ブチルトリフェニルホスホニ
ウム、臭化テトラブチルホスホニウム、臭化ベンジルト
リフェニルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリメチル
ホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリブチルホスホニウ
ム、臭化ヘキサデシルジメチルエチルホスホニウム、臭
化テトラフェニルホスホニウム、沃化トリブチルメチル
ホスホニウム、沃化トリエチルメチルホスホニウム、沃
化メチルトリフェノキシホスホニウム、沃化ブチルトリ
フェニルホスホニウム、沃化テトラブチルホスホニウ
ム、沃化ベンジルトリフェニルホスホニウム、沃化ヘキ
サデシルトリメチルホスホニウム等が挙げられる。
化トリブチルメチルホスホニウム、塩化トリエチルメチ
ルホスホニウム、塩化メチルトリフェノキシホスホニウ
ム、塩化ブチルトリフェニルホスホニウム、塩化テトラ
ブチルホスホニウム、塩化ベンジルトリフェニルホスホ
ニウム、塩化ヘキサデシルトリメチルホスホニウム、塩
化ヘキサデシルトリブチルホスホニウム、塩化ヘキサデ
シルジメチルエチルホスホニウム、塩化テトラフェニル
ホスホニウム、臭化トリブチルメチルホスホニウム、臭
化トリエチルメチルホスホニウム、臭化メチルトリフェ
ノキシホスホニウム、臭化ブチルトリフェニルホスホニ
ウム、臭化テトラブチルホスホニウム、臭化ベンジルト
リフェニルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリメチル
ホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリブチルホスホニウ
ム、臭化ヘキサデシルジメチルエチルホスホニウム、臭
化テトラフェニルホスホニウム、沃化トリブチルメチル
ホスホニウム、沃化トリエチルメチルホスホニウム、沃
化メチルトリフェノキシホスホニウム、沃化ブチルトリ
フェニルホスホニウム、沃化テトラブチルホスホニウ
ム、沃化ベンジルトリフェニルホスホニウム、沃化ヘキ
サデシルトリメチルホスホニウム等が挙げられる。
【００１６】スルホニウム塩としては、例えば、塩化ジ
ブチルメチルスルホニウム、塩化トリメチルスルホニウ
ム、塩化トリエチルスルホニウム、臭化ジブチルメチル
スルホニウム、臭化トリメチルスルホニウム、臭化トリ
エチルスルホニウム、沃化ジブチルメチルスルホニウ
ム、沃化トリメチルスルホニウム、沃化トリエチルスル
ホニウム等が挙げられる。
ブチルメチルスルホニウム、塩化トリメチルスルホニウ
ム、塩化トリエチルスルホニウム、臭化ジブチルメチル
スルホニウム、臭化トリメチルスルホニウム、臭化トリ
エチルスルホニウム、沃化ジブチルメチルスルホニウ
ム、沃化トリメチルスルホニウム、沃化トリエチルスル
ホニウム等が挙げられる。
【００１７】特に４級アンモニウム塩が好ましく用いら
れる。
れる。
【００１８】かかる相間移動触媒の使用量は、ジスルホ
ン誘導体（１）に対して通常０．０１〜０．２モル倍程
度であり、好ましくは０．０２〜０．１モル倍程度であ
る。
ン誘導体（１）に対して通常０．０１〜０．２モル倍程
度であり、好ましくは０．０２〜０．１モル倍程度であ
る。
【００１９】上記反応には、通常、有機溶媒が用いら
れ、かかる溶媒としては、例えばジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン、ア
ニソール等のエーテル系溶媒、ｎ−ヘキサン、シクロヘ
キサン、ｎ−ペンタン、トルエン、キシレン等の炭化水
素系溶媒、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、スルホラ
ン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１−メ
チル−２−ピロリジノン等の非プロトン性極性溶媒が挙
げられ、これらは単一であっても２種類以上の混合溶媒
で使用してもよい。好ましくは、トルエン、ヘキサン等
の炭化水素系溶媒が使用される。
れ、かかる溶媒としては、例えばジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン、ア
ニソール等のエーテル系溶媒、ｎ−ヘキサン、シクロヘ
キサン、ｎ−ペンタン、トルエン、キシレン等の炭化水
素系溶媒、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、スルホラ
ン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１−メ
チル−２−ピロリジノン等の非プロトン性極性溶媒が挙
げられ、これらは単一であっても２種類以上の混合溶媒
で使用してもよい。好ましくは、トルエン、ヘキサン等
の炭化水素系溶媒が使用される。
【００２０】反応温度は通常−３０℃から使用する溶媒
の沸点の範囲、好ましくは０〜７０℃程度の範囲であ
る。また、反応時間は用いる塩基の種類ならびに反応温
度によって異なるが、通常１〜４８時間程度の範囲であ
る。
の沸点の範囲、好ましくは０〜７０℃程度の範囲であ
る。また、反応時間は用いる塩基の種類ならびに反応温
度によって異なるが、通常１〜４８時間程度の範囲であ
る。
【００２１】反応後、通常の後処理、例えば水洗浄、抽
出、晶析、各種クロマトグラフィーなどの操作をするこ
とにより共役トリエン誘導体（２）を製造することがで
きる。一般式（１）で示されるジスルホン誘導体は一般
式（３）で示されるスルホン誘導体をスルホン化反応に
供することにより製造することができる。上記反応に
は、例えば一般式（６） （式中、Ａｒは前記と同じ意味を表わし、Ｍはアルカリ
金属を表わす。）で示されるアリールスルフィン酸塩が
使用される。一般式（６）で示されるアリールスルフィ
ン酸塩におけるＭはアルカリ金属原子を示し、具体的に
は、リチウム、ナトリウム、カリウム原子が挙げられ
る。一般式（６）で示されるアリールスルフィン酸塩と
しては、例えば、ｐ−トルエンスルフィン酸リチウム、
ｐ−トルエンスルフィン酸ナトリウム、ｐ−トルエンス
ルフィン酸カリウム、ｐ−クロロフェニルスルフィン酸
リチウム、ｐ−クロロフェニルスルフィン酸ナトリウ
ム、ｐ−クロロフェニルスルフィン酸カリウム、ｐ−ブ
ロモフェニルスルフィン酸リチウム、ｐ−ブロモフェニ
ルスルフィン酸ナトリウム、ｐ−ブロモフェニルスルフ
ィン酸カリウム、ｐ−ヨードフェニルスルフィン酸リチ
ウム、ｐ−ヨードフェニルスルフィン酸ナトリウム、ｐ
−ヨードフェニルスルフィン酸カリウム、ｐ−ニトロフ
ェニルスルフィン酸リチウム、ｐ−ニトロフェニルスル
フィン酸ナトリウム、ｐ−ニトロフェニルスルフィン酸
カリウム等が挙げられるが、好ましくは、ｐ−トルエン
スルフィン酸ナトリウム、ｐ−トルエンスルフィン酸カ
リウムが用いられる。これらは水和物であってもよい。
その使用量はスルホン誘導体（３）に対して通常、1〜
３モル倍程度である。
出、晶析、各種クロマトグラフィーなどの操作をするこ
とにより共役トリエン誘導体（２）を製造することがで
きる。一般式（１）で示されるジスルホン誘導体は一般
式（３）で示されるスルホン誘導体をスルホン化反応に
供することにより製造することができる。上記反応に
は、例えば一般式（６） （式中、Ａｒは前記と同じ意味を表わし、Ｍはアルカリ
金属を表わす。）で示されるアリールスルフィン酸塩が
使用される。一般式（６）で示されるアリールスルフィ
ン酸塩におけるＭはアルカリ金属原子を示し、具体的に
は、リチウム、ナトリウム、カリウム原子が挙げられ
る。一般式（６）で示されるアリールスルフィン酸塩と
しては、例えば、ｐ−トルエンスルフィン酸リチウム、
ｐ−トルエンスルフィン酸ナトリウム、ｐ−トルエンス
ルフィン酸カリウム、ｐ−クロロフェニルスルフィン酸
リチウム、ｐ−クロロフェニルスルフィン酸ナトリウ
ム、ｐ−クロロフェニルスルフィン酸カリウム、ｐ−ブ
ロモフェニルスルフィン酸リチウム、ｐ−ブロモフェニ
ルスルフィン酸ナトリウム、ｐ−ブロモフェニルスルフ
ィン酸カリウム、ｐ−ヨードフェニルスルフィン酸リチ
ウム、ｐ−ヨードフェニルスルフィン酸ナトリウム、ｐ
−ヨードフェニルスルフィン酸カリウム、ｐ−ニトロフ
ェニルスルフィン酸リチウム、ｐ−ニトロフェニルスル
フィン酸ナトリウム、ｐ−ニトロフェニルスルフィン酸
カリウム等が挙げられるが、好ましくは、ｐ−トルエン
スルフィン酸ナトリウム、ｐ−トルエンスルフィン酸カ
リウムが用いられる。これらは水和物であってもよい。
その使用量はスルホン誘導体（３）に対して通常、1〜
３モル倍程度である。
【００２２】上記反応にはパラジウム触媒を使用しても
よく、例えば、テトラキストリフェニルホスフィンパラ
ジウム、アリルクロライドパラジウムダイマー、酢酸パ
ラジウム、酸化パラジウム、塩化パラジウム、プロピオ
ン酸パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム、ジ−μ−クロロビス（η−アリル）パ
ラジウム、ジクロロ（η−１，５−シクロオクタジエ
ン）パラジウム、ジクロロ（η−２，５−ノルボルナジ
エン）パラジウム、ジクロロビス（アセトニトリル）パ
ラジウム、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウ
ム、ジクロロビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）パ
ラジウム、ビス（アセチルアセトナト）パラジウム等が
あげられる。かかるパラジウム触媒の使用量は、スルホ
ン誘導体（３）に対して、通常は０．０１モルパーセン
ト以上である。上限は特に限定されないが、経済的な理
由から通常１０モルパーセント以下が好ましい。
よく、例えば、テトラキストリフェニルホスフィンパラ
ジウム、アリルクロライドパラジウムダイマー、酢酸パ
ラジウム、酸化パラジウム、塩化パラジウム、プロピオ
ン酸パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィ
ン）パラジウム、ジ−μ−クロロビス（η−アリル）パ
ラジウム、ジクロロ（η−１，５−シクロオクタジエ
ン）パラジウム、ジクロロ（η−２，５−ノルボルナジ
エン）パラジウム、ジクロロビス（アセトニトリル）パ
ラジウム、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウ
ム、ジクロロビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）パ
ラジウム、ビス（アセチルアセトナト）パラジウム等が
あげられる。かかるパラジウム触媒の使用量は、スルホ
ン誘導体（３）に対して、通常は０．０１モルパーセン
ト以上である。上限は特に限定されないが、経済的な理
由から通常１０モルパーセント以下が好ましい。
【００２３】上記反応には、配位子を使用してもよく、
配位子としては例えばリン配位子が挙げられ、置換基を
有していてもよいトリアリールホスフィン、トリアルキ
ルホスフィン、トリス（ジアルキルアミノ）ホスフィ
ン、ジホスフィン誘導体、トリアリールホスファイト、
トリアルキルホスファイトなどが挙げられ、具体的に
は、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ−ｔ−ブチ
ルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｍ
−トリルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、ト
リス（ジメチルアミノ）ホスフィン、１，２−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）ブタン、１，２−ビス（ジメチルホスフィ
ノ）エタン、１，１’−ビス（ジメチルホスフィノ）フ
ェロセン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フ
ェロセン、トリフェニルホスファイト、トリメチルホス
ファイト、トリス（トリデシル）ホスファイト、トリ−
ｏ−トリルホスファイト、トリス（２,４-ジ-t-ブチル
フェニル）ホスファイトなどが挙げられる。かかるリン
配位子の使用量は、パラジウム触媒に対して通常、１モ
ル倍から５０モル倍の範囲内であるが、好ましくは、２
モル倍から１０モル倍程度である。
配位子としては例えばリン配位子が挙げられ、置換基を
有していてもよいトリアリールホスフィン、トリアルキ
ルホスフィン、トリス（ジアルキルアミノ）ホスフィ
ン、ジホスフィン誘導体、トリアリールホスファイト、
トリアルキルホスファイトなどが挙げられ、具体的に
は、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ−ｔ−ブチ
ルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｍ
−トリルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、ト
リス（ジメチルアミノ）ホスフィン、１，２−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）ブタン、１，２−ビス（ジメチルホスフィ
ノ）エタン、１，１’−ビス（ジメチルホスフィノ）フ
ェロセン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フ
ェロセン、トリフェニルホスファイト、トリメチルホス
ファイト、トリス（トリデシル）ホスファイト、トリ−
ｏ−トリルホスファイト、トリス（２,４-ジ-t-ブチル
フェニル）ホスファイトなどが挙げられる。かかるリン
配位子の使用量は、パラジウム触媒に対して通常、１モ
ル倍から５０モル倍の範囲内であるが、好ましくは、２
モル倍から１０モル倍程度である。
【００２４】上記反応には、通常、有機溶媒が用いら
れ、使用される溶媒としてはジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタ
ン、アニソール等のエーテル系溶媒、メタノール、エタ
ノール、２−プロパノール、ｔ−ブタノール等のアルコ
ール系溶媒、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、スルホ
ラン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１−
メチル−２−ピロリジノン等の非プロトン性極性溶媒、
ｎ-ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ-ペンタン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒などが挙げ
られ、これらは単一であっても２種以上の混合溶媒で使
用してもよい。
れ、使用される溶媒としてはジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタ
ン、アニソール等のエーテル系溶媒、メタノール、エタ
ノール、２−プロパノール、ｔ−ブタノール等のアルコ
ール系溶媒、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、スルホ
ラン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１−
メチル−２−ピロリジノン等の非プロトン性極性溶媒、
ｎ-ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ-ペンタン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒などが挙げ
られ、これらは単一であっても２種以上の混合溶媒で使
用してもよい。
【００２５】反応温度は通常、−７８℃から溶媒の沸点
までの範囲内で任意に選択できるが、好ましくは２０〜
６０℃程度の範囲である。また、反応時間は、用いる触
媒およびホスフィン配位子の種類ならびに反応温度によ
って異なるが、通常２時間から４８時間程度の範囲であ
る。反応後、通常の後処理、例えば水洗浄、抽出、晶
析、各種クロマトグラフィーなどの操作をすることによ
りジスルホン誘導体（１）を製造することができる。
までの範囲内で任意に選択できるが、好ましくは２０〜
６０℃程度の範囲である。また、反応時間は、用いる触
媒およびホスフィン配位子の種類ならびに反応温度によ
って異なるが、通常２時間から４８時間程度の範囲であ
る。反応後、通常の後処理、例えば水洗浄、抽出、晶
析、各種クロマトグラフィーなどの操作をすることによ
りジスルホン誘導体（１）を製造することができる。
【００２６】一般式（３）で示されるスルホン誘導体は
一般式（４）で示されるスルホン類と一般式（５）で示
されるアリルハライド誘導体とを塩基性化合物の存在下
反応させることにより製造することができる。
一般式（４）で示されるスルホン類と一般式（５）で示
されるアリルハライド誘導体とを塩基性化合物の存在下
反応させることにより製造することができる。
【００２７】上記反応に用いられる塩基性化合物として
は、例えばアルキルリチウム、アルカリ金属水素化物、
アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシ
ド、グリニヤール試薬等が挙げられ、具体的には、例え
ばｎ−ブチルリチウム、ｓ−ブチルリチウム、ｔ−ブチ
ルリチウム、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキ
シド、カリウムｔ−ブトキシド、ナトリウムｔ−ブトキ
シド、エチルマグネシウムブロマイド、エチルマグネシ
ウムクロライド等が挙げられる。かかる塩基の使用量は
スルホン類（４）に対して通常、０．５〜３モル倍程度
であるが、アルカリ金属の水酸化物の場合は１〜２０モ
ル倍程度用いられる．
は、例えばアルキルリチウム、アルカリ金属水素化物、
アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシ
ド、グリニヤール試薬等が挙げられ、具体的には、例え
ばｎ−ブチルリチウム、ｓ−ブチルリチウム、ｔ−ブチ
ルリチウム、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキ
シド、カリウムｔ−ブトキシド、ナトリウムｔ−ブトキ
シド、エチルマグネシウムブロマイド、エチルマグネシ
ウムクロライド等が挙げられる。かかる塩基の使用量は
スルホン類（４）に対して通常、０．５〜３モル倍程度
であるが、アルカリ金属の水酸化物の場合は１〜２０モ
ル倍程度用いられる．
【００２８】上記反応には、相間移動触媒を用いてもよ
い．相間移動触媒としては前記と同様のものが挙げられ
る．
い．相間移動触媒としては前記と同様のものが挙げられ
る．
【００２９】かかる相間移動触媒の使用量は、スルホン
類（４）に対して通常０．０１〜０．２モル倍程度であ
り、好ましくは０．０２〜０．１モル倍程度である。
類（４）に対して通常０．０１〜０．２モル倍程度であ
り、好ましくは０．０２〜０．１モル倍程度である。
【００３０】上記反応には、通常、有機溶媒が用いら
れ、使用される溶媒としてはアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリ
アミド、スルホラン、１，３−ジメチル−２−イミダゾ
リジノン、１−メチル−２−ピロリジノン等の非プロト
ン性極性溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、アニソー
ル等のエーテル系溶媒、ｎ-ヘキサン、シクロヘキサ
ン、ｎ-ペンタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の
炭化水素系溶媒などが挙げられ、これらは単一であって
も２種以上の混合溶媒で使用してもよい。好ましくは、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドやテトラヒドロフラン等
が使用される。
れ、使用される溶媒としてはアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリ
アミド、スルホラン、１，３−ジメチル−２−イミダゾ
リジノン、１−メチル−２−ピロリジノン等の非プロト
ン性極性溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、アニソー
ル等のエーテル系溶媒、ｎ-ヘキサン、シクロヘキサ
ン、ｎ-ペンタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の
炭化水素系溶媒などが挙げられ、これらは単一であって
も２種以上の混合溶媒で使用してもよい。好ましくは、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドやテトラヒドロフラン等
が使用される。
【００３１】反応温度は通常、−７８℃から溶媒の沸点
までの範囲内で任意に選択できるが、好ましくは−６０
〜４０℃程度の範囲である。また、反応時間は、用いる
塩基性化合物の種類ならびに反応温度によって異なる
が、通常０．５時間から１０時間程度の範囲である。反
応後、通常の後処理、例えば水洗浄、抽出、晶析、各種
クロマトグラフィーなどの操作をすることによりスルホ
ン誘導体（３）を製造することができる。反応条件によ
りスルホン誘導体（３）でＲが水素原子であるアルコー
ルが１０−３０％程度得られることもあるが、常法によ
り再保護化することができる。
までの範囲内で任意に選択できるが、好ましくは−６０
〜４０℃程度の範囲である。また、反応時間は、用いる
塩基性化合物の種類ならびに反応温度によって異なる
が、通常０．５時間から１０時間程度の範囲である。反
応後、通常の後処理、例えば水洗浄、抽出、晶析、各種
クロマトグラフィーなどの操作をすることによりスルホ
ン誘導体（３）を製造することができる。反応条件によ
りスルホン誘導体（３）でＲが水素原子であるアルコー
ルが１０−３０％程度得られることもあるが、常法によ
り再保護化することができる。
【００３２】本発明のジスルホン誘導体（１）および共
役トリエン誘導体（２）は下記スキームに従って、簡便
にレチノールへ誘導することができる。すなわち、ジス
ルホン誘導体（１）では、酸により環化体（７）にした
のちアリルハライド誘導体（５）を反応させ得られるカ
ップリング体（８）を塩基と作用させることによりレチ
ノールが得られる。また、共役トリエン誘導体（２）も
同様に、酸により環化体（９）にしたのちアリルハライ
ド誘導体（５）を反応させ得られるカップリング体（１
０）を塩基と作用させることによりレチノール誘導体が
得られる。
役トリエン誘導体（２）は下記スキームに従って、簡便
にレチノールへ誘導することができる。すなわち、ジス
ルホン誘導体（１）では、酸により環化体（７）にした
のちアリルハライド誘導体（５）を反応させ得られるカ
ップリング体（８）を塩基と作用させることによりレチ
ノールが得られる。また、共役トリエン誘導体（２）も
同様に、酸により環化体（９）にしたのちアリルハライ
ド誘導体（５）を反応させ得られるカップリング体（１
０）を塩基と作用させることによりレチノール誘導体が
得られる。
【００３３】
【００３４】
【発明の効果】本発明は、ジスルホン誘導体（１）また
は、共役トリエン誘導体（２）を経ることにより、Ｃ１
０アルコール類よりも安価なイソプレンを用いて短いプ
ロセスでレチノール誘導体を製造できる等の点において
優れている。
は、共役トリエン誘導体（２）を経ることにより、Ｃ１
０アルコール類よりも安価なイソプレンを用いて短いプ
ロセスでレチノール誘導体を製造できる等の点において
優れている。
【００３５】
【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらにより限定されるものでは
ない。
説明するが、本発明はこれらにより限定されるものでは
ない。
【００３６】（実施例１）ナトリウムｔ−ブトキシド1
2.5g(130mmol)をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）150mlに溶解した溶液を0℃に冷却し、スルホン（I
V）29.2g（100mmol）のＤＭＦ（50ml）溶液を2分間で滴
下した。次いで、反応溶液を-50℃に冷却し、アリルハ
ライド（V）22.8（110mmol）のＤＭＦ（100ml）溶液を
同温度で5分間で滴下し、3時間攪拌した。反応後、飽和
塩化アンモニウム水溶液に注加し、酢酸エチルにて抽出
した。得られた有機層は飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、溶媒を留去することにより粗生成物を得た。得
られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
にて精製したところ、目的とするスルホン（III）が淡
黄色オイルとして50.3%の収率で得られた。
2.5g(130mmol)をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）150mlに溶解した溶液を0℃に冷却し、スルホン（I
V）29.2g（100mmol）のＤＭＦ（50ml）溶液を2分間で滴
下した。次いで、反応溶液を-50℃に冷却し、アリルハ
ライド（V）22.8（110mmol）のＤＭＦ（100ml）溶液を
同温度で5分間で滴下し、3時間攪拌した。反応後、飽和
塩化アンモニウム水溶液に注加し、酢酸エチルにて抽出
した。得られた有機層は飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、溶媒を留去することにより粗生成物を得た。得
られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
にて精製したところ、目的とするスルホン（III）が淡
黄色オイルとして50.3%の収率で得られた。
【００３７】（実施例２）スルホン（IV）5.0g（17.1mm
ol）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）30mlに溶解させ、
この溶液を-60℃に冷却した後、1.54mol/lのｎ−ブチル
リチウムのＴＨＦ溶液12.2ml(18.8mmol)を５分間かけて
滴下した。反応溶液を同温度で３０分攪拌した後、アリ
ルハライド（V）3.6g（17.1mmol）のＴＨＦ（20ml）溶
液を同温度で５分間で滴下し、3時間攪拌した。反応
後、飽和塩化アンモニウム水溶液に注加し、酢酸エチル
にて抽出した。得られた有機層は飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、溶媒を留去することにより粗生成物を得
た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーにて精製したところ、目的とするスルホン（II
I）が淡黄色オイルとして40.6%の収率で得られた。
ol）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）30mlに溶解させ、
この溶液を-60℃に冷却した後、1.54mol/lのｎ−ブチル
リチウムのＴＨＦ溶液12.2ml(18.8mmol)を５分間かけて
滴下した。反応溶液を同温度で３０分攪拌した後、アリ
ルハライド（V）3.6g（17.1mmol）のＴＨＦ（20ml）溶
液を同温度で５分間で滴下し、3時間攪拌した。反応
後、飽和塩化アンモニウム水溶液に注加し、酢酸エチル
にて抽出した。得られた有機層は飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、溶媒を留去することにより粗生成物を得
た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーにて精製したところ、目的とするスルホン（II
I）が淡黄色オイルとして40.6%の収率で得られた。
【００３８】（実施例３）水素化ナトリウム56mg(1.4mm
ol)のＤＭＦ(5ml)溶液を0℃に冷却しスルホン（IV）292
mg（1mmol）のＤＭＦ(3ml)溶液を同温度で滴下した。滴
下後、5〜10℃で20分攪拌した。次いでアリルハライド
（V）260mg（1.2mmol）のＤＭＦ（3ml）溶液を同温度で
滴下し、5時間攪拌した。反応後、飽和塩化アンモニウ
ム水溶液に注加し、酢酸エチルにて抽出した。得られた
有機層は飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、溶媒を留去することにより粗生成物を得た。得
られた粗生成物を液体クロマトグラフィーで定量する
と、スルホン（III）の収率は、77%であった。
ol)のＤＭＦ(5ml)溶液を0℃に冷却しスルホン（IV）292
mg（1mmol）のＤＭＦ(3ml)溶液を同温度で滴下した。滴
下後、5〜10℃で20分攪拌した。次いでアリルハライド
（V）260mg（1.2mmol）のＤＭＦ（3ml）溶液を同温度で
滴下し、5時間攪拌した。反応後、飽和塩化アンモニウ
ム水溶液に注加し、酢酸エチルにて抽出した。得られた
有機層は飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、溶媒を留去することにより粗生成物を得た。得
られた粗生成物を液体クロマトグラフィーで定量する
と、スルホン（III）の収率は、77%であった。
【００３９】（実施例４）ＴＨＦ (1.5ml)に水酸化カリ
ウム842mg(15mmol)とテトラブチルアンモニウムブロマ
イド32mg(0.1mmol)を加え室温で攪拌しながらアリルハ
ライド（V）324mg(1.5mmol)とスルホン（IV）292mg(1mm
ol)のＴＨＦ（1ml）溶液を同温度で滴下し、３０分攪拌
した。反応後、飽和塩化アンモニウム水溶液に注加し、
酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層は飽和食塩水
で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去す
ることにより粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにて精製したところ、
目的とするスルホン（III）が淡黄色オイルとして93%の
収率で得られた。
ウム842mg(15mmol)とテトラブチルアンモニウムブロマ
イド32mg(0.1mmol)を加え室温で攪拌しながらアリルハ
ライド（V）324mg(1.5mmol)とスルホン（IV）292mg(1mm
ol)のＴＨＦ（1ml）溶液を同温度で滴下し、３０分攪拌
した。反応後、飽和塩化アンモニウム水溶液に注加し、
酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層は飽和食塩水
で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去す
ることにより粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにて精製したところ、
目的とするスルホン（III）が淡黄色オイルとして93%の
収率で得られた。
【００４０】（実施例５）水酸化カリウムの代わりに水
酸化ナトリウム601mg(15mmol)を用いる以外は、実施例
４に準拠して行い、得られた粗生成物を液体クロマトグ
ラフィーで定量すると、スルホン（III）の収率は、71%
であった。
酸化ナトリウム601mg(15mmol)を用いる以外は、実施例
４に準拠して行い、得られた粗生成物を液体クロマトグ
ラフィーで定量すると、スルホン（III）の収率は、71%
であった。
【００４１】（実施例６）アリルハライド（V）の代わ
りにアリルハライド（VI）253mg(1.5mmol) を用いる以
外は、実施例４に準拠して行い、得られた粗生成物を液
体クロマトグラフィーで定量すると、スルホン（III）
の収率は、82%であった。
りにアリルハライド（VI）253mg(1.5mmol) を用いる以
外は、実施例４に準拠して行い、得られた粗生成物を液
体クロマトグラフィーで定量すると、スルホン（III）
の収率は、82%であった。
【００４２】（実施例７）スルホン（III）4.19g(10mmo
l)をメタノール20mlとテトラヒドロフラン20mlの混合溶
媒に溶解し、無水ｐ−トルエンスルフィン酸ナトリウム
3.56g(20mmol)と酢酸パラジウム225mg(1mmol)とトリフ
ェニルホスファイト621mg(2mmol)を添加した。その後室
温で24時間攪拌した。反応終了後、水を注加して酢酸エ
チルで抽出した。得られた有機層は飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去するこ
とにより粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにて精製したところ、スル
ホン（I）が白色結晶として70.0%の収率で得られた。ス
ルホン（I）はトランス体とシス体の混合物(trans/cis=
85/15)として得られた。 スルホン（I）トランス体 Rf=0.13 (ｎ−ヘキサン/酢酸エチル=3/1)1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 1.19(3H, s), 1.35(3H, s), 1.58(3H, s), 1.67(3H,
s), 1.95(4H, s), 2.26-2.30 (1H, m), 2.44(6H, s),
2.88-2.92(1H,m), 3.73(2H, d, J=8Hz), 3.80-3.84(1H,
m), 4.85(1H, d, J=10Hz), 5.01(1H, s), 5.17(1H, t,
J=8Hz), 7.29-7.39(4H, m), 7.68-7.82(4H, m) スルホン（I）シス体 Rf=0.18 (ｎ−ヘキサン/酢酸エチル=3/1)1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 1.16(3H, s), 1.58(3H, s), 1.67(3H, s), 1.71(3H,
s), 1.92(4H, s), 2.05-2.13 (1H, m), 2.44(3H, s),
2.47(3H, s), 2.75-2.79(1H,m), 3.65-3.71(1H, m),3.9
0-4.02(2H, m), 4.89(1H, d, J=10Hz), 4.98(1H, s),
5.34(1H, t, J=8Hz),7.20-7.38(4H, m), 7.69-7.82(4H,
m)
l)をメタノール20mlとテトラヒドロフラン20mlの混合溶
媒に溶解し、無水ｐ−トルエンスルフィン酸ナトリウム
3.56g(20mmol)と酢酸パラジウム225mg(1mmol)とトリフ
ェニルホスファイト621mg(2mmol)を添加した。その後室
温で24時間攪拌した。反応終了後、水を注加して酢酸エ
チルで抽出した。得られた有機層は飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去するこ
とにより粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにて精製したところ、スル
ホン（I）が白色結晶として70.0%の収率で得られた。ス
ルホン（I）はトランス体とシス体の混合物(trans/cis=
85/15)として得られた。 スルホン（I）トランス体 Rf=0.13 (ｎ−ヘキサン/酢酸エチル=3/1)1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 1.19(3H, s), 1.35(3H, s), 1.58(3H, s), 1.67(3H,
s), 1.95(4H, s), 2.26-2.30 (1H, m), 2.44(6H, s),
2.88-2.92(1H,m), 3.73(2H, d, J=8Hz), 3.80-3.84(1H,
m), 4.85(1H, d, J=10Hz), 5.01(1H, s), 5.17(1H, t,
J=8Hz), 7.29-7.39(4H, m), 7.68-7.82(4H, m) スルホン（I）シス体 Rf=0.18 (ｎ−ヘキサン/酢酸エチル=3/1)1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 1.16(3H, s), 1.58(3H, s), 1.67(3H, s), 1.71(3H,
s), 1.92(4H, s), 2.05-2.13 (1H, m), 2.44(3H, s),
2.47(3H, s), 2.75-2.79(1H,m), 3.65-3.71(1H, m),3.9
0-4.02(2H, m), 4.89(1H, d, J=10Hz), 4.98(1H, s),
5.34(1H, t, J=8Hz),7.20-7.38(4H, m), 7.69-7.82(4H,
m)
【００４３】（実施例８）スルホン（Ｉ）4.82g(9mmol)
をトルエン90mlに溶解後、99%の水酸化カリウム7.57g(1
35mmol)、メタノール577mg(18mmol)、塩化ベンジルトリ
エチルアンモニウム103mg(0.45mmol)を仕込み、45℃で
1.5時間攪拌した。反応後、飽和塩化アンモニウム水溶
液に注加し、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層
は飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去する
ことにより粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにて精製したところ、ス
ルホン（II）が淡黄色固体として53.3%の収率で得られ
た。 スルホン（II） Rf=0.37 (ｎ−ヘキサン/酢酸エチル=3/1)1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 1.49(3H, s), 1.61(3H, s), 1.69(3H, s), 1.76(3H,
s), 2.10(4H, s), 2.44 (3H, s), 3.93 (2H, d, J=8H
z), 5.07-5.10(1H,m), 5.38(1H, t, J=8Hz), 5.70-5.73
(1H, m), 5.87-5.96(1H, m), 6.37-6.46 (1H, m), 7.32
(2H, d, J=8Hz), 7.73 (2H, d, J=8Hz)
をトルエン90mlに溶解後、99%の水酸化カリウム7.57g(1
35mmol)、メタノール577mg(18mmol)、塩化ベンジルトリ
エチルアンモニウム103mg(0.45mmol)を仕込み、45℃で
1.5時間攪拌した。反応後、飽和塩化アンモニウム水溶
液に注加し、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層
は飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去する
ことにより粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにて精製したところ、ス
ルホン（II）が淡黄色固体として53.3%の収率で得られ
た。 スルホン（II） Rf=0.37 (ｎ−ヘキサン/酢酸エチル=3/1)1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 1.49(3H, s), 1.61(3H, s), 1.69(3H, s), 1.76(3H,
s), 2.10(4H, s), 2.44 (3H, s), 3.93 (2H, d, J=8H
z), 5.07-5.10(1H,m), 5.38(1H, t, J=8Hz), 5.70-5.73
(1H, m), 5.87-5.96(1H, m), 6.37-6.46 (1H, m), 7.32
(2H, d, J=8Hz), 7.73 (2H, d, J=8Hz)
【００４４】以下に実施例の化合物の構造式を記す。但
し、Ｔｓは、ｐ−トリルスルホニル基を示す。
し、Ｔｓは、ｐ−トリルスルホニル基を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 世古 信三 大阪府高槻市塚原２丁目10番１号 住友化 学工業株式会社内 Ｆターム(参考） 4H006 AA01 AA02 AB84 AC13 AC62 BA25 BA32 BA50 BA51 BA53 BA65 BA92 BE10 TA02 4H039 CA20 CA80 CD90 CG90
Claims (22)
- 【請求項１】一般式（１） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基、
波線はＥ／Ｚ幾何異性体のいずれか一方もしくはそれら
の混合物であることを表わす。）で示されるジスルホン
誘導体を塩基と反応させることを特徴とする一般式
（２） （式中、Ａｒおよび波線は前記と同じ意味を表わす。）
で示される共役トリエン誘導体の製造方法。 - 【請求項２】一般式（３） （式中、Ｒは水酸基の保護基、Ａｒおよび波線は前記と
同じ意味を表わす。）で示されるスルホン誘導体をスル
ホン化反応に供し、一般式（１）で示されるジスルホン
誘導体を得、該誘導体を塩基と反応させることを特徴と
する一般式（２）で示される共役トリエン誘導体の製造
方法。 - 【請求項３】一般式（４） （式中、Ａｒは前記と同じ意味を表わす。）で示される
スルホン類と一般式（５） （式中、Ｘはハロゲン原子、Ｒおよび波線は前記と同じ
意味を表わす。）で示されるアリルハライド誘導体とを
塩基性化合物の存在下に反応させ一般式（３）で示され
るスルホン誘導体を得、該誘導体をスルホン化反応に供
し、一般式（１）で示されるジスルホン誘導体を得、該
誘導体を塩基と反応させることを特徴とする一般式
（２）で示される共役トリエン誘導体の製造方法。 - 【請求項４】塩基が、アルカリ金属の水酸化物、アルカ
リ金属の水素化物、アルカリ金属のアルコキシド、アル
カリ金属のアミドである請求項１、２または３に記載の
製造方法。 - 【請求項５】アルカリ金属の水酸化物が、水酸化カリウ
ムまたは水酸化ナトリウムである請求項４に記載の製造
方法。 - 【請求項６】一般式（１）で示されるジスルホン誘導体
を塩基と反応させて一般式（２）で示される共役トリエ
ン誘導体を得る反応において相間移動触媒および低級ア
ルコールを添加することを特徴とする請求項１、２また
は３に記載の製造方法。 - 【請求項７】相間移動触媒が、４級アンモニウム塩であ
る請求項６に記載の製造方法。 - 【請求項８】スルホン化反応が一般式（６） （式中、Ａｒは前記と同じ意味を表わし、Ｍはアルカリ
金属を表わす。）で示されるアリールスルフィン酸塩を
用いて反応させる請求項２または３記載の製造方法。 - 【請求項９】スルホン化反応がパラジウム触媒存在下、
一般式（６）で示されるアリールスルフィン酸塩を用い
て反応させる請求項２または３記載の製造方法。 - 【請求項１０】スルホン化反応がパラジウム触媒、リン
配位子の存在下、一般式（６）で示されるアリールスル
フィン酸塩とを反応させることを特徴とする請求項２ま
たは３記載の製造方法。 - 【請求項１１】アリールスルフィン酸塩が、ｐ−トルエ
ンスルフィン酸ナトリウムまたはｐ−トルエンスルフィ
ン酸カリウムである請求項８〜１０のいずれかに記載の
製造方法。 - 【請求項１２】塩基性化合物が、アルキルリチウム、ア
ルカリ金属水素化物、アルカリ金属の水酸化物、アルカ
リ金属のアルコキシド、またはグルニヤール試薬である
請求項３記載の製造方法。 - 【請求項１３】アルカリ金属がナトリウムまたはカリウ
ムである請求項１２記載の製造方法。 - 【請求項１４】アルカリ金属のアルコキシドがナトリウ
ムｔ−ブトキシドまたはカリウムｔ−ブトキシドである
請求項１２記載の製造方法。 - 【請求項１５】Ｒがアシル基である請求項２または３記
載の製造方法。 - 【請求項１６】Ｒがアセチル基である請求項２または３
記載の製造方法。 - 【請求項１７】一般式（３） （式中、Ｒは水酸基の保護基、Ａｒおよび波線は前記と
同じ意味を表わす。）で示されるスルホン誘導体をスル
ホン化反応させることを特徴とする一般式（１）で示さ
れるジスルホン誘導体の製造方法。 - 【請求項１８】一般式（４） （式中、Ａｒは前記と同じ意味を表わす。）で示される
スルホン類と一般式（５） （式中、Ｘはハロゲン原子、Ｒおよび波線は前記と同じ
意味を表わす。）で示されるアリルハライド誘導体とを
塩基性化合物の存在下に反応させ一般式（３）で示され
るスルホン誘導体を得、該誘導体をスルホン化反応に供
することを特徴とする一般式（１）で示されるジスルホ
ン誘導体の製造方法。 - 【請求項１９】一般式（７） （式中、Ａｒ’は置換基を有しているフェニル基、波線
は前記と同じ意味を表わす。）で示されるジスルホン誘
導体。 - 【請求項２０】一般式（８） （式中、Ａｒ’および波線は前記と同じ意味を表わ
す。）で示される共役トリエン誘導体。 - 【請求項２１】Ａｒ’がｐ−トリルである請求項１９記
載のジスルホン誘導体。 - 【請求項２２】Ａｒ’がｐ−トリルである請求項２０記
載の共役トリエン誘導体。
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|---|---|---|---|
| JP2001-29312 | 2001-02-06 | ||
| JP2001029312 | 2001-02-06 | ||
| JP2002000299A JP4023156B2 (ja) | 2001-02-06 | 2002-01-07 | レチノイド中間体の製造方法 |
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|---|---|---|---|
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