JP2002193917A - レチノールの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レチノールの製造方法を提供すること。 【解決手段】 一般式（２） （式中、Ａｒおよび波線は前記と同じ意味を表す。）で
示されるアリルスルホン誘導体と一般式（３） 一般式（３） （式中、Ｘはハロゲン原子、Ｒは水酸基の保護基を示
し、波線は前記と同じ意味を表す。）で示されるアリル
ハライド誘導体とを塩基類の存在下、反応させ、得られ
る一般式（１）で示されるジスルホン誘導体と塩基性化
合物と反応させることを特徴とするレチノールの製造方
法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、医薬、飼料添加
物、食品添加物であるレチノールの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】本発
明者らは、特開平11-222479号公報に示すように、下記
一般式（５）で示されるスルホン類とC１０のアルコー
ル類（ゲラニオールなど）から誘導されるアリルハライ
ド類とのカップリング反応によるレチノールの重要中間
体である新規なスルホン誘導体を見出しているが、レチ
ノールの製造方法として、原料の価格、中間体の精製、
工程数の観点から更に優れた製造法の開発が望まれてい
た。

【０００３】

【課題を解決するための手段】このような状況下、本発
明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結
果、本発明に至った。

【０００４】すなわち、本発明は、一般式（１） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基、
Ｒ¹は水素原子または水酸基の保護基を示し、波線は、
その結合する二重結合の立体がE体もしくはZ体もしくは
E／Zの混合物を表す。）で示されるジスルホン誘導体を
塩基性化合物と反応させることを特徴とするレチノール
の製造方法を提供するものである。

【０００５】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。一般式（１）で示されるジスルホン誘導体は、一
般式（２） （式中、Ａｒおよび波線は前記と同じ意味を表す。）で
示されるアリルスルホン誘導体と一般式（３） 一般式（３） （式中、Ｘはハロゲン原子、Ｒは水酸基の保護基を示
し、波線は前記と同じ意味を表す。）で示されるアリル
ハライド誘導体とを塩基類の存在下、反応させることに
より得ることができる。一般式（２）で示されるアリル
スルホン誘導体は、一般式（４） （式中、Ａｒ、Ｒおよび波線は前記と同じ意味を表
す。）で示されるスルホン誘導体をスルホン化反応に供
することにより得ることができる。一般式（４）で示さ
れるスルホン誘導体は、一般式（５） （式中、Ａｒは前記と同じ意味を表す。）で示されるス
ルホン類と一般式（３）で示されるアリルハライド誘導
体とを塩基化合物の存在下に反応させることにより得る
ことができる。

【０００６】本発明で用いる一般式（１）で示されるジ
スルホン誘導体のＲ¹は、水素原子もしくは水酸基の保
護基を示し、一般式（３）、（４）で示される化合物に
おけるＲは、水酸基の保護基を示し、かかる水酸基の保
護基としては、例えばホルミル、アセチル、エトキシア
セチル、フルオロアセチル、ジフルオロアセチル、トリ
フルオロアセチル、クロロアセチル、ジクロロアセチ
ル、トリクロロアセチル、ブロモアセチル、ジブロモア
セチル、トリブロモアセチル、プロピオニル、２−クロ
ロプロピオニル、３−クロロプロピオニル、ブチリル、
２−クロロブチリル、３−クロロブチリル、４−クロロ
ブチリル、２−メチルブチリル、２−エチルブチリル、
バレリル、２−メチルバレリル、４−メチルバレリル、
ヘキサノイル、イソブチリル、イソバレリル、ピバロイ
ル、ベンゾイル、ｏ−クロロベンゾイル、ｍ−クロロベ
ンゾイル、ｐ−クロロベンゾイル、 ｏ−ヒドロキシベ
ンゾイル、ｍ−ヒドロキシベンゾイル、ｐ−ヒドロキシ
ベンゾイル、 ｏ−アセトキシベンゾイル、 ｏ−メトキ
シベンゾイル、ｍ−メトキシベンゾイル、ｐ−メトキシ
ベンゾイル、ｐ−ニトロベンゾイル等のアシル基、トリ
メチルシリル、トリエチルシリル、ｔ−ブチルジメチル
シリル、ｔ−ブチルジフェニルシリルなどのシリル基、
テトラヒドロピラニル、メトキシメチル、メトキシエト
キシメチル、１−エトキシエチルなどのアルコキシメチ
ル基、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、ｔ−ブチ
ル基、トリチル基、メチル基、２，２，２−トリクロロ
エトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基等が
挙げられ、通常、アシル基が好ましく用いられる。

【０００７】一般式（１）、（２）、（４）、（５）お
よび下記一般式（６）で示される化合物におけるＡｒは
置換基を有してもよいアリール基を示し、アリール基と
してはフェニル基、ナフチル基等が挙げられ、置換基と
しては、Ｃ１からＣ５の直鎖または分枝状のアルキル
基、Ｃ１からＣ５の直鎖または分枝状のアルコキシ基、
ハロゲン原子、ニトロ基等が挙げられる。置換基Ａｒの
具体例としては、フェニル、ナフチル、ｏ−トリル，ｍ
−トリル，ｐ−トリル、ｏ−メトキシフェニル、ｍ−メ
トキシフェニル、ｐ−メトキシフェニル、ｏ−クロロフ
ェニル、ｍ−クロロフェニル、ｐ−クロロフェニル、ｏ
−ブロモフェニル、ｍ−ブロモフェニル、ｐ−ブロモフ
ェニル、ｏ−ヨードフェニル、ｍ−ヨードフェニル、ｐ
−ヨードフェニル、ｏ−フルオロフェニル、ｍ−フルオ
ロフェニル、ｐ−フルオロフェニル、ｏ−ニトロフェニ
ル、ｍ−ニトロフェニル、ｐ−ニトロフェニル等が挙げ
られる。

【０００８】一般式（３）で示されるアリルハライド誘
導体におけるＸはハロゲン原子を示し、具体的には塩素
原子、臭素原子、沃素原子等が挙げられる。

【０００９】以下、本発明の製造方法について順次詳細
に説明する。最初の工程で用いる原料化合物であるスル
ホン類（５）はChem.Lett. 479(1975)に記載された方法
により、またアリルハライド誘導体（３）は、米国特許
4175204号明細書に記載された方法によりイソプレンか
ら２工程で簡便に製造することができる。

【００１０】まず、一般式（４）で示されるスルホン誘
導体は一般式（５）で示されるスルホン類と一般式
（３）で示されるアリルハライド誘導体とを塩基化合物
の存在下反応させることにより製造することができる。

【００１１】上記反応に用いられる塩基化合物として
は、例えばアルキルリチウム、アルカリ金属のアルコキ
シド、アルカリ金属のアミド、アルカリ金属の水素化物
であり、具体的には、例えばｎ−ブチルリチウム、ｓ−
ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、ナトリウムメト
キシド、カリウムメトキシド、リチウムメトキシド、ナ
トリウムエトキシド、カリウムエトキシド、リチウムエ
トキシド、カリウムｔ−ブトキシド、ナトリウムｔ−ブ
トキシド、リチウムｔ−ブトキシド、ナトリウムｔ−ア
ミレート、カリウムｔ−アミレート、リチウムアミド、
カリウムアミド、ナトリウムアミド、リチウムジイソプ
ロピルアミド、ナトリウムヘキサメチルジシラジド、カ
リウムヘキサメチルジシラジド、リチウムヘキサメチル
ジシラジド、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素
化リチウム等が挙げられる。これらは、例えば、ナトリ
ウムｔ−ブトキシドと水素化ナトリウムの組み合わせな
どのように２種類以上の塩基を組み合わせて使用しても
よいし、例えば、ｔ−ブタノールと水素化ナトリウムか
らナトリウムｔ−ブトキシドを系中で生成させたり、ジ
イソプロピルアミンとｎ−ブチルリチウムからリチウム
ジイソプロピルアミドを系中で生成させるなど、上記記
載の塩基化合物を、それぞれその原料化合物から系中で
生成させて使用してもよい。かかる塩基化合物の使用量
はスルホン類（５）に対して通常、０．５〜３モル倍程
度である。

【００１２】塩基化合物としてアルカリ金属の水素化物
を用いる場合は、添加剤として活性水素を持つ化合物を
添加することもできる。活性水素を有する化合物として
は、例えばアルコール、アミン、スルホン、スルホキシ
ド類であり、具体的には、例えばｎ−ブチルアルコー
ル、ｓ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、ｔ
−アミルアルコール、アニリン、ジイソプロピルアミ
ン、ジメチルスルホン、ジメチルスルホキシド等が挙げ
られる。かかる添加剤の使用量は、スルホン類（５）に
対して通常、０．１〜３モル倍程度であるが、溶媒量使
用してもよい。これらは、単一であっても２種以上混合
して使用してもよい。また、アニオンの活性化剤とし
て、アルカリ金属への配位性を有する化合物、例えば、
クラウンエーテル類やテトラメチルエチレンジアミンな
どを添加してもよいし、アリルハライドの活性化剤とし
て、ハロゲン交換を誘起する化合物、例えば、アルカリ
金属ヨウ化物やヨウ化テトラアルキルアンモニウムなど
を添加してもよい。

【００１３】上記反応は、通常、有機溶媒中で実施さ
れ、使用される溶媒としてはアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサ
メチルホスホリックトリアミド、スルホラン、１，３−
ジメチル−２−イミダゾリジノン、１−メチル−２−ピ
ロリジノン等の非プロトン性極性溶媒、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメト
キシエタン、アニソール、ジグライム、トリグライム、
テトラグライム等のエーテル系溶媒、ｔ−ブタノールな
どのアルコール系溶媒、ｎ-ヘキサン、シクロヘキサ
ン、ｎ-ペンタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の
炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらは単一であっ
ても２種以上の混合溶媒で使用してもよい。また、使用
する塩基化合物の種類によって、最適な溶媒を選択する
ことが望ましい。

【００１４】反応温度は通常、−７８℃から溶媒の沸点
までの範囲内で任意に選択できるが、使用する原料化合
物、塩基化合物および溶媒の種類によって最適な反応温
度を選択することが望ましい。使用する塩基化合物が、
平衡反応により基質の水素引き抜きを行い、アニオンを
発生させるタイプ（例えば、アルカリ金属のアルコキシ
ドなど）の場合、アニオン化（塩基化合物とスルホン類
（５）との反応）の温度を高く設定し、アリルハライド
誘導体（３）との反応温度を低く設定することにより収
率を向上させることもできる。反応時間は、使用する原
料化合物、塩基化合物、溶媒ならびに反応温度など諸条
件によって異なるが、通常５分間から２４時間程度の範
囲である。反応は、非酸素下条件が好ましく、不活性ガ
ス（窒素、アルゴン）雰囲気下行い、使用する溶媒も十
分に脱気しておくことが望ましい。また、安定剤として
３，５―ジ−ｔ−ブチルー４−ヒドロキシトルエン（Ｂ
ＨＴ）、２−＆３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソ
ール（ＢＨＡ）、ビタミンＥ、エトキシキン等の酸化防
止剤を加えておくとさらに好ましい。反応後は、通常の
後処理、例えば抽出、洗浄、晶析、各種クロマトグラフ
ィーなどの操作をすることによりスルホン誘導体（４）
を製造することができる。反応条件によりスルホン誘導
体（４）のＲが水素原子であるアルコールが１０−３０
％程度得られるが、常法により再保護化することができ
る。

【００１５】一般式（２）で示されるアリルスルホン誘
導体はスルホン誘導体（４）をスルホン化反応に供する
ことにより製造することができる。上記反応には、通
常、一般式（６） （式中、Ａｒは前記と同じ意味を表し、Ｍはアルカリ金
属を示す。）で示されるアリールスルフィン酸塩が用い
られる。かかるアリールスルフィン酸塩におけるＭはア
ルカリ金属を示し、具体的には、リチウム、ナトリウ
ム、カリウムが挙げられる。一般式（６）で示されるア
リールスルフィン酸塩としては、ベンゼンスルフィン酸
リチウム、ベンゼンスルフィン酸ナトリウム、ベンゼン
スルフィン酸カリウム、 １−ナフタレンスルフィン酸
ナトリウム、２−ナフタレンスルフィン酸ナトリウム、
ｏ−トルエンスルフィン酸リチウム、ｏ−トルエンスル
フィン酸ナトリウム、ｏ−トルエンスルフィン酸カリウ
ム、ｍ−トルエンスルフィン酸リチウム、ｍ−トルエン
スルフィン酸ナトリウム、ｍ−トルエンスルフィン酸カ
リウム、ｐ−トルエンスルフィン酸リチウム、ｐ−トル
エンスルフィン酸ナトリウム、ｐ−トルエンスルフィン
酸カリウム、ｏ−メトキシベンゼンスルフィン酸リチウ
ム、ｏ−メトキシベンゼンスルフィン酸ナトリウム、ｏ
−メトキシベンゼンスルフィン酸カリウム、ｍ−メトキ
シベンゼンスルフィン酸リチウム、ｍ−メトキシベンゼ
ンスルフィン酸ナトリウム、ｍ−メトキシベンゼンスル
フィン酸カリウム、ｐ−メトキシベンゼンスルフィン酸
リチウム、ｐ−メトキシベンゼンスルフィン酸ナトリウ
ム、ｐ−メトキシベンゼンスルフィン酸カリウム、ｏ−
クロロベンゼンスルフィン酸リチウム、ｏ−クロロベン
ゼンスルフィン酸ナトリウム、ｏ−クロロベンゼンスル
フィン酸カリウム、ｍ−クロロベンゼンスルフィン酸リ
チウム、ｍ−クロロベンゼンスルフィン酸ナトリウム、
ｍ−クロロベンゼンスルフィン酸カリウム、ｐ−クロロ
ベンゼンスルフィン酸リチウム、ｐ−クロロベンゼンス
ルフィン酸ナトリウム、ｐ−クロロベンゼンスルフィン
酸カリウム、ｏ−ブロモベンゼンスルフィン酸ナトリウ
ム、ｍ−ブロモベンゼンスルフィン酸ナトリウム、ｐ−
ブロモベンゼンスルフィン酸ナトリウム、ｏ−ヨードベ
ンゼンスルフィン酸ナトリウム、ｍ−ヨードベンゼンス
ルフィン酸ナトリウム、ｐ−ヨードベンゼンスルフィン
酸ナトリウム、ｏ−フルオロベンゼンスルフィン酸ナト
リウム、ｍ−フルオロベンゼンスルフィン酸ナトリウ
ム、ｐ−フルオロベンゼンスルフィン酸ナトリウム、ｏ
−ニトロベンゼンスルフィン酸ナトリウム、ｍ−ニトロ
ベンゼンスルフィン酸ナトリウム、ｐ−ニトロベンゼン
スルフィン酸ナトリウム、ｏ−ニトロベンゼンスルフィ
ン酸カリウム、ｍ−ニトロベンゼンスルフィン酸カリウ
ム、ｐ−ニトロベンゼンスルフィン酸カリウム等が挙げ
られるが、特にベンゼンスルフィン酸ナトリウム、ベン
ゼンスルフィン酸カリウム、 ｐ−トルエンスルフィン
酸ナトリウム、ｐ−トルエンスルフィン酸カリウムが好
ましく用いられる。それらは、結晶水を含有していても
良い。その使用量はスルホン誘導体（４）に対して１〜
３モル倍程度である。

【００１６】上記反応にはパラジウム触媒が使用され、
例えば、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウ
ム、アリルクロライドパラジウムダイマー、酢酸パラジ
ウム、酸化パラジウム、塩化パラジウム、水酸化パラジ
ウム、プロピオン酸パラジウム、ジクロロビス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム、ジ−μ−クロロビス
（η−アリル）パラジウム、ジクロロ（η−１，５−シ
クロオクタジエン）パラジウム、ジクロロ（η−２，５
−ノルボルナジエン）パラジウム、ジクロロビス（アセ
トニトリル）パラジウム、ジクロロビス（ベンゾニトリ
ル）パラジウム、ジクロロビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド）パラジウム、ビス（アセチルアセトナト）パ
ラジウム、パラジウム炭素等があげられる。かかるパラ
ジウム触媒の使用量は、スルホン誘導体（４）に対し
て、通常は０．００１〜２０モルパーセントが好まし
い。

【００１７】上記反応には、配位子を使用してもよく、
配位子としては、リン配位子が挙げられる。リン配位子
として具体的には、置換基を有していてもよいトリアリ
ールホスフィン、トリアルキルホスフィン、トリス（ジ
アルキルアミノ）ホスフィン、トリアリールホスファイ
ト、トリアルキルホスファイトなどが挙げられ、具体的
には、例えば、トルフェニルホスフィン、トリｔ−ブチ
ルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジシク
ロヘキシルフェニルホスフィン、ジシクロヘキシル−ｏ
−トリルホスフィン、ジシクロヘキシル−ｍ−トリルホ
スフィン、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィン、
ジシクロヘキシル−ｏ−アニシルホスフィン、ジシクロ
ヘキシル−ｏ−ビフェニルホスフィン、ジアダマンチル
−ｎ−ブチルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィ
ン、トリ−ｍ−トリルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホ
スフィン、トリスジメチルアミノホスフィン、トリフェ
ニルホスファイト、トリ−ｐ−トリルホスファイト、ト
リ−ｍ−トリルホスファイト、トリ−ｏ−トリルホスフ
ァイト、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファ
イト、トリイソプロピルホスファイト、トリス（トリデ
シル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチル
フェニル）ホスファイトなどが挙げられる。かかる配位
子の使用量は、通常、パラジウム触媒中のパラジウム金
属に対して、１モル〜２０モル倍の範囲である。また、
パラジウム触媒自身が、リン配位子を有している場合
は、リン配位子を別途加える必要はない。

【００１８】上記反応には、リン配位子と併用して添加
剤を用いることにより反応を効率的に進行させることが
でき、高価なパラジウム触媒の使用量の削減が可能であ
る。本反応に用いられる添加剤としては、アミンもしく
は酸が挙げられる。アミンとしては、具体的にはエチル
アミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ
−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔ−ブチルア
ミン、ｎ−ペンチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、シク
ロヘキシルアミンなどのモノＣ２〜Ｃ６アルキルアミ
ン、アニリン、ｏ−、ｍ−、ｐ−アニシジン、４−ｎ−
ブチルアニリンなどの１級アリールアミン、ジエチルア
ミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、
ジ−ｎ−ヘキシルアミンなどのジＣ２〜Ｃ６アルキルア
ミン、ピロリジン、ピペリジン、モルホリンなどの２級
環状アミン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−エチルアニリ
ン、Ｎ−ｎ−ブチルアニリン、Ｎ−メチル−ｐ−アニシ
ジン、ジフェニルアミンなどの２級アリールアミン、ト
リエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリイソ
プロピルアミン、Ｎ、Ｎ−ジイソプロピルエチルアミ
ン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリイソブチルアミン、
トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン
などのトリＣ２〜Ｃ６アルキルアミン、Ｎ−メチルピロ
リジン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−エチルピペリジ
ン、Ｎ−メチルモルホリンなどの３級環状アミン、Ｎ，
Ｎ−ジエチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルアニリ
ン、トリフェニルアミンなどの３級アリールアミン、エ
チレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ'、Ｎ'−テトラメチルエチ
レンジアミンなどのジアミン誘導体などが挙げられ、そ
の使用量はスルホン誘導体（４）に対して通常、０．０
１〜０．５モル倍程度であり、好ましくは０．１〜０．
４モル倍程度である。酸としては、具体的には、ギ酸、
酢酸、プロピオン酸、安息香酸、シュウ酸、ｐ−ニトロ
安息香酸、ｐ−クロロ安息香酸などのカルボン酸類が挙
げられ、その使用量はスルホン誘導体（４）に対して通
常、０．５〜１０モル倍程度である。

【００１９】上記反応は、通常、有機溶媒中で実施さ
れ、使用される溶媒としてはジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタ
ン、アニソール、ジグライム、トリグライム、テトラグ
ライム等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、
２−プロパノール、ｔ−ブタノール等のアルコール系溶
媒、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
ヘキサメチルホスホリックトリアミド、スルホラン、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１−メチル
−２−ピロリジノン等の非プロトン性極性溶媒、ｎ-ヘ
キサン、シクロヘキサン、ｎ-ペンタン、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒などが挙げられ
る。これらは単一であっても２種以上の混合溶媒で使用
してもよい。

【００２０】反応温度は通常、−７８℃から溶媒の沸点
までの範囲内で任意に選択できるが、好ましくは２０〜
１００℃程度の範囲である。また、反応時間は、用いる
触媒およびリン配位子の種類ならびに反応温度によって
異なるが、通常１時間から４８時間程度の範囲である。
反応後、通常の後処理、例えば水洗浄、抽出、晶析、各
種クロマトグラフィーなどの操作をすることによりアリ
ルスルホン誘導体（２）を製造することができる。

【００２１】一般式（１）で示されるジスルホン誘導体
はアリルスルホン誘導体（２）と一般式（３）で示され
るアリルハライド誘導体とを塩基類の存在下反応させる
ことにより製造することができる。

【００２２】上記反応に用いられる塩基類としては、前
記塩基化合物として例示した化合物の他に、アルカリ金
属水酸化物が挙げられ、具体的には、例えば水酸化リチ
ウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムである。かか
る塩基類の使用量はアリルスルホン誘導体（２）に対し
て通常、０．５〜３モル倍程度である。上記反応では、
使用する溶媒に対する溶解度が低い塩基を使用する場
合、相間移動触媒の添加により反応が促進される場合が
ある。かかる相間移動触媒としては、第４級アンモニウ
ム塩、第４級ホスホニウム塩、スルホニウム塩等が挙げ
られ、好ましくは、第４級アンモニウム塩が挙げられ
る。

【００２３】第４級アンモニウム塩としては、例えば、
塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラエチルアン
モニウム、塩化テトラプロピルアンモニウム、塩化テト
ラブチルアンモニウム、塩化テトラペンチルアンモニウ
ム、塩化テトラヘキシルアンモニウム、塩化テトラヘプ
チルアンモニウム、塩化テトラオクチルアンモニウム、
塩化テトラヘキサデシルアンモニウム、塩化テトラオク
タデシルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモ
ニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化ベ
ンジルトリブチルアンモニウム、塩化１−メチルピリジ
ニウム、塩化１−ヘキサデシルピリジニウム、塩化１，
４−ジメチルピリジニウム、塩化テトラメチルー２−ブ
チルアンモニウム、塩化トリメチルシクロプロピルアン
モニウム、臭化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラ
エチルアンモニウム、臭化テトラプロピルアンモニウ
ム、臭化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラペンチ
ルアンモニウム、臭化テトラヘキシルアンモニウム、臭
化テトラヘプチルアンモニウム、臭化テトラオクチルア
ンモニウム、臭化テトラヘキサデシルアンモニウム、臭
化テトラオクタデシルアンモニウム、臭化ベンジルトリ
メチルアンモニウム、臭化ベンジルトリエチルアンモニ
ウム、臭化ベンジルトリブチルアンモニウム、臭化１―
メチルピリジニウム、臭化１−ヘキサデシルピリジニウ
ム、臭化１，４−ジメチルピリジニウム、臭化テトラメ
チル−２−ブチルアンモニウム、臭化トリメチルシクロ
プロピルアンモニウム、沃化テトラメチルアンモニウ
ム、沃化テトラブチルアンモニウム、沃化テトラオクチ
ルアンモニウム、沃化ｔ―ブチルエチルジメチルアンモ
ニウム、沃化テトラデシルトリメチルアンモニウム、沃
化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム、沃化オクタデ
シルトリメチルアンモニウム、沃化ベンジルトリメチル
アンモニウム、沃化ベンジルトリエチルアンモニウム、
沃化ベンジルトリブチルアンモニウム等が挙げられる。

【００２４】第４級ホスホニウム塩としては、例えば、
塩化トリブチルメチルホスホニウム、塩化トリエチルメ
チルホスホニウム、塩化メチルトリフェノキシホスホニ
ウム、塩化ブチルトリフェニルホスホニウム、塩化テト
ラブチルホスホニウム、塩化ベンジルトリフェニルホス
ホニウム、塩化ヘキサデシルトリメチルホスホニウム、
塩化ヘキサデシルトリブチルホスホニウム、塩化ヘキサ
デシルジメチルエチルホスホニウム、塩化テトラフェニ
ルホスホニウム、臭化トリブチルメチルホスホニウム、
臭化トリエチルメチルホスホニウム、臭化メチルトリフ
ェノキシホスホニウム、臭化ブチルトリフェニルホスホ
ニウム、臭化テトラブチルホスホニウム、臭化ベンジル
トリフェニルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリメチ
ルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリブチルホスホニ
ウム、臭化ヘキサデシルジメチルエチルホスホニウム、
臭化テトラフェニルホスホニウム、沃化トリブチルメチ
ルホスホニウム、沃化トリエチルメチルホスホニウム、
沃化メチルトリフェノキシホスホニウム、沃化ブチルト
リフェニルホスホニウム、沃化テトラブチルホスホニウ
ム、沃化ベンジルトリフェニルホスホニウム、沃化ヘキ
サデシルトリメチルホスホニウム等が挙げられる。

【００２５】スルホニウム塩としては、例えば、塩化ジ
ブチルメチルスルホニウム、塩化トリメチルスルホニウ
ム、塩化トリエチルスルホニウム、臭化ジブチルメチル
スルホニウム、臭化トリメチルスルホニウム、臭化トリ
エチルスルホニウム、沃化ジブチルメチルスルホニウ
ム、沃化トリメチルスルホニウム、沃化トリエチルスル
ホニウム等が挙げられる。

【００２６】かかる相間移動触媒の使用量は、アリルス
ルホン誘導体（２）に対して通常０．０１〜０．２モル
倍程度であり、好ましくは０．０２〜０．１モル倍程度
である。

【００２７】上記反応は、通常、有機溶媒中で実施さ
れ、使用される溶媒としてはアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサ
メチルホスホリックトリアミド、スルホラン、１，３−
ジメチル−２−イミダゾリジノン、１−メチル−２−ピ
ロリジノン等の非プロトン性極性溶媒、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメト
キシエタン、アニソール、ジグライム、トリグライム、
テトラグライム等のエーテル系溶媒、ｔ−ブタノールな
どのアルコール系溶媒、ｎ-ヘキサン、シクロヘキサ
ン、ｎ-ペンタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の
炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらは単一であっ
ても２種以上の混合溶媒で使用してもよい。また、使用
する塩基類の種類によって、最適な溶媒を選択すること
が望ましい。

【００２８】反応温度は通常、−７８℃から溶媒の沸点
までの範囲内で任意に選択できるが、使用する原料化合
物、塩基類および溶媒の種類によって最適な反応温度を
選択することが望ましい。反応時間は、使用する原料化
合物、塩基類、溶媒ならびに反応温度など諸条件によっ
て異なるが、通常５分間から２４時間程度の範囲であ
る。反応は、非酸素下条件が好ましく、不活性ガス（窒
素、アルゴン）雰囲気下行い、使用する溶媒も十分に脱
気しておくことが望ましい。また、安定剤として３，５
―ジーｔ−ブチルー４−ヒドロキシトルエン（ＢＨ
Ｔ）、２−＆３−ｔ−ブチルー４−ヒドロキシアニソー
ル（ＢＨＡ）、ビタミンＥ、エトキシキン等の酸化防止
剤を加えておくとさらに好ましい。反応後は、通常の後
処理、例えば抽出、洗浄、晶析、各種クロマトグラフィ
ーなどの操作をすることによりジスルホン誘導体（１）
を製造することができる。

【００２９】次いで、得られたジスルホン誘導体（１）
と塩基性化合物とを反応させることにより目的とするレ
チノールを得ることができる。上記反応に用いられる塩
基性化合物としては、アルカリ金属のアルコキシド、ア
ルカリ金属のアミド、アルカリ金属の水素化物、アルカ
リ金属の水酸化物が挙げられ、具体的には、ナトリウム
メトキシド、カリウムメトキシド、リチウムメトキシ
ド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド、リチ
ウムエトキシド、カリウムｔ−ブトキシド、ナトリウム
ｔ−ブトキシド、リチウムｔ−ブトキシド、ナトリウム
ｔ−アミレート、カリウムｔ−アミレート、リチウムア
ミド、カリウムアミド、ナトリウムアミド、水素化ナト
リウム、水素化カリウム、水素化リチウム、水酸化リチ
ウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどが挙げら
れる。中でもアルカリ金属の水酸化物が好ましく用いら
れる。また、形状は微粉末のものがより好ましい。その
使用量は、一般式（１）で示されるジスルホン誘導体に
対して、通常２〜４０モル倍程度、好ましくは、５〜３
０モル倍程度の範囲である。

【００３０】上記反応はアルカリ金属の水酸化物のみで
も進行する場合もあるが、より反応を促進するために、
低級アルコールや相間移動触媒を添加するのが好まし
い。

【００３１】上記反応に用いる低級アルコールとして
は、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコー
ル、ｎ−プロパノール、ｎ−ブチルアルコール、ｓ−ブ
チルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、エチレングリ
コール、エチレングリコールモノメチルエーテルなどが
挙げられる。その使用量は、一般式（１）で示されるジ
スルホン誘導体に対して、通常、０．１〜３モル倍程度
である。

【００３２】上記反応に用いる相間移動触媒としては、
前記した相間移動触媒が挙げられ、特に第４級アンモニ
ウム塩が好ましく用いられる。

【００３３】かかる相間移動触媒の使用量は、ジスルホ
ン誘導体（１）に対して通常０．０１〜０．２モル倍程
度であり、好ましくは０．０２〜０．１モル倍程度であ
る。生成するレチノールは、不安定であるため、安定し
た収率を確保するために、反応は、遮光下、不活性ガス
（窒素、アルゴン）雰囲気中で行い、使用する溶媒も十
分に脱気しておくことが望ましい。また、安定剤として
３，５―ジーｔ−ブチルー４−ヒドロキシトルエン（Ｂ
ＨＴ）、２−＆３−ｔ−ブチルー４−ヒドロキシアニソ
ール（ＢＨＡ）、ビタミンＥ、エトキシキン等の酸化防
止剤を加えておくとさらに好ましい。

【００３４】上記反応には、通常、有機溶媒が用いら
れ、かかる溶媒としては、例えばジエチルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキ
シエタン、１，４−ジオキサン、アニソール、ジグライ
ム、トリグライム、テトラグライム等のエーテル系溶
媒、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ト
ルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、アセトニトリ
ル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホス
ホリックトリアミド、スルホラン、１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン、１−メチル−２−ピロリジノン
等の非プロトン性極性溶媒が挙げられ、特に炭化水素系
溶媒が好ましく用いられる。

【００３５】反応温度は通常−３０℃から使用する溶媒
の沸点の範囲、好ましくは０〜５０℃程度の範囲であ
る。また、反応時間は反応温度によって異なるが、通常
１〜４８時間程度の範囲である。

【００３６】反応後、通常の後処理操作をすることによ
りレチノールが得られるが、レチノールは不安定なた
め、常法により水酸基をエステル体にして分析する方が
好ましい（例えば、特公平４−３３９１号公報）。エス
テル体に誘導したレチノールは、必要に応じて、晶析、
各種クロマトグラフィーなどにより精製することができ
る。

【００３７】

【発明の効果】かくして、本発明の方法によれば、医
薬、飼料添加物、食品添加物などの分野で重要なレチノ
ールを工業的にも有利に製造することができる。

【００３８】

【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらにより限定されるものでは
ない。

【００３９】（実施例１） カリウムｔ−ブトキシド224mg(2mmol)をＤＭＦ6mlに溶
解した溶液を−60℃に冷却し、スルホン(I)585mg（2mmo
l）のＤＭＦ（4ml）溶液を20秒間で滴下し、滴下後、同
温度で30分間保温した。次いで、アリルハライド(II)(9
6%)215mg（1mmol）のＤＭＦ（4ml）溶液を同温度で5分
間で滴下し、3時間攪拌した。反応後、飽和塩化アンモ
ニウム水溶液に注加し、酢酸エチルにて抽出した。得ら
れた有機層は飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩
水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒
を留去することにより黄色オイルの粗生成物を得た。得
られた粗生成物を高速液体クロマトグラフィーにて定量
したところ、スルホン誘導体(III)および(IV)の収率
は、それぞれ71.2%、15.4%であった。

【００４０】（実施例2）カリウムｔ−ブトキシド224mg
(2mmol)をＤＭＦ6mlに溶解した溶液を−20℃に冷却し、
スルホン(I)585mg（2mmol）のＤＭＦ（4ml）溶液を20秒
間で滴下し、滴下後、同温度で5分間保温した。−60℃
に冷却して、次いで、アリルハライド(II)(96%)215mg
（1mmol）のＤＭＦ(3ml)溶液を同温度で5分間かけて滴
下し、3時間攪拌した。反応後、飽和塩化アンモニウム
水溶液に注加し、酢酸エチルにて抽出した。得られた有
機層は飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順
次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去
することにより黄色オイルの粗生成物を得た。得られた
粗生成物を高速液体クロマトグラフィーにて定量したと
ころ、スルホン誘導体(III)の収率は、99.5%であった。

【００４１】（実施例3）ナトリウムｔ−ブトキシド116
mg(1.2mmol)をＤＭＦ6mlに溶解した溶液を0℃に冷却
し、スルホン(I)876mg（3mmol）のＤＭＦ（4ml）溶液を
20秒間で滴下し、同温度で5分間保温した後、−20℃に
冷却した。次いで、アリルハライド(II)(96%)215mg（1m
mol）のＤＭＦ(3ml)溶液を同温度で5分間かけて滴下
し、3時間攪拌した。反応後、飽和塩化アンモニウム水
溶液に注加し、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機
層は飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次
洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去す
ることにより黄色オイルの粗生成物を得た。得られた粗
生成物を高速液体クロマトグラフィーにて定量したとこ
ろ、スルホン誘導体(III)の収率は、65.9%であった。

【００４２】（実施例４）スルホン(I)585mg（2mmol）
をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）6mlに溶解した溶液を
−60℃に冷却し、ナトリウムヘキサメチルジシラジドの
0.96mol/l ＴＨＦ溶液1.16ml(1.2mmol)を20秒間で滴下
し、同温度で30分間保温した。次いで、アリルハライド
(II)(96%)215mg（1mmol）のＴＨＦ（3ml）溶液を同温度
で5分間かけて滴下し、3時間攪拌した。反応後、飽和塩
化アンモニウム水溶液に注加し、酢酸エチルにて抽出し
た。得られた有機層は飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、
飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
後、溶媒を留去することにより黄色オイルの粗生成物を
得た。得られた粗生成物を高速液体クロマトグラフィー
にて定量したところ、スルホン誘導体(III)の収率は、7
0.0%であった。

【００４３】（実施例５）水素化ナトリウム(60%、オイ
ル懸濁品)80mg(2mmol)をＤＭＦ5mlに懸濁させt-ブタノ
ール88.9mg(1.2mmol)を加え50℃で２時間加熱撹拌し
た。次いでスルホン(I)585.mg（2mmol）及び3,5-ジt-ブ
チル-4-ヒドロキシトルエン(BHT)4mg（0.02mmol）のＤ
ＭＦ(3ml)溶液を同温度で滴下し、３分間撹拌した後、
−20℃に冷却し、アリルハライド(II)(96%)215mg（1mmo
l）のＤＭＦ(2ml)溶液を１分間で滴下し、同温度で２時
間攪拌した。反応後、飽和塩化アンモニウム水溶液に注
加し、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層は飽和
炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去することに
より黄色オイルの粗生成物を得た。得られた粗生成物を
高速液体クロマトグラフィーにて定量分析したところ、
スルホン誘導体(III)の収率は、59.5%であった。

【００４４】（実施例６） 窒素雰囲気下、塩化パラジウム9mg（0.05mmol）、ｐ−
トルエンスルフィン酸ナトリウム178mg(1mmol)をメタノ
ール2mlに懸濁し、トリフェニルホスファイト62mg（0.2
mmol）およびスルホン誘導体(III)211mg(98.3%)(0.5mmo
l)のテトラヒドロフラン(ＴＨＦ)(2ml)溶液を加え、室
温にて1.5時間攪拌した後、60℃に昇温し、5.5時間攪拌
した。反応後、水および飽和食塩水を注加して酢酸エチ
ルで抽出し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。次いで溶媒を留去することにより得られた粗
生成物を高速液体クロマトグラフィーにて定量分析した
ところ、アリルスルホン誘導体(V)の収率は、89.1%であ
った。

【００４５】（実施例７）窒素雰囲気下、塩化パラジウ
ム9mg（0.05mmol）、トリフェニルホスフィン54mg（0.2
mmol）、ｐ−トルエンスルフィン酸ナトリウム４水和物
250mg(1mmol)およびスルホン誘導体(III)211mg(98.3%)
(0.5mmol)をメタノール1mlとトルエン3mlに懸濁させ、6
0℃にて4時間攪拌した。反応後、水を注加して酢酸エチ
ルで抽出し、得られた有機層を飽和塩化アンモニウム水
および飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥後、溶媒を留去することにより黄色オイル状の粗
生成物を得た。粗生成物を高速液体クロマトグラフィー
にて定量分析したところ、アリルスルホン誘導体(V)の
収率は、78%であった。

【００４６】（実施例８）窒素雰囲気下、塩化パラジウ
ム9mg（0.05mmol）、ｐ−トルエンスルフィン酸ナトリ
ウム４水和物254mg(1mmol)をメタノール1mlに懸濁し、
トリフェニルホスフィン52mg（0.2mmol）、スルホン誘
導体(III)211mg(98.3%)(0.5mmol)および酢酸60mg(1mmo
l)のトルエン(3ml)溶液を加え、60℃で3時間攪拌した。
反応後、水および飽和食塩水を注加して酢酸エチルで抽
出し、得られた有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。次いで溶媒を留去することにより得られた粗
生成物を高速液体クロマトグラフィーにて定量分析した
ところ、アリルスルホン誘導体(V)の収率は、76.9%であ
った。

【００４７】（実施例９）塩化パラジウム2.6mg（0.015
mmol）、トリフェニルホスフィン156mg（0.6mmol）、ｐ
−トルエンスルフィン酸ナトリウム４水和物452mg(1.8m
mol)およびスルホン誘導体(III)634mg(99.6%)(1.5mmol)
をメタノール1mlに溶解させた後、トリエチルアミン46m
g（0.45mmol）およびトルエン3mlを加え、60℃にて10時
間攪拌した。反応後、水を注加して酢酸エチルで抽出
し、得られた有機層を飽和塩化アンモニウム水および飽
和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。次いで溶媒を留去することにより得られた粗生成物
を高速液体クロマトグラフィーにて定量分析したとこ
ろ、アリルスルホン誘導体(V)の収率は、74%であった。

【００４８】（実施例１０）塩化パラジウム4.9mg（0.0
28mmol）、ｐ−トルエンスルフィン酸ナトリウム４水和
物151.6mg(0.61mmol)およびスルホン誘導体(III)211.9m
g(99.6%)(0.5mmol) 、トリス（トリデシル）ホスファイ
ト124.3mg（0.2mmol）およびトリエチルアミン16.2mg
（0.16mmol）をメタノール1mlおよびトルエン3mlに溶解
させ、60℃にて6時間攪拌した。反応後、水を注加して
酢酸エチルで抽出し、得られた有機層を飽和塩化アンモ
ニウム水および飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。次いで溶媒を留去することにより
得られた粗生成物を高速液体クロマトグラフィーにて定
量分析したところ、アリルスルホン誘導体(V)の収率
は、83%であった。

【００４９】（実施例１１） ナトリウムｔ−ブトキシド47mg(0.49mmol)をＤＭＦ6ml
に溶解した溶液を0℃に冷却し、アリルスルホン誘導体
(V)196mg（0.38mmol）のＤＭＦ（3ml）溶液を5秒間で滴
下し、滴下後、同温度で2分間保温した。次いで、-60℃
に冷却し、アリルハライド(II)(96%)88mg（0.41mmol）
のＤＭＦ（3ml）溶液を同温度で20秒間で滴下し、3時間
攪拌した。反応後、飽和塩化アンモニウム水溶液に注加
し、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層は飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去することによ
り黄色オイルの粗生成物を得た。得られた粗生成物を高
速液体クロマトグラフィーで定量したところ、ジスルホ
ン誘導体(VI)の収率は92.8%であった。

【００５０】（実施例１２）水素化ナトリウム(60%、オ
イル懸濁品)19mg(0.48mmol)をＤＭＦ6mlに溶解した溶液
を0℃に冷却し、アリルスルホン誘導体(V)190mg（0.37m
mol）のＤＭＦ（3ml）溶液を20秒間で滴下し、20分間保
温した。次いで、アリルハライド(II)(96%)88mg（0.41m
mol）のＤＭＦ（3ml）溶液を同温度で5分間で滴下し、
その後室温まで自然昇温し、3時間攪拌した。反応後、
飽和塩化アンモニウム水溶液に注加し、酢酸エチルにて
抽出した。得られた有機層は飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥後、溶媒を留去することにより黄色オイルの粗生
成物を得た。得られた粗生成物を高速液体クロマトグラ
フィーで定量したところ、ジスルホン誘導体(VI)の収率
は、94.8%であった。

【００５１】（実施例１３）水酸化カリウム46mg(0.82m
mol)と塩化ベンジルトリエチルアンモニウム4.5mg(0.02
mmol)をＤＭＦ6mlに溶解した溶液を0℃に冷却し、アリ
ルスルホン誘導体(V)211mg（0.41mmol）のＤＭＦ（3m
l）溶液を同温度で20秒間で滴下し、20分間保温した。
次いで、アリルハライド(II)(96%)88mg（0.41mmol）の
ＤＭＦ（3ml）溶液を同温度で20秒間で滴下し、3時間攪
拌した。反応後、飽和塩化アンモニウム水溶液に注加
し、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層は飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去することによ
り黄色オイルの粗生成物を得た。得られた粗生成物を液
体クロマトグラフィーで定量したところ、ジスルホン誘
導体(VI)の収率は、68.1%であった。

【００５２】（実施例１４） ジスルホン誘導体(VI)192mg(0.3mmol)をトルエン(BHT30
0ppm含有)2mlに溶解後、95%の水酸化カリウム500mg(9mm
ol)、メタノール19mg(0.6mmol)、塩化ベンジルトリエチ
ルアンモニウム3mg(0.015mmol)を仕込み、30℃で1時間
攪拌した。反応後、飽和食塩水を注加し、酢酸エチルに
て抽出した。得られた有機層は水、飽和食塩水で順次洗
浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去するこ
とにより赤色オイルの粗レチノールを得た。得られた粗
レチノールを常法によりアセチル化し、高速液体クロマ
トグラフィーにて定量したところ、レチノールアセテー
ト(VII)の収率は63.3％であった。

【００５３】（実施例１５）ジスルホン誘導体(VI)256m
g(0.4mmol)をヘキサン(BHT300ppm含有)2mlに溶解後、95
%の水酸化カリウム240mg(4mmol)、メタノール7mg(0.2mm
ol)、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム4mg(0.02mmo
l)を仕込み、30℃で18時間攪拌した。反応後、飽和食塩
水を注加し、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層
は水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで
乾燥後、溶媒を留去することにより赤色オイルの粗レチ
ノールを得た。得られた粗レチノールを常法によりアセ
チル化し、高速液体クロマトグラフィーにて定量したと
ころ、レチノールアセテート(VII)の収率は91.3％であ
った。

【００５４】（実施例１６）ジスルホン誘導体(VI)256m
g(0.4mmol)をトルエン(BHT300ppm含有)2mlに溶解後、95
%の水酸化カリウム240mg(4mmol)、メタノール27mg(0.8m
mol)、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム4mg(0.02mm
ol)を仕込み、40℃で11時間攪拌した。反応後、飽和食
塩水を注加し、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機
層は水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウム
で乾燥後、溶媒を留去することにより赤色オイルの粗レ
チノールを得た。得られた粗レチノールを常法によりア
セチル化し、高速液体クロマトグラフィーにて定量した
ところ、レチノールアセテート(VII)の収率は89.3％で
あった。

【００５５】（実施例１７）ジスルホン誘導体(VI)256m
g(0.4mmol)をジイソプロピルエーテル(BHT300ppm含有)2
mlに溶解後、95%の水酸化カリウム240mg(4mmol)、メタ
ノール27mg(0.8mmol)、塩化ベンジルトリエチルアンモ
ニウム4mg(0.02mmol)を仕込み、30℃で16時間攪拌し
た。反応後、飽和食塩水を注加し、酢酸エチルにて抽出
した。得られた有機層は水、飽和食塩水で順次洗浄し、
無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去することによ
り赤色オイルの粗レチノールを得た。得られた粗レチノ
ールを常法によりアセチル化し、高速液体クロマトグラ
フィーにて定量したところ、レチノールアセテート(VI
I)の収率は94.7％であった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 世古 信三 大阪府高槻市塚原２丁目10番１号 住友化 学工業株式会社内 Ｆターム(参考） 4H006 AA02 AC24 BA02 BA03 BA25 BA28 BA32 BA34 BA48 BA51 TA02 UC00

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式（１） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基、
   Ｒ¹は水素原子または水酸基の保護基を示し、波線は、
   その結合する二重結合の立体がE体もしくはZ体もしくは
   E／Zの混合物を表す。）で示されるジスルホン誘導体を
   塩基性化合物と反応させることを特徴とするレチノール
   の製造方法。
2. 【請求項２】一般式（２） （式中、Ａｒおよび波線は前記と同じ意味を表す。）で
   示されるアリルスルホン誘導体と一般式（３） 一般式（３） （式中、Ｘはハロゲン原子、Ｒは水酸基の保護基を示
   し、波線は前記と同じ意味を表す。）で示されるアリル
   ハライド誘導体とを塩基類の存在下、反応させ、得られ
   る一般式（１）で示されるジスルホン誘導体と塩基性化
   合物と反応させることを特徴とするレチノールの製造方
   法。
3. 【請求項３】一般式（４） （式中、Ａｒ、Ｒおよび波線は前記と同じ意味を表
   す。）で示されるスルホン誘導体をスルホン化反応に供
   し、一般式（２）で示されるアリルスルホン誘導体を
   得、得られるアリルスルホン誘導体と一般式（３）で示
   されるアリルハライド誘導体とを塩基類の存在下、反応
   させ一般式（１）で示されるジスルホン誘導体を得、得
   られるジスルホン誘導体（１）と塩基性化合物とを反応
   させることを特徴とするレチノールの製造方法。
4. 【請求項４】一般式（５） （式中、Ａｒは前記と同じ意味を表す。）で示されるス
   ルホン類と一般式（３）で示されるアリルハライド誘導
   体とを塩基化合物の存在下に反応させ一般式（４）で示
   されるスルホン誘導体を得、得られるスルホン誘導体
   （４）をスルホン化反応に供し、一般式（２）で示され
   るアリルスルホン誘導体を得、得られるアリルスルホン
   誘導体と一般式（３）で示されるアリルハライド誘導体
   とを塩基類の存在下、反応させ、得られる一般式（１）
   で示されるジスルホン誘導体と塩基性化合物とを反応さ
   せることを特徴とするレチノールの製造方法。
5. 【請求項５】一般式（１）で示されるジスルホン誘導体
   と塩基性化合物とを反応させる工程において、相間移動
   触媒および低級アルコールの存在下に実施することを特
   徴とする請求項１から４のいずれかに記載の製造方法。
6. 【請求項６】相間移動触媒が第４級アンモニウム塩であ
   る請求項５に記載の製造方法。
7. 【請求項７】第４級アンモニウム塩が塩化ベンジルトリ
   エチルアンモニウムである請求項６に記載の製造方法。
8. 【請求項８】低級アルコールが、メタノール、エタノー
   ル、イソプロパノールまたはｎ−プロパノールである請
   求項５に記載の製造方法。
9. 【請求項９】塩基化合物が、アルキルリチウム、アルカ
   リ金属のアルコキシド、アルカリ金属のアミドまたはア
   ルカリ金属の水素化物である請求項４に記載の製造方
   法。
10. 【請求項１０】塩基類が、アルキルリチウム、アルカリ
    金属のアルコキシド、アルカリ金属のアミド、アルカリ
    金属の水素化物またはアルカリ金属の水酸化物である請
    求項３または４に記載の製造方法。
11. 【請求項１１】塩基性化合物が、アルカリ金属のアルコ
    キシド、アルカリ金属のアミド、アルカリ金属の水素化
    物またはアルカリ金属の水酸化物である請求項１から５
    のいずれかに記載の製造方法。
12. 【請求項１２】スルホン化反応が一般式（６） （式中、Ａｒは前記と同じ意味を表し、Ｍはアルカリ金
    属を表す。）で示されるアリールスルフィン酸塩を用い
    て反応させる請求項３または４に記載の製造方法。
13. 【請求項１３】スルホン化反応がパラジウム触媒存在
    下、一般式（６）で示されるアリールスルフィン酸塩を
    用いて反応させる請求項３または４に記載の製造方法。
14. 【請求項１４】スルホン化反応がパラジウム触媒、リン
    配位子の存在下、一般式（６）で示されるアリールスル
    フィン酸塩を用いて反応させる請求項３または４に記載
    の製造方法。
15. 【請求項１５】スルホン化反応がパラジウム触媒、リン
    配位子および添加剤の存在下、一般式（６）で示される
    アリールスルフィン酸塩を用いて反応させる請求項３ま
    たは４に記載の製造方法。
16. 【請求項１６】添加剤がアミンである請求項１５に記載
    の製造方法。
17. 【請求項１７】添加剤が酸である請求項１５に記載の製
    造方法。
18. 【請求項１８】アリールスルフィン酸塩がベンゼンスル
    フィン酸ナトリウム、ベンゼンスルフィン酸カリウム、
    ｐ−トルエンスルフィン酸ナトリウムまたはｐ−トル
    エンスルフィン酸カリウムである請求項１２から１５の
    いずれかに記載の製造方法。
19. 【請求項１９】Ｒがアシル基である請求項２、３または
    ４に記載の製造方法。