JP2001316356A - ワンポット合成プロセス - Google Patents
ワンポット合成プロセスInfo
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- JP2001316356A JP2001316356A JP2000135577A JP2000135577A JP2001316356A JP 2001316356 A JP2001316356 A JP 2001316356A JP 2000135577 A JP2000135577 A JP 2000135577A JP 2000135577 A JP2000135577 A JP 2000135577A JP 2001316356 A JP2001316356 A JP 2001316356A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 レチノール誘導体をワンポットで得る製造法
を提供すること。 【解決手段】 一般式（１） で示されるスルホン類と一般式（２） で示されるジハロジエン誘導体とを塩基の存在下、反応
させ一般式（３）で示されるレチノール誘導体をワンポ
ットで得る製造方法。 （式中、Ａｒは置換基を有してもよいアリール基を示
し、Ｘ１およびＸ２は同一または相異なりハロゲン原子
を示し、Ｒ１は水酸基の保護基を示し、Ｒ２は水素原子
または水酸基の保護基を示し、波線はＥ／Ｚ幾何異性体
のいずれか一方もしくはそれらの混合物であることを示
す。）
を提供すること。 【解決手段】 一般式（１） で示されるスルホン類と一般式（２） で示されるジハロジエン誘導体とを塩基の存在下、反応
させ一般式（３）で示されるレチノール誘導体をワンポ
ットで得る製造方法。 （式中、Ａｒは置換基を有してもよいアリール基を示
し、Ｘ１およびＸ２は同一または相異なりハロゲン原子
を示し、Ｒ１は水酸基の保護基を示し、Ｒ２は水素原子
または水酸基の保護基を示し、波線はＥ／Ｚ幾何異性体
のいずれか一方もしくはそれらの混合物であることを示
す。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬、飼料添加
物、食品添加物として重要なレチノール誘導体の製造方
法に関する。
物、食品添加物として重要なレチノール誘導体の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、レチノールの製造方法としては、
β―イオノン（Ｃ１３）を出発原料として、側鎖を増炭
する方法（Pure & Appl. Chem. 66, 1509 (1994)）やＣ
１０スルホン類とＣ１０アルデヒド類のカップリング
後、ハロゲン化反応およびスルホン基の脱離反応を経る
方法（特公平 4-3388号公報、特公平 5-61265号公報）
などが知られている。しかし、前者は原料であるβ―イ
オノン（Ｃ１３）が市場では非常に高価であり、後者
は、Ｃ１０アルデヒド類の製造工程、特に酸化工程で極
めて高価なアセトアルデヒド誘導体を酸化剤として用い
るなど必ずしも工業的に優れた方法とは言い難いもので
あった。また、ワンポット合成プロセスとして、Ｃ１０
スルホン類とＣ１０アルデヒド類をカップリングさせた
後、そのままワンポットでレチノールを得る方法（Ange
w. Chem. Int. Ed. Engl. 36, 779 (1997)）が知られて
いるが、カップリング工程において−７８℃で等量のヨ
ウ化ナトリウムおよびブチルリチウムを使用し、中間体
のトラップにメトキシメチルクロリドを用いるなど、極
めてコストのかかる方法であり、工業的には優れた方法
とは言い難いものであった。
β―イオノン（Ｃ１３）を出発原料として、側鎖を増炭
する方法（Pure & Appl. Chem. 66, 1509 (1994)）やＣ
１０スルホン類とＣ１０アルデヒド類のカップリング
後、ハロゲン化反応およびスルホン基の脱離反応を経る
方法（特公平 4-3388号公報、特公平 5-61265号公報）
などが知られている。しかし、前者は原料であるβ―イ
オノン（Ｃ１３）が市場では非常に高価であり、後者
は、Ｃ１０アルデヒド類の製造工程、特に酸化工程で極
めて高価なアセトアルデヒド誘導体を酸化剤として用い
るなど必ずしも工業的に優れた方法とは言い難いもので
あった。また、ワンポット合成プロセスとして、Ｃ１０
スルホン類とＣ１０アルデヒド類をカップリングさせた
後、そのままワンポットでレチノールを得る方法（Ange
w. Chem. Int. Ed. Engl. 36, 779 (1997)）が知られて
いるが、カップリング工程において−７８℃で等量のヨ
ウ化ナトリウムおよびブチルリチウムを使用し、中間体
のトラップにメトキシメチルクロリドを用いるなど、極
めてコストのかかる方法であり、工業的には優れた方法
とは言い難いものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような状況下、本
発明者らは、すでにＣ１０スルホン類とＣ１０アリルハ
ライド誘導体をカップリングさせ、ハロゲン化反応およ
びスルホン基の脱離反応を経るレチノールの製造方法
（EP-900785 A2、特開平11-315065号公報）を見出して
いるが、さらに検討を重ねた結果、本発明のＣ１０ジハ
ロジエン誘導体とＣ１０スルホン類とをカップリングさ
せレチノールをワンポットで製造できることを見い出
し、本発明に至った。
発明者らは、すでにＣ１０スルホン類とＣ１０アリルハ
ライド誘導体をカップリングさせ、ハロゲン化反応およ
びスルホン基の脱離反応を経るレチノールの製造方法
（EP-900785 A2、特開平11-315065号公報）を見出して
いるが、さらに検討を重ねた結果、本発明のＣ１０ジハ
ロジエン誘導体とＣ１０スルホン類とをカップリングさ
せレチノールをワンポットで製造できることを見い出
し、本発明に至った。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、一
般式（１） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基を
示す。）で示されるスルホン類と一般式（２） （式中、Ｘ1およびＸ2は同一または相異なりハロゲン原
子を示し、Ｒ1は水酸基の保護基を示し、波線はＥ／Ｚ
幾何異性体のいずれか一方もしくはそれらの混合物であ
ることを示す。）で示されるジハロジエン誘導体とを塩
基の存在下、反応させ一般式（３） （式中、Ｒ2は水素原子または水酸基の保護基を示し、
波線は前記と同じ意味を表わす。）で示されるレチノー
ル誘導体をワンポットで得ることを特徴とする製造方法
を提供するものである。
般式（１） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基を
示す。）で示されるスルホン類と一般式（２） （式中、Ｘ1およびＸ2は同一または相異なりハロゲン原
子を示し、Ｒ1は水酸基の保護基を示し、波線はＥ／Ｚ
幾何異性体のいずれか一方もしくはそれらの混合物であ
ることを示す。）で示されるジハロジエン誘導体とを塩
基の存在下、反応させ一般式（３） （式中、Ｒ2は水素原子または水酸基の保護基を示し、
波線は前記と同じ意味を表わす。）で示されるレチノー
ル誘導体をワンポットで得ることを特徴とする製造方法
を提供するものである。
【０００５】なお、本発明では、原料化合物にシス異性
体を含有するため、得られるレチノール誘導体はシス異
性体を含むものである。
体を含有するため、得られるレチノール誘導体はシス異
性体を含むものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。一般式（２）、（４）および（５）で示される化
合物における置換基Ｒ1は水酸基の保護基を示し、一般
式（３）における置換基Ｒ2は水素原子または水酸基の
保護基を示す。かかる水酸基の保護基としては、ホルミ
ル、アセチル、エトキシアセチル、フルオロアセチル、
ジフルオロアセチル、トリフルオロアセチル、クロロア
セチル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル、ブロ
モアセチル、ジブロモアセチル、トリブロモアセチル、
プロピオニル、２−クロロプロピオニル、３−クロロプ
ロピオニル、ブチリル、２−クロロブチリル、３−クロ
ロブチリル、４−クロロブチリル、２−メチルブチリ
ル、２−エチルブチリル、バレリル、２−メチルバレリ
ル、４−メチルバレリル、ヘキサノイル、イソブチリ
ル、イソバレリル、ピバロイル、ベンゾイル、ｏ−クロ
ロベンゾイル、ｍ−クロロベンゾイル、ｐ−クロロベン
ゾイル、 ｏ−ヒドロキシベンゾイル、ｍ−ヒドロキシ
ベンゾイル、ｐ−ヒドロキシベンゾイル、 ｏ−アセト
キシベンゾイル、 ｏ−メトキシベンゾイル、ｍ−メト
キシベンゾイル、ｐ−メトキシベンゾイル、ｐ−ニトロ
ベンゾイル等のアシル基、トリメチルシリル、トリエチ
ルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、ｔ−ブチルジフ
ェニルシリルなどのシリル基、テトラヒドロピラニル、
メトキシメチル、メトキシエトキシメチル、１−エトキ
シエチルなどのアルコキシメチル基、ベンジル基、ｐ−
メトキシベンジル基、ｔ−ブチル基、トリチル基、メチ
ル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、
アリルオキシカルボニル基等が挙げられ、通常、アセチ
ル基が好ましく用いられる。
する。一般式（２）、（４）および（５）で示される化
合物における置換基Ｒ1は水酸基の保護基を示し、一般
式（３）における置換基Ｒ2は水素原子または水酸基の
保護基を示す。かかる水酸基の保護基としては、ホルミ
ル、アセチル、エトキシアセチル、フルオロアセチル、
ジフルオロアセチル、トリフルオロアセチル、クロロア
セチル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル、ブロ
モアセチル、ジブロモアセチル、トリブロモアセチル、
プロピオニル、２−クロロプロピオニル、３−クロロプ
ロピオニル、ブチリル、２−クロロブチリル、３−クロ
ロブチリル、４−クロロブチリル、２−メチルブチリ
ル、２−エチルブチリル、バレリル、２−メチルバレリ
ル、４−メチルバレリル、ヘキサノイル、イソブチリ
ル、イソバレリル、ピバロイル、ベンゾイル、ｏ−クロ
ロベンゾイル、ｍ−クロロベンゾイル、ｐ−クロロベン
ゾイル、 ｏ−ヒドロキシベンゾイル、ｍ−ヒドロキシ
ベンゾイル、ｐ−ヒドロキシベンゾイル、 ｏ−アセト
キシベンゾイル、 ｏ−メトキシベンゾイル、ｍ−メト
キシベンゾイル、ｐ−メトキシベンゾイル、ｐ−ニトロ
ベンゾイル等のアシル基、トリメチルシリル、トリエチ
ルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、ｔ−ブチルジフ
ェニルシリルなどのシリル基、テトラヒドロピラニル、
メトキシメチル、メトキシエトキシメチル、１−エトキ
シエチルなどのアルコキシメチル基、ベンジル基、ｐ−
メトキシベンジル基、ｔ−ブチル基、トリチル基、メチ
ル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、
アリルオキシカルボニル基等が挙げられ、通常、アセチ
ル基が好ましく用いられる。
【０００７】一般式（１）における置換基Ａｒは、置換
基を有していてもよいアリール基を示し、アリール基と
してはフェニル基、ナフチル基等が挙げられ、置換基と
しては、Ｃ１からＣ５の直鎖または分枝状のアルキル
基、Ｃ１からＣ５の直鎖または分枝状のアルコキシ基、
ハロゲン原子、ニトロ基等が挙げられる。置換基Ａｒの
具体例としては、フェニル、ナフチル、ｏ−トリル，ｍ
−トリル，ｐ−トリル、ｏ−メトキシフェニル、ｍ−メ
トキシフェニル、ｐ−メトキシフェニル、ｏ−クロロフ
ェニル、ｍ−クロロフェニル、ｐ−クロロフェニル、ｏ
−ブロモフェニル、ｍ−ブロモフェニル、ｐ−ブロモフ
ェニル、ｏ−ヨードフェニル、ｍ−ヨードフェニル、ｐ
−ヨードフェニル、ｏ−フルオロフェニル、ｍ−フルオ
ロフェニル、ｐ−フルオロフェニル、ｏ−ニトロフェニ
ル、ｍ−ニトロフェニル、ｐ−ニトロフェニル等が挙げ
られる。
基を有していてもよいアリール基を示し、アリール基と
してはフェニル基、ナフチル基等が挙げられ、置換基と
しては、Ｃ１からＣ５の直鎖または分枝状のアルキル
基、Ｃ１からＣ５の直鎖または分枝状のアルコキシ基、
ハロゲン原子、ニトロ基等が挙げられる。置換基Ａｒの
具体例としては、フェニル、ナフチル、ｏ−トリル，ｍ
−トリル，ｐ−トリル、ｏ−メトキシフェニル、ｍ−メ
トキシフェニル、ｐ−メトキシフェニル、ｏ−クロロフ
ェニル、ｍ−クロロフェニル、ｐ−クロロフェニル、ｏ
−ブロモフェニル、ｍ−ブロモフェニル、ｐ−ブロモフ
ェニル、ｏ−ヨードフェニル、ｍ−ヨードフェニル、ｐ
−ヨードフェニル、ｏ−フルオロフェニル、ｍ−フルオ
ロフェニル、ｐ−フルオロフェニル、ｏ−ニトロフェニ
ル、ｍ−ニトロフェニル、ｐ−ニトロフェニル等が挙げ
られる。
【０００８】一般式（２）、（４）、（５）および
（６）におけるＸ1、Ｘ2のハロゲン原子としては、同一
または相異なり塩素原子、臭素原子、沃素原子等が挙げ
られる。特に、Ｘ1は臭素原子、Ｘ2は塩素原子が好まし
い。
（６）におけるＸ1、Ｘ2のハロゲン原子としては、同一
または相異なり塩素原子、臭素原子、沃素原子等が挙げ
られる。特に、Ｘ1は臭素原子、Ｘ2は塩素原子が好まし
い。
【０００９】本発明の原料化合物であるスルホン類
（１）はChem.Lett. 479(1975)に記載された方法により
合成することができる。また、アルコール類（４）およ
び（５）は、下記スキーム１に示すごとく比較的安価な
リナロールやゲラニオールから容易に合成することがで
きる（特開平11-130730号公報、特開平11-236357号公報
参照）。
（１）はChem.Lett. 479(1975)に記載された方法により
合成することができる。また、アルコール類（４）およ
び（５）は、下記スキーム１に示すごとく比較的安価な
リナロールやゲラニオールから容易に合成することがで
きる（特開平11-130730号公報、特開平11-236357号公報
参照）。
【００１０】 本発明の一般式（２）で示されるジハロジエン誘導体は
一般式（４）および／または（５）で示されるアルコー
ル類にハロゲン化剤を反応させることにより製造するこ
とができる。
一般式（４）および／または（５）で示されるアルコー
ル類にハロゲン化剤を反応させることにより製造するこ
とができる。
【００１１】ハロゲン化剤としては、例えば第４族遷移
金属のハロゲン化物が挙げられ、例えば一般式（６） （式中、Ｍは第４族遷移金属を示し、Ｒ3は炭素数1から
５の直鎖または分枝状のアルキル基を示し、ａは１、
２、３または４を示し、Ｘ2は前記と同じ意味を表わ
す。）で示されるハロゲン化物が挙げられる。
金属のハロゲン化物が挙げられ、例えば一般式（６） （式中、Ｍは第４族遷移金属を示し、Ｒ3は炭素数1から
５の直鎖または分枝状のアルキル基を示し、ａは１、
２、３または４を示し、Ｘ2は前記と同じ意味を表わ
す。）で示されるハロゲン化物が挙げられる。
【００１２】第４族遷移金属のハロゲン化物（６）のＭ
で示される金属原子としては例えばチタン、ジルコニウ
ム、ハフニウムなどが挙げられる。特に、チタン化合物
は安価なことから工業的に好ましい。第４族遷移金属の
ハロゲン化物（６）のＲ3で示される置換基としては炭
素数１から５の直鎖もしくは分枝状のアルキル基を示す
が、具体的には、メチル、エチル、ｎ-プロピル、ｉｓ
ｏ-プロピル、ｎ-ブチル、ｓ-ブチル、ｔ-ブチル、ｎ-
ペンチルなどが挙げられる。
で示される金属原子としては例えばチタン、ジルコニウ
ム、ハフニウムなどが挙げられる。特に、チタン化合物
は安価なことから工業的に好ましい。第４族遷移金属の
ハロゲン化物（６）のＲ3で示される置換基としては炭
素数１から５の直鎖もしくは分枝状のアルキル基を示す
が、具体的には、メチル、エチル、ｎ-プロピル、ｉｓ
ｏ-プロピル、ｎ-ブチル、ｓ-ブチル、ｔ-ブチル、ｎ-
ペンチルなどが挙げられる。
【００１３】第４族遷移金属のハロゲン化物（６）の具
体例としては、四塩化チタン、四臭化チタン、ジクロロ
チタニウムジイソプロポキシド、クロロチタニウムトリ
イソプロポキシド、四塩化ジルコニウム、四塩化ハフニ
ウムなどが挙げられる。
体例としては、四塩化チタン、四臭化チタン、ジクロロ
チタニウムジイソプロポキシド、クロロチタニウムトリ
イソプロポキシド、四塩化ジルコニウム、四塩化ハフニ
ウムなどが挙げられる。
【００１４】硫黄のハロゲン化物としては、塩化チオニ
ルが、リンのハロゲン化物としてはオキシ塩化リン、三
塩化リン、五塩化リンなどが挙げられる。かかるハロゲ
ン化剤の使用量は原料のアルコール類（４）および
（５）に対して、通常、０．２５〜２モル倍程度、好ま
しくは、０．５〜１．３モル倍程度である。また、硫黄
またはリンのハロゲン化物を使用する場合は、塩基を共
存させる方が好ましい。使用される塩基としては、特に
限定されず、アミン系有機塩基または無機塩基が挙げら
れる。具体例としては、ピリジン、４−ジメチルアミノ
ピリジン、３−エチル−４−メチルピリジン、５−エチ
ル−２−メチルピリジン、イミダゾール、２−メチルイ
ミダゾール、３−メチルイミダゾール、２−エチル−４
−メチルイミダゾール、ＤＢＵ、トリメチルアミン、ト
リエチルアミン、ジメチルエチルアミン、メチルジエチ
ルアミン、ｔ−ブチルジメチルアミン、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等が挙げられ
る。かかる塩基の使用量は原料のアルコール類（４）お
よび（５）に対して、通常、１〜２モル倍程度である。
ルが、リンのハロゲン化物としてはオキシ塩化リン、三
塩化リン、五塩化リンなどが挙げられる。かかるハロゲ
ン化剤の使用量は原料のアルコール類（４）および
（５）に対して、通常、０．２５〜２モル倍程度、好ま
しくは、０．５〜１．３モル倍程度である。また、硫黄
またはリンのハロゲン化物を使用する場合は、塩基を共
存させる方が好ましい。使用される塩基としては、特に
限定されず、アミン系有機塩基または無機塩基が挙げら
れる。具体例としては、ピリジン、４−ジメチルアミノ
ピリジン、３−エチル−４−メチルピリジン、５−エチ
ル−２−メチルピリジン、イミダゾール、２−メチルイ
ミダゾール、３−メチルイミダゾール、２−エチル−４
−メチルイミダゾール、ＤＢＵ、トリメチルアミン、ト
リエチルアミン、ジメチルエチルアミン、メチルジエチ
ルアミン、ｔ−ブチルジメチルアミン、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等が挙げられ
る。かかる塩基の使用量は原料のアルコール類（４）お
よび（５）に対して、通常、１〜２モル倍程度である。
【００１５】上記反応は、通常、有機溶媒中で実施さ
れ、使用される溶媒としてはジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタ
ン、アニソール等のエーテル系溶媒、ｎ-ヘキサン、シ
クロヘキサン、ｎ-ペンタン、ベンゼン、トルエン、キ
シレン等の炭化水素系溶媒、 クロロホルム、ジクロロ
メタン、１，２−ジクロロエタン、モノクロロベンゼ
ン、ｏ−ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒、または
アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ヘ
キサメチルホスホリックトリアミド等の非プロトン性極
性溶媒が挙げられる。また、第４族遷移金属のハロゲン
化物を用いる場合は、好ましくはエーテル系溶媒が使用
され、中でも、ジメトキシエタンがより好ましい。これ
らは単一であっても２種以上の混合溶媒で使用してもよ
い。
れ、使用される溶媒としてはジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタ
ン、アニソール等のエーテル系溶媒、ｎ-ヘキサン、シ
クロヘキサン、ｎ-ペンタン、ベンゼン、トルエン、キ
シレン等の炭化水素系溶媒、 クロロホルム、ジクロロ
メタン、１，２−ジクロロエタン、モノクロロベンゼ
ン、ｏ−ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒、または
アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ヘ
キサメチルホスホリックトリアミド等の非プロトン性極
性溶媒が挙げられる。また、第４族遷移金属のハロゲン
化物を用いる場合は、好ましくはエーテル系溶媒が使用
され、中でも、ジメトキシエタンがより好ましい。これ
らは単一であっても２種以上の混合溶媒で使用してもよ
い。
【００１６】反応温度は通常、−７８℃から溶媒の沸点
までの範囲内で任意に選択できるが、好ましくは−２０
〜６０℃程度の範囲である。また、反応時間は、用いる
ハロゲン化剤の種類ならびに反応温度によって異なる
が、通常１時間から２４時間程度の範囲である。反応
後、通常の後処理、例えば水洗浄、抽出、各種クロマト
グラフィーなどの操作をすることによりジハロジエン誘
導体（２）を製造することができる。
までの範囲内で任意に選択できるが、好ましくは−２０
〜６０℃程度の範囲である。また、反応時間は、用いる
ハロゲン化剤の種類ならびに反応温度によって異なる
が、通常１時間から２４時間程度の範囲である。反応
後、通常の後処理、例えば水洗浄、抽出、各種クロマト
グラフィーなどの操作をすることによりジハロジエン誘
導体（２）を製造することができる。
【００１７】本発明の製造法において、一般式（３）で
示されるレチノール誘導体は、一般式（１）で示される
スルホン類と一般式（２）で示されるジハロジエン誘導
体とを塩基の存在下反応させワンポットで製造すること
ができる。上記反応に用いられる塩基は以下に記載する
塩基Ａ、塩基Ｂから選び、段階的に作用させる方がより
好ましい。すなわち、一般式（１）で示されるスルホン
類と一般式（２）で示されるジハロジエン誘導体とを塩
基Ａの存在下反応させ、次いで反応混合物に塩基Ｂを作
用させる方法が好ましい。本発明に用いるジハロジエン
誘導体（２）は、ＥまたはＺ幾何異性体、光学活性体、
ラセミ体のいずれであってもよく、またその混合物であ
ってもよい。
示されるレチノール誘導体は、一般式（１）で示される
スルホン類と一般式（２）で示されるジハロジエン誘導
体とを塩基の存在下反応させワンポットで製造すること
ができる。上記反応に用いられる塩基は以下に記載する
塩基Ａ、塩基Ｂから選び、段階的に作用させる方がより
好ましい。すなわち、一般式（１）で示されるスルホン
類と一般式（２）で示されるジハロジエン誘導体とを塩
基Ａの存在下反応させ、次いで反応混合物に塩基Ｂを作
用させる方法が好ましい。本発明に用いるジハロジエン
誘導体（２）は、ＥまたはＺ幾何異性体、光学活性体、
ラセミ体のいずれであってもよく、またその混合物であ
ってもよい。
【００１８】上記反応に用いる塩基Ａとしては、アルカ
リ金属のアルコキシド、アルカリ金属の水素化物、アル
キルリチウム、またはグリニア試薬などであり、具体的
には、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド、ナ
トリウムエトキシド、カリウムエトキシド、カリウムｔ
−ブトキシド、ナトリウムｔ−ブトキシド、水素化ナト
リウム、水素化カリウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓ−ブ
チルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、エチルマグネシウ
ムブロマイド、エチルマグネシウムクロライド、メチル
マグネシウムブロマイド、エチルマグネシウムクロライ
ド、ｉｓｏ−プロピルマグネシウムブロマイド、ｉｓｏ
−プロピルマグネシウムクロライド等が挙げられる。か
かる塩基の使用量はジハロジエン誘導体（２）に対して
通常、１〜５モル倍程度であり、好ましくは、１〜３モ
ル倍程度である。
リ金属のアルコキシド、アルカリ金属の水素化物、アル
キルリチウム、またはグリニア試薬などであり、具体的
には、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド、ナ
トリウムエトキシド、カリウムエトキシド、カリウムｔ
−ブトキシド、ナトリウムｔ−ブトキシド、水素化ナト
リウム、水素化カリウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓ−ブ
チルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、エチルマグネシウ
ムブロマイド、エチルマグネシウムクロライド、メチル
マグネシウムブロマイド、エチルマグネシウムクロライ
ド、ｉｓｏ−プロピルマグネシウムブロマイド、ｉｓｏ
−プロピルマグネシウムクロライド等が挙げられる。か
かる塩基の使用量はジハロジエン誘導体（２）に対して
通常、１〜５モル倍程度であり、好ましくは、１〜３モ
ル倍程度である。
【００１９】上記反応に用いられる塩基Ｂとしては、ア
ルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキサイド
が用いられ、具体的には、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド、
ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド、ナトリウ
ムｔ−ブトキサイド、カリウムｔ−ブトキサイド等が挙
げられる。かかる塩基の使用量はジハロジエン誘導体
（２）に対して通常、１〜２０モル倍程度であり、好ま
しくは、５〜１５モル倍程度である。
ルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキサイド
が用いられ、具体的には、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド、
ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド、ナトリウ
ムｔ−ブトキサイド、カリウムｔ−ブトキサイド等が挙
げられる。かかる塩基の使用量はジハロジエン誘導体
（２）に対して通常、１〜２０モル倍程度であり、好ま
しくは、５〜１５モル倍程度である。
【００２０】塩基Ｂを作用させるプロセスは、反応を促
進させるために相間移動触媒を用いることが好ましい場
合がある。用いられる相間移動触媒としては、第４級ア
ンモニウム塩、第４級ホスホニウム塩、スルホニウム塩
等が挙げられ、置換基としては例えば、炭素数１〜２４
のアルキルおよびアリール基から任意に選ばれる基より
なるものが挙げられる。第４級アンモニウム塩として
は、例えば、塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テト
ラエチルアンモニウム、塩化テトラプロピルアンモニウ
ム、塩化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラペンチ
ルアンモニウム、塩化テトラヘキシルアンモニウム、塩
化テトラヘプチルアンモニウム、塩化テトラオクチルア
ンモニウム、塩化テトラヘキサデシルアンモニウム、塩
化テトラオクタデシルアンモニウム、塩化ベンジルトリ
メチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニ
ウム、塩化ベンジルトリブチルアンモニウム、塩化１−
メチルピリジニウム、塩化１−ヘキサデシルピリジニウ
ム、塩化１，４−ジメチルピリジニウム、塩化テトラメ
チル−２−ブチルアンモニウム、塩化トリメチルシクロ
プロピルアンモニウム、臭化テトラメチルアンモニウ
ム、臭化テトラエチルアンモニウム、臭化テトラプロピ
ルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、臭化
テトラペンチルアンモニウム、臭化テトラヘキシルアン
モニウム、臭化テトラヘプチルアンモニウム、臭化テト
ラオクチルアンモニウム、臭化テトラヘキサデシルアン
モニウム、臭化テトラオクタデシルアンモニウム、臭化
ベンジルトリメチルアンモニウム、臭化ベンジルトリエ
チルアンモニウム、臭化ベンジルトリブチルアンモニウ
ム、臭化１―メチルピリジニウム、臭化１−ヘキサデシ
ルピリジニウム、臭化１，４−ジメチルピリジニウム、
臭化テトラメチル−２−ブチルアンモニウム、臭化トリ
メチルシクロプロピルアンモニウム、沃化テトラメチル
アンモニウム、沃化テトラブチルアンモニウム、沃化テ
トラオクチルアンモニウム、沃化ｔ―ブチルエチルジメ
チルアンモニウム、沃化テトラデシルトリメチルアンモ
ニウム、沃化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム、沃
化オクタデシルトリメチルアンモニウム、沃化ベンジル
トリメチルアンモニウム、沃化ベンジルトリエチルアン
モニウム、沃化ベンジルトリブチルアンモニウム等が挙
げられる。
進させるために相間移動触媒を用いることが好ましい場
合がある。用いられる相間移動触媒としては、第４級ア
ンモニウム塩、第４級ホスホニウム塩、スルホニウム塩
等が挙げられ、置換基としては例えば、炭素数１〜２４
のアルキルおよびアリール基から任意に選ばれる基より
なるものが挙げられる。第４級アンモニウム塩として
は、例えば、塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テト
ラエチルアンモニウム、塩化テトラプロピルアンモニウ
ム、塩化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラペンチ
ルアンモニウム、塩化テトラヘキシルアンモニウム、塩
化テトラヘプチルアンモニウム、塩化テトラオクチルア
ンモニウム、塩化テトラヘキサデシルアンモニウム、塩
化テトラオクタデシルアンモニウム、塩化ベンジルトリ
メチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニ
ウム、塩化ベンジルトリブチルアンモニウム、塩化１−
メチルピリジニウム、塩化１−ヘキサデシルピリジニウ
ム、塩化１，４−ジメチルピリジニウム、塩化テトラメ
チル−２−ブチルアンモニウム、塩化トリメチルシクロ
プロピルアンモニウム、臭化テトラメチルアンモニウ
ム、臭化テトラエチルアンモニウム、臭化テトラプロピ
ルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、臭化
テトラペンチルアンモニウム、臭化テトラヘキシルアン
モニウム、臭化テトラヘプチルアンモニウム、臭化テト
ラオクチルアンモニウム、臭化テトラヘキサデシルアン
モニウム、臭化テトラオクタデシルアンモニウム、臭化
ベンジルトリメチルアンモニウム、臭化ベンジルトリエ
チルアンモニウム、臭化ベンジルトリブチルアンモニウ
ム、臭化１―メチルピリジニウム、臭化１−ヘキサデシ
ルピリジニウム、臭化１，４−ジメチルピリジニウム、
臭化テトラメチル−２−ブチルアンモニウム、臭化トリ
メチルシクロプロピルアンモニウム、沃化テトラメチル
アンモニウム、沃化テトラブチルアンモニウム、沃化テ
トラオクチルアンモニウム、沃化ｔ―ブチルエチルジメ
チルアンモニウム、沃化テトラデシルトリメチルアンモ
ニウム、沃化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム、沃
化オクタデシルトリメチルアンモニウム、沃化ベンジル
トリメチルアンモニウム、沃化ベンジルトリエチルアン
モニウム、沃化ベンジルトリブチルアンモニウム等が挙
げられる。
【００２１】第４級ホスホニウム塩としては、例えば、
塩化トリブチルメチルホスホニウム、塩化トリエチルメ
チルホスホニウム、塩化メチルトリフェノキシホスホニ
ウム、塩化ブチルトリフェニルホスホニウム、塩化テト
ラブチルホスホニウム、塩化ベンジルトリフェニルホス
ホニウム、塩化ヘキサデシルトリメチルホスホニウム、
塩化ヘキサデシルトリブチルホスホニウム、塩化ヘキサ
デシルジメチルエチルホスホニウム、塩化テトラフェニ
ルホスホニウム、臭化トリブチルメチルホスホニウム、
臭化トリエチルメチルホスホニウム、臭化メチルトリフ
ェノキシホスホニウム、臭化ブチルトリフェニルホスホ
ニウム、臭化テトラブチルホスホニウム、臭化ベンジル
トリフェニルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリメチ
ルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリブチルホスホニ
ウム、臭化ヘキサデシルジメチルエチルホスホニウム、
臭化テトラフェニルホスホニウム、沃化トリブチルメチ
ルホスホニウム、沃化トリエチルメチルホスホニウム、
沃化メチルトリフェノキシホスホニウム、沃化ブチルト
リフェニルホスホニウム、沃化テトラブチルホスホニウ
ム、沃化ベンジルトリフェニルホスホニウム、沃化ヘキ
サデシルトリメチルホスホニウム等が挙げられる。
塩化トリブチルメチルホスホニウム、塩化トリエチルメ
チルホスホニウム、塩化メチルトリフェノキシホスホニ
ウム、塩化ブチルトリフェニルホスホニウム、塩化テト
ラブチルホスホニウム、塩化ベンジルトリフェニルホス
ホニウム、塩化ヘキサデシルトリメチルホスホニウム、
塩化ヘキサデシルトリブチルホスホニウム、塩化ヘキサ
デシルジメチルエチルホスホニウム、塩化テトラフェニ
ルホスホニウム、臭化トリブチルメチルホスホニウム、
臭化トリエチルメチルホスホニウム、臭化メチルトリフ
ェノキシホスホニウム、臭化ブチルトリフェニルホスホ
ニウム、臭化テトラブチルホスホニウム、臭化ベンジル
トリフェニルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリメチ
ルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリブチルホスホニ
ウム、臭化ヘキサデシルジメチルエチルホスホニウム、
臭化テトラフェニルホスホニウム、沃化トリブチルメチ
ルホスホニウム、沃化トリエチルメチルホスホニウム、
沃化メチルトリフェノキシホスホニウム、沃化ブチルト
リフェニルホスホニウム、沃化テトラブチルホスホニウ
ム、沃化ベンジルトリフェニルホスホニウム、沃化ヘキ
サデシルトリメチルホスホニウム等が挙げられる。
【００２２】スルホニウム塩としては、例えば、塩化ジ
ブチルメチルスルホニウム、塩化トリメチルスルホニウ
ム、塩化トリエチルスルホニウム、臭化ジブチルメチル
スルホニウム、臭化トリメチルスルホニウム、臭化トリ
エチルスルホニウム、沃化ジブチルメチルスルホニウ
ム、沃化トリメチルスルホニウム、沃化トリエチルスル
ホニウム等が挙げられる。
ブチルメチルスルホニウム、塩化トリメチルスルホニウ
ム、塩化トリエチルスルホニウム、臭化ジブチルメチル
スルホニウム、臭化トリメチルスルホニウム、臭化トリ
エチルスルホニウム、沃化ジブチルメチルスルホニウ
ム、沃化トリメチルスルホニウム、沃化トリエチルスル
ホニウム等が挙げられる。
【００２３】上記相間移動触媒の中、特に第４級アンモ
ニウム塩が好ましく用いられる。
ニウム塩が好ましく用いられる。
【００２４】かかる相間移動触媒の使用量は、ジハロジ
エン誘導体（２）に対して通常、０．０１〜０．２モル
倍程度であり、好ましくは０．０２〜０．１モル倍程度
である。
エン誘導体（２）に対して通常、０．０１〜０．２モル
倍程度であり、好ましくは０．０２〜０．１モル倍程度
である。
【００２５】上記反応には、通常、有機溶媒が用いら
れ、かかる溶媒としては、 Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド、アセトニトリル、ヘキサメチルホスホリックト
リアミド等の非プロトン性極性溶媒、ｎ−ヘキサン、ｎ
−ヘプタン、シクロヘキサン、ｎ−ペンタン、トルエ
ン、キシレン等の炭化水素系溶媒、またはジエチルエー
テル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、アニ
ソール等のエーテル系溶媒が挙げられ、好ましくは、非
プロトン性極性溶媒が用いられる。また２種以上の溶媒
を混合して使用しても良い。また、塩基Ｂを作用させる
工程においては、低級アルコール、例えば、メタノー
ル、エタノール、２−プロパノール、ｔ−ブタノールな
どを添加することにより、反応を促進する効果がある。
添加され得るアルコールの使用量はジハロジエン誘導体
（２）に対して通常、１〜５モル倍程度である。
れ、かかる溶媒としては、 Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド、アセトニトリル、ヘキサメチルホスホリックト
リアミド等の非プロトン性極性溶媒、ｎ−ヘキサン、ｎ
−ヘプタン、シクロヘキサン、ｎ−ペンタン、トルエ
ン、キシレン等の炭化水素系溶媒、またはジエチルエー
テル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、アニ
ソール等のエーテル系溶媒が挙げられ、好ましくは、非
プロトン性極性溶媒が用いられる。また２種以上の溶媒
を混合して使用しても良い。また、塩基Ｂを作用させる
工程においては、低級アルコール、例えば、メタノー
ル、エタノール、２−プロパノール、ｔ−ブタノールな
どを添加することにより、反応を促進する効果がある。
添加され得るアルコールの使用量はジハロジエン誘導体
（２）に対して通常、１〜５モル倍程度である。
【００２６】塩基Ａを用いるプロセスの反応温度は、通
常、−７８℃から使用する溶媒の沸点までの範囲内で任
意に選択できるが、−４０℃以下がより好ましい。しか
し、塩基の種類によっては、−４０℃〜２０℃くらいの
温度の方が反応性が高まり好ましい場合もある。反応時
間は、反応で用いる塩基の種類ならびに反応温度によっ
て異なるが、通常１分から１０時間程度の範囲である。
常、−７８℃から使用する溶媒の沸点までの範囲内で任
意に選択できるが、−４０℃以下がより好ましい。しか
し、塩基の種類によっては、−４０℃〜２０℃くらいの
温度の方が反応性が高まり好ましい場合もある。反応時
間は、反応で用いる塩基の種類ならびに反応温度によっ
て異なるが、通常１分から１０時間程度の範囲である。
【００２７】塩基Ｂを用いるプロセスの反応温度は、通
常、−４０℃から使用する溶媒の沸点までの範囲内で任
意に選択できるが、４０℃以下がより好ましい。反応時
間は、反応で用いる塩基の種類ならびに反応温度によっ
て異なるが、通常５時間から４日間程度の範囲である。
常、−４０℃から使用する溶媒の沸点までの範囲内で任
意に選択できるが、４０℃以下がより好ましい。反応時
間は、反応で用いる塩基の種類ならびに反応温度によっ
て異なるが、通常５時間から４日間程度の範囲である。
【００２８】反応後、通常の後処理操作をすることによ
りシス異性体を含有するレチノール誘導体が得られる。
必要に応じて、晶析、各種クロマトグラフィーなどによ
り精製することができる。また、レチノールが得られる
場合は、化合物が不安定なため、常法により水酸基に保
護基を導入してエステル体にする方が好ましい。
りシス異性体を含有するレチノール誘導体が得られる。
必要に応じて、晶析、各種クロマトグラフィーなどによ
り精製することができる。また、レチノールが得られる
場合は、化合物が不安定なため、常法により水酸基に保
護基を導入してエステル体にする方が好ましい。
【００２９】
【発明の効果】かくして、本発明の方法によれば、医
薬、飼料添加物、食品添加物として重要なレチノール誘
導体を安価にかつ工業的有利に製造することができる。
薬、飼料添加物、食品添加物として重要なレチノール誘
導体を安価にかつ工業的有利に製造することができる。
【００３０】
【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらにより限定されるものでは
ない。
説明するが、本発明はこれらにより限定されるものでは
ない。
【００３１】（実施例１）アルコール(I)と（II）の30:
70の混合物1.0g(3.22mmol)をジメトキシエタン10mlに溶
解させ、攪拌下、室温で四塩化チタンの1Mトルエン溶液
3.6ml（3.6mmol）をシリンジで滴下した。その後、50℃
に昇温し、3時間攪拌した。反応後、氷水中に反応混合
物を注加し、酢酸エチルで抽出した。有機層は飽和塩化
ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥後、有機溶媒を留去することにより微黄色オイルとし
てジハロジエン（III）を収率85%で得た。
70の混合物1.0g(3.22mmol)をジメトキシエタン10mlに溶
解させ、攪拌下、室温で四塩化チタンの1Mトルエン溶液
3.6ml（3.6mmol）をシリンジで滴下した。その後、50℃
に昇温し、3時間攪拌した。反応後、氷水中に反応混合
物を注加し、酢酸エチルで抽出した。有機層は飽和塩化
ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥後、有機溶媒を留去することにより微黄色オイルとし
てジハロジエン（III）を収率85%で得た。
【００３２】（実施例２）カリウムｔ−ブトキシド224m
g(2.0mmol)をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）
8mlに溶解した溶液を0℃に冷却し、スルホン（IV）580m
g（2.0mmol）のＤＭＦ（4ml）溶液を20秒で滴下し、同
温度で40秒間保温した。次いで、反応溶液を-60℃に冷
却し、ジハロジエン（III）(88%)350mg（1.0mmol）のＤ
ＭＦ（4ml）溶液を同温度で５分間で滴下し、同温度で2
時間攪拌した。次いで、反応混合物に水酸化カリウム(9
9%)390mg(7.0mmol)を添加し、20℃で20時間反応させ
た。反応後、飽和塩化アンモニウム水溶液に注加し、酢
酸エチルにて抽出した。得られた有機層は飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去することにより赤色
オイルの粗レチノールを得た。得られた粗レチノールを
常法によりアセチル化し、液体クロマトグラフィーにて
定量したところ、レチノールアセテートの収率は41％
（対ジハロジエン（III））であった。
g(2.0mmol)をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）
8mlに溶解した溶液を0℃に冷却し、スルホン（IV）580m
g（2.0mmol）のＤＭＦ（4ml）溶液を20秒で滴下し、同
温度で40秒間保温した。次いで、反応溶液を-60℃に冷
却し、ジハロジエン（III）(88%)350mg（1.0mmol）のＤ
ＭＦ（4ml）溶液を同温度で５分間で滴下し、同温度で2
時間攪拌した。次いで、反応混合物に水酸化カリウム(9
9%)390mg(7.0mmol)を添加し、20℃で20時間反応させ
た。反応後、飽和塩化アンモニウム水溶液に注加し、酢
酸エチルにて抽出した。得られた有機層は飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去することにより赤色
オイルの粗レチノールを得た。得られた粗レチノールを
常法によりアセチル化し、液体クロマトグラフィーにて
定量したところ、レチノールアセテートの収率は41％
（対ジハロジエン（III））であった。
【００３３】（実施例3）水酸化カリウム(99%)390mg(7.
0mmol)に加えて、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム
10mg(0.05mmol)を添加し、5℃で36時間反応させた以外
は実施例２と同様の操作、後処理を行ったところ、レチ
ノールアセテートの収率は41％（対ジハロジエン（II
I））であった。
0mmol)に加えて、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム
10mg(0.05mmol)を添加し、5℃で36時間反応させた以外
は実施例２と同様の操作、後処理を行ったところ、レチ
ノールアセテートの収率は41％（対ジハロジエン（II
I））であった。
【００３４】（実施例4）水酸化カリウム(99%)390mg(7.
0mmol)に加えて、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム
10mg(0.05mmol)とメタノール65mg(2mmol)を添加し、5℃
で36時間反応させた以外は実施例２と同様の操作、後処
理を行ったところ、レチノールアセテートの収率は57％
（対ジハロジエン（III））であった。
0mmol)に加えて、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム
10mg(0.05mmol)とメタノール65mg(2mmol)を添加し、5℃
で36時間反応させた以外は実施例２と同様の操作、後処
理を行ったところ、レチノールアセテートの収率は57％
（対ジハロジエン（III））であった。
【００３５】（実施例5）水酸化カリウム(99%)390mg(7.
0mmol)の代わりに、水酸化ナトリウム(99%)606mg(15.0m
mol)を用いて、5℃で60時間反応させた以外は実施例４
と同様の操作、後処理を行ったところ、レチノールアセ
テートの収率は67％（対ジハロジエン（III））であっ
た。
0mmol)の代わりに、水酸化ナトリウム(99%)606mg(15.0m
mol)を用いて、5℃で60時間反応させた以外は実施例４
と同様の操作、後処理を行ったところ、レチノールアセ
テートの収率は67％（対ジハロジエン（III））であっ
た。
【００３６】以下に実施例の化合物の構造式を記す。但
し、Ｔｓは、ｐ−トリルスルホニル基を示す。
し、Ｔｓは、ｐ−トリルスルホニル基を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4H006 AA02 AC13 AC22 AC30 AC41 BA02 BA28 BA29 BA32 BA65 BA69 BD60 BE50 BE51 BE62 UC12 4H039 CA29 CD20 CD60 CG20
Claims (13)
- 【請求項１】一般式（１） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基を
示す。）で示されるスルホン類と一般式（２） （式中、Ｘ1およびＸ2は同一または相異なりハロゲン原
子を示し、Ｒ1は水酸基の保護基を示し、波線はＥ／Ｚ
幾何異性体のいずれか一方もしくはそれらの混合物であ
ることを示す。）で示されるジハロジエン誘導体とを塩
基の存在下、反応させ一般式（３） （式中、Ｒ2は水素原子または水酸基の保護基を示し、
波線は前記と同じ意味を表わす。）で示されるレチノー
ル誘導体をワンポットで得ることを特徴とする製造方
法。 - 【請求項２】一般式（１）で示されるスルホン類と一般
式（２）で示されるジハロジエン誘導体とを塩基Ａの存
在下に反応させた後、該反応混合物に塩基Ｂを作用させ
一般式（３）で示されるレチノール誘導体をワンポット
で得ることを特徴とする製造方法。 - 【請求項３】一般式（２）で示されるジハロジエン誘導
体が、一般式（４） (式中、Ｘ1、Ｒ1および波線は前記と同じ意味を表わ
す。)で示されるアルコール類および／または一般式
（５） (式中、Ｘ1、Ｒ1および波線は前記と同じ意味を表わ
す。)で示されるアルコール類にハロゲン化剤を反応さ
せることにより得られるものである請求項１または２に
記載の製造方法。 - 【請求項４】塩基Ａが、アルカリ金属のアルコキシド、
アルカリ金属の水素化物、アルキルリチウム、またはグ
リニア試薬である請求項２または３に記載の製造方法。 - 【請求項５】塩基Ｂが、アルカリ金属の水酸化物、アル
カリ金属のアルコキシドである請求項２または３に記載
の製造方法。 - 【請求項６】ハロゲン化剤が、第４族遷移金属のハロゲ
ン化物である請求項３に記載の製造方法。 - 【請求項７】第４族遷移金属のハロゲン化物が、一般式
（６） （式中、Ｍは第４族遷移金属を示し、Ｒ3は炭素数1から
５の直鎖または分枝状のアルキル基を示し、ａは１、
２、３または４を示し、Ｘ2は前記と同じ意味を表わ
す。）で示されるハロゲン化物である請求項６に記載の
製造方法。 - 【請求項８】第４族遷移金属がチタンである請求項７に
記載の製造方法。 - 【請求項９】第４族遷移金属のハロゲン化物が四塩化チ
タンである請求項７に記載の製造方法。 - 【請求項１０】ハロゲン化剤が、硫黄のハロゲン化物ま
たはリンのハロゲン化物である請求項３に記載の製造方
法。 - 【請求項１１】硫黄のハロゲン化物が塩化チオニルであ
る請求項１０に記載の製造方法。 - 【請求項１２】Ｘ1が臭素原子、Ｘ2が塩素原子である請
求項１、２または３に記載の製造方法。 - 【請求項１３】Ｒ1がアセチル基であり、Ｒ2が水素原子
である請求項１、２または３に記載の製造方法。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP2000135577A JP2001316356A (ja) | 2000-05-09 | 2000-05-09 | ワンポット合成プロセス |
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| EP01101846A EP1120398A3 (en) | 2000-01-28 | 2001-01-26 | Dihalo-compound and process for producing vitamin A derivative |
| KR1020010003694A KR20010078067A (ko) | 2000-01-28 | 2001-01-26 | 디할로-화합물 및 비타민 ａ 유도체의 제조 방법 |
| CN01108971A CN1308044A (zh) | 2000-01-28 | 2001-01-26 | 二卤代化合物和制备维生素a衍生物的方法 |
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