JP2002255924A - ジスルホン誘導体の製造方法 - Google Patents
ジスルホン誘導体の製造方法Info
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- JP2002255924A JP2002255924A JP2001057924A JP2001057924A JP2002255924A JP 2002255924 A JP2002255924 A JP 2002255924A JP 2001057924 A JP2001057924 A JP 2001057924A JP 2001057924 A JP2001057924 A JP 2001057924A JP 2002255924 A JP2002255924 A JP 2002255924A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ジスルホン誘導体の製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 一般式１ （Ａｒは置換基を有してもよいアリール基を示す。）の
スルホン類と一般式２ （Ｘはハロゲンを示し、波線はＥ／Ｚ幾何異性体の一方
もしくはそれらの混合物であることを表し、Ａｒは前記
と同じ意味を表す。）のハロスルホン誘導体とを塩基の
存在下に反応させる一般式３ のジスルホン誘導体の製造方法。塩基としてはアルキル
リチウム、アルカリ金属のアルコキシドまたはグリニヤ
ール試薬を用いる。
と。 【解決手段】 一般式１ （Ａｒは置換基を有してもよいアリール基を示す。）の
スルホン類と一般式２ （Ｘはハロゲンを示し、波線はＥ／Ｚ幾何異性体の一方
もしくはそれらの混合物であることを表し、Ａｒは前記
と同じ意味を表す。）のハロスルホン誘導体とを塩基の
存在下に反応させる一般式３ のジスルホン誘導体の製造方法。塩基としてはアルキル
リチウム、アルカリ金属のアルコキシドまたはグリニヤ
ール試薬を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬、飼料添加
物、食品添加物の中間体、例えばレチノール誘導体やカ
ロテノイド類の中間体として有用なジスルホン誘導体の
製造方法に関する。
物、食品添加物の中間体、例えばレチノール誘導体やカ
ロテノイド類の中間体として有用なジスルホン誘導体の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】本発
明者らは、特開平11-222479号公報に示すように、環状
スルホン類とC10のアルコール類（ゲラニオールなど）
から誘導されるアリルハライド類とのカップリング反応
により、レチノール誘導体の重要中間体であるスルホン
誘導体を見出している。しかしながら、レチノール誘導
体の製造方法として、原料の価格、中間体の精製、工程
数等の観点から更に有利な製造方法の開発が望まれてい
た。
明者らは、特開平11-222479号公報に示すように、環状
スルホン類とC10のアルコール類（ゲラニオールなど）
から誘導されるアリルハライド類とのカップリング反応
により、レチノール誘導体の重要中間体であるスルホン
誘導体を見出している。しかしながら、レチノール誘導
体の製造方法として、原料の価格、中間体の精製、工程
数等の観点から更に有利な製造方法の開発が望まれてい
た。
【０００３】
【課題を解決するための手段】このような状況下、本発
明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結
果、下記スルホン類（１）とイソプレンから２工程で簡
便に製造できるＣ５のハロスルホン誘導体（２）とを塩
基の存在下に反応させることにより一般式（３）で示さ
れるジスルホン誘導体が製造できることを見い出し、本
発明に至った。
明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結
果、下記スルホン類（１）とイソプレンから２工程で簡
便に製造できるＣ５のハロスルホン誘導体（２）とを塩
基の存在下に反応させることにより一般式（３）で示さ
れるジスルホン誘導体が製造できることを見い出し、本
発明に至った。
【０００４】すなわち、本発明は、一般式（１） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基を
示す。）で示されるスルホン類と一般式（２） （式中、Ｘはハロゲン原子を示し、波線はＥ／Ｚ幾何異
性体のいずれか一方もしくはそれらの混合物であること
を表し、Ａｒは前記と同じ意味を表す。）で示されるハ
ロスルホン誘導体とを塩基の存在下に反応させることを
特徴とする一般式（３） （式中、Ａｒおよび波線は前記と同じ意味を表す。）で
示されるジスルホン誘導体の製造方法を提供するもので
ある。
示す。）で示されるスルホン類と一般式（２） （式中、Ｘはハロゲン原子を示し、波線はＥ／Ｚ幾何異
性体のいずれか一方もしくはそれらの混合物であること
を表し、Ａｒは前記と同じ意味を表す。）で示されるハ
ロスルホン誘導体とを塩基の存在下に反応させることを
特徴とする一般式（３） （式中、Ａｒおよび波線は前記と同じ意味を表す。）で
示されるジスルホン誘導体の製造方法を提供するもので
ある。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。一般式（１）、（２）および（３）で示される化
合物におけるＡｒは置換基を有していてもよいアリール
基を示し、アリール基としてはフェニル基、ナフチル基
等が挙げられ、置換基としては、Ｃ１からＣ５の直鎖ま
たは分枝状のアルキル基、Ｃ１からＣ５の直鎖または分
枝状のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基等が挙げ
られる。置換基Ａｒの具体例としては、フェニル、ナフ
チル、ｏ−トリル，ｍ−トリル，ｐ−トリル、ｏ−メト
キシフェニル、ｍ−メトキシフェニル、ｐ−メトキシフ
ェニル、ｏ−クロロフェニル、ｍ−クロロフェニル、ｐ
−クロロフェニル、ｏ−ブロモフェニル、ｍ−ブロモフ
ェニル、ｐ−ブロモフェニル、ｏ−ヨードフェニル、ｍ
−ヨードフェニル、ｐ−ヨードフェニル、ｏ−フルオロ
フェニル、ｍ−フルオロフェニル、ｐ−フルオロフェニ
ル、ｏ−ニトロフェニル、ｍ−ニトロフェニル、ｐ−ニ
トロフェニル等が挙げられるが、より好ましくは、フェ
ニル基、トリル基等が挙げられる。
する。一般式（１）、（２）および（３）で示される化
合物におけるＡｒは置換基を有していてもよいアリール
基を示し、アリール基としてはフェニル基、ナフチル基
等が挙げられ、置換基としては、Ｃ１からＣ５の直鎖ま
たは分枝状のアルキル基、Ｃ１からＣ５の直鎖または分
枝状のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基等が挙げ
られる。置換基Ａｒの具体例としては、フェニル、ナフ
チル、ｏ−トリル，ｍ−トリル，ｐ−トリル、ｏ−メト
キシフェニル、ｍ−メトキシフェニル、ｐ−メトキシフ
ェニル、ｏ−クロロフェニル、ｍ−クロロフェニル、ｐ
−クロロフェニル、ｏ−ブロモフェニル、ｍ−ブロモフ
ェニル、ｐ−ブロモフェニル、ｏ−ヨードフェニル、ｍ
−ヨードフェニル、ｐ−ヨードフェニル、ｏ−フルオロ
フェニル、ｍ−フルオロフェニル、ｐ−フルオロフェニ
ル、ｏ−ニトロフェニル、ｍ−ニトロフェニル、ｐ−ニ
トロフェニル等が挙げられるが、より好ましくは、フェ
ニル基、トリル基等が挙げられる。
【０００６】一般式（２）で示されるハロスルホン誘導
体におけるＸはハロゲン原子を示し、具体的には塩素原
子、臭素原子、沃素原子等が挙げられる。好ましくは、
臭素原子が挙げられる。
体におけるＸはハロゲン原子を示し、具体的には塩素原
子、臭素原子、沃素原子等が挙げられる。好ましくは、
臭素原子が挙げられる。
【０００７】本発明に用いられる原料化合物であるスル
ホン類（１）は、例えば、J.Org.Chem.39,2135(1974)に
記載された方法により、またハロスルホン誘導体（２）
は、下記スキーム１により容易に製造することができ
る。 （式中、Ｍはアルカリ金属原子を表す。Ａｒ、Ｘおよび
波線は前記と同じ意味を表す。）
ホン類（１）は、例えば、J.Org.Chem.39,2135(1974)に
記載された方法により、またハロスルホン誘導体（２）
は、下記スキーム１により容易に製造することができ
る。 （式中、Ｍはアルカリ金属原子を表す。Ａｒ、Ｘおよび
波線は前記と同じ意味を表す。）
【０００８】一般式（２）で示されるハロスルホン誘導
体は、スルホン類（１）に対し、通常、０．３〜１当量
程度使用される。
体は、スルホン類（１）に対し、通常、０．３〜１当量
程度使用される。
【０００９】本発明に用いられる塩基としては、例えば
アルキルリチウム、アルカリ金属のアルコキシド、グル
ニヤール試薬等が挙げられ、具体的には、例えばｎ−ブ
チルリチウム、ｓ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウ
ム、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド、カリ
ウムｔ−ブトキシド、ナトリウムｔ−ブトキシド、エチ
ルマグネシウムブロマイド、エチルマグネシウムクロラ
イド等が挙げられる。かかる塩基の使用量はスルホン類
（１）に対して通常、０．５〜３モル倍程度である。
アルキルリチウム、アルカリ金属のアルコキシド、グル
ニヤール試薬等が挙げられ、具体的には、例えばｎ−ブ
チルリチウム、ｓ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウ
ム、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド、カリ
ウムｔ−ブトキシド、ナトリウムｔ−ブトキシド、エチ
ルマグネシウムブロマイド、エチルマグネシウムクロラ
イド等が挙げられる。かかる塩基の使用量はスルホン類
（１）に対して通常、０．５〜３モル倍程度である。
【００１０】本発明には、通常、有機溶媒が用いられ、
使用される溶媒としてはアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミ
ド、スルホラン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジ
ノン、１−メチル−２−ピロリジノン等の非プロトン性
極性溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、
１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、アニソール等
のエーテル系溶媒、ｎ-ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ-
ペンタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素
系溶媒などが挙げられ、これらは単一であっても２種以
上の混合溶媒で使用してもよい。好ましくは、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒が使用
される。
使用される溶媒としてはアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミ
ド、スルホラン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジ
ノン、１−メチル−２−ピロリジノン等の非プロトン性
極性溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、
１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、アニソール等
のエーテル系溶媒、ｎ-ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ-
ペンタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素
系溶媒などが挙げられ、これらは単一であっても２種以
上の混合溶媒で使用してもよい。好ましくは、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒が使用
される。
【００１１】本発明の反応温度は通常、−７８℃から溶
媒の沸点までの範囲内で任意に選択できるが、好ましく
は−６０〜０℃程度の範囲である。また、反応時間は、
用いる塩基の種類ならびに反応温度によって異なるが、
通常０．５時間から１０時間程度の範囲である。反応
後、通常の後処理、例えば水洗浄、抽出、晶析、各種ク
ロマトグラフィーなどの操作をすることによりジスルホ
ン誘導体（３）を製造することができる。
媒の沸点までの範囲内で任意に選択できるが、好ましく
は−６０〜０℃程度の範囲である。また、反応時間は、
用いる塩基の種類ならびに反応温度によって異なるが、
通常０．５時間から１０時間程度の範囲である。反応
後、通常の後処理、例えば水洗浄、抽出、晶析、各種ク
ロマトグラフィーなどの操作をすることによりジスルホ
ン誘導体（３）を製造することができる。
【００１２】本発明のジスルホン誘導体（３）は下記ス
キーム２に従って、簡便にレチノール誘導体へ導くこと
ができる。 （式中、Ｒは水酸基の保護基を表す。Ａｒ、Ｘおよび波
線は前記と同じ意味を表す。）
キーム２に従って、簡便にレチノール誘導体へ導くこと
ができる。 （式中、Ｒは水酸基の保護基を表す。Ａｒ、Ｘおよび波
線は前記と同じ意味を表す。）
【００１３】
【発明の効果】本発明により得られるジスルホン誘導体
（３）を用いればＣ１０アルコール類よりも安価なイソ
プレンを用いて短いプロセスでレチノール誘導体を製造
できる等の点において優れている。
（３）を用いればＣ１０アルコール類よりも安価なイソ
プレンを用いて短いプロセスでレチノール誘導体を製造
できる等の点において優れている。
【００１４】
【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらにより限定されるものでは
ない。
説明するが、本発明はこれらにより限定されるものでは
ない。
【００１５】（実施例１）ナトリウムｔ−ブトキシド11
2mg(1mmol)をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）
3mlに溶解した溶液を-20℃に冷却し、スルホン（I）295
mg（1mmol）のＤＭＦ（1.5ml）溶液を2分間で滴下し
た。次いで、反応溶液を-60℃に冷却し、ハロスルホン
（II）175mg（0.5mmol）のＤＭＦ（1.5ml）溶液を同温
度で5分間かけて滴下し、その後、同温度で3時間攪拌し
た。反応後、飽和塩化アンモニウム水溶液に注加し、酢
酸エチルにて抽出した。得られた有機層は飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去することにより粗生
成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにて精製したところ、目的とするスルホ
ン（III）が淡黄色オイルとして22%の収率で得られた。
2mg(1mmol)をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）
3mlに溶解した溶液を-20℃に冷却し、スルホン（I）295
mg（1mmol）のＤＭＦ（1.5ml）溶液を2分間で滴下し
た。次いで、反応溶液を-60℃に冷却し、ハロスルホン
（II）175mg（0.5mmol）のＤＭＦ（1.5ml）溶液を同温
度で5分間かけて滴下し、その後、同温度で3時間攪拌し
た。反応後、飽和塩化アンモニウム水溶液に注加し、酢
酸エチルにて抽出した。得られた有機層は飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去することにより粗生
成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにて精製したところ、目的とするスルホ
ン（III）が淡黄色オイルとして22%の収率で得られた。
【００１６】以下に実施例の化合物の構造式を記す。但
し、Ｔｓはｐ−トリルスルホニル基を示す。
し、Ｔｓはｐ−トリルスルホニル基を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 寿也 大阪府高槻市塚原２丁目10番１号 住友化 学工業株式会社内 Ｆターム(参考） 4H006 AA02 AC24 BA02 BA03 BA06 BA32 BA44 BB20 TA02 TB05
Claims (4)
- 【請求項１】一般式（１） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基を
示す。）で示されるスルホン類と一般式（２） （式中、Ｘはハロゲン原子を示し、波線はＥ／Ｚ幾何異
性体のいずれか一方もしくはそれらの混合物であること
を表し、Ａｒは前記と同じ意味を表す。）で示されるハ
ロスルホン誘導体とを塩基の存在下に反応させることを
特徴とする一般式（３） （式中、Ａｒおよび波線は前記と同じ意味を表す。）で
示されるジスルホン誘導体の製造方法。 - 【請求項２】塩基が、アルキルリチウム、アルカリ金属
のアルコキシド、またはグルニヤール試薬である請求項
１に記載の製造方法。 - 【請求項３】アルカリ金属のアルコキシドがナトリウム
ｔ−ブトキシドまたはカリウムｔ−ブトキシドである請
求項２に記載の製造方法。 - 【請求項４】Ｘで示されるハロゲン原子が臭素原子であ
る請求項１、２または３に記載の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001057924A JP2002255924A (ja) | 2001-03-02 | 2001-03-02 | ジスルホン誘導体の製造方法 |
| EP02710482A EP1359143A1 (en) | 2001-02-06 | 2002-02-04 | Novel sulfone derivatives and process for producing these |
| US10/312,693 US20040034257A1 (en) | 2001-02-06 | 2002-02-04 | Novel sulfone derivatives and process for producing these |
| CN02802461A CN1464876A (zh) | 2001-02-06 | 2002-02-04 | 新型砜衍生物及其制备方法 |
| PCT/JP2002/000869 WO2002062752A1 (fr) | 2001-02-06 | 2002-02-04 | Nouveaux derives sulfone et procede de production de ces derniers |
| KR1020027017874A KR20030076243A (ko) | 2001-02-06 | 2002-02-04 | 신규한 술폰 유도체 및 이의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001057924A JP2002255924A (ja) | 2001-03-02 | 2001-03-02 | ジスルホン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002255924A true JP2002255924A (ja) | 2002-09-11 |
Family
ID=18917726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001057924A Withdrawn JP2002255924A (ja) | 2001-02-06 | 2001-03-02 | ジスルホン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002255924A (ja) |
-
2001
- 2001-03-02 JP JP2001057924A patent/JP2002255924A/ja not_active Withdrawn
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