JP2000143615A - テトラエン誘導体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 テトラエン誘導体、その製造法を提供するこ
と。 【解決手段】 一般式（１） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基、
Ｒ¹およびＲ²は、同一または相異なり、水素原子、低級
アルキル基または水酸基の保護基を示す。）で示される
テトラエン誘導体およびその製造法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、医薬、飼料添加
物、食品添加物の分野で重要なカロテノイド、例えばリ
コペンやその類縁体等の中間体として有用なテトラエン
誘導体およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、対称なＣ４０化合物であるリコペ
ンの合成法としては、Ｃ１５化合物二分子とＣ１０化合
物をカップリングさせる方法やＣ１０化合物二分子とＣ
２０化合物をカップリングさせる方法（例えば、Pure &
Appl. Chem., Vol.69, 2039 (1997)やHelv. Chim. Act
a, Vol.39, 463 (1956)など）、Ｃ８化合物二分子とＣ
２４化合物をカップリングさせる方法（例えば、DE 255
4924 など）などが知られている。しかしながらこれら
の方法では炭素数と分子構造が異なる二種類の化合物を
別個に合成する必要があり合理的とは言い難いものであ
った。一方、Ｃ２０化合物二分子をカップリングさせる
方法はより望ましい反応形態であり、例えばProc. Che
m. Soc., 261 (1961)やLiebigs Ann. Chem., 1146 (197
7)などに報告があるがＣ２０化合物の合成に多段工程を
要し、工業的に実用性の高い方法とは言えなかった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記課
題を解決するためにＣ４０化合物であるリコペン等の合
成に有用なＣ２０化合物およびその工業的に有利な製造
方法を開発するべく鋭意検討した結果、本発明に至っ
た。

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、一
般式（１） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基、
Ｒ¹およびＲ²は、同一または相異なり、水素原子、低級
アルキル基または水酸基の保護基を示す。）で示される
新規なテトラエン誘導体、および一般式（２） （式中、Ａｒは前記と同じ意味を表わす。）で示される
スルホン類と一般式（３） （式中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｒ³およびＲ⁴は、同
一または相異なり、水酸基の保護基を示す。）で示され
るハロヒドリン誘導体とを塩基の存在下に反応させ、一
般式（４） （式中、Ａｒ、Ｒ³およびＲ⁴は前記と同じ意味を表わ
す。）で示されるテトラエン誘導体を得、次いで脱保護
反応に供し、一般式（５） （式中、Ａｒは前記と同じ意味を表わす。）で示される
テトラエン誘導体を得、次いで酸触媒存在下、低級アル
コールと反応させることを特徴とする一般式（６） （式中、Ａｒは前記と同じ意味を表わし、Ｒ⁵は低級ア
ルキル基を示す。）で示されるテトラエン誘導体の製造
方法および一般式（５）で示されるテトラエン誘導体を
相間移動触媒および塩基の存在下、保護化剤と反応させ
ることを特徴とする一般式（７） （式中、ＡｒおよびＲ⁴は前記と同じ意味を表わす。）
で示されるテトラエン誘導体の製造方法を提供するもの
である。

【０００４】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明のテトラエン誘導体（１）、（４）、
（７）およびハロヒドリン誘導体（３）の置換基Ｒ¹、
Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴における水酸基の保護基としては、
例えばアセチル、ピバロイル、ベンゾイル、ｐ−ニトロ
ベンゾイルなどのアシル基、トリメチルシリル、ｔ−ブ
チルジメチルシリル、ｔ−ブチルジフェニルシリルなど
のシリル基、テトラヒドロピラニル、メトキシメチル、
メトキシエトキシメチル、１−エトキシエチルなどのア
ルコキシメチル基、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル
基、ｔ−ブチル基、トリチル基、ベンジロキシカルボニ
ル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、
アリルオキシカルボニル基等が挙げられる。テトラエン
誘導体（１）および（６）の置換基Ｒ¹、Ｒ²およびＲ⁵
における低級アルキル基としては、Ｃ１からＣ４までの
直鎖または分枝状のアルキル基が挙げられ、具体的には
メチル、エチル、ｎ―プロピル、イソプロピル、ｎ―ブ
チル、イソブチル、ｔ―ブチル等が挙げられる。ハロヒ
ドリン誘導体（３）の置換基Ｘはハロゲン原子を表わ
し、具体的には塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙げら
れる。スルホン類（２）、テトラエン誘導体（１）、
（４）、（５）、（６）および（７）の置換基Ａｒは置
換基を有してもよいアリール基を示し、アリール基とし
てはフェニル基、ナフチル基等が挙げられ、その置換基
としては、Ｃ１からＣ６のアルキル基、Ｃ１からＣ６の
アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基等が挙げられ
る。具体的には、例えばフェニル、ナフチル、ｏ−トリ
ル，ｍ−トリル，ｐ−トリル、ｏ−メトキシフェニル、
ｍ−メトキシフェニル、ｐ−メトキシフェニル、ｏ−ク
ロロフェニル、ｍ−クロロフェニル、ｐ−クロロフェニ
ル、ｏ−ブロモフェニル、ｍ−ブロモフェニル、ｐ−ブ
ロモフェニル、ｏ−ヨードフェニル、ｍ−ヨードフェニ
ル、ｐ−ヨードフェニル、ｏ−フルオロフェニル、ｍ−
フルオロフェニル、ｐ−フルオロフェニル、ｏ−ニトロ
フェニル、ｍ−ニトロフェニル、ｐ−ニトロフェニル等
が挙げられる。

【０００５】本発明のテトラエン誘導体（４）は、スル
ホン類（２）とハロヒドリン誘導体（３）とを塩基の存
在下に反応させることにより得られる。

【０００６】上記反応に用いられる塩基としては、例え
ばアルキルリチウム、グリニヤール試薬、アルカリ金属
水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アルカリ金属水
素化物、アルカリ土類金属水素化物、アルカリ金属アル
コキサイド、アルカリ土類金属アルコキサイドであり、
具体的には、例えばｎ−ブチルリチウム、ｓ−ブチルリ
チウム、ｔ−ブチルリチウム、メチルマグネシウムブロ
マイド、メチルマグネシウムクロライド、エチルマグネ
シウムブロマイド、エチルマグネシウムクロライド、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化マグネシウ
ム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、ナトリウムメ
トキサイド、カリウムメトキサイド、マグネシウムメト
キサイド、ナトリウムｔ−ブトキサイド、カリウムｔ−
ブトキサイド等が挙げられる。かかる塩基の使用量はス
ルホン類（２）に対して通常、0.1〜4モル倍程度であ
る。

【０００７】上記反応には、反応を促進させるために相
間移動触媒を用いるのが好ましい場合がある。用いられ
る相間移動触媒としては、第４級アンモニウム塩、第４
級ホスホニウム塩、スルホニウム塩等が挙げられる。第
４級アンモニウム塩としては、例えば、塩化テトラメチ
ルアンモニウム、塩化テトラエチルアンモニウム、塩化
テトラプロピルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモ
ニウム、塩化テトラペンチルアンモニウム、塩化テトラ
ヘキシルアンモニウム、塩化テトラヘプチルアンモニウ
ム、塩化テトラオクチルアンモニウム、塩化テトラヘキ
サデシルアンモニウム、塩化テトラオクタデシルアンモ
ニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化ベ
ンジルトリエチルアンモニウム、塩化ベンジルトリブチ
ルアンモニウム、塩化１−メチルピリジニウム、塩化１
−ヘキサデシルピリジニウム、塩化１，４−ジメチルピ
リジニウム、塩化トリメチルシクロプロピルアンモニウ
ム、臭化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラエチル
アンモニウム、臭化テトラプロピルアンモニウム、臭化
テトラブチルアンモニウム、臭化テトラペンチルアンモ
ニウム、臭化テトラヘキシルアンモニウム、臭化テトラ
ヘプチルアンモニウム、臭化テトラオクチルアンモニウ
ム、臭化テトラヘキサデシルアンモニウム、臭化テトラ
オクタデシルアンモニウム、臭化ベンジルトリメチルア
ンモニウム、臭化ベンジルトリエチルアンモニウム、臭
化ベンジルトリブチルアンモニウム、臭化１―メチルピ
リジニウム、臭化１−ヘキサデシルピリジニウム、臭化
１，４−ジメチルピリジニウム、臭化トリメチルシクロ
プロピルアンモニウム、沃化テトラメチルアンモニウ
ム、沃化テトラブチルアンモニウム、沃化テトラオクチ
ルアンモニウム、沃化ｔ―ブチルエチルジメチルアンモ
ニウム、沃化テトラデシルトリメチルアンモニウム、沃
化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム、沃化オクタデ
シルトリメチルアンモニウム、沃化ベンジルトリメチル
アンモニウム、沃化ベンジルトリエチルアンモニウム、
沃化ベンジルトリブチルアンモニウム等が挙げられる。

【０００８】第４級ホスホニウム塩としては、例えば、
塩化トリブチルメチルホスホニウム、塩化トリエチルメ
チルホスホニウム、塩化メチルトリフェノキシホスホニ
ウム、塩化ブチルトリフェニルホスホニウム、塩化テト
ラブチルホスホニウム、塩化ベンジルトリフェニルホス
ホニウム、塩化ヘキサデシルトリメチルホスホニウム、
塩化ヘキサデシルトリブチルホスホニウム、塩化ヘキサ
デシルジメチルエチルホスホニウム、塩化テトラフェニ
ルホスホニウム、臭化トリブチルメチルホスホニウム、
臭化トリエチルメチルホスホニウム、臭化メチルトリフ
ェノキシホスホニウム、臭化ブチルトリフェニルホスホ
ニウム、臭化テトラブチルホスホニウム、臭化ベンジル
トリフェニルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリメチ
ルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリブチルホスホニ
ウム、臭化ヘキサデシルジメチルエチルホスホニウム、
臭化テトラフェニルホスホニウム、沃化トリブチルメチ
ルホスホニウム、沃化トリエチルメチルホスホニウム、
沃化メチルトリフェノキシホスホニウム、沃化ブチルト
リフェニルホスホニウム、沃化テトラブチルホスホニウ
ム、沃化ベンジルトリフェニルホスホニウム、沃化ヘキ
サデシルトリメチルホスホニウム等が挙げられる。

【０００９】スルホニウム塩としては、例えば、塩化ジ
ブチルメチルスルホニウム、塩化トリメチルスルホニウ
ム、塩化トリエチルスルホニウム、臭化ジブチルメチル
スルホニウム、臭化トリメチルスルホニウム、臭化トリ
エチルスルホニウム、沃化ジブチルメチルスルホニウ
ム、沃化トリメチルスルホニウム、沃化トリエチルスル
ホニウム等が挙げられる。かかる相間移動触媒の使用量
は、スルホン類（２）に対して通常0.01〜0.2モル倍程
度であり、好ましくは0.02〜0.1モル倍程度である。

【００１０】上記反応には、通常、有機溶媒が用いら
れ、かかる溶媒としては、例えばジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジメトキシエタン、１、４―ジオキ
サン、アニソール等のエーテル系溶媒、 Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ、Ｎ−ジ
メチルアセトアミド、スルホラン、ヘキサメチルホスホ
リックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒、ｎ−ヘキ
サン、シクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ―ヘプタン、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒が挙
げられる。

【００１１】反応温度は、通常、−78℃から使用する溶
媒の沸点の範囲である。また、反応時間は、反応で用い
る塩基、触媒の種類ならびに反応温度によって異なる
が、通常1時間から24時間の範囲である。

【００１２】反応後、通常の後処理操作をすることによ
りテトラエン誘導体（４）を得ることができる。また必
要に応じて、洗浄、各種クロマトグラフィー等により精
製することができる。原料であるハロヒドリン誘導体
（３）はＥまたはＺの幾何異性体のいずれであっても、
またその混合物であってもよい。また、ラセミ体でも光
学活性体であってもよい。

【００１３】本発明の原料化合物であるスルホン類
（２）とハロヒドリン誘導体（３）は比較的安価に入手
可能なリナロールやゲラニオールよりスキーム１に示す
ようなルートによって容易に合成することができる。ス
ルホン類（２）の合成方法はJ. Org. Chem., Vol.39, 2
135 (1974)に記載されており、ハロヒドリン誘導体
（３）の合成方法も EP-900785A にすでに開示されてい
る。 スキーム１テトラエン誘導体（５）はテトラエン誘導体
（４）の水酸基の保護基を、その保護基に応じた通常の
方法で脱保護することにより得ることができる。テトラ
エン誘導体（６）はテトラエン誘導体（５）に低級アル
コール中、酸触媒を作用させることによって得ることが
できる。本反応では２級の水酸基を選択的にアルキル化
することができる。上記反応で用いられる酸触媒として
は、ルイス酸、ブレンステッド酸、ヘテロポリ酸、酸性
イオン交換樹脂などが挙げられる。具体的にはルイス酸
としては、塩化すず(II)、塩化すず(IV)、塩化亜鉛、塩
化鉄(III)、三弗化ホウ素エ−テル錯体、希土類金属ト
リフレート等が、ブレンステッド酸としては、臭化水素
酸、塩酸、硫酸、パラトルエンスルホン酸、ベンゼンス
ルホン酸、メタンスルホン酸、安息香酸、トリフェニル
ホスフィン臭化水素塩、ピリジン塩酸塩等が、酸性イオ
ン交換樹脂としては末端にスルホン酸基を有する強酸性
タイプのものが挙げられる。

【００１４】酸触媒の使用量はテトラエン誘導体（５）
に対して通常、0.01〜1モル倍程度が好ましく用いられ
る。上記反応で溶媒として用いられる低級アルコールと
しては、メタノール、エタノール、ｎ―プロパノール、
イソプロパノール、ｎ―ブタノール、イソブタノール、
ｔ―ブタノールなどが挙げられ、好ましくはメタノー
ル、エタノールもしくはイソプロパノールが挙げられ
る。反応温度は、通常、-78℃から使用する溶媒の沸点
の範囲であり、好ましくは-10℃〜50℃程度の範囲であ
る。また、反応時間は、反応で用いる酸触媒の種類およ
び反応温度によって異なるが、通常1時間から24時間程
度の範囲である。反応後、通常の後処理操作をすること
によりテトラエン誘導体（６）を得ることができる。必
要に応じて、シリカゲルクロマトグラフィーなどにより
精製することもできる。

【００１５】テトラエン誘導体（７）はテトラエン誘導
体（５）を、相間移動触媒および塩基の存在下、保護化
剤と反応させることにより得ることができる。上記反応
で用いられる保護化剤としてはＲ’Ｙで示されるハライ
ド類もしくは酸無水物が挙げられ、ハライド類としては
アシルハライド類が好ましい。Ｒ’Ｙで示されるハライ
ド類のＲ’としてはアセチル、ピバロイル、ベンゾイ
ル、ｐ−ニトロベンゾイルなどのアシル基、トリメチル
シリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、ｔ−ブチルジフェ
ニルシリルなどのシリル基、メトキシメチルなどのアル
コキシメチル基、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル
基、トリチル基、ベンジルオキシカルボニル基、２，
２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、アリルオキ
シカルボニル基等が挙げられる。Ｒ’Ｙで示されるハラ
イド類のＹとしては、塩素、臭素、沃素などのハロゲン
原子が挙げられる。

【００１６】ハライド類としては、具体的には、塩化ア
セチル、塩化ピバロイル、塩化ベンゾイル、塩化ｐ−ニ
トロベンゾイル、トリメチルシリルクロライド、ｔ−ブ
チルジメチルシリルクロライド、メトキシメチルクロラ
イド、ベンジルクロライド、トリチルクロライド、ベン
ジルオキシカルボニルクロライド、アリルオキシカルボ
ニルクロライド等もしくは、これら塩化物が臭化物、沃
化物である化合物が挙げられ、好ましくは、塩化アセチ
ルが挙げられる。酸無水物としては例えば、無水酢酸、
無水プロピオン酸、無水酪酸等が挙げられ、好ましく
は、無水酢酸が挙げられる。かかる保護化剤の使用量は
テトラエン誘導体（５）に対して、通常、0.1〜1.1モル
倍程度である。

【００１７】上記反応に用いる塩基としては、アミン系
有機塩基または無機塩基が挙げられ、好ましくは、無機
塩基が挙げられる。アミン系有機塩基としては、例え
ば、ピリジン、４―ジメチルアミノピリジン、３−エチ
ル−４−メチルピリジン、５−エチル−２−メチルピリ
ジン、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、３−メ
チルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾー
ル、ＤＢＵ、ＤＢＮ、トリメチルアミン、トリエチルア
ミン、ジイソプロピルエチルアミン、ジエチルメチルア
ミン、ｔ−ブチルジメチルアミン、ジイソプロピルアミ
ン等が挙げられる。また、無機塩基としては、アルカリ
金属またはアルカリ土類金属の水酸化物、アルカリ金属
またはアルカリ土類金属の炭酸塩、アルカリ金属または
アルカリ土類金属の炭酸水素塩等の無機塩基が挙げられ
る。具体的には例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸水素ナト
リウム、炭酸水素カリウム等が挙げられる。これら無機
塩基の形状は微粉末が好ましい。かかる塩基の使用量
は、テトラエン誘導体（５）に対して通常、1〜5モル倍
程度である。

【００１８】上記反応に用いる相間移動触媒としては前
記のスルホン類（２）とハロヒドリン誘導体（３）との
反応で用いたものと同様の化合物が挙げられる。かかる
相間移動触媒の使用量は、テトラエン誘導体（５）に対
して、通常、0.01〜0.2モル倍程度であり、好ましくは
0.02〜0.1モル倍程度である。

【００１９】上記反応には、通常、有機溶媒が用いら
れ、かかる溶媒としては、 ｎ−ヘキサン、シクロヘキ
サン、ｎ−ペンタン、ｎ―ヘプタン、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、
テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、１、４―ジオ
キサン、アニソール等のエーテル系溶媒、 クロロホル
ム、ジクロロメタン、１、２―ジクロロエタン、モノク
ロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶
媒、またはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ヘキサメ
チルホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒
が挙げられる。

【００２０】反応温度は、通常、−78℃から使用する溶
媒の沸点の範囲であり、好ましくは0℃〜30℃の範囲で
ある。また、反応時間は、反応で用いる塩基、触媒の種
類ならびに反応温度によって異なるが、通常1時間から2
4時間程度の範囲である。反応後、通常の後処理操作を
することによりテトラエン誘導体（７）を得ることがで
きる。必要に応じて、カラムクロマトグラフィーなどに
より精製することができる。

【００２１】

【発明の効果】本発明の新規なＣ２０化合物であるテト
ラエン誘導体（１）は、入手容易なＣ１０化合物である
リナロールやゲラニオールから工業的有利に合成するこ
とができ、さらに官能基変換を経て二分子カップリング
させることにより、容易にリコペン等Ｃ４０化合物に誘
導することができることから、有用である。

【００２２】

【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらにより限定されるものでは
ない。 （実施例１）ゲラニルp−トリルスルホン（Ｉ）0.53g
(1.8mmol)をテトラヒドロフラン(ＴＨＦ)20mlに溶解さ
せ、-60℃まで冷却した。同温度で1.6Mｎ−ブチルリチ
ウムのヘキサン溶液1.13ml(1.8mmol)を滴下し、３時間
攪拌した後、同温度でハロヒドリン誘導体（II）0.3g
(0.9mmol)のＴＨＦ溶液5mlを1時間かけて滴下した。同
温度で３時間攪拌後飽和塩化アンモニウム水溶液でクエ
ンチし、エーテルで抽出した。得られた有機層を飽和食
塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を
留去することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成
物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、
テトラエン誘導体（III）を淡黄色オイルとして収率４
９％で得た。¹ H-ＮＭＲ δ（CDCl₃） 1.60(3H,s), 1.67(3H,s), 1.70(3H,s), 1.57-1.76(2H,
m), 1.93(3H,s),1.90-2.36(5H,m), 2.00(3H,s), 2.04(3
H,s), 2.10(3H,s), 2.44(3H ,s),2.82-2.95(1H,m), 3.7
9-3.86(1H,m), 4.53(2H,d,J=7Hz)，4.81-5.15(3H,m),5.
33(1H,m)，5.57(1H,m), 7.29(2H,d,J=8Hz), 7.67(2H,d,
J=8Hz)

【００２３】（実施例２）ゲラニルp−トリルスルホン
（Ｉ）0.53g(1.8mmol)をＴＨＦ16mlおよびヘキサメチル
ホスホリックトリアミド4mlの混合溶媒に溶解し、室温
下、水酸化ナトリウム0.072g(1.8mmol)と臭化テトラｎ
−ブチルアンモニウム0.058g(0.18mmol)を加え、40〜45
℃で3時間攪拌した。その後、-60℃に冷却し、ハロヒド
リン誘導体（II）0.3g(0.9mmol)のＴＨＦ溶液5mlを1時
間かけて滴下した。同温度で５時間攪拌後、60℃まで昇
温し、さらに同温度で5時間攪拌した。反応後、飽和塩
化アンモニウム水溶液でクエンチし、エーテルで抽出し
た。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥後、溶媒を留去することにより、粗生
成物を得た。得られた粗生成物はシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにて精製し、テトラエン誘導体（III）
を淡黄色オイルとして収率５１％で得た。

【００２４】（実施例３）ゲラニルp−トリルスルホン
（Ｉ）2.93g(10mmol)およびカリウムｔ―ブトキサイド
1.55g(13.8mmol)を-60℃に冷却し、Ｎ、Ｎ―ジメチルホ
ルムアミド(ＤＭＦ)15mlを加え、同温度で30分間攪拌し
た。そこへハロヒドリン誘導体（II）3.37g(10.1mmol)
のＤＭＦ溶液10mlを同温度で滴下した。同温度で2時間
攪拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液でクエンチ
し、酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を水および
飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、
溶媒を留去することにより、粗生成物を得た。得られた
粗生成物はシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精
製し、テトラエン誘導体（III）を淡黄色オイルとして
収率７０％で得た。

【００２５】（実施例４）テトラエン誘導体（III）2.5
5g(4.68mmol)をメタノール10mlに溶解し、20%水酸化ナ
トリウム水溶液1.12g(5.62mmol)を加え、室温で2時間攪
拌した。反応後、飽和塩化アンモニウム水溶液でクエン
チし、エーテルで抽出した。得られた有機層を飽和食塩
水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留
去することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物
はシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、テ
トラエン誘導体（IV）を淡黄色オイルとして収率９５％
で得た。¹ H-ＮＭＲ δ（CDCl₃） 1.55-1.71(4H,m), 1.56(3H,s), 1.62(3H,s), 1.68(6H,
s), 1.80-1.94(2H,m),1.93(3H,s), 2.25-2.41(1H,m),
2.44(3H,s), 2.82-2.95(1H,m), 3.42(1H,br s),3.89(1
H,t,J=7Hz), 4.04-4.08(2H,m), 4.38-4.47(1H,m), 4.69
(1H,s)，4.90(1H,d,J=7Hz),4.98(1H,br)，5.15-5.27(1
H,m), 5.45-5.51(1H,t,J=7Hz), 7.29(2H,d,J=8Hz), 7.6
7(2H,d,J=8Hz)

【００２６】(実施例５)テトラエン誘導体（IV）2.50g
(5.43mmol)をメタノール28mlに溶解し、96%濃硫酸55mg
(0.54mmol)を加え、室温で24時間攪拌した。反応後、飽
和重曹水でクエンチし、エーテルで抽出した。得られた
有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、溶媒を留去することにより、粗生成物を得た。
得られた粗生成物はシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにて精製し、テトラエン誘導体（V）を淡黄色オイル
として収率７７％で得た。¹ H-ＮＭＲ δ（CDCl₃） 1.18-1.23(3H,m), 1.59(3H,s), 1.67(6H,br), 1.57-1.6
8(2H,m), 1.93(3H,br),1.80-2.40(3H,m), 2.41(3H,s),
2.45-3.00(3H,m), 3.11-3.23(3H,m), 3.75-4.20(4H,m),
4.80-5.18(3H,m), 5.30-5.60(1H,m), 7.20-7.35(2H,
m), 7.60-7.75(2H,m)

【００２７】（実施例６）テトラエン誘導体（IV）60mg
(0.13mmol)をヘキサン20mlに溶解し、塩化ｎ−ドデシル
トリメチルアンモニウム3.4mg(0.013mmol)と炭酸ナトリ
ウム14mg(0.13mmol)を加えた後、無水酢酸14mg(0.13mmo
l)を加え、室温で２０時間攪拌した。反応後、水でクエ
ンチし、エーテルで抽出した後、得られた有機層を塩化
アンモニウム水溶液および飽和食塩水で洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去することにより、
粗生成物を得た。得られた粗生成物はシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにて精製し、テトラエン誘導体（V
I）を淡黄色オイルとして収率９２％で得た。¹ H-ＮＭＲ δ（CDCl₃） 1.57(3H,s), 1.60(3H,s), 1.66(3H,s), 1.69(3H,s), 1.
92(3H,s), 2.01(3H,s),2.05-2.28(6H,m), 2.44(3H,s),
2.85-2.92(2H,d,J=8Hz), 3.89(1H,t,J=7Hz), 4.38-4.49
(1H,m), 4.57(2H,d,J=7Hz), 4.89(1H,d,J=8Hz), 5.04(1
H,br,s), 5.15(1H,d,J=8Hz), 5.40(1H,t,J=7Hz), 7.31
(2H,d,J=8Hz), 7.79(2H,d,J=8Hz)以下に実施例の化合物
(I)〜(VI)の構造式を示す。

【００２８】（参考例１）酢酸ゲラニル40g(0.204mol)
をｎ-ヘキサン100mlに溶解し、トリクロロイソシアヌル
酸17.1g(0.071mol)を徐々に加え-10〜0℃で6時間保温し
た。反応後、過剰のトリクロロイソシアヌル酸および副
生するイソシアヌル酸を濾過により系外に除去した。ろ
液は重曹水および水で洗浄して、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した後、溶媒を留去することにより粗生成物を得
た。得られた粗生成物はシリカゲルカラムクロマトグラ
フィ−で精製し、６−クロロ−３，７−ジメチル−２，
７-オクタジエン−１−アセテ−ト（以下、化合物
（a））を淡黄色オイルとして、収率８６％で得た。¹ H-NMR d (CDCl₃) 1.71(3H,s), 1.81(3H,s), 1.90-2.22(4H,m), 2.05(3H,
s), 4.34(1H,t,J=7Hz), 4.59(2H,d,J=7Hz),4.90(1H,s),
5.01(1H,s), 5.37(1H,t,J=7Hz).

【００２９】（参考例２）乾燥した４つ口フラスコに窒
素下、微粉末の水酸化ナトリウム6.8g(0.17mol)、トリ
フェニルホスフィン2.2g(8.5mmol)、テトラｎ−ブチル
アンモニウムクロライド1.4g(5.1mmol)、アリルパラジ
ウムクロライドダイマー0.62g(1.7mmol)、ＴＨＦ100ml
を加えた。そこへ、攪拌下、化合物（a）40g(0.17mol)
のＴＨＦ溶液150mlを室温で1時間かけて滴下した。室温
で3日間攪拌後、水でクエンチし、エ−テルで抽出し
た。得られた有機層は飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥後、溶媒を留去することにより、粗生
成物を得た。得られた粗生成物はシリカゲルクロマトグ
ラフィ−にて精製し、３，７−ジメチル−２，５，７−
オクタトリエン−１−アセテ−ト（以下、化合物
（b））を６５％の収率で得た。¹ H-NMR d (CDCl₃) 1.70(3H,s), 1.85(3H,s), 2.08(3H,s)，2.81(2H,d,J=7H
z), 4.58(2H,d,J=7Hz)，4.90(2H,s), 5.37(1H,t,J=7H
z)，5.61(1H,td,J=7, 16Hz), 6.16(1H,d,J=16Hz)

【００３０】（参考例３）化合物（b）20.1g(0.1mol)と
酢酸100 mlを仕込み、室温でＮ−ブロモスクシンイミド
18.3g(0.1mol)を徐々に加えた。室温下、10〜15分で反
応マスは均一になり、2時間攪拌後、水でクエンチし、
トルエンで抽出した。得られた有機層は無水硫酸マグネ
シウムで乾燥後、溶媒を留去することにより、８−ブロ
モ−３，７−ジメチル−２，６−オクタジエン−１，５
−ジアセテ−ト（以下、化合物（c）（ＥＺ異性体混合
物））と８−ブロモ−３，７−ジメチル−２，５−オク
タジエン−１，７−ジアセテ−ト（以下、化合物（d）
（ＥＺ異性体混合物））の約１：１の混合物を９５％の
収率で得た。得られた混合物をシリカゲルクロマトグラ
フィ−にて分離精製し、化合物（c）および化合物（d）
をそれぞれ淡黄色オイルとして得た。 化合物（c）¹ H−NMR d (CDCl₃) 1.77(3H,s), 1.82(3H,s), 1.98(3H,s), 2.02(3H,s), 2.
19(2H,m), 3.89(2H,s),4.55(2H,d,J=7Hz), 5.37(1H,t,J
=7Hz), 5.48-5.62(2H,m) 化合物（d）¹ H−NMR d (CDCl₃) 1.65(3H,s), 1.68(3H,s), 2.05(3H,s), 2.06(3H,s), 2.
78(2H,d,J=6Hz), 3.67(1H,d,J=11Hz), 3.82(1H,d,J=11H
z), 4.57(2H,d,J=7Hz), 5.35(1H,t,J=7Hz), 5.61-5.77
(2H,m)

【００３１】以下に参考例の化合物(a)〜(d)の構造式を
示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 寿也 大阪府高槻市塚原２丁目10番１号 住友化 学工業株式会社内 (72)発明者 古谷 敦史 大阪府高槻市塚原２丁目10番１号 住友化 学工業株式会社内

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式（１） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基、
   Ｒ¹およびＲ²は、同一または相異なり、水素原子、低級
   アルキル基または水酸基の保護基を示す。）で示される
   テトラエン誘導体。
2. 【請求項２】水酸基の保護基がアセチル基である請求項
   １に記載のテトラエン誘導体。
3. 【請求項３】一般式（２） （式中、Ａｒは前記と同じ意味を表わす。）で示される
   スルホン類と一般式（３） （式中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｒ³およびＲ⁴は、同
   一または相異なり、水酸基の保護基を示す。）で示され
   るハロヒドリン誘導体とを塩基の存在下に反応させるこ
   とを特徴とする一般式（４） （式中、Ａｒ、Ｒ³およびＲ⁴は前記と同じ意味を表わ
   す。）で示されるテトラエン誘導体の製造方法。
4. 【請求項４】一般式（４）で示されるテトラエン誘導体
   を脱保護反応に供することを特徴とする一般式（５） （式中、Ａｒは前記と同じ意味を表わす。）で示される
   テトラエン誘導体の製造方法。
5. 【請求項５】一般式（５）で示されるテトラエン誘導体
   を酸触媒存在下、低級アルコールと反応させることを特
   徴とする一般式（６） （式中、Ａｒは前記と同じ意味を表わし、Ｒ⁵は低級ア
   ルキル基を示す。）で示されるテトラエン誘導体の製造
   方法。
6. 【請求項６】一般式（５）で示されるテトラエン誘導体
   を相間移動触媒および塩基の存在下、保護化剤と反応さ
   せることを特徴とする一般式（７） （式中、ＡｒおよびＲ⁴は前記と同じ意味を表わす。）
   で示されるテトラエン誘導体の製造方法。
7. 【請求項７】保護化剤が、塩化アセチルまたは無水酢酸
   である請求項６に記載の製造方法。
8. 【請求項８】塩基が、無機塩基である請求項７に記載の
   製造方法。
9. 【請求項９】無機塩基が、アルカリ金属もしくはアルカ
   リ土類金属の水酸化物、アルカリ金属もしくはアルカリ
   土類金属の炭酸塩、アルカリ金属もしくはアルカリ土類
   金属の炭酸水素塩である請求項８に記載の製造方法。
10. 【請求項１０】テトラエン誘導体（４）を脱保護反応に
    供し、テトラエン誘導体（５）を得、該テトラエン誘導
    体（５）を酸触媒存在下、低級アルコールと反応させる
    ことを特徴とするテトラエン誘導体（６）の製造方法。
11. 【請求項１１】スルホン類（２）とハロヒドリン誘導体
    （３）を塩基の存在下に反応させ、テトラエン誘導体
    （４）を得、該テトラエン誘導体（４）を脱保護反応に
    供し、テトラエン誘導体（５）を得、該テトラエン誘導
    体（５）を酸触媒存在下、低級アルコールと反応させる
    ことを特徴とするテトラエン誘導体（６）の製造方法。
12. 【請求項１２】使用する塩基が、アルキルリチウム、グ
    リニヤール試薬、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類
    金属水酸化物、アルカリ金属水素化物、アルカリ土類金
    属水素化物、アルカリ金属アルコキサイド、アルカリ土
    類金属アルコキサイドである請求項３または１１に記載
    の製造方法。
13. 【請求項１３】低級アルコールがメタノール、エタノー
    ルもしくはイソプロパノールである請求項５、１０また
    は１１に記載の製造方法。