JPH11222478A - スルホン誘導体の製造法 - Google Patents
スルホン誘導体の製造法Info
- Publication number
- JPH11222478A JPH11222478A JP10023416A JP2341698A JPH11222478A JP H11222478 A JPH11222478 A JP H11222478A JP 10023416 A JP10023416 A JP 10023416A JP 2341698 A JP2341698 A JP 2341698A JP H11222478 A JPH11222478 A JP H11222478A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chloride
- bromide
- compound
- base
- transfer catalyst
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 スルホン誘導体の有利な製造法を提供する。
【解決手段】 一般式（１）
（Ａｒは置換基を有していもよいアリール基を示す。）
で示されるスルホン化合物と保護化剤（塩化アセチル又
は無水酢酸）とを、相間移動触媒（第４級アンモニウム
塩）および塩基の存在下に反応させる一般式（２） （Ａｒは上記と同じ、Ｒは水酸基の保護基を示す。）で
示されるスルホン誘導体の製造法。
で示されるスルホン化合物と保護化剤（塩化アセチル又
は無水酢酸）とを、相間移動触媒（第４級アンモニウム
塩）および塩基の存在下に反応させる一般式（２） （Ａｒは上記と同じ、Ｒは水酸基の保護基を示す。）で
示されるスルホン誘導体の製造法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬の中間体、例
えばレチノールの中間体として有用なスルホン誘導体の
製造法に関する。
えばレチノールの中間体として有用なスルホン誘導体の
製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】下記
一般式（２）で示されるスルホン誘導体を得るために下
記一般式（１）で示されるスルホン化合物を通常の方法
により保護化剤と反応させると２ヶ所に保護基が導入さ
れた化合物との混合物となり選択的にスルホン誘導体
（２）を得ることは困難であった。
一般式（２）で示されるスルホン誘導体を得るために下
記一般式（１）で示されるスルホン化合物を通常の方法
により保護化剤と反応させると２ヶ所に保護基が導入さ
れた化合物との混合物となり選択的にスルホン誘導体
（２）を得ることは困難であった。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討し、スルホン化合物（１）と
保護化剤とを、相間移動触媒および塩基の存在下に反応
させることにより選択的に末端水酸基のみに保護基を導
入することができることを見出し、本発明に至った。す
なわち、本発明は、一般式（１） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基を
示す。）で示されるスルホン化合物と保護化剤とを、相
間移動触媒および塩基の存在下に反応させることを特徴
とする一般式（２） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基を
示し、Ｒは水酸基の保護基を示す。）で示されるスルホ
ン誘導体の工業的有利な製造法を提供するものである。
を解決するために鋭意検討し、スルホン化合物（１）と
保護化剤とを、相間移動触媒および塩基の存在下に反応
させることにより選択的に末端水酸基のみに保護基を導
入することができることを見出し、本発明に至った。す
なわち、本発明は、一般式（１） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基を
示す。）で示されるスルホン化合物と保護化剤とを、相
間移動触媒および塩基の存在下に反応させることを特徴
とする一般式（２） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基を
示し、Ｒは水酸基の保護基を示す。）で示されるスルホ
ン誘導体の工業的有利な製造法を提供するものである。
【０００４】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明で用いる保護化剤としてはＲ’Ｙで示され
るハライド類もしくは酸無水物が挙げられ、ハライド類
としてはアシルハライド類が好ましい。Ｒ’Ｙで示され
るハライド類のＲ’としてはアセチル、ピバロイル、ベ
ンゾイル、ｐ−ニトロベンゾイルなどのアシル基、トリ
メチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、ｔ−ブチル
ジフェニルシリルなどのシリル基、メトキシメチル、メ
トキシエトキシメチルなどのアルコキシメチル基、ベン
ジル基、ｐ−メトキシベンジル基、トリチル基、メチル
基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ア
リルオキシカルボニル基等が挙げられる。Ｒ’ＹのＹと
しては、塩素、臭素、沃素などのハロゲン原子が挙げら
れる。ハライド類としては、例えば、塩化アセチル、塩
化ヒバロイル、塩化ベンゾイル、トリメチルシリルクロ
ライド、ｔ−ブチルジメチルシリルクロライド、塩化オ
キシカルボニル等が挙げられ、また、これらの塩化部分
が臭化、沃化である化合物が挙げられ、好ましくは、塩
化アセチルが挙げられる。酸無水物としては例えば、無
水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸等が挙げられ、好
ましくは、無水酢酸が挙げられる。かかる保護化剤の使
用量はスルホン化合物（１）に対して、通常、0.1〜1.1
モル倍程度である。
する。本発明で用いる保護化剤としてはＲ’Ｙで示され
るハライド類もしくは酸無水物が挙げられ、ハライド類
としてはアシルハライド類が好ましい。Ｒ’Ｙで示され
るハライド類のＲ’としてはアセチル、ピバロイル、ベ
ンゾイル、ｐ−ニトロベンゾイルなどのアシル基、トリ
メチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、ｔ−ブチル
ジフェニルシリルなどのシリル基、メトキシメチル、メ
トキシエトキシメチルなどのアルコキシメチル基、ベン
ジル基、ｐ−メトキシベンジル基、トリチル基、メチル
基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ア
リルオキシカルボニル基等が挙げられる。Ｒ’ＹのＹと
しては、塩素、臭素、沃素などのハロゲン原子が挙げら
れる。ハライド類としては、例えば、塩化アセチル、塩
化ヒバロイル、塩化ベンゾイル、トリメチルシリルクロ
ライド、ｔ−ブチルジメチルシリルクロライド、塩化オ
キシカルボニル等が挙げられ、また、これらの塩化部分
が臭化、沃化である化合物が挙げられ、好ましくは、塩
化アセチルが挙げられる。酸無水物としては例えば、無
水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸等が挙げられ、好
ましくは、無水酢酸が挙げられる。かかる保護化剤の使
用量はスルホン化合物（１）に対して、通常、0.1〜1.1
モル倍程度である。
【０００５】上記反応に用いる塩基としては、アミン系
有機塩基または無機塩基が挙げられれ、好ましくは、無
機塩基が挙げられる。アミン系有機塩基としては、例え
ば、ピリジン、ジメチルアミノピリジン、３−エチル−
４−メチルピリジン、５−エチル−２−メチルピリジ
ン、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、３−メチ
ルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾー
ル、ＤＢＵ、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジ
メチルエチルアミン、メチルジエチルアミン、ｔ−ブチ
ルジメチルアミン等が挙げられる。また、無機塩基とし
ては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化
物、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の炭酸塩、ア
ルカリ金属またはアルカリ土類金属の炭酸水素塩等の無
機塩基が挙げられる。具体的には例えば水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等が挙げられ
る。無機塩基で形状が固形のものは微粉末のものが好ま
しく用いられる。かかる塩基の使用量は、スルホン化合
物（１）に対して通常、１〜５モル倍程度である。
有機塩基または無機塩基が挙げられれ、好ましくは、無
機塩基が挙げられる。アミン系有機塩基としては、例え
ば、ピリジン、ジメチルアミノピリジン、３−エチル−
４−メチルピリジン、５−エチル−２−メチルピリジ
ン、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、３−メチ
ルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾー
ル、ＤＢＵ、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジ
メチルエチルアミン、メチルジエチルアミン、ｔ−ブチ
ルジメチルアミン等が挙げられる。また、無機塩基とし
ては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化
物、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の炭酸塩、ア
ルカリ金属またはアルカリ土類金属の炭酸水素塩等の無
機塩基が挙げられる。具体的には例えば水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等が挙げられ
る。無機塩基で形状が固形のものは微粉末のものが好ま
しく用いられる。かかる塩基の使用量は、スルホン化合
物（１）に対して通常、１〜５モル倍程度である。
【０００６】上記反応に用いる相間移動触媒としては第
４級アンモニウム塩、第４級ホスホニウム塩、スルホニ
ウム塩等が挙げられ、好ましくは、第４級アンモニウム
塩が挙げられる。
４級アンモニウム塩、第４級ホスホニウム塩、スルホニ
ウム塩等が挙げられ、好ましくは、第４級アンモニウム
塩が挙げられる。
【０００７】第４級アンモニウム塩としては、例えば、
塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラエチルアン
モニウム、塩化テトラプロピルアンモニウム、塩化テト
ラブチルアンモニウム、塩化テトラペンチルアンモニウ
ム、塩化テトラヘキシルアンモニウム、塩化テトラヘプ
チルアンモニウム、塩化テトラオクチルアンモニウム、
塩化テトラヘキサデシルアンモニウム、塩化テトラオク
タデシルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモ
ニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化ベ
ンジルトリブチルアンモニウム、塩化１−メチルピリジ
ニウム、塩化１−ヘキサデシルピリジニウム、塩化１，
４−ジメチルピリジニウム、塩化テトラメチル−２−ブ
チルアンモニウム、塩化トリメチルシクロプロピルアン
モニウム、臭化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラ
エチルアンモニウム、臭化テトラプロピルアンモニウ
ム、臭化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラペンチ
ルアンモニウム、臭化テトラヘキシルアンモニウム、臭
化テトラヘプチルアンモニウム、臭化テトラオクチルア
ンモニウム、臭化テトラヘキサデシルアンモニウム、臭
化テトラオクタデシルアンモニウム、臭化ベンジルトリ
メチルアンモニウム、臭化ベンジルトリブチルアンモニ
ウム、臭化１−メチルピリジニウム、臭化１−ヘキサデ
シルピリジニウム、臭化１，４−ジチルピリジニウム、
臭化テトラメチル−２−ブチルアンモニウム、臭化トリ
メチルシクロプロピルアンモニウム、臭化ベンジルトリ
エチルアンモニウム、沃化テトラメチルアンモニウム、
沃化テトラブチルアンモニウム、沃化テトラオクチルア
ンモニウム、沃化ｔ−ブチルエチルジメチルアンモニウ
ム、沃化テトラデシルトリメチルアンモニウム、沃化ヘ
キサデシルトリメチルアンモニウム、沃化オクタデシル
トリメチルアンモニウム、沃化ベンジルトリメチルアン
モニウム、沃化ベンジルトリエチルアンモニウム、沃化
ベンジルトリブチルアンモニウム等が挙げられる。
塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラエチルアン
モニウム、塩化テトラプロピルアンモニウム、塩化テト
ラブチルアンモニウム、塩化テトラペンチルアンモニウ
ム、塩化テトラヘキシルアンモニウム、塩化テトラヘプ
チルアンモニウム、塩化テトラオクチルアンモニウム、
塩化テトラヘキサデシルアンモニウム、塩化テトラオク
タデシルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモ
ニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化ベ
ンジルトリブチルアンモニウム、塩化１−メチルピリジ
ニウム、塩化１−ヘキサデシルピリジニウム、塩化１，
４−ジメチルピリジニウム、塩化テトラメチル−２−ブ
チルアンモニウム、塩化トリメチルシクロプロピルアン
モニウム、臭化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラ
エチルアンモニウム、臭化テトラプロピルアンモニウ
ム、臭化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラペンチ
ルアンモニウム、臭化テトラヘキシルアンモニウム、臭
化テトラヘプチルアンモニウム、臭化テトラオクチルア
ンモニウム、臭化テトラヘキサデシルアンモニウム、臭
化テトラオクタデシルアンモニウム、臭化ベンジルトリ
メチルアンモニウム、臭化ベンジルトリブチルアンモニ
ウム、臭化１−メチルピリジニウム、臭化１−ヘキサデ
シルピリジニウム、臭化１，４−ジチルピリジニウム、
臭化テトラメチル−２−ブチルアンモニウム、臭化トリ
メチルシクロプロピルアンモニウム、臭化ベンジルトリ
エチルアンモニウム、沃化テトラメチルアンモニウム、
沃化テトラブチルアンモニウム、沃化テトラオクチルア
ンモニウム、沃化ｔ−ブチルエチルジメチルアンモニウ
ム、沃化テトラデシルトリメチルアンモニウム、沃化ヘ
キサデシルトリメチルアンモニウム、沃化オクタデシル
トリメチルアンモニウム、沃化ベンジルトリメチルアン
モニウム、沃化ベンジルトリエチルアンモニウム、沃化
ベンジルトリブチルアンモニウム等が挙げられる。
【０００８】第４級ホスホニウム塩としては、例えば、
塩化トリブチルメチルホスホニウム、塩化トリエチルメ
チルホスホニウム、塩化メチルトリフェノキシホスホニ
ウム、塩化ブチルトリフェニルホスホニウム、塩化テト
ラブチルホスホニウム、塩化ベンジルトリフェニルホス
ホニウム、塩化ヘキサデシルトリメチルホスホニウム、
塩化ヘキサデシルトリブチルホスホニウム、塩化ヘキサ
デシルジメチルエチルホスホニウム、塩化テトラフェニ
ルホスホニウム、臭化トリブチルメチルホスホニウム、
臭化トリエチルメチルホスホニウム、臭化メチルトリフ
ェノキシホスホニウム、臭化ブチルトリフェニルホスホ
ニウム、臭化テトラブチルホスホニウム、臭化ベンジル
トリフェニルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリメチ
ルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリブチルホスホニ
ウム、臭化ヘキサデシルジメチルエチルホスホニウム、
臭化テトラフェニルホスホニウム、沃化トリブチルメチ
ルホスホニウム、沃化トリエチルメチルホスホニウム、
沃化メチルトリフェノキシホスホニウム、沃化ブチルト
リフェニルホスホニウム、沃化テトラブチルホスホニウ
ム、沃化ベンジルトリフェニルホスホニウム、沃化ヘキ
サデシルトリメチルホスホニウム等が挙げられる。
塩化トリブチルメチルホスホニウム、塩化トリエチルメ
チルホスホニウム、塩化メチルトリフェノキシホスホニ
ウム、塩化ブチルトリフェニルホスホニウム、塩化テト
ラブチルホスホニウム、塩化ベンジルトリフェニルホス
ホニウム、塩化ヘキサデシルトリメチルホスホニウム、
塩化ヘキサデシルトリブチルホスホニウム、塩化ヘキサ
デシルジメチルエチルホスホニウム、塩化テトラフェニ
ルホスホニウム、臭化トリブチルメチルホスホニウム、
臭化トリエチルメチルホスホニウム、臭化メチルトリフ
ェノキシホスホニウム、臭化ブチルトリフェニルホスホ
ニウム、臭化テトラブチルホスホニウム、臭化ベンジル
トリフェニルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリメチ
ルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリブチルホスホニ
ウム、臭化ヘキサデシルジメチルエチルホスホニウム、
臭化テトラフェニルホスホニウム、沃化トリブチルメチ
ルホスホニウム、沃化トリエチルメチルホスホニウム、
沃化メチルトリフェノキシホスホニウム、沃化ブチルト
リフェニルホスホニウム、沃化テトラブチルホスホニウ
ム、沃化ベンジルトリフェニルホスホニウム、沃化ヘキ
サデシルトリメチルホスホニウム等が挙げられる。
【０００９】スルホニウム塩としては、例えば、塩化ジ
ブチルメチルスルホニウム、塩化トリメチルスルホニウ
ム、塩化トリエチルスルホニウム、臭化ジブチルメチル
スルホニウム、臭化トリメチルスルホニウム、臭化トリ
エチルスルホニウム、沃化ジブチルメチルスルホニウ
ム、沃化トリメチルスルホニウム、沃化トリエチルスル
ホニウム等が挙げられる。
ブチルメチルスルホニウム、塩化トリメチルスルホニウ
ム、塩化トリエチルスルホニウム、臭化ジブチルメチル
スルホニウム、臭化トリメチルスルホニウム、臭化トリ
エチルスルホニウム、沃化ジブチルメチルスルホニウ
ム、沃化トリメチルスルホニウム、沃化トリエチルスル
ホニウム等が挙げられる。
【００１０】かかる相間移動触媒の使用量は、スルホン
誘導体（１）に対して、通常、0.01〜0.2モル倍程度で
あり、好ましくは0.02〜0.1モル倍程度である。
誘導体（１）に対して、通常、0.01〜0.2モル倍程度で
あり、好ましくは0.02〜0.1モル倍程度である。
【００１１】上記反応には、通常、有機溶媒が用いら
れ、かかる溶媒としては、 ｎ−ヘキサン、シクロヘキ
サン、n−ペンタン、トルエン、キシレン等の炭化水素
系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、アニ
ソール等のエーテル系溶媒、クロロホルム、ジクロロメ
タン、1,2-ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、ｏ−
ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒、またはＮ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ、Ｎ
−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリックト
リアミド等の非プロトン性極性溶媒が挙げられる。
れ、かかる溶媒としては、 ｎ−ヘキサン、シクロヘキ
サン、n−ペンタン、トルエン、キシレン等の炭化水素
系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、アニ
ソール等のエーテル系溶媒、クロロホルム、ジクロロメ
タン、1,2-ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、ｏ−
ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒、またはＮ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ、Ｎ
−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリックト
リアミド等の非プロトン性極性溶媒が挙げられる。
【００１２】反応温度は、通常、−78℃から使用する溶
媒の沸点の範囲であり、好ましくは０℃〜３０℃の範囲
である。また、反応時間は、反応で用いる塩基、触媒の
種類ならびに反応温度によって異なるが、通常１時間か
ら２４時間程度の範囲である。反応後、通常の後処理操
作をすることによりスルホン誘導体（２）を得ることが
できる。
媒の沸点の範囲であり、好ましくは０℃〜３０℃の範囲
である。また、反応時間は、反応で用いる塩基、触媒の
種類ならびに反応温度によって異なるが、通常１時間か
ら２４時間程度の範囲である。反応後、通常の後処理操
作をすることによりスルホン誘導体（２）を得ることが
できる。
【００１３】必要に応じて、シリカゲルクロマトグラフ
ィーなどにより精製することができる。また原料のスル
ホン化合物（１）はＥまたはＺ幾何異性体のいずれであ
っても、またその混合物であってもよい。また、ラセミ
体でも光学活性体であってもよい。なお、原料のスルホ
ン化合物（１）はゲラニオールより数ステップで合成す
ることができる。
ィーなどにより精製することができる。また原料のスル
ホン化合物（１）はＥまたはＺ幾何異性体のいずれであ
っても、またその混合物であってもよい。また、ラセミ
体でも光学活性体であってもよい。なお、原料のスルホ
ン化合物（１）はゲラニオールより数ステップで合成す
ることができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明を用いることにより、医薬、例え
ばレチノールの中間体として有用であるスルホン誘導体
（２）を有利に製造することができる。
ばレチノールの中間体として有用であるスルホン誘導体
（２）を有利に製造することができる。
【００１５】
【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらにより限定されるものでは
ない。
説明するが、本発明はこれらにより限定されるものでは
ない。
【００１６】（実施例１）乾燥したフラスコに １，５
−ジヒドロキシ−３，７−ジメチル−９−（２，６，６
−トリメチルシクロヘキセン−１−イル）−９−（４−
メチルフェニルスルホニル）−ノナ−２，６−ジエン
（以下、化合物（ｈ））60mg(0.13mmol)をヘキサン20ml
に溶解させ、塩化ｎ−ドデシルトリメチルアンモニウム
3.4mg(0.013mmol)と炭酸ナトリウム14mg(0.13mmol)を仕
込み、これに無水酢酸14mg(0.13mmol)を添加し、室温で
２０時間攪拌後、ＴＬＣにて原料が消失したのを確認し
て、反応マス中に水を注加した。エーテルで抽出した
後、有機層は塩化アンモニウム水溶液、飽和塩化ナトリ
ウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで脱水後、
溶媒を留去することにより、粗製物を得た。得られた粗
製物はシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し淡黄色
オイルとして、１−アセトキシ−５−ヒドロキシ−３，
７−ジメチル−９−（２，６，６−トリメチルシクロヘ
キセン−１−イル）−９−（４−メチルフェニルスルホ
ニル）−ノナ−２，６−ジエン(以下、化合物（ｇ））
を収率９２％で得た。1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 82(6H,s),1.00(6H,s) , 1.42(3H,s), 1.73(3H,s), 2.
01(3H,s),2.05(3H,s) ,2.45(3H,s) , 2.58-3.01(2H,
m), 3 89(1H,t, J=7Hz), 429-4.37(1H,m) , 4.58(1H,
d, J=7Hz),5.14(1H,d, J=8Hz) , 5.23(1H,d,J=8Hz), 5.
41(1H,t,J=7Hz) ,7.31(2H,d, J=8Hz) , 7.75(2H,d, J=
8Hz)
−ジヒドロキシ−３，７−ジメチル−９−（２，６，６
−トリメチルシクロヘキセン−１−イル）−９−（４−
メチルフェニルスルホニル）−ノナ−２，６−ジエン
（以下、化合物（ｈ））60mg(0.13mmol)をヘキサン20ml
に溶解させ、塩化ｎ−ドデシルトリメチルアンモニウム
3.4mg(0.013mmol)と炭酸ナトリウム14mg(0.13mmol)を仕
込み、これに無水酢酸14mg(0.13mmol)を添加し、室温で
２０時間攪拌後、ＴＬＣにて原料が消失したのを確認し
て、反応マス中に水を注加した。エーテルで抽出した
後、有機層は塩化アンモニウム水溶液、飽和塩化ナトリ
ウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで脱水後、
溶媒を留去することにより、粗製物を得た。得られた粗
製物はシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し淡黄色
オイルとして、１−アセトキシ−５−ヒドロキシ−３，
７−ジメチル−９−（２，６，６−トリメチルシクロヘ
キセン−１−イル）−９−（４−メチルフェニルスルホ
ニル）−ノナ−２，６−ジエン(以下、化合物（ｇ））
を収率９２％で得た。1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 82(6H,s),1.00(6H,s) , 1.42(3H,s), 1.73(3H,s), 2.
01(3H,s),2.05(3H,s) ,2.45(3H,s) , 2.58-3.01(2H,
m), 3 89(1H,t, J=7Hz), 429-4.37(1H,m) , 4.58(1H,
d, J=7Hz),5.14(1H,d, J=8Hz) , 5.23(1H,d,J=8Hz), 5.
41(1H,t,J=7Hz) ,7.31(2H,d, J=8Hz) , 7.75(2H,d, J=
8Hz)
【００１７】（参考例１）酢酸ゲラニル40g(0.204mol)
をヘキサンに溶解し、トリクロロイソシアヌル酸17.1g
（0.071mol）を徐々に仕込み−１０℃〜０℃で６時間保
温した。反応後、過剰のトリクロロイソシアヌール酸お
よび副生するイソシアヌル酸は濾過により系外に除去し
た。濾液は炭酸水素ナトリウム及び水で順次洗浄して、
無水硫酸マグネシウムで脱水した後、溶媒を留去するこ
とにより粗製物を得た。得られた粗製物は、シリカゲル
カラムクロマトグラフィーで精製し、６−クロロ−３，
７−ジメチル−オクタ−２，７−ジエン−１−アセテー
ト（以下、化合物（ｄ））を淡黄色オイルとして、85.5
％で得た。
をヘキサンに溶解し、トリクロロイソシアヌル酸17.1g
（0.071mol）を徐々に仕込み−１０℃〜０℃で６時間保
温した。反応後、過剰のトリクロロイソシアヌール酸お
よび副生するイソシアヌル酸は濾過により系外に除去し
た。濾液は炭酸水素ナトリウム及び水で順次洗浄して、
無水硫酸マグネシウムで脱水した後、溶媒を留去するこ
とにより粗製物を得た。得られた粗製物は、シリカゲル
カラムクロマトグラフィーで精製し、６−クロロ−３，
７−ジメチル−オクタ−２，７−ジエン−１−アセテー
ト（以下、化合物（ｄ））を淡黄色オイルとして、85.5
％で得た。
【００１８】（参考例２）乾燥した４つ口フラスコに窒
素下、微粉末の水酸化ナトリウム6.8g(0.17mol)、トリ
フェニルホスフィン2.2g（8.5mmol）、テトラｎ−ブチ
ルアンモニウムクロライド1.4g（5.1mmol）、アリルパ
ラジウムクロライドダイマー0.62g（1.7mmol），ＴＨＦ
100mlを加えた。そこへ、攪拌下、化合物（ｄ）40g（0.
17mol）のＴＨＦ溶液150mlを室温で１時間かけて滴下し
た。室温で３日間攪拌後、ＴＬＣにて原料の消失を確認
して、反応混合物を水にあけ、エーテルで抽出した。有
機層は飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで脱水後、溶媒を留去することにより、粗製
物を得た。得られた粗製物はシリカゲルクロマトグラフ
ィーにて精製し、３，７−ジメチル−オクタ−２，５，
７−トリエン−１−アセテート（以下、化合物（ｅ））
を６５％の収率で得た。1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 1.70(3H,s) , 1.85(3H,s) , 2.08(3H,s)，2.81(2H,d,
Ｊ＝７Ｈｚ) , 4.58(2H,d,Ｊ＝７Ｈｚ)，4.90(2H,s)
,5.37(1H,t,Ｊ＝７Ｈｚ)，5.61(1H,ｔｄ,Ｊ＝１６、７
Ｈｚ) , 6.16(1H,d,Ｊ＝１５Ｈｚ)
素下、微粉末の水酸化ナトリウム6.8g(0.17mol)、トリ
フェニルホスフィン2.2g（8.5mmol）、テトラｎ−ブチ
ルアンモニウムクロライド1.4g（5.1mmol）、アリルパ
ラジウムクロライドダイマー0.62g（1.7mmol），ＴＨＦ
100mlを加えた。そこへ、攪拌下、化合物（ｄ）40g（0.
17mol）のＴＨＦ溶液150mlを室温で１時間かけて滴下し
た。室温で３日間攪拌後、ＴＬＣにて原料の消失を確認
して、反応混合物を水にあけ、エーテルで抽出した。有
機層は飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで脱水後、溶媒を留去することにより、粗製
物を得た。得られた粗製物はシリカゲルクロマトグラフ
ィーにて精製し、３，７−ジメチル−オクタ−２，５，
７−トリエン−１−アセテート（以下、化合物（ｅ））
を６５％の収率で得た。1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 1.70(3H,s) , 1.85(3H,s) , 2.08(3H,s)，2.81(2H,d,
Ｊ＝７Ｈｚ) , 4.58(2H,d,Ｊ＝７Ｈｚ)，4.90(2H,s)
,5.37(1H,t,Ｊ＝７Ｈｚ)，5.61(1H,ｔｄ,Ｊ＝１６、７
Ｈｚ) , 6.16(1H,d,Ｊ＝１５Ｈｚ)
【００１９】（参考例３）化合物（ｅ）20.1g（0.1mo
l）と酢酸100mlを仕込み、室温でＮ−ブロモスクシンイ
ミド18.3g（0.1mol）をゆっくりと添加する。室温で10
〜15分で反応マスは均一になり、２時間後、ＴＬＣにて
原料の消失を確認後、反応混合物を水にあけ、トルエン
で抽出した。有機層は無水硫酸マグネシウムで脱水後、
溶媒を留去することにより、８−ブロモ−３，７−ジメ
チル−オクタ−２，６−ジエン−１，５−ジアセテート
（以下、化合物（ｂ）と８−ブロモ−３，７−ジメチル
−オクタ−２，５−ジエン−１，５−ジアセテート（以
下、化合物（ｆ））の約１：１の混合物を９５％の収率
で得た。得られた混合物をシリカゲルクロマトグラフィ
ーにて分離精製し、化合物（ｂ）を淡黄色オイルとして
収率２９％で、化合物（ｆ）を淡黄色オイルとして収率
３０％で単離し、混合物としても収率3１％で得た。1 Ｈ-ＮＭＲ δ (CDCl3) 化合物（ｂ） 1.77(3H,s) , 1.82(3H,s)，1.98((3H,s) , 2.02(3H,
s)，2.29(2H,ddd,Ｊ＝３５、８、６Ｈｚ) , 3.89(2H,
s)，4.55(2H,d,Ｊ＝７Ｈｚ) , 5.37(1H,t,Ｊ＝７Ｈ
ｚ)，5.48〜5.62(2H,m) 化合物（ｆ） 1.65(3H,s) , 1.68(3H,s),2.05(3H,s) , 2.06(3H,
s)，2.78(2H,d,Ｊ＝６Ｈｚ), 3.75(2H,dd,Ｊ＝２６，１
１Ｈｚ)，4.57(2H,d,Ｊ＝７Ｈｚ) , 5.35(1H,t,Ｊ＝７
Ｈｚ)，5.61〜5.77(2H,m)
l）と酢酸100mlを仕込み、室温でＮ−ブロモスクシンイ
ミド18.3g（0.1mol）をゆっくりと添加する。室温で10
〜15分で反応マスは均一になり、２時間後、ＴＬＣにて
原料の消失を確認後、反応混合物を水にあけ、トルエン
で抽出した。有機層は無水硫酸マグネシウムで脱水後、
溶媒を留去することにより、８−ブロモ−３，７−ジメ
チル−オクタ−２，６−ジエン−１，５−ジアセテート
（以下、化合物（ｂ）と８−ブロモ−３，７−ジメチル
−オクタ−２，５−ジエン−１，５−ジアセテート（以
下、化合物（ｆ））の約１：１の混合物を９５％の収率
で得た。得られた混合物をシリカゲルクロマトグラフィ
ーにて分離精製し、化合物（ｂ）を淡黄色オイルとして
収率２９％で、化合物（ｆ）を淡黄色オイルとして収率
３０％で単離し、混合物としても収率3１％で得た。1 Ｈ-ＮＭＲ δ (CDCl3) 化合物（ｂ） 1.77(3H,s) , 1.82(3H,s)，1.98((3H,s) , 2.02(3H,
s)，2.29(2H,ddd,Ｊ＝３５、８、６Ｈｚ) , 3.89(2H,
s)，4.55(2H,d,Ｊ＝７Ｈｚ) , 5.37(1H,t,Ｊ＝７Ｈ
ｚ)，5.48〜5.62(2H,m) 化合物（ｆ） 1.65(3H,s) , 1.68(3H,s),2.05(3H,s) , 2.06(3H,
s)，2.78(2H,d,Ｊ＝６Ｈｚ), 3.75(2H,dd,Ｊ＝２６，１
１Ｈｚ)，4.57(2H,d,Ｊ＝７Ｈｚ) , 5.35(1H,t,Ｊ＝７
Ｈｚ)，5.61〜5.77(2H,m)
【００２０】（参考例４）β−シクロゲラニルp−トリ
ルスルホン（以下、化合物（ａ））0.53g（1.8mmol）と
ＴＨＦ20mlを仕込み、溶解してから−６０℃まで冷却し
た。同温度でｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液を1.13
ml（1.8mmol）をゆっくりと滴下し、３時間保温した。
その後、化合物（ｂ）0.3g（0.9mmol）のＴＨＦ溶液5ml
を１時間かけて滴下した。同温度で３時間攪拌後、ＴＬ
Ｃにて原料の一方が消失しているのを確認して、反応マ
スを飽和塩化アンモニウム水溶液にあけ、エーテルで抽
出した。有機層は飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し
て、無水硫酸マグネシウムで脱水した。溶媒を留去する
ことにより、粗製物を得た。得られた粗製物はシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（ｃ）
を淡黄色オイルとして収率７４％で単離した。（Ｒｆ値
0.38 : ｎ−ヘキサン/酢酸エチル＝３/１）1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 0.76(6H,d, J=14Hz) , 0.95(6H,d, J=14Hz) , 1.39(3
H,s) , 1.70(3H,s) 2.00(3H,s) , 2.01(3H,s) , 2.03(3H,s) , 2.44(3H ,
s) , 2.66-2.95(2H,m) 3.82-3.86(1H,m) , 4.53(2H,d, J=7Hz)，5.10(1H,d, J=
9Hz) , 5.20(1H,d, J=9Hz)， 5.34(1H,br) , 5.56(1H,b
r) , 7.33(2H,d, J=8Hz) , 7.76(2H,d , J=8Hz)13 Ｃ-ＮＭＲ δ（CDCl3） 15.1, 16.0 , 16,1 , 16.6 , 18.8 , 20.8 , 20.9 , 2
1.4 , 28.2 , 29.0 , 35.5 , 40.5, 44.6 , 60.8 , 65.
3 . 65.5 , 65.7 , 68.3, 68.5 , 68.8 , 121.9 ,127.1
, 128.3 , 129.4 , 130.5 , 130.6 , 136.2 , 137.1 ,
137.6 , 137.7 ,138.4 , 144.0 , 169.8 , 170.0 , 17
0.7
ルスルホン（以下、化合物（ａ））0.53g（1.8mmol）と
ＴＨＦ20mlを仕込み、溶解してから−６０℃まで冷却し
た。同温度でｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液を1.13
ml（1.8mmol）をゆっくりと滴下し、３時間保温した。
その後、化合物（ｂ）0.3g（0.9mmol）のＴＨＦ溶液5ml
を１時間かけて滴下した。同温度で３時間攪拌後、ＴＬ
Ｃにて原料の一方が消失しているのを確認して、反応マ
スを飽和塩化アンモニウム水溶液にあけ、エーテルで抽
出した。有機層は飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し
て、無水硫酸マグネシウムで脱水した。溶媒を留去する
ことにより、粗製物を得た。得られた粗製物はシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（ｃ）
を淡黄色オイルとして収率７４％で単離した。（Ｒｆ値
0.38 : ｎ−ヘキサン/酢酸エチル＝３/１）1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 0.76(6H,d, J=14Hz) , 0.95(6H,d, J=14Hz) , 1.39(3
H,s) , 1.70(3H,s) 2.00(3H,s) , 2.01(3H,s) , 2.03(3H,s) , 2.44(3H ,
s) , 2.66-2.95(2H,m) 3.82-3.86(1H,m) , 4.53(2H,d, J=7Hz)，5.10(1H,d, J=
9Hz) , 5.20(1H,d, J=9Hz)， 5.34(1H,br) , 5.56(1H,b
r) , 7.33(2H,d, J=8Hz) , 7.76(2H,d , J=8Hz)13 Ｃ-ＮＭＲ δ（CDCl3） 15.1, 16.0 , 16,1 , 16.6 , 18.8 , 20.8 , 20.9 , 2
1.4 , 28.2 , 29.0 , 35.5 , 40.5, 44.6 , 60.8 , 65.
3 . 65.5 , 65.7 , 68.3, 68.5 , 68.8 , 121.9 ,127.1
, 128.3 , 129.4 , 130.5 , 130.6 , 136.2 , 137.1 ,
137.6 , 137.7 ,138.4 , 144.0 , 169.8 , 170.0 , 17
0.7
【００２１】参考例４で得られた化合物（ｃ）を通常の
加水分解反応に付すことにより化合物（ｈ）を得ること
ができる。
加水分解反応に付すことにより化合物（ｈ）を得ること
ができる。
【００２２】以下に実施例および参考例の化合物の構造
式を記す。但し、Ｔｓは、ｐ−トリルスルホニル基を示
す。
式を記す。但し、Ｔｓは、ｐ−トリルスルホニル基を示
す。
Claims (7)
- 【請求項１】一般式（１） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基を
示す。）で示されるスルホン化合物と保護化剤とを、相
間移動触媒および塩基の存在下に反応させることを特徴
とする一般式（２） （式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリール基を
示し、Ｒは水酸基の保護基を示す。）で示されるスルホ
ン誘導体の製造法。 - 【請求項２】保護化剤が、アシルハライド類または酸無
水物である請求項１に記載の製造法。 - 【請求項３】保護化剤が、塩化アセチルまたは無水酢酸
である請求項１に記載の製造法。 - 【請求項４】相間移動触媒が、第４級アンモニウム塩で
ある請求項１に記載の製造法。 - 【請求項５】相間移動触媒の使用量が、一般式（１）で
示されるスルホン化合物に対して0.01〜0.2モル倍であ
る請求項１に記載の製造法。 - 【請求項６】塩基が、無機塩基である請求項１に記載の
製造法。 - 【請求項７】無機塩基が、アルカリ金属もしくはアルカ
リ土類金属の水酸化物、アルカリ金属もしくはアルカリ
土類金属の炭酸塩、またはアルカリ金属もしくはアルカ
リ土類金属の炭酸水素塩である請求項６に記載の製造
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10023416A JPH11222478A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | スルホン誘導体の製造法 |
| RU98116127/04A RU2188193C2 (ru) | 1997-08-25 | 1998-08-24 | Родственное витамину a соединение и способы его получения |
| EP98115944A EP0900785A3 (en) | 1997-08-25 | 1998-08-24 | Vitamin A related compounds and process for producing the same |
| CN98120680A CN1215048A (zh) | 1997-08-25 | 1998-08-25 | 维生素a相关的化合物及其生产方法 |
| US09/500,998 US6348622B1 (en) | 1997-08-25 | 2000-02-09 | Vitamin a related compounds and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10023416A JPH11222478A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | スルホン誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11222478A true JPH11222478A (ja) | 1999-08-17 |
Family
ID=12109903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10023416A Withdrawn JPH11222478A (ja) | 1997-08-25 | 1998-02-04 | スルホン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11222478A (ja) |
-
1998
- 1998-02-04 JP JP10023416A patent/JPH11222478A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2011124050A1 (zh) | 瑞舒伐他汀钙中间体及制备方法 | |
| EP0900785A2 (en) | Vitamin A related compounds and process for producing the same | |
| JPH11222478A (ja) | スルホン誘導体の製造法 | |
| JP2001039943A (ja) | リコペンの製造方法およびその中間体 | |
| JPH11130748A (ja) | ポリエン誘導体およびその製造法 | |
| US6297402B1 (en) | Ketosulfone derivatives and process for producing the same | |
| US6348622B1 (en) | Vitamin a related compounds and process for producing the same | |
| JP3777818B2 (ja) | ハロゲン化合物、トリエン誘導体およびそれらの製造法 | |
| US6388124B2 (en) | Dihalo-compound and process for producing vitamin A derivative | |
| EP0983998B1 (en) | Tetraene derivative and process for producing the same | |
| JP3591245B2 (ja) | ポリエンジオールおよびその製造法 | |
| WO2003070698A1 (fr) | Procede de preparation de carotenoides | |
| JP3747656B2 (ja) | スルホン誘導体およびその製造法 | |
| JP4196669B2 (ja) | アリルハライド誘導体の製造方法 | |
| WO2000024713A1 (fr) | Technique de preparation du retinol et de ses intermediaires | |
| US20020107422A1 (en) | Process for producing allyl halide compound | |
| JP2000143615A (ja) | テトラエン誘導体およびその製造方法 | |
| JP2000063351A (ja) | レチナ―ルの製造方法、中間体およびその製造方法 | |
| JP3799875B2 (ja) | スルホン誘導体およびその製造方法 | |
| JPH11315065A (ja) | スルホン誘導体およびその製造法 | |
| JP3747665B2 (ja) | ハロヒドリン誘導体およびその製造法 | |
| JP2000086645A (ja) | エポキシ誘導体およびその製造法 | |
| JP2000198770A (ja) | レチノ―ルの製造方法および中間体 | |
| JP2007063262A (ja) | α−グリコシド結合を有する３−フルオロシアル酸誘導体の製造方法 | |
| JP2019521965A (ja) | ラミブジン及びエムトリシタビンの生産方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20050202 |