JPH11130748A - ポリエン誘導体およびその製造法 - Google Patents
ポリエン誘導体およびその製造法Info
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- JPH11130748A JPH11130748A JP9293831A JP29383197A JPH11130748A JP H11130748 A JPH11130748 A JP H11130748A JP 9293831 A JP9293831 A JP 9293831A JP 29383197 A JP29383197 A JP 29383197A JP H11130748 A JPH11130748 A JP H11130748A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポリエン誘導体およびその製造法
【解決手段】 一般式（１）
（式中、Ｒは、水素原子または水酸基の保護基を示し、
Ｒ1は、水酸基の保護基を示す。）で示されるポリエン
誘導体。
Ｒ1は、水酸基の保護基を示す。）で示されるポリエン
誘導体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬の中間体、例
えばレチノールの中間体として有用なポリエン誘導体お
よびその製造法に関する。
えばレチノールの中間体として有用なポリエン誘導体お
よびその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、本発明のポリエン誘導体の製造法は知られていな
い。本発明は、新規なポリエン誘導体およびその製造法
を提供するものである。
来、本発明のポリエン誘導体の製造法は知られていな
い。本発明は、新規なポリエン誘導体およびその製造法
を提供するものである。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果本発明に至った。す
なわち、本発明は、一般式（１） （式中、Ｒは、水素原子または水酸基の保護基を示し、
Ｒ1は、水酸基の保護基を示す。）で示されるポリエン
誘導体およびその製造法を提供するものである。
を解決するために鋭意検討した結果本発明に至った。す
なわち、本発明は、一般式（１） （式中、Ｒは、水素原子または水酸基の保護基を示し、
Ｒ1は、水酸基の保護基を示す。）で示されるポリエン
誘導体およびその製造法を提供するものである。
【０００４】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明のポリエン誘導体（１）において、一般式
（３） （式中、Ｒ1は水酸基の保護基を示す。）で示されるポ
リエンアルコールを得るために、式（２） で示されるポリエンジオールを通常の方法により保護化
剤と反応させると２ヶ所に保護基が導入された化合物と
の混合物となり選択的にポリエンアルコール（３）を得
ることは困難であった。しかしながら、本発明者らは、
ポリエンジオール（２）と保護化剤とを、相間移動触媒
および塩基の存在下に反応させることにより選択的に末
端水酸基のみに保護基を導入することができることを見
出した。
する。本発明のポリエン誘導体（１）において、一般式
（３） （式中、Ｒ1は水酸基の保護基を示す。）で示されるポ
リエンアルコールを得るために、式（２） で示されるポリエンジオールを通常の方法により保護化
剤と反応させると２ヶ所に保護基が導入された化合物と
の混合物となり選択的にポリエンアルコール（３）を得
ることは困難であった。しかしながら、本発明者らは、
ポリエンジオール（２）と保護化剤とを、相間移動触媒
および塩基の存在下に反応させることにより選択的に末
端水酸基のみに保護基を導入することができることを見
出した。
【０００５】保護化剤としてはＲＹで示されるハライド
類もしくは酸無水物であり、ＲＹのＲとしてはアセチ
ル、ピバロイル、ベンゾイル、ｐ−ニトロベンゾイルな
どのアシル基、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチル
シリル、ｔ−ブチルジフェニルシリルなどのシリル基、
メトキシメチル、メトキシエトキシメチルなどのアルコ
キシメチル基、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、
トリチル基、メチル基、２，２，２−トリクロロエトキ
シカルボニル基、アリルオキシカルボニル基等が挙げら
れる。ＲＹのＹとしては、塩素、臭素、沃素などのハロ
ゲン原子が挙げられる。また酸無水物としては例えば、
無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸等が挙げられ
る。かかる保護化剤の使用量はポリエンジオール（２）
に対して、通常、0.1〜1.1モル倍程度である。
類もしくは酸無水物であり、ＲＹのＲとしてはアセチ
ル、ピバロイル、ベンゾイル、ｐ−ニトロベンゾイルな
どのアシル基、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチル
シリル、ｔ−ブチルジフェニルシリルなどのシリル基、
メトキシメチル、メトキシエトキシメチルなどのアルコ
キシメチル基、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、
トリチル基、メチル基、２，２，２−トリクロロエトキ
シカルボニル基、アリルオキシカルボニル基等が挙げら
れる。ＲＹのＹとしては、塩素、臭素、沃素などのハロ
ゲン原子が挙げられる。また酸無水物としては例えば、
無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸等が挙げられ
る。かかる保護化剤の使用量はポリエンジオール（２）
に対して、通常、0.1〜1.1モル倍程度である。
【０００６】上記反応に用いる塩基としては、例えばア
ルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物、アルカ
リ金属またはアルカリ土類金属の炭酸塩、アルカリ金属
またはアルカリ土類金属の炭酸水素塩等の無機塩基が挙
げられ、具体的には例えば水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナト
リウム、炭酸水素カリウム等が挙げられる。かかる塩基
の使用量は、ポリエンジオール（２）に対して通常、１
〜５モル倍程度である。
ルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物、アルカ
リ金属またはアルカリ土類金属の炭酸塩、アルカリ金属
またはアルカリ土類金属の炭酸水素塩等の無機塩基が挙
げられ、具体的には例えば水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナト
リウム、炭酸水素カリウム等が挙げられる。かかる塩基
の使用量は、ポリエンジオール（２）に対して通常、１
〜５モル倍程度である。
【０００７】上記反応に用いる相間移動触媒としては第
４級アンモニウム塩、第４級ホスホニウム塩、スルホニ
ウム塩等が挙げられる。
４級アンモニウム塩、第４級ホスホニウム塩、スルホニ
ウム塩等が挙げられる。
【０００８】第４級アンモニウム塩としては、例えば、
塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラエチルアン
モニウム、塩化テトラプロピルアンモニウム、塩化テト
ラブチルアンモニウム、塩化テトラペンチルアンモニウ
ム、塩化テトラヘキシルアンモニウム、塩化テトラヘプ
チルアンモニウム、塩化テトラオクチルアンモニウム、
塩化テトラヘキサデシルアンモニウム、塩化テトラオク
タデシルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモ
ニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化ベ
ンジルトリブチルアンモニウム、塩化１−メチルピリジ
ニウム、塩化１−ヘキサデシルピリジニウム、塩化１，
４−ジチルピリジニウム、塩化テトラメチル−２−ブチ
ルアンモニウム、塩化トリメチルシクロプロピルアンモ
ニウム、臭化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラエ
チルアンモニウム、臭化テトラプロピルアンモニウム、
臭化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラペンチルア
ンモニウム、臭化テトラヘキシルアンモニウム、臭化テ
トラヘプチルアンモニウム、臭化テトラオクチルアンモ
ニウム、臭化テトラヘキサデシルアンモニウム、臭化テ
トラオクタデシルアンモニウム、臭化ベンジルトリメチ
ルアンモニウム、臭化ベンジルトリブチルアンモニウ
ム、臭化１−メチルピリジニウム、臭化１−ヘキサデシ
ルピリジニウム、臭化１，４−ジチルピリジニウム、臭
化テトラメチル−２−ブチルアンモニウム、臭化トリメ
チルシクロプロピルアンモニウム、臭化ベンジルトリエ
チルアンモニウム、沃化テトラメチルアンモニウム、沃
化テトラブチルアンモニウム、沃化テトラオクチルアン
モニウム、沃化ｔ−ブチルエチルジメチルアンモニウ
ム、沃化テトラデシルトリメチルアンモニウム、沃化ヘ
キサデシルトリメチルアンモニウム、沃化オクタデシル
トリメチルアンモニウム、沃化ベンジルトリメチルアン
モニウム、沃化ベンジルトリエチルアンモニウム、沃化
ベンジルトリブチルアンモニウム等が挙げられる。
塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラエチルアン
モニウム、塩化テトラプロピルアンモニウム、塩化テト
ラブチルアンモニウム、塩化テトラペンチルアンモニウ
ム、塩化テトラヘキシルアンモニウム、塩化テトラヘプ
チルアンモニウム、塩化テトラオクチルアンモニウム、
塩化テトラヘキサデシルアンモニウム、塩化テトラオク
タデシルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモ
ニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化ベ
ンジルトリブチルアンモニウム、塩化１−メチルピリジ
ニウム、塩化１−ヘキサデシルピリジニウム、塩化１，
４−ジチルピリジニウム、塩化テトラメチル−２−ブチ
ルアンモニウム、塩化トリメチルシクロプロピルアンモ
ニウム、臭化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラエ
チルアンモニウム、臭化テトラプロピルアンモニウム、
臭化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラペンチルア
ンモニウム、臭化テトラヘキシルアンモニウム、臭化テ
トラヘプチルアンモニウム、臭化テトラオクチルアンモ
ニウム、臭化テトラヘキサデシルアンモニウム、臭化テ
トラオクタデシルアンモニウム、臭化ベンジルトリメチ
ルアンモニウム、臭化ベンジルトリブチルアンモニウ
ム、臭化１−メチルピリジニウム、臭化１−ヘキサデシ
ルピリジニウム、臭化１，４−ジチルピリジニウム、臭
化テトラメチル−２−ブチルアンモニウム、臭化トリメ
チルシクロプロピルアンモニウム、臭化ベンジルトリエ
チルアンモニウム、沃化テトラメチルアンモニウム、沃
化テトラブチルアンモニウム、沃化テトラオクチルアン
モニウム、沃化ｔ−ブチルエチルジメチルアンモニウ
ム、沃化テトラデシルトリメチルアンモニウム、沃化ヘ
キサデシルトリメチルアンモニウム、沃化オクタデシル
トリメチルアンモニウム、沃化ベンジルトリメチルアン
モニウム、沃化ベンジルトリエチルアンモニウム、沃化
ベンジルトリブチルアンモニウム等が挙げられる。
【０００９】第４級ホスホニウム塩としては、例えば、
塩化トリブチルメチルホスホニウム、塩化トリエチルメ
チルホスホニウム、塩化メチルトリフェノキシホスホニ
ウム、塩化ブチルトリフェニルホスホニウム、塩化テト
ラブチルホスホニウム、塩化ベンジルトリフェニルホス
ホニウム、塩化ヘキサデシルトリメチルホスホニウム、
塩化ヘキサデシルトリブチルホスホニウム、塩化ヘキサ
デシルジメチルエチルホスホニウム、塩化テトラフェニ
ルホスホニウム、臭化トリブチルメチルホスホニウム、
臭化トリエチルメチルホスホニウム、臭化メチルトリフ
ェノキシホスホニウム、臭化ブチルトリフェニルホスホ
ニウム、臭化テトラブチルホスホニウム、臭化ベンジル
トリフェニルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリメチ
ルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリブチルホスホニ
ウム、臭化ヘキサデシルジメチルエチルホスホニウム、
臭化テトラフェニルホスホニウム、沃化トリブチルメチ
ルホスホニウム、沃化トリエチルメチルホスホニウム、
沃化メチルトリフェノキシホスホニウム、沃化ブチルト
リフェニルホスホニウム、沃化テトラブチルホスホニウ
ム、沃化ベンジルトリフェニルホスホニウム、沃化ヘキ
サデシルトリメチルホスホニウム等が挙げられる。
塩化トリブチルメチルホスホニウム、塩化トリエチルメ
チルホスホニウム、塩化メチルトリフェノキシホスホニ
ウム、塩化ブチルトリフェニルホスホニウム、塩化テト
ラブチルホスホニウム、塩化ベンジルトリフェニルホス
ホニウム、塩化ヘキサデシルトリメチルホスホニウム、
塩化ヘキサデシルトリブチルホスホニウム、塩化ヘキサ
デシルジメチルエチルホスホニウム、塩化テトラフェニ
ルホスホニウム、臭化トリブチルメチルホスホニウム、
臭化トリエチルメチルホスホニウム、臭化メチルトリフ
ェノキシホスホニウム、臭化ブチルトリフェニルホスホ
ニウム、臭化テトラブチルホスホニウム、臭化ベンジル
トリフェニルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリメチ
ルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリブチルホスホニ
ウム、臭化ヘキサデシルジメチルエチルホスホニウム、
臭化テトラフェニルホスホニウム、沃化トリブチルメチ
ルホスホニウム、沃化トリエチルメチルホスホニウム、
沃化メチルトリフェノキシホスホニウム、沃化ブチルト
リフェニルホスホニウム、沃化テトラブチルホスホニウ
ム、沃化ベンジルトリフェニルホスホニウム、沃化ヘキ
サデシルトリメチルホスホニウム等が挙げられる。
【００１０】スルホニウム塩としては、例えば、塩化ジ
ブチルメチルスルホニウム、塩化トリメチルスルホニウ
ム、塩化トリエチルスルホニウム、臭化ジブチルメチル
スルホニウム、臭化トリメチルスルホニウム、臭化トリ
エチルスルホニウム、沃化ジブチルメチルスルホニウ
ム、沃化トリメチルスルホニウム、沃化トリエチルスル
ホニウム等が挙げられる。
ブチルメチルスルホニウム、塩化トリメチルスルホニウ
ム、塩化トリエチルスルホニウム、臭化ジブチルメチル
スルホニウム、臭化トリメチルスルホニウム、臭化トリ
エチルスルホニウム、沃化ジブチルメチルスルホニウ
ム、沃化トリメチルスルホニウム、沃化トリエチルスル
ホニウム等が挙げられる。
【００１１】かかる相間移動触媒の使用量は、ポリエン
ジオール（２）に対して、通常、0.01〜0.2モル倍程度
であり、好ましくは0.02〜0.1モル倍程度である。
ジオール（２）に対して、通常、0.01〜0.2モル倍程度
であり、好ましくは0.02〜0.1モル倍程度である。
【００１２】上記反応には、通常、有機溶媒が用いら
れ、かかる溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、アニソール等のエーテル系溶媒、ｎ−ヘキ
サン、シクロヘキサン、n−ペンタン、トルエン、キシ
レン等の炭化水素系溶媒、クロロホルム、ジクロロメタ
ン、ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、ｏ−ジクロ
ロベンゼン等のハロゲン系溶媒、またはＮ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ、Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミ
ド等の非プロトン性極性溶媒が挙げられる。
れ、かかる溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、アニソール等のエーテル系溶媒、ｎ−ヘキ
サン、シクロヘキサン、n−ペンタン、トルエン、キシ
レン等の炭化水素系溶媒、クロロホルム、ジクロロメタ
ン、ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、ｏ−ジクロ
ロベンゼン等のハロゲン系溶媒、またはＮ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ、Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミ
ド等の非プロトン性極性溶媒が挙げられる。
【００１３】反応温度は、通常、−78℃から使用する溶
媒の沸点の範囲であり、好ましくは０℃〜３０℃の範囲
である。また、反応時間は、反応で用いる塩基、触媒の
種類ならびに反応温度によって異なるが、通常１時間か
ら２４時間程度の範囲である。反応後、通常の後処理操
作をすることによりポリエンアルコール（３）を得るこ
とができる。
媒の沸点の範囲であり、好ましくは０℃〜３０℃の範囲
である。また、反応時間は、反応で用いる塩基、触媒の
種類ならびに反応温度によって異なるが、通常１時間か
ら２４時間程度の範囲である。反応後、通常の後処理操
作をすることによりポリエンアルコール（３）を得るこ
とができる。
【００１４】必要に応じて、シリカゲルクロマトグラフ
ィーなどにより精製することができる。また原料のポリ
エンジオール（２）はＥまたはＺ幾何異性体のいずれで
あっても、またその混合物であってもよい。また、ラセ
ミ体でも光学活性体であってもよい。なお、原料のポリ
エンジオール（２）はゲラニオールより数ステップで合
成することができる。
ィーなどにより精製することができる。また原料のポリ
エンジオール（２）はＥまたはＺ幾何異性体のいずれで
あっても、またその混合物であってもよい。また、ラセ
ミ体でも光学活性体であってもよい。なお、原料のポリ
エンジオール（２）はゲラニオールより数ステップで合
成することができる。
【００１５】つぎに、本発明のポリエン誘導体（１）に
おいて、一般式（４） （式中、Ｒ1は、水酸基の保護基を示す。）で示される
ポリエン誘導体は、ポリエンジオール（２）と保護化剤
とを、塩基の存在下に反応させることにより得ることが
できる。保護化剤としてはＲＹで示されるハライド類も
しくは酸無水物であり、ＲＹのＲとしては例えば、アセ
チル、ピバロイル、ベンゾイル、ｐ−ニトロベンゾイル
などのアシル基、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチ
ルシリル、ｔ−ブチルジフェニルシリルなどのシリル
基、メトキシメチル、メトキシエトキシメチルなどのア
ルコキシメチル基、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル
基、ｔ−ブチル基、トリチル基、メチル基、２，２，２
−トリクロロエトキシカルボニル基、アリルオキシカル
ボニル基等が挙げられる。ＲＹのＹとしては、塩素、臭
素、沃素などのハロゲン原子が挙げられる。また酸無水
物としては例えば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水
酪酸等が挙げられる。
おいて、一般式（４） （式中、Ｒ1は、水酸基の保護基を示す。）で示される
ポリエン誘導体は、ポリエンジオール（２）と保護化剤
とを、塩基の存在下に反応させることにより得ることが
できる。保護化剤としてはＲＹで示されるハライド類も
しくは酸無水物であり、ＲＹのＲとしては例えば、アセ
チル、ピバロイル、ベンゾイル、ｐ−ニトロベンゾイル
などのアシル基、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチ
ルシリル、ｔ−ブチルジフェニルシリルなどのシリル
基、メトキシメチル、メトキシエトキシメチルなどのア
ルコキシメチル基、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル
基、ｔ−ブチル基、トリチル基、メチル基、２，２，２
−トリクロロエトキシカルボニル基、アリルオキシカル
ボニル基等が挙げられる。ＲＹのＹとしては、塩素、臭
素、沃素などのハロゲン原子が挙げられる。また酸無水
物としては例えば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水
酪酸等が挙げられる。
【００１６】かかる保護化剤の使用量はポリエンジオー
ル（２）に対して通常、２〜５モル倍程度である。
ル（２）に対して通常、２〜５モル倍程度である。
【００１７】上記反応に用いる塩基としては、特に限定
されず、アミン系有機塩基または無機塩基が挙げられ
る。具体的には、例えば、ピリジン、ジメチルアミノピ
リジン、３−エチル−４−メチルピリジン、５−エチル
−２−メチルピリジン、イミダゾール、２−メチルイミ
ダゾール、３−メチルイミダゾール、２−エチル−４−
メチルイミダゾール、ＤＢＵ、トリメチルアミン、トリ
エチルアミン、ジメチルエチルアミン、メチルジエチル
アミン、ｔ−ブチルジメチルアミン、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等が挙げられ
る。かかる塩基の使用量はポリエンジオール（２）に対
して通常、１〜５モル倍程度である。
されず、アミン系有機塩基または無機塩基が挙げられ
る。具体的には、例えば、ピリジン、ジメチルアミノピ
リジン、３−エチル−４−メチルピリジン、５−エチル
−２−メチルピリジン、イミダゾール、２−メチルイミ
ダゾール、３−メチルイミダゾール、２−エチル−４−
メチルイミダゾール、ＤＢＵ、トリメチルアミン、トリ
エチルアミン、ジメチルエチルアミン、メチルジエチル
アミン、ｔ−ブチルジメチルアミン、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等が挙げられ
る。かかる塩基の使用量はポリエンジオール（２）に対
して通常、１〜５モル倍程度である。
【００１８】上記反応には、通常、有機溶媒が用いら
れ、かかる溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、アニソール等のエーテル系溶媒、ｎ−ヘキ
サン、シクロヘキサン、n−ペンタン、トルエン、キシ
レン等の炭化水素系溶媒、クロロホルム、ジクロロメタ
ン、ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、ｏ−ジクロ
ロベンゼン等のハロゲン系溶媒、もしくはＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ、Ｎ−ジ
メチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリックトリア
ミド等の非プロトン性極性溶媒が挙げられる。
れ、かかる溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、アニソール等のエーテル系溶媒、ｎ−ヘキ
サン、シクロヘキサン、n−ペンタン、トルエン、キシ
レン等の炭化水素系溶媒、クロロホルム、ジクロロメタ
ン、ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、ｏ−ジクロ
ロベンゼン等のハロゲン系溶媒、もしくはＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ、Ｎ−ジ
メチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリックトリア
ミド等の非プロトン性極性溶媒が挙げられる。
【００１９】反応温度は、通常、−78℃から使用する溶
媒の沸点の範囲であり、好ましくは−１０℃〜５０℃の
範囲である。また、反応時間は、反応で用いる塩基、触
媒の種類ならびに反応温度によって異なるが、通常１時
間から２４時間程度の範囲である。
媒の沸点の範囲であり、好ましくは−１０℃〜５０℃の
範囲である。また、反応時間は、反応で用いる塩基、触
媒の種類ならびに反応温度によって異なるが、通常１時
間から２４時間程度の範囲である。
【００２０】反応後、通常の後処理操作をすることによ
りポリエン誘導体（４）を得ることができる。必要に応
じて、シリカゲルクロマトグラフィーにより精製するこ
とができる。また原料であるポリエンジオール（２）は
ＥまたはＺ幾何異性体のいずれであっても、またその混
合物であってもよい。また、ラセミ体でも光学活性体で
あってもよい。
りポリエン誘導体（４）を得ることができる。必要に応
じて、シリカゲルクロマトグラフィーにより精製するこ
とができる。また原料であるポリエンジオール（２）は
ＥまたはＺ幾何異性体のいずれであっても、またその混
合物であってもよい。また、ラセミ体でも光学活性体で
あってもよい。
【００２１】
【発明の効果】本発明のポリエン誘導体（１）は、医
薬、例えばレチノールの中間体として有用である。
薬、例えばレチノールの中間体として有用である。
【００２２】
【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらにより限定されるものでは
ない。
説明するが、本発明はこれらにより限定されるものでは
ない。
【００２３】（実施例１）乾燥したフラスコにジ１，５
−ジヒドロキシ−３，７−ジメチル−９−（２，６，６
−トリメチルシクロヘキセン−１−イル）−ノナ−２，
６，８−トリエン（ポリエンジオール（２）40mg(0.13m
mol)をヘキサン20mlに溶解させ、塩化ｎ−ドデシルトリ
メチルアンモニウム3.4mg(0.013mg)と炭酸ナトリウム14
mg(0.13mmol)を仕込み、これに無水酢酸14mg(0.13mmol)
を添加し、室温で２０時間攪拌後、ＴＬＣにて原料が消
失したのを確認して、反応マス中に水を注加した。エー
テルで抽出した後、有機層は塩化アンモニウム水溶液、
飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで脱水後、溶媒を留去することにより、淡黄色オイ
ルとして、１−アセトキシ−５−ヒドロキシ−３，７−
ジメチル−９−（２，６，６−トリメチルシクロヘキセ
ン−１−イル）−ノナ−２，６，８−トリエン（以下、
化合物（ｉ））を収率９７％で得た。1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 1.00(6H , s) , 1.68 (3H , s) , 1.78(3H , s) , 1.86
(3H , s) ,2.02(3H , s),2.27(2H , t,J=4Hz) , 4.59-
4.70(1H , m), 4.60(2H,d , J=7Hz) 3.38(1H , d, J=8Hz) , 5.48(1H , t, J=7Hz) ,6.00(1H
, d, J=17Hz), 6.12(1H , d, J=17Hz)13 C-ＮＭＲ δ（CDCl3） 12.8, 16.8, 19.2 , 20.9 , 21.6 , 28.8 , 32.8 , 34.
1 , 39.4 , 47.6 , 61.0, 66.2 ., 121.9 , 126.9 ,12
8.9, 131.9 , 136.0 , 136.9 , 137.5 , 138.2 ,171.0
−ジヒドロキシ−３，７−ジメチル−９−（２，６，６
−トリメチルシクロヘキセン−１−イル）−ノナ−２，
６，８−トリエン（ポリエンジオール（２）40mg(0.13m
mol)をヘキサン20mlに溶解させ、塩化ｎ−ドデシルトリ
メチルアンモニウム3.4mg(0.013mg)と炭酸ナトリウム14
mg(0.13mmol)を仕込み、これに無水酢酸14mg(0.13mmol)
を添加し、室温で２０時間攪拌後、ＴＬＣにて原料が消
失したのを確認して、反応マス中に水を注加した。エー
テルで抽出した後、有機層は塩化アンモニウム水溶液、
飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで脱水後、溶媒を留去することにより、淡黄色オイ
ルとして、１−アセトキシ−５−ヒドロキシ−３，７−
ジメチル−９−（２，６，６−トリメチルシクロヘキセ
ン−１−イル）−ノナ−２，６，８−トリエン（以下、
化合物（ｉ））を収率９７％で得た。1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 1.00(6H , s) , 1.68 (3H , s) , 1.78(3H , s) , 1.86
(3H , s) ,2.02(3H , s),2.27(2H , t,J=4Hz) , 4.59-
4.70(1H , m), 4.60(2H,d , J=7Hz) 3.38(1H , d, J=8Hz) , 5.48(1H , t, J=7Hz) ,6.00(1H
, d, J=17Hz), 6.12(1H , d, J=17Hz)13 C-ＮＭＲ δ（CDCl3） 12.8, 16.8, 19.2 , 20.9 , 21.6 , 28.8 , 32.8 , 34.
1 , 39.4 , 47.6 , 61.0, 66.2 ., 121.9 , 126.9 ,12
8.9, 131.9 , 136.0 , 136.9 , 137.5 , 138.2 ,171.0
【００２４】（実施例２）乾燥したフラスコにポリエン
ジオール（２）0.8g(2.62mmol)をトルエン10mlに溶解さ
せ、ピリジン0.21g（2.62mmol)を仕込み、塩化アセチル
0.42ｇ（5.24mmol）を０℃で添加し、室温で２時間攪拌
した。ＴＬＣにて原料が消失したのを確認して、反応マ
ス中に水を注加した。エーテルで抽出し、有機層は炭酸
水素ナトリウム水溶液、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで脱水後、溶媒を留去する
ことにより、淡黄色オイルとして、１，５−ジアセトキ
シ−３，７−ジメチル−９−（２，６，６−トリメチル
シクロヘキセン−１−イル）−ノナ−２，６，８−トリ
エン（以下、化合物（ｊ））を収率９０％で得た。
ジオール（２）0.8g(2.62mmol)をトルエン10mlに溶解さ
せ、ピリジン0.21g（2.62mmol)を仕込み、塩化アセチル
0.42ｇ（5.24mmol）を０℃で添加し、室温で２時間攪拌
した。ＴＬＣにて原料が消失したのを確認して、反応マ
ス中に水を注加した。エーテルで抽出し、有機層は炭酸
水素ナトリウム水溶液、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで脱水後、溶媒を留去する
ことにより、淡黄色オイルとして、１，５−ジアセトキ
シ−３，７−ジメチル−９−（２，６，６−トリメチル
シクロヘキセン−１−イル）−ノナ−２，６，８−トリ
エン（以下、化合物（ｊ））を収率９０％で得た。
【００２５】（比較例１）乾燥したフラスコにポリエン
ジオール（２）0.1g(0.33mmol)をトルエン10mlに溶解さ
せ、ピリジン0.026g(0.33mmol)を仕込み、無水酢酸0.03
4ｇ（0.33mmol）を０℃で添加し、室温で1日間攪拌した
後、反応マス中に水を注加した。エーテルで抽出し、有
機層は飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで脱水後、溶媒を留去することにより、淡黄
色オイルとして、化合物（ｉ）と化合物（ｊ）の混合物
（９：１）を収率９０％で得た。
ジオール（２）0.1g(0.33mmol)をトルエン10mlに溶解さ
せ、ピリジン0.026g(0.33mmol)を仕込み、無水酢酸0.03
4ｇ（0.33mmol）を０℃で添加し、室温で1日間攪拌した
後、反応マス中に水を注加した。エーテルで抽出し、有
機層は飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで脱水後、溶媒を留去することにより、淡黄
色オイルとして、化合物（ｉ）と化合物（ｊ）の混合物
（９：１）を収率９０％で得た。
【００２６】（参考例１）酢酸ゲラニル40g(0.204mol)
をヘキサンに溶解し、トリクロロイソシアヌル酸17.1g
（0.071mol）を徐々に仕込み−１０℃〜０℃で６時間保
温した。反応後、過剰のトリクロロイソシアヌール酸お
よび副生するイソシアヌル酸は濾過により系外に除去し
た。濾液は炭酸水素ナトリウム及び水で順次洗浄して、
無水硫酸マグネシウムで脱水した後、溶媒を留去するこ
とにより粗製物を得た。得られた粗製物は、シリカゲル
カラムクロマトグラフィーで精製し、６−クロロ−３，
７−ジメチル−オクタ−２，７−ジエン−１−アセテー
ト（以下、化合物合物（ｆ））を淡黄色オイルとして、
85.5％で得た。
をヘキサンに溶解し、トリクロロイソシアヌル酸17.1g
（0.071mol）を徐々に仕込み−１０℃〜０℃で６時間保
温した。反応後、過剰のトリクロロイソシアヌール酸お
よび副生するイソシアヌル酸は濾過により系外に除去し
た。濾液は炭酸水素ナトリウム及び水で順次洗浄して、
無水硫酸マグネシウムで脱水した後、溶媒を留去するこ
とにより粗製物を得た。得られた粗製物は、シリカゲル
カラムクロマトグラフィーで精製し、６−クロロ−３，
７−ジメチル−オクタ−２，７−ジエン−１−アセテー
ト（以下、化合物合物（ｆ））を淡黄色オイルとして、
85.5％で得た。
【００２７】（参考例２）乾燥した４つ口フラスコに窒
素下、微粉末の水酸化ナトリウム6.8g(0.17mol)、トリ
フェニルホスフィン2.2g（8.5mmol）、テトラｎ−ブチ
ルアンモニウムクロライド1.4g（5.1mmol）、アリルパ
ラジウムクロライドダイマー0.62g（1.7mmol），ＴＨＦ
100mlを加えた。そこへ、攪拌下、化合物（ｆ）40g（0.
17mol）のＴＨＦ溶液150mlを室温で１時間かけて滴下し
た。室温で３日間攪拌後、ＴＬＣにて原料の消失を確認
して、反応混合物を水にあけ、エーテルで抽出した。有
機層は飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで脱水後、溶媒を留去することにより、粗製
物を得た。得られた粗製物はシリカゲルクロマトグラフ
ィーにて精製し、３，７−ジメチル−オクタ−２，５，
７−トリエン−１−アセテート（以下、化合物（ｇ））
を６５％の収率で得た。1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 1.70(3H,s) , 1.85(3H,s) , 2.08(3H,s)，2.81(2H,d,
Ｊ＝７Ｈｚ) , 4.58(2H,d,Ｊ＝７Ｈｚ)，4.90(2H,s)
,5.37(1H,t,Ｊ＝７Ｈｚ)，5.61(1H,ｔｄ,Ｊ＝１６、７
Ｈｚ) , 6.16(1H,d,Ｊ＝１５Ｈｚ)
素下、微粉末の水酸化ナトリウム6.8g(0.17mol)、トリ
フェニルホスフィン2.2g（8.5mmol）、テトラｎ−ブチ
ルアンモニウムクロライド1.4g（5.1mmol）、アリルパ
ラジウムクロライドダイマー0.62g（1.7mmol），ＴＨＦ
100mlを加えた。そこへ、攪拌下、化合物（ｆ）40g（0.
17mol）のＴＨＦ溶液150mlを室温で１時間かけて滴下し
た。室温で３日間攪拌後、ＴＬＣにて原料の消失を確認
して、反応混合物を水にあけ、エーテルで抽出した。有
機層は飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで脱水後、溶媒を留去することにより、粗製
物を得た。得られた粗製物はシリカゲルクロマトグラフ
ィーにて精製し、３，７−ジメチル−オクタ−２，５，
７−トリエン−１−アセテート（以下、化合物（ｇ））
を６５％の収率で得た。1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 1.70(3H,s) , 1.85(3H,s) , 2.08(3H,s)，2.81(2H,d,
Ｊ＝７Ｈｚ) , 4.58(2H,d,Ｊ＝７Ｈｚ)，4.90(2H,s)
,5.37(1H,t,Ｊ＝７Ｈｚ)，5.61(1H,ｔｄ,Ｊ＝１６、７
Ｈｚ) , 6.16(1H,d,Ｊ＝１５Ｈｚ)
【００２８】（参考例３）化合物（ｇ）20.1g（0.1mo
l）と酢酸100mlを仕込み、室温でＮ−ブロモスクシンイ
ミド18.3g（0.1mol）をゆっくりと添加する。室温で10
〜15分で反応マスは均一になり、２時間後、ＴＬＣにて
原料の消失を確認後、反応混合物を水にあけ、トルエン
で抽出した。有機層は無水硫酸マグネシウムで脱水後、
溶媒を留去することにより、８−ブロモ−３，７−ジメ
チル−オクタ−２，６−ジエン−１，５−ジアセテート
（以下、化合物（ｂ）と８−ブロモ−３，７−ジメチル
−オクタ−２，５−ジエン−１，５−ジアセテート（以
下、化合物（ｈ））の約１：１の混合物を９５％の収率
で得た。得られた混合物をシリカゲルクロマトグラフィ
ーにて分離精製し、化合物（ｂ）を淡黄色オイルとして
収率２９％で、化合物（ｈ）を淡黄色オイルとして収率
３０％で単離し、混合物としても収率3１％で得た。1 Ｈ-ＮＭＲ δ (CDCl3) 化合物（ｂ） 1.77(3H,s) , 1.82(3H,s)，1.98((3H,s) , 2.02(3H,
s)，2.29(2H,ddd,Ｊ＝３５、８、６Ｈｚ) , 3.89(2H,
s)，4.55(2H,d,Ｊ＝７Ｈｚ) , 5.37(1H,t,Ｊ＝７Ｈ
ｚ)，5.48〜5.62(2H,m) 化合物（ｈ） 1.65(3H,s) , 1.68(3H,s),2.05(3H,s) , 2.06(3H,
s)，2.78(2H,d,Ｊ＝６Ｈｚ), 3.75(2H,dd,Ｊ＝２６，１
１Ｈｚ)，4.57(2H,d,Ｊ＝７Ｈｚ) , 5.35(1H,t,Ｊ＝７
Ｈｚ)，5.61〜5.77(2H,m)
l）と酢酸100mlを仕込み、室温でＮ−ブロモスクシンイ
ミド18.3g（0.1mol）をゆっくりと添加する。室温で10
〜15分で反応マスは均一になり、２時間後、ＴＬＣにて
原料の消失を確認後、反応混合物を水にあけ、トルエン
で抽出した。有機層は無水硫酸マグネシウムで脱水後、
溶媒を留去することにより、８−ブロモ−３，７−ジメ
チル−オクタ−２，６−ジエン−１，５−ジアセテート
（以下、化合物（ｂ）と８−ブロモ−３，７−ジメチル
−オクタ−２，５−ジエン−１，５−ジアセテート（以
下、化合物（ｈ））の約１：１の混合物を９５％の収率
で得た。得られた混合物をシリカゲルクロマトグラフィ
ーにて分離精製し、化合物（ｂ）を淡黄色オイルとして
収率２９％で、化合物（ｈ）を淡黄色オイルとして収率
３０％で単離し、混合物としても収率3１％で得た。1 Ｈ-ＮＭＲ δ (CDCl3) 化合物（ｂ） 1.77(3H,s) , 1.82(3H,s)，1.98((3H,s) , 2.02(3H,
s)，2.29(2H,ddd,Ｊ＝３５、８、６Ｈｚ) , 3.89(2H,
s)，4.55(2H,d,Ｊ＝７Ｈｚ) , 5.37(1H,t,Ｊ＝７Ｈ
ｚ)，5.48〜5.62(2H,m) 化合物（ｈ） 1.65(3H,s) , 1.68(3H,s),2.05(3H,s) , 2.06(3H,
s)，2.78(2H,d,Ｊ＝６Ｈｚ), 3.75(2H,dd,Ｊ＝２６，１
１Ｈｚ)，4.57(2H,d,Ｊ＝７Ｈｚ) , 5.35(1H,t,Ｊ＝７
Ｈｚ)，5.61〜5.77(2H,m)
【００２９】（参考例４）β−シクロゲラニルp−トリ
ルスルホン（以下、化合物（ａ））0.53g（1.8mmol）と
ＴＨＦ20mlを仕込み、溶解してから−６０℃まで冷却し
た。同温度でｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液を1.13
ml（1.8mmol）をゆっくりと滴下し、３時間保温した。
その後、化合物（ｂ）0.3g（0.9mmol）のＴＨＦ溶液5ml
を１時間かけて滴下した。同温度で３時間攪拌後、ＴＬ
Ｃにて原料の一方が消失しているのを確認して、反応マ
スを飽和塩化アンモニウム水溶液にあけ、エーテルで抽
出した。有機層は飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し
て、無水硫酸マグネシウムで脱水した。溶媒を留去する
ことにより、粗製物を得た。得られた粗製物はシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにて精製し、１，５−ジア
セトキシ−３，７−ジメチル−９−（２，６，６−トリ
メチルシクロヘキセン−１−イル）−９−（４−メチル
フェニルスルホニル）−ノナ−２，６−ジエン（以下、
化合物（ｃ））を淡黄色オイルとして収率７４％で単離
した。（Ｒｆ値 0.38 : ｎ−ヘキサン/酢酸エチル＝３
/１）1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 0.76(6H,d, J=14Hz) , 0.95(6H,d, J=14Hz) , 1.39(3
H,s) , 1.70(3H,s) 2.00(3H,s) , 2.01(3H,s) , 2.03(3H,s) , 2.44(3H ,
s) , 2.66-2.95(2H,m) 3.82-3.86(1H,m) , 4.53(2H,d, J=7Hz)，5.10(1H,d, J=
9Hz) , 5.20(1H,d, J=9Hz)， 5.34(1H,br) , 5.56(1H,b
r) , 7.33(2H,d, J=8Hz) , 7.76(2H,d , J=8Hz)13 Ｃ-ＮＭＲ δ（CDCl3） 15.1, 16.0 , 16,1 , 16.6 , 18.8 , 20.8 , 20.9 , 2
1.4 , 28.2 , 29.0 , 35.5 , 40.5, 44.6 , 60.8 , 65.
3 . 65.5 , 65.7 , 68.3, 68.5 , 68.8 , 121.9 ,127.1
, 128.3 , 129.4 , 130.5 , 130.6 , 136.2 , 137.1 ,
137.6 , 137.7 ,138.4 , 144.0 , 169.8 , 170.0 , 17
0.7
ルスルホン（以下、化合物（ａ））0.53g（1.8mmol）と
ＴＨＦ20mlを仕込み、溶解してから−６０℃まで冷却し
た。同温度でｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液を1.13
ml（1.8mmol）をゆっくりと滴下し、３時間保温した。
その後、化合物（ｂ）0.3g（0.9mmol）のＴＨＦ溶液5ml
を１時間かけて滴下した。同温度で３時間攪拌後、ＴＬ
Ｃにて原料の一方が消失しているのを確認して、反応マ
スを飽和塩化アンモニウム水溶液にあけ、エーテルで抽
出した。有機層は飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し
て、無水硫酸マグネシウムで脱水した。溶媒を留去する
ことにより、粗製物を得た。得られた粗製物はシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにて精製し、１，５−ジア
セトキシ−３，７−ジメチル−９−（２，６，６−トリ
メチルシクロヘキセン−１−イル）−９−（４−メチル
フェニルスルホニル）−ノナ−２，６−ジエン（以下、
化合物（ｃ））を淡黄色オイルとして収率７４％で単離
した。（Ｒｆ値 0.38 : ｎ−ヘキサン/酢酸エチル＝３
/１）1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 0.76(6H,d, J=14Hz) , 0.95(6H,d, J=14Hz) , 1.39(3
H,s) , 1.70(3H,s) 2.00(3H,s) , 2.01(3H,s) , 2.03(3H,s) , 2.44(3H ,
s) , 2.66-2.95(2H,m) 3.82-3.86(1H,m) , 4.53(2H,d, J=7Hz)，5.10(1H,d, J=
9Hz) , 5.20(1H,d, J=9Hz)， 5.34(1H,br) , 5.56(1H,b
r) , 7.33(2H,d, J=8Hz) , 7.76(2H,d , J=8Hz)13 Ｃ-ＮＭＲ δ（CDCl3） 15.1, 16.0 , 16,1 , 16.6 , 18.8 , 20.8 , 20.9 , 2
1.4 , 28.2 , 29.0 , 35.5 , 40.5, 44.6 , 60.8 , 65.
3 . 65.5 , 65.7 , 68.3, 68.5 , 68.8 , 121.9 ,127.1
, 128.3 , 129.4 , 130.5 , 130.6 , 136.2 , 137.1 ,
137.6 , 137.7 ,138.4 , 144.0 , 169.8 , 170.0 , 17
0.7
【００３０】（参考例５）フラスコに、化合物（ｃ）0.
20g(0.27mmol)とシクロヘキサン40mlを仕込み、攪拌
下、カリウムメトキシド0.26g(3.70mmol)を添加した。
４０℃で６時間攪拌後、ＴＬＣにて原料が消失している
のを確認して、反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を
注加し、エーテルで抽出した。有機層はあわせて飽和塩
化ナトリウム水溶液で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで
脱水後、溶媒を留去することにより粗製物を得た。得ら
れた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精
製することにより淡黄色オイルとしてポリエンジオール
（２）を収率９５％で得た。1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 1.00(6H , s) , 1.74(3H , s) , 1.86(3H , s) , 2.00
(3H , s) ,4.15(2H , br),4.64(1H , m) , 5.40(1H ,
d, J=7Hz) , 5.99(2H , d, J=16Hz) , 6.11(2H ,d, J=1
6Hz)13 Ｃ-ＮＭＲ δ（CDCl3） 12.8, 16.4 , 19.3 , 21.6 , 28.8 , 32.9 , 34.1 , 3
9.5 , 47.7 , 59.0 , 66.2 ，126.9，127.1，129.0,13
2.1,135.8,135.9,137.0,137.5
20g(0.27mmol)とシクロヘキサン40mlを仕込み、攪拌
下、カリウムメトキシド0.26g(3.70mmol)を添加した。
４０℃で６時間攪拌後、ＴＬＣにて原料が消失している
のを確認して、反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を
注加し、エーテルで抽出した。有機層はあわせて飽和塩
化ナトリウム水溶液で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで
脱水後、溶媒を留去することにより粗製物を得た。得ら
れた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精
製することにより淡黄色オイルとしてポリエンジオール
（２）を収率９５％で得た。1 H-ＮＭＲ δ（CDCl3） 1.00(6H , s) , 1.74(3H , s) , 1.86(3H , s) , 2.00
(3H , s) ,4.15(2H , br),4.64(1H , m) , 5.40(1H ,
d, J=7Hz) , 5.99(2H , d, J=16Hz) , 6.11(2H ,d, J=1
6Hz)13 Ｃ-ＮＭＲ δ（CDCl3） 12.8, 16.4 , 19.3 , 21.6 , 28.8 , 32.9 , 34.1 , 3
9.5 , 47.7 , 59.0 , 66.2 ，126.9，127.1，129.0,13
2.1,135.8,135.9,137.0,137.5
【００３１】以下に実施例および参考例の化合物の構造
式を記す。但し、Ｔｓは、ｐ−トリルスルホニル基を示
す。
式を記す。但し、Ｔｓは、ｐ−トリルスルホニル基を示
す。
【手続補正書】
【提出日】平成９年１２月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】（実施例２）乾燥したフラスコにポリエン
ジオール（２）0.8g(2.62mmol)をトルエン10mlに溶解さ
せ、ピリジン0.21g（2.62mmol)を仕込み、塩化アセチル
0.42ｇ（5.24mmol）を０℃で添加し、室温で２時間攪拌
した。ＴＬＣにて原料が消失したのを確認して、反応マ
ス中に水を注加した。エーテルで抽出し、有機層は炭酸
水素ナトリウム水溶液、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで脱水後、溶媒を留去する
ことにより、淡黄色オイルとして、１，５−ジアセトキ
シ−３，７−ジメチル−９−（２，６，６−トリメチル
シクロヘキセン−１−イル）−ノナ−２，６，８−トリ
エン（以下、化合物（ｊ））を収率９１％で得た。
ジオール（２）0.8g(2.62mmol)をトルエン10mlに溶解さ
せ、ピリジン0.21g（2.62mmol)を仕込み、塩化アセチル
0.42ｇ（5.24mmol）を０℃で添加し、室温で２時間攪拌
した。ＴＬＣにて原料が消失したのを確認して、反応マ
ス中に水を注加した。エーテルで抽出し、有機層は炭酸
水素ナトリウム水溶液、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで脱水後、溶媒を留去する
ことにより、淡黄色オイルとして、１，５−ジアセトキ
シ−３，７−ジメチル−９−（２，６，６−トリメチル
シクロヘキセン−１−イル）−ノナ−２，６，８−トリ
エン（以下、化合物（ｊ））を収率９１％で得た。
Claims (11)
- 【請求項１】一般式（１） （式中、Ｒは、水素原子または水酸基の保護基を示し、
Ｒ1は、水酸基の保護基を示す。）で示されるポリエン
誘導体。 - 【請求項２】Ｒが水素原子であり、Ｒ1がアセチル基で
ある請求項１記載のポリエン誘導体。 - 【請求項３】式（２） で示されるポリエンジオールと保護化剤とを、相間移動
触媒および塩基の存在下に反応させることを特徴とする
一般式（３） （式中、Ｒ1は水酸基の保護基を示す。）で示されるポ
リエンアルコールの製造法。 - 【請求項４】前記式（２）で示されるポリエンジオール
と保護化剤とを、塩基の存在下に反応させることを特徴
とする一般式（４） （式中、Ｒ1は、水酸基の保護基を示す。）で示される
ポリエン誘導体の製造法。 - 【請求項５】保護化剤が、アシルハライド類または酸無
水物である請求項３または４記載の製造法。 - 【請求項６】保護化剤が、塩化アセチルまたは無水酢酸
である請求項３または４記載の製造法。 - 【請求項７】相間移動触媒が、第４級アンモニウム塩で
ある請求項３記載の製造法。 - 【請求項８】相間移動触媒の使用量が、式（２）で示さ
れるポリエンジオールに対して0.01〜0.2モル倍である
請求項３記載の製造法。 - 【請求項９】塩基が、無機塩基である請求項３記載の製
造法。 - 【請求項１０】塩基が、アルカリ金属もしくはアルカリ
土類金属の水酸化物、アルカリ金属もしくはアルカリ土
類金属の炭酸塩、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金
属の炭酸水素塩である請求項３記載の製造法。 - 【請求項１１】塩基が、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナ
トリウムまたは水酸化カリウムである請求項３記載の製
造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9293831A JPH11130748A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | ポリエン誘導体およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9293831A JPH11130748A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | ポリエン誘導体およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11130748A true JPH11130748A (ja) | 1999-05-18 |
Family
ID=17799732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9293831A Withdrawn JPH11130748A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | ポリエン誘導体およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11130748A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002193919A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-07-10 | Sumitomo Chem Co Ltd | スルホン誘導体およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-10-27 JP JP9293831A patent/JPH11130748A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002193919A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-07-10 | Sumitomo Chem Co Ltd | スルホン誘導体およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
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