JP2002305279A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2002305279A
JP2002305279A JP2001108856A JP2001108856A JP2002305279A JP 2002305279 A JP2002305279 A JP 2002305279A JP 2001108856 A JP2001108856 A JP 2001108856A JP 2001108856 A JP2001108856 A JP 2001108856A JP 2002305279 A JP2002305279 A JP 2002305279A
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JP
Japan
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outer lead
semiconductor device
lead
longitudinal direction
stress
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JP2001108856A
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Kazuhiro Ishikawa
和弘 石川
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Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置が実装されている状態で半導体装
置にストレスが加わった際に、アウターリードの長手方
向に対するストレスを吸収することによって、基板とア
ウターリードとの半田付けの剥離およびアウターリード
のクラックや断線を防止することができる半導体装置を
提供する。 【解決手段】 半導体装置10のアウターリード3に、
半導体パッケージ2端面と接触部3aとの間にアウター
リード3の長手方向に対して略垂直方向にアウターリー
ド3の一部を突出させて折曲形成される突出部3dを設
けてなる。これにより、アウターリード3は、突出部3
dの弾性曲がり変形によってアウターリード3の長手方
向に伸縮して半導体装置10に加わるアウターリード3
の長手方向のストレスを吸収する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
からアウターリードが突設される半導体装置に関し、特
に、半導体装置を基板に実装した後において好適なアウ
ターリードの形状に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置は、一般に、半導体チップを
搭載するアイランドと、このアイランドから外側に配列
形成されるインナーリードと、このインナーリードと連
設されるアウターリードとから概略構成されるリードフ
レームを有し、半導体チップとインナーリードとはワイ
ヤボンディングによって電気的に接続され、この半導体
チップおよびインナーリードは樹脂等で封止されパッケ
ージ化され、この半導体パッケージ端面からはアウター
リードが突設される。このアウターリードは、例えば、
ガルウィング型(クランク形状)に形成され、半田付け
等によって基板に実装される。
【0003】ここで、半田付け等によって基板に実装さ
れた半導体装置に機械的および熱ストレスが加わった場
合には、基板とアウターリードとの半田付けに剥離が生
じ、また、アウターリードにクラックや断線が生じる可
能性がある。
【0004】そこで、上記した基板とアウターリードと
の半田付けの剥離およびアウターリードのクラックや断
線を抑制するために、従来技術としては、アウターリー
ドの素材を42アロイよりも軟らかい銅や銅合金等とす
ることで、半導体装置にストレスが加わった場合にアウ
ターリードがアウターリードの長手方向に対して略垂直
方向に撓むことによってストレスを吸収する方法が採ら
れている。
【0005】また、特開平5−291467号公報で
は、実装基板に接続されるアウターリードの主面および
背面の少なくとも一方に、溝、穴、透孔および凹凸模様
の少なくとも一つを形成したものを開示する。例えば、
図7に示すように、アウターリード32の実装基板に面
する側にアウターリード32の長手方向に平行な溝33
が刻設される。この溝33は、リードフレーム全体の製
作時に同時にエッチングやプレス加工等によって形成さ
れ、或いは、リードフレームの成型後にエッチングやプ
レス加工等によって形成される。また、アウターリード
32に透孔が穿設されてもよく、例えば、図8に示すよ
うに透孔34とこの透孔34を中心として交差する十字
型の溝35が背面側に形成される。これらによると、実
装基板に対するアウターリード32の接合部における半
田などに対する濡れ面積が、溝、穴、透孔および凹凸模
様などの存在によって大きくなり、この結果として、実
装基板とアウターリード32の接合強度が大きくなっ
て、信頼性の高い半田接合を実現することができる。
【0006】また、特開平5−326781号公報で
は、半導体素子を挟む二つのリードのうち少なくとも一
方の一部分が、このリードにおける他の部分よりも小さ
い曲げ強度を有するものを開示する。例えば、図9に示
すように、リードフレームは、まず金属薄板を打ち抜い
て形成されるが、このとき一方のリード42の狭持部4
2aとなる部分を支持する一部分に孔44を形成する。
そして、挟持部42a上に半導体素子41をボンディン
グし、その上から他方のリード43の挟持部43aを重
ね、半導体素子41上のバンプを溶かしてワイヤレスボ
ンディングを行う。なお、孔44は貫通孔であるが、こ
の孔44を形成する代わりにリード42の一部分を薄く
することによって凹所を形成してもよい。また、図10
に示すように、孔44の代わりにくびれ部45を形成し
てもよい。これによると、孔44またはくびれ部45が
形成された部分は、リード42における他の部分よりも
曲げ強度が小さいため、ストレスが加わると、まず孔4
4またはくびれ部45の部分で変形や撓み等が生じてス
トレスを吸収することになる。従って、半導体装置の組
立時に発生するストレスが吸収され、半導体素子41に
はストレスは加わらず半導体素子41を破壊することな
く、また、バンプの外れも生じさせない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術では、半導体装置を基板に半田付け等によって
実装した後において、半導体装置にストレスが加わった
場合には、アウターリードが撓む方向(アウターリード
の長手方向に対して略垂直方向)にはストレスを吸収す
ることができるが、アウターリードの長手方向にはスト
レスを吸収することができないため、基板とアウターリ
ードとの半田付けの剥離およびアウターリードのクラッ
クや断線を防止することができないという問題点があ
る。
【0008】なお、特開平5−291467号公報で
は、基板とアウターリードとの半田付けの剥離に対する
強度を増すことはできるが、アウターリードのクラック
や断線を防止する効果を得ることはできない。
【0009】本発明は、このような状況を鑑みてなされ
たもので、半導体装置が基板に実装されている状態で半
導体装置にストレスが加わった場合に、アウターリード
の長手方向に対するストレスを吸収することによって、
基板とアウターリードとの半田付けの剥離を防止すると
ともに、アウターリードのクラックや断線を防止するこ
とができる半導体装置を提供することを課題とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
め、本発明に係る半導体装置は、次のような手段を採用
する。
【0011】本発明の第1の要旨は、半導体パッケージ
端面よりアウターリードが突設され、このアウターリー
ドには基板に半田付けされる接触部が設けられている半
導体装置において、アウターリードには半導体パッケー
ジ端面と接触部との間にアウターリードの長手方向に対
して略垂直方向にアウターリードの一部を突出させて折
曲形成される突出部が設けられ、アウターリードは、ア
ウターリードの長手方向のストレスに対して突出部の弾
性曲がり変形によって伸縮可能であることを特徴とする
半導体装置に関する。
【0012】本発明の第1の要旨によれば、アウターリ
ードにはその長手方向に対して垂直方向にアウターリー
ドの一部を突出させて折曲形成される突出部が設けられ
ているため、半導体装置を基板に半田付け等によって実
装した後において、半導体装置にストレスが加わった場
合に、アウターリードは長手方向に対して略垂直方向に
撓むとともに、突出部の弾性曲がり変形によってアウタ
ーリードの長手方向に伸縮してストレスが吸収される。
【0013】本発明の第2の要旨は、アウターリードの
突出部の板厚は、アウターリードの他の部分の板厚より
薄く形成されていることを特徴とする請求項1に記載の
半導体装置に関する。
【0014】本発明の第2の要旨によれば、半導体装置
を基板に半田付け等によって実装した後において、半導
体装置にストレスが加わった場合に、より一層、アウタ
ーリードは長手方向に対して略垂直方向に撓むととも
に、突出部の弾性曲がり変形によってアウターリードの
長手方向に伸縮してストレスが吸収される。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体装置の
実施の形態を図面に基づいて説明する。
【0016】図1〜図6は、本発明に係る半導体装置の
実施の形態を説明するものである。
【0017】図1は、本発明に係る半導体装置のアウタ
ーリードの形状が適用可能な表面実装タイプの半導体装
置1(20pin)を示す。半導体装置1は、半導体パ
ッケージ2と、この半導体パッケージ2端面より突設さ
れるアウターリード3とから構成されている。
【0018】図6は、半導体装置1のリードフレーム4
を示す。リードフレーム4は、一般に、半導体チップを
搭載するアイランド5と、このアイランド5から外側に
配列形成されるインナーリード6と、このインナーリー
ド6と連設されるアウターリード3と、インナーリード
6とアウターリード3との境界部分を一体に接合するタ
イバー7とから概略構成される。半導体チップはリード
フレーム4のアイランド5に実装され、半導体チップの
パッドとインナーリード6とはワイヤボンディングによ
って電気的に接続され、この半導体チップおよびインナ
ーリード6は樹脂等で封止されパッケージ化され、タイ
バー7が切除され半導体パッケージ2端面からアウター
リード3が突設される。
【0019】アウターリード3は、図2に示すように、
細長板状体が長手方向に対してガルウィング型(クラン
ク形状)に折曲形成されて、図示しない基板に半田付け
等で実装される実装部3aと、屈曲部3b,3cとが設
けられている。また、屈曲部3bと屈曲部3cとの間に
は、長手方向に対して略垂直方向にアウターリード3の
一部を突出させて折曲形成される突出部3dが設けられ
ている。突出部3dの形状は、例えば、アウターリード
3の実装面3f側および反対面3g側にそれぞれの折曲
部3h,3iをクランク形状に突出させて折曲形成され
る(バネ型)。このアウターリード3の突出部3dは、
リードフレーム4を形成した後にプレス加工等によって
形成されるか、或いは、リードフレーム4の形成と同時
にプレス加工等によって形成される。なお、アウターリ
ード3の突出部3dは、実装面3fから基板上方に0.
2mm間は形成しないことが望ましい。これは、この
0.2mm間は、アウターリード3の実装部3aを基板
に半田付けで実装する際に、半田がアウターリード3に
吸い上がって半田付け強度に必要なフィレットを形成す
るためである。
【0020】また、アウターリード3の突出部3dの他
の形状としては、例えば、図3に示すものがある。図3
(a)は、図2のアウターリード3の突出部3dの板厚
tを、アウターリード3の他の部分(例えば、接触部3
a)の板厚Dより薄くしたものである(t<D)。図3
(b)は、アウターリード3の反対面3g側に折曲部3
jをV字形状に突出させて折曲形成されたものである
(V字型)。図3(c)は、アウターリード3の反対面
3g側に半円形状に突出させて折曲形成されたものであ
る(半円型)。図3(d)は、アウターリード3の実装
面3f側および反対面3g側にS字形状に突出させて折
曲形成されたものである(S字型)。図3(e)は、ア
ウターリード3の反対面3g側に凹字状に突出させて折
曲形成されたものである(凹字型)。
【0021】ここで、アウターリード3の突出部の板厚
tは、アウターリード3の他の部分(例えば、接触部3
a)の板厚Dの50〜100%に形成される。
【0022】なお、アウターリード3の素材および突出
部3dの突出高さH等の形状は、アウターリード3がア
ウターリード3の長手方向に5Nの力で引っ張られたと
きに、アウターリード3がアウターリード3の長手方向
に0.1〜0.5mm伸びるように設定される。
【0023】また、図2〜図3では、アウターリード3
の突出部3dが形成される位置は屈曲部3bと屈曲部3
cとの間に設けられているが、半導体パッケージ2端面
と屈曲部3bとの間に設けられてもよい、また、屈曲部
3bと屈曲部3cとの間および半導体パッケージ2端面
と屈曲部3bとの間の双方に設けられてもよい。
【0024】また、アウターリード3の突出部3dは半
導体装置1のすべてのアウターリード3に設けられても
よいし、また、半導体装置1が基板に実装された後に最
もストレスが加わり易い端ピン部(例えば、端ピン3k
から1〜10pin目)にのみ設けられてもよい。
【0025】また、本実施の形態では、突出部3dは、
リードフレーム4が形成されるときに形成される例を示
したが、突出部3dは、半導体チップとリードフレーム
4とが樹脂等で封止されてパッケージ化された後に形成
されてもよい。
【0026】次に、このような構成における半導体装置
を基板に実装した際の作用について説明する。図4は、
従来の半導体装置1を基板8に実装した状態を示してい
る。従来の半導体装置1では、半導体装置1にストレス
が加わった際に、アウターリード3はアウターリード3
の長手方向に対して略垂直方向(撓み方向A)に撓むこ
とはできるが、アウターリード3の長手方向には伸縮す
ることができないため、ストレスはアウターリード3の
接触部3dと基板8との半田付け部分9に加わることと
なる。これによって、基板8とアウターリード3の接触
部3aの半田付けに剥離が生じ、また、アウターリード
3にクラックや断線が生じる可能性がある。これに対し
て、本発明に係る半導体装置10では、図5に示すよう
に、アウターリード3の長手方向に対して略垂直方向
(撓み方向A)に撓むことができるとともに、突出部3
dの弾性曲がり変形によってアウターリード3の長手方
向(伸縮方向B)に伸縮することもできる。これによっ
て、アウターリード3の接触部3aと基板8との半田付
け部分9に加わるストレスが吸収されて、基板8とアウ
ターリード3の接触部3aの半田付けに剥離およびアウ
ターリード3にクラックや断線を生じさせることを防止
することができる。
【0027】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、半導体
装置のアウターリードにその長手方向に対して垂直方向
にアウターリードの一部を突出させて折曲形成される突
出部を設けることで、半導体装置を基板に半田付け等に
よって実装した後において、半導体装置にストレスが加
わった場合に、アウターリードはアウターリードの長手
方向に対して略垂直方向に撓むとともに、突出部の弾性
曲がり変形によってアウターリードの長手方向に伸縮す
ることができるため、基板とアウターリードの接触部と
の半田付け部分に加わるストレスが吸収されて、基板と
アウターリードの接触部の半田付けに剥離を生じさせる
ことおよびアウターリードにクラックや断線を生じさせ
ることを防止することができ、この結果として、半導体
装置の信頼性を向上させることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の半導体装置を示す斜視図である。
【図2】本発明に係る半導体装置のアウターリードを示
す斜視図である。
【図3】本発明に係る半導体装置のアウターリードの他
の例を示す斜視図である。
【図4】従来の半導体装置の実装状態を示した側面断面
図である。
【図5】本発明に係る半導体装置の実装状態を示した側
面断面図である。
【図6】本発明に係る半導体装置のリードフレームを示
した正面図である。
【図7】従来の他の半導体装置のアウターリードを示し
た斜視図である。
【図8】従来の他の半導体装置を示した斜視図である。
【図9】従来の他の半導体装置を示した斜視図である。
【図10】従来の他の半導体装置を示した斜視図であ
る。
【符号の説明】
1、10 半導体装置 2 半導体パッケージ 3 アウターリード 3a 接触部 3b、3c 屈曲部 3d 突出部 4 リードフレーム 5 アイランド 6 インナーリード 7 タイバー 8 基板 9 半田付け部分 A 撓み方向 B 伸縮方向 H 突出高さ t、D 板厚

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体パッケージ端面よりアウターリー
    ドが突設され、このアウターリードには基板に半田付け
    される接触部が設けられている半導体装置において、ア
    ウターリードには、半導体パッケージ端面と接触部との
    間にアウターリードの長手方向に対して略垂直方向にア
    ウターリードの一部を突出させて折曲形成される突出部
    が設けられ、アウターリードは、アウターリードの長手
    方向のストレスに対して突出部の弾性曲がり変形によっ
    て伸縮可能であることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 アウターリードの突出部の板厚は、アウ
    ターリードの他の部分の板厚より薄く形成されているこ
    とを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007281451A (ja) * 2006-03-17 2007-10-25 Sumitomo Chemical Co Ltd 固体撮像素子収容用ケース及び固体撮像装置
JP2008205329A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置
JP2016018821A (ja) * 2014-07-04 2016-02-01 新電元工業株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、リードフレーム
CN109360817A (zh) * 2018-09-29 2019-02-19 西安微电子技术研究所 一种翼型引线sop器件及其引线成形的工艺方法

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