JP2002302669A - フォトクロミック材料及びそれを用いた光記録媒体 - Google Patents
フォトクロミック材料及びそれを用いた光記録媒体Info
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- JP2002302669A JP2002302669A JP2001107448A JP2001107448A JP2002302669A JP 2002302669 A JP2002302669 A JP 2002302669A JP 2001107448 A JP2001107448 A JP 2001107448A JP 2001107448 A JP2001107448 A JP 2001107448A JP 2002302669 A JP2002302669 A JP 2002302669A
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】製膜が容易な高分子フォトクロミック材料及び
それを用いた光記録媒体を提供する。 【解決手段】下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位
を有する高分子フォトクロミック材料および基板上に、
該高分子フォトクロミック材料を含む記録層を有する光
記録媒体。 【化１】 ［式中、環Ａは、下記の５員環構造の基、Ｂ及びＤは、
各々独立に置換チエニル、置換フリル、置換イミダゾリ
ル、置換ベンゾチエニル等の複素環基を表し、Ｒ 1〜Ｒ6
の置換基を有する。］ 環Ａ： 【化２】
それを用いた光記録媒体を提供する。 【解決手段】下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位
を有する高分子フォトクロミック材料および基板上に、
該高分子フォトクロミック材料を含む記録層を有する光
記録媒体。 【化１】 ［式中、環Ａは、下記の５員環構造の基、Ｂ及びＤは、
各々独立に置換チエニル、置換フリル、置換イミダゾリ
ル、置換ベンゾチエニル等の複素環基を表し、Ｒ 1〜Ｒ6
の置換基を有する。］ 環Ａ： 【化２】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規なフォトクロ
ミック材料、詳しくはジアリールエテン骨格を繰返単位
として有する高分子フォトクロミック材料及びそれを用
いた記録層を有す光記録媒体に関するものである。
ミック材料、詳しくはジアリールエテン骨格を繰返単位
として有する高分子フォトクロミック材料及びそれを用
いた記録層を有す光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フォトクロミック材料は、光の作用によ
り単一の化学物質が吸収スペクトルの異なる異性体を可
逆的に生成する物質であり、一つの異性体に特定波長の
光を照射すると結合様式或いは電子状態が変化し、他の
異性体に変換し、その結果可視・紫外領域の吸収スペク
トルが変化する。そして生成した他の異性体は、別の波
長の光により元の異性体へ戻る。この異性体の変換する
際に吸収スペクトルが変化することから、この変化を光
記録に応用する研究が進められてきている。光記録媒体
に使用するフォトクロミック化合物としては、スピロベ
ンゾピラン系化合物、トリフェニルメタンのロイコ体、
フルギド系化合物やジアリールエテン誘導体等の種々の
化合物が提案されている。光記録媒体において、これら
の化合物を含む記録層を形成する場合、一般的には、必
要に応じで加えられるバインダー樹脂と一緒に適当な溶
媒に溶解し基板上に塗布し、薄膜を形成することにより
行われる。しかしながら、上記のようなフォトクロミッ
ク物質の溶解性には問題があるため高濃度の均質な薄膜
を形成することが困難であり、また、フォトクロミック
物質それ自体でアモルファス膜を形成できる材料は極め
て限られていた。
り単一の化学物質が吸収スペクトルの異なる異性体を可
逆的に生成する物質であり、一つの異性体に特定波長の
光を照射すると結合様式或いは電子状態が変化し、他の
異性体に変換し、その結果可視・紫外領域の吸収スペク
トルが変化する。そして生成した他の異性体は、別の波
長の光により元の異性体へ戻る。この異性体の変換する
際に吸収スペクトルが変化することから、この変化を光
記録に応用する研究が進められてきている。光記録媒体
に使用するフォトクロミック化合物としては、スピロベ
ンゾピラン系化合物、トリフェニルメタンのロイコ体、
フルギド系化合物やジアリールエテン誘導体等の種々の
化合物が提案されている。光記録媒体において、これら
の化合物を含む記録層を形成する場合、一般的には、必
要に応じで加えられるバインダー樹脂と一緒に適当な溶
媒に溶解し基板上に塗布し、薄膜を形成することにより
行われる。しかしながら、上記のようなフォトクロミッ
ク物質の溶解性には問題があるため高濃度の均質な薄膜
を形成することが困難であり、また、フォトクロミック
物質それ自体でアモルファス膜を形成できる材料は極め
て限られていた。
【０００３】一方、光の照射による光構造変化を分子レ
ベルから高分子レベルで行わせるために、光感応基を重
合体の主鎖や側鎖、或いは架橋剤として導入することも
試みられており、その為に、ビニル基等の重合基を置換
基として導入したフォトクロミック材料（単量体）も提
案されている（特開平2000-072768）。しかしながら、
これらの単量体は、高分子とするためにラジカル重合さ
れており、重合後のフォトクロミック反応部分の劣化、
および耐候性の低下を招くおそれがあり、十分な性能を
有するものは未だ得られていない。
ベルから高分子レベルで行わせるために、光感応基を重
合体の主鎖や側鎖、或いは架橋剤として導入することも
試みられており、その為に、ビニル基等の重合基を置換
基として導入したフォトクロミック材料（単量体）も提
案されている（特開平2000-072768）。しかしながら、
これらの単量体は、高分子とするためにラジカル重合さ
れており、重合後のフォトクロミック反応部分の劣化、
および耐候性の低下を招くおそれがあり、十分な性能を
有するものは未だ得られていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、上記事情
に鑑み、記録層の薄膜形成が容易に行える高分子フォト
クロミック材料に関し鋭意検討の結果、ジアリールエテ
ン系化合物のエテン結合部位に特定の置換基を導入した
単量体からは、容易に重合体を取得することができ、し
かもその重合体から容易に薄膜を形成することができる
ことを見出し本発明に至った。
に鑑み、記録層の薄膜形成が容易に行える高分子フォト
クロミック材料に関し鋭意検討の結果、ジアリールエテ
ン系化合物のエテン結合部位に特定の置換基を導入した
単量体からは、容易に重合体を取得することができ、し
かもその重合体から容易に薄膜を形成することができる
ことを見出し本発明に至った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、製膜が容易な
高分子フォトクロミック材料及びそれを用いた光記録媒
体を提供するものであり、その要旨は、下記一般式
（Ｉ）で示される繰り返し単位を有する高分子フォトク
ロミック材料および基板上に、該高分子フォトクロミッ
ク材料を含む記録層を有する光記録媒体に存する。
高分子フォトクロミック材料及びそれを用いた光記録媒
体を提供するものであり、その要旨は、下記一般式
（Ｉ）で示される繰り返し単位を有する高分子フォトク
ロミック材料および基板上に、該高分子フォトクロミッ
ク材料を含む記録層を有する光記録媒体に存する。
【０００６】
【化１０】 ［式中、環Ａは、下記の５員環構造を有する基から選ば
れ、Ｂ及びＤは、各々独立に下記の式(II)〜(IV) で示
される複素環基のいずれかを表す。 環Ａ：
れ、Ｂ及びＤは、各々独立に下記の式(II)〜(IV) で示
される複素環基のいずれかを表す。 環Ａ：
【化１１】
【０００７】複素環基Ｂ、Ｄ：
【化１２】 （上記式(II)〜(IV)において、Ｘ及びＺは、−ＮＲ
7−、−Ｓ−または−Ｏ−を表し、Ｙは−ＣＲ8＝または
−Ｎ＝を表す。）
7−、−Ｓ−または−Ｏ−を表し、Ｙは−ＣＲ8＝または
−Ｎ＝を表す。）
【０００８】また、Ｒ1〜Ｒ8は、それぞれ下記の意味を
表す。 Ｒ1：置換基を有していても良い炭素数１〜８の直鎖若
しくは分岐状のアルキル基、または置換基を有していて
も良い炭素数６〜１０のアリール基； Ｒ2：炭素数１〜４の直鎖若しくは分岐状のアルキル基
またはアルコキシ基； Ｒ3：下記の置換フェニル基または置換ナフチル基；
表す。 Ｒ1：置換基を有していても良い炭素数１〜８の直鎖若
しくは分岐状のアルキル基、または置換基を有していて
も良い炭素数６〜１０のアリール基； Ｒ2：炭素数１〜４の直鎖若しくは分岐状のアルキル基
またはアルコキシ基； Ｒ3：下記の置換フェニル基または置換ナフチル基；
【化１３】
【０００９】Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6：いずれかひとつが下記の
置換フェニル基または置換ナフチル基であり、残りの２
つは水素原子を表す。
置換フェニル基または置換ナフチル基であり、残りの２
つは水素原子を表す。
【化１４】 Ｒ7：水素原子或いは炭素数１〜１０の直鎖若しくは分
岐状炭化水素基又は環状炭化水素基 ； Ｒ8： 水素原子またはメチル基；］
岐状炭化水素基又は環状炭化水素基 ； Ｒ8： 水素原子またはメチル基；］
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の高分子フォトクロミック材料は、上記一般式
（Ｉ）で示される繰り返し単位を有するものであり、上
記一般式（Ｖ）で表される化合物を酸化重合することに
より得ることが出来る。上記一般式（Ｉ）及び（Ｖ）に
おいて環Ａは、下記のA-1〜A-3の５員環構造を有する基
から選ばれるが、これらの中、特にA-3の基が好まし
い。一般式（Ｉ）中、Ｒ1は置換基を有していても良い
炭素数１〜８の直鎖若しくは分岐状のアルキル基、また
は置換基を有していても良い炭素数６〜１０のアリール
基を表し、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、 ｉ
−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、sec−ブ
チル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプ
チル基、オクチル基等のアルキル基；フェニル基、ナフ
チル基等のアリール基が挙げられる、これらの基が有し
得る置換基は、例えば−ＣＮ、ハロゲン原子、または−
ＮＯ2である。
本発明の高分子フォトクロミック材料は、上記一般式
（Ｉ）で示される繰り返し単位を有するものであり、上
記一般式（Ｖ）で表される化合物を酸化重合することに
より得ることが出来る。上記一般式（Ｉ）及び（Ｖ）に
おいて環Ａは、下記のA-1〜A-3の５員環構造を有する基
から選ばれるが、これらの中、特にA-3の基が好まし
い。一般式（Ｉ）中、Ｒ1は置換基を有していても良い
炭素数１〜８の直鎖若しくは分岐状のアルキル基、また
は置換基を有していても良い炭素数６〜１０のアリール
基を表し、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、 ｉ
−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、sec−ブ
チル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプ
チル基、オクチル基等のアルキル基；フェニル基、ナフ
チル基等のアリール基が挙げられる、これらの基が有し
得る置換基は、例えば−ＣＮ、ハロゲン原子、または−
ＮＯ2である。
【化１５】
【００１１】一般式（Ｉ）及び（Ｖ）において式(II)〜
(IV)で表される複素環基Ｂ及びＤ、並びに式(II)’〜(I
V)’で表される複素環基Ｂ’及びＤ’としては、以下の
例b-1〜b-12が挙げられる。これらの置換チエニル、置
換フリル、置換イミダゾリル、置換ベンゾチエニル等の
複素環基中、硫黄原子を含むb-1、b-4、b-7、b-10の複
素環基が好ましい。尚、下記の複素環基が式(II)’〜(I
V)’を表す場合には、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6はそれぞれ
Ｒ3a 、Ｒ4a、Ｒ5a、Ｒ6a と読み替えるものとする。
式(II)〜(IV)及び式(II)’〜(IV)’において、Ｒ2は炭
素数１〜４の直鎖若しくは分岐状のアルキル基またはア
ルコキシ基を表し、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、 ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−
ブチル基、sec−ブチル基、ｔ−ブチル基等のアルキル
基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等のアルコキシ基が挙げられる。
(IV)で表される複素環基Ｂ及びＤ、並びに式(II)’〜(I
V)’で表される複素環基Ｂ’及びＤ’としては、以下の
例b-1〜b-12が挙げられる。これらの置換チエニル、置
換フリル、置換イミダゾリル、置換ベンゾチエニル等の
複素環基中、硫黄原子を含むb-1、b-4、b-7、b-10の複
素環基が好ましい。尚、下記の複素環基が式(II)’〜(I
V)’を表す場合には、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6はそれぞれ
Ｒ3a 、Ｒ4a、Ｒ5a、Ｒ6a と読み替えるものとする。
式(II)〜(IV)及び式(II)’〜(IV)’において、Ｒ2は炭
素数１〜４の直鎖若しくは分岐状のアルキル基またはア
ルコキシ基を表し、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、 ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−
ブチル基、sec−ブチル基、ｔ−ブチル基等のアルキル
基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等のアルコキシ基が挙げられる。
【００１２】
【化１６】
【００１３】式(II)又は(III) においてＲ3で示される
前記置換フェニル基または置換ナフチル基は、酸素原子
または硫黄原子を介して芳香核に結合した置換基を有
し、式(II)又は(III)の複素環とは直接連結する。 この
Ｒ3として好ましい基は、次の基(ｃ)であり、より好ま
しくは基(ｄ)である。
前記置換フェニル基または置換ナフチル基は、酸素原子
または硫黄原子を介して芳香核に結合した置換基を有
し、式(II)又は(III)の複素環とは直接連結する。 この
Ｒ3として好ましい基は、次の基(ｃ)であり、より好ま
しくは基(ｄ)である。
【化１７】 式(II)’又は(III)’におけるＲ3a 、として好ましい基
は、ヒドロキシフェニル基であり、より好ましくは２−
ヒドロキシフェニル基である。
は、ヒドロキシフェニル基であり、より好ましくは２−
ヒドロキシフェニル基である。
【００１４】式(IV) におけるＲ4、Ｒ5及びＲ6で表され
る前記置換フェニル基または置換ナフチル基は、酸素原
子または硫黄原子を介して芳香核に結合した置換基を有
し、式(IV)の環とは直接連結する。 これらＲ4、Ｒ5及
びＲ6は、好ましくはそれらのうちいずれか一つが上記
の基(ｃ)であり、他の２つは水素原子である。より好ま
しくは、いずれか一つが上記の基(ｄ)であり、他の２つ
は水素原子である。また、式(IV)’におけるＲ4a、
Ｒ5a、Ｒ6a は、好ましくはそれらのうちいずれか一つ
がヒドロキシフェニル基であり、他の２つは水素原子で
ある。 より好ましくは、いずれか一つが２−ヒドロキ
シフェニル基であり、他の２つは水素原子である。
る前記置換フェニル基または置換ナフチル基は、酸素原
子または硫黄原子を介して芳香核に結合した置換基を有
し、式(IV)の環とは直接連結する。 これらＲ4、Ｒ5及
びＲ6は、好ましくはそれらのうちいずれか一つが上記
の基(ｃ)であり、他の２つは水素原子である。より好ま
しくは、いずれか一つが上記の基(ｄ)であり、他の２つ
は水素原子である。また、式(IV)’におけるＲ4a、
Ｒ5a、Ｒ6a は、好ましくはそれらのうちいずれか一つ
がヒドロキシフェニル基であり、他の２つは水素原子で
ある。 より好ましくは、いずれか一つが２−ヒドロキ
シフェニル基であり、他の２つは水素原子である。
【００１５】Ｒ7で表される炭素数１〜１０の直鎖若し
くは分岐状炭化水素基又は環状炭化水素基 としては、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、 ｉ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、sec−ブチル基、ｔ
−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オ
クチル基、ノニル基、デシル基等の炭素数１〜１０のア
ルキル基；ベンジル基、フェネチル基等の炭素数７〜１
０のアラルキル基；フェニル基、ナフチル基等の炭素数
６〜１０のアリール基等が挙げられる。これらの中、直
鎖アルキル基が好ましく、特にメチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、ｎ−ブチル基等の低級アルキル基が好ま
しい。
くは分岐状炭化水素基又は環状炭化水素基 としては、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、 ｉ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、sec−ブチル基、ｔ
−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オ
クチル基、ノニル基、デシル基等の炭素数１〜１０のア
ルキル基；ベンジル基、フェネチル基等の炭素数７〜１
０のアラルキル基；フェニル基、ナフチル基等の炭素数
６〜１０のアリール基等が挙げられる。これらの中、直
鎖アルキル基が好ましく、特にメチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、ｎ−ブチル基等の低級アルキル基が好ま
しい。
【００１６】本発明の一般式（Ｉ）で表される繰返単位
の具体例としては、以下の構造からなるものが例示され
る。
の具体例としては、以下の構造からなるものが例示され
る。
【００１７】
【化１８】
【００１８】
【化１９】
【００１９】
【化２０】
【００２０】
【化２１】
【００２１】
【化２２】
【００２２】
【化２３】
【００２３】
【化２４】
【００２４】
【化２５】
【００２５】
【化２６】
【００２６】本発明の一般式（Ｉ）で表される繰返単位
を有する高分子フォトクロミック材料は、例えば、一般
式(V)で示される化合物を酸化重合することにより得る
ことができる。酸化重合には、触媒と酸素を用いる酸化
重合と電気化学的に行われる電解酸化重合があり、本発
明の高分子フォトクロミック材料を得るのにはどちらの
重合法も使用することができる。前者の重合は、触媒と
して銅やマンガンイオンのアミン化合物との錯体を使用
し、酸素共存下で重合反応を行う。触媒に用いられるア
ミン化合物としては、ピリジン、トリエチルアミン、テ
トラメチルエチレンジアミンなどが挙げられる。触媒量
は、モノマー重量に対して０．０１ｗｔ％〜１ｗｔ％が
好ましい。重合に使用する溶媒としては、トルエン、キ
シレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどが挙げ
られる。反応温度は２５℃〜２５０℃が好ましい。電解
酸化重合は、モノマーを溶解させた溶液中で電解反応さ
せて重合体を得る方法である。
を有する高分子フォトクロミック材料は、例えば、一般
式(V)で示される化合物を酸化重合することにより得る
ことができる。酸化重合には、触媒と酸素を用いる酸化
重合と電気化学的に行われる電解酸化重合があり、本発
明の高分子フォトクロミック材料を得るのにはどちらの
重合法も使用することができる。前者の重合は、触媒と
して銅やマンガンイオンのアミン化合物との錯体を使用
し、酸素共存下で重合反応を行う。触媒に用いられるア
ミン化合物としては、ピリジン、トリエチルアミン、テ
トラメチルエチレンジアミンなどが挙げられる。触媒量
は、モノマー重量に対して０．０１ｗｔ％〜１ｗｔ％が
好ましい。重合に使用する溶媒としては、トルエン、キ
シレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどが挙げ
られる。反応温度は２５℃〜２５０℃が好ましい。電解
酸化重合は、モノマーを溶解させた溶液中で電解反応さ
せて重合体を得る方法である。
【００２７】本発明の高分子フォトクロミック材料は、
フォトクロミズムを阻害しない範囲で一般式(V)の他に
共重合成分を含んでいてもよいが、通常、他の共重合モ
ノマーを含むと本発明のフォトクロミック材料のフォト
クロミズムは低下する傾向があるので、高分子フォトク
ロミック材料としては、一般式（Ｉ）の繰返単位のみか
らなるものが好ましい。また、一分子中に一般式（Ｉ）
で表される繰返単位の複数種を含んでいても良い。更
に、本発明の 高分子フォトクロミック材料のポリスチ
レン換算重量平均分子量は、好ましくは１，０００〜１
００，０００であり、より好ましくは１０，０００〜８
０，０００である。
フォトクロミズムを阻害しない範囲で一般式(V)の他に
共重合成分を含んでいてもよいが、通常、他の共重合モ
ノマーを含むと本発明のフォトクロミック材料のフォト
クロミズムは低下する傾向があるので、高分子フォトク
ロミック材料としては、一般式（Ｉ）の繰返単位のみか
らなるものが好ましい。また、一分子中に一般式（Ｉ）
で表される繰返単位の複数種を含んでいても良い。更
に、本発明の 高分子フォトクロミック材料のポリスチ
レン換算重量平均分子量は、好ましくは１，０００〜１
００，０００であり、より好ましくは１０，０００〜８
０，０００である。
【００２８】本発明の光記録媒体は、基板上に、本発明
の一般式（Ｉ）で表される繰返単位を有する高分子フォ
トクロミック材料を含む記録層を形成することにより得
ることが出来る。基板は、使用する光に対し透明でも不
透明であってもよく、通常使用されているものから適宜
選ばれる。基板の具体的な材質としては、ガラス、プラ
スチック、紙、板状又は箔状のアルミニウム等の金属が
挙げられるが、これらの中、プラスチックが種々の点か
ら好適である。プラスチックとしては、アクリル樹脂、
メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニ
トロセルロース、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリサル
ホン樹脂等が挙げられる。
の一般式（Ｉ）で表される繰返単位を有する高分子フォ
トクロミック材料を含む記録層を形成することにより得
ることが出来る。基板は、使用する光に対し透明でも不
透明であってもよく、通常使用されているものから適宜
選ばれる。基板の具体的な材質としては、ガラス、プラ
スチック、紙、板状又は箔状のアルミニウム等の金属が
挙げられるが、これらの中、プラスチックが種々の点か
ら好適である。プラスチックとしては、アクリル樹脂、
メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニ
トロセルロース、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリサル
ホン樹脂等が挙げられる。
【００２９】基板上への記録層の形成は、本発明の高分
子フォトクロミック材料を、必要に応じバインダー樹脂
と共に適当な溶媒に溶解し、ドクターブレード法、キャ
スト法、スピナー法、浸漬法等の手段により、膜厚２ｎ
ｍ〜５０μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜３０μｍの薄膜と
なるように塗布する。使用するバインダー樹脂として
は、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチ
レン油脂、ポリ（メタ）アクリル酸メチルなどの（メ
タ）アクリル系樹脂などが挙げられるが、バインダー樹
脂の使用は、一般的にジアリールエテン構造の濃度低下
をもたらすため、好ましくは重量比で 本発明の高分子
フォトクロミック材料と同量以下、より好ましくは半量
以下で使用され、バインダー樹脂を使用しないのが最も
望ましい。また、溶媒としてはトルエン、キシレン、ク
ロロベンゼン、メチルエチルケトン、エチルアセテート
などが挙げられる。
子フォトクロミック材料を、必要に応じバインダー樹脂
と共に適当な溶媒に溶解し、ドクターブレード法、キャ
スト法、スピナー法、浸漬法等の手段により、膜厚２ｎ
ｍ〜５０μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜３０μｍの薄膜と
なるように塗布する。使用するバインダー樹脂として
は、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチ
レン油脂、ポリ（メタ）アクリル酸メチルなどの（メ
タ）アクリル系樹脂などが挙げられるが、バインダー樹
脂の使用は、一般的にジアリールエテン構造の濃度低下
をもたらすため、好ましくは重量比で 本発明の高分子
フォトクロミック材料と同量以下、より好ましくは半量
以下で使用され、バインダー樹脂を使用しないのが最も
望ましい。また、溶媒としてはトルエン、キシレン、ク
ロロベンゼン、メチルエチルケトン、エチルアセテート
などが挙げられる。
【００３０】成膜された記録層中における本発明の高分
子フォトクロミック材料の含有量は、特に制限されるも
のではないが、該物質の吸光度や発光の強度等を考慮し
て適宜決められる。記録層は、基板の片面だけに設けて
も両面に設けても良い。又、記録層の上には、耐候性を
向上させる目的で紫外線硬化樹脂等の保護膜を設けるこ
とも出来る。本発明の光記録媒体への記録は、基板上に
設けられた記録層に収束した光を当てることによりおこ
なわれる。光を照射された部分は、光エネルギーの吸収
により、結合様式に変化が生じ情報が記録される。記録
された情報の再生は、光により結合様式に変化が生じた
部分と生じない部分の吸光度又は反射率の違いを読みと
ることにより行うことができる。
子フォトクロミック材料の含有量は、特に制限されるも
のではないが、該物質の吸光度や発光の強度等を考慮し
て適宜決められる。記録層は、基板の片面だけに設けて
も両面に設けても良い。又、記録層の上には、耐候性を
向上させる目的で紫外線硬化樹脂等の保護膜を設けるこ
とも出来る。本発明の光記録媒体への記録は、基板上に
設けられた記録層に収束した光を当てることによりおこ
なわれる。光を照射された部分は、光エネルギーの吸収
により、結合様式に変化が生じ情報が記録される。記録
された情報の再生は、光により結合様式に変化が生じた
部分と生じない部分の吸光度又は反射率の違いを読みと
ることにより行うことができる。
【００３１】
【実施例】本発明を実施例により更に詳細に説明する
が、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に
限定されるものではない。以下に示す本発明の高分子フ
ォトクロミック材料を合成する経路の概略を図１に示
す。尚、下記の例中の化合物番号は、図１の化合物番号
に対応する。
が、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に
限定されるものではない。以下に示す本発明の高分子フ
ォトクロミック材料を合成する経路の概略を図１に示
す。尚、下記の例中の化合物番号は、図１の化合物番号
に対応する。
【００３２】合成例１ ２，４−ジメチルチオフェン(3)の合成
【化２７】 アルゴン雰囲気下、３−メチルチオフェン(2)10.0g(0.1
02 mol)、乾燥ＴＭＥＤＡ(N,N,N',N'−テトラメチルエ
チレンジアミン)18.4g(0.122 mol)、乾燥エーテル150ml
を500mlの四つ口フラスコに入れ撹拌した。氷水で０℃
付近まで冷却し、1.6N n-BuLiヘキサン溶液76.3ｍｌ(0.
122 mol)をゆっくり加えた後、三時間室温で撹拌を行っ
た。再び０℃付近まで徐々に冷却し、乾燥エーテル１５
ｍｌにヨウ化メチル（ＭｅＩ）を７．６ｍｌ(0.122 mo
l)加えた混合液をゆっくり加えた後、終夜撹拌した。反
応混合液を冷水に入れ、塩酸を加えた。エーテルを用い
て抽出を行った。エーテルを留去後、減圧蒸留を行い無
色透明のオイル２，４−ジメチルチオフェン(3)を得
た。（75mmHg、６５℃) 収量 ８．４９ｇ 収率７４．２％1 Ｈ−ＮＭＲ(400 ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3) δ＝2.19(s,3
H)、2.44(s,3H)、6.57(s,1H)、6.64ppm(s,1H)
02 mol)、乾燥ＴＭＥＤＡ(N,N,N',N'−テトラメチルエ
チレンジアミン)18.4g(0.122 mol)、乾燥エーテル150ml
を500mlの四つ口フラスコに入れ撹拌した。氷水で０℃
付近まで冷却し、1.6N n-BuLiヘキサン溶液76.3ｍｌ(0.
122 mol)をゆっくり加えた後、三時間室温で撹拌を行っ
た。再び０℃付近まで徐々に冷却し、乾燥エーテル１５
ｍｌにヨウ化メチル（ＭｅＩ）を７．６ｍｌ(0.122 mo
l)加えた混合液をゆっくり加えた後、終夜撹拌した。反
応混合液を冷水に入れ、塩酸を加えた。エーテルを用い
て抽出を行った。エーテルを留去後、減圧蒸留を行い無
色透明のオイル２，４−ジメチルチオフェン(3)を得
た。（75mmHg、６５℃) 収量 ８．４９ｇ 収率７４．２％1 Ｈ−ＮＭＲ(400 ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3) δ＝2.19(s,3
H)、2.44(s,3H)、6.57(s,1H)、6.64ppm(s,1H)
【００３３】合成例２ ２，４−ジブロモ−３，５−ジメチルチオフェン(4)の
合成
合成
【化２８】 500mlの三つ口フラスコに２，４−ジメチルチオフェン
(3)を5.00g(44.6mmol)と酢酸225mlと水25mlを加えて撹
拌した。氷水で冷却後、臭素4.6ml(89.2mmol)を加え
た。約１０℃で30分間撹拌し、その後室温で終夜撹拌し
た。炭酸水素ナトリウムの飽和水溶液で中和後、チオ硫
酸ナトリウム水溶液を加えた。エーテルで抽出を行っ
た。エーテルを留去後、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（WakoＣ−300）で展開溶媒ヘキサンにて、無色
透明のオイル２，４−ジブロモ−３，５−ジメチルチオ
フェン(4)を単離した。 収量 ６．５７ｇ 収率５４．６％1 Ｈ−ＮＭＲ(400 ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3) δ＝2.18(s,3
H)、2.34ppm(s,3H)
(3)を5.00g(44.6mmol)と酢酸225mlと水25mlを加えて撹
拌した。氷水で冷却後、臭素4.6ml(89.2mmol)を加え
た。約１０℃で30分間撹拌し、その後室温で終夜撹拌し
た。炭酸水素ナトリウムの飽和水溶液で中和後、チオ硫
酸ナトリウム水溶液を加えた。エーテルで抽出を行っ
た。エーテルを留去後、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（WakoＣ−300）で展開溶媒ヘキサンにて、無色
透明のオイル２，４−ジブロモ−３，５−ジメチルチオ
フェン(4)を単離した。 収量 ６．５７ｇ 収率５４．６％1 Ｈ−ＮＭＲ(400 ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3) δ＝2.18(s,3
H)、2.34ppm(s,3H)
【００３４】合成例３ ２−(メトキシメトキシ)-1-ヨウ化ベンゼン(8)の合成
【化２９】 アルゴン雰囲気下、２−ヨウ化フェノール(7)5.00g(23.
0mmol)を乾燥ＴＨＦ10mlに溶解し50mlの三つ口フラスコ
に入れ、−７０℃に冷却した。1.6N n-BuLiヘキサン溶
液14.4ｍｌ(23.0mmol)をゆっくり加えた後、クロロメチ
ルメチルエーテルを1.87ml(23.0mmol) 加えた。炭酸水
素ナトリウム水溶液で洗浄後、エーテルを留去し、２−
(メトキシメトキシ)-1-ヨウ化ベンゼン(8)を得た。 収量 ５．９３ｇ 収率９９．０％1 Ｈ−ＮＭＲ(400 ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3) δ＝3.52(s,3
H)、5.25(s,2H)、6.76(t,1H,J=1.2Hz)、7.03-7.09(m,2
H)、7.79ppm(d,1H,J=7.8Hz)
0mmol)を乾燥ＴＨＦ10mlに溶解し50mlの三つ口フラスコ
に入れ、−７０℃に冷却した。1.6N n-BuLiヘキサン溶
液14.4ｍｌ(23.0mmol)をゆっくり加えた後、クロロメチ
ルメチルエーテルを1.87ml(23.0mmol) 加えた。炭酸水
素ナトリウム水溶液で洗浄後、エーテルを留去し、２−
(メトキシメトキシ)-1-ヨウ化ベンゼン(8)を得た。 収量 ５．９３ｇ 収率９９．０％1 Ｈ−ＮＭＲ(400 ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3) δ＝3.52(s,3
H)、5.25(s,2H)、6.76(t,1H,J=1.2Hz)、7.03-7.09(m,2
H)、7.79ppm(d,1H,J=7.8Hz)
【００３５】合成例４ 3-ブロモ-2,4-ジメチル-5-［o-(2-オキサプロポキシ)フ
ェニル］チオフェン(5)の合成
ェニル］チオフェン(5)の合成
【化３０】 アルゴン雰囲気下、２，４−ジブロモ−３，５−ジメチ
ルチオフェン(4)8.27g(30.6mmol)を乾燥ＴＨＦ50mlに溶
かして、200mlの三つ口フラスコに入れ、−６０℃に冷
却した。1.6N n-BuLiヘキサン溶液19.1ｍｌ(30.6mmol)
を加えた後、一時間撹拌した。Ｂ(ＯＣＨ3)（ホウ酸ト
リメチル）3.98ml(38.3mmol)を加え、一時間撹拌した
後、室温まで戻した。２−(メトキシメトキシ)-1-ヨウ
化ベンゼン(8)5.93g(22.5mmol)をＴＨＦ約2mlに溶かし
て加え、20w/w％Na2CO3水溶液30gを加えた。［(C6H5)
3P]4Pd(O)（テトラキス（トリフェニルホスフィン）パ
ラジウム）0.1gを加え、約３時間激しく撹拌し加熱還流
した。その後、エーテルで抽出を行った。エーテルを留
去後、ヘキサンに再度溶解させ、数時間放置して結晶化
させ、吸引濾過により無色透明の結晶3-ブロモ-2,4-ジ
メチル-5-［o-(2-オキサプロポキシ)フェニル］チオフ
ェン(5)を得た。 収量 ３．５１ｇ 収率３５．１％ m.p. 84.1-85.3℃ ＭＳm/z３２８(Ｍ+) Ｃ14Ｈ15ＢｒＯ2Ｓ；計算値Ｃ,51.39；Ｈ,4.62 実測値Ｃ,51.47；Ｈ,4.621 Ｈ−ＮＭＲ(400 ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3) δ＝2.10(s,3
H)、2.43(s,3H)、3.43(s,3H)、5.15(s,2H)、7.04(t,1H,
J=7.4Hz)、7.21-7.24(m,2H)、7.31ppm(t,1H,J=6.8Hz)
ルチオフェン(4)8.27g(30.6mmol)を乾燥ＴＨＦ50mlに溶
かして、200mlの三つ口フラスコに入れ、−６０℃に冷
却した。1.6N n-BuLiヘキサン溶液19.1ｍｌ(30.6mmol)
を加えた後、一時間撹拌した。Ｂ(ＯＣＨ3)（ホウ酸ト
リメチル）3.98ml(38.3mmol)を加え、一時間撹拌した
後、室温まで戻した。２−(メトキシメトキシ)-1-ヨウ
化ベンゼン(8)5.93g(22.5mmol)をＴＨＦ約2mlに溶かし
て加え、20w/w％Na2CO3水溶液30gを加えた。［(C6H5)
3P]4Pd(O)（テトラキス（トリフェニルホスフィン）パ
ラジウム）0.1gを加え、約３時間激しく撹拌し加熱還流
した。その後、エーテルで抽出を行った。エーテルを留
去後、ヘキサンに再度溶解させ、数時間放置して結晶化
させ、吸引濾過により無色透明の結晶3-ブロモ-2,4-ジ
メチル-5-［o-(2-オキサプロポキシ)フェニル］チオフ
ェン(5)を得た。 収量 ３．５１ｇ 収率３５．１％ m.p. 84.1-85.3℃ ＭＳm/z３２８(Ｍ+) Ｃ14Ｈ15ＢｒＯ2Ｓ；計算値Ｃ,51.39；Ｈ,4.62 実測値Ｃ,51.47；Ｈ,4.621 Ｈ−ＮＭＲ(400 ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3) δ＝2.10(s,3
H)、2.43(s,3H)、3.43(s,3H)、5.15(s,2H)、7.04(t,1H,
J=7.4Hz)、7.21-7.24(m,2H)、7.31ppm(t,1H,J=6.8Hz)
【００３６】合成例５ 1,2-ビス［2,4-ジメチル-5-［o-(2-オキサプロポキシ)
フェニル］3-チエニル］ヘキサフルオロシクロペンテン
(6)の合成
フェニル］3-チエニル］ヘキサフルオロシクロペンテン
(6)の合成
【化３１】 アルゴン雰囲気下、3-ブロモ-2,4-ジメチル-5-［o-(2-
オキサプロポキシ)フェニル］チオフェン(5)を2.60g(7.
97mmol)と乾燥ＴＨＦ15mlを50mlの三つ口フラスコに入
れ、−６０℃に冷却した。1.6N n-BuLiヘキサン溶液4.9
7ｍｌ(7.95mmol)を加え３０分撹拌後、０℃に冷却した
ＴＨＦ10mlにペルフルオロシクロペンテンを0.3ml加
え、それをゆっくり加えた。反応終了後、エーテルで抽
出を行った。エーテルを留去後、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（WakoＣ−300）で、展開溶媒ヘキサ
ン：酢酸エチル９：１の混合溶液を用いて分離させ、白
色の結晶1,2-ビス［2,4-ジメチル-5-［o-(2-オキサプロ
ポキシ)フェニル］3-チエニル］ヘキサフルオロシクロ
ペンテン(6)を得た。 収量 ０．６４ｇ 収率２４．１％ m.p. 116.5-120.4℃ ＭＳm/z６６８(Ｍ+) Ｃ33Ｈ30Ｆ6Ｏ4Ｓ2；計算値Ｃ,59.27；Ｈ,4.52 実測値Ｃ,58.91；Ｈ,4.591 Ｈ−ＮＭＲ(400 ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3) δ＝1.92(s,6
H)、2.35(s,6H)、3.31(s,6H)、5.01(s,4H)、7.03(t,2H,
J=7.5Hz)、7.16(d,2H,J=8.3Hz)、7.21(d,2H,J=7.6Hz)、
7.30ppm(t,2H,J=6.9Hz)
オキサプロポキシ)フェニル］チオフェン(5)を2.60g(7.
97mmol)と乾燥ＴＨＦ15mlを50mlの三つ口フラスコに入
れ、−６０℃に冷却した。1.6N n-BuLiヘキサン溶液4.9
7ｍｌ(7.95mmol)を加え３０分撹拌後、０℃に冷却した
ＴＨＦ10mlにペルフルオロシクロペンテンを0.3ml加
え、それをゆっくり加えた。反応終了後、エーテルで抽
出を行った。エーテルを留去後、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（WakoＣ−300）で、展開溶媒ヘキサ
ン：酢酸エチル９：１の混合溶液を用いて分離させ、白
色の結晶1,2-ビス［2,4-ジメチル-5-［o-(2-オキサプロ
ポキシ)フェニル］3-チエニル］ヘキサフルオロシクロ
ペンテン(6)を得た。 収量 ０．６４ｇ 収率２４．１％ m.p. 116.5-120.4℃ ＭＳm/z６６８(Ｍ+) Ｃ33Ｈ30Ｆ6Ｏ4Ｓ2；計算値Ｃ,59.27；Ｈ,4.52 実測値Ｃ,58.91；Ｈ,4.591 Ｈ−ＮＭＲ(400 ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3) δ＝1.92(s,6
H)、2.35(s,6H)、3.31(s,6H)、5.01(s,4H)、7.03(t,2H,
J=7.5Hz)、7.16(d,2H,J=8.3Hz)、7.21(d,2H,J=7.6Hz)、
7.30ppm(t,2H,J=6.9Hz)
【００３７】合成例６ 1,2-ビス［2,4-ジメチル-5-［o-(2-ヒドロキシ)フェニ
ル］3-チエニル］ヘキサフルオロシクロペンテン(1)
ル］3-チエニル］ヘキサフルオロシクロペンテン(1)
【化３２】 メタノール15ml中に、1,2-ビス［2,4-ジメチル-5-［o-
(2-オキサプロポキシ)フェニル］3-チエニル］ヘキサフ
ルオロシクロペンテン(6)を0.13g(0.19mmol)溶解し、濃
塩酸を５滴ほど加えて、１５分間６２℃で加熱還流を行
った。100mlのエーテルで抽出を行い、室温まで放冷
後、エーテルを留去し、白色の結晶1,2-ビス［2,4-ジメ
チル-5-［o-(2-ヒドロキシ)フェニル］3-チエニル］ヘ
キサフルオロシクロペンテン(1) を得た。得られた化合
物(1)のヘキサン溶液における吸収スペクトルを図２に
示す。また、該化合物の赤外吸収スペクトルを図４に示
す。 収量 ０．０９ｇ 収率８１．８％ m.p. 93.5−94.9℃ ＭＳm/z５８０(Ｍ+) Ｃ29Ｈ22Ｆ6Ｏ2Ｓ2・Ｈ2Ｏ；計算値Ｃ,58.19；Ｈ,4.04 実測値Ｃ,58.67；Ｈ,4.041 Ｈ−ＮＭＲ(400 ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3) δ＝1.82(s,6
H)、2.35(s,6H,a-p)、1.88(s,6H,p)、2.36(s,6H,a-p)、
2.42(s,6H,p)、6.93-7.00ppm(m,8H)
(2-オキサプロポキシ)フェニル］3-チエニル］ヘキサフ
ルオロシクロペンテン(6)を0.13g(0.19mmol)溶解し、濃
塩酸を５滴ほど加えて、１５分間６２℃で加熱還流を行
った。100mlのエーテルで抽出を行い、室温まで放冷
後、エーテルを留去し、白色の結晶1,2-ビス［2,4-ジメ
チル-5-［o-(2-ヒドロキシ)フェニル］3-チエニル］ヘ
キサフルオロシクロペンテン(1) を得た。得られた化合
物(1)のヘキサン溶液における吸収スペクトルを図２に
示す。また、該化合物の赤外吸収スペクトルを図４に示
す。 収量 ０．０９ｇ 収率８１．８％ m.p. 93.5−94.9℃ ＭＳm/z５８０(Ｍ+) Ｃ29Ｈ22Ｆ6Ｏ2Ｓ2・Ｈ2Ｏ；計算値Ｃ,58.19；Ｈ,4.04 実測値Ｃ,58.67；Ｈ,4.041 Ｈ−ＮＭＲ(400 ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3) δ＝1.82(s,6
H)、2.35(s,6H,a-p)、1.88(s,6H,p)、2.36(s,6H,a-p)、
2.42(s,6H,p)、6.93-7.00ppm(m,8H)
【００３８】実施例 ジアリールエテン誘導体［上記化合物(1)］の酸化重合
【化３３】 ジアリールエテン誘導体と臭化銅、ＴＭＥＤＡ（N,N,
N',N'−テトラメチルエチレンジアミン）をｏ−ジクロ
ロベンゼンに溶かし、激しく酸素を通しながら８５℃で
１００分間加熱還流を行った。得られた重合体(9)を再
沈殿させ吸引濾過後、クロロホルムに溶解し、溶液キャ
スティングを行い膜を作成した。得られた膜に紫外光を
照射するとフォトクロミズムを示した。その膜の反射ス
ペクトルを測定し、スペクトルを図３に示す。また、得
られた重合体(9)の赤外吸収スペクトルを図５に示す。
図４と図５より、化合物(1)に存在した水酸基由来の３
３５０ｃｍ-1付近のピークが、上記酸化重合反応後には
消失しており、重合体が生成していることが確認され
た。
N',N'−テトラメチルエチレンジアミン）をｏ−ジクロ
ロベンゼンに溶かし、激しく酸素を通しながら８５℃で
１００分間加熱還流を行った。得られた重合体(9)を再
沈殿させ吸引濾過後、クロロホルムに溶解し、溶液キャ
スティングを行い膜を作成した。得られた膜に紫外光を
照射するとフォトクロミズムを示した。その膜の反射ス
ペクトルを測定し、スペクトルを図３に示す。また、得
られた重合体(9)の赤外吸収スペクトルを図５に示す。
図４と図５より、化合物(1)に存在した水酸基由来の３
３５０ｃｍ-1付近のピークが、上記酸化重合反応後には
消失しており、重合体が生成していることが確認され
た。
【００３９】
【発明の効果】本発明の高分子フォトクロミック材料
は、記録層の薄膜形成を容易に行うことができ、またこ
の物質はジアリールエテン系化合物のエテン結合部位に
特定の置換基を導入した単量体から容易に取得すること
出来るので、光記録媒体の形成に有用である。
は、記録層の薄膜形成を容易に行うことができ、またこ
の物質はジアリールエテン系化合物のエテン結合部位に
特定の置換基を導入した単量体から容易に取得すること
出来るので、光記録媒体の形成に有用である。
【図１】本発明の高分子フォトクロミック材料の合成経
路の概略を示す図である。
路の概略を示す図である。
【図２】合成例６で得られた化合物(1)のヘキサン溶液
における吸収スペクトルを示す。
における吸収スペクトルを示す。
【図３】実施例で得られた重合体(9)を用いた薄膜の紫
外光による反射スペクトルを示す。
外光による反射スペクトルを示す。
【図４】 合成例６で得られた化合物(1)の赤外吸収スペ
クトルを示す。
クトルを示す。
【図５】 実施例で得られた重合体(9)の赤外吸収スペク
トルを示す。
トルを示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H123 AA00 AA08 AA09 AA10 4J005 AA23 BA00 BB01 5D029 JA04 JC03
Claims (7)
- 【請求項１】下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位
を有する高分子フォトクロミック材料。 【化１】 ［式中、環Ａは、下記の５員環構造を有する基から選ば
れ、Ｂ及びＤは、各々独立に下記の式(II)〜(IV) で示
される複素環基のいずれかを表す。 環Ａ： 【化２】 複素環基Ｂ、Ｄ： 【化３】 （上記式(II)〜(IV)において、Ｘ及びＺは、−ＮＲ
7−、−Ｓ−または−Ｏ−を表し、Ｙは−ＣＲ8＝または
−Ｎ＝を表す。また、Ｒ1〜Ｒ8は、それぞれ下記の意味
を表す。 Ｒ1：置換基を有していても良い炭素数１〜８の直鎖若
しくは分岐状のアルキル基、または置換基を有していて
も良い炭素数６〜１０のアリール基； Ｒ2：炭素数１〜４の直鎖若しくは分岐状のアルキル基
またはアルコキシ基； Ｒ3：下記の置換フェニル基または置換ナフチル基； 【化４】 Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6：いずれかひとつが下記の置換フェニル
基または置換ナフチル基であり、残りの２つは水素原子
を表す。 【化５】 Ｒ7：水素原子或いは炭素数１〜１０の直鎖若しくは分
岐状炭化水素基又は環状炭化水素基 ； Ｒ8： 水素原子またはメチル基；］ - 【請求項２】上記一般式（Ｉ）において、複素環基Ｂ及
びＤがいずれも独立に式（II）で表される５員環構造の
基であることを特徴とする請求項１記載の高分子フォト
クロミック材料。 - 【請求項３】ポリスチレン換算重量平均分子量が、１，
０００〜１００，０００であることを特徴とする請求項
１又は２記載の高分子フォトクロミック材料。 - 【請求項４】下記一般式（Ｖ）で表される化合物を酸化
重合することにより得られることを特徴とする請求項１
乃至３のいずれか一項記載の高分子フォトクロミック材
料。 【化６】 ［式中、環Ａは、下記の５員環構造を有する基から選ば
れ、複素環基Ｂ’及びＤ’は各々独立に下記の式(II)’
〜(IV)’で示される複素環基のいずれかを表す。環Ａ：
上記一般式（Ｉ）におけると同義を表す。 複素環基Ｂ’、Ｄ’： 【化７】 （上記式(II)’〜(IV)’において、Ｘ、Ｚ及びＹは、上
記一般式（Ｉ）におけると同義を表す。また、Ｒ1、
Ｒ2、Ｒ7、Ｒ8及びＲ3a〜Ｒ6aは、それぞれ下記の意味
を表す。Ｒ1及びＲ2：上記一般式（Ｉ）におけると同義
を表す；Ｒ3a ：下記のヒドロキシ基若しくはメルカプ
ト基で置換されたフェニル基またはヒドロキシ基若しく
はメルカプト基で置換されたナフチル基； 【化８】 Ｒ4a、Ｒ5a、Ｒ6a ：いずれかひとつが下記のヒドロキ
シ基若しくはメルカプト基で置換されたフェニル基また
はヒドロキシ基若しくはメルカプト基で置換された置換
ナフチル基であり、残りの２つは水素原子を表す。 【化９】 Ｒ7及びＲ8：上記一般式（Ｉ）におけると同義を表
す。］ - 【請求項５】上記一般式（Ｖ）において、Ｂ’及びＤ’
がいずれも独立に式（II）’で表される５員環構造の基
であることを特徴とする請求項４記載の高分子フォトク
ロミック材料。 - 【請求項６】上記一般式（Ｉ）及び（Ｖ）において、Ｒ
1が有し得る置換基は、−ＣＮ、ハロゲン原子、または
−ＮＯ2であることを特徴とする請求項１乃至５のいず
れか一項記載の高分子フォトクロミック材料。 - 【請求項７】基板上に、請求項１乃至６のいずれか一項
に記載の高分子フォトクロミック材料を含む記録層を有
することを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001107448A JP3926998B2 (ja) | 2001-04-05 | 2001-04-05 | フォトクロミック材料及びそれを用いた光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001107448A JP3926998B2 (ja) | 2001-04-05 | 2001-04-05 | フォトクロミック材料及びそれを用いた光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002302669A true JP2002302669A (ja) | 2002-10-18 |
| JP3926998B2 JP3926998B2 (ja) | 2007-06-06 |
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ID=18959772
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2001
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