JP2002289861A - 半導体装置およびそれを用いた液晶表示装置 - Google Patents
半導体装置およびそれを用いた液晶表示装置Info
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- JP2002289861A JP2002289861A JP2001088353A JP2001088353A JP2002289861A JP 2002289861 A JP2002289861 A JP 2002289861A JP 2001088353 A JP2001088353 A JP 2001088353A JP 2001088353 A JP2001088353 A JP 2001088353A JP 2002289861 A JP2002289861 A JP 2002289861A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性の高い半導体装置およびそれを備える
液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 主面と主面に対向する裏面とを有するプ
ラスチック基板と、プラスチック基板の主面上に形成さ
れた第１樹脂層と、第１樹脂層上に形成された第１無機
絶縁層と、第１無機絶縁層上に形成された半導体素子と
を有する。
液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 主面と主面に対向する裏面とを有するプ
ラスチック基板と、プラスチック基板の主面上に形成さ
れた第１樹脂層と、第１樹脂層上に形成された第１無機
絶縁層と、第１無機絶縁層上に形成された半導体素子と
を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
それを用いた液晶表示装置に関し、特に、プラスチック
基板を備えた半導体装置およびそれを用いた液晶表示装
置に関する。
それを用いた液晶表示装置に関し、特に、プラスチック
基板を備えた半導体装置およびそれを用いた液晶表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、アクティブマトリクス型液晶表示
装置は、パーソナルコンピュータの表示装置、薄型テレ
ビ、ビデオ撮像装置やデジタルカメラの表示装置等とし
て広く利用されている。アクティブマトリクス型液晶表
示装置は、画素領域毎に、薄膜トランジスタなどのスイ
ッチング素子を備えており、このスイッチング素子は、
ガラス基板や石英基板などの絶縁性基板上に形成されて
いる。
装置は、パーソナルコンピュータの表示装置、薄型テレ
ビ、ビデオ撮像装置やデジタルカメラの表示装置等とし
て広く利用されている。アクティブマトリクス型液晶表
示装置は、画素領域毎に、薄膜トランジスタなどのスイ
ッチング素子を備えており、このスイッチング素子は、
ガラス基板や石英基板などの絶縁性基板上に形成されて
いる。
【０００３】アクティブマトリクス型液晶表示装置の軽
量化、低コスト化および耐衝撃性の向上のために、プラ
スチック基板上にスイッチング素子が形成された液晶表
示装置が提案されている。
量化、低コスト化および耐衝撃性の向上のために、プラ
スチック基板上にスイッチング素子が形成された液晶表
示装置が提案されている。
【０００４】しかしながら、プラスチック基板上に薄膜
トランジスタなどの半導体素子を形成する場合、ガラス
基板上に形成する場合とは異なる種々の問題が発生す
る。
トランジスタなどの半導体素子を形成する場合、ガラス
基板上に形成する場合とは異なる種々の問題が発生す
る。
【０００５】プラスチック基板上への半導体素子の形成
を容易にするために、特許第２９００２２９号公報は、
プラスチック基板上に樹脂層を形成し、この樹脂層上に
薄膜トランジスタを形成することによって、プラスチッ
ク基板の表面を平坦化するとともに、薄膜トランジスタ
の形成工程における熱による、プラスチック基板表面で
のオリゴマー（直径１μｍ程度の重合体）の発生を防止
する技術を開示している。
を容易にするために、特許第２９００２２９号公報は、
プラスチック基板上に樹脂層を形成し、この樹脂層上に
薄膜トランジスタを形成することによって、プラスチッ
ク基板の表面を平坦化するとともに、薄膜トランジスタ
の形成工程における熱による、プラスチック基板表面で
のオリゴマー（直径１μｍ程度の重合体）の発生を防止
する技術を開示している。
【０００６】また、特許第２９８６９３３号公報は、プ
ラスチック基板の両面に非晶質の無機物質層を形成し、
この無機物質層上に薄膜積層デバイスを形成することに
よって、プラスチック基板の熱伸縮や水分による膨潤を
防止する技術を開示している。
ラスチック基板の両面に非晶質の無機物質層を形成し、
この無機物質層上に薄膜積層デバイスを形成することに
よって、プラスチック基板の熱伸縮や水分による膨潤を
防止する技術を開示している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
公報に開示されている技術は、以下のような問題を有し
ていることを本願発明者は見出した。
公報に開示されている技術は、以下のような問題を有し
ていることを本願発明者は見出した。
【０００８】上述の特許第２９００２２９号公報が開示
している技術においては、樹脂層上に薄膜トランジスタ
を形成するので、薄膜トランジスタを構成する金属層や
半導体層の剥離が発生し、薄膜トランジスタの信頼性が
低下する。これは、金属層（または半導体層）と樹脂層
との接着性（密着性）が低いためである。また、薄膜ト
ランジスタの形成工程における熱によって、基板に異方
的な伸びが発生し、薄膜トランジスタの形成が困難にな
るという問題もある。
している技術においては、樹脂層上に薄膜トランジスタ
を形成するので、薄膜トランジスタを構成する金属層や
半導体層の剥離が発生し、薄膜トランジスタの信頼性が
低下する。これは、金属層（または半導体層）と樹脂層
との接着性（密着性）が低いためである。また、薄膜ト
ランジスタの形成工程における熱によって、基板に異方
的な伸びが発生し、薄膜トランジスタの形成が困難にな
るという問題もある。
【０００９】また、上述の特許第２９８６９３３号公報
が開示している技術においては、プラスチック基板の両
面に非晶質の無機物質層を形成するが、スパッタリング
法を用いて無機物質層を堆積すると、多孔性の膜になり
やすい。従って、薄膜積層デバイスの形成工程におい
て、スパッタやＣＶＤによる薄膜堆積の際の各種ガス
や、フォトリソグラフィープロセスを用いたパターニン
グの際の薬液処理工程や洗浄工程で用いられる溶液等の
水分が、プラスチック基板内に侵入する。そのため、薄
膜積層デバイスの完成後に、プラスチック基板内に残存
する水分が薄膜積層デバイスに侵入し、薄膜積層デバイ
スが劣化して、薄膜積層デバイスの信頼性が低下する。
また、上述の薄膜積層デバイスを有するプラスチック基
板を用いて液晶パネルを形成すると、プラスチック基板
中を透過した水分やガスが液晶層に侵入し、表示欠陥
（例えば黒点）が発生して液晶表示装置の表示特性が著
しく劣化するという問題がある。
が開示している技術においては、プラスチック基板の両
面に非晶質の無機物質層を形成するが、スパッタリング
法を用いて無機物質層を堆積すると、多孔性の膜になり
やすい。従って、薄膜積層デバイスの形成工程におい
て、スパッタやＣＶＤによる薄膜堆積の際の各種ガス
や、フォトリソグラフィープロセスを用いたパターニン
グの際の薬液処理工程や洗浄工程で用いられる溶液等の
水分が、プラスチック基板内に侵入する。そのため、薄
膜積層デバイスの完成後に、プラスチック基板内に残存
する水分が薄膜積層デバイスに侵入し、薄膜積層デバイ
スが劣化して、薄膜積層デバイスの信頼性が低下する。
また、上述の薄膜積層デバイスを有するプラスチック基
板を用いて液晶パネルを形成すると、プラスチック基板
中を透過した水分やガスが液晶層に侵入し、表示欠陥
（例えば黒点）が発生して液晶表示装置の表示特性が著
しく劣化するという問題がある。
【００１０】上述の問題は、非晶質の無機物質層が水分
やガスなどに対する十分なバリア性を備えていないこと
に起因する。十分なバリア性を得るために、無機物質層
を厚く（例えば約１００ｎｍ以上）形成すると、膜応力
による基板の反りが発生し、クラックや膜剥がれが発生
して、薄膜積層デバイスの信頼性が低下する。上述の特
許第２９８６９３３号公報に開示されているように、基
板の両面に無機物質膜を形成すると、基板の反りが抑制
されるが、無機物質層はきずが入りやすいので、製造工
程での基板の搬送中に、基板の裏面に設けられた無機物
質層にきずが入り、製造の歩留まりが低下する。
やガスなどに対する十分なバリア性を備えていないこと
に起因する。十分なバリア性を得るために、無機物質層
を厚く（例えば約１００ｎｍ以上）形成すると、膜応力
による基板の反りが発生し、クラックや膜剥がれが発生
して、薄膜積層デバイスの信頼性が低下する。上述の特
許第２９８６９３３号公報に開示されているように、基
板の両面に無機物質膜を形成すると、基板の反りが抑制
されるが、無機物質層はきずが入りやすいので、製造工
程での基板の搬送中に、基板の裏面に設けられた無機物
質層にきずが入り、製造の歩留まりが低下する。
【００１１】本発明は、上述の問題に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、信頼性の高い半導体装置および
それを用いた液晶表示装置を提供することにある。
のであり、その目的は、信頼性の高い半導体装置および
それを用いた液晶表示装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
は、主面と前記主面に対向する裏面とを有するプラスチ
ック基板と、前記プラスチック基板の前記主面上に形成
された第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に形成された第
１無機絶縁層と、前記第１無機絶縁層上に形成された半
導体素子と、を有し、そのことによって上記目的が達成
される。
は、主面と前記主面に対向する裏面とを有するプラスチ
ック基板と、前記プラスチック基板の前記主面上に形成
された第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に形成された第
１無機絶縁層と、前記第１無機絶縁層上に形成された半
導体素子と、を有し、そのことによって上記目的が達成
される。
【００１３】前記裏面上に形成された第２樹脂層をさら
に有することが好ましい。
に有することが好ましい。
【００１４】前記第２樹脂層上には無機絶縁層が形成さ
れていない構成としてもよいし、前記第２樹脂層上に形
成された第２無機絶縁層をさらに有する構成としてもよ
い。
れていない構成としてもよいし、前記第２樹脂層上に形
成された第２無機絶縁層をさらに有する構成としてもよ
い。
【００１５】前記第１樹脂層の厚さは、１μｍ〜１０μ
ｍの範囲内にあることが好ましい。
ｍの範囲内にあることが好ましい。
【００１６】前記第１無機絶縁層の厚さは、１０ｎｍ以
上３０ｎｍ未満であることが好ましい。
上３０ｎｍ未満であることが好ましい。
【００１７】前記第１樹脂層の水分透過率は、温度が２
５℃のとき、０．１cc/m2・day・atm〜２０cc/m2・day
・atmの範囲内にあることが好ましい。なお、ここで水
分透過率とは、大気圧１ａｔｍにおいて、単位時間（１
日）・単位面積（１ｍ2）当たりに第１樹脂層を透過す
る水分の量（水の体積）である。
５℃のとき、０．１cc/m2・day・atm〜２０cc/m2・day
・atmの範囲内にあることが好ましい。なお、ここで水
分透過率とは、大気圧１ａｔｍにおいて、単位時間（１
日）・単位面積（１ｍ2）当たりに第１樹脂層を透過す
る水分の量（水の体積）である。
【００１８】前記第１樹脂層の酸素透過率は、温度が２
５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１cc/m2・day・
atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にあることが好まし
い。なお、ここで酸素透過率とは、大気圧１ａｔｍにお
いて、単位時間（１日）・単位面積（１ｍ2）当たりに
第１樹脂層を透過する酸素の量（体積）である。また、
相対湿度とは、飽和水蒸気圧に対する、空気中の実際の
水蒸気圧の比であり、０％ＲＨは、絶対乾燥状態を示
す。
５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１cc/m2・day・
atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にあることが好まし
い。なお、ここで酸素透過率とは、大気圧１ａｔｍにお
いて、単位時間（１日）・単位面積（１ｍ2）当たりに
第１樹脂層を透過する酸素の量（体積）である。また、
相対湿度とは、飽和水蒸気圧に対する、空気中の実際の
水蒸気圧の比であり、０％ＲＨは、絶対乾燥状態を示
す。
【００１９】本発明による液晶表示装置は、上記の構成
を有する半導体装置と、液晶層と、前記液晶層に電圧を
印加する電極とを備えており、そのことによって上記目
的が達成される。
を有する半導体装置と、液晶層と、前記液晶層に電圧を
印加する電極とを備えており、そのことによって上記目
的が達成される。
【００２０】前記半導体装置の前記プラスチック基板に
前記液晶層を介して対向するように設けられた対向基板
を更に有し、前記対向基板は、更なるプラスチック基板
と、前記更なるプラスチック基板の前記液晶層側の表面
に形成された第３樹脂層と、前記第３樹脂層上に形成さ
れた電極層とを有することが好ましい。
前記液晶層を介して対向するように設けられた対向基板
を更に有し、前記対向基板は、更なるプラスチック基板
と、前記更なるプラスチック基板の前記液晶層側の表面
に形成された第３樹脂層と、前記第３樹脂層上に形成さ
れた電極層とを有することが好ましい。
【００２１】前記第３樹脂層の水分透過率は、温度が２
５℃のとき、０．１cc/m2・day・atm〜２０cc/m2・day
・atmの範囲内にあることが好ましい。
５℃のとき、０．１cc/m2・day・atm〜２０cc/m2・day
・atmの範囲内にあることが好ましい。
【００２２】前記第３樹脂層の酸素透過率は、温度が２
５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１cc/m2・day・
atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にあることが好まし
い。
５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１cc/m2・day・
atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にあることが好まし
い。
【００２３】以下、本発明の作用を説明する。
【００２４】本発明による半導体装置においては、プラ
スチック基板の主面上に形成された第１樹脂層上に第１
無機絶縁層が形成され、この第１無機絶縁層上に半導体
素子が形成されている。
スチック基板の主面上に形成された第１樹脂層上に第１
無機絶縁層が形成され、この第１無機絶縁層上に半導体
素子が形成されている。
【００２５】プラスチック基板の主面上に形成された第
１樹脂層は、ガスおよび水分に対するバリア層として機
能するので、半導体素子の形成工程において、ガスおよ
び水分がプラスチック基板内に侵入することが防止され
るとともに、半導体素子の形成後にプラスチック基板側
から半導体素子側にガスおよび水分が透過することが防
止される。従って、本発明による半導体装置において
は、水分が半導体素子に侵入することによる半導体素子
の劣化が防止される。さらに、本発明による半導体装置
を備えた液晶表示装置においては、プラスチック基板中
を透過した水分やガスが液晶層に侵入することによる表
示品位の劣化が防止される。
１樹脂層は、ガスおよび水分に対するバリア層として機
能するので、半導体素子の形成工程において、ガスおよ
び水分がプラスチック基板内に侵入することが防止され
るとともに、半導体素子の形成後にプラスチック基板側
から半導体素子側にガスおよび水分が透過することが防
止される。従って、本発明による半導体装置において
は、水分が半導体素子に侵入することによる半導体素子
の劣化が防止される。さらに、本発明による半導体装置
を備えた液晶表示装置においては、プラスチック基板中
を透過した水分やガスが液晶層に侵入することによる表
示品位の劣化が防止される。
【００２６】また、第１無機絶縁層によって、半導体素
子の形成工程における熱による異方的な基板の伸縮（例
えば、走査配線が延設されている第１方向と、第１方向
に直交する第２方向とでの基板の伸び率の違いに起因す
る、異方的な伸縮）が等方的なものとなり、半導体素子
の形成が容易になる。
子の形成工程における熱による異方的な基板の伸縮（例
えば、走査配線が延設されている第１方向と、第１方向
に直交する第２方向とでの基板の伸び率の違いに起因す
る、異方的な伸縮）が等方的なものとなり、半導体素子
の形成が容易になる。
【００２７】さらに、第１樹脂層上に形成された第１無
機絶縁層上に半導体素子が形成されているので、半導体
素子を構成する金属層や半導体層と第１樹脂層との界面
が存在しない。従って、金属層や半導体層の剥離が防止
される。なお、第１樹脂層と第１無機絶縁層との間に
は、第１樹脂層との界面における剥離が発生しにくい
（第１樹脂層に対する接着性が比較的高い）他の層が介
在していてもよい。接着性などの観点からは、第１樹脂
層上に第１無機絶縁層が直接形成されていることが好ま
しい。
機絶縁層上に半導体素子が形成されているので、半導体
素子を構成する金属層や半導体層と第１樹脂層との界面
が存在しない。従って、金属層や半導体層の剥離が防止
される。なお、第１樹脂層と第１無機絶縁層との間に
は、第１樹脂層との界面における剥離が発生しにくい
（第１樹脂層に対する接着性が比較的高い）他の層が介
在していてもよい。接着性などの観点からは、第１樹脂
層上に第１無機絶縁層が直接形成されていることが好ま
しい。
【００２８】そして、本発明による半導体装置において
は、第１樹脂層がガスおよび水分に対するバリア層とし
て機能するので、第１無機絶縁層をバリア層として機能
させる必要がなく、第１無機絶縁層の厚さを、膜応力に
よる基板の反りが発生しない程度に薄くすることが可能
となる。従って、基板の反りを抑制するために基板の裏
面側にさらなる無機絶縁層を設ける必要がなく、基板の
裏面側に設けた無機絶縁層にきずが入ることによって製
造歩留まりが低下することがない。そのため、本発明に
よる半導体装置は、信頼性が高く、且つ、効率よく製造
できる。
は、第１樹脂層がガスおよび水分に対するバリア層とし
て機能するので、第１無機絶縁層をバリア層として機能
させる必要がなく、第１無機絶縁層の厚さを、膜応力に
よる基板の反りが発生しない程度に薄くすることが可能
となる。従って、基板の反りを抑制するために基板の裏
面側にさらなる無機絶縁層を設ける必要がなく、基板の
裏面側に設けた無機絶縁層にきずが入ることによって製
造歩留まりが低下することがない。そのため、本発明に
よる半導体装置は、信頼性が高く、且つ、効率よく製造
できる。
【００２９】第１樹脂層の厚さは、１μｍ〜１０μｍの
範囲内にあることが好ましい。第１樹脂層の厚さが１μ
ｍ未満であると、ガスおよび水分に対するバリア性が十
分でないことがある。第１樹脂層の厚さが１０μｍを越
えると、十分な平坦性が得られないことがある。
範囲内にあることが好ましい。第１樹脂層の厚さが１μ
ｍ未満であると、ガスおよび水分に対するバリア性が十
分でないことがある。第１樹脂層の厚さが１０μｍを越
えると、十分な平坦性が得られないことがある。
【００３０】第１樹脂層の水分透過率は、温度が２５℃
のとき、０．１cc/m2・day・atm〜２０cc/m2・day・atm
の範囲内にあることが好ましい。第１樹脂層の水分透過
率が２０cc/m2・day・atmを越えると、半導体素子が劣
化する場合がある。
のとき、０．１cc/m2・day・atm〜２０cc/m2・day・atm
の範囲内にあることが好ましい。第１樹脂層の水分透過
率が２０cc/m2・day・atmを越えると、半導体素子が劣
化する場合がある。
【００３１】また、第１樹脂層の酸素透過率は、温度が
２５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１cc/m2・day
・atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にあることが好まし
い。第１樹脂層の酸素透過率が５cc/m2・day・atmを越
えると、本発明による半導体装置を液晶表示装置に用い
た場合、表示品位が劣化することがある。
２５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１cc/m2・day
・atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にあることが好まし
い。第１樹脂層の酸素透過率が５cc/m2・day・atmを越
えると、本発明による半導体装置を液晶表示装置に用い
た場合、表示品位が劣化することがある。
【００３２】第１無機絶縁層の厚さは、１０ｎｍ以上３
０ｎｍ未満であることが好ましい。第１無機絶縁層の厚
さが１０ｎｍ未満であると、スパッタ法などを用いて堆
積する場合に均一に製膜されず、第１無機絶縁層が形成
されない領域ができることがある。第１無機絶縁層の厚
さが３０ｎｍ以上であると、膜応力によるクラックや膜
剥がれが発生し、半導体素子を構成する金属層や半導体
層の形成が困難になることがある。
０ｎｍ未満であることが好ましい。第１無機絶縁層の厚
さが１０ｎｍ未満であると、スパッタ法などを用いて堆
積する場合に均一に製膜されず、第１無機絶縁層が形成
されない領域ができることがある。第１無機絶縁層の厚
さが３０ｎｍ以上であると、膜応力によるクラックや膜
剥がれが発生し、半導体素子を構成する金属層や半導体
層の形成が困難になることがある。
【００３３】裏面上に形成された第２樹脂層をさらに有
する構成とすると、ガスおよび水分に対するバリア層が
プラスチック基板の両面に設けられるため、半導体素子
の形成工程において、ガスおよび水分がプラスチック基
板内に侵入することがより確実に防止される。従って、
水分が半導体素子に侵入することによる半導体素子の劣
化がより確実に防止される。さらに、本発明による半導
体装置を備えた液晶表示装置においては、プラスチック
基板中を透過した水分やガスが液晶層に侵入することに
よる表示品位の劣化がより確実に防止される。また、半
導体素子の形成工程において水分がプラスチック基板内
に侵入することがより確実に防止されるので、水分によ
る膨潤に起因するプラスチック基板の伸縮が防止され
て、半導体素子の形成が容易になる。
する構成とすると、ガスおよび水分に対するバリア層が
プラスチック基板の両面に設けられるため、半導体素子
の形成工程において、ガスおよび水分がプラスチック基
板内に侵入することがより確実に防止される。従って、
水分が半導体素子に侵入することによる半導体素子の劣
化がより確実に防止される。さらに、本発明による半導
体装置を備えた液晶表示装置においては、プラスチック
基板中を透過した水分やガスが液晶層に侵入することに
よる表示品位の劣化がより確実に防止される。また、半
導体素子の形成工程において水分がプラスチック基板内
に侵入することがより確実に防止されるので、水分によ
る膨潤に起因するプラスチック基板の伸縮が防止され
て、半導体素子の形成が容易になる。
【００３４】第２樹脂層上には無機絶縁層が形成されて
いない構成としてもよいし、第２樹脂層上に形成された
第２無機絶縁層をさらに有する構成としてもよい。第２
樹脂層上には無機絶縁層が形成されていない構成とする
と、製造の歩留まりが低下することがない。一方、第２
樹脂層上に形成された第２無機絶縁層をさらに有する構
成とすると、プラスチック基板や第１および第２樹脂層
よりも膨張係数が小さい無機絶縁層（第１無機絶縁層お
よび第２無機絶縁層）が基板の両面に設けられているの
で、基板の伸縮が防止され、半導体素子の形成が容易に
なる。また、基板の両面において応力の釣り合いがとれ
るので、基板の反りが防止される。
いない構成としてもよいし、第２樹脂層上に形成された
第２無機絶縁層をさらに有する構成としてもよい。第２
樹脂層上には無機絶縁層が形成されていない構成とする
と、製造の歩留まりが低下することがない。一方、第２
樹脂層上に形成された第２無機絶縁層をさらに有する構
成とすると、プラスチック基板や第１および第２樹脂層
よりも膨張係数が小さい無機絶縁層（第１無機絶縁層お
よび第２無機絶縁層）が基板の両面に設けられているの
で、基板の伸縮が防止され、半導体素子の形成が容易に
なる。また、基板の両面において応力の釣り合いがとれ
るので、基板の反りが防止される。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
による実施形態を説明する。なお、以下の説明において
は、液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基
板について説明するが、本発明はこれに限定されず、半
導体素子を備える半導体装置全般に好適に用いられる。 （実施形態１）図１に、本発明による実施形態１のアク
ティブマトリクス基板１００を模式的に示す。
による実施形態を説明する。なお、以下の説明において
は、液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基
板について説明するが、本発明はこれに限定されず、半
導体素子を備える半導体装置全般に好適に用いられる。 （実施形態１）図１に、本発明による実施形態１のアク
ティブマトリクス基板１００を模式的に示す。
【００３６】アクティブマトリクス基板１００は、主面
１０１ａと主面１０１ａに対向する裏面１０１ｂとを有
するプラスチック基板１０１と、プラスチック基板１０
１の主面１０１ａ上に形成された第１樹脂層１０２と、
第１樹脂層１０２上に形成された第１無機絶縁層１０３
と、第１無機絶縁層１０３上に形成され、マトリクス状
に配列された薄膜トランジスタ１４０とを有する。
１０１ａと主面１０１ａに対向する裏面１０１ｂとを有
するプラスチック基板１０１と、プラスチック基板１０
１の主面１０１ａ上に形成された第１樹脂層１０２と、
第１樹脂層１０２上に形成された第１無機絶縁層１０３
と、第１無機絶縁層１０３上に形成され、マトリクス状
に配列された薄膜トランジスタ１４０とを有する。
【００３７】第１無機絶縁層１０３上には、走査配線
（不図示）と、走査配線と一体に形成されたゲート電極
１０４とが形成されており、これらを覆うようにゲート
絶縁膜１０５が形成されている。ゲート電極１０４上に
位置するゲート絶縁膜１０５上に、真性半導体膜（チャ
ネル部１１１を含む）１０６、導電性半導体膜１０７、
ソース電極１０９、ドレイン電極１１０が形成されてい
る。
（不図示）と、走査配線と一体に形成されたゲート電極
１０４とが形成されており、これらを覆うようにゲート
絶縁膜１０５が形成されている。ゲート電極１０４上に
位置するゲート絶縁膜１０５上に、真性半導体膜（チャ
ネル部１１１を含む）１０６、導電性半導体膜１０７、
ソース電極１０９、ドレイン電極１１０が形成されてい
る。
【００３８】ソース電極１０９は、信号配線（不図示）
と電気的に接続されており、ドレイン電極１１０は、画
素電極１０８と電気的に接続されている。ソース電極１
０９は、透明導電層１０９ａと金属層１０９ｂとからな
る２層構造を有し、透明導電層と金属層とからなる２層
構造を有する信号配線と一体に形成されている。また、
ドレイン電極１１０は、透明導電層１１０ａと金属層１
１０ｂとからなる２層構造を有し、ドレイン電極１１０
の下層を構成する透明導電層１１０ａは、画素電極１０
８を構成する透明導電層１０８と一体に形成されてい
る。なお、ソース電極１０９およびドレイン電極１１０
は、単層構造であってもよいし、信号配線や画素電極１
０８と一体に形成されていなくてもよい。
と電気的に接続されており、ドレイン電極１１０は、画
素電極１０８と電気的に接続されている。ソース電極１
０９は、透明導電層１０９ａと金属層１０９ｂとからな
る２層構造を有し、透明導電層と金属層とからなる２層
構造を有する信号配線と一体に形成されている。また、
ドレイン電極１１０は、透明導電層１１０ａと金属層１
１０ｂとからなる２層構造を有し、ドレイン電極１１０
の下層を構成する透明導電層１１０ａは、画素電極１０
８を構成する透明導電層１０８と一体に形成されてい
る。なお、ソース電極１０９およびドレイン電極１１０
は、単層構造であってもよいし、信号配線や画素電極１
０８と一体に形成されていなくてもよい。
【００３９】上述のゲート電極１０４、ゲート絶縁膜１
０５、真性半導体膜１０６、導電性半導体膜１０７、ソ
ース電極１０９およびドレイン電極１１０が薄膜トラン
ジスタ１４０を構成する。さらに、薄膜トランジスタ１
４０を覆うように保護絶縁膜１１２が形成されている。
０５、真性半導体膜１０６、導電性半導体膜１０７、ソ
ース電極１０９およびドレイン電極１１０が薄膜トラン
ジスタ１４０を構成する。さらに、薄膜トランジスタ１
４０を覆うように保護絶縁膜１１２が形成されている。
【００４０】本発明による実施形態１のアクティブマト
リクス基板１００においては、プラスチック基板１０１
の主面１０１ａ上に形成された第１樹脂層１０２上に第
１無機絶縁層１０３が形成され、この第１無機絶縁層１
０３上に薄膜トランジスタ１４０が形成されている。
リクス基板１００においては、プラスチック基板１０１
の主面１０１ａ上に形成された第１樹脂層１０２上に第
１無機絶縁層１０３が形成され、この第１無機絶縁層１
０３上に薄膜トランジスタ１４０が形成されている。
【００４１】プラスチック基板１０１の主面１０１ａ上
に形成された第１樹脂層１０２は、ガスおよび水分に対
するバリア層として機能するので、薄膜トランジスタ１
４０の形成工程において、ガスおよび水分がプラスチッ
ク基板１０１内に侵入することが防止されるとともに、
薄膜トランジスタ１４０の形成後にプラスチック基板１
０１側からガスおよび水分が薄膜トランジスタ１４０側
に透過することが防止される。従って、本発明によるア
クティブマトリクス基板１００においては、水分が薄膜
トランジスタ１４０に侵入することによる薄膜トランジ
スタ１４０の劣化が防止される。さらに、本発明による
アクティブマトリクス基板１００を液晶表示装置に用い
た場合、プラスチック基板中を透過した水分やガスが液
晶層に侵入することによる表示品位の劣化が防止され
る。
に形成された第１樹脂層１０２は、ガスおよび水分に対
するバリア層として機能するので、薄膜トランジスタ１
４０の形成工程において、ガスおよび水分がプラスチッ
ク基板１０１内に侵入することが防止されるとともに、
薄膜トランジスタ１４０の形成後にプラスチック基板１
０１側からガスおよび水分が薄膜トランジスタ１４０側
に透過することが防止される。従って、本発明によるア
クティブマトリクス基板１００においては、水分が薄膜
トランジスタ１４０に侵入することによる薄膜トランジ
スタ１４０の劣化が防止される。さらに、本発明による
アクティブマトリクス基板１００を液晶表示装置に用い
た場合、プラスチック基板中を透過した水分やガスが液
晶層に侵入することによる表示品位の劣化が防止され
る。
【００４２】また、第１無機絶縁層１０３によって、薄
膜トランジスタ１４０の形成工程における熱による異方
的な基板の伸縮（例えば、走査配線が延設されている第
１方向と、第１方向に直交する第２方向とでの基板の伸
び率の違いに起因する、異方的な伸縮）が等方的なもの
となり、薄膜トランジスタ１４０の形成が容易になる。
膜トランジスタ１４０の形成工程における熱による異方
的な基板の伸縮（例えば、走査配線が延設されている第
１方向と、第１方向に直交する第２方向とでの基板の伸
び率の違いに起因する、異方的な伸縮）が等方的なもの
となり、薄膜トランジスタ１４０の形成が容易になる。
【００４３】さらに、第１樹脂層１０２上に形成された
第１無機絶縁層１０３上に薄膜トランジスタ１４０が形
成されているので、薄膜トランジスタ１４０を構成する
金属層（あるいは半導体層）と第１樹脂層１０２との界
面が存在しない。従って、金属層（あるいは半導体層）
の剥離が防止される。なお、第１樹脂層１０２と第１無
機絶縁層１０３との間には、第１樹脂層１０２との界面
における剥離が発生しにくい（第１樹脂層１０３に対す
る接着性が比較的高い）他の層が介在していてもよい。
接着性などの観点からは、第１樹脂層１０２上に第１無
機絶縁層１０３が直接形成されていることが好ましい。
第１無機絶縁層１０３上に薄膜トランジスタ１４０が形
成されているので、薄膜トランジスタ１４０を構成する
金属層（あるいは半導体層）と第１樹脂層１０２との界
面が存在しない。従って、金属層（あるいは半導体層）
の剥離が防止される。なお、第１樹脂層１０２と第１無
機絶縁層１０３との間には、第１樹脂層１０２との界面
における剥離が発生しにくい（第１樹脂層１０３に対す
る接着性が比較的高い）他の層が介在していてもよい。
接着性などの観点からは、第１樹脂層１０２上に第１無
機絶縁層１０３が直接形成されていることが好ましい。
【００４４】そして、本発明によるアクティブマトリク
ス基板１００においては、第１樹脂層１０２が、ガスお
よび水分に対するバリア層として機能するので、第１無
機絶縁層１０３をバリア層として機能させる必要がな
く、第１無機絶縁層１０３の厚さを、膜応力によるアク
ティブマトリクス基板１００の反りが発生しない程度に
薄くすることが可能となる。従って、アクティブマトリ
クス基板１００の反りを抑制するためにプラスチック基
板１０１の裏面１０１ａ側にさらなる無機絶縁層を設け
る必要がなく、プラスチック基板１０１の裏面１０１ａ
側に設けられた無機絶縁層にきずが入ることによって製
造歩留まりが低下することがない。そのため、本発明に
よるアクティブマトリクス基板１００は、信頼性が高
く、且つ、効率よく製造できる。
ス基板１００においては、第１樹脂層１０２が、ガスお
よび水分に対するバリア層として機能するので、第１無
機絶縁層１０３をバリア層として機能させる必要がな
く、第１無機絶縁層１０３の厚さを、膜応力によるアク
ティブマトリクス基板１００の反りが発生しない程度に
薄くすることが可能となる。従って、アクティブマトリ
クス基板１００の反りを抑制するためにプラスチック基
板１０１の裏面１０１ａ側にさらなる無機絶縁層を設け
る必要がなく、プラスチック基板１０１の裏面１０１ａ
側に設けられた無機絶縁層にきずが入ることによって製
造歩留まりが低下することがない。そのため、本発明に
よるアクティブマトリクス基板１００は、信頼性が高
く、且つ、効率よく製造できる。
【００４５】続いて、図１を参照しながら、本発明によ
る実施形態１のアクティブマトリクス基板１００の製造
方法を説明する。
る実施形態１のアクティブマトリクス基板１００の製造
方法を説明する。
【００４６】まず、プラスチック基板１０１を用意す
る。本実施形態においては、ポリエーテルサルフォンか
らなる厚さが約０．２ｍｍのプラスチック基板１０１を
用いる。プラスチック基板１０１としては、上述のもの
に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート、
ポリアリレート、ポリカーボネイト、ポリエチレン、ポ
リメチルメタクリレート、ポリイミドまたはエポキシ樹
脂からなるものであってもよい。また、プラスチックフ
ィルムのようなフィルム状のもの（例えば、厚さが約１
００μｍのプラスチックフィルム）であってもよい。
る。本実施形態においては、ポリエーテルサルフォンか
らなる厚さが約０．２ｍｍのプラスチック基板１０１を
用いる。プラスチック基板１０１としては、上述のもの
に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート、
ポリアリレート、ポリカーボネイト、ポリエチレン、ポ
リメチルメタクリレート、ポリイミドまたはエポキシ樹
脂からなるものであってもよい。また、プラスチックフ
ィルムのようなフィルム状のもの（例えば、厚さが約１
００μｍのプラスチックフィルム）であってもよい。
【００４７】次に、プラスチック基板１０１の主面１０
１ａに、アクリル系の樹脂をグラビアコート法を用いて
塗布し、熱風乾燥炉において硬化・乾燥させることによ
って第１樹脂層１０２を形成する。乾燥の際には、第１
樹脂層１０２の形成材料であるアクリル系の樹脂中に含
まれる溶剤およびガスを脱離させるために、十分な時間
乾燥を行うことが好ましい。本実施形態においては、約
１２０℃で約３０分間乾燥を行う。
１ａに、アクリル系の樹脂をグラビアコート法を用いて
塗布し、熱風乾燥炉において硬化・乾燥させることによ
って第１樹脂層１０２を形成する。乾燥の際には、第１
樹脂層１０２の形成材料であるアクリル系の樹脂中に含
まれる溶剤およびガスを脱離させるために、十分な時間
乾燥を行うことが好ましい。本実施形態においては、約
１２０℃で約３０分間乾燥を行う。
【００４８】アクリル系の樹脂としては、例えば、ポリ
アクリロニトリルやこれらの共重合体を用いることがで
きる。本実施形態においては、ポリアクリロニトリルを
用いる。アクリル系樹脂の塗布方法はグラビアコート法
に限られず、スピンコート法やロールコート法などを用
いてもよい。
アクリロニトリルやこれらの共重合体を用いることがで
きる。本実施形態においては、ポリアクリロニトリルを
用いる。アクリル系樹脂の塗布方法はグラビアコート法
に限られず、スピンコート法やロールコート法などを用
いてもよい。
【００４９】第１樹脂層１０２の水分透過率は、温度が
２５℃のとき、０．１cc/m2・day・atm〜２０cc/m2・da
y・atmの範囲内にあることが好ましい。第１樹脂層の水
分透過率が２０cc/m2・day・atmを越えると、薄膜トラ
ンジスタ１４０が劣化する場合がある。なお、ここで水
分透過率とは、大気圧１ａｔｍにおいて、単位時間（１
日）・単位面積（１ｍ2）当たりに第１樹脂層１０２を
透過する水分の量（水の体積）である。
２５℃のとき、０．１cc/m2・day・atm〜２０cc/m2・da
y・atmの範囲内にあることが好ましい。第１樹脂層の水
分透過率が２０cc/m2・day・atmを越えると、薄膜トラ
ンジスタ１４０が劣化する場合がある。なお、ここで水
分透過率とは、大気圧１ａｔｍにおいて、単位時間（１
日）・単位面積（１ｍ2）当たりに第１樹脂層１０２を
透過する水分の量（水の体積）である。
【００５０】また、第１樹脂層１０２の酸素透過率は、
温度が２５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１cc/m
2・day・atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にあることが
好ましい。第１樹脂層１０２の酸素透過率が５cc/m2・d
ay・atmを越えると、アクティブマトリクス基板１００
を液晶表示装置に用いた場合、表示品位が劣化すること
がある。なお、ここで酸素透過率とは、大気圧１ａｔｍ
において、単位時間（１日）・単位面積（１ｍ2）当た
りに第１樹脂層１０２を透過する酸素の量（体積）であ
る。また、相対湿度とは、飽和水蒸気圧に対する、空気
中の実際の水蒸気圧の比であり、０％ＲＨは、絶対乾燥
状態を示す。
温度が２５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１cc/m
2・day・atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にあることが
好ましい。第１樹脂層１０２の酸素透過率が５cc/m2・d
ay・atmを越えると、アクティブマトリクス基板１００
を液晶表示装置に用いた場合、表示品位が劣化すること
がある。なお、ここで酸素透過率とは、大気圧１ａｔｍ
において、単位時間（１日）・単位面積（１ｍ2）当た
りに第１樹脂層１０２を透過する酸素の量（体積）であ
る。また、相対湿度とは、飽和水蒸気圧に対する、空気
中の実際の水蒸気圧の比であり、０％ＲＨは、絶対乾燥
状態を示す。
【００５１】さらに、第１樹脂層１０２の厚さは、１μ
ｍ〜１０μｍの範囲内にあることが好ましい。第１樹脂
層１０２の厚さが１μｍ未満であると、水分やガスに対
するバリア性が十分でないことがある。第１樹脂層１０
２の厚さが１０μｍを越えると、十分な平坦性が得られ
ないことがある。本実施形態においては、第１樹脂層１
０２の厚さが約２μｍとなるように形成する。
ｍ〜１０μｍの範囲内にあることが好ましい。第１樹脂
層１０２の厚さが１μｍ未満であると、水分やガスに対
するバリア性が十分でないことがある。第１樹脂層１０
２の厚さが１０μｍを越えると、十分な平坦性が得られ
ないことがある。本実施形態においては、第１樹脂層１
０２の厚さが約２μｍとなるように形成する。
【００５２】続いて、第１樹脂層１０２上に、スパッタ
法を用いてＴａ2Ｏ5からなる第１無機絶縁層１０３を形
成する。第１無機絶縁層１０３の厚さは、１０ｎｍ以上
３０ｎｍ未満であることが好ましい。第１無機絶縁層１
０３の厚さが１０ｎｍ未満であると、スパッタ法などを
用いて堆積する場合に均一に製膜されず、第１無機絶縁
層１０３が形成されない領域ができることがある。第１
無機絶縁層１０３の厚さが３０ｎｍ以上であると、膜応
力によるクラックや膜剥がれが発生し、半導体素子を構
成する金属層や半導体層の形成が困難になることがあ
る。本実施形態においては、第１無機絶縁層１０３の厚
さが約２５ｎｍとなるように製膜を行う。また、このと
きの製膜温度は、プラスチック基板が熱変形に耐えうる
耐熱温度（ガラス転移温度）より低い約１００℃であ
る。第１無機絶縁層１０３の材料としてはＴａ2Ｏ5に限
定されず、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＨ、
ＳｉＮＨ、ＳｉＯＮＨ、Ｓｉ3Ｎ4などを用いてもよい。
法を用いてＴａ2Ｏ5からなる第１無機絶縁層１０３を形
成する。第１無機絶縁層１０３の厚さは、１０ｎｍ以上
３０ｎｍ未満であることが好ましい。第１無機絶縁層１
０３の厚さが１０ｎｍ未満であると、スパッタ法などを
用いて堆積する場合に均一に製膜されず、第１無機絶縁
層１０３が形成されない領域ができることがある。第１
無機絶縁層１０３の厚さが３０ｎｍ以上であると、膜応
力によるクラックや膜剥がれが発生し、半導体素子を構
成する金属層や半導体層の形成が困難になることがあ
る。本実施形態においては、第１無機絶縁層１０３の厚
さが約２５ｎｍとなるように製膜を行う。また、このと
きの製膜温度は、プラスチック基板が熱変形に耐えうる
耐熱温度（ガラス転移温度）より低い約１００℃であ
る。第１無機絶縁層１０３の材料としてはＴａ2Ｏ5に限
定されず、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＨ、
ＳｉＮＨ、ＳｉＯＮＨ、Ｓｉ3Ｎ4などを用いてもよい。
【００５３】次に、第１無機絶縁層１０３上にＡｌ層を
スパッタ法を用いて膜厚が約２００ｎｍとなるように製
膜温度約１００℃で堆積し、その後、フォトリソグラフ
ィープロセスを用いてパターニングすることによって、
走査配線および走査配線から分岐したゲート電極１０４
を形成する。走査配線及びゲート電極１０４の材料とし
ては、Ａｌに限定されず、ＴａやＴｉを用いてもよい
し、ＴａＮ／Ｔａ／ＴａＮやＴｉ／Ａｌ／Ｔｉのような
積層膜としてもよい。
スパッタ法を用いて膜厚が約２００ｎｍとなるように製
膜温度約１００℃で堆積し、その後、フォトリソグラフ
ィープロセスを用いてパターニングすることによって、
走査配線および走査配線から分岐したゲート電極１０４
を形成する。走査配線及びゲート電極１０４の材料とし
ては、Ａｌに限定されず、ＴａやＴｉを用いてもよい
し、ＴａＮ／Ｔａ／ＴａＮやＴｉ／Ａｌ／Ｔｉのような
積層膜としてもよい。
【００５４】続いて、ゲート電極１０４を覆うように、
ＣＶＤ法を用いて製膜温度約１８０℃でＳｉＮｘからな
るゲート絶縁膜１０５を形成する。本実施形態において
は、ゲート絶縁膜１０５の厚さが約４００ｎｍとなるよ
うに製膜する。
ＣＶＤ法を用いて製膜温度約１８０℃でＳｉＮｘからな
るゲート絶縁膜１０５を形成する。本実施形態において
は、ゲート絶縁膜１０５の厚さが約４００ｎｍとなるよ
うに製膜する。
【００５５】続いて、ノンドープのａ−Ｓｉ層と、リン
のような不純物をドープしたｎ+型ａ−Ｓｉ層とを、Ｃ
ＶＤ法を用いて製膜温度約１８０℃で連続して堆積し、
その後、フォトリソグラフィープロセスを用いて島状に
パターニングすることによって、ゲート電極１０４上に
位置するゲート絶縁膜１０５上に、真性導体膜１０６と
導電性半導体膜１０７とを形成する。本実施形態におい
ては、真性導体膜１０６および導電性半導体膜１０７の
厚さがそれぞれ約１５０ｎｍおよび約４０ｎｍとなるよ
うに製膜を行う。
のような不純物をドープしたｎ+型ａ−Ｓｉ層とを、Ｃ
ＶＤ法を用いて製膜温度約１８０℃で連続して堆積し、
その後、フォトリソグラフィープロセスを用いて島状に
パターニングすることによって、ゲート電極１０４上に
位置するゲート絶縁膜１０５上に、真性導体膜１０６と
導電性半導体膜１０７とを形成する。本実施形態におい
ては、真性導体膜１０６および導電性半導体膜１０７の
厚さがそれぞれ約１５０ｎｍおよび約４０ｎｍとなるよ
うに製膜を行う。
【００５６】引き続いて、スパッタ法を用いて製膜温度
約１００℃で透明導電層（例えば厚さが約１００ｎｍの
ＩＴＯ層）と金属層（例えば厚さが約１５０ｎｍのＴｉ
層）とを連続して堆積する。その後、フォトリソグラフ
ィープロセスを２回行って、透明導電層と金属層とから
なる信号配線、透明導電層１０９ａと金属層１０９ｂと
からなるソース電極１０９、透明導電層１１０ａと金属
層１１０ｂとからなるドレイン電極１１０、および、透
明導電層１０８からなる画素電極１０８を形成する。金
属層の形成材料としては、上述のＴｉに限定されず、Ｍ
ｏ、Ｃｒ、Ａｌ系合金を用いてもよいし、Ａｌ／Ｔｉ積
層膜やＡｇを用いてもよい。
約１００℃で透明導電層（例えば厚さが約１００ｎｍの
ＩＴＯ層）と金属層（例えば厚さが約１５０ｎｍのＴｉ
層）とを連続して堆積する。その後、フォトリソグラフ
ィープロセスを２回行って、透明導電層と金属層とから
なる信号配線、透明導電層１０９ａと金属層１０９ｂと
からなるソース電極１０９、透明導電層１１０ａと金属
層１１０ｂとからなるドレイン電極１１０、および、透
明導電層１０８からなる画素電極１０８を形成する。金
属層の形成材料としては、上述のＴｉに限定されず、Ｍ
ｏ、Ｃｒ、Ａｌ系合金を用いてもよいし、Ａｌ／Ｔｉ積
層膜やＡｇを用いてもよい。
【００５７】そして、ソース電極１０９およびドレイン
電極１１０をマスクとして、真性半導体膜１０６および
導電性半導体膜１０７の一部をエッチング除去し、チャ
ネル部１１１を形成する。
電極１１０をマスクとして、真性半導体膜１０６および
導電性半導体膜１０７の一部をエッチング除去し、チャ
ネル部１１１を形成する。
【００５８】その後、ＣＶＤ法を用いて製膜温度約１８
０℃でＳｉＮｘからなる保護絶縁膜１１２を形成し、そ
の後フォトリソグラフィープロセスを用いて画素電極１
０８上に開口部を形成する。
０℃でＳｉＮｘからなる保護絶縁膜１１２を形成し、そ
の後フォトリソグラフィープロセスを用いて画素電極１
０８上に開口部を形成する。
【００５９】上述のようにして、本発明の実施形態１に
よるアクティブマトリクス基板１００が製造される。さ
らに、このアクティブマトリクス基板１００を用いて以
下のようにして液晶表示装置が製造される。
よるアクティブマトリクス基板１００が製造される。さ
らに、このアクティブマトリクス基板１００を用いて以
下のようにして液晶表示装置が製造される。
【００６０】まず、アクティブマトリクス基板１００に
対向する対向基板を用意し、対向基板とアクティブマト
リクス基板１００とを所定の間隔を保持した状態でシー
ル剤を介して貼り合わせる。このとき、それぞれの基板
の互いに対向する表面上には配向膜が形成され、配向処
理が施されている。
対向する対向基板を用意し、対向基板とアクティブマト
リクス基板１００とを所定の間隔を保持した状態でシー
ル剤を介して貼り合わせる。このとき、それぞれの基板
の互いに対向する表面上には配向膜が形成され、配向処
理が施されている。
【００６１】その後、アクティブマトリクス基板１００
と対向基板との間の間隙に液晶材料を注入・封止するこ
とによって、液晶表示装置が完成する。 （実施形態２）図２に、本発明による実施形態２のアク
ティブマトリクス基板２００を模式的に示す。実施形態
２の液晶表示装置２００は、プラスチック基板１０１の
裏面１０１ｂ上に形成された第２樹脂層２０２を有する
点において、実施形態１のアクティブマトリクス基板１
００と異なる。以下の説明においては、説明の簡潔さの
ために、実施形態１のアクティブマトリクス基板１００
と異なる点を中心に説明する。また、以降の図面におい
ては、実施形態１のアクティブマトリクス基板１００と
実質的に同じ機能を有する構成要素を共通の参照符号で
示し、その説明を省略する。
と対向基板との間の間隙に液晶材料を注入・封止するこ
とによって、液晶表示装置が完成する。 （実施形態２）図２に、本発明による実施形態２のアク
ティブマトリクス基板２００を模式的に示す。実施形態
２の液晶表示装置２００は、プラスチック基板１０１の
裏面１０１ｂ上に形成された第２樹脂層２０２を有する
点において、実施形態１のアクティブマトリクス基板１
００と異なる。以下の説明においては、説明の簡潔さの
ために、実施形態１のアクティブマトリクス基板１００
と異なる点を中心に説明する。また、以降の図面におい
ては、実施形態１のアクティブマトリクス基板１００と
実質的に同じ機能を有する構成要素を共通の参照符号で
示し、その説明を省略する。
【００６２】アクティブマトリクス基板２００は、主面
１０１ａと主面１０１ａに対向する裏面１０１ｂとを有
するプラスチック基板１０１と、プラスチック基板１０
１の主面１０１ａ上に形成された第１樹脂層１０２と、
第１樹脂層１０２上に形成された第１無機絶縁層１０３
と、第１無機絶縁層１０３上に形成され、マトリクス状
に配列された薄膜トランジスタ１４０とを有する。アク
ティブマトリクス基板２００はさらに、プラスチック基
板１０１の裏面１０１ｂ上に形成された第２樹脂層２０
２を有している。
１０１ａと主面１０１ａに対向する裏面１０１ｂとを有
するプラスチック基板１０１と、プラスチック基板１０
１の主面１０１ａ上に形成された第１樹脂層１０２と、
第１樹脂層１０２上に形成された第１無機絶縁層１０３
と、第１無機絶縁層１０３上に形成され、マトリクス状
に配列された薄膜トランジスタ１４０とを有する。アク
ティブマトリクス基板２００はさらに、プラスチック基
板１０１の裏面１０１ｂ上に形成された第２樹脂層２０
２を有している。
【００６３】本発明による実施形態２のアクティブマト
リクス基板２００においては、プラスチック基板１０１
の裏面１０１ｂ上に第２樹脂層２０２が形成され、ガス
および水分に対するバリア層がプラスチック基板１０１
の両面に設けられている。従って、薄膜トランジスタ１
４０の形成工程において、ガスおよび水分がプラスチッ
ク基板１０１内に侵入することがより確実に防止され
る。そのため、水分が薄膜トランジスタ１４０に侵入す
ることによる薄膜トランジスタ１４０の劣化がより確実
に防止される。さらに、本発明による実施形態２のアク
ティブマトリクス基板２００を液晶表示装置に用いた場
合、プラスチック基板中を透過した水分やガスが液晶層
に侵入することによる表示品位の劣化がより確実に防止
される。また、薄膜トランジスタ１４０の形成工程にお
いて水分がプラスチック基板１０１内に侵入することが
より確実に防止されるので、水分による膨潤に起因する
プラスチック基板１０１の伸縮が防止されて、薄膜トラ
ンジスタ１４０の形成が容易になる。
リクス基板２００においては、プラスチック基板１０１
の裏面１０１ｂ上に第２樹脂層２０２が形成され、ガス
および水分に対するバリア層がプラスチック基板１０１
の両面に設けられている。従って、薄膜トランジスタ１
４０の形成工程において、ガスおよび水分がプラスチッ
ク基板１０１内に侵入することがより確実に防止され
る。そのため、水分が薄膜トランジスタ１４０に侵入す
ることによる薄膜トランジスタ１４０の劣化がより確実
に防止される。さらに、本発明による実施形態２のアク
ティブマトリクス基板２００を液晶表示装置に用いた場
合、プラスチック基板中を透過した水分やガスが液晶層
に侵入することによる表示品位の劣化がより確実に防止
される。また、薄膜トランジスタ１４０の形成工程にお
いて水分がプラスチック基板１０１内に侵入することが
より確実に防止されるので、水分による膨潤に起因する
プラスチック基板１０１の伸縮が防止されて、薄膜トラ
ンジスタ１４０の形成が容易になる。
【００６４】続いて、図２を参照しながら、本発明によ
る実施形態２のアクティブマトリクス基板２００の製造
方法を説明する。
る実施形態２のアクティブマトリクス基板２００の製造
方法を説明する。
【００６５】まず、プラスチック基板１０１を用意す
る。本実施形態においては、ポリエーテルサルフォンか
らなる厚さが約０．２ｍｍのプラスチック基板１０１を
用いる。プラスチック基板１０１としては、上述のもの
に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート、
ポリアリレート、ポリカーボネイト、ポリエチレン、ポ
リメチルメタクリレート、ポリイミドまたはエポキシ樹
脂からなるものであってもよい。また、プラスチックフ
ィルムのようなフィルム状のもの（例えば、厚さが約１
００ｍｍのプラスチックフィルム）であってもよい。
る。本実施形態においては、ポリエーテルサルフォンか
らなる厚さが約０．２ｍｍのプラスチック基板１０１を
用いる。プラスチック基板１０１としては、上述のもの
に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート、
ポリアリレート、ポリカーボネイト、ポリエチレン、ポ
リメチルメタクリレート、ポリイミドまたはエポキシ樹
脂からなるものであってもよい。また、プラスチックフ
ィルムのようなフィルム状のもの（例えば、厚さが約１
００ｍｍのプラスチックフィルム）であってもよい。
【００６６】次に、プラスチック基板１０１の主面１０
１ａに、アクリル系の樹脂をグラビアコート法を用いて
塗布し、熱風乾燥炉において硬化・乾燥させることによ
って第１樹脂層１０２を形成する。乾燥の際には、第１
樹脂層１０２の形成材料であるアクリル系の樹脂中に含
まれる溶剤およびガスを脱離させるために、十分な時間
乾燥を行うことが好ましい。本実施形態においては、約
１２０℃で約３０分間乾燥を行う。
１ａに、アクリル系の樹脂をグラビアコート法を用いて
塗布し、熱風乾燥炉において硬化・乾燥させることによ
って第１樹脂層１０２を形成する。乾燥の際には、第１
樹脂層１０２の形成材料であるアクリル系の樹脂中に含
まれる溶剤およびガスを脱離させるために、十分な時間
乾燥を行うことが好ましい。本実施形態においては、約
１２０℃で約３０分間乾燥を行う。
【００６７】アクリル系の樹脂としては、例えば、ポリ
アクリロニトリルやこれらの共重合体を用いることがで
きる。本実施形態においては、ポリアクリロニトリルを
用いる。アクリル系樹脂の塗布方法はグラビアコート法
に限られず、スピンコート法やロールコート法などを用
いてもよい。
アクリロニトリルやこれらの共重合体を用いることがで
きる。本実施形態においては、ポリアクリロニトリルを
用いる。アクリル系樹脂の塗布方法はグラビアコート法
に限られず、スピンコート法やロールコート法などを用
いてもよい。
【００６８】第１樹脂層１０２の水分透過率は、温度が
２５℃のとき、０．１cc/m2・day・atm〜２０cc/m2・da
y・atmの範囲内にあることが好ましい。第１樹脂層の水
分透過率が２０cc/m2・day・atmを越えると、薄膜トラ
ンジスタ１４０が劣化する場合がある。
２５℃のとき、０．１cc/m2・day・atm〜２０cc/m2・da
y・atmの範囲内にあることが好ましい。第１樹脂層の水
分透過率が２０cc/m2・day・atmを越えると、薄膜トラ
ンジスタ１４０が劣化する場合がある。
【００６９】また、第１樹脂層の酸素透過率は、温度が
２５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１cc/m2・day
・atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にあることが好まし
い。第１樹脂層の酸素透過率が５cc/m2・day・atmを越
えると、液晶表示装置に用いた場合、表示品位が劣化す
ることがある。
２５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１cc/m2・day
・atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にあることが好まし
い。第１樹脂層の酸素透過率が５cc/m2・day・atmを越
えると、液晶表示装置に用いた場合、表示品位が劣化す
ることがある。
【００７０】さらに、第１樹脂層１０２の厚さは、１μ
ｍ〜１０μｍの範囲内にあることが好ましい。第１樹脂
層１０２の厚さが１μｍ未満であると、水分やガスに対
するバリア性が十分でないことがある。第１樹脂層１０
２の厚さが１０μｍを越えると、十分な平坦性が得られ
ないことがある。本実施形態においては、第１樹脂層１
０２の厚さが約２μｍとなるように形成する。
ｍ〜１０μｍの範囲内にあることが好ましい。第１樹脂
層１０２の厚さが１μｍ未満であると、水分やガスに対
するバリア性が十分でないことがある。第１樹脂層１０
２の厚さが１０μｍを越えると、十分な平坦性が得られ
ないことがある。本実施形態においては、第１樹脂層１
０２の厚さが約２μｍとなるように形成する。
【００７１】続いて、プラスチック基板１０１の裏面１
０１ｂに、アクリル系の樹脂を例えばグラビアコート法
を用いて塗布し、熱風乾燥炉において硬化・乾燥させる
ことによって第２樹脂層２０２を形成する。乾燥の際に
は、第２樹脂層２０２の形成材料であるアクリル系の樹
脂中に含まれる溶剤およびガスを脱離させるために、十
分な時間乾燥を行うことが好ましい。本実施形態におい
ては、約１２０℃で約３０分間乾燥を行う。
０１ｂに、アクリル系の樹脂を例えばグラビアコート法
を用いて塗布し、熱風乾燥炉において硬化・乾燥させる
ことによって第２樹脂層２０２を形成する。乾燥の際に
は、第２樹脂層２０２の形成材料であるアクリル系の樹
脂中に含まれる溶剤およびガスを脱離させるために、十
分な時間乾燥を行うことが好ましい。本実施形態におい
ては、約１２０℃で約３０分間乾燥を行う。
【００７２】第２樹脂層２０２の形成材料であるアクリ
ル系の樹脂としては、例えば、第１樹脂層１０２の形成
材料と同じものを用いることができる。本実施形態にお
いては、第１樹脂層１０２と同様にポリアクリロニトリ
ルを用いる。
ル系の樹脂としては、例えば、第１樹脂層１０２の形成
材料と同じものを用いることができる。本実施形態にお
いては、第１樹脂層１０２と同様にポリアクリロニトリ
ルを用いる。
【００７３】第２樹脂層２０２の水分透過率は、薄膜ト
ランジスタ１４０の劣化をより確実に防止する観点か
ら、温度が２５℃のとき、０．１cc/m2・day・atm〜２
０cc/m2・day・atmの範囲内にあることが好ましい。
ランジスタ１４０の劣化をより確実に防止する観点か
ら、温度が２５℃のとき、０．１cc/m2・day・atm〜２
０cc/m2・day・atmの範囲内にあることが好ましい。
【００７４】また、第２樹脂層２０２の酸素透過率は、
アクティブマトリクス基板２００を液晶表示装置に用い
た場合の表示品位の劣化をより確実に防止する観点か
ら、温度が２５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１
cc/m2・day・atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にあるこ
とが好ましい。
アクティブマトリクス基板２００を液晶表示装置に用い
た場合の表示品位の劣化をより確実に防止する観点か
ら、温度が２５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１
cc/m2・day・atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にあるこ
とが好ましい。
【００７５】さらに、第２樹脂層２０２の厚さは、１μ
ｍ〜１０μｍの範囲内にあることが好ましい。第２樹脂
層２０２の厚さが１μｍ未満であると、水分やガスに対
するバリア性が十分でないことがある。第１樹脂層１０
２の厚さが１０μｍを越えると、十分な平坦性が得られ
ないことがある。本実施形態においては、第２樹脂層２
０２の厚さが約２μｍとなるように形成する。
ｍ〜１０μｍの範囲内にあることが好ましい。第２樹脂
層２０２の厚さが１μｍ未満であると、水分やガスに対
するバリア性が十分でないことがある。第１樹脂層１０
２の厚さが１０μｍを越えると、十分な平坦性が得られ
ないことがある。本実施形態においては、第２樹脂層２
０２の厚さが約２μｍとなるように形成する。
【００７６】なお、上述の説明においては、第１樹脂層
１０２と第２樹脂層２０２とを個々に形成する場合につ
いて説明したが、ディップ法を用いることによって、第
１樹脂層１０２と第２樹脂層２０２とを同時に形成して
もよい。ディップ法とは、基板を塗布液中に浸漬させた
後、基板を引き上げ、基板表面に残存する塗布液を乾燥
・固着させて塗布膜を形成する方法である。
１０２と第２樹脂層２０２とを個々に形成する場合につ
いて説明したが、ディップ法を用いることによって、第
１樹脂層１０２と第２樹脂層２０２とを同時に形成して
もよい。ディップ法とは、基板を塗布液中に浸漬させた
後、基板を引き上げ、基板表面に残存する塗布液を乾燥
・固着させて塗布膜を形成する方法である。
【００７７】引き続いて、第１樹脂層１０２上に、スパ
ッタ法を用いてＴａ2Ｏ5からなる第１無機絶縁層１０３
を形成する。第１無機絶縁層１０３の厚さは、１０ｎｍ
以上３０ｎｍ未満であることが好ましい。第１無機絶縁
層１０３の厚さが１０ｎｍ未満であると、スパッタ法な
どを用いて堆積する場合に均一に製膜されず、第１無機
絶縁層１０３が形成されない領域ができることがある。
第１無機絶縁層１０３の厚さが３０ｎｍ以上であると、
膜応力によるクラックや膜剥がれが発生し、半導体素子
を構成する金属層や半導体層の形成が困難になることが
ある。本実施形態においては、第１無機絶縁層１０３の
厚さが約２５ｎｍとなるように製膜を行う。また、この
ときの製膜温度は、プラスチック基板が熱変形に耐えう
る耐熱温度（ガラス転移温度）より低い約１００℃であ
る。第１無機絶縁層１０３の材料としてはＴａ2Ｏ5に限
定されず、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＨ、
ＳｉＮＨ、ＳｉＯＮＨ、Ｓｉ3Ｎ4などを用いてもよい。
ッタ法を用いてＴａ2Ｏ5からなる第１無機絶縁層１０３
を形成する。第１無機絶縁層１０３の厚さは、１０ｎｍ
以上３０ｎｍ未満であることが好ましい。第１無機絶縁
層１０３の厚さが１０ｎｍ未満であると、スパッタ法な
どを用いて堆積する場合に均一に製膜されず、第１無機
絶縁層１０３が形成されない領域ができることがある。
第１無機絶縁層１０３の厚さが３０ｎｍ以上であると、
膜応力によるクラックや膜剥がれが発生し、半導体素子
を構成する金属層や半導体層の形成が困難になることが
ある。本実施形態においては、第１無機絶縁層１０３の
厚さが約２５ｎｍとなるように製膜を行う。また、この
ときの製膜温度は、プラスチック基板が熱変形に耐えう
る耐熱温度（ガラス転移温度）より低い約１００℃であ
る。第１無機絶縁層１０３の材料としてはＴａ2Ｏ5に限
定されず、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＨ、
ＳｉＮＨ、ＳｉＯＮＨ、Ｓｉ3Ｎ4などを用いてもよい。
【００７８】次に、第１無機絶縁層１０３上にＡｌ層を
スパッタ法を用いて膜厚が約２００ｎｍとなるように製
膜温度約１００℃で堆積し、その後、フォトリソグラフ
ィープロセスを用いてパターニングすることによって、
走査配線および走査配線から分岐したゲート電極１０４
を形成する。走査配線及びゲート電極１０４の材料とし
ては、Ａｌに限定されず、Ａｌ系合金を用いてもよい
し、ＴａやＴｉを用いてもよく、ＴａＮ／Ｔａ／ＴａＮ
やＴｉ／Ａｌ／Ｔｉのような積層膜としてもよい。
スパッタ法を用いて膜厚が約２００ｎｍとなるように製
膜温度約１００℃で堆積し、その後、フォトリソグラフ
ィープロセスを用いてパターニングすることによって、
走査配線および走査配線から分岐したゲート電極１０４
を形成する。走査配線及びゲート電極１０４の材料とし
ては、Ａｌに限定されず、Ａｌ系合金を用いてもよい
し、ＴａやＴｉを用いてもよく、ＴａＮ／Ｔａ／ＴａＮ
やＴｉ／Ａｌ／Ｔｉのような積層膜としてもよい。
【００７９】続いて、ゲート電極１０４を覆うように、
ＣＶＤ法を用いて製膜温度約１８０℃でＳｉＮｘからな
るゲート絶縁膜１０５を形成する。本実施形態において
は、ゲート絶縁膜１０５の厚さが約４００ｎｍとなるよ
うに製膜する。
ＣＶＤ法を用いて製膜温度約１８０℃でＳｉＮｘからな
るゲート絶縁膜１０５を形成する。本実施形態において
は、ゲート絶縁膜１０５の厚さが約４００ｎｍとなるよ
うに製膜する。
【００８０】続いて、ノンドープのａ−Ｓｉ層と、リン
のような不純物をドープしたｎ+型ａ−Ｓｉ層とを、Ｃ
ＶＤ法を用いて製膜温度約１８０℃で連続して堆積し、
その後、フォトリソグラフィープロセスを用いて島状に
パターニングすることによって、ゲート電極１０４上に
位置するゲート絶縁膜１０５上に、真性導体膜１０６と
導電性半導体膜１０７とを形成する。本実施形態におい
ては、真性導体膜１０６および導電性半導体膜１０７の
厚さがそれぞれ約１５０ｎｍおよび約４０ｎｍとなるよ
うに製膜を行う。
のような不純物をドープしたｎ+型ａ−Ｓｉ層とを、Ｃ
ＶＤ法を用いて製膜温度約１８０℃で連続して堆積し、
その後、フォトリソグラフィープロセスを用いて島状に
パターニングすることによって、ゲート電極１０４上に
位置するゲート絶縁膜１０５上に、真性導体膜１０６と
導電性半導体膜１０７とを形成する。本実施形態におい
ては、真性導体膜１０６および導電性半導体膜１０７の
厚さがそれぞれ約１５０ｎｍおよび約４０ｎｍとなるよ
うに製膜を行う。
【００８１】引き続いて、スパッタ法を用いて製膜温度
約１００℃で透明導電層（例えば厚さが約１００ｎｍの
ＩＴＯ層）と金属層（例えば厚さが約１５０ｎｍのＴｉ
層）とを連続して堆積する。その後、フォトリソグラフ
ィープロセスを２回行って、透明導電層と金属層とから
なる信号配線、透明導電層１０９ａと金属層１０９ｂと
からなるソース電極１０９、透明導電層１１０ａと金属
層１１０ｂとからなるドレイン電極１１０、および、透
明導電層１０８からなる画素電極１０８を形成する。金
属層の形成材料としては、上述のＴｉに限定されず、Ｍ
ｏ、Ｃｒ、Ａｌ系合金を用いてもよいし、Ａｌ／Ｔｉ積
層膜やＡｇを用いてもよい。
約１００℃で透明導電層（例えば厚さが約１００ｎｍの
ＩＴＯ層）と金属層（例えば厚さが約１５０ｎｍのＴｉ
層）とを連続して堆積する。その後、フォトリソグラフ
ィープロセスを２回行って、透明導電層と金属層とから
なる信号配線、透明導電層１０９ａと金属層１０９ｂと
からなるソース電極１０９、透明導電層１１０ａと金属
層１１０ｂとからなるドレイン電極１１０、および、透
明導電層１０８からなる画素電極１０８を形成する。金
属層の形成材料としては、上述のＴｉに限定されず、Ｍ
ｏ、Ｃｒ、Ａｌ系合金を用いてもよいし、Ａｌ／Ｔｉ積
層膜やＡｇを用いてもよい。
【００８２】そして、ソース電極１０９およびドレイン
電極１１０をマスクとして、真性半導体膜１０６および
導電性半導体膜１０７の一部をエッチング除去し、チャ
ネル部１１１を形成する。
電極１１０をマスクとして、真性半導体膜１０６および
導電性半導体膜１０７の一部をエッチング除去し、チャ
ネル部１１１を形成する。
【００８３】その後、ＣＶＤ法を用いて製膜温度約１８
０℃でＳｉＮｘからなる保護絶縁膜１１２を形成し、そ
の後フォトリソグラフィープロセスを用いて画素電極１
０８上に開口部を形成する。
０℃でＳｉＮｘからなる保護絶縁膜１１２を形成し、そ
の後フォトリソグラフィープロセスを用いて画素電極１
０８上に開口部を形成する。
【００８４】上述のようにして、本発明の実施形態２に
よるアクティブマトリクス基板２００が製造される。 （実施形態３）図３に、本発明による実施形態３のアク
ティブマトリクス基板３００を模式的に示す。実施形態
３の液晶表示装置３００は、第２樹脂層２０２上に形成
された第２無機絶縁層３０３を有する点において、実施
形態２のアクティブマトリクス基板２００と異なる。以
下の説明においては、説明の簡潔さのために、実施形態
２のアクティブマトリクス基板２００と異なる点を中心
に説明する。また、以降の図面においては、実施形態２
のアクティブマトリクス基板２００と実質的に同じ機能
を有する構成要素を共通の参照符号で示し、その説明を
省略する。
よるアクティブマトリクス基板２００が製造される。 （実施形態３）図３に、本発明による実施形態３のアク
ティブマトリクス基板３００を模式的に示す。実施形態
３の液晶表示装置３００は、第２樹脂層２０２上に形成
された第２無機絶縁層３０３を有する点において、実施
形態２のアクティブマトリクス基板２００と異なる。以
下の説明においては、説明の簡潔さのために、実施形態
２のアクティブマトリクス基板２００と異なる点を中心
に説明する。また、以降の図面においては、実施形態２
のアクティブマトリクス基板２００と実質的に同じ機能
を有する構成要素を共通の参照符号で示し、その説明を
省略する。
【００８５】アクティブマトリクス基板３００は、主面
１０１ａと主面１０１ａに対向する裏面１０１ｂとを有
するプラスチック基板１０１と、プラスチック基板１０
１の主面１０１ａ上に形成された第１樹脂層１０２と、
第１樹脂層１０２上に形成された第１無機絶縁層１０３
と、第１無機絶縁層１０３上に形成され、マトリクス状
に配列された薄膜トランジスタ１４０とを有する。アク
ティブマトリクス基板３００はさらに、プラスチック基
板１０１の裏面１０１ｂ上に形成された第２樹脂層２０
２と、第２樹脂層２０２上に形成された第２無機絶縁層
３０３を有している。
１０１ａと主面１０１ａに対向する裏面１０１ｂとを有
するプラスチック基板１０１と、プラスチック基板１０
１の主面１０１ａ上に形成された第１樹脂層１０２と、
第１樹脂層１０２上に形成された第１無機絶縁層１０３
と、第１無機絶縁層１０３上に形成され、マトリクス状
に配列された薄膜トランジスタ１４０とを有する。アク
ティブマトリクス基板３００はさらに、プラスチック基
板１０１の裏面１０１ｂ上に形成された第２樹脂層２０
２と、第２樹脂層２０２上に形成された第２無機絶縁層
３０３を有している。
【００８６】本発明による実施形態３のアクティブマト
リクス基板３００においては、第２樹脂層上に第２無機
絶縁層が形成されており、プラスチック基板や第１およ
び第２樹脂層よりも膨張係数が小さい無機絶縁層（第１
無機絶縁層および第２無機絶縁層）が基板の両面に設け
られているので、基板の伸縮が防止され、半導体素子の
形成が容易になる。また、無機絶縁層（第１無機絶縁層
および第２無機絶縁層）が基板の両面に設けられている
ので、基板の両面において応力の釣り合いがとれ、その
ため、基板の反りが防止される。
リクス基板３００においては、第２樹脂層上に第２無機
絶縁層が形成されており、プラスチック基板や第１およ
び第２樹脂層よりも膨張係数が小さい無機絶縁層（第１
無機絶縁層および第２無機絶縁層）が基板の両面に設け
られているので、基板の伸縮が防止され、半導体素子の
形成が容易になる。また、無機絶縁層（第１無機絶縁層
および第２無機絶縁層）が基板の両面に設けられている
ので、基板の両面において応力の釣り合いがとれ、その
ため、基板の反りが防止される。
【００８７】続いて、図３を参照しながら、本発明によ
る実施形態３のアクティブマトリクス基板３００の製造
方法を説明する。
る実施形態３のアクティブマトリクス基板３００の製造
方法を説明する。
【００８８】まず、プラスチック基板１０１を用意す
る。本実施形態においては、ポリエーテルサルフォンか
らなる厚さが約０．２ｍｍのプラスチック基板１０１を
用いる。プラスチック基板１０１としては、上述のもの
に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート、
ポリアリレート、ポリカーボネイト、ポリエチレン、ポ
リメチルメタクリレート、ポリイミドまたはエポキシ樹
脂からなるものであってもよい。また、プラスチックフ
ィルムのようなフィルム状のもの（例えば、厚さが約１
００μｍのプラスチックフィルム）であってもよい。
る。本実施形態においては、ポリエーテルサルフォンか
らなる厚さが約０．２ｍｍのプラスチック基板１０１を
用いる。プラスチック基板１０１としては、上述のもの
に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート、
ポリアリレート、ポリカーボネイト、ポリエチレン、ポ
リメチルメタクリレート、ポリイミドまたはエポキシ樹
脂からなるものであってもよい。また、プラスチックフ
ィルムのようなフィルム状のもの（例えば、厚さが約１
００μｍのプラスチックフィルム）であってもよい。
【００８９】次に、プラスチック基板１０１の主面１０
１ａに、アクリル系の樹脂をグラビアコート法を用いて
塗布し、熱風乾燥炉において硬化・乾燥させることによ
って第１樹脂層１０２を形成する。乾燥の際には、第１
樹脂層１０２の形成材料であるアクリル系の樹脂中に含
まれる溶剤およびガスを脱離させるために、十分な時間
乾燥を行うことが好ましい。本実施形態においては、約
１２０℃で約３０分間乾燥を行う。
１ａに、アクリル系の樹脂をグラビアコート法を用いて
塗布し、熱風乾燥炉において硬化・乾燥させることによ
って第１樹脂層１０２を形成する。乾燥の際には、第１
樹脂層１０２の形成材料であるアクリル系の樹脂中に含
まれる溶剤およびガスを脱離させるために、十分な時間
乾燥を行うことが好ましい。本実施形態においては、約
１２０℃で約３０分間乾燥を行う。
【００９０】アクリル系の樹脂としては、例えば、ポリ
アクリロニトリルやこれらの共重合体を用いることがで
きる。本実施形態においては、ポリアクリロニトリルを
用いる。アクリル系樹脂の塗布方法はグラビアコート法
に限られず、スピンコート法やロールコート法などを用
いてもよい。
アクリロニトリルやこれらの共重合体を用いることがで
きる。本実施形態においては、ポリアクリロニトリルを
用いる。アクリル系樹脂の塗布方法はグラビアコート法
に限られず、スピンコート法やロールコート法などを用
いてもよい。
【００９１】第１樹脂層１０２の水分透過率は、温度が
２５℃のとき、０．１cc/m2・day・atm〜２０cc/m2・da
y・atmの範囲内にあることが好ましい。第１樹脂層の水
分透過率が２０cc/m2・day・atmを越えると、薄膜トラ
ンジスタ１４０が劣化する場合がある。
２５℃のとき、０．１cc/m2・day・atm〜２０cc/m2・da
y・atmの範囲内にあることが好ましい。第１樹脂層の水
分透過率が２０cc/m2・day・atmを越えると、薄膜トラ
ンジスタ１４０が劣化する場合がある。
【００９２】また、第１樹脂層の酸素透過率は、温度が
２５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１cc/m2・day
・atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にあることが好まし
い。第１樹脂層の酸素透過率が５cc/m2・day・atmを越
えると、液晶表示装置に用いた場合、表示品位が劣化す
ることがある。
２５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１cc/m2・day
・atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にあることが好まし
い。第１樹脂層の酸素透過率が５cc/m2・day・atmを越
えると、液晶表示装置に用いた場合、表示品位が劣化す
ることがある。
【００９３】さらに、第１樹脂層１０２の厚さは、１μ
ｍ〜１０μｍの範囲内にあることが好ましい。第１樹脂
層１０２の厚さが１μｍ未満であると、水分やガスに対
するバリア性が十分でないことがある。第１樹脂層１０
２の厚さが１０μｍを越えると、十分な平坦性が得られ
ないことがある。本実施形態においては、第１樹脂層１
０２の厚さが約２μｍとなるように形成する。
ｍ〜１０μｍの範囲内にあることが好ましい。第１樹脂
層１０２の厚さが１μｍ未満であると、水分やガスに対
するバリア性が十分でないことがある。第１樹脂層１０
２の厚さが１０μｍを越えると、十分な平坦性が得られ
ないことがある。本実施形態においては、第１樹脂層１
０２の厚さが約２μｍとなるように形成する。
【００９４】続いて、プラスチック基板１０１の裏面１
０１ｂに、アクリル系の樹脂を例えばグラビアコート法
を用いて塗布し、熱風乾燥炉において硬化・乾燥させる
ことによって第２樹脂層２０２を形成する。乾燥の際に
は、第２樹脂層２０２の形成材料であるアクリル系の樹
脂中に含まれる溶剤およびガスを脱離させるために、十
分な時間乾燥を行うことが好ましい。本実施形態におい
ては、約１２０℃で約３０分間乾燥を行う。
０１ｂに、アクリル系の樹脂を例えばグラビアコート法
を用いて塗布し、熱風乾燥炉において硬化・乾燥させる
ことによって第２樹脂層２０２を形成する。乾燥の際に
は、第２樹脂層２０２の形成材料であるアクリル系の樹
脂中に含まれる溶剤およびガスを脱離させるために、十
分な時間乾燥を行うことが好ましい。本実施形態におい
ては、約１２０℃で約３０分間乾燥を行う。
【００９５】第２樹脂層２０２の形成材料であるアクリ
ル系の樹脂としては、例えば、第１樹脂層１０２の形成
材料と同じものを用いることができる。本実施形態にお
いては、第１樹脂層１０２と同様にポリアクリロニトリ
ルを用いる。
ル系の樹脂としては、例えば、第１樹脂層１０２の形成
材料と同じものを用いることができる。本実施形態にお
いては、第１樹脂層１０２と同様にポリアクリロニトリ
ルを用いる。
【００９６】第２樹脂層２０２の水分透過率は、薄膜ト
ランジスタ１４０の劣化をより確実に防止する観点か
ら、温度が２５℃のとき、０．１cc/m2・day・atm〜２
０cc/m2・day・atmの範囲内にあることが好ましい。
ランジスタ１４０の劣化をより確実に防止する観点か
ら、温度が２５℃のとき、０．１cc/m2・day・atm〜２
０cc/m2・day・atmの範囲内にあることが好ましい。
【００９７】また、第２樹脂層２０２の酸素透過率は、
アクティブマトリクス基板２００を液晶表示装置に用い
た場合の表示品位の劣化をより確実に防止する観点か
ら、温度が２５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１
cc/m2・day・atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にあるこ
とが好ましい。
アクティブマトリクス基板２００を液晶表示装置に用い
た場合の表示品位の劣化をより確実に防止する観点か
ら、温度が２５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１
cc/m2・day・atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にあるこ
とが好ましい。
【００９８】さらに、第２樹脂層２０２の厚さは、１μ
ｍ〜１０μｍの範囲内にあることが好ましい。第２樹脂
層２０２の厚さが１μｍ未満であると、水分やガスに対
するバリア性が十分でないことがある。第２樹脂層２０
２の厚さが１０μｍを越えると、十分な平坦性が得られ
ないことがある。本実施形態においては、第２樹脂層２
０２の厚さが約２μｍとなるように形成する。
ｍ〜１０μｍの範囲内にあることが好ましい。第２樹脂
層２０２の厚さが１μｍ未満であると、水分やガスに対
するバリア性が十分でないことがある。第２樹脂層２０
２の厚さが１０μｍを越えると、十分な平坦性が得られ
ないことがある。本実施形態においては、第２樹脂層２
０２の厚さが約２μｍとなるように形成する。
【００９９】なお、上述の説明においては、第１樹脂層
１０２と第２樹脂層２０２とを個々に形成する場合につ
いて説明したが、ディップ法を用いることによって、第
１樹脂層１０２と第２樹脂層２０２とを同時に形成して
もよい。ディップ法とは、基板を塗布液中に浸漬させた
後、基板を引き上げ、基板表面に残存する塗布液を乾燥
・固着させて塗布膜を形成する方法である。
１０２と第２樹脂層２０２とを個々に形成する場合につ
いて説明したが、ディップ法を用いることによって、第
１樹脂層１０２と第２樹脂層２０２とを同時に形成して
もよい。ディップ法とは、基板を塗布液中に浸漬させた
後、基板を引き上げ、基板表面に残存する塗布液を乾燥
・固着させて塗布膜を形成する方法である。
【０１００】引き続いて、第１樹脂層１０２および第２
樹脂層２０２上に、スパッタ法を用いてＴａ2Ｏ5からな
る第１無機絶縁層１０３および第２無機絶縁層３０３を
それぞれ形成する。第１無機絶縁層１０３の厚さは、１
０ｎｍ以上３０ｎｍ未満であることが好ましい。第１無
機絶縁層１０３の厚さが１０ｎｍ未満であると、スパッ
タ法などを用いて堆積する場合に均一に製膜されず、第
１無機絶縁層１０３が形成されない領域ができることが
ある。第１無機絶縁層１０３の厚さが３０ｎｍ以上であ
ると、膜応力によるクラックや膜剥がれが発生し、半導
体素子を構成する金属層や半導体層の形成が困難になる
ことがある。また、同様の理由から、第２無機絶縁層３
０３の厚さは、１０ｎｍ以上３０ｎｍ未満であることが
好ましい。さらに、第２無機絶縁層３０３の厚さは、ア
クティブマトリクス基板１００の両面における応力の釣
り合いをとるために、第１無機絶縁層１０３の厚さとほ
ぼ同じとすることが好ましい。本実施形態においては、
第１無機絶縁層１０３および第２無機絶縁層３０３の厚
さがそれぞれ約２５ｎｍとなるように製膜を行う。ま
た、このときの製膜温度は、プラスチック基板が熱変形
に耐えうる耐熱温度（ガラス転移温度）より低い約１０
０℃である。第１無機絶縁層１０３および第２無機絶縁
層３０３の材料としてはＴａ2Ｏ5に限定されず、ＳｉＮ
ｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＨ、ＳｉＮＨ、ＳｉＯ
ＮＨ、Ｓｉ3Ｎ4などを用いてもよい。
樹脂層２０２上に、スパッタ法を用いてＴａ2Ｏ5からな
る第１無機絶縁層１０３および第２無機絶縁層３０３を
それぞれ形成する。第１無機絶縁層１０３の厚さは、１
０ｎｍ以上３０ｎｍ未満であることが好ましい。第１無
機絶縁層１０３の厚さが１０ｎｍ未満であると、スパッ
タ法などを用いて堆積する場合に均一に製膜されず、第
１無機絶縁層１０３が形成されない領域ができることが
ある。第１無機絶縁層１０３の厚さが３０ｎｍ以上であ
ると、膜応力によるクラックや膜剥がれが発生し、半導
体素子を構成する金属層や半導体層の形成が困難になる
ことがある。また、同様の理由から、第２無機絶縁層３
０３の厚さは、１０ｎｍ以上３０ｎｍ未満であることが
好ましい。さらに、第２無機絶縁層３０３の厚さは、ア
クティブマトリクス基板１００の両面における応力の釣
り合いをとるために、第１無機絶縁層１０３の厚さとほ
ぼ同じとすることが好ましい。本実施形態においては、
第１無機絶縁層１０３および第２無機絶縁層３０３の厚
さがそれぞれ約２５ｎｍとなるように製膜を行う。ま
た、このときの製膜温度は、プラスチック基板が熱変形
に耐えうる耐熱温度（ガラス転移温度）より低い約１０
０℃である。第１無機絶縁層１０３および第２無機絶縁
層３０３の材料としてはＴａ2Ｏ5に限定されず、ＳｉＮ
ｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＨ、ＳｉＮＨ、ＳｉＯ
ＮＨ、Ｓｉ3Ｎ4などを用いてもよい。
【０１０１】次に、第１無機絶縁層１０３上にＡｌ層を
スパッタ法を用いて膜厚が約２００ｎｍとなるように製
膜温度約１００℃で堆積し、その後、フォトリソグラフ
ィープロセスを用いてパターニングすることによって、
走査配線および走査配線から分岐したゲート電極１０４
を形成する。走査配線及びゲート電極１０４の材料とし
ては、Ａｌに限定されず、Ａｌ系合金を用いてもよい
し、ＴａやＴｉを用いてもよく、ＴａＮ／Ｔａ／ＴａＮ
やＴｉ／Ａｌ／Ｔｉのような積層膜としてもよい。
スパッタ法を用いて膜厚が約２００ｎｍとなるように製
膜温度約１００℃で堆積し、その後、フォトリソグラフ
ィープロセスを用いてパターニングすることによって、
走査配線および走査配線から分岐したゲート電極１０４
を形成する。走査配線及びゲート電極１０４の材料とし
ては、Ａｌに限定されず、Ａｌ系合金を用いてもよい
し、ＴａやＴｉを用いてもよく、ＴａＮ／Ｔａ／ＴａＮ
やＴｉ／Ａｌ／Ｔｉのような積層膜としてもよい。
【０１０２】続いて、ゲート電極１０４を覆うように、
ＣＶＤ法を用いて製膜温度約１８０℃でＳｉＮｘからな
るゲート絶縁膜１０５を形成する。本実施形態において
は、ゲート絶縁膜１０５の厚さが約４００ｎｍとなるよ
うに製膜する。
ＣＶＤ法を用いて製膜温度約１８０℃でＳｉＮｘからな
るゲート絶縁膜１０５を形成する。本実施形態において
は、ゲート絶縁膜１０５の厚さが約４００ｎｍとなるよ
うに製膜する。
【０１０３】続いて、ノンドープのａ−Ｓｉ層と、リン
のような不純物をドープしたｎ+型ａ−Ｓｉ層とを、Ｃ
ＶＤ法を用いて製膜温度約１８０℃で連続して堆積し、
その後、フォトリソグラフィープロセスを用いて島状に
パターニングすることによって、ゲート電極１０４上に
位置するゲート絶縁膜１０５上に、真性導体膜１０６と
導電性半導体膜１０７とを形成する。本実施形態におい
ては、真性導体膜１０６および導電性半導体膜１０７の
厚さがそれぞれ約１５０ｎｍおよび約４０ｎｍとなるよ
うに製膜を行う。
のような不純物をドープしたｎ+型ａ−Ｓｉ層とを、Ｃ
ＶＤ法を用いて製膜温度約１８０℃で連続して堆積し、
その後、フォトリソグラフィープロセスを用いて島状に
パターニングすることによって、ゲート電極１０４上に
位置するゲート絶縁膜１０５上に、真性導体膜１０６と
導電性半導体膜１０７とを形成する。本実施形態におい
ては、真性導体膜１０６および導電性半導体膜１０７の
厚さがそれぞれ約１５０ｎｍおよび約４０ｎｍとなるよ
うに製膜を行う。
【０１０４】引き続いて、スパッタ法を用いて製膜温度
約１００℃で透明導電層（例えば厚さが約１００ｎｍの
ＩＴＯ層）と金属層（例えば厚さが約１５０ｎｍのＴｉ
層）とを連続して堆積する。その後、フォトリソグラフ
ィープロセスを２回行って、透明導電層と金属層とから
なる信号配線、透明導電層１０９ａと金属層１０９ｂと
からなるソース電極１０９、透明導電層１１０ａと金属
層１１０ｂとからなるドレイン電極１１０、および、透
明導電層１０８からなる画素電極１０８を形成する。金
属層の形成材料としては、上述のＴｉに限定されず、Ｍ
ｏ、Ｃｒ、Ａｌ系合金を用いてもよいし、Ａｌ／Ｔｉ積
層膜やＡｇを用いてもよい。
約１００℃で透明導電層（例えば厚さが約１００ｎｍの
ＩＴＯ層）と金属層（例えば厚さが約１５０ｎｍのＴｉ
層）とを連続して堆積する。その後、フォトリソグラフ
ィープロセスを２回行って、透明導電層と金属層とから
なる信号配線、透明導電層１０９ａと金属層１０９ｂと
からなるソース電極１０９、透明導電層１１０ａと金属
層１１０ｂとからなるドレイン電極１１０、および、透
明導電層１０８からなる画素電極１０８を形成する。金
属層の形成材料としては、上述のＴｉに限定されず、Ｍ
ｏ、Ｃｒ、Ａｌ系合金を用いてもよいし、Ａｌ／Ｔｉ積
層膜やＡｇを用いてもよい。
【０１０５】そして、ソース電極１０９およびドレイン
電極１１０をマスクとして、真性半導体膜１０６および
導電性半導体膜１０７の一部をエッチング除去し、チャ
ネル部１１１を形成する。
電極１１０をマスクとして、真性半導体膜１０６および
導電性半導体膜１０７の一部をエッチング除去し、チャ
ネル部１１１を形成する。
【０１０６】その後、ＣＶＤ法を用いて製膜温度約１８
０℃でＳｉＮｘからなる保護絶縁膜１１２を形成し、そ
の後フォトリソグラフィープロセスを用いて画素電極１
０８上に開口部を形成する。
０℃でＳｉＮｘからなる保護絶縁膜１１２を形成し、そ
の後フォトリソグラフィープロセスを用いて画素電極１
０８上に開口部を形成する。
【０１０７】上述のようにして、本発明の実施形態３に
よるアクティブマトリクス基板３００が製造される。 （他の実施形態）上述の実施形態１〜３のアクティブマ
トリクス基板１００、２００および３００は、信頼性が
高く、液晶表示装置に好適に用いられる。図４に、本発
明による他の実施形態の液晶表示装置４００を模式的に
示す。図４に示す液晶表示装置４００は、アクティブマ
トリクス基板として、実施形態１のアクティブマトリク
ス基板１００を備えるが、実施形態２のアクティブマト
リクス基板２００を備えていてもよいし、実施形態３の
アクティブマトリクス基板３００を備えていてもよい。
よるアクティブマトリクス基板３００が製造される。 （他の実施形態）上述の実施形態１〜３のアクティブマ
トリクス基板１００、２００および３００は、信頼性が
高く、液晶表示装置に好適に用いられる。図４に、本発
明による他の実施形態の液晶表示装置４００を模式的に
示す。図４に示す液晶表示装置４００は、アクティブマ
トリクス基板として、実施形態１のアクティブマトリク
ス基板１００を備えるが、実施形態２のアクティブマト
リクス基板２００を備えていてもよいし、実施形態３の
アクティブマトリクス基板３００を備えていてもよい。
【０１０８】液晶表示装置４００は、実施形態１のアク
ティブマトリクス基板１００と、アクティブマトリクス
基板１００に対向する対向基板４１０と、アクティブマ
トリクス基板１００と対向基板４１０との間に設けられ
た液晶層４２０とを有する。
ティブマトリクス基板１００と、アクティブマトリクス
基板１００に対向する対向基板４１０と、アクティブマ
トリクス基板１００と対向基板４１０との間に設けられ
た液晶層４２０とを有する。
【０１０９】本発明による実施形態の液晶表示装置４０
０は、本発明による実施形態のアクティブマトリクス基
板を備えているので、信頼性が高く、表示品位に優れて
いる。
０は、本発明による実施形態のアクティブマトリクス基
板を備えているので、信頼性が高く、表示品位に優れて
いる。
【０１１０】本発明によるアクティブマトリクス基板を
液晶表示装置に用いる場合、対向基板の構成としては、
図４に示すように、対向基板４１０が、プラスチック基
板４０１と、プラスチック基板４０１の液晶層４２０側
の表面に形成された第３樹脂層４０２と、第３樹脂層４
０２上に形成された電極層（例えばＩＴＯ層）４０３と
を有する構成としてもよい。
液晶表示装置に用いる場合、対向基板の構成としては、
図４に示すように、対向基板４１０が、プラスチック基
板４０１と、プラスチック基板４０１の液晶層４２０側
の表面に形成された第３樹脂層４０２と、第３樹脂層４
０２上に形成された電極層（例えばＩＴＯ層）４０３と
を有する構成としてもよい。
【０１１１】このような構成を採用すると、対向基板４
１０が有するプラスチック基板４０１の液晶層４２０側
の表面に形成された第３樹脂層４０２は、ガスおよび水
分に対するバリア層として機能するので、電極層４０３
などの形成工程において、ガスおよび水分がプラスチッ
ク基板４０１内に侵入することが防止されるとともに、
液晶パネルの形成後にプラスチック基板中を透過したガ
スおよび水分が液晶層４２０に侵入することが防止され
る。従って、表示品位の劣化がより確実に防止される。
１０が有するプラスチック基板４０１の液晶層４２０側
の表面に形成された第３樹脂層４０２は、ガスおよび水
分に対するバリア層として機能するので、電極層４０３
などの形成工程において、ガスおよび水分がプラスチッ
ク基板４０１内に侵入することが防止されるとともに、
液晶パネルの形成後にプラスチック基板中を透過したガ
スおよび水分が液晶層４２０に侵入することが防止され
る。従って、表示品位の劣化がより確実に防止される。
【０１１２】第３樹脂層４０２の水分透過率は、表示品
位の劣化を確実に防止する観点から、温度が２５℃のと
き、０．１cc/m2・day・atm〜２０cc/m2・day・atmの範
囲内にあることが好ましい。また、第３樹脂層の酸素透
過率は、表示品位の劣化を確実に防止する観点から、温
度が２５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１cc/m 2
・day・atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にあることが
好ましい。
位の劣化を確実に防止する観点から、温度が２５℃のと
き、０．１cc/m2・day・atm〜２０cc/m2・day・atmの範
囲内にあることが好ましい。また、第３樹脂層の酸素透
過率は、表示品位の劣化を確実に防止する観点から、温
度が２５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１cc/m 2
・day・atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にあることが
好ましい。
【０１１３】
【発明の効果】本発明によると、信頼性の高い半導体装
置が提供される。また、本発明による半導体装置をアク
ティブマトリクス基板として用いることによって、信頼
性が高く、且つ、表示品位に優れた液晶表示装置が提供
される。
置が提供される。また、本発明による半導体装置をアク
ティブマトリクス基板として用いることによって、信頼
性が高く、且つ、表示品位に優れた液晶表示装置が提供
される。
【０１１４】本発明は、半導体素子を有する半導体装置
全般に好適に用いられる。
全般に好適に用いられる。
【図１】本発明による実施形態１のアクティブマトリク
ス基板１００を示す模式的な断面図である。
ス基板１００を示す模式的な断面図である。
【図２】本発明による実施形態２のアクティブマトリク
ス基板２００を示す模式的な断面図である。
ス基板２００を示す模式的な断面図である。
【図３】本発明による実施形態３のアクティブマトリク
ス基板１００を示す模式的な断面図である。
ス基板１００を示す模式的な断面図である。
【図４】本発明による他の実施形態の液晶表示装置４０
０を模式的に示す図である。
０を模式的に示す図である。
１００、２００、３００ アクティブマトリクス基板 １０１ プラスチック基板 １０２ 第１樹脂層 １０３ 第１無機絶縁層 １０４ ゲート電極 １０５ ゲート絶縁膜 １０６ 真性半導体膜 １０７ 導電性半導体膜 １０８ 画素電極 １０９ ソース電極 １１０ ドレイン電極 １１１ チャネル部 １１２ 保護絶縁膜 １４０ 薄膜トランジスタ ２０２ 第２樹脂層 ３０３ 第２無機絶縁膜 ４００ 液晶表示装置 ４０１ プラスチック基板 ４０２ 第３樹脂層 ４０３ 電極層 ４１０ 対向基板 ４２０ 液晶層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近間 義雅 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 JB02 JB03 JD11 JD12 2H092 JA24 JA34 JA37 JA41 MA05 MA07 MA13 NA25 5C094 AA31 AA33 BA03 BA43 CA19 DA15 EA04 EA07 EB01 5F110 AA14 AA30 BB01 CC07 DD01 DD12 DD13 DD14 DD15 DD17 DD24 EE01 EE03 EE04 EE15 EE44 FF03 FF29 GG02 GG15 GG24 GG35 HK02 HK03 HK04 HK06 HK07 HK09 HK16 HK21 HK22 HK25 HK33 HK34 NN02 NN24 NN35
Claims (12)
- 【請求項１】 主面と前記主面に対向する裏面とを有す
るプラスチック基板と、 前記プラスチック基板の前記主面上に形成された第１樹
脂層と、 前記第１樹脂層上に形成された第１無機絶縁層と、 前記第１無機絶縁層上に形成された半導体素子と、を有
する半導体装置。 - 【請求項２】 前記裏面上に形成された第２樹脂層をさ
らに有する請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記第２樹脂層上には無機絶縁層が形成
されていない請求項２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記第２樹脂層上に形成された第２無機
絶縁層をさらに有する請求項２に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記第１樹脂層の厚さは、１μｍ〜１０
μｍの範囲内にある請求項１から４のいずれかに記載の
半導体装置。 - 【請求項６】 前記第１無機絶縁層の厚さは、１０ｎｍ
以上３０ｎｍ未満である、請求項１から５のいずれかに
記載の半導体装置。 - 【請求項７】 前記第１樹脂層の水分透過率は、温度が
２５℃のとき、０．１cc/m2・day・atm〜２０cc/m2・da
y・atmの範囲内にある、請求項１から６のいずれかに記
載の半導体装置。 - 【請求項８】 前記第１樹脂層の酸素透過率は、温度が
２５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１cc/m2・day
・atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にある、請求項１か
ら７のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項９】 液晶層と、前記液晶層に電圧を印加する
電極と、請求項１から８のいずれかに記載の半導体装置
とを備えた液晶表示装置。 - 【請求項１０】 前記半導体装置の前記プラスチック基
板に前記液晶層を介して対向するように設けられた対向
基板を更に有し、 前記対向基板は、更なるプラスチック基板と、前記更な
るプラスチック基板の前記液晶層側の表面に形成された
第３樹脂層と、前記第３樹脂層上に形成された電極層と
を有する請求項９に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１１】 前記第３樹脂層の水分透過率は、温度
が２５℃のとき、０．１cc/m2・day・atm〜２０cc/m2・
day・atmの範囲内にある、請求項１０に記載の液晶表示
装置。 - 【請求項１２】 前記第３樹脂層の酸素透過率は、温度
が２５℃、相対湿度が０％ＲＨのとき、０．１cc/m2・d
ay・atm〜５cc/m2・day・atmの範囲内にある請求項１１
に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001088353A JP2002289861A (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 半導体装置およびそれを用いた液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001088353A JP2002289861A (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 半導体装置およびそれを用いた液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002289861A true JP2002289861A (ja) | 2002-10-04 |
Family
ID=18943461
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001088353A Pending JP2002289861A (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 半導体装置およびそれを用いた液晶表示装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2002289861A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2004040649A1 (ja) * | 2002-11-01 | 2006-03-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
| JPWO2004064018A1 (ja) * | 2003-01-15 | 2006-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離方法及びその剥離方法を用いた表示装置の作製方法 |
| JP2006301560A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Quanta Display Japan Inc | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JP2007173845A (ja) * | 2003-01-15 | 2007-07-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法及び半導体装置 |
| JP2008529305A (ja) * | 2005-01-26 | 2008-07-31 | ユナイテッド ソーラー オヴォニック コーポレイション | 薄い可撓性基板上のデバイスのカールを無くす方法及びかかる方法により作られるデバイス |
| US7816666B2 (en) | 2004-11-20 | 2010-10-19 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Preventing substrate deformation |
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