JP2002289642A

JP2002289642A - 半導体装置及びその製造方法、ボンディングツール、回路基板並びに電子機器

Info

Publication number: JP2002289642A
Application number: JP2001085369A
Authority: JP
Inventors: Koichi Fukuda; 耕一福田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2001-03-23
Filing date: 2001-03-23
Publication date: 2002-10-04

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体チップとリードとの接続信頼性の高い
半導体装置及びその製造方法、ボンディングツール、回
路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、
少なくとも１辺において仮想直線Ｌ１上に１列に並んだ
複数の第１の電極１４と仮想直線Ｌ１よりも内側に配置
された第２の電極１６とを含む半導体チップ１０と、電
極１２の配列に従って部分的に突出する周縁をなすボン
ディング面３２を含むボンディングツール３０と、を用
意し、複数のリード２０を半導体チップ１０の上方に配
置する工程と、ボンディング面３２の周縁を各リード２
０の電極１２との接合部からの長さがほぼ等しい位置に
接触させて、ボンディング面３２でリード２０を押圧す
る工程と、を含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法、ボンディングツール、回路基板並びに電子
機器に関する。

【０００２】

【発明の背景】ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術
を適用した半導体装置の製造方法では、ギャングボンデ
ィングを行うことが多い。ギャングボンディングでは、
複数のリードを一括して押圧して半導体チップの複数の
電極にボンディングする。

【０００３】従来、ツールのボンディング面は、半導体
チップに設けられた複数の電極の最外周を囲む矩形に形
成されていた。そのため、設計の都合上、例えば半導体
チップの電極が１辺において１直線に配列されない場合
には、ボンディングするときに、各電極とボンディング
面の周縁との距離がばらつくことがあった。その距離が
長い場合には、リードの電極との接合部から屈曲部まで
が長くなってしまい、リードが垂れて半導体チップに接
触する場合があった。

【０００４】本発明はこの問題点を解決するためのもの
であり、その目的は、半導体チップとリードとの接続信
頼性の高い半導体装置及びその製造方法、ボンディング
ツール、回路基板並びに電子機器を提供することにあ
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る半導
体装置の製造方法は、少なくとも１辺において仮想直線
上に１列に並んだ複数の第１の電極と前記仮想直線より
も内側に配置された第２の電極とを含む半導体チップ
と、前記電極の配列に従って部分的に突出する周縁をな
すボンディング面を含むボンディングツールと、を用意
し、複数のリードを前記半導体チップの上方に配置する
工程と、前記ボンディング面の周縁を各リードの前記電
極との接合部からの長さがほぼ等しい位置に接触させ
て、前記ボンディング面で前記リードを押圧する工程
と、を含む。

【０００６】本発明によれば、電極の配列に従って部分
的に突出している形状をなすボンディング面の周縁を、
各リードの電極との接合部からの長さがほぼ等しい位置
に接触させるので、複数のリードの電極との接合部から
屈曲部までの長さをほぼ等しくすることができる。した
がって、リードが垂れて半導体チップに接触することを
防止できる。

【０００７】（２）この半導体装置の製造方法におい
て、前記ボンディング面は、１つの面で構成され、前記
第１の電極を押圧する端部が前記第２の電極を押圧する
端部よりも突出して形成されてもよい。

【０００８】これによれば、ボンディング面は１つの面
で構成されるので、ボンディング面をクリーニングしや
すい。また、突出する部分を目印として、ボンディング
ツールと、半導体チップ又はリードと、の相対的な位置
合わせを行うこともできる。

【０００９】（３）この半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体チップは、矩形をなし、前記第２の電極
は、１辺に沿って配列される複数の電極のうちの端部に
位置し、前記第２の電極を押圧する端部は、前記ボンデ
ィング面の角部を構成してもよい。

【００１０】これによれば、ボンディング面の第２の電
極を押圧する端部にリードの酸化物などのゴミが付着し
ても、その端部はボンディング面の角部を構成する部分
であるのでゴミを容易に吐出すことができる。

【００１１】（４）この半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体チップは、矩形をなし、前記第２の電極
は、１辺に沿って配列される複数の電極のうちの中間部
に位置し、前記第２の電極を押圧する部分が２つの前記
第１の電極を押圧する端部の間に位置することによっ
て、前記ボンディング面の周縁の一部が凹部形状に形成
されてもよい。

【００１２】（５）本発明に係る半導体装置は、上記製
造方法によって製造されてなる。

【００１３】（６）本発明に係る回路基板は、上記半導
体装置を有する。

【００１４】（７）本発明に係る電子機器は、上記半導
体装置を有する。

【００１５】（８）本発明に係るボンディングツール
は、半導体チップの複数の電極の配列に従って、部分的
に突出する周縁をなすボンディング面を含む。

【００１６】本発明によれば、例えば、電極の配列に従
って部分的に突出している形状をなすボンディング面の
周縁を、各リードの電極との接合部からの長さがほぼ等
しい位置に接触させれば、複数のリードの電極との接合
部から屈曲部までの長さをほぼ等しくすることができ
る。したがって、リードが垂れて半導体チップに接触す
ることを防止できる。

【００１７】（９）このボンディングツールにおいて、
前記半導体チップは、少なくとも１辺において仮想直線
上に１列に並んだ複数の第１の電極と、前記仮想直線よ
りも内側に配置された第２の電極と、を含み、前記ボン
ディング面は、１つの面で構成され、前記第１の電極を
押圧する端部が前記第２の電極を押圧する端部よりも突
出して形成されてもよい。

【００１８】これによれば、ボンディング面は１つの面
で構成されるので、ボンディング面をクリーニングしや
すい。また、突出する部分を目印として、ボンディング
ツールと、半導体チップ又はリードと、の相対的な位置
合わせを行うこともできる。

【００１９】（１０）このボンディングツールにおい
て、前記第２の電極を押圧する端部は、前記ボンディン
グ面の角部を構成してもよい。

【００２０】これによれば、ボンディング面の第２の電
極を押圧する端部にリードの酸化物などのゴミが付着し
ても、その端部はボンディング面の角部を構成する部分
であるのでゴミを容易に吐出すことができる。

【００２１】（１１）このボンディングツールにおい
て、前記第２の電極を押圧する部分が２つの前記第１の
電極を押圧する端部の間に位置することによって、前記
ボンディング面の周縁の一部が凹部形状に形成されても
よい。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、
以下の実施の形態に限定されるものではない。

【００２３】（第１の実施の形態）図１〜図６は、本発
明に係る第１の実施の形態における半導体装置の製造方
法を説明するための図である。この製造方法では、本発
明を適用した第１の実施の形態に係るボンディングツー
ルを使用することができる。本実施の形態では、半導体
チップ１０と、複数のリード２０と、ボンディングツー
ル３０と、を用意する。

【００２４】図１は、半導体チップ１０及び複数のリー
ド２０を位置合わせしたときの半導体チップ１０の平面
図である。また、図２は、図１における半導体チップ１
０及びリード２０のII‐II線断面を含む図であり、ボン
ディングツール３０で複数のリード２０をボンディング
する前の状態を示す図である。

【００２５】図１に示すように、半導体チップ１０の外
形は、矩形であることが多いが、複数の四角形等を組み
合わせた形状であってもよい。半導体チップ１０は、複
数の電極１２を有する。電極１２は、半導体チップ１０
に形成された回路素子の外部電極であり、アルミニウム
又は銅などで薄く平らに形成されたパッドを含む。パッ
ド上にバンプが形成される場合には、電極１２はパッド
及びバンプを含む。バンプは、金、ニッケル、銅、銀、
スズなどで形成される。電極１２は、半導体チップ１０
の面で、回路素子が形成された能動領域の内側に形成さ
れてもよいし、外側に形成されてもよい。電極１２は、
半導体チップ１０の面上で端部に形成されることが多
い。この場合に、電極１２は矩形をなす半導体チップ１
０の各辺（平行な４辺）に形成されてもよく、あるいは
平行な２辺に形成されてもよい。なお、電極１２の少な
くとも一部を避けて半導体チップ１０には、パッシベー
ション膜（図示しない）が形成されている。パッシベー
ション膜は、例えば、ＳｉＯ ₂、ＳｉＮ、ポリイミド樹
脂などで形成することができる。

【００２６】電極１２は、半導体チップ１０の少なくと
も１辺において第１の仮想直線Ｌ１上に１列に並んだ複
数の第１の電極１４と、第１の仮想直線Ｌ１よりも半導
体チップ１０の内側に配置された第２の電極１６と、を
含む。第１の仮想直線Ｌ１は、半導体チップ１０の辺と
平行な直線であってもよい。そして、１つ又は複数の第
２の電極１６は、第１の仮想直線Ｌ１よりも内側に配置
される。この場合に、一群の第２の電極１６は、仮想直
線Ｌ１の方向で、一群の第１の電極１４の隣に配置され
る。第２の電極１６が複数設けられた場合に、それらは
第１の仮想直線Ｌ１とは別の第２の仮想直線Ｌ２上に配
列されてもよい。第２の仮想直線Ｌ２は、第１の仮想直
線Ｌ１と平行な直線であってもよい。

【００２７】あるいは、第２の電極１６は、第２の仮想
直線Ｌ２上と、第２の仮想直線Ｌ２から外れた領域と、
に配置されてもよい。すなわち、第１の仮想直線Ｌ１か
ら外れた領域に任意に配置されたものを第２の電極１６
と称してもよい。

【００２８】図１に示すように、半導体チップ１０の１
辺において、第１の電極１４の個数は、第２の電極１６
の個数よりも少なくてもよく、あるいは多くてもよい。
例えば、多くの第２の電極１６を半導体チップ１０の内
側に配置すれば、第２の電極１６の外側に他の素子（電
源ラインなど）を設けるための広い領域を確保すること
ができる。

【００２９】図１に示す例では、第２の電極１６は、１
辺に沿って配列される複数の電極１２のうちの端部に位
置している。言い換えると、第２の電極１６は、１辺の
うちの半導体チップ１０の角部を含む領域（１辺におい
て角部に近い領域）に設けられている。詳しくは、矩形
をなす半導体チップ１０の４つの角部のうち、少なくと
も１つの（図１では１つの）角部に第２の電極１６が配
置されている。この場合に、一群の第１の電極１４は、
一群の第２の電極１６が配置された角部とは隣の半導体
チップ１０の角部を含む領域に配置されてもよい。

【００３０】なお、図１に示す例では、第１及び第２の
電極１４、１６が半導体チップ１０の１辺にある場合を
示してあるが、第１及び第２の電極１４、１６は、半導
体チップ１０の２辺以上（例えば、隣り合う２辺又は対
向する２辺）に設けられてもよい。

【００３１】リード２０は、銅（Ｃｕ）、クローム（Ｃ
ｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタン
グステン（Ｔｉ−Ｗ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン
（Ｗ）のうちのいずれかを積層して、あるいはいずれか
の一層で形成することができる。リード２０の表面は、
金メッキ又はスズメッキされてもよい。リード２０は、
基板２２（図２参照）にて支持されていることが多い。

【００３２】基板２２は、有機系の材料で形成されるこ
とが多いが無機系の材料で形成されてもよい。基板２２
は、フレキシブル性を有してもよい。フレキシブル基板
として、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）や、ＴＡ
Ｂ（Tape Automated Bonding）技術で使用されるテープ
を使用してもよい。基板２２上のリード２０は、配線パ
ターンと称してもよい。ＴＡＢ技術が適用される場合に
は、基板２２にデバイスホール２４が形成され、デバイ
スホール２４の内側にリード２０の一部が突出する。突
出するリード２０の一部は、インナーリードと称され
る。

【００３３】リード２０は、１つ又は複数方向（多くの
場合は複数方向）からデバイスホール２４に延びて形成
される。また、リード２０は、密集した一群の電極１２
（例えば１つの辺に配列された一群の電極１２）と接続
する一群が１方向に延びることが多い。図１に示す例で
は、複数のリード２０は、矩形の半導体チップ１０が配
置されるデバイスホール２４の内側に４方向から延出し
ている。こうすることで、例えば、半導体チップ１０の
各辺（４辺）の端部に電極１２が配列される場合に、各
方向から延びる一群のリード２０を各電極１２に最短距
離で接続することができる。なお、複数のリード２０の
延びる方向は限定されず、例えば半導体チップ１０の平
行な２辺に電極１２が形成される場合に、複数のリード
２０は対向する２方向から延びて形成されてもよい。

【００３４】まず、図１及び図２に示すように、半導体
チップ１０と複数のリード２０とを位置合わせする。詳
しくは、半導体チップ１０における電極１２が形成され
た面の上方に、半導体チップ１０から間隔をあけて、複
数のリード２０を配置する。各リード２０を、いずれか
の電極１２の上方に位置させる。また、リード２０は、
その先端を半導体チップ１０の中央方向に向けて配置さ
せる。なお、ＴＡＢ技術が適用されるときには、デバイ
スホール２４の内側に半導体チップ１０を配置する。

【００３５】リード２０の上方に、ボンディングツール
３０を配置する。ボンディングツール３０は、リード２
０を押圧するボンディング面３２を含む。ボンディング
ツール３０は、一括して複数のリード２０を電極１２に
接合するためのものであり、リード２０と接触するボン
ディング面３２は平らな面であることが好ましい。ボン
ディングツール３０は、ボンディングを行うときに加熱
されることが好ましい。これにより、圧力及び熱によっ
てボンディングを行うことができる。例えば、ボンディ
ングツール３０は、ヒータなどの加熱手段を内蔵してい
てもよい。

【００３６】ここで、ボンディング面３２は、複数の電
極１２の配列に従って部分的に突出する周縁をなしてい
る。ボンディング面３２の外側に切り欠き３４が存在す
るともいえる。切り欠き３４とボンディング面３２とが
結合した形状は、半導体チップ１０の相似形であっても
よい。図示する例では、切り欠き３４とボンディング面
３２とが結合した形状は、矩形である。

【００３７】図３に示すように、例えば切り欠き３４の
形状は、複数の第２の電極１６の配列する方向に長い長
方形であってもよい。あるいは、複数の第２の電極１６
が任意の位置に設けられる場合には、切り欠き３４は、
それぞれの第２の電極１６からボンディング面３２の周
縁までの距離（最短の長さ）がほぼ等しくなる形状に形
成され、例えば複数の角部を有する階段形状であっても
よい。

【００３８】ボンディング面３２は、図３に示すように
１つの面で構成されてもよく、あるいは複数の面で構成
されてもよい。ボンディング面３２を１つの面にすれ
ば、構造が簡易であるのでクリーニングなどのメンテナ
ンスが容易となる。

【００３９】図３に示すように、ボンディング面３２
は、第１の電極１４を押圧する部分（端部３６）が第２
の電極１６を押圧する部分（端部３８）よりも突出して
形成されている。この場合に、切り欠き３４は、ボンデ
ィング面３２の第２の電極１６を押圧する端部３８の外
側に存在する。第１の電極１４を押圧する端部３６を構
成する辺の１つは、第２の電極１６を押圧する端部３８
を構成する辺と接続されて、両者の間の角度は直角をな
すことが好ましい。すなわち、切り欠き３４におけるボ
ンディング面３２の内側に向く角部は直角であることが
好ましく、これによって、狭ピッチに配列された複数の
電極１２に従って、ボンディング面３２の周縁の形状を
対応させることができる。

【００４０】これによれば、ボンディング面３２の突出
する部分（例えば端部３６）、突出していない部分（例
えば端部３８）又はそれらの境界を目印として使用し
て、ボンディングツール３０と、半導体チップ１０又は
リード２０と、の相対的な位置合わせを行うことも可能
である。位置決めの目印は、ボンディング面３２の突出
する部分を基準とする部分であれば、いかなる部分を使
用してもよい。これは、ボンディング面３２の全体の形
状が非対称である場合に特に有効である。

【００４１】図３に示す例では、第２の電極１６を押圧
する端部３８は、ボンディング面３２の角部を構成す
る。例えば、矩形をなす切り欠き３４は、ボンディング
面３２の直交する２辺のみに接してもよい。ボンディン
グ面３２は、Ｌ字状に切り欠いて形成されているともい
える。これによれば、ボンディング面３２の第２の電極
１６を押圧する端部３８に、リード２０の酸化物（メッ
キの酸化物）などのゴミが付着しても、ゴミを容易に吐
出すことができる。詳しくは、切り欠き３４はボンディ
ング面３２の直交する２辺にしか接していないので、砥
石で研削した後にブラシによってゴミを複数方向から吐
出せる。したがって、ボンディングツール３０のクリー
ニングを容易に行うことができる。

【００４２】図３に示す例とは別に、ボンディング面３
２が複数の面からなる場合には、各面は１つの電極１２
を接合してもよく、あるいは２つ以上の電極１２を一括
して接合してもよい。例えば、複数のボンディング面３
２のうち１つの面は、第２の電極１６の全部を一括して
押圧する面であってもよい。

【００４３】図４及び図５に示すように、ボンディング
ツール３０を降下させ、ボンディング面３２で複数のリ
ード２０を押圧する。図４は、電極１２及びリード２０
が接合された半導体チップ１０の平面図である。図５
は、図４における半導体チップ１０及びリード２０のＶ
‐Ｖ線断面を含む図であり、ボンディングツール３０で
複数のリード２０をボンディングした状態を示す図であ
る。

【００４４】ボンディング面３２は、その周縁を各リー
ド２０の電極１２との接合部からの長さがほぼ等しい位
置に接触させて、複数のリード２０を押圧する。これに
より、半導体チップ１０から間隔をあけて配置された複
数のリード２０は、ボンディング面３２の周縁で一括し
て屈曲される。詳しくは、複数のリード２０は、半導体
チップ１０から離れる方向に屈曲される。複数のリード
２０は、半導体チップ１０から斜めに屈曲されることが
好ましい。例えば、ボンディング面３２の周縁に接続さ
れる傾斜面（図示しない）によって、複数のリード２０
の傾斜角度が規制されてもよい。

【００４５】そして、ボンディング面３２の端部３６に
よって第１の電極１４を押圧し、端部３８によって第２
の電極１６を押圧する。ボンディング面３２の各端部３
６、３８は上述のように構成されているので、これによ
って、第１のリード２６の第１の電極１４との接合部か
ら屈曲部までの長さと、第２のリード２８の第２の電極
１６との接合部から屈曲部までの長さと、をほぼ等しく
することができる。すなわち、第２のリード２８を、第
１のリード２６の屈曲部よりも半導体チップ１０の内側
で屈曲させることができる。

【００４６】詳しく説明すると、図６に示す図４の部分
拡大図にあるように、第１の電極１４（第１の電極１４
の中心点）から半導体チップ１０の周縁までの距離Ｘ₁
と、第２の電極１６（第２の電極１６の中心点）から半
導体チップ１０の周縁までの距離Ｘ₂と、は以下の関係
を有する。

【００４７】Ｘ₁＜Ｘ₂ 例えば、電極１２のパッドの１辺が約１００μｍである
場合に、Ｘ₁及びＸ₂は、以下の関係であってもよい。

【００４８】Ｘ₁＋約８０μｍ＝Ｘ₂ 一方、ボンディング面３２は、第１の電極１４を押圧す
る端部３６が第２の電極１６を押圧する端部３８よりも
突出して形成されている。したがって、第１のリード２
６の第１の電極１４との接合部から屈曲部（ボンディン
グ面３２の周縁）までの長さＹ₁と、第２のリード２８
の第２の電極１６との接合部から屈曲部（ボンディング
面３２の周縁）までの長さＹ₂と、は以下の関係を有す
る。

【００４９】Ｙ₁＝Ｙ₂ 例えば、Ｙ₁（＝Ｙ₂）＝約２５μｍであってもよい。

【００５０】すなわち、１辺において、各電極１２にお
ける半導体チップ１０の周縁までの距離が互いに異なっ
ていても、複数のリード２０の電極１２との接合部から
屈曲部までの長さをほぼ等しくすることができる。した
がって、リード２０が垂れて半導体チップ１０に接触す
ること、すなわちリード２０が短絡することを防ぐこと
ができる。

【００５１】本実施の形態に係るボンディングツール３
０は、部分的に突出する周縁をなすボンディング面３２
を含む。ボンディング面３２は、半導体チップ１０の複
数の電極１２の配列に従って、相対的に形状が決められ
る。構成及びその効果は、製造方法において説明した通
りである。

【００５２】図７は、本発明を適用した実施の形態に係
る半導体装置を含む図である。半導体装置は、上述の製
造方法によって製造されてなる。

【００５３】本実施の形態で説明する半導体装置は、一
定の領域で打ち抜かれる前の状態のテープ状半導体装置
であってもよく、あるいはＴＡＢ技術が適用されたフィ
ルムキャリアであってもよい。あるいは、それらが１つ
又は複数の半導体チップ１０を含む領域で打ち抜かれた
ものを半導体装置としてもよい。

【００５４】図７に示す基板２２は、テープ状をなし、
端部に複数のスプロケットホール２３が形成されてい
る。スプロケットホール２３にスプロケット（図示せ
ず）をはめ合わせて、基板２２のリール・トゥ・リール
搬送が可能になっている。

【００５５】基板２２には、少なくとも１つ（１つでも
よいが図７では複数）のアウターリードホール２５が形
成されてもよい。アウターリードホール２５は、半導体
チップ１０の配置位置の周囲に形成される。例えば、デ
バイスホール２４が矩形をなす場合に、矩形の各辺に平
行に延びる長穴のアウターリード２５が形成されてもよ
い。アウターリードホール２５上をまたいでリード２０
を形成し、リード２０におけるアウターリードホール２
５上の部分を外部端子（アウターリード）として使用す
ることができる。また、リード２０をアウターリードよ
りもさらに延長して、テストパッドを設けてよい。

【００５６】本実施の形態に係る半導体装置によれば、
各リード２０の電極１２との接合部から屈曲部までの長
さをほぼ等しくできるので、リード２０の屈曲部までが
長すぎて垂れてしまうことで半導体チップ１０に接触す
ることを避けられる。したがって、信頼性の高い半導体
装置を提供することができる。

【００５７】（第２の実施の形態）図８及び図９は、本
発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製
造方法及びボンディングツールを説明するための図であ
る。図８は、半導体チップ４０の平面図である。本実施
の形態では、上述の実施の形態で説明した内容を可能な
限り適用することができる。そして、本実施の形態でも
上述の実施の形態と同様の効果を得ることができる。

【００５８】本実施の形態では、電極４２を有する半導
体チップ４０を使用し、ボンディング面５２の形状が上
述の実施の形態と異なる。半導体チップ４０は、少なく
とも１辺において第１の仮想直線Ｌ１上に１列に並んだ
複数の第１の電極４４と、第１の仮想直線Ｌ１よりも半
導体チップ４０の内側に配置された第２の電極４６と、
を含む。第１及び第２の仮想直線Ｌ１、Ｌ２の説明は、
上述の内容を適用することができる。以下に、上述の実
施の形態と異なる点を説明する。

【００５９】図８に示す例では、第２の電極４６は、１
辺に沿って配列される複数の電極４２のうちの中間部に
位置する。言い換えると、第２の電極４６は、１辺のう
ちの半導体チップ１０の角部を除く領域に設けられてい
る。すなわち、第１の電極４４は、１辺に沿って配列さ
れる複数の電極４２の端部に位置する。そして、第２の
電極４６は、第１の電極４４の間に位置する。第２の電
極４６は、半導体チップ１０の１辺に設けられてもよ
く、あるいは２辺以上に設けられてもよい。なお、半導
体チップ４０（第１及び第２の電極４４、４６を含む）
のその他の形態は、上述の実施の形態で説明した内容を
適用することができる。

【００６０】図９に示すように、ボンディング面５２の
平面視において、第２の電極４６を押圧する部分（端部
５８）は、２つの第１の電極４４を押圧する部分（端部
５６、５７）の間に位置している。詳しくは、第２の電
極４６を押圧する部分は、２つの第１の電極４４を押圧
する部分の端部で挟まれている。これによって、ボンデ
ィング面５２の周縁の一部が凹部形状に形成されてい
る。すなわち、端部５８と、両側に端部５８を挟んで配
置され、それよりも突出する端部５６、５７と、によっ
て、ボンディング面３２の周縁の一部が凹部形状をなし
ている。言い換えれば、端部５６、５７、５８で囲まれ
た空間に切り欠き５４が存在するともいえる。例えば切
り欠き５４の形状は、複数の第２の電極４６が配列する
方向に長い長方形であってもよい。

【００６１】なお、その他のボンディング面５２の形態
は、上述の実施の形態で説明した内容（端部の形状及び
それらの関係、切り欠きの形状など）を適用することが
できる。

【００６２】図１０は、半導体装置が実装された回路基
板を示す図である。回路基板６０には例えばガラスエポ
キシ基板等の有機系基板を用いることが一般的である。
回路基板６０には例えば銅等からなる配線パターン６２
が所望の回路となるように形成されていて、配線パター
ン６２と半導体装置のアウターリードとが接合されてい
る。なお、半導体チップ１０の少なくとも一部は、封止
材７０で封止されることが多い。また、リード２０の少
なくとも一部は、ソルダーレジストなどの保護膜７２で
覆われる。

【００６３】そして、本発明を適用した半導体装置を有
する電子機器として、図１１にはノート型パーソナルコ
ンピュータ８０、図１２には携帯電話９０が示されてい
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。

【図２】図２は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法を示す図である。

【図３】図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係るボンディングツールのボンディング面の平面図であ
る。

【図４】図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。

【図５】図５は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法を示す図である。

【図６】図６は、図４の部分拡大図である。

【図７】図７は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置を示す図である。

【図８】図８は、本発明を適用した第２の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。

【図９】図９は、本発明を適用した第２の実施の形態に
係るボンディングツールのボンディング面の平面図であ
る。

【図１０】図１０は、本発明を適用した実施の形態に係
る半導体装置が搭載された回路基板を示す図である。

【図１１】図１１は、本発明を適用した実施の形態に係
る半導体装置を有する電子機器を示す図である。

【図１２】図１２は、本発明を適用した実施の形態に係
る半導体装置を有する電子機器を示す図である。

【符号の説明】

１０半導体チップ１２電極１４第１の電極１６第２の電極２０リード２６第１のリード２８第２のリード３０ボンディングツール３２ボンディング面３４切り欠き３６端部３８端部４０半導体チップ４２電極４４第１の電極４６第２の電極５２ボンディング面５４切り欠き５６端部５７端部５８端部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも１辺において仮想直線上に１
列に並んだ複数の第１の電極と前記仮想直線よりも内側
に配置された第２の電極とを含む半導体チップと、前記
電極の配列に従って部分的に突出する周縁をなすボンデ
ィング面を含むボンディングツールと、を用意し、複数
のリードを前記半導体チップの上方に配置する工程と、前記ボンディング面の周縁を各リードの前記電極との接
合部からの長さがほぼ等しい位置に接触させて、前記ボ
ンディング面で前記リードを押圧する工程と、を含む半
導体装置の製造方法。
【請求項２】請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記ボンディング面は、１つの面で構成され、前記第１
の電極を押圧する端部が前記第２の電極を押圧する端部
よりも突出して形成されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項３】請求項２記載の半導体装置の製造方法にお
いて、前記半導体チップは、矩形をなし、前記第２の電極は、１辺に沿って配列される複数の電極
のうちの端部に位置し、前記第２の電極を押圧する端部は、前記ボンディング面
の角部を構成する半導体装置の製造方法。
【請求項４】請求項２記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記半導体チップは、矩形をなし、前記第２の電極は、１辺に沿って配列される複数の電極
のうちの中間部に位置し、前記第２の電極を押圧する部分が２つの前記第１の電極
を押圧する端部の間に位置することによって、前記ボン
ディング面の周縁の一部が凹部形状に形成された半導体
装置の製造方法。
【請求項５】請求項１から請求項４のいずれかに記載
の製造方法によって製造されてなる半導体装置。
【請求項６】請求項５記載の半導体装置を有する回路
基板。
【請求項７】請求項５記載の半導体装置を有する電子
機器。
【請求項８】半導体チップの複数の電極の配列に従っ
て、部分的に突出する周縁をなすボンディング面を含む
ボンディングツール。
【請求項９】請求項８記載のボンディングツールにお
いて、前記半導体チップは、少なくとも１辺において仮想直線
上に１列に並んだ複数の第１の電極と、前記仮想直線よ
りも内側に配置された第２の電極と、を含み、前記ボンディング面は、１つの面で構成され、前記第１
の電極を押圧する端部が前記第２の電極を押圧する端部
よりも突出して形成されてなるボンディングツール。
【請求項１０】請求項９記載のボンディングツールに
おいて、前記第２の電極を押圧する端部は、前記ボンディング面
の角部を構成するボンディングツール。
【請求項１１】請求項９記載のボンディングツールに
おいて、前記第２の電極を押圧する部分が２つの前記第１の電極
を押圧する端部の間に位置することによって、前記ボン
ディング面の周縁の一部が凹部形状に形成されてなるボ
ンディングツール。