JP2001298056A - 可撓性配線基板、フィルムキャリア、テープ状半導体装置、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
可撓性配線基板、フィルムキャリア、テープ状半導体装置、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器Info
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 応力を緩和する可撓性配線基板、フィルムキ
ャリア、テープ状半導体装置、半導体装置及びその製造
方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。 【解決手段】 可撓性配線基板１は、長尺状のベース基
板１０と、ベース基板１０に形成された複数の配線パタ
ーン２０と、を含み、各配線パターン２０は、インナー
リード２６、２８を有し、ベース基板１０には、その幅
方向にインナーリード２６、２８からずれた位置に、ベ
ース基板１０の長さ方向に延びるスリット４０が形成さ
れてなる。
ャリア、テープ状半導体装置、半導体装置及びその製造
方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。 【解決手段】 可撓性配線基板１は、長尺状のベース基
板１０と、ベース基板１０に形成された複数の配線パタ
ーン２０と、を含み、各配線パターン２０は、インナー
リード２６、２８を有し、ベース基板１０には、その幅
方向にインナーリード２６、２８からずれた位置に、ベ
ース基板１０の長さ方向に延びるスリット４０が形成さ
れてなる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、可撓性配線基板、
フィルムキャリア、テープ状半導体装置、半導体装置及
びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
フィルムキャリア、テープ状半導体装置、半導体装置及
びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】従来、可撓性配線基板に半導体チップを
実装するＴＡＢ（Tape Automated Bonding）が知られて
いる。可撓性配線基板にはリードが形成されており、リ
ードと半導体チップのパッドとが接合され、接合部は樹
脂封止される。
実装するＴＡＢ（Tape Automated Bonding）が知られて
いる。可撓性配線基板にはリードが形成されており、リ
ードと半導体チップのパッドとが接合され、接合部は樹
脂封止される。
【０００３】ＴＡＢ方式によれば、可撓性配線基板を屈
曲させて、リール・ツウ・リールで工程を行うが、半導
体チップのパッドとリードとの接合部は樹脂封止される
ため屈曲しない。そのため、パッドとリードとの接合部
に応力が加えられるという問題があった。
曲させて、リール・ツウ・リールで工程を行うが、半導
体チップのパッドとリードとの接合部は樹脂封止される
ため屈曲しない。そのため、パッドとリードとの接合部
に応力が加えられるという問題があった。
【０００４】本発明は、この問題点を解決するためのも
のであり、その目的は、応力を緩和する可撓性配線基
板、フィルムキャリア、テープ状半導体装置、半導体装
置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供す
ることにある。
のであり、その目的は、応力を緩和する可撓性配線基
板、フィルムキャリア、テープ状半導体装置、半導体装
置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る可撓
性配線基板は、長尺状のベース基板と、前記ベース基板
に形成された複数の配線パターンと、を含み、各配線パ
ターンは、電気的接続部を有し、前記ベース基板には、
その幅方向に前記電気的接続部からずれた位置に、前記
ベース基板の長さ方向に延びるスリットが形成されてな
る。
性配線基板は、長尺状のベース基板と、前記ベース基板
に形成された複数の配線パターンと、を含み、各配線パ
ターンは、電気的接続部を有し、前記ベース基板には、
その幅方向に前記電気的接続部からずれた位置に、前記
ベース基板の長さ方向に延びるスリットが形成されてな
る。
【０００６】本発明によれば、スリットによってベース
基板が部分的に切断されているので、電気的接続部を通
る幅方向の直線に沿ってベース基板を屈曲させたとき
に、電気的接続部の隣の部分（ベース基板の部分）は、
電気的接続部に影響を与えずに屈曲できる。その結果、
電気的接続部への応力を緩和することができる。
基板が部分的に切断されているので、電気的接続部を通
る幅方向の直線に沿ってベース基板を屈曲させたとき
に、電気的接続部の隣の部分（ベース基板の部分）は、
電気的接続部に影響を与えずに屈曲できる。その結果、
電気的接続部への応力を緩和することができる。
【０００７】（２）この可撓性配線基板において、前記
スリットは、前記ベース基板の長さ方向に、前記電気的
接続部の大きさ以上の長さで形成されていてもよい。
スリットは、前記ベース基板の長さ方向に、前記電気的
接続部の大きさ以上の長さで形成されていてもよい。
【０００８】こうすることで、電気的接続部と、その隣
の部分（ベース基板の部分）とを、スリットによってベ
ース基板の幅方向に分離できる。
の部分（ベース基板の部分）とを、スリットによってベ
ース基板の幅方向に分離できる。
【０００９】（３）この可撓性配線基板において、前記
電気的接続部は、前記ベース基板の幅方向のほぼ中央部
に形成され、前記スリットは、前記ベース基板の幅方向
の端部に形成されていてもよい。
電気的接続部は、前記ベース基板の幅方向のほぼ中央部
に形成され、前記スリットは、前記ベース基板の幅方向
の端部に形成されていてもよい。
【００１０】（４）この可撓性配線基板において、前記
スリットは、長穴であってもよい。
スリットは、長穴であってもよい。
【００１１】（５）この可撓性配線基板において、前記
スリットは、切れ目であってもよい。
スリットは、切れ目であってもよい。
【００１２】（６）この可撓性配線基板において、前記
ベース基板には、複数のデバイスホールが形成され、前
記電気的接続部は、各デバイスホール内に突出する複数
のインナーリードを含んでいてもよい。
ベース基板には、複数のデバイスホールが形成され、前
記電気的接続部は、各デバイスホール内に突出する複数
のインナーリードを含んでいてもよい。
【００１３】（７）この可撓性配線基板において、前記
ベース基板には、前記スリットと前記電気的接続部との
間に、前記ベース基板よりも硬い材質の補強部が形成さ
れていてもよい。
ベース基板には、前記スリットと前記電気的接続部との
間に、前記ベース基板よりも硬い材質の補強部が形成さ
れていてもよい。
【００１４】これによれば、ベース基板の屈曲によって
電気的接続部に与える応力を、補強部によって緩和する
ことができる。
電気的接続部に与える応力を、補強部によって緩和する
ことができる。
【００１５】（８）この可撓性配線基板において、前記
補強部は、前記ベース基板の長さ方向に、前記電気的接
続部の大きさ以上の長さで形成されていてもよい。
補強部は、前記ベース基板の長さ方向に、前記電気的接
続部の大きさ以上の長さで形成されていてもよい。
【００１６】こうすることで、電気的接続部の全体に対
する応力を緩和することができる。
する応力を緩和することができる。
【００１７】（９）この可撓性配線基板において、前記
補強部は、前記配線パターンと同じ材料からなる部分を
含んでいてもよい。
補強部は、前記配線パターンと同じ材料からなる部分を
含んでいてもよい。
【００１８】（１０）この可撓性配線基板において、前
記補強部は、ソルダーレジストからなる部分を含んでい
てもよい。
記補強部は、ソルダーレジストからなる部分を含んでい
てもよい。
【００１９】（１１）この可撓性配線基板において、前
記ベース基板には、その端部に複数のスプロケットホー
ルが長さ方向に並んで形成され、前記スリットは、前記
スプロケットホールよりも、前記ベース基板の中央側に
形成されていてもよい。
記ベース基板には、その端部に複数のスプロケットホー
ルが長さ方向に並んで形成され、前記スリットは、前記
スプロケットホールよりも、前記ベース基板の中央側に
形成されていてもよい。
【００２０】（１２）この可撓性配線基板において、い
ずれかの前記スプロケットホールは、前記ベース基板の
幅方向に、前記電気的接続部からずれた位置に形成され
ていてもよい。
ずれかの前記スプロケットホールは、前記ベース基板の
幅方向に、前記電気的接続部からずれた位置に形成され
ていてもよい。
【００２１】これによれば、スプロケットホールも、上
述したスリットと同じ効果を達成する。
述したスリットと同じ効果を達成する。
【００２２】（１３）本発明にかかるフィルキャリア
は、上記可撓性配線基板の前記ベース基板を、幅方向に
延びる直線で切断して得られた形状をなす。
は、上記可撓性配線基板の前記ベース基板を、幅方向に
延びる直線で切断して得られた形状をなす。
【００２３】本発明によれば、上述した可撓性配線基板
の効果を達成することができる。
の効果を達成することができる。
【００２４】（１４）本発明に係るテープ状半導体装置
は、上記可撓性配線基板と、前記可撓性配線基板の前記
電気的接続部に、電気的に接続された複数の半導体チッ
プと、を有する。
は、上記可撓性配線基板と、前記可撓性配線基板の前記
電気的接続部に、電気的に接続された複数の半導体チッ
プと、を有する。
【００２５】本発明によれば、上述した効果を達成でき
る可撓性配線基板を使用するので、電気的接続部への応
力を緩和して、可撓性配線基板を巻き取ることができ
る。
る可撓性配線基板を使用するので、電気的接続部への応
力を緩和して、可撓性配線基板を巻き取ることができ
る。
【００２６】（１５）このテープ状半導体装置は、前記
電気的接続部を封止するシール部をさらに有してもよ
い。
電気的接続部を封止するシール部をさらに有してもよ
い。
【００２７】これによれば、上述したスリットによっ
て、シール部に対する応力を緩和することができる。
て、シール部に対する応力を緩和することができる。
【００２８】（１６）このテープ状半導体装置におい
て、前記シール部は、前記ベース基板の長さ方向に、前
記スリットの長さの範囲内で形成されていてもよい。
て、前記シール部は、前記ベース基板の長さ方向に、前
記スリットの長さの範囲内で形成されていてもよい。
【００２９】これによれば、シール部の全体に対する応
力を緩和することができる。
力を緩和することができる。
【００３０】（１７）このテープ状半導体装置におい
て、前記シール部は、前記ベース基板の長さ方向に、上
述した補強部の長さの範囲内で形成されていてもよい。
て、前記シール部は、前記ベース基板の長さ方向に、上
述した補強部の長さの範囲内で形成されていてもよい。
【００３１】これによれば、シール部の全体に対する応
力を緩和することができる。
力を緩和することができる。
【００３２】（１８）本発明に係る半導体装置は、上記
テープ状半導体装置の前記ベース基板を、いずれか１つ
の前記半導体チップの両側で幅方向に延びる直線で切断
した形状をなす。
テープ状半導体装置の前記ベース基板を、いずれか１つ
の前記半導体チップの両側で幅方向に延びる直線で切断
した形状をなす。
【００３３】（１９）本発明に係る半導体装置は、上記
テープ状半導体装置の前記ベース基板を、いずれか１つ
の前記半導体チップを囲む輪郭で打ち抜いた形状をな
す。
テープ状半導体装置の前記ベース基板を、いずれか１つ
の前記半導体チップを囲む輪郭で打ち抜いた形状をな
す。
【００３４】（２０）本発明に係る回路基板は、上記半
導体装置が電気的に接続されてなる。
導体装置が電気的に接続されてなる。
【００３５】（２１）本発明に係る電子機器は、上記半
導体装置を有する。
導体装置を有する。
【００３６】（２２）本発明に係る半導体装置の製造方
法は、上記可撓性配線基板をリールに巻き取って用意
し、前記リールから前記可撓性配線基板を引き出して行
う工程を含む。
法は、上記可撓性配線基板をリールに巻き取って用意
し、前記リールから前記可撓性配線基板を引き出して行
う工程を含む。
【００３７】本発明によれば、上述した効果を達成でき
る可撓性配線基板を使用するので、電気的接続部への応
力を緩和して工程を行うことができる。
る可撓性配線基板を使用するので、電気的接続部への応
力を緩和して工程を行うことができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した好適な実
施の形態について図面を参照して説明するが、本発明は
以下の実施の形態に限定されるものではない。
施の形態について図面を参照して説明するが、本発明は
以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００３９】（可撓性配線基板）図１は、本実施の形態
に係る可撓性配線基板を示す図である。可撓性配線基板
１は、ベース基板１０と、複数の配線パターン２０と、
を含む。可撓性配線基板１は、図２（Ａ）に示すリール
４８に巻き取って取り扱うことができる。可撓性配線基
板１は、ＴＡＢ技術が適用される場合には、ＴＡＢ用基
板（フィルムキャリアテープ）であるが、これに限定さ
れるものではなく、ＣＯＦ（Chip On Film）用基板や、
ＣＯＢ（Chip On Board）用基板であってもよい。
に係る可撓性配線基板を示す図である。可撓性配線基板
１は、ベース基板１０と、複数の配線パターン２０と、
を含む。可撓性配線基板１は、図２（Ａ）に示すリール
４８に巻き取って取り扱うことができる。可撓性配線基
板１は、ＴＡＢ技術が適用される場合には、ＴＡＢ用基
板（フィルムキャリアテープ）であるが、これに限定さ
れるものではなく、ＣＯＦ（Chip On Film）用基板や、
ＣＯＢ（Chip On Board）用基板であってもよい。
【００４０】ベース基板１０は、長尺状（テープ状）を
なす基材であり、配線パターン２０の支持部材である。
ベース基板１０は、フレキシブル性を有する。ベース基
板１０は、ポリイミド樹脂で形成されることが多いがそ
れ以外の周知の材料を使用することができる。ベース基
板１０の幅方向の両端部に、長さ方向に並ぶ複数のスプ
ロケットホール１２を形成すれば、これに図示しないツ
メを係合させて可撓性配線基板１を送り出すことができ
る。
なす基材であり、配線パターン２０の支持部材である。
ベース基板１０は、フレキシブル性を有する。ベース基
板１０は、ポリイミド樹脂で形成されることが多いがそ
れ以外の周知の材料を使用することができる。ベース基
板１０の幅方向の両端部に、長さ方向に並ぶ複数のスプ
ロケットホール１２を形成すれば、これに図示しないツ
メを係合させて可撓性配線基板１を送り出すことができ
る。
【００４１】ＴＡＢ技術が適用される場合には、ベース
基板１０には、各配線パターン２０について１つの（全
体では複数の）デバイスホール１４が形成されている。
デバイスホール１４を介して、半導体チップ６０（図３
参照）と、それとの電気的接続部（例えばインナーリー
ド２６、２８）とのボンディングを行うことができる。
デバイスホール１４の形状は特に限定されなず、半導体
チップ６０を完全に収容できる大きさであっても、一部
を収容するだけの大きさであってもよい。
基板１０には、各配線パターン２０について１つの（全
体では複数の）デバイスホール１４が形成されている。
デバイスホール１４を介して、半導体チップ６０（図３
参照）と、それとの電気的接続部（例えばインナーリー
ド２６、２８）とのボンディングを行うことができる。
デバイスホール１４の形状は特に限定されなず、半導体
チップ６０を完全に収容できる大きさであっても、一部
を収容するだけの大きさであってもよい。
【００４２】ベース基板１０には、複数の配線パターン
２０が形成されている。３層基板の可撓性配線基板１で
は、配線パターン２０が接着剤（図示せず）を介してベ
ース基板１０に接着されている。２層基板の可撓性配線
基板１では、配線パターン２０が、ベース基板１０上に
直接形成され、接着剤が介在しない。
２０が形成されている。３層基板の可撓性配線基板１で
は、配線パターン２０が接着剤（図示せず）を介してベ
ース基板１０に接着されている。２層基板の可撓性配線
基板１では、配線パターン２０が、ベース基板１０上に
直接形成され、接着剤が介在しない。
【００４３】配線パターン２０は、長尺状のベース基板
１０の長手方向に並んで形成されてもよいし、幅方向に
並んで形成されてもよいし、マトリクス状に（長手方向
及び幅方向に並んで）形成されてもよい。それぞれの配
線パターン２０は、同一の形状であることが多いが、異
なる形状であってもよい。例えば、ｎ種類の形状をなす
ｎ個の配線パターン２０が並んで構成される配線パター
ングループを、繰り返して形成してもよい。複数の配線
パターン２０は、電気メッキを行うために、図示しない
メッキリードで電気的に接続されていてもよい。
１０の長手方向に並んで形成されてもよいし、幅方向に
並んで形成されてもよいし、マトリクス状に（長手方向
及び幅方向に並んで）形成されてもよい。それぞれの配
線パターン２０は、同一の形状であることが多いが、異
なる形状であってもよい。例えば、ｎ種類の形状をなす
ｎ個の配線パターン２０が並んで構成される配線パター
ングループを、繰り返して形成してもよい。複数の配線
パターン２０は、電気メッキを行うために、図示しない
メッキリードで電気的に接続されていてもよい。
【００４４】各配線パターン２０は、複数の配線２２、
２４を有する。詳しくは、ベース基板１０の長手方向に
沿って、デバイスホール１４の一方の側（図１では上
側）に複数の配線２２が形成され、他方の側（図１では
下側）に複数の配線２４が形成されている。
２４を有する。詳しくは、ベース基板１０の長手方向に
沿って、デバイスホール１４の一方の側（図１では上
側）に複数の配線２２が形成され、他方の側（図１では
下側）に複数の配線２４が形成されている。
【００４５】各配線２２、２４は、一方の端部に形成さ
れるインナーリード２６、２８と、その間隔を拡げる方
向に延びる傾斜部３０、３２と、他方の端部３４、３６
と、を含む。
れるインナーリード２６、２８と、その間隔を拡げる方
向に延びる傾斜部３０、３２と、他方の端部３４、３６
と、を含む。
【００４６】インナーリード２６、２８は、デバイスホ
ール１４内に突出する。インナーリード２６同士及びイ
ンナーリード２８同士は、平行に形成されており、ベー
ス基板１０の長手方向に延びて形成されていてもよい。
インナーリード２６、２８は、半導体チップ６０との電
気的接続部である。
ール１４内に突出する。インナーリード２６同士及びイ
ンナーリード２８同士は、平行に形成されており、ベー
ス基板１０の長手方向に延びて形成されていてもよい。
インナーリード２６、２８は、半導体チップ６０との電
気的接続部である。
【００４７】傾斜部３０、３２は、インナーリード２
６、２８の間隔を拡げる方向に傾斜して形成される。傾
斜部３０、３２は、直線を描いて形成してもよいし、曲
線を描いて形成してもよい。
６、２８の間隔を拡げる方向に傾斜して形成される。傾
斜部３０、３２は、直線を描いて形成してもよいし、曲
線を描いて形成してもよい。
【００４８】端部３４、３６は、傾斜部３０、３２か
ら、インナーリード２６、２８とは反対側に延設されて
なる。端部３４同士及び端部３６同士は、平行に形成さ
れており、ベース基板１０の長手方向に延びて形成され
ていてもよい。端部３４、３６は、インナーリード２
６、２８よりも、その幅及びピッチの少なくとも一方を
広く形成してもよい。端部３４、３６は、他の電気部品
と電気的に接続される。図１の例では、配線２４の端部
３６は、アウターリードホール３８をまたいで形成され
ており、端部３６のうち、アウターリードホール３８内
の部分はアウターリードである。
ら、インナーリード２６、２８とは反対側に延設されて
なる。端部３４同士及び端部３６同士は、平行に形成さ
れており、ベース基板１０の長手方向に延びて形成され
ていてもよい。端部３４、３６は、インナーリード２
６、２８よりも、その幅及びピッチの少なくとも一方を
広く形成してもよい。端部３４、３６は、他の電気部品
と電気的に接続される。図１の例では、配線２４の端部
３６は、アウターリードホール３８をまたいで形成され
ており、端部３６のうち、アウターリードホール３８内
の部分はアウターリードである。
【００４９】ベース基板１０には、スリット４０が形成
されている。スリット４０は、切れ目であっても長穴で
あってもよい。スリット４０は、ベース基板１０の長さ
方向に延びて形成されている。スリット４０は、上述し
た電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）か
ら、ベース基板１０の幅方向にずれた位置に形成されて
いる。したがって、ベース基板１０に加えられる応力
が、スリット４０によって伝達されなくなるので、電気
的接続部（例えばインナーリード２６、２８）に与える
応力を緩和することができる。
されている。スリット４０は、切れ目であっても長穴で
あってもよい。スリット４０は、ベース基板１０の長さ
方向に延びて形成されている。スリット４０は、上述し
た電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）か
ら、ベース基板１０の幅方向にずれた位置に形成されて
いる。したがって、ベース基板１０に加えられる応力
が、スリット４０によって伝達されなくなるので、電気
的接続部（例えばインナーリード２６、２８）に与える
応力を緩和することができる。
【００５０】電気的接続部（例えばインナーリード２
６、２８）のベース基板１０の長さ方向の長さＬ1と、
スリット４０のベース基板１０の長さ方向の長さＬ2と
は、 Ｌ1≦Ｌ2 であることが好ましく、特に、Ｌ1＜Ｌ2であることが最
適である。こうすることで、スリット４０の周囲を回り
込んで電気的接続部（例えばインナーリード２６、２
８）に伝えられる応力を少なくすることができる。
６、２８）のベース基板１０の長さ方向の長さＬ1と、
スリット４０のベース基板１０の長さ方向の長さＬ2と
は、 Ｌ1≦Ｌ2 であることが好ましく、特に、Ｌ1＜Ｌ2であることが最
適である。こうすることで、スリット４０の周囲を回り
込んで電気的接続部（例えばインナーリード２６、２
８）に伝えられる応力を少なくすることができる。
【００５１】電気的接続部（例えばインナーリード２
６、２８）を、ベース基板１０の幅方向のほぼ中央部に
形成し、スリット４０を、ベース基板１０の端部に形成
してもよい。この場合、ベース基板１０の両端部にスリ
ット４０を形成すれば、電気的接続部（例えばインナー
リード２６、２８）の両側に加えられる応力を緩和でき
る。
６、２８）を、ベース基板１０の幅方向のほぼ中央部に
形成し、スリット４０を、ベース基板１０の端部に形成
してもよい。この場合、ベース基板１０の両端部にスリ
ット４０を形成すれば、電気的接続部（例えばインナー
リード２６、２８）の両側に加えられる応力を緩和でき
る。
【００５２】また、ベース基板１０にスプロケットホー
ル１２が形成される場合には、スプロケットホール１２
と、電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）
との間に、スリット４０を形成することが好ましい。
ル１２が形成される場合には、スプロケットホール１２
と、電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）
との間に、スリット４０を形成することが好ましい。
【００５３】なお、スプロケットホール１２がスリット
４０と同じ効果を達成してもよい。例えば、スプロケッ
トホール１２を、電気的接続部（例えばインナーリード
２６、２８）から、ベース基板１０の幅方向にずれた位
置に形成すれば、スプロケットホール１２を介して、応
力を緩和することができる。
４０と同じ効果を達成してもよい。例えば、スプロケッ
トホール１２を、電気的接続部（例えばインナーリード
２６、２８）から、ベース基板１０の幅方向にずれた位
置に形成すれば、スプロケットホール１２を介して、応
力を緩和することができる。
【００５４】ベース基板１０には、補強部４２が形成さ
れている。補強部４２は、電気的接続部（例えばインナ
ーリード２６、２８）と、スリット４０と、の間に形成
することが好ましい。補強部４２は、ベース基板１０の
材質よりも硬い材質で形成されており、電気的接続部
（例えばインナーリード２６、２８）に加えられる応力
を緩和する。
れている。補強部４２は、電気的接続部（例えばインナ
ーリード２６、２８）と、スリット４０と、の間に形成
することが好ましい。補強部４２は、ベース基板１０の
材質よりも硬い材質で形成されており、電気的接続部
（例えばインナーリード２６、２８）に加えられる応力
を緩和する。
【００５５】補強部４２は、配線パターン２０と同じ材
料で形成してもよい。その場合、配線パターン２０の製
造工程で同時に補強部４２を形成してもよい。また、補
強部４２は、配線パターン２０を覆う保護膜４４（図５
参照）と同じ材料（例えばソルダーレジスト）で形成し
てもよく、その場合、配線パターン２０上に保護膜４４
を形成するときに、同時に補強部４２を形成してもよ
い。さらに、補強部４２を、配線パターン２０と同じ材
料で形成した部分と、保護膜４４と同じ材料で形成した
部分と、の両方を有する構成としてもよい。この場合
も、配線パターン２０及び保護膜４４を形成する工程で
同時に補強部４２を形成してもよい。
料で形成してもよい。その場合、配線パターン２０の製
造工程で同時に補強部４２を形成してもよい。また、補
強部４２は、配線パターン２０を覆う保護膜４４（図５
参照）と同じ材料（例えばソルダーレジスト）で形成し
てもよく、その場合、配線パターン２０上に保護膜４４
を形成するときに、同時に補強部４２を形成してもよ
い。さらに、補強部４２を、配線パターン２０と同じ材
料で形成した部分と、保護膜４４と同じ材料で形成した
部分と、の両方を有する構成としてもよい。この場合
も、配線パターン２０及び保護膜４４を形成する工程で
同時に補強部４２を形成してもよい。
【００５６】電気的接続部（例えばインナーリード２
６、２８）のベース基板１０の長さ方向の長さＬ1と、
補強部４２のベース基板１０の長さ方向の長さＬ3と
は、 Ｌ1≦Ｌ3 であることが好ましく、特に、Ｌ1＜Ｌ3であることが最
適である。こうすることで、ベース基板１０が巻き取ら
れても、補強部４２によって電気的接続部（例えばイン
ナーリード２６、２８）の屈曲を抑えて、電気的接続部
に与える応力を緩和できる。
６、２８）のベース基板１０の長さ方向の長さＬ1と、
補強部４２のベース基板１０の長さ方向の長さＬ3と
は、 Ｌ1≦Ｌ3 であることが好ましく、特に、Ｌ1＜Ｌ3であることが最
適である。こうすることで、ベース基板１０が巻き取ら
れても、補強部４２によって電気的接続部（例えばイン
ナーリード２６、２８）の屈曲を抑えて、電気的接続部
に与える応力を緩和できる。
【００５７】ただし、補強部４２のベース基板１０の長
さ方向の長さＬ3と、スリット４０のベース基板１０の
長さ方向の長さＬ2とは、 Ｌ3≦Ｌ2 であることが好ましく、特に、Ｌ3＜Ｌ2であることが最
適である。こうすることで、補強部４２を形成しても、
スリット４０を挟んで電気的接続部（例えばインナーリ
ード２６、２８）とは反対側の部分（ベース基板１０の
部分）が屈曲することができ、応力の集中が避けられ
る。
さ方向の長さＬ3と、スリット４０のベース基板１０の
長さ方向の長さＬ2とは、 Ｌ3≦Ｌ2 であることが好ましく、特に、Ｌ3＜Ｌ2であることが最
適である。こうすることで、補強部４２を形成しても、
スリット４０を挟んで電気的接続部（例えばインナーリ
ード２６、２８）とは反対側の部分（ベース基板１０の
部分）が屈曲することができ、応力の集中が避けられ
る。
【００５８】配線パターン２０上には、保護膜４４（図
５参照）を設けてもよい。保護膜４４は、配線パターン
２０を酸化等から保護する。例えば、ソルダレジスト等
の樹脂で保護膜４４を形成してもよい。保護膜４４は、
配線パターン２０のうち、半導体チップ等の他の部品と
電気的に接続される部分（インナーリード、外部端子、
アウターリード等）を除いた部分上を覆って設ける。
５参照）を設けてもよい。保護膜４４は、配線パターン
２０を酸化等から保護する。例えば、ソルダレジスト等
の樹脂で保護膜４４を形成してもよい。保護膜４４は、
配線パターン２０のうち、半導体チップ等の他の部品と
電気的に接続される部分（インナーリード、外部端子、
アウターリード等）を除いた部分上を覆って設ける。
【００５９】図２（Ａ）は、本実施の形態に係る可撓性
配線基板の使用状態を示す図であり、図２（Ｂ）は、そ
のときの可撓性配線基板の一部の側面図である。図２
（Ａ）に示すように、上述した可撓性配線基板１は、リ
ール４８に巻き取られる。そのとき、ベース基板１０の
長手方向の軸線が曲げられるが、本実施の形態では、ベ
ース基板１０にスリット４０が形成されている。したが
って、図２（Ｂ）に示すように、ベース基板１０の側端
部は湾曲し、電気的接続部（例えばインナーリード２
６、２８）を含む領域（例えばデバイスホール１４の開
口端部）の湾曲を少なくすることができる。こうして、
ベース基板１０の側端部での湾曲による応力を、スリッ
ト４０によって伝えないようにして、電気的接続部（例
えばインナーリード２６、２８）への応力を緩和するこ
とができる。
配線基板の使用状態を示す図であり、図２（Ｂ）は、そ
のときの可撓性配線基板の一部の側面図である。図２
（Ａ）に示すように、上述した可撓性配線基板１は、リ
ール４８に巻き取られる。そのとき、ベース基板１０の
長手方向の軸線が曲げられるが、本実施の形態では、ベ
ース基板１０にスリット４０が形成されている。したが
って、図２（Ｂ）に示すように、ベース基板１０の側端
部は湾曲し、電気的接続部（例えばインナーリード２
６、２８）を含む領域（例えばデバイスホール１４の開
口端部）の湾曲を少なくすることができる。こうして、
ベース基板１０の側端部での湾曲による応力を、スリッ
ト４０によって伝えないようにして、電気的接続部（例
えばインナーリード２６、２８）への応力を緩和するこ
とができる。
【００６０】こうして、リール４８から可撓性配線基板
１を引き出して、工程を行うことができ、リール・ツウ
・リールで工程を行うこともできる。
１を引き出して、工程を行うことができ、リール・ツウ
・リールで工程を行うこともできる。
【００６１】（フィルムキャリア）本発明を適用した実
施の形態に係るフィルムキャリアは、図１に示す可撓性
配線基板を、幅方向に示す直線（図１に符号４６で示す
二点鎖線）で切断した形状をなす。例えば、フィルムキ
ャリアは、上述した可撓性配線基板から切断された個片
のフィルムである。なお、可撓性配線基板を切断する位
置は特に限定されない。図１に示す例では、１つの配線
パターン２０の両側を切断位置としたが、複数の配線パ
ターン２０の両側を切断位置としてもよい。
施の形態に係るフィルムキャリアは、図１に示す可撓性
配線基板を、幅方向に示す直線（図１に符号４６で示す
二点鎖線）で切断した形状をなす。例えば、フィルムキ
ャリアは、上述した可撓性配線基板から切断された個片
のフィルムである。なお、可撓性配線基板を切断する位
置は特に限定されない。図１に示す例では、１つの配線
パターン２０の両側を切断位置としたが、複数の配線パ
ターン２０の両側を切断位置としてもよい。
【００６２】（テープ状半導体装置の製造方法）図３
は、本発明を適用した実施の形態に係るテープ状半導体
装置の製造方法を説明する図である。
は、本発明を適用した実施の形態に係るテープ状半導体
装置の製造方法を説明する図である。
【００６３】図３に示すように、可撓性配線基板１はリ
ール４８に巻き取られて用意され、半導体チップの搭載
を行うボンディングユニット５０に送り出される。リー
ル４８とボンディングユニット５０との間にはバッファ
領域（たるみ）５２が設けられており、リール４８の繰
り出し量をボンディングユニット５０のタクトタイムに
同期させなくても半導体チップを可撓性配線基板１に搭
載できるようにしている。
ール４８に巻き取られて用意され、半導体チップの搭載
を行うボンディングユニット５０に送り出される。リー
ル４８とボンディングユニット５０との間にはバッファ
領域（たるみ）５２が設けられており、リール４８の繰
り出し量をボンディングユニット５０のタクトタイムに
同期させなくても半導体チップを可撓性配線基板１に搭
載できるようにしている。
【００６４】バッファ領域５２では、可撓性配線基板１
を自重により垂らした形態としてあるので、その最下部
は自重により屈曲が生じ、可撓性配線基板１に曲げ応力
が加わることとなる。しかし、本実施の形態に係る可撓
性配線基板１には、スリット４０を形成するなど上述し
た構成を有するので、屈曲による曲げ応力が集中するこ
とがない。故に電気的接続部（例えばインナーリード２
６、２８）に曲げ応力が集中してストレスがかかり、ク
ラックや断線が生じるのを防止することができる。
を自重により垂らした形態としてあるので、その最下部
は自重により屈曲が生じ、可撓性配線基板１に曲げ応力
が加わることとなる。しかし、本実施の形態に係る可撓
性配線基板１には、スリット４０を形成するなど上述し
た構成を有するので、屈曲による曲げ応力が集中するこ
とがない。故に電気的接続部（例えばインナーリード２
６、２８）に曲げ応力が集中してストレスがかかり、ク
ラックや断線が生じるのを防止することができる。
【００６５】（テープ状半導体装置）図４は、本発明を
適用した実施の形態に係るテープ状半導体装置を示す図
であり、ベース基板１０の幅方向に延びる直線に沿った
断面図である。
適用した実施の形態に係るテープ状半導体装置を示す図
であり、ベース基板１０の幅方向に延びる直線に沿った
断面図である。
【００６６】テープ状半導体装置は、上述した可撓性配
線基板１と、各配線パターン２０に電気的に接続された
複数の半導体チップ６０と、を有する。
線基板１と、各配線パターン２０に電気的に接続された
複数の半導体チップ６０と、を有する。
【００６７】半導体チップ６０の平面形状は一般的には
矩形であり、長方形であっても正方形であってもよい。
半導体チップ６０の一方の面に、複数の電極が形成され
ている。電極は、半導体チップの面の少なくとも１辺
（多くの場合、２辺又は４辺）に沿って並んでいる。半
導体チップ６０の外形が長方形である場合には、例えば
液晶駆動用ＩＣのように長手方向に電極が配列されても
よいし、短手方向に電極が配列されてもよい。また、電
極は、半導体チップ６０の面の端部に並んでいる場合
と、中央部に並んでいる場合がある。各電極は、アルミ
ニウムなどで薄く平らに形成されたパッドと、その上に
形成されたバンプと、からなることが多い。バンプが形
成されない場合は、パッドのみが電極となる。電極の少
なくとも一部を避けて半導体チップには、パッシベーシ
ョン膜（図示しない）が形成されている。パッシベーシ
ョン膜は、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂
などで形成することができる。
矩形であり、長方形であっても正方形であってもよい。
半導体チップ６０の一方の面に、複数の電極が形成され
ている。電極は、半導体チップの面の少なくとも１辺
（多くの場合、２辺又は４辺）に沿って並んでいる。半
導体チップ６０の外形が長方形である場合には、例えば
液晶駆動用ＩＣのように長手方向に電極が配列されても
よいし、短手方向に電極が配列されてもよい。また、電
極は、半導体チップ６０の面の端部に並んでいる場合
と、中央部に並んでいる場合がある。各電極は、アルミ
ニウムなどで薄く平らに形成されたパッドと、その上に
形成されたバンプと、からなることが多い。バンプが形
成されない場合は、パッドのみが電極となる。電極の少
なくとも一部を避けて半導体チップには、パッシベーシ
ョン膜（図示しない）が形成されている。パッシベーシ
ョン膜は、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂
などで形成することができる。
【００６８】半導体チップ６０の電極は、ＴＡＢ技術を
適用して、デバイスホール１４を介して、配線パターン
２０のインナーリード２６、２８にボンディングしても
よい。
適用して、デバイスホール１４を介して、配線パターン
２０のインナーリード２６、２８にボンディングしても
よい。
【００６９】あるいは、デバイスホール１４が形成され
ない可撓性配線基板を使用した場合には、半導体チップ
６０をフェースダウンボンディングしてもよい。その場
合、可撓性配線基板は、半導体チップ６０の能動面（電
極が形成された面）とベース基板とが対向した状態で実
装される基板、すなわちＣＯＦ（Chip On Film）であっ
てもよい。
ない可撓性配線基板を使用した場合には、半導体チップ
６０をフェースダウンボンディングしてもよい。その場
合、可撓性配線基板は、半導体チップ６０の能動面（電
極が形成された面）とベース基板とが対向した状態で実
装される基板、すなわちＣＯＦ（Chip On Film）であっ
てもよい。
【００７０】あるいは、ワイヤボンディングなどを適用
して、半導体チップ６０をフェースアップボンディング
してもよい。その場合、可撓性配線基板は、半導体チッ
プ６０の能動面（電極が形成された面）がベース基板の
搭載面と同じ方向を向いて、例えば金線などのワイヤ
（細線）にて半導体チップ６０の電極と配線パターン２
０とが接続されるフェースアップ型の実装基板であって
もよい。
して、半導体チップ６０をフェースアップボンディング
してもよい。その場合、可撓性配線基板は、半導体チッ
プ６０の能動面（電極が形成された面）がベース基板の
搭載面と同じ方向を向いて、例えば金線などのワイヤ
（細線）にて半導体チップ６０の電極と配線パターン２
０とが接続されるフェースアップ型の実装基板であって
もよい。
【００７１】テープ状半導体装置は、シール部６２を有
してもよい。シール部６２は、少なくとも半導体チップ
６０の電極と配線パターン２０との電気的接続部（例え
ばインナーリード２６、２８）を封止するものである。
シール部６２は、樹脂で形成されることが多い。
してもよい。シール部６２は、少なくとも半導体チップ
６０の電極と配線パターン２０との電気的接続部（例え
ばインナーリード２６、２８）を封止するものである。
シール部６２は、樹脂で形成されることが多い。
【００７２】また、配線パターン２０における保護膜４
４によって覆われる部分と覆われない部分との境界で
は、シール部６２は、保護膜４４の端部と重複すること
が好ましい（図５参照）。こうすることで、配線パター
ン２０が露出することを防止できる。シール部６２は、
ポッティングによって設けてもよいし、トランスファモ
ールドによって設けてもよい。
４によって覆われる部分と覆われない部分との境界で
は、シール部６２は、保護膜４４の端部と重複すること
が好ましい（図５参照）。こうすることで、配線パター
ン２０が露出することを防止できる。シール部６２は、
ポッティングによって設けてもよいし、トランスファモ
ールドによって設けてもよい。
【００７３】（半導体装置及びその製造方法）図５は、
本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置及びその
製造方法を示す図である。半導体装置は、図５に示すテ
ープ状半導体装置を、幅方向に延びる直線で切断した形
状をなす。例えば、図５に示すように、切断ジグ６４
（カッタやパンチ等）で、１つの配線パターン２０の両
側で、テープ状半導体装置を切断してもよい。その切断
位置は、図１に二点鎖線４６で示す位置であってもよ
い。
本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置及びその
製造方法を示す図である。半導体装置は、図５に示すテ
ープ状半導体装置を、幅方向に延びる直線で切断した形
状をなす。例えば、図５に示すように、切断ジグ６４
（カッタやパンチ等）で、１つの配線パターン２０の両
側で、テープ状半導体装置を切断してもよい。その切断
位置は、図１に二点鎖線４６で示す位置であってもよ
い。
【００７４】本発明を適用した実施の形態に係る半導体
装置は、上述したテープ状半導体装置のベース基板１０
を打ち抜いた形状をなしていてもよい。打ち抜きの位置
は、１つの配線パターン２０を囲む輪郭であってもよ
い。
装置は、上述したテープ状半導体装置のベース基板１０
を打ち抜いた形状をなしていてもよい。打ち抜きの位置
は、１つの配線パターン２０を囲む輪郭であってもよ
い。
【００７５】（半導体装置及び回路基板）図６は、本発
明を適用した実施の形態に係る回路基板を示す図であ
る。図６に示すように、回路基板７０には、上述した半
導体装置７２が電気的に接続されている。回路基板７０
は、例えば液晶パネルであってもよい。半導体装置７２
は、テープ状半導体装置のベース基板１０を、半導体チ
ップ６０を囲む輪郭で打ち抜いた形状なす。
明を適用した実施の形態に係る回路基板を示す図であ
る。図６に示すように、回路基板７０には、上述した半
導体装置７２が電気的に接続されている。回路基板７０
は、例えば液晶パネルであってもよい。半導体装置７２
は、テープ状半導体装置のベース基板１０を、半導体チ
ップ６０を囲む輪郭で打ち抜いた形状なす。
【００７６】図６に示すように、半導体装置７２のベー
ス基板１０は、屈曲させて設けてもよい。例えば、回路
基板７０の端部の回りにベース基板１０を屈曲させても
よい。
ス基板１０は、屈曲させて設けてもよい。例えば、回路
基板７０の端部の回りにベース基板１０を屈曲させても
よい。
【００７７】（電子機器）本発明を適用した半導体装置
を有する電子機器として、図７には、携帯電話８０が示
されている。この携帯電話８０は、本発明を適用した回
路基板７０（液晶パネル）も有する。図８には、本発明
を適用した半導体装置（図示せず）を有するノート型パ
ーソナルコンピュータ９０が示されている。
を有する電子機器として、図７には、携帯電話８０が示
されている。この携帯電話８０は、本発明を適用した回
路基板７０（液晶パネル）も有する。図８には、本発明
を適用した半導体装置（図示せず）を有するノート型パ
ーソナルコンピュータ９０が示されている。
【００７８】なお、本発明の構成要件「半導体チップ」
を「電子素子」に置き換えて、半導体素子と同様に電子
素子（能動素子か受動素子かを問わない）を、可撓性配
線基板に実装して電子部品を製造することもできる。こ
のような電子素子を使用して製造される電子部品とし
て、例えば、光素子、抵抗器、コンデンサ、コイル、発
振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、
ボリューム又はヒューズなどがある。
を「電子素子」に置き換えて、半導体素子と同様に電子
素子（能動素子か受動素子かを問わない）を、可撓性配
線基板に実装して電子部品を製造することもできる。こ
のような電子素子を使用して製造される電子部品とし
て、例えば、光素子、抵抗器、コンデンサ、コイル、発
振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、
ボリューム又はヒューズなどがある。
【図１】図１は、本発明を適用した実施の形態に係る可
撓性配線基板を示す図である。
撓性配線基板を示す図である。
【図２】図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本発明を適用し
た実施の形態に係る可撓性配線基板の使用状態を示す図
である。
た実施の形態に係る可撓性配線基板の使用状態を示す図
である。
【図３】図３は、本発明を適用した実施の形態に係るテ
ープ状半導体装置の製造方法を示す図である。
ープ状半導体装置の製造方法を示す図である。
【図４】図４は、本発明を適用した実施の形態に係るテ
ープ状半導体装置を示す図である。
ープ状半導体装置を示す図である。
【図５】図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置の製造方法を示す図である。
導体装置の製造方法を示す図である。
【図６】図６は、本発明を適用した実施の形態に係る回
路基板を示す図である。
路基板を示す図である。
【図７】図７は、本実施の形態に係る半導体装置を有す
る電子機器を示す図である。
る電子機器を示す図である。
【図８】図８は、本実施の形態に係る半導体装置を有す
る電子機器を示す図である。
る電子機器を示す図である。
１ 可撓性配線基板 １０ ベース基板 １２ スプロケットホール １４ デバイスホール ２０ 配線パターン ２６、２８ インナーリード（電気的接続部） ４０ スリット ４２ 補強部 ４４ 保護膜 ６０ 半導体チップ ６２ シール部 ７０ 回路基板 ７２ 半導体装置
Claims (22)
- 【請求項１】 長尺状のベース基板と、前記ベース基板
に形成された複数の配線パターンと、を含み、 各配線パターンは、電気的接続部を有し、 前記ベース基板には、その幅方向に前記電気的接続部か
らずれた位置に、前記ベース基板の長さ方向に延びるス
リットが形成されてなる可撓性配線基板。 - 【請求項２】 請求項１記載の可撓性配線基板におい
て、 前記スリットは、前記ベース基板の長さ方向に、前記電
気的接続部の大きさ以上の長さで形成されてなる可撓性
配線基板。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載の可撓性配線
基板において、 前記電気的接続部は、前記ベース基板の幅方向のほぼ中
央部に形成され、 前記スリットは、前記ベース基板の幅方向の端部に形成
されてなる可撓性配線基板。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
の可撓性配線基板において、 前記スリットは、長穴である可撓性配線基板。 - 【請求項５】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
の可撓性配線基板において、 前記スリットは、切れ目である可撓性配線基板。 - 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
の可撓性配線基板において、 前記ベース基板には、複数のデバイスホールが形成さ
れ、 前記電気的接続部は、各デバイスホール内に突出する複
数のインナーリードを含んでなる可撓性配線基板。 - 【請求項７】 請求項１から請求項６のいずれかに記載
の可撓性配線基板において、 前記ベース基板には、前記スリットと前記電気的接続部
との間に、前記ベース基板よりも硬い材質の補強部が形
成されてなる可撓性配線基板。 - 【請求項８】 請求項７記載の可撓性配線基板におい
て、 前記補強部は、前記ベース基板の長さ方向に、前記電気
的接続部の大きさ以上の長さで形成されてなる可撓性配
線基板。 - 【請求項９】 請求項７又は請求項８記載の可撓性配線
基板において、 前記補強部は、前記配線パターンと同じ材料からなる部
分を含む可撓性配線基板。 - 【請求項１０】 請求項７から請求項９のいずれかに記
載の可撓性配線基板において、 前記補強部は、ソルダーレジストからなる部分を含む可
撓性配線基板。 - 【請求項１１】 請求項１から請求項１０のいずれかに
記載の可撓性配線基板において、 前記ベース基板には、その端部に複数のスプロケットホ
ールが長さ方向に並んで形成され、 前記スリットは、前記スプロケットホールよりも、前記
ベース基板の中央側に形成されてなる可撓性配線基板。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の可撓性配線基板にお
いて、 いずれかの前記スプロケットホールは、前記ベース基板
の幅方向に、前記電気的接続部からずれた位置に形成さ
れてなる可撓性配線基板。 - 【請求項１３】 請求項１から請求項１２のいずれかに
記載の可撓性配線基板の前記ベース基板を、幅方向に延
びる直線で切断して得られた形状をなすフィルムキャリ
ア。 - 【請求項１４】 請求項１から請求項１２のいずれかに
記載の可撓性配線基板と、 前記可撓性配線基板の前記電気的接続部に、電気的に接
続された複数の半導体チップと、 を有するテープ状半導体装置。 - 【請求項１５】 請求項１４記載のテープ状半導体装置
において、 前記電気的接続部を封止するシール部をさらに有するテ
ープ状半導体装置。 - 【請求項１６】 請求項１５記載のテープ状半導体装置
において、 前記シール部は、前記ベース基板の長さ方向に、請求項
１記載の前記スリットの長さの範囲内で形成されてなる
テープ状半導体装置。 - 【請求項１７】 請求項７から請求項１０のいずれかに
記載の可撓性配線基板を有する請求項１５又は請求項１
６記載のテープ状半導体装置において、 前記シール部は、前記ベース基板の長さ方向に、請求項
７記載の前記補強部の長さの範囲内で形成されてなるテ
ープ状半導体装置。 - 【請求項１８】 請求項１４から請求項１７のいずれか
に記載のテープ状半導体装置の前記ベース基板を、いず
れか１つの前記半導体チップの両側で幅方向に延びる直
線で切断した形状をなす半導体装置。 - 【請求項１９】 請求項１４記載から請求項１７のいず
れかに記載のテープ状半導体装置の前記ベース基板を、
いずれか１つの前記半導体チップを囲む輪郭で打ち抜い
た形状をなす半導体装置。 - 【請求項２０】 請求項１８又は請求項１９記載の半導
体装置が電気的に接続された回路基板。 - 【請求項２１】 請求項１８又は請求項１９記載の半導
体装置を有する電子機器。 - 【請求項２２】 請求項１から請求項１２のいずれかに
記載の可撓性配線基板をリールに巻き取って用意し、前
記リールから前記可撓性配線基板を引き出して行う工程
を含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001298056A true JP2001298056A (ja) | 2001-10-26 |
| JP3624792B2 JP3624792B2 (ja) | 2005-03-02 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP3624792B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006140416A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Ricoh Co Ltd | フレキシブルプリント配線基板 |
| JP2007328918A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 誘導加熱装置 |
| US7687317B2 (en) | 2007-03-29 | 2010-03-30 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device having tape carrier with bendable region |
| US20220087017A1 (en) * | 2020-09-11 | 2022-03-17 | Chipbond Technology Corporation | Circuit board tape and joining method thereof |
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2000
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| US7687317B2 (en) | 2007-03-29 | 2010-03-30 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device having tape carrier with bendable region |
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|---|---|
| JP3624792B2 (ja) | 2005-03-02 |
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