JP2002280256A - 積層セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
積層セラミック電子部品の製造方法Info
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- JP2002280256A JP2002280256A JP2001082543A JP2001082543A JP2002280256A JP 2002280256 A JP2002280256 A JP 2002280256A JP 2001082543 A JP2001082543 A JP 2001082543A JP 2001082543 A JP2001082543 A JP 2001082543A JP 2002280256 A JP2002280256 A JP 2002280256A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｃｕの第１層目電極をセラミック素体の両端
部に被着すると共に、Ａｇ，Ｃｕを主成分として貴金属
を含有する合金の第２層目電極を被着することにより外
部電極を形成し、鉛を含まない導電性樹脂ペーストを固
着手段として用いても、その導電性樹脂ペーストを加熱
乾燥することによる引張り応力に対抗可能な外部電極を
備える。 【解決手段】 セラミック素体の両端部に被着するＣｕ
の導電性ペーストによる第１層目電極と、第１層目電極
の上に被着するＡｇ，Ｃｕを主成分として貴金属を含有
し、且つ、ガラスフリットを加えた導電性ペーストによ
る第２層目電極とを形成後、３００〜６００℃の加熱温
度でアニーリング処理を施す。
部に被着すると共に、Ａｇ，Ｃｕを主成分として貴金属
を含有する合金の第２層目電極を被着することにより外
部電極を形成し、鉛を含まない導電性樹脂ペーストを固
着手段として用いても、その導電性樹脂ペーストを加熱
乾燥することによる引張り応力に対抗可能な外部電極を
備える。 【解決手段】 セラミック素体の両端部に被着するＣｕ
の導電性ペーストによる第１層目電極と、第１層目電極
の上に被着するＡｇ，Ｃｕを主成分として貴金属を含有
し、且つ、ガラスフリットを加えた導電性ペーストによ
る第２層目電極とを形成後、３００〜６００℃の加熱温
度でアニーリング処理を施す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミックコ
ンデンサ，積層セラミックインダクタ等の積層セラミッ
ク電子部品に関し、詳しくは外部電極の引張り強度を高
めるための改良に関するものである。
ンデンサ，積層セラミックインダクタ等の積層セラミッ
ク電子部品に関し、詳しくは外部電極の引張り強度を高
めるための改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、積層セラミック電子部品は、Ｐ
ｄ，Ｐｔ，Ａｇ／Ｐｄ等の貴金属またはＮｉ等の卑金属
を用いた導電性ペーストにより内部電極を誘電体のセラ
ミックグリーンシートに印刷し、そのセラミックグリー
ンシートを内部電極と交互に複数積層させて形成したセ
ラミック素体を備えると共に、外部電極をセラミック素
体の両端部に設けることにより構成されている。
ｄ，Ｐｔ，Ａｇ／Ｐｄ等の貴金属またはＮｉ等の卑金属
を用いた導電性ペーストにより内部電極を誘電体のセラ
ミックグリーンシートに印刷し、そのセラミックグリー
ンシートを内部電極と交互に複数積層させて形成したセ
ラミック素体を備えると共に、外部電極をセラミック素
体の両端部に設けることにより構成されている。
【０００３】従来、その外部電極は内部電極とのなじみ
を良くし、接続不良が内部電極との接続部分に生じない
ようＡｇ／ＰｄまたはＣｕ等の金属粉末を主成分とし、
ガラスフリットを加えた導電性ペーストを積層セラミッ
ク素体の両端部に塗布し、この導電性ペーストを焼付け
処理することにより内部電極の貴金属または卑金属と融
合させて良好な結合状態を保つ下地電極層をベースに形
成されている。
を良くし、接続不良が内部電極との接続部分に生じない
ようＡｇ／ＰｄまたはＣｕ等の金属粉末を主成分とし、
ガラスフリットを加えた導電性ペーストを積層セラミッ
ク素体の両端部に塗布し、この導電性ペーストを焼付け
処理することにより内部電極の貴金属または卑金属と融
合させて良好な結合状態を保つ下地電極層をベースに形
成されている。
【０００４】その下地電極層をベースとし、搭載される
回路基板の導電パターンと半田付け固定するのに濡れ性
及び耐はんだ性を向上し、特に、はんだ耐熱性を保持す
るためにＮｉの被膜でなる中間のメッキ層を下地電極層
に被着し、更に、はんだ付け性を良好なものにするＳｎ
またはＳｎ／Ｐｂ等の被膜でなる最外層のメッキ層をＮ
ｉメッキ層に被着することにより外部電極として形成さ
れている。
回路基板の導電パターンと半田付け固定するのに濡れ性
及び耐はんだ性を向上し、特に、はんだ耐熱性を保持す
るためにＮｉの被膜でなる中間のメッキ層を下地電極層
に被着し、更に、はんだ付け性を良好なものにするＳｎ
またはＳｎ／Ｐｂ等の被膜でなる最外層のメッキ層をＮ
ｉメッキ層に被着することにより外部電極として形成さ
れている。
【０００５】その積層セラミック電子部品は、鉛を含む
クリームはんだにより外部電極を回路パターンのランド
部にはんだ付け固定することにより回路基板の板面に搭
載されている。但し、鉛を含むクリームはんだの環境等
に与える影響から、鉛を含むクリームはんだに代えて、
鉛を含まない導電性樹脂ペーストが固着手段として用い
られる傾向にある。
クリームはんだにより外部電極を回路パターンのランド
部にはんだ付け固定することにより回路基板の板面に搭
載されている。但し、鉛を含むクリームはんだの環境等
に与える影響から、鉛を含むクリームはんだに代えて、
鉛を含まない導電性樹脂ペーストが固着手段として用い
られる傾向にある。
【０００６】その導電性樹脂ペーストにより、最外層が
ＳｎまたはＳｎ／Ｐｂ等のメッキ層でなる外部電極を固
着するときには回路パターンのランド部と電気的に確実
に導通固定する必要から、導電性樹脂ペーストを２００
〜３５０℃で乾燥硬化処理しなければならず、この加熱
処理に伴って、最外層のメッキ層が表面酸化してしまう
不具合を生ずる。
ＳｎまたはＳｎ／Ｐｂ等のメッキ層でなる外部電極を固
着するときには回路パターンのランド部と電気的に確実
に導通固定する必要から、導電性樹脂ペーストを２００
〜３５０℃で乾燥硬化処理しなければならず、この加熱
処理に伴って、最外層のメッキ層が表面酸化してしまう
不具合を生ずる。
【０００７】その外部電極の表面酸化を防ぐため、Ａ
ｇ，Ｃｕを主成分とし、貴金属を含有する合金層により
外部電極を形成することが提案されている（特開２００
０―２８６１４４）。この合金層による外部電極では、
導電性樹脂ペーストを２００〜３５０℃で乾燥硬化処理
しても、表面が酸化するのを確実に防げる。
ｇ，Ｃｕを主成分とし、貴金属を含有する合金層により
外部電極を形成することが提案されている（特開２００
０―２８６１４４）。この合金層による外部電極では、
導電性樹脂ペーストを２００〜３５０℃で乾燥硬化処理
しても、表面が酸化するのを確実に防げる。
【０００８】唯、内部電極とのなじみを良くし、接続不
良が内部電極との接続部分に生じないよう形成するため
には、セラミック素体の両端部に被着するＣｕの導電性
ペーストにより第１層目電極を塗布形成し、その上に、
Ａｇ，Ｃｕを主成分として貴金属を含有し、且つ、ガラ
スフリットを加えた導電性ペーストを第２層目電極とし
て塗布形成することにより外部電極を形成するとよい。
良が内部電極との接続部分に生じないよう形成するため
には、セラミック素体の両端部に被着するＣｕの導電性
ペーストにより第１層目電極を塗布形成し、その上に、
Ａｇ，Ｃｕを主成分として貴金属を含有し、且つ、ガラ
スフリットを加えた導電性ペーストを第２層目電極とし
て塗布形成することにより外部電極を形成するとよい。
【０００９】ところが、その外部電極では表面酸化を防
げるが、第２層目電極とセラミック素体との界面強度が
弱く、導電性樹脂ペーストにより積層セラミック電子部
品を固着するために２００〜３５０℃で加熱乾燥するこ
とで、第２層目電極とセラミック素体との界面が引張り
応力により層間剥離する事態を生ずる。
げるが、第２層目電極とセラミック素体との界面強度が
弱く、導電性樹脂ペーストにより積層セラミック電子部
品を固着するために２００〜３５０℃で加熱乾燥するこ
とで、第２層目電極とセラミック素体との界面が引張り
応力により層間剥離する事態を生ずる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、Ｃｕの導電
性ペーストにより第１層目電極をセラミック素体の両端
部に被着し、Ａｇ，Ｃｕを主成分として貴金属を含有
し、且つ、ガラスフリットを加えた導電性ペーストを第
２層目電極として塗布形成することにより外部電極を形
成すると共に、導電性樹脂ペースト（鉛を含まず）を固
着手段として用いても、その導電性樹脂ペーストを２０
０〜３５０℃で加熱乾燥することによる引張り応力に対
抗可能な外部電極を備える積層セラミック電子部品の製
造方法を提供することを目的とする。
性ペーストにより第１層目電極をセラミック素体の両端
部に被着し、Ａｇ，Ｃｕを主成分として貴金属を含有
し、且つ、ガラスフリットを加えた導電性ペーストを第
２層目電極として塗布形成することにより外部電極を形
成すると共に、導電性樹脂ペースト（鉛を含まず）を固
着手段として用いても、その導電性樹脂ペーストを２０
０〜３５０℃で加熱乾燥することによる引張り応力に対
抗可能な外部電極を備える積層セラミック電子部品の製
造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る積層セラミ
ック電子部品の製造方法においては、内部電極とセラミ
ック層とを交互に複数積層させて形成したセラミック素
体を備えると共に、その内部電極と電気的に導通させて
セラミック素体の両端部に被着するＣｕの導電性ペース
トによる第１層目電極と、第１層目電極の上に被着する
Ａｇ，Ｃｕを主成分として貴金属を含有し、且つ、ガラ
スフリットを加えた導電性ペーストによる第２層目電極
とから外部電極を形成するべく、第１層目電極と第２層
目電極とを形成後、３００〜６００℃の加熱温度でアニ
ーリング処理を施すようにされている。
ック電子部品の製造方法においては、内部電極とセラミ
ック層とを交互に複数積層させて形成したセラミック素
体を備えると共に、その内部電極と電気的に導通させて
セラミック素体の両端部に被着するＣｕの導電性ペース
トによる第１層目電極と、第１層目電極の上に被着する
Ａｇ，Ｃｕを主成分として貴金属を含有し、且つ、ガラ
スフリットを加えた導電性ペーストによる第２層目電極
とから外部電極を形成するべく、第１層目電極と第２層
目電極とを形成後、３００〜６００℃の加熱温度でアニ
ーリング処理を施すようにされている。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、積層セラミックコンデ
ンサ，積層セラミックインダクタ等の積層セラミック電
子部品の外部電極を形成するのに広く適用できるもので
あり、以下、その代表例として積層セラミックコンデン
サを製造する場合で説明する。
ンサ，積層セラミックインダクタ等の積層セラミック電
子部品の外部電極を形成するのに広く適用できるもので
あり、以下、その代表例として積層セラミックコンデン
サを製造する場合で説明する。
【００１３】積層セラミックコンデンサは、Ｐｄ，Ｐ
ｔ，Ａｇ／Ｐｄ等の貴金属またはＮｉ等の卑金属を用い
た導電性ペーストにより内部電極を誘電体グリーンシー
トに印刷し、その誘電体グリーンシートを内部電極と交
互に複数積層後焼成することにより積層コンデンサ素体
を形成し、更に、積層コンデンサ素体の内部電極と電気
的に導通する外部電極を両端部に設けることにより構成
されている。
ｔ，Ａｇ／Ｐｄ等の貴金属またはＮｉ等の卑金属を用い
た導電性ペーストにより内部電極を誘電体グリーンシー
トに印刷し、その誘電体グリーンシートを内部電極と交
互に複数積層後焼成することにより積層コンデンサ素体
を形成し、更に、積層コンデンサ素体の内部電極と電気
的に導通する外部電極を両端部に設けることにより構成
されている。
【００１４】その外部電極は、内部電極と接続すること
により積層コンデンサ素体の両端部に被着するＣｕの導
電性ペーストによる第１層目電極と、第１層目電極の上
に被着するＡｇ，Ｃｕを主成分として貴金属を含有する
ガラスペーストによる第２層目電極とにより積層形成さ
れている。このうち、第２層目電極は、金属材料を１０
０ｇに対してガラスフリットを６ｇ程度配合した導電性
ペーストにより形成できる。
により積層コンデンサ素体の両端部に被着するＣｕの導
電性ペーストによる第１層目電極と、第１層目電極の上
に被着するＡｇ，Ｃｕを主成分として貴金属を含有する
ガラスペーストによる第２層目電極とにより積層形成さ
れている。このうち、第２層目電極は、金属材料を１０
０ｇに対してガラスフリットを６ｇ程度配合した導電性
ペーストにより形成できる。
【００１５】そのガラスフリットを含む導電性ペースト
としては、８２．５ｗｔ％〜９２．５ｗｔ％のＡｇと
２．５ｗｔ％のＣｕを主成分とし、５．０ｗｔ％〜１
５．０ｗｔ％のＡｕを配合したもの、また、７２．５ｗ
ｔ％〜９２．５ｗｔ％のＡｇと２．５ｗｔ％のＣｕを主
成分とし、５．０ｗｔ％〜２５．０ｗｔ％のＡｕを配合
したものを用いることができる。
としては、８２．５ｗｔ％〜９２．５ｗｔ％のＡｇと
２．５ｗｔ％のＣｕを主成分とし、５．０ｗｔ％〜１
５．０ｗｔ％のＡｕを配合したもの、また、７２．５ｗ
ｔ％〜９２．５ｗｔ％のＡｇと２．５ｗｔ％のＣｕを主
成分とし、５．０ｗｔ％〜２５．０ｗｔ％のＡｕを配合
したものを用いることができる。
【００１６】その外部電極の形成工程は、Ｃｕの導電性
ペーストを積層コンデンサ素体の両端部に塗布して７０
〜１００℃で乾燥後、その上に、Ａｇ，Ｃｕを主成分と
して貴金属を含有し、且つ、ガラスフリットを加えた導
電性ペーストを第１層目電極の上に塗布後７５０〜８０
０℃の加熱温度で焼付け処理することにより第２層目電
極を形成する。これらの積層形成後、更に、３００〜６
００℃の加熱温度でアニーリング処理を施すことにより
外部電極として形成する。
ペーストを積層コンデンサ素体の両端部に塗布して７０
〜１００℃で乾燥後、その上に、Ａｇ，Ｃｕを主成分と
して貴金属を含有し、且つ、ガラスフリットを加えた導
電性ペーストを第１層目電極の上に塗布後７５０〜８０
０℃の加熱温度で焼付け処理することにより第２層目電
極を形成する。これらの積層形成後、更に、３００〜６
００℃の加熱温度でアニーリング処理を施すことにより
外部電極として形成する。
【００１７】その第１層目電極，第２層目電極の塗布形
成後に３００〜６００℃の加熱温度でアニーリング処理
を施すことから、第２層目電極のガラスフリットが第１
層目電極に分散し、第２層目電極と第１層目電極との接
合強度を高められるため、第２層目電極とセラミック素
体との界面固着強度も高められる。
成後に３００〜６００℃の加熱温度でアニーリング処理
を施すことから、第２層目電極のガラスフリットが第１
層目電極に分散し、第２層目電極と第１層目電極との接
合強度を高められるため、第２層目電極とセラミック素
体との界面固着強度も高められる。
【００１８】その有効性を確認するべく、上述した工程
から積層セラミックコンデンサを試料として作製し、表
１で示す加熱条件により、アニーリング処理を施した。
この表中、試料１（従来例）はアニーリング処理を施さ
ない初期状態のもので、試料２〜試料７（試料２，７：
比較例）は保持温度を変えてアニーリング処理を施した
ものを示す。各試料に対しては、熱処理後にメタノール
中で１０ｍｉｎ間の超音波洗浄処理を施した。
から積層セラミックコンデンサを試料として作製し、表
１で示す加熱条件により、アニーリング処理を施した。
この表中、試料１（従来例）はアニーリング処理を施さ
ない初期状態のもので、試料２〜試料７（試料２，７：
比較例）は保持温度を変えてアニーリング処理を施した
ものを示す。各試料に対しては、熱処理後にメタノール
中で１０ｍｉｎ間の超音波洗浄処理を施した。
【００１９】その各試料３０個ずつについて、導電性樹
脂ペーストにより外部電極を回路パターンのランド部に
はんだ付け固定し、導電性樹脂ペーストを２００〜３５
０℃で加熱乾燥することにより引張り試験を行った。こ
の引張り試験による剥離点数並びに固着強度の結果は、
次の表１で示す通りである。
脂ペーストにより外部電極を回路パターンのランド部に
はんだ付け固定し、導電性樹脂ペーストを２００〜３５
０℃で加熱乾燥することにより引張り試験を行った。こ
の引張り試験による剥離点数並びに固着強度の結果は、
次の表１で示す通りである。
【００２０】
【表１】
【００２１】その表１から明らかなように、アニーリン
グ処理を施さない初期状態のものでは剥離点数が多く、
固着強度も低い。また、アニーリング処理を１８０℃で
施しても、アニーリング処理を施さない初期状態のもの
と何ら変わりない。
グ処理を施さない初期状態のものでは剥離点数が多く、
固着強度も低い。また、アニーリング処理を１８０℃で
施しても、アニーリング処理を施さない初期状態のもの
と何ら変わりない。
【００２２】これに対し、３００〜６００℃の加熱温度
でアニーリング処理を施したものでは剥離が発生せずに
高い固着強度が得られる。然し、アニーリング処理を７
００℃まで施すと、逆に剥離が発生して固着強度も低下
してしまうことが判明した。
でアニーリング処理を施したものでは剥離が発生せずに
高い固着強度が得られる。然し、アニーリング処理を７
００℃まで施すと、逆に剥離が発生して固着強度も低下
してしまうことが判明した。
【００２３】次に、各試料について、表面等価抵抗を測
定した。この結果は図１で示す通りであり、アニーリン
グ処理を施さない初期状態のものでは表面等価抵抗が高
くバラ付きも大きい。一方、７００℃によるアニーリン
グ処理したものでは表面等価抵抗を低く抑えられるが、
バラ付きが大きい。これに対し、３００〜６００℃の加
熱温度でアニーリング処理を施したものでは表面等価抵
抗を安定して低く抑えられることが判明した。
定した。この結果は図１で示す通りであり、アニーリン
グ処理を施さない初期状態のものでは表面等価抵抗が高
くバラ付きも大きい。一方、７００℃によるアニーリン
グ処理したものでは表面等価抵抗を低く抑えられるが、
バラ付きが大きい。これに対し、３００〜６００℃の加
熱温度でアニーリング処理を施したものでは表面等価抵
抗を安定して低く抑えられることが判明した。
【００２４】
【発明の効果】以上の如く、本発明に係る積層セラミッ
ク電子部品の製造方法に依れば、セラミック素体の両端
部に被着するＣｕの導電性ペーストによる第１層目電極
と、第１層目電極の上に被着するＡｇ，Ｃｕを主成分と
して貴金属を含有し、且つ、ガラスフリットを加えた導
電性ペーストによる第２層目電極とを形成後、３００〜
６００℃の加熱温度でアニーリング処理を施すことによ
り、第２層目電極と第１層目電極との接合強度を高めて
第２層目電極とセラミック素体との界面固着強度を高め
られるため、鉛を含まない導電性樹脂ペーストを固着手
段として用いても、その導電性樹脂ペーストを加熱乾燥
することによる引張り応力に対抗でき、第２層目電極と
セラミック素体との界面による層間剥離の発生を防げ
る。
ク電子部品の製造方法に依れば、セラミック素体の両端
部に被着するＣｕの導電性ペーストによる第１層目電極
と、第１層目電極の上に被着するＡｇ，Ｃｕを主成分と
して貴金属を含有し、且つ、ガラスフリットを加えた導
電性ペーストによる第２層目電極とを形成後、３００〜
６００℃の加熱温度でアニーリング処理を施すことによ
り、第２層目電極と第１層目電極との接合強度を高めて
第２層目電極とセラミック素体との界面固着強度を高め
られるため、鉛を含まない導電性樹脂ペーストを固着手
段として用いても、その導電性樹脂ペーストを加熱乾燥
することによる引張り応力に対抗でき、第２層目電極と
セラミック素体との界面による層間剥離の発生を防げ
る。
【図１】本発明のアニーリング処理法による積層セラミ
ック電子部品とアニーリング処理を施さない初期状態の
積層セラミック電子部品との表面等価抵抗の測定結果を
示すグラフである。
ック電子部品とアニーリング処理を施さない初期状態の
積層セラミック電子部品との表面等価抵抗の測定結果を
示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡部 昌幸 秋田県由利郡仁賀保町平沢字前田151 テ ィーディーケイ エムシーシー株式会社内 (72)発明者 藤川 佳則 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 五島 美喜 秋田県由利郡仁賀保町平沢字前田151 テ ィーディーケイ エムシーシー株式会社内 Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AC04 AF00 AF06 AH01 AH08 AJ03 5E082 AB03 BC33 FG26 GG10 GG11 GG28 JJ03 JJ12 JJ23 LL01 MM24 PP06
Claims (1)
- 【請求項１】 内部電極とセラミック層とを交互に複数
積層させて形成したセラミック素体を備えると共に、そ
の内部電極と電気的に導通させてセラミック素体の両端
部に被着するＣｕの導電性ペーストによる第１層目電極
と、第１層目電極の上に被着するＡｇ，Ｃｕを主成分と
して貴金属を含有し、且つ、ガラスフリットを加えた導
電性ペーストによる第２層目電極とから形成される外部
電極を備える積層セラミック電子部品の製造方法におい
て、第１層目電極と第２層目電極とを形成後、３００〜
６００℃の加熱温度でアニーリング処理を施すようにし
たことを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001082543A JP4556337B2 (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001082543A JP4556337B2 (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002280256A true JP2002280256A (ja) | 2002-09-27 |
| JP4556337B2 JP4556337B2 (ja) | 2010-10-06 |
Family
ID=18938477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001082543A Expired - Lifetime JP4556337B2 (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4556337B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006229077A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Tdk Corp | セラミック電子部品 |
| JP2019067829A (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-25 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6112016A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-20 | ノース・アメリカン・フイリツプス・コーポーシヨン | 強度を増加した端子を有する卑金属電極積層コンデンサの製造方法 |
| JP2000286144A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Tdk Corp | 積層チップ部品及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-03-22 JP JP2001082543A patent/JP4556337B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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| JP2000286144A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Tdk Corp | 積層チップ部品及びその製造方法 |
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