JP2002278067A - ネガ型感光性樹脂組成物及びこれを用いた表示デバイス - Google Patents
ネガ型感光性樹脂組成物及びこれを用いた表示デバイスInfo
- Publication number
- JP2002278067A JP2002278067A JP2001078065A JP2001078065A JP2002278067A JP 2002278067 A JP2002278067 A JP 2002278067A JP 2001078065 A JP2001078065 A JP 2001078065A JP 2001078065 A JP2001078065 A JP 2001078065A JP 2002278067 A JP2002278067 A JP 2002278067A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- photosensitive resin
- alkali
- negative photosensitive
- molecular weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
が優れ、エッチングレジストやイオン注入レジスト、ス
ペーサーなどのLCDパネル構造材料および有機ELデ
ィスプレーなどの電極隔壁材料に好適に用いることので
きるプロセスマージンの広いネガ型感光性樹脂組成物を
提供する。 【構成】アルカリ可溶性ノボラック樹脂、架橋剤および
光酸発生剤を含有してなる感光性樹脂組成物において、
アルカリ可溶性ノボラック樹脂として、分別処理され、
ポリスチレン換算重量平均分子量が1,000〜10,
000で、かつ分子量500以下の比率が全体の5%以
下とされたものを用いる。
Description
性樹脂組成物に関し、さらに詳細には、高感度、高解像
力でかつ高耐熱性で、露光後ベーク(PEB)、現像な
どのプロセスマージンが広く、LCD(液晶ディスプレ
ー)パネルの液晶表示面の製造や液晶表示デバイスの構
造材、更には有機ELディスプレーなどの電極隔壁材料
として好適に用いられるネガ型感光性樹脂組成物に関す
る。また本発明はこのネガ型感光性樹脂組成物の硬化物
を構造材として含む表示デバイスに関する。
ては、従来より、ポジ型、ネガ型の各種感光性樹脂組成
物(フォトレジスト)が表示電極、配線、薄膜半導体、
カラーフィルターなどを形成する際のエッチング、イオ
ン注入あるいはメッキレジスト材料などとして用いられ
ている。またこれら感光性樹脂組成物をパターン状に光
硬化させた硬化物は液晶表示デバイスの構造材としても
利用されている。これらの感光性樹脂組成物の使用は、
液晶表示装置に限らず、例えばELディスプレーなどの
表示デバイスにおいても、同様の目的での使用がなされ
ている。近年LCDパネル作成用のマザーガラスは大型
化が進められているが、これと同時に表示面の高精細化
も同時に求められるようになってきている。一方、液晶
表示装置においては、装置の小型化、高密度化、駆動速
度の高速化、ディスプレーの多機能化、低コスト化に対
応すべく、液晶画面と周辺回路とを同じ基板に形成する
一体化技術(システム オン パネル)が要求されてお
り、これらの要求に対応するため、半導体材料としてア
モルファスシリコンに替えて低温ポリシリコンを用いた
TFT液晶パネルが注目されている。そして、この低温
ポリシリコンを用いたLCDパネルにおいても、大型の
LCDパネルの製造が要求されていることは前述のとお
りである。
パネルにおいて採用することに伴い、イオン注入時にお
けるレジストへの負荷、言い換えれば基板の温度上昇が
大きくなると言われている。一般的にイオン注入時にレ
ジストの表面にかかる温度は300℃以上と言われ、従
来のフォトレジストではこの温度に対する耐性がないた
め、イオン注入温度を下げて条件を緩和せざるを得なく
なる。イオン条件をより強くするためには、フォトレジ
スト自体の耐熱性が従来よりも優れ、かつ加熱を行って
もパターンの変形がほとんど無いものが求められてい
る。このようにフォトレジストの耐熱性を向上させるこ
とにより、イオン条件を強くすることができ、より高性
能なTFT素子を実現することが可能となるうえ、高エ
ネルギーでのイオン注入が可能となることからタクトタ
イムが短縮できる。したがって、耐熱性に優れ、高感
度、高解像度、良好なパターン形状を有するフォトレジ
ストがますます必要になると考えられる。
るフォトレジストである環化ポリイソプレン系やノボラ
ック系のフォトレジスト材料は、150℃程度の耐熱性
が限界であり、この限界温度を越えるとパターンだれや
パターンの線幅変化がおこり、高温での耐熱性が要求さ
れるプロセスには適用できないものであった。このよう
な点から、耐熱性と考えられる環状オレフィン系樹脂に
感光性を付与する試みがなされてきており、例えば、ノ
ルボルネン誘導体の開環重合による重合体に芳香族系ビ
スアジド化合物を配合したネガ型フォトレジスト(特開
昭60−111240号公報)、ノルボルネン誘導体の
開環重合による重合体に光重合開始剤、増感剤、共重合
モノマーを配合したネガ型フォトレジスト(特開昭61
−23618号公報)等が提案されている。また、ノボ
ラック系熱硬化性樹脂(特開平5−178951号公
報)、環状オレフィン系樹脂と芳香族系ビスアジド化合
物を含有する組成物(特開平7−92668号公報)な
どのネガ型のフォトレジストも提案されているが、いず
れも耐熱性は向上しているものの充分ではなく、さらな
る改善が望まれている。
率を減少させる手法としては、分別処理法が代表的な方
法である。これまで分別処理されたノボラック樹脂を用
いたネガ型レジストとして、特定の重量平均分子量、分
散度を有するノボラック樹脂にビスアジド化合物を添加
することにより、耐ドライエッチング性、解像度の優れ
たネガ型レジストを得る技術(特開昭57−86831
号公報)、アルカリ可溶性樹脂が低分散度の水素添加フ
ェノール樹脂であることを特徴とするレジスト(特開平
8−44061号公報)などが報告されているが、特に
プロセス依存性の点で十分ではなく、改善が望まれてい
る。また、特開2000−292919号公報には、ア
ルカリ可溶性樹脂として薄膜蒸留法により処理されたノ
ボラック樹脂を用いたポジ型の感光性樹脂組成物が報告
されているが、ネガ型のフォトレジストについての開示
はない。
ネガ型フォトレジストでは耐熱性の不足から200℃以
上の熱をパターニングされたフォトレジストに与えると
パターンだれが生じたり、パターンの線幅変化が起こっ
ていた。このような状況に鑑み、本発明は、このような
問題がない、すなわち高耐熱性であり、しかも高感度、
高解像力で良好なパターンを形成することができ、寸法
精度のプロセス依存性の小さいネガ型感光性樹脂組成物
を提供することを目的とするものである。
可溶性ノボラック樹脂、架橋剤、酸発生剤を含有するネ
ガ型感光性樹脂組成物おいて、ノボラック樹脂として特
定の分子量分布を有するものを用いることにより、従来
のネガ型感光性樹脂組成物に比べ高感度、広プロセスマ
ージンで、特に優れた耐熱性を有するネガ型感光性樹脂
組成物が得られることを見出して本発明を成したもので
ある。
ラック樹脂、架橋剤および光酸発生剤を含有してなる感
光性樹脂組成物において、前記アルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂が、分別処理され、ポリスチレン換算重量均分子
量が1,000〜10,000で、かつ分子量500以
下の重量比率が全体の5%以下であることを特徴とする
ネガ型感光性樹脂組成物に関する。
成物の硬化物を構造材として含む表示デバイスに関す
る。
明のネガ型感光性樹脂組成物において用いられるアルカ
リ可溶性ノボラック樹脂は、種々のフェノール類の単独
あるいはそれらの複数種の混合物をホルマリンなどのア
ルデヒド類で重縮合することによって得られる。
ール、p−クレゾール、m−クレゾール、o−クレゾー
ル、2,3−ジメチルフェノール、2,4−ジメチルフ
ェノール、2,5−ジメチルフェノール、2,6−ジメ
チルフェノール、3,4−ジメチルフェノール、3,5
−ジメチルフェノール、2,3,4−トリメチルフェノ
ール、2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,5
−トリメチルフェノール、2,4,5−トリメチルフェ
ノール、メチレンビスフェノール、メチレンビスp−ク
レゾール、レゾルシン、カテコール、2−メチルレゾル
シン、4−メチルレゾルシン、o−クロロフェノール、
m−クロロフェノール、p−クロロフェノール、2,3
−ジクロロフェノール、m−メトキシフェノール、p−
メトキシフェノール、p−ブトキシフェノール、o−エ
チルフェノール、m−エチルフェノール、p−エチルフ
ェノール、2,3−ジエチルフェノール、2,5−ジエ
チルフェノール、p−イソプロピルフェノール、α−ナ
フトール、β−ナフトールなどが挙げられる。これらは
単独でまたは2種以上の混合物として用いられる。
ンの他、パラフォルムアルデヒド、アセトアルデヒド、
ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、クロ
ロアセトアルデヒドなどが挙げられ、これらは単独でま
たは2種以上混合して使用することができる。
用いられるアルカリ可溶性ノボラック樹脂のポリスチレ
ン換算重量平均分子量は、1,000〜10,000、
好ましくは2,000〜6,000で、かつ分子量50
0以下が全体の5%以下の比率、好ましくは3%以下の
比率である。
ック樹脂は、従来方法で合成されたアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂を分別処理することにより得ることができ
る。アルカリ可溶性ノボラック樹脂の分別処理方法とし
ては、従来公知のいかなる方法によってもよいが、代表
的な方法としては、異なる溶解性を有する2種の溶剤中
でノボラック樹脂を分別する液−液分別法、低分子量成
分を遠心分離により除去する方法、薄膜蒸留法による分
別処理などを挙げることができる。この中では薄膜蒸留
法が好ましい方法である。
れる架橋剤としては、メラミン系、ベンゾグアナミン
系、尿素系およびイソシアネート系化合物、あるいは多
官能性エポキシド基含有化合物などの低分子架橋剤、ア
ルコキシアルキル化メラミン樹脂あるいはアルコキシア
ルキル化尿素樹脂のようなアルコキシアルキル化アミノ
樹脂などの高分子架橋剤が好ましい架橋剤として挙げら
れる。
ラミン、メトキシメチル化メラミン、エトキシメチル化
メラミン、プロポキシメチル化メラミン、ブトキシメチ
ル化メラミン、ヘキサメチロールメラミンなどが、ベン
ゾグアナミン系化合物としては、例えばベンゾグアナミ
ン、メチル化ベンゾグアナミンなどが、尿素系化合物と
しては、例えば尿素、モノメチロール尿素、ジメチロー
ル尿素、アルコキシメチレン尿素、N−アルコキシメチ
レン尿素、エチレン尿素、エチレン尿素カルボン酸、テ
トラキス(メトキシメチル)グリコールウリルなどが、
イソシアネート系化合物としては、例えばヘキサメチレ
ンジイソシアネート、1,4−シクロヘキシルジイソシ
アネート、トルエンジイソシアネート、ビスイソシアネ
ートメチルシクロヘキサン、ビスイソシアネートメチル
ベンゼン、エチレンジイソシアネートなどが挙げられ
る。
しては、1分子中にベンゼン環または複素環を1個以上
含み、かつエポキシ基を2個以上含んでいるものが好ま
しく、例えばビスフェノールアセトンジグリシジルエー
テル、フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾール
ノボラックエポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレ
ート、テトラグリシジル−m−キシレンジアミン、テト
ラグリシジル−1,3−ビス(アミノエチル)シクロヘ
キサン、テトラフェニルグリシジルエーテルエタン、ト
リフェニルグリシジルエーテルエタン、ビスフェノール
ヘキサフルオロアセトジグリシジルエーテル、4,4’
−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)−オクタフルオ
ロビフェニル、トリグリシジル−p−アミノフェノー
ル、テトラグリシジルメタキシレンジアミンなどを挙げ
ることができる。
るいはアルコキシアルキル化尿素樹脂としては、メトキ
シメチル化メラミン樹脂、エトキシメチル化メラミン樹
脂、プロポキシメチル化メラミン樹脂、ブトキシメチル
化メラミン樹脂、メトキシメチル化尿素樹脂、エトキシ
メチル化尿素樹脂、プロポキシメチル化尿素樹脂、ブト
キシメチル化尿素樹脂などが挙げられる。
混合して使用することができ、その配合量は、アルカリ
可溶性樹脂100重量部当たり、通常2〜50重量部、
好ましくは、5〜30重量部である。
れる光酸発生剤は光の照射により酸を発生する化合物で
あればどのようなものでも用いることができる。このよ
うな光酸発生剤としては、従来、例えば化学増幅型レジ
ストにおいて光酸発生剤として用いられているものが挙
げられる。このような光酸発生剤としては、オニウム塩
では、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ジアゾニウム
塩、アンモニウム塩、ピリジニウム塩等が、ハロゲン含
有化合物では、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハ
ロアルキル基含有複素環式化合物等(ハロメチルトリア
ジン誘導体等)が、ジアゾケトン化合物では、1,3−
ジケト−2−ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合
物、ジアゾナフトキノン化合物等が、スルホン化合物で
は、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホン等が、
スルホン酸化合物では、アルキルスルホン酸エステル、
ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸
エステル、イミノスルホナート等が挙げられる。
以上混合して使用することができ、その配合量は、アル
カリ可溶性樹脂100重量部当たり、通常0.1〜10
重量部、好ましくは、0.5〜5.0重量部である。
は添加剤として塩基性化合物を配合することができる。
この塩基性化合物は、露光により酸発生剤から生じた酸
のレジスト膜中における拡散現象を制御し、解像度を向
上させたり、露光裕度等を向上させることができるた
め、添加することが好ましいものである。このような塩
基性化合物としては、N−アルキル置換第4級アンモニ
ウム水酸化物、第1級、第2級、第3級の脂肪族アミン
類、芳香族アミン類、複素環アミン類、アルキル基ある
いはアリール基などを有する窒素化合物、アミド基ある
いはイミド基含有化合物等を挙げることができる。
架橋剤および光酸発生剤などを溶解させる溶剤として
は、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノエチルエーテル等のエチレングリコール
モノアルキルエーテル類;エチレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキ
ルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテ
ル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
(PGMEA)、プロピレングリコールモノエチルエー
テルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキル
エーテルアセテート類;乳酸メチル、乳酸エチル等の乳
酸エステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
類;メチルエチルケトン、2−ヘプタノン、シクロヘキ
サノン等のケトン類;N,N−ジメチルアセトアミド、
N−メチルピロリドン等のアミド類;γ−ブチロラクト
ン等のラクトン類等をあげることができる。これらの溶
剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用される。
要に応じ染料、接着助剤および界面活性剤等を配合する
ことができる。染料の例としては、メチルバイオレッ
ト、クリスタルバイオレット、マラカイトグリーン等
が、接着助剤の例としては、ヘキサメチルジシラザン、
クロロメチルシラン等が、界面活性剤の例としては、非
イオン系界面活性剤、例えばポリグリコール類とその誘
導体、すなわちポリプロピレングリコールまたはポリオ
キシエチレンラウリルエーテル、フッ素含有界面活性
剤、例えばフロラード(商品名、住友3M社製)、メガ
ファック(商品名、大日本インキ化学工業社製)、スル
フロン(商品名、旭ガラス社製)、または有機シロキサ
ン界面活性剤、例えばKP341(商品名、信越化学工
業社製)が挙げられる。
スペーサーなどLCDパネルの構造材料や有機ELディ
スプレーなどの電極隔壁材料に好適に用いることができ
る。従来スペーサーとしては、シリカやプラスチックの
粒子が用いられている。しかしながらドットの中にスペ
ーサーが入ることは画質の低下などの点から好ましくな
く、粒子をばらまくのではなくパネル内のドットのない
部分に柱を立てるようにスペースを作る方法(ポストス
ペーサー)もあり、そのポストスペーサーとして本発明
のネガ型感光性樹脂組成物を好適に用いることができ
る。さらに、有機ELディスプレーでは3色独立発光方
式のRGB有機EL媒体の塗分けや電極形成が行われる
が、このときの陰極隔壁材料としても、耐熱性を有する
本発明のネガ型感光性樹脂組成物を有効に用いることが
できる。
説明するが、本発明の態様はこれらの実施例に限定され
るべきものではない。
−キシレノール16g、37重量%ホルマリン水溶液9
0g、および蓚酸1gを攪拌機、コンデンサーおよび温
度計を付した1リットルのセパラブルフラスコに仕込
み、攪拌しながら100℃で5時間反応させた。この
後、180℃まで昇温しながら1時間かけて、水、未反
応モノマーを留去し、さらに200℃まで昇温しながら
10mmHgまで減圧し、水、未反応モノマー、ホルム
アルデヒドおよび蓚酸をできる限り除去した後、室温付
近に戻してノボラック樹脂を回収した。得られたノボラ
ック樹脂AをGPC(ゲル・パーミエイション・クロマ
トグラフィー)法により測定したときのポリスチレン換
算重量平均分子量(Mw)は7,200であった。ま
た、分子量500以下の比率は全体の10.3%であっ
た。
60gとすることを除き合成例1と同様に処理してノボ
ラック樹脂を得た。こうして合成されたノボラック樹脂
400gをPGMEA600gに溶解し、この溶解溶液
に純水を入れ15分間攪拌し、室温付近で30分間静置
した後、PGMEA樹脂溶液層を取り出し、薄膜蒸留装
置(日立製作所社製)に流し込んだ後、PGMEA樹脂
溶液を連続して滴下しながら、15mmHgの減圧下、
260℃で薄膜蒸留を行い、ノボラック樹脂Bを回収し
た。樹脂BのMwは4,800であった。また、分子量
500以下の比率は全体の2.11%であった。
(PGMEA)に溶解した後、テフロン(登録商標)製
の0.2μmメンブランフィルターでろ過し、ネガ型感
光性樹脂組成物を調製した。
に回転塗布し、100℃、90秒間ホットプレートにて
ベーク後、1.5μm厚のレジスト膜を得た。このレジ
スト膜にGCA社製g線ステッパー(DSW6400,
NA=0.42)にて露光を行った後、120℃で90
秒間PEB(ポスト エクスポジャー ベーク)を行
い、2.38wt%水酸化テトラメチルアンモニウム水
溶液で60秒間現像してレジストパターンを形成した。
得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡(SE
M)により観察し、3μmパターンの最適露光量(E
o)を求めた。結果を表1に示す。
得られたアルカリ可溶性ノボラック樹脂Aとすることを
除き実施例1と同様にして、ネガ型感光性樹脂組成物の
調製およびレジストパターンの形成を行った。その後、
実施例1と同様にして、3μmパターンの最適露光量
(Eo)を求めた。結果を表1に示す。
物の方が25%高感度であることがわかる。
実施例1と同様に行って、レジストパターンを形成し
た。各温度で形成されたパターンの線幅をSEMにより
観察し、(PEB温度140℃の線幅−PEB120℃
の線幅)の値から感光性樹脂組成物のPEB温度依存性
を求めた。結果を表2に示す。
型感光性樹脂組成物を用いることを除き実施例2と同様
に行い、感光性樹脂組成物のPEB温度依存性を求め
た。結果を表2に示す。
光性樹脂組成物のPEB温度依存による線幅のバラツキ
は、従来のネガ型感光性樹脂組成物の半分以下であっ
た。このことから、本発明のネガ型感光性樹脂組成物は
プロセスマージンが広いことが分かる。
に行って、レジストパターンの形成を行なった。形成さ
れたパターンを100、130、140、200、30
0℃の各々の温度で3分間加熱処理を行い、SEMにて
3μmのラインパターンの形状およびボトム線幅を観察
した。結果を表3に示す。
型感光性樹脂組成物を用いることを除き実施例3と同様
に行って、レジストパターンを形成した後、形成された
パターンを100、130、140、200、300℃
の各々の温度で3分間加熱処理を行い、SEMにて3μ
mのラインパターンの形状およびボトム線幅を観察し
た。結果を表3に示す。
感光性樹脂組成物については、300℃でもラインパタ
ーンの形状に大きな変化はなかった。一方、従来のネガ
型感光性樹脂組成物は、130℃付近からラインパター
ンの形状が変化し始め、200℃では形成したラインパ
ターンとラインパターンがつながってしまい、線幅観察
をおこなうことはできなかった。
り、耐熱性に優れ、かつ高感度、高解像性で、良好なパ
ターンを形成することができ、しかも寸法精度のプロセ
ス依存性の小さいネガ型感光性樹脂組成物を得ることが
できる。また、本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、表
示素子製造時のエッチングレジスト、イオン注入用レジ
ストあるいはメッキレジストなどとして有用であるのみ
ならず、スペーサーなどのLCDパネル構造材料および
有機ELディスプレーなどの電極隔壁材料に好適に用い
ることができる。
Claims (2)
- 【請求項1】アルカリ可溶性ノボラック樹脂、架橋剤お
よび光酸発生剤を含有してなる感光性樹脂組成物におい
て、前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂が、分別処理さ
れ、ポリスチレン換算重量平均分子量が1,000〜1
0,000で、かつ分子量500以下の重量比率が全体
の5%以下であることを特徴とするネガ型感光性樹脂組
成物。 - 【請求項2】請求項1記載のネガ型感光性樹脂組成物の
硬化物を構造材として含む表示デバイス。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001078065A JP4401033B2 (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | ネガ型感光性樹脂組成物及びこれを用いた表示デバイス |
EP02705182A EP1383006A1 (en) | 2001-03-19 | 2002-03-14 | Negative photosensitive resin composition and display device using the same |
PCT/JP2002/002416 WO2002075455A1 (fr) | 2001-03-19 | 2002-03-14 | Composition de resine photosensible negative et dispositif d'affichage utilisant celle-ci |
TW091104801A TWI227375B (en) | 2001-03-19 | 2002-03-14 | Negative photosensitive resin composition and display device using it |
CNB028007115A CN1241066C (zh) | 2001-03-19 | 2002-03-14 | 负性感光树脂组合物和使用该组合物的显示装置 |
KR1020027015501A KR20030076222A (ko) | 2001-03-19 | 2002-03-14 | 네가티브형 감광성 수지 조성물 및 이를 사용하는 표시장치 |
US10/275,847 US20030113663A1 (en) | 2001-03-19 | 2002-03-14 | Negative photosensitive resin composition and display device using the same |
US10/909,718 US20050003300A1 (en) | 2001-03-19 | 2004-08-02 | Negative photosensitive resin composition and display device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001078065A JP4401033B2 (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | ネガ型感光性樹脂組成物及びこれを用いた表示デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002278067A true JP2002278067A (ja) | 2002-09-27 |
JP4401033B2 JP4401033B2 (ja) | 2010-01-20 |
Family
ID=18934730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001078065A Expired - Lifetime JP4401033B2 (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | ネガ型感光性樹脂組成物及びこれを用いた表示デバイス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20030113663A1 (ja) |
EP (1) | EP1383006A1 (ja) |
JP (1) | JP4401033B2 (ja) |
KR (1) | KR20030076222A (ja) |
CN (1) | CN1241066C (ja) |
TW (1) | TWI227375B (ja) |
WO (1) | WO2002075455A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005221947A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Jsr Corp | 突起および/またはスペーサー形成用の感放射線性樹脂組成物並びに突起および/またはスペーサーの形成方法 |
KR100695649B1 (ko) * | 2003-11-14 | 2007-03-15 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 격벽 형성용 레지스트 조성물, el 표시소자의 격벽, 및el 표시소자 |
JP2011513514A (ja) * | 2008-02-25 | 2011-04-28 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 加工可能な無機及び有機ポリマー配合物、それらの製造方法及び使用 |
KR101502593B1 (ko) * | 2009-09-30 | 2015-03-13 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 에폭시기 함유 고분자 화합물, 이것을 사용한 광경화성 수지 조성물, 패턴형성 방법 및 전기/전자 부품 보호용 피막 |
JP2019060960A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂フィルム、半導体装置および電子機器 |
JP2022529610A (ja) * | 2019-04-17 | 2022-06-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 多重スペーサパターニングのスキーム |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI299816B (en) * | 2002-04-03 | 2008-08-11 | Sumitomo Chemical Co | Positive resist composition |
US7399582B2 (en) | 2003-07-17 | 2008-07-15 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Material for forming fine pattern and method for forming fine pattern using the same |
TW200536893A (en) * | 2004-02-10 | 2005-11-16 | Sekisui Chemical Co Ltd | Column spacer, liquid crystal display element and curable resin composition for column spacer |
JP4376706B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2009-12-02 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型ホトレジスト組成物を用いたメッキ形成物の形成方法 |
WO2006074574A1 (fr) * | 2005-01-13 | 2006-07-20 | Changsong Wu | Terminal de communication a fonctions multiples |
KR101298940B1 (ko) * | 2005-08-23 | 2013-08-22 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터기판의 제조방법 |
CN102842655B (zh) * | 2011-06-24 | 2015-04-15 | 深圳市九洲光电科技有限公司 | 一种大功率白光led荧光粉涂覆方法 |
JP2018091939A (ja) | 2016-11-30 | 2018-06-14 | 株式会社Adeka | ネガ型感光性組成物、その硬化物およびその硬化方法 |
US10095112B2 (en) * | 2017-02-24 | 2018-10-09 | Irresistible Materials Ltd | Multiple trigger photoresist compositions and methods |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06308729A (ja) * | 1993-04-19 | 1994-11-04 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
US5700620A (en) * | 1993-12-24 | 1997-12-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation ray sensitive resin compostion containing at least two different naphthoquinonediazide sulfonic acid esters and an alkali-soluble low-molecular compound |
JP3462317B2 (ja) * | 1995-09-26 | 2003-11-05 | 旭電化工業株式会社 | ネガ型フォトレジスト組成物 |
JP3931482B2 (ja) * | 1999-06-02 | 2007-06-13 | 住友化学株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物 |
JP4348786B2 (ja) * | 1999-08-02 | 2009-10-21 | 住友化学株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物 |
JP4194259B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2008-12-10 | 富士フイルム株式会社 | ネガ型レジスト組成物 |
TW594390B (en) * | 2001-05-21 | 2004-06-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Negative photoresist compositions for the formation of thick films, photoresist films and methods of forming bumps using the same |
-
2001
- 2001-03-19 JP JP2001078065A patent/JP4401033B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-03-14 US US10/275,847 patent/US20030113663A1/en not_active Abandoned
- 2002-03-14 TW TW091104801A patent/TWI227375B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-03-14 KR KR1020027015501A patent/KR20030076222A/ko active Search and Examination
- 2002-03-14 CN CNB028007115A patent/CN1241066C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-14 EP EP02705182A patent/EP1383006A1/en not_active Withdrawn
- 2002-03-14 WO PCT/JP2002/002416 patent/WO2002075455A1/ja not_active Application Discontinuation
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100695649B1 (ko) * | 2003-11-14 | 2007-03-15 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 격벽 형성용 레지스트 조성물, el 표시소자의 격벽, 및el 표시소자 |
JP2005221947A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Jsr Corp | 突起および/またはスペーサー形成用の感放射線性樹脂組成物並びに突起および/またはスペーサーの形成方法 |
JP4569119B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2010-10-27 | Jsr株式会社 | 突起および/またはスペーサー形成用の感放射線性樹脂組成物並びに突起および/またはスペーサーの形成方法 |
JP2011513514A (ja) * | 2008-02-25 | 2011-04-28 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 加工可能な無機及び有機ポリマー配合物、それらの製造方法及び使用 |
JP2013241617A (ja) * | 2008-02-25 | 2013-12-05 | Honeywell Internatl Inc | 加工可能な無機及び有機ポリマー配合物、それらの製造方法及び使用 |
KR101502593B1 (ko) * | 2009-09-30 | 2015-03-13 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 에폭시기 함유 고분자 화합물, 이것을 사용한 광경화성 수지 조성물, 패턴형성 방법 및 전기/전자 부품 보호용 피막 |
JP2019060960A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂フィルム、半導体装置および電子機器 |
JP2022529610A (ja) * | 2019-04-17 | 2022-06-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 多重スペーサパターニングのスキーム |
JP7357688B2 (ja) | 2019-04-17 | 2023-10-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 多重スペーサパターニングのスキーム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1459050A (zh) | 2003-11-26 |
US20030113663A1 (en) | 2003-06-19 |
JP4401033B2 (ja) | 2010-01-20 |
TWI227375B (en) | 2005-02-01 |
CN1241066C (zh) | 2006-02-08 |
KR20030076222A (ko) | 2003-09-26 |
WO2002075455A1 (fr) | 2002-09-26 |
EP1383006A1 (en) | 2004-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101378692B1 (ko) | 감광성 절연 수지 조성물 및 그의 경화물 및 이를 구비하는회로 기판 | |
JP3960055B2 (ja) | 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 | |
JP5093116B2 (ja) | 絶縁膜形成用感光性樹脂組成物及びその硬化膜並びにそれを備える電子部品 | |
JP4401033B2 (ja) | ネガ型感光性樹脂組成物及びこれを用いた表示デバイス | |
KR20150013149A (ko) | 감광성의 현상제-가용성 하부 반사-방지 코팅 재료 | |
KR101434010B1 (ko) | 감광성 절연 수지 조성물 및 그의 경화물 | |
JP2004177683A (ja) | 超高耐熱ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
US20120296053A1 (en) | Photosensitive composition, cured film and electronic part | |
JP2008077057A (ja) | 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びにそれを備える電子部品 | |
JP4765951B2 (ja) | 絶縁膜を有する大型シリコンウエハおよびその製造方法 | |
JP3974718B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP4821602B2 (ja) | ネガ型感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 | |
JP5531617B2 (ja) | 電極形成方法及び電極 | |
JP5381517B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物およびその硬化物 | |
US9541827B2 (en) | Photosensitive composition, cured film and production process thereof, and electronic part | |
JP2010102271A (ja) | ネガ型感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物 | |
JP3333139B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
US20050003300A1 (en) | Negative photosensitive resin composition and display device using the same | |
JP2010122534A (ja) | ポジ型感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物 | |
JP2014126776A (ja) | 樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、半導体装置及び電子デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050304 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050304 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090811 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090925 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091020 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091027 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4401033 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131106 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |