JP2002271025A - Printed wiring board and manufacturing method therefor - Google Patents

Printed wiring board and manufacturing method therefor

Info

Publication number
JP2002271025A
JP2002271025A JP2001070229A JP2001070229A JP2002271025A JP 2002271025 A JP2002271025 A JP 2002271025A JP 2001070229 A JP2001070229 A JP 2001070229A JP 2001070229 A JP2001070229 A JP 2001070229A JP 2002271025 A JP2002271025 A JP 2002271025A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring board
capacitor
printed wiring
resin
board according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001070229A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4697828B2 (en
Inventor
Seiji Shirai
誠二 白井
Katsutoshi Ito
克敏 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibiden Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Priority to JP2001070229A priority Critical patent/JP4697828B2/en
Publication of JP2002271025A publication Critical patent/JP2002271025A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4697828B2 publication Critical patent/JP4697828B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a printed wiring board which has a capacitor inside and has its connection reliability improved, and to provide a manufacturing method for the printed wiring board. SOLUTION: On a chip capacitor 20 incorporated in a core substrate 30, a relatively large via hole 52 is formed, and in an inter-layer insulating layer 60 on the core substrate 30, via holes 69 connected to the via hole 52 are arranged. Consequently, terminals 21 and 22 of the chip capacitor 20 and the via hole 52 can securely be connected. Further, the surfaces of the metallized terminals 21 and 22 are coated with conductive paste 26, so the surfaces of the terminals 21 and 22 can be flat and the connectivity with the via hole 52 can be increased.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】ICチップなどの電子部品を
載置するプリント基板に関し、特にコンデンサを内蔵す
るプリント配線板に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a printed circuit board on which electronic components such as an IC chip are mounted, and more particularly to a printed circuit board having a built-in capacitor.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在、パッケージ基板用のプリント配線
板では、ICチップへの電力の供給を円滑にする等の目
的のため、チップコンデンサを表面実装することがあ
る。
2. Description of the Related Art At present, in a printed wiring board for a package substrate, a chip capacitor is sometimes mounted on a surface for the purpose of, for example, smoothly supplying power to an IC chip.

【0003】チップコンデンサからICチップまでの配
線のリアクタンス分は周波数に依存するため、ICチッ
プの駆動周波数の増加に伴い、チップコンデンサを表面
実装させても十分な効果を得ることができなかった。こ
のため、本出願人は、特願平11−248311号に
て、コア基板に凹部を形成し、凹部にチップコンデンサ
を収容させる技術を提案した。また、コンデンサを基板
に埋め込む技術としては、特開平6−326472号、
特開平7−263619号、特開平10−256429
号、特開平11−45955号、特開平11−1269
78号、特開平11−312868号等がある。
Since the reactance of the wiring from the chip capacitor to the IC chip depends on the frequency, a sufficient effect cannot be obtained even if the chip capacitor is surface-mounted with the increase in the driving frequency of the IC chip. For this reason, the present applicant has proposed a technique in Japanese Patent Application No. 11-248311 in which a recess is formed in a core substrate and a chip capacitor is accommodated in the recess. Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-326472 discloses a technique for embedding a capacitor in a substrate.
JP-A-7-263519, JP-A-10-256429
JP-A-11-45555, JP-A-11-1269
No. 78 and JP-A-11-31868.

【0004】特開平6−326472号には、ガラスエ
ポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術
が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減
し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要
になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平7−
263619号には、セラミック、アルミナなどの基板
にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構
成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配
線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-326472 discloses a technique for embedding a capacitor in a resin substrate made of glass epoxy. With this configuration, power supply noise is reduced, and a space for mounting a chip capacitor is not required, and the size of the insulating substrate can be reduced. In addition, Japanese Patent Application Laid-Open
No. 263619 discloses a technique for embedding a capacitor in a substrate made of ceramic, alumina, or the like. With this configuration, by connecting between the power supply layer and the ground layer, the wiring length is shortened and the wiring inductance is reduced.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た特開平6−326472号、特開平7−263619
号は、ICチップからコンデンサの距離をあまり短くで
きず、ICチップの更なる高周波数領域においては、現
在必要とされるようにインダクタンスを低減することが
できなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ配線板
においては、セラミックから成るコンデンサと、樹脂か
らなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いか
ら、チップコンデンサの端子とビアとの間に断線、チッ
プコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂
絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り高い信頼性を達
成することができなかった。
However, the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-326472 and Japanese Patent Application Laid-open No.
Cannot reduce the distance between the IC chip and the capacitor too much, and could not reduce the inductance as required at present in the higher frequency range of the IC chip. In particular, in the case of a resin-made multilayer build-up wiring board, disconnection between a terminal of a chip capacitor and a via due to a difference in the coefficient of thermal expansion between a capacitor made of ceramic and a core substrate made of resin and an interlayer resin insulating layer. Peeling occurred between the capacitor and the interlayer resin insulation layer, cracks occurred in the interlayer resin insulation layer, and high reliability could not be achieved for a long period of time.

【0006】一方、特願平11−248311号の発明
では、コンデンサの配設位置ずれがあったとき、コンデ
ンサの端子とビアとの接続が正確にできず、コンデンサ
からICチップへの電力供給ができなくなる恐れがあっ
た。
On the other hand, in the invention of Japanese Patent Application No. 11-248311, when there is a displacement in the arrangement of the capacitor, the connection between the terminal of the capacitor and the via cannot be made accurately, and the power supply from the capacitor to the IC chip is not possible. There was a fear that it would not be possible.

【0007】本発明は上述した課題を解決するためにな
されたものであり、その目的は、コンデンサを内蔵し、
接続信頼性を高めたプリント配線板及びプリント配線板
の製造方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a battery having a built-in capacitor,
An object of the present invention is to provide a printed wiring board with improved connection reliability and a method for manufacturing the printed wiring board.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の発明では、コア基板に樹脂絶縁層と導体
回路とを積層してなるプリント配線板であって、前記コ
ア基板にコンデンサを内蔵させ、前記コンデンサの端子
と接続する相対的に大きな下層ビアを形成し、前記コア
基板の上面の層間樹脂絶縁層に、1の前記下層ビアと接
続された複数個の相対的に小さな上層ビアを配設し、前
記コンデンサのメタライズからなる電極の表面には、導
電性ペーストが塗布されていることを技術的特徴とす
る。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a printed wiring board comprising a resin insulating layer and a conductive circuit laminated on a core substrate, wherein the core substrate has a capacitor. And a plurality of relatively small upper layers connected to one lower via are formed in the interlayer resin insulating layer on the upper surface of the core substrate by forming a relatively large lower via connected to the terminal of the capacitor. A technical feature is that a via is provided, and a conductive paste is applied to the surface of the metallized electrode of the capacitor.

【0009】請求項1では、コア基板にコンデンサを内
蔵させ、コンデンサ上にコンデンサの端子と接続する相
対的に大きな下層ビアを形成し、コア基板の上面の層間
樹脂絶縁層に、1の下層ビアと接続された複数個の相対
的に小さな上層ビアを配設している。これにより、コン
デンサの配設位置ずれに対応して、コンデンサの端子と
下層ビアとを接続することが可能となり、コンデンサか
らICチップへの電力供給を確実に行うことができる。
また、相対的に小さな上層ビアを複数個配設したことに
より、インダクタンス分を並列接続したと同様な効果を
得れるため、電源線及び接地線の高周波数特性が高ま
り、電力供給不足或いはアースレベルの変動によるIC
チップの誤動作を防止することが可能となる。さらに、
配線長を短縮することができるので、ループインダクタ
ンスを低減することが可能となる。
According to the present invention, a capacitor is built in the core substrate, a relatively large lower via connected to a terminal of the capacitor is formed on the capacitor, and one lower via is formed in the interlayer resin insulating layer on the upper surface of the core substrate. And a plurality of relatively small upper-layer vias connected to the upper layer. As a result, it is possible to connect the terminals of the capacitor and the lower vias in accordance with the displacement of the arrangement of the capacitor, and it is possible to reliably supply power from the capacitor to the IC chip.
Also, by providing a plurality of relatively small upper vias, it is possible to obtain the same effect as connecting the inductance components in parallel. Therefore, the high frequency characteristics of the power supply line and the ground line are increased, and the power supply is insufficient or the ground level is low. IC due to fluctuation of
Malfunction of the chip can be prevented. further,
Since the wiring length can be reduced, the loop inductance can be reduced.

【0010】凹部内には、樹脂を充填させることが望ま
しい。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによ
って、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さく
なるし、コンデンサを起点とする応力が発生したとして
も、該充填された樹脂により緩和することができる。ま
た、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイ
グレーションの低下させるという効果も有する。
It is desirable that the recess be filled with a resin. By eliminating the gap between the capacitor and the core substrate, the built-in capacitor is less likely to behave, and even if a stress originating from the capacitor is generated, the stress can be reduced by the filled resin. The resin also has the effect of reducing adhesion and migration between the capacitor and the core substrate.

【0011】また、コンデンサのメタライズからなる電
極の表面に導電性ペーストが塗布されているため、表面
が完全にフラットになる。このため、樹脂層にレーザで
開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無
くなり、該電極とめっきによるビアとの接続信頼性を高
めることができる。
In addition, since the conductive paste is applied to the surface of the metallized electrode of the capacitor, the surface becomes completely flat. Therefore, when an opening is formed in the resin layer by laser, the resin does not remain on the surface of the electrode, and the connection reliability between the electrode and the via by plating can be improved.

【0012】請求項2では、コンデンサの電極の導電性
ペースト上に金属層を設けてあるため、電極でのマイグ
レーションの発生を防止することができ、また、接続抵
抗を更に低減することができる。
According to the second aspect, since the metal layer is provided on the conductive paste of the electrode of the capacitor, it is possible to prevent the occurrence of migration at the electrode and to further reduce the connection resistance.

【0013】請求項3では、コンデンサの表面に、粗化
処理を施す。これにより、セラミックからなるチップコ
ンデンサと樹脂からなる接続層、層間樹脂絶縁層との密
着性が高くなり、ヒートサイクル試験を実施しても界面
での接続層、層間樹脂絶縁層の剥離が発生することがな
い。
According to the third aspect, the surface of the capacitor is subjected to a roughening treatment. As a result, the adhesion between the chip capacitor made of ceramic and the connection layer made of resin and the interlayer resin insulation layer is increased, and the connection layer and the interlayer resin insulation layer are peeled off at the interface even when the heat cycle test is performed. Nothing.

【0014】請求項4では、コンデンサの表面に、シラ
ンカップリング、樹脂被膜の塗布等の濡れ性改善処理を
施す。これにより、セラミックからなるチップコンデン
サと接続層、層間樹脂絶縁層との密着性が高くなり、ヒ
ートサイクル試験を実施しても界面での接続層、層間樹
脂絶縁層の剥離が発生することがない。
According to a fourth aspect of the present invention, the surface of the capacitor is subjected to a wettability improving treatment such as silane coupling or application of a resin film. Thereby, the adhesion between the ceramic chip capacitor and the connection layer and the interlayer resin insulation layer is increased, and the connection layer and the interlayer resin insulation layer do not peel at the interface even when the heat cycle test is performed. .

【0015】請求項5、6では、下層ビアとして表面が
平坦なフィルドビアが用いられている。これにより、1
の下層ビアに複数個の上層ビアを直接接続することが可
能となる。よって、下層ビアと上層ビアとの接続性を高
めることができ、コンデンサからICチップへの電力供
給を確実に行うことが可能となる。
In the fifth and sixth aspects, a filled via having a flat surface is used as the lower layer via. This gives 1
A plurality of upper vias can be directly connected to the lower via. Therefore, the connectivity between the lower via and the upper via can be improved, and power can be reliably supplied from the capacitor to the IC chip.

【0016】請求項7では、コア基板に形成された凹部
の中に1個のコンデンサを収容している。これにより、
コア基板内にコンデンサを配置するため、ICチップと
コンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタンス
を低減することが可能となる。
According to the present invention, one capacitor is accommodated in a recess formed in the core substrate. This allows
Since the capacitor is arranged in the core substrate, the distance between the IC chip and the capacitor is shortened, and the loop inductance can be reduced.

【0017】請求項8では、凹部に多数個のコンデンサ
を収容させれるため、コンデンサの高集積化が可能とな
る。
According to the eighth aspect, since a large number of capacitors can be accommodated in the recess, high integration of the capacitors is possible.

【0018】請求項9では、コア基板とコンデンサとの
間に、樹脂を充填し、樹脂の熱膨張率を、コア基板より
も小さく、即ち、セラミックからなるコンデンサに近い
ように設定してある。このため、ヒートサイクル試験に
おいて、コア基板とコンデンサとの間に熱膨張率差から
内応力が発生しても、コア基板にクラック、剥離等が生
じ難く、高い信頼性を達成できる。
In the ninth aspect, a resin is filled between the core substrate and the capacitor, and the coefficient of thermal expansion of the resin is set to be smaller than that of the core substrate, that is, close to that of a capacitor made of ceramic. For this reason, in the heat cycle test, even if internal stress is generated due to a difference in the coefficient of thermal expansion between the core substrate and the capacitor, cracks, peeling, and the like hardly occur on the core substrate, and high reliability can be achieved.

【0019】請求項10では、基板内に収容したコンデ
ンサに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリン
ト配線板内にコンデンサが収容してあるために、ICチ
ップとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダク
タンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一
方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあ
るので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、
ICチップに大電力を容易に供給することが可能とな
る。
In a tenth aspect, a capacitor is provided on the surface in addition to the capacitor housed in the substrate. Since the capacitor is housed in the printed wiring board, the distance between the IC chip and the capacitor is shortened, the loop inductance is reduced, and power can be supplied instantaneously. Because a capacitor is provided, a large-capacity capacitor can be attached.
Large power can be easily supplied to the IC chip.

【0020】請求項11では、表面のコンデンサの静電
容量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、
高周波領域における電源供給の不足がなく、所望のIC
チップの動作が確保される。
In the eleventh aspect, the capacitance of the capacitor on the surface is equal to or larger than the capacitance of the capacitor on the inner layer.
There is no shortage of power supply in the high frequency range, and the desired IC
The operation of the chip is ensured.

【0021】請求項12では、表面のコンデンサのイン
ダクタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上
であるため、高周波領域における電源供給の不足がな
く、所望のICチップの動作が確保される。
In the twelfth aspect, since the inductance of the capacitor on the surface is equal to or larger than the inductance of the capacitor in the inner layer, there is no shortage of power supply in a high frequency region, and a desired operation of the IC chip is ensured.

【0022】請求項13では、外縁の内側に電極の形成
されたチップコンデンサを用いるため、ビアを経て導通
を取っても外部電極が大きく取れ、アライメントの許容
範囲が広がるために、接続不良がなくなる。
According to the thirteenth aspect, since a chip capacitor having an electrode formed inside the outer edge is used, a large external electrode can be obtained even when conduction is established via a via, and the allowable range of alignment is widened, so that connection failure is eliminated. .

【0023】請求項14では、マトリクス状に電極が形
成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデ
ンサをコア基板に収容することが容易になる。そのた
め、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決
することができる。さらに、種々の熱履歴などを経ても
プリント配線板に反りが発生し難くなる。
In the fourteenth aspect, since a capacitor having electrodes formed in a matrix is used, it is easy to accommodate a large chip capacitor in the core substrate. Therefore, the capacitance can be increased, so that an electrical problem can be solved. Further, even after various thermal histories, the printed wiring board is less likely to warp.

【0024】請求項15では、コンデンサに多数個取り
用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それに
よって、静電容量を適宜調整することができ、適切にI
Cチップを動作させることができる。
According to a fifteenth aspect, a plurality of chip capacitors for multi-cavity may be connected to the capacitor. As a result, the capacitance can be adjusted appropriately, and I
The C chip can be operated.

【0025】請求項16のプリント配線板の製造方法で
は、少なくとも以下(a)〜(e)の工程を備えること
を技術的特徴とする: (a)コア基板に、メタライズ電極の上に導電性ペース
トを塗布したコンデンサを内臓する工程; (b)前記コンデンサの上面に樹脂絶縁層を形成する工
程; (c)前記樹脂絶縁層に、前記コンデンサの端子と接続
する相対的に大きな下層ビアを形成する工程; (d)前記コア基板の上面に、層間樹脂絶縁層を形成す
る工程; (e)前記層間樹脂絶縁層に、1の前記下層ビアと接続
された複数個の相対的に小さな上層ビアを配設する工
程。
According to a sixteenth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a printed wiring board, which comprises at least the following steps (a) to (e): (B) forming a resin insulating layer on the upper surface of the capacitor; (c) forming a relatively large lower via connected to a terminal of the capacitor in the resin insulating layer. (D) forming an interlayer resin insulation layer on the upper surface of the core substrate; (e) forming a plurality of relatively small upper vias connected to one lower via on the interlayer resin insulation layer. Arranging.

【0026】請求項16では、コア基板にコンデンサを
内蔵させ、コンデンサ上にコンデンサの端子と接続する
相対的に大きな下層ビアを形成し、コア基板の上面の層
間樹脂絶縁層に、1の下層ビアと接続された複数個の相
対的に小さな上層ビアを配設している。これにより、コ
ンデンサの配設位置ずれに対応して、コンデンサの端子
と下層ビアとを接続することが可能となり、コンデンサ
からICチップへの電力供給を確実に行うことができ
る。また、相対的に小さな上層ビアを複数個配設したこ
とにより、インダクタンス分を並列接続したと同様な効
果を得れるため、電源線及び接地線の高周波数特性が高
まり、電力供給不足或いはアースレベルの変動によるI
Cチップの誤動作を防止することが可能となる。さら
に、配線長を短縮することができるので、ループインダ
クタンスを低減することが可能となる。
In the sixteenth aspect, the capacitor is built in the core substrate, and a relatively large lower via connected to the capacitor terminal is formed on the capacitor, and one lower via is provided in the interlayer resin insulating layer on the upper surface of the core substrate. And a plurality of relatively small upper-layer vias connected to the upper layer. As a result, it is possible to connect the terminals of the capacitor and the lower vias in accordance with the displacement of the arrangement of the capacitor, and it is possible to reliably supply power from the capacitor to the IC chip. Also, by providing a plurality of relatively small upper vias, it is possible to obtain the same effect as connecting the inductance components in parallel. Therefore, the high frequency characteristics of the power supply line and the ground line are increased, and the power supply is insufficient or the ground level is low. I due to fluctuation of
Malfunction of the C chip can be prevented. Furthermore, since the wiring length can be shortened, the loop inductance can be reduced.

【0027】また、コンデンサの電極の表面に導電性ペ
ーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットにな
る。このため、樹脂層にレーザで開口を穿設した際に、
電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっ
きによるビアとの接続信頼性を高めることができる。
Further, since the conductive paste is applied to the surface of the electrode of the capacitor, the surface becomes completely flat. For this reason, when an opening is formed in the resin layer with a laser,
The resin does not remain on the surface of the electrode, and the connection reliability between the electrode and the via by plating can be improved.

【0028】請求項17では、コア基板に形成された凹
部の中に1個のコンデンサを収容している。これによ
り、コア基板内にコンデンサを配置するため、ICチッ
プとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタ
ンスを低減することが可能となる。
In the seventeenth aspect, one capacitor is accommodated in a recess formed in the core substrate. Thus, since the capacitor is arranged in the core substrate, the distance between the IC chip and the capacitor is shortened, and the loop inductance can be reduced.

【0029】請求項18では、凹部に多数個のコンデン
サを収容させれるため、コンデンサの高集積化が可能と
なる。
According to the eighteenth aspect, since a large number of capacitors can be accommodated in the recess, high integration of the capacitors becomes possible.

【0030】請求項19では、心材となる樹脂を含有さ
せてなる樹脂材料に通孔を形成し、通孔を形成した樹脂
材料に、樹脂材料を貼り付けて、凹部を有するコア基板
を形成している。これにより、底部が平坦な凹部を有す
るコア基板を形成することができる。
According to a nineteenth aspect, a through hole is formed in a resin material containing a resin serving as a core material, and a resin material is attached to the resin material having the through hole to form a core substrate having a concave portion. ing. Thereby, a core substrate having a concave portion with a flat bottom can be formed.

【0031】請求項20、請求項21では、下層ビアと
して表面が平坦なフィルドビアが用いられている。これ
により、1の下層ビアに複数個の上層ビアを直接接続す
ることが可能となる。よって、下層ビアと上層ビアとの
接続性を高めることができ、コンデンサからICチップ
への電力供給を確実に行うことが可能となる。
In the twentieth and twenty-first aspects, a filled via having a flat surface is used as the lower via. This makes it possible to directly connect a plurality of upper vias to one lower via. Therefore, the connectivity between the lower via and the upper via can be improved, and power can be reliably supplied from the capacitor to the IC chip.

【0032】請求項22の発明では、凹部内の複数個の
コンデンサの上面に圧力を加え、もしくは叩くことによ
りコンデンサの上面の高さを揃えている。それにより、
凹部内にコンデンサを配設した際に、複数個のコンデン
サの大きさに、ばらつきがあっても高さを揃えることが
でき、コア基板を平滑にすることができる。よって、コ
ア基板の平滑性が損なわれず、上層の層間樹脂絶縁層お
よび導体回路を適切に形成することができるので、プリ
ント配線板の不良品発生率を低下させることができる。
In the invention according to claim 22, the upper surfaces of the capacitors are made uniform by applying pressure or hitting the upper surfaces of the plurality of capacitors in the concave portion. Thereby,
When the capacitors are provided in the recesses, the heights can be made uniform even if the sizes of the plurality of capacitors vary, and the core substrate can be made smooth. Therefore, the smoothness of the core substrate is not impaired, and the upper interlayer resin insulating layer and the conductive circuit can be appropriately formed, so that the defective product occurrence rate of the printed wiring board can be reduced.

【0033】本発明の層間樹脂絶縁層、接続層において
使用する熱硬化型樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可
溶性の粒子(以下、可溶性粒子という)が酸または酸化
剤に難溶性の樹脂(以下、難溶性樹脂という)中に分散
したものである。なお、本発明で使用する「難溶性」
「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる
溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早
いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の
遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
In the thermosetting resin film used in the interlayer resin insulating layer and the connection layer of the present invention, particles which are soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter referred to as “soluble particles”) are hardly soluble in an acid or an oxidizing agent. , Hardly soluble resin). In addition, the "poorly soluble" used in the present invention
The term "soluble" refers to a substance having a relatively high dissolution rate when immersed in a solution containing the same acid or oxidizing agent for the same time as "soluble" for convenience, and a substance having a relatively low dissolution rate for convenience. Called "poorly soluble".

【0034】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子(以下、可溶性樹脂粒
子)、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子(以下、可溶
性無機粒子)、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子(以
下、可溶性金属粒子)等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、2種以上併用してもよ
い。
Examples of the soluble particles include resin particles soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter referred to as “soluble resin particles”), inorganic particles soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter referred to as “soluble inorganic particles”), and an acid or an oxidizing agent. Soluble metal particles (hereinafter referred to as “soluble metal particles”) and the like. These soluble particles may be used alone or in combination of two or more.

【0035】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。
The shape of the soluble particles is not particularly limited.
Spherical, crushed and the like. The shape of the soluble particles is desirably a uniform shape. This is because a roughened surface having unevenness with a uniform roughness can be formed.

【0036】上記可溶性粒子の平均粒径としては、0.
1〜10μmが望ましい。この粒径の範囲であれば、2
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が0.1〜0.5μmの可溶性粒子と平均
粒径が1〜3μmの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。
The average particle size of the above-mentioned soluble particles is 0.1.
1 to 10 μm is desirable. Within this particle size range, 2
More than one kind of particles having different particle sizes may be contained. That is, it contains soluble particles having an average particle size of 0.1 to 0.5 μm and soluble particles having an average particle size of 1 to 3 μm.
Thereby, a more complicated roughened surface can be formed,
Excellent adhesion to conductor circuits. In the present invention, the particle size of the soluble particles is the length of the longest portion of the soluble particles.

【0037】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、2種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。
Examples of the soluble resin particles include those made of a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and the like. When immersed in a solution containing an acid or an oxidizing agent, the soluble resin particles have a higher dissolution rate than the hardly soluble resin. If it is, there is no particular limitation. Specific examples of the soluble resin particles include, for example, those made of epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, polyphenylene resin, polyolefin resin, fluororesin, and the like, and may be made of one of these resins. Alternatively, it may be composed of a mixture of two or more resins.

【0038】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、(メタ)アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した(メ
タ)アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。
As the soluble resin particles, resin particles made of rubber can be used. Examples of the rubber include polybutadiene rubber, various modified polybutadiene rubbers such as epoxy-modified, urethane-modified, (meth) acrylonitrile-modified, and (meth) acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group. By using these rubbers, the soluble resin particles are easily dissolved in an acid or an oxidizing agent. In other words, when dissolving the soluble resin particles using an acid, an acid other than a strong acid can be dissolved, and when dissolving the soluble resin particles using an oxidizing agent, permanganese having a relatively weak oxidizing power is used. Acid salts can also be dissolved. Even when chromic acid is used, it can be dissolved at a low concentration. Therefore, the acid or the oxidizing agent does not remain on the resin surface, and as described later, when a catalyst such as palladium chloride is applied after forming the roughened surface, the catalyst is not applied or the catalyst is oxidized. Or not.

【0039】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。
Examples of the soluble inorganic particles include particles made of at least one selected from the group consisting of aluminum compounds, calcium compounds, potassium compounds, magnesium compounds and silicon compounds.

【0040】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、2種以上併用してもよい。
Examples of the aluminum compound include alumina and aluminum hydroxide. Examples of the calcium compound include calcium carbonate and
Examples of the potassium compound include potassium carbonate.Examples of the magnesium compound include magnesia, dolomite, and basic magnesium carbonate.Examples of the silicon compound include silica and zeolite. Is mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

【0041】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
Examples of the soluble metal particles include, for example,
Copper, nickel, iron, zinc, lead, gold, silver, aluminum,
Examples include particles made of at least one selected from the group consisting of magnesium, calcium, and silicon. These soluble metal particles may have a surface layer coated with a resin or the like in order to ensure insulation.

【0042】上記可溶性粒子を、2種以上混合して用い
る場合、混合する2種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。
When two or more of the above-mentioned soluble particles are used in combination, the combination of the two types of soluble particles to be mixed is preferably a combination of resin particles and inorganic particles. Both have low conductivity, so that the insulation of the resin film can be ensured, and thermal expansion can be easily adjusted with the poorly soluble resin, and no crack occurs in the interlayer resin insulation layer made of the resin film. This is because peeling does not occur between the interlayer resin insulating layer and the conductor circuit.

【0043】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてビア用
開口を形成することできる。これらのなかでは、熱硬化
性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、め
っき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状
を保持することができるからである。
The hardly soluble resin is not particularly limited as long as it can maintain the shape of the roughened surface when the roughened surface is formed on the interlayer resin insulating layer using an acid or an oxidizing agent. Examples thereof include thermosetting resins, thermoplastic resins, and composites thereof. Further, a photosensitive resin obtained by imparting photosensitivity to these resins may be used. By using a photosensitive resin, a via opening can be formed in the interlayer resin insulating layer by using exposure and development processes. Among these, those containing a thermosetting resin are desirable. Thereby, the shape of the roughened surface can be maintained even by the plating solution or various heat treatments.

【0044】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂
等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよい
し、2種以上を併用してもよい。さらには、1分子中
に、2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより
望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかり
でなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条
件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属
層の剥離などが起きにくいからである。
Specific examples of the hardly soluble resin include, for example, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin,
Examples thereof include polyphenylene resin, polyolefin resin, and fluorine resin. These resins may be used alone or in combination of two or more. Further, an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more desirable. Not only can the above-described roughened surface be formed, but also excellent in heat resistance, etc., even under heat cycle conditions, stress concentration does not occur in the metal layer, and peeling of the metal layer does not easily occur. Because.

【0045】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールF型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。
Examples of the epoxy resin include cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, alkylphenol novolak type epoxy resin, biphenol F type epoxy resin, and naphthalene type epoxy resin. Resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, epoxidized product of condensate of phenols and aromatic aldehyde having phenolic hydroxyl group,
Triglycidyl isocyanurate, alicyclic epoxy resin and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Thereby, it becomes excellent in heat resistance and the like.

【0046】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにビアやスル
ーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金
属層の密着性を確保することができるからである。ま
た、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有す
る樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フ
ィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされること
がないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性が確実に保たれる。
In the resin film used in the present invention, the soluble particles are desirably substantially uniformly dispersed in the hardly-soluble resin. A roughened surface having unevenness with a uniform roughness can be formed, and even when a via or a through hole is formed in a resin film, the adhesion of a metal layer of a conductive circuit formed thereon can be secured. Because. Alternatively, a resin film containing soluble particles only in the surface layer forming the roughened surface may be used. Thereby, since the portions other than the surface layer of the resin film are not exposed to the acid or the oxidizing agent, the insulation between the conductor circuits via the interlayer resin insulating layer is reliably maintained.

【0047】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、3〜40重量%が望ましい。可溶性粒子の配合
量が3重量%未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、40重量%を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
In the above resin film, the amount of the soluble particles dispersed in the poorly soluble resin is desirably 3 to 40% by weight based on the resin film. If the amount of the soluble particles is less than 3% by weight, it may not be possible to form a roughened surface having desired irregularities. If the amount exceeds 40% by weight, the soluble particles may be dissolved using an acid or an oxidizing agent. In addition, there is a case where the resin film is melted to a deep portion of the resin film and the insulation between the conductor circuits via the interlayer resin insulating layer made of the resin film cannot be maintained, which may cause a short circuit.

【0048】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。
The resin film desirably contains a curing agent and other components in addition to the soluble particles and the hardly soluble resin. As the curing agent, for example,
Imidazole-based curing agents, amine-based curing agents, guanidine-based curing agents, epoxy adducts of these curing agents and microcapsules of these curing agents, and organic materials such as triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium, and tetraphenylborate. Phosphine compounds and the like can be mentioned.

【0049】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して0.05〜10重量%であることが望ましい。0.
05重量%未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、10重量%を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。
The content of the curing agent is desirably 0.05 to 10% by weight based on the resin film. 0.
If the amount is less than 05% by weight, the resin film is insufficiently cured, so that the degree of penetration of the acid or the oxidizing agent into the resin film is increased, and the insulating property of the resin film may be impaired. On the other hand, when the content exceeds 10% by weight, an excessive curing agent component may modify the composition of the resin, which may cause a decrease in reliability.

【0050】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。
The other components include, for example, fillers such as inorganic compounds or resins which do not affect the formation of the roughened surface. As the inorganic compound, for example,
Examples of the resin include silica, alumina, and dolomite. Examples of the resin include a polyimide resin, a polyacryl resin, a polyamideimide resin, a polyphenylene resin, a melanin resin, and an olefin resin. By incorporating these fillers, the performance of the printed wiring board can be improved by matching the thermal expansion coefficient, improving heat resistance and chemical resistance, and the like.

【0051】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、2種類以上併用してもよ
い。
Further, the resin film may contain a solvent. As the solvent, for example, acetone,
Ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone,
Ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, and aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene. These may be used alone or in combination of two or more.

【0052】[0052]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。先ず、本発明の第1実施形態に
係るプリント配線板の構成について、図7〜図9を参照
して説明する。図7は、プリント配線板10の断面を示
し、図8は、図7に示すプリント配線板10にICチッ
プ90を搭載し、ドータボード94側へ取り付けた状態
を示している。図9(A)は、図7中のビア52の拡大
図であり、図9(B)は、図9(A)中のビア52に複
数個のビア69を配設した状態を矢印B側からた見た状
態を示す模式図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, the configuration of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 7 shows a cross section of the printed wiring board 10, and FIG. 8 shows a state where the IC chip 90 is mounted on the printed wiring board 10 shown in FIG. FIG. 9A is an enlarged view of the via 52 in FIG. 7, and FIG. 9B is a diagram illustrating a state in which a plurality of vias 69 are arranged in the via 52 in FIG. It is a schematic diagram which shows the state which looked at.

【0053】図7に示すようにプリント配線板10は、
複数個のチップコンデンサ20を収容するコア基板30
と、ビルドアップ配線層80A、80Bとからなる。コ
ア基板30に収容された複数個のチップコンデンサ20
の端子21、22には、相対的に大きなビア52が接続
されている。また、ビルドアップ配線層80A、80B
は、層間樹脂絶縁層60、160からなる。層間樹脂絶
縁層60には、導体回路68および相対的に小さなビア
69が形成され、層間樹脂絶縁層160には、導体回路
168および相対的に小さなビア169が形成されてい
る。層間樹脂絶縁層160の上には、ソルダーレジスト
層70が配設されている。
As shown in FIG. 7, the printed wiring board 10
Core substrate 30 accommodating a plurality of chip capacitors 20
And build-up wiring layers 80A and 80B. Plural chip capacitors 20 housed in core substrate 30
A relatively large via 52 is connected to the terminals 21 and 22. Also, the build-up wiring layers 80A, 80B
Is composed of interlayer resin insulation layers 60 and 160. A conductive circuit 68 and a relatively small via 69 are formed in the interlayer resin insulating layer 60, and a conductive circuit 168 and a relatively small via 169 are formed in the interlayer resin insulating layer 160. On the interlayer resin insulating layer 160, a solder resist layer 70 is provided.

【0054】チップコンデンサ20は、図10(A)に
示すように第1電極21と第2電極22と、第1、第2
電極に挟まれた誘電体23とから成り、誘電体23に
は、第1電極21側に接続された第1導電膜24と、第
2電極22側に接続された第2導電膜25とが複数枚対
向配置されている。第1電極21と第2電極22の表面
には、導電性ペースト26を被覆させてある。
As shown in FIG. 10A, the chip capacitor 20 includes a first electrode 21 and a second electrode 22, and first and second electrodes 21 and 22.
A first conductive film 24 connected to the first electrode 21 side and a second conductive film 25 connected to the second electrode 22 side. A plurality of sheets are arranged facing each other. The surfaces of the first electrode 21 and the second electrode 22 are coated with a conductive paste 26.

【0055】ここで、第1電極21及び第2電極22
は、Ni、Pb、又はAg金属のメタライズからなる。
導電性ペースト26は、Cu、Ni又はAg等の金属粒
子を含むペーストからなる。ここで、金属粒子の粒径
は、0.1〜10μmが望ましく、特に、1〜5μmが
最適である。導電性ペーストとしては、金属粒子に、エ
ポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレンスルフ
ィド(PPS)樹脂を加えた有機系導電性ペーストが望
ましい。この導電性ペースト26の厚みは、1〜30μ
mが望ましい。1μm未満では、電極表面の凹凸を無く
すことができず、一方、30μmを越えても、特に効果
が向上しないからである。ここで、5〜20μmの厚み
が最も望ましい。なお、2種類以上の径の異なる粒子を
配合したペーストを用いることもでき、更に、2種類以
上の径の異なる金属ペーストを被覆することも可能であ
る。
Here, the first electrode 21 and the second electrode 22
Consists of a metallization of Ni, Pb or Ag metal.
The conductive paste 26 is made of a paste containing metal particles such as Cu, Ni or Ag. Here, the particle size of the metal particles is desirably 0.1 to 10 μm, and most preferably 1 to 5 μm. As the conductive paste, an organic conductive paste obtained by adding a thermosetting resin such as an epoxy resin or a polyphenylene sulfide (PPS) resin to metal particles is preferable. The thickness of the conductive paste 26 is 1 to 30 μm.
m is desirable. If the thickness is less than 1 μm, unevenness on the electrode surface cannot be eliminated, while if it exceeds 30 μm, the effect is not particularly improved. Here, a thickness of 5 to 20 μm is most desirable. Note that a paste in which two or more kinds of particles having different diameters are mixed can be used, and further, a metal paste having two or more kinds of different diameters can be coated.

【0056】チップコンデンサの電極21,22は、メ
タライズからなり表面に凹凸がある。このため、金属層
を剥き出した状態で用いると、樹脂絶縁層40にレーザ
で開口42を穿設する工程において、該凹凸に樹脂が残
ることがある。この際には、当該樹脂残さにより第1、
第2電極21,22とビア52との接続不良が発生す
る。本実施形態においては、導電性ペースト26によっ
て第1、第2電極21,22の表面が平滑になり、電極
上に被覆された開口42を穿設した際に、樹脂残さが残
らず、ビア52を形成した際の電極21,22との接続
信頼性を高めることができる。
The electrodes 21 and 22 of the chip capacitor are made of metallized and have irregularities on the surface. Therefore, when the metal layer is used in a state where the metal layer is exposed, the resin may remain on the irregularities in the step of forming the opening 42 in the resin insulating layer 40 by laser. In this case, the first,
A connection failure between the second electrodes 21 and 22 and the via 52 occurs. In the present embodiment, the surfaces of the first and second electrodes 21 and 22 are smoothed by the conductive paste 26, and when the opening 42 covered on the electrode is formed, no resin residue remains and the via 52 Can improve the connection reliability with the electrodes 21 and 22 at the time of formation.

【0057】更に、チップコンデンサ20のセラミック
から成る誘電体23の表面には粗化層23aが設けられ
ている。このため、セラミックから成るチップコンデン
サ20と樹脂からなる接着材料34及び樹脂絶縁層40
との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界
面での樹脂からなる接着材料34及び樹脂絶縁層40の
剥離が発生することがない。この粗化層23aは、焼成
後に、チップコンデンサ20の表面を研磨することによ
り、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成で
きる。
Further, a roughened layer 23a is provided on the surface of the dielectric 23 made of ceramic of the chip capacitor 20. Therefore, the chip capacitor 20 made of ceramic, the adhesive material 34 made of resin, and the resin insulating layer 40
The adhesion between the adhesive material 34 and the resin insulating layer 40 at the interface does not occur even when the heat cycle test is performed. The roughened layer 23a can be formed by polishing the surface of the chip capacitor 20 after firing, or by performing a roughening process before firing.

【0058】図8に示すように上側のビルドアップ配線
層80Aのビア169には、ICチップ90のパッド9
2へ接続するための半田バンプ76Uが形成されてい
る。一方、下側のビルドアップ配線層80Bのビア16
9には、ドータボード94のパッド95へ接続するため
の半田バンプ76Dが形成されている。
As shown in FIG. 8, the via 169 of the upper build-up wiring layer 80A is provided with the pad 9 of the IC chip 90.
2, a solder bump 76U for connection to No. 2 is formed. On the other hand, the via 16 of the lower buildup wiring layer 80B
9, a solder bump 76D for connection to the pad 95 of the daughter board 94 is formed.

【0059】コア基板としては、樹脂からなるものを用
いた。例えば、ガラスエポキシ樹脂含浸基材、フェノー
ル樹脂含浸基材などの一般的なプリント配線板で用いら
れる樹脂材料を用いることができる。しかし、コア基板
をセラミックやAINなどの基板を用いることはできな
かった。該基板は外形加工性が悪く、コンデンサを収容
することができないことがあり、樹脂で充填させても空
隙が生じてしまうからである。
As the core substrate, a substrate made of resin was used. For example, a resin material used for a general printed wiring board such as a glass epoxy resin-impregnated base material and a phenol resin-impregnated base material can be used. However, a substrate made of ceramic, AIN, or the like cannot be used as the core substrate. This is because the substrate has poor external formability, and may not be able to accommodate a capacitor, and voids are generated even when filled with resin.

【0060】また、チップコンデンサ20を、コア基板
30に形成された凹部32に複数個収容するため、チッ
プコンデンサ20を高密度に配置することができる。さ
らに、凹部32に複数個のチップコンデンサ20を収容
するため、チップコンデンサ20の高さを揃えることが
できる。このため、チップコンデンサ20上の樹脂層4
0を均一の厚さにできるため、ビア52を適切に形成す
ることが可能となる。その上、ICチップ90とチップ
コンデンサ20との距離が短くなるため、ループインダ
クタンスを低減することができる。
Further, since a plurality of chip capacitors 20 are accommodated in the concave portions 32 formed in the core substrate 30, the chip capacitors 20 can be arranged at a high density. Further, since a plurality of chip capacitors 20 are accommodated in the recess 32, the heights of the chip capacitors 20 can be made uniform. Therefore, the resin layer 4 on the chip capacitor 20
Since 0 can be made to have a uniform thickness, the via 52 can be formed appropriately. In addition, since the distance between the IC chip 90 and the chip capacitor 20 is reduced, the loop inductance can be reduced.

【0061】また、図7及び、図7のビア52の拡大図
である図9(A)に示すように上側のビルドアップ配線
層80Aのビア69は、1のビア52に複数個接続して
いる。図9(B)に示すよう大きなビア52は、内径1
25μm、ランド径165μmに、小さなビア69は、
内径25μm、ランド径65μmに形成してある。一
方、チップコンデンサ20は、矩形に形成されており、
第1端子21及び第2端子21も一辺250μmの矩形
に形成されている。このため、チップコンデンサ20の
配設位置が数十μmずれていても、チップコンデンサ2
0の第1端子21及び第2端子22とビア52との接続
を取ることが可能となり、チップコンデンサ20からI
Cチップ90への電力供給を確実に行うことができる。
また、ビア69を複数個配設したことにより、インダク
タンス分を並列接続したと同様な効果を得れるため、電
源線及び接地線の高周波数特性が高まり、電力供給不足
或いはアースレベルの変動によるICチップの誤動作を
防止することが可能となる。さらに、ICチップからチ
ップコンデンサ20までの配線長を短縮することができ
るので、ループインダクタンスを低減することが可能と
なる。
Further, as shown in FIG. 7 and FIG. 9A which is an enlarged view of the via 52 of FIG. 7, a plurality of vias 69 of the upper build-up wiring layer 80A are connected to one via 52. I have. As shown in FIG. 9B, the large via 52 has an inner diameter of 1
25 μm, land diameter 165 μm, small via 69
The inner diameter is 25 μm and the land diameter is 65 μm. On the other hand, the chip capacitor 20 is formed in a rectangular shape,
The first terminal 21 and the second terminal 21 are also formed in a rectangular shape having a side of 250 μm. For this reason, even if the disposition position of the chip capacitor 20 is shifted by several tens μm,
0, the first terminal 21 and the second terminal 22 can be connected to the via 52.
Power supply to the C chip 90 can be reliably performed.
Also, by providing a plurality of vias 69, an effect similar to that of connecting the inductance components in parallel can be obtained, so that the high frequency characteristics of the power supply line and the ground line are enhanced, and the IC due to insufficient power supply or fluctuations in the ground level. Malfunction of the chip can be prevented. Further, since the wiring length from the IC chip to the chip capacitor 20 can be reduced, the loop inductance can be reduced.

【0062】図7に示すように、ビア52には、めっき
を充填して表面が平坦なフィルドビアとして形成されて
いる。これにより、ビア52上に複数個のビア69を直
接接続することが可能となる。よって、ビア52とビア
69との接続性を高めることができ、チップコンデンサ
20からICチップ90への電力供給を確実に行うこと
が可能となる。なお、本実施形態では、めっき充填でフ
ィルドビアを形成したが、この代わりに、ビア52とし
ては、内部に樹脂を充填した後、表面に金属膜が配設さ
れたフィルドビアを用いてもよい。
As shown in FIG. 7, the via 52 is formed as a filled via having a flat surface by filling with plating. This makes it possible to directly connect the plurality of vias 69 on the via 52. Therefore, the connectivity between the via 52 and the via 69 can be improved, and power can be reliably supplied from the chip capacitor 20 to the IC chip 90. In the present embodiment, the filled via is formed by plating. However, instead of this, a filled via in which a resin is filled inside and a metal film is disposed on the surface may be used as the via 52.

【0063】なお、樹脂充填剤36及びチップコンデン
サ20下部の接着材料34の熱膨張率を、コア基板30
及び樹脂絶縁層40よりも小さく、即ち、セラミックか
らなるチップコンデンサ20に近いように設定してあ
る。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板
30及び樹脂絶縁層40とチップコンデンサ20との間
に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板30及
び樹脂絶縁層40にクラック、剥離等が生じ難く、高い
信頼性を達成できる。
The coefficient of thermal expansion of the resin filler 36 and the adhesive material 34 below the chip capacitor 20 is determined by the core substrate 30.
And smaller than the resin insulation layer 40, that is, close to the chip capacitor 20 made of ceramic. For this reason, in the heat cycle test, even if internal stress is generated due to a difference in thermal expansion coefficient between the core substrate 30 and the resin insulating layer 40 and the chip capacitor 20, cracks, peeling, etc. And high reliability can be achieved.

【0064】また、チップコンデンサ20間の樹脂層3
6に、スルーホール54を形成してあるため、セラミッ
クから成るチップコンデンサ20を信号線が通過しない
ので、高誘電体によるインピーダンス不連続による反射
及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。
The resin layer 3 between the chip capacitors 20
6, since the through-hole 54 is formed, the signal line does not pass through the chip capacitor 20 made of ceramic, so that reflection due to impedance discontinuity due to the high dielectric substance and propagation delay due to passage through the high dielectric substance do not occur.

【0065】引き続き、図7を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図1〜図7を参照して説
明する。
Next, a method of manufacturing the printed wiring board described above with reference to FIG. 7 will be described with reference to FIGS.

【0066】(1)先ず、絶縁樹脂基板からなるコア基
板30を出発材料とする(図1(A)参照)。次に、コ
ア基板30の片面に、ザグリ加工、もしくは絶縁樹脂に
通孔を設けてプレス、貼り合わせによって、コンデンサ
配設用の凹部32を形成する(図1(B)参照)。この
とき、凹部32は複数個のコンデンサを配設できるエリ
アよりも、広く大きく形成する。これにより、複数個の
コンデンサをコア基板30へ確実に配設することができ
る。
(1) First, a core substrate 30 made of an insulating resin substrate is used as a starting material (see FIG. 1A). Next, on one surface of the core substrate 30, a recess 32 for disposing a capacitor is formed by counterboring or by forming a through hole in an insulating resin and pressing and bonding (see FIG. 1B). At this time, the recess 32 is formed to be wider and larger than an area where a plurality of capacitors can be arranged. Thus, a plurality of capacitors can be reliably provided on the core substrate 30.

【0067】(2)その後、凹部32に、印刷機を用い
て接着材料34を塗布する(図1(C)参照)。あるい
は、ポッティング、ダイボンディング、接着シートを貼
り付けるなどの方法によって凹部に接着材料を塗ること
ができる。接着材料34は、熱膨張率がコア基板よりも
小さなものを用いる。次に、凹部32にセラミックから
成る複数個のチップコンデンサ20を接着材料34を介
して接着する(図1(D)参照)。ここで、底部が平滑
な凹部32に複数個のチップコンデンサ20を配設する
ことにより、複数個のチップコンデンサ20の高さが揃
う。よって、後述する工程で、コア基板30の上に樹脂
絶縁層40を均一の厚みに形成でき、ビア52を適切に
形成することが可能となる。
(2) Then, an adhesive material 34 is applied to the recess 32 using a printing machine (see FIG. 1C). Alternatively, the concave portion can be coated with an adhesive material by a method such as potting, die bonding, or attaching an adhesive sheet. An adhesive material having a smaller coefficient of thermal expansion than the core substrate is used. Next, a plurality of chip capacitors 20 made of ceramic are bonded to the recesses 32 via an adhesive material 34 (see FIG. 1D). Here, by arranging the plurality of chip capacitors 20 in the recess 32 having a smooth bottom, the heights of the plurality of chip capacitors 20 are uniform. Therefore, the resin insulating layer 40 can be formed with a uniform thickness on the core substrate 30 in a step described later, and the vias 52 can be appropriately formed.

【0068】そして、複数個のチップコンデンサ20の
上面が同じ高さになるように、チップコンデンサ20の
上面を押す、もしくは叩いて高さを揃える(図1(E)
参照)。この工程により、凹部32内に複数個のチップ
コンデンサ20を配設した際に、複数個のチップコンデ
ンサ20の大きさにばらつきがあっても、高さを完全に
揃えることができ、コア基板30を平滑にすることがで
きる。
Then, the upper surfaces of the chip capacitors 20 are pressed or hit so that the upper surfaces of the plurality of chip capacitors 20 have the same height (FIG. 1 (E)).
reference). By this step, when a plurality of chip capacitors 20 are arranged in the recess 32, even if the sizes of the plurality of chip capacitors 20 vary, the heights can be completely made uniform, and the core substrate 30 Can be smoothed.

【0069】(3)その後、凹部32内のチップコンデ
ンサ20間に、熱硬化性樹脂を充填し、加熱硬化して樹
脂層36を形成する(図2(A)参照)。このとき、熱
硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ポリイミ
ド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部32内の
チップコンデンサ20を固定することができる。樹脂層
36は、熱膨張率がコア基板よりも小さなものを用い
る。
(3) Thereafter, a space between the chip capacitors 20 in the concave portions 32 is filled with a thermosetting resin, and heat-cured to form a resin layer 36 (see FIG. 2A). At this time, as the thermosetting resin, epoxy, phenol, polyimide, and triazine are preferable. Thus, the chip capacitor 20 in the recess 32 can be fixed. The resin layer 36 has a smaller coefficient of thermal expansion than the core substrate.

【0070】それ以外にも熱可塑性樹脂などの樹脂を用
いてもよい。また、樹脂中に熱膨脹率を整合させるため
に、フィラーを含浸させてもよい。そのフィラーの例と
しては、無機フィラー、セラミックフィラー、金属フィ
ラーなどがある。
In addition, a resin such as a thermoplastic resin may be used. In addition, a filler may be impregnated in the resin in order to match the coefficient of thermal expansion. Examples of the filler include an inorganic filler, a ceramic filler, and a metal filler.

【0071】(4)さらに、その上から前述したエポキ
シ系樹脂もしくはポリオレフィン系樹脂を印刷機を用い
て塗布し樹脂絶縁層40を形成する(図2(B)参
照)。なお、樹脂を塗布する代わりに、樹脂フィルムを
貼り付けてもよい。
(4) Further, the above-mentioned epoxy resin or polyolefin resin is applied thereon by using a printing machine to form a resin insulating layer 40 (see FIG. 2B). Note that a resin film may be attached instead of applying the resin.

【0072】それ以外には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹
脂、感光性樹脂熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体、
感光性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体などの樹脂を1種以
上用いることができる。それらを2層構成にしてもよ
い。
Other than the above, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, a photosensitive resin, a composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin,
One or more resins such as a composite of a photosensitive resin and a thermoplastic resin can be used. They may have a two-layer structure.

【0073】(5)次に、レーザにより樹脂絶縁層40
に相対的に大きなビア用開口42を形成する(図2
(C)参照)。この際に、導電性ペースト26によりチ
ップコンデンサ20の電極21,22の表面が平滑であ
るため、樹脂が電極上に残ることがない。その後、デス
ミヤ処理を行う。レーザの代わりに露光・現像処理を用
いることもできる。そして、樹脂層36にドリルまたは
レーザにより、スルーホール用の通孔44を形成し、加
熱硬化する(図2(D)参照)。場合によっては、酸あ
るいは酸化剤もしくは薬液による粗化処理、プラズマ処
理による粗化処理を施してもよい。それによって、粗化
層の密着性が確保される。
(5) Next, the resin insulating layer 40 is irradiated with a laser.
A relatively large via opening 42 is formed (see FIG. 2).
(C)). At this time, since the surfaces of the electrodes 21 and 22 of the chip capacitor 20 are smooth due to the conductive paste 26, the resin does not remain on the electrodes. After that, desmear processing is performed. Exposure and development processing can be used instead of laser. Then, a through hole 44 for a through hole is formed in the resin layer 36 by a drill or a laser, and is cured by heating (see FIG. 2D). In some cases, a roughening treatment using an acid, an oxidizing agent, or a chemical solution, or a roughening treatment using a plasma treatment may be performed. Thereby, the adhesion of the roughened layer is ensured.

【0074】(6)その後、無電解銅めっきにより銅め
っき膜46を樹脂絶縁層40の表面に形成する(図3
(A)参照)。無電解めっきの代わりに、Ni及びCu
をターゲットにしたスパッタリングを行い、Ni/Cu
金属層を形成してもよい。また、場合によってはスパッ
タで形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよ
い。この際に、チップコンデンサ20の電極21,22
の表面に樹脂が残っていないため、電極21,22に適
正に銅めっき膜46を形成することができる。
(6) Thereafter, a copper plating film 46 is formed on the surface of the resin insulating layer 40 by electroless copper plating (FIG. 3).
(A)). Ni and Cu instead of electroless plating
Sputtering with a target of Ni / Cu
A metal layer may be formed. In some cases, the electroless plating film may be formed after the formation by sputtering. At this time, the electrodes 21 and 22 of the chip capacitor 20 are
Since the resin does not remain on the surface of the electrode 21, the copper plating film 46 can be appropriately formed on the electrodes 21 and 22.

【0075】(7)次に、銅めっき膜46の表面に感光
性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置して、露光
・現像処理し、所定パターンのめっきレジスト48を形
成する。そして、電解めっき液にコア基板30を浸漬
し、銅めっき膜46を介して電流を流し、めっきレジス
ト48非形成部に電解めっき50を充填する(図3
(B)参照)。
(7) Next, a photosensitive dry film is stuck on the surface of the copper plating film 46, a mask is placed thereon, and exposure and development are performed to form a plating resist 48 having a predetermined pattern. Then, the core substrate 30 is immersed in the electrolytic plating solution, a current is passed through the copper plating film 46, and the portion where the plating resist 48 is not formed is filled with the electrolytic plating 50 (FIG. 3).
(B)).

【0076】(8)ついで、めっきレジスト48を5%
NaOHで剥離除去した後、そのめっきレジスト48下
の銅めっき膜46を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチ
ング処理して溶解除去し、銅めっき膜46と電解銅めっ
き50からなるフィルドビア構造である相対的に大きな
ビア52及びスルーホール54を形成する。その大きな
ビア径は、100〜600μmの範囲であることが望ま
しい。特に、125〜350μmであることが望まし
い。この場合は、165μmで形成させた。スルーホー
ルは、250μmで形成させた。そして、基板30の両
面にエッチング液をスプレイで吹きつけ、ビア52の表
面及びスルーホール54のランド表面とをエッチングす
ることにより、ビア52及びスルーホール54の全表面
に粗化面52αを形成する(図3(C)参照)。
(8) Then, the plating resist 48 is added with 5%
After stripping and removing with NaOH, the copper plating film 46 under the plating resist 48 is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide to form a filled via structure including the copper plating film 46 and electrolytic copper plating 50. A relatively large via 52 and a through hole 54 are formed. The large via diameter is desirably in the range of 100 to 600 μm. In particular, the thickness is desirably 125 to 350 μm. In this case, it was formed at 165 μm. The through hole was formed at 250 μm. Then, an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate 30 by spraying to etch the surface of the via 52 and the land surface of the through hole 54, thereby forming a roughened surface 52α on the entire surface of the via 52 and the through hole 54. (See FIG. 3C).

【0077】(9)その後、スルーホール54内にエポ
キシ系樹脂を主成分とする樹脂充填剤56を充填して、
乾燥する(図3(D)参照)。
(9) Thereafter, a resin filler 56 containing an epoxy resin as a main component is filled in the through hole 54,
Dry (see FIG. 3 (D)).

【0078】(10)上記工程を経た基板30の両面
に、厚さ50μmの熱硬化型樹脂フィルムを温度50〜
150℃まで昇温しながら圧力5kg/cm2で真空圧
着ラミネートし層間樹脂絶縁層60を設ける(図4
(A)参照)。真空圧着時の真空度は、10mmHgで
ある。樹脂フィルムとして、エポキシ系樹脂、オレフィ
ン系樹脂を用いることができる。
(10) A thermosetting resin film having a thickness of 50 μm is applied to both surfaces of the substrate 30 having undergone the above steps at a temperature of 50 to 50 μm.
Vacuum-compression lamination at a pressure of 5 kg / cm 2 while increasing the temperature to 150 ° C. to provide an interlayer resin insulation layer 60 (FIG. 4).
(A)). The degree of vacuum during vacuum compression is 10 mmHg. As the resin film, an epoxy resin or an olefin resin can be used.

【0079】(11)次に、CO2ガスレーザにて、層
間樹脂絶縁層60に65μmの相対的に小さなビア用開
口61を設ける(図4(B)参照)。相対的に小さなビ
ア径は、25〜100μmの範囲であることが望まし
い。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行
う。
(11) Next, a relatively small via opening 61 of 65 μm is formed in the interlayer resin insulating layer 60 by a CO 2 gas laser (see FIG. 4B). The relatively small via diameter is desirably in the range of 25 to 100 μm. Thereafter, desmear treatment is performed using oxygen plasma.

【0080】(12)次に、日本真空技術株式会社製の
SV―4540を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂
絶縁層60の表面を粗化し、粗化面60αを形成する
(図4(C)参照)。この際、不活性ガスとしてはアル
ゴンガスを使用し、電力200W、ガス圧0.6Pa、
温度70℃の条件で、2分間プラズマ処理を実施する。
酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。ま
た、粗化層は、0.1〜5μmが望ましい。
(12) Next, plasma treatment is performed using SV-4540 manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd. to roughen the surface of the interlayer resin insulating layer 60, thereby forming a roughened surface 60α (FIG. 4 (C)). )reference). At this time, argon gas was used as the inert gas, electric power 200 W, gas pressure 0.6 Pa,
Plasma treatment is performed at a temperature of 70 ° C. for 2 minutes.
Roughening treatment may be performed with an acid or an oxidizing agent. Further, the thickness of the roughened layer is desirably 0.1 to 5 μm.

【0081】(13)次に、同じ装置を用い、内部のア
ルゴンガスを交換した後、Ni及びCuをターゲットに
したスパッタリングを、気圧0.6Pa、温度80℃、
電力200W、時間5分間の条件で行い、Ni/Cu金
属層62を層間樹脂絶縁層60の表面に形成する。この
とき、形成されたNi/Cu金属層62の厚さは0.2
μmである(図4(D)参照)。無電解めっきなどのめ
っき膜、あるいはスパッタの上にめっき膜を施してもよ
い。
(13) Next, after replacing the argon gas inside using the same apparatus, sputtering using Ni and Cu as targets was performed at a pressure of 0.6 Pa, a temperature of 80 ° C.
The process is performed under the conditions of electric power of 200 W and time of 5 minutes, and the Ni / Cu metal layer 62 is formed on the surface of the interlayer resin insulating layer 60. At this time, the thickness of the formed Ni / Cu metal layer 62 is 0.2
μm (see FIG. 4D). A plating film such as electroless plating or a plating film may be formed on a sputter.

【0082】(14)上記処理を終えた基板30の両面
に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマ
スクフィルムを載置して、100mJ/cm2で露光し
た後、0.8%炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15
μmのめっきレジスト64を設ける。次に、以下の条件
で電解めっきを施して、厚さ15μmの電解めっき膜6
6を形成する(図5(A)参照)。なお、電解めっき水
溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシ
ドHLである。
(14) A commercially available photosensitive dry film is adhered to both surfaces of the substrate 30 after the above treatment, a photomask film is placed thereon, and the film is exposed to light at 100 mJ / cm 2. Develop with sodium, thickness 15
A μm plating resist 64 is provided. Next, electrolytic plating is performed under the following conditions to form an electrolytic plating film 6 having a thickness of 15 μm.
6 (see FIG. 5A). The additive in the electrolytic plating aqueous solution is Capparaside HL manufactured by Atotech Japan.

【0083】 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤(アトテックジャパン製、カパラシドHL) 19.5 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm2 時間 65分 温度 22±2℃[Electroplating aqueous solution] Sulfuric acid 2.24 mol / l Copper sulfate 0.26 mol / l Additive (Capparaside HL, manufactured by Atotech Japan) 19.5 ml / l [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 Time 65 minutes Temperature 22 ± 2 ℃

【0084】(15)めっきレジスト64を5%NaO
Hで剥離除去した後、そのめっきレジスト下のNi/C
u金属層62を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を
用いるエッチングにて溶解除去し、Ni/Cu金属層6
2と電解めっき膜66からなる導体回路68およびビア
52上に接続した複数個の相対的に小さなビア69を形
成する(図5(B)参照)。本実施形態では、ビア52
をフィルドビア構造にすることにより、ビア52に複数
個のビア69を直接接続することが可能となる。
(15) The plating resist 64 is made of 5% NaO
After removing by H, Ni / C under the plating resist
The u-metal layer 62 is dissolved and removed by etching using a mixed solution of nitric acid, sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the Ni / Cu metal layer 6 is removed.
Then, a plurality of relatively small vias 69 connected to the conductor circuit 68 and the via 52, each of which is formed by the electrode 2 and the electrolytic plating film 66, are formed (see FIG. 5B). In the present embodiment, the via 52
Has a filled via structure, a plurality of vias 69 can be directly connected to the via 52.

【0085】(16)次に、基板を水洗いし、乾燥した
後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけ
て、導体回路68の表面をエッチングすることにより、
導体回路68の全表面に粗化面68αを形成する(図5
(C)参照)。エッチング液として、イミダゾール銅
(II)錯体10重量部、グリコール酸7重量部、塩化
カリウム5重量部およびイオン交換水78重量部を混合
したものを使用する。
(16) Next, the substrate is washed with water and dried, and then the surface of the conductive circuit 68 is etched by spraying an etching solution on both surfaces of the substrate by spraying.
A roughened surface 68α is formed on the entire surface of the conductive circuit 68 (FIG. 5).
(C)). As an etching solution, a mixture of 10 parts by weight of an imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid, 5 parts by weight of potassium chloride, and 78 parts by weight of ion-exchanged water is used.

【0086】(17)次いで、上記(10)〜(16)
の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂
絶縁層160及び導体回路168(ビア169を含む)
を形成する(図5(D)参照)。
(17) Next, the above (10) to (16)
Is repeated to form a further upper interlayer resin insulation layer 160 and conductive circuit 168 (including via 169).
Is formed (see FIG. 5D).

【0087】(18)次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー(分子量4000)46.67
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%の
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、商
品名:エピコート1001)15重量部、イミダゾール
硬化剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−CN)
1.6重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー(共栄化学社製、商品名:R604)3重量部、
同じく多価アクリルモノマー(共栄化学社製、商品名:
DPE6A)1.5重量部、分散系消泡剤(サンノプコ
社製、商品名:S−65)0.71重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成
物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン(関東化
学社製)2.0重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン(関東化学社製)0.2重量部を加えて、粘度を25
℃で2.0Pa・sに調整したソルダーレジスト組成物
(有機樹脂絶縁材料)を得る。なお、粘度測定は、B型
粘度計(東京計器社製、DVL−B型)で60rpmの
場合はローターNo.4、6rpmの場合はローターN
o.3によった。
(18) Next, a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) so as to have a concentration of 60% by weight, and a 50% epoxy group was acrylated. Oligomer for imparting properties (molecular weight 4000) 46.67
15 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin (trade name: Epicoat 1001 manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.) of 80% by weight dissolved in methyl ethyl ketone, imidazole hardener (trade name: 2E4MZ-CN)
1.6 parts by weight, 3 parts by weight of a polyfunctional acrylic monomer (manufactured by Kyoei Chemical Co., trade name: R604) as a photosensitive monomer,
Similarly, polyvalent acrylic monomer (manufactured by Kyoei Chemical Co., Ltd., trade name:
1.5 parts by weight of DPE6A) and 0.71 part by weight of a dispersant antifoaming agent (manufactured by San Nopco, trade name: S-65) are placed in a container, stirred and mixed to prepare a mixed composition. Of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) and 0.2 parts by weight of Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photosensitizer were added to give a viscosity of 25.
A solder resist composition (organic resin insulating material) adjusted to 2.0 Pa · s at ° C is obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (DVL-B type, manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.) at 60 rpm with rotor No. 4, and at 6 rpm with rotor N.
According to o.3.

【0088】(19)次に、基板30の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布し、70
℃で20分間、70℃で30分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画され
た厚さ5mmのフォトマスクをソルダーレジスト層70
に密着させて1000mJ/cm2の紫外線で露光し、
DMTG溶液で現像処理し、開口71U、71Dを形成
する(図6(A)参照)。また、LPSRなどの市販の
ソルダーレジストを用いてもよい。
(19) Next, the solder resist composition is applied to both sides of the substrate 30 to a thickness of 20 μm,
After performing a drying process under the conditions of 20 ° C. for 20 minutes and 70 ° C. for 30 minutes, a 5 mm-thick photomask on which a pattern of the solder resist opening is drawn is applied to the solder resist layer 70.
And exposed to ultraviolet light of 1000 mJ / cm 2 ,
Openings 71U and 71D are formed by developing with a DMTG solution (see FIG. 6A). Further, a commercially available solder resist such as LPSR may be used.

【0089】(20)次に、ソルダーレジスト層(有機
樹脂絶縁層)70を形成した基板を、塩化ニッケル
(2.3×10-1mol/l)、次亞リン酸ナトリウム
(2.8×10-1mol/l)、クエン酸ナトリウム
(1.6×10-1mol/l)を含むpH=4.5の無
電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口部71
U、71Dに厚さ5μmのニッケルめっき層72を形成
する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム(7.
6×10-3mol/l)、塩化アンモニウム(1.9×
10-1mol/l)、クエン酸ナトリウム(1.2×1
-1mol/l)、次亜リン酸ナトリウム(1.7×1
-1mol/l)を含む無電解めっき液に80℃の条件
で7.5分間浸漬して、ニッケルめっき層72上に厚さ
0.03μmの金めっき層74を形成する(図6(B)
参照)。
(20) Next, the substrate on which the solder resist layer (organic resin insulating layer) 70 was formed was coated with nickel chloride (2.3 × 10 −1 mol / l) and sodium hypophosphite (2.8 × 10 −1 mol / l). 10 -1 mol / l) and an electroless nickel plating solution having a pH of 4.5 containing sodium citrate (1.6 × 10 -1 mol / l) for 20 minutes.
A nickel plating layer 72 having a thickness of 5 μm is formed on U and 71D. Further, the substrate was coated with potassium potassium cyanide (7.
6 × 10 −3 mol / l), ammonium chloride (1.9 × 10 −3 mol / l)
10 -1 mol / l), sodium citrate (1.2 × 1
0 -1 mol / l), sodium hypophosphite (1.7 × 1
(0 -1 mol / l) of the electroless plating solution at 80 ° C. for 7.5 minutes to form a gold plating layer 74 having a thickness of 0.03 μm on the nickel plating layer 72 (FIG. 6 ( B)
reference).

【0090】(21)この後、ソルダーレジスト層70
の開口部71U、71Dに、はんだペーストを印刷し
て、200℃でリフローすることにより、はんだバンプ
(半田体)76U、76Dを形成する。これにより、半
田バンプ76U、76Dを有するプリント配線板10を
得ることができる(図7参照)。
(21) Thereafter, the solder resist layer 70
The solder bumps (solder bodies) 76U and 76D are formed by printing a solder paste on the openings 71U and 71D of the solder paste and performing reflow at 200 ° C. Thereby, the printed wiring board 10 having the solder bumps 76U and 76D can be obtained (see FIG. 7).

【0091】次に、上述した工程で完成したプリント配
線板10へのICチップの載置および、ドータボードへ
の取り付けについて、図8を参照して説明する。完成し
たプリント配線板10の半田バンプ76UにICチップ
90の半田パッド92が対応するように、ICチップ9
0を載置し、リフローを行うことでICチップ90の取
り付けを行う。同様に、プリント配線板10の半田バン
プ76Dにドータボード94のパッド95が対応するよ
うに、リフローすることで、ドータボード94へプリン
ト配線板10を取り付ける。
Next, mounting of the IC chip on the printed wiring board 10 completed in the above-described steps and mounting on the daughter board will be described with reference to FIG. The IC chip 9 is placed so that the solder pads 92 of the IC chip 90 correspond to the solder bumps 76U of the completed printed wiring board 10.
The IC chip 90 is mounted by placing the “0” and performing reflow. Similarly, the printed wiring board 10 is attached to the daughter board 94 by reflowing so that the pads 95 of the daughter board 94 correspond to the solder bumps 76D of the printed wiring board 10.

【0092】引き続き、本発明の第1実施形態の改変例
に係るプリント配線板について、図11を参照して説明
する。上述した第1実施形態では、コア基板30に収容
されるチップコンデンサ20のみを備えていたが、改変
例では、表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ98
が実装されている。
Next, a printed wiring board according to a modification of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the first embodiment described above, only the chip capacitors 20 housed in the core substrate 30 are provided. However, in a modified example, the large-capacity chip capacitors 98 are provided on the front and back surfaces.
Has been implemented.

【0093】図10(B)に第1実施形態の第1改変例
に係るチップコンデンサ20の断面を示す。第1実施形
態では、コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との
密着性を高めたが、第1改変例では、この代わりに、ポ
リイミド膜23bを形成しておくことで、表面濡れ性を
改善してある。ポリイミド膜の代わりに、コンデンサの
表面にシランカップリング処理を施すことも可能であ
る。
FIG. 10B shows a cross section of a chip capacitor 20 according to a first modification of the first embodiment. In the first embodiment, the surface of the capacitor is subjected to a roughening treatment to improve the adhesiveness with the resin. However, in the first modification, the polyimide film 23b is formed instead of this to improve the surface wettability. Has been improved. Instead of the polyimide film, the surface of the capacitor may be subjected to a silane coupling treatment.

【0094】また、第1改変例では、導電性ペースト2
6の上に、無電解銅めっき膜28a及び電解銅めっき膜
28bからなる複合金属膜28を形成されている。複合
金属膜28の厚みは、0.1〜10μmが望ましく、1
〜5μmが最適である。複合金属膜の代わりに、1層の
金属膜を形成することも可能である。
In the first modification, the conductive paste 2
6, a composite metal film 28 composed of an electroless copper plating film 28a and an electrolytic copper plating film 28b is formed. The thickness of the composite metal film 28 is desirably 0.1 to 10 μm.
55 μm is optimal. Instead of a composite metal film, it is also possible to form a single-layer metal film.

【0095】第1改変例では、コンデンサ20の電極2
1,22の導電性ペースト26上に金属層28を設けて
あるため、電極21、22でのマイグレーションの発生
を防止することができ、また、接続抵抗を更に低減する
ことができる。メタライズからなる電極21、22は、
表面に凹凸があるが、導電性ペースト26を塗布し、更
に、金属層28を設けることで凹凸を完全に無くすこと
ができ、ビア52との密着性を高め、接続抵抗を下げる
ことができる。
In the first modification, the electrode 2 of the capacitor 20
Since the metal layer 28 is provided on the conductive pastes 1 and 22, the occurrence of migration at the electrodes 21 and 22 can be prevented, and the connection resistance can be further reduced. The electrodes 21 and 22 made of metallized
Although there are irregularities on the surface, the irregularities can be completely eliminated by applying the conductive paste 26 and further providing the metal layer 28, whereby the adhesion to the via 52 can be increased and the connection resistance can be reduced.

【0096】ICチップは、瞬時的に大電力を消費して
複雑な演算処理を行う。ここで、ICチップ側に大電力
を供給するために、改変例では、プリント配線板に電源
用のチップコンデンサ20及びチップコンデンサ98を
備えてある。このチップコンデンサによる効果につい
て、図12を参照して説明する。
The IC chip instantaneously consumes a large amount of power and performs complicated arithmetic processing. Here, in order to supply large power to the IC chip side, in a modified example, a chip capacitor 20 and a chip capacitor 98 for power supply are provided on the printed wiring board. The effect of the chip capacitor will be described with reference to FIG.

【0097】図12は、縦軸にICチップへ供給される
電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線C
は、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧
変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合に
は、大きく電圧が減衰する。破線Aは、表面にチップコ
ンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示して
いる。上記二点鎖線Cと比較して電圧は大きく落ち込ま
ないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が
十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が
降下している。また、二点鎖線Bは、図7を参照して上
述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電
圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、
コア基板30に容量の大きなチップコンデンサを収容す
ることができないため、電圧が変動している。ここで、
実線Eは、図11を参照して上述したコア基板内のチッ
プコンデンサ20を、また表面に大容量のチップコンデ
ンサ98を実装する改変例のプリント配線板の電圧変動
を示している。ICチップの近傍にチップコンデンサ2
0を、また、大容量(及び相対的に大きなインダクタン
ス)のチップコンデンサ20を、また、大容量(及び相
対的に大きなインダクタンス)のチップコンデンサ98
を備えることで、電圧変動を最小に押さえている。
FIG. 12 shows the voltage supplied to the IC chip on the vertical axis and the time on the horizontal axis. Here, the two-dot chain line C
Indicates voltage fluctuation of a printed wiring board without a power supply capacitor. When the power supply capacitor is not provided, the voltage greatly decreases. A broken line A indicates a voltage fluctuation of a printed wiring board having a chip capacitor mounted on the surface. Although the voltage does not drop much as compared with the two-dot chain line C, the rate-limiting power supply cannot be performed sufficiently because the loop length is long. That is, the voltage drops at the start of power supply. The two-dot chain line B indicates the voltage drop of the printed wiring board incorporating the chip capacitor described above with reference to FIG. Although the loop length has been shortened,
Since a large-capacity chip capacitor cannot be accommodated in the core substrate 30, the voltage fluctuates. here,
A solid line E indicates the voltage fluctuation of the printed wiring board of the modification in which the chip capacitor 20 in the core substrate described above with reference to FIG. 11 and the large-capacity chip capacitor 98 are mounted on the surface. Chip capacitor 2 near the IC chip
0, a large-capacity (and relatively large inductance) chip capacitor 20, and a large-capacity (and relatively large inductance) chip capacitor 98.
, Voltage fluctuations are minimized.

【0098】引き続き、本発明の第2実施形態に係るプ
リント配線板110について、図20を参照して説明す
る。上述した第1実施形態では、BGAを配設した場合
で説明した。第2実施形態では、第1実施形態とほぼ同
様であるが、図20に示すように導電性ピン96を介し
て接続を取るPGA方式に構成されている。なお、電極
には、第1実施形態と同様に導電性ペースト、あるい
は、第1実施形態の第1改変例と同様に導電性ペースト
及び複合金属層が形成されている。
Next, a printed wiring board 110 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the first embodiment described above, the case where the BGA is provided has been described. The second embodiment is almost the same as the first embodiment, but is configured as a PGA system in which connection is made via conductive pins 96 as shown in FIG. Note that a conductive paste is formed on the electrode as in the first embodiment, or a conductive paste and a composite metal layer are formed as in the first modification of the first embodiment.

【0099】続いて、図20を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図13〜図20を参照し
て説明する。
Next, a method of manufacturing the printed wiring board described above with reference to FIG. 20 will be described with reference to FIGS.

【0100】(1)先ず、エポキシ樹脂を含浸させたプ
リプレク31を4枚積層してなる積層板30αに、チッ
プコンデンサ収容用の通孔33aを形成する。また、そ
の一方で、プリプレク31を2枚積層してなる積層板3
0βを用意する(図13(A)参照)。ここで、プリプ
レク31としては、エポキシ以外にも、BT、フェノー
ル樹脂、あるいはガラスクロスなどの強化材を含有した
ものを用い得る。
(1) First, through holes 33a for accommodating chip capacitors are formed in a laminated plate 30α formed by laminating four prepregs 31 impregnated with epoxy resin. On the other hand, a laminate 3 formed by laminating two prepregs 31
0β is prepared (see FIG. 13A). Here, as the prepreg 31, one containing a reinforcing material such as BT, phenol resin, or glass cloth in addition to epoxy can be used.

【0101】(2)次に、積層板30αと積層板30β
とを圧着し、加熱して硬化させることで、複数個のチッ
プコンデンサ20を収容可能な凹部33を備えた、コア
基板30を形成する(図13(B)参照)。
(2) Next, the laminated plate 30α and the laminated plate 30β
The core substrate 30 having the concave portion 33 capable of accommodating the plurality of chip capacitors 20 is formed by press-bonding and heating and curing (see FIG. 13B).

【0102】(3)そして、凹部33のコンデンサ配設
位置にポッテング(ディスペンサー)を用いて接着材料
34を塗布する(図13(C)参照)。あるいは、印
刷、ダイボンディグ、接着シートを貼り付けるなどの方
法によって凹部に接着材料を塗ることができる。その
後、凹部33内にセラミックから成る複数個のチップコ
ンデンサ20を接着材料34を介して収容する(図13
(D)参照)。
(3) Then, an adhesive material 34 is applied to the position where the capacitor is provided in the concave portion 33 by using a potting (dispenser) (see FIG. 13C). Alternatively, the concave portion can be coated with an adhesive material by a method such as printing, die bonding, or attaching an adhesive sheet. Thereafter, the plurality of chip capacitors 20 made of ceramic are accommodated in the recesses 33 via the adhesive material 34 (FIG. 13).
(D)).

【0103】(4)その後、凹部33内のチップコンデ
ンサ20間に、熱硬化性樹脂を充填し、加熱硬化して樹
脂層36を形成する(図14(A)参照)。このとき、
熱硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ポリイ
ミド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部33内
のチップコンデンサ20を固定することができる。
(4) After that, a thermosetting resin is filled between the chip capacitors 20 in the concave portions 33, and heat-cured to form a resin layer 36 (see FIG. 14A). At this time,
As the thermosetting resin, epoxy, phenol, polyimide, and triazine are preferable. Thus, the chip capacitor 20 in the recess 33 can be fixed.

【0104】(5)さらに、その上から前述したエポキ
シ系もしくはポリオレフィン系からなる樹脂を印刷機を
用いて塗布し樹脂絶縁層40を形成する(図14(B)
参照)。なお、樹脂を塗布する代わりに、樹脂フィルム
を貼り付けてもよい。
(5) Further, the above-mentioned epoxy or polyolefin resin is applied thereon using a printing machine to form a resin insulating layer 40 (FIG. 14B).
reference). Note that a resin film may be attached instead of applying the resin.

【0105】(6)次に、露光・現像処理又はレーザに
より樹脂絶縁層40に相対的に大きなビア用開口42を
形成する(図14(C)参照)。その大きなビア径は、
100〜600μmの範囲であることが望ましい。特
に、125〜350μmであることが望ましい。この場
合は、165μmで形成させた。そして、樹脂層36に
ドリルまたはレーザにより、250μm径のスルーホー
ル用の通孔44を形成し、加熱硬化する(図14(D)
参照)。
(6) Next, a relatively large via opening 42 is formed in the resin insulating layer 40 by exposure / development processing or laser (see FIG. 14C). The large via diameter is
It is desirable to be in the range of 100 to 600 μm. In particular, the thickness is desirably 125 to 350 μm. In this case, it was formed at 165 μm. Then, a through hole 44 for a through hole having a diameter of 250 μm is formed in the resin layer 36 by a drill or a laser, and is cured by heating (FIG. 14D).
reference).

【0106】(7)そして、基板30にパラジウム触媒
を付与してから、無電解めっき液にコア基板を浸漬し、
均一に無電解めっき膜45を析出させる(図15(A)
参照)。その後、無電解めっき膜45を形成した開口4
2の内部に樹脂充填剤を充填し、乾燥する。これによ
り、開口42の内部に樹脂層47を形成する(図15
(B)参照)。
(7) After applying a palladium catalyst to the substrate 30, the core substrate is immersed in an electroless plating solution.
The electroless plating film 45 is uniformly deposited (FIG. 15A)
reference). Then, the opening 4 in which the electroless plating film 45 is formed is formed.
2 is filled with a resin filler and dried. Thereby, a resin layer 47 is formed inside the opening 42.
(B)).

【0107】(8)その後、無電解めっき膜45の表面
に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置し
て、露光・現像処理し、所定パターンのめっきレジスト
48を形成する。そして、電解めっき液にコア基板30
を浸漬し、無電解めっき膜から成る蓋めっき51を形成
する(図15(C)参照)。
(8) Thereafter, a photosensitive dry film is adhered to the surface of the electroless plating film 45, a mask is placed, and exposure and development are performed to form a plating resist 48 having a predetermined pattern. Then, the core substrate 30 is added to the electrolytic plating solution.
To form a cover plating 51 made of an electroless plating film (see FIG. 15C).

【0108】(9)上記工程の後、めっきレジスト48
を5%のNaOHで剥離した後、めっきレジスト48下
の無電解めっき膜45を硫酸と過酸化水素混合液でエッ
チングをして除去し、フィルドビア構造である相対的に
大きなビア53及びスルーホール54を形成する(図1
5(D)参照)。ビア53をフィルドビア構造にするこ
とにより、後述する工程で1のビア53に複数個のビア
69を直接接続することが可能となる。
(9) After the above steps, the plating resist 48
Is removed with 5% NaOH, the electroless plated film 45 under the plating resist 48 is removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and a relatively large via 53 and a through hole 54 having a filled via structure are formed. (Fig. 1
5 (D)). By forming the via 53 with a filled via structure, a plurality of vias 69 can be directly connected to one via 53 in a process described later.

【0109】(10)そして、基板30を水洗、酸性脱
脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液
を基板30の両面にスプレイで吹きつけて、ビア53の
表面とスルーホール54のランド表面と内壁とをエッチ
ングして、ビア53及びスルーホール54の全表面に粗
化面53αを形成する(図16(A)参照)。エッチン
グ液としては、イミダゾール銅(II)錯体10重量
部、グリコール酸7重量部、塩化カリウム5重量部から
なるエッチング液(メック社製、メックエッチボンド)
を使用する。
(10) Then, the substrate 30 is washed with water and acid degreased, and then soft-etched. Then, an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate 30 by spraying, so that the surface of the via 53 and the land surface of the through hole 54 are The inner wall is etched to form a roughened surface 53α on the entire surface of the via 53 and the through hole 54 (see FIG. 16A). As an etching solution, an etching solution comprising 10 parts by weight of an imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid, and 5 parts by weight of potassium chloride (Mec etch bond manufactured by Mec Co., Ltd.)
Use

【0110】(11)次に、ビスフェノールF型エポキ
シモノマー(油化シェル社製、分子量:310、YL9
83U)100重量部、表面にシランカップリング剤が
コーティングされた平均粒径が1.6μmで、最大粒子
の直径が15μm以下のSiO 2 球状粒子(アドテック
社製、CRS 1101−CE)170重量部およびレ
ベリング剤(サンノプコ社製 ペレノールS4)1.5
重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘
度が23±1℃で45〜49Pa・sの樹脂充填剤56
を調製する。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤
(四国化成社製、2E4MZ−CN)6.5重量部を用
いた。その後、スルーホール54内に樹脂充填剤56を
充填して、乾燥する(図16(B)参照)。
(11) Next, bisphenol F type epoxy
Simonomer (manufactured by Yuka Shell Co., molecular weight: 310, YL9
83U) 100 parts by weight, silane coupling agent on the surface
The average coated particle size is 1.6 μm and the largest particle
Having a diameter of 15 μm or less Two Spherical particles (Adtech
CRS 1101-CE) 170 parts by weight and
Belling agent (Perenol S4 manufactured by San Nopco) 1.5
Put the parts by weight in a container, stir and mix to
Resin filler 56 having a degree of 23 ± 1 ° C. and 45-49 Pa · s
Is prepared. In addition, as a curing agent, an imidazole curing agent
(Shikoku Chemicals, 2E4MZ-CN) 6.5 parts by weight
Was. After that, a resin filler 56 is placed in the through hole 54.
Fill and dry (see FIG. 16B).

【0111】(12)次に、ビスフェノールA型エポキ
シ樹脂(エポキシ当量469,油化シェルエポキシ社製
エピコート1001)30重量部、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂(エポキシ当量215,大日本インキ
化学工業社製 エピクロンN−673)40重量部、ト
リアジン構造含有フェノールノボラック樹脂(フェノー
ル性水酸基当量120,大日本インキ化学工業社製 フ
ェノライトKA−7052)30重量部をエチルジグリ
コールアセテート20重量部、ソルベントナフサ20重
量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ
化ポリブタジエンゴム(ナガセ化成工業社製 デナレッ
クスR−45EPT)15重量部と2−フェニル−4、
5−ビス(ヒドロキシメチル)イミダゾール粉砕品1.
5重量部、微粉砕シリカ2重量部、シリコン系消泡剤
0.5重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製する。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ38μmのPETフ
ィルム上に乾燥後の厚さが50μmとなるようにロール
コーターを用いて塗布した後、80〜120℃で10分
間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィル
ムを作製する。
(12) Next, 30 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 469, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., Epicoat 1001), a cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent 215, epicron manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) N-673) 40 parts by weight, triazine structure-containing phenol novolak resin (phenolic hydroxyl equivalent 120, phenolite KA-7052 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) 30 parts by weight, ethyl diglycol acetate 20 parts by weight, solvent naphtha 20 parts by weight The mixture was heated and dissolved while stirring, and 15 parts by weight of a terminal epoxidized polybutadiene rubber (Denalex R-45EPT manufactured by Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd.) and 2-phenyl-4,
5-bis (hydroxymethyl) imidazole pulverized product
5 parts by weight, 2 parts by weight of finely divided silica, and 0.5 part by weight of a silicon-based antifoaming agent are added to prepare an epoxy resin composition.
The resulting epoxy resin composition is applied on a 38 μm-thick PET film using a roll coater so that the thickness after drying becomes 50 μm, and then dried at 80 to 120 ° C. for 10 minutes to form an interlayer resin. A resin film for an insulating layer is produced.

【0112】(13)基板の両面に、(12)で作製し
た基板30より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィ
ルムを基板30上に載置し、圧力4kgf/cm2 、温
度80℃、圧着時間10秒の条件で仮圧着して裁断した
後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を
用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層60を形成
する(図16(C)参照)。すなわち、層間樹脂絶縁層
用樹脂フィルムを基板30上に、真空度0.5Tor
r、圧力4kgf/cm2 、温度80℃、圧着時間60
秒の条件で本圧着し、その後、170℃で30分間熱硬
化させる。
(13) On both surfaces of the substrate, a resin film for an interlayer resin insulating layer slightly larger than the substrate 30 prepared in (12) is placed on the substrate 30, and the pressure is 4 kgf / cm 2 , the temperature is 80 ° C., and the substrate is crimped. After temporarily compressing and cutting under the condition of a time of 10 seconds, the interlayer resin insulating layer 60 is formed by applying a vacuum laminator by the following method (see FIG. 16C). That is, a resin film for an interlayer resin insulating layer is formed on the substrate 30 with a degree of vacuum of 0.5 Torr.
r, pressure 4 kgf / cm 2 , temperature 80 ° C, pressure bonding time 60
The main bonding is performed under the condition of seconds, and then, the thermosetting is performed at 170 ° C. for 30 minutes.

【0113】(14)次に、層間樹脂絶縁層60上に、
厚さ1.2mmの貫通孔57aが形成されたマスク57
を介して、CO2 ガスレーザで層間樹脂絶縁層60に、
65μmの相対的に小さなビア用開口61を形成する
(図16(D)参照)。相対的に小さなビア径は、25
〜100μmの範囲であることが望ましい。
(14) Next, on the interlayer resin insulation layer 60,
Mask 57 having a through hole 57a having a thickness of 1.2 mm
Through the CO 2 gas laser to the interlayer resin insulation layer 60,
A relatively small via opening 61 of 65 μm is formed (see FIG. 16D). A relatively small via diameter is 25
It is desirable that the thickness be in the range of 100 μm.

【0114】(15)ビア用開口61を形成した基板3
0を、60g/lの過マンガン酸を含む80℃の溶液に
10分間浸漬し、層間樹脂絶縁層60の表面に存在する
エポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、ビア用開
口61の内壁を含む層間樹脂絶縁層60の表面を粗化面
60αとする(図17(A)参照)。酸あるいは酸化剤
によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、
0.1〜5μmが望ましい。
(15) Substrate 3 with Via Opening 61 Formed
0 is immersed in a solution containing 60 g / l of permanganic acid at 80 ° C. for 10 minutes to dissolve and remove the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulating layer 60, thereby including the inner wall of the via opening 61. The surface of the interlayer resin insulation layer 60 is a roughened surface 60α (see FIG. 17A). Roughening treatment may be performed with an acid or an oxidizing agent. The roughened layer is
0.1-5 μm is desirable.

【0115】(16)次に、上記処理を終えた基板30
を、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いす
る。さらに、粗面化処理(粗化深さ3μm)した該基板
30の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、
層間樹脂絶縁層60の表面およびビア用開口61の内壁
面に触媒核を付着させる。
(16) Next, the substrate 30 after the above-described processing
Is immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and then washed with water. Further, by applying a palladium catalyst to the surface of the substrate 30 which has been subjected to a surface roughening treatment (roughening depth: 3 μm),
A catalyst nucleus is attached to the surface of the interlayer resin insulation layer 60 and the inner wall surface of the via opening 61.

【0116】(17)次に、以下の組成の無電解銅めっ
き水溶液中に基板30を浸漬して、粗化面60α全体に
厚さ0.6〜3.0μmの無電解銅めっき膜63を形成
する(図17(B)参照)。 〔無電解めっき水溶液〕 NiSO4 0.003 mol/l 酒石酸 0.200 mol/l 硫酸銅 0.030 mol/l HCHO 0.050 mol/l NaOH 0.100 mol/l α、α′−ビピリジル 40 mg/l ポリエチレングリコール(PEG) 0.10 g/l 〔無電解めっき条件〕35℃の液温度で40分
(17) Next, the substrate 30 is immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition to form an electroless copper plating film 63 having a thickness of 0.6 to 3.0 μm on the roughened surface 60α. (See FIG. 17B). [Electroless plating aqueous solution] NiSO 4 0.003 mol / l tartaric acid 0.200 mol / l copper sulfate 0.030 mol / l HCHO 0.050 mol / l NaOH 0.100 mol / l α, α'-bipyridyl 40 mg / l Polyethylene glycol (PEG) 0.10 g / l [Electroless plating conditions] 40 minutes at a liquid temperature of 35 ° C

【0117】(18)市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき膜63に貼り付け、マスクを載置して、1
00mJ/cm2 で露光し、0.8%炭酸ナトリウム水
溶液で現像処理することにより、厚さ30μmのめっき
レジスト64を設ける。次いで、基板30を50℃の水
で洗浄して脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で
洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ
20μmの電解銅めっき膜66を形成する(図17
(C)参照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤 19.5 ml/l (アトテックジャパン社製、カパラシドHL) 〔電解めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分 温度 22±2 ℃
(18) A commercially available photosensitive dry film is affixed to the electroless copper plating film 63, and a mask is placed thereon.
Exposure is performed at 00 mJ / cm 2 , and development processing is performed using a 0.8% aqueous sodium carbonate solution to provide a plating resist 64 having a thickness of 30 μm. Next, the substrate 30 is washed with water at 50 ° C. to be degreased, washed with water at 25 ° C., further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic copper plating under the following conditions to obtain a 20 μm-thick electrolytic copper plating film. 66 (FIG. 17)
(C)). [Electroplating aqueous solution] sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l (manufactured by Atotech Japan, Capparaside HL) [electroplating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes Temperature 22 ± 2 ℃

【0118】(19)めっきレジスト64を5%NaO
Hで剥離除去した後、そのめっきレジスト64下の無電
解めっき膜63を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜63と電解銅
めっき膜66からなる厚さ18μmの導体回路68およ
び相対的に小さなビア69を形成する(図17(D)参
照)。その後、(10)と同様の処理を行い、第二銅錯
体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面
68αを形成する(図18(A)参照)。
(19) Plating resist 64 is made of 5% NaO
After stripping and removing with H, the electroless plating film 63 under the plating resist 64 is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and is composed of the electroless copper plating film 63 and the electrolytic copper plating film 66. A conductor circuit 68 having a thickness of 18 μm and a relatively small via 69 are formed (see FIG. 17D). Thereafter, the same treatment as in (10) is performed, and a roughened surface 68α is formed with an etching solution containing a cupric complex and an organic acid (see FIG. 18A).

【0119】(20)続いて、上記(13)〜(19)
の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶
縁層160及び導体回路168およびビア169を形成
する(図18(B)参照)。
(20) Subsequently, the above (13) to (19)
By repeating this step, the upper interlayer resin insulation layer 160, the conductor circuit 168, and the via 169 are further formed (see FIG. 18B).

【0120】(21)次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー(分子量4000)46.67
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%の
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、商
品名:エピコート1001)15重量部、イミダゾール
硬化剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−CN)
1.6重量部、感光性モノマーである2官能アクリルモ
ノマー(共栄化学社製、商品名:R604)4.5重量
部、同じく多価アクリルモノマー(共栄化学社製、商品
名:DPE6A)1.5重量部、分散系消泡剤(サンノ
プコ社製、商品名:S−65)0.71重量部を容器に
とり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組
成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン(関東
化学社製)2.0重量部、光増感剤としてのミヒラーケ
トン(関東化学社製)0.2重量部を加えて、粘度を2
5℃で2.0Pa・sに調整したソルダーレジスト組成
物(有機樹脂絶縁材料)を得る。なお、粘度測定は、B
型粘度計(東京計器社製、DVL−B型)で60rpm
の場合はローターNo.4、6rpmの場合はローター
No.3によった。
(21) Next, a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) so as to have a concentration of 60% by weight was sensitized with a 50% epoxy group acrylated. Oligomer for imparting properties (molecular weight 4000) 46.67
15 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin (trade name: Epicoat 1001 manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.) of 80% by weight dissolved in methyl ethyl ketone, imidazole hardener (trade name: 2E4MZ-CN)
1.6 parts by weight, 4.5 parts by weight of a bifunctional acrylic monomer (trade name: R604, manufactured by Kyoei Chemical Co., Ltd.) as a photosensitive monomer, and similarly polyvalent acrylic monomer (trade name: DPE6A, manufactured by Kyoei Chemical Co., Ltd.) 5 parts by weight and 0.71 part by weight of a dispersion antifoaming agent (manufactured by San Nopco Co., Ltd., trade name: S-65) are placed in a container, and stirred and mixed to prepare a mixed composition. 2.0 parts by weight of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) as a weight initiator and 0.2 parts by weight of Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photosensitizer were added to give a viscosity of 2 parts.
A solder resist composition (organic resin insulating material) adjusted to 2.0 Pa · s at 5 ° C. is obtained. The viscosity was measured by
60 rpm with a type viscometer (DVL-B type, manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.)
In the case of No. 4, the rotor No. 4 was used, and in the case of 6 rpm, the rotor No. 3 was used.

【0121】(22)次に、多層配線基板の両面に、
(21)で調製したソルダーレジスト組成物を20μm
の厚さで塗布する。その後、70℃で20分間、70℃
で30分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジ
スト開口部のパターンが描画された厚さ5mmのフォト
マスクをソルダーレジスト組成物に密着させて1000
mJ/cm2の紫外線で露光し、DMTG溶液で現像処
理し、開口71U、71Dを形成する。そして、さら
に、80℃で1時間、100℃で1時間、120℃で1
時間、150℃で3時間の条件でそれぞれ加熱処理を行
ってソルダーレジスト組成物を硬化させ、開口71U、
71Dを有する、厚さ20μmのソルダーレジスト層7
0を形成する(図19(A)参照)。上記ソルダーレジ
スト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を
使用することもできる。
(22) Next, on both sides of the multilayer wiring board,
20 μm of the solder resist composition prepared in (21)
Apply with a thickness of Then, at 70 ° C for 20 minutes at 70 ° C
After performing a drying process under the condition of for 30 minutes, a 5 mm-thick photomask on which the pattern of the opening of the solder resist is drawn is brought into close contact with the solder resist composition, and the
Exposure with ultraviolet rays of mJ / cm 2 and development processing with a DMTG solution are performed to form openings 71U and 71D. Then, at 80 ° C. for 1 hour, at 100 ° C. for 1 hour, and at 120 ° C. for 1 hour.
Heat treatment at 150 ° C. for 3 hours to cure the solder resist composition.
20 μm thick solder resist layer 7 having 71D
0 is formed (see FIG. 19A). As the solder resist composition, a commercially available solder resist composition can be used.

【0122】(23)次に、ソルダーレジスト層70を
形成した基板を、塩化ニッケル(2.3×10-1mol
/l)、次亞リン酸ナトリウム(2.8×10-1mol
/l)、クエン酸ナトリウム(1.6×10-1mol/
l)を含むpH=4.5の無電解ニッケルめっき液に2
0分間浸漬して、開口部71U、71Dに厚さ5μmの
ニッケルめっき層72を形成する。さらに、その基板を
シアン化金カリウム(7.6×10-3mol/l)、塩
化アンモニウム(1.9×10-1mol/l)、クエン
酸ナトリウム(1.2×10-1mol/l)、次亜リン
酸ナトリウム(1.7×10-1mol/l)を含む無電
解金めっき液に80℃の条件で7.5分間浸漬して、ニ
ッケルめっき層72上に厚さ0.03μmの金めっき層
74を形成する(図19(B)参照)。
(23) Next, the substrate on which the solder resist layer 70 has been formed is coated with nickel chloride (2.3 × 10 -1 mol).
/ L), sodium hypophosphite (2.8 × 10 -1 mol)
/ L), sodium citrate (1.6 × 10 -1 mol /
2) in the electroless nickel plating solution having pH = 4.5 containing l)
By immersing for 0 minute, a nickel plating layer 72 having a thickness of 5 μm is formed in the openings 71U and 71D. Furthermore, the substrate gold potassium cyanide (7.6 × 10 -3 mol / l ), ammonium chloride (1.9 × 10 -1 mol / l ), sodium citrate (1.2 × 10 -1 mol / l), immersed in an electroless gold plating solution containing sodium hypophosphite (1.7 × 10 −1 mol / l) at 80 ° C. for 7.5 minutes to form a layer having a thickness of 0% on the nickel plating layer 72. A 0.03 μm gold plating layer 74 is formed (see FIG. 19B).

【0123】(24)この後、基板のICチップを載置
する面のソルダーレジスト層70の開口71Uにスズ−
鉛を含有する半田ペーストを印刷する。さらに、他方の
面の開口部71D内に導電性接着剤97として半田ペー
ストを印刷する。次に、導電性接続ピン96を適当なピ
ン保持装置に取り付けて支持し、導電性接続ピン96の
固定部98を開口部71D内の導電性接着剤97に当接
させる。そしてリフローを行い、導電性接続ピン96を
導電性接着剤97に固定する。また、導電性接続ピン9
6の取り付け方法としては、導電性接着剤97をボール
状等に形成したものを開口部71D内に入れる、あるい
は、固定部98に導電性接着剤97を接合させて導電性
接続ピン96を取り付け、その後にリフローさせてもよ
い。
(24) Thereafter, tin-opening is placed in the opening 71U of the solder resist layer 70 on the surface of the substrate on which the IC chip is mounted.
Print solder paste containing lead. Further, a solder paste is printed as the conductive adhesive 97 in the opening 71D on the other surface. Next, the conductive connection pin 96 is attached to and supported by a suitable pin holding device, and the fixing portion 98 of the conductive connection pin 96 is brought into contact with the conductive adhesive 97 in the opening 71D. Then, reflow is performed to fix the conductive connection pins 96 to the conductive adhesive 97. Also, the conductive connection pins 9
As a method of attaching 6, the conductive adhesive 97 formed in a ball shape or the like is put into the opening 71D, or the conductive adhesive 97 is joined to the fixing portion 98 to attach the conductive connection pin 96. , And then reflow.

【0124】その後、プリント配線板110の開口71
U側の半田バンプ76にICチップ90の半田パッド9
2が対応するように、ICチップ90を載置し、リフロ
ーを行うことでICチップ90の取り付けを行う(図2
0参照)。
Thereafter, the opening 71 of the printed wiring board 110 is
Solder pad 9 of IC chip 90 is attached to U-side solder bump 76.
2 is mounted, and the IC chip 90 is mounted by reflowing the IC chip 90 (FIG. 2).
0).

【0125】引き続き、本発明の第3実施形態に係るプ
リント配線板について、図21を参照して説明する。第
3実施形態のプリント配線板210は、上述した第1実
施形態とほぼ同様である。但し、この第3実施形態のプ
リント配線板210では、コア基板30に形成された凹
部35に一個のチップコンデンサ20が収容されてい
る。コア基板30内にチップコンデンサ20を配置する
ため、ICチップ90とチップコンデンサ20との距離
が短くなり、ループインダクタンスを低減することが可
能となる。なお、電極には、第1実施形態と同様に導電
性ペースト、あるいは、第1実施形態の第1改変例と同
様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
Next, a printed wiring board according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The printed wiring board 210 of the third embodiment is almost the same as the above-described first embodiment. However, in the printed wiring board 210 of the third embodiment, one chip capacitor 20 is accommodated in the recess 35 formed in the core substrate 30. Since the chip capacitor 20 is arranged in the core substrate 30, the distance between the IC chip 90 and the chip capacitor 20 is shortened, and the loop inductance can be reduced. Note that a conductive paste is formed on the electrode as in the first embodiment, or a conductive paste and a composite metal layer are formed as in the first modification of the first embodiment.

【0126】引き続き、本発明の第4実施形態に係るプ
リント配線板の構成について図22を参照して説明す
る。この第4実施形態のプリント配線板の構成は、上述
した第1実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板3
0への収容されるチップコンデンサ20が異なる。図2
2は、チップコンデンサの平面図を示している。図22
(A)は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを
示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述し
た第1実施形態のプリント配線板では、図22(B)に
平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第1電極
21及び第2電極22を配設してある。図22(C)
は、第4実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコン
デンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示してい
る。第4実施形態のプリント配線板では、図22(D)
に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に
第1電極21及び第2電極22を配設してある。なお、
電極には、第1実施形態と同様に導電性ペースト、ある
いは、第1実施形態の第1改変例と同様に導電性ペース
ト及び複合金属層が形成されている。
Next, the configuration of a printed wiring board according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The configuration of the printed wiring board of the fourth embodiment is substantially the same as that of the above-described first embodiment. However, the core substrate 3
The chip capacitors 20 housed to 0 are different. FIG.
2 shows a plan view of the chip capacitor. FIG.
(A) shows a chip capacitor for multi-piece cutting before cutting, and a dashed line in the drawing shows a cutting line. In the printed wiring board of the first embodiment described above, the first electrode 21 and the second electrode 22 are arranged on the side edges of the chip capacitor as shown in the plan view of FIG. FIG. 22 (C)
Indicates a chip capacitor for multi-cavity cutting according to the fourth embodiment before cutting, and a dashed line in the drawing indicates a cutting line. In the printed wiring board of the fourth embodiment, FIG.
As shown in the plan view, a first electrode 21 and a second electrode 22 are provided inside the side edge of the chip capacitor. In addition,
The electrode is formed with a conductive paste as in the first embodiment, or a conductive paste and a composite metal layer as in the first modification of the first embodiment.

【0127】この第4実施形態のプリント配線板では、
外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ20を
用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いるこ
とができる。
In the printed wiring board according to the fourth embodiment,
Since the chip capacitor 20 having the electrode formed inside the outer edge is used, a large-capacity chip capacitor can be used.

【0128】引き続き、第4実施形態の第1改変例に係
るプリント配線板について図23を参照して説明する。
図23は、第1改変例に係るプリント配線板のコア基板
に収容されるチップコンデンサ20の平面図を示してい
る。上述した第1実施形態では、複数個の小容量のチッ
プコンデンサをコア基板に収容したが、第1改変例で
は、大容量の大判のチップコンデンサ20をコア基板に
収容してある。ここで、チップコンデンサ20は、第1
電極21と第2電極22と、誘電体23と、第1電極2
1へ接続された第1導電膜24と、第2電極22側に接
続された第2導電膜25と、第1導電膜24及び第2導
電膜25へ接続されていないチップコンデンサの上下面
の接続用の電極27とから成る。この電極27を介して
ICチップ側とドータボード側とが接続されている。な
お、電極には、第1実施形態と同様に導電性ペースト、
あるいは、第1実施形態の第1改変例と同様に導電性ペ
ースト及び複合金属層が形成されている。
Next, a printed wiring board according to a first modification of the fourth embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 23 is a plan view of the chip capacitor 20 housed in the core substrate of the printed wiring board according to the first modification. In the above-described first embodiment, a plurality of small-capacity chip capacitors are housed in the core substrate. In the first modification, a large-capacity large-format chip capacitor 20 is housed in the core substrate. Here, the chip capacitor 20 is
The electrode 21, the second electrode 22, the dielectric 23, and the first electrode 2
1, a second conductive film 25 connected to the second electrode 22 side, and upper and lower surfaces of a chip capacitor not connected to the first conductive film 24 and the second conductive film 25. And a connection electrode 27. The IC chip side and the daughter board side are connected via the electrodes 27. In addition, a conductive paste, as in the first embodiment,
Alternatively, a conductive paste and a composite metal layer are formed as in the first modification of the first embodiment.

【0129】この第1改変例のプリント配線板では、大
判のチップコンデンサ20を用いるため、容量の大きな
チップコンデンサを用いることができる。また、大判の
チップコンデンサ20を用いるため、ヒートサイクルを
繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがな
い。
In the printed wiring board of the first modification, a large-sized chip capacitor 20 is used, so that a large-capacity chip capacitor can be used. Further, since the large chip capacitor 20 is used, the printed wiring board does not warp even if the heat cycle is repeated.

【0130】図24を参照して第2改変例に係るプリン
ト配線板について説明する。図24(A)は、多数個取
り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖
線は、通常の裁断線を示し、図24(B)は、チップコ
ンデンサの平面図を示している。図24(B)に示すよ
うに、この第2改変例では、多数個取り用のチップコン
デンサを複数個(図中の例では3枚)連結させて大判で
用いている。なお、電極には、第1実施形態と同様に導
電性ペースト、あるいは、第1実施形態の第1改変例と
同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されてい
る。
A printed wiring board according to a second modification will be described with reference to FIG. FIG. 24A shows a chip capacitor for multi-piece cutting before cutting, in which a dashed line shows a normal cutting line, and FIG. 24B shows a plan view of the chip capacitor. . As shown in FIG. 24B, in the second modification, a plurality of (three in the example in the figure) multi-chip chip capacitors are connected and used in a large format. Note that a conductive paste is formed on the electrode as in the first embodiment, or a conductive paste and a composite metal layer are formed as in the first modification of the first embodiment.

【0131】この第2改変例では、大判のチップコンデ
ンサ20を用いるため、容量の大きなチップコンデンサ
を用いることができる。また、大判のチップコンデンサ
20を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリ
ント配線板に反りが発生することがない。
In the second modification, a large-sized chip capacitor 20 is used, so that a large-capacity chip capacitor can be used. Further, since the large chip capacitor 20 is used, the printed wiring board does not warp even if the heat cycle is repeated.

【0132】上述した第4実施形態では、チップコンデ
ンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデン
サの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板
状のコンデンサを用いることも可能である。
In the above-described fourth embodiment, the chip capacitor is built in the printed wiring board. However, a plate-shaped capacitor in which a conductor film is provided on a ceramic plate may be used instead of the chip capacitor. .

【0133】ここで、第1実施形態のプリント配線板に
ついて、コア基板内に埋め込んだチップコンデンサ20
のインダクタンスと、プリント配線板の裏面(ドータボ
ード側の面)に実装したチップコンデンサのインダクタ
ンスとを測定した値を以下に示す。 コンデンサ単体の場合 埋め込み形 137pH 裏面実装形 287pH コンデンサを8個並列に接続した場合 埋め込み形 60pH 裏面実装形 72pH 以上のように、コンデンサを単体で用いても、容量を増
大させるため並列に接続した場合にも、チップコンデン
サを内蔵することでインダクタンスを低減できる。
Here, with respect to the printed wiring board of the first embodiment, the chip capacitor 20 embedded in the core substrate is used.
And the inductance of the chip capacitor mounted on the back surface of the printed wiring board (the surface on the daughter board side) are shown below. In case of single capacitor Embedded type 137pH Backside mounted type 287pH When 8 capacitors are connected in parallel Embedded type 60pH Backside mounted type 72pH As shown above, when using a single capacitor, it is connected in parallel to increase the capacity In addition, the inductance can be reduced by incorporating a chip capacitor.

【0134】次に、信頼性試験を行った結果について説
明する。ここでは、第1実施形態のプリント配線板にお
いて、1個のチップコンデンサの静電容量の変化率を測
定した。 静電容量変化率 (測定周波数100Hz) (測定周波数1kHz) Steam 168時間: 0.3% 0.4% HAST 100時間: −0.9% −0.9% TS 1000cycles: 1.1% 1.3%
Next, the result of the reliability test will be described. Here, the rate of change of the capacitance of one chip capacitor in the printed wiring board of the first embodiment was measured. Capacitance change rate (measuring frequency 100Hz) (measuring frequency 1kHz) Steam 168 hours: 0.3% 0.4% HAST 100 hours: −0.9% −0.9% TS 1000cycles: 1.1% 1.3%

【0135】Steam試験は、蒸気に当て湿度100%に
保った。また、HAST試験では、相対湿度100%、
印加電圧1.3V、温度121℃で100時間放置し
た。TS試験では、−125℃で30分、55℃で30
分放置する試験を1000回線り返した。
In the Steam test, steam was applied and the humidity was kept at 100%. In the HAST test, the relative humidity was 100%,
It was left at an applied voltage of 1.3 V and a temperature of 121 ° C. for 100 hours. In the TS test, 30 minutes at -125 ° C and 30 minutes at 55 ° C
The test of standing for 1000 minutes was repeated 1000 times.

【0136】上記信頼性試験において、チップコンデン
サを内蔵するプリント配線板においても、既存のコンデ
ンサ表面実装形と同等の信頼性が達成できていることが
分かった。また、上述したように、TS試験において、
セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基
板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いから、内部応力
が発生しても、チップコンデンサの端子とビアとの間に
断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥
離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、長期に渡り
高い信頼性を達成できることが判明した。
In the above reliability test, it was found that a printed wiring board having a built-in chip capacitor could achieve the same reliability as the existing surface mount type capacitor. As described above, in the TS test,
Due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the ceramic capacitor and the core substrate made of resin and the interlayer resin insulation layer, even if internal stress occurs, disconnection between the terminal of the chip capacitor and the via, insulation of the chip capacitor and the interlayer resin It was found that peeling between the layers and cracks did not occur in the interlayer resin insulating layer, and high reliability could be achieved for a long period of time.

【0137】[0137]

【発明の効果】本発明の構成では、導体回路とコンデン
サの間に、本願発明のビアが形成されているので、電源
供給不足による動作の遅延をすることがなく、所望の性
能を保つことができ、信頼性試験を行っても問題を引き
起こさなかった。また、該ビアにより、層間絶縁層のビ
アを形成しても、位置ずれを引き起こしても、その許容
範囲が広くなるために、電気接続性が確保される。
According to the structure of the present invention, since the via of the present invention is formed between the conductor circuit and the capacitor, the desired performance can be maintained without delaying the operation due to insufficient power supply. It did, and did not cause any problems even when subjected to reliability tests. Further, even if a via of the interlayer insulating layer is formed or a positional shift is caused by the via, an allowable range thereof is widened, so that electrical connectivity is ensured.

【0138】また、コンデンサの電極の表面に導電性ペ
ーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットにな
る。このため、樹脂層にレーザで開口を穿設した際に、
電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっ
きによるビアとの接続性を高めることができる。
In addition, since the conductive paste is applied to the surface of the capacitor electrode, the surface becomes completely flat. For this reason, when an opening is formed in the resin layer with a laser,
The resin does not remain on the surface of the electrode, and the connectivity between the electrode and the via by plating can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(A)、(B)、(C)、(D)、(E)は、
本発明の第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程
図である。
FIG. 1 (A), (B), (C), (D), (E)
It is a manufacturing process figure of the printed wiring board concerning a 1st embodiment of the present invention.

【図2】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
FIGS. 2A, 2B, 2C, and 2D are manufacturing process diagrams of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図3】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
FIGS. 3A, 3B, 3C, and 3D are manufacturing process diagrams of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図4】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
FIGS. 4A, 4B, 4C, and 4D are manufacturing process diagrams of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図5】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
FIGS. 5A, 5B, 5C, and 5D are manufacturing process diagrams of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図6】(A)、(B)は、本発明の第1実施形態に係
るプリント配線板の製造工程図である。
FIGS. 6A and 6B are manufacturing process diagrams of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第1実施形態に係るプリント配線板の
断面図である。
FIG. 7 is a sectional view of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第1実施形態に係るプリント配線板に
ICチップを搭載した状態を示す断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a state in which an IC chip is mounted on the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図9】(A)は、図7中のビア52の拡大図であり、
(B)は、(A)のB矢印図である。
FIG. 9A is an enlarged view of a via 52 in FIG.
(B) is an arrow B diagram of (A).

【図10】(A)は、第1実施形態のチップコンデンサ
の断面図であり、(B)は、第1実施形態の第1改変例
のチップコンデンサの断面図である。
FIG. 10A is a sectional view of a chip capacitor according to the first embodiment, and FIG. 10B is a sectional view of a chip capacitor according to a first modification of the first embodiment;

【図11】本発明の第1実施形態の改変例に係るプリン
ト配線板の断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view of a printed wiring board according to a modification of the first embodiment of the present invention.

【図12】ICチップへの供給電力と時間との変化を示
すグラフである。
FIG. 12 is a graph showing changes in power supplied to an IC chip and time.

【図13】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明
の第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
FIGS. 13A, 13B, 13C, and 13D are manufacturing process diagrams of the printed wiring board according to the second embodiment of the present invention.

【図14】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明
の第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
14A, 14B, 14C, and 14D are manufacturing process diagrams of a printed wiring board according to the second embodiment of the present invention.

【図15】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明
の第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
FIGS. 15A, 15B, 15C, and 15D are manufacturing process diagrams of a printed wiring board according to the second embodiment of the present invention.

【図16】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明
の第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
FIGS. 16A, 16B, 16C, and 16D are manufacturing process diagrams of a printed wiring board according to the second embodiment of the present invention.

【図17】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明
の第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
FIGS. 17A, 17B, 17C, and 17D are manufacturing process diagrams of a printed wiring board according to the second embodiment of the present invention.

【図18】(A)、(B)は、本発明の第2実施形態に
係るプリント配線板の製造工程図である。
FIGS. 18A and 18B are manufacturing process diagrams of a printed wiring board according to a second embodiment of the present invention.

【図19】(A)、(B)は、本発明の第2実施形態に
係るプリント配線板の製造工程図である。
FIGS. 19A and 19B are manufacturing process diagrams of a printed wiring board according to the second embodiment of the present invention.

【図20】本発明の第2実施形態に係るプリント配線板
にICチップを搭載した状態を示す断面図である。
FIG. 20 is a cross-sectional view showing a state in which an IC chip is mounted on a printed wiring board according to a second embodiment of the present invention.

【図21】本発明の第3実施形態に係るプリント配線板
にICチップを搭載した状態を示す断面図である。
FIG. 21 is a sectional view showing a state in which an IC chip is mounted on a printed wiring board according to a third embodiment of the present invention.

【図22】(A)、(B)、(C)、(D)は、第4実
施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図で
ある。
FIGS. 22 (A), (B), (C), and (D) are plan views of a chip capacitor of a printed wiring board according to a fourth embodiment.

【図23】第4実施形態に係るプリント配線板のチップ
コンデンサの平面図である。
FIG. 23 is a plan view of a chip capacitor of a printed wiring board according to a fourth embodiment.

【図24】(A)、(B)は、第4実施形態の改変例に
係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図であ
る。
FIGS. 24A and 24B are plan views of a chip capacitor of a printed wiring board according to a modification of the fourth embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20 チップコンデンサ 21 第1電極 22 第2電極 23 誘電体 23a 粗化面 23b ポイリミド膜 26 導電性ペースト 28a 無電解銅めっき膜 28b 電解銅めっき膜 28 複合金属膜 30 コア基板 32 凹部 33 凹部 35 凹部 36 樹脂層 40 樹脂絶縁層 52 ビア 53 ビア 60 層間樹脂絶縁層 68 導体回路 69 ビア 70 ソルダーレジスト層 71U、71D 開口部 72 ニッケルめっき層 74 金めっき層 76 半田バンプ 90 ICチップ 92 半田パッド(ICチップ側) 94 ドータボード 95 半田パッド(ドータボード側) 96 導電性接続ピン 97 導電性接着剤 98 固定部 160 層間樹脂絶縁層 168 導体回路 169 ビア Reference Signs List 20 chip capacitor 21 first electrode 22 second electrode 23 dielectric 23a roughened surface 23b polyimid film 26 conductive paste 28a electroless copper plating film 28b electrolytic copper plating film 28 composite metal film 30 core substrate 32 recess 33 recess 35 recess 36 Resin layer 40 Resin insulation layer 52 Via 53 Via 60 Interlayer resin insulation layer 68 Conductor circuit 69 Via 70 Solder resist layer 71U, 71D Opening 72 Nickel plating layer 74 Gold plating layer 76 Solder bump 90 IC chip 92 Solder pad (IC chip side) ) 94 daughter board 95 solder pad (daughter board side) 96 conductive connecting pin 97 conductive adhesive 98 fixing part 160 interlayer resin insulating layer 168 conductive circuit 169 via

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/12 H01G 4/38 A H05K 1/18 H01L 23/12 B N Fターム(参考) 5E082 AA01 CC01 DD15 EE23 5E336 AA04 AA14 BB03 BB15 BC02 BC26 CC32 CC36 CC43 CC53 CC55 EE07 EE08 EE17 GG11 GG16 5E346 AA06 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 BB16 BB20 CC32 DD02 DD22 DD25 DD33 DD34 EE06 EE18 EE31 EE34 EE35 EE38 FF04 FF07 FF15 FF18 FF45 GG15 GG17 GG18 GG19 GG25 GG27 GG28 HH02 HH11 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 23/12 H01G 4/38 A H05K 1/18 H01L 23/12 BNF term (Reference) 5E082 AA01 CC01 DD15 EE23 5E336 AA04 AA14 BB03 BB15 BC02 BC26 CC32 CC36 CC43 CC53 CC55 EE07 EE08 EE17 GG11 GG16 5E346 AA06 AA12 AA15 AA32. GG27 GG28 HH02 HH11

Claims (22)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積
層してなるプリント配線板であって、 前記コア基板にコンデンサを内蔵させ、前記コンデンサ
の端子と接続する相対的に大きな下層ビアを形成し、 前記コア基板の上面の層間樹脂絶縁層に、1の前記下層
ビアと接続された複数個の相対的に小さな上層ビアを配
設し、 前記コンデンサのメタライズからなる電極の表面には、
導電性ペーストが塗布されていることを特徴とするプリ
ント配線板。
1. A printed wiring board comprising a resin insulating layer and a conductor circuit laminated on a core substrate, wherein a capacitor is built in the core substrate, and a relatively large lower via connected to a terminal of the capacitor is provided. Forming a plurality of relatively small upper vias connected to one lower via in an interlayer resin insulating layer on the upper surface of the core substrate;
A printed wiring board to which a conductive paste is applied.
【請求項2】 前記コンデンサの電極の導電性ペースト
上に金属層を設けたことを特徴とする請求項1に記載の
プリント配線板。
2. The printed wiring board according to claim 1, wherein a metal layer is provided on the conductive paste of the electrodes of the capacitor.
【請求項3】 前記コンデンサの表面に、粗化処理を施
したことを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれか
1に記載のプリント配線板。
3. The printed wiring board according to claim 1, wherein the surface of the capacitor is subjected to a roughening treatment.
【請求項4】 前記コンデンサの表面に、表面の濡れ性
改善処理を施したことを特徴とする請求項1又は請求項
2のいずれか1に記載のプリント配線板。
4. The printed wiring board according to claim 1, wherein the surface of the capacitor is subjected to a surface wettability improving treatment.
【請求項5】 前記下層ビアは、めっきが充填されてな
る表面が平坦なフィルドビアであることを特徴とする請
求項1に記載のプリント配線板。
5. The printed wiring board according to claim 1, wherein the lower via is a filled via having a flat surface filled with plating.
【請求項6】 前記下層ビアは、内部に樹脂が充填され
て表面に金属膜が形成されて成るフィルドビアであるこ
とを特徴とする請求項1に記載のプリント配線板。
6. The printed wiring board according to claim 1, wherein the lower via is a filled via formed by filling a resin therein and forming a metal film on a surface thereof.
【請求項7】 前記コンデンサは、前記コア基板に形成
された凹部の中に1個収容されていることを特徴とする
請求項1〜請求項4のいずれか1に記載のプリント配線
板。
7. The printed wiring board according to claim 1, wherein one of the capacitors is accommodated in a recess formed in the core substrate.
【請求項8】 前記コンデンサは、前記コア基板に形成
された凹部の中に複数個収容されていることを特徴とす
る請求項1〜請求項4のいずれか1に記載のプリント配
線板。
8. The printed wiring board according to claim 1, wherein a plurality of the capacitors are accommodated in a recess formed in the core substrate.
【請求項9】 前記コア基板と前記コンデンサの間に、
前記コア基板よりも熱膨張率の小さい樹脂を充填したこ
とを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1に記載
のプリント配線板。
9. Between the core substrate and the capacitor,
The printed wiring board according to claim 1, wherein the printed wiring board is filled with a resin having a smaller coefficient of thermal expansion than the core substrate.
【請求項10】 前記プリント配線板の表面にコンデン
サを実装したことを特徴とする請求項1〜請求項9の内
1に記載のプリント配線板。
10. The printed wiring board according to claim 1, wherein a capacitor is mounted on a surface of the printed wiring board.
【請求項11】 前記表面のチップコンデンサの静電容
量は、内層のチップコンデンサの静電容量以上であるこ
とを特徴とする請求項10に記載のプリント配線板。
11. The printed wiring board according to claim 10, wherein the capacitance of the chip capacitor on the surface is equal to or larger than the capacitance of the chip capacitor in the inner layer.
【請求項12】 前記表面のチップコンデンサのインダ
クタンスは、内層のチップコンデンサのインダクタンス
以上であることを特徴とする請求項10に記載のプリン
ト配線板。
12. The printed wiring board according to claim 10, wherein the inductance of the chip capacitor on the front surface is equal to or greater than the inductance of the chip capacitor in the inner layer.
【請求項13】 前記コンデンサとして、外縁の内側に
電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴
とする請求項1〜請求項12の内1に記載のプリント配
線板。
13. The printed wiring board according to claim 1, wherein a chip capacitor having an electrode formed inside an outer edge is used as the capacitor.
【請求項14】 前記コンデンサとして、マトリクス状
に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特
徴とする請求項1〜請求項13の内1に記載のプリント
配線板。
14. The printed wiring board according to claim 1, wherein a chip capacitor having electrodes formed in a matrix is used as said capacitor.
【請求項15】 前記コンデンサとして、多数個取り用
のチップコンデンサを複数個連結させて用いたことを特
徴とする請求項1〜請求項14の内1に記載のプリント
配線板。
15. The printed wiring board according to claim 1, wherein a plurality of chip capacitors for multi-cavity are connected and used as the capacitor.
【請求項16】 少なくとも以下(a)〜(e)の工程
を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法: (a)コア基板に、メタライズ電極の上に導電性ペース
トを塗布したコンデンサを内臓する工程; (b)前記コンデンサの上面に樹脂絶縁層を形成する工
程; (c)前記樹脂絶縁層に、前記コンデンサの端子と接続
する相対的に大きな下層ビアを形成する工程; (d)前記コア基板の上面に、層間樹脂絶縁層を形成す
る工程; (e)前記層間樹脂絶縁層に、1の前記下層ビアと接続
された複数個の相対的に小さな上層ビアを配設する工
程。
16. A method for manufacturing a printed wiring board, comprising at least the following steps (a) to (e): (a) A capacitor in which a conductive paste is coated on a metallized electrode on a core substrate. (B) forming a resin insulating layer on the upper surface of the capacitor; (c) forming a relatively large lower via connected to a terminal of the capacitor on the resin insulating layer; (d) Forming an interlayer resin insulation layer on the upper surface of the core substrate; and (e) arranging a plurality of relatively small upper vias connected to the one lower via in the interlayer resin insulation layer.
【請求項17】 前記(a)工程の前に、前記コア基板
に凹部を形成し、前記凹部の中に前記コンデンサを1個
収容する工程を備えることを特徴とする請求項16に記
載のプリント配線板の製造方法。
17. The printing method according to claim 16, further comprising, before the step (a), a step of forming a recess in the core substrate and accommodating one of the capacitors in the recess. Manufacturing method of wiring board.
【請求項18】 前記(a)工程の前に、前記コア基板
に凹部を形成し、前記凹部の中に前記コンデンサを複数
個収容する工程を備えることを特徴とする請求項16に
記載のプリント配線板の製造方法。
18. The printing method according to claim 16, further comprising, before the step (a), a step of forming a recess in the core substrate and accommodating a plurality of the capacitors in the recess. Manufacturing method of wiring board.
【請求項19】 前記(a)工程の前に、樹脂板に通孔
を形成し、前記通孔を形成した樹脂板に、樹脂板を貼り
付けて、凹部を有するコア基板を形成する工程を備える
ことを特徴とする請求項16に記載のプリント配線板の
製造方法。
19. A method of forming a core substrate having a concave portion by forming a through hole in a resin plate and pasting the resin plate to the resin plate having the through hole before the step (a). The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 16, comprising:
【請求項20】 前記下層ビアを形成する際に、めっき
を充填して表面の平坦なフィルドビアを形成することを
特徴とする請求項16に記載のプリント配線板の製造方
法。
20. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 16, wherein, when forming the lower layer via, plating is filled to form a filled via having a flat surface.
【請求項21】 前記下層ビアを形成する際に、内部に
樹脂を充填した後、表面に金属膜が配設してなるフィル
ドビアを形成することを特徴とする請求項16に記載の
プリント配線板の製造方法。
21. The printed wiring board according to claim 16, wherein when the lower via is formed, a filled via having a metal film disposed on the surface is formed after filling the inside with a resin. Manufacturing method.
【請求項22】 前記(a)工程の後に、前記凹部内の
前記複数個のコンデンサの上面に、上から圧力を加え、
前記コンデンサの上面の高さを揃える工程を備えること
を特徴とする請求項18に記載のプリント配線板の製造
方法。
22. After the step (a), a pressure is applied from above to the upper surfaces of the plurality of capacitors in the recesses,
The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 18, further comprising a step of adjusting the height of the upper surface of the capacitor.
JP2001070229A 2001-03-13 2001-03-13 Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method Expired - Lifetime JP4697828B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001070229A JP4697828B2 (en) 2001-03-13 2001-03-13 Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001070229A JP4697828B2 (en) 2001-03-13 2001-03-13 Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002271025A true JP2002271025A (en) 2002-09-20
JP4697828B2 JP4697828B2 (en) 2011-06-08

Family

ID=18928135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001070229A Expired - Lifetime JP4697828B2 (en) 2001-03-13 2001-03-13 Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4697828B2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004077560A1 (en) * 2003-02-26 2004-09-10 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed wiring board
JP2007266197A (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board
US7696442B2 (en) 2005-06-03 2010-04-13 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring board and manufacturing method of wiring board
WO2011083753A1 (en) * 2010-01-08 2011-07-14 大日本印刷株式会社 Electronic component

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63209133A (en) * 1987-02-25 1988-08-30 Aisin Seiki Co Ltd Semiconductor chip
JPH01194500A (en) * 1988-01-29 1989-08-04 Japan Radio Co Ltd Substrate for multilayer interconnection
JPH0662569U (en) * 1993-02-01 1994-09-02 沖電気工業株式会社 High-speed signal circuit board structure
JPH0737757A (en) * 1993-07-20 1995-02-07 Murata Mfg Co Ltd Capacitor array
JPH07283538A (en) * 1994-04-14 1995-10-27 Ibiden Co Ltd Manufacture of multilayered printed wiring board
JPH07283539A (en) * 1994-04-14 1995-10-27 Sony Corp Build-up multilayered printed wiring board
JPH08228066A (en) * 1995-02-21 1996-09-03 Kokusai Electric Co Ltd Electronic-part loading substrate and manufacture thereof
JPH0917693A (en) * 1995-06-30 1997-01-17 Murata Mfg Co Ltd Electronic parts
JPH0936177A (en) * 1995-07-17 1997-02-07 Toshiba Corp Semiconductor device and its manufacture
JPH1024688A (en) * 1996-07-12 1998-01-27 Dainippon Printing Co Ltd Ic card
JPH10303566A (en) * 1997-04-28 1998-11-13 Ngk Spark Plug Co Ltd Manufacturing capacitor
JPH11102835A (en) * 1997-09-26 1999-04-13 Tdk Corp Laminated ceramic electronic component and manufacture thereof
JPH11312868A (en) * 1998-04-28 1999-11-09 Kyocera Corp Multilayer wiring board with built-in element and its manufacture
JP2000261124A (en) * 1999-03-05 2000-09-22 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board, core board including capacitor, core board main body, capacitor, manufacture of core board main body and manufacture of core board including capacitor
JP2001007531A (en) * 1999-06-18 2001-01-12 Ngk Spark Plug Co Ltd Manufacture of wiring board

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63209133A (en) * 1987-02-25 1988-08-30 Aisin Seiki Co Ltd Semiconductor chip
JPH01194500A (en) * 1988-01-29 1989-08-04 Japan Radio Co Ltd Substrate for multilayer interconnection
JPH0662569U (en) * 1993-02-01 1994-09-02 沖電気工業株式会社 High-speed signal circuit board structure
JPH0737757A (en) * 1993-07-20 1995-02-07 Murata Mfg Co Ltd Capacitor array
JPH07283538A (en) * 1994-04-14 1995-10-27 Ibiden Co Ltd Manufacture of multilayered printed wiring board
JPH07283539A (en) * 1994-04-14 1995-10-27 Sony Corp Build-up multilayered printed wiring board
JPH08228066A (en) * 1995-02-21 1996-09-03 Kokusai Electric Co Ltd Electronic-part loading substrate and manufacture thereof
JPH0917693A (en) * 1995-06-30 1997-01-17 Murata Mfg Co Ltd Electronic parts
JPH0936177A (en) * 1995-07-17 1997-02-07 Toshiba Corp Semiconductor device and its manufacture
JPH1024688A (en) * 1996-07-12 1998-01-27 Dainippon Printing Co Ltd Ic card
JPH10303566A (en) * 1997-04-28 1998-11-13 Ngk Spark Plug Co Ltd Manufacturing capacitor
JPH11102835A (en) * 1997-09-26 1999-04-13 Tdk Corp Laminated ceramic electronic component and manufacture thereof
JPH11312868A (en) * 1998-04-28 1999-11-09 Kyocera Corp Multilayer wiring board with built-in element and its manufacture
JP2000261124A (en) * 1999-03-05 2000-09-22 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board, core board including capacitor, core board main body, capacitor, manufacture of core board main body and manufacture of core board including capacitor
JP2001007531A (en) * 1999-06-18 2001-01-12 Ngk Spark Plug Co Ltd Manufacture of wiring board

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004077560A1 (en) * 2003-02-26 2004-09-10 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed wiring board
US7894203B2 (en) 2003-02-26 2011-02-22 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed wiring board
US7696442B2 (en) 2005-06-03 2010-04-13 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring board and manufacturing method of wiring board
US8863378B2 (en) 2005-06-03 2014-10-21 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Method for manufacturing a wiring board
JP2007266197A (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board
JP4497548B2 (en) * 2006-03-28 2010-07-07 日本特殊陶業株式会社 Wiring board
WO2011083753A1 (en) * 2010-01-08 2011-07-14 大日本印刷株式会社 Electronic component
JP2011159961A (en) * 2010-01-08 2011-08-18 Dainippon Printing Co Ltd Electronic component
CN102726129A (en) * 2010-01-08 2012-10-10 大日本印刷株式会社 Electronic component
US9066422B2 (en) 2010-01-08 2015-06-23 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Electronic component

Also Published As

Publication number Publication date
JP4697828B2 (en) 2011-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100823767B1 (en) Printed circuit board and method for manufacturing printed circuit board
KR100842389B1 (en) Printed circuit board and method of manufacturing printed circuit board
JP4953499B2 (en) Printed wiring board
JP2001339165A (en) Multilayer printed wiring board and package board
JP4945842B2 (en) Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method
JP2012114457A (en) Printed wiring board
JP4863563B2 (en) Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method
JP4646371B2 (en) Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method
JP4968404B2 (en) Printed wiring board
JP4863546B2 (en) Capacitor-embedded printed wiring board and manufacturing method of capacitor-embedded printed wiring board
JP2002271032A (en) Printed wiring board and manufacturing method therefor
JP4863564B2 (en) Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method
JP2002118367A (en) Printed wiring board and manufacturing method thereof
JP4863561B2 (en) Method for manufacturing printed wiring board
JP4360737B2 (en) Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method
JP2002270991A (en) Printed wiring board and manufacturing method therefor
JP4697828B2 (en) Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method
JP4646370B2 (en) Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method
JP3219396B2 (en) Manufacturing method of multilayer printed wiring board
JP2002246506A (en) Multilayer printed wiring board
JP4869486B2 (en) Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method
JP2002100871A (en) Printed wiring board and manufacturing method thereof
JP2002118365A (en) Printed wiring board and manufacturing method thereof
JP3219395B2 (en) Manufacturing method of multilayer printed wiring board
JP2002185141A (en) Multilayer printed board

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20050901

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080220

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100922

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100928

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110225

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110225

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4697828

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term