JP2002100871A - Printed wiring board and manufacturing method thereof - Google Patents
Printed wiring board and manufacturing method thereofInfo
- Publication number
- JP2002100871A JP2002100871A JP2000266283A JP2000266283A JP2002100871A JP 2002100871 A JP2002100871 A JP 2002100871A JP 2000266283 A JP2000266283 A JP 2000266283A JP 2000266283 A JP2000266283 A JP 2000266283A JP 2002100871 A JP2002100871 A JP 2002100871A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- printed wiring
- wiring board
- capacitor
- capacitors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】ICチップなどの電子部品を
載置するプリント基板に関し、特にコンデンサを内蔵す
るプリント配線板に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a printed circuit board on which electronic components such as an IC chip are mounted, and more particularly to a printed circuit board having a built-in capacitor.
【0002】[0002]
【従来の技術】現在、パッケージ基板用のプリント配線
板では、ICチップへの電源供給を容易ならしめるるた
め、チップコンデンサを表面実装することがある。2. Description of the Related Art At present, in a printed wiring board for a package substrate, a chip capacitor is sometimes mounted on a surface in order to facilitate power supply to an IC chip.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】チップコンデンサとI
Cチップとの間のリアクタンス分は周波数に依存するた
め、ICチップの駆動周波数の増加に伴い、チップコン
デンサを表面実装させても、十分な動作を行い得なくな
った。本出願人は上述した課題を解決するために、特願
平11−248311号にて、プリント配線板にコンデ
ンサを内蔵させる技術を提案した。また、コンデンサを
基板に埋め込む技術としては、特開平6−326472
号、特開平7−263619号、特開平10−2564
29号、特開平11−45955号、特開平11−12
6978号、特開平11−312868号等がある。SUMMARY OF THE INVENTION Chip capacitors and I
Since the reactance with the C chip depends on the frequency, sufficient operation cannot be performed even when the chip capacitor is surface-mounted with the increase in the driving frequency of the IC chip. In order to solve the above-mentioned problem, the present applicant has proposed a technique for incorporating a capacitor in a printed wiring board in Japanese Patent Application No. 11-248313. Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-326472 discloses a technique for embedding a capacitor in a substrate.
JP-A-7-263619, JP-A-10-2564
No. 29, JP-A-11-45555, JP-A-11-12
6978 and JP-A-11-313868.
【0004】特開平6−326472号には、ガラスエ
ポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術
が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減
し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要
になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平7−
263619号には、セラミック、アルミナなどの基板
にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構
成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配
線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-326472 discloses a technique for embedding a capacitor in a resin substrate made of glass epoxy. With this configuration, power supply noise is reduced, and a space for mounting a chip capacitor is not required, and the size of the insulating substrate can be reduced. In addition, Japanese Patent Application Laid-Open
No. 263619 discloses a technique for embedding a capacitor in a substrate made of ceramic, alumina, or the like. With this configuration, by connecting between the power supply layer and the ground layer, the wiring length is shortened and the wiring inductance is reduced.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た特開平6−326472号、特開平7−263619
号は、ICチップからコンデンサの距離をあまり短くで
きず、ICチップの更なる高周波数領域においては、現
在必要とされるようにインダクタンスを低減することが
できなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ配線板
においては、セラミックから成るコンデンサと、樹脂か
らなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いか
ら、チップコンデンサの端子とバイアホールとの間に断
線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、
層間樹脂絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り高い信
頼性を達成することができなかった。However, the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-326472 and Japanese Patent Application Laid-open No.
Cannot reduce the distance between the IC chip and the capacitor too much, and could not reduce the inductance as required at present in the higher frequency range of the IC chip. In particular, in a resin-made multilayer build-up wiring board, disconnection between a terminal of a chip capacitor and a via hole due to a difference in thermal expansion coefficient between a capacitor made of ceramic and a core substrate made of resin and an interlayer resin insulating layer. Peeling between chip capacitor and interlayer resin insulation layer,
Cracks occurred in the interlayer resin insulation layer, and high reliability could not be achieved for a long period of time.
【0006】また、特願平11−248311号の発明
では、一個のコンデンサごとに凹部を形成しているた
め、ザグリ加工の精度が低い場合では、正確に凹部の形
成ができず、コンデンサが正確な位置で凹部に入らない
ことがあった。また、凹部の深さがコンデンサの高さよ
りも小さくなって、コンデンサが凹部からはみ出してし
まうことがあった。そのため、コア基板を平滑にするこ
とができず、コア基板の上に層間樹脂絶縁層および配線
を形成してプリント配線板を製造しても、断線が生じ易
く不良品発生率が高くなることが判明した。更に、コン
デンサの実装密度を高めることが困難であった。In the invention of Japanese Patent Application No. 11-248313, since the concave portion is formed for each capacitor, the concave portion cannot be formed accurately when the precision of the counterbore processing is low. In some cases, it was not possible to enter the recess at an appropriate position. In addition, the depth of the concave portion becomes smaller than the height of the capacitor, and the capacitor sometimes protrudes from the concave portion. For this reason, the core substrate cannot be smoothed, and even if a printed wiring board is manufactured by forming an interlayer resin insulating layer and wiring on the core substrate, disconnection is likely to occur and the defective product occurrence rate is increased. found. Further, it has been difficult to increase the mounting density of the capacitor.
【0007】本発明は上述した課題を解決するためにな
されたものであり、その目的とするところは、コンデン
サを高い密度で内蔵し、不良品発生率が低いプリント配
線板およびプリント配線板の製造方法を提供することに
ある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to manufacture a printed wiring board and a printed wiring board having a built-in capacitor with a high density and a low rejection rate. It is to provide a method.
【0008】上記目的を達成するため、請求項1の発明
では、コア基板に樹脂絶縁層と導体回路を積層してなる
プリント配線板であって、前記コア基板内に、凹部を形
成し、前記凹部の中に複数個のコンデンサを収容させた
ことを技術的特徴とする。In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, there is provided a printed wiring board in which a resin insulating layer and a conductive circuit are laminated on a core substrate, wherein a concave portion is formed in the core substrate. It is a technical feature that a plurality of capacitors are accommodated in the recess.
【0009】請求項1では、コア基板に広く凹部を形成
し、複数個のコンデンサを凹部に収容する。そのため、
確実に複数個のコンデンサを、コア基板内へ配設するこ
とが可能となる。凹部内に密集させてコンデンサを配置
できるため、コンデンサの実装密度を高めることができ
る。また、凹部内に複数個のコンデンサを載置するた
め、複数個のコンデンサの高さが揃うので、コア基板上
に形成する樹脂層を均一の厚みにでき、バイアホールの
形成が安定する。また、凹部が広く形成されているた
め、コンデンサの位置決めが正確にできる。よって、コ
ア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形
成することができるので、プリント配線板の不良品発生
率を低下させることができる。According to the first aspect, the recess is formed widely in the core substrate, and a plurality of capacitors are accommodated in the recess. for that reason,
It is possible to reliably arrange a plurality of capacitors in the core substrate. Since the capacitors can be arranged densely in the recess, the mounting density of the capacitors can be increased. In addition, since a plurality of capacitors are placed in the recess, the heights of the plurality of capacitors are uniform, so that the resin layer formed on the core substrate can have a uniform thickness, and the formation of via holes is stabilized. Further, since the concave portion is formed widely, the capacitor can be accurately positioned. Therefore, since the interlayer resin insulating layer and the conductive circuit can be appropriately formed on the core substrate, the defective product occurrence rate of the printed wiring board can be reduced.
【0010】凹部内には、樹脂を充填させることが望ま
しい。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによ
って、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さく
なるし、コンデンサを起点とする応力が発生したとして
も、該充填された樹脂により緩和することができる。ま
た、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイ
グレーションの低下させるという効果も有する。It is desirable that the recess be filled with a resin. By eliminating the gap between the capacitor and the core substrate, the built-in capacitor is less likely to behave, and even if a stress originating from the capacitor is generated, the stress can be reduced by the filled resin. The resin also has the effect of reducing adhesion and migration between the capacitor and the core substrate.
【0011】請求項2の発明では、凹部内のコンデンサ
間に、樹脂を充填するため、コンデンサを凹部内で位置
決めして固定することが可能となる。樹脂の熱膨張率
を、コア基板よりも小さく、即ち、セラミックからなる
コンデンサに近いように設定してある。このため、ヒー
トサイクル試験において、コア基板とコンデンサとの間
に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板にクラ
ック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。ま
た、マイグレーションを発生しなくなるため、コンデン
サとの接続が安定する。According to the second aspect of the present invention, since the resin is filled between the capacitors in the concave portion, the capacitor can be positioned and fixed in the concave portion. The coefficient of thermal expansion of the resin is set smaller than that of the core substrate, that is, close to that of a capacitor made of ceramic. For this reason, in the heat cycle test, even if internal stress is generated due to a difference in the coefficient of thermal expansion between the core substrate and the capacitor, cracks, peeling, and the like hardly occur on the core substrate, and high reliability can be achieved. In addition, since no migration occurs, the connection with the capacitor is stabilized.
【0012】請求項3の発明では、コンデンサ間の樹脂
層にスルーホールを形成するため、コンデンサを信号線
が通過しないので、高誘電体によるインピーダンス不連
続による反射及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生し
ない。According to the third aspect of the present invention, since a through-hole is formed in the resin layer between the capacitors, the signal line does not pass through the capacitors, so that reflection due to impedance discontinuity due to the high dielectric substance and propagation delay due to passage through the high dielectric substance are reduced. Does not occur.
【0013】また、スルーホールによって表裏の電気的
接続を取ることができ、コンデンサの下部にも、ビルド
アップ層を介して配線を配設することができ、コンデン
サのピンやBGAを配設させることができる。In addition, through-holes enable electrical connection between the front and back sides, wiring can be provided below the capacitor via a build-up layer, and pins and BGA of the capacitor can be provided. Can be.
【0014】請求項4、5では、金属膜を形成したチッ
プコンデンサの電極へめっきによりなるバイアホールで
電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサの
電極は、メタライズからなり表面に凹凸があるが、金属
膜により表面が平滑になり、バイアホールを形成するた
め、電極上に被覆された樹脂に通孔を形成した際に、樹
脂残さが残らず、バイアホールと電極との接続信頼性を
高めることができる。更に、めっきの形成された電極
に、めっきによりバイアホールを形成するため、電極と
バイアホールとの接続性が高く、ヒートサイクル試験を
実施しても、電極とバイアホール間の断線が生じること
がない。According to the fourth and fifth aspects, the electrodes of the chip capacitor on which the metal film is formed are electrically connected to the via holes formed by plating. Here, the electrode of the chip capacitor is made of metallized and has irregularities on the surface, but the surface is smoothed by the metal film and the via hole is formed, so when the through hole is formed in the resin coated on the electrode As a result, no resin residue remains, and the connection reliability between the via hole and the electrode can be improved. Furthermore, since the via hole is formed by plating on the plated electrode, the connectivity between the electrode and the via hole is high, and even if a heat cycle test is performed, disconnection between the electrode and the via hole may occur. Absent.
【0015】コンデンサの電極の金属膜には、銅、ニッ
ケル、貴金属のいずれかの金属が配設されているものが
望ましい。内蔵したコンデンサにスズや亜鉛などの層
は、バイアホールとの接続部におけるマイグレーション
を誘発しやすいからである。It is desirable that the metal film of the electrode of the capacitor is provided with any one of copper, nickel and noble metal. This is because a layer of tin or zinc in the built-in capacitor easily induces migration at a connection portion with the via hole.
【0016】チップコンデンサの表面は粗化処理が施し
てもよい。このため、セラミックから成るチップコンデ
ンサと樹脂からなる接着層、層間樹脂絶縁層との密着性
が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接着
層、層間樹脂絶縁層の剥離が発生することがない。The surface of the chip capacitor may be subjected to a roughening treatment. Therefore, the adhesion between the ceramic chip capacitor, the resin adhesive layer, and the interlayer resin insulating layer is high, and the adhesive layer and the interlayer resin insulating layer may peel off at the interface even when the heat cycle test is performed. There is no.
【0017】請求項6では、チップコンデンサの電極の
被覆層から、少なくとも一部が露出してプリント配線板
に収容し、被覆層から露出した電極に電気的接続を取っ
てある。このとき、被覆層から露出した金属は、主成分
がCuであることが望ましい。接続抵抗を低減すること
ができるからである。According to a sixth aspect of the present invention, at least a part of the electrode of the chip capacitor is exposed and accommodated in the printed wiring board, and the electrode exposed from the coating layer is electrically connected. At this time, the main component of the metal exposed from the coating layer is desirably Cu. This is because the connection resistance can be reduced.
【0018】請求項7では、基板内に収容したコンデン
サに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント
配線板内にコンデンサが収容してあるために、ICチッ
プとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタ
ンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一
方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあ
るので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、
ICチップに大電力を容易に供給することが可能とな
る。According to the present invention, the capacitor is provided on the surface in addition to the capacitor housed in the substrate. Since the capacitor is housed in the printed wiring board, the distance between the IC chip and the capacitor is shortened, the loop inductance is reduced, and power can be supplied instantaneously. Because a capacitor is provided, a large-capacity capacitor can be attached.
Large power can be easily supplied to the IC chip.
【0019】請求項8では、表面のコンデンサの静電容
量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高
周波領域における電源供給の不足がなく、所望のICチ
ップの動作が確保される。According to the present invention, since the capacitance of the capacitor on the surface is equal to or larger than the capacitance of the capacitor in the inner layer, there is no shortage of power supply in a high frequency region, and a desired operation of the IC chip is ensured.
【0020】請求項9では、表面のコンデンサのインダ
クタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上で
あるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、
所望のICチップの動作が確保される。In the ninth aspect, the inductance of the capacitor on the surface is greater than the inductance of the capacitor in the inner layer.
The desired operation of the IC chip is ensured.
【0021】請求項10では、外縁の内側に電極の形成
されたチップコンデンサを用いるため、バイアホールを
経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、アライメン
トの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。According to the tenth aspect, since a chip capacitor having an electrode formed inside the outer edge is used, a large external electrode can be obtained even when conduction is established through a via hole, and the allowable range of alignment is widened. Disappears.
【0022】請求項11では、マトリクス状に電極が形
成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデ
ンサをコア基板に収容することが容易になる。そのた
め、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決
することができる。さらに、種々の熱履歴などを経ても
プリント配線板に反りが発生し難くなる。In the eleventh aspect, since a capacitor having electrodes formed in a matrix is used, it is easy to accommodate a large chip capacitor in the core substrate. Therefore, the capacitance can be increased, so that an electrical problem can be solved. Further, even after various thermal histories, the printed wiring board is less likely to warp.
【0023】請求項12では、コンデンサに多数個取り
用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それに
よって、静電容量を適宜調整することができ、適切にI
Cチップを動作させることができる。In the twelfth aspect, a plurality of chip capacitors for multi-cavity may be connected to the capacitor. As a result, the capacitance can be adjusted appropriately, and I
The C chip can be operated.
【0024】請求項13の発明では、少なくとも以下
(a)〜(c)の工程を備えることを技術的特徴とする
プリント配線板の製造方法にある: (a)コア基板に、凹部を形成する工程; (b)前記凹部の中に複数個のコンデンサを載置する工
程; (c)前記コンデンサ間に、樹脂を充填する工程。According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a printed wiring board, which comprises at least the following steps (a) to (c): (a) forming a recess in a core substrate; (B) placing a plurality of capacitors in the recess; (c) filling a resin between the capacitors.
【0025】請求項13では、コア基板に広く凹部を形
成するため、複数個のコンデンサを確実に、コア基板内
へ配設することが可能となる。さらに、凹部内に複数個
のコンデンサを載置するため、複数個のコンデンサの高
さが揃うので、コア基板を平滑にすることができる。ま
た、凹部が広く形成されているため、コンデンサの位置
決めが正確にできる。よって、コア基板の平滑性が損な
われず、コア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路
を適切に形成することができるので、プリント配線板の
不良品発生率を低下させることができる。また、コンデ
ンサ間に樹脂を充填するため、コンデンサを凹部内で位
置決めして固定することが可能となる。According to the thirteenth aspect, since the concave portion is formed widely in the core substrate, a plurality of capacitors can be reliably disposed in the core substrate. Further, since a plurality of capacitors are placed in the recess, the heights of the plurality of capacitors are uniform, so that the core substrate can be smoothed. Further, since the concave portion is formed widely, the capacitor can be accurately positioned. Accordingly, the smoothness of the core substrate is not impaired, and the interlayer resin insulating layer and the conductive circuit can be appropriately formed on the core substrate, so that the defective product occurrence rate of the printed wiring board can be reduced. In addition, since the resin is filled between the capacitors, the capacitors can be positioned and fixed in the concave portions.
【0026】請求項14の発明では、凹部内の複数個の
コンデンサの上面に圧力を加える、もしくは叩くことに
よりコンデンサの上面の高さを揃えている。それによ
り、凹部内にコンデンサを配設した際に、複数個のコン
デンサの大きさに、ばらつきがあっても高さを揃えるこ
とができ、コア基板を平滑にすることができる。よっ
て、コア基板の平滑性が損なわれず、上層の層間樹脂絶
縁層および導体回路を適切に形成することができるの
で、プリント配線板の不良品発生率を低下させることが
できる。According to the fourteenth aspect of the present invention, the heights of the upper surfaces of the capacitors are made uniform by applying pressure or hitting the upper surfaces of the plurality of capacitors in the recess. Thereby, when the capacitors are provided in the recesses, the heights can be made uniform even if the sizes of the plurality of capacitors vary, and the core substrate can be made smooth. Therefore, the smoothness of the core substrate is not impaired, and the upper interlayer resin insulating layer and the conductive circuit can be appropriately formed, so that the defective product occurrence rate of the printed wiring board can be reduced.
【0027】請求項15の発明では、コンデンサ間の樹
脂層にスルーホールを形成するため、コンデンサを信号
線が通過しないので、高誘電体によるインピーダンス不
連続による反射及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生
しない。また、スルーホールによって表裏の電気的接続
を取ることができ、コンデンサの下部にも、ビルドアッ
プ層を介して配線を配設することができ、コンデンサの
ピンやBGAを配設させることができる。According to the fifteenth aspect, since the signal line does not pass through the capacitor because the through hole is formed in the resin layer between the capacitors, reflection due to impedance discontinuity due to the high dielectric substance and propagation delay due to passage through the high dielectric substance are reduced. Does not occur. Further, through-holes enable electrical connection between the front and back sides, wiring can be provided below the capacitor via a build-up layer, and pins and BGA of the capacitor can be provided.
【0028】請求項16の発明では、少なくとも以下
(a)〜(d)の工程を備えることを技術的特徴とする
プリント配線板の製造方法にある: (a)心材となる樹脂を含有させてなる樹脂材料に通孔
を形成する工程; (b)前記通孔を形成した樹脂材料に、樹脂材料を貼り
付けて、凹部を有するコア基板を形成する工程; (c)前記コア基板に複数個のコンデンサを載置する工
程; (d)前記コンデンサ間の凹部に樹脂を充填する工程。According to a sixteenth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a printed wiring board, which comprises at least the following steps (a) to (d): (a) containing a resin as a core material Forming a through hole in the resin material formed; (b) attaching a resin material to the resin material having the through hole to form a core substrate having a concave portion; (D) a step of filling the concave portions between the capacitors with a resin.
【0029】請求項16では、コア基板に広く凹部を形
成するため、複数個のコンデンサを確実にコア基板内へ
配設することが可能となる。さらに、凹部内に複数個の
コンデンサを載置するため、複数個のコンデンサの高さ
が揃うので、コア基板を平滑にすることができる。ま
た、凹部が広く形成されているため、コンデンサの位置
決めが正確にできる。よって、コア基板の上に層間樹脂
絶縁層および導体回路を適切に形成することができるの
で、プリント配線板の不良品発生率を低下させることが
できる。また、コンデンサ間に樹脂を充填するため、コ
ンデンサを凹部内で位置決めして固定することが可能と
なる。According to the sixteenth aspect, since the concave portion is widely formed in the core substrate, a plurality of capacitors can be securely disposed in the core substrate. Further, since a plurality of capacitors are placed in the recess, the heights of the plurality of capacitors are uniform, so that the core substrate can be smoothed. Further, since the concave portion is formed widely, the capacitor can be accurately positioned. Therefore, since the interlayer resin insulating layer and the conductive circuit can be appropriately formed on the core substrate, the defective product occurrence rate of the printed wiring board can be reduced. In addition, since the resin is filled between the capacitors, the capacitors can be positioned and fixed in the concave portions.
【0030】請求項17の発明では、凹部内の複数個の
コンデンサの上面を上から押す、もしくは叩くことによ
りコンデンサの上面の高さを揃えている。それにより、
凹部内にコンデンサを配設した際に、複数個のコンデン
サの大きさに、ばらつきがあっても高さを揃えることが
できる。よって、平滑性が損なわれず、コア基板の上に
層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形成することが
できるので、プリント配線板の不良品発生率を低下させ
ることができる。According to the seventeenth aspect of the present invention, the heights of the upper surfaces of the capacitors are made uniform by pushing or hitting the upper surfaces of the plurality of capacitors in the concave portion from above. Thereby,
When the capacitors are provided in the recesses, the heights can be made uniform even if the sizes of the plurality of capacitors vary. Therefore, the interlayer resin insulating layer and the conductive circuit can be appropriately formed on the core substrate without impairing the smoothness, and thus the defective product occurrence rate of the printed wiring board can be reduced.
【0031】請求項18の発明では、コンデンサ間の樹
脂層にスルーホールを形成するため、コンデンサを信号
線が通過しないので、高誘電体によるインピーダンス不
連続による反射及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生
しない。また、スルーホールによって表裏の電気的接続
を取ることができ、コンデンサの下部にも、ビルドアッ
プ層を介して配線を配設することができ、コンデンサの
ピンやBGAを配役させることができる。According to the eighteenth aspect of the present invention, since the signal line does not pass through the capacitor because the through hole is formed in the resin layer between the capacitors, reflection due to impedance discontinuity due to the high dielectric substance and propagation delay due to passage through the high dielectric substance are reduced. Does not occur. In addition, through-holes enable electrical connection between the front and back surfaces, wiring can be provided below the capacitor via a build-up layer, and pins and BGA of the capacitor can be used.
【0032】[0032]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。先ず、本発明の第1実施形態に
係るプリント配線板の構成について、図7、図8を参照
して説明する。図7は、プリント配線板10の断面を示
し、図8は、図7に示すプリント配線板10にICチッ
プ90を搭載し、ドータボード94側へ取り付けた状態
を示している。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, the configuration of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 7 shows a cross section of the printed wiring board 10, and FIG. 8 shows a state where the IC chip 90 is mounted on the printed wiring board 10 shown in FIG.
【0033】図7に示すようにプリント配線板10は、
複数個のチップコンデンサ20を収容するコア基板30
と、ビルドアップ配線層80A、80Bとからなる。ビ
ルドアップ配線層80A、ビルドアップ配線層80B
は、層間樹脂絶縁層50、150からなる。層間樹脂絶
縁層50には、バイアホール160および導体回路15
8が形成され、層間樹脂絶縁層150には、バイアホー
ル260および導体回路258が形成されている。層間
樹脂絶縁層150の上には、ソルダーレジスト層70が
配設されている。As shown in FIG. 7, the printed wiring board 10
Core substrate 30 accommodating a plurality of chip capacitors 20
And build-up wiring layers 80A and 80B. Build-up wiring layer 80A, build-up wiring layer 80B
Is composed of interlayer resin insulation layers 50 and 150. In the interlayer resin insulation layer 50, the via hole 160 and the conductor circuit 15
8, via holes 260 and conductive circuits 258 are formed in interlayer resin insulating layer 150. On the interlayer resin insulating layer 150, the solder resist layer 70 is provided.
【0034】チップコンデンサ20は、図17(A)に
示すように第1電極21と第2電極22と、第1、第2
電極に挟まれた誘電体23とから成り、誘電体23に
は、第1電極21側に接続された第1導電膜24と、第
2電極22側に接続された第2導電膜25とが複数枚対
向配置されている。The chip capacitor 20 includes a first electrode 21 and a second electrode 22 as shown in FIG.
A first conductive film 24 connected to the first electrode 21 side and a second conductive film 25 connected to the second electrode 22 side. A plurality of sheets are arranged facing each other.
【0035】図8に示すように上側のビルドアップ配線
層80Aのバイアホール260には、ICチップ90の
パッド92へ接続するための半田バンプ76Uが形成さ
れている。一方、下側のビルドアップ配線層80Bのバ
イアホール260には、ドータボード94のパッド95
へ接続するための半田バンプ76Dが形成されている。
また、コア基板30には、スルーホール46が形成され
ている。As shown in FIG. 8, solder bumps 76U for connection to pads 92 of IC chip 90 are formed in via holes 260 of upper build-up wiring layer 80A. On the other hand, the via holes 260 of the lower build-up wiring layer 80B are provided with the pads 95 of the daughter board 94.
A solder bump 76D for connection to the substrate is formed.
Further, a through hole 46 is formed in the core substrate 30.
【0036】本実施形態のプリント配線板10では、広
く凹部32を形成してあるため、ザグリ加工の精度が低
くても確実に、複数個のチップコンデンサ20を、基板
に配設することが可能となる。凹部32内に密集させて
チップコンデンサ20を配置できるため、コンデンサの
実装密度を高めることができる。また、また、凹部32
内の複数個のチップコンデンサ20の高さが揃っている
ので、後述するようにコア基板上に形成する樹脂層を均
一の厚みにでき、バイアホールの形成が安定する。よっ
て、コア基板30上に層間樹脂絶縁層50、150およ
び導体回路158、258を適切に形成することができ
るので、プリント配線板10の不良品発生率を低下させ
ることができる。In the printed wiring board 10 of the present embodiment, since the concave portion 32 is formed widely, a plurality of chip capacitors 20 can be securely disposed on the substrate even if the precision of the counterboring process is low. Becomes Since the chip capacitors 20 can be arranged densely in the recesses 32, the mounting density of the capacitors can be increased. Also, the recess 32
Since the plurality of chip capacitors 20 have the same height, the resin layer formed on the core substrate can have a uniform thickness as described later, and the formation of via holes is stabilized. Therefore, since the interlayer resin insulating layers 50 and 150 and the conductor circuits 158 and 258 can be appropriately formed on the core substrate 30, the defective product generation rate of the printed wiring board 10 can be reduced.
【0037】コア基板としては、樹脂からなるものを用
いた。例えば、ガラスエポキシ樹脂含浸基材、フェノー
ル樹脂含浸基材などの一般的なプリント配線板で用いら
れる樹脂材料を用いることができる。しかし、コア基板
をセラミックやAINなどの基板を用いることはできな
かった。該基板は外形加工性が悪く、コンデンサを収容
することができないことがあり、樹脂で充填させても空
隙が生じてしまうためである。As the core substrate, a substrate made of resin was used. For example, a resin material used for a general printed wiring board such as a glass epoxy resin-impregnated base material and a phenol resin-impregnated base material can be used. However, a substrate made of ceramic, AIN, or the like cannot be used as the core substrate. This is because the substrate has poor external formability, and may not be able to accommodate a capacitor, and may cause voids even when filled with resin.
【0038】更に、チップコンデンサ20間に樹脂充填
剤36を充填するため、凹部32内の正確な位置に配置
されたチップコンデンサ20を位置決め固定することが
できる。また、コンデンサとバイアホールとの接続部に
おけるマイグレーションを防止できる。ここで、樹脂充
填剤36及びチップコンデンサ20下部の接着材料34
の熱膨張率を、コア基板30及び樹脂絶縁層40よりも
小さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ2
0に近いように設定してある。このため、ヒートサイク
ル試験において、コア基板30及び樹脂絶縁層40とチ
ップコンデンサ20との間に熱膨張率差から内応力が発
生しても、コア基板30及び樹脂絶縁層40にクラッ
ク、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。Further, since the resin filler 36 is filled between the chip capacitors 20, the chip capacitors 20 arranged at accurate positions in the concave portions 32 can be positioned and fixed. Further, migration at the connection between the capacitor and the via hole can be prevented. Here, the resin filler 36 and the adhesive material 34 under the chip capacitor 20 are used.
Is smaller than that of the core substrate 30 and the resin insulating layer 40, that is, the chip capacitor 2 made of ceramic.
It is set to be close to 0. For this reason, in the heat cycle test, even if internal stress is generated due to a difference in thermal expansion coefficient between the core substrate 30 and the resin insulating layer 40 and the chip capacitor 20, cracks, peeling, etc. And high reliability can be achieved.
【0039】また、チップコンデンサ20間の樹脂層3
6に、スルーホール46を形成してあるため、セラミッ
クから成るチップコンデンサ20を信号線が通過しない
ので、高誘電体によるインピーダンス不連続による反射
及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。コンデ
ンサの下部にも配線を施せるので、配線、ピンなどの外
部端子の自由度も増し、高密度化、小型化される。The resin layer 3 between the chip capacitors 20
6, since the signal line does not pass through the chip capacitor 20 made of ceramic because the through hole 46 is formed, reflection due to impedance discontinuity due to the high dielectric substance and propagation delay due to passage through the high dielectric substance do not occur. Since wiring can also be provided under the capacitor, the degree of freedom of wiring, external terminals such as pins is increased, and the density and size are reduced.
【0040】チップコンデンサ20は、図17(A)に
示すように第1電極21及び第2電極22を構成する金
属層26の表面に銅めっき膜29を被覆してある。めっ
き膜の被覆は、電解めっき、無電解めっきなどのめっき
で形成されている。そして、図7に示すように銅めっき
膜29を被覆した第1、第2電極21,22に銅めっき
よりなるバイアホール60で電気的接続を取ってある。
ここで、チップコンデンサの電極21,22は、メタラ
イズからなり表面に凹凸がある。このため、金属層26
を剥き出した状態で用いると、後述する樹脂絶縁層40
に開口48を穿設する工程において、該凹凸に樹脂が残
ることがある。この際には、当該樹脂残さにより第1、
第2電極21,22とバイアホール60との接続不良が
発生することがある。これに対して、本実施形態では、
銅めっき膜29によって第1、第2電極21,22の表
面が平滑になり、電極上に被覆された樹脂絶縁層40に
開口48を穿設した際に、樹脂残さが残らず、バイアホ
ール60を形成した際の電極21,22との接続信頼性
を高めることができる。As shown in FIG. 17A, the surface of the metal layer 26 constituting the first electrode 21 and the second electrode 22 of the chip capacitor 20 is coated with a copper plating film 29. The coating of the plating film is formed by plating such as electrolytic plating and electroless plating. As shown in FIG. 7, the first and second electrodes 21 and 22 covered with the copper plating film 29 are electrically connected to each other through via holes 60 made of copper plating.
Here, the electrodes 21 and 22 of the chip capacitor are made of metallized and have irregularities on the surface. Therefore, the metal layer 26
If used in a state where the resin insulating layer 40 is exposed,
In the step of forming the opening 48 in the opening, resin may remain on the unevenness. In this case, the first,
Poor connection between the second electrodes 21 and 22 and the via holes 60 may occur. In contrast, in the present embodiment,
The surfaces of the first and second electrodes 21 and 22 are smoothed by the copper plating film 29, and when the opening 48 is formed in the resin insulating layer 40 coated on the electrodes, no resin residue remains and the via hole 60 is formed. Can improve the connection reliability with the electrodes 21 and 22 at the time of formation.
【0041】更に、銅めっき膜29の形成された電極2
1、22に、めっきによりバイアホール60を形成する
ため、電極21、22とバイアホール60との接続性が
高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極21、2
2とバイアホール60との間で断線が生じることがな
い。Further, the electrode 2 on which the copper plating film 29 is formed
Since the via holes 60 are formed by plating on the first and second electrodes 22, the connectivity between the electrodes 21 and 22 and the via holes 60 is high.
No disconnection occurs between the via hole 60 and the via hole 60.
【0042】なお、上記銅めっき膜29は、チップコン
デンサの製造段階で金属層26の表面に被覆されたニッ
ケル/スズ層を、プリント配線板への搭載の段階で剥離
してから設ける。この代わりに、チップコンデンサ20
の製造段階で、金属層26の上に直接銅めっき膜29を
被覆することも可能である。即ち、本実施形態では、レ
ーザにて電極の銅めっき膜29へ至る開口を設けた後、
デスミヤ処理等を行い、バイアホールを銅めっきにより
形成する。従って、銅めっき膜29の表面に酸化膜が形
成されていても、上記レーザ及びデスミヤ処理で酸化膜
を除去できるため、適正に接続を取ることができる。The copper plating film 29 is provided after the nickel / tin layer coated on the surface of the metal layer 26 at the stage of manufacturing the chip capacitor is peeled off at the stage of mounting on the printed wiring board. Instead, the chip capacitor 20
It is also possible to cover the metal layer 26 with the copper plating film 29 directly at the manufacturing stage of the above. That is, in the present embodiment, after the laser is provided with an opening to the copper plating film 29 of the electrode,
Desmear processing is performed, and via holes are formed by copper plating. Therefore, even if an oxide film is formed on the surface of the copper plating film 29, the oxide film can be removed by the laser and desmear treatments, so that proper connection can be established.
【0043】また、図17(B)に示すようにチップコ
ンデンサ20の第1電極21、第2電極22の被覆層2
8から、上部を露出させてプリント配線板に収容し、被
覆層28から露出した第1電極21、第2電極22に電
気的接続を取ることもできる。このとき、被覆層28か
ら露出した金属は、主成分がCuであることが望まし
い。接続抵抗を低減することができるからである。As shown in FIG. 17B, the coating layer 2 of the first electrode 21 and the second electrode 22 of the chip capacitor 20 is formed.
From 8, the upper part can be exposed and housed in a printed wiring board, and can be electrically connected to the first electrode 21 and the second electrode 22 exposed from the covering layer 28. At this time, the main component of the metal exposed from the coating layer 28 is desirably Cu. This is because the connection resistance can be reduced.
【0044】更に、チップコンデンサ20のセラミック
から成る誘電体23の表面には粗化層23aが設けられ
てもよい。このため、セラミックから成るチップコンデ
ンサ20と樹脂からなる樹脂絶縁層40との密着性が高
く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での樹脂絶縁
層40の剥離が発生することがない。この粗化層23a
は、焼成後に、チップコンデンサ20の表面を研磨する
ことにより、また、焼成前に、粗化処理を施すことによ
り形成できる。なお、本実施形態では、コンデンサの表
面に粗化処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、この
代わりに、コンデンサの表面にシランカップリング処理
を施すことも可能である。Further, a roughened layer 23a may be provided on the surface of the dielectric 23 made of ceramic of the chip capacitor 20. For this reason, the adhesion between the chip capacitor 20 made of ceramic and the resin insulating layer 40 made of resin is high, and the resin insulating layer 40 does not peel off at the interface even when the heat cycle test is performed. This roughened layer 23a
Can be formed by polishing the surface of the chip capacitor 20 after firing, and by performing a roughening process before firing. In the present embodiment, the surface of the capacitor is subjected to a roughening treatment to improve the adhesiveness with the resin, but instead, the surface of the capacitor may be subjected to a silane coupling treatment.
【0045】引き続き、図7を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図1〜図7を参照して説
明する。Subsequently, a method of manufacturing the printed wiring board described above with reference to FIG. 7 will be described with reference to FIGS.
【0046】(1)先ず、絶縁樹脂基板からなるコア基
板30を出発材料とする(図1(A)参照)。次に、コ
ア基板30の片面に、ザグリ加工でコンデンサ配設用の
凹部32を形成する(図1(B)参照)。このとき、凹
部32は複数個のコンデンサを配設できるエリアより
も、広く大きく形成する。これにより、複数個のコンデ
ンサをコア基板30に、確実に配設することができる。(1) First, a core substrate 30 made of an insulating resin substrate is used as a starting material (see FIG. 1A). Next, a concave portion 32 for disposing a capacitor is formed on one surface of the core substrate 30 by counterbore processing (see FIG. 1B). At this time, the recess 32 is formed to be wider and larger than an area where a plurality of capacitors can be arranged. Thereby, a plurality of capacitors can be securely arranged on the core substrate 30.
【0047】(2)その後、凹部32に、印刷機を用い
て接着材料34を塗布する(図1(C)参照)。このと
き、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。接
着材料34は、熱膨張率がコア基板30及び樹脂絶縁層
40よりも小さなものを用いる。次に、凹部32に複数
個のセラミックから成るチップコンデンサ20(図17
参照)を接着材料34上に載置する(図1(D)参
照)。ここで、後述するように底部が平滑な凹部32に
複数個のチップコンデンサ20を配設することにより、
複数個のチップコンデンサ20の高さが揃うため、コア
基板30を平滑にすることができる。また、凹部32は
広く形成されているため、チップコンデンサ20の位置
決めが正確にでき、また、高密度で配置することができ
る。(2) Thereafter, an adhesive material 34 is applied to the recess 32 using a printing machine (see FIG. 1C). At this time, potting may be performed in addition to the application. The adhesive material 34 has a smaller coefficient of thermal expansion than the core substrate 30 and the resin insulating layer 40. Next, a plurality of ceramic chip capacitors 20 (FIG.
Is mounted on the adhesive material 34 (see FIG. 1D). Here, as described later, by disposing a plurality of chip capacitors 20 in the recess 32 having a smooth bottom,
Since the plurality of chip capacitors 20 have the same height, the core substrate 30 can be smoothed. In addition, since the concave portion 32 is formed widely, the chip capacitor 20 can be accurately positioned and can be arranged at a high density.
【0048】(3)そして、複数個のチップコンデンサ
20の上面が同じ高さになるように、チップコンデンサ
20の上面を押す、もしくは叩いて高さを揃える(図2
(A)参照)。この工程により、凹部32内に複数個の
チップコンデンサ20を配設した際に、複数個のチップ
コンデンサ20の大きさにばらつきがあっても、高さを
完全に揃えることができ、コア基板30を平滑にするこ
とができる。(3) Then, the upper surfaces of the chip capacitors 20 are pressed or hit so that the upper surfaces of the plurality of chip capacitors 20 have the same height, and the heights are made uniform (FIG. 2).
(A)). By this step, when a plurality of chip capacitors 20 are arranged in the recess 32, even if the sizes of the plurality of chip capacitors 20 vary, the heights can be completely made uniform, and the core substrate 30 Can be smoothed.
【0049】(4)その後、凹部32内のチップコンデ
ンサ20間に、熱硬化性樹脂を充填し、加熱硬化して樹
脂層36を形成する(図2(B)参照)。このとき、熱
硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ポリイミ
ド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部32内の
チップコンデンサ20を固定することができる。樹脂層
36は、熱膨張率がコア基板30及び樹脂絶縁層40よ
りも小さなものを用いる。(4) After that, a thermosetting resin is filled between the chip capacitors 20 in the concave portions 32, and heat-cured to form a resin layer 36 (see FIG. 2B). At this time, as the thermosetting resin, epoxy, phenol, polyimide, and triazine are preferable. Thus, the chip capacitor 20 in the recess 32 can be fixed. The resin layer 36 has a smaller coefficient of thermal expansion than the core substrate 30 and the resin insulating layer 40.
【0050】それ以外にも熱可塑性樹脂などの樹脂を用
いてもよい。また、樹脂中に熱膨脹率を整合させるため
に、フィラーを含浸させてもよい。そのフィラーの例と
しては、無機フィラー、セラミックフィラー、金属フィ
ラーなどがある。In addition, a resin such as a thermoplastic resin may be used. In addition, a filler may be impregnated in the resin in order to match the coefficient of thermal expansion. Examples of the filler include an inorganic filler, a ceramic filler, and a metal filler.
【0051】(5)さらに、その上から後述するエポキ
シ系樹脂からなる樹脂を印刷機を用いて塗布し樹脂絶縁
層40を形成する(図2(C)参照)。なお、樹脂を塗
布する代わりに、樹脂フィルムを貼り付けてもよい。(5) Further, a resin made of an epoxy resin to be described later is applied from above using a printing machine to form a resin insulating layer 40 (see FIG. 2C). Note that a resin film may be attached instead of applying the resin.
【0052】それ以外には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹
脂、感光性樹脂熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体、
感光性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体などの樹脂を1種以
上用いることができる。それらを2層構成にしてもよ
い。Other than the above, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, a photosensitive resin, a composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin,
One or more resins such as a composite of a photosensitive resin and a thermoplastic resin can be used. They may have a two-layer structure.
【0053】(6)次に、レーザにより樹脂絶縁層40
にバイアホール用開口48を形成する(図2(D)参
照)。その後、デスミヤ処理を行う。レーザの代わりに
露光・現像処理を用いることもできる。そして、樹脂層
36にドリルまたはレーザにより、スルーホール用の通
孔46aを形成し、加熱硬化する(図3(A)参照)。
過マンガン酸などの薬液やプラズマ処理によるデスミヤ
処理を行ってもよい。(6) Next, the resin insulating layer 40 is formed by laser.
Then, a via hole opening 48 is formed (see FIG. 2D). After that, desmear processing is performed. Exposure and development processing can be used instead of laser. Then, a through hole 46a for a through hole is formed in the resin layer 36 by a drill or a laser, and is cured by heating (see FIG. 3A).
Desmear treatment by a chemical solution such as permanganate or plasma treatment may be performed.
【0054】(7)その後、無電解銅めっきにより、銅
めっき膜52を樹脂絶縁層40の表面に形成する(図3
(B)参照)。無電解めっきの代わりに、Ni−Cu合
金をターゲットにしたスパッタリングを行い、Ni−C
u合金層を設けることもでき、場合によってはスパッタ
で形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよい。(7) Thereafter, a copper plating film 52 is formed on the surface of the resin insulating layer 40 by electroless copper plating (FIG. 3).
(B)). Instead of electroless plating, sputtering using a Ni-Cu alloy as a target is performed, and Ni-C
A u-alloy layer may be provided, and in some cases, an electroless plating film may be formed after being formed by sputtering.
【0055】(8)次に、銅めっき膜52の表面に感光
性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置して、露光
・現像処理し、所定パターンのレジスト54を形成す
る。そして、電解めっき液にコア基板30を浸漬し、銅
めっき膜52を介して電流を流し電解めっき膜56を析
出させる(図3(C)参照)。(8) Next, a photosensitive dry film is stuck on the surface of the copper plating film 52, a mask is placed, exposure and development are performed, and a resist 54 having a predetermined pattern is formed. Then, the core substrate 30 is immersed in the electrolytic plating solution, and a current is passed through the copper plating film 52 to deposit the electrolytic plating film 56 (see FIG. 3C).
【0056】(9)ついで、めっきレジスト54を5%
NaOHで剥離除去した後、そのめっきレジスト54下
の銅めっき膜52を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチ
ング処理して溶解除去し、銅めっき膜52と電解銅めっ
き膜56からなる導体回路58(バイアホール60を含
む)及びスルーホール46を形成する。ここで、スルー
ホール46を形成することにより、チップコンデンサ2
0を信号線が通過しないので、高誘電体によるインピー
ダンス不連続による反射及び高誘電体通過による伝搬遅
延が発生しなくなる。次に、基板の両面にエッチング液
をスプレイで吹きつけ、導体回路58の表面とスルーホ
ール46のランド表面とをエッチングすることにより、
導体回路58の全表面に粗化面58αを形成する(図3
(D)参照)。(9) Next, 5% of plating resist 54
After stripping and removing with NaOH, the copper plating film 52 under the plating resist 54 is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and a conductor circuit 58 including the copper plating film 52 and the electrolytic copper plating film 56 is formed. (Including via holes 60) and through holes 46 are formed. Here, by forming the through hole 46, the chip capacitor 2 is formed.
Since the signal line does not pass through 0, reflection due to impedance discontinuity due to the high dielectric substance and propagation delay due to passage through the high dielectric substance do not occur. Next, by spraying an etchant on both surfaces of the substrate by spraying, and etching the surface of the conductor circuit 58 and the land surface of the through hole 46,
A roughened surface 58α is formed on the entire surface of the conductor circuit 58 (FIG. 3)
(D)).
【0057】(10)その後、スルーホール46内にエ
ポキシ系樹脂を主成分とする樹脂充填剤62を充填し
て、乾燥する(図4(A)参照)。熱硬化性樹脂、熱可
塑性樹脂、紫外硬化性樹脂などを用いることができる。
その中でも熱硬化性樹脂を用いることが望ましい。スル
ーホール内の充填する際、取り扱い易いからである。(10) Thereafter, a resin filler 62 containing an epoxy resin as a main component is filled in the through hole 46 and dried (see FIG. 4A). A thermosetting resin, a thermoplastic resin, an ultraviolet curable resin, or the like can be used.
Among them, it is desirable to use a thermosetting resin. This is because when filling the through holes, it is easy to handle.
【0058】(11)上記工程を経た基板の両面に、厚
さ50μmの熱硬化型エポキシ系樹脂シートを温度50
〜150℃まで昇温しながら圧力5kg/cm2で真空
圧着ラミネートし、エポキシ系樹脂からなる層間樹脂絶
縁層50を設ける(図4(B)参照)。真空圧着時の真
空度は、10mmHgである。エポキシ系樹脂の代わり
にオレフィン系樹脂を用いることもできる。(11) A thermosetting epoxy resin sheet having a thickness of 50 μm is placed on both sides of the substrate having undergone the above steps at a temperature of 50 μm.
Vacuum compression bonding is performed at a pressure of 5 kg / cm 2 while the temperature is raised to 150 ° C. to provide an interlayer resin insulating layer 50 made of an epoxy resin (see FIG. 4B). The degree of vacuum during vacuum compression is 10 mmHg. An olefin resin may be used instead of the epoxy resin.
【0059】(12)次に、波長10.4μmのCO2
ガスレーザにて、ビーム径5mm、トップハットモー
ド、パルス幅5.0μ秒、マスクの穴径0.5mm、3
ショットの条件で、層間樹脂絶縁層50に直径80μm
のバイアホール用開口148を設ける(図4(C)参
照)。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行
う。(12) Next, CO 2 having a wavelength of 10.4 μm is used.
Using a gas laser, beam diameter 5 mm, top hat mode, pulse width 5.0 μsec, mask hole diameter 0.5 mm,
Under the conditions of the shot, the interlayer resin insulating layer 50 has a diameter of 80 μm.
(See FIG. 4C). Thereafter, desmear treatment is performed using oxygen plasma.
【0060】(13)次に、日本真空技術株式会社製の
SV―4540を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂
絶縁層50の表面を粗化し、粗化面50αを形成する
(図4(D)参照)。この際、不活性ガスとしてはアル
ゴンガスを使用し、電力200W、ガス圧0.6Pa、
温度70℃の条件で、2分間プラズマ処理を実施する。
酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。ま
た、粗化層は、0.1〜5μmが望ましい。(13) Next, plasma treatment is performed using SV-4540 manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd. to roughen the surface of the interlayer resin insulation layer 50 to form a roughened surface 50α (FIG. 4D )reference). At this time, argon gas was used as the inert gas, electric power 200 W, gas pressure 0.6 Pa,
Plasma treatment is performed at a temperature of 70 ° C. for 2 minutes.
Roughening treatment may be performed with an acid or an oxidizing agent. Further, the thickness of the roughened layer is desirably 0.1 to 5 μm.
【0061】(14)次に、同じ装置を用い、内部のア
ルゴンガスを交換した後、Ni−Cu合金をターゲット
にしたスパッタリングを、気圧0.6Pa、温度80
℃、電力200W、時間5分間の条件で行い、Ni−C
u合金152を層間樹脂絶縁層50の表面に形成する。
このとき、形成されたNi−Cu合金層152の厚さは
0.2μmである(図5(A)参照)。(14) Next, after replacing the argon gas inside using the same apparatus, sputtering using a Ni—Cu alloy as a target was performed at a pressure of 0.6 Pa and a temperature of 80 Pa.
Temperature, power 200W, time 5 minutes, Ni-C
The u alloy 152 is formed on the surface of the interlayer resin insulation layer 50.
At this time, the thickness of the formed Ni—Cu alloy layer 152 is 0.2 μm (see FIG. 5A).
【0062】(15)上記処理を終えた基板30の両面
に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマ
スクフィルムを載置して、100mJ/cm2で露光し
た後、0.8%炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15
μmのめっきレジスト154を設ける。次に、以下の条
件で電解めっきを施して、厚さ15μmの電解めっき膜
156を形成する(図5(B)参照)。なお、この電解
めっき膜156により、後述する工程で導体回路158
となる部分の厚付けおよびバイアホール160となる部
分のめっき充填等が行われたことになる。なお、電解め
っき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカ
パラシドHLである。(15) A commercially available photosensitive dry film is stuck on both surfaces of the substrate 30 after the above-mentioned processing, a photomask film is placed, and exposure is performed at 100 mJ / cm 2. Develop with sodium, thickness 15
A μm plating resist 154 is provided. Next, electrolytic plating is performed under the following conditions to form an electrolytic plated film 156 having a thickness of 15 μm (see FIG. 5B). The electrolytic plating film 156 allows the conductor circuit 158 to be formed in a process described later.
That is, thickening of the portion to be formed and plating filling of the portion to be the via hole 160 are performed. The additive in the electrolytic plating aqueous solution is Capparaside HL manufactured by Atotech Japan.
【0063】〔電解めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤(アトテックジャパン製、カパラシドHL) 19.5 ml/l〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm2 時間 65分 温度 22±2℃[Electroplating aqueous solution] Sulfuric acid 2.24 mol / l Copper sulfate 0.26 mol / l Additive (Capparaside HL, manufactured by Atotech Japan) 19.5 ml / l [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 Time 65 minutes Temperature 22 ± 2 ℃
【0064】(16)めっきレジスト154を5%Na
OHで剥離除去した後、そのめっきレジスト下のNi−
Cu合金層152を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合
液を用いるエッチングにて溶解除去し、Ni−Cu合金
層152と電解めっき膜156からなる厚さ16μmの
導体回路158及びバイアホール160を形成する(図
5(C)参照)。(16) The plating resist 154 is made of 5% Na
After stripping off with OH, the Ni-
The Cu alloy layer 152 is dissolved and removed by etching using a mixed solution of nitric acid, sulfuric acid and hydrogen peroxide to form a 16 μm-thick conductor circuit 158 and a via hole 160 composed of the Ni—Cu alloy layer 152 and the electrolytic plating film 156. (See FIG. 5C).
【0065】(17)次いで、上記(11)〜(16)
の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂
絶縁層150及び導体回路258(バイアホール260
を含む)を形成する(図5(D)参照)。(17) Next, the above (11) to (16)
Is repeated to form a further upper interlayer resin insulation layer 150 and conductive circuit 258 (via hole 260
(See FIG. 5D).
【0066】(18)次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー(分子量4000)46.67
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%の
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、商
品名:エピコート1001)15重量部、イミダゾール
硬化剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−CN)
1.6重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー(共栄化学社製、商品名:R604)3重量部、
同じく多価アクリルモノマー(共栄化学社製、商品名:
DPE6A)1.5重量部、分散系消泡剤(サンノプコ
社製、商品名:S−65)0.71重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成
物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン(関東化
学社製)2.0重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン(関東化学社製)0.2重量部を加えて、粘度を25
℃で2.0Pa・sに調整したソルダーレジスト組成物
(有機樹脂絶縁材料)を得る。なお、粘度測定は、B型
粘度計(東京計器社製、DVL−B型)で60rpmの
場合はローターNo.4、6rpmの場合はローターNo.3
によった。(18) Next, a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) so as to have a concentration of 60% by weight was used. Oligomer for imparting properties (molecular weight 4000) 46.67
15 parts by weight, 80 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin dissolved in methyl ethyl ketone (trade name: Epicoat 1001 manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.), imidazole curing agent (trade name: 2E4MZ-CN manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.)
1.6 parts by weight, 3 parts by weight of a polyfunctional acrylic monomer (manufactured by Kyoei Chemical Co., trade name: R604) as a photosensitive monomer,
Also polyvalent acrylic monomer (Kyoei Chemical Co., Ltd., trade name:
1.5 parts by weight of DPE6A) and 0.71 part by weight of a dispersant antifoaming agent (manufactured by San Nopco, trade name: S-65) are placed in a container, stirred and mixed to prepare a mixed composition. Of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) and 0.2 parts by weight of Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photosensitizer were added to give a viscosity of 25.
A solder resist composition (organic resin insulating material) adjusted to 2.0 Pa · s at ° C is obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (DVL-B type, manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.) at 60 rpm and rotor No. 4 at 6 rpm.
According to
【0067】(19)次に、基板30の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布し、70
℃で20分間、70℃で30分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが
描画された厚さ5mmのフォトマスクをソルダーレジス
ト層70に密着させて1000mJ/cm2の紫外線で
露光し、DMTG溶液で現像処理し、200μmの直径
の開口71U、71Dを形成する(図6(A)参照)。
また、LPSRなどの市販のソルダーレジストを用いて
もよい。(19) Next, the solder resist composition is applied on both surfaces of the substrate 30 to a thickness of 20 μm.
After performing a drying process at 20 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, a 5 mm-thick photomask on which a pattern of the solder resist resist opening is drawn is brought into close contact with the solder resist layer 70 to have a thickness of 1000 mJ / cm 2. Exposure with ultraviolet light and development processing with a DMTG solution are performed to form openings 71U and 71D having a diameter of 200 μm (see FIG. 6A).
Further, a commercially available solder resist such as LPSR may be used.
【0068】(20)次に、ソルダーレジスト層(有機
樹脂絶縁層)70を形成した基板を、塩化ニッケル
(2.3×10-1mol/l)、次亞リン酸ナトリウム
(2.8×10-1mol/l)、クエン酸ナトリウム
(1.6×10-1mol/l)を含むpH=4.5の無
電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口部71
U、71Dに厚さ5μmのニッケルめっき層72を形成
する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム(7.
6×10-3mol/l)、塩化アンモニウム(1.9×
10-1mol/l)、クエン酸ナトリウム(1.2×1
0-1mol/l)、次亜リン酸ナトリウム(1.7×1
0-1mol/l)を含む無電解めっき液に80℃の条件
で7.5分間浸漬して、ニッケルめっき層72上に厚さ
0.03μmの金めっき層74を形成することで、バイ
アホール260及び導体回路258に半田パッド75を
形成する(図6(B)参照)。(20) Next, the substrate on which the solder resist layer (organic resin insulating layer) 70 was formed was replaced with nickel chloride (2.3 × 10 -1 mol / l) and sodium hypophosphite (2.8 × 10 -1 mol / l). 10 -1 mol / l) and an electroless nickel plating solution having a pH of 4.5 containing sodium citrate (1.6 × 10 -1 mol / l) for 20 minutes.
A nickel plating layer 72 having a thickness of 5 μm is formed on U and 71D. Further, the substrate was coated with potassium potassium cyanide (7.
6 × 10 −3 mol / l), ammonium chloride (1.9 × 10 −3 mol / l)
10 -1 mol / l), sodium citrate (1.2 × 1
0 -1 mol / l), sodium hypophosphite (1.7 × 1
( 0.1 mol / l) at 80 ° C. for 7.5 minutes to form a gold plating layer 74 having a thickness of 0.03 μm on the nickel plating layer 72. The solder pads 75 are formed in the holes 260 and the conductor circuits 258 (see FIG. 6B).
【0069】(21)この後、ソルダーレジスト層70
の開口部71U、71Dに、はんだペーストを印刷し
て、200℃でリフローすることにより、はんだバンプ
(半田体)76U、76Dを形成する。これにより、半
田バンプ76U、76Dを有するプリント配線板10を
得ることができる(図7参照)。(21) Thereafter, the solder resist layer 70
The solder bumps (solder bodies) 76U and 76D are formed by printing a solder paste on the openings 71U and 71D of the solder paste and performing reflow at 200 ° C. Thereby, the printed wiring board 10 having the solder bumps 76U and 76D can be obtained (see FIG. 7).
【0070】次に、上述した工程で完成したプリント配
線板10へのICチップの載置および、ドータボードへ
の取り付けについて、図8を参照して説明する。完成し
たプリント配線板10の半田バンプ76UにICチップ
90の半田パッド92が対応するように、ICチップ9
0を載置し、リフローを行うことでICチップ90の取
り付けを行う。同様に、プリント配線板10の半田バン
プ76Dにドータボード94のパッド95が対応するよ
うに、リフローすることで、ドータボード94へプリン
ト配線板10を取り付ける。Next, mounting of the IC chip on the printed wiring board 10 completed in the above-described steps and mounting on the daughter board will be described with reference to FIG. The IC chip 9 is placed so that the solder pads 92 of the IC chip 90 correspond to the solder bumps 76U of the completed printed wiring board 10.
The IC chip 90 is mounted by placing the “0” and performing reflow. Similarly, the printed wiring board 10 is attached to the daughter board 94 by reflowing so that the pads 95 of the daughter board 94 correspond to the solder bumps 76D of the printed wiring board 10.
【0071】上述した樹脂フィルムには、難溶性樹脂、
可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。
それぞれについて以下に説明する。The above-mentioned resin film includes a hardly soluble resin,
Contains soluble particles, hardeners and other components.
Each is described below.
【0072】本発明の製造方法において使用する樹脂フ
ィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子(以下、可溶
性粒子という)が酸または酸化剤に難溶性の樹脂(以
下、難溶性樹脂という)中に分散したものである。な
お、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語
は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬
した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可
溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上
「難溶性」と呼ぶ。The resin film used in the production method of the present invention comprises particles soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter referred to as “soluble particles”) in a resin which is hardly soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter referred to as a “slightly soluble resin”). It is dispersed. The terms “sparingly soluble” and “soluble” as used in the present invention, when immersed in a solution containing the same acid or oxidizing agent for the same time, have a relatively high dissolution rate and are called “soluble” for convenience. Those having a relatively low dissolution rate are referred to as "poorly soluble" for convenience.
【0073】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子(以下、可溶性樹脂粒
子)、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子(以下、可溶
性無機粒子)、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子(以
下、可溶性金属粒子)等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、2種以上併用してもよ
い。Examples of the soluble particles include resin particles soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter referred to as “soluble resin particles”), inorganic particles soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter referred to as “soluble inorganic particles”), and an acid or an oxidizing agent. Soluble metal particles (hereinafter referred to as “soluble metal particles”) and the like. These soluble particles may be used alone or in combination of two or more.
【0074】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。The shape of the soluble particles is not particularly limited.
Spherical, crushed and the like. The shape of the soluble particles is desirably a uniform shape. This is because a roughened surface having unevenness with a uniform roughness can be formed.
【0075】上記可溶性粒子の平均粒径としては、0.
1〜10μmが望ましい。この粒径の範囲であれば、2
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が0.1〜0.5μmの可溶性粒子と平均
粒径が1〜3μmの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。The average particle size of the above-mentioned soluble particles is 0.1.
1 to 10 μm is desirable. Within this particle size range, 2
More than one kind of particles having different particle sizes may be contained. That is, it contains soluble particles having an average particle size of 0.1 to 0.5 μm and soluble particles having an average particle size of 1 to 3 μm.
Thereby, a more complicated roughened surface can be formed,
Excellent adhesion to conductor circuits. In the present invention, the particle size of the soluble particles is the length of the longest portion of the soluble particles.
【0076】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、2種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。Examples of the soluble resin particles include those made of a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and the like. When immersed in a solution containing an acid or an oxidizing agent, the soluble resin particles have a higher dissolution rate than the hardly soluble resin. If it is, there is no particular limitation. Specific examples of the soluble resin particles include, for example, those made of epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, polyphenylene resin, polyolefin resin, fluororesin, and the like, and may be made of one of these resins. Alternatively, it may be composed of a mixture of two or more resins.
【0077】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、(メタ)アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した(メ
タ)アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。Further, as the soluble resin particles, resin particles made of rubber can be used. Examples of the rubber include polybutadiene rubber, various modified polybutadiene rubbers such as epoxy-modified, urethane-modified, (meth) acrylonitrile-modified, and (meth) acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group. By using these rubbers, the soluble resin particles are easily dissolved in an acid or an oxidizing agent. In other words, when dissolving the soluble resin particles using an acid, an acid other than a strong acid can be dissolved, and when dissolving the soluble resin particles using an oxidizing agent, permanganese having a relatively weak oxidizing power is used. Acid salts can also be dissolved. Even when chromic acid is used, it can be dissolved at a low concentration. Therefore, the acid or the oxidizing agent does not remain on the resin surface, and as described later, when a catalyst such as palladium chloride is applied after forming the roughened surface, the catalyst is not applied or the catalyst is oxidized. Or not.
【0078】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。The above-mentioned soluble inorganic particles include, for example, particles composed of at least one selected from the group consisting of aluminum compounds, calcium compounds, potassium compounds, magnesium compounds and silicon compounds.
【0079】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、2種以上併用してもよい。Examples of the aluminum compound include alumina and aluminum hydroxide. Examples of the calcium compound include calcium carbonate and
Examples of the potassium compound include potassium carbonate.Examples of the magnesium compound include magnesia, dolomite, and basic magnesium carbonate.Examples of the silicon compound include silica and zeolite. Is mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.
【0080】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。The soluble metal particles include, for example,
Copper, nickel, iron, zinc, lead, gold, silver, aluminum,
Examples include particles made of at least one selected from the group consisting of magnesium, calcium, and silicon. These soluble metal particles may have a surface layer coated with a resin or the like in order to ensure insulation.
【0081】上記可溶性粒子を、2種以上混合して用い
る場合、混合する2種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。When two or more of the above-mentioned soluble particles are used in combination, the combination of the two types of soluble particles to be mixed is preferably a combination of resin particles and inorganic particles. Both have low conductivity, so that the insulation of the resin film can be ensured, and thermal expansion can be easily adjusted with the poorly soluble resin, and no crack occurs in the interlayer resin insulation layer made of the resin film. This is because peeling does not occur between the interlayer resin insulating layer and the conductor circuit.
【0082】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイア
ホール用開口を形成することできる。これらのなかで
は、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それ
により、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗
化面の形状を保持することができるからである。The hardly soluble resin is not particularly limited as long as it can maintain the shape of the roughened surface when the roughened surface is formed by using an acid or an oxidizing agent in the interlayer resin insulating layer. Examples thereof include thermosetting resins, thermoplastic resins, and composites thereof. Further, a photosensitive resin obtained by imparting photosensitivity to these resins may be used. By using a photosensitive resin, an opening for a via hole can be formed in an interlayer resin insulating layer by using exposure and development processes. Among these, those containing a thermosetting resin are desirable. Thereby, the shape of the roughened surface can be maintained even by the plating solution or various heat treatments.
【0083】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂
等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよい
し、2種以上を併用してもよい。さらには、1分子中
に、2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより
望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかり
でなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条
件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属
層の剥離などが起きにくいからである。Specific examples of the hardly soluble resin include, for example, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin,
Examples thereof include polyphenylene resin, polyolefin resin, and fluorine resin. These resins may be used alone or in combination of two or more. Further, an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more desirable. Not only can the above-described roughened surface be formed, but also excellent in heat resistance, etc., even under heat cycle conditions, stress concentration does not occur in the metal layer, and peeling of the metal layer does not easily occur. Because.
【0084】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールF型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。Examples of the epoxy resin include cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, alkylphenol novolak type epoxy resin, biphenol F type epoxy resin, and naphthalene type epoxy resin. Resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, epoxidized product of condensate of phenols and aromatic aldehyde having phenolic hydroxyl group,
Triglycidyl isocyanurate, alicyclic epoxy resin and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Thereby, it becomes excellent in heat resistance and the like.
【0085】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホー
ルやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体
回路の金属層の密着性を確保することができるからであ
る。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を
含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、
樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされ
ることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間
の絶縁性が確実に保たれる。In the resin film used in the present invention, it is desirable that the soluble particles are substantially uniformly dispersed in the hardly-soluble resin. It is possible to form a roughened surface with unevenness of uniform roughness, and even if via holes and through holes are formed in the resin film, it is possible to secure the adhesion of the metal layer of the conductor circuit formed thereon. Because you can. Alternatively, a resin film containing soluble particles only in the surface layer forming the roughened surface may be used. Thereby,
Since the portions other than the surface layer of the resin film are not exposed to the acid or the oxidizing agent, the insulation between the conductor circuits via the interlayer resin insulating layer is reliably maintained.
【0086】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、3〜40重量%が望ましい。可溶性粒子の配合
量が3重量%未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、40重量%を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。In the above resin film, the amount of the soluble particles dispersed in the poorly soluble resin is desirably 3 to 40% by weight based on the resin film. If the amount of the soluble particles is less than 3% by weight, it may not be possible to form a roughened surface having desired irregularities. If the amount exceeds 40% by weight, the soluble particles may be dissolved using an acid or an oxidizing agent. In addition, there is a case where the resin film is melted to a deep portion of the resin film and the insulation between the conductor circuits via the interlayer resin insulating layer made of the resin film cannot be maintained, which may cause a short circuit.
【0087】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。The resin film desirably contains a curing agent and other components in addition to the soluble particles and the hardly soluble resin. As the curing agent, for example,
Imidazole-based curing agents, amine-based curing agents, guanidine-based curing agents, epoxy adducts of these curing agents and microcapsules of these curing agents, and organic materials such as triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium, and tetraphenylborate. Phosphine compounds and the like can be mentioned.
【0088】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して0.05〜10重量%であることが望ましい。0.
05重量%未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、10重量%を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。The content of the curing agent is desirably 0.05 to 10% by weight based on the resin film. 0.
If the amount is less than 05% by weight, the resin film is insufficiently cured, so that the degree of penetration of the acid or the oxidizing agent into the resin film is increased, and the insulating property of the resin film may be impaired. On the other hand, when the content exceeds 10% by weight, an excessive curing agent component may modify the composition of the resin, which may cause a decrease in reliability.
【0089】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。The other components include, for example, fillers such as inorganic compounds or resins which do not affect the formation of the roughened surface. As the inorganic compound, for example,
Examples of the resin include silica, alumina, and dolomite. Examples of the resin include a polyimide resin, a polyacryl resin, a polyamideimide resin, a polyphenylene resin, a melanin resin, and an olefin resin. By incorporating these fillers, the performance of the printed wiring board can be improved by matching the thermal expansion coefficient, improving heat resistance and chemical resistance, and the like.
【0090】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、2種類以上併用してもよ
い。Further, the resin film may contain a solvent. As the solvent, for example, acetone,
Ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone,
Ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, and aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene. These may be used alone or in combination of two or more.
【0091】引き続き、本発明の第2実施形態に係るプ
リント配線板110について、図15を参照して説明す
る。上述した第1実施形態では、BGAを配設した場合
で説明した。第2実施形態では、第1実施形態とほぼ同
様であるが、図15に示すように導電性接続ピン96を
介して接続を取るPGA方式に構成されている。Next, a printed wiring board 110 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the first embodiment described above, the case where the BGA is provided has been described. The second embodiment is almost the same as the first embodiment, but is configured as a PGA system in which connection is made via conductive connection pins 96 as shown in FIG.
【0092】引き続き、図15を参照して上述したプリ
ント配線板の製造方法について、図9〜図15を参照し
て説明する。Next, a method of manufacturing the printed wiring board described above with reference to FIG. 15 will be described with reference to FIGS.
【0093】(1)先ず、エポキシ樹脂を含浸させたプ
リプレク33を4枚積層してなる積層板31αに、チッ
プコンデンサ収容用の通孔37aを形成する。また、そ
の一方で、プリプレク33を2枚積層してなる積層板3
1βを用意する(図9(A)参照)。ここで、プリプレ
ク33としては、エポキシ以外にも、BT、フェノール
樹脂、あるいはガラスクロスなどの強化材を含有したも
のを用い得る。チップコンデンサ収容用の通孔37aを
広く形成することにより、後述する工程で、複数個のチ
ップコンデンサ20を確実に凹部37に収容することが
可能となる。(1) First, a through hole 37a for accommodating a chip capacitor is formed in a laminate 31α formed by laminating four prepregs 33 impregnated with epoxy resin. On the other hand, a laminate 3 formed by laminating two prepregs 33
1β is prepared (see FIG. 9A). Here, as the prepreg 33, a material containing a reinforcing material such as BT, phenol resin, or glass cloth in addition to epoxy can be used. By forming the through holes 37a for accommodating the chip capacitors widely, it becomes possible to securely accommodate the plurality of chip capacitors 20 in the concave portions 37 in a process described later.
【0094】(2)次に、積層板31αと積層板31β
とを圧着し、加熱して硬化させることで、複数個のチッ
プコンデンサ20を収容可能な凹部37を備えた、コア
基板31を形成する(図9(B)参照)。(2) Next, the laminated plate 31α and the laminated plate 31β
The core substrate 31 provided with the concave portion 37 capable of accommodating the plurality of chip capacitors 20 is formed by press-bonding, heating, and curing (see FIG. 9B).
【0095】(3)そして、凹部37のコンデンサ配設
位置に印刷機を用いて接着材料34を塗布する。その
後、凹部37内に複数個のセラミックから成るチップコ
ンデンサ20を接着材料34を介して収容する(図9
(C)参照)。ここで、複数個のチップコンデンサ20
を凹部37内に配設することにより、複数個のチップコ
ンデンサ20の高さが揃うので、コア基板31を平滑に
することが可能となる。また、凹部37は広く形成され
ているため、チップコンデンサ20の位置決めが正確に
でき、また高密度で配置できる。よって、コア基板上に
樹脂層を均一の厚みに形成でき、後述するようにコア基
板31の上にバイアホールを適切に形成することができ
るので、プリント配線板の不良品発生率を低下させるこ
とが可能となる。(3) Then, the adhesive material 34 is applied to the concave portion 37 at the position where the capacitor is provided by using a printing machine. Thereafter, the chip capacitor 20 made of a plurality of ceramics is accommodated in the recess 37 via the adhesive material 34 (FIG. 9).
(C)). Here, a plurality of chip capacitors 20
By disposing in the concave portion 37, the height of the plurality of chip capacitors 20 becomes uniform, so that the core substrate 31 can be smoothed. Further, since the concave portion 37 is formed widely, the chip capacitor 20 can be accurately positioned and can be arranged at a high density. Therefore, the resin layer can be formed to a uniform thickness on the core substrate, and the via holes can be appropriately formed on the core substrate 31 as described later. Becomes possible.
【0096】(4)そして、複数個のチップコンデンサ
20の上面が同じ高さになるように、チップコンデンサ
20の上面を押すもしくは叩いて高さを揃える。(図9
(D)参照)。この工程により、複数個のチップコンデ
ンサ20を凹部37内に配設した際に、複数個のチップ
コンデンサ20の大きさにばらつきがあっても、高さを
揃えることができ、コア31基板を平滑にすることがで
きる。(4) Then, the upper surfaces of the chip capacitors 20 are pressed or hit so that the upper surfaces of the plurality of chip capacitors 20 have the same height, and the heights are made uniform. (FIG. 9
(D)). By this process, when a plurality of chip capacitors 20 are arranged in the recess 37, even if the sizes of the plurality of chip capacitors 20 vary, the heights can be made uniform and the core 31 substrate can be smoothed. Can be
【0097】(5)その後、凹部37内のチップコンデ
ンサ20間に、熱硬化性樹脂を充填し、加熱硬化して樹
脂層36を形成する(図10(A)参照)。このとき、
熱硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ポリイ
ミド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部37内
のチップコンデンサ20を固定することができる。(5) Thereafter, a space between the chip capacitors 20 in the recesses 37 is filled with a thermosetting resin, and heat-cured to form a resin layer 36 (see FIG. 10A). At this time,
As the thermosetting resin, epoxy, phenol, polyimide, and triazine are preferable. Thereby, the chip capacitor 20 in the concave portion 37 can be fixed.
【0098】(6)さらに、その上から前述したエポキ
シ系樹脂もしくはポリオレフィン系樹脂を印刷機を用い
て塗布し樹脂絶縁層40を形成する(図10(B)参
照)。なお、樹脂を塗布する代わりに、樹脂フィルムを
貼り付けてもよい。(6) Further, the above-mentioned epoxy resin or polyolefin resin is applied thereon from above using a printing machine to form a resin insulating layer 40 (see FIG. 10B). Note that a resin film may be attached instead of applying the resin.
【0099】(7)次に、露光・現像処理又はレーザに
より樹脂絶縁層40にバイアホール用開口48を形成す
る(図10(C)参照)。そして、樹脂層36にドリル
またはレーザにより、スルーホール用の通孔46aを形
成し、加熱硬化する(図10(D)参照)。(7) Next, a via hole opening 48 is formed in the resin insulating layer 40 by exposure / development processing or laser (see FIG. 10C). Then, a through hole 46a for a through hole is formed in the resin layer 36 by a drill or a laser, and is cured by heating (see FIG. 10D).
【0100】(8)そして、基板31にパラジウム触媒
を付与してから、無電解めっき液にコア基板を浸漬し、
均一に無電解めっき膜53を析出させる(図11(A)
参照)。ここでは、無電解めっきを用いているが、スパ
ッタにより、銅、ニッケル等の金属層を形成してもよ
い。また、場合によってはスパッタで形成した後に、無
電解めっき膜を形成させてもよい。(8) After applying a palladium catalyst to the substrate 31, the core substrate is immersed in an electroless plating solution.
The electroless plating film 53 is uniformly deposited (FIG. 11A)
reference). Here, electroless plating is used, but a metal layer such as copper or nickel may be formed by sputtering. In some cases, the electroless plating film may be formed after the formation by sputtering.
【0101】(9)その後、無電解めっき膜53の表面
に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置し
て、露光・現像処理し、所定パターンのレジスト54を
形成する。そして、電解めっき液にコア基板31を浸漬
し、無電解めっき膜53を介して電流を流し電解めっき
膜56を析出させる(図11(B)参照)。(9) Then, a photosensitive dry film is attached to the surface of the electroless plating film 53, a mask is placed, and exposure and development are performed to form a resist 54 having a predetermined pattern. Then, the core substrate 31 is immersed in the electrolytic plating solution, and a current is passed through the electroless plating film 53 to deposit the electrolytic plating film 56 (see FIG. 11B).
【0102】(10)上記工程の後、レジスト54を5
%のNaOHで剥離した後、レジスト54下の無電解め
っき膜53を硫酸と過酸化水素混合液でエッチングをし
て除去し、無電解めっき膜53と電解銅めっき膜56か
らなる導体回路58(バイアホール60を含む)及びス
ルーホール46を形成する。ここで、スルーホール46
を形成することにより、チップコンデンサ20を信号線
が通過しないので、高誘電体によるインピーダンス不連
続による反射及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生し
なくなる。(10) After the above steps, the resist 54
% NaOH, the electroless plating film 53 under the resist 54 is removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and a conductor circuit 58 (electroless plating film 53 and electrolytic copper plating film 56) Via holes 60) and through holes 46 are formed. Here, the through hole 46
Is formed, the signal line does not pass through the chip capacitor 20, so that reflection due to impedance discontinuity due to the high dielectric substance and propagation delay due to passage through the high dielectric substance do not occur.
【0103】(11)そして、基板31を水洗、酸性脱
脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液
を基板31の両面にスプレイで吹きつけて、導体回路5
8の表面とスルーホール46のランド表面と内壁とをエ
ッチングして、導体回路58の全表面に粗化面58αを
形成する(図11(C)参照)。エッチング液として
は、イミダゾール銅(II)錯体10重量部、グリコー
ル酸7重量部、塩化カリウム5重量部からなるエッチン
グ液(メック社製、メックエッチボンド)を使用する。(11) Then, the substrate 31 is washed with water and acid degreased, and then soft-etched. Then, an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate 31 by spraying, and the conductive circuit 5
8 and the land surface and the inner wall of the through hole 46 are etched to form a roughened surface 58α on the entire surface of the conductor circuit 58 (see FIG. 11C). As an etching solution, an etching solution (Mec etch bond, manufactured by Mec Co.) consisting of 10 parts by weight of imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid, and 5 parts by weight of potassium chloride is used.
【0104】(12)次に、ビスフェノールF型エポキ
シモノマー(油化シェル社製、分子量:310、YL9
83U)100重量部、表面にシランカップリング剤が
コーティングされた平均粒径が1.6μmで、最大粒子
の直径が15μm以下のSiO 2 球状粒子(アドテック
社製、CRS 1101−CE)170重量部およびレ
ベリング剤(サンノプコ社製 ペレノールS4)1.5
重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘
度が23±1℃で45〜49Pa・sの樹脂充填剤62
を調製する。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤
(四国化成社製、2E4MZ−CN)6.5重量部を用
いた。その後、スルーホール46内に樹脂充填剤62を
充填して、乾燥する(図11(D)参照)。(12) Next, bisphenol F type epoxy
Simonomer (manufactured by Yuka Shell Co., molecular weight: 310, YL9
83U) 100 parts by weight, silane coupling agent on the surface
The average coated particle size is 1.6 μm and the largest particle
Having a diameter of 15 μm or less Two Spherical particles (Adtech
CRS 1101-CE) 170 parts by weight and
Belling agent (Perenol S4 manufactured by San Nopco) 1.5
Put the parts by weight in a container, stir and mix to
Resin filler 62 having a degree of 23 ± 1 ° C. and 45-49 Pa · s
Is prepared. In addition, as a curing agent, an imidazole curing agent
(Shikoku Chemicals, 2E4MZ-CN) 6.5 parts by weight
Was. After that, the resin filler 62 is placed in the through hole 46.
Fill and dry (see FIG. 11D).
【0105】(13)次に、ビスフェノールA型エポキ
シ樹脂(エポキシ当量469,油化シェルエポキシ社製
エピコート1001)30重量部、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂(エポキシ当量215,大日本インキ
化学工業社製 エピクロンN−673)40重量部、ト
リアジン構造含有フェノールノボラック樹脂(フェノー
ル性水酸基当量120,大日本インキ化学工業社製 フ
ェノライトKA−7052)30重量部をエチルジグリ
コールアセテート20重量部、ソルベントナフサ20重
量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ
化ポリブタジエンゴム(ナガセ化成工業社製 デナレッ
クスR−45EPT)15重量部と2−フェニル−4、
5−ビス(ヒドロキシメチル)イミダゾール粉砕品1.
5重量部、微粉砕シリカ2重量部、シリコン系消泡剤
0.5重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製する。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ38μmのPETフ
ィルム上に乾燥後の厚さが50μmとなるようにロール
コーターを用いて塗布した後、80〜120℃で10分
間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィル
ムを作製する。(13) Next, 30 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent: 469, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) and a cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent: 215, epicron manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) N-673) 40 parts by weight, triazine structure-containing phenol novolak resin (phenolic hydroxyl equivalent 120, phenolite KA-7052 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) 30 parts by weight, ethyl diglycol acetate 20 parts by weight, solvent naphtha 20 parts by weight The mixture was heated and dissolved while stirring, and 15 parts by weight of a terminal epoxidized polybutadiene rubber (Denalex R-45EPT manufactured by Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd.) and 2-phenyl-4,
5-bis (hydroxymethyl) imidazole pulverized product
5 parts by weight, 2 parts by weight of finely divided silica, and 0.5 part by weight of a silicon-based antifoaming agent are added to prepare an epoxy resin composition.
The resulting epoxy resin composition is applied on a 38 μm-thick PET film using a roll coater so that the thickness after drying becomes 50 μm, and then dried at 80 to 120 ° C. for 10 minutes to form an interlayer resin. A resin film for an insulating layer is produced.
【0106】(14)基板の両面に、(13)で作製し
た基板31より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィ
ルムを基板31上に載置し、圧力4kgf/cm2 、温
度80℃、圧着時間10秒の条件で仮圧着して裁断した
後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を
用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層50を形成
する(図12(A)参照)。すなわち、層間樹脂絶縁層
用樹脂フィルムを基板31上に、真空度0.5Tor
r、圧力4kgf/cm2 、温度80℃、圧着時間60
秒の条件で本圧着し、その後、170℃で30分間熱硬
化させる。(14) On both surfaces of the substrate, a resin film for an interlayer resin insulating layer slightly larger than the substrate 31 prepared in (13) is placed on the substrate 31, and the pressure is 4 kgf / cm 2 , the temperature is 80 ° C., and the pressure is crimped. After temporarily compressing and cutting under the condition of a time of 10 seconds, the interlayer resin insulating layer 50 is formed by sticking using a vacuum laminator device by the following method (see FIG. 12A). That is, a resin film for an interlayer resin insulating layer is formed on the substrate 31 with a degree of vacuum of 0.5 Torr.
r, pressure 4 kgf / cm 2 , temperature 80 ° C, pressure bonding time 60
The main bonding is performed under the condition of seconds, and then, the thermosetting is performed at 170 ° C. for 30 minutes.
【0107】(15)次に、層間樹脂絶縁層50上に、
厚さ1.2mmの貫通孔47aが形成されたマスク47
を介して、波長10.4μmのCO2 ガスレーザにて、
ビーム径4.0mm、トップハットモード、パルス幅
8.0μ秒、マスクの貫通孔の径1.0mm、1ショッ
トの条件で層間樹脂絶縁層50に、直径80μmのバイ
アホール用開口148を形成する(図12(B)参
照)。(15) Next, on the interlayer resin insulation layer 50,
Mask 47 having a through hole 47a having a thickness of 1.2 mm
Through a CO 2 gas laser with a wavelength of 10.4 μm,
A via hole opening 148 having a diameter of 80 μm is formed in the interlayer resin insulating layer 50 under the conditions of a beam diameter of 4.0 mm, a top hat mode, a pulse width of 8.0 μsec, a diameter of a through hole of the mask of 1.0 mm, and one shot. (See FIG. 12B).
【0108】(16)バイアホール用開口148を形成
した基板31を、60g/lの過マンガン酸を含む80
℃の溶液に10分間浸漬し、層間樹脂絶縁層50の表面
に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することによ
り、バイアホール用開口148の内壁を含む層間樹脂絶
縁層50の表面を粗化面50αとする(図12(C)参
照)。酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよ
い。また、粗化層は、0.1〜5μmが望ましい。(16) The substrate 31 having the via hole opening 148 formed thereon is washed with 80 g containing 60 g / l of permanganate.
C. for 10 minutes by dissolving and removing the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulating layer 50, thereby making the surface of the interlayer resin insulating layer 50 including the inner wall of the via hole opening 148 a roughened surface 50α. (See FIG. 12C). Roughening treatment may be performed with an acid or an oxidizing agent. Further, the thickness of the roughened layer is desirably 0.1 to 5 μm.
【0109】(17)次に、上記処理を終えた基板31
を、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いす
る。さらに、粗面化処理(粗化深さ3μm)した該基板
31の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、
層間樹脂絶縁層50の表面およびバイアホール用開口1
48の内壁面に触媒核を付着させる。(17) Next, the substrate 31 after the above processing is completed
Is immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and then washed with water. Further, by applying a palladium catalyst to the surface of the substrate 31 which has been subjected to a surface roughening treatment (roughening depth: 3 μm),
Surface of interlayer resin insulation layer 50 and opening 1 for via hole
A catalyst nucleus is attached to the inner wall surface of 48.
【0110】(18)次に、以下の組成の無電解銅めっ
き水溶液中に基板を浸漬して、粗化面50α全体に厚さ
0.6〜3.0μmの無電解銅めっき膜153を形成す
る(図12(D)参照)。 〔無電解めっき水溶液〕 NiSO4 0.003 mol/l 酒石酸 0.200 mol/l 硫酸銅 0.030 mol/l HCHO 0.050 mol/l NaOH 0.100 mol/l α、α′−ビピリジル 40 mg/l ポリエチレングリコール(PEG) 0.10 g/l 〔無電解めっき条件〕 35℃の液温度で40分(18) Next, the substrate is immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition to form an electroless copper plating film 153 having a thickness of 0.6 to 3.0 μm over the roughened surface 50α. (See FIG. 12D). [Electroless plating aqueous solution] NiSO 4 0.003 mol / l tartaric acid 0.200 mol / l copper sulfate 0.030 mol / l HCHO 0.050 mol / l NaOH 0.100 mol / l α, α'-bipyridyl 40 mg / l Polyethylene glycol (PEG) 0.10 g / l [Electroless plating conditions] 40 minutes at a liquid temperature of 35 ° C
【0111】(19)市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき膜153に貼り付け、マスクを載置して、
100mJ/cm2 で露光し、0.8%炭酸ナトリウム
水溶液で現像処理することにより、厚さ30μmのめっ
きレジスト154を設ける(図13(A)参照)。(19) A commercially available photosensitive dry film is attached to the electroless copper plating film 153, and a mask is placed thereon.
Exposure is performed at 100 mJ / cm 2 and development processing is performed using a 0.8% aqueous sodium carbonate solution to provide a plating resist 154 having a thickness of 30 μm (see FIG. 13A).
【0112】(20)次いで、基板31を50℃の水で
洗浄して脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗
浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、厚さ20
μmの電解銅めっき膜156を形成する(図13(B)
参照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤 19.5 ml/l (アトテックジャパン社製、カパラシドHL) 〔電解めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分 温度 22±2 ℃(20) Next, the substrate 31 is washed with water at 50 ° C., degreased, washed with water at 25 ° C., further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic plating under the following conditions to obtain a film having a thickness of 20 mm.
Forming a μm electrolytic copper plating film 156 (FIG. 13B)
reference). [Electroplating aqueous solution] sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l (manufactured by Atotech Japan, Capparaside HL) [electroplating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes Temperature 22 ± 2 ℃
【0113】(21)めっきレジスト154を5%Na
OHで剥離除去した後、そのめっきレジスト154下の
無電解銅めっき膜153を硫酸と過酸化水素の混合液で
エッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜15
3と電解銅めっき膜156からなる厚さ18μmの導体
回路158(バイアホール160を含む)を形成する。
その後、(11)と同様の処理を行い、第二銅錯体と有
機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面158
αを形成する(図13(C)参照)。(21) The plating resist 154 is made of 5% Na
After stripping off with OH, the electroless copper plating film 153 under the plating resist 154 is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide.
3 and an electrolytic copper plating film 156 to form a conductor circuit 158 (including a via hole 160) having a thickness of 18 μm.
Thereafter, the same treatment as in (11) is performed, and the roughened surface 158 is formed by an etching solution containing a cupric complex and an organic acid.
is formed (see FIG. 13C).
【0114】(22)続いて、上記(14)〜(21)
の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶
縁層150及び導体回路258(バイアホール160を
含む)を形成する(図13(D)参照)。(22) Subsequently, the above (14) to (21)
By repeating the above steps, the upper interlayer resin insulation layer 150 and the conductor circuit 258 (including the via hole 160) are further formed (see FIG. 13D).
【0115】(23)次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー(分子量4000)46.67
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%の
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、商
品名:エピコート1001)15重量部、イミダゾール
硬化剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−CN)
1.6重量部、感光性モノマーである2官能アクリルモ
ノマー(共栄化学社製、商品名:R604)4.5重量
部、同じく多価アクリルモノマー(共栄化学社製、商品
名:DPE6A)1.5重量部、分散系消泡剤(サンノ
プコ社製、商品名:S−65)0.71重量部を容器に
とり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組
成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン(関東
化学社製)2.0重量部、光増感剤としてのミヒラーケ
トン(関東化学社製)0.2重量部を加えて、粘度を2
5℃で2.0Pa・sに調整したソルダーレジスト組成
物(有機樹脂絶縁材料)を得る。なお、粘度測定は、B
型粘度計(東京計器社製、DVL−B型)で60rpm
の場合はローターNo.4、6rpmの場合はローターNo.
3によった。(23) Next, a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) so as to have a concentration of 60% by weight was used. Oligomer for imparting properties (molecular weight 4000) 46.67
15 parts by weight, 80 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin dissolved in methyl ethyl ketone (trade name: Epicoat 1001 manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.), imidazole curing agent (trade name: 2E4MZ-CN manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.)
1.6 parts by weight, 4.5 parts by weight of a photosensitive monomer, bifunctional acrylic monomer (manufactured by Kyoei Chemical Co., trade name: R604), and similarly polyvalent acrylic monomer (manufactured by Kyoei Chemical Co., trade name: DPE6A) 5 parts by weight and 0.71 part by weight of a dispersion antifoaming agent (manufactured by San Nopco, trade name: S-65) are placed in a container, and the mixture is stirred and mixed to prepare a mixed composition. 2.0 parts by weight of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) as a weight initiator and 0.2 parts by weight of Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photosensitizer were added to give a viscosity of 2 parts.
A solder resist composition (organic resin insulating material) adjusted to 2.0 Pa · s at 5 ° C. is obtained. In addition, the viscosity was measured by B
60 rpm with a type viscometer (DVL-B type, manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.)
In the case of rotor No. 4 and in the case of 6 rpm the rotor No.
According to 3.
【0116】(24)次に、多層配線基板の両面に、
(23)で調製したソルダーレジスト組成物を20μm
の厚さで塗布する。その後、70℃で20分間、70℃
で30分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジ
スト開口部のパターンが描画された厚さ5mmのフォト
マスクをソルダーレジスト組成物に密着させて1000
mJ/cm2 の紫外線で露光し、DMTG溶液で現像処
理し、200μmの直径の開口71U、71Dを形成す
る。そして、さらに、80℃で1時間、100℃で1時
間、120℃で1時間、150℃で3時間の条件でそれ
ぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物を硬化さ
せ、開口71U、71Dを有する、厚さ20μmのソル
ダーレジスト層70を形成する(図14(A)参照)。
上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダー
レジスト組成物を使用することもできる。(24) Next, on both sides of the multilayer wiring board,
20 μm of the solder resist composition prepared in (23)
Apply with a thickness of Then, at 70 ° C for 20 minutes at 70 ° C
After performing a drying process under the condition of for 30 minutes, a 5 mm-thick photomask on which the pattern of the opening of the solder resist is drawn is brought into close contact with the solder resist composition, and the
The substrate is exposed to ultraviolet rays of mJ / cm 2 and developed with a DMTG solution to form openings 71U and 71D having a diameter of 200 μm. Then, the solder resist composition is further cured by heating at 80 ° C. for 1 hour, 100 ° C. for 1 hour, 120 ° C. for 1 hour, and 150 ° C. for 3 hours, and has openings 71U and 71D. Then, a solder resist layer 70 having a thickness of 20 μm is formed (see FIG. 14A).
As the solder resist composition, a commercially available solder resist composition can be used.
【0117】(25)次に、ソルダーレジスト層70を
形成した基板を、塩化ニッケル(2.3×10-1mol
/l)、次亜リン酸ナトリウム(2.8×10-1mol
/l)、クエン酸ナトリウム(1.6×10-1mol/
l)を含むpH=4.5の無電解ニッケルめっき液に2
0分間浸漬して、開口部71U、71Dに厚さ5μmの
ニッケルめっき層72を形成する。さらに、その基板を
シアン化金カリウム(7.6×10-3mol/l)、塩
化アンモニウム(1.9×10-1mol/l)、クエン
酸ナトリウム(1.2×10-1mol/l)、次亜リン
酸ナトリウム(1.7×10-1mol/l)を含む無電
解金めっき液に80℃の条件で7.5分間浸漬して、ニ
ッケルめっき層72上に、厚さ0.03μmの金めっき
層74を形成する(図14(B)参照)。(25) Next, the substrate on which the solder resist layer 70 is formed is coated with nickel chloride (2.3 × 10 -1 mol).
/ L), sodium hypophosphite (2.8 × 10 -1 mol)
/ L), sodium citrate (1.6 × 10 -1 mol /
2) in the electroless nickel plating solution having pH = 4.5 containing l)
By immersing for 0 minute, a nickel plating layer 72 having a thickness of 5 μm is formed in the openings 71U and 71D. Furthermore, the substrate gold potassium cyanide (7.6 × 10 -3 mol / l ), ammonium chloride (1.9 × 10 -1 mol / l ), sodium citrate (1.2 × 10 -1 mol / l), immersed in an electroless gold plating solution containing sodium hypophosphite (1.7 × 10 -1 mol / l) at 80 ° C. for 7.5 minutes to form a layer having a thickness of A gold plating layer 74 of 0.03 μm is formed (see FIG. 14B).
【0118】(26)この後、基板のICチップを載置
する面のソルダーレジスト層70の開口71Uにスズ−
鉛を含有する半田ペーストを印刷する。さらに、他方の
面の開口部71D内に導電性接着剤97として半田ペー
ストを印刷する。次に、導電性接続ピン96を適当なピ
ン保持装置に取り付けて支持し、導電性接続ピン96の
固定部98を開口部71D内の導電性接着剤97に当接
させる。そしてリフローを行い、導電性接続ピン96を
導電性接着剤97に固定する。また、導電性接続ピン9
6の取り付け方法としては、導電性接着剤97をボール
状等に形成したものを開口部71D内に入れる、あるい
は、固定部98に導電性接着剤97を接合させて導電性
接続ピン96を取り付け、その後にリフローさせてもよ
い。(26) Thereafter, tin-tin is inserted into the opening 71U of the solder resist layer 70 on the surface of the substrate on which the IC chip is to be mounted.
Print solder paste containing lead. Further, a solder paste is printed as the conductive adhesive 97 in the opening 71D on the other surface. Next, the conductive connection pin 96 is attached to and supported by a suitable pin holding device, and the fixing portion 98 of the conductive connection pin 96 is brought into contact with the conductive adhesive 97 in the opening 71D. Then, reflow is performed to fix the conductive connection pins 96 to the conductive adhesive 97. Also, the conductive connection pins 9
As a method of attaching 6, the conductive adhesive 97 formed in a ball shape or the like is put into the opening 71D, or the conductive adhesive 97 is joined to the fixing portion 98 to attach the conductive connection pin 96. , And then reflow.
【0119】その後、プリント配線板110の開口71
U側の半田バンプ76にICチップ90の半田パッド9
2が対応するように、ICチップ90を載置し、リフロ
ーを行うことでICチップ90の取り付けを行う(図1
5参照)。Thereafter, the opening 71 of the printed wiring board 110 is
Solder pad 9 of IC chip 90 is attached to U-side solder bump 76.
The IC chip 90 is mounted so that the two correspond to each other, and the IC chip 90 is mounted by performing reflow (FIG. 1).
5).
【0120】引き続き、第2実施形態のプリント配線板
の改変例に係る製造方法について、図16を参照して説
明する。(1)先ず、エポキシ樹脂を含浸させたプリプ
レク33を4枚積層して硬化させた積層板31αに、チ
ップコンデンサ収容用の通孔37aを形成する。一方
で、未硬化のプリプレグ33からなるシート31γと、
プリプレク33を硬化してなる板31βとを用意する
(図16(A)参照)。Subsequently, a manufacturing method according to a modification of the printed wiring board of the second embodiment will be described with reference to FIG. (1) First, a through hole 37a for accommodating a chip capacitor is formed in a laminated plate 31α in which four prepregs 33 impregnated with epoxy resin are laminated and cured. On the other hand, a sheet 31γ made of uncured prepreg 33,
A plate 31β obtained by curing the prepreg 33 is prepared (see FIG. 16A).
【0121】(2)次に、積層板31αと板31βとを
シート31γにより圧着し、凹部37を備えた基板31
を形成する(図16(B)参照)。(2) Next, the laminated plate 31α and the plate 31β are pressure-bonded with a sheet 31γ, and the substrate 31
Is formed (see FIG. 16B).
【0122】(3)そして、複数個のセラミックから成
るチップコンデンサ20を未硬化のプリプレグ33から
なるシート31γ上に収容する(図16(C)参照)。(3) Then, the chip capacitors 20 made of a plurality of ceramics are housed on a sheet 31γ made of the uncured prepreg 33 (see FIG. 16C).
【0123】(4)そして、複数個のチップコンデンサ
20の上面が同じ高さになるように、チップコンデンサ
20の上面を押す、もしくは叩いて高さを揃える(図2
(A)参照)。その後、加熱して未硬化のプリプレグ3
3を硬化させるコア基板31を形成する。以下の工程
は、図9〜図15を参照して上述した第2実施形態と同
様であるため、説明を省略する。(4) Then, the upper surfaces of the chip capacitors 20 are pushed or hit so that the upper surfaces of the plurality of chip capacitors 20 have the same height, and the heights are made uniform (FIG. 2).
(A)). Then, heat and cure the uncured prepreg 3
A core substrate 31 for hardening 3 is formed. The following steps are the same as those in the second embodiment described above with reference to FIGS.
【0124】引き続き、本発明の第3実施形態に係るプ
リント配線板について、図18を参照して説明する。上
述した第1実施形態では、コア基板30に収容されるチ
ップコンデンサ20のみを備えていたが、第3実施形態
では、表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ98が
実装されている。Subsequently, a printed wiring board according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the first embodiment described above, only the chip capacitor 20 housed in the core substrate 30 is provided. In the third embodiment, a large-capacity chip capacitor 98 is mounted on the front and back surfaces.
【0125】ICチップは、瞬時的に大電力を消費して
複雑な演算処理を行う。ここで、ICチップ側に大電力
を供給するために、第3実施形態では、プリント配線板
に電源用のチップコンデンサ20及びチップコンデンサ
98を備えてある。このチップコンデンサによる効果に
ついて、図19を参照して説明する。The IC chip instantaneously consumes a large amount of power and performs complicated arithmetic processing. Here, in order to supply large power to the IC chip side, in the third embodiment, the printed circuit board is provided with a chip capacitor 20 and a chip capacitor 98 for power supply. The effect of this chip capacitor will be described with reference to FIG.
【0126】図19は、縦軸にICチップへ供給される
電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線C
は、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧
変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合に
は、大きく電圧が減衰する。破線Aは、表面にチップコ
ンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示して
いる。上記二点鎖線Cと比較して電圧は大きく落ち込ま
ないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が
十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が
降下している。また、二点鎖線Bは、図8を参照して上
述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電
圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、
コア基板30に容量の大きなチップコンデンサを収容す
ることができないため、電圧が変動している。ここで、
実線Eは、図18を参照して上述したコア基板内のチッ
プコンデンサ20を、また表面に大容量のチップコンデ
ンサ98を実装する第3実施形態のプリント配線板の電
圧変動を示している。ICチップの近傍にチップコンデ
ンサ20を、また、大容量(及び相対的に大きなインダ
クタンス)のチップコンデンサ98を備えることで、電
圧変動を最小に押さえている。FIG. 19 shows the voltage supplied to the IC chip on the vertical axis and the time on the horizontal axis. Here, the two-dot chain line C
Indicates voltage fluctuation of a printed wiring board without a power supply capacitor. When the power supply capacitor is not provided, the voltage greatly decreases. A broken line A indicates a voltage fluctuation of a printed wiring board having a chip capacitor mounted on the surface. Although the voltage does not drop much as compared with the two-dot chain line C, the rate-limiting power supply cannot be performed sufficiently because the loop length is long. That is, the voltage drops at the start of power supply. The two-dot chain line B indicates the voltage drop of the printed wiring board having the chip capacitor described above with reference to FIG. Although the loop length has been shortened,
Since a large-capacity chip capacitor cannot be accommodated in the core substrate 30, the voltage fluctuates. here,
The solid line E indicates the voltage fluctuation of the printed wiring board according to the third embodiment in which the chip capacitor 20 in the core substrate described above with reference to FIG. 18 and the large-capacity chip capacitor 98 are mounted on the surface. By providing the chip capacitor 20 near the IC chip and the chip capacitor 98 having a large capacity (and a relatively large inductance), voltage fluctuations are minimized.
【0127】引き続き、本発明の第4実施形態に係るプ
リント配線板の構成について図20を参照して説明す
る。この第4実施形態のプリント配線板の構成は、上述
した第1実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板3
0への収容されるチップコンデンサ20が異なる。図2
0は、チップコンデンサの平面図を示している。図20
(A)は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを
示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述し
た第1実施形態のプリント配線板では、図20(B)に
平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第1電極
21及び第2電極22を配設してある。図20(C)
は、第4実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコン
デンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示してい
る。第4実施形態のプリント配線板では、図20(D)
に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に
第1電極21及び第2電極22を配設してある。Next, the configuration of a printed wiring board according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The configuration of the printed wiring board of the fourth embodiment is substantially the same as that of the above-described first embodiment. However, the core substrate 3
The chip capacitors 20 housed to 0 are different. FIG.
0 shows a plan view of the chip capacitor. FIG.
(A) shows a chip capacitor for multi-piece cutting before cutting, and a dashed line in the drawing shows a cutting line. In the printed wiring board of the first embodiment described above, the first electrode 21 and the second electrode 22 are provided on the side edges of the chip capacitor as shown in the plan view of FIG. FIG. 20 (C)
Indicates a chip capacitor for multi-cavity before cutting in the fourth embodiment, and a dashed line in the drawing indicates a cutting line. In the printed wiring board of the fourth embodiment, FIG.
As shown in the plan view, a first electrode 21 and a second electrode 22 are provided inside the side edge of the chip capacitor.
【0128】この第4実施形態のプリント配線板では、
外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ20を
用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いるこ
とができる。引き続き、第4実施形態の第1改変例に係
るプリント配線板について図21を参照して説明する。
図21は、第1改変例に係るプリント配線板のコア基板
に収容されるチップコンデンサ20の平面図を示してい
る。上述した第1実施形態では、複数個の小容量のチッ
プコンデンサをコア基板に収容したが、第1改変例で
は、大容量の大判のチップコンデンサ20をコア基板に
収容してある。ここで、チップコンデンサ20は、第1
電極21と第2電極22と、誘電体23と、第1電極2
1へ接続された第1導電膜24と、第2電極22側に接
続された第2導電膜25と、第1導電膜24及び第2導
電膜25へ接続されていないチップコンデンサの上下面
の接続用の電極27とから成る。この電極27を介して
ICチップ側とドータボード側とが接続されている。In the printed wiring board according to the fourth embodiment,
Since the chip capacitor 20 having the electrode formed inside the outer edge is used, a large-capacity chip capacitor can be used. Subsequently, a printed wiring board according to a first modification of the fourth embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 21 is a plan view of the chip capacitor 20 housed in the core substrate of the printed wiring board according to the first modification. In the above-described first embodiment, a plurality of small-capacity chip capacitors are housed in the core substrate. In the first modification, a large-capacity large-format chip capacitor 20 is housed in the core substrate. Here, the chip capacitor 20 is
The electrode 21, the second electrode 22, the dielectric 23, and the first electrode 2
1, the first conductive film 24 connected to the first conductive film 24, the second conductive film 25 connected to the second electrode 22 side, and the upper and lower surfaces of the chip capacitor not connected to the first conductive film 24 and the second conductive film 25. And a connection electrode 27. The IC chip side and the daughter board side are connected via the electrodes 27.
【0129】この第1改変例のプリント配線板では、大
判のチップコンデンサ20を用いるため、容量の大きな
チップコンデンサを用いることができる。また、大判の
チップコンデンサ20を用いるため、ヒートサイクルを
繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがな
い。In the printed wiring board of the first modification, a large-sized chip capacitor 20 is used, so that a large-capacity chip capacitor can be used. Further, since the large chip capacitor 20 is used, the printed wiring board does not warp even if the heat cycle is repeated.
【0130】図22を参照して第2改変例に係るプリン
ト配線板について説明する。図22(A)は、多数個取
り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖
線は、通常の裁断線を示し、図22(B)は、チップコ
ンデンサの平面図を示している。図22(B)に示すよ
うに、この第2改変例では、多数個取り用のチップコン
デンサを複数個(図中の例では3枚)連結させて大判で
用いている。A printed wiring board according to a second modification will be described with reference to FIG. FIG. 22 (A) shows a chip capacitor before cutting for multi-cavity cutting, in which a dashed line shows a normal cutting line, and FIG. 22 (B) shows a plan view of the chip capacitor. . As shown in FIG. 22B, in the second modification, a plurality of (three in the example in the figure) multi-chip chip capacitors are connected and used in a large format.
【0131】この第2改変例では、大判のチップコンデ
ンサ20を用いるため、容量の大きなチップコンデンサ
を用いることができる。また、大判のチップコンデンサ
20を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリ
ント配線板に反りが発生することがない。In the second modification, a large-sized chip capacitor 20 is used, so that a large-capacity chip capacitor can be used. Further, since the large chip capacitor 20 is used, the printed wiring board does not warp even if the heat cycle is repeated.
【0132】上述した第4実施形態では、チップコンデ
ンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデン
サの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板
状のコンデンサを用いることも可能である。In the above-described fourth embodiment, the chip capacitor is built in the printed wiring board. However, instead of the chip capacitor, a plate-like capacitor in which a conductor film is provided on a ceramic plate can be used. .
【0133】ここで、第1実施形態のプリント配線板に
ついて、コア基板内に埋め込んだチップコンデンサ20
のインダクタンスと、プリント配線板の裏面(ドータボ
ード側の面)に実装したチップコンデンサのインダクタ
ンスとを測定した値を以下に示す。 コンデンサ単体の場合 埋め込み形 137pH 裏面実装形 287pH コンデンサを8個並列に接続した場合 埋め込み形 60pH 裏面実装形 72pH 以上のように、コンデンサを単体で用いても、容量を増
大させるため並列に接続した場合にも、チップコンデン
サを内蔵することでインダクタンスを低減できる。Here, with respect to the printed wiring board of the first embodiment, the chip capacitor 20 embedded in the core substrate is used.
And the inductance of the chip capacitor mounted on the back surface of the printed wiring board (the surface on the daughter board side) are shown below. In case of single capacitor Embedded type 137pH Backside mounted type 287pH When 8 capacitors are connected in parallel Embedded type 60pH Backside mounted type 72pH As shown above, when using a single capacitor, it is connected in parallel to increase the capacity In addition, the inductance can be reduced by incorporating a chip capacitor.
【0134】次に、信頼性試験を行った結果について説
明する。ここでは、第1実施形態のプリント配線板にお
いて、1個のチップコンデンサの静電容量の変化率を測
定した。 静電容量変化率 (測定周波数100Hz) (測定周波数1kHz) Steam 168時間: 0.3% 0.4% HAST 100時間: -0.9% -0.9% TS 1000cycles: 1.1% 1.3%Next, the result of the reliability test will be described. Here, the rate of change of the capacitance of one chip capacitor in the printed wiring board of the first embodiment was measured. Capacitance change rate (measuring frequency 100Hz) (measuring frequency 1kHz) Steam 168 hours: 0.3% 0.4% HAST 100 hours: -0.9% -0.9% TS 1000cycles: 1.1% 1.3%
【0135】Steam試験は、蒸気に当て湿度100%に
保った。また、HAST試験では、相対湿度100%、
印加電圧1.3V、温度121℃で100時間放置し
た。TS試験では、−125℃で30分、55℃で30
分放置する試験を1000回線り返した。In the Steam test, steam was applied and the humidity was kept at 100%. In the HAST test, the relative humidity was 100%,
It was left at an applied voltage of 1.3 V and a temperature of 121 ° C. for 100 hours. In the TS test, 30 minutes at -125 ° C and 30 minutes at 55 ° C
The test of standing for 1000 minutes was repeated 1000 times.
【0136】上記信頼性試験において、チップコンデン
サを内蔵するプリント配線板においても、既存のコンデ
ンサ表面実装形と同等の信頼性が達成できていることが
分かった。また、上述したように、TS試験において、
セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基
板30及び樹脂絶縁層40の熱膨張率の違いから、内部
応力が発生しても、チップコンデンサ20の第1端子2
1、第2端子22とバイアホール60との間に断線、チ
ップコンデンサ20と樹脂絶縁層40との間で剥離、樹
脂絶縁層40にクラックが発生せず、長期に渡り高い信
頼性を達成できることが判明した。In the above reliability test, it was found that a printed wiring board having a built-in chip capacitor could achieve the same reliability as the existing surface mount type capacitor. As described above, in the TS test,
Due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the capacitor made of ceramic and the core substrate 30 made of resin and the resin insulating layer 40, even if internal stress is generated, the first terminal 2
1. No disconnection between the second terminal 22 and the via hole 60, separation between the chip capacitor 20 and the resin insulation layer 40, no cracks in the resin insulation layer 40, and high reliability can be achieved for a long period of time. There was found.
【0137】[0137]
【発明の効果】本発明では上述したように、広く凹部を
形成し、複数個のコンデンサを凹部に収容するため、ザ
グリ加工の精度が低くても確実に複数個のコンデンサ
を、正確に位置決めしてコア基板内に高密度で配設する
ことが可能となる。また、凹部内に複数個のコンデンサ
を載置するため、複数個のコンデンサの高さが揃うの
で、コンデンサ上の絶縁層を均一の厚みにすることがで
きる。よって、バイアホールおよび導体回路を適切に形
成することができるので、プリント配線板の不良品発生
率を低下させることができる。According to the present invention, as described above, since a plurality of recesses are formed and a plurality of capacitors are accommodated in the recesses, the plurality of capacitors can be accurately positioned even if the precision of counterboring is low. Thus, it is possible to dispose them at high density in the core substrate. In addition, since a plurality of capacitors are placed in the recess, the heights of the plurality of capacitors are uniform, so that the insulating layer on the capacitors can be made uniform in thickness. Therefore, the via hole and the conductor circuit can be appropriately formed, so that the defective product occurrence rate of the printed wiring board can be reduced.
【0138】コア基板とコンデンサの間に樹脂が充填さ
れているので、コンデンサなどが起因する応力が発生し
ても緩和されるし、マイグレーションの発生がない。そ
のために、コンデンサの電極とバイアホールの接続部へ
の剥離や溶解などの影響がない。そのために、信頼性試
験を実施しても所望の性能を保つことができるのであ
る。また、コンデンサを銅によって被覆されている場合
にも、マイグレーションの発生を防止することができ
る。Since the resin is filled between the core substrate and the capacitor, even if a stress caused by the capacitor or the like is generated, the stress is reduced and no migration occurs. Therefore, there is no influence such as peeling or melting of the connection portion between the electrode of the capacitor and the via hole. Therefore, desired performance can be maintained even if a reliability test is performed. Also, even when the capacitor is covered with copper, the occurrence of migration can be prevented.
【図1】図1(A)、(B)、(C)、(D)は、本発
明の第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図で
ある。FIGS. 1A, 1B, 1C, and 1D are manufacturing process diagrams of a printed wiring board according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図2(A)、(B)、(C)、(D)は、本発
明の第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図で
ある。FIGS. 2A, 2B, 2C, and 2D are manufacturing process diagrams of a printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.
【図3】図3(A)、(B)、(C)、(D)は、本発
明の第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図で
ある。FIGS. 3A, 3B, 3C, and 3D are manufacturing process diagrams of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.
【図4】図4(A)、(B)、(C)、(D)は、本発
明の第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図で
ある。FIGS. 4A, 4B, 4C, and 4D are manufacturing process diagrams of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.
【図5】図5(A)、(B)、(C)、(D)は、本発
明の第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図で
ある。FIGS. 5A, 5B, 5C, and 5D are manufacturing process diagrams of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.
【図6】図6(A)、(B)は、本発明の第1実施形態
に係るプリント配線板の製造工程図である。FIGS. 6A and 6B are manufacturing process diagrams of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.
【図7】本発明の第1実施形態に係るプリント配線板の
断面図である。FIG. 7 is a sectional view of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第1実施形態に係るプリント配線板に
ICチップを搭載した状態を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a state in which an IC chip is mounted on the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.
【図9】図9(A)、(B)、(C)、(D)は、本発
明の第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図で
ある。FIGS. 9A, 9B, 9C, and 9D are manufacturing process diagrams of a printed wiring board according to the second embodiment of the present invention.
【図10】図10(A)、(B)、(C)、(D)は、
本発明の第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程
図である。FIG. 10A, FIG. 10B, FIG. 10C, FIG.
It is a manufacturing process figure of the printed wiring board concerning a 2nd embodiment of the present invention.
【図11】図11(A)、(B)、(C)、(D)は、
本発明の第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程
図である。FIG. 11A, FIG. 11B, FIG. 11C, and FIG.
It is a manufacturing process figure of the printed wiring board concerning a 2nd embodiment of the present invention.
【図12】図12(A)、(B)、(C)、(D)は、
本発明の第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程
図である。FIGS. 12 (A), (B), (C), (D)
It is a manufacturing process figure of the printed wiring board concerning a 2nd embodiment of the present invention.
【図13】図13(A)、(B)、(C)、(D)は、
本発明の第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程
図である。13 (A), (B), (C), (D)
It is a manufacturing process figure of the printed wiring board concerning a 2nd embodiment of the present invention.
【図14】図14(A)、(B)は、本発明の第2実施
形態に係るプリント配線板の製造工程図である。FIGS. 14A and 14B are manufacturing process diagrams of a printed wiring board according to a second embodiment of the present invention.
【図15】本発明の第2実施形態に係るプリント配線板
にICチップを搭載した状態を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view showing a state in which an IC chip is mounted on a printed wiring board according to a second embodiment of the present invention.
【図16】図16(A)、(B)、(C)、(D)は、
本発明の第2実施形態の改変例に係るプリント配線板の
製造工程図である。FIG. 16A, FIG. 16B, FIG. 16C, FIG.
It is a manufacturing process figure of the printed wiring board concerning the modification of a 2nd embodiment of the present invention.
【図17】本発明の第1実施形態に係るチップコンデン
サの断面図である。FIG. 17 is a sectional view of the chip capacitor according to the first embodiment of the present invention.
【図18】第3実施形態のプリント配線板の断面図であ
る。FIG. 18 is a sectional view of a printed wiring board according to a third embodiment.
【図19】ICチップへの供給電圧と時間との変化を示
すグラフである。FIG. 19 is a graph showing changes in supply voltage to an IC chip and time.
【図20】(A)、(B)、(C)、(D)は、第4実
施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図で
ある。FIGS. 20A, 20B, 20C, and 20D are plan views of a chip capacitor of a printed wiring board according to a fourth embodiment.
【図21】第4実施形態に係るプリント配線板のチップ
コンデンサの平面図である。FIG. 21 is a plan view of a chip capacitor of a printed wiring board according to a fourth embodiment.
【図22】第4実施形態の改変例に係るプリント配線板
のチップコンデンサの平面図である。FIG. 22 is a plan view of a chip capacitor of a printed wiring board according to a modification of the fourth embodiment.
20 チップコンデンサ 30 コア基板 31 コア基板 32 凹部 36 樹脂層 37 凹部 40 層間樹脂絶縁層 46 バイアホール 50 層間樹脂絶縁層 58 導体回路 60 バイアホール 70 ソルダーレジスト層 71U、71D 開口部 72 ニッケルめっき層 74 金めっき層 76 半田バンプ 90 ICチップ 92 半田パッド(ICチップ側) 94 ドータボード 95 半田パッド(ドータボード側) 96 導電性接続ピン 97 導電性接着剤 98 固定部 150 層間樹脂絶縁層 158 導体回路 160 バイアホール 258 導体回路 260 バイアホール Reference Signs List 20 chip capacitor 30 core substrate 31 core substrate 32 concave portion 36 resin layer 37 concave portion 40 interlayer resin insulating layer 46 via hole 50 interlayer resin insulating layer 58 conductive circuit 60 via hole 70 solder resist layer 71U, 71D opening 72 nickel plating layer 74 gold Plating layer 76 Solder bump 90 IC chip 92 Solder pad (IC chip side) 94 Daughter board 95 Solder pad (Daughter board side) 96 Conductive connection pin 97 Conductive adhesive 98 Fixing part 150 Interlayer resin insulation layer 158 Conductor circuit 160 Via hole 258 Conductor circuit 260 Via hole
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 1/18 H01G 1/035 E 3/40 4/38 A (72)発明者 王 東冬 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1−1 イビデ ン株式会社大垣北工場内 (72)発明者 矢橋 英郎 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1−1 イビデ ン株式会社大垣北工場内 (72)発明者 白井 誠二 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1−1 イビデ ン株式会社大垣北工場内 Fターム(参考) 5E082 AA01 AB03 BC39 CC07 EE04 EE11 EE23 EE35 FF05 FG06 FG26 GG10 HH25 HH28 HH47 HH48 JJ07 JJ09 JJ11 JJ15 JJ23 KK08 LL13 MM05 MM28 5E317 AA24 BB01 BB12 CC31 CC53 CD23 CD27 CD32 CD34 GG09 GG11 GG14 5E336 AA04 AA08 AA11 BB03 BC26 CC32 CC37 CC38 CC53 DD22 DD39 GG11 5E346 AA02 AA12 AA15 AA43 AA60 BB01 BB16 CC08 CC32 CC40 DD03 DD22 EE31 FF04 FF45 GG15 GG17 GG25 GG27 GG28 GG40 HH07 HH08 HH22 HH33Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification FI FI Theme Court II (Reference) H05K 1/18 H01G 1/035 E 3/40 4/38 A (72) Inventor Wang East Winter Ibikawa-cho, Ibi-gun, Gifu Prefecture 1-1 Ibiden Co., Ltd. Ogaki-Kita Plant (72) Inventor Hideo Yabashi 1-1 Ibiden Ogigaki-Kita Plant, Gifu Pref. 1-1 F-term in the Ogaki-Kita Plant of Ibiden Co., Ltd. (Reference) CD27 CD32.
Claims (18)
してなるプリント配線板であって、 前記コア基板内に、凹部を形成し、前記凹部の中に複数
個のコンデンサを収容させたことを特徴とするプリント
配線板。1. A printed wiring board comprising a resin insulating layer and a conductor circuit laminated on a core substrate, wherein a concave portion is formed in the core substrate, and a plurality of capacitors are accommodated in the concave portion. A printed wiring board, characterized in that:
コア基板よりも熱膨張率の小さい樹脂を充填したことを
特徴とする請求項1に記載のプリント配線板。2. The method according to claim 1, wherein the plurality of capacitors in the concave portion include:
The printed wiring board according to claim 1, wherein the printed wiring board is filled with a resin having a smaller coefficient of thermal expansion than the core substrate.
ールを形成したことを特徴とする請求項1又は請求項2
に記載のプリント配線板。3. A through hole is formed in the resin layer by forming a through hole.
A printed wiring board according to claim 1.
し、前記金属膜を形成させた電極へめっきにより電気的
接続を取ったことを特徴とする請求項1又は請求項2に
記載のプリント配線板。4. The printed wiring according to claim 1, wherein a metal film is formed on the electrode of the capacitor, and the electrode on which the metal film is formed is electrically connected to the electrode by plating. Board.
金属膜は、銅を主とするめっき膜であることを特徴とす
る請求項4に記載のプリント配線板。5. The printed wiring board according to claim 4, wherein the metal film formed on the electrode of the chip capacitor is a plating film mainly composed of copper.
とも一部を露出させて、前記被覆層から露出した電極に
めっきにより電気的接続を取ったことを特徴とする請求
項1〜請求項3の内1に記載のプリント配線板。6. The capacitor according to claim 1, wherein at least a part of the coating layer of the electrode of the capacitor is exposed, and the electrode exposed from the coating layer is electrically connected by plating. 2. The printed wiring board according to item 1.
を実装したことを特徴とする請求項1〜請求項6の内1
に記載のプリント配線板。7. A printed circuit board according to claim 1, wherein a capacitor is mounted on a surface of said printed wiring board.
A printed wiring board according to claim 1.
は、内層のチップコンデンサの静電容量以上であること
を特徴とする請求項7に記載のプリント配線板。8. The printed wiring board according to claim 7, wherein the capacitance of the chip capacitor on the front surface is equal to or larger than the capacitance of the chip capacitor in the inner layer.
タンスは、内層のチップコンデンサのインダクタンス以
上であることを特徴とする請求項7に記載のプリント配
線板。9. The printed wiring board according to claim 7, wherein the inductance of the chip capacitor on the front surface is equal to or larger than the inductance of the chip capacitor in the inner layer.
電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴
とする請求項1〜請求項9の内1に記載のプリント配線
板。10. The printed wiring board according to claim 1, wherein a chip capacitor having an electrode formed inside an outer edge is used as the capacitor.
に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特
徴とする請求項1〜請求項10の内1に記載のプリント
配線板11. The printed wiring board according to claim 1, wherein a chip capacitor having electrodes formed in a matrix is used as said capacitor.
のチップコンデンサを複数個連結させて用いたことを特
徴とする請求項1〜請求項11の内1に記載のプリント
配線板。12. The printed wiring board according to claim 1, wherein a plurality of chip capacitors for multi-cavity are connected and used as the capacitor.
を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法: (a)コア基板に、凹部を形成する工程; (b)前記凹部の中に複数個のコンデンサを載置する工
程; (c)前記コンデンサ間に、樹脂を充填する工程。13. A method for manufacturing a printed wiring board, comprising at least the following steps (a) to (c): (a) forming a concave portion in a core substrate; (C) filling a resin between the capacitors.
前記複数個のコンデンサの上面に、上から圧力を加え、
前記コンデンサの上面の高さを揃える工程を備えること
を特徴とする請求項13に記載のプリント配線板の製造
方法。14. After the step (b), pressure is applied from above to the upper surfaces of the plurality of capacitors in the concave portion,
14. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 13, further comprising a step of adjusting the height of the upper surface of the capacitor.
通孔を穿設してスルーホールを形成する工程を備えるこ
とを特徴とする請求項13に記載のプリント配線板の製
造方法。15. The method according to claim 13, further comprising, after the step (c), forming a through hole by forming a through hole in the resin layer.
を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法: (a)心材となる樹脂を含有させてなる樹脂材料に通孔
を形成する工程; (b)前記通孔を形成した樹脂材料に、樹脂材料を貼り
付けて、凹部を有するコア基板を形成する工程; (c)前記コア基板の凹部に複数個のコンデンサを載置
する工程; (d)前記コンデンサ間に樹脂を充填する工程。16. A method for manufacturing a printed wiring board, comprising at least the following steps (a) to (d): (a) forming through holes in a resin material containing a resin as a core material; (B) attaching a resin material to the resin material having the through holes to form a core substrate having a concave portion; (c) placing a plurality of capacitors in the concave portion of the core substrate. (D) filling a resin between the capacitors.
前記複数個のコンデンサの上面に、上から圧力を加え、
前記コンデンサの上面の高さを揃える工程を備えること
を特徴とする請求項16に記載のプリント配線板の製造
方法。17. After the step (c), a pressure is applied from above to an upper surface of the plurality of capacitors in the concave portion,
17. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 16, further comprising a step of adjusting the height of the upper surface of the capacitor.
通孔を穿設してスルーホールを形成する工程を備えるこ
とを特徴とする請求項16に記載のプリント配線板の製
造方法。18. The method according to claim 16, further comprising, after the step (d), forming a through hole by forming a through hole in the resin layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000266283A JP2002100871A (en) | 1999-09-02 | 2000-09-01 | Printed wiring board and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24831199 | 1999-09-02 | ||
JP11-248311 | 1999-09-02 | ||
JP11-360306 | 1999-12-20 | ||
JP36030699 | 1999-12-20 | ||
JP2000221349 | 2000-07-21 | ||
JP2000-221349 | 2000-07-21 | ||
JP2000266283A JP2002100871A (en) | 1999-09-02 | 2000-09-01 | Printed wiring board and manufacturing method thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002100871A true JP2002100871A (en) | 2002-04-05 |
Family
ID=27478112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000266283A Pending JP2002100871A (en) | 1999-09-02 | 2000-09-01 | Printed wiring board and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002100871A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004087959A (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Fujitsu Ltd | Composite capacitor |
JP2010003800A (en) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Murata Mfg Co Ltd | Chip component, method for manufacturing thereof, module with built-in component, and method for manufacturing thereof |
JP2010123865A (en) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Murata Mfg Co Ltd | Ceramic electronic component and component built-in substrate |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63300507A (en) * | 1987-05-30 | 1988-12-07 | Murata Mfg Co Ltd | Formation of electrode of laminated ceramic electronic component |
JPH04283987A (en) * | 1991-03-13 | 1992-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electronic circuit device and manufacture thereof |
JPH06314631A (en) * | 1993-03-02 | 1994-11-08 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Chip-type three-terminal capacitor |
JPH07235632A (en) * | 1994-02-21 | 1995-09-05 | Hitachi Ltd | Capacitor unit and capacitor unit built-in electronic circuit device |
JPH07263619A (en) * | 1994-03-17 | 1995-10-13 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JPH0846085A (en) * | 1994-08-02 | 1996-02-16 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device and method of manufacture |
JPH0888471A (en) * | 1994-09-14 | 1996-04-02 | Nec Corp | Multilayer printed wiring board device and its manufacture |
JPH09199824A (en) * | 1995-11-16 | 1997-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Printed wiring board and its mounting body |
JPH11144904A (en) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | Chip electronic component |
JPH11233678A (en) * | 1998-02-16 | 1999-08-27 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | Manufacture of ic package |
-
2000
- 2000-09-01 JP JP2000266283A patent/JP2002100871A/en active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63300507A (en) * | 1987-05-30 | 1988-12-07 | Murata Mfg Co Ltd | Formation of electrode of laminated ceramic electronic component |
JPH04283987A (en) * | 1991-03-13 | 1992-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electronic circuit device and manufacture thereof |
JPH06314631A (en) * | 1993-03-02 | 1994-11-08 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Chip-type three-terminal capacitor |
JPH07235632A (en) * | 1994-02-21 | 1995-09-05 | Hitachi Ltd | Capacitor unit and capacitor unit built-in electronic circuit device |
JPH07263619A (en) * | 1994-03-17 | 1995-10-13 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JPH0846085A (en) * | 1994-08-02 | 1996-02-16 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device and method of manufacture |
JPH0888471A (en) * | 1994-09-14 | 1996-04-02 | Nec Corp | Multilayer printed wiring board device and its manufacture |
JPH09199824A (en) * | 1995-11-16 | 1997-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Printed wiring board and its mounting body |
JPH11144904A (en) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | Chip electronic component |
JPH11233678A (en) * | 1998-02-16 | 1999-08-27 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | Manufacture of ic package |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004087959A (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Fujitsu Ltd | Composite capacitor |
JP2010003800A (en) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Murata Mfg Co Ltd | Chip component, method for manufacturing thereof, module with built-in component, and method for manufacturing thereof |
JP2010123865A (en) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Murata Mfg Co Ltd | Ceramic electronic component and component built-in substrate |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100823767B1 (en) | Printed circuit board and method for manufacturing printed circuit board | |
KR100842389B1 (en) | Printed circuit board and method of manufacturing printed circuit board | |
JP4953499B2 (en) | Printed wiring board | |
JP4945842B2 (en) | Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method | |
JP2001339165A (en) | Multilayer printed wiring board and package board | |
JP5505433B2 (en) | Printed wiring board | |
JP4863563B2 (en) | Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method | |
JP4646371B2 (en) | Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method | |
JP4968404B2 (en) | Printed wiring board | |
JP4863546B2 (en) | Capacitor-embedded printed wiring board and manufacturing method of capacitor-embedded printed wiring board | |
JP4863564B2 (en) | Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method | |
JP2002118367A (en) | Printed wiring board and manufacturing method thereof | |
JP4360737B2 (en) | Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method | |
JP4863561B2 (en) | Method for manufacturing printed wiring board | |
JP4697828B2 (en) | Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method | |
JP4646370B2 (en) | Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method | |
JP3219396B2 (en) | Manufacturing method of multilayer printed wiring board | |
JP2002100871A (en) | Printed wiring board and manufacturing method thereof | |
JP2002246506A (en) | Multilayer printed wiring board | |
JP4869486B2 (en) | Printed wiring board and printed wiring board manufacturing method | |
JP2002118365A (en) | Printed wiring board and manufacturing method thereof | |
JP3219395B2 (en) | Manufacturing method of multilayer printed wiring board | |
JP2003008239A (en) | Multilayer printed wiring board | |
JP2002185141A (en) | Multilayer printed board | |
JP2002100873A (en) | Printed wiring board and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050901 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070820 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100331 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100518 |