JP2002270911A - 熱電素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 腕時計などの小型携帯型電子機器で利用可能
な、小型で高い出力電圧の熱電素子を提供する。 【解決手段】 一体化溝入りブロックの端面を研磨また
は研削加工した工程後で配線を形成する工程前に、電極
形成面の熱電素子ブロック５端面の絶縁樹脂層３２、５
４を選択的に除去し端面を平坦化する工程を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は熱電発電に用いる
熱電素子に関するものであり、とくに、小型でかつ多数
の熱電対で構成される熱電素子の製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】熱電対はその両端に温度差を与えること
により電圧を発生する。この電圧を電気エネルギーとし
て利用するのが熱電発電である。熱電発電によれば、熱
エネルギーから電気エネルギーへの変換が直接できるこ
とから、廃熱利用に代表されるような熱エネルギーの有
効的な利用法として注目されている。

【０００３】ところで、現在性能指数が最も高いと言わ
れているＢｉＴｅ系材料を用いた熱電対の出力電圧は１
対あたり４００μＶ／℃ほどである。携帯型電子機器
は、通常、室温近辺で使用されるため、機器の内部での
温度差はあまり期待できない。

【０００４】たとえば腕時計の場合、体温と外気温とに
より生じる時計内部での温度差はせいぜい２℃である。
したがって、時計駆動に必要な１．５Ｖ以上の電圧を得
るためには、おおよそ２０００対以上のＢｉＴｅ系の熱
電対が必要となる。さらに腕時計の場合、腕時計の内容
積が小さいうえに機械部品や電気回路部品を時計ケース
内に収納しなければならず、熱電素子は非常に小さいこ
とが要求されている。

【０００５】以下、図面を用いて従来技術における熱電
素子の製造方法を説明する。まず図１に示すように、ｎ
型熱電半導体ブロック１とｐ型熱電半導体ブロック２と
を用意する。なお、両ブロック１、２を区別して理解し
やすくするために、ｎ型熱電半導体ブロック１には、そ
の表面に斜線を施して示す。以後の各図においても同様
である。

【０００６】続いて図２に示すように、溝入りブロック
作製工程として、ｎ型熱電半導体ブロック１とｐ型熱電
半導体ブロック２に第１の溝加工工程を行う。すなわ
ち、ｎ型熱電半導体ブロック１に一定のピッチで複数本
の縦溝１６を厚さ方向に連結部１５を残して形成し、縦
隔壁１７を所定の間隔で形成したｎ型溝入りブロック１
１を作製する。

【０００７】同様にｐ型熱電半導体ブロック２にも、一
定のピッチで複数本の縦溝２６を厚さ方向に連結部２５
を残して形成し、縦隔壁２７を所定の間隔で形成したｐ
型溝入りブロック２１を作製する。

【０００８】このとき、ｎ型溝入りブロック１１とｐ型
溝入りブロック２１とを嵌合可能にするために、ｎ型溝
入りブロック１１とｐ型溝入りブロック２１の縦隔壁１
７と縦隔壁２７を櫛歯状に形成し、縦溝１６と縦溝２６
のピッチを同一にするとともに、接着用のスペースを確
保するため縦溝１６，２６の幅が縦隔壁１７，２７の幅
より若干広くなるようにする。

【０００９】つぎに、図３に示すように嵌合工程と固着
工程とを行う。ｎ型溝入りブロック１１とｐ型溝入りブ
ロック２１を、互いに縦溝１６，２６に相手側の縦隔壁
２７，１７を挿入し合って嵌合させ、その嵌合部の空隙
に絶縁性がある接着剤を充填して固化し、絶縁樹脂層３
２によって固着された一体化ブロック３を形成する。

【００１０】この一体化ブロック３を形成する工程は、
ｎ型溝入りブロック１１とｐ型溝入りブロック２１を嵌
合させて絶縁性接着剤によって固着させる工程である
が、その絶縁樹脂層３２には２つのブロックの接合する
役割のほかに、ｎ型溝入りブロック１１とｐ型溝入りブ
ロック２１との間の電気的絶縁性を確保する作用を持た
せている。

【００１１】このように、嵌合工程と固着工程を行い、
図３に示したように完成した一体化ブロック３に対し、
つぎに図４に示すように第２の溝加工を実施して、横溝
４６と横隔壁４７を形成する。このように、一体化ブロ
ック３に横溝４６と横隔壁４７を形成した図４に示すブ
ロックを溝入り一体化ブロック４と称す。

【００１２】横溝４６の溝形成方向は、図２を用いて説
明した第１の溝加工工程における縦溝１６、２６の加工
方向と交差する方向に、複数本の横溝４６を所定のピッ
チで厚さ方向に連結部４５を残して形成し、所定の間隔
で横隔壁４７を形成することになる。

【００１３】横溝４６の深さは、一体化ブロック３での
ｎ型溝入りブロック１１とｐ型溝入りブロック２１の嵌
合部分を切断する深さまで形成する。

【００１４】この工程に続いて、固化工程を実施する。
すなわち、図４に示した溝入り一体化ブロック４の横溝
４６に絶縁性ある接着剤を充填して固着し、絶縁樹脂層
５４を形成する。

【００１５】その後、溝入り一体化ブロック４に対し
て、熱電半導体素子露出工程を実施する。すなわち、溝
入り一体化ブロック４の上面下面を研摩または研削加工
によって除去し、図５に示すようにｎ型熱電半導体素片
５１とｐ型熱電半導体素片５２とが交互に整列し絶縁樹
脂層３２、５４によって絶縁された熱電素子ブロック５
を得る。この熱電素子ブロック５には、多数のｎ型熱電
半導体素片５１およびｐ型熱電半導体素片５２が絶縁樹
脂層３２、５４によって互いに絶縁されて一体に固着さ
れ、その上下面を露出している。

【００１６】最後に、図５に示す熱電素子ブロック５の
ｎ型熱電半導体素片５１とｐ型熱電半導体素片５２を交
互に電気的に接続するように、その上下面に電極６１
ａ、６１ｂ、６２ａ、６２ｂ、６３、６４を形成する電
極形成工程を行い、図６に示す熱電素子ブロック６を得
る。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術に
おける図５を用いて説明したｎ型熱電半導体素片５１お
よびｐ型熱電半導体素片５２の露出工程においては、以
下に記すような課題がある。

【００１８】溝入り一体化ブロック４（図４参照）に対
して、熱電半導体素子露出工程を行い、研摩または研削
加工によって上下面を除去する工程では、つぎのように
加工される。研摩または研削加工による熱電半導体素子
露出工程では、ｎ型熱電半導体素片５１およびｐ型熱電
半導体素片５２と、絶縁樹脂層３２、５４とでは、熱電
半導体と樹脂と材質の違いにより、加工される量が相違
する。このため、熱電素子ブロック５の側面図である図
７に示すように、研摩または研削加工後の端面に凹凸が
生じる。

【００１９】すなわち熱電半導体と樹脂との被加工量の
違いに起因して、絶縁樹脂層３２、５４が、ｎ型熱電半
導体素片５１およびｐ型熱電半導体素片５２から突出
し、端面に段差が形成される。

【００２０】そしてこの凹凸のある面に、図６に示すよ
うに電極膜を形成することになるので、電極膜が凹凸の
段差部で断線したり、段差部で電極膜厚が薄くなり電極
膜の抵抗値が高くなる欠陥が発生し、所定の起電力が得
られず、熱電素子の信頼性を低下させる。

【００２１】〔発明の目的〕本発明の目的は、上記課題
を解決して、小型でかつ出力電圧を大きくするために多
数の熱電対を有する熱電素子の電極膜が断線したり膜厚
が薄くなることを抑え、熱電素子の信頼性を向上させる
ことが可能な熱電素子の製造方法を提供することであ
る。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の熱電素子の製造方法は、下記記載の手段
を採用する。

【００２３】本発明の熱電素子の製造方法は、ｎ型熱電
半導体ブロックおよびｐ型熱電半導体ブロックのそれぞ
れに第１の溝加工を行い縦溝と縦隔壁とを形成し、ｎ型
溝入りブロックおよびｐ型溝入りブロックを形成する工
程と、前記ｎ型溝入りブロックと前記ｐ型溝入りブロッ
クを前記縦溝と前記縦隔壁で互いに空隙を設けて嵌合す
る工程と、前記空隙に絶縁性接着剤を充填して前記ｎ型
溝入りブロックとｐ型溝入りブロックを固着し前記空隙
に絶縁樹脂層を有する一体化ブロックを形成する工程
と、前記一体化ブロックに前記第１の溝加工方向と交差
する方向で第２の溝加工を行い横溝と横隔壁を形成し、
一体化溝入りブロックを形成する工程と、前記一体化溝
入りブロックの前記横溝に絶縁樹脂層を形成する工程
と、前記一体化溝入りブロックの端面を研磨または研削
加工することにより前記絶縁樹脂層で絶縁されたｎ型熱
電半導体素片とｐ型熱電半導体素片を有する熱電素子ブ
ロックを形成する工程と、前記ｎ型熱電半導体素片と前
記ｐ型熱電半導体素片を接続する電極を形成する工程と
を有する熱電素子の製造方法であって、前記一体化溝入
りブロックの端面を研磨または研削加工した工程後で前
記電極を形成する工程前に、前記電極を形成する面より
突出した前記絶縁樹脂層を除去して前記端面を平坦化す
る工程を有することを特徴とする。

【００２４】〔作用〕本発明の熱電素子の製造方法で
は、一体化溝入りブロックの端面を研磨または研削加工
した後で、ｎ型熱電半導体素片とｐ型熱電半導体素片と
を接続する電極を形成する前に、ｎ型熱電半導体素片と
ｐ型熱電半導体素片から突出した絶縁樹脂層を選択的に
除去し端面を平坦化する工程を行う。

【００２５】このように絶縁樹脂層を選択的に除去し端
面を平坦化する処理工程を行うことによって、配線形成
面は段差がなくなり、配線が段差部で断線したり、段差
部で電極膜厚が薄くなり電極膜抵抗値が高くなる欠陥は
発生せず、所定の起電力が得られ、信頼性が高い熱電素
子を提供することができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の最適な形態
における熱電素子の製造方法を、図面を用いて説明す
る。

【００２７】まずはじめに図１に示すように、ｎ型熱電
半導体ブロック１とｐ型熱電半導体ブロック２とを用意
する。このｎ型熱電半導体ブロック１とｐ型熱電半導体
ブロック２は厚さを含む全ての寸法が同一であるのが望
ましい。

【００２８】なおこの実施形態においては、ｎ型熱電半
導体ブロック１としてビスマス−テルル（ＢｉＴｅ）の
焼結体を用い、ｐ型熱電半導体ブロック２としてビスマ
ス−テルル−アンチモン（ＢｉＴｅＳｂ）の焼結体を用
い、大きさはともに２１ｍｍ×７ｍｍ×４ｍｍ（厚さ）
とした。

【００２９】つぎに図２に示すように、ｎ型熱電半導体
ブロック１とｐ型熱電半導体ブロック２に第１の溝加工
工程を行う。すなわち、ｎ型熱電半導体ブロック１に一
定のピッチで複数本の縦溝１６を厚さ方向に連結部１５
を残して形成し、縦隔壁１７を所定の間隔で形成したｎ
型溝入りブロック１１を形成する。同様にｐ型熱電半導
体ブロック２にも、一定のピッチで複数本の縦溝２６を
厚さ方向に連結部２５を残して形成し、縦隔壁２７を所
定の間隔で形成したｐ型溝入りブロック２１を形成す
る。

【００３０】このとき、ｎ型溝入りブロック１１とｐ型
溝入りブロック２１とを嵌合可能にするために、ｎ型溝
入りブロック１１とｐ型溝入りブロック２１の縦隔壁１
７と縦隔壁２７を櫛歯状に形成し、縦溝１６と縦溝２６
のピッチを同一にするとともに、絶縁性接着剤を充填す
るためのスペースを確保するため縦溝１６，２６の幅が
縦隔壁１７，２７の幅より若干広くなるようにする。ま
た、縦溝１６と縦溝２６の深さは、等しくするのが望ま
しい。

【００３１】本実施形態では、ｎ型溝入りブロック１１
とｐ型溝入りブロック２１には、厚さ４ｍｍに対して溝
深さ２．５ｍｍで、ピッチ寸法２００μｍ、幅１１０μ
ｍの縦溝１６，２６を形成した。したがって、縦隔壁１
７，２７の幅は９０μｍである。

【００３２】この第１の溝加工工程におけるｎ型熱電半
導体ブロック１およびｐ型熱電半導体ブロック２への縦
溝１６，２６の加工は、ワイヤソーを用いた遊離砥粒加
工により行う。

【００３３】つぎに、図３に示すように嵌合工程と固着
工程とを行う。ｎ型溝入りブロック１１とｐ型溝入りブ
ロック２１を、互いに縦溝１６，２６に相手側の縦隔壁
２７，１７を挿入し合って嵌合させ、その嵌合部の空隙
に絶縁性を有する接着剤としてエポキシ樹脂を充填して
固着し、一体化ブロック３を形成する。

【００３４】この一体化ブロック３を形成する工程は、
ｎ型溝入りブロック１１とｐ型溝入りブロック２１を嵌
合させて絶縁性接着剤によって固着する工程であるが、
その絶縁樹脂層３２には２つのブロック１１、２１を接
合する機能のほかに、ｎ型溝入りブロック１１とｐ型溝
入りブロック２１との間の電気的絶縁性を確保する機能
を持たせている。

【００３５】本実施形態では、ワイヤソーを用いた遊離
砥粒加工によって縦溝１６，２６を形成しており縦隔壁
１７、２７の壁面が非常に平滑に加工されており、流動
性の高い絶縁性接着剤中に固着前の一体化ブロック３を
部分的に浸漬すれば、毛細管現象により絶縁性接着剤を
縦溝１６，２６と縦隔壁２７，１７との隙間に充填する
ことができる。

【００３６】嵌合部の空隙に充填する接着性のある絶縁
材料には低粘度のエポキシ系接着剤が好適であり、縦隔
壁１７と縦隔壁２７の間に絶縁層を兼ねた絶縁樹脂層３
２を設ける。このエポキシ系接着剤としては、熱硬化型
接着剤を使用し、本実施形態ではエポキシテクノロジー
社の商品名ＥＰＯ−ＴＥＫ３３０を用いた。

【００３７】このように、嵌合工程と固着工程を行い、
図３に示したように完成した一体化ブロック３に対し、
つぎに図４に示すように第２の溝加工を実施して、横溝
４６と横隔壁４７を形成する。このように、一体化ブロ
ック３に横溝４６と横隔壁４７を形成した図４に示すブ
ロックを溝入り一体化ブロック４と称す。

【００３８】第２の溝加工による横溝４６の加工は、図
２を用いて説明した第１の溝加工工程における縦溝の加
工方向と交差する方向に、複数本の横溝４６を所定のピ
ッチで、厚さ方向に連結部４５を残して形成し、所定の
間隔を置いて横隔壁４７を形成することになる。なお、
この工程での横溝４６は、第１の溝加工工程で形成した
縦溝１６，２６と任意の角度で交差する方向に形成して
もよい。

【００３９】この実施形態では、横溝４６は図４に示す
ように、一体化ブロック３のｐ型溝入りブロック２１側
の面から形成する。しかし、これとは逆にｎ型溝入りブ
ロック１１側の面から形成してもよいし、あるいは、図
３に示した一体化ブロック３の前面側または背面側から
嵌合部分に形成してもよい。

【００４０】横溝４６の深さは、一体化ブロック３での
ｎ型溝入りブロック１１とｐ型溝入りブロック２１の嵌
合部分を切断する所まで形成する。横溝４６の溝幅は縦
溝１６，２６とは異なり、なるべく狭くするのがよい。
これは次に説明する工程で判るとおり、熱電素子として
の発電能力に寄与するのは横隔壁４７の部分であり、横
溝４６寸法をできるだけ小さくするのが素子性能面から
好ましいからである。本実施形態では、第２の溝加工は
ワイヤーソー加工にて行い、ワイヤー径７０μｍを用い
て行い、ピッチ２００μｍで行った。

【００４１】この工程に続いて、固化工程を行う。すな
わち、図４に示した溝入り一体化ブロック４の各横溝４
６に接着性のある絶縁材を充填して固着し、絶縁樹脂層
５４を形成する。絶縁性を有する接着剤としては、低粘
度のエポキシ系接着剤が好適である。このエポキシ系接
着剤としては、熱硬化型接着剤を使用し、本実施形態で
はエポキシテクノロジー社の商品名ＥＰＯ−ＴＥＫ３３
０を用いた。

【００４２】その後、溝入り一体化ブロック４に対し
て、熱電半導体素子露出工程を行う。すなわち、溝入り
一体化ブロック４の上面下面を研摩または研削加工によ
って除去し、図５に示すようにｎ型熱電半導体素片５１
とｐ型熱電半導体素片５２とが交互に整列し絶縁樹脂層
３２、５４によって絶縁された熱電素子ブロック５を得
る。この熱電素子ブロック５には、多数のｎ型熱電半導
体素片５１およびｐ型熱電半導体素片５２が絶縁樹脂層
３２、５４によって互いに絶縁されて一体に固着され、
その上下面を露出している。

【００４３】そして図８（ａ）に示すように、ｎ型熱電
半導体素片５１およびｐ型熱電半導体素片５２と、絶縁
樹脂層３２、５４の材質の違いに起因して熱電素子ブロ
ック５の上下面で絶縁樹脂層３２、５４が、ｎ型熱電半
導体素片５１およびｐ型熱電半導体素片５２より突出す
る凹凸面が生じる。

【００４４】そこで、研摩または研削加工により、絶縁
樹脂層３２、５４と、ｎ型熱電半導体素片５１およびｐ
型熱電半導体素片５２とに生じた端面の凹凸面にたいし
て、絶縁樹脂層３２、５４を選択的に除去し平坦化する
工程を行う。

【００４５】本発明の実施形態では、絶縁樹脂層３２、
５４を選択的に除去する処理工程として、レーザ光８１
照射を行った。またレーザ光８１としてエキシマレーザ
を照射した。その条件を以下に記す。

【００４６】波長が２４８ｎｍのパルス発振のＫｒＦエ
キシマレーザを使用し、照射エネルギは数ｍＪ／ｃｍ²
から数十ｍＪ／ｃｍ²で、スキャン速度は４００ｍｍ／
分で、熱電素子ブロック５端面の絶縁樹脂層３２、５４
と、ｎ型熱電半導体素片５１およびｐ型熱電半導体素片
５２にレーザを照射した。

【００４７】ＫｒＦエキシマレーザによるレーザ光８１
照射した結果、ｎ型熱電半導体素片５１とｐ型熱電半導
体素片５２の照射面はまったく変化が認められないが、
絶縁樹脂層３２、５４のみが蒸発飛散して熱電素子ブロ
ック５端面は平坦化された。

【００４８】研摩または研削加工においては、半導体素
子片５１、５２と絶縁樹脂層５４の剛性の違いによっ
て、研摩または研削加工時の加工力が相違し加工面に凹
凸を生じるが、レーザ光照射による加工においては、ｎ
型熱電半導体素片５１およびｐ型熱電半導体素片５２
と、絶縁樹脂層３２、５４に加工力が加わらず、絶縁樹
脂層３２、５４は蒸発飛散するが、熱電半導体素子部は
固体のままであるため、図８（ｂ）に示すように平坦な
面に加工することができる。

【００４９】さらに、レーザ光８１を照射すると、絶縁
樹脂層３２、５４の被加工面を粗面化することができ、
電極膜の密着性を向上させる効果も奏する。

【００５０】最後に、図５に示した熱電素子ブロック５
のｎ型熱電半導体素片５１とｐ型熱電半導体素片５２を
交互に電気的に接続するように、その上下面に電極を形
成する電極形成工程を実施して、図６に示す熱電素子６
を得る。

【００５１】図６はその熱電素子６を上面方向から見た
平面図であり、その上面側と下面側とに種々の電極を形
成している。実線の円形で示す上面電極６１ａと破線の
円形で示す下面電極６２ａが、隣り合ったｎ型熱電半導
体素片５１とｐ型熱電半導体素片５２とを直列に接続
し、多数の熱電対を形成する電極である。また、Ｌ字状
の上面電極６１ｂと下面電極６２ｂとは熱電素子８０の
周縁部で必要な電極で、無駄な意味はあるがｎ型または
ｐ型の熱電半導体素片を並列に接続している。各熱電半
導体素片５１，５２は絶縁樹脂層３２および絶縁樹脂層
５４によって互いに絶縁されている。なお、小さい破線
の円形で示す下面電極６３，６４は外部への電圧取り出
し電極である。これらの電極は、いずれも図６に示した
熱電素子ブロック６の上面と下面とに金（Ａｕ）膜を真
空蒸着法、スパッタリング法、または無電解メッキ法な
どにより形成し、フォトリソグラフィー技術とエッチン
グ技術によってその金膜をパターンニングして形成す
る。

【００５２】なお以上の実施形態では、絶縁樹脂層３
２、５４を選択的に除去するために、レーザ光８１とし
てエキシマレーザを照射した例で説明したが、ＹＡＧレ
ーザや炭酸ガスレーザ照射でも実施可能であり、さらに
絶縁樹脂層３２、５４をドライエッチングまたはウェッ
トエッチング処理することによって選択的に除去するこ
とができる。

【００５３】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
熱電素子の製造方法では、絶縁樹脂層で絶縁されたｎ型
熱電半導体素片とｐ型熱電半導体素片を形成した熱電素
子ブロックの上面と下面とに電極膜を形成するまえに、
絶縁樹脂層を選択的に除去し平坦化する処理を行い、電
極形成面の段差をなくす。

【００５４】このように絶縁樹脂層を選択的に除去し端
面を平坦化する処理工程を行うことによって、配線形成
面は段差がなくなり、配線が段差部で断線したり段差部
で電極膜厚が薄くなり電極膜抵抗値が高くなる欠陥は発
生せず、所定の起電力が得られ、信頼性が高い熱電素子
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態および従来技術における熱電
素子の製造方法を示す斜視図である。

【図２】本発明の実施形態および従来技術における熱電
素子の製造方法を示す斜視図である。

【図３】本発明の実施形態および従来技術における熱電
素子の製造方法を示す斜視図である。

【図４】本発明の実施形態および従来技術における熱電
素子の製造方法を示す斜視図である。

【図５】本発明の実施形態および従来技術における熱電
素子の製造方法を示す斜視図である。

【図６】本発明の実施形態および従来技術における熱電
素子の製造方法を示す平面図である。

【図７】従来技術における熱電素子の製造方法を示す図
面である。

【図８】本発明の実施形態における熱電素子の製造方法
を示す図面である。

【符号の説明】

１：ｎ型熱電半導体ブロック ２：ｐ型熱電
半導体ブロック ３：一体化ブロック ４：溝入り一体化ブロ
ック ５：熱電素子ブロック ６：熱電素子 １１：ｎ型溝入りブロック １６：縦溝 １７：縦隔壁 ２１：ｐ型溝入りブロック ２６：縦溝 ２７：縦隔壁 ３２：絶縁樹脂層 ４６：横溝 ４７：横隔壁 ５１：ｎ型熱電半導体素片 ５２：ｐ型熱電半導体素片 ５４：絶縁樹脂
層 ８１：レーザ光

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ｎ型熱電半導体ブロックおよびｐ型熱電
   半導体ブロックのそれぞれに第１の溝加工を行い縦溝と
   縦隔壁とを形成し、ｎ型溝入りブロックおよびｐ型溝入
   りブロックを形成する工程と、 前記ｎ型溝入りブロックと前記ｐ型溝入りブロックを前
   記縦溝と前記縦隔壁で互いに空隙を設けて嵌合する工程
   と、 前記空隙に絶縁性接着剤を充填して前記ｎ型溝入りブロ
   ックとｐ型溝入りブロックを固着し前記空隙に絶縁樹脂
   層を有する一体化ブロックを形成する工程と、 前記一体化ブロックに前記第１の溝加工方向と交差する
   方向で第２の溝加工を行い横溝と横隔壁を形成し、一体
   化溝入りブロックを形成する工程と、 前記一体化溝入りブロックの前記横溝に絶縁樹脂層を形
   成する工程と、 前記一体化溝入りブロックの端面を研磨または研削加工
   することにより前記絶縁樹脂層で絶縁されたｎ型熱電半
   導体素片とｐ型熱電半導体素片を有する熱電素子ブロッ
   クを形成する工程と、 前記ｎ型熱電半導体素片と前記ｐ型熱電半導体素片を接
   続する電極を形成する工程とを有する熱電素子の製造方
   法であって、 前記一体化溝入りブロックの端面を研磨または研削加工
   した工程後で前記電極を形成する工程前に、前記電極を
   形成する面より突出した前記絶縁樹脂層を除去して前記
   端面を平坦化する工程を有することを特徴とする熱電素
   子の製造方法。
2. 【請求項２】 前記絶縁樹脂層を選択的に除去し前記端
   面を平坦化する工程が、レーザを照射であることを特徴
   とする請求項１に記載の熱電素子の製造方法。
3. 【請求項３】 前記レーザが、エキシマレーザであるこ
   とを特徴とする請求項２に記載の熱電素子の製造方法。