JPH11204843A - 熱電素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゼーベック効果を利用した発電装置に用いる
熱電素子ブロックあるいはペルチェ効果を利用した冷却
装置に用いる熱電素子ブロックにおいて、従来、熱電素
子ブロックを形成したときに、外観的にはｎ型熱電半導
体とｐ型熱電半導体とを識別できなかった。 【解決手段】 上記課題を解決するため、熱電素子ブロ
ックのｎ型熱電半導体素片とｐ型熱電半導体素片の回り
にダミー素片５７を置くことにより、ｎ型熱電半導体５
１とｐ型熱電半導体５２との外観から識別することがで
きるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱勾配をかけるこ
とによって発電するゼーベック効果を利用した発電装置
に用いる熱電素子、あるいは電流を流すことによって温
度差を発生させるペルチェ効果を利用した冷却装置に用
いる熱電素子の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】熱電対はその両端に温度差を与えること
により電圧を発生する。これがゼーベック効果であり、
この電圧を電気エネルギーとして取り出すことで発電装
置が得られる。このような熱電発電によれば熱エネルギ
ーから電気エネルギーへの変換が直接できるため、廃熱
利用に代表されるような熱エネルギーの有効的な利用法
として注目されている。

【０００３】一方、熱電対に電流を流すと一端で発熱、
他端で吸熱が起こる。これがペルチェ効果であり、この
吸熱現象を利用して冷却装置が得られる。このような冷
却装置は、機構部品を含まずかつ小型化も可能なことか
ら、ポータブルな冷蔵庫あるいはレーザーや集積回路な
どの局部冷却器として活用されている。

【０００４】発電装置や冷却装置に用いられる熱電素子
としては、たとえば図１５に示した構造が、特開昭６３
―２０８８０号公報に開示されている。

【０００５】図１５は交互の列をなして規則的に配置さ
れたｎ型熱電半導体素片５５１およびｐ型熱電半導体素
片５５２が絶縁体５５４により一体化された熱電素子ブ
ロック５５３である。

【０００６】熱電素子はこの熱電素子ブロック５５３の
上面と下面に電極を蒸着などによって形成し、ｎ型熱電
半導体素片５５１とｐ型熱電半導体素片５５２とを交互
に直列接続して完成する。

【０００７】さて、この熱電素子ブロック５５３の配置
では、図から明らかなように、仮にｎ型熱電半導体素片
５５１とｐ型熱電半導体素片５５２の配置が逆になった
場合も両型の半導体材料の色がほぼ同一であるため配置
の違いを外観から識別することはできない。

【０００８】このため、一般には、電極形成後に熱勾配
をかけテスタなどで極性を確認してから、外部への引き
出し線を配線する方法をとる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】前記のような従来例に
おける熱電素子ブロックの熱電半導体素片の配置では、
電極形成後の熱電素子の極性がはっきりしないという問
題がある。このため熱電素子から外部への引き出し線の
プラス、マイナスが逆になることがあり、実装形態の変
更を余儀なくされたり、誤って逆配線になり使えなくな
ることがある。さらに、熱電素子ブロックの段階で微細
な探針を用いてテスタなどで熱電半導体の測定をしプラ
ス、マイナスを確認しなければならず、工程が増える。
さらにテスタで測定した後プラス、マイナスがわかるよ
うに保管しなければならない。

【００１０】（発明の目的）本発明の目的は、従来の熱
電素子で問題であった前述の極性の不明瞭さという問題
を解決することが可能な熱電素子の製造方法を提供する
ことにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の熱電素子の製造方法は、およそ長さの等し
い第１の導電型の棒状熱電半導体素片、および第２の導
電型の棒状熱電半導体素片のそれぞれをマトリックス状
に規則性を持って配置し、第１および第２の熱電半導体
素片群の外側にダミー素片を配置して固定した熱電素子
ブロックを作製する工程と、熱電素子ブロック内に形成
されたｐ型熱電半導体素片とｎ型熱電半導体素片を電気
的に直列に接続するための電極を形成する工程と、を有
することを特徴とする。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の熱電素子の製造方
法における最適な実施形態を図面を用いて説明する。こ
こでは、第１の導電型の熱電半導体をｎ型熱電半導体と
し、第２の導電型の熱電半導体をｐ型熱電半導体として
説明するが、それらは逆であってもよい。

【００１３】〔第１の実施形態：図１、図２、図３、図
４、図５、図６、図７〕本発明の第１の実施形態におけ
る熱電素子の製造方法について、図１と図２と図３と図
４と図５と図６と図７とを用いて説明する。はじめに、
図１に示すようにｎ型熱電半導体ブロック１とｐ型熱電
半導体ブロック２とを用意する。ｎ型熱電半導体ブロッ
ク１およびｐ型熱電半導体ブロック２は、加工後に、そ
れぞれ棒形状のｎ型熱電半導体素片５１およびｐ型熱電
半導体素片５２となる半導体ブロックである。

【００１４】この実施形態では、ｎ型熱電半導体ブロッ
ク１として、ＢｉＴｅの焼結体、ｐ型熱電半導体ブロッ
ク２としてＢｉＴｅＳｂの焼結体を用い、大きさはｎ型
熱電半導体ブロックの場合は１２．５ｍｍ×１２ｍｍ×
４ｍｍでありｐ型熱電半導体ブロックの場合は１２ｍｍ
×１２ｍｍ×４ｍｍとする。

【００１５】続いて図２に示す工程では、ｎ型熱電半導
体ブロック１に縦溝２６を形成し、縦隔壁２７を残して
ｎ型溝入ブロック２１とする。同様に、ｐ型熱電半導体
ブロック２からｐ型溝入ブロック２２を形成するが、こ
のとき、ｎ型溝入ブロック２１とｐ型溝入ブロック２２
とで、縦溝のピッチを同一とする。

【００１６】このとき、ｎ型溝入ブロック２１の縦隔壁
２７の長さはｐ型溝入ブロック２２の縦隔壁２４の長さ
より長くなる。このように縦隔壁２４と縦隔壁２７との
長さを変えることにより最終的に完成した熱電素子ブロ
ックは、同種類の熱電半導体素片が１列に並び、列の長
い方がｎ型熱電半導体素片５１であり、列の短い方がｐ
型熱電半導体素片５２であることが容易に識別できるこ
とになる。

【００１７】なお、一方の溝入ブロックの縦溝の幅が他
方のブロックの縦隔壁の幅よりも大きくなるようにもし
ておくが、これは、後述の工程でｎ型溝入ブロック２１
とｐ型溝入ブロック２２を嵌め合わせるために必要な条
件である。

【００１８】また、縦溝２３，２６の加工はワイヤーソ
ーによる研磨加工により行う。

【００１９】ワイヤーソーのワイヤー断面は円形である
ため、縦溝２３、２６の溝底は正確には曲面となるが、
ここでは図面の都合上、図２においては平らな底として
図示した。

【００２０】それぞれの熱電半導体ブロックに、深さ３
ｍｍ（外形の４ｍｍが厚さ方向）、ピッチ１２０μｍ、
の縦溝を形成し、このとき、溝幅はｎ型の縦溝２６と、
ｐ型の縦溝２３ともに７０μｍである。

【００２１】図３の工程においては、図２に示したｎ型
溝入ブロック２１の縦溝２６にｐ型溝入ブロック２２の
縦隔壁２４を挿入し組み合わせて一体化する。組み合わ
せた２つのブロックは嵌合部に接着層３２を設けて固着
することで一体化ブロック３とする。

【００２２】一体化ブロック３を作製する際の接着で注
意すべき点は、接着層３２には２つのブロックの接合以
外に、ｎ型溝入ブロック２１とｐ型溝入ブロック２２と
の間の電気的絶縁性を確保する働きをも持たせなければ
ならないことにある。

【００２３】この実施形態では箱の中に一体化ブロック
を入れ、その嵌合部に接着剤を充填固化し接着層３２を
形成する。その他、ワイヤーソーのような研磨加工によ
って縦溝２３、２６の内壁が非常に平滑に加工できた場
合には、流動性の高い接着剤中に固着前の一体化ブロッ
ク３を部分的に浸漬し、毛管現象により接着剤を縦溝２
６と縦隔壁２４との隙間に充填すれば絶縁性は確保でき
る。

【００２４】接着層３２の接着剤としては、ここでは低
粘度の常温硬化型のエポキシ系の接着剤を用いることと
する。

【００２５】図３の一体化ブロック３は、つぎに図４で
示した再度の溝加工工程によって横溝４６を形成し、溝
入一体化ブロック４３にする。横溝４６の加工は、図２
での縦溝２３，２６の工程と同様にワイヤーソーによる
研磨加工で行い、残った部分が横隔壁４７となる。本工
程での横溝４６は縦溝２６に交差した方向に形成するも
ので、一般的には図４に示したとおり直交させるのが最
適である。本実施形態では横溝の加工をｐ型熱電半導体
側もしくはｎ型熱電半導体側から行う。

【００２６】横溝４６は図４のように一体化ブロック３
のｐ型熱電半導体側の面から形成しても、これとは逆に
ｎ型熱電半導体の面から形成してもよい。すなわち横溝
４６は一体化ブロック３の上下いずれの側からでも形成
可能である。また横溝４６の深さは、一体化ブロック３
でのｎ型熱電半導体の縦溝２６や縦隔壁２７とｐ型熱電
半導体の縦溝２３や縦隔壁２４の嵌合部を切断する箇所
まで形成することが好ましい。

【００２７】横溝４６の幅は、縦溝２６とは異なり、な
るべく細くするのがよい。これは素子機能に直接かかわ
る熱電半導体が残るのは横隔壁４７の部分であり、横溝
４６の領域をできるだけ小さくするのが素子性能面から
好ましいからである。

【００２８】したがって、この例においてはピッチ１２
０μｍ、幅４０μｍ、深さ４ｍｍの横溝４６を形成す
る。なお、溝幅４０μｍはワイヤーソー加工での細幅と
してほぼ限界値である。

【００２９】上記の工程に続いて、横溝４６にエポキシ
系の絶縁性樹脂を充填し硬化して絶縁樹脂層４４を形成
する。そして、絶縁樹脂層４４で固めた溝入一体化ブロ
ック４３を、その上下面を研削などで除去し、ｎ型熱電
半導体の縦溝２６とｐ型熱電半導体の縦隔壁２４との嵌
合部を残すように仕上げることで、図５の熱電素子ブロ
ック５３が得られる。

【００３０】絶縁体５４は図３における接着層３２と図
４において横溝４６に充填した絶縁樹脂層４４が一体と
なった部分を示している。

【００３１】この状態の熱電素子ブロックの上面図を図
６に示す。この熱電素子ブロック５３ではｎ型熱電半導
体素片５１とｐ型熱電半導体素片５２が交互に列をなす
ように規則的に並んでおり、ｎ型熱電半導体素片５１の
列がｐ型熱電半導体素片５２の列より明らかに長く形成
されている。

【００３２】このために、熱電素子ブロック５３では外
見上から明確にｎ型熱電半導体素片５１とｐ型熱電半導
体素片５２とを識別でき、前記の熱電素子の極性にかか
わる問題を解決できる。

【００３３】図７は熱電素子ブロック５３に電極７７を
形成して得られた熱電素子７３の上面図（下面にも電極
は形成する）であり電極７７によりｎ型とｐ型の熱電半
導体素片が交互に直列に接続される。そして、電極７７
を形成していないｎ型熱電半導体素片はダミー素片５７
として存在する。

【００３４】電極７７は蒸着により形成するがその工程
は次の通りである。ニッケルからなる金属板に開口部を
設け、上面におけるｎ型熱電半導体素片５１とｐ型熱電
半導体素片５２とが開口部の所定の位置に来るように位
置合わせをしてから熱電素子ブロック５３の上面に金属
板を密着させて固定する。

【００３５】続いてこの金属板を設けた面の熱電素子ブ
ロック５３に蒸着を行う。蒸着は真空中でクロム１００
ｎｍ、銅９００ｎｍの厚さで順次行う。これにより、熱
電素子ブロック５３の上面には、図７に示すようなパタ
ーンで配線が形成される。配線は熱電素子ブロック５３
の下面においても同様にして形成する。

【００３６】そして引き出し線７０、７１を設けるが、
本実施形態ではｐ型熱電半導体素片からの引き出し線７
０の太さをｎ型熱電半導体素片からの引き出し線７１よ
りも細くすることにより熱電素子７３の極性が簡単に判
別できるようにした。

【００３７】最後に、熱電素子７３のダミー素片５７と
して残っているｎ型熱電半導体を研磨または切断などに
よって取り除く。このことは熱電素子を小さくすること
により、装置に設置したときの占有面積を小さくするた
めでり、またダミー素片は熱伝導を促すため、その影響
を無くすためでもある。ただしこの工程を行わなくとも
熱電素子としての機能は果たす。

【００３８】このように一連の熱電素子の製造工程の途
中に、形成される熱電素子ブロック５３では、図６のよ
うにｎ型熱電半導体素片からなる列がｐ型熱電半導体素
片からなる列よりも長い。この長くはみ出た部分にある
ｎ型熱電半導体素片がダミー素片となる。これにより、
熱電半導体素片の列の長い方がｎ型熱電半導体素片、短
い方がｐ型熱電半導体素片であることが容易に識別でき
る。またダミー素片以外の熱電半導体素片はストライプ
状に並んでおり、規則性をもって配置されている。

【００３９】〔第２の実施形態：図６、図８、図９、図
１０〕つぎに本発明の第２の実施形態における熱電素子
の製造方法を説明する。図６と図８と図９と図１０とは
本実施形態の、第１の実施形態とは異なる製造方法であ
る。本実施形態の製造方法は第１の実施形態に開示した
方法とほぼ同様であるが、相違点としては、ｎ型溝入ブ
ロック８１の縦隔壁８７とｐ型溝入ブロック８２の縦隔
壁８４の高さが異なる点と、二度目の溝加工を行うとき
の作製方向が異なる点である。一方の縦隔壁８７と他方
の縦隔壁８４の幅、長さは同じである。以下図を用いて
説明する。

【００４０】まず図８で示すように、図２と同様にｎ型
熱電半導体ブロック１とｐ型熱電半導体ブロック２に縦
溝８３，８６を形成する。このとき双方のブロックは
幅、長さが同じで高さが異なるものを用いるのがよい。
形成されたｎ型溝入ブロック８１の縦隔壁８７とｐ型溝
入ブロック８２の縦隔壁８４の高さは、少なくともその
一部で、一方が他方のものよりも高くなるようにする。
ここでは全体で、縦隔壁８７が縦隔壁８４より高い場合
を示している。

【００４１】つぎに二つの溝入ブロックを嵌め合わせ図
９のような一体化ブロック９３を形成する。このとき二
つのブロックは嵌合部に接着層を設けて固定する。

【００４２】その後図１０で示した再度の溝加工工程に
より、図９に示した一体化ブロック９３に、ｎ型溝入ブ
ロック８１とｐ型溝入ブロック８２が並列してなる面か
ら、縦隔壁８７と直角で、その長手方向と同じ方向に溝
１４６を作製する。第１の実施形態の場合とは溝加工す
る面が異なる。

【００４３】そして絶縁樹脂により固着し、絶縁樹脂層
１３２を形成し、溝入一体化ブロック１４３とする。そ
の後横溝加工した面およびその裏面を研削などで除去
し、ｎ型熱電半導体とｐ型熱電半導体の縦溝３２６と縦
隔壁３２７との嵌合部を残すように仕上げ、熱電素子ブ
ロックを形成する。作製した熱電素子ブロックは図６の
第１の実施形態のものと同様であり、ダミー素片以外の
熱電半導体素片はストライプ状に並んでおり、規則性を
もって配置されている。最後に熱電素子ブロックに電極
を形成し熱電素子を作製する。

【００４４】〔第３の実施形態：図１１、図１２、図１
３〕本発明の第３の実施形態における熱電素子の製造方
法の熱電素子ブロックを図１１と図１２と図１３を用い
て説明する。図１３は熱電素子ブロックの上面図であ
る。

【００４５】この実施形態の熱電素子製造方法につい
て、まず図１１および図１２を用いて説明する。本製造
方法は第１の実施形態で開示した方法とほぼ同様である
が、相違点としては、ｎ型溝入ブロック１２１の縦隔壁
の数とｐ型溝入ブロック１２２の縦隔壁の数が異なる点
である。双方のブロックの縦隔壁の幅と、長さ、高さは
同じである。

【００４６】まず図１１では図２のときのようにｎ型熱
電半導体ブロック１とｐ型熱電半導体ブロック２に溝１
２３、１２６を形成する。このとき双方のブロックは長
さが同じで幅が異なるものを用いるのがよい。

【００４７】このとき、後で双方の溝入ブロックを嵌め
合わせることができるように、幅の短いｐ型溝入ブロッ
ク１２２の端から端まで縦溝を形成しておくか、また
は、ｐ型溝入ブロックの両端を、縦溝を形成するときと
同一の深さか、または、より深く研磨しておく。

【００４８】このように形成されたｎ型溝入ブロック１
２１の縦隔壁１２７の数とｐ型溝入ブロック１２２の縦
隔壁１２４の数はｎ型の方がｐ型よりも多くなる。

【００４９】つぎに二つの溝入ブロックを嵌め合わせ図
１２のような一体化ブロック２０３を形成する。このと
き二つのブロックの嵌合部に絶縁樹脂を用いて固着し絶
縁樹脂層２３２を設けることで一体化ブロック２０３と
する。

【００５０】その後、図１２に示した一体化ブロック２
０３に、縦溝と交差する横溝を作製し、溝入一体化ブロ
ックとする。そして横溝加工した面およびその裏面を研
削で除去し、ｎ型熱電半導体とｐ型熱電半導体の縦溝２
２６と縦隔壁２２７との嵌合部を残すように仕上げ、熱
電素子ブロックを形成する。最後に熱電素子ブロックに
電極を形成して熱電素子を形成する。

【００５１】このように、一連の熱電素子の製造工程の
途中に形成される熱電素子ブロック５３では、図１３の
ように、ｎ型熱電半導体素片５１の列がｐ型熱電半導体
素片５２の列よりも多くなっている。この多い部分がダ
ミー素片５７となる。これにより、ダミー素片５７以外
の熱電半導体素片はストライプ状に並んでおり、規則性
をもって配置されている。そして、熱電半導体素片の列
の多い方がｎ型熱電半導体、少ない方がｐ型熱電半導体
であることが容易に識別できる。なお、ｎ型熱電半導体
とｐ型熱電半導体を逆転させて配置しても同様の効果が
ある。

【００５２】〔第４の実施形態：図１４〕本発明の第４
の実施形態における熱電素子の製造方法の熱電素子ブロ
ックを図１４を用いて説明する。この実施形態ではｎ型
熱電半導体素片５１およびｐ型熱電半導体素片５２を市
松模様状に規則性をもって配置した熱電素子ブロックで
ある。図１４は、例としてｐ型熱電半導体素片の横にダ
ミー素片５７を置いたものである。

【００５３】製造方法は棒状のｎ型熱電半導体素片とｐ
型熱電半導体を多数用意し、これらを治具を用いて個々
に一つ一つ並べてから接着剤で固める方法が考えられ
る。図１４の様な配置にするとダミー素片５７の隣にあ
るのがｐ型熱電半導体素片５２であることがわかる。

【００５４】このとき、ｎ型熱電半導体とｐ型熱電半導
体が入れ替わっても同様である。また熱電半導体素片は
市松模様に配置する以外の配置でもよく、たとえば一部
ストライプ状、一部市松模様状のものでもよい。さら
に、ダミー素片５７は熱電半導体でもその他の材質のも
のでもよく、視認可能なものであれば特に材料は問わな
い。そしてその設置個所は一つでも複数でもよく、形状
についても特には問わない。

【００５５】またダミー素片５７は発電もしくは吸熱に
はまったく関与しない。

【００５６】

【発明の効果】上記のように熱電素子ブロックの回りに
ダミー素片を置くことにより固有の特徴を与え、配線電
極形成前にｎ型熱電半導体素片とｐ型熱電半導体素片の
位置を正確に確認できるようにし、配線電極や入出力端
子の位置を容易に決定することができる。このため外部
への引き出し線のプラス、マイナスが逆になることがな
い。また実装形態の変更の必要性もなく、誤って逆配線
になり使えなくなることもなくなる。さらに、熱電素子
ブロック段階でテスタなどで測定しプラス、マイナスを
確認する工程がいらなくなる。これにより熱電素子ブロ
ックでの保管も容易になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態における熱電素子の製
造方法のｎ型熱電半導体ブロックおよびｐ型熱電半導体
ブロックを示す斜視図である。

【図２】本発明の第１の実施形態における熱電素子の製
造方法の溝入ブロックを示す斜視図である。

【図３】本発明の第１の実施形態における熱電素子の製
造方法の一体化ブロックを示す斜視図である。

【図４】本発明の第１の実施形態における熱電素子の製
造方法の溝入一体化ブロックを示す斜視図である。

【図５】本発明の第１の実施形態における熱電素子の製
造方法の熱電素子ブロックを示す斜視図である。

【図６】本発明の第１および第２の実施形態における熱
電素子の製造方法の熱電素子ブロックの上面図である。

【図７】本発明の第１の実施形態における熱電素子の製
造方法の熱電素子の上面図である。

【図８】本発明の第２の実施形態における熱電素子の製
造方法の溝入ブロックを示す斜視図である。

【図９】本発明の第２の実施形態における熱電素子の製
造方法の一体化ブロックを示す斜視図である。

【図１０】本発明の第２の実施形態における熱電素子の
製造方法の溝入一体化ブロックを示す斜視図である。

【図１１】本発明の第３の実施形態における熱電素子の
製造方法の溝入ブロックを示す斜視図である。

【図１２】本発明の第３の実施形態における熱電素子の
製造方法の一体化ブロックを示す斜視図である。

【図１３】本発明の第３の実施形態における熱電素子の
製造方法の熱電素子ブロックの上面図である。

【図１４】本発明の第４の実施形態における熱電素子の
製造方法の熱電素子ブロックの上面図である。

【図１５】従来技術における熱電素子の製造方法の熱電
半導体ブロックを示す斜視図である。

【符号の説明】

１ ｎ型熱電半導体ブロック ２ ｐ型熱電半導体ブロック ３、９３、２０３ 一体化ブロック ２１、８１、１２１ ｎ型溝入ブロック ２２、８２、１２２ ｐ型溝入ブロック ２３、２６、８３、８６、１２３、１２６ 縦溝 ２４、２７、８４、８７、１２４、１２７ 縦隔壁 ５１、１５１ ｎ型熱電半導体素片 ５２、１５２ ｐ型熱電半導体素片 ５３、１５３ 熱電素子ブロック ５４、１５４ 絶縁体 ５７ ダミー素片

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 およそ長さの等しい第１の導電型の棒状
   熱電半導体素片、および第２の導電型の棒状熱電半導体
   素片のそれぞれをマトリックス状に規則性を持って配置
   し、第１および第２の熱電半導体素片群の外側に近接し
   てダミー素片を配置して導電体の棒状熱電半導体素片の
   極性がわかるように固定した熱電素子ブロックを作製す
   る工程と、 熱電素子ブロック内に形成されたｐ型熱電半導体素片と
   ｎ型熱電半導体素片を電気的に直列に接続するための電
   極を形成する工程と、 を有することを特徴とする熱電素子の製造方法。
2. 【請求項２】 第１の導電型の熱電半導体ブロック、お
   よび第２の導電型の熱電半導体ブロックのそれぞれに、
   同一ピッチでかつ異なる長さの縦溝を形成する、第１の
   溝加工を施す第１の溝加工工程と、 第１と第２の導電型の熱電半導体ブロックを第１の溝加
   工面で互いに嵌合する工程と、 嵌合部の空隙に第１の絶縁部材を充填し第１と第２の導
   電型の熱電半導体ブロックを固定し一体化ブロックとす
   る工程と、 一体化ブロックに第１の溝加工と交差する第２の溝加工
   を行う工程と、 第２の溝加工部に第２の絶縁部材を充填し固化させる工
   程と、 第２の絶縁部材を充填固化した一体化ブロックの第２の
   溝加工をした面とその裏面を除去し第１と第２の導電型
   の熱電半導体素片の端部を露出させる工程と、 第１と第２の熱電半導体素片を電気的に直列に接続する
   ための電極を前記露出させた端部間に形成する工程と、 を有することを特徴とする熱電素子の製造方法。
3. 【請求項３】 第１の導電型の熱電半導体ブロック、お
   よび第２の導電型の熱電半導体ブロックのそれぞれに、
   同一ピッチでかつ互いの縦隔壁の数が異なるように縦溝
   を形成する、第１の溝加工を施す工程と、 第１と第２の導電型の熱電半導体ブロックを第１の溝加
   工面で互いに嵌合する工程と、 嵌合部の空隙に第１の絶縁部材を充填し第１と第２の導
   電型の熱電半導体ブロックを固定し一体化ブロックとす
   る工程と、 一体化ブロックに第１の溝加工と交差する第２の溝加工
   を施す工程と、 第２の溝加工部に第２の絶縁部材を充填し固化させる工
   程と、 第２の絶縁部材を充填固化した一体化ブロックの第２の
   溝加工をした面とその裏面を除去し第１と第２の導電型
   の熱電半導体素片の端部を露出させる工程と、 第１と第２の熱電半導体素片を電気的に直列に接続する
   ための電極を前記露出させた端部間に形成する工程と、 を有することを特徴とする熱電素子の製造方法。
4. 【請求項４】 ダミー素片は、 発電もしくは吸熱にはまったく関与しないことを特徴と
   する請求項１または請求項２または請求項３記載の熱電
   素子の製造方法。
5. 【請求項５】 熱電素子ブロックに残っているダミー素
   片を取り除く工程を有することを特徴とする請求項１ま
   たは請求項２または請求項３記載の熱電素子の製造方
   法。