JP2015511404A - 熱電気素子 - Google Patents
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Abstract
Description
ここで、δT:高温側と低温側の間の温度差
α:ゼーベック係数又は熱起電力
第三の接点を基板後側に層として成膜し、
第四の接点を基板後側に層として成膜し、
これらの第三と第四の接点の間に、第三と第四の接点を互いに熱的及び電気的に分離する不連続部を配置し、
少なくとも一つの第一のスルーホール部が第一と第三の接点を互いに熱的及び電気的に接続し、
少なくとも一つの第二のスルーホール部が第二と第四の接点を互いに熱的及び電気的に接続する、
ものと規定する。
2a,2b 直方体
3a,3b 金属製ブリッジ
4 高温側
5 低温側
6a,6b セラミック板
7 両端間の長さ
10 熱電気素子
11 基板
12 基板前側
13 基板後側
14 第一の接点
15 第二の接点
16 不連続部
17 熱電気作用層
18 上側
19 下側
20 側方境界面
21 側方境界面
22 熱ソース
23 熱シンク
24 熱電流
25 第三の接点
26 第四の接点
27 不連続部
28 スルーホール部
29 スルーホール部
30 固着材料の層
31 熱電気材料の層
Claims (11)
- 基板前側(12)及び基板前側(12)に対向する基板後側(13)を有する基板(11)と、
基板前側(12)に層として成膜された第一の接点(14)と、
基板前側(12)に層として成膜された第二の接点(15)と、
これらの第一と第二の接点(14,15)を互いに熱的及び電気的に分離する第一と第二の接点の間の不連続部(16)と、
側方境界面(20,21)によって互いに接続された上側(18)及び下側(19)を有する熱電気作用層(17)とを備えた熱電気素子(10)において、
この熱電気作用層(17)は、その下側(19)が基板前側(12)と接し、それらの側方境界面の中の一つの側方境界面(20)が第一の接点と接し、それらの側方境界面の中の一つ側方境界面(21)が第二の接点(15)と接するように、不連続部(16)内に配置されている熱電気素子。 - 第三の接点(25)が基板後側(13)に層として成膜され、
第四の接点(26)が基板後側(13)に層として成膜され、
第三と第四の接点を互いに熱的及び電気的に分離する不連続部(27)が第三と第四の接点(25,26)の間に配置され、
少なくとも一つの第一のスルーホール部(28)が第一と第三の接点(14,25)を互いに熱的及び電気的に接続し、
少なくとも一つの第二のスルーホール部(29)が第二と第四の接点(15,26)を互いに熱的及び電気的に接続している、
ことを特徴とする請求項1に記載の熱電気素子。 - 基板前側(12)と基板後側(13)の全ての層が薄い層として成膜されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の熱電気素子。
- 熱電気作用層(17)が固着材料から成る複数の層(30)と熱電気材料から成る複数の層(31)とを有し、これらの固着材料と熱電気材料から成る層(30,31)が熱電気作用層(17)の上側と下側(18,19)の間に交互に存在することを特徴とする請求項1から3までのいずれか一つに記載の熱電気素子。
- 少なくとも第一と第二の接点(14,15)の間の不連続部(16)の推移が直線形状でないことを特徴とする請求項1から4までのいずれか一つに記載の熱電気素子。
- 熱電気作用層(17)の厚さが、第一と第二の接点(14,15)の厚さよりも厚く、熱電気作用層(17)が、部分的に第一と第二の接点(14,15)と重なり合っていることを特徴とする請求項1から5までのいずれか一つに記載の熱電気素子。
- 熱電気素子を製造する方法において、
基板(11)の基板前側(12)に金属被覆層を成膜する工程と、
基板前側(12)から金属被覆層を目的通り除去することにより、金属被覆層に不連続部(16)を構造化して、その結果、この不連続部(16)が金属被覆部を第一の接点(14)と第二の接点(15)に分割する工程と、
この不連続部(16)内に熱電気作用層(17)を析出させて、その結果、この不連続部(16)が少なくとも部分的に熱電気作用材料で満たされる工程と、
を有する方法。 - 基板前側(12)に対向する基板後側(13)に金属被覆層を成膜する工程と、
基板後側(13)から金属被覆層を目的通り除去することにより、この後側の金属被覆層に不連続部(27)を構造化して、その結果、この不連続部が金属被覆部を第三の接点(25)と第四の接点(26)に分割する工程と、
第一と第三の接点(14、25)を互いに熱的及び電気的に接続する少なくとも一つの第一のスルーホール部(28)を製作する工程と、
第二と第四の接点(15,26)を互いに熱的及び電気的に接続する少なくとも一つの第二のスルーホール部(29)を製作する工程と、
を更に有する請求項7に記載の方法。 - 全ての層が、物理的又は化学的な気相析出法により薄い層として成膜されることを特徴とする請求項7又は8に記載の方法。
- 各金属被覆層の構造化がエッチングにより行なわれることを特徴とする請求項7から9までのいずれか一つに記載の方法。
- 熱電気作用層(17)が不連続部(16)内に複数の層(30,31)で析出され、先ずは固着材料から成る層(30)が基板前側(12)に析出され、それに続いて熱電気材料と固着材料から成る層(30,31)が交互に析出されることを特徴とする請求項7から10までのいずれか一つに記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012101492 | 2012-02-24 | ||
DE102012101492.2 | 2012-02-24 | ||
DE102012105373.1A DE102012105373B4 (de) | 2012-02-24 | 2012-06-20 | Thermoelektrisches Element sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102012105373.1 | 2012-06-20 | ||
PCT/EP2013/050802 WO2013124095A1 (de) | 2012-02-24 | 2013-01-17 | Thermoelektrisches element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015511404A true JP2015511404A (ja) | 2015-04-16 |
Family
ID=48950712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014558042A Pending JP2015511404A (ja) | 2012-02-24 | 2013-01-17 | 熱電気素子 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9899588B2 (ja) |
EP (1) | EP2805360B1 (ja) |
JP (1) | JP2015511404A (ja) |
CN (1) | CN104137283B (ja) |
DE (2) | DE102012105373B4 (ja) |
RU (1) | RU2606250C2 (ja) |
WO (2) | WO2013124094A2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10267545B2 (en) | 2016-03-30 | 2019-04-23 | Qualcomm Incorporated | In-plane active cooling device for mobile electronics |
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- 2012-06-20 DE DE102012105373.1A patent/DE102012105373B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2012-06-20 DE DE102012105367A patent/DE102012105367A1/de not_active Withdrawn
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- 2013-01-16 WO PCT/EP2013/050702 patent/WO2013124094A2/de active Application Filing
- 2013-01-17 RU RU2014138379A patent/RU2606250C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2013-01-17 WO PCT/EP2013/050802 patent/WO2013124095A1/de active Application Filing
- 2013-01-17 JP JP2014558042A patent/JP2015511404A/ja active Pending
- 2013-01-17 US US14/380,272 patent/US9899588B2/en active Active
- 2013-01-17 EP EP13702941.9A patent/EP2805360B1/de not_active Not-in-force
- 2013-01-17 CN CN201380010723.3A patent/CN104137283B/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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EP2805360B1 (de) | 2017-06-14 |
CN104137283B (zh) | 2018-03-23 |
DE102012105373B4 (de) | 2019-02-07 |
WO2013124095A1 (de) | 2013-08-29 |
RU2014138379A (ru) | 2016-04-10 |
WO2013124094A3 (de) | 2013-10-24 |
DE102012105373A1 (de) | 2013-08-29 |
RU2606250C2 (ru) | 2017-01-10 |
CN104137283A (zh) | 2014-11-05 |
EP2805360A1 (de) | 2014-11-26 |
US20150034140A1 (en) | 2015-02-05 |
WO2013124094A2 (de) | 2013-08-29 |
DE102012105367A1 (de) | 2013-08-29 |
US9899588B2 (en) | 2018-02-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150626 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160715 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160727 |
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