JP2002265446A - 新規カルバゾール誘導体および化学増幅型感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 化学増幅型レジストに対する増感成分として
極めて有用な新規カルバゾール誘導体、および該カルバ
ゾール誘導体を含有し、解像度、パターン形状、ＰＥＤ
安定性等のレジストとしての基本性能を損なうことな
く、特に高感度である感放射線性樹脂組成物を提供す
る。 【解決手段】 カルバゾール誘導体は、下記一般式
（１）で表される。 【化１】 〔一般式（１）において、Ｒ¹ およびＲ² は水素原子ま
たは１価の有機基を示すか、あるいはＲ¹ とＲ² が相互
に連結して３〜８員環の炭素環構造または３〜８員環の
複素環構造を有する２価の有機基を形成しており、Ｒ³
は水素原子または１価の有機基を示す。〕 化学増幅型感放射線性樹脂組成物は、該カルバゾール誘
導体を含有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規カルバゾール
誘導体、および該誘導体を含有する、ＫｒＦエキシマレ
ーザー、ＡｒＦエキシマレーザーあるいはＦ₂ エキシマ
レーザーに代表される遠紫外線、シンクロトロン放射線
等のＸ線、電子線等の荷電粒子線の如き各種の放射線を
使用する微細加工に有用な化学増幅型レジストとして好
適に使用することができる化学増幅型感放射線性樹脂組
成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路素子の製造に代表される微細加
工の分野においては、より高い集積度を得るために、最
近では０．２０μｍ以下のレベルでの微細加工が可能な
リソグラフィー技術が必要とされている。しかし、従来
のリソグラフィープロセスでは、放射線として一般にｉ
線等の近紫外線が用いられているが、この近紫外線で
は、サブクオーターミクロンレベルでの微細加工が極め
て困難であると言われている。そこで、０．２０μｍ以
下のレベルにおける微細加工を可能とするために、より
短波長の放射線の利用が検討されている。このような短
波長の放射線としては、例えば、水銀灯の輝線スペクト
ルやエキシマレーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線、電
子線等を挙げることができるが、これらのうち、特にＫ
ｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキ
シマレーザー（波長１９３ｎｍ）あるいはＦ₂ エキシマ
レーザー（波長１５７ｎｍ）が注目されている。前記短
波長の放射線に適したレジストとして、酸解離性官能基
を有する成分と放射線の照射（以下、「露光」とい
う。）により酸を発生する感放射線性酸発生剤との間の
化学増幅効果を利用したレジスト（以下、「化学増幅型
レジスト」という。）が数多く提案されている。化学増
幅型レジストとしては、例えば、特公平２−２７６６０
号公報に、カルボン酸のｔ−ブチルエステル基またはフ
ェノールのｔ−ブチルカーボナート基を有する重合体と
感放射線性酸発生剤とを含有する組成物が提案されてい
る。この組成物は、露光により発生した酸の作用によ
り、重合体中に存在するｔ−ブチルエステル基あるいは
ｔ−ブチルカーボナート基が解離して、該重合体がカル
ボキシル基やフェノール性水酸基からなる酸性官能基を
形成し、その結果、レジスト被膜の露光領域がアルカリ
現像液に易溶性となる現象を利用したものである。

【０００３】また、近年における化学増幅型レジストに
は、限界解像度、プロセスマージンに加えて、フォトリ
ソグラフィープロセスにおける生産性を決定する因子と
なりうる放射線に対する感度の高さが求められている。
化学増幅型レジストの感度を高める方策の一つとして、
構成成分である塩基性物質の量を減らす方法があるが、
この方法では結果的に感放射線性酸発生剤から生じる酸
の量が少なくなって、パターン表面の“がたつき”が大
きくなり、また露光から露光後の加熱処理までの引き置
き時間の変動に対する線幅の安定性（ＰＥＤ安定性）等
の環境耐性が低下するという問題がある。これに対し
て、感放射線性酸発生剤の量を増やす方法も考えられる
が、この方法ではレジスト被膜の放射線透過率が下がる
ため、パターン形状が、好ましい矩形ではなく台形にな
る欠点がある。また、添加剤による高感度化の試みとし
て、特開２０００―３４２７２号公報に、環状１，２−
ジオールモノスルホン酸エステル系化合物を酸増殖剤と
して用いる方法が提案されているが、この方法では感放
射線性酸発生剤が何らかの原因で分解した際に、添加さ
れた酸増殖剤の作用により酸が急激に発生するため、感
放射線性樹脂組成物の保存安定性が損なわれる欠点があ
る。一方、感放射線性酸発生剤として使用されるスクシ
ンイミドエステルに対して、カルバゾール系化合物が増
感効果を示すという報告が、J.Am.Chem.Soc.1988,110,8
736になされているが、この種の化合物は一般に、毒性
が高く、また昇華性もあるため、レジストパターンの形
成時に飛散して、露光装置を汚染し、また人体に悪影響
を与えるおそれがある。そこで、解像度、パターン形状
等のフォトレジストとしての基本性能を損なうことなく
高感度化でき、また環境耐性や保存安定性にも優れた化
学増幅型感放射線性樹脂組成物をもたらしうる、非昇華
性のレジスト用添加剤の開発が求められている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、活性
放射線、例えばＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシ
マレーザーあるいはＦ₂ エキシマレーザーに代表される
遠紫外線に感応する化学増幅型レジストに対する増感成
分として極めて有用な新規カルバゾール誘導体、および
該カルバゾール誘導体を含有し、解像度、パターン形
状、露光から露光後の加熱処理までの引き置き時間の変
動に対する安定性等のレジストとしての基本性能を損な
うことなく、特に高感度であり、また環境耐性および組
成物としての保存安定性にも優れた化学増幅型レジスト
として好適に使用することができる感放射線性樹脂組成
物を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、第一に、下記
一般式（１）で表されるカルバゾール誘導体

【０００６】

【化２】

【０００７】〔一般式（１）において、Ｒ¹ およびＲ²
は相互に独立に水素原子または１価の有機基を示すか、
あるいはＲ¹ とＲ² が相互に連結してそれらが結合して
いる式中の炭素原子と共に、３〜８員環の炭素環構造ま
たは３〜８員環の複素環構造を有する２価の有機基を形
成しており、Ｒ³ は水素原子または１価の有機基を示
す。〕からなる。

【０００８】本発明は、第二に、前記一般式（１）で表
されるカルバゾール誘導体を含有することを特徴とする
化学増幅型感放射線性樹脂組成物からなる。

【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。カルバゾール誘導体（１） 本発明における前記一般式（１）で表されるカルバゾー
ル誘導体（以下、「カルバゾール誘導体（１）」とい
う。）は、クロモファー（吸光部位ないし発色団）であ
るカルバゾール骨格をもち、オニウム塩系、スルホンイ
ミド系、ジスルホニルジアゾメタン系等の感放射線性酸
発生剤に対して増感効果を示すが、そのカルボン酸エス
テル部がＳＰ³ 軌道を有する炭素原子を介して結合して
いるため平面構造をとらず、昇華性のない化合物であ
る。

【００１０】カルバゾール誘導体（１）において、Ｒ¹
およびＲ² の１価の有機基としては、例えば、炭素数１
〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭
素数６〜２０の芳香族炭化水素基、酸素原子含有有機
基、窒素原子含有有機基等を挙げることができる。前記
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メ
チルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げるこ
とができる。また、前記芳香族炭化水素基としては、例
えば、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−
トリル基、２，４−キシリル基、２，６−キシリル基、
３，５−キシリル基、メシチル基、ｏ−クメニル基、ｍ
−クメニル基、ｐ−クメニル基、ベンジル基、フェネチ
ル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等をあげること
ができる。

【００１１】前記酸素原子含有有機基としては、例え
ば、カルボキシル基；ヒドロキシメチル基、１−ヒドロ
キシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、１−ヒドロキ
シプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、３−ヒドロ
キシプロピル基、１−ヒドロキシブチル基、２−ヒドロ
キシブチル基、３−ヒドロキシブチル基、４−ヒドロキ
シブチル基、３−ヒドロキシシクロペンチル基、４−ヒ
ドロキシシクロヘキシル基等の炭素数１〜８の直鎖状、
分岐状もしくは環状のヒドロキシアルキル基；メトキシ
基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポキシ基、１−メ
チルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、シクロペンチルオ
キシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数１〜８の直
鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基；メトキシ
メチル基、エトキシメチル基、ｎ−プロポキシメチル
基、ｉ−プロポキシメチル基、ｎ−ブトキシメチル基、
ｔ−ブトキシメチル基、シクロペンチルオキシメチル
基、シクロヘキシルオキシメチル基等の炭素数２〜１０
の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシアルキル
基；

【００１２】１−メトキシエトキシ基、１−エトキシエ
トキシ基、１−ｎ−プロポキシエトキシ基、１−ｎ−ブ
トキシエトキシ基、１−シクロペンチルオキシエトキシ
基、１−シクロヘキシルオキシエトキシ基、１−メトキ
シプロポキシ基、１−エトキシプロポキシ基、１−シク
ロペンチルオキシエトキシ基、１−シクロヘキシルオキ
シエトキシ基等の炭素数２〜１０の直鎖状、分岐状もし
くは環状の１−アルコキシアルコキシル基；メトキシカ
ルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−
プロポキシカルボニルオキシ基、ｉ−プロポキシカルボ
ニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔ−
ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカ
ルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオ
キシ基等の炭素数２〜９の直鎖状、分岐状もしくは環状
のアルコキシカルボニルオキシ基；

【００１３】（１−メトキシエトキシ）メチル基、（１
−エトキシエトキシ）メチル基、（１−ｎ−プロポキシ
エトキシ）メチル基、（１−ｎ−ブトキシエトキシ）メ
チル基、（１−シクロペンチルオキシエトキシ）メチル
基、（１−シクロヘキシルオキシエトキシ）メチル基、
（１−メトキシプロポキシ）メチル基、（１−エトキシ
プロポキシ）メチル基等の炭素数３〜１１の直鎖状、分
岐状もしくは環状の（１−アルコキシアルコキシ）アル
キル基；メトキシカルボニルオキシメチル基、エトキシ
カルボニルオキシメチル基、ｎ−プロポキシカルボニル
オキシメチル基、ｉ−プロポキシカルボニルオキシメチ
ル基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシメチル基、ｔ−ブ
トキシカルボニルオキシメチル基、シクロペンチルオキ
シカルボニルオキシメチル基、シクロヘキシルオキカル
ボニルオキシメチルシ基等の炭素数３〜１０の直鎖状、
分岐状もしくは環状のアルコキシカルボニルオキシアル
キル基や、テトラヒドロフラニルオキシ基、テトラヒド
ロピラニルオキシ基、テトラヒドロフラニルオキシメチ
ル基、テトラヒドロピラニルオキシメチル基等を挙げる
ことができる。

【００１４】前記窒素原子含有有機基としては、例え
ば、シアノ基；シアノメチル基、１−シアノエチル基、
２−シアノエチル基、１−シアノプロピル基、２−シア
ノプロピル基、３−シアノプロピル基、１−シアノブチ
ル基、２−シアノブチル基、３−シアノブチル基、４−
シアノブチル基、３−シアノシクロペンチル基、４−シ
アノシクロヘキシル基等の炭素数２〜９の直鎖状、分岐
状もしくは環状のシアノアルキル基等を挙げることがで
きる。

【００１５】また、Ｒ¹ とＲ² が相互に連結してそれら
が結合している式中の炭素原子と共に形成した３〜８員
環の炭素環構造を有する２価の有機基としては、例え
ば、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、
シクロヘキサン、シクロヘキセン、シクロオクタン等に
由来する基を挙げることができる。また、Ｒ¹ とＲ² が
相互に連結してそれらが結合している式中の炭素原子と
共に形成した３〜８員環の複素環構造を有する２価の有
機基としては、例えば、テトラヒドロフラン、テトラヒ
ドロピラン、１，４−ジオキサン、テトラヒドロチオフ
ラン、テトラヒドロチオピラン等に由来する基を挙げる
ことができる。

【００１６】カルバゾール誘導体（１）におけるＲ¹ お
よびＲ² としては、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ
−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メ
チルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル
基、フェニル基、ベンジル基や、Ｒ¹ とＲ² が相互に連
結してそれらが結合している式中の炭素原子と共に形成
した脂肪族炭素環を有する２価の有機基として、シクロ
ヘキサンに由来する基等が好ましい。

【００１７】次に、Ｒ³ の１価の有機基としては、例え
ば、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
ルキル基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基、酸素原
子含有有機基、窒素原子含有有機基や、酸解離性有機基
等を挙げることができる。

【００１８】Ｒ³ の炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状も
しくは環状のアルキル基、炭素数６〜２０の芳香族炭化
水素基、酸素原子含有有機基および窒素原子含有有機基
としては、例えば、Ｒ¹ およびＲ² について例示したそ
れぞれ対応する基を挙げることができる。これらの基の
うち、ｉ−プロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブ
チル基、環状のアルキル基、ベンジル基、環状のヒドロ
キシアルキル基、アルコキシメチル基、（１−アルコキ
シアルコキシ）メチル基、アルコキシカルボニルオキシ
メチル基、テトラヒドロフラニルオキシメチル基、テト
ラヒドロピラニルオキシメチル基および環状のシアノア
ルキル基は、酸解離性有機基に含まれる。

【００１９】また、Ｒ³ の他の酸解離性有機基として
は、例えば、置換メチル基、１−置換エチル基、１−分
岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、アルコキシカル
ボニル基、アシル基、環式酸解離性基等を挙げることが
できる。前記置換メチル基としては、例えば、メチルチ
オメチル基、エチルチオメチル基、ベンジルオキシメチ
ル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、ブロモフ
ェナシル基、メトキシフェナシル基、メチルチオフェナ
シル基、α−メチルフェナシル基、シクロプロピルメチ
ル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、ブ
ロモベンジル基、ニトロベンジル基、メトキシベンジル
基、メチルチオベンジル基、エトキシベンジル基、エチ
ルチオベンジル基、ピペロニル基等を挙げることができ
る。

【００２０】前記１−置換エチル基としては、例えば、
１−メトキシエチル基、１−メチルチオエチル基、１，
１−ジメトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−
エチルチオエチル基、１，１−ジエトキシエチル基、１
−エトキシプロピル基、１−プロポキシエチル基、１−
シクロヘキシルオキシエチル基、１−フェノキシエチル
基、１−フェニルチオエチル基、１，１−ジフェノキシ
エチル基、１−ベンジルオキシエチル基、１−ベンジル
チオエチル基、１−シクロプロピルエチル基、１−フェ
ニルエチル基、１，１−ジフェニルエチル基、１−メト
キシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチ
ル基、１−ｎ−プロポキシカルボニルエチル基、１−イ
ソプロポキシカルボニルエチル基、１−ｎ−ブトキシカ
ルボニルエチル基、１−ｔ−ブトキシカルボニルエチル
基等を挙げることができる。前記１−分岐アルキル基と
しては、例えば、１，１−ジメチルプロピル基、１−メ
チルブチル基、１，１−ジメチルブチル基等を挙げるこ
とができる。

【００２１】前記シリル基としては、例えば、トリメチ
ルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチル
シリル基、トリエチルシリル基、ｉ−プロピルジメチル
シリル基、メチルジ−ｉ−プロピルシリル基、トリ−ｉ
−プロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、メ
チルジ−ｔ−ブチルシリル基、トリ−ｔ−ブチルシリル
基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリ
ル基、トリフェニルシリル基等のトリカルビルシリル基
を挙げることができる。前記ゲルミル基としては、例え
ば、トリメチルゲルミル基、エチルジメチルゲルミル
基、メチルジエチルゲルミル基、トリエチルゲルミル
基、イソプロピルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｉ−
プロピルゲルミル基、トリ−ｉ−プロピルゲルミル基、
ｔ−ブチルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｔ−ブチル
ゲルミル基、トリ−ｔ−ブチルゲルミル基、フェニルジ
メチルゲルミル基、メチルジフェニルゲルミル基、トリ
フェニルゲルミル基等のトリカルビルゲルミル基を挙げ
ることができる。

【００２２】前記アルコキシカルボニル基としては、例
えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、
ｉ−プロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル
基等を挙げることができる。前記アシル基としては、例
えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプ
タノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル
基、イソバレリル基、ラウロイル基、ミリストイル基、
パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロ
ニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、
ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコ
イル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリ
ロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル
基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、
ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレ
フタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロア
トロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロ
イル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイ
ル基、ｐ−トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げる
ことができる。

【００２３】さらに、前記環式酸解離性基としては、例
えば、シクロプロピル基、３−メチルシクロペンチル
基、４−メチルシクロヘキシル基、シクロヘキセニル
基、４−メトキシシクロヘキシル基、テトラヒドロフラ
ニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオフ
ラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、３−ブロモテ
トラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラヒドロピラ
ニル基、４−メトキシテトラヒドロチオピラニル基、３
−テトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシド基等を
挙げることができる。

【００２４】Ｒ³ の酸解離性有機基としては、ｉ−プロ
ピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、シクロ
ヘキシル基、ベンジル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチ
ル基、１−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、
トリメチルシリル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、テト
ラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラ
ヒドロチオフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基等
が好ましい。

【００２５】カルバゾール誘導体（１）におけるＲ³ と
しては、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、フェニル基
や、酸解離性有機基として、ｉ−プロピル基、１−メチ
ルプロピル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、ベン
ジル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、１−メトキ
シエチル基、１−エトキシエチル基、トリメチルシリル
基、ｔ−ブトキシカルボニル基、テトラヒドロフラニル
基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオフラニ
ル基、テトラヒドロチオピラニル基等が好ましく、特
に、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル
基、ベンジル基等が好ましい。

【００２６】カルバゾール誘導体（１）の好ましい具体
例としては、下記式（１-1) 〜式（１-78)で表される化
合物等を挙げることができる。

【００２７】

【化３】

【００２８】

【化４】

【００２９】

【化５】

【００３０】

【化６】

【００３１】

【化７】

【００３２】

【化８】

【００３３】

【化９】

【００３４】

【化１０】

【００３５】

【化１１】

【００３６】

【化１２】

【００３７】

【化１３】

【００３８】

【化１４】

【００３９】

【化１５】

【００４０】

【化１６】

【００４１】

【化１７】

【００４２】

【化１８】

【００４３】

【化１９】

【００４４】

【化２０】

【００４５】

【化２１】

【００４６】

【化２２】

【００４７】

【化２３】

【００４８】

【化２４】

【００４９】

【化２５】

【００５０】

【化２６】

【００５１】

【化２７】

【００５２】

【化２８】

【００５３】

【化２９】

【００５４】

【化３０】

【００５５】

【化３１】

【００５６】

【化３２】

【００５７】

【化３３】

【００５８】

【化３４】

【００５９】

【化３５】

【００６０】

【化３６】

【００６１】

【化３７】

【００６２】

【化３８】

【００６３】カルバゾール誘導体（１）は、例えば、カ
ルバゾールと、ブロモ酢酸等のα―ブロモカルボン酸類
あるいはブロモ酢酸ｔ−ブチル等のα―ブロモカルボン
酸エステル類とを、塩基性触媒の存在下、適当な溶媒中
で反応させることにより合成することができる。前記塩
基性触媒としては、例えば、ナトリウムアミド、ナトリ
ウムヒドリド、ｎ−ブチルリチウム、１，８−ジアザビ
シクロ[ ５．４．０ ]ウンデカ−７エン等の超強塩基性
触媒；メトキシカリウム、エトキシカリウム、ｔ−ブト
キシカリウム等の強塩基性触媒；トリエチルアミン、ト
リ−ｎ−ブチルアミン等の弱塩基性触媒等を挙げること
ができる。これらの塩基性触媒のうち、超強塩基性触媒
および強塩基性触媒が好ましい。前記塩基性触媒は、単
独でまたは２種以上を混合して使用することができる。

【００６４】また、前記溶媒としては、例えば、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
ホキシド、ｔ−ブタノール、アセトン、アセトニトリ
ル、テトラヒドロフラン、クロロホルム、塩化メチレン
等を挙げることができる。これらの溶媒は、単独でまた
は２種以上を混合して使用することができる。カルバゾ
ール誘導体（１）を合成する際の反応条件は、反応温度
が、通常、−２０〜＋１５０℃、好ましくは０〜７０℃
であり、反応時間は、通常、１分〜９６時間、好ましく
は３０分〜４８時間である。

【００６５】カルバゾール誘導体（１）は、特に、化学
増幅型レジストとして使用される化学増幅型感放射線性
樹脂組成物の感度を高める添加剤成分として極めて好適
に使用することができるほか、カルバゾール環構造を有
する他のカルバゾール誘導体の反応中間体等としても有
用である。

【００６６】化学増幅型感放射線性樹脂組成物 本発明の化学増幅型感放射線性樹脂組成物は、カルバゾ
ール誘導体（１）を必須成分として含有するものであ
り、化学増幅型レジストとして機能しうる限り、他の構
成成分は特に限定されるものではないが、好ましい化学
増幅型感放射線性樹脂組成物としては、例えば、（Ａ）
カルバゾール誘導体（１）、（Ｂ）酸解離性基を有する
アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であって、
該酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹
脂（以下、「酸解離性基含有樹脂（Ｂ）」という。）、
および（Ｃ）感放射線性酸発生剤（以下、「酸発生剤
（Ｃ）」という。）を含有する化学増幅型感放射性樹脂
組成物（以下、「化学増幅型感放射性樹脂組成物〔Ｉ〕
という。）を挙げることができる。

【００６７】以下、化学増幅型感放射性樹脂組成物
〔Ｉ〕について説明する。 −カルバゾール誘導体（１）− 感放射線性樹脂組成物〔Ｉ〕における（Ａ）カルバゾー
ル誘導体（１）としては、特に、前記式（１-1) 、式
（１-6) 、式（１-7) 、式（１-8) 、式（１-10)、式
（１-20)、式（１-34)または式（１-73)で表される化合
物等が好ましい。

【００６８】化学増幅型感放射性樹脂組成物〔Ｉ〕にお
いて、カルバゾール誘導体（１）は、単独でまたは２種
以上を混合して使用することができる。化学増幅型感放
射性樹脂組成物〔Ｉ〕におけるカルバゾール誘導体
（１）の使用量は、酸解離性基含有樹脂（Ｂ）１００重
量部当り、好ましくは０．１〜４０重量部、さらに好ま
しくは０．２〜２０重量部、特に好ましくは１〜１０重
量部である。

【００６９】−酸解離性基含有樹脂（Ｂ）− 酸解離性基含有樹脂（Ｂ）としては、例えばフェノール
性水酸基、カルボキシル基等の１種以上の酸性官能基を
有するアルカリ可溶性樹脂中の該酸性官能基の水素原子
を、酸の存在下で解離することができる１種以上の酸解
離性基で置換した、それ自体としてはアルカリ不溶性ま
たはアルカリ難溶性の樹脂等を挙げることができる。こ
こでいう「アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性」と
は、酸解離性基含有樹脂（Ｂ）を含有する感放射線性樹
脂組成物を用いて形成されるレジスト被膜からレジスト
パターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件下
で、当該レジスト被膜の代わりに酸解離性基含有樹脂
（Ｂ）のみを用いた被膜を現像した場合に、当該被膜の
初期膜厚の５０％以上が現像後に残存する性質を意味す
る。

【００７０】酸解離性基含有樹脂（Ｂ）における前記酸
解離性基としては、例えば、置換メチル基、１−置換エ
チル基、１−分岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、
アルコキシカルボニル基、アシル基、環式酸解離性基等
を挙げることができる。前記置換メチル基としては、例
えば、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキ
シメチル基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメ
チル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル
基、フェナシル基、ブロモフェナシル基、メトキシフェ
ナシル基、メチルチオフェナシル基、α−メチルフェナ
シル基、シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフェ
ニルメチル基、トリフェニルメチル基、ブロモベンジル
基、ニトロベンジル基、メトキシベンジル基、メチルチ
オベンジル基、エトキシベンジル基、エチルチオベンジ
ル基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチル基、エ
トキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニル
メチル基、ｉ−プロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブ
トキシカルボニルメチル基、ｔ−ブトキシカルボニルメ
チル基等を挙げることができる。

【００７１】前記１−置換エチル基としては、例えば、
１−メトキシエチル基、１−メチルチオエチル基、１，
１−ジメトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−
エチルチオエチル基、１，１−ジエトキシエチル基、１
−エトキシプロピル基、１−プロポキシエチル基、１−
シクロヘキシルオキシエチル基、１−フェノキシエチル
基、１−フェニルチオエチル基、１，１−ジフェノキシ
エチル基、１−ベンジルオキシエチル基、１−ベンジル
チオエチル基、１−シクロプロピルエチル基、１−フェ
ニルエチル基、１，１−ジフェニルエチル基、１−メト
キシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチ
ル基、１−ｎ−プロポキシカルボニルエチル基、１−イ
ソプロポキシカルボニルエチル基、１−ｎ−ブトキシカ
ルボニルエチル基、１−ｔ−ブトキシカルボニルエチル
基等を挙げることができる。前記１−分岐アルキル基と
しては、例えば、ｉ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、
ｔ−ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチ
ルブチル基、１，１−ジメチルブチル基等を挙げること
ができる。

【００７２】前記シリル基としては、例えば、トリメチ
ルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチル
シリル基、トリエチルシリル基、ｉ−プロピルジメチル
シリル基、メチルジ−ｉ−プロピルシリル基、トリ−ｉ
−プロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、メ
チルジ−ｔ−ブチルシリル基、トリ−ｔ−ブチルシリル
基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリ
ル基、トリフェニルシリル基等のトリカルビルシリル基
を挙げることができる。前記ゲルミル基としては、例え
ば、トリメチルゲルミル基、エチルジメチルゲルミル
基、メチルジエチルゲルミル基、トリエチルゲルミル
基、イソプロピルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｉ−
プロピルゲルミル基、トリ−ｉ−プロピルゲルミル基、
ｔ−ブチルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｔ−ブチル
ゲルミル基、トリ−ｔ−ブチルゲルミル基、フェニルジ
メチルゲルミル基、メチルジフェニルゲルミル基、トリ
フェニルゲルミル基等のトリカルビルゲルミル基を挙げ
ることができる。

【００７３】前記アルコキシカルボニル基としては、例
えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、
ｉ−プロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル
基等を挙げることができる。前記アシル基としては、例
えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプ
タノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル
基、イソバレリル基、ラウロイル基、ミリストイル基、
パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロ
ニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、
ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコ
イル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリ
ロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル
基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、
ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレ
フタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロア
トロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロ
イル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイ
ル基、ｐ−トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げる
ことができる。

【００７４】さらに、前記環式酸解離性基としては、例
えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、シクロヘキセニル基、４−メトキシシクロヘ
キシル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラ
ニル基、テトラヒドロチオフラニル基、テトラヒドロチ
オピラニル基、３−ブロモテトラヒドロピラニル基、４
−メトキシテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテト
ラヒドロチオピラニル基、３−テトラヒドロチオフェン
−１，１−ジオキシド基等を挙げることができる。

【００７５】これらの酸解離性基のうち、ｔ−ブチル
基、ベンジル基、１−メトキシエチル基、１−エトキシ
エチル基、トリメチルシリル基、ｔ−ブトキシカルボニ
ル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロ
フラニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチ
オフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基等が好まし
い。

【００７６】本発明における酸解離性基含有樹脂（Ｂ）
としては、特に、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、ｐ
−ヒドロキシスチレン／ｐ−ヒドロキシ−α−メチルス
チレン共重合体、ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン共
重合体、あるいはｐ−ヒドロキシスチレンおよび／また
はｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレンと（メタ）アク
リル酸との共重合体からなる各（共）重合体中のフェノ
ール性水酸基の水素原子あるいはカルボキシル基の水素
原子の一部あるいは全部を前記酸解離性基、特に、ｔ−
ブチル基、ベンジル基、１−メトキシエチル基、１−エ
トキシエチル基、トリメチルシリル基、ｔ−ブトキシカ
ルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、テトラ
ヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒ
ドロチオピラニル基およびテトラヒドロチオフラニル基
の群から選ばれる少なくとも１種の基で置換した樹脂等
が好ましい。

【００７７】酸解離性基含有樹脂（Ｂ）における酸解離
性基の導入率（酸解離性基含有樹脂（Ｂ）中の保護され
ていない酸性官能基と酸解離性基との合計数に対する酸
解離性基の数の割合）は、酸解離性基や該基が導入され
るアルカリ可溶性樹脂の種類により一概には規定できな
いが、好ましくは１０〜１００％、さらに好ましくは１
５〜１００％である。

【００７８】酸解離性基含有樹脂（Ｂ）のゲルパーミエ
ーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリ
スチレン換算重量分子量（以下、「Ｍｗ」という。）
は、好ましくは１，０００〜１５０，０００、さらに好
ましくは３，０００〜１００，０００である。また、酸
解離性基含有樹脂（Ｂ）のＭｗとゲルパーミエーション
クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン
換算数分子量（以下、「Ｍｎ」という。）との比（Ｍｗ
／Ｍｎ）は、通常、１〜１０、好ましくは１〜５であ
る。

【００７９】酸解離性基含有樹脂（Ｂ）は、例えば、予
め製造したアルカリ可溶性樹脂に１種以上の酸解離性基
を導入することによって製造することができ、また酸解
離性基を有する１種以上の単量体の（共）重合、酸解離
性基を有する１種以上の重縮合成分の（共）重縮合等に
よって製造することができる。化学増幅型感放射性樹脂
組成物〔Ｉ〕において、酸解離性基含有樹脂（Ｂ）は、
単独でまたは２種以上を混合して使用することができ、
またポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）やノボラック樹脂
等のアルカリ可溶性樹脂の１種以上と組み合わせて使用
することもできる。

【００８０】−酸発生剤（Ｃ）− 本発明における酸発生剤（Ｃ）は、露光により酸を発生
する成分である。このような酸発生剤（Ｃ）としては、
オニウム塩化合物、スルホン化合物、スルホン酸
エステル化合物、スルホンイミド化合物、ジスルホ
ニルジアゾメタン化合物、ジスルホニルメタン化合
物、オキシムスルホネート化合物、ヒドラジンスル
ホネート化合物等を挙げることができる。

【００８１】以下に、これらの酸発生剤（Ｃ）の例を示
す。 オニウム塩化合物：オニウム塩化合物としては、例え
ば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩（チオフェニウム
塩を含む。）、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、アン
モニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。
オニウム塩化合物の具体例としては、ビス（４−ｔ−ブ
チルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ
−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オ
クタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）
ヨードニウムピレンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチ
ルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホ
ネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
ｐ−トルエンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェ
ニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス（４−
ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファース
ルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニ
ウムｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチル
フェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼ
ンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨー
ドニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパー
フルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨード
ニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェ
ニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジ
フェニルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネー
ト、ジフェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネー
ト、ジフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジ
フェニルヨードニウム１０−カンファースルホネート、
ジフェニルヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ
フェニルヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、ジフェニルヨードニウム４−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウ
ムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【００８２】ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムトリフル
オロメタンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニ
ウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（ｐ−
トルイル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンス
ルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムピレンス
ルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムｎ−ドデ
シルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨード
ニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）
ヨードニウムベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トルイ
ル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジ
（ｐ−トルイル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネー
ト、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウム２−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨー
ドニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムパーフルオロベン
ゼンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨ
ードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（３，
４−ジメチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ
−ブタンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニ
ル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムピ
レンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨ
ードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ
（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエ
ンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨー
ドニウムベンゼンスルホネート、ジ（３，４−ジメチル
フェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネー
ト、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムｎ−
オクタンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニ
ル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウ
ム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ
（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムパーフルオ
ロベンゼンスルホネート、

【００８３】ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、ｐ−ニトロフェニ
ル・フェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウ
ムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ｐ−ニト
ロフェニル・フェニルヨードニウムピレンスルホネー
ト、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウムｎ−ド
デシルベンゼンスルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フ
ェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ｐ−ニ
トロフェニル・フェニルヨードニウムベンゼンスルホネ
ート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウム１０
−カンファースルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェ
ニルヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ｐ−ニト
ロフェニル・フェニルヨードニウム２−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェ
ニルヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホネート、ｐ−ニトロフェニル・フェニルヨードニウム
パーフルオロベンゼンスルホネート、ジ（ｍ−ニトロフ
ェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニ
ル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウムピレンス
ルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウムｎ
−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェ
ニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（ｍ
−ニトロフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネー
ト、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウム１０−カン
ファースルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨード
ニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェ
ニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホネート、ジ（ｍ−ニトロフェニル）ヨードニウム４
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（ｍ−
ニトロフェニル）ヨードニウムパーフルオロベンゼンス
ルホネート、

【００８４】ｐ−メトキシフェニル・フェニルヨードニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、ｐ−メトキシフ
ェニル・フェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタ
ンスルホネート、ｐ−メトキシフェニル・フェニルヨー
ドニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ｐ
−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムピレンスル
ホネート、ｐ−メトキシフェニル・フェニルヨードニウ
ムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ｐ−メトキシフ
ェニル・フェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネー
ト、ｐ−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムベン
ゼンスルホネート、ｐ−メトキシフェニル・フェニルヨ
ードニウム１０−カンファースルホネート、ｐ−メトキ
シフェニル・フェニルヨードニウムｎ−オクタンスルホ
ネート、ｐ−メトキシフェニル・フェニルヨードニウム
２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−メ
トキシフェニル・フェニルヨードニウム４−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−メトキシフェニル
・フェニルヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネ
ート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムトリフル
オロメタンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨ
ードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ
（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨ
ードニウムピレンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニ
ル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、
ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンス
ルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムベ
ンゼンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨード
ニウム１０−カンファースルホネート、ジ（ｐ−クロロ
フェニル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ
（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニ
ル）ヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムパー
フルオロベンゼンスルホネート、

【００８５】ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨ
ードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（ｐ−
トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメ
チルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタ
ンスルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニ
ル）ヨードニウムピレンスルホネート、ジ（ｐ−トリフ
ルオロメチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベン
ゼンスルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニ
ル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（ｐ−
トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムベンゼンス
ルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨ
ードニウム１０−カンファースルホネート、ジ（ｐ−ト
リフルオロメチルフェニル）ヨードニウムｎ−オクタン
スルホネート、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）
ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネ
ート、ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニ
ウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ
（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムパー
フルオロベンゼンスルホネート、ジナフチルヨードニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、ジナフチルヨード
ニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジナフ
チルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート、ジナフチルヨードニウムピレンスルホネート、ジ
ナフチルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネー
ト、ジナフチルヨードニウムｐ−トルエンスルホネー
ト、ジナフチルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジ
ナフチルヨードニウム１０−カンファースルホネート、
ジナフチルヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ
ナフチルヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、ジナフチルヨードニウム４−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホネート、ジナフチルヨードニウ
ムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【００８６】ビフェニレンヨードニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、ビフェニレンヨードニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビフェニレンヨードニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビフェ
ニレンヨードニウムピレンスルホネート、ビフェニレン
ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビフ
ェニレンヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ビフ
ェニレンヨードニウムベンゼンスルホネート、ビフェニ
レンヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビフ
ェニレンヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ビフ
ェニレンヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、ビフェニレンヨードニウム４−トリフル
オロメチルベンゼンスルホネート、ビフェニレンヨード
ニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、２−クロロ
ビフェニレンヨードニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、２−クロロビフェニレンヨードニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、２−クロロビフェニレン
ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、２−クロロビフェニレンヨードニウムピレンスルホ
ネート、２−クロロビフェニレンヨードニウムｎ−ドデ
シルベンゼンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨ
ードニウムｐ−トルエンスルホネート、２−クロロビフ
ェニレンヨードニウムベンゼンスルホネート、２−クロ
ロビフェニレンヨードニウム１０−カンファースルホネ
ート、２−クロロビフェニレンヨードニウムｎ−オクタ
ンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウム
２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２−ク
ロロビフェニレンヨードニウム４−トリフルオロメチル
ベンゼンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨード
ニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【００８７】トリフェニルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリフ
ェニルスルホニウムピレンスルホネート、トリフェニル
スルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、トリ
フェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリ
フェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、トリフェ
ニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、トリ
フェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、トリ
フェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、トリフェニルスルホニウム４−トリフル
オロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホ
ニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルス
ルホニウムナフタレンスルホネート、トリフェニルスル
ホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、４−ｔ−
ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェ
ニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウム
パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−ｔ−ブ
チルフェニル・ジフェニルスルホニウムピレンスルホネ
ート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウ
ムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブチル
フェニル・ジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホ
ネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニ
ウムベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・
ジフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネー
ト、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウム
ｎ−オクタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・
ジフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼ
ンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニル
スルホニウム４−トリフルオロメタンベンゼンスルホネ
ート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウ
ムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【００８８】４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルス
ルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔ−
ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニ
ル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタ
ンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニ
ルスルホニウムピレンスルホネート、４−ｔ−ブトキシ
フェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼ
ンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニ
ルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ｔ−ブ
トキシフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンスル
ホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスル
ホニウム１０−カンファースルホネート、４−ｔ−ブト
キシフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンス
ルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルス
ルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウ
ム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−
ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフ
ルオロベンゼンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル
・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウ
ムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ヒドロ
キシフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・
ジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、４−ヒド
ロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシル
ベンゼンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・ジフ
ェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ヒ
ドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンス
ルホネート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスル
ホニウム１０−カンファースルホネート、４−ヒドロキ
シフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスル
ホネート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホ
ニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウム４−
トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−ヒドロ
キシフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオロベ
ンゼンスルホネート、

【００８９】トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、トリ（ｐ−メトキ
シフェニル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウ
ムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリ（ｐ
−メトキシフェニル）スルホニウムピレンスルホネー
ト、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムｎ−ド
デシルベンゼンスルホネート、トリ（ｐ−メトキシフェ
ニル）スルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリ
（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムベンゼンスルホ
ネート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウム１
０−カンファースルホネート、トリ（ｐ−メトキシフェ
ニル）スルホニウムｎ−オクタンスルホネート、トリ
（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウム２−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホネート、トリ（ｐ−メトキシフ
ェニル）スルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニ
ウムパーフルオロベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−メト
キシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニル）・
ｐ−トルイルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニル）・ｐ−トルイ
ルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、ジ（ｐ−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホ
ニウムピレンスルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニ
ル）・ｐ−トルイルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼン
スルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニル）・ｐ−トル
イルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（ｐ−
メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムベンゼ
ンスルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニル）・ｐ−ト
ルイルスルホニウム１０−カンファースルホネート、ジ
（ｐ−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウム
ｎ−オクタンスルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニ
ル）・ｐ−トルイルスルホニウム２−トリフルオロメチ
ルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニル）
・ｐ−トルイルスルホニウム４−トリフルオロメチルベ
ンゼンスルホネート、ジ（ｐ−メトキシフェニル）・ｐ
−トルイルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネ
ート、

【００９０】フェニル・テトラメチレンスルホニウムト
リフルオロメタンスルホネート、フェニル・テトラメチ
レンスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、フェニル・テトラメチレンスルホニウムパーフルオ
ロ−ｎ−オクタンスルホネート、フェニル・テトラメチ
レンスルホニウムピレンスルホネート、フェニル・テト
ラメチレンスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネ
ート、フェニル・テトラメチレンスルホニウムｐ−トル
エンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニ
ウムベンゼンスルホネート、フェニル・テトラメチレン
スルホニウム１０−カンファースルホネート、フェニル
・テトラメチレンスルホニウムｎ−オクタンスルホネー
ト、フェニル・テトラメチレンスルホニウム２−トリフ
ルオロメチルベンゼンスルホネート、フェニル・テトラ
メチレンスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウム
パーフルオロベンゼンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフ
ェニル・テトラメチレンスルホニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチ
レンスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニ
ウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ｐ−ヒ
ドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムピレン
スルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレ
ンスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ｐ
−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムｐ
−トルエンスルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・テ
トラメチレンスルホニウムベンゼンスルホネート、ｐ−
ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウム１０
−カンファースルホネート、ｐ−ヒドロキシフェニル・
テトラメチレンスルホニウムｎ−オクタンスルホネー
ト、ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニ
ウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ
−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウム４
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ヒド
ロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムパーフル
オロベンゼンスルホネート、

【００９１】フェニル・ビフェニレンスルホニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、フェニル・ビフェニレン
スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、
フェニル・ビフェニレンスルホニウムパーフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、フェニル・ビフェニレンスル
ホニウムピレンスルホネート、フェニル・ビフェニレン
スルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、フェ
ニル・ビフェニレンスルホニウムｐ−トルエンスルホネ
ート、フェニル・ビフェニレンスルホニウムベンゼンス
ルホネート、フェニル・ビフェニレンスルホニウム１０
−カンファースルホネート、フェニル・ビフェニレンス
ルホニウムｎ−オクタンスルホネート、フェニル・ビフ
ェニレンスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、フェニル・ビフェニレンスルホニウム４
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、フェニル
・ビフェニレンスルホニウムパーフルオロベンゼンスル
ホネート、（４−フェニルチオフェニル）・ジフェニル
スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、（４−
フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウムノナ
フルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、（４−フェニルチ
オフェニル）・ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、（４−フェニルチオフェニ
ル）・ジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、
（４−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウ
ムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、（４−フェニル
チオフェニル）・ジフェニルスルホニウムｐ−トルエン
スルホネート、（４−フェニルチオフェニル）・ジフェ
ニルスルホニウムベンゼンスルホネート、（４−フェニ
ルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウム１０−カン
ファースルホネート、（４−フェニルチオフェニル）・
ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、
（４−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウ
ム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、（４
−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウム４
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、（４−フ
ェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウムパーフ
ルオロベンゼンスルホネート、

【００９２】４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフ
ェニル）スルフィドジ（トリフルオロメタンスルホネー
ト）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニ
ル）スルフィドジ（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネ
ート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニ
ル）スルフィドジ（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホ
ネート）、４．４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェ
ニル）スルフィドジ（ピレンスルホネート）、４．４’
−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ
（ｎ−ドデシルベンゼンスルホネート）、４，４’−ビ
ス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ（ｐ
−トルエンスルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニ
ルスルホニオフェニル）スルフィドジ（ベンゼンスルホ
ネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェ
ニル）スルフィドジ（１０−カンファースルホネー
ト）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニ
ル）スルフィドジ（ｎ−オクタンスルホネート）、４，
４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィ
ドジ（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニ
ル）スルフィドジ（４−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオ
フェニル）スルフィドジ（パーフルオロベンゼンスルホ
ネート）等を挙げることができる。

【００９３】スルホン化合物：スルホン化合物として
は、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホ
ンや、これらのα−ジアゾ化合物等を挙げることができ
る。スルホン化合物の具体例としては、フェナシルフェ
ニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フ
ェニルスルホニル）メタン、４−トリスフェナシルスル
ホン等を挙げることができる。 スルホン酸エステル化合物：スルホン酸エステル化合
物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハ
ロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エ
ステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。
スルホン酸エステル化合物の具体例としては、ベンゾイ
ントシレート、ピロガロールトリス（トリフルオロメタ
ンスルホネート）、ピロガロールトリス（ノナフルオロ
ブタンスルホネート）、ピロガロールトリス（メタンス
ルホネート）、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシ
アントラセン−２−スルホネート、α−メチロールベン
ゾイントシレート、α−メチロールベンゾイントリフル
オロメタンスルホネート、α−メチロールベンゾインｎ
−オクタンスルホネート、α−メチロールベンゾインｎ
−ドデカンスルホネート等を挙げることができる。 スルホンイミド化合物：スルホンイミド化合物として
は、例えば、下記式（２）

【００９４】

【化３９】 （式中、Ｒ⁴ はアルキレン基、アリーレン基、アルコキ
シレン基等の２価の基を示し、Ｒ⁵ はアルキル基、アリ
ール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置換アリー
ル基等の１価の基を示す。）で表される化合物を挙げる
ことができる。

【００９５】スルホンイミド化合物の具体例としては、
Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）スクシン
イミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）
フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオ
キシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメタ
ンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−
５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフ
ルオロメタンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ
−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメ
タンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（１０−
カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−
（１０−カンファースルホニルオキシ）フタルイミド、
Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ジフェニル
マレイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホ
ニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプ
ト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１
０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ナ
フチルイミド、

【００９６】Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ス
クシンイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）
フタルイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）
ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニル
オキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスル
ホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘ
プト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ナフチ
ルイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）スク
シンイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）フ
タルイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ジ
フェニルマレイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオ
キシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，
３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニ
ルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト
−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−
トルエンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘ
プタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ナフチルイ
ミド、

【００９７】Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフル
オロメチルベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２ートリフ
ルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−ト
リフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）スクシン
イミド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホ
ニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミ
ド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニル
オキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシク
ロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボ
キシイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−
５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）
ナフチルイミド、

【００９８】Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオ
キシ）スクシンイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンス
ルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（パーフルオロベ
ンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−
（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオ
ロベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］
ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ナ
フチルイミド、Ｎ−（ナフタレンスルホニルオキシ）ス
クシンイミド、Ｎ−（ナフタレンスルホニルオキシ）フ
タルイミド、Ｎ−（ナフタレンスルホニルオキシ）ジフ
ェニルマレイミド、Ｎ−（ナフタレンスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ナフタレンスルホニルオ
キシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５
−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ナフタレ
ンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン
−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（ナフタレンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、

【００９９】Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニ
ルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−
ブタンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ノナフ
ルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ジフェニルマレ
イミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオ
キシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，
３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．
２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ
−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−
ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−
（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）スク
シンイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホ
ニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−
オクタンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ
−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビ
シクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカ
ルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンス
ルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］
ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシ
クロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オク
タンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、

【０１００】Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）スクシ
ンイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）フタルイ
ミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマ
レイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）−７−オ
キサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ
−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホ
ニルオキシ）ナフチルイミド等を挙げることができる。 ジスルホニルジアゾメタン化合物：ジスルホニルジア
ゾメタン化合物としては、例えば、下記式（３）

【０１０１】

【化４０】 （式中、Ｒ⁶ およびＲ⁷ は相互に独立に、アルキル基、
アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置換ア
リール基等の１価の基を示す。）で表される化合物を挙
げることができる。

【０１０２】ジスルホニルジアゾメタン化合物の具体例
としては、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（シクロヘキサンスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，
４−ジメチルベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、メチ
ルスルホニル−ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、
ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（ｐ−クロロベンゼンスルホニル）ジアゾメタ
ン、シクロヘキシルスルホニル・ｐ−トルエンスルホニ
ルジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル・１，
１−ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビス
（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビ
ス（３，３−ジメチル−１，５−ジオキサスピロ［５．
５］ドデカン−８−スルホニル）ジアゾメタン、ビス
（１，４−ジオキサスピロ［４．５］デカン−７−スル
ホニル）ジアゾメタン等を挙げることができる。 ジスルホニルメタン化合物：ジスルホニルメタン化合
物としては、例えば、下記式（４）

【０１０３】

【化４１】

【０１０４】〔式中、Ｒ⁸ およびＲ⁹ は相互に独立に、
直鎖状もしくは分岐状の１価の脂肪族炭化水素基、シク
ロアルキル基、アリール基、アラルキル基またはヘテロ
原子を有する１価の他の有機基を示し、ＶおよびＷは相
互に独立に、アリール基、水素原子、直鎖状もしくは分
岐状の１価の脂肪族炭化水素基またはヘテロ原子を有す
る１価の他の有機基を示し、かつＶおよびＷの少なくと
も一方がアリール基であるか、あるいはＶとＷが相互に
連結して少なくとも１個の不飽和結合を有する炭素単環
構造または炭素多環構造を形成しているか、あるいはＶ
とＷが相互に連結して下記式

【０１０５】

【化４２】

【０１０６】（但し、Ｖ’およびＷ’は相互に独立に、
かつ複数存在するＶ’およびＷ’はそれぞれ同一でも異
なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、直鎖状もしく
は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基
またはアラルキル基を示すか、あるいは同一のもしくは
異なる炭素原子に結合したＶ’とＷ’が相互に連結して
炭素単環構造を形成しており、ｎは２〜１０の整数であ
る。）で表される基を形成している。〕で表される化合
物を挙げることができる。 オキシムスルホネート化合物：オキシムスルホネート
化合物としては、例えば、下記式（５）または式（６）
で表される化合物を挙げることができる。

【０１０７】

【化４３】 （式中、Ｒ¹⁰およびＲ¹¹は相互に独立に１価の有機基を
示す。）

【０１０８】

【化４４】 （式中、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴およびＲ¹⁵は相互に独立に１
価の有機基を示す。）

【０１０９】式（５）において、Ｒ¹⁰の好ましい具体例
としては、メチル基、エチル基、ｎ―プロピル基、フェ
ニル基、トシル基、トリフルオロメチル基、ペンタフル
オロエチル基等を挙げることができ、またＲ¹¹の好まし
い具体例としては、フェニル基、トシル基、１−ナフチ
ル基等を挙げることができる。

【０１１０】式（６）において、Ｒ¹²およびＲ¹³の好ま
しい具体例としては、それぞれ、メチル基、エチル基、
ｎ―プロピル基、フェニル基、トシル基、トリフルオロ
メチル基、ペンタフルオロエチル基等を挙げることがで
き、またＲ¹⁴およびＲ¹⁵の好ましい具体例としては、そ
れぞれ、フェニル基、トシル基、１−ナフチル基等を挙
げることができる。

【０１１１】ヒドラジンスルホネート化合物 ヒドラジンスルホネート化合物の具体例としては、ビス
（ベンゼンスルホニル）ヒドラジン、ビス（ｐ−トルエ
ンスルホニル）ヒドラジン、ビス（トリフルオロメタン
スルホニル）ヒドラジン、ビス（ペンタフルオロエタン
スルホニル）ヒドラジン、ビス（ｎ−プロパンスルホニ
ル）ヒドラジン、ベンゼンスルホニルヒドラジン、ｐ−
トルエンスルホニルヒドラジン、トリフルオロメタンス
ルホニルヒドラジン、ペンタフルオロエタンスルホニル
ヒドラジン、ｎ−プロパンスルホニルヒドラジン、トリ
フルオロメタンスルホニル・ｐ−トルエンスルホニルヒ
ドラジン等を挙げることができる。

【０１１２】化学増幅型感放射性樹脂組成物〔Ｉ〕にお
いて、酸発生剤（Ｃ）は、単独でまたは２種以上を混合
して使用することができる。酸発生剤（Ｃ）の使用量
は、酸解離性基含有樹脂（Ｂ）１００重量部当り、好ま
しくは０．１〜２０重量部、さらに好ましくは０．５〜
１５重量部である。

【０１１３】−酸拡散制御剤− 化学増幅型感放射性樹脂組成物〔Ｉ〕には、露光により
酸発生剤（Ｃ）から生じた酸のレジスト被膜中における
拡散現象を制御し、非露光領域での好ましくない化学反
応を抑制する作用を有する酸拡散制御剤を配合すること
が好ましい。このような酸拡散制御剤を使用することに
より、組成物の保存安定性がさらに向上し、またレジス
トとして解像度が向上するとともに、露光から露光後の
加熱処理までの引き置き時間（ＰＥＤ）の変動によるレ
ジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセ
ス安定性に極めて優れたものとなる。酸拡散制御剤とし
ては、レジストパターンの形成工程中の露光や加熱処理
により塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好まし
い。このような含窒素有機化合物としては、例えば、下
記式（７）

【０１１４】

【化４５】 （式中、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷およびＲ¹⁸は相互に独立に、水素原
子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていて
もよいアリール基または置換されていてもよいアラルキ
ル基を示す。）

【０１１５】で表される化合物（以下、「含窒素化合物
（α）」という。）、同一分子内に窒素原子を２個有す
るジアミノ化合物（以下、「含窒素化合物（β）」とい
う。）、窒素原子を３個以上有するジアミノ重合体（以
下、「含窒素化合物（γ）」という。）、アミド基含有
化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙げる
ことができる。

【０１１６】含窒素化合物（α）としては、例えば、ｎ
−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチル
アミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、シクロ
ヘキシルアミン等の直鎖状、分岐状もしくは環状のモノ
アルキルアミン類；ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペ
ンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプ
チルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニル
アミン、ジ−ｎ−デシルアミン、メチル・シクロヘキシ
ルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミ
ン類；トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、
トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、
トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミ
ン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミ
ン、トリ−ｎ−デシルアミン、シクロヘキシルジメチル
アミン、メチルジシクロヘキシルアミン、トリシクロヘ
キシルアミン等の直鎖状、分岐状もしくは環状のトリア
ルキルアミン類；アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチ
ルアニリン、４−メチルアニリン、４−ニトロアニリ
ン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、１−ナフ
チルアミン等の芳香族アミン類等を挙げることができ
る。

【０１１７】含窒素化合物（β）としては、例えば、エ
チレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエ
チレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２
−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、テトラメチ
レンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジ
アミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニ
ルエーテル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，
４’−ジアミノジフェニルアミン、２，２’−ビス（４
−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニ
ル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２−（４
−アミノフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、１,４−ビス［１−（４
−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、
１,３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチ
ルエチル］ベンゼン等を挙げることができる。含窒素化
合物（γ）としては、例えば、ポリエチレンイミン、ポ
リアリルアミン、Ｎ−（ジメチルアミノエチル）アクリ
ルアミドの重合体等を挙げることができる。

【０１１８】前記アミド基含有化合物としては、例え
ば、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセ
トアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオン
アミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリ
ドン等を挙げることができる。前記ウレア化合物として
は、例えば、尿素、メチルウレア、１，１−ジメチルウ
レア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テト
ラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア、トリブチ
ルチオウレア等を挙げることができる。前記含窒素複素
環化合物としては、例えば、イミダゾール、ベンズイミ
ダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−
フェニルイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾー
ル等のイミダゾール類；ピリジン、２−メチルピリジ
ン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エ
チルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピ
リジン、２−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチ
ン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オ
キシキノリン、アクリジン等のピリジン類のほか、ピラ
ジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、
ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、４−メチルモル
ホリン、ピペラジン、１，４−ジメチルピペラジン、
１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等を挙
げることができる。

【０１１９】また、酸拡散制御剤として作用する含窒素
有機化合物として、酸解離性基を持つ塩基前駆体、例え
ば、Ｎ―（ｔ−ブトキシカルボニル）ピペリジン、Ｎ―
（ｔ−ブトキシカルボニル）イミダゾール、Ｎ―（ｔ−
ブトキシカルボニル）ベンズイミダゾール、Ｎ―（ｔ−
ブトキシカルボニル）−２−フェニルベンズイミダゾー
ル、Ｎ―（ｔ−ブトキシカルボニル）ジ−ｎ−オクチル
アミン、Ｎ―（ｔ−ブトキシカルボニル）ジエタノール
アミン、Ｎ―（ｔ−ブトキシカルボニル）ジシクロヘキ
シルアミン、Ｎ―（ｔ−ブトキシカルボニル）ジフェニ
ルアミン等を用いることができる。

【０１２０】これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素
化合物（α）、含窒素複素環化合物等が好ましい。ま
た、含窒素化合物（α）の中では、トリアルキルアミン
類が特に好ましく、含窒素複素環化合物の中では、ピリ
ジン類が特に好ましい。前記酸拡散制御剤は、単独でま
たは２種以上を混合して使用することができる。酸拡散
制御剤の配合量は、酸解離性基含有樹脂（Ｂ）１００重
量部当り、通常、１５重量部以下、好ましくは０．００
１〜１０重量部、さらに好ましくは０．００５〜５重量
部である。この場合、酸拡散制御剤の配合量が１５重量
部を超えると、レジストとしての感度や露光部の現像性
が低下する傾向がある。なお、酸拡散制御剤の配合量が
０．００１重量部未満では、プロセス条件によっては、
レジストとしてのパターン形状や寸法忠実度が低下する
おそれがある。

【０１２１】−界面活性剤− 感放射線性樹脂組成物〔Ｉ〕には、組成物の塗布性やス
トリエーション、レジストとしての現像性等を改良する
作用を示す界面活性剤を配合することができる。このよ
うな界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレン
ラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエー
テル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキ
シエチレンｎ−オクチルフェノールエーテル、ポリオキ
シエチレンｎ−ノニルフェノールエーテル、ポリエチレ
ングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジ
ステアレート等を挙げることができ、また市販品として
は、例えば、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３，ＥＦ
３５２（トーケムプロダクツ社製）、メガファックス
Ｆ１７１、Ｆ１７３（大日本インキ化学工業（株）
製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリー
エム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロン
Ｓ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、Ｓ
Ｃ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）
製）、ＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、ポリフロ
ーＮｏ．７５、Ｎｏ．９５（共栄社化学（株）製）等を
挙げることができる。前記界面活性剤は、単独でまたは
２種以上を混合して使用することができる。界面活性剤
の配合量は、酸解離性基含有樹脂（Ｂ）１００重量部当
り、通常、２重量部以下である。

【０１２２】−他の増感剤− さらに、カルバゾール誘導体（１）以外の増感剤（以
下、「他の増感剤」という。）を配合することができ
る。他の増感剤の好ましい例としては、ベンゾフェノン
類、ローズベンガル類、アントラセン類等を挙げること
ができる。前記他の増感剤は、単独でまたは２種以上を
混合して使用することができる。他の増感剤の配合量
は、酸解離性基含有樹脂（Ｂ）１００重量部当り、通
常、５０重量部以下である。

【０１２３】−前記以外の添加剤− 染料および／または顔料を配合することにより、露光部
の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を
緩和でき、また接着助剤を配合することにより、基板と
の接着性をさらに改善することができる。さらに、４−
ヒドロキシ−４’−メチルカルコン等のハレーション防
止剤、形状改良剤、保存安定剤、消泡剤等を配合するこ
ともできる。

【０１２４】溶剤 感放射線性樹脂組成物〔Ｉ〕は、通常、その使用に際し
て、全固形分の濃度が、通常、０．１〜５０重量％、好
ましくは１〜４０重量％になるように、溶剤に均一に溶
解したのち、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターで
ろ過することにより、組成物溶液として調製される。前
記組成物溶液の調製に使用される溶剤としては、例え
ば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルア
セテート、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテ
ルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエー
テルアセテート類；プロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、プロ
ピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル等のプロピ
レングリコールモノアルキルエーテル類；プロピレング
リコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエ
チルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−プロピル
エーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテ
ル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類；プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル
アセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエー
テルアセテート類；乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−
プロピル、乳酸ｉ−プロピル等の乳酸エステル類；ぎ酸
ｎ−アミル、ぎ酸ｉ−アミル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プ
ロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−
ブチル、酢酸ｎ−アミル、酢酸ｉ−アミル、プロピオン
酸ｉ−プロピル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン
酸ｉ−ブチル等の脂肪族カルボン酸エステル類；ヒドロ
キシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオ
ン酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、
メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、３−メトキ
シプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチ
ル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプ
ロピオン酸エチル、３−メトキシブチルアセテート、３
−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル
−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３
−メトキシブチルブチレート、アセト酢酸メチル、アセ
ト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等
の他のエステル類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素類；メチルエチルケトン、２−ペンタノン、２−ヘ
キサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプ
タノン、シクロヘキサノン等のケトン類；Ｎ−メチルホ
ルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチ
ルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−
メチルピロリドン等のアミド類；γ−ブチロラクン等の
ラクトン類を挙げることができる。これらの溶剤は、単
独でまたは２種以上を混合して使用することができる。

【０１２５】レジストパターンの形成 感放射線性樹脂組成物〔Ｉ〕からレジストパターンを形
成する際には、前述したようにして調製された組成物溶
液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布
手段によって、例えば、シリコンウェハー、アルミニウ
ムで被覆されたウェハー等の基板上に塗布することによ
り、レジスト被膜を形成し、場合により、予め７０℃〜
１６０℃程度の温度で加熱処理（以下、「ＰＢ」とい
う。）を行ったのち、所定のマスクパターンを介して露
光する。露光に使用される放射線としては、酸発生剤
（Ｃ）の種類に応じて、例えば、ＫｒＦエキシマレーザ
ー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長
１９３ｎｍ）あるいはＦ₂ エキシマレーザー（波長１５
７ｎｍ）等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ
線、電子線等の荷電粒子線を適宜選択し使用する。ま
た、露光量等の露光条件は、感放射線性樹脂組成物
〔Ｉ〕の配合組成、各添加剤の種類等に応じて、適宜選
定される。本発明においては、高精度で微細なレジスト
パターンを安定して形成するために、露光後に、７０〜
１６０℃の温度で３０秒以上加熱処理（以下、「ＰＥ
Ｂ」という。）を行なうことが好ましい。この場合、Ｐ
ＥＢの温度が７０℃未満では、基板の種類による感度の
ばらつきが広がるおそれがある。その後、アルカリ現像
液を用い、通常、１０〜５０℃で１０〜２００秒、好ま
しくは１５〜３０℃で１５〜１００秒、特に好ましくは
２０〜２５℃で１５〜９０秒の条件で現像することによ
り、所定のレジストパターンを形成させる。

【０１２６】前記アルカリ現像液としては、例えば、ア
ルカリ金属水酸化物、アンモニア水、モノ−、ジ−ある
いはトリ−アルキルアミン類、モノ−、ジ−あるいはト
リ−アルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラ
アルキルアンモニウムヒドロキシド類、コリン、１，８
−ジアザビシクロ−［５．４．０］−７−ウンデセン、
１，５−ジアザビシクロ−［４．３．０］−５−ノネン
等のアルカリ性化合物を、通常、１〜１０重量％、好ま
しくは１〜５重量％、特に好ましくは１〜３重量％の濃
度となるよう溶解したアルカリ性水溶液が使用される。
また、前記アルカリ性水溶液からなる現像液には、例え
ばメタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤や界面活
性剤を適宜添加することもできる。なお、レジストパタ
ーンの形成に際しては、環境雰囲気中に含まれる塩基性
不純物等の影響を防止するため、レジスト被膜上に保護
膜を設けることもできる。

【０１２７】

【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて、本発明の
実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明
は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。

【実施例】〔カルバゾール誘導体（１）の合成〕 合成例１ カルバゾール１００ｇ、ブロモ酢酸８３ｇおよびｔ−ブ
トキシカリウム１３４ｇを、１，０００ｇのジメチルホ
ルムアミド中、室温で一晩反応させた。その後、５重量
％蓚酸水３００ｇを加えて、ｎ−ヘキサンで抽出処理を
行ったのち、ジメチルホルムアミドとｎ−ヘキサンとの
混合溶媒中で再結晶させ、得られた沈殿を真空乾燥し
て、前記式（１-1）で表されるカルバゾール誘導体
（１）５６ｇを白色固体として得た。この化合物を、カ
ルバゾール誘導体（１）（Ａ-1) とする。

【０１２８】合成例２ カルバゾール１００ｇ、ブロモ酢酸ｔ−ブチル１１７ｇ
およびｔ−ブトキシカリウム６７ｇを、１，０００ｇの
ジメチルホルムアミド中、室温で一晩反応させた以外
は、合成例１と同様に処理して、前記式（１-7）で表さ
れるカルバゾール誘導体（１）７９ｇを白色固体として
得た。この化合物のＩＲ（赤外線）吸収スペクトルを図
１に、 ¹Ｈ−ＮＭＲ(¹Ｈ−核磁気共鳴）スペクトルを図
２に示す。また図３に示すとおり、この化合物のＵＶ
（紫外線）吸収スペクトルを測定したところ、波長２０
０〜２５０ｎｍ付近に特に強い吸収が認められた。この
化合物を、カルバゾール誘導体（１）（Ａ-2) とする。

【０１２９】合成例３ カルバゾール１００ｇ、ブロモ酢酸ベンジル１３７ｇお
よびｔ−ブトキシカリウム６７ｇを、１，０００ｇのジ
メチルホルムアミド中、室温で一晩反応させた以外は、
合成例１と同様に処理して、前記式（１-10)で表される
カルバゾール誘導体（１）８５ｇを白色固体として得
た。この化合物を、カルバゾール誘導体（１）（Ａ-3)
とする。

【０１３０】合成例４ カルバゾール１００ｇ、ブロモ酢酸ｉ−プロピル１０８
ｇおよびｔ−ブトキシカリウム６７ｇを、１，０００ｇ
のジメチルホルムアミド中、室温で一晩反応させた以外
は、合成例１と同様に処理して、前記式（１-6）で表さ
れるカルバゾール誘導体（１）６２ｇを白色固体として
得た。この化合物を、カルバゾール誘導体（１）（Ａ-
4) とする。

【０１３１】合成例５ カルバゾール１００ｇ、ブロモ酢酸シクロヘキシル１３
２ｇおよびｔ−ブトキシカリウム６７ｇを、１，０００
ｇのジメチルホルムアミド中、室温で一晩反応させた以
外は、合成例１と同様に処理して、前記式（１-8）で表
されるカルバゾール誘導体（１）９９ｇを白色固体とし
て得た。この化合物を、カルバゾール誘導体（１）（Ａ
-5) とする。

【０１３２】合成例６ カルバゾール１００ｇ、２−ブロモプロピオン酸ｔ−ブ
チル１２５ｇおよびｔ−ブトキシカリウム６７ｇを、
１，０００ｇのジメチルホルムアミド中、室温で一晩反
応させた以外は、合成例１と同様に処理して、前記式
（１-20)で表されるカルバゾール誘導体（１）８５ｇを
白色固体として得た。この化合物を、カルバゾール誘導
体（１）（Ａ-6) とする。

【０１３３】合成例７ カルバゾール１００ｇ、２−ブロモイソ酪酸シクロヘキ
シル１４９ｇおよびｔ−ブトキシカリウム６７ｇを、
１，０００ｇのジメチルホルムアミド中、室温で一晩反
応させた以外は、合成例１と同様に処理して、前記式
（１-34)で表されるカルバゾール誘導体（１）１０５ｇ
を白色固体として得た。この化合物を、カルバゾール誘
導体（１）（Ａ-7) とする。

【０１３４】合成例８ カルバゾール１００ｇ、α−ブロモシクロヘキサンカル
ボン酸シクロヘキシル１７３ｇおよびｔ−ブトキシカリ
ウム６７ｇを、１，０００ｇのジメチルホルムアミド
中、室温で一晩反応させた以外は、合成例１と同様に処
理して、前記式（１-73)で表されるカルバゾール誘導体
（１）１０５ｇを白色固体として得た。この化合物を、
カルバゾール誘導体（１）（Ａ-8) とする。

【０１３５】〔酸解離性基含有樹脂（Ｂ）の製造〕以下
の合成例９〜１８で得た各樹脂のＭｗおよびＭｎの測定
は、東ソー（株）製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００Ｈ_XL ２
本、Ｇ３０００Ｈ_XL １本、Ｇ４０００Ｈ _XL １本）を
用い、流量１．０ミリリットル／分、溶出溶剤テトラヒ
ドロフラン、カラム温度４０℃の分析条件で、単分散ポ
リスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマト
グラフィー（ＧＰＣ）により行なった。 合成例９ ｐ−アセトキシスチレン１０１ｇ、スチレン５ｇ、ｐ−
ｔ−ブトキシスチレン４２ｇ、アゾビスイソブチロニト
リル６ｇおよびｔ−ドデシルメルカプタン１ｇを、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテル１６０ｇに溶解し
たのち、窒素雰囲気下、７０℃で１６時間重合した。そ
の後、反応溶液を大量のｎ−ヘキサン中に滴下して、生
成樹脂を凝固精製した。次いで、この精製樹脂に、再度
プロピレングリコールモノメチルエーテル１５０ｇを加
えたのち、さらにメタノール３００ｇ、トリエチルアミ
ン８０ｇおよび蒸留水１５ｇを加えて、沸点にて還流し
ながら、８時間加水分解反応を行なった。その後、溶剤
およびトリエチルアミンを減圧留去し、得られた樹脂を
アセトンに溶解したのち、大量の蒸留水中に滴下して凝
固させ、生成した白色粉末をろ過して、減圧下５０℃で
一晩乾燥した。得られた樹脂は、Ｍｗが１６，０００、
Ｍｗ／Ｍｎが１．７であり、¹³Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、
ｐ−ヒドロキシスチレンとスチレンとｐ−ｔ−ブトキシ
スチレンとの共重合モル比が７２：５：２３の共重合体
であった。この樹脂を、酸解離性基含有樹脂（Ｂ-1）と
する。

【０１３６】合成例１０ ｐ−アセトキシスチレン１００ｇ、アクリル酸ｔ−ブチ
ル２５ｇ、スチレン１８ｇ、アゾビスイソブチロニトリ
ル６ｇおよびｔ−ドデシルメルカプタン１ｇを、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル２３０ｇに溶解し、
窒素雰囲気下、７０℃で１６時間重合した。その後、反
応溶液を大量のｎ−ヘキサン中に滴下して、生成樹脂を
凝固精製した。次いで、この精製樹脂に、再度プロピレ
ングリコールモノメチルエーテル１５０ｇを加えたの
ち、さらにメタノール３００ｇ、トリエチルアミン８０
ｇおよび蒸留水１５ｇを加えて、沸点にて還流しなが
ら、８時間加水分解反応を行った。その後、溶剤および
トリエチルアミンを減圧留去し、得られた樹脂をアセト
ンに溶解したのち、大量の蒸留水中に滴下して凝固さ
せ、生成した白色粉末をろ過して、減圧下５０℃で一晩
乾燥した。得られた樹脂は、Ｍｗが１１，５００、Ｍｗ
／Ｍｎが１．６であり、¹³Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ｐ−
ヒドロキシスチレンとアクリル酸ｔ−ブチルとスチレン
との共重合モル比が６１：１９：２０の共重合体であっ
た。この樹脂を、酸解離性基含有樹脂（Ｂ-2）とする。

【０１３７】合成例１１ ｐ−アセトキシスチレン１２５ｇ、アクリル酸ｔ−ブチ
ル２０ｇ、スチレン１０ｇ、２，５―ジメチルヘキサン
−２，５−ジアクリレート８ｇ、アゾビスイソブチロニ
トリル８ｇおよびｔ−ドデシルメルカプタン６ｇを、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル１７０ｇに溶解
し、窒素雰囲気下、７０℃で１６時間重合した。その
後、反応溶液を大量のｎ−ヘキサン中に滴下して、生成
樹脂を凝固精製した。次いで、この精製樹脂に、再度プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル１５０ｇを加え
たのち、さらにメタノール３００ｇ、トリエチルアミン
８０ｇおよび蒸留水１５ｇを加えて、沸点にて還流しな
がら、８時間加水分解反応を行った。その後、溶剤およ
びトリエチルアミンを減圧留去し、得られた樹脂をアセ
トンに溶解したのち、大量の蒸留水中に滴下して凝固さ
せ、生成した白色粉末をろ過して、減圧下５０℃で一晩
乾燥した。得られた樹脂は、Ｍｗが４０、０００、Ｍｗ
／Ｍｎが２．６であり、¹³Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ｐ−
ヒドロキシスチレンとアクリル酸ｔ−ブチルとスチレン
と２，５―ジメチルヘキサン−２，５−ジアクリレート
との共重合モル比が７２：１０：１５：３の共重合体で
あった。この樹脂を、酸解離性基含有樹脂（Ｂ-3）とす
る。

【０１３８】合成例１２ ｐ−アセトキシスチレン１４０ｇ、ｐ−ｔ−ブトキシス
チレン５０ｇ、２，５−ジメチルヘキサン−２，５−ジ
アクリレート９ｇ、アゾビスイソブチロニトリル８ｇお
よびｔ−ドデシルメルカプタン６ｇを、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル２４０ｇに溶解し、窒素雰囲
気下、７０℃で１６時間重合した。その後、反応溶液を
大量のｎ−ヘキサン中に滴下して、生成樹脂を凝固精製
した。次いで、この精製樹脂に、再度プロピレングリコ
ールモノメチルエーテル１５０ｇを加えたのち、さらに
メタノール３００ｇ、トリエチルアミン１００ｇおよび
蒸留水１５ｇを加えて、沸点にて還流しながら、８時間
加水分解反応を行った。その後、溶媒およびトリエチル
アミンを減圧留去し、得られた樹脂をアセトンに溶解し
たのち、大量の蒸留水中に滴下して凝固させ、生成した
白色粉末をろ過して、減圧下５０℃で一晩乾燥した。得
られた樹脂は、Ｍｗが４０、０００、Ｍｗ／Ｍｎが２．
６であり、¹³Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ｐ−ヒドロキシス
チレンとｐ−ｔ−ブトキシスチレンと２，５−ジメチル
ヘキサン−２，５−ジアクリレートとの共重合モル比が
６７：３０：３の共重合体であった。この樹脂を、酸解
離性基含有樹脂(B−4)とする。

【０１３９】合成例１３ ｐ−ｔ−ブトキシスチレン１７６ｇを、テトラヒドロフ
ラン５００ミリリットル中、−７８℃で、ｎ−ブチルリ
チウムを触媒として、アニオン重合したのち、反応溶液
をメタノール中に滴下して凝固させて、白色のポリ（ｐ
−ｔ−ブトキシスチレン）１５０ｇを得た。次いで、こ
のポリ（ｐ−ｔ−ブトキシスチレン）をジオキサン６０
０ｇに溶解して、希塩酸を加え、７０℃で２時間加水分
解反応を行ったのち、反応生成物を多量の蒸留水中に滴
下して凝固させることにより、白色樹脂を得た。その
後、この樹脂をアセトンに溶解し、大量の蒸留水中に滴
下して凝固させる操作を繰返したのち、生成した白色粉
末をろ過して、減圧下５０℃で一晩乾燥した。得られた
樹脂は、Ｍｗが１０，４００、Ｍｗ／Ｍｎが１．１０で
あり、¹³Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ポリ（ｐ−ｔ−ブトキ
シスチレン）中のｔ−ブチル基の一部が加水分解した構
造を有し、ｐ−ｔ−ブトキシスチレンとｐ−ヒドロキシ
スチレンとの共重合モル比が６８：３２の共重合体であ
った。この樹脂を、酸解離性基含有樹脂（Ｂ-5）とす
る。

【０１４０】合成例１４ Ｍｗが８，０００のポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）１
２ｇおよびトリエチルアミン５ｇをジオキサン５０ｇに
溶解した溶液に、攪拌下で、ジ−ｔ−ブチルカーボネー
ト７ｇを加え、室温でさらに６時間攪拌したのち、３重
量％蓚酸水を加えて、トリエチルアミンを中和した。そ
の後、反応溶液を大量の蒸留水中に滴下して、樹脂を凝
固させ、凝固した樹脂を蒸留水で数回洗浄して、ろ過し
たのち、減圧下５０℃で一晩乾燥した。得られた樹脂
は、Ｍｗが９，２００、Ｍｗ／Ｍｎが１．８であり、¹³
Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレ
ン）中のフェノール性水酸基の水素原子の３０モル％が
ｔ−ブトキシカルボニル基で置換された構造を有するも
のであった。この樹脂を、酸解離性基含有樹脂（Ｂ-6）
とする。

【０１４１】合成例１５ Ｍｗが１２，０００のポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）
２４ｇを、ジオキサン１００ｇに溶解して、窒素ガスに
より３０分間バブリングを行ったのち、エチルビニルエ
ーテル３ｇ、エチル−１−プロペニルエーテル３ｇ、お
よび触媒としてｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム塩
１ｇを加え、室温で１２時間反応させた。その後、反応
溶液を１重量％アンモニア水溶液中に滴下して、樹脂を
凝固させ、凝固した樹脂をろ過したのち、減圧下５０℃
で一晩乾燥した。得られた樹脂は、Ｍｗが１５，００
０、Ｍｗ／Ｍｎが１．６であり、¹³Ｃ−ＮＭＲ分析の結
果、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性
水酸基の水素原子の２０モル％が１−エトキシエチル基
で置換され、かつ１５モル％が１−エトキシプロピル基
で置換された構造を有するものであった。この樹脂を、
酸解離性基含有樹脂（Ｂ-7）とする。

【０１４２】合成例１６ Ｍｗが１２，０００のポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）
１２０ｇおよびトリエチルアミン１５ｇをジオキサン５
００ｇに溶解した溶液に、攪拌下で、ジ−ｔ−ブチルカ
ーボネート２０ｇを加え、室温でさらに６時間攪拌した
のち、３重量％蓚酸水を加えて、トリエチルアミンを中
和した。その後、反応溶液を大量の蒸留水中に滴下し
て、樹脂を凝固させ、凝固した樹脂を蒸留水で数回洗浄
して、ろ過したのち、減圧下５０℃で一晩乾燥した。こ
の樹脂は、Ｍｗが８，９００、Ｍｗ／Ｍｎが２．８であ
り、¹³Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ポリ（ｐ−ヒドロキシス
チレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の９モル％
がｔ−ブトキシカルボニル基で置換された構造を有する
ものであった。次いで、この樹脂をジオキサン１００ｇ
に溶解して、窒素ガスにより３０分間バブリングを行っ
たのち、エチルビニルエーテル２ｇ、エチル−１−プロ
ペニルエーテル２ｇ、および触媒としてｐ−トルエンス
ルホン酸ピリジニウム塩１ｇを加え、室温で１２時間反
応した。その後、反応溶液を１重量％アンモニア水溶液
中に滴下して、樹脂を凝固させ、凝固した樹脂をろ過し
たのち、減圧下５０℃で一晩乾燥した。得られた樹脂
は、Ｍｗが１１，０００、Ｍｗ／Ｍｎが２．８であり、
¹³Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレ
ン）中のフェノール性水酸基の水素原子の１４モル％が
１−エトキシエチル基で置換され、１１モル％が１−エ
トキシプロピル基で置換され、かつ９モル％がｔ−ブト
キシカルボニル基で置換された構造を有するものであっ
た。この樹脂を、酸解離性基含有樹脂（Ｂ-8）とする。

【０１４３】合成例１７ ｐ−ヒドロキシスチレンとｐ−ｔ−ブトキシスチレンと
の共重合モル比が９０：１０の共重合体２５ｇを、酢酸
ｎ−ブチル１００ｇに溶解して、窒素ガスにより３０分
問バブリングを行ったのち、エチルビニルエーテル３．
３ｇ、および触媒としてｐ−トルエンスルホン酸ピリジ
ニウム塩１ｇを加え、室温で１２時間反応した。その
後、反応溶液を１重量％アンモニア水溶液中に滴下し
て、樹脂を凝固させ、凝固した樹脂をろ過したのち、減
圧下５０℃で一晩乾燥した。得られた樹脂は、Ｍｗが１
３，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０１であり、¹³Ｃ−ＮＭ
Ｒ分析の結果、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフ
ェノール性水酸基の水素原子の２３モル％がエトキシキ
シエチル基で置換され、かつ１０モル％がｔ−ブチル基
で置換された構造を有するものであった。この樹脂を、
酸解離性基含有樹脂（Ｂ-9) とする。

【０１４４】合成例１８ ｐ−アセトキシスチレン１１４ｇ、アクリル酸ｔ−ブチ
ル１９ｇ、ｐ−ｔ−ブトキシスチレン３２ｇ、アゾビス
イソブチロニトリル６ｇおよびｔ−ドデシルメルカプタ
ン１ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル２
３０ｇに溶解し、窒素雰囲気下、７０℃で１６時間重合
した。その後、反応溶液を大量のｎ−ヘキサン中に滴下
して、生成樹脂を凝固精製した。次いで、この精製樹脂
に、再度プロピレングリコールモノメチルエーテル１５
０ｇを加えたのち、さらにメタノール３００ｇ、トリエ
チルアミン８０ｇおよび蒸留水１５ｇを加えて、沸点に
て還流しながら、８時間加水分解反応を行った。その
後、溶媒およびトリエチルアミンを減圧留去し、得られ
た樹脂をアセトンに溶解したのち、大量の蒸留水中に滴
下して凝固させ、生成した白色粉末をろ過して、減圧下
５０℃で一晩乾燥した。得られた樹脂は、Ｍｗが１１，
５００、Ｍｗ／Ｍｎが１．６であり、¹³Ｃ−ＮＭＲ分析
の結果、ｐ−ヒドロキシスチレンとアクリル酸ｔ−ブチ
ルとｐ−ｔ−ブトキシスチレンとの共重合モル比が６
５：１５：２０の共重合体であった。この樹脂を、酸解
離性基含有樹脂（Ｂ-10)とする。

【０１４５】〔化学増幅型感放射線性樹脂組成物〕 実施例１〜２１および比較例１〜２ 表１および表２（但し、部は重量に基づく）に示す各成
分を混合して均一溶液としたのち、孔径０．２μｍのメ
ンブランフィルターでろ過して、組成物溶液を調製し
た。その後、各組成物溶液をシリコンウェハー基板上に
スピンコートしたのち、表３に示す条件でＰＢを行っ
て、実施例１〜１７、実施例１９〜２１および比較例１
〜２では、膜厚０．５μｍのレジスト被膜を形成し、実
施例１８では膜厚０．１μｍのレジスト被膜を形成し
た。次いで、実施例１〜１７および比較例１〜２では、
（株）ニコン製ステッパーNSR2205 EX12B(開口数０．５
５）を用い、実施例１８では、ウルトラテック（Ultrat
ech)社製Ｆ₂ エキシマレーザー露光装置ＸＬＳ（開口数
０．６０）を用い、また実施例１９〜２１では、日立製
作所（株）製直描用電子線描画装置HL700(加速電圧３０
ＫｅＶ）を加速電圧５０ＫｅＶに改良した装置を用いて
露光したのち、表３に示す条件でＰＥＢを行った。その
後、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液を用い、２３℃で１分間、パドル法により現
像したのち、純水で水洗し、乾燥して、レジストパター
ンを形成した。各レジストの評価結果を、表４に示す。

【０１４６】ここで、各レジストの評価は、下記の要領
で実施した。 感度：シリコンウエハー基板上に形成したレジスト被膜
に露光し、直ちにＰＥＢを行って、現像したのち、水洗
し、乾燥して、レジストパターンを形成したとき、線幅
０．２２μｍのライン・アンド・スペースパターン（１
Ｌ１Ｓ）を１対１の線幅に形成する露光量を最適露光量
とし、この最適露光量により感度を評価した。 解像度：最適露光量で露光したときに解像されるライン
・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）の最小寸法
（μｍ）を解像度とした。 パターン形状：線幅０．２２μｍのライン・アンド・ス
ペースパターン（１Ｌ１Ｓ）において、パターン断面を
走査型電子顕微鏡を用いて測定し、パターン断面の上端
部の線幅をＬa 、下端部の線幅をＬb として、下記の基
準により評価した。 良好：０．９＜Ｌａ／Ｌｂ＜１．１ 不良：０．９≧Ｌａ／Ｌｂあるいは、Ｌａ／Ｌｂ≧１．
１ ＰＥＤ安定性：上記のレジストパターンの形成におい
て、露光処理後の基板を、アンモニア濃度が５ｐｐｂに
制御されたチャンバー内に２時間放置したのち、ＰＥＢ
を行ったこと以外は同様にして、設計線幅０．２６μｍ
のライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を形
成したとき、レジストパターンの上端部の線幅をＬａと
して、下記の基準により評価した。 良好：０．８５×０．２６μｍ＜Ｌａ＜１．１×０．２
６μｍ 不良：Ｌａ≦０．８５×０．２６μｍあるいはＬａ≧
１．１×０．２６μｍ 保存安定性：調製後２３℃で６ヶ月間保存した感放射線
性樹脂組成物を用いて、感度、解像度およびパターン形
状の評価を行った。これらの評価結果が、調製直後の感
放射線性樹脂組成物を用いたときと変わらず、かつ現像
欠陥の発生や保存後の組成物中に異物の発生が認められ
ない場合を、保存安定性が「良好」とした。

【０１４７】表１における酸発生剤（Ｃ）、酸拡散制御
剤、他の添加剤および溶剤は、下記のとおりである。酸発生剤（Ｃ） Ｃ-1：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート Ｃ-2：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１
０−カンファースルホネート Ｃ-3：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムト
リフルオロメタンスルホネート Ｃ-4：Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビ
シクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカ
ルボキシイミド Ｃ-5：ビス（シクロヘキサンスルホニル）ジアゾメタン Ｃ-6：トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート Ｃ-7：Ｎ−（１０−カンファースルフォニルオキシ）ス
クシンイミド

【０１４８】酸拡散制御剤 Ｄ-1：トリ−ｎ−オクチルアミン Ｄ-2：トリエタノールアミン Ｄ-3：２−フェニルピリジン Ｄ-4：Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス（２−ヒドロキシプ
ロピル）エチレンジアミン Ｄ-5：２−フェニルベンズイミダゾール他の添加剤 Ｅ-1：１−アダマンタンカルボン酸溶剤 Ｓ-1：乳酸エチル Ｓ-2：３−エトキシプロピオン酸エチル Ｓ-3：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート Ｓ-4：２−ヘプタノン

【０１４９】

【表１】

【０１５０】

【表２】

【０１５１】

【表３】

【０１５２】

【表４】

【０１５３】

【発明の効果】本発明のカルバゾール誘導体（１）は、
非昇華性であり、活性放射線、例えばＫｒＦエキシマレ
ーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー
（波長１９３ｎｍ）あるいはＦ₂ エキシマレーザー（波
長１５７ｎｍ）に代表される遠紫外線に感応する化学増
幅型レジストにおける増感成分として極めて有用であ
る。本発明のカルバゾール誘導体（１）を含有する化学
増幅型感放射線性樹脂組成物は、解像度、パターン形状
等のレジストとしての基本性能を損なうことなく、特に
高感度であり、またＰＥＤ安定性等の環境耐性および組
成物としての保存安定性にも優れた化学増幅型レジスト
として好適に使用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】合成例２で得たカルバゾール誘導体（１）のＩ
Ｒ吸収スペクトルを示す図である。

【図２】合成例２で得たカルバゾール誘導体（１）の ¹
Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。

【図３】合成例２で得たカルバゾール誘導体（１）のＵ
Ｖ吸収スペクトルを示す図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 楠本 士朗 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 小林 英一 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA03 AA11 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CC20 FA17 4C204 BB05 BB09 CB25 DB01 EB01 FB23 GB01

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）で表されるカルバゾー
   ル誘導体。 【化１】 〔一般式（１）において、Ｒ¹ およびＲ² は相互に独立
   に水素原子または１価の有機基を示すか、あるいはＲ¹
   とＲ² が相互に連結してそれらが結合している式中の炭
   素原子と共に、３〜８員環の炭素環構造または３〜８員
   環の複素環構造を有する２価の有機基を形成しており、
   Ｒ³ は水素原子または１価の有機基を示す。〕
2. 【請求項２】 請求項１に記載のカルバゾール誘導体を
   含有することを特徴とする化学増幅型感放射線性樹脂組
   成物。
3. 【請求項３】 （Ａ）請求項１に記載のカルバゾール誘
   導体、（Ｂ）酸解離性基を有するアルカリ不溶性または
   アルカリ難溶性の樹脂であって、該酸解離性基が解離し
   たときにアルカリ可溶性となる樹脂、および（Ｃ）感放
   射線性酸発生剤を含有する請求項２に記載の化学増幅型
   感放射性樹脂組成物。