JP4650175B2 - 感放射線性樹脂組成物及びそれに用いる感放射性の酸発生剤 - Google Patents
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しかし、従来のリソグラフィープロセスでは、放射線として一般にi線等の近紫外線が用いられているが、この近紫外線では、サブクオーターミクロンレベルでの微細加工が極めて困難であると言われている。
そこで、0.20μm以下のレベルにおける微細加工を可能とするために、より短波長の放射線の利用が検討されている。このような短波長の放射線としては、例えば、水銀灯の輝線スペクトルやエキシマレーザーに代表される遠紫外線、X線、電子線等を挙げることができるが、これらのうち、特に、KrFエキシマレーザー(波長248nm)、ArFエキシマレーザー(波長193nm)或いはF2エキシマレーザー(波長157nm)が注目されている。
化学増幅型レジストとしては、例えば、カルボン酸のt−ブチルエステル基或いはフェノールのt−ブチルカーボナート基を有する重合体と感放射線性酸発生剤とを含有する組成物が提案されている(特許文献1参照)。この組成物は、露光により発生した酸の作用により、重合体中に存在するt−ブチルエステル基或いはt−ブチルカーボナート基が解離して、該重合体がカルボキシル基或いはフェノール性水酸基からなる酸性官能基を形成し、その結果、レジスト被膜の露光領域がアルカリ現像液に易溶性となる現象を利用したものである。
ところが、これら組成物を用いたレジスト被膜の解像度は必ずしも十分とは言えず、解像度の更なる向上が切望されていた。
ところで、一般的に、感放射線性樹脂組成物を用いて形成したレジスト被膜の最適露光量は以下のように決定されている。すなわち、感放射線性樹脂組成物を用いて形成したレジスト被膜を露光して、その後所定の処理(いわゆるPEB処理、アルカリ現像処理、水洗処理、乾燥処理を順に行う処理)を経てレジストパターンを形成したとき、所定幅のライン・アンド・スペースパターン(1L1S)を1対1の線幅に形成する露光量を最適露光量としている。
この最適露光量でレジスト被膜を露光するのであるが、露光量がぶれた場合に最適露光量の範囲があまりにも狭いと、不良が発生するおそれがある。
前記(B)酸発生剤は、(B−1)スルホンイミド化合物、(B−2)ヨードニウム塩及び(B−3)スルホニウム塩を含む感放射線性樹脂組成物であって、
前記(B−1)スルホンイミド化合物は、前記樹脂100質量部に対して3〜20質量部であり、
前記(B−3)スルホニウム塩は、前記樹脂100質量部に対して0.1〜6質量部であることを特徴とする。
前記(B−2)ヨードニウム塩が前記樹脂100質量部に対して、0.1〜10質量部であり、
前記(B−1)スルホンイミド化合物の質量が前記(B−2)ヨードニウム塩の質量より多く、且つ前記(B−1)スルホンイミド化合物の質量が前記(B−3)スルホニウム塩の質量よりも多いことを特徴とする。
前記(B−1)スルホンイミド化合物は、前記感放射線性樹脂組成物中の樹脂100質量部に対して3〜20質量部用いられ、
前記(B−3)スルホニウム塩は、前記樹脂100質量部に対して0.1〜6質量部用いられることを特徴とする。
前記(B−1)スルホンイミド化合物の質量が前記(B−2)ヨードニウム塩の質量より多く、且つ前記(B−1)スルホンイミド化合物の質量が前記(B−3)スルホニウム塩の質量よりも多く用いられることを特徴とする。
請求項7の発明は、請求項5又は6に記載のものにおいて、前記(B−1)スルホンイミド化合物がN−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミドであることを特徴とする。
以下、本発明の感放射線性樹脂組成物を詳細に説明する。
本発明における(A)成分は、酸解離性基を有するアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の樹脂であって、該酸解離性基が解離することによりアルカリ可溶性となる樹脂(以下、「(A)酸解離性基含有樹脂」という。)からなる。
ここでいう「アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性」とは、(A)酸解離性基含有樹脂を含有する感放射線性樹脂組成物を用いて形成されるレジスト被膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件下で、当該レジスト被膜の代わりに(A)酸解離性基含有樹脂のみを用いた被膜を現像した場合に、当該被膜の初期膜厚の50%以上が現像後に残存する性質を意味する。
本発明において、好ましい(A)酸解離性基含有樹脂としては、例えば、下記式(2a)で表される繰り返し単位(以下、「繰り返し単位(1)」という。)、下記式(2b)で表される繰り返し単位(以下、「繰り返し単位(2)」という。)、下記式(2c)で表される繰り返し単位(以下、「繰り返し単位(3)」という。)を有する樹脂(以下、「樹脂(A1)」という。)を挙げることができる。この樹脂(A1)は、繰り返し単位(1)、(2)及び(3)を有するものであってもよいし、繰り返し単位(1)及び(2)を有するものであってもよいし、繰り返し単位(1)及び(3)を有するものであってもよい。
また、前記1価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、2,4−キシリル基、2,6−キシリル基、3,5−キシリル基、メシチル基、o−クメニル基、m−クメニル基、p−クメニル基、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基等を挙げることができる。
カルボキシル基;
ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、1−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシプロピル基、3−ヒドロキシプロピル基、1−ヒドロキシブチル基、2−ヒドロキシブチル基、3−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロキシブチル基、3−ヒドロキシシクロペンチル基、4−ヒドロキシシクロヘキシル基等の炭素数1〜8の直鎖状、分岐状若しくは環状のヒドロキシアルキル基;
メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数1〜8の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシル基;
(1−メトキシエトキシ)メチル基、(1−エトキシエトキシ)メチル基、(1−n−プロポキシエトキシ)メチル基、(1−n−ブトキシエトキシ)メチル基、(1−シクロペンチルオキシエトキシ)メチル基、(1−シクロヘキシルオキシエトキシ)メチル基、(1−メトキシプロポキシ)メチル基、(1−エトキシプロポキシ)メチル基等の炭素数3〜11の直鎖状、分岐状若しくは環状の(1−アルコキシアルコキシ)アルキル基;
メトキシカルボニルオキシメチル基、エトキシカルボニルオキシメチル基、n−プロポキシカルボニルオキシメチル基、i−プロポキシカルボニルオキシメチル基、n−ブトキシカルボニルオキシメチル基、t−ブトキシカルボニルオキシメチル基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシメチル基、シクロヘキシルオキカルボニルオキシメチル基等の炭素数3〜10の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシアルキル基
等を挙げることができる。
前記置換メチル基としては、例えば、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、ブロモフェナシル基、メトキシフェナシル基、メチルチオフェナシル基、α−メチルフェナシル基、シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、ブロモベンジル基、ニトロベンジル基、メトキシベンジル基、メチルチオベンジル基、エトキシベンジル基、エチルチオベンジル基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、n−プロポキシカルボニルメチル基、i−プロポキシカルボニルメチル基、n−ブトキシカルボニルメチル基、t−ブトキシカルボニルメチル基等を挙げることができる。
前記1−分岐アルキル基としては、例えば、i−プロピル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、1,1−ジメチルプロピル基、1−メチルブチル基、1,1−ジメチルブチル基等を挙げることができる。
前記トリオルガノゲルミル基としては、例えば、トリメチルゲルミル基、エチルジメチルゲルミル基、メチルジエチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、イソプロピルジメチルゲルミル基、メチルジ−i−プロピルゲルミル基、トリ−i−プロピルゲルミル基、t−ブチルジメチルゲルミル基、メチルジ−t−ブチルゲルミル基、トリ−t−ブチルゲルミル基、フェニルジメチルゲルミル基、メチルジフェニルゲルミル基、トリフェニルゲルミル基等を挙げることができる。
前記アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、p−トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げることができる。
樹脂(A1)において、繰り返し単位(1)は、単独で又は2種以上が存在することができる。
樹脂(A1)において、繰り返し単位(2)は、単独で又は2種以上が存在することができる。
樹脂(A1)において、繰り返し単位(3)は、単独で又は2種以上が存在することができる。
他の繰り返し単位としては、例えば、
スチレン、α−メチルスチレン、2−メチルスチレン、3−メチルスチレン、4−メチルスチレン、2−メトキシスチレン、3−メトキシスチレン、4−メトキシスチレン、4−(2−t−ブトキシカルボニルエチルオキシ)スチレン等のビニル芳香族化合物;
(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n−プロピル、(メタ)アクリル酸i−プロピル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸2−メチルプロピル、(メタ)アクリル酸1−メチルプロピル、(メタ)アクリル酸n−ペンチル、(メタ)アクリル酸ネオペンチル、(メタ)アクリル酸n−ヘキシル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシ−n−プロピル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−n−プロピル、(メタ)アクリル酸フェニル、(メタ)アクリル酸ベンジル、(メタ)アクリル酸1−メチルアダマンチル、(メタ)アクリル酸1−エチルアダマンチル、(メタ)アクリル酸8−メチル−8−トリシクロデシル、(メタ)アクリル酸8−エチル−8−トリシクロデシル、(メタ)アクリル酸3−メチル−3−テトラシクロドデセニル、(メタ)アクリル酸3−エチル−3−テトラシクロドデセニル、2,5−ジメチルヘキサン−2,5−ジ(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸エステル類;
(メタ)アクリル酸2−カルボキシエチル、(メタ)アクリル酸2−カルボキシ−n−プロピル、(メタ)アクリル酸3−カルボキシ−n−プロピル等の不飽和カルボン酸のカルボキシアルキルエステル類;
(メタ)アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル等の不飽和ニトリル化合物;
(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド等の不飽和アミド化合物;
マレイミド、N−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド等の不飽和イミド化合物;
N−ビニル−ε−カプロラクタム、N−ビニルピロリドン、2−ビニルピリジン、3−ビニルピリジン、4−ビニルピリジン、2−ビニルイミダゾール、4−ビニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物
等の重合性不飽和結合が開裂した単位を挙げることができる。
樹脂(A1)において、他の繰り返し単位は、単独で又は2種以上が存在することができる。
また、酸解離性基含有樹脂(A)のMwとゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で測定したポリスチレン換算数分子量(以下、「Mn」という。)との比(Mw/Mn)は、通常、1〜10、好ましくは1〜5である。
本発明における(B)成分は、(B−1)スルホンイミド化合物、(B−2)ヨードニウム塩、及び(B−3)スルホニウム塩を必須成分とする、露光により酸を発生する感放射線性酸発生剤(以下、「酸発生剤(B)」という。)を含有してなる。尚、(B−1)スルホンイミド化合物、(B−2)ヨードニウム塩及び(B−3)スルホニウム塩を酸発生剤として使用すると、これらの化合物の1種や2種を酸発生剤として用いた場合に比べて、レジストのシリコンウエハへの密着性が向上するという特異な作用を奏する。
<(B−1)スルホンイミド化合物>
前記(B−1)スルホンイミド化合物としては、例えば、下記式(3)で表される化合物を挙げることができる。
また、R9はアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、及びハロゲン置換アリール基等の1価の有機基を示す。具体的には、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のパーフルオロアルキル基、炭素数3〜10のパーフルオロシクロアルキル基、炭素数7〜15のビシクロ環含有炭化水素基、炭素数6〜12のアリール基等が挙げられる。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基等のアルキル基;トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ノナフルオロ−n−ブチル基、パーフルオロ−n−オクチル基等のパーフルオロアルキル基;ペンタフルオロシクロヘキシル基等のパーフルオロシクロアルキル基;アルキル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル基、アルキルアルコキシカルボニル基等で置換されていてもよいノルボルナン骨格を有する基等のビシクロ環含有炭化水素基;フェニル基、パーフルオロフェニル基、メチルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、トリル基、ナフチル基等のアリール基等が挙げられる。
N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ナフチルイミド、
N−(10−カンファースルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(10−カンファースルホニルオキシ)フタルイミド、N−(10−カンファースルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(10−カンファースルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(10−カンファースルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(10−カンファースルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(10−カンファースルホニルオキシ)ナフチルイミド、N−〔(5−メチル−5−カルボキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)スルホニルオキシ〕スクシンイミド、
N−(p−トルエンスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(p−トルエンスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(p−トルエンスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(p−トルエンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(p−トルエンスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(p−トルエンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(p−トルエンスルホニルオキシ)ナフチルイミド、
N−(4−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(4−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ)ナフチルイミド、
N−(1−ナフタレンスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(1−ナフタレンスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(1−ナフタレンスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(1−ナフタレンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−ナフタレンスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−ナフタレンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−ナフタレンスルホニルオキシ)ナフチルイミド、
N−(パーフルオロ−n−オクタンスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(パーフルオロ−n−オクタンスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(パーフルオロ−n−オクタンスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(パーフルオロ−n−オクタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(パーフルオロ−n−オクタンスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(パーフルオロ−n−オクタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシイミド、N−(パーフルオロ−n−オクタンスルホニルオキシ)ナフチルイミド、
等を挙げることができる。
本発明において、スルホンイミド化合物は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。
前記(B−2)ヨードニウム塩としては、例えば、下記式(5)で表される化合物を挙げることができる。
各R10としての置換若しくは非置換の炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基等が好適であり、置換若しくは非置換の炭素数6〜18のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ビフェニル基等が挙げられ、これらは炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、オキソ基(即ち、=O基)、炭素数1〜4のヒドロキシアルキル基、シアノ基、炭素数2〜5のシアノアルキル基等の置換基等で置換されていてもよい。
また、各R10が相互に結合して式中のヨウ素原子と共に環を形成している場合には、ヨウ素原子を含めて3〜10員環を形成していることが好ましく、特に5〜7員環を形成していることが好ましい。
更に、各R10はヨードニウム塩の安定性の観点から、アリール基であることが好ましい。
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムn−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムp−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム10−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムn−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
ジ(p−トルイル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ(p−トルイル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ジ(p−トルイル)ヨードニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、ジ(p−トルイル)ヨードニウムピレンスルホネート、ジ(p−トルイル)ヨードニウムn−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ(p−トルイル)ヨードニウムp−トルエンスルホネート、ジ(p−トルイル)ヨードニウムベンゼンスルホネート、ジ(p−トルイル)ヨードニウム10−カンファースルホネート、ジ(p−トルイル)ヨードニウムn−オクタンスルホネート、ジ(p−トルイル)ヨードニウム2−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ(p−トルイル)ヨードニウム4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ(p−トルイル)ヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
ビス(3,4−ジメチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(3,4−ジメチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ビス(3,4−ジメチルフェニル)ヨードニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、ビス(3,4−ジメチルフェニル)ヨードニウムピレンスルホネート、ビス(3,4−ジメチルフェニル)ヨードニウムn−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス(3,4−ジメチルフェニル)ヨードニウムp−トルエンスルホネート、ビス(3,4−ジメチルフェニル)ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス(3,4−ジメチルフェニル)ヨードニウム10−カンファースルホネート、ビス(3,4−ジメチルフェニル)ヨードニウムn−オクタンスルホネート、ビス(3,4−ジメチルフェニル)ヨードニウム2−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス(3,4−ジメチルフェニル)ヨードニウム4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス(3,4−ジメチルフェニル)ヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
ビス(3−ニトロフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(3−ニトロフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ビス(3−ニトロフェニル)ヨードニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、ビス(3−ニトロフェニル)ヨードニウムピレンスルホネート、ビス(3−ニトロフェニル)ヨードニウムn−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス(3−ニトロフェニル)ヨードニウムp−トルエンスルホネート、ビス(3−ニトロフェニル)ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス(3−ニトロフェニル)ヨードニウム10−カンファースルホネート、ビス(3−ニトロフェニル)ヨードニウムn−オクタンスルホネート、ビス(3−ニトロフェニル)ヨードニウム2−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス(3−ニトロフェニル)ヨードニウム4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス(3−ニトロフェニル)ヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
(4−フルオロフェニル)フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、(4−フルオロフェニル)フェニルヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、(4−フルオロフェニル)フェニルヨードニウム10−カンファースルホネート、
ビス(4−クロロフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−クロロフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ビス(4−クロロフェニル)ヨードニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、ビス(4−クロロフェニル)ヨードニウムピレンスルホネート、ビス(4−クロロフェニル)ヨードニウムn−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス(4−クロロフェニル)ヨードニウムp−トルエンスルホネート、ビス(4−クロロフェニル)ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス(4−クロロフェニル)ヨードニウム10−カンファースルホネート、ビス(4−クロロフェニル)ヨードニウムn−オクタンスルホネート、ビス(4−クロロフェニル)ヨードニウム2−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス(4−クロロフェニル)ヨードニウム4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス(4−クロロフェニル)ヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
ジ(1−ナフチル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ(1−ナフチル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ジ(1−ナフチル)ヨードニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、ジ(1−ナフチル)ヨードニウムピレンスルホネート、ジ(1−ナフチル)ヨードニウムn−ドデシルベンゼンスルホネート、ヨードニウムp−トルエンスルホネート、ジ(1−ナフチル)ヨードニウムベンゼンスルホネート、ヨードニウム10−カンファースルホネート、ジ(1−ナフチル)ヨードニウムn−オクタンスルホネート、ジ(1−ナフチル)ヨードニウム2−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ(1−ナフチル)ヨードニウム4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ(1−ナフチル)ヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
等を挙げることができる。
本発明において、ヨードニウム塩は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。
前記(B−3)スルホニウム塩としては、例えば、下記式(6)で表される化合物を挙げることができる。
各R12としての置換若しくは非置換の炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基等が好適であり、置換若しくは非置換の炭素数6〜18のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ビフェニル基等が挙げられ、これらは炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、オキソ基(即ち、=O基)、炭素数1〜4のヒドロキシアルキル基、シアノ基、炭素数2〜5のシアノアルキル基等の置換基等で置換されていてもよい。
また、各R12のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成している場合には、イオウ原子を含めて3〜10員環を形成していることが好ましく、特に5〜7員環を形成していることが好ましい。
更に、各R12はスルホニウム塩の安定性の観点から、アリール基であることが好ましい。
トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムピレンスルホネート、トリフェニルスルホニウムn−ドデシルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムp−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム10−カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウムn−オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
(4−t−ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、(4−t−ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、(4−t−ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、(4−t−ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、(4−t−ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウムn−ドデシルベンゼンスルホネート、(4−t−ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウムp−トルエンスルホネート、(4−t−ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、(4−t−ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウム10−カンファースルホネート、(4−t−ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウムn−オクタンスルホネート、(4−t−ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウム2−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、(4−t−ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウム4−トリフルオロメタンベンゼンスルホネート、(4−t−ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルスルホニウムn−ドデシルベンゼンスルホネート、(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルスルホニウムp−トルエンスルホネート、(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルスルホニウム10−カンファースルホネート、(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルスルホニウムn−オクタンスルホネート、(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルスルホニウム2−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルスルホニウム4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
ビス(4−メトキシフェニル)p−トルイルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−メトキシフェニル)p−トルイルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ビス(4−メトキシフェニル)p−トルイルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、ビス(4−メトキシフェニル)p−トルイルスルホニウムピレンスルホネート、ビス(4−メトキシフェニル)p−トルイルスルホニウムn−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス(4−メトキシフェニル)p−トルイルスルホニウムp−トルエンスルホネート、ビス(4−メトキシフェニル)p−トルイルスルホニウムベンゼンスルホネート、ビス(4−メトキシフェニル)p−トルイルスルホニウム10−カンファースルホネート、ビス(4−メトキシフェニル)p−トルイルスルホニウムn−オクタンスルホネート、ビス(4−メトキシフェニル)p−トルイルスルホニウム2−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス(4−メトキシフェニル)p−トルイルスルホニウム4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス(4−メトキシフェニル)p−トルイルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
トリス(4−フルオロフェニル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス(4−フルオロフェニル)スルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、トリス(4−フルオロフェニル)スルホニウム10―カンファーフルホネート、トリス(4−フルオロフェニル)スルホニウムp−トルエンスルホネート、
2,4,6―トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、2,4,6―トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム2,4―ジフルオロベンゼンスルホネート、2,4,6―トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムp−トルエンスルホネート、
等を挙げることができる。
本発明において、スルホニウム塩は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。
本発明においては、酸発生剤(B)として、(B−1)スルホンイミド化合物、(B−2)ヨードニウム塩及び(B−3)スルホニウム塩以外の感放射線性酸発生剤(以下、「他の酸発生剤」という。)を併用することもできる。
他の酸発生剤としては、例えば、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、ジスルホニルジアゾメタン化合物、ジスルホニルメタン化合物、オキシムスルホネート化合物、ヒドラジンスルホネート化合物等を挙げることができる。
スルホン化合物の具体例としては、フェナシルフェニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス(フェニルスルホニル)メタン、4−トリスフェナシルスルホン等を挙げることができる。
前記スルホン酸エステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。
スルホン酸エステル化合物の具体例としては、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリス(トリフルオロメタンスルホネート)、ピロガロールトリス(ノナフルオロブタンスルホネート)、ピロガロールトリス(メタンスルホネート)、ニトロベンジル−9,10−ジエトキシアントラセン−2−スルホネート、α−メチロールベンゾイントシレート、α−メチロールベンゾイントリフルオロメタンスルホネート、α−メチロールベンゾインn−オクタンスルホネート、α−メチロールベンゾインn−ドデカンスルホネート等を挙げることができる。
前記ジスルホニルジアゾメタン化合物としては、例えば、下記式(7)で表される化合物を挙げることができる。
これらの他の酸発生剤は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。
本発明において、酸発生剤(B)の使用量は、以下の条件(1)及び(3)を満たす使用量に解像度の観点からする。更に条件(2)や(4)も満たすことが望ましい。
条件(1) (B−1)スルホンイミド化合物は、酸解離性基含有樹脂(A)100質量部に対して、3〜20質量部であり、更に好ましくは4〜15質量部、特に好ましくは5〜10質量部である。
条件(2) (B−2)ヨードニウム塩は、酸解離性基含有樹脂(A)100質量部に対して、0.1〜10質量部であり、更に好ましくは0.2〜8質量部、特に好ましくは0.3〜6質量部である。
条件(3) (B−3)スルホニウム塩は、酸解離性基含有樹脂(A)100質量部に対して、0.1〜6質量部であり、更に好ましくは0.2〜5質量部、特に好ましくは0.3〜4質量部である。
条件(4) (B−1)スルホンイミド化合物の質量が(B−2)ヨードニウム塩の質量より多く、且つ(B−1)スルホンイミド化合物の質量が(B−3)スルホニウム塩の質量よりも多い。
尚、条件(4)において、(B−1)スルホンイミド化合物の質量が、(B−2)ヨードニウム塩の質量及び(B−3)スルホニウム塩の質量のいずれよりも多いのは、(B−1)スルホンイミド化合物は、(B−2)ヨードニウム塩や(B−3)スルホニウム塩よりも放射線の透過率が高いためである。
本発明の感放射性樹脂組成物には、露光により酸発生剤(B)から生じた酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域での好ましくない化学反応を抑制する作用を有する酸拡散制御剤を配合することが好ましい。
このような酸拡散制御剤を使用することにより、組成物の保存安定性が更に向上し、またレジストとして解像度が向上するとともに、PEDの変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れたものとなる。
酸拡散制御剤としては、レジストパターンの形成工程中の露光や加熱処理により塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好ましい。
このような含窒素有機化合物としては、例えば、下記式(11)で表される化合物(以下、「含窒素化合物(i)」という。)、同一分子内に窒素原子を2個有するジアミノ化合物(以下、「含窒素化合物(ii)」という。)、窒素原子を3個以上有するジアミノ重合体(以下、「含窒素化合物(iii)」という。)、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙げることができる。
含窒素化合物(iii)としては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、N−(ジメチルアミノエチル)アクリルアミドの重合体等を挙げることができる。
前記ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、1,1−ジメチルウレア、1,3−ジメチルウレア、1,1,3,3−テトラメチルウレア、1,3−ジフェニルウレア、トリブチルチオウレア等を挙げることができる。
前記含窒素複素環化合物としては、例えば、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、4−メチル−2−フェニルイミダゾール、2−フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール類;ピリジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2−エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、2−メチル−4−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8−オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、ピペラジン、1,4−ジメチルピペラジン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等を挙げることができる。
前記酸拡散制御剤は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。
酸拡散制御剤の配合量は、酸解離性基含有樹脂(A)100質量部当り、通常、15質量部以下、好ましくは0.001〜10質量部、更に好ましくは0.005〜5質量部である。この場合、酸拡散制御剤の配合量が15質量部を超えると、レジストとしての感度や露光部の現像性が低下する傾向がある。尚、酸拡散制御剤の配合量が0.001質量部未満では、プロセス条件によっては、レジストとしてのパターン形状や寸法忠実度が低下するおそれがある。
このような界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn−オクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンn−ノニルフェノールエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等を挙げることができ、また市販品としては、商品名で、例えば、エフトップEF301、同EF303、同EF352(トーケムプロダクツ社製)、メガファックス F171、同 F173(大日本インキ化学工業(株)製)、フロラードFC430、同FC431(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、同SC101、同SC102、同SC103、同SC104、同SC105、同SC106(旭硝子(株)製)、KP341(信越化学工業(株)製)、ポリフローNo.75、同No.95(共栄社化学(株)製)等を挙げることができる。
前記界面活性剤は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。
界面活性剤の配合量は、酸解離性基含有樹脂(A)100質量部当り、通常、2質量部以下である。
増感剤の配合量は、酸解離性基含有樹脂(A)100質量部当り、通常、50質量部以下である。
また、増感剤を配合することにより、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和でき、また接着助剤を配合することにより、基板との接着性を更に改善することができる。
更に、4−ヒドロキシ−4’−メチルカルコン等のハレーション防止剤、形状改良剤、保存安定剤、消泡剤等を配合することもできる。
本発明のポジ型の感放射線性樹脂組成物は、通常、その使用に際して、全固形分の濃度が、通常、0.1〜50質量%、好ましくは1〜40質量%になるように、溶剤に均一に溶解したのち、例えば孔径0.2μm程度のフィルターでろ過することにより、組成物溶液として調製される。
前記組成物溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ−n−プロピルエーテル、プロピレングリコールジ−n−ブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;
等を挙げることができる。
これらの溶剤は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。
本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを形成する際には、前述したようにして調製された組成物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウエハ、アルミニウムで被覆されたウェハー等の基板上に塗布することにより、レジスト被膜を形成し、場合により、予め70℃〜160℃程度の温度で加熱処理(以下、「PB」という。)を行ったのち、所定のマスクパターンを介して露光する。
露光に使用される放射線としては、例えば、KrFエキシマレーザー(波長248nm)、ArFエキシマレーザー(波長193nm)或いはF2エキシマレーザー(波長157nm)等の遠紫外線が好ましい。
また、露光量等の露光条件は、ポジ型感放射線性樹脂組成物の配合組成、各添加剤の種類等に応じて、適宜選定される。
本発明においては、高精度で微細なレジストパターンを安定して形成するために、露光後に、70〜160℃の温度で30秒以上加熱処理(以下、「PEB」という。)を行うことが好ましい。この場合、PEBの温度が70℃未満では、基板の種類による感度のばらつきが広がるおそれがある。
前記アルカリ現像液としては、例えば、アルカリ金属水酸化物、アンモニア水、モノ−、ジ−或いはトリ−アルキルアミン類、モノ−、ジ−或いはトリ−アルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類、コリン、1,8−ジアザビシクロ−[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ−[4.3.0]−5−ノネン等のアルカリ性化合物を、通常、1〜10質量%、好ましくは1〜5質量%、特に好ましくは1〜3質量%の濃度となるよう溶解したアルカリ性水溶液が使用される。
また、前記アルカリ性水溶液からなる現像液には、例えばメタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤や界面活性剤を適宜添加することもできる。
尚、レジストパターンの形成に際しては、環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、レジスト被膜上に保護膜を設けることもできる。
表1(但し、部は質量に基づく)に示す各成分を表1に示した量で混合して均一溶液としたのち、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過して、組成物溶液を調製した。その後、各組成物溶液を日産化学製DUV42を600Åの膜厚でコーティングしたシリコンウエハ上にスピンコートしたのち、表1に示す条件でPBを行って、膜厚0.3μmのレジスト被膜を形成した。
尚、表1における各成分は以下の通りである。
<樹脂(A)>
A−1:p−ヒドロキシスチレン/t−ブチルアクリレート/スチレン=65/15/20(共重合モル比)、Mw=15000,Mw/Mn=1.9
A−2:p−ヒドロキシスチレン/p−t−ブトキシスチレン/スチレン=70/25/5(共重合モル比)、Mw=16000,Mw/Mn=2.0
A−3:p−ヒドロキシスチレン/p−t−ブトキシスチレン/t−ブチルアクリレート=70/20/10(共重合モル比)、Mw=14000,Mw/Mn=1.8
A−4:p−ヒドロキシスチレン/p−t−ブトキシスチレン/スチレン=70/25/5(共重合モル比)、Mw=9000,Mw/Mn=1.2
[尚、樹脂のMw及びMnの測定は、東ソー(株)社製GPCカラム(G2000HXL 2本、G3000HXL 1本、G4000HXL 1本)を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶剤テトラヒドロフラン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定した。]
B−1−1:N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド [下式(12)参照]
B−2−2:ビス(p−フルオロフェニル)ヨードニウムカンファースルホネート
B−2−3:ビス(p−フルオロフェニル)ヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート
B−3−1:トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート
B−3−2:トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
B−3−3:トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート
<酸拡散制御剤(C)>
C−1:2−フェニルベンズイミダゾール
<溶剤(D)>
D−1:乳酸エチル
D−2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
<感度>
シリコンウエハ上に形成したレジスト被膜に露光して、直ちにPEBを行い、その後アルカリ現像し、水洗し、乾燥して、レジストパターンを形成したとき、0.13μmのライン・アンド・スペースパターン(1L1S)を1対1の線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量により感度を評価した。
<解像度>
最適露光量で露光したときに解像されるライン・アンド・スペースパターン(1L1S)の最小寸法(μm)を解像度とした。
<倒れマージン>
0.13umのラインアンドスペースパターン(ライン7本)において、パターン倒れが起こる露光量と最適露光量との差を倒れマージンとした。即ち、倒れマージンとは、以下のように定義した。
各レジスト被膜の最適露光量(P1)から徐々に露光量を増やしていくと、パターンの線幅が露光により徐々に細くなっていき、パターンがシリコンウエハに対して垂直の状態から横に倒れてしまう。この際の露光量を、露光量(P2)とし、下式のように最適露光量(P1)との差を倒れマージンとした。尚、パターンがシリコンウエハに対して、垂直であるか、又は横に倒れているかは、走査型電子顕微鏡(株式会社日立ハイテクノロジーズ 「S−9220」)により観察した。また、この倒れマージンが大きい程、レジストとして優れている。
倒れマージン(J/m2)=露光量(P2)−最適露光量(P1)
Claims (7)
- (A)酸解離性基を有するアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の樹脂で、該酸解離性基が解離することによりアルカリ可溶性となる樹脂と、(B)感放射線性の酸発生剤と、を含有する感放射線性樹脂組成物であって、
前記(B)酸発生剤は、(B−1)スルホンイミド化合物、(B−2)ヨードニウム塩及び(B−3)スルホニウム塩を含む感放射線性樹脂組成物であって、
前記(B−1)スルホンイミド化合物は、前記樹脂100質量部に対して3〜20質量部であり、
前記(B−3)スルホニウム塩は、前記樹脂100質量部に対して0.1〜6質量部であることを特徴とする感放射線性樹脂組成物。 - 前記(B−2)ヨードニウム塩が前記樹脂100質量部に対して、0.1〜10質量部であり、
前記(B−1)スルホンイミド化合物の質量が前記(B−2)ヨードニウム塩の質量より多く、且つ前記(B−1)スルホンイミド化合物の質量が前記(B−3)スルホニウム塩の質量よりも多い請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。 - 前記(B−1)スルホンイミド化合物が、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミドである請求項1又は2に記載の感放射線性樹脂組成物。
- (B−1)スルホンイミド化合物、(B−2)ヨードニウム塩及び(B−3)スルホニウム塩の3種の化合物を含む感放射線性樹脂組成物用の感放射線性の酸発生剤であって、
前記(B−1)スルホンイミド化合物は、前記感放射線性樹脂組成物中の樹脂100質量部に対して3〜20質量部用いられ、
前記(B−3)スルホニウム塩は、前記樹脂100質量部に対して0.1〜6質量部用いられることを特徴とする感放射線性の酸発生剤。 - 前記(B−2)ヨードニウム塩が前記樹脂100質量部に対して、0.1〜10質量部用いられ、
前記(B−1)スルホンイミド化合物の質量が前記(B−2)ヨードニウム塩の質量より多く、且つ前記(B−1)スルホンイミド化合物の質量が前記(B−3)スルホニウム塩の質量よりも多く用いられる請求項5に記載の感放射線性の酸発生剤。 - 前記(B−1)スルホンイミド化合物が、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミドである請求項5又は6に記載の感放射線性の酸発生剤。
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