JP2002257893A - 半導体装置の検査装置および半導体装置の検査方法 - Google Patents
半導体装置の検査装置および半導体装置の検査方法Info
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- JP2002257893A JP2002257893A JP2001054006A JP2001054006A JP2002257893A JP 2002257893 A JP2002257893 A JP 2002257893A JP 2001054006 A JP2001054006 A JP 2001054006A JP 2001054006 A JP2001054006 A JP 2001054006A JP 2002257893 A JP2002257893 A JP 2002257893A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の配線基板に形成された配線、ソ
ケット本体に固定された検査用端子および検査基板の接
続端子の接点の確保は、半導体装置に大きな荷重を与え
ることによって行っていたために、本来ならば絶縁され
るべき電極間および配線間に歪みが生じて電気的にショ
ートしてしまうという不具合が発生した。 【解決手段】 半導体装置に超音波振動を与えること
で、検査用端子１８の両端部の接点において摩擦現象を
発生させ、他よりも長い検査用端子１８を外部電極１６
または接続端子２３に食い込ませることによって、全て
の検査用端子１８の両端部の接点を確保して安定した半
導体装置の検査を実現する。
ケット本体に固定された検査用端子および検査基板の接
続端子の接点の確保は、半導体装置に大きな荷重を与え
ることによって行っていたために、本来ならば絶縁され
るべき電極間および配線間に歪みが生じて電気的にショ
ートしてしまうという不具合が発生した。 【解決手段】 半導体装置に超音波振動を与えること
で、検査用端子１８の両端部の接点において摩擦現象を
発生させ、他よりも長い検査用端子１８を外部電極１６
または接続端子２３に食い込ませることによって、全て
の検査用端子１８の両端部の接点を確保して安定した半
導体装置の検査を実現する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板上に半導
体素子が搭載された半導体装置の検査装置に関するもの
であり、特に、検査時に半導体装置に加える加圧力を低
減して安定した半導体装置の検査を実現する半導体装置
の検査装置および半導体装置の検査方法に関するもので
ある。
体素子が搭載された半導体装置の検査装置に関するもの
であり、特に、検査時に半導体装置に加える加圧力を低
減して安定した半導体装置の検査を実現する半導体装置
の検査装置および半導体装置の検査方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来より、配線基板上に形成された配線
と半導体素子の電極に形成されたバンプとが電気的に接
続されたフリップチップ型の半導体装置の検査は、配線
基板の裏面の各外部端子に対向する検査用端子を有する
検査装置を用いて、配線基板の外部端子に検査装置の検
査用端子を接触させて行っていた。
と半導体素子の電極に形成されたバンプとが電気的に接
続されたフリップチップ型の半導体装置の検査は、配線
基板の裏面の各外部端子に対向する検査用端子を有する
検査装置を用いて、配線基板の外部端子に検査装置の検
査用端子を接触させて行っていた。
【０００３】以下、従来の半導体装置の検査装置につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【０００４】図５は従来の半導体装置とその検査装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【０００５】まず、従来の半導体装置の構造について説
明する。
明する。
【０００６】図５に示すように、配線基板１の上面に半
導体素子２の電極形成面が対向し、半導体素子２の電極
に形成されたバンプ３と配線基板１上に形成された配線
とが電気的に接続されている。そして、半導体素子２の
電極形成面と配線基板１との間に封止樹脂４が注入さ
れ、硬化されている。また、配線基板１の裏面には、配
線基板１の内部に形成されたスルーホールによって配線
基板１上の配線と電気的に接続された外部電極５が形成
されている。このように配線基板１上に電気的に半導体
素子２が接続されて構成された半導体装置の電気的検査
は、配線基板１の裏面の各外部電極５に電気信号を入出
力させることによって行う。
導体素子２の電極形成面が対向し、半導体素子２の電極
に形成されたバンプ３と配線基板１上に形成された配線
とが電気的に接続されている。そして、半導体素子２の
電極形成面と配線基板１との間に封止樹脂４が注入さ
れ、硬化されている。また、配線基板１の裏面には、配
線基板１の内部に形成されたスルーホールによって配線
基板１上の配線と電気的に接続された外部電極５が形成
されている。このように配線基板１上に電気的に半導体
素子２が接続されて構成された半導体装置の電気的検査
は、配線基板１の裏面の各外部電極５に電気信号を入出
力させることによって行う。
【０００７】次に、従来の半導体装置の検査装置につい
て説明する。
て説明する。
【０００８】図５に示すように、半導体装置の配線基板
１の裏面に形成された各外部電極５に対応した複数の検
査用端子６を有するソケット本体７が検査基板８に搭載
されている。配線基板１の配線と検査基板８上に形成さ
れた接続端子９とは、検査用端子６によって電気的に接
続されている。また、半導体装置の配線基板１の端部
は、ソケット本体７の上面に形成された位置規制部１０
にはめ込まれて固定されているので、配線基板１の配線
と検査用端子６とが位置ズレすることはない。
１の裏面に形成された各外部電極５に対応した複数の検
査用端子６を有するソケット本体７が検査基板８に搭載
されている。配線基板１の配線と検査基板８上に形成さ
れた接続端子９とは、検査用端子６によって電気的に接
続されている。また、半導体装置の配線基板１の端部
は、ソケット本体７の上面に形成された位置規制部１０
にはめ込まれて固定されているので、配線基板１の配線
と検査用端子６とが位置ズレすることはない。
【０００９】このような構成の半導体装置の検査装置に
半導体装置が搭載され、配線基板１の端部が位置規制部
１０に規制されることにより配線と検査用端子６とが位
置合わせされた状態で、半導体素子２の裏面が加圧部１
１によって加圧され、配線基板１の配線、検査用端子６
および接続端子９の電気的接続が確保される。
半導体装置が搭載され、配線基板１の端部が位置規制部
１０に規制されることにより配線と検査用端子６とが位
置合わせされた状態で、半導体素子２の裏面が加圧部１
１によって加圧され、配線基板１の配線、検査用端子６
および接続端子９の電気的接続が確保される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置の検査装置を用いると、配線基板に設けられ
た外部電極の表面または検査基板に設けられた接続端子
の表面には酸化膜が形成されているため、検査用端子の
端部で電気的な接点を確保できないという課題があっ
た。
半導体装置の検査装置を用いると、配線基板に設けられ
た外部電極の表面または検査基板に設けられた接続端子
の表面には酸化膜が形成されているため、検査用端子の
端部で電気的な接点を確保できないという課題があっ
た。
【００１１】また、配線基板に形成された配線の平坦度
のバラツキ、検査用端子の長さのバラツキおよび接続端
子の平坦度のバラツキが存在する。
のバラツキ、検査用端子の長さのバラツキおよび接続端
子の平坦度のバラツキが存在する。
【００１２】そこで、酸化膜を検査用端子の端部で破っ
て電気的な接点を確保し、また、検査用端子の端部近傍
におけるバラツキを解消するために、半導体装置に大き
な加圧力を与えることが１つの解決方法である。
て電気的な接点を確保し、また、検査用端子の端部近傍
におけるバラツキを解消するために、半導体装置に大き
な加圧力を与えることが１つの解決方法である。
【００１３】しかし、半導体装置に大きな加圧力を与え
ると、半導体素子の素子形成面や配線基板の配線に大き
な歪みが発生して、本来ならば絶縁されるべき部分が電
気的にショートしてしまい、半導体装置の良否判定の精
度が低下するという不具合が生じる。
ると、半導体素子の素子形成面や配線基板の配線に大き
な歪みが発生して、本来ならば絶縁されるべき部分が電
気的にショートしてしまい、半導体装置の良否判定の精
度が低下するという不具合が生じる。
【００１４】本発明は前記従来の課題を解決するもので
あり、半導体装置の検査時に半導体装置に対して加圧力
を増大させることなく、本来ならば絶縁されるべき部分
の電気的なショートを防止する半導体装置の検査装置お
よび半導体装置の検査方法を提供することを目的とす
る。
あり、半導体装置の検査時に半導体装置に対して加圧力
を増大させることなく、本来ならば絶縁されるべき部分
の電気的なショートを防止する半導体装置の検査装置お
よび半導体装置の検査方法を提供することを目的とす
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の半導体装置の検査装置は、半導体素
子が配線基板の上面に搭載された被検査対象物が載置さ
れるソケット本体と、前記ソケット本体に設けられ、そ
の上端が前記配線基板の裏面に設けられた外部電極と接
続する検査用端子と、前記ソケット本体の上面に設けら
れ、前記被検査対象物を位置決めする位置規制部と、前
記ソケット本体に載置された被検査対象物の上面から加
圧する加圧部と、前記被検査対象物に超音波を印加する
超音波振動体とを備えている。
るために、本発明の半導体装置の検査装置は、半導体素
子が配線基板の上面に搭載された被検査対象物が載置さ
れるソケット本体と、前記ソケット本体に設けられ、そ
の上端が前記配線基板の裏面に設けられた外部電極と接
続する検査用端子と、前記ソケット本体の上面に設けら
れ、前記被検査対象物を位置決めする位置規制部と、前
記ソケット本体に載置された被検査対象物の上面から加
圧する加圧部と、前記被検査対象物に超音波を印加する
超音波振動体とを備えている。
【００１６】このような半導体装置の検査装置を用い
て、半導体装置に超音波振動を与えることによって、小
さい加圧力で検査用端子の端部における接点を確保する
ことができるので、本来絶縁されるべき部分が大きな加
圧力によって歪んで電気的にショートするという不具合
が発生せず、半導体装置の良否判定の精度が向上する。
て、半導体装置に超音波振動を与えることによって、小
さい加圧力で検査用端子の端部における接点を確保する
ことができるので、本来絶縁されるべき部分が大きな加
圧力によって歪んで電気的にショートするという不具合
が発生せず、半導体装置の良否判定の精度が向上する。
【００１７】また、超音波振動体は加圧部に設置されて
いる。
いる。
【００１８】これにより、加圧部の振動が半導体素子に
伝播し、小さい加圧力で検査用端子の端部の接点を確保
することができるので、電気的なショートが発生せず、
半導体装置の良否判定の精度が向上する。
伝播し、小さい加圧力で検査用端子の端部の接点を確保
することができるので、電気的なショートが発生せず、
半導体装置の良否判定の精度が向上する。
【００１９】また、超音波振動体はソケット本体または
位置規制部に設置されている。
位置規制部に設置されている。
【００２０】このように、超音波振動をソケット本体ま
たは位置規制部に与えることで、小さい加圧力で検査用
端子の端部の接点を確保することができるので、絶縁部
分に歪みが発生せず、電気的なショートを防止して半導
体装置の良否判定の精度が向上する。
たは位置規制部に与えることで、小さい加圧力で検査用
端子の端部の接点を確保することができるので、絶縁部
分に歪みが発生せず、電気的なショートを防止して半導
体装置の良否判定の精度が向上する。
【００２１】また、検査用端子にはバネが内蔵されてい
る。
る。
【００２２】このように、検査用端子にバネが内蔵され
ることによって、半導体装置に対する加圧部の加圧力が
小さくても、検査用端子の端部の接点を確保することが
できるので、絶縁部分に歪みが発生せず、電気的なショ
ートを防止して半導体装置の良否判定の精度が向上す
る。
ることによって、半導体装置に対する加圧部の加圧力が
小さくても、検査用端子の端部の接点を確保することが
できるので、絶縁部分に歪みが発生せず、電気的なショ
ートを防止して半導体装置の良否判定の精度が向上す
る。
【００２３】また、本発明の半導体装置の検査方法は、
半導体素子が配線基板の上面に搭載された被検査対象物
を検査装置のソケット本体に載置する工程と、前記被検
査対象物の上面から加圧するとともに、前記被検査対象
物に超音波を印加して前記被検査対象物の配線基板の裏
面に形成された外部端子と前記ソケット本体に設けられ
た検査用端子の上端とを電気的に接続して検査する工程
とからなる。
半導体素子が配線基板の上面に搭載された被検査対象物
を検査装置のソケット本体に載置する工程と、前記被検
査対象物の上面から加圧するとともに、前記被検査対象
物に超音波を印加して前記被検査対象物の配線基板の裏
面に形成された外部端子と前記ソケット本体に設けられ
た検査用端子の上端とを電気的に接続して検査する工程
とからなる。
【００２４】このような半導体装置の検査方法により、
低荷重で検査用端子の端部の接点を確保することがで
き、絶縁部分に歪みが発生せず、電気的なショートを防
止した半導体装置の検査が可能となる。
低荷重で検査用端子の端部の接点を確保することがで
き、絶縁部分に歪みが発生せず、電気的なショートを防
止した半導体装置の検査が可能となる。
【００２５】また、半導体素子が配線基板の上面に搭載
された被検査対象物を検査装置のソケット本体に搭載す
る工程では、前記ソケット本体の上面に形成された位置
規制部により前記被検査対象物を位置規制する。
された被検査対象物を検査装置のソケット本体に搭載す
る工程では、前記ソケット本体の上面に形成された位置
規制部により前記被検査対象物を位置規制する。
【００２６】このような半導体装置の検査方法により、
被検査対象物のソケット本体に対する位置精度が向上す
るので、検査用端子の端部における接点を確保すること
ができる。
被検査対象物のソケット本体に対する位置精度が向上す
るので、検査用端子の端部における接点を確保すること
ができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置の検査
装置の一実施形態について図面を参照しながら説明す
る。
装置の一実施形態について図面を参照しながら説明す
る。
【００２８】図１は、本実施形態の半導体装置の検査装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【００２９】まず、本実施形態の検査の被検査対象物で
ある半導体装置の構造について説明する。
ある半導体装置の構造について説明する。
【００３０】図１に示すように、半導体素子１２の電極
形成面が配線基板１３の上面に対向し、半導体素子１２
の電極に形成された突起状のバンプ１４と配線基板１３
上に形成された配線とが電気的に接続され、半導体素子
１２と配線基板１３との間は封止樹脂１５で封止されて
フリップチップ型の半導体装置が形成されている。配線
基板１３の裏面には外部電極１６が形成され、配線基板
１３の内部に形成されたスルーホールによって配線基板
１３の上面に形成された配線と電気的に接続されてい
る。
形成面が配線基板１３の上面に対向し、半導体素子１２
の電極に形成された突起状のバンプ１４と配線基板１３
上に形成された配線とが電気的に接続され、半導体素子
１２と配線基板１３との間は封止樹脂１５で封止されて
フリップチップ型の半導体装置が形成されている。配線
基板１３の裏面には外部電極１６が形成され、配線基板
１３の内部に形成されたスルーホールによって配線基板
１３の上面に形成された配線と電気的に接続されてい
る。
【００３１】次に、本実施形態の半導体装置の検査装置
について説明する。
について説明する。
【００３２】本実施形態の半導体装置の検査装置は、半
導体素子１２が配線基板１３の上面に搭載された被検査
対象物が載置されるソケット本体１７と、ソケット本体
１７に設けられ、その上端が配線基板１３の裏面に設け
られた外部電極１６と接続する検査用端子１８と、ソケ
ット本体１７の上面に設けられ、被検査対象物を位置決
めする位置規制部１９と、ソケット本体１７に載置され
た被検査対象物の上面から加圧する加圧部２０と、前記
被検査対象物に超音波を印加する超音波振動体２１とを
備えている。また、検査用端子１８の下端はソケット本
体１７の下方に設けられた検査基板２２の上面に設けら
れた接続端子２３に接続する。検査用端子１８は半導体
テスターに接続され、半導体装置の良否判定が行われ
る。なお、本実施形態では超音波振動体は加圧部に設置
されている。
導体素子１２が配線基板１３の上面に搭載された被検査
対象物が載置されるソケット本体１７と、ソケット本体
１７に設けられ、その上端が配線基板１３の裏面に設け
られた外部電極１６と接続する検査用端子１８と、ソケ
ット本体１７の上面に設けられ、被検査対象物を位置決
めする位置規制部１９と、ソケット本体１７に載置され
た被検査対象物の上面から加圧する加圧部２０と、前記
被検査対象物に超音波を印加する超音波振動体２１とを
備えている。また、検査用端子１８の下端はソケット本
体１７の下方に設けられた検査基板２２の上面に設けら
れた接続端子２３に接続する。検査用端子１８は半導体
テスターに接続され、半導体装置の良否判定が行われ
る。なお、本実施形態では超音波振動体は加圧部に設置
されている。
【００３３】ところで、配線基板１３に形成された配線
の表面および検査基板２２に形成された接続端子２３の
表面には、酸化膜が形成されている。また、配線基板１
３に形成された配線、検査用端子１８および検査基板２
２に形成された接続端子２３は、それぞれの鉛直方向の
サイズにバラツキがあり、全ての配線、検査用端子１８
および接続端子２３を各々電気的に接続することは困難
である。
の表面および検査基板２２に形成された接続端子２３の
表面には、酸化膜が形成されている。また、配線基板１
３に形成された配線、検査用端子１８および検査基板２
２に形成された接続端子２３は、それぞれの鉛直方向の
サイズにバラツキがあり、全ての配線、検査用端子１８
および接続端子２３を各々電気的に接続することは困難
である。
【００３４】そこで、本実施形態では、半導体素子に超
音波振動を与えることにより、酸化膜を検査用端子１８
の端部で破り、また、配線、検査用端子１８および接続
端子２３のサイズのバラツキを解消し、全ての配線、検
査用端子１８および接続端子２３を各々電気的に接続し
ようとするものである。そして、超音波振動を与えるこ
とによって、従来よりも低荷重で各接点を確保すること
で配線間および電極間の電気的ショートを防止すること
ができる。
音波振動を与えることにより、酸化膜を検査用端子１８
の端部で破り、また、配線、検査用端子１８および接続
端子２３のサイズのバラツキを解消し、全ての配線、検
査用端子１８および接続端子２３を各々電気的に接続し
ようとするものである。そして、超音波振動を与えるこ
とによって、従来よりも低荷重で各接点を確保すること
で配線間および電極間の電気的ショートを防止すること
ができる。
【００３５】以下、超音波振動により、配線、検査用端
子および接続端子の各サイズのバラツキを解消し、各々
接続するメカニズムを図面を用いて説明する。
子および接続端子の各サイズのバラツキを解消し、各々
接続するメカニズムを図面を用いて説明する。
【００３６】図２は、本実施形態の半導体装置の検査装
置の検査用端子近傍を拡大した断面図である。なお、図
１で示した同一の構成要件については同一の符号を付し
ており、共通の内容については省略している。
置の検査用端子近傍を拡大した断面図である。なお、図
１で示した同一の構成要件については同一の符号を付し
ており、共通の内容については省略している。
【００３７】まず、図２（ａ）に示すように、半導体装
置の配線基板１３の裏面の外部電極１６に対して左の検
査用端子２４、中央の検査用端子２５および右の検査用
端子２６がそれぞれ対応して配置されているが、これら
の複数の検査用端子の長さにはバラツキがある。本実施
形態では、中央部の検査用端子２５は左の検査用端子２
４および右の検査用端子２６よりも長いので、左の検査
用端子２４および右の検査用端子２６は、配線基板１３
の外部電極１６および検査基板２２の接続端子２３に接
触しておらず、正常な半導体装置の検査装置を行うこと
ができない。
置の配線基板１３の裏面の外部電極１６に対して左の検
査用端子２４、中央の検査用端子２５および右の検査用
端子２６がそれぞれ対応して配置されているが、これら
の複数の検査用端子の長さにはバラツキがある。本実施
形態では、中央部の検査用端子２５は左の検査用端子２
４および右の検査用端子２６よりも長いので、左の検査
用端子２４および右の検査用端子２６は、配線基板１３
の外部電極１６および検査基板２２の接続端子２３に接
触しておらず、正常な半導体装置の検査装置を行うこと
ができない。
【００３８】そこで、半導体装置に超音波振動を与える
ことによって、配線基板１３の外部電極１６、各検査用
端子および検査基板２２の接続端子２３に振動を与え、
端子の長さが長い中央の検査用端子２５を外部電極１６
または接続端子２３に食い込ませることによって、端子
の長さが短い左の検査用端子２４および右の検査用端子
２６を外部電極１６および接続端子２３に接触させる。
ことによって、配線基板１３の外部電極１６、各検査用
端子および検査基板２２の接続端子２３に振動を与え、
端子の長さが長い中央の検査用端子２５を外部電極１６
または接続端子２３に食い込ませることによって、端子
の長さが短い左の検査用端子２４および右の検査用端子
２６を外部電極１６および接続端子２３に接触させる。
【００３９】図２（ｂ）に示すように、半導体装置に超
音波振動を与えることで、外部電極１６、各検査用端子
および接続端子２３の接点近傍において摩擦現象が発生
し、端子の長さが長い中央の検査用端子２５の端部が外
部電極１６および接続端子２３に食い込んで、左の検査
用端子２４および右の検査用端子２６が、外部電極１６
および接続端子２３に各々接触し、超音波振動による摩
擦現象により、外部電極１６および接続端子２３の表面
の酸化膜が破れる。したがって、半導体装置に与える加
圧力が小さくても、複数の検査用端子の両端部における
接点を確保し、安定した半導体装置の検査を行うことが
できる。また、外部電極１６の厚みおよび接続端子２３
の厚みにバラツキがある場合でも、同様に超音波振動を
与えることで、各検査用端子を外部電極１６または接続
端子２３に食い込ませて、検査用端子の両端部の全ての
接点を確保することができる。
音波振動を与えることで、外部電極１６、各検査用端子
および接続端子２３の接点近傍において摩擦現象が発生
し、端子の長さが長い中央の検査用端子２５の端部が外
部電極１６および接続端子２３に食い込んで、左の検査
用端子２４および右の検査用端子２６が、外部電極１６
および接続端子２３に各々接触し、超音波振動による摩
擦現象により、外部電極１６および接続端子２３の表面
の酸化膜が破れる。したがって、半導体装置に与える加
圧力が小さくても、複数の検査用端子の両端部における
接点を確保し、安定した半導体装置の検査を行うことが
できる。また、外部電極１６の厚みおよび接続端子２３
の厚みにバラツキがある場合でも、同様に超音波振動を
与えることで、各検査用端子を外部電極１６または接続
端子２３に食い込ませて、検査用端子の両端部の全ての
接点を確保することができる。
【００４０】従来の半導体装置の検査装置では半導体装
置の検査を行うためには、検査用端子１本に対して２０
〜６０[ｇ]の加圧力を与える必要があったが、本実施形
態の半導体装置の検査装置を用いることによって、検査
用端子１本に対して５〜２０[ｇ]の加圧力を与えること
によって、半導体装置の検査を行うことが可能となる。
したがって、加圧部の荷重による配線間および電極間に
おける絶縁部分が歪んで電気的にショートする不具合を
防止できるようになった。
置の検査を行うためには、検査用端子１本に対して２０
〜６０[ｇ]の加圧力を与える必要があったが、本実施形
態の半導体装置の検査装置を用いることによって、検査
用端子１本に対して５〜２０[ｇ]の加圧力を与えること
によって、半導体装置の検査を行うことが可能となる。
したがって、加圧部の荷重による配線間および電極間に
おける絶縁部分が歪んで電気的にショートする不具合を
防止できるようになった。
【００４１】以上、本実施形態の半導体装置の検査装置
は、超音波振動を半導体装置に与えることにより、半導
体装置に対する荷重が小さくても半導体装置の裏面の配
線、検査用端子および検査基板上の接続端子の全ての接
点を確保することができ、本来ならば絶縁されるべき配
線間および電極間の電気的なショートを防止することが
可能となる。
は、超音波振動を半導体装置に与えることにより、半導
体装置に対する荷重が小さくても半導体装置の裏面の配
線、検査用端子および検査基板上の接続端子の全ての接
点を確保することができ、本来ならば絶縁されるべき配
線間および電極間の電気的なショートを防止することが
可能となる。
【００４２】次に、本実施形態の半導体装置の検査方法
について図面を用いて説明する。
について図面を用いて説明する。
【００４３】図３は、本実施形態の半導体装置の検査方
法の各工程を示した断面図である。なお、前記した構成
要件と同一の構成要件については同一の符号を付し、同
一の内容については省略する。
法の各工程を示した断面図である。なお、前記した構成
要件と同一の構成要件については同一の符号を付し、同
一の内容については省略する。
【００４４】まず、図３（ａ）に示すように、配線基板
１３に半導体素子１２が搭載された半導体装置をソケッ
ト本体１７の上面に搭載し、半導体装置の配線基板１３
の端部をソケット本体１７の上面に設けた位置規制部１
９に当てることにより、配線基板１３の裏面に形成され
た複数の外部電極１６とソケット本体１７に設けられた
複数の検査用端子１８とを位置合わせする。また、ソケ
ット本体１７の下方には検査基板２２が設けられてお
り、その検査基板２２の上面に形成された複数の接続端
子２３とソケット本体１７に設けられた複数の検査用端
子１８とは、あらかじめ位置合わせされている。
１３に半導体素子１２が搭載された半導体装置をソケッ
ト本体１７の上面に搭載し、半導体装置の配線基板１３
の端部をソケット本体１７の上面に設けた位置規制部１
９に当てることにより、配線基板１３の裏面に形成され
た複数の外部電極１６とソケット本体１７に設けられた
複数の検査用端子１８とを位置合わせする。また、ソケ
ット本体１７の下方には検査基板２２が設けられてお
り、その検査基板２２の上面に形成された複数の接続端
子２３とソケット本体１７に設けられた複数の検査用端
子１８とは、あらかじめ位置合わせされている。
【００４５】次に、図３（ｂ）に示すように、半導体素
子１２の上面から加圧部２０によって加圧するととも
に、加圧部２０の裏面に設けられた超音波振動体２１に
より超音波を半導体素子１２に印加し、半導体素子１
２、配線基板１３、外部電極１６、検査用端子１８およ
び接続端子２３を振動させる。超音波を印加する前は、
外部電極１６または接続端子２３との接点を確保できて
いない検査用端子１８の端部が存在するが、超音波を印
加することによって、検査用端子１８と外部電極１６お
よび接続端子２３との接点近傍で摩擦現象が発生するの
で、検査用端子１８の端部が外部電極１６または接続端
子２３に食い込むことにより、低荷重で検査用端子１８
の上端と外部電極１６との接点および検査用端子１８の
下端と接続端子２３との接点を確保できる。
子１２の上面から加圧部２０によって加圧するととも
に、加圧部２０の裏面に設けられた超音波振動体２１に
より超音波を半導体素子１２に印加し、半導体素子１
２、配線基板１３、外部電極１６、検査用端子１８およ
び接続端子２３を振動させる。超音波を印加する前は、
外部電極１６または接続端子２３との接点を確保できて
いない検査用端子１８の端部が存在するが、超音波を印
加することによって、検査用端子１８と外部電極１６お
よび接続端子２３との接点近傍で摩擦現象が発生するの
で、検査用端子１８の端部が外部電極１６または接続端
子２３に食い込むことにより、低荷重で検査用端子１８
の上端と外部電極１６との接点および検査用端子１８の
下端と接続端子２３との接点を確保できる。
【００４６】以上、本実施形態の半導体装置の検査方法
は、超音波を検査用端子の端部近傍に伝播させることに
よって、検査用端子の端部を外部電極または接続端子に
食い込ませ、低荷重で検査用端子の端部の接点を確保す
ることができるので、絶縁部分に歪みを生じさせること
なく、安定した被検査対象物の検査を行うことが可能と
なる。
は、超音波を検査用端子の端部近傍に伝播させることに
よって、検査用端子の端部を外部電極または接続端子に
食い込ませ、低荷重で検査用端子の端部の接点を確保す
ることができるので、絶縁部分に歪みを生じさせること
なく、安定した被検査対象物の検査を行うことが可能と
なる。
【００４７】次に、別の半導体装置の検査装置の実施形
態について図面を用いて説明する。なお、前記した半導
体装置の検査装置の実施形態と同一の内容については省
略し、同一の構成要件には同一の符号を付す。
態について図面を用いて説明する。なお、前記した半導
体装置の検査装置の実施形態と同一の内容については省
略し、同一の構成要件には同一の符号を付す。
【００４８】図４は、本実施形態の半導体装置の検査装
置を示した断面図である。
置を示した断面図である。
【００４９】図４に示すように、配線基板１３上に形成
された配線と半導体素子１２の電極とがバンプ１４によ
って電気的に接続されたフリップチップ型の半導体装置
をソケット本体１７に搭載し、位置規制部１９により配
線基板１３の端部を規制することで、外部電極１６と検
査用端子１８とが各々位置合わせされる。本実施形態で
は、超音波振動体２１がソケット本体１７の両側にそれ
ぞれ１個ずつ設置されているが、３個以上の超音波振動
体を設置してもよく、設置する位置は位置規制部の外側
であってもよい。また、検査用端子１８にはバネが内蔵
されているので、半導体装置が加圧部２０により加圧さ
れることで、低荷重で全ての検査用端子１８の接点を確
保することが可能となる。なお、検査基板２２の裏面に
形成された裏面電極２７は検査基板内部のスルーホール
２８を通して、接続端子２３と電気的に接続されてい
る。
された配線と半導体素子１２の電極とがバンプ１４によ
って電気的に接続されたフリップチップ型の半導体装置
をソケット本体１７に搭載し、位置規制部１９により配
線基板１３の端部を規制することで、外部電極１６と検
査用端子１８とが各々位置合わせされる。本実施形態で
は、超音波振動体２１がソケット本体１７の両側にそれ
ぞれ１個ずつ設置されているが、３個以上の超音波振動
体を設置してもよく、設置する位置は位置規制部の外側
であってもよい。また、検査用端子１８にはバネが内蔵
されているので、半導体装置が加圧部２０により加圧さ
れることで、低荷重で全ての検査用端子１８の接点を確
保することが可能となる。なお、検査基板２２の裏面に
形成された裏面電極２７は検査基板内部のスルーホール
２８を通して、接続端子２３と電気的に接続されてい
る。
【００５０】以上、本実施形態の半導体装置の検査装置
は検査用端子にバネが内蔵されているので、外部電極、
検査用端子および接続端子の全ての接点を低荷重で確保
することができ、半導体素子および配線基板の絶縁部分
が歪むことを防止できる。したがって、本来ならば絶縁
されるべき電極間および配線間における歪みによる電気
的ショートを防止することが可能となる。
は検査用端子にバネが内蔵されているので、外部電極、
検査用端子および接続端子の全ての接点を低荷重で確保
することができ、半導体素子および配線基板の絶縁部分
が歪むことを防止できる。したがって、本来ならば絶縁
されるべき電極間および配線間における歪みによる電気
的ショートを防止することが可能となる。
【００５１】
【発明の効果】本発明の半導体装置の検査装置および半
導体装置の検査方法は、超音波振動が半導体装置の配
線、検査装置の検査用端子および検査基板の接続端子に
伝播するので、検査用端子の先端部のうち、超音波振動
を与える前に接触していなかった部分も接続され、半導
体装置に対する荷重が低荷重でも全ての接点の電気的接
続を確保できる。したがって、本来ならば絶縁されるべ
き配線間および電極間の電気的なショートが防止でき、
安定した半導体装置の検査を実現することができる。
導体装置の検査方法は、超音波振動が半導体装置の配
線、検査装置の検査用端子および検査基板の接続端子に
伝播するので、検査用端子の先端部のうち、超音波振動
を与える前に接触していなかった部分も接続され、半導
体装置に対する荷重が低荷重でも全ての接点の電気的接
続を確保できる。したがって、本来ならば絶縁されるべ
き配線間および電極間の電気的なショートが防止でき、
安定した半導体装置の検査を実現することができる。
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置の検査装置を
示す断面図
示す断面図
【図２】本発明の一実施形態の半導体装置の検査装置を
示す断面図
示す断面図
【図３】本発明の一実施形態の半導体装置の検査装置を
示す断面図
示す断面図
【図４】本発明の一実施形態の半導体装置の検査方法の
各工程を示す断面図
各工程を示す断面図
【図５】従来の半導体装置の検査装置を示す断面図
１ 配線基板 ２ 半導体素子 ３ バンプ ４ 封止樹脂 ５ 外部電極 ６ 検査用端子 ７ ソケット本体 ８ 検査基板 ９ 接続端子 １０ 位置規制部 １１ 加圧部 １２ 半導体素子 １３ 配線基板 １４ バンプ １５ 封止樹脂 １６ 外部電極 １７ ソケット本体 １８ 検査用端子 １９ 位置規制部 ２０ 加圧部 ２１ 超音波振動体 ２２ 検査基板 ２３ 接続端子 ２４ 左の検査用端子 ２５ 中央の検査用端子 ２６ 右の検査用端子 ２７ 裏面電極 ２８ スルーホール
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体素子が配線基板の上面に搭載され
た被検査対象物が載置されるソケット本体と、前記ソケ
ット本体に設けられ、その上端が前記配線基板の裏面に
設けられた外部電極と接続する検査用端子と、前記ソケ
ット本体の上面に設けられ、前記被検査対象物を位置決
めする位置規制部と、前記ソケット本体に載置された被
検査対象物の上面から加圧する加圧部と、前記被検査対
象物に超音波を印加する超音波振動体とを備えた半導体
装置の検査装置。 - 【請求項２】 超音波振動体は加圧部に設置されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の検査装
置。 - 【請求項３】 超音波振動体はソケット本体に設置され
ていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の
検査装置。 - 【請求項４】 超音波振動体は位置規制部に設置されて
いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の検
査装置。 - 【請求項５】 検査用端子にはバネが内蔵されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の検査装
置。 - 【請求項６】 半導体素子が配線基板の上面に搭載され
た被検査対象物を検査装置のソケット本体に載置する工
程と、前記被検査対象物の上面から加圧するとともに、
前記被検査対象物に超音波を印加して前記被検査対象物
の配線基板の裏面に形成された外部端子と前記ソケット
本体に設けられた検査用端子の上端とを電気的に接続し
て検査する工程とからなることを特徴とする半導体装置
の検査方法。 - 【請求項７】 半導体素子が配線基板の上面に搭載され
た被検査対象物を検査装置のソケット本体に搭載する工
程では、前記ソケット本体の上面に形成された位置規制
部により前記被検査対象物を位置規制することを特徴と
する請求項６に記載の半導体装置の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001054006A JP2002257893A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 半導体装置の検査装置および半導体装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001054006A JP2002257893A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 半導体装置の検査装置および半導体装置の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002257893A true JP2002257893A (ja) | 2002-09-11 |
Family
ID=18914407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001054006A Withdrawn JP2002257893A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 半導体装置の検査装置および半導体装置の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002257893A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006106618A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-12 | Nhk Spring Co., Ltd. | コンタクトプローブ |
| WO2007102401A1 (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Nhk Spring Co., Ltd. | 導電性接触子ユニット |
| US7955122B2 (en) | 2006-03-03 | 2011-06-07 | Nhk Spring Co., Ltd. | Conductive contact unit |
-
2001
- 2001-02-28 JP JP2001054006A patent/JP2002257893A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006106618A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-12 | Nhk Spring Co., Ltd. | コンタクトプローブ |
| KR100966907B1 (ko) * | 2005-03-31 | 2010-06-30 | 니혼 하츠쵸 가부시키가이샤 | 콘택트 프로브 |
| WO2007102401A1 (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Nhk Spring Co., Ltd. | 導電性接触子ユニット |
| US7789707B2 (en) | 2006-03-03 | 2010-09-07 | Nhk Spring Co., Ltd. | Conductive contact unit |
| US7955122B2 (en) | 2006-03-03 | 2011-06-07 | Nhk Spring Co., Ltd. | Conductive contact unit |
| JP5179347B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2013-04-10 | 日本発條株式会社 | 導電性接触子ユニット |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061212 |
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| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20070112 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070730 |