JP2002250773A

JP2002250773A - 放射線撮像装置

Info

Publication number: JP2002250773A
Application number: JP2001047309A
Authority: JP
Inventors: Kenji Kajiwara; 賢治梶原
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-02-22
Filing date: 2001-02-22
Publication date: 2002-09-06

Abstract

(57)【要約】【課題】軽量化と低コスト化を図る。【解決手段】放射線固体撮像部２５は支持台２４の前
面に設けた基台３１と、この基台３１の前面に設けたセ
ンサ基板３３と、このセンサ基板３３の前面に設けた蛍
光板３４と、この蛍光板３４の前面に設けた金属フィル
ム３６とから成り、センサ基板３３の前面は複数個の光
電変換素子とＴＦＴ素子を形成した画素領域とする。セ
ンサ基板３３に順次に接続した回路基板４２、４３はＩ
Ｃ４５、４６をそれぞれ備え、回路基板４２、４３には
ＩＣ４５、４６に放射線Ｒが入射しないように遮蔽する
遮蔽層５１、５２をそれぞれ設ける。遮蔽層５１、５２
は放射線遮蔽性材料を粉末にして混入させた有機又は無
機化合物から構成する。遮蔽層５１はＩＣ４５の表面４
５ａと側面４５ｃの全体を覆うように設ける。遮蔽層５
２はプリント回路基板４３の裏面４３ｂにそれぞれ設
け、遮蔽層５２の広さはＩＣ４６の広さと同等か又はそ
れよりも大きくする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、医療用検査機器、
非破壊検査機器等に使用される一次元又は二次元の放射
線撮像装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、例えば医療用の放射線画像を得る
際には、図６に示すように放射線源１から放射線Ｒを被
写体Ｓに照射し、この被写体Ｓを透過してその情報を担
った放射線Ｒを放射線撮像装置２で撮像している。放射
線撮像装置２では、図７に示すように筐体３の前壁３ａ
に放射線Ｒが入射する開口３ｂが設けられ、前壁３ａに
はグリッドを含む筐体蓋４が開口３ｂを塞ぐようにねじ
留めされている。筐体３の後壁３ｃには支持台５が設け
られ、筐体蓋４と支持台５の間には放射線固体撮像部６
が配置されている。

【０００３】放射線固体撮像部６には、図８にも示すよ
うに、支持台５に支持された基台７、この基台７に固着
されたセンサ基板８、このセンサ基板８に固着された蛍
光板９、この蛍光板９に固着された金属フィルム１０等
が含まれている。センサ基板８は、図９に示すように４
個のセンサ基板８ａ〜８ｄから構成され、これらのセン
サ基板８ａ〜８ｄは二次元方向に画素ピッチが合うよう
に位置合わせされている。そして、センサ基板８ａ〜８
ｄの前面は受光部を含み、画素領域Ｔは複数個の光電変
換素子及びＴＦＴ素子が二次元的に配列されて形成され
ている。

【０００４】このようなセンサ基板８には、フレキシブ
ル回路基板１１を介してプリント回路基板１２が接続さ
れ、これらの回路基板１１、１２にはセンサ基板８への
入力信号又はセンサ基板８からの出力信号を処理するＩ
Ｃ１３、１４がそれぞれ実装されている。また、回路基
板１１と筐体３とは平板１５及び放熱板１６等によっ
て、回路基板１２と筐体３とは取付板１７等によってそ
れぞれ連結されて放熱路を形成し、ＩＣ１３、１４の昇
温が抑制されている。

【０００５】そして、これらのＩＣ１３、１４を誤動作
や特性劣化から保護する目的で、筐体３の前壁３ａの内
面や支持台５と基台７の間には鉛板１８、１９がそれぞ
れ設けられ、グリッド４を外れて筐体３に入射した放射
線ＲによってＩＣ１３が照射されたり、蛍光板９で可視
光に変換しきれなかった放射線ＲによってＩＣ１４が照
射されたりすることが防止されている。この際に、支持
台５と基台７の間の鉛板１９は、プリント回路基板１２
の全体を遮蔽し得る広さとされ、部品点数や工数が可能
な限り削減されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
放射線撮像装置２が被写体Ｓを立位や臥位等の姿勢で撮
像するための大型撮像装置として使用されている反面
で、近年の市場では診察室、ベッド、救急車等でも使用
可能なカセッテ型撮像装置が要望され、その開発が急務
とされている。このカセッテ型撮像装置は放射線技師等
の使用者によって携帯されたり、時には撮影のために被
写体によって支持されたりすることが想定されるため、
可搬性や持ち易さを考慮して軽量化を図る必要がある。

【０００７】このような要望に応えたカセッテを開発す
るためには、筐体３の形状や材料の選択、基台７やセン
サ基板８に使用する基板の薄型化、プリント回路基板１
２の小型化等の見直しが必要になる。また、放射線Ｒの
遮蔽を必要としない領域までも遮蔽する比重の大きい鉛
板１８、１９を使用することは、カセッテ２の軽量化の
大きな妨げとなっているので、鉛板１８、１９等の見直
しも必要になる。

【０００８】そこで、鉛板１８、１９を筐体３の前壁３
ａの内面や支持台５と基台７の間に設ける代りに、ＩＣ
１３、１４を個々に遮蔽する大きさの鉛板をＩＣ１３、
１４にそれぞれ設けても、ＩＣ１３、１４を遮蔽するこ
とが可能となる。ところが、ＩＣ１３、１４は回路基板
上に分散して複数配置されている上にそれらのうちで最
も小さいものは数平方ｍｍの広さになっているので、Ｉ
Ｃ１３、１４を鉛板で個々に遮蔽することは部品点数と
工数を増加させることになる。

【０００９】本発明の目的は、上述の問題点を解消し、
軽量で安価で製造容易な放射線撮像装置を提供すること
にある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の請求項１に係る本発明は、放射線撮像素子への入力信
号又は放射線撮像素子からの出力信号を処理する電子部
品の近傍に、放射線を遮蔽するための放射線遮蔽性材料
を粉末にして混入させた有機又は無機化合物の化合物層
を設けたことを特徴とする放射線撮像装置である。

【００１１】請求項２に係る発明は、放射線撮像素子へ
の入力信号又は放射線撮像素子からの出力信号を処理す
る電子部品の外周面の少なくとも一部を覆うように、放
射線を遮蔽するための放射線遮蔽性材料を粉末にして混
入させた有機又は無機化合物の化合物層を設けたことを
特徴とする放射線撮像装置である。

【００１２】請求項３に係る発明は、放射放射線撮像素
子への入力信号又は放射線撮像素子からの出力信号を処
理するための複数の電子部品を有し、これら複数の電子
部品のうちの所定の個々の電子部品毎に、放射線を遮蔽
するための放射線遮蔽性材料を粉末にして混入させた有
機又は無機化合物の化合物層を設けたことを特徴とする
放射線撮像装置である。

【００１３】請求項４に係る発明は、放射線撮像素子へ
の入力信号又は放射線撮像素子からの出力信号を処理す
るための複数の電子部品が実装された回路基板を有し、
前記複数の電子部品のうちの所定の個々の電子部品毎
に、放射線を遮蔽するための放射線遮蔽性材料を粉末に
して混入させた有機又は無機化合物の化合物層を設けた
ことを特徴とする放射線撮像装置である。

【００１４】請求項５に係る発明は、回路基板に実装さ
れた前記電子部品の表面の少なくとも一部を覆うように
前記化合物層を設けたことを特徴とする請求項１〜４の
何れか１つの請求項に記載の放射線撮像装置である。

【００１５】請求項６に係る発明は、前記電子部品が実
装された回路基板の裏面側に前記化合物層を設けたこと
を特徴とする請求項１〜４の何れか１つの請求項に記載
の放射線撮像装置である。

【００１６】請求項７に係る発明は、回路基板に実装さ
れた前記電子部品の表面に放射線が入射する場合には、
前記電子部品の表面の少なくとも一部を覆うように前記
化合物層を設け、放射線が前記電子部品の裏面に入射す
る場合には、前記化合物層を前記回路基板の裏面に設け
たことを特徴とする請求項１〜４の何れか１つの請求項
に記載の放射線撮像装置である。

【００１７】請求項８に係る発明は、前記化合物層の広
さは遮蔽される前記電子部品の表面の広さと同等とした
ことを特徴とする請求項１〜７の何れか１つの請求項に
記載の放射線撮像装置である。

【００１８】請求項９に係る発明は、前記放射線遮蔽性
材料は少なくとも鉛、タンタル、バリウム、タングステ
ン及び半田から成る群から選択したことを特徴とする請
求項１〜８の何れか１つの請求項に記載の放射線撮像装
置である。

【００１９】請求項１０に係る発明は、前記放射線遮蔽
性材料は半田ボールとしたことを特徴とする請求項１〜
８の何れか１つの請求項に記載の放射線撮像装置であ
る。

【００２０】請求項１１に係る発明は、前記有機又は無
機化合物は、熱、湿気、又は二液混合で硬化する有機樹
脂としたことを特徴とする請求項１〜８の何れか１つの
請求項に記載の放射線撮像装置である。

【００２１】請求項１２に係る発明は、前記有機又は無
機化合物は、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、ポリウレタン樹脂、アルミナ、炭化硅素から成る群
から選択したことを特徴とする請求項１〜８の何れか１
つの請求項に記載の放射線撮像装置である。

【００２２】請求項１３に係る発明は、前記放射線撮像
素子は複数個の光電変換素子と薄膜トランジスタから構
成したセンサ基板としたことを特徴とする請求項１〜１
２の何れか１つの請求項に記載の放射線撮像装置であ
る。

【００２３】請求項１４に係る発明は、前記センサ基板
の前面に放射線を可視光に変換する変換部材を備えたこ
とを特徴とする請求項１３に記載の放射線撮像装置であ
る。

【００２４】請求項１５に係る発明は、前記放射線撮像
素子の前方に電磁ノイズと湿気の少なくとも一方を遮断
する遮断部材を覆設したことを特徴とする請求項請求項
１〜１３の何れか１つの請求項に記載の放射線撮像装置
である。

【００２５】請求項１６に係る発明は、前記変換部材の
前方に電磁ノイズと湿気の少なくとも一方を遮断する遮
断部材を覆設したことを特徴とする請求項１４に記載の
放射線撮像装置である。

【００２６】請求項１７に係る発明は、前記変換部材は
蛍光板としたことを特徴とする請求項１４又は１６に記
載の放射線撮像装置である。

【００２７】請求項１８に係る発明は、前記遮断材料は
金属フィルムとしたことを特徴とする請求項１５又は１
６に記載の放射線撮像装置である。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明を図１〜図５に図示の実施
の形態に基づいて詳細に説明する。図１は第１の実施の
形態のカセッテ２１の断面図であり、カセッテ２１は可
搬性を有する放射線撮像装置とされ、カセッテ２１には
放射線源から出射した放射線Ｒが入射するようになって
いる。カセッテ２１の筐体２２の前壁２２ａには開口２
２ｂが形成されており、この開口２２ｂには散乱線を除
去するためのグリッドを含む筐体蓋２３が配置されて、
前壁２２ａにねじ留めされている。筐体２２と筐体蓋２
３により形成された枠体の内部において、筐体２２の後
壁２２ｃには支持台２４が備えられ、点線で囲まれた領
域Ｕの内部には放射線固体撮像部２５が配置されてい
る。この放射線固体撮像部２５は両端面に接着剤又は粘
着剤を備えた複数の固定材２６によって、グリッド２３
と支持台２４に固定されている。なお、筐体２２の前壁
２２ａ及び後壁２２ｃという用語は、放射線Ｒが入射す
る方向に対する筐体２２の相対的位置を示している。

【００２９】放射線固体撮像部２５において、支持台２
４の前面に基台３１が固定材２６によって支持され、基
台３１の前面には接着剤３２を介してセンサ基板（放射
線撮像素子）３３が固定されている。センサ基板３３は
例えば４個のセンサ基板３３ａ〜３３ｄ（センサ基板３
３ｃ、３３ｄは図示せず）によって構成され、これらの
センサ基板３３ａ〜３３ｄは二次元方向に画素ピッチが
合うように位置合わせされている。センサ基板３３ａ〜
３３ｄの前面には受光部を有し、センサの画素領域は複
数個の光電変換素子とＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子
が二次元的に配列されて形成されている。

【００３０】なお、センサ基板３３ａ〜３３ｄを二次元
方向に画素ピッチが合うように位置合わせすることは、
製造歩留まりに優れた小型のセンサ基板３３ａ〜３３ｄ
を複数個配列してセンサ基板３３を大判化する目的で行
われている。従って、製造歩留まりに優れた１枚の大面
積のセンサ基板３３を製造することが可能であれば、基
台３１を必要としない構成が可能となることは云うまで
もない。

【００３１】センサ基板３３の前面には、放射線を可視
光に変換する蛍光板３４が接着剤３５によって貼着され
ており、蛍光板３４にはＣａＷＯ₄やＧｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ
³⁺等の粒状の蛍光材を樹脂板に塗布したものが使用され
ている。蛍光板３４の前面には、不透湿性と放射線透過
性を有する例えばアルミニウム蒸着フィルム等の金属フ
ィルム３６が、接着剤３７を介して接続されている。光
電変換素子とＴＦＴ素子に対して湿気、電磁波（ノイ
ズ）等を遮断する必要がある場合に、金属フィルム３６
が蛍光板３４、光電変換素子及びＴＦＴ素子を密閉する
目的で設けられている。そして、この密閉状態をより確
実にするために、金属フィルム３６の前面からセンサ基
板３３の間に封止材３８が充填されている。

【００３２】センサ基板３３には引出電極部４１が設け
られており、引出電極部４１は光電変換素子とＴＦＴ素
子を駆動するための信号を入力したり、放射線Ｒの情報
を読み取った信号を外部の図示しない処理装置に出力す
る際に用いられる。引出電極部４１にはフレキシブル回
路基板４２を介してプリント回路基板４３が接続されて
いる。引出電極部４１とフレキシブル回路基板４２の接
続部には、引出電極部４１の電食を防止するための封止
材４４が設けられており、この封止材４４にはシリコン
樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等が使用されてい
る。

【００３３】回路基板４２、４３には、上述の入力又は
出力信号を処理するためのＩＣ４５、４６がそれぞれ実
装されていると共に、これらのＩＣ４５、４６から発し
た熱を筺体２２に伝導させる対策が施されている。この
熱伝導対策として、平板４７と放熱板４８がフレキシブ
ル回路基板４２の両面にそれぞれ圧接するようにねじ留
めされ、放熱板４８の一端部は筺体２２にねじ留めされ
ている。また、熱伝導機能を有する取付板４９の前端と
後端が、プリント回路基板４３と筺体２２にそれぞれね
じ留めされている。そして、ＩＣ４５、４６の近傍に
は、放射線ＲがＩＣ４５、４６に入射しないように遮蔽
する遮蔽層（又は膜）５１、５２がそれぞれ設けられて
いる。

【００３４】図２の部分拡大図にも示すように、一方の
ＩＣ４５の表面４５ａは外方に向けられ、裏面４５ｂが
フレキシブル回路基板４２の表面４２ａに接続されてい
る。従って、ＩＣ４５に対する遮蔽層５１は、ＩＣ４５
の表面４５ａと側面４５ｃの全体を覆うように設けられ
ている。そして、前述の放熱板４８は遮蔽層５１をＩＣ
４５との間に挟むように取り付けられている。

【００３５】なお、遮蔽層５１は放射線Ｒが入射する領
域を覆うように設ければよいので、ＩＣ４５の側面４５
ｃのうちの放射線Ｒが入射する面のみを覆えばよい。し
かし、放熱板４８のねじ留めの仕方によってはフレキシ
ブル回路基板４２が傾斜することがあるので、安全性を
考慮して遮蔽層５１はＩＣ４５の表面４５ａと側面４５
ｃの全体を覆うように設けることが好ましい。

【００３６】これに対し、他方のＩＣ４６の表面４６ａ
は後方に向けられ、裏面４６ｂがプリント回路基板４３
の表面４３ａに接続されている。従って、ＩＣ４６に対
する遮蔽層５２は、プリント回路基板４３の裏面４３ｂ
にそれぞれ設けられ、遮蔽層５２の広さはＩＣ４６の広
さと同等か又はそれよりも若干大きくされている。

【００３７】なお、回路基板４２、４３の放射線Ｒの遮
蔽を必要とする領域に、絶縁保護されていない部品や配
線が存在している場合には、図３に示すように回路基板
４２、４３に絶縁層（又は膜）５３、５４をそれぞれ設
け、これらの絶縁層５３、５４を下地にして遮蔽層５
１、５２をそれぞれ設ければよい。

【００３８】ここで、図４に示すように、遮蔽層５１、
５２は放射線Ｒの遮蔽に適した性質を有する材料、つま
り放射線遮蔽性材料５５を粉末にして混入させた有機又
は無機の化合物５６から構成している。そして、放射線
遮蔽性材料５５は少なくともＰｂ（鉛）、Ｔａ（タンタ
ル）、Ｂａ（バリウム）、Ｗ（タングステン）等の群か
ら選択した金属とすることが可能である。しかし、実際
には粒状に加工し易い点から半田ボ−ルとすることが好
ましい。また、化合物５６は液体の状態でＩＣ４５、４
６を覆った後に熱、湿気、２液混合等によって硬化する
シリコン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリウレ
タン樹脂、アルミナ、炭化硅素等の群から選択すること
ができる。中でもシリコン樹脂、エポキシ樹脂、アクリ
ル樹脂、又はポリウレタン樹脂を選択すれば、ＩＣ４
５、４６のチップ上の微小領域に遮蔽層５１、５２を容
易に形成することが可能となる。

【００３９】遮蔽層５１、５２を設けるに際しては、遮
蔽層５１、５２となる材料を液状のまま必要な領域にデ
ィスペンサ、スプレ等によって塗布するか、フレキソ等
の印刷によってコーティングし、その後に熱、硬化剤付
与、湿気等によって硬化させるプロセスを採用する。ま
た、フレキシブル回路基板４２の可撓性によって遮蔽層
５１がフレキシブル回路基板４２から剥離し易いので、
遮蔽層５１には軟質材料を使用して遮蔽層５１の剥離を
防止することが好ましく、前述の材料のうちではシリコ
ン樹脂が最も好ましい。

【００４０】このようなカセッテ２１に放射線Ｒが入射
すると、蛍光板３４が放射線Ｒを可視光に変換する。こ
の可視光は蛍光板３４の直後の接着剤３５を透過してセ
ンサ基板３３の光電変換素子に入射し、光電変換素子は
可視光を光電変換して二次元画像とし、この二次元画像
は引出電極部４１から出力される。

【００４１】このとき、放射線Ｒが筐体２２の前壁２２
ａを透過しないことが好ましいばかりでなく、蛍光板３
４が全ての放射線Ｒを可視光に変換することが好ましい
が、実際には放射線Ｒが筐体２２の前壁２２ａを透過し
てフレキシブル回路基板４２に向かったり、蛍光板３４
で変換しきれない放射線Ｒがセンサ基板３３や基台３１
等を透過してプリント回路基板４３に向かったりするこ
とがある。

【００４２】しかしながら、この第１の実施の形態では
遮蔽層５１、５２が放射線Ｒを遮蔽し、放射線ＲがＩＣ
４５、４６に入射することを防止する。従って、ＩＣ４
５、４６に誤動作を発生させることがなく、素子の特性
を劣化させることもない。また、従来のように面積の大
きい鉛板を使用しない上に、遮蔽層５１、５２を必要な
領域に設ければよいので、軽量化が可能となる。更に、
Ｐｂ（鉛）を使用する場合でも必要な領域以外には使用
しないので、軽量化及び低コスト化が可能となる。

【００４３】図５は第２の実施の形態のカセッテ２１’
の要部断面図であり、筺体２２に入射した放射線Ｒが筺
体２２の後壁２２ｃで散乱して散乱線Ｒ’となり、この
散乱線Ｒ’の強度によっては、散乱線Ｒ’がプリント回
路基板４３のＩＣ４６に入射した場合に、悪影響が生ず
ることが予想できる。

【００４４】そこで、この第２の実施の形態では、プリ
ント回路基板４３のＩＣ４６の表面４６ａと側面４６ｃ
の全体を、第１の実施の形態と同様な材料、即ち放射線
遮蔽性材料５５を粉末にして混合した化合物５６から成
る遮蔽層５７によって覆っている。なお、ＩＣ４６が絶
縁保護されてない場合は、ＩＣ４６の周辺に第１の実施
の形態と同様な絶縁層５４を設けることが好ましいこと
は云うまでもない。

【００４５】この第２の実施の形態では、第１の実施の
形態と同様な効果を達成することが可能である上に、プ
リント回路基板４３のＩＣ４６を第１の実施の形態より
も良好に保護することができる。なお、放射線を遮蔽す
るための遮蔽層（化合物層）は、必ずしも全ての電子部
品（ＩＣ等）毎に設ける必要はなく、放射線の影響を受
け易い位置にある電子部品又は放射線の影響を受け易い
性質の電子部品等に限定して、所定の一部の単数又は複
数の電子部品毎に設けるようにしてもよい。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る放射線
撮像装置は、従来のような面積の大きい鉛板を必要とし
ない上に、化合物層を必要な領域に設けたので、軽量化
を達成することができる。また、鉛を使用する場合でも
必要な領域以外には使用しないので、軽量化及び低コス
ト化を実現することが可能となる。また、「発明が解決
しようとする課題」で述べたような鉛板を分散配置する
場合に比べて、部品点数を少なくできるため製造が容易
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態の断面図である。

【図２】部分拡大図である。

【図３】絶縁層を設ける場合の断面図である。

【図４】遮蔽層の説明図である。

【図５】第２の実施の形態の要部断面図である。

【図６】従来例の使用状態の説明図である。

【図７】従来例の断面図である。

【図８】従来例の放射線固体撮像部の断面図である。

【図９】従来例のセンサ基板の平面図である。

【符号の説明】

２１、２１’ カセッテ２２筐体２２ａ前壁２２ｂ開口２２ｃ後壁２３筐体蓋２５放射線固体撮像部３３センサ基板３４蛍光板３６金属フィルム４１引出電極部４２、４３回路基板４２ａ、４３ａ表面４２ｂ、４３ｂ裏面４５、４６ＩＣ４５ａ、４６ａ表面４５ｂ、４６ｂ裏面４５ｃ、４６ｃ側面５１、５２、５７遮蔽層５３、５４絶縁層５５放射線遮蔽性材料５６化合物

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】放射線撮像素子への入力信号又は放射線
撮像素子からの出力信号を処理する電子部品の近傍に、
放射線を遮蔽するための放射線遮蔽性材料を粉末にして
混入させた有機又は無機化合物の化合物層を設けたこと
を特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】放射線撮像素子への入力信号又は放射線
撮像素子からの出力信号を処理する電子部品の外周面の
少なくとも一部を覆うように、放射線を遮蔽するための
放射線遮蔽性材料を粉末にして混入させた有機又は無機
化合物の化合物層を設けたことを特徴とする放射線撮像
装置。
【請求項３】放射線撮像素子への入力信号又は放射線
撮像素子からの出力信号を処理するための複数の電子部
品を有し、これら複数の電子部品のうちの所定の個々の
電子部品毎に、放射線を遮蔽するための放射線遮蔽性材
料を粉末にして混入させた有機又は無機化合物の化合物
層を設けたことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項４】放射線撮像素子への入力信号又は放射線
撮像素子からの出力信号を処理するための複数の電子部
品が実装された回路基板を有し、前記複数の電子部品の
うちの所定の個々の電子部品毎に、放射線を遮蔽するた
めの放射線遮蔽性材料を粉末にして混入させた有機又は
無機化合物の化合物層を設けたことを特徴とする放射線
撮像装置。
【請求項５】回路基板に実装された前記電子部品の表
面の少なくとも一部を覆うように前記化合物層を設けた
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１つの請求項に
記載の放射線撮像装置。
【請求項６】前記電子部品が実装された回路基板の裏
面側に前記化合物層を設けたことを特徴とする請求項１
〜４の何れか１つの請求項に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】回路基板に実装された前記電子部品の表
面に放射線が入射する場合には、前記電子部品の表面の
少なくとも一部を覆うように前記化合物層を設け、放射
線が前記電子部品の裏面に入射する場合には、前記化合
物層を前記回路基板の裏面に設けたことを特徴とする請
求項１〜４の何れか１つの請求項に記載の放射線撮像装
置。
【請求項８】前記化合物層の広さは遮蔽される前記電
子部品の表面の広さと同等としたことを特徴とする請求
項１〜７の何れか１つの請求項に記載の放射線撮像装
置。
【請求項９】前記放射線遮蔽性材料は少なくとも鉛、
タンタル、バリウム、タングステン及び半田から成る群
から選択したことを特徴とする請求項１〜８の何れか１
つの請求項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】前記放射線遮蔽性材料は半田ボールと
したことを特徴とする請求項１〜８の何れか１つの請求
項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１１】前記有機又は無機化合物は、熱、湿
気、又は二液混合で硬化する有機樹脂としたことを特徴
とする請求項１〜８の何れか１つの請求項に記載の放射
線撮像装置。
【請求項１２】前記有機又は無機化合物は、シリコン
樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹
脂、アルミナ、炭化硅素から成る群から選択したことを
特徴とする請求項１〜８の何れか１つの請求項に記載の
放射線撮像装置。
【請求項１３】前記放射線撮像素子は複数個の光電変
換素子と薄膜トランジスタから構成したセンサ基板とし
たことを特徴とする請求項１〜１２の何れか１つの請求
項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１４】前記センサ基板の前面に放射線を可視
光に変換する変換部材を備えたことを特徴とする請求項
１３に記載の放射線撮像装置。
【請求項１５】前記放射線撮像素子の前方に電磁ノイ
ズと湿気の少なくとも一方を遮断する遮断部材を覆設し
たことを特徴とする請求項請求項１〜１３の何れか１つ
の請求項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１６】前記変換部材の前方に電磁ノイズと湿
気の少なくとも一方を遮断する遮断部材を覆設したこと
を特徴とする請求項１４に記載の放射線撮像装置。
【請求項１７】前記変換部材は蛍光板としたことを特
徴とする請求項１４又は１６に記載の放射線撮像装置。
【請求項１８】前記遮断材料は金属フィルムとしたこ
とを特徴とする請求項１５又は１６に記載の放射線撮像
装置。