JP2002246442A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板処理装置において、スループットを向上
させる。 【解決手段】 連続プロセス処理を行うための処理部Ｉ
Ｄ，ＳＣ，…のうち所定の処理部により処理部群２０，
４０，５０が構成される。これらの処理部群２０，４
０，５０には、それぞれ基板受渡し位置が設けられ、こ
の基板受渡し位置と処理部群を構成する処理部との間で
副搬送ロボットＴＳ2，ＴＳ4，ＴＳ5が基板を搬送す
る。一方、処理部群２０，４０，５０を構成する処理部
以外の処理部ＩＤ（１０），ＩＦ（３０）と、処理部群
２０，４０，５０の基板受渡し位置との間で主搬送ロボ
ットが基板を搬送する。各搬送ロボットが移動する処理
部の数（ポジション数）が減り、各搬送ロボットが一周
するのに要する時間が短縮され、その結果スループット
を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハや液晶
表示装置用基板などの被処理基板（以下、単に「基板」
という）を複数の処理部の間を所定の順序で搬送しなが
ら各処理部で予め定められた単位処理を行うことで、基
板に対し一連の連続プロセス処理を施す基板処理装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように基板に対してはレジスト塗
布処理やそれに関連する処理など、種々の単位処理が行
われるが、それら複数の単位処理を所定の順序で行って
基板に対して一連の連続プロセス処理を実行する場合、
この連続プロセス処理を自動的に行う基板処理装置が従
来より使用されている。この種の基板処理装置として
は、例えば図２３に示す基板処理装置がある。

【０００３】この従来の基板処理装置には、ホットプレ
ートＨＰやクールプレートＣＰなどからなる処理列Ｂ1
と、スピンコータＳＣやエッジ露光部ＥＥＷなどからな
る処理列Ｂ2とが２列に配置されるとともに、これらの
処理列Ｂ1，Ｂ2の両端部にインデクサＩＤおよびインタ
ーフェイスＩＦがそれぞれ配置されている。さらに、こ
れら処理列Ｂ1，Ｂ2、インデクサＩＤおよびインターフ
ェイスＩＦに囲まれた搬送通路を走行する単一の搬送ロ
ボットＴＲが設けられ、搬送ロボットＴＲは１枚の基板
を支持可能なアームを２本備えることにより基板をある
処理部から次の処理部に順送りに搬送可能となってい
る。

【０００４】なお、密着強化部ＡＨ、ホットプレートＨ
Ｐ、クールプレートＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷ、スピン
コータＳＣ、スピンデベロッパＳＤ、インデクサＩＤお
よびインターフェイスＩＦにおいて、基板に対する加熱
処理、基板への薄膜形成や他の装置との間での基板受渡
し処理などの相互に異なる単位処理がそれぞれ実行され
るが、この明細書では、これらの各部を統一的に説明す
る必要がある場合には、必要に応じて当該各部を「処理
部」という用語を用いて表現する。また、密着強化部Ａ
ＨおよびホットプレートＨＰでは、基板に対して加熱処
理が実行されるため、この種の処理部については、特に
他の処理部と区別するために「加熱処理部」と称する。
また、クールプレートＣＰでは、基板に冷却処理が実行
されるため、特に他の処理部と区別するために「冷却処
理部」と称する。さらに、エッジ露光部ＥＥＷ、スピン
コータＳＣ、スピンデベロッパＳＤ、インデクサＩＤお
よびインターフェイスＩＦなどの処理部のように、加熱
処理や冷却処理と関係がない処理部については、「非熱
処理部」と称する。

【０００５】図２４は、上記のように構成された基板処
理装置による連続プロセス処理の手順の一例を示す図で
ある。この基板処理装置では、インデクサＩＤに載置さ
れたカセット（図示省略）から未処理の基板を取り出
し、搬送ロボットＴＲによって同図の矢印の順序で各処
理部に順送りに搬送しながら、各処理部で所定の単位処
理を施し、インデクサＩＤに載置された同一あるいは別
のカセットに戻すことによって、基板に対する一連の連
続プロセス処理が実行される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の基板
処理装置により連続プロセス処理を実行するためには、
搬送ロボットＴＲが１３個の処理部の間を循環移動する
必要があり、各処理部の間を移動に要する時間と各処理
部との基板の受渡しに要する時間との合計の平均値を
「ＴTr」とすると、搬送ロボットＴＲが一周するのに要
する時間、つまり周期Ｔ0は、その時間ＴTrと処理部の
ポジション数を掛け合わせることによって求まる、つま
り（ＴTr×１３）となる。したがって、この装置の最大
処理能力はＴO時間当り基板１枚となり、これによって
１時間当たりの処理枚数も決定される。

【０００７】ここで、基板処理装置のスループットを向
上させるためには、例えば搬送ロボットＴＲの動作速度
などを高める方法もあるが、それは機構上大きな困難を
伴い、また一定の限界がある。

【０００８】また、従来例では、搬送ロボットＴＲはホ
ットプレートＨＰのように基板にベーク処理を行う加熱
処理部とスピンコータＳＣのように室温で処理する非熱
処理部とのいずれにもアクセスするようになっているた
め、加熱処理部で暖められた搬送ロボットＴＲのハンド
が非熱処理部に差し入れられるだけでなく、常温状態を
保つべき段階にある基板をその暖められたハンドで保持
することになるため、それによって基板および非熱処理
部の温度が部分的に上昇し、その結果として処理の熱的
安定性を阻害する原因となっている。

【０００９】この発明は、上記の問題を解決するために
なされたものであり、基板を複数の処理部の間を所定の
順序で搬送しながら各処理部で予め定められた単位処理
を行うことで、基板に対し一連の連続プロセス処理を施
す基板処理装置において、スループットを向上させるこ
とを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
を複数の処理部の間を所定の順序で搬送しながら各処理
部で予め定められた単位処理を行うことで、基板に対し
一連の連続プロセス処理を施す基板処理装置であって、
上記目的を達成するため、未処理基板の取り出しおよび
前記連続プロセス処理の終了した基板の収容を行うイン
デクサと、前記連続プロセス処理の一部を構成する連続
する複数の単位処理をそれぞれ実行するための複数の処
理部からなり、しかも基板の受渡しを行うための基板受
渡し位置を有する処理部群と、外部装置との間で基板の
受け渡しを行うインターフェイスと、前記インデクサ、
前記処理部群の前記基板受渡し位置および前記インター
フェイスの間でのみ基板を搬送する主搬送手段と、前記
処理部群を構成する前記複数の処理部と、前記基板受渡
し位置との間でのみ基板を搬送する副搬送手段と、を備
えている。

【００１１】請求項２の発明は、前記処理部群を複数備
えている。

【００１２】請求項３の発明は、前記主搬送手段による
基板の搬送順序を第１および第２搬送順序に分割し、前
記主搬送手段を、前記第１搬送順序にしたがって基板を
搬送する第１搬送部と、前記第２搬送順序にしたがって
基板を搬送する第２搬送部とで構成している。

【００１３】請求項４の発明は、前記複数の処理部群
に、基板に対してレジスト塗布処理が行われる第１処理
部群と、基板に対して現像処理が行われる第２処理部群
とを含ませ、前記第１搬送部に、前記インデクサ、前記
第１処理部群の基板受渡し位置および前記インターフェ
イスの間で基板の搬送を行わせ、前記第２搬送部に、前
記インデクサ、前記第２処理部群の基板受渡し位置およ
び前記インターフェイスの間で基板の搬送を行わせる。

【００１４】請求項５の発明は、前記第１搬送部および
第２搬送部の搬送経路を相互に仕切っている。

【００１５】請求項６の発明は、前記第１処理部群に、
レジスト塗布処理部および熱処理部を含ませ、前記第２
処理部群に、現像処理部および熱処理部を含ませてい
る。

【００１６】

【作用】請求項１の発明では、連続プロセス処理の一部
を構成する連続する複数の単位処理をそれぞれ実行する
ための複数の処理部により処理部群が構成される。この
処理部群には、基板の受渡しを行うための基板受渡し位
置が設けられ、この基板受渡し位置と処理部群を構成す
る複数の処理部との間で副搬送手段が基板を搬送する。
一方、インデクサ、インターフェイスおよび処理部群の
基板受渡し位置との間で主搬送手段が基板を搬送する。

【００１７】このため、各搬送手段が移動する処理部の
数（ポジション数）が減り、各搬送手段が一周するのに
要する時間が短縮され、その結果スループットを向上さ
せることができる。

【００１８】請求項２の発明では、処理部群が複数設け
られており、各処理部群において、基板は副搬送手段に
よって処理部および基板受渡し位置の間を搬送されなが
ら処理部で所定の単位処理を受ける。このように、各処
理部群ごとに独立して所定の処理を行うことができ、基
板処理装置の稼動率を向上させることができる。

【００１９】請求項３の発明では、主搬送手段が、第１
搬送順序にしたがって基板を搬送する第１搬送部と、第
２搬送順序にしたがって基板を搬送する第２搬送部とで
構成されている。各搬送部が移動する処理部の数が減
り、スループットを向上させることができる。

【００２０】請求項４の発明では、第１搬送部がインデ
クサ、第１処理部群の基板受渡し位置およびインターフ
ェイスの間で基板の搬送を行い、第２搬送部がインデク
サ、第２処理部群の基板受渡し位置およびインターフェ
イスの間で基板の搬送を行うため、各搬送部が移動する
処理部の数が減り、スループットを向上させることがで
きる。

【００２１】請求項５の発明では、第１搬送部および第
２搬送部の搬送経路が相互に仕切られているため、第１
搬送部の搬送経路における雰囲気を、第２搬送部の搬送
経路における雰囲気から分離することができ、基板を所
望の雰囲気で搬送することができる。

【００２２】請求項６の発明では、第１処理部群がレジ
スト塗布処理部および熱処理部を含み、第２処理部群が
現像処理部および熱処理部を含むため、各搬送部が移動
する処理部の数が減り、スループットを向上させること
ができる。

【００２３】

【実施例】以下、この発明にかかる基板処理装置の実施
例について詳述するが、実施例の作用および効果を明確
にするため、従来例と同一の連続プロセス処理（一枚の
基板に対して図２４と同一の順序で各処理部で単位処理
を順次実行する）を行う装置および方法に限定して説明
する。

【００２４】Ａ．第１実施例 図１は、この発明にかかる基板処理装置の第１実施例の
外観斜視図であり、後述する各図との方向関係を明確に
するために、ＸＹＺ直角座標軸が示されている。また、
図２は図１の装置の部分切欠拡大図である。さらに、図
３は概念的配置図である。なお、Ｚ方向は鉛直方向上向
きであり、Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交
する方向である。

【００２５】Ａ−１．第１実施例の装置の構成 まず、この第１実施例にかかる基板処理装置の概要につ
いて説明した後、各部の構成について説明する。

【００２６】この基板処理装置には、図３に示すよう
に、処理部１０，処理部群２０，４０，５０および処理
部３０がＸ方向に一列に配置され、これらの処理部１
０，３０および処理部群２０，４０，５０の間で主搬送
ロボットＴＭが方向Ｘおよび（−Ｘ）に移動し、基板を
所望の処理部あるいは処理部群に搬送可能となっている
（同図の細線矢印を参照）。また、各処理部群２０，４
０，５０には、副搬送ロボットＴＳ2，ＴＳ4，ＴＳ5が
設けられており、基板受渡し位置ＳＴ２，ＳＴ４，ＳＴ
５で主搬送ロボットＴＭによって搬送されてきた基板を
受取り、当該処理部群を構成する処理部間を順次搬送
し、さらに当該処理部群における処理部による処理が完
了すると、元の位置ＳＴ２，ＳＴ４，ＳＴ５で主搬送ロ
ボットＴＭに基板を渡す（同図の太線矢印を参照）。一
方、処理部１０，３０においても、ロボットＴＳ1（図
１参照）（処理部３０におけるロボットについては図示
を省略している）が設けられており、主搬送ロボットＴ
Ｍとの間で基板の受渡しが可能となっている（同図の太
線矢印を参照）。このように、この実施例にかかる基板
処理装置では、これらのロボットとの連携動作によって
基板を図２４と同一の順序で処理部の間を順次搬送しな
がら、各処理部で所定の単位処理を実行して一連の連続
プロセス処理を行う。

【００２７】次に、図１乃至図４を参照して、処理部１
０、主搬送ロボットＴＭ、処理部群２０、処理部３０お
よび処理部群４０，５０の構成について、この順序で説
明する。

【００２８】処理部１０は他の処理ステーションとの間
でカセット単位で基板の受渡し処理を行うためのインデ
クサＩＤを有しており、このインデクサＩＤのカセット
台上に基板のロットが収容されたカセットＣＳが他の装
置から搬入されるとともに、当該基板処理装置での一連
の連続プロセス処理を受けた基板が収容されたカセット
ＣＳが別の装置に搬出される。また、インデクサＩＤに
は、カセット台に沿って移動可能なロボットＴＳ1が設
けられる。ロボットＴＳ1は、カセットＣＳへの基板の
出し入れや、主搬送ロボットＴＭとの間での基板の受け
渡しを行う。なお、主搬送ロボットＴＭとの間での基板
の受け渡しは処理部１０内の基板受渡し位置ＳＴ1（図
３）で行う。

【００２９】主搬送ロボットＴＭは、図２に示すよう
に、上下二段に配置された上部搬送部ＴＭUと下部搬送
部ＴＭLで構成されており、各搬送部ＴＭU，ＴＭLには
基板を保持するための３本の支持ピン１０１が立設され
ている。この主搬送ロボットＴＭの構造について図４を
参照しつつ詳述する。

【００３０】図４は図１のＶ−Ｖ線に沿って見た断面図
である。同図において、符号１０２は方向Ｘに伸びるブ
ームであり、装置の基台（図示省略）に固着されてい
る。このブーム１０２の側面部には、同軸方向Ｘに伸び
るガイドレール１０３Ｌ，１０３Ｕがそれぞれ固定され
ている。そして、ガイドレール１０３Ｌには、ブラケッ
ト１０４Ｌが摺動自在に設けられ、さらにこのブラケッ
ト１０４Ｌに略Ｌ字状の断面形状を有する支持本体１０
５Ｌが取り付けられている。このため、下部搬送部ＴＭ
L用のモータ１０６Ｌを作動させることで、図示を省略
する駆動機構によって支持本体１０５Ｌがブラケット１
０４Ｌとともに方向Ｘに移動し、支持本体１０５Ｌから
立設された支持ピン１０１で保持された基板１を搬送可
能となっている。このように、要素１０１，１０２，１
０３Ｌ，１０４Ｌ，１０５Ｌによって下部搬送部ＴＭL
が構成されており、図３に示すように、処理部１０内の
基板受渡し位置ＳＴ１と、処理部群２０の基板受渡し位
置ＳＴ２と、処理部３０の基板受渡し位置ＳＴ３との間
を移動する。

【００３１】また、上部搬送部ＴＭUも下部搬送部ＴＭL
と同様に構成されており、処理部１０内の基板受渡し位
置ＳＴ１と、処理部３０の基板受渡し位置ＳＴ３と、処
理部群４０の基板受渡し位置ＳＴ４と、処理部群５０の
基板受渡し位置ＳＴ５との間を移動する。なお、その構
成は同一であるため、ここでは、図面に相当符号を付し
て、その説明を省略する。

【００３２】このように、この実施例では、主搬送ロボ
ットＴＭによる基板の搬送順序が第１搬送順序（処理部
１０−処理部群２０−処理部３０）および第２搬送順序
（処理部３０−処理部群４０，５０−処理部１０）に分
割され、下部搬送部（第１搬送部）ＴＭLが第１搬送順
序にしたがって基板を搬送する一方、上部搬送部（第２
搬送部）ＴＭUが第２搬送順序にしたがって基板を搬送
するように構成されている。

【００３３】また、図４に示すように、両搬送部ＴＭ
U，ＴＭLの間には、しきり板１０７が設けられており、
下部搬送部ＴＭLによる基板搬送経路と上部搬送部ＴＭU
による基板搬送経路とが相互に仕切られている。

【００３４】処理部群２０は、２つのホットプレートＨ
Ｐ21，ＨＰ22と、２つのクールプレート（冷却部）ＣＰ
21，ＣＰ22と、密着強化部ＡＨと、スピンコータ（回転
式レジスト塗布装置）ＳＣを有している。これらの要素
のうち、ホットプレートＨＰ21，ＨＰ22は、基板１を高
温でベーク処理するための加熱処理部であり、図４に示
すように、主搬送ロボットＴＭの移動経路上に積層配置
される。また、常温付近の所定温度の恒温水が供給され
るプレート上に基板を載置して強制冷却させるクールプ
レート（冷却処理部）ＣＰ21，ＣＰ22と密着強化部（加
熱処理部）ＡＨとは、インデクサＩＤと対向しながら、
この順序で下から積み重ねられる。さらに、ホットプレ
ートＨＰ21，ＨＰ22と対向してスピンコータＳＣが設け
られている。これらの配置により、上方から見ると略コ
字を形成している。なお、密着強化部ＡＨの上は、空室
となっている。

【００３５】この略コ字の中心部分に相当する位置に副
搬送手段たる副搬送ロボットＴＳ2が配置されている。
この副搬送ロボットＴＳ2は、ロボット駆動機構１２１
によってＺ方向、即ち上下方向に昇降する（図４の垂直
方向の双方向矢印）とともにθ方向への旋回自由度を有
している。さらに、互いに独立して進退可能なハンド１
２３，１２４が処理部群２０を構成する処理部ＨＰ21，
ＨＰ22，ＣＰ21，ＣＰ22，ＡＨ，ＳＣおよび処理部群２
０内に設けられた基板受渡し位置ＳＴ２（図３）にアク
セスし、基板１の取り出しや載置動作を行う。

【００３６】処理部３０はインデクサＩＤと反対側に配
置されたインターフェイスＩＦで構成されており、循環
搬送の途中で基板を外部装置、例えばステッパと受渡し
すべく一時的に載置する基板載置台となる。また、この
インターフェイスＩＦの近傍には、ロボット（図示省
略）が設けられ、処理部３０内の基板受渡し位置ＳＴ３
（図３）でインターフェイスＩＦと主搬送ロボットＴＭ
との間で基板を受渡す。なお、インターフェイスＩＦに
搬送されてきた基板は、他の装置、例えばステッパに送
られ、露光処理を受けた後、再度インターフェイスＩＦ
に戻される。そして、インターフェイスＩＦから主搬送
ロボットＴＭに移され、次の処理を行うために処理部群
４０あるいは処理部群５０に搬送される。

【００３７】処理部群４０，５０はともに同一構成をと
っている。これは、いわゆる並列処理を行うためであ
る。ここでは、処理部群４０の構成を説明し、処理部群
５０の構成については省略する。

【００３８】処理部群４０は、主搬送ロボットＴＭの搬
送経路の上方に配置されたエッジ露光部ＥＥＷAと、相
互に積み重ねられたＣＰ41，42，ＨＰ41〜ＨＰ43と、ス
ピンデベロッパ（回転式現像装置）ＳＤAとで構成さ
れ、処理部群２０と同様に、これらの要素が上方より見
て略コ字状となるように配置されている。また、これら
の要素に取り囲まれるようにして副搬送ロボットＴＳ4
が設けられている。この副搬送ロボットＴＳ4は、先に
説明した副搬送ロボットＴＳ2と同一構成で、上下方向
（方向Ｚ）への昇降動作およびθ方向への旋回動作が可
能となっており、進退可能なハンドが処理部群４０を構
成する処理部ＨＰ41〜ＨＰ43，ＣＰ41，ＣＰ42，ＳＤA
および処理部群４０内に設けられた基板受渡し位置ＳＴ
４（図３）にアクセスし、基板１の取り出しや載置、受
渡し動作を行う。

【００３９】ここで、装置全体での配置を説明すると、
図１に示すように、装置の中央部には処理部群２０，４
０，５０が並んで配置され、処理部群２０の（−Ｘ）方
向側に処理部１０が、処理部群５０のＸ方向側に処理部
３０が、それぞれ配置される。装置の前面中央、すなわ
ち処理部群２０，４０，５０の前面側には、スピンコー
タＳＣ、スピンデベロッパＳＤA，ＳＤBが並んで配置さ
れる。処理部１０のロボットＴＳ1の移動経路は処理部
１０内でＸ側に位置する。主搬送ロボットＴＭは、ロボ
ットＴＳ1の移動経路に接する位置から装置の背面を通
って処理部３０に至る。そして主搬送ロボットＴＭの移
動経路上方には処理部群２０，４０，５０のホットプレ
ートＨＰ21、エッジ露光部ＥＥＷA等が配置される。ス
ピンコータＳＣ、スピンデベロッパＳＤA，ＳＤBと主搬
送ロボットＴＭの移動経路との間には、各処理部群ごと
に、副搬送ロボットＴＳとクールプレートＣＰとが配置
される。

【００４０】図５は図１の装置の電気的構成を示すブロ
ック図である。この装置の制御部６０はコンピュータ６
１のほか、このコンピュータ６１にオペレータが指令を
与えるための操作部６２と、プロセスの進行状況や異常
の発生などをオペレータに伝達するための表示部６３を
備えている。また、メモリ６４は、制御プログラムのほ
か、プロセス制御に必要なデータを記憶している。操作
部６２および表示部６３は図１に示すようにインデクサ
ＩＤの正面に設けられている。

【００４１】さらに、装置各部の状況を検知してコンピ
ュータ６１にその情報を与えるセンサ類６５が、制御部
６０に接続されている。また制御部６０からの指令に基
づいて各ロボットＴＭ，ＴＳ1，ＴＳ2，…の駆動制御を
行うための駆動制御回路６６が設けられている。処理部
制御回路６７は、やはり制御部６０からの指令に基づい
て各処理部における駆動制御、たとえばホットプレート
ＨＰ21，ＨＰ22，…における加熱制御や、スピンコータ
ＳＣおよびスピンデベロッパＳＤA，ＳＤBにおける回転
制御などを行う。

【００４２】なお、上記においては、処理部および処理
部群の構成について説明したが、この装置は次のような
構成上の特徴を有している。

【００４３】まず、主搬送ロボットＴＭと、処理部１
０，３０および処理部群２０，４０，５０との間での基
板の受渡しは受渡し用の窓Ｗ1L，Ｗ1U，Ｗ21，…を介し
て行われる。各窓には、シャッター機構（図示省略）が
取り付けられており、基板の受渡し作業中以外はシャッ
ターが降りて循環搬送途中の基板にパーティクルが付着
するのを防止している。また、各処理部群２０，４０，
５０においても、処理部に受渡し用の窓Ｗ22〜Ｗ26，Ｗ
42〜Ｗ46，Ｗ52〜Ｗ56およびシャッター機構が設けられ
ており、各処理部での単位処理途中にパーティクルが基
板に付着したり、処理部内の雰囲気が不均一になる等の
不具合を防止している。ただし、シャッター機構を設け
ることは本発明の必須の構成要素ではなく、必要に応じ
て適宜設ければよい。

【００４４】また、装置全体から見て、スピンコータＳ
ＣやスピンデベロッパＳＤA，ＳＤBなどの薬液を使用す
る処理部を装置の前面側、つまり（−Ｙ）方向側に配置
しているが、これはメンテナンスのために外部からオペ
レータがアクセスすることが多いことを考慮したもので
あり、当該配置によってメンテナンス性が向上する。一
方、ホットプレートＨＰ21，ＨＰ22，…やクールプレー
トＣＰ21，ＣＰ22，…等はメンテナンスのためにオペレ
ータがアクセスする頻度は低いため、装置の中間部や背
面部に設けてあってもほとんど問題にならず、これらの
場所に集中させることで、それらのメンテナンスが必要
となる際にもオペレータの移動が少なくて済み、これに
おいても操作性に優れている。さらに、薬液使用処理部
はホットプレートＨＰ21，ＨＰ22，…やクールプレート
ＣＰ21，ＣＰ22，…等とは別の側に配列しているため、
十分な環境分離が達成される。

【００４５】Ａ−２．第１実施例の装置の動作 次に、上記のように構成された基板処理装置の動作につ
いて説明する。この装置において、定常状態では、互い
に異なる複数の基板が並行に処理されているが、ここで
は１枚の基板がどのような順序で搬送され、処理されて
行くかに着目して、当該装置の動作特徴について説明す
る。

【００４６】図６は、第１実施例にかかる基板処理装置
のプロセスフロー図である。同図において、スピンデベ
ロッパＳＤ（ＳＤA，ＳＤB）およびエッジ露光部ＥＥＷ
（ＥＥＷA，ＥＥＷB）は順次に搬送されてくる基板を順
次に処理部４０と処理部５０とに振り分けて処理するた
めのものであり、たとえば奇数番目の基板はスピンデベ
ロッパＳＤA側に、偶数番目の基板はスピンデベロッパ
ＳＤB側に与えられる。また、ホットプレートＨＰにつ
いては、各処理部群におけるベーク時間に応じて、適宜
振り分けて処理する。

【００４７】(1)インデクサＩＤからの基板取り出し
（図７） まず、ロボットＴＳ1がカセットＣＳから未処理の基板
１を１枚取り出し、主搬送ロボットＴＭの下部搬送部Ｔ
ＭL上に載置する（同図の太線矢印Ｒ11）。この際、下
部搬送部ＴＭLは予め処理部１０の基板受渡し位置ＳＴ
１に位置決めされており、制御部６０からの基板取り出
しの指令に応答して窓Ｗ1Lに取り付けられたシャッター
機構が作動してシャッターを開く。それに続いて、処理
部１０内に配置されたロボットＴＳ1が作動してカセッ
トＣＳ内の１枚の基板１をロボットＴＳ1のアーム（図
示省略）上に保持し、アームとともに基板をカセットＣ
Ｓから窓Ｗ1Lを介して下部搬送部ＴＭL上に移動させ
る。そして、アームを降下させることで、基板１を下部
搬送部ＴＭLに載置する。一方、基板１の取り出しが完
了すると、当該アームは後退し、ロボットＴＳ1は元の
位置に戻る。

【００４８】なお、この実施例では、主搬送ロボットＴ
Ｍと、処理部１０，３０および処理部群２０，４０，５
０との間で基板を受渡しする場合を除いて、窓Ｗ1U，Ｗ
1L，…のシャッターを閉じる。すなわち、基板受渡しを
行う直前にシャッターを開いて基板の受渡しを可能とす
る一方、基板の受渡しが完了すると、直ちにシャッター
を閉じる。このため、パーティクルの侵入などを効果的
に防止することができる。

【００４９】このようにしてインデクサＩＤからの基板
の取り出しが完了すると、下部搬送部ＴＭLが基板１を
載置したままの状態で次の処理（レジスト塗布処理）を
行う処理部群２０の基板受渡し位置ＳＴ２まで移動する
（同図の細線矢印ｒ12）。

【００５０】(2)スピンコータＳＣによるレジスト塗布
処理（図８） 次に、処理部群２０に未処理の基板が搬送されてくる
と、窓Ｗ21のシャッターが開き、この窓Ｗ21を介して副
搬送ロボットＴＳ2が下部搬送部ＴＭLから受け取る（同
図の太線矢印Ｒ21）。ここで、副搬送ロボットＴＳ2の
ハンド１２３，１２４のいずれもが基板を保持していな
い場合、副搬送ロボットＴＳ2は窓Ｗ21の前方の高さま
で昇降移動し、空状態のハンド１２４を窓Ｗ21を介して
主搬送経路側に差し込んで下部搬送部ＴＭL上の基板１
を保持した後、基板１を保持したままで当該ハンドを後
退させて取り出す（以下「受取り動作」という）。

【００５１】基板１を受け取った副搬送ロボットＴＳ2
は、さらに処理部群２０を構成する各処理部と基板１の
受渡し（同図の太線矢印Ｒ22，Ｒ23）を繰り返すことで
密着強化部ＡＨ、クールプレートＣＰ21、スピンコータ
ＳＣ、ホットプレートＨＰ21（あるいはホットプレート
ＨＰ22）およびクールプレートＣＰ22の順序で搬送す
る。

【００５２】ここで、もし処理部にすでに基板が存在す
るときには、次のようにして基板の「交換動作」を行
う。例えば、図４に示すように、副搬送ロボットＴＳ2
の第１のハンド１２３が第１の基板を保持しており、そ
の第１の基板をホットプレートＨＰ21に載置するととも
に、既にこのホットプレートＨＰ21での処理を完了した
第２の基板をこのホットプレートＨＰ21から取り出す場
合を考える。この場合、副搬送ロボットＴＳ2はホット
プレートＨＰ21の窓Ｗ22の前まで移動し、空状態の第２
のハンド１２４をホットプレートＨＰ21に差し込んで第
２の基板を保持して取り出す。その後、第１のハンド１
２３をホットプレートＨＰ21へ差し込み、それが保持し
ていた第１の基板をホットプレートＨＰ21へ載置する。
これよって第１と第２の基板の「交換」が達成される。
このような交換ではなく、「取り出し」または「載置」
のみを行う場合には、これらの動作のうちの一方だけで
よく、これらの動作をそれぞれ以下「取り出し動作」お
よび「載置動作」と称する。

【００５３】このように副搬送ロボットＴＳ2は、処理
部との間で「交換」、「取り出し」あるいは「載置」を
行うことで基板１を処理部の間で搬送するとともに、各
処理部が搬送されてきた基板に対して所定の単位処理を
行うことによって、基板１の表面にレジスト膜が形成さ
れる（レジスト塗布処理）。

【００５４】次に、レジスト塗布処理を受けた基板１に
ついては、副搬送ロボットＴＳ2が「受取り動作」とは
逆の動作（以下「払い出し動作」という）により基板受
渡し位置ＳＴ２に位置する下部搬送部ＴＭL上に載置す
る（図８の太線矢印Ｒ24）。

【００５５】それに続いて、下部搬送部ＴＭLは、レジ
スト膜が形成された基板１を保持したまま次の処理部３
０の基板受渡し位置ＳＴ３に移動する（同図の細線矢印
ｒ23）。

【００５６】(3)インターフェイスＩＦでの基板の受渡
し（図９） この処理部３０では、インターフェイスＩＦに近接して
設けられたロボット（図示省略）が窓Ｗ3Lの手前まで移
動し、当該ロボットのアームを、シャッターが開いた窓
Ｗ3Lを介して下部搬送部ＴＭL側に伸ばし、下部搬送部
ＴＭL上の基板１を受け取る。そして、この基板１を保
持したままでアームを後退させ、インターフェイスＩＦ
上に載置する（同図の太線矢印Ｒ31）。一方、下部搬送
部ＴＭLは、処理部３０への基板１の搬送後、処理部１
０の基板受渡し位置ＳＴ１に移動し（同図の細線矢印ｒ
31）、次の基板の取り出し処理（上記(1)の処理）に備
える。

【００５７】こうしてインターフェイスＩＦに載置され
た基板１は別の搬送機構によって外部装置（ステッパ）
に搬送され、露光処理を受ける。

【００５８】露光処理が完了すると、その基板はインタ
ーフェイスＩＦに戻される。そして、上記ロボットがそ
の基板をアームで支持し、シャッターが開いた窓Ｗ3Uを
介してそのアームを基板受渡し位置ＳＴ３側に伸ばす。
基板受渡し位置ＳＴ３には予め上部搬送部ＴＭUが待機
しており、上記ロボットは、上部搬送部ＴＭU上に基板
１を載置した後、元に戻る（同図の太線矢印Ｒ32）。

【００５９】それに続いて、上部搬送部ＴＭUは、露光
処理が完了した基板１を保持したまま次の処理部群４０
の基板受渡し位置ＳＴ４に移動する（同図の細線矢印ｒ
34）。なお、この実施例では、次の処理である現像処理
を処理部群４０，５０で交互に行うようにしているた
め、次の基板に対して現像処理を行う場合には、処理部
群４０ではなく、処理部群５０の基板受渡し位置ＳＴ５
に移動する。

【００６０】(4)スピンデベロッパＳＤによる現像処理
（図１０） この処理部群４０では、副搬送ロボットＴＳ4が処理部
群２０での基板１の「受取り動作」と同様に動作し、上
部搬送部ＴＭU上の基板１を窓Ｗ41を介して受け取る
（同図の太線矢印Ｒ41）。そして、基板１を受け取った
副搬送ロボットＴＳ4は上述した「交換動作」、「取り
出し動作」あるいは「載置動作」によって処理部群４０
を構成する各処理部と基板１の受渡し（同図の太線矢印
Ｒ42，Ｒ43）を繰り返すことで、エッジ露光部ＥＥＷ
A、ホットプレートＨＰ41、クールプレートＣＰ41、ス
ピンデベロッパＳＤA、ホットプレートＨＰ42（あるい
はホットプレートＨＰ43）およびクールプレートＣＰ42
の順序で搬送する。

【００６１】このように副搬送ロボットＴＳ4により基
板１を処理部の間で搬送することにより、基板１の現像
処理が実行される（現像処理）。

【００６２】次に、現像処理を受けた基板１について
は、副搬送ロボットＴＳ4が「払い出し動作」により基
板受渡し位置ＳＴ４に位置する上部搬送部ＴＭU上に載
置する（同図の太線矢印Ｒ44）。

【００６３】それに続いて、上部搬送部ＴＭUは、現像
処理が完了した基板１を保持したまま最初の処理部１０
の基板受渡し位置ＳＴ１に移動する（同図の細線矢印ｒ
41）。

【００６４】(5)インデクサＩＤへの基板搬出（図１
１） 次に、ロボットＴＳ1のアームが、シャッターが開いた
窓Ｗ1Uを介して基板受渡し位置ＳＴ１の上部搬送部ＴＭ
U上に移動し、基板１を保持する。そして、この基板１
を保持したままで処理部１０側に戻り、さらに所定のカ
セットＣＳに一連の連続プロセス処理を受けた当該基板
１を収容する（同図の太線矢印Ｒ12）。

【００６５】そして、カセットＣＳへの基板１の収容が
完了すると、上部搬送部ＴＭUは、次の露光処理が完了
した基板を受け取るために、基板受渡し位置ＳＴ３に移
動する（同図の細線矢印ｒ13）。これにより、図７の状
態に戻り、上記(1)〜(5)の動作を繰り返すことで、基板
を連続的に処理することができる。

【００６６】なお、以上の説明においては、１枚の基板
が搬送される順序のみに着目して説明したが、装置が定
常状態で稼働しているときには、副搬送ロボットＴＳ
2，ＴＳ4，ＴＳ5は、各処理部群内において、各処理部
と基板受渡し位置との間で上述した「交換動作」を繰り
返し、複数の基板を順送りに循環搬送しつつ、それらを
同時に処理する。

【００６７】Ａ−３．第１実施例の装置の効果 この第１実施例では、予め決められた一連の連続プロセ
ス処理（図２４の連続プロセス処理）の一部を構成する
連続する複数の単位処理をそれぞれ実行するための複数
の処理部からなる処理部群、 (1)密着強化部ＡＨ、クールプレートＣＰ、スピンコー
タＳＣおよびホットプレートＨＰを含む処理部群２０； (2)エッジ露光部ＥＥＷ、ホットプレートＨＰ、クール
プレートＣＰ、スピンデベロッパＳＤを含む処理部群４
０，５０；を形成し、各処理部１０，３０および処理部
群２０，４０，５０にそれぞれ設けられた基板受渡し位
置ＳＴ１，ＳＴ３，ＳＴ２，ＳＴ４，ＳＴ５の間を主搬
送ロボットＴＭによって基板を搬送するとともに、各処
理部群２０，４０，５０においては副搬送ロボットＴＳ
2，ＴＳ4，ＴＳ5によって処理部および基板受渡し位置
の間を循環搬送することで、図２４と同一の連続プロセ
ス処理を実行している。このため、図２３の従来例と比
べ、各搬送ロボットが担当する処理部のポジション数が
大幅に減り、装置のスループットを向上させることがで
きる。

【００６８】また、この実施例では、主搬送ロボットに
より基板を各処理部群の基板受渡し位置に搬送し、当該
基板受渡し位置で副搬送ロボットが主搬送ロボットから
基板を受取り、処理部群内を循環搬送するようにしてい
るので、各処理部群によって基板に対して独自に処理を
行うことができるのに加えて、その間に主搬送ロボット
により他の基板を搬送することができる。このため、例
えば処理部群２０でレジスト塗布処理のための最適条件
を検証している最中に、別の処理部群４０で現像処理を
行うことができ、装置全体の稼動効率を高めることがで
きる。

【００６９】また、主搬送ロボットと副搬送ロボットと
が各基板受渡し位置で直接基板の受渡しを行うため、例
えば基板受渡し位置に基板を一時的に載置する構成（イ
ンターフェイスＩＦに相当する構成）を設け、当該構成
を介して間接的に基板の受渡しを行う場合に比べて装置
サイズを小さくすることができる。

【００７０】また、この実施例では、主搬送ロボットＴ
Ｍを上部および下部搬送部ＴＭU，ＴＭLで構成するとと
もに、両搬送部ＴＭU，ＴＭLを図４に示すように、しき
り板１０７により下部搬送部ＴＭLによる基板搬送経路
と上部搬送部ＴＭUによる基板搬送経路とを相互に区切
っているため、基板が一方の搬送経路を搬送されている
時に、他の搬送経路の雰囲気の影響を受けるのを防止す
ることができる。特に、最近のレジスト材料は雰囲気に
敏感であり、例えばレジスト塗布処理を受けた基板が下
部搬送部ＴＭLにより搬送されている最中に、アルカリ
雰囲気が混入すると、レジスト材料の感度などの特性が
劣化するという問題が生じるが、この実施例によれば、
この問題を発生させることなく、基板を搬送することが
できる。

【００７１】さらに、上記のように構成された基板処理
装置では、基板受渡し位置ＳＴ１〜ＳＴ５は同一水平面
（ＸＹ平面）に設けられており、主搬送ロボットＴＭの
上部搬送部ＴＭU、下部搬送部ＴＭLは方向Ｘにのみ移動
自在であればよく、上下方向の移動自由度は不要である
ことから、主搬送ロボットＴＭの上部搬送部ＴＭU、下
部搬送部ＴＭLの移動はそれぞれが一直線上で往復する
のみでよく、２次元的な移動のための大きな駆動機構は
不要である。そのため、主搬送ロボットＴＭの移動経路
の直上および直下位置に、フリースペースＳＰU，ＳＰL
（図４）が存在する。そこで、この実施例では、直上の
フリースペースＳＰUにホットプレートＨＰやクールプ
レートＣＰなどの処理部を配置することができ、装置全
体のコンパクト化を図ることができる。また、直下空間
ＳＰLにも、必要に応じて、例えばスピンコータＳＣや
スピンデベロッパＳＤなどに必要となる薬液の貯留や圧
送のための配管等（図示は省略）を配置することができ
る。当該配置により、フリースペースＳＰUへの処理部
の配置と同様に、装置をコンパクトにすることができ
る。

【００７２】Ａ−４．第１実施例の変形例 上記第１実施例では、主搬送ロボットＴＭを上部および
下部搬送部ＴＭU，ＴＭLで構成しているが、単一の搬送
部によって主搬送ロボットＴＭを構成してもよい。

【００７３】また、この実施例では、主搬送ロボットＴ
Ｍは１方向（方向Ｘ）にのみ移動自在な構成を有してい
るが、基板受渡し位置ＳＴ１〜ＳＴ５の間を移動するこ
とができる構成であれば、特に限定されるものではな
く、方向Ｘのみならず方向Ｙにも２次元移動可能な構成
や、さらに方向Ｚにも移動自由度を有する構成であって
もよい。なお、この実施例では基板の受渡しのために副
搬送ロボットが昇降しているが、主搬送ロボットＴＭの
上部搬送部ＴＭU、下部搬送部ＴＭLを若干昇降させる構
成であってもよい。この場合も、そのための昇降は基板
の受け渡しのためのごくわずかな昇降でよいので、この
場合でも、ほぼ同様のフリースペースＳＰU、ＳＰLを形
成し得る。

【００７４】さらに、上記実施例では、主搬送ロボット
ＴＭを構成する上部および下部搬送部ＴＭU，ＴＭLはそ
れぞれ１枚の基板しか載置できないタイプの搬送機構で
あるが、副搬送ロボットＴＳ2のように２つのハンドを
有する、いわゆるダブルアーム・タイプを採用してもよ
い。

【００７５】Ｂ．第２実施例 図１２は、この発明にかかる基板処理装置の第２実施例
の外観斜視図であり、また図１３は図１２の装置の断面
図であり、さらに図１４は概念的配置図である。

【００７６】Ｂ−１．第２実施例の装置の構成 この第２実施例にかかる基板処理装置には、図１２に示
すように、その装置の前面側に、スピンコータＳＣ、２
台のエッジ露光部ＥＥＷA，ＥＥＷBおよび２台のスピン
デベロッパＳＤA，ＳＤBがＸ方向に一列に配置されて処
理部列Ｃを構成するとともに、当該処理部列Ｃの両端側
にインデクサＩＤおよびインターフェイスＩＦがそれぞ
れ配置されている。また、装置の背面側に、エレベータ
ＥＶ1，ＥＶ2，ＥＶ3，ＥＶ4（詳しくは後述する）が配
置される。そして、このエレベータＥＶ1，ＥＶ2，ＥＶ
3，ＥＶ4と処理部列Ｃとの間に、この処理部列Ｃの長手
方向（方向Ｘ）に沿って主搬送ロボットＴＭが移動自在
に設けられている。この主搬送ロボットＴＭの移動経路
上に処理部群２００，３００が設けられ、さらに処理部
群２００，３００の上に処理部群１００，４００がそれ
ぞれ配置されて、３層構造となっている（図１４）。す
なわち、インデクサＩＤ、スピンコータＳＣ、エッジ露
光部ＥＥＷA，ＥＥＷB、スピンデベロッパＳＤA，ＳＤB
およびインターフェイスＩＦで第１層が形成され、また
処理部群２００，３００で第２層が形成され、さらに処
理部群１００，４００で第３層が形成されている。

【００７７】主搬送ロボットＴＭは、第１実施例の副搬
送ロボットＴＳ2（図４）の機能に加えて、Ｘ方向への
移動可能な構成となっている。すなわち、エレベータＥ
Ｖ1，ＥＶ2，ＥＶ3，ＥＶ4と処理部列Ｃとの間にＸ方向
にのびたガイドレール（図示せず）が設けられ、第１実
施例の副搬送ロボットＴＳ2の構成がそのガイドレール
に案内することにより、主搬送ロボットＴＭは、Ｘ，Ｚ
方向への移動自由度およびθ方向への旋回自由度を有
し、さらに互いに独立して進退可能なハンド１２３，１
２４を備えている。このため、主搬送ロボットＴＭは、
図１４に示すように、インデクサＩＤ、スピンコータＳ
Ｃ、エッジ露光部ＥＥＷA、ＥＥＷB、スピンデベロッパ
ＳＤA，ＳＤB、およびインターフェイスＩＦの間で方向
Ｘおよび（−Ｘ）に移動し、基板を所望の処理部あるい
は処理部群に搬送可能である。また更に、主搬送ロボッ
トＴＭは、基板を所望のエレベータＥＶ1，ＥＶ2，ＥＶ
3，ＥＶ4とも受渡し可能であり、それらを介して所望の
処理部群１００，２００，３００，４００との間で搬送
可能となっている。

【００７８】インデクサＩＤは他の処理ステーションと
の間でカセット単位で基板の受渡し処理を行う処理部で
あり、このインデクサＩＤを介して、基板のロットが収
容されたカセットＣＳの搬入と、当該基板処理装置での
一連の連続プロセス処理を受けた基板が収容されたカセ
ットＣＳの搬出とがそれぞれ行われる。また、インデク
サＩＤには、カセット台に沿って移動可能なロボットＴ
Ｓ1が設けられる。ロボットＴＳ1は、カセットＣＳへの
基板の出し入れや、主搬送ロボットＴＭとの間での基板
の受け渡しを行う。なお、主搬送ロボットＴＭとの間で
の基板の受け渡しはインデクサＩＤ近傍の基板受け渡し
位置ＳＴ1（図１４）で行う。

【００７９】処理部群１００は、図１２に示すように、
密着強化部ＡＨとクールプレートＣＰ1を有しており、
後述するエレベータＥＶ1の上昇端位置（図１３の２点
鎖線）で同一高さ位置Ｈ3となるように配置されてい
る。このエレベータＥＶ1は、第１層内の基板受渡し位
置ＳＴ２（高さ位置Ｈ1）と第３層内の上昇端位置（高
さ位置Ｈ3）との間を往復自在で、基板受渡し位置ＳＴ
２で主搬送ロボットＴＭから基板を受け取った後、基板
を保持したままで上昇端位置まで上昇することができ
る。

【００８０】一方、処理部群１００内には、３本のアー
ムＡＲを有し、これらのアームＡＲを同時にθ方向に回
転させる循環搬送機構ＲＭ1が設けられている。このた
め、エレベータＥＶ1により基板が上昇端位置に搬送さ
れ、アームＡＲへの基板の受渡しが行われた後、アーム
ＡＲを所定角度だけ回転させることで、基板を密着強化
部ＡＨ、クールプレートＣＰ1および元の位置の順序で
循環搬送することができ、基板に対して密着強化部ＡＨ
およびクールプレートＣＰ1による単位処理を施すこと
ができる。

【００８１】密着強化処理および冷却処理を受けた基板
については、エレベータＥＶ1と循環搬送機構ＲＭ1との
協働によって元の位置（図１４の点線位置）でアームＡ
ＲからエレベータＥＶ1への受渡しが行われた後、エレ
ベータＥＶ1が第１層内の基板受渡し位置ＳＴ２に降下
する。このように、この第２実施例では、エレベータＥ
Ｖ1と循環搬送機構ＲＭ1により、処理部群１００を構成
する処理部（密着強化部ＡＨとクールプレートＣＰ1）
と、基板受渡し位置ＳＴ２との間で基板を搬送する副搬
送手段が構成されている。

【００８２】スピンコータＳＣに対する基板の受渡しは
基板受渡し位置ＳＴ３で主搬送ロボットＴＭによって行
われる。なお、エッジ露光部ＥＥＷA，ＥＥＷBおよびス
ピンデベロッパＳＤA，ＳＤBについても、スピンコータ
ＳＣと同様に、それぞれ所定の基板受渡し位置ＳＴ６
Ａ，ＳＴ６Ｂ，ＳＴ８Ａ，ＳＴ８Ｂで主搬送ロボットＴ
Ｍにより基板が搬入され、また搬出される。

【００８３】処理部群２００は、図１４に示すように、
２つのホットプレートＨＰ21，ＨＰ22とクールプレート
ＣＰ2を有しており、後述するエレベータＥＶ2の上昇端
位置（同図の点線位置）で同一高さ位置Ｈ2（図１３）
となるように配置されている。また、このエレベータＥ
Ｖ2は、第１層内の基板受渡し位置ＳＴ２（高さ位置Ｈ
1）と第２層内の上昇端位置（高さ位置Ｈ2）との間を往
復自在となっている。さらに、処理部群２００内には、
４本のアームＡＲを有し、これらのアームＡＲを同時に
θ方向に回転させる循環搬送機構ＲＭ2が設けられてい
る。このため、処理部群１００と同様に、基板を主搬送
ロボットＴＭから受け取ったエレベータＥＶ2が上昇端
位置まで上昇し、アームＡＲへの基板の受渡しが行われ
た後、アームＡＲを所定角度だけ回転させることで、基
板をホットプレートＨＰ21，ＨＰ22、クールプレートＣ
Ｐ2および元の位置の順序で循環搬送しながら、各処理
部で所定の単位処理を施すことができる。そして、エレ
ベータＥＶ2が循環搬送機構ＲＭ2と協働して、処理を受
けた基板をアームＡＲから受け取った後、第１層内の基
板受渡し位置ＳＴ２にまで降下する。このように、この
処理部群では、エレベータＥＶ2と循環搬送機構ＲＭ2に
より、処理部群２００を構成する処理部（ホットプレー
トＨＰ21，ＨＰ22とクールプレートＣＰ2）と、基板受
渡し位置ＳＴ４との間で基板を搬送する副搬送手段が構
成されている。

【００８４】処理部群３００は処理部群２００と同様に
構成されている。すなわち、処理部群３００は２つのホ
ットプレートＨＰ31，ＨＰ32とクールプレートＣＰ3を
有する。また第１層と第２層との間で昇降するエレベー
タＥＶ3と、ホットプレートＨＰ31，ＨＰ32、クールプ
レートＣＰ3およびエレベータＥＶ3の上昇端位置（図１
４の点線位置）の間で基板を循環搬送する循環搬送機構
ＲＭ3とで副搬送手段が形成されている。そして、基板
受渡し位置ＳＴ７でエレベータＥＶ3が主搬送ロボット
ＴＭから基板を受取り、上昇端位置まで上昇した後、循
環搬送機構ＲＭ3がホットプレートＨＰ31，ＨＰ32およ
びクールプレートＣＰ3の間で基板を循環搬送して、ホ
ットプレートＨＰ31，ＨＰ32によるベーク処理およびク
ールプレートＣＰ3による冷却処理を行う。それに続い
て、エレベータＥＶ3が循環搬送機構ＲＭ3のアームＡＲ
から基板を受取り、第１層の基板受渡し位置ＳＴ７まで
降下する。

【００８５】処理部群４００は、単位処理部の構成、つ
まり３つのホットプレートＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43とク
ールプレートＣＰ4を有している点を除いて、処理部群
１００と同様の構成である。すなわち、第１層と第３層
との間を昇降するエレベータＥＶ4と、ホットプレート
ＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43、クールプレートＣＰ4および
エレベータＥＶ4の上昇端位置（図１４の点線位置）の
間で基板を循環搬送する循環搬送機構ＲＭ4とで副搬送
手段が形成されている。そして、基板受渡し位置ＳＴ９
でエレベータＥＶ4が主搬送ロボットＴＭから基板を受
取り、第３層の上昇端位置まで上昇した後、循環搬送機
構ＲＭ4がホットプレートＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43およ
びクールプレートＣＰ4の間で基板を循環搬送して、ホ
ットプレートＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43によるベーク処理
およびクールプレートＣＰ4による冷却処理を行う。そ
れに続いて、エレベータＥＶ4が循環搬送機構ＲＭ4のア
ームＡＲから基板を受取り、第１層の基板受渡し位置Ｓ
Ｔ９まで降下する。

【００８６】なお、この実施例において、処理部群２０
０，３００では２つのホットプレートを設けているのに
対し、処理部群４００では３つのホットプレートを設け
ているが、このホットプレート数の相違は各処理部群で
必要となるベーク処理時間の相違に起因するものであ
り、各処理部群で必要となるベーク処理時間に応じて必
要数を設ければよい。

【００８７】インターフェイスＩＦは、基板を外部装
置、例えばステッパと受渡しすべく一時的に載置する基
板載置台として機能し、このインターフェイスＩＦの近
傍にロボット（図示省略）が設けられ、主搬送ロボット
ＴＭと協働して基板受渡し位置ＳＴ５で主搬送ロボット
ＴＭと基板の受渡しを行う。

【００８８】なお、第２実施例にかかる基板処理装置の
電気的構成については、第１実施例のそれとほぼ同一で
あるため、ここでは、その構成の説明については省略す
る。

【００８９】また、基板の搬送経路、例えば主搬送ロボ
ットＴＭとエレベータＥＶ1との間には、適宜、窓Ｗが
設けられるとともに、シャッター機構が取り付けられ、
第１実施例と同様に、制御部６０からの指令にしたがっ
て開閉制御される。

【００９０】Ｂ−２．第２実施例の装置の動作 次に、上記のように構成された基板処理装置の動作につ
いて、第１実施例の場合と同様に、１枚の基板がどのよ
うな順序で搬送され、処理されて行くかに着目して、当
該装置の動作特徴について説明する。

【００９１】図１５は、第１実施例にかかる基板処理装
置のプロセスフロー図である。同図において、「ＨＰ
2」はホットプレートＨＰ21，ＨＰ22により行われる連
続ベーク処理を示すものであり、「ＨＰ3」はホットプ
レートＨＰ31，ＨＰ32により行われる連続ベーク処理を
示すものであり、「ＨＰ4」はホットプレートＨＰ41，
ＨＰ42，ＨＰ43により行われる連続ベーク処理を示すも
のである。

【００９２】(1)インデクサＩＤからの基板取り出し
（図１６） まず、カセットＣＳから未処理の基板を１枚取り出し、
基板受渡し位置ＳＴ１に位置する主搬送ロボットＴＭの
一方のハンド上に載置する（同図の矢印Ｒ101）。この
実施例では、ロボットＴＳ1と主搬送ロボットＴＭとが
協働して基板の受渡しを行う。

【００９３】このようにしてインデクサＩＤから主搬送
ロボットＴＭへの基板の取り出しが完了すると、主搬送
ロボットＴＭが基板１をハンドに載置したままの状態で
基板受渡し位置ＳＴ２まで移動する（同図の矢印Ｒ10
2）。

【００９４】(2)処理部群１００による密着強化処理
（図１７） 次に、処理部群１００の基板受渡し位置ＳＴ２に未処理
の基板が搬送されてくると、主搬送ロボットＴＭのハン
ドがエレベータＥＶ1側に伸びて基板をエレベータＥＶ1
上に載置する（同図の矢印Ｒ103）。そして、エレベー
タＥＶ1が基板を載置したままの状態で上昇端位置（同
図の点線位置）まで上昇した（同図の矢印Ｒ104）後、
循環搬送機構ＲＭ1の１つのアームＡＲが基板を受け取
る。それに続いて、循環搬送機構ＲＭ1が駆動され、基
板を密着強化部ＡＨおよびクールプレートＣＰ1の順序
で搬送する（同図の矢印Ｒ105，Ｒ106）。この基板搬送
とともに、密着強化部ＡＨで密着強化処理が実行された
後、クールプレートＣＰ1で室温程度にまで冷却され
る。さらに、循環搬送機構ＲＭ1が駆動されて（同図の
矢印Ｒ107）、処理部群１００における処理を受けた基
板が元の位置（エレベータＥＶ1の上昇端位置：同図の
点線位置）に戻り、エレベータＥＶ1が当該基板を受け
取る。その後、エレベータＥＶ1は基板を保持したまま
で基板受渡し位置ＳＴ２に移動する（同図の矢印Ｒ10
8）。こうして、処理部群１００内で基板を循環搬送し
ながら、基板に対して密着強化処理を施すことができ
る。

【００９５】主搬送ロボットＴＭは、この基板受渡し位
置ＳＴ２でエレベータＥＶ1から基板をハンド上に受取
り（同図の矢印Ｒ109）、さらに次の基板受渡し位置Ｓ
Ｔ３に移動する（同図の矢印Ｒ110）。

【００９６】(3)スピンコータＳＣでのレジスト塗布処
理および処理部群２００でのベーク処理（図１８） 次に、基板受渡し位置ＳＴ３で主搬送ロボットＴＭが基
板をスピンコータＳＣのスピンチャック（図示省略）上
に載置する（同図の矢印Ｒ111）。そして、スピンコー
タＳＣが動作して基板の表面にレジスト膜を形成する
（レジスト塗布処理）。

【００９７】レジスト塗布処理が完了すると、主搬送ロ
ボットＴＭが再度スピンコータＳＣ側に伸びてスピンコ
ータＳＣから基板を受け取った（同図の矢印Ｒ112）
後、当該基板を保持したままで処理部群２００との間で
基板の受渡しを行う基板受渡し位置ＳＴ４に移動する
（同図の矢印Ｒ113）。

【００９８】そして、処理部群１００における基板搬送
の手順と同様にして搬送されてきた基板を循環搬送しな
がらホットプレートＨＰ21，ＨＰ22によるベーク処理お
よびクールプレートＣＰ2による冷却処理を行う。すな
わち、主搬送ロボットＴＭおよび副搬送手段（エレベー
タＥＶ2＋循環搬送機構ＲＭ2）が以下の手順で基板を搬
送する。

【００９９】・主搬送ロボットＴＭからエレベータＥＶ
2への基板の載置（矢印Ｒ114） ・エレベータＥＶ2の上昇（矢印Ｒ115） ・エレベータＥＶ2からホットプレートＨＰ21への移載
（矢印Ｒ116） ・ホットプレートＨＰ21からホットプレートＨＰ22への
移載（矢印Ｒ117） ・ホットプレートＨＰ22からクールプレートＣＰ2への
移載（矢印Ｒ118） ・クールプレートＣＰ2からエレベータＥＶ2への移載
（矢印Ｒ119） ・エレベータＥＶ2の降下（矢印Ｒ120） ・エレベータＥＶ2から主搬送ロボットＴＭへの基板の
受取り（矢印Ｒ121） 処理部群２００での処理を受けた基板を受け取った主搬
送ロボットＴＭは、インターフェイスＩＦとの間で基板
の受渡しを行うために、基板受渡し位置ＳＴ５に移動す
る（同図の矢印Ｒ122）。

【０１００】(4)インターフェイスＩＦでの基板の受渡
し（図１９） 基板受渡し位置ＳＴ５で、主搬送ロボットＴＭのハンド
がインターフェイスＩＦ側に伸び、インターフェイスＩ
Ｆの近傍に設けられたロボット（図示省略）と協働して
ハンドに保持されている基板をインターフェイスＩＦ上
に載置する（同図の矢印Ｒ123）。

【０１０１】こうしてインターフェイスＩＦに載置され
た基板は別の搬送機構によって外部装置（ステッパ）に
搬送され、露光処理を受けた後、インターフェイスＩＦ
に戻される。露光処理が完了した基板がインターフェイ
スＩＦに戻されると、主搬送ロボットＴＭと上記ロボッ
トが協働して、基板をインターフェイスＩＦから主搬送
ロボットＴＭのハンドに移載する（同図の矢印Ｒ12
4）。

【０１０２】それに続いて、主搬送ロボットＴＭは、露
光処理が完了した基板を保持したまま基板受渡し位置Ｓ
Ｔ６Ａに移動する（同図の矢印Ｒ125）。なお、この実
施例においても、第１実施例と同様に、次の処理である
エッジ露光処理をエッジ露光部ＥＥＷA，ＥＥＷBで交互
に行うようにしているため、次の基板に対してエッジ露
光処理を行う場合には、もう一方の基板受渡し位置ＳＴ
６Ｂに移動する。

【０１０３】(5)エッジ露光部ＥＥＷによるエッジ露光
処理および処理部群３００によるベーク処理（図２０） 基板受渡し位置ＳＴ６Ａでは、主搬送ロボットＴＭが、
そのハンドをエッジ露光部ＥＥＷAに伸ばし、基板を載
置する（同図の矢印Ｒ126）。それに続いて、エッジ露
光部ＥＥＷAが作動して、当該基板にエッジ露光処理を
施す。こうしてエッジ露光処理を受けた基板を主搬送ロ
ボットＴＭがエッジ露光部ＥＥＷAから取り出す（同図
の矢印Ｒ127）。

【０１０４】次に、主搬送ロボットＴＭは当該基板を保
持したままで基板受渡し位置ＳＴ７まで移動する（同図
の矢印Ｒ128）。そして、処理部群１００，２００にお
ける基板搬送の手順と同様にして搬送されてきた基板を
循環搬送しながらホットプレートＨＰ31，ＨＰ32による
ベーク処理およびクールプレートＣＰ3による冷却処理
を行う。なお、搬送の手順は以下の通りである。

【０１０５】・主搬送ロボットＴＭからエレベータＥＶ
3への基板の載置（矢印Ｒ129） ・エレベータＥＶ3の上昇（矢印Ｒ130） ・エレベータＥＶ3からホットプレートＨＰ31への移載
（矢印Ｒ131） ・ホットプレートＨＰ31からホットプレートＨＰ32への
移載（矢印Ｒ132） ・ホットプレートＨＰ32からクールプレートＣＰ3への
移載（矢印Ｒ133） ・クールプレートＣＰ3からエレベータＥＶ3への移載
（矢印Ｒ134） ・エレベータＥＶ3の降下（矢印Ｒ135） ・エレベータＥＶ3から主搬送ロボットＴＭへの基板の
受取り（矢印Ｒ136） 処理部群３００での処理を受けた基板を受け取った主搬
送ロボットＴＭは、次の現像処理を行うために、基板受
渡し位置ＳＴ８Ａに移動する（同図の矢印Ｒ137）。な
お、この実施例においても、第１実施例と同様に、次の
処理である現像処理をスピンデベロッパＳＤA，ＳＤBで
交互に行うようにしているため、次の基板に対して現像
処理を行う場合には、もう一方の基板受渡し位置ＳＴ８
Ｂに移動する。

【０１０６】(6)スピンデベロッパＳＤによる現像処
理、処理部群４００によるベーク処理およびインデクサ
ＩＤへの基板搬出（図２１） 基板受渡し位置ＳＴ８Ａで、主搬送ロボットＴＭはスピ
ンデベロッパＳＤAに基板を載置する（同図の矢印Ｒ13
8）。それに続いて、スピンデベロッパＳＤAが作動し、
当該基板への現像処理が実行される。こうして現像処理
を受けた基板を主搬送ロボットＴＭがスピンデベロッパ
ＳＤAから取り出す（同図の矢印Ｒ139）。

【０１０７】次に、主搬送ロボットＴＭは当該基板を保
持したままで基板受渡し位置ＳＴ９まで移動する（同図
の矢印Ｒ140）。そして、処理部群１００，２００，３
００における基板搬送の手順と同様にして搬送されてき
た基板を循環搬送しながらホットプレートＨＰ41，ＨＰ
42，ＨＰ43によるベーク処理およびクールプレートＣＰ
4による冷却処理を行う。なお、搬送の手順は以下の通
りである。

【０１０８】・主搬送ロボットＴＭからエレベータＥＶ
4への基板の載置（矢印Ｒ141） ・エレベータＥＶ4の上昇（矢印Ｒ142） ・エレベータＥＶ4からホットプレートＨＰ41への移載
（矢印Ｒ143） ・ホットプレートＨＰ41からホットプレートＨＰ42への
移載（矢印Ｒ144） ・ホットプレートＨＰ42からホットプレートＨＰ43への
移載（矢印Ｒ145） ・ホットプレートＨＰ43からクールプレートＣＰ4への
移載（矢印Ｒ146） ・クールプレートＣＰ4からエレベータＥＶ4への移載
（矢印Ｒ147） ・エレベータＥＶ4の降下（矢印Ｒ148） ・エレベータＥＶ4から主搬送ロボットＴＭへの基板の
受取り（矢印Ｒ149） 処理部群４００での処理を受けた基板を受け取った主搬
送ロボットＴＭは基板受渡し位置ＳＴ１に移動し（同図
の矢印Ｒ150）、インデクサＩＤに設けられたロボット
ＴＳ1と協働して上記一連の処理を受けた基板をカセッ
トＣＳに収容する（同図の矢印Ｒ151）。

【０１０９】なお、上記(1)〜(6)の動作を繰り返すこと
で、基板を連続的に処理することができる。この実施例
の説明においても、１枚の基板が搬送される順序のみに
着目して説明したが、装置が定常状態で稼働していると
きには、主搬送ロボットＴＭは、各処理部群あるいは処
理部に対して、各基板受渡し位置において基板の「交換
動作」を繰り返し、複数の基板を順送りに循環搬送しつ
つ、それらを同時に処理する。

【０１１０】Ｂ−３．第２実施例の装置の効果 この第２実施例では、予め決められた一連の連続プロセ
ス処理（図２４の連続プロセス処理）を実行する複数の
処理部のうち、(1)連続する密着強化部ＡＨおよびクー
ルプレートＣＰ1をまとめて処理部群１００を、(2)スピ
ンコータＳＣによるレジスト塗布処理後において、連続
するホットプレートＨＰ21，ＨＰ22およびクールプレー
トＣＰ2をまとめて処理部群２００を、(3)エッジ露光部
ＥＥＷによるエッジ露光処理後において、連続するホッ
トプレートＨＰ31，ＨＰ32およびクールプレートＣＰ3
をまとめて処理部群３００を、(4)スピンデベロッパＳ
Ｄによる現像処理後において、連続するホットプレート
ＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43およびクールプレートＣＰ4を
まとめて処理部群４００を、それぞれ形成し、インデク
サＩＤ、処理部群１００、スピンコータＳＣ、エッジ露
光部ＥＥＷA、処理部群２００、エッジ露光部ＥＥＷB、
処理部群３００、スピンデベロッパＳＤA，ＳＤB、処理
部群４００およびインターフェイスＩＦの間を主搬送ロ
ボットＴＭによって基板を循環搬送するとともに、各処
理部群１００，２００，３００，４００においてはエレ
ベータと循環搬送機構とで構成された副搬送手段によっ
て処理部および基板受渡し位置の間を循環搬送すること
で、図２４と同様の連続プロセス処理を実行している。
このため、第１実施例と同様に、図２３の従来例と比
べ、各搬送ロボットが担当する処理部のポジション数が
大幅に減り、装置のスループットを向上させることがで
きる。

【０１１１】また、この第２実施例では、基板に対して
加熱処理する加熱処理部（密着強化部ＡＨおよびホット
プレートＨＰ21，ＨＰ22，ＨＰ31，ＨＰ32，ＨＰ41，Ｈ
Ｐ42，ＨＰ43）については、すべて処理部群に配置し、
しかも当該処理部群内では基板を加熱して所定の処理
（密着強化処理あるいはベーク処理）を行い、さらにク
ールプレート（冷却処理部）ＣＰで室温程度にまで冷却
した後で、基板受渡し位置に搬送するため、主搬送ロボ
ットＴＭのハンドは常時室温程度に維持され、スピンコ
ータＳＣなどの非加熱処理部の熱的安定性が確保され、
基板の一連の連続プロセス処理を安定して行うことがで
きる。

【０１１２】さらに、この第２実施例では、基板の熱履
歴が一定となるため、熱的安定性をさらに向上させるこ
とができる。というのも、第１実施例や従来例のように
同一の加熱処理、例えば現像処理後のベーク処理を行う
際に基板ごとに異なるホットプレートＨＰにより加熱処
理する場合には、あるホットプレートＨＰによるベーク
処理と、別のホットプレートＨＰによるベーク処理とで
処理結果が厳密にみれば相違することがあるのに対し、
第２実施例のようにすべての基板について常に同一の加
熱処理部で加熱処理する場合には、処理結果は各基板と
もに完全に均一となり、各基板に与えられる熱履歴は完
全に一定となる。

【０１１３】また、この第２実施例でも、基板受渡し位
置ＳＴ１〜ＳＴ９はほぼ同一平面内に設けられているの
で、主搬送ロボットＴＭの移動はほぼ一直線上で往復す
るのみでよく、上下方向へはスピンコータＳＣ等との基
板の受渡しのためのわずかな昇降のみでよい。そのた
め、２次元的な移動のための大きな駆動機構は不要であ
り、主搬送ロボットＴＭの移動経路の上方、下方に生じ
るフリースペースに処理部の一部を配置したり薬液の貯
留や圧送のための機構を配置することができ、装置をコ
ンパクトにすることができる。

【０１１４】Ｂ−４．第２実施例の変形例 なお、スピンコータＳＣの設置台数は１台に限定される
ものではなく、エッジ露光部ＥＥＷやスピンデベロッパ
ＳＤと同様に、複数台設け、順次に搬送されてくる基板
を順次に複数台に振り分けて処理するようにしてもよ
い。この場合、処理効率を考慮して、スピンコータＳＣ
によるレジスト塗布処理後にベーク処理を行う処理部群
２００を増設するのが望ましい。また、処理部群２００
を増設する場合、図２２に示すように、エレベータＥＶ
2およびクールプレートＣＰ2を共用することにより、装
置の省スペース化を図ることができる。また、エレベー
タＥＶ2のみを共用するようにしてもよい。

【０１１５】また、このようなエレベータＥＶなどの共
用は処理部群２００に限定されるものではなく、処理部
群１００，３００，４００においても同様である。

【０１１６】さらに、上記第１実施例では、主搬送ロボ
ットＴＭは２つのハンドを有する、いわゆるダブルアー
ム・タイプの搬送ロボットであるが、１つのハンドのみ
を有する、いわゆるシングルアーム・タイプの搬送ロボ
ットであってもよい。

【０１１７】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
以下のような効果が得られる。

【０１１８】請求項１の発明によれば、主搬送手段によ
り、インデクサ、インターフェイスおよび処理部群の基
板受渡し位置の間で基板を搬送するとともに、副搬送手
段により、基板受渡し位置と処理部群を構成する複数の
処理部との間で基板を搬送するようにしている。このた
め、各搬送手段が移動しなければならない処理部の数
（ポジション数）が減り、各搬送手段が一周するのに要
する時間が短縮され、その結果スループットを向上させ
ることができる。

【０１１９】請求項２の発明によれば、複数の処理部群
を設け、各処理部群において、基板を副搬送手段によっ
て処理部および基板受渡し位置の間を搬送されながら処
理部で所定の単位処理を行っているので、各処理部群ご
とに独立して所定の処理を行うことができ、基板処理装
置の稼動率を向上させることができる。

【０１２０】請求項３の発明によれば、主搬送手段が、
第１搬送順序にしたがって基板を搬送する第１搬送部
と、第２搬送順序にしたがって基板を搬送する第２搬送
部とで構成されているため、各搬送部が移動する処理部
の数が減り、スループットを向上させることができる。

【０１２１】請求項４の発明によれば、第１搬送部がイ
ンデクサ、第１処理部群の基板受渡し位置およびインタ
ーフェイスの間で基板の搬送を行い、第２搬送部がイン
デクサ、第２処理部群の基板受渡し位置およびインター
フェイスの間で基板の搬送を行うため、各搬送部が移動
する処理部の数が減り、スループットを向上させること
ができる。

【０１２２】請求項５の発明によれば、第１搬送部およ
び第２搬送部の搬送経路が相互に仕切られているため、
第１搬送部の搬送経路における雰囲気を、第２搬送部の
搬送経路における雰囲気から分離することができ、基板
を所望の雰囲気で搬送することができる。

【０１２３】請求項６の発明によれば、第１処理部群が
レジスト塗布処理部および熱処理部を含み、第２処理部
群が現像処理部および熱処理部を含むため、各搬送部が
移動する処理部の数が減り、スループットを向上させる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明にかかる基板処理装置の第１実施例の
外観斜視図である。

【図２】第１実施例にかかる基板処理装置の部分切欠拡
大図である。

【図３】第１実施例にかかる基板処理装置の概念的平面
配置図である。

【図４】図１のＶ−Ｖ線に沿って見た断面図である。

【図５】第１実施例にかかる基板処理装置の電気的構成
を示すブロック図である。

【図６】第１実施例にかかる基板処理装置のプロセスフ
ロー図である。

【図７】第１実施例にかかる基板処理装置の動作を模式
的に示す図である。

【図８】第１実施例にかかる基板処理装置の動作を模式
的に示す図である。

【図９】第１実施例にかかる基板処理装置の動作を模式
的に示す図である。

【図１０】第１実施例にかかる基板処理装置の動作を模
式的に示す図である。

【図１１】第１実施例にかかる基板処理装置の動作を模
式的に示す図である。

【図１２】この発明にかかる基板処理装置の第２実施例
の外観斜視図である。

【図１３】第２実施例にかかる基板処理装置の断面図で
ある。

【図１４】第２実施例にかかる基板処理装置の概念的平
面配置図である。

【図１５】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模
式的に示す図である。

【図１６】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模
式的に示す図である。

【図１７】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模
式的に示す図である。

【図１８】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模
式的に示す図である。

【図１９】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模
式的に示す図である。

【図２０】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模
式的に示す図である。

【図２１】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模
式的に示す図である。

【図２２】第２実施例にかかる基板処理装置の変形例を
示す図である。

【図２３】従来の基板処理装置を示す図である。

【図２４】基板処理装置による連続プロセス処理の手順
の一例を示す図である。

【符号の説明】

１ 基板 １０，３０ 処理部 ２０，４０，５０，１００，２００，３００，４００
処理部群 ＡＨ 密着強化部 ＣＰ クールプレート ＣＰ1〜ＣＰ4 クールプレート ＣＰ21，ＣＰ22，ＣＰ41，ＣＰ51 クールプレート ＥＥＷ，ＥＥＷA，ＥＥＷB エッジ露光部 ＥＶ1〜ＥＶ4 エレベータ ＨＰ，ＨＰ21，ＨＰ22，ＨＰ41〜ＨＰ43，ＨＰ51〜ＨＰ
53 ホットプレート ＩＤ インデクサ ＩＦ インターフェイス ＲＭ1〜ＲＭ4 循環搬送機構 ＳＣ，ＳＣA，ＳＣB スピンコータ ＳＤ，ＳＤA，ＳＤB スピンデベロッパ ＳＰU，ＳＰL フリースペース ＳＴ１〜ＳＴ５，ＳＴ６Ａ，ＳＴ６Ｂ，ＳＴ７，ＳＴ８
Ａ，ＳＴ８Ｂ，ＳＴ９基板受渡し位置 ＴＭL 下部搬送部（第１搬送部） ＴＭU 上部搬送部（第２搬送部） ＴＭ 主搬送ロボット ＴＳ2，ＴＳ4，ＴＳ5 副搬送ロボット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｚ (72)発明者 井上 秀和 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西工場内 (72)発明者 青木 薫 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 杉本 憲司 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西工場内 (72)発明者 児玉 光正 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西工場内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA05 FA01 FA07 FA12 FA14 GA02 GA04 GA06 GA42 GA47 GA48 GA49 HA48 HA59 JA01 LA12 MA02 MA03 MA06 MA24 MA26 MA27 NA18 PA04 5F043 CC10 CC11 CC12 EE40 GG10 5F046 AA28 CD01 CD05

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を複数の処理部の間を所定の順序で
   搬送しながら各処理部で予め定められた単位処理を行う
   ことで、基板に対し一連の連続プロセス処理を施す基板
   処理装置であって、 未処理基板の取り出しおよび前記連続プロセス処理の終
   了した基板の収容を行うインデクサと、 前記連続プロセス処理の一部を構成する連続する複数の
   単位処理をそれぞれ実行するための複数の処理部からな
   り、しかも基板の受渡しを行うための基板受渡し位置を
   有する処理部群と、 外部装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイ
   スと、 前記インデクサ、前記処理部群の前記基板受渡し位置お
   よび前記インターフェイスの間でのみ基板を搬送する主
   搬送手段と、 前記処理部群を構成する前記複数の処理部と、前記基板
   受渡し位置との間でのみ基板を搬送する副搬送手段と、
   を備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 前記処理部群を複数備える請求項１記載
   の基板処理装置。
3. 【請求項３】 前記主搬送手段による基板の搬送順序が
   第１および第２搬送順序に分割され、 前記主搬送手段が、前記第１搬送順序にしたがって基板
   を搬送する第１搬送部と、前記第２搬送順序にしたがっ
   て基板を搬送する第２搬送部とで構成されていることを
   特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
4. 【請求項４】 前記複数の処理部群は、基板に対してレ
   ジスト塗布処理が行われる第１処理部群と、基板に対し
   て現像処理が行われる第２処理部群とを含み、 前記第１搬送部は、前記インデクサ、前記第１処理部群
   の基板受渡し位置および前記インターフェイスの間で基
   板の搬送を行い、 前記第２搬送部は、前記インデクサ、前記第２処理部群
   の基板受渡し位置および前記インターフェイスの間で基
   板の搬送を行うことを特徴とする請求項３記載の基板処
   理装置。
5. 【請求項５】 前記第１搬送部および第２搬送部の搬送
   経路が相互に仕切られていることを特徴とする請求項３
   または請求項４に記載の基板処理装置。
6. 【請求項６】 前記第１処理部群は、レジスト塗布処理
   部および熱処理部を含み、 前記第２処理部群は、現像処理部および熱処理部を含む
   ことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の基板
   処理装置。