JP3756446B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3756446B2 JP3756446B2 JP2001363974A JP2001363974A JP3756446B2 JP 3756446 B2 JP3756446 B2 JP 3756446B2 JP 2001363974 A JP2001363974 A JP 2001363974A JP 2001363974 A JP2001363974 A JP 2001363974A JP 3756446 B2 JP3756446 B2 JP 3756446B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- processing unit
- robot
- transport
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用基板などの被処理基板（以下、単に「基板」という）を複数の処理部の間を所定の順序で搬送しながら各処理部で予め定められた単位処理を行うことで、基板に対し一連の連続プロセス処理を施す基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
周知のように基板に対してはレジスト塗布処理やそれに関連する処理など、種々の単位処理が行われるが、それら複数の単位処理を所定の順序で行って基板に対して一連の連続プロセス処理を実行する場合、この連続プロセス処理を自動的に行う基板処理装置が従来より使用されている。この種の基板処理装置としては、例えば図２３に示す基板処理装置がある。
【０００３】
この従来の基板処理装置には、ホットプレートＨＰやクールプレートＣＰなどからなる処理列Ｂ1と、スピンコータＳＣやエッジ露光部ＥＥＷなどからなる処理列Ｂ2とが２列に配置されるとともに、これらの処理列Ｂ1，Ｂ2の両端部にインデクサＩＤおよびインターフェイスＩＦがそれぞれ配置されている。さらに、これら処理列Ｂ1，Ｂ2、インデクサＩＤおよびインターフェイスＩＦに囲まれた搬送通路を走行する単一の搬送ロボットＴＲが設けられ、搬送ロボットＴＲは１枚の基板を支持可能なアームを２本備えることにより基板をある処理部から次の処理部に順送りに搬送可能となっている。
【０００４】
なお、密着強化部ＡＨ、ホットプレートＨＰ、クールプレートＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷ、スピンコータＳＣ、スピンデベロッパＳＤ、インデクサＩＤおよびインターフェイスＩＦにおいて、基板に対する加熱処理、基板への薄膜形成や他の装置との間での基板受渡し処理などの相互に異なる単位処理がそれぞれ実行されるが、この明細書では、これらの各部を統一的に説明する必要がある場合には、必要に応じて当該各部を「処理部」という用語を用いて表現する。また、密着強化部ＡＨおよびホットプレートＨＰでは、基板に対して加熱処理が実行されるため、この種の処理部については、特に他の処理部と区別するために「加熱処理部」と称する。また、クールプレートＣＰでは、基板に冷却処理が実行されるため、特に他の処理部と区別するために「冷却処理部」と称する。さらに、エッジ露光部ＥＥＷ、スピンコータＳＣ、スピンデベロッパＳＤ、インデクサＩＤおよびインターフェイスＩＦなどの処理部のように、加熱処理や冷却処理と関係がない処理部については、「非熱処理部」と称する。
【０００５】
図２４は、上記のように構成された基板処理装置による連続プロセス処理の手順の一例を示す図である。この基板処理装置では、インデクサＩＤに載置されたカセット（図示省略）から未処理の基板を取り出し、搬送ロボットＴＲによって同図の矢印の順序で各処理部に順送りに搬送しながら、各処理部で所定の単位処理を施し、インデクサＩＤに載置された同一あるいは別のカセットに戻すことによって、基板に対する一連の連続プロセス処理が実行される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の基板処理装置により連続プロセス処理を実行するためには、搬送ロボットＴＲが１３個の処理部の間を循環移動する必要があり、各処理部の間を移動に要する時間と各処理部との基板の受渡しに要する時間との合計の平均値を「ＴTr」とすると、搬送ロボットＴＲが一周するのに要する時間、つまり周期Ｔ0は、その時間ＴTrと処理部のポジション数を掛け合わせることによって求まる、つまり（ＴTr×１３）となる。したがって、この装置の最大処理能力はＴO時間当り基板１枚となり、これによって１時間当たりの処理枚数も決定される。
【０００７】
ここで、基板処理装置のスループットを向上させるためには、例えば搬送ロボットＴＲの動作速度などを高める方法もあるが、それは機構上大きな困難を伴い、また一定の限界がある。
【０００８】
また、従来例では、搬送ロボットＴＲはホットプレートＨＰのように基板にベーク処理を行う加熱処理部とスピンコータＳＣのように室温で処理する非熱処理部とのいずれにもアクセスするようになっているため、加熱処理部で暖められた搬送ロボットＴＲのハンドが非熱処理部に差し入れられるだけでなく、常温状態を保つべき段階にある基板をその暖められたハンドで保持することになるため、それによって基板および非熱処理部の温度が部分的に上昇し、その結果として処理の熱的安定性を阻害する原因となっている。
【０００９】
この発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、基板を複数の処理部の間を所定の順序で搬送しながら各処理部で予め定められた単位処理を行うことで、基板に対し一連の連続プロセス処理を施す基板処理装置において、スループットを向上させることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を複数の処理部の間で搬送して該基板に所定の処理を行う基板処理装置において、未処理基板の取り出しおよび処理済み基板の収容を行うインデクサと、前記インデクサから取り出された未処理基板に対してレジスト塗布処理が行われる第１処理部群と、レジスト塗布処理が行われた基板を外部装置に渡すとともに、前記外部装置での露光処理が行われた基板を前記外部装置から受け取るインターフェイスと、前記露光処理が行われた基板に対して現像処理が行われる第２処理部群と、未処理基板を前記インデクサから前記第１処理部群を経て前記インターフェイスにレジスト塗布処理が行われた基板として渡すまでの基板の搬送を担当するレジスト処理用搬送ロボットと、露光処理が行われた基板を前記インターフェイスから前記第２処理部群を経て、前記未処理基板が取り出された前記インデクサに処理済み基板として戻すまでの基板の搬送を担当する現像処理用搬送ロボットと、を備える。
【００１１】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記レジスト処理用搬送ロボットおよび前記現像処理用搬送ロボットのそれぞれに、搬送を分担する複数のロボットを備えている。
【００１２】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記第１処理部群に、レジスト塗布処理部、加熱処理部および冷却処理部を含ませ、前記第２処理部群に、現像処理部、加熱処理部および冷却処理部を含ませている。
【００１３】
【作用】
請求項１の発明では、未処理基板をインデクサからレジスト塗布処理が行われる第１処理部群を経てインターフェイスにレジスト塗布処理が行われた基板として渡すまでの基板の搬送を担当するレジスト処理用搬送ロボットと、露光処理が行われた基板をインターフェイスから現像処理が行われる第２処理部群を経て未処理基板が取り出されたインデクサに処理済み基板として戻すまでの基板の搬送を担当する現像処理用搬送ロボットとが設けられるため、各搬送ロボットが担当する処理部のポジション数が減り、装置のスループットを向上させることができる。
【００１４】
請求項２の発明では、レジスト処理用搬送ロボットおよび現像処理用搬送ロボットのそれぞれが搬送を分担する複数の搬送ロボットを備えるため、各搬送ロボットが担当する処理部のポジション数が大幅に減り、装置のスループットを向上させることができる。
【００１５】
請求項３の発明では、第１処理部群がレジスト塗布処理部、加熱処理部および冷却処理部を含み、第２処理部群が現像処理部、加熱処理部および冷却処理部を含み、各搬送ロボットが担当するレジスト塗布処理部等の処理部のポジション数が減り、装置のスループットを向上させることができる。
【００１６】
【実施例】
以下、この発明にかかる基板処理装置の実施例について詳述するが、実施例の作用および効果を明確にするため、従来例と同一の連続プロセス処理（一枚の基板に対して図２４と同一の順序で各処理部で単位処理を順次実行する）を行う装置および方法に限定して説明する。
【００１７】
Ａ．第１実施例
図１は、この発明にかかる基板処理装置の第１実施例の外観斜視図であり、後述する各図との方向関係を明確にするために、ＸＹＺ直角座標軸が示されている。また、図２は図１の装置の部分切欠拡大図である。さらに、図３は概念的配置図である。なお、Ｚ方向は鉛直方向上向きであり、Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交する方向である。
【００１８】
Ａ−１．第１実施例の装置の構成
まず、この第１実施例にかかる基板処理装置の概要について説明した後、各部の構成について説明する。
【００１９】
この基板処理装置には、図３に示すように、処理部１０，処理部群２０，４０，５０および処理部３０がＸ方向に一列に配置され、これらの処理部１０，３０および処理部群２０，４０，５０の間で主搬送ロボットＴＭが方向Ｘおよび（−Ｘ）に移動し、基板を所望の処理部あるいは処理部群に搬送可能となっている（同図の細線矢印を参照）。また、各処理部群２０，４０，５０には、副搬送ロボットＴＳ2，ＴＳ4，ＴＳ5が設けられており、基板受渡し位置ＳＴ２，ＳＴ４，ＳＴ５で主搬送ロボットＴＭによって搬送されてきた基板を受取り、当該処理部群を構成する処理部間を順次搬送し、さらに当該処理部群における処理部による処理が完了すると、元の位置ＳＴ２，ＳＴ４，ＳＴ５で主搬送ロボットＴＭに基板を渡す（同図の太線矢印を参照）。一方、処理部１０，３０においても、ロボットＴＳ1（図１参照）（処理部３０におけるロボットについては図示を省略している）が設けられており、主搬送ロボットＴＭとの間で基板の受渡しが可能となっている（同図の太線矢印を参照）。このように、この実施例にかかる基板処理装置では、これらのロボットとの連携動作によって基板を図２４と同一の順序で処理部の間を順次搬送しながら、各処理部で所定の単位処理を実行して一連の連続プロセス処理を行う。
【００２０】
次に、図１乃至図４を参照して、処理部１０、主搬送ロボットＴＭ、処理部群２０、処理部３０および処理部群４０，５０の構成について、この順序で説明する。
【００２１】
処理部１０は他の処理ステーションとの間でカセット単位で基板の受渡し処理を行うためのインデクサＩＤを有しており、このインデクサＩＤのカセット台上に基板のロットが収容されたカセットＣＳが他の装置から搬入されるとともに、当該基板処理装置での一連の連続プロセス処理を受けた基板が収容されたカセットＣＳが別の装置に搬出される。また、インデクサＩＤには、カセット台に沿って移動可能なロボットＴＳ1が設けられる。ロボットＴＳ1は、カセットＣＳへの基板の出し入れや、主搬送ロボットＴＭとの間での基板の受け渡しを行う。なお、主搬送ロボットＴＭとの間での基板の受け渡しは処理部１０内の基板受渡し位置ＳＴ1（図３）で行う。
【００２２】
主搬送ロボットＴＭは、図２に示すように、上下二段に配置された上部搬送部ＴＭUと下部搬送部ＴＭLで構成されており、各搬送部ＴＭU，ＴＭLには基板を保持するための３本の支持ピン１０１が立設されている。この主搬送ロボットＴＭの構造について図４を参照しつつ詳述する。
【００２３】
図４は図１のＶ−Ｖ線に沿って見た断面図である。同図において、符号１０２は方向Ｘに伸びるブームであり、装置の基台（図示省略）に固着されている。このブーム１０２の側面部には、同軸方向Ｘに伸びるガイドレール１０３Ｌ，１０３Ｕがそれぞれ固定されている。そして、ガイドレール１０３Ｌには、ブラケット１０４Ｌが摺動自在に設けられ、さらにこのブラケット１０４Ｌに略Ｌ字状の断面形状を有する支持本体１０５Ｌが取り付けられている。このため、下部搬送部ＴＭL用のモータ１０６Ｌを作動させることで、図示を省略する駆動機構によって支持本体１０５Ｌがブラケット１０４Ｌとともに方向Ｘに移動し、支持本体１０５Ｌから立設された支持ピン１０１で保持された基板１を搬送可能となっている。このように、要素１０１，１０２，１０３Ｌ，１０４Ｌ，１０５Ｌによって下部搬送部ＴＭLが構成されており、図３に示すように、処理部１０内の基板受渡し位置ＳＴ１と、処理部群２０の基板受渡し位置ＳＴ２と、処理部３０の基板受渡し位置ＳＴ３との間を移動する。
【００２４】
また、上部搬送部ＴＭUも下部搬送部ＴＭLと同様に構成されており、処理部１０内の基板受渡し位置ＳＴ１と、処理部３０の基板受渡し位置ＳＴ３と、処理部群４０の基板受渡し位置ＳＴ４と、処理部群５０の基板受渡し位置ＳＴ５との間を移動する。なお、その構成は同一であるため、ここでは、図面に相当符号を付して、その説明を省略する。
【００２５】
このように、この実施例では、主搬送ロボットＴＭによる基板の搬送順序が第１搬送順序（処理部１０−処理部群２０−処理部３０）および第２搬送順序（処理部３０−処理部群４０，５０−処理部１０）に分割され、下部搬送部（第１搬送部）ＴＭLが第１搬送順序にしたがって基板を搬送する一方、上部搬送部（第２搬送部）ＴＭUが第２搬送順序にしたがって基板を搬送するように構成されている。
【００２６】
また、図４に示すように、両搬送部ＴＭU，ＴＭLの間には、しきり板１０７が設けられており、下部搬送部ＴＭLによる基板搬送経路と上部搬送部ＴＭUによる基板搬送経路とが相互に仕切られている。
【００２７】
処理部群２０は、２つのホットプレートＨＰ21，ＨＰ22と、２つのクールプレート（冷却部）ＣＰ21，ＣＰ22と、密着強化部ＡＨと、スピンコータ（回転式レジスト塗布装置）ＳＣを有している。これらの要素のうち、ホットプレートＨＰ21，ＨＰ22は、基板１を高温でベーク処理するための加熱処理部であり、図４に示すように、主搬送ロボットＴＭの移動経路上に積層配置される。また、常温付近の所定温度の恒温水が供給されるプレート上に基板を載置して強制冷却させるクールプレート（冷却処理部）ＣＰ21，ＣＰ22と密着強化部（加熱処理部）ＡＨとは、インデクサＩＤと対向しながら、この順序で下から積み重ねられる。さらに、ホットプレートＨＰ21，ＨＰ22と対向してスピンコータＳＣが設けられている。これらの配置により、上方から見ると略コ字を形成している。なお、密着強化部ＡＨの上は、空室となっている。
【００２８】
この略コ字の中心部分に相当する位置に副搬送手段たる副搬送ロボットＴＳ2が配置されている。この副搬送ロボットＴＳ2は、ロボット駆動機構１２１によってＺ方向、即ち上下方向に昇降する（図４の垂直方向の双方向矢印）とともにθ方向への旋回自由度を有している。さらに、互いに独立して進退可能なハンド１２３，１２４が処理部群２０を構成する処理部ＨＰ21，ＨＰ22，ＣＰ21，ＣＰ22，ＡＨ，ＳＣおよび処理部群２０内に設けられた基板受渡し位置ＳＴ２（図３）にアクセスし、基板１の取り出しや載置動作を行う。
【００２９】
処理部３０はインデクサＩＤと反対側に配置されたインターフェイスＩＦで構成されており、循環搬送の途中で基板を外部装置、例えばステッパと受渡しすべく一時的に載置する基板載置台となる。また、このインターフェイスＩＦの近傍には、ロボット（図示省略）が設けられ、処理部３０内の基板受渡し位置ＳＴ３（図３）でインターフェイスＩＦと主搬送ロボットＴＭとの間で基板を受渡す。なお、インターフェイスＩＦに搬送されてきた基板は、他の装置、例えばステッパに送られ、露光処理を受けた後、再度インターフェイスＩＦに戻される。そして、インターフェイスＩＦから主搬送ロボットＴＭに移され、次の処理を行うために処理部群４０あるいは処理部群５０に搬送される。
【００３０】
処理部群４０，５０はともに同一構成をとっている。これは、いわゆる並列処理を行うためである。ここでは、処理部群４０の構成を説明し、処理部群５０の構成については省略する。
【００３１】
処理部群４０は、主搬送ロボットＴＭの搬送経路の上方に配置されたエッジ露光部ＥＥＷAと、相互に積み重ねられたＣＰ41，42，ＨＰ41〜ＨＰ43と、スピンデベロッパ（回転式現像装置）ＳＤAとで構成され、処理部群２０と同様に、これらの要素が上方より見て略コ字状となるように配置されている。また、これらの要素に取り囲まれるようにして副搬送ロボットＴＳ4が設けられている。この副搬送ロボットＴＳ4は、先に説明した副搬送ロボットＴＳ2と同一構成で、上下方向（方向Ｚ）への昇降動作およびθ方向への旋回動作が可能となっており、進退可能なハンドが処理部群４０を構成する処理部ＨＰ41〜ＨＰ43，ＣＰ41，ＣＰ42，ＳＤAおよび処理部群４０内に設けられた基板受渡し位置ＳＴ４（図３）にアクセスし、基板１の取り出しや載置、受渡し動作を行う。
【００３２】
ここで、装置全体での配置を説明すると、図１に示すように、装置の中央部には処理部群２０，４０，５０が並んで配置され、処理部群２０の（−Ｘ）方向側に処理部１０が、処理部群５０のＸ方向側に処理部３０が、それぞれ配置される。装置の前面中央、すなわち処理部群２０，４０，５０の前面側には、スピンコータＳＣ、スピンデベロッパＳＤA，ＳＤBが並んで配置される。処理部１０のロボットＴＳ1の移動経路は処理部１０内でＸ側に位置する。主搬送ロボットＴＭは、ロボットＴＳ1の移動経路に接する位置から装置の背面を通って処理部３０に至る。そして主搬送ロボットＴＭの移動経路上方には処理部群２０，４０，５０のホットプレートＨＰ21、エッジ露光部ＥＥＷA等が配置される。スピンコータＳＣ、スピンデベロッパＳＤA，ＳＤBと主搬送ロボットＴＭの移動経路との間には、各処理部群ごとに、副搬送ロボットＴＳとクールプレートＣＰとが配置される。
【００３３】
図５は図１の装置の電気的構成を示すブロック図である。この装置の制御部６０はコンピュータ６１のほか、このコンピュータ６１にオペレータが指令を与えるための操作部６２と、プロセスの進行状況や異常の発生などをオペレータに伝達するための表示部６３を備えている。また、メモリ６４は、制御プログラムのほか、プロセス制御に必要なデータを記憶している。操作部６２および表示部６３は図１に示すようにインデクサＩＤの正面に設けられている。
【００３４】
さらに、装置各部の状況を検知してコンピュータ６１にその情報を与えるセンサ類６５が、制御部６０に接続されている。また制御部６０からの指令に基づいて各ロボットＴＭ，ＴＳ1，ＴＳ2，…の駆動制御を行うための駆動制御回路６６が設けられている。処理部制御回路６７は、やはり制御部６０からの指令に基づいて各処理部における駆動制御、たとえばホットプレートＨＰ21，ＨＰ22，…における加熱制御や、スピンコータＳＣおよびスピンデベロッパＳＤA，ＳＤBにおける回転制御などを行う。
【００３５】
なお、上記においては、処理部および処理部群の構成について説明したが、この装置は次のような構成上の特徴を有している。
【００３６】
まず、主搬送ロボットＴＭと、処理部１０，３０および処理部群２０，４０，５０との間での基板の受渡しは受渡し用の窓Ｗ1L，Ｗ1U，Ｗ21，…を介して行われる。各窓には、シャッター機構（図示省略）が取り付けられており、基板の受渡し作業中以外はシャッターが降りて循環搬送途中の基板にパーティクルが付着するのを防止している。また、各処理部群２０，４０，５０においても、処理部に受渡し用の窓Ｗ22〜Ｗ26，Ｗ42〜Ｗ46，Ｗ52〜Ｗ56およびシャッター機構が設けられており、各処理部での単位処理途中にパーティクルが基板に付着したり、処理部内の雰囲気が不均一になる等の不具合を防止している。ただし、シャッター機構を設けることは本発明の必須の構成要素ではなく、必要に応じて適宜設ければよい。
【００３７】
また、装置全体から見て、スピンコータＳＣやスピンデベロッパＳＤA，ＳＤBなどの薬液を使用する処理部を装置の前面側、つまり（−Ｙ）方向側に配置しているが、これはメンテナンスのために外部からオペレータがアクセスすることが多いことを考慮したものであり、当該配置によってメンテナンス性が向上する。一方、ホットプレートＨＰ21，ＨＰ22，…やクールプレートＣＰ21，ＣＰ22，…等はメンテナンスのためにオペレータがアクセスする頻度は低いため、装置の中間部や背面部に設けてあってもほとんど問題にならず、これらの場所に集中させることで、それらのメンテナンスが必要となる際にもオペレータの移動が少なくて済み、これにおいても操作性に優れている。さらに、薬液使用処理部はホットプレートＨＰ21，ＨＰ22，…やクールプレートＣＰ21，ＣＰ22，…等とは別の側に配列しているため、十分な環境分離が達成される。
【００３８】
Ａ−２．第１実施例の装置の動作
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について説明する。この装置において、定常状態では、互いに異なる複数の基板が並行に処理されているが、ここでは１枚の基板がどのような順序で搬送され、処理されて行くかに着目して、当該装置の動作特徴について説明する。
【００３９】
図６は、第１実施例にかかる基板処理装置のプロセスフロー図である。同図において、スピンデベロッパＳＤ（ＳＤA，ＳＤB）およびエッジ露光部ＥＥＷ（ＥＥＷA，ＥＥＷB）は順次に搬送されてくる基板を順次に処理部４０と処理部５０とに振り分けて処理するためのものであり、たとえば奇数番目の基板はスピンデベロッパＳＤA側に、偶数番目の基板はスピンデベロッパＳＤB側に与えられる。また、ホットプレートＨＰについては、各処理部群におけるベーク時間に応じて、適宜振り分けて処理する。
【００４０】
(1)インデクサＩＤからの基板取り出し（図７）
まず、ロボットＴＳ1がカセットＣＳから未処理の基板１を１枚取り出し、主搬送ロボットＴＭの下部搬送部ＴＭL上に載置する（同図の太線矢印Ｒ11）。この際、下部搬送部ＴＭLは予め処理部１０の基板受渡し位置ＳＴ１に位置決めされており、制御部６０からの基板取り出しの指令に応答して窓Ｗ1Lに取り付けられたシャッター機構が作動してシャッターを開く。それに続いて、処理部１０内に配置されたロボットＴＳ1が作動してカセットＣＳ内の１枚の基板１をロボットＴＳ1のアーム（図示省略）上に保持し、アームとともに基板をカセットＣＳから窓Ｗ1Lを介して下部搬送部ＴＭL上に移動させる。そして、アームを降下させることで、基板１を下部搬送部ＴＭLに載置する。一方、基板１の取り出しが完了すると、当該アームは後退し、ロボットＴＳ1は元の位置に戻る。
【００４１】
なお、この実施例では、主搬送ロボットＴＭと、処理部１０，３０および処理部群２０，４０，５０との間で基板を受渡しする場合を除いて、窓Ｗ1U，Ｗ1L，…のシャッターを閉じる。すなわち、基板受渡しを行う直前にシャッターを開いて基板の受渡しを可能とする一方、基板の受渡しが完了すると、直ちにシャッターを閉じる。このため、パーティクルの侵入などを効果的に防止することができる。
【００４２】
このようにしてインデクサＩＤからの基板の取り出しが完了すると、下部搬送部ＴＭLが基板１を載置したままの状態で次の処理（レジスト塗布処理）を行う処理部群２０の基板受渡し位置ＳＴ２まで移動する（同図の細線矢印ｒ12）。
【００４３】
(2)スピンコータＳＣによるレジスト塗布処理（図８）
次に、処理部群２０に未処理の基板が搬送されてくると、窓Ｗ21のシャッターが開き、この窓Ｗ21を介して副搬送ロボットＴＳ2が下部搬送部ＴＭLから受け取る（同図の太線矢印Ｒ21）。ここで、副搬送ロボットＴＳ2のハンド１２３，１２４のいずれもが基板を保持していない場合、副搬送ロボットＴＳ2は窓Ｗ21の前方の高さまで昇降移動し、空状態のハンド１２４を窓Ｗ21を介して主搬送経路側に差し込んで下部搬送部ＴＭL上の基板１を保持した後、基板１を保持したままで当該ハンドを後退させて取り出す（以下「受取り動作」という）。
【００４４】
基板１を受け取った副搬送ロボットＴＳ2は、さらに処理部群２０を構成する各処理部と基板１の受渡し（同図の太線矢印Ｒ22，Ｒ23）を繰り返すことで密着強化部ＡＨ、クールプレートＣＰ21、スピンコータＳＣ、ホットプレートＨＰ21（あるいはホットプレートＨＰ22）およびクールプレートＣＰ22の順序で搬送する。
【００４５】
ここで、もし処理部にすでに基板が存在するときには、次のようにして基板の「交換動作」を行う。例えば、図４に示すように、副搬送ロボットＴＳ2の第１のハンド１２３が第１の基板を保持しており、その第１の基板をホットプレートＨＰ21に載置するとともに、既にこのホットプレートＨＰ21での処理を完了した第２の基板をこのホットプレートＨＰ21から取り出す場合を考える。この場合、副搬送ロボットＴＳ2はホットプレートＨＰ21の窓Ｗ22の前まで移動し、空状態の第２のハンド１２４をホットプレートＨＰ21に差し込んで第２の基板を保持して取り出す。その後、第１のハンド１２３をホットプレートＨＰ21へ差し込み、それが保持していた第１の基板をホットプレートＨＰ21へ載置する。これよって第１と第２の基板の「交換」が達成される。このような交換ではなく、「取り出し」または「載置」のみを行う場合には、これらの動作のうちの一方だけでよく、これらの動作をそれぞれ以下「取り出し動作」および「載置動作」と称する。
【００４６】
このように副搬送ロボットＴＳ2は、処理部との間で「交換」、「取り出し」あるいは「載置」を行うことで基板１を処理部の間で搬送するとともに、各処理部が搬送されてきた基板に対して所定の単位処理を行うことによって、基板１の表面にレジスト膜が形成される（レジスト塗布処理）。
【００４７】
次に、レジスト塗布処理を受けた基板１については、副搬送ロボットＴＳ2が「受取り動作」とは逆の動作（以下「払い出し動作」という）により基板受渡し位置ＳＴ２に位置する下部搬送部ＴＭL上に載置する（図８の太線矢印Ｒ24）。
【００４８】
それに続いて、下部搬送部ＴＭLは、レジスト膜が形成された基板１を保持したまま次の処理部３０の基板受渡し位置ＳＴ３に移動する（同図の細線矢印ｒ23）。
【００４９】
(3)インターフェイスＩＦでの基板の受渡し（図９）
この処理部３０では、インターフェイスＩＦに近接して設けられたロボット（図示省略）が窓Ｗ3Lの手前まで移動し、当該ロボットのアームを、シャッターが開いた窓Ｗ3Lを介して下部搬送部ＴＭL側に伸ばし、下部搬送部ＴＭL上の基板１を受け取る。そして、この基板１を保持したままでアームを後退させ、インターフェイスＩＦ上に載置する（同図の太線矢印Ｒ31）。一方、下部搬送部ＴＭLは、処理部３０への基板１の搬送後、処理部１０の基板受渡し位置ＳＴ１に移動し（同図の細線矢印ｒ31）、次の基板の取り出し処理（上記(1)の処理）に備える。
【００５０】
こうしてインターフェイスＩＦに載置された基板１は別の搬送機構によって外部装置（ステッパ）に搬送され、露光処理を受ける。
【００５１】
露光処理が完了すると、その基板はインターフェイスＩＦに戻される。そして、上記ロボットがその基板をアームで支持し、シャッターが開いた窓Ｗ3Uを介してそのアームを基板受渡し位置ＳＴ３側に伸ばす。基板受渡し位置ＳＴ３には予め上部搬送部ＴＭUが待機しており、上記ロボットは、上部搬送部ＴＭU上に基板１を載置した後、元に戻る（同図の太線矢印Ｒ32）。
【００５２】
それに続いて、上部搬送部ＴＭUは、露光処理が完了した基板１を保持したまま次の処理部群４０の基板受渡し位置ＳＴ４に移動する（同図の細線矢印ｒ34）。なお、この実施例では、次の処理である現像処理を処理部群４０，５０で交互に行うようにしているため、次の基板に対して現像処理を行う場合には、処理部群４０ではなく、処理部群５０の基板受渡し位置ＳＴ５に移動する。
【００５３】
(4)スピンデベロッパＳＤによる現像処理（図１０）
この処理部群４０では、副搬送ロボットＴＳ4が処理部群２０での基板１の「受取り動作」と同様に動作し、上部搬送部ＴＭU上の基板１を窓Ｗ41を介して受け取る（同図の太線矢印Ｒ41）。そして、基板１を受け取った副搬送ロボットＴＳ4は上述した「交換動作」、「取り出し動作」あるいは「載置動作」によって処理部群４０を構成する各処理部と基板１の受渡し（同図の太線矢印Ｒ42，Ｒ43）を繰り返すことで、エッジ露光部ＥＥＷA、ホットプレートＨＰ41、クールプレートＣＰ41、スピンデベロッパＳＤA、ホットプレートＨＰ42（あるいはホットプレートＨＰ43）およびクールプレートＣＰ42の順序で搬送する。
【００５４】
このように副搬送ロボットＴＳ4により基板１を処理部の間で搬送することにより、基板１の現像処理が実行される（現像処理）。
【００５５】
次に、現像処理を受けた基板１については、副搬送ロボットＴＳ4が「払い出し動作」により基板受渡し位置ＳＴ４に位置する上部搬送部ＴＭU上に載置する（同図の太線矢印Ｒ44）。
【００５６】
それに続いて、上部搬送部ＴＭUは、現像処理が完了した基板１を保持したまま最初の処理部１０の基板受渡し位置ＳＴ１に移動する（同図の細線矢印ｒ41）。
【００５７】
(5)インデクサＩＤへの基板搬出（図１１）
次に、ロボットＴＳ1のアームが、シャッターが開いた窓Ｗ1Uを介して基板受渡し位置ＳＴ１の上部搬送部ＴＭU上に移動し、基板１を保持する。そして、この基板１を保持したままで処理部１０側に戻り、さらに所定のカセットＣＳに一連の連続プロセス処理を受けた当該基板１を収容する（同図の太線矢印Ｒ12）。
【００５８】
そして、カセットＣＳへの基板１の収容が完了すると、上部搬送部ＴＭUは、次の露光処理が完了した基板を受け取るために、基板受渡し位置ＳＴ３に移動する（同図の細線矢印ｒ13）。これにより、図７の状態に戻り、上記(1)〜(5)の動作を繰り返すことで、基板を連続的に処理することができる。
【００５９】
なお、以上の説明においては、１枚の基板が搬送される順序のみに着目して説明したが、装置が定常状態で稼働しているときには、副搬送ロボットＴＳ2，ＴＳ4，ＴＳ5は、各処理部群内において、各処理部と基板受渡し位置との間で上述した「交換動作」を繰り返し、複数の基板を順送りに循環搬送しつつ、それらを同時に処理する。
【００６０】
Ａ−３．第１実施例の装置の効果
この第１実施例では、予め決められた一連の連続プロセス処理（図２４の連続プロセス処理）の一部を構成する連続する複数の単位処理をそれぞれ実行するための複数の処理部からなる処理部群、
(1)密着強化部ＡＨ、クールプレートＣＰ、スピンコータＳＣおよびホットプレートＨＰを含む処理部群２０；
(2)エッジ露光部ＥＥＷ、ホットプレートＨＰ、クールプレートＣＰ、スピンデベロッパＳＤを含む処理部群４０，５０；
を形成し、各処理部１０，３０および処理部群２０，４０，５０にそれぞれ設けられた基板受渡し位置ＳＴ１，ＳＴ３，ＳＴ２，ＳＴ４，ＳＴ５の間を主搬送ロボットＴＭによって基板を搬送するとともに、各処理部群２０，４０，５０においては副搬送ロボットＴＳ2，ＴＳ4，ＴＳ5によって処理部および基板受渡し位置の間を循環搬送することで、図２４と同一の連続プロセス処理を実行している。このため、図２３の従来例と比べ、各搬送ロボットが担当する処理部のポジション数が大幅に減り、装置のスループットを向上させることができる。
【００６１】
また、この実施例では、主搬送ロボットにより基板を各処理部群の基板受渡し位置に搬送し、当該基板受渡し位置で副搬送ロボットが主搬送ロボットから基板を受取り、処理部群内を循環搬送するようにしているので、各処理部群によって基板に対して独自に処理を行うことができるのに加えて、その間に主搬送ロボットにより他の基板を搬送することができる。このため、例えば処理部群２０でレジスト塗布処理のための最適条件を検証している最中に、別の処理部群４０で現像処理を行うことができ、装置全体の稼動効率を高めることができる。
【００６２】
また、主搬送ロボットと副搬送ロボットとが各基板受渡し位置で直接基板の受渡しを行うため、例えば基板受渡し位置に基板を一時的に載置する構成（インターフェイスＩＦに相当する構成）を設け、当該構成を介して間接的に基板の受渡しを行う場合に比べて装置サイズを小さくすることができる。
【００６３】
また、この実施例では、主搬送ロボットＴＭを上部および下部搬送部ＴＭU，ＴＭLで構成するとともに、両搬送部ＴＭU，ＴＭLを図４に示すように、しきり板１０７により下部搬送部ＴＭLによる基板搬送経路と上部搬送部ＴＭUによる基板搬送経路とを相互に区切っているため、基板が一方の搬送経路を搬送されている時に、他の搬送経路の雰囲気の影響を受けるのを防止することができる。特に、最近のレジスト材料は雰囲気に敏感であり、例えばレジスト塗布処理を受けた基板が下部搬送部ＴＭLにより搬送されている最中に、アルカリ雰囲気が混入すると、レジスト材料の感度などの特性が劣化するという問題が生じるが、この実施例によれば、この問題を発生させることなく、基板を搬送することができる。
【００６４】
さらに、上記のように構成された基板処理装置では、基板受渡し位置ＳＴ１〜ＳＴ５は同一水平面（ＸＹ平面）に設けられており、主搬送ロボットＴＭの上部搬送部ＴＭU、下部搬送部ＴＭLは方向Ｘにのみ移動自在であればよく、上下方向の移動自由度は不要であることから、主搬送ロボットＴＭの上部搬送部ＴＭU、下部搬送部ＴＭLの移動はそれぞれが一直線上で往復するのみでよく、２次元的な移動のための大きな駆動機構は不要である。そのため、主搬送ロボットＴＭの移動経路の直上および直下位置に、フリースペースＳＰU，ＳＰL（図４）が存在する。そこで、この実施例では、直上のフリースペースＳＰUにホットプレートＨＰやクールプレートＣＰなどの処理部を配置することができ、装置全体のコンパクト化を図ることができる。また、直下空間ＳＰLにも、必要に応じて、例えばスピンコータＳＣやスピンデベロッパＳＤなどに必要となる薬液の貯留や圧送のための配管等（図示は省略）を配置することができる。当該配置により、フリースペースＳＰUへの処理部の配置と同様に、装置をコンパクトにすることができる。
【００６５】
Ａ−４．第１実施例の変形例
上記第１実施例では、主搬送ロボットＴＭを上部および下部搬送部ＴＭU，ＴＭLで構成しているが、単一の搬送部によって主搬送ロボットＴＭを構成してもよい。
【００６６】
また、この実施例では、主搬送ロボットＴＭは１方向（方向Ｘ）にのみ移動自在な構成を有しているが、基板受渡し位置ＳＴ１〜ＳＴ５の間を移動することができる構成であれば、特に限定されるものではなく、方向Ｘのみならず方向Ｙにも２次元移動可能な構成や、さらに方向Ｚにも移動自由度を有する構成であってもよい。なお、この実施例では基板の受渡しのために副搬送ロボットが昇降しているが、主搬送ロボットＴＭの上部搬送部ＴＭU、下部搬送部ＴＭLを若干昇降させる構成であってもよい。この場合も、そのための昇降は基板の受け渡しのためのごくわずかな昇降でよいので、この場合でも、ほぼ同様のフリースペースＳＰU、ＳＰLを形成し得る。
【００６７】
さらに、上記実施例では、主搬送ロボットＴＭを構成する上部および下部搬送部ＴＭU，ＴＭLはそれぞれ１枚の基板しか載置できないタイプの搬送機構であるが、副搬送ロボットＴＳ2のように２つのハンドを有する、いわゆるダブルアーム・タイプを採用してもよい。
【００６８】
Ｂ．第２実施例
図１２は、この発明にかかる基板処理装置の第２実施例の外観斜視図であり、また図１３は図１２の装置の断面図であり、さらに図１４は概念的配置図である。
【００６９】
Ｂ−１．第２実施例の装置の構成
この第２実施例にかかる基板処理装置には、図１２に示すように、その装置の前面側に、スピンコータＳＣ、２台のエッジ露光部ＥＥＷA，ＥＥＷBおよび２台のスピンデベロッパＳＤA，ＳＤBがＸ方向に一列に配置されて処理部列Ｃを構成するとともに、当該処理部列Ｃの両端側にインデクサＩＤおよびインターフェイスＩＦがそれぞれ配置されている。また、装置の背面側に、エレベータＥＶ1，ＥＶ2，ＥＶ3，ＥＶ4（詳しくは後述する）が配置される。そして、このエレベータＥＶ1，ＥＶ2，ＥＶ3，ＥＶ4と処理部列Ｃとの間に、この処理部列Ｃの長手方向（方向Ｘ）に沿って主搬送ロボットＴＭが移動自在に設けられている。この主搬送ロボットＴＭの移動経路上に処理部群２００，３００が設けられ、さらに処理部群２００，３００の上に処理部群１００，４００がそれぞれ配置されて、３層構造となっている（図１４）。すなわち、インデクサＩＤ、スピンコータＳＣ、エッジ露光部ＥＥＷA，ＥＥＷB、スピンデベロッパＳＤA，ＳＤBおよびインターフェイスＩＦで第１層が形成され、また処理部群２００，３００で第２層が形成され、さらに処理部群１００，４００で第３層が形成されている。
【００７０】
主搬送ロボットＴＭは、第１実施例の副搬送ロボットＴＳ2（図４）の機能に加えて、Ｘ方向への移動可能な構成となっている。すなわち、エレベータＥＶ1，ＥＶ2，ＥＶ3，ＥＶ4と処理部列Ｃとの間にＸ方向にのびたガイドレール（図示せず）が設けられ、第１実施例の副搬送ロボットＴＳ2の構成がそのガイドレールに案内することにより、主搬送ロボットＴＭは、Ｘ，Ｚ方向への移動自由度およびθ方向への旋回自由度を有し、さらに互いに独立して進退可能なハンド１２３，１２４を備えている。このため、主搬送ロボットＴＭは、図１４に示すように、インデクサＩＤ、スピンコータＳＣ、エッジ露光部ＥＥＷA、ＥＥＷB、スピンデベロッパＳＤA，ＳＤB、およびインターフェイスＩＦの間で方向Ｘおよび（−Ｘ）に移動し、基板を所望の処理部あるいは処理部群に搬送可能である。また更に、主搬送ロボットＴＭは、基板を所望のエレベータＥＶ1，ＥＶ2，ＥＶ3，ＥＶ4とも受渡し可能であり、それらを介して所望の処理部群１００，２００，３００，４００との間で搬送可能となっている。
【００７１】
インデクサＩＤは他の処理ステーションとの間でカセット単位で基板の受渡し処理を行う処理部であり、このインデクサＩＤを介して、基板のロットが収容されたカセットＣＳの搬入と、当該基板処理装置での一連の連続プロセス処理を受けた基板が収容されたカセットＣＳの搬出とがそれぞれ行われる。また、インデクサＩＤには、カセット台に沿って移動可能なロボットＴＳ1が設けられる。ロボットＴＳ1は、カセットＣＳへの基板の出し入れや、主搬送ロボットＴＭとの間での基板の受け渡しを行う。なお、主搬送ロボットＴＭとの間での基板の受け渡しはインデクサＩＤ近傍の基板受け渡し位置ＳＴ1（図１４）で行う。
【００７２】
処理部群１００は、図１２に示すように、密着強化部ＡＨとクールプレートＣＰ1を有しており、後述するエレベータＥＶ1の上昇端位置（図１３の２点鎖線）で同一高さ位置Ｈ3となるように配置されている。このエレベータＥＶ1は、第１層内の基板受渡し位置ＳＴ２（高さ位置Ｈ1）と第３層内の上昇端位置（高さ位置Ｈ3）との間を往復自在で、基板受渡し位置ＳＴ２で主搬送ロボットＴＭから基板を受け取った後、基板を保持したままで上昇端位置まで上昇することができる。
【００７３】
一方、処理部群１００内には、３本のアームＡＲを有し、これらのアームＡＲを同時にθ方向に回転させる循環搬送機構ＲＭ1が設けられている。このため、エレベータＥＶ1により基板が上昇端位置に搬送され、アームＡＲへの基板の受渡しが行われた後、アームＡＲを所定角度だけ回転させることで、基板を密着強化部ＡＨ、クールプレートＣＰ1および元の位置の順序で循環搬送することができ、基板に対して密着強化部ＡＨおよびクールプレートＣＰ1による単位処理を施すことができる。
【００７４】
密着強化処理および冷却処理を受けた基板については、エレベータＥＶ1と循環搬送機構ＲＭ1との協働によって元の位置（図１４の点線位置）でアームＡＲからエレベータＥＶ1への受渡しが行われた後、エレベータＥＶ1が第１層内の基板受渡し位置ＳＴ２に降下する。このように、この第２実施例では、エレベータＥＶ1と循環搬送機構ＲＭ1により、処理部群１００を構成する処理部（密着強化部ＡＨとクールプレートＣＰ1）と、基板受渡し位置ＳＴ２との間で基板を搬送する副搬送手段が構成されている。
【００７５】
スピンコータＳＣに対する基板の受渡しは基板受渡し位置ＳＴ３で主搬送ロボットＴＭによって行われる。なお、エッジ露光部ＥＥＷA，ＥＥＷBおよびスピンデベロッパＳＤA，ＳＤBについても、スピンコータＳＣと同様に、それぞれ所定の基板受渡し位置ＳＴ６Ａ，ＳＴ６Ｂ，ＳＴ８Ａ，ＳＴ８Ｂで主搬送ロボットＴＭにより基板が搬入され、また搬出される。
【００７６】
処理部群２００は、図１４に示すように、２つのホットプレートＨＰ21，ＨＰ22とクールプレートＣＰ2を有しており、後述するエレベータＥＶ2の上昇端位置（同図の点線位置）で同一高さ位置Ｈ2（図１３）となるように配置されている。また、このエレベータＥＶ2は、第１層内の基板受渡し位置ＳＴ２（高さ位置Ｈ1）と第２層内の上昇端位置（高さ位置Ｈ2）との間を往復自在となっている。さらに、処理部群２００内には、４本のアームＡＲを有し、これらのアームＡＲを同時にθ方向に回転させる循環搬送機構ＲＭ2が設けられている。このため、処理部群１００と同様に、基板を主搬送ロボットＴＭから受け取ったエレベータＥＶ2が上昇端位置まで上昇し、アームＡＲへの基板の受渡しが行われた後、アームＡＲを所定角度だけ回転させることで、基板をホットプレートＨＰ21，ＨＰ22、クールプレートＣＰ2および元の位置の順序で循環搬送しながら、各処理部で所定の単位処理を施すことができる。そして、エレベータＥＶ2が循環搬送機構ＲＭ2と協働して、処理を受けた基板をアームＡＲから受け取った後、第１層内の基板受渡し位置ＳＴ２にまで降下する。このように、この処理部群では、エレベータＥＶ2と循環搬送機構ＲＭ2により、処理部群２００を構成する処理部（ホットプレートＨＰ21，ＨＰ22とクールプレートＣＰ2）と、基板受渡し位置ＳＴ４との間で基板を搬送する副搬送手段が構成されている。
【００７７】
処理部群３００は処理部群２００と同様に構成されている。すなわち、処理部群３００は２つのホットプレートＨＰ31，ＨＰ32とクールプレートＣＰ3を有する。また第１層と第２層との間で昇降するエレベータＥＶ3と、ホットプレートＨＰ31，ＨＰ32、クールプレートＣＰ3およびエレベータＥＶ3の上昇端位置（図１４の点線位置）の間で基板を循環搬送する循環搬送機構ＲＭ3とで副搬送手段が形成されている。そして、基板受渡し位置ＳＴ７でエレベータＥＶ3が主搬送ロボットＴＭから基板を受取り、上昇端位置まで上昇した後、循環搬送機構ＲＭ3がホットプレートＨＰ31，ＨＰ32およびクールプレートＣＰ3の間で基板を循環搬送して、ホットプレートＨＰ31，ＨＰ32によるベーク処理およびクールプレートＣＰ3による冷却処理を行う。それに続いて、エレベータＥＶ3が循環搬送機構ＲＭ3のアームＡＲから基板を受取り、第１層の基板受渡し位置ＳＴ７まで降下する。
【００７８】
処理部群４００は、単位処理部の構成、つまり３つのホットプレートＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43とクールプレートＣＰ4を有している点を除いて、処理部群１００と同様の構成である。すなわち、第１層と第３層との間を昇降するエレベータＥＶ4と、ホットプレートＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43、クールプレートＣＰ4およびエレベータＥＶ4の上昇端位置（図１４の点線位置）の間で基板を循環搬送する循環搬送機構ＲＭ4とで副搬送手段が形成されている。そして、基板受渡し位置ＳＴ９でエレベータＥＶ4が主搬送ロボットＴＭから基板を受取り、第３層の上昇端位置まで上昇した後、循環搬送機構ＲＭ4がホットプレートＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43およびクールプレートＣＰ4の間で基板を循環搬送して、ホットプレートＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43によるベーク処理およびクールプレートＣＰ4による冷却処理を行う。それに続いて、エレベータＥＶ4が循環搬送機構ＲＭ4のアームＡＲから基板を受取り、第１層の基板受渡し位置ＳＴ９まで降下する。
【００７９】
なお、この実施例において、処理部群２００，３００では２つのホットプレートを設けているのに対し、処理部群４００では３つのホットプレートを設けているが、このホットプレート数の相違は各処理部群で必要となるベーク処理時間の相違に起因するものであり、各処理部群で必要となるベーク処理時間に応じて必要数を設ければよい。
【００８０】
インターフェイスＩＦは、基板を外部装置、例えばステッパと受渡しすべく一時的に載置する基板載置台として機能し、このインターフェイスＩＦの近傍にロボット（図示省略）が設けられ、主搬送ロボットＴＭと協働して基板受渡し位置ＳＴ５で主搬送ロボットＴＭと基板の受渡しを行う。
【００８１】
なお、第２実施例にかかる基板処理装置の電気的構成については、第１実施例のそれとほぼ同一であるため、ここでは、その構成の説明については省略する。
【００８２】
また、基板の搬送経路、例えば主搬送ロボットＴＭとエレベータＥＶ1との間には、適宜、窓Ｗが設けられるとともに、シャッター機構が取り付けられ、第１実施例と同様に、制御部６０からの指令にしたがって開閉制御される。
【００８３】
Ｂ−２．第２実施例の装置の動作
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について、第１実施例の場合と同様に、１枚の基板がどのような順序で搬送され、処理されて行くかに着目して、当該装置の動作特徴について説明する。
【００８４】
図１５は、第１実施例にかかる基板処理装置のプロセスフロー図である。同図において、「ＨＰ2」はホットプレートＨＰ21，ＨＰ22により行われる連続ベーク処理を示すものであり、「ＨＰ3」はホットプレートＨＰ31，ＨＰ32により行われる連続ベーク処理を示すものであり、「ＨＰ4」はホットプレートＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43により行われる連続ベーク処理を示すものである。
【００８５】
(1)インデクサＩＤからの基板取り出し（図１６）
まず、カセットＣＳから未処理の基板を１枚取り出し、基板受渡し位置ＳＴ１に位置する主搬送ロボットＴＭの一方のハンド上に載置する（同図の矢印Ｒ101）。この実施例では、ロボットＴＳ1と主搬送ロボットＴＭとが協働して基板の受渡しを行う。
【００８６】
このようにしてインデクサＩＤから主搬送ロボットＴＭへの基板の取り出しが完了すると、主搬送ロボットＴＭが基板１をハンドに載置したままの状態で基板受渡し位置ＳＴ２まで移動する（同図の矢印Ｒ102）。
【００８７】
(2)処理部群１００による密着強化処理（図１７）
次に、処理部群１００の基板受渡し位置ＳＴ２に未処理の基板が搬送されてくると、主搬送ロボットＴＭのハンドがエレベータＥＶ1側に伸びて基板をエレベータＥＶ1上に載置する（同図の矢印Ｒ103）。そして、エレベータＥＶ1が基板を載置したままの状態で上昇端位置（同図の点線位置）まで上昇した（同図の矢印Ｒ104）後、循環搬送機構ＲＭ1の１つのアームＡＲが基板を受け取る。それに続いて、循環搬送機構ＲＭ1が駆動され、基板を密着強化部ＡＨおよびクールプレートＣＰ1の順序で搬送する（同図の矢印Ｒ105，Ｒ106）。この基板搬送とともに、密着強化部ＡＨで密着強化処理が実行された後、クールプレートＣＰ1で室温程度にまで冷却される。さらに、循環搬送機構ＲＭ1が駆動されて（同図の矢印Ｒ107）、処理部群１００における処理を受けた基板が元の位置（エレベータＥＶ1の上昇端位置：同図の点線位置）に戻り、エレベータＥＶ1が当該基板を受け取る。その後、エレベータＥＶ1は基板を保持したままで基板受渡し位置ＳＴ２に移動する（同図の矢印Ｒ108）。こうして、処理部群１００内で基板を循環搬送しながら、基板に対して密着強化処理を施すことができる。
【００８８】
主搬送ロボットＴＭは、この基板受渡し位置ＳＴ２でエレベータＥＶ1から基板をハンド上に受取り（同図の矢印Ｒ109）、さらに次の基板受渡し位置ＳＴ３に移動する（同図の矢印Ｒ110）。
【００８９】
(3)スピンコータＳＣでのレジスト塗布処理および処理部群２００でのベーク処理（図１８）
次に、基板受渡し位置ＳＴ３で主搬送ロボットＴＭが基板をスピンコータＳＣのスピンチャック（図示省略）上に載置する（同図の矢印Ｒ111）。そして、スピンコータＳＣが動作して基板の表面にレジスト膜を形成する（レジスト塗布処理）。
【００９０】
レジスト塗布処理が完了すると、主搬送ロボットＴＭが再度スピンコータＳＣ側に伸びてスピンコータＳＣから基板を受け取った（同図の矢印Ｒ112）後、当該基板を保持したままで処理部群２００との間で基板の受渡しを行う基板受渡し位置ＳＴ４に移動する（同図の矢印Ｒ113）。
【００９１】
そして、処理部群１００における基板搬送の手順と同様にして搬送されてきた基板を循環搬送しながらホットプレートＨＰ21，ＨＰ22によるベーク処理およびクールプレートＣＰ2による冷却処理を行う。すなわち、主搬送ロボットＴＭおよび副搬送手段（エレベータＥＶ2＋循環搬送機構ＲＭ2）が以下の手順で基板を搬送する。
【００９２】
・主搬送ロボットＴＭからエレベータＥＶ2への基板の載置（矢印Ｒ114）
・エレベータＥＶ2の上昇（矢印Ｒ115）
・エレベータＥＶ2からホットプレートＨＰ21への移載（矢印Ｒ116）
・ホットプレートＨＰ21からホットプレートＨＰ22への移載（矢印Ｒ117）
・ホットプレートＨＰ22からクールプレートＣＰ2への移載（矢印Ｒ118）
・クールプレートＣＰ2からエレベータＥＶ2への移載（矢印Ｒ119）
・エレベータＥＶ2の降下（矢印Ｒ120）
・エレベータＥＶ2から主搬送ロボットＴＭへの基板の受取り（矢印Ｒ121）
処理部群２００での処理を受けた基板を受け取った主搬送ロボットＴＭは、インターフェイスＩＦとの間で基板の受渡しを行うために、基板受渡し位置ＳＴ５に移動する（同図の矢印Ｒ122）。
【００９３】
(4)インターフェイスＩＦでの基板の受渡し（図１９）
基板受渡し位置ＳＴ５で、主搬送ロボットＴＭのハンドがインターフェイスＩＦ側に伸び、インターフェイスＩＦの近傍に設けられたロボット（図示省略）と協働してハンドに保持されている基板をインターフェイスＩＦ上に載置する（同図の矢印Ｒ123）。
【００９４】
こうしてインターフェイスＩＦに載置された基板は別の搬送機構によって外部装置（ステッパ）に搬送され、露光処理を受けた後、インターフェイスＩＦに戻される。露光処理が完了した基板がインターフェイスＩＦに戻されると、主搬送ロボットＴＭと上記ロボットが協働して、基板をインターフェイスＩＦから主搬送ロボットＴＭのハンドに移載する（同図の矢印Ｒ124）。
【００９５】
それに続いて、主搬送ロボットＴＭは、露光処理が完了した基板を保持したまま基板受渡し位置ＳＴ６Ａに移動する（同図の矢印Ｒ125）。なお、この実施例においても、第１実施例と同様に、次の処理であるエッジ露光処理をエッジ露光部ＥＥＷA，ＥＥＷBで交互に行うようにしているため、次の基板に対してエッジ露光処理を行う場合には、もう一方の基板受渡し位置ＳＴ６Ｂに移動する。
【００９６】
(5)エッジ露光部ＥＥＷによるエッジ露光処理および処理部群３００によるベーク処理（図２０）
基板受渡し位置ＳＴ６Ａでは、主搬送ロボットＴＭが、そのハンドをエッジ露光部ＥＥＷAに伸ばし、基板を載置する（同図の矢印Ｒ126）。それに続いて、エッジ露光部ＥＥＷAが作動して、当該基板にエッジ露光処理を施す。こうしてエッジ露光処理を受けた基板を主搬送ロボットＴＭがエッジ露光部ＥＥＷAから取り出す（同図の矢印Ｒ127）。
【００９７】
次に、主搬送ロボットＴＭは当該基板を保持したままで基板受渡し位置ＳＴ７まで移動する（同図の矢印Ｒ128）。そして、処理部群１００，２００における基板搬送の手順と同様にして搬送されてきた基板を循環搬送しながらホットプレートＨＰ31，ＨＰ32によるベーク処理およびクールプレートＣＰ3による冷却処理を行う。なお、搬送の手順は以下の通りである。
【００９８】
・主搬送ロボットＴＭからエレベータＥＶ3への基板の載置（矢印Ｒ129）
・エレベータＥＶ3の上昇（矢印Ｒ130）
・エレベータＥＶ3からホットプレートＨＰ31への移載（矢印Ｒ131）
・ホットプレートＨＰ31からホットプレートＨＰ32への移載（矢印Ｒ132）
・ホットプレートＨＰ32からクールプレートＣＰ3への移載（矢印Ｒ133）
・クールプレートＣＰ3からエレベータＥＶ3への移載（矢印Ｒ134）
・エレベータＥＶ3の降下（矢印Ｒ135）
・エレベータＥＶ3から主搬送ロボットＴＭへの基板の受取り（矢印Ｒ136）
処理部群３００での処理を受けた基板を受け取った主搬送ロボットＴＭは、次の現像処理を行うために、基板受渡し位置ＳＴ８Ａに移動する（同図の矢印Ｒ137）。なお、この実施例においても、第１実施例と同様に、次の処理である現像処理をスピンデベロッパＳＤA，ＳＤBで交互に行うようにしているため、次の基板に対して現像処理を行う場合には、もう一方の基板受渡し位置ＳＴ８Ｂに移動する。
【００９９】
(6)スピンデベロッパＳＤによる現像処理、処理部群４００によるベーク処理およびインデクサＩＤへの基板搬出（図２１）
基板受渡し位置ＳＴ８Ａで、主搬送ロボットＴＭはスピンデベロッパＳＤAに基板を載置する（同図の矢印Ｒ138）。それに続いて、スピンデベロッパＳＤAが作動し、当該基板への現像処理が実行される。こうして現像処理を受けた基板を主搬送ロボットＴＭがスピンデベロッパＳＤAから取り出す（同図の矢印Ｒ139）。
【０１００】
次に、主搬送ロボットＴＭは当該基板を保持したままで基板受渡し位置ＳＴ９まで移動する（同図の矢印Ｒ140）。そして、処理部群１００，２００，３００における基板搬送の手順と同様にして搬送されてきた基板を循環搬送しながらホットプレートＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43によるベーク処理およびクールプレートＣＰ4による冷却処理を行う。なお、搬送の手順は以下の通りである。
【０１０１】
・主搬送ロボットＴＭからエレベータＥＶ4への基板の載置（矢印Ｒ141）
・エレベータＥＶ4の上昇（矢印Ｒ142）
・エレベータＥＶ4からホットプレートＨＰ41への移載（矢印Ｒ143）
・ホットプレートＨＰ41からホットプレートＨＰ42への移載（矢印Ｒ144）
・ホットプレートＨＰ42からホットプレートＨＰ43への移載（矢印Ｒ145）
・ホットプレートＨＰ43からクールプレートＣＰ4への移載（矢印Ｒ146）
・クールプレートＣＰ4からエレベータＥＶ4への移載（矢印Ｒ147）
・エレベータＥＶ4の降下（矢印Ｒ148）
・エレベータＥＶ4から主搬送ロボットＴＭへの基板の受取り（矢印Ｒ149）
処理部群４００での処理を受けた基板を受け取った主搬送ロボットＴＭは基板受渡し位置ＳＴ１に移動し（同図の矢印Ｒ150）、インデクサＩＤに設けられたロボットＴＳ1と協働して上記一連の処理を受けた基板をカセットＣＳに収容する（同図の矢印Ｒ151）。
【０１０２】
なお、上記(1)〜(6)の動作を繰り返すことで、基板を連続的に処理することができる。この実施例の説明においても、１枚の基板が搬送される順序のみに着目して説明したが、装置が定常状態で稼働しているときには、主搬送ロボットＴＭは、各処理部群あるいは処理部に対して、各基板受渡し位置において基板の「交換動作」を繰り返し、複数の基板を順送りに循環搬送しつつ、それらを同時に処理する。
【０１０３】
Ｂ−３．第２実施例の装置の効果
この第２実施例では、予め決められた一連の連続プロセス処理（図２４の連続プロセス処理）を実行する複数の処理部のうち、
(1)連続する密着強化部ＡＨおよびクールプレートＣＰ1をまとめて処理部群１００を、
(2)スピンコータＳＣによるレジスト塗布処理後において、連続するホットプレートＨＰ21，ＨＰ22およびクールプレートＣＰ2をまとめて処理部群２００を、
(3)エッジ露光部ＥＥＷによるエッジ露光処理後において、連続するホットプレートＨＰ31，ＨＰ32およびクールプレートＣＰ3をまとめて処理部群３００を、
(4)スピンデベロッパＳＤによる現像処理後において、連続するホットプレートＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43およびクールプレートＣＰ4をまとめて処理部群４００を、それぞれ形成し、インデクサＩＤ、処理部群１００、スピンコータＳＣ、エッジ露光部ＥＥＷA、処理部群２００、エッジ露光部ＥＥＷB、処理部群３００、スピンデベロッパＳＤA，ＳＤB、処理部群４００およびインターフェイスＩＦの間を主搬送ロボットＴＭによって基板を循環搬送するとともに、各処理部群１００，２００，３００，４００においてはエレベータと循環搬送機構とで構成された副搬送手段によって処理部および基板受渡し位置の間を循環搬送することで、図２４と同様の連続プロセス処理を実行している。このため、第１実施例と同様に、図２３の従来例と比べ、各搬送ロボットが担当する処理部のポジション数が大幅に減り、装置のスループットを向上させることができる。
【０１０４】
また、この第２実施例では、基板に対して加熱処理する加熱処理部（密着強化部ＡＨおよびホットプレートＨＰ21，ＨＰ22，ＨＰ31，ＨＰ32，ＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43）については、すべて処理部群に配置し、しかも当該処理部群内では基板を加熱して所定の処理（密着強化処理あるいはベーク処理）を行い、さらにクールプレート（冷却処理部）ＣＰで室温程度にまで冷却した後で、基板受渡し位置に搬送するため、主搬送ロボットＴＭのハンドは常時室温程度に維持され、スピンコータＳＣなどの非加熱処理部の熱的安定性が確保され、基板の一連の連続プロセス処理を安定して行うことができる。
【０１０５】
さらに、この第２実施例では、基板の熱履歴が一定となるため、熱的安定性をさらに向上させることができる。というのも、第１実施例や従来例のように同一の加熱処理、例えば現像処理後のベーク処理を行う際に基板ごとに異なるホットプレートＨＰにより加熱処理する場合には、あるホットプレートＨＰによるベーク処理と、別のホットプレートＨＰによるベーク処理とで処理結果が厳密にみれば相違することがあるのに対し、第２実施例のようにすべての基板について常に同一の加熱処理部で加熱処理する場合には、処理結果は各基板ともに完全に均一となり、各基板に与えられる熱履歴は完全に一定となる。
【０１０６】
また、この第２実施例でも、基板受渡し位置ＳＴ１〜ＳＴ９はほぼ同一平面内に設けられているので、主搬送ロボットＴＭの移動はほぼ一直線上で往復するのみでよく、上下方向へはスピンコータＳＣ等との基板の受渡しのためのわずかな昇降のみでよい。そのため、２次元的な移動のための大きな駆動機構は不要であり、主搬送ロボットＴＭの移動経路の上方、下方に生じるフリースペースに処理部の一部を配置したり薬液の貯留や圧送のための機構を配置することができ、装置をコンパクトにすることができる。
【０１０７】
Ｂ−４．第２実施例の変形例
なお、スピンコータＳＣの設置台数は１台に限定されるものではなく、エッジ露光部ＥＥＷやスピンデベロッパＳＤと同様に、複数台設け、順次に搬送されてくる基板を順次に複数台に振り分けて処理するようにしてもよい。この場合、処理効率を考慮して、スピンコータＳＣによるレジスト塗布処理後にベーク処理を行う処理部群２００を増設するのが望ましい。また、処理部群２００を増設する場合、図２２に示すように、エレベータＥＶ2およびクールプレートＣＰ2を共用することにより、装置の省スペース化を図ることができる。また、エレベータＥＶ2のみを共用するようにしてもよい。
【０１０８】
また、このようなエレベータＥＶなどの共用は処理部群２００に限定されるものではなく、処理部群１００，３００，４００においても同様である。
【０１０９】
さらに、上記第１実施例では、主搬送ロボットＴＭは２つのハンドを有する、いわゆるダブルアーム・タイプの搬送ロボットであるが、１つのハンドのみを有する、いわゆるシングルアーム・タイプの搬送ロボットであってもよい。
【０１１０】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１の発明によれば、未処理基板をインデクサからレジスト塗布処理が行われる第１処理部群を経てインターフェイスにレジスト塗布処理が行われた基板として渡すまでの基板の搬送を担当するレジスト処理用搬送ロボットと、露光処理が行われた基板をインターフェイスから現像処理が行われる第２処理部群を経て未処理基板が取り出されたインデクサに処理済み基板として戻すまでの基板の搬送を担当する現像処理用搬送ロボットとが設けられるため、各搬送ロボットが担当する処理部のポジション数が減り、装置のスループットを向上させることができる。
【０１１１】
また、請求項２の発明によれば、レジスト処理用搬送ロボットおよび現像処理用搬送ロボットのそれぞれが搬送を分担する複数の搬送ロボットを備えるため、各搬送ロボットが担当する処理部のポジション数が大幅に減り、装置のスループットを向上させることができる。
【０１１２】
また、請求項３の発明によれば、第１処理部群がレジスト塗布処理部、加熱処理部および冷却処理部を含み、第２処理部群が現像処理部、加熱処理部および冷却処理部を含み、各搬送ロボットが担当するレジスト塗布処理部等の処理部のポジション数が減り、装置のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明にかかる基板処理装置の第１実施例の外観斜視図である。
【図２】第１実施例にかかる基板処理装置の部分切欠拡大図である。
【図３】第１実施例にかかる基板処理装置の概念的平面配置図である。
【図４】図１のＶ−Ｖ線に沿って見た断面図である。
【図５】第１実施例にかかる基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図６】第１実施例にかかる基板処理装置のプロセスフロー図である。
【図７】第１実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図８】第１実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図９】第１実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図１０】第１実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図１１】第１実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図１２】この発明にかかる基板処理装置の第２実施例の外観斜視図である。
【図１３】第２実施例にかかる基板処理装置の断面図である。
【図１４】第２実施例にかかる基板処理装置の概念的平面配置図である。
【図１５】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図１６】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図１７】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図１８】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図１９】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図２０】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図２１】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図２２】第２実施例にかかる基板処理装置の変形例を示す図である。
【図２３】従来の基板処理装置を示す図である。
【図２４】基板処理装置による連続プロセス処理の手順の一例を示す図である。
【符号の説明】
１ 基板
１０，３０ 処理部
２０，４０，５０，１００，２００，３００，４００ 処理部群
ＡＨ 密着強化部
ＣＰ クールプレート
ＣＰ1〜ＣＰ4 クールプレート
ＣＰ21，ＣＰ22，ＣＰ41，ＣＰ51 クールプレート
ＥＥＷ，ＥＥＷA，ＥＥＷB エッジ露光部
ＥＶ1〜ＥＶ4 エレベータ
ＨＰ，ＨＰ21，ＨＰ22，ＨＰ41〜ＨＰ43，ＨＰ51〜ＨＰ53 ホットプレート
ＩＤ インデクサ
ＩＦ インターフェイス
ＲＭ1〜ＲＭ4 循環搬送機構
ＳＣ，ＳＣA，ＳＣB スピンコータ
ＳＤ，ＳＤA，ＳＤB スピンデベロッパ
ＳＰU，ＳＰL フリースペース
ＳＴ１〜ＳＴ５，ＳＴ６Ａ，ＳＴ６Ｂ，ＳＴ７，ＳＴ８Ａ，ＳＴ８Ｂ，ＳＴ９基板受渡し位置
ＴＭL 下部搬送部（第１搬送部）
ＴＭU 上部搬送部（第２搬送部）
ＴＭ 主搬送ロボット
ＴＳ2，ＴＳ4，ＴＳ5 副搬送ロボット
【産業上の利用分野】
この発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用基板などの被処理基板（以下、単に「基板」という）を複数の処理部の間を所定の順序で搬送しながら各処理部で予め定められた単位処理を行うことで、基板に対し一連の連続プロセス処理を施す基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
周知のように基板に対してはレジスト塗布処理やそれに関連する処理など、種々の単位処理が行われるが、それら複数の単位処理を所定の順序で行って基板に対して一連の連続プロセス処理を実行する場合、この連続プロセス処理を自動的に行う基板処理装置が従来より使用されている。この種の基板処理装置としては、例えば図２３に示す基板処理装置がある。
【０００３】
この従来の基板処理装置には、ホットプレートＨＰやクールプレートＣＰなどからなる処理列Ｂ1と、スピンコータＳＣやエッジ露光部ＥＥＷなどからなる処理列Ｂ2とが２列に配置されるとともに、これらの処理列Ｂ1，Ｂ2の両端部にインデクサＩＤおよびインターフェイスＩＦがそれぞれ配置されている。さらに、これら処理列Ｂ1，Ｂ2、インデクサＩＤおよびインターフェイスＩＦに囲まれた搬送通路を走行する単一の搬送ロボットＴＲが設けられ、搬送ロボットＴＲは１枚の基板を支持可能なアームを２本備えることにより基板をある処理部から次の処理部に順送りに搬送可能となっている。
【０００４】
なお、密着強化部ＡＨ、ホットプレートＨＰ、クールプレートＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷ、スピンコータＳＣ、スピンデベロッパＳＤ、インデクサＩＤおよびインターフェイスＩＦにおいて、基板に対する加熱処理、基板への薄膜形成や他の装置との間での基板受渡し処理などの相互に異なる単位処理がそれぞれ実行されるが、この明細書では、これらの各部を統一的に説明する必要がある場合には、必要に応じて当該各部を「処理部」という用語を用いて表現する。また、密着強化部ＡＨおよびホットプレートＨＰでは、基板に対して加熱処理が実行されるため、この種の処理部については、特に他の処理部と区別するために「加熱処理部」と称する。また、クールプレートＣＰでは、基板に冷却処理が実行されるため、特に他の処理部と区別するために「冷却処理部」と称する。さらに、エッジ露光部ＥＥＷ、スピンコータＳＣ、スピンデベロッパＳＤ、インデクサＩＤおよびインターフェイスＩＦなどの処理部のように、加熱処理や冷却処理と関係がない処理部については、「非熱処理部」と称する。
【０００５】
図２４は、上記のように構成された基板処理装置による連続プロセス処理の手順の一例を示す図である。この基板処理装置では、インデクサＩＤに載置されたカセット（図示省略）から未処理の基板を取り出し、搬送ロボットＴＲによって同図の矢印の順序で各処理部に順送りに搬送しながら、各処理部で所定の単位処理を施し、インデクサＩＤに載置された同一あるいは別のカセットに戻すことによって、基板に対する一連の連続プロセス処理が実行される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の基板処理装置により連続プロセス処理を実行するためには、搬送ロボットＴＲが１３個の処理部の間を循環移動する必要があり、各処理部の間を移動に要する時間と各処理部との基板の受渡しに要する時間との合計の平均値を「ＴTr」とすると、搬送ロボットＴＲが一周するのに要する時間、つまり周期Ｔ0は、その時間ＴTrと処理部のポジション数を掛け合わせることによって求まる、つまり（ＴTr×１３）となる。したがって、この装置の最大処理能力はＴO時間当り基板１枚となり、これによって１時間当たりの処理枚数も決定される。
【０００７】
ここで、基板処理装置のスループットを向上させるためには、例えば搬送ロボットＴＲの動作速度などを高める方法もあるが、それは機構上大きな困難を伴い、また一定の限界がある。
【０００８】
また、従来例では、搬送ロボットＴＲはホットプレートＨＰのように基板にベーク処理を行う加熱処理部とスピンコータＳＣのように室温で処理する非熱処理部とのいずれにもアクセスするようになっているため、加熱処理部で暖められた搬送ロボットＴＲのハンドが非熱処理部に差し入れられるだけでなく、常温状態を保つべき段階にある基板をその暖められたハンドで保持することになるため、それによって基板および非熱処理部の温度が部分的に上昇し、その結果として処理の熱的安定性を阻害する原因となっている。
【０００９】
この発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、基板を複数の処理部の間を所定の順序で搬送しながら各処理部で予め定められた単位処理を行うことで、基板に対し一連の連続プロセス処理を施す基板処理装置において、スループットを向上させることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を複数の処理部の間で搬送して該基板に所定の処理を行う基板処理装置において、未処理基板の取り出しおよび処理済み基板の収容を行うインデクサと、前記インデクサから取り出された未処理基板に対してレジスト塗布処理が行われる第１処理部群と、レジスト塗布処理が行われた基板を外部装置に渡すとともに、前記外部装置での露光処理が行われた基板を前記外部装置から受け取るインターフェイスと、前記露光処理が行われた基板に対して現像処理が行われる第２処理部群と、未処理基板を前記インデクサから前記第１処理部群を経て前記インターフェイスにレジスト塗布処理が行われた基板として渡すまでの基板の搬送を担当するレジスト処理用搬送ロボットと、露光処理が行われた基板を前記インターフェイスから前記第２処理部群を経て、前記未処理基板が取り出された前記インデクサに処理済み基板として戻すまでの基板の搬送を担当する現像処理用搬送ロボットと、を備える。
【００１１】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記レジスト処理用搬送ロボットおよび前記現像処理用搬送ロボットのそれぞれに、搬送を分担する複数のロボットを備えている。
【００１２】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記第１処理部群に、レジスト塗布処理部、加熱処理部および冷却処理部を含ませ、前記第２処理部群に、現像処理部、加熱処理部および冷却処理部を含ませている。
【００１３】
【作用】
請求項１の発明では、未処理基板をインデクサからレジスト塗布処理が行われる第１処理部群を経てインターフェイスにレジスト塗布処理が行われた基板として渡すまでの基板の搬送を担当するレジスト処理用搬送ロボットと、露光処理が行われた基板をインターフェイスから現像処理が行われる第２処理部群を経て未処理基板が取り出されたインデクサに処理済み基板として戻すまでの基板の搬送を担当する現像処理用搬送ロボットとが設けられるため、各搬送ロボットが担当する処理部のポジション数が減り、装置のスループットを向上させることができる。
【００１４】
請求項２の発明では、レジスト処理用搬送ロボットおよび現像処理用搬送ロボットのそれぞれが搬送を分担する複数の搬送ロボットを備えるため、各搬送ロボットが担当する処理部のポジション数が大幅に減り、装置のスループットを向上させることができる。
【００１５】
請求項３の発明では、第１処理部群がレジスト塗布処理部、加熱処理部および冷却処理部を含み、第２処理部群が現像処理部、加熱処理部および冷却処理部を含み、各搬送ロボットが担当するレジスト塗布処理部等の処理部のポジション数が減り、装置のスループットを向上させることができる。
【００１６】
【実施例】
以下、この発明にかかる基板処理装置の実施例について詳述するが、実施例の作用および効果を明確にするため、従来例と同一の連続プロセス処理（一枚の基板に対して図２４と同一の順序で各処理部で単位処理を順次実行する）を行う装置および方法に限定して説明する。
【００１７】
Ａ．第１実施例
図１は、この発明にかかる基板処理装置の第１実施例の外観斜視図であり、後述する各図との方向関係を明確にするために、ＸＹＺ直角座標軸が示されている。また、図２は図１の装置の部分切欠拡大図である。さらに、図３は概念的配置図である。なお、Ｚ方向は鉛直方向上向きであり、Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交する方向である。
【００１８】
Ａ−１．第１実施例の装置の構成
まず、この第１実施例にかかる基板処理装置の概要について説明した後、各部の構成について説明する。
【００１９】
この基板処理装置には、図３に示すように、処理部１０，処理部群２０，４０，５０および処理部３０がＸ方向に一列に配置され、これらの処理部１０，３０および処理部群２０，４０，５０の間で主搬送ロボットＴＭが方向Ｘおよび（−Ｘ）に移動し、基板を所望の処理部あるいは処理部群に搬送可能となっている（同図の細線矢印を参照）。また、各処理部群２０，４０，５０には、副搬送ロボットＴＳ2，ＴＳ4，ＴＳ5が設けられており、基板受渡し位置ＳＴ２，ＳＴ４，ＳＴ５で主搬送ロボットＴＭによって搬送されてきた基板を受取り、当該処理部群を構成する処理部間を順次搬送し、さらに当該処理部群における処理部による処理が完了すると、元の位置ＳＴ２，ＳＴ４，ＳＴ５で主搬送ロボットＴＭに基板を渡す（同図の太線矢印を参照）。一方、処理部１０，３０においても、ロボットＴＳ1（図１参照）（処理部３０におけるロボットについては図示を省略している）が設けられており、主搬送ロボットＴＭとの間で基板の受渡しが可能となっている（同図の太線矢印を参照）。このように、この実施例にかかる基板処理装置では、これらのロボットとの連携動作によって基板を図２４と同一の順序で処理部の間を順次搬送しながら、各処理部で所定の単位処理を実行して一連の連続プロセス処理を行う。
【００２０】
次に、図１乃至図４を参照して、処理部１０、主搬送ロボットＴＭ、処理部群２０、処理部３０および処理部群４０，５０の構成について、この順序で説明する。
【００２１】
処理部１０は他の処理ステーションとの間でカセット単位で基板の受渡し処理を行うためのインデクサＩＤを有しており、このインデクサＩＤのカセット台上に基板のロットが収容されたカセットＣＳが他の装置から搬入されるとともに、当該基板処理装置での一連の連続プロセス処理を受けた基板が収容されたカセットＣＳが別の装置に搬出される。また、インデクサＩＤには、カセット台に沿って移動可能なロボットＴＳ1が設けられる。ロボットＴＳ1は、カセットＣＳへの基板の出し入れや、主搬送ロボットＴＭとの間での基板の受け渡しを行う。なお、主搬送ロボットＴＭとの間での基板の受け渡しは処理部１０内の基板受渡し位置ＳＴ1（図３）で行う。
【００２２】
主搬送ロボットＴＭは、図２に示すように、上下二段に配置された上部搬送部ＴＭUと下部搬送部ＴＭLで構成されており、各搬送部ＴＭU，ＴＭLには基板を保持するための３本の支持ピン１０１が立設されている。この主搬送ロボットＴＭの構造について図４を参照しつつ詳述する。
【００２３】
図４は図１のＶ−Ｖ線に沿って見た断面図である。同図において、符号１０２は方向Ｘに伸びるブームであり、装置の基台（図示省略）に固着されている。このブーム１０２の側面部には、同軸方向Ｘに伸びるガイドレール１０３Ｌ，１０３Ｕがそれぞれ固定されている。そして、ガイドレール１０３Ｌには、ブラケット１０４Ｌが摺動自在に設けられ、さらにこのブラケット１０４Ｌに略Ｌ字状の断面形状を有する支持本体１０５Ｌが取り付けられている。このため、下部搬送部ＴＭL用のモータ１０６Ｌを作動させることで、図示を省略する駆動機構によって支持本体１０５Ｌがブラケット１０４Ｌとともに方向Ｘに移動し、支持本体１０５Ｌから立設された支持ピン１０１で保持された基板１を搬送可能となっている。このように、要素１０１，１０２，１０３Ｌ，１０４Ｌ，１０５Ｌによって下部搬送部ＴＭLが構成されており、図３に示すように、処理部１０内の基板受渡し位置ＳＴ１と、処理部群２０の基板受渡し位置ＳＴ２と、処理部３０の基板受渡し位置ＳＴ３との間を移動する。
【００２４】
また、上部搬送部ＴＭUも下部搬送部ＴＭLと同様に構成されており、処理部１０内の基板受渡し位置ＳＴ１と、処理部３０の基板受渡し位置ＳＴ３と、処理部群４０の基板受渡し位置ＳＴ４と、処理部群５０の基板受渡し位置ＳＴ５との間を移動する。なお、その構成は同一であるため、ここでは、図面に相当符号を付して、その説明を省略する。
【００２５】
このように、この実施例では、主搬送ロボットＴＭによる基板の搬送順序が第１搬送順序（処理部１０−処理部群２０−処理部３０）および第２搬送順序（処理部３０−処理部群４０，５０−処理部１０）に分割され、下部搬送部（第１搬送部）ＴＭLが第１搬送順序にしたがって基板を搬送する一方、上部搬送部（第２搬送部）ＴＭUが第２搬送順序にしたがって基板を搬送するように構成されている。
【００２６】
また、図４に示すように、両搬送部ＴＭU，ＴＭLの間には、しきり板１０７が設けられており、下部搬送部ＴＭLによる基板搬送経路と上部搬送部ＴＭUによる基板搬送経路とが相互に仕切られている。
【００２７】
処理部群２０は、２つのホットプレートＨＰ21，ＨＰ22と、２つのクールプレート（冷却部）ＣＰ21，ＣＰ22と、密着強化部ＡＨと、スピンコータ（回転式レジスト塗布装置）ＳＣを有している。これらの要素のうち、ホットプレートＨＰ21，ＨＰ22は、基板１を高温でベーク処理するための加熱処理部であり、図４に示すように、主搬送ロボットＴＭの移動経路上に積層配置される。また、常温付近の所定温度の恒温水が供給されるプレート上に基板を載置して強制冷却させるクールプレート（冷却処理部）ＣＰ21，ＣＰ22と密着強化部（加熱処理部）ＡＨとは、インデクサＩＤと対向しながら、この順序で下から積み重ねられる。さらに、ホットプレートＨＰ21，ＨＰ22と対向してスピンコータＳＣが設けられている。これらの配置により、上方から見ると略コ字を形成している。なお、密着強化部ＡＨの上は、空室となっている。
【００２８】
この略コ字の中心部分に相当する位置に副搬送手段たる副搬送ロボットＴＳ2が配置されている。この副搬送ロボットＴＳ2は、ロボット駆動機構１２１によってＺ方向、即ち上下方向に昇降する（図４の垂直方向の双方向矢印）とともにθ方向への旋回自由度を有している。さらに、互いに独立して進退可能なハンド１２３，１２４が処理部群２０を構成する処理部ＨＰ21，ＨＰ22，ＣＰ21，ＣＰ22，ＡＨ，ＳＣおよび処理部群２０内に設けられた基板受渡し位置ＳＴ２（図３）にアクセスし、基板１の取り出しや載置動作を行う。
【００２９】
処理部３０はインデクサＩＤと反対側に配置されたインターフェイスＩＦで構成されており、循環搬送の途中で基板を外部装置、例えばステッパと受渡しすべく一時的に載置する基板載置台となる。また、このインターフェイスＩＦの近傍には、ロボット（図示省略）が設けられ、処理部３０内の基板受渡し位置ＳＴ３（図３）でインターフェイスＩＦと主搬送ロボットＴＭとの間で基板を受渡す。なお、インターフェイスＩＦに搬送されてきた基板は、他の装置、例えばステッパに送られ、露光処理を受けた後、再度インターフェイスＩＦに戻される。そして、インターフェイスＩＦから主搬送ロボットＴＭに移され、次の処理を行うために処理部群４０あるいは処理部群５０に搬送される。
【００３０】
処理部群４０，５０はともに同一構成をとっている。これは、いわゆる並列処理を行うためである。ここでは、処理部群４０の構成を説明し、処理部群５０の構成については省略する。
【００３１】
処理部群４０は、主搬送ロボットＴＭの搬送経路の上方に配置されたエッジ露光部ＥＥＷAと、相互に積み重ねられたＣＰ41，42，ＨＰ41〜ＨＰ43と、スピンデベロッパ（回転式現像装置）ＳＤAとで構成され、処理部群２０と同様に、これらの要素が上方より見て略コ字状となるように配置されている。また、これらの要素に取り囲まれるようにして副搬送ロボットＴＳ4が設けられている。この副搬送ロボットＴＳ4は、先に説明した副搬送ロボットＴＳ2と同一構成で、上下方向（方向Ｚ）への昇降動作およびθ方向への旋回動作が可能となっており、進退可能なハンドが処理部群４０を構成する処理部ＨＰ41〜ＨＰ43，ＣＰ41，ＣＰ42，ＳＤAおよび処理部群４０内に設けられた基板受渡し位置ＳＴ４（図３）にアクセスし、基板１の取り出しや載置、受渡し動作を行う。
【００３２】
ここで、装置全体での配置を説明すると、図１に示すように、装置の中央部には処理部群２０，４０，５０が並んで配置され、処理部群２０の（−Ｘ）方向側に処理部１０が、処理部群５０のＸ方向側に処理部３０が、それぞれ配置される。装置の前面中央、すなわち処理部群２０，４０，５０の前面側には、スピンコータＳＣ、スピンデベロッパＳＤA，ＳＤBが並んで配置される。処理部１０のロボットＴＳ1の移動経路は処理部１０内でＸ側に位置する。主搬送ロボットＴＭは、ロボットＴＳ1の移動経路に接する位置から装置の背面を通って処理部３０に至る。そして主搬送ロボットＴＭの移動経路上方には処理部群２０，４０，５０のホットプレートＨＰ21、エッジ露光部ＥＥＷA等が配置される。スピンコータＳＣ、スピンデベロッパＳＤA，ＳＤBと主搬送ロボットＴＭの移動経路との間には、各処理部群ごとに、副搬送ロボットＴＳとクールプレートＣＰとが配置される。
【００３３】
図５は図１の装置の電気的構成を示すブロック図である。この装置の制御部６０はコンピュータ６１のほか、このコンピュータ６１にオペレータが指令を与えるための操作部６２と、プロセスの進行状況や異常の発生などをオペレータに伝達するための表示部６３を備えている。また、メモリ６４は、制御プログラムのほか、プロセス制御に必要なデータを記憶している。操作部６２および表示部６３は図１に示すようにインデクサＩＤの正面に設けられている。
【００３４】
さらに、装置各部の状況を検知してコンピュータ６１にその情報を与えるセンサ類６５が、制御部６０に接続されている。また制御部６０からの指令に基づいて各ロボットＴＭ，ＴＳ1，ＴＳ2，…の駆動制御を行うための駆動制御回路６６が設けられている。処理部制御回路６７は、やはり制御部６０からの指令に基づいて各処理部における駆動制御、たとえばホットプレートＨＰ21，ＨＰ22，…における加熱制御や、スピンコータＳＣおよびスピンデベロッパＳＤA，ＳＤBにおける回転制御などを行う。
【００３５】
なお、上記においては、処理部および処理部群の構成について説明したが、この装置は次のような構成上の特徴を有している。
【００３６】
まず、主搬送ロボットＴＭと、処理部１０，３０および処理部群２０，４０，５０との間での基板の受渡しは受渡し用の窓Ｗ1L，Ｗ1U，Ｗ21，…を介して行われる。各窓には、シャッター機構（図示省略）が取り付けられており、基板の受渡し作業中以外はシャッターが降りて循環搬送途中の基板にパーティクルが付着するのを防止している。また、各処理部群２０，４０，５０においても、処理部に受渡し用の窓Ｗ22〜Ｗ26，Ｗ42〜Ｗ46，Ｗ52〜Ｗ56およびシャッター機構が設けられており、各処理部での単位処理途中にパーティクルが基板に付着したり、処理部内の雰囲気が不均一になる等の不具合を防止している。ただし、シャッター機構を設けることは本発明の必須の構成要素ではなく、必要に応じて適宜設ければよい。
【００３７】
また、装置全体から見て、スピンコータＳＣやスピンデベロッパＳＤA，ＳＤBなどの薬液を使用する処理部を装置の前面側、つまり（−Ｙ）方向側に配置しているが、これはメンテナンスのために外部からオペレータがアクセスすることが多いことを考慮したものであり、当該配置によってメンテナンス性が向上する。一方、ホットプレートＨＰ21，ＨＰ22，…やクールプレートＣＰ21，ＣＰ22，…等はメンテナンスのためにオペレータがアクセスする頻度は低いため、装置の中間部や背面部に設けてあってもほとんど問題にならず、これらの場所に集中させることで、それらのメンテナンスが必要となる際にもオペレータの移動が少なくて済み、これにおいても操作性に優れている。さらに、薬液使用処理部はホットプレートＨＰ21，ＨＰ22，…やクールプレートＣＰ21，ＣＰ22，…等とは別の側に配列しているため、十分な環境分離が達成される。
【００３８】
Ａ−２．第１実施例の装置の動作
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について説明する。この装置において、定常状態では、互いに異なる複数の基板が並行に処理されているが、ここでは１枚の基板がどのような順序で搬送され、処理されて行くかに着目して、当該装置の動作特徴について説明する。
【００３９】
図６は、第１実施例にかかる基板処理装置のプロセスフロー図である。同図において、スピンデベロッパＳＤ（ＳＤA，ＳＤB）およびエッジ露光部ＥＥＷ（ＥＥＷA，ＥＥＷB）は順次に搬送されてくる基板を順次に処理部４０と処理部５０とに振り分けて処理するためのものであり、たとえば奇数番目の基板はスピンデベロッパＳＤA側に、偶数番目の基板はスピンデベロッパＳＤB側に与えられる。また、ホットプレートＨＰについては、各処理部群におけるベーク時間に応じて、適宜振り分けて処理する。
【００４０】
(1)インデクサＩＤからの基板取り出し（図７）
まず、ロボットＴＳ1がカセットＣＳから未処理の基板１を１枚取り出し、主搬送ロボットＴＭの下部搬送部ＴＭL上に載置する（同図の太線矢印Ｒ11）。この際、下部搬送部ＴＭLは予め処理部１０の基板受渡し位置ＳＴ１に位置決めされており、制御部６０からの基板取り出しの指令に応答して窓Ｗ1Lに取り付けられたシャッター機構が作動してシャッターを開く。それに続いて、処理部１０内に配置されたロボットＴＳ1が作動してカセットＣＳ内の１枚の基板１をロボットＴＳ1のアーム（図示省略）上に保持し、アームとともに基板をカセットＣＳから窓Ｗ1Lを介して下部搬送部ＴＭL上に移動させる。そして、アームを降下させることで、基板１を下部搬送部ＴＭLに載置する。一方、基板１の取り出しが完了すると、当該アームは後退し、ロボットＴＳ1は元の位置に戻る。
【００４１】
なお、この実施例では、主搬送ロボットＴＭと、処理部１０，３０および処理部群２０，４０，５０との間で基板を受渡しする場合を除いて、窓Ｗ1U，Ｗ1L，…のシャッターを閉じる。すなわち、基板受渡しを行う直前にシャッターを開いて基板の受渡しを可能とする一方、基板の受渡しが完了すると、直ちにシャッターを閉じる。このため、パーティクルの侵入などを効果的に防止することができる。
【００４２】
このようにしてインデクサＩＤからの基板の取り出しが完了すると、下部搬送部ＴＭLが基板１を載置したままの状態で次の処理（レジスト塗布処理）を行う処理部群２０の基板受渡し位置ＳＴ２まで移動する（同図の細線矢印ｒ12）。
【００４３】
(2)スピンコータＳＣによるレジスト塗布処理（図８）
次に、処理部群２０に未処理の基板が搬送されてくると、窓Ｗ21のシャッターが開き、この窓Ｗ21を介して副搬送ロボットＴＳ2が下部搬送部ＴＭLから受け取る（同図の太線矢印Ｒ21）。ここで、副搬送ロボットＴＳ2のハンド１２３，１２４のいずれもが基板を保持していない場合、副搬送ロボットＴＳ2は窓Ｗ21の前方の高さまで昇降移動し、空状態のハンド１２４を窓Ｗ21を介して主搬送経路側に差し込んで下部搬送部ＴＭL上の基板１を保持した後、基板１を保持したままで当該ハンドを後退させて取り出す（以下「受取り動作」という）。
【００４４】
基板１を受け取った副搬送ロボットＴＳ2は、さらに処理部群２０を構成する各処理部と基板１の受渡し（同図の太線矢印Ｒ22，Ｒ23）を繰り返すことで密着強化部ＡＨ、クールプレートＣＰ21、スピンコータＳＣ、ホットプレートＨＰ21（あるいはホットプレートＨＰ22）およびクールプレートＣＰ22の順序で搬送する。
【００４５】
ここで、もし処理部にすでに基板が存在するときには、次のようにして基板の「交換動作」を行う。例えば、図４に示すように、副搬送ロボットＴＳ2の第１のハンド１２３が第１の基板を保持しており、その第１の基板をホットプレートＨＰ21に載置するとともに、既にこのホットプレートＨＰ21での処理を完了した第２の基板をこのホットプレートＨＰ21から取り出す場合を考える。この場合、副搬送ロボットＴＳ2はホットプレートＨＰ21の窓Ｗ22の前まで移動し、空状態の第２のハンド１２４をホットプレートＨＰ21に差し込んで第２の基板を保持して取り出す。その後、第１のハンド１２３をホットプレートＨＰ21へ差し込み、それが保持していた第１の基板をホットプレートＨＰ21へ載置する。これよって第１と第２の基板の「交換」が達成される。このような交換ではなく、「取り出し」または「載置」のみを行う場合には、これらの動作のうちの一方だけでよく、これらの動作をそれぞれ以下「取り出し動作」および「載置動作」と称する。
【００４６】
このように副搬送ロボットＴＳ2は、処理部との間で「交換」、「取り出し」あるいは「載置」を行うことで基板１を処理部の間で搬送するとともに、各処理部が搬送されてきた基板に対して所定の単位処理を行うことによって、基板１の表面にレジスト膜が形成される（レジスト塗布処理）。
【００４７】
次に、レジスト塗布処理を受けた基板１については、副搬送ロボットＴＳ2が「受取り動作」とは逆の動作（以下「払い出し動作」という）により基板受渡し位置ＳＴ２に位置する下部搬送部ＴＭL上に載置する（図８の太線矢印Ｒ24）。
【００４８】
それに続いて、下部搬送部ＴＭLは、レジスト膜が形成された基板１を保持したまま次の処理部３０の基板受渡し位置ＳＴ３に移動する（同図の細線矢印ｒ23）。
【００４９】
(3)インターフェイスＩＦでの基板の受渡し（図９）
この処理部３０では、インターフェイスＩＦに近接して設けられたロボット（図示省略）が窓Ｗ3Lの手前まで移動し、当該ロボットのアームを、シャッターが開いた窓Ｗ3Lを介して下部搬送部ＴＭL側に伸ばし、下部搬送部ＴＭL上の基板１を受け取る。そして、この基板１を保持したままでアームを後退させ、インターフェイスＩＦ上に載置する（同図の太線矢印Ｒ31）。一方、下部搬送部ＴＭLは、処理部３０への基板１の搬送後、処理部１０の基板受渡し位置ＳＴ１に移動し（同図の細線矢印ｒ31）、次の基板の取り出し処理（上記(1)の処理）に備える。
【００５０】
こうしてインターフェイスＩＦに載置された基板１は別の搬送機構によって外部装置（ステッパ）に搬送され、露光処理を受ける。
【００５１】
露光処理が完了すると、その基板はインターフェイスＩＦに戻される。そして、上記ロボットがその基板をアームで支持し、シャッターが開いた窓Ｗ3Uを介してそのアームを基板受渡し位置ＳＴ３側に伸ばす。基板受渡し位置ＳＴ３には予め上部搬送部ＴＭUが待機しており、上記ロボットは、上部搬送部ＴＭU上に基板１を載置した後、元に戻る（同図の太線矢印Ｒ32）。
【００５２】
それに続いて、上部搬送部ＴＭUは、露光処理が完了した基板１を保持したまま次の処理部群４０の基板受渡し位置ＳＴ４に移動する（同図の細線矢印ｒ34）。なお、この実施例では、次の処理である現像処理を処理部群４０，５０で交互に行うようにしているため、次の基板に対して現像処理を行う場合には、処理部群４０ではなく、処理部群５０の基板受渡し位置ＳＴ５に移動する。
【００５３】
(4)スピンデベロッパＳＤによる現像処理（図１０）
この処理部群４０では、副搬送ロボットＴＳ4が処理部群２０での基板１の「受取り動作」と同様に動作し、上部搬送部ＴＭU上の基板１を窓Ｗ41を介して受け取る（同図の太線矢印Ｒ41）。そして、基板１を受け取った副搬送ロボットＴＳ4は上述した「交換動作」、「取り出し動作」あるいは「載置動作」によって処理部群４０を構成する各処理部と基板１の受渡し（同図の太線矢印Ｒ42，Ｒ43）を繰り返すことで、エッジ露光部ＥＥＷA、ホットプレートＨＰ41、クールプレートＣＰ41、スピンデベロッパＳＤA、ホットプレートＨＰ42（あるいはホットプレートＨＰ43）およびクールプレートＣＰ42の順序で搬送する。
【００５４】
このように副搬送ロボットＴＳ4により基板１を処理部の間で搬送することにより、基板１の現像処理が実行される（現像処理）。
【００５５】
次に、現像処理を受けた基板１については、副搬送ロボットＴＳ4が「払い出し動作」により基板受渡し位置ＳＴ４に位置する上部搬送部ＴＭU上に載置する（同図の太線矢印Ｒ44）。
【００５６】
それに続いて、上部搬送部ＴＭUは、現像処理が完了した基板１を保持したまま最初の処理部１０の基板受渡し位置ＳＴ１に移動する（同図の細線矢印ｒ41）。
【００５７】
(5)インデクサＩＤへの基板搬出（図１１）
次に、ロボットＴＳ1のアームが、シャッターが開いた窓Ｗ1Uを介して基板受渡し位置ＳＴ１の上部搬送部ＴＭU上に移動し、基板１を保持する。そして、この基板１を保持したままで処理部１０側に戻り、さらに所定のカセットＣＳに一連の連続プロセス処理を受けた当該基板１を収容する（同図の太線矢印Ｒ12）。
【００５８】
そして、カセットＣＳへの基板１の収容が完了すると、上部搬送部ＴＭUは、次の露光処理が完了した基板を受け取るために、基板受渡し位置ＳＴ３に移動する（同図の細線矢印ｒ13）。これにより、図７の状態に戻り、上記(1)〜(5)の動作を繰り返すことで、基板を連続的に処理することができる。
【００５９】
なお、以上の説明においては、１枚の基板が搬送される順序のみに着目して説明したが、装置が定常状態で稼働しているときには、副搬送ロボットＴＳ2，ＴＳ4，ＴＳ5は、各処理部群内において、各処理部と基板受渡し位置との間で上述した「交換動作」を繰り返し、複数の基板を順送りに循環搬送しつつ、それらを同時に処理する。
【００６０】
Ａ−３．第１実施例の装置の効果
この第１実施例では、予め決められた一連の連続プロセス処理（図２４の連続プロセス処理）の一部を構成する連続する複数の単位処理をそれぞれ実行するための複数の処理部からなる処理部群、
(1)密着強化部ＡＨ、クールプレートＣＰ、スピンコータＳＣおよびホットプレートＨＰを含む処理部群２０；
(2)エッジ露光部ＥＥＷ、ホットプレートＨＰ、クールプレートＣＰ、スピンデベロッパＳＤを含む処理部群４０，５０；
を形成し、各処理部１０，３０および処理部群２０，４０，５０にそれぞれ設けられた基板受渡し位置ＳＴ１，ＳＴ３，ＳＴ２，ＳＴ４，ＳＴ５の間を主搬送ロボットＴＭによって基板を搬送するとともに、各処理部群２０，４０，５０においては副搬送ロボットＴＳ2，ＴＳ4，ＴＳ5によって処理部および基板受渡し位置の間を循環搬送することで、図２４と同一の連続プロセス処理を実行している。このため、図２３の従来例と比べ、各搬送ロボットが担当する処理部のポジション数が大幅に減り、装置のスループットを向上させることができる。
【００６１】
また、この実施例では、主搬送ロボットにより基板を各処理部群の基板受渡し位置に搬送し、当該基板受渡し位置で副搬送ロボットが主搬送ロボットから基板を受取り、処理部群内を循環搬送するようにしているので、各処理部群によって基板に対して独自に処理を行うことができるのに加えて、その間に主搬送ロボットにより他の基板を搬送することができる。このため、例えば処理部群２０でレジスト塗布処理のための最適条件を検証している最中に、別の処理部群４０で現像処理を行うことができ、装置全体の稼動効率を高めることができる。
【００６２】
また、主搬送ロボットと副搬送ロボットとが各基板受渡し位置で直接基板の受渡しを行うため、例えば基板受渡し位置に基板を一時的に載置する構成（インターフェイスＩＦに相当する構成）を設け、当該構成を介して間接的に基板の受渡しを行う場合に比べて装置サイズを小さくすることができる。
【００６３】
また、この実施例では、主搬送ロボットＴＭを上部および下部搬送部ＴＭU，ＴＭLで構成するとともに、両搬送部ＴＭU，ＴＭLを図４に示すように、しきり板１０７により下部搬送部ＴＭLによる基板搬送経路と上部搬送部ＴＭUによる基板搬送経路とを相互に区切っているため、基板が一方の搬送経路を搬送されている時に、他の搬送経路の雰囲気の影響を受けるのを防止することができる。特に、最近のレジスト材料は雰囲気に敏感であり、例えばレジスト塗布処理を受けた基板が下部搬送部ＴＭLにより搬送されている最中に、アルカリ雰囲気が混入すると、レジスト材料の感度などの特性が劣化するという問題が生じるが、この実施例によれば、この問題を発生させることなく、基板を搬送することができる。
【００６４】
さらに、上記のように構成された基板処理装置では、基板受渡し位置ＳＴ１〜ＳＴ５は同一水平面（ＸＹ平面）に設けられており、主搬送ロボットＴＭの上部搬送部ＴＭU、下部搬送部ＴＭLは方向Ｘにのみ移動自在であればよく、上下方向の移動自由度は不要であることから、主搬送ロボットＴＭの上部搬送部ＴＭU、下部搬送部ＴＭLの移動はそれぞれが一直線上で往復するのみでよく、２次元的な移動のための大きな駆動機構は不要である。そのため、主搬送ロボットＴＭの移動経路の直上および直下位置に、フリースペースＳＰU，ＳＰL（図４）が存在する。そこで、この実施例では、直上のフリースペースＳＰUにホットプレートＨＰやクールプレートＣＰなどの処理部を配置することができ、装置全体のコンパクト化を図ることができる。また、直下空間ＳＰLにも、必要に応じて、例えばスピンコータＳＣやスピンデベロッパＳＤなどに必要となる薬液の貯留や圧送のための配管等（図示は省略）を配置することができる。当該配置により、フリースペースＳＰUへの処理部の配置と同様に、装置をコンパクトにすることができる。
【００６５】
Ａ−４．第１実施例の変形例
上記第１実施例では、主搬送ロボットＴＭを上部および下部搬送部ＴＭU，ＴＭLで構成しているが、単一の搬送部によって主搬送ロボットＴＭを構成してもよい。
【００６６】
また、この実施例では、主搬送ロボットＴＭは１方向（方向Ｘ）にのみ移動自在な構成を有しているが、基板受渡し位置ＳＴ１〜ＳＴ５の間を移動することができる構成であれば、特に限定されるものではなく、方向Ｘのみならず方向Ｙにも２次元移動可能な構成や、さらに方向Ｚにも移動自由度を有する構成であってもよい。なお、この実施例では基板の受渡しのために副搬送ロボットが昇降しているが、主搬送ロボットＴＭの上部搬送部ＴＭU、下部搬送部ＴＭLを若干昇降させる構成であってもよい。この場合も、そのための昇降は基板の受け渡しのためのごくわずかな昇降でよいので、この場合でも、ほぼ同様のフリースペースＳＰU、ＳＰLを形成し得る。
【００６７】
さらに、上記実施例では、主搬送ロボットＴＭを構成する上部および下部搬送部ＴＭU，ＴＭLはそれぞれ１枚の基板しか載置できないタイプの搬送機構であるが、副搬送ロボットＴＳ2のように２つのハンドを有する、いわゆるダブルアーム・タイプを採用してもよい。
【００６８】
Ｂ．第２実施例
図１２は、この発明にかかる基板処理装置の第２実施例の外観斜視図であり、また図１３は図１２の装置の断面図であり、さらに図１４は概念的配置図である。
【００６９】
Ｂ−１．第２実施例の装置の構成
この第２実施例にかかる基板処理装置には、図１２に示すように、その装置の前面側に、スピンコータＳＣ、２台のエッジ露光部ＥＥＷA，ＥＥＷBおよび２台のスピンデベロッパＳＤA，ＳＤBがＸ方向に一列に配置されて処理部列Ｃを構成するとともに、当該処理部列Ｃの両端側にインデクサＩＤおよびインターフェイスＩＦがそれぞれ配置されている。また、装置の背面側に、エレベータＥＶ1，ＥＶ2，ＥＶ3，ＥＶ4（詳しくは後述する）が配置される。そして、このエレベータＥＶ1，ＥＶ2，ＥＶ3，ＥＶ4と処理部列Ｃとの間に、この処理部列Ｃの長手方向（方向Ｘ）に沿って主搬送ロボットＴＭが移動自在に設けられている。この主搬送ロボットＴＭの移動経路上に処理部群２００，３００が設けられ、さらに処理部群２００，３００の上に処理部群１００，４００がそれぞれ配置されて、３層構造となっている（図１４）。すなわち、インデクサＩＤ、スピンコータＳＣ、エッジ露光部ＥＥＷA，ＥＥＷB、スピンデベロッパＳＤA，ＳＤBおよびインターフェイスＩＦで第１層が形成され、また処理部群２００，３００で第２層が形成され、さらに処理部群１００，４００で第３層が形成されている。
【００７０】
主搬送ロボットＴＭは、第１実施例の副搬送ロボットＴＳ2（図４）の機能に加えて、Ｘ方向への移動可能な構成となっている。すなわち、エレベータＥＶ1，ＥＶ2，ＥＶ3，ＥＶ4と処理部列Ｃとの間にＸ方向にのびたガイドレール（図示せず）が設けられ、第１実施例の副搬送ロボットＴＳ2の構成がそのガイドレールに案内することにより、主搬送ロボットＴＭは、Ｘ，Ｚ方向への移動自由度およびθ方向への旋回自由度を有し、さらに互いに独立して進退可能なハンド１２３，１２４を備えている。このため、主搬送ロボットＴＭは、図１４に示すように、インデクサＩＤ、スピンコータＳＣ、エッジ露光部ＥＥＷA、ＥＥＷB、スピンデベロッパＳＤA，ＳＤB、およびインターフェイスＩＦの間で方向Ｘおよび（−Ｘ）に移動し、基板を所望の処理部あるいは処理部群に搬送可能である。また更に、主搬送ロボットＴＭは、基板を所望のエレベータＥＶ1，ＥＶ2，ＥＶ3，ＥＶ4とも受渡し可能であり、それらを介して所望の処理部群１００，２００，３００，４００との間で搬送可能となっている。
【００７１】
インデクサＩＤは他の処理ステーションとの間でカセット単位で基板の受渡し処理を行う処理部であり、このインデクサＩＤを介して、基板のロットが収容されたカセットＣＳの搬入と、当該基板処理装置での一連の連続プロセス処理を受けた基板が収容されたカセットＣＳの搬出とがそれぞれ行われる。また、インデクサＩＤには、カセット台に沿って移動可能なロボットＴＳ1が設けられる。ロボットＴＳ1は、カセットＣＳへの基板の出し入れや、主搬送ロボットＴＭとの間での基板の受け渡しを行う。なお、主搬送ロボットＴＭとの間での基板の受け渡しはインデクサＩＤ近傍の基板受け渡し位置ＳＴ1（図１４）で行う。
【００７２】
処理部群１００は、図１２に示すように、密着強化部ＡＨとクールプレートＣＰ1を有しており、後述するエレベータＥＶ1の上昇端位置（図１３の２点鎖線）で同一高さ位置Ｈ3となるように配置されている。このエレベータＥＶ1は、第１層内の基板受渡し位置ＳＴ２（高さ位置Ｈ1）と第３層内の上昇端位置（高さ位置Ｈ3）との間を往復自在で、基板受渡し位置ＳＴ２で主搬送ロボットＴＭから基板を受け取った後、基板を保持したままで上昇端位置まで上昇することができる。
【００７３】
一方、処理部群１００内には、３本のアームＡＲを有し、これらのアームＡＲを同時にθ方向に回転させる循環搬送機構ＲＭ1が設けられている。このため、エレベータＥＶ1により基板が上昇端位置に搬送され、アームＡＲへの基板の受渡しが行われた後、アームＡＲを所定角度だけ回転させることで、基板を密着強化部ＡＨ、クールプレートＣＰ1および元の位置の順序で循環搬送することができ、基板に対して密着強化部ＡＨおよびクールプレートＣＰ1による単位処理を施すことができる。
【００７４】
密着強化処理および冷却処理を受けた基板については、エレベータＥＶ1と循環搬送機構ＲＭ1との協働によって元の位置（図１４の点線位置）でアームＡＲからエレベータＥＶ1への受渡しが行われた後、エレベータＥＶ1が第１層内の基板受渡し位置ＳＴ２に降下する。このように、この第２実施例では、エレベータＥＶ1と循環搬送機構ＲＭ1により、処理部群１００を構成する処理部（密着強化部ＡＨとクールプレートＣＰ1）と、基板受渡し位置ＳＴ２との間で基板を搬送する副搬送手段が構成されている。
【００７５】
スピンコータＳＣに対する基板の受渡しは基板受渡し位置ＳＴ３で主搬送ロボットＴＭによって行われる。なお、エッジ露光部ＥＥＷA，ＥＥＷBおよびスピンデベロッパＳＤA，ＳＤBについても、スピンコータＳＣと同様に、それぞれ所定の基板受渡し位置ＳＴ６Ａ，ＳＴ６Ｂ，ＳＴ８Ａ，ＳＴ８Ｂで主搬送ロボットＴＭにより基板が搬入され、また搬出される。
【００７６】
処理部群２００は、図１４に示すように、２つのホットプレートＨＰ21，ＨＰ22とクールプレートＣＰ2を有しており、後述するエレベータＥＶ2の上昇端位置（同図の点線位置）で同一高さ位置Ｈ2（図１３）となるように配置されている。また、このエレベータＥＶ2は、第１層内の基板受渡し位置ＳＴ２（高さ位置Ｈ1）と第２層内の上昇端位置（高さ位置Ｈ2）との間を往復自在となっている。さらに、処理部群２００内には、４本のアームＡＲを有し、これらのアームＡＲを同時にθ方向に回転させる循環搬送機構ＲＭ2が設けられている。このため、処理部群１００と同様に、基板を主搬送ロボットＴＭから受け取ったエレベータＥＶ2が上昇端位置まで上昇し、アームＡＲへの基板の受渡しが行われた後、アームＡＲを所定角度だけ回転させることで、基板をホットプレートＨＰ21，ＨＰ22、クールプレートＣＰ2および元の位置の順序で循環搬送しながら、各処理部で所定の単位処理を施すことができる。そして、エレベータＥＶ2が循環搬送機構ＲＭ2と協働して、処理を受けた基板をアームＡＲから受け取った後、第１層内の基板受渡し位置ＳＴ２にまで降下する。このように、この処理部群では、エレベータＥＶ2と循環搬送機構ＲＭ2により、処理部群２００を構成する処理部（ホットプレートＨＰ21，ＨＰ22とクールプレートＣＰ2）と、基板受渡し位置ＳＴ４との間で基板を搬送する副搬送手段が構成されている。
【００７７】
処理部群３００は処理部群２００と同様に構成されている。すなわち、処理部群３００は２つのホットプレートＨＰ31，ＨＰ32とクールプレートＣＰ3を有する。また第１層と第２層との間で昇降するエレベータＥＶ3と、ホットプレートＨＰ31，ＨＰ32、クールプレートＣＰ3およびエレベータＥＶ3の上昇端位置（図１４の点線位置）の間で基板を循環搬送する循環搬送機構ＲＭ3とで副搬送手段が形成されている。そして、基板受渡し位置ＳＴ７でエレベータＥＶ3が主搬送ロボットＴＭから基板を受取り、上昇端位置まで上昇した後、循環搬送機構ＲＭ3がホットプレートＨＰ31，ＨＰ32およびクールプレートＣＰ3の間で基板を循環搬送して、ホットプレートＨＰ31，ＨＰ32によるベーク処理およびクールプレートＣＰ3による冷却処理を行う。それに続いて、エレベータＥＶ3が循環搬送機構ＲＭ3のアームＡＲから基板を受取り、第１層の基板受渡し位置ＳＴ７まで降下する。
【００７８】
処理部群４００は、単位処理部の構成、つまり３つのホットプレートＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43とクールプレートＣＰ4を有している点を除いて、処理部群１００と同様の構成である。すなわち、第１層と第３層との間を昇降するエレベータＥＶ4と、ホットプレートＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43、クールプレートＣＰ4およびエレベータＥＶ4の上昇端位置（図１４の点線位置）の間で基板を循環搬送する循環搬送機構ＲＭ4とで副搬送手段が形成されている。そして、基板受渡し位置ＳＴ９でエレベータＥＶ4が主搬送ロボットＴＭから基板を受取り、第３層の上昇端位置まで上昇した後、循環搬送機構ＲＭ4がホットプレートＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43およびクールプレートＣＰ4の間で基板を循環搬送して、ホットプレートＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43によるベーク処理およびクールプレートＣＰ4による冷却処理を行う。それに続いて、エレベータＥＶ4が循環搬送機構ＲＭ4のアームＡＲから基板を受取り、第１層の基板受渡し位置ＳＴ９まで降下する。
【００７９】
なお、この実施例において、処理部群２００，３００では２つのホットプレートを設けているのに対し、処理部群４００では３つのホットプレートを設けているが、このホットプレート数の相違は各処理部群で必要となるベーク処理時間の相違に起因するものであり、各処理部群で必要となるベーク処理時間に応じて必要数を設ければよい。
【００８０】
インターフェイスＩＦは、基板を外部装置、例えばステッパと受渡しすべく一時的に載置する基板載置台として機能し、このインターフェイスＩＦの近傍にロボット（図示省略）が設けられ、主搬送ロボットＴＭと協働して基板受渡し位置ＳＴ５で主搬送ロボットＴＭと基板の受渡しを行う。
【００８１】
なお、第２実施例にかかる基板処理装置の電気的構成については、第１実施例のそれとほぼ同一であるため、ここでは、その構成の説明については省略する。
【００８２】
また、基板の搬送経路、例えば主搬送ロボットＴＭとエレベータＥＶ1との間には、適宜、窓Ｗが設けられるとともに、シャッター機構が取り付けられ、第１実施例と同様に、制御部６０からの指令にしたがって開閉制御される。
【００８３】
Ｂ−２．第２実施例の装置の動作
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について、第１実施例の場合と同様に、１枚の基板がどのような順序で搬送され、処理されて行くかに着目して、当該装置の動作特徴について説明する。
【００８４】
図１５は、第１実施例にかかる基板処理装置のプロセスフロー図である。同図において、「ＨＰ2」はホットプレートＨＰ21，ＨＰ22により行われる連続ベーク処理を示すものであり、「ＨＰ3」はホットプレートＨＰ31，ＨＰ32により行われる連続ベーク処理を示すものであり、「ＨＰ4」はホットプレートＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43により行われる連続ベーク処理を示すものである。
【００８５】
(1)インデクサＩＤからの基板取り出し（図１６）
まず、カセットＣＳから未処理の基板を１枚取り出し、基板受渡し位置ＳＴ１に位置する主搬送ロボットＴＭの一方のハンド上に載置する（同図の矢印Ｒ101）。この実施例では、ロボットＴＳ1と主搬送ロボットＴＭとが協働して基板の受渡しを行う。
【００８６】
このようにしてインデクサＩＤから主搬送ロボットＴＭへの基板の取り出しが完了すると、主搬送ロボットＴＭが基板１をハンドに載置したままの状態で基板受渡し位置ＳＴ２まで移動する（同図の矢印Ｒ102）。
【００８７】
(2)処理部群１００による密着強化処理（図１７）
次に、処理部群１００の基板受渡し位置ＳＴ２に未処理の基板が搬送されてくると、主搬送ロボットＴＭのハンドがエレベータＥＶ1側に伸びて基板をエレベータＥＶ1上に載置する（同図の矢印Ｒ103）。そして、エレベータＥＶ1が基板を載置したままの状態で上昇端位置（同図の点線位置）まで上昇した（同図の矢印Ｒ104）後、循環搬送機構ＲＭ1の１つのアームＡＲが基板を受け取る。それに続いて、循環搬送機構ＲＭ1が駆動され、基板を密着強化部ＡＨおよびクールプレートＣＰ1の順序で搬送する（同図の矢印Ｒ105，Ｒ106）。この基板搬送とともに、密着強化部ＡＨで密着強化処理が実行された後、クールプレートＣＰ1で室温程度にまで冷却される。さらに、循環搬送機構ＲＭ1が駆動されて（同図の矢印Ｒ107）、処理部群１００における処理を受けた基板が元の位置（エレベータＥＶ1の上昇端位置：同図の点線位置）に戻り、エレベータＥＶ1が当該基板を受け取る。その後、エレベータＥＶ1は基板を保持したままで基板受渡し位置ＳＴ２に移動する（同図の矢印Ｒ108）。こうして、処理部群１００内で基板を循環搬送しながら、基板に対して密着強化処理を施すことができる。
【００８８】
主搬送ロボットＴＭは、この基板受渡し位置ＳＴ２でエレベータＥＶ1から基板をハンド上に受取り（同図の矢印Ｒ109）、さらに次の基板受渡し位置ＳＴ３に移動する（同図の矢印Ｒ110）。
【００８９】
(3)スピンコータＳＣでのレジスト塗布処理および処理部群２００でのベーク処理（図１８）
次に、基板受渡し位置ＳＴ３で主搬送ロボットＴＭが基板をスピンコータＳＣのスピンチャック（図示省略）上に載置する（同図の矢印Ｒ111）。そして、スピンコータＳＣが動作して基板の表面にレジスト膜を形成する（レジスト塗布処理）。
【００９０】
レジスト塗布処理が完了すると、主搬送ロボットＴＭが再度スピンコータＳＣ側に伸びてスピンコータＳＣから基板を受け取った（同図の矢印Ｒ112）後、当該基板を保持したままで処理部群２００との間で基板の受渡しを行う基板受渡し位置ＳＴ４に移動する（同図の矢印Ｒ113）。
【００９１】
そして、処理部群１００における基板搬送の手順と同様にして搬送されてきた基板を循環搬送しながらホットプレートＨＰ21，ＨＰ22によるベーク処理およびクールプレートＣＰ2による冷却処理を行う。すなわち、主搬送ロボットＴＭおよび副搬送手段（エレベータＥＶ2＋循環搬送機構ＲＭ2）が以下の手順で基板を搬送する。
【００９２】
・主搬送ロボットＴＭからエレベータＥＶ2への基板の載置（矢印Ｒ114）
・エレベータＥＶ2の上昇（矢印Ｒ115）
・エレベータＥＶ2からホットプレートＨＰ21への移載（矢印Ｒ116）
・ホットプレートＨＰ21からホットプレートＨＰ22への移載（矢印Ｒ117）
・ホットプレートＨＰ22からクールプレートＣＰ2への移載（矢印Ｒ118）
・クールプレートＣＰ2からエレベータＥＶ2への移載（矢印Ｒ119）
・エレベータＥＶ2の降下（矢印Ｒ120）
・エレベータＥＶ2から主搬送ロボットＴＭへの基板の受取り（矢印Ｒ121）
処理部群２００での処理を受けた基板を受け取った主搬送ロボットＴＭは、インターフェイスＩＦとの間で基板の受渡しを行うために、基板受渡し位置ＳＴ５に移動する（同図の矢印Ｒ122）。
【００９３】
(4)インターフェイスＩＦでの基板の受渡し（図１９）
基板受渡し位置ＳＴ５で、主搬送ロボットＴＭのハンドがインターフェイスＩＦ側に伸び、インターフェイスＩＦの近傍に設けられたロボット（図示省略）と協働してハンドに保持されている基板をインターフェイスＩＦ上に載置する（同図の矢印Ｒ123）。
【００９４】
こうしてインターフェイスＩＦに載置された基板は別の搬送機構によって外部装置（ステッパ）に搬送され、露光処理を受けた後、インターフェイスＩＦに戻される。露光処理が完了した基板がインターフェイスＩＦに戻されると、主搬送ロボットＴＭと上記ロボットが協働して、基板をインターフェイスＩＦから主搬送ロボットＴＭのハンドに移載する（同図の矢印Ｒ124）。
【００９５】
それに続いて、主搬送ロボットＴＭは、露光処理が完了した基板を保持したまま基板受渡し位置ＳＴ６Ａに移動する（同図の矢印Ｒ125）。なお、この実施例においても、第１実施例と同様に、次の処理であるエッジ露光処理をエッジ露光部ＥＥＷA，ＥＥＷBで交互に行うようにしているため、次の基板に対してエッジ露光処理を行う場合には、もう一方の基板受渡し位置ＳＴ６Ｂに移動する。
【００９６】
(5)エッジ露光部ＥＥＷによるエッジ露光処理および処理部群３００によるベーク処理（図２０）
基板受渡し位置ＳＴ６Ａでは、主搬送ロボットＴＭが、そのハンドをエッジ露光部ＥＥＷAに伸ばし、基板を載置する（同図の矢印Ｒ126）。それに続いて、エッジ露光部ＥＥＷAが作動して、当該基板にエッジ露光処理を施す。こうしてエッジ露光処理を受けた基板を主搬送ロボットＴＭがエッジ露光部ＥＥＷAから取り出す（同図の矢印Ｒ127）。
【００９７】
次に、主搬送ロボットＴＭは当該基板を保持したままで基板受渡し位置ＳＴ７まで移動する（同図の矢印Ｒ128）。そして、処理部群１００，２００における基板搬送の手順と同様にして搬送されてきた基板を循環搬送しながらホットプレートＨＰ31，ＨＰ32によるベーク処理およびクールプレートＣＰ3による冷却処理を行う。なお、搬送の手順は以下の通りである。
【００９８】
・主搬送ロボットＴＭからエレベータＥＶ3への基板の載置（矢印Ｒ129）
・エレベータＥＶ3の上昇（矢印Ｒ130）
・エレベータＥＶ3からホットプレートＨＰ31への移載（矢印Ｒ131）
・ホットプレートＨＰ31からホットプレートＨＰ32への移載（矢印Ｒ132）
・ホットプレートＨＰ32からクールプレートＣＰ3への移載（矢印Ｒ133）
・クールプレートＣＰ3からエレベータＥＶ3への移載（矢印Ｒ134）
・エレベータＥＶ3の降下（矢印Ｒ135）
・エレベータＥＶ3から主搬送ロボットＴＭへの基板の受取り（矢印Ｒ136）
処理部群３００での処理を受けた基板を受け取った主搬送ロボットＴＭは、次の現像処理を行うために、基板受渡し位置ＳＴ８Ａに移動する（同図の矢印Ｒ137）。なお、この実施例においても、第１実施例と同様に、次の処理である現像処理をスピンデベロッパＳＤA，ＳＤBで交互に行うようにしているため、次の基板に対して現像処理を行う場合には、もう一方の基板受渡し位置ＳＴ８Ｂに移動する。
【００９９】
(6)スピンデベロッパＳＤによる現像処理、処理部群４００によるベーク処理およびインデクサＩＤへの基板搬出（図２１）
基板受渡し位置ＳＴ８Ａで、主搬送ロボットＴＭはスピンデベロッパＳＤAに基板を載置する（同図の矢印Ｒ138）。それに続いて、スピンデベロッパＳＤAが作動し、当該基板への現像処理が実行される。こうして現像処理を受けた基板を主搬送ロボットＴＭがスピンデベロッパＳＤAから取り出す（同図の矢印Ｒ139）。
【０１００】
次に、主搬送ロボットＴＭは当該基板を保持したままで基板受渡し位置ＳＴ９まで移動する（同図の矢印Ｒ140）。そして、処理部群１００，２００，３００における基板搬送の手順と同様にして搬送されてきた基板を循環搬送しながらホットプレートＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43によるベーク処理およびクールプレートＣＰ4による冷却処理を行う。なお、搬送の手順は以下の通りである。
【０１０１】
・主搬送ロボットＴＭからエレベータＥＶ4への基板の載置（矢印Ｒ141）
・エレベータＥＶ4の上昇（矢印Ｒ142）
・エレベータＥＶ4からホットプレートＨＰ41への移載（矢印Ｒ143）
・ホットプレートＨＰ41からホットプレートＨＰ42への移載（矢印Ｒ144）
・ホットプレートＨＰ42からホットプレートＨＰ43への移載（矢印Ｒ145）
・ホットプレートＨＰ43からクールプレートＣＰ4への移載（矢印Ｒ146）
・クールプレートＣＰ4からエレベータＥＶ4への移載（矢印Ｒ147）
・エレベータＥＶ4の降下（矢印Ｒ148）
・エレベータＥＶ4から主搬送ロボットＴＭへの基板の受取り（矢印Ｒ149）
処理部群４００での処理を受けた基板を受け取った主搬送ロボットＴＭは基板受渡し位置ＳＴ１に移動し（同図の矢印Ｒ150）、インデクサＩＤに設けられたロボットＴＳ1と協働して上記一連の処理を受けた基板をカセットＣＳに収容する（同図の矢印Ｒ151）。
【０１０２】
なお、上記(1)〜(6)の動作を繰り返すことで、基板を連続的に処理することができる。この実施例の説明においても、１枚の基板が搬送される順序のみに着目して説明したが、装置が定常状態で稼働しているときには、主搬送ロボットＴＭは、各処理部群あるいは処理部に対して、各基板受渡し位置において基板の「交換動作」を繰り返し、複数の基板を順送りに循環搬送しつつ、それらを同時に処理する。
【０１０３】
Ｂ−３．第２実施例の装置の効果
この第２実施例では、予め決められた一連の連続プロセス処理（図２４の連続プロセス処理）を実行する複数の処理部のうち、
(1)連続する密着強化部ＡＨおよびクールプレートＣＰ1をまとめて処理部群１００を、
(2)スピンコータＳＣによるレジスト塗布処理後において、連続するホットプレートＨＰ21，ＨＰ22およびクールプレートＣＰ2をまとめて処理部群２００を、
(3)エッジ露光部ＥＥＷによるエッジ露光処理後において、連続するホットプレートＨＰ31，ＨＰ32およびクールプレートＣＰ3をまとめて処理部群３００を、
(4)スピンデベロッパＳＤによる現像処理後において、連続するホットプレートＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43およびクールプレートＣＰ4をまとめて処理部群４００を、それぞれ形成し、インデクサＩＤ、処理部群１００、スピンコータＳＣ、エッジ露光部ＥＥＷA、処理部群２００、エッジ露光部ＥＥＷB、処理部群３００、スピンデベロッパＳＤA，ＳＤB、処理部群４００およびインターフェイスＩＦの間を主搬送ロボットＴＭによって基板を循環搬送するとともに、各処理部群１００，２００，３００，４００においてはエレベータと循環搬送機構とで構成された副搬送手段によって処理部および基板受渡し位置の間を循環搬送することで、図２４と同様の連続プロセス処理を実行している。このため、第１実施例と同様に、図２３の従来例と比べ、各搬送ロボットが担当する処理部のポジション数が大幅に減り、装置のスループットを向上させることができる。
【０１０４】
また、この第２実施例では、基板に対して加熱処理する加熱処理部（密着強化部ＡＨおよびホットプレートＨＰ21，ＨＰ22，ＨＰ31，ＨＰ32，ＨＰ41，ＨＰ42，ＨＰ43）については、すべて処理部群に配置し、しかも当該処理部群内では基板を加熱して所定の処理（密着強化処理あるいはベーク処理）を行い、さらにクールプレート（冷却処理部）ＣＰで室温程度にまで冷却した後で、基板受渡し位置に搬送するため、主搬送ロボットＴＭのハンドは常時室温程度に維持され、スピンコータＳＣなどの非加熱処理部の熱的安定性が確保され、基板の一連の連続プロセス処理を安定して行うことができる。
【０１０５】
さらに、この第２実施例では、基板の熱履歴が一定となるため、熱的安定性をさらに向上させることができる。というのも、第１実施例や従来例のように同一の加熱処理、例えば現像処理後のベーク処理を行う際に基板ごとに異なるホットプレートＨＰにより加熱処理する場合には、あるホットプレートＨＰによるベーク処理と、別のホットプレートＨＰによるベーク処理とで処理結果が厳密にみれば相違することがあるのに対し、第２実施例のようにすべての基板について常に同一の加熱処理部で加熱処理する場合には、処理結果は各基板ともに完全に均一となり、各基板に与えられる熱履歴は完全に一定となる。
【０１０６】
また、この第２実施例でも、基板受渡し位置ＳＴ１〜ＳＴ９はほぼ同一平面内に設けられているので、主搬送ロボットＴＭの移動はほぼ一直線上で往復するのみでよく、上下方向へはスピンコータＳＣ等との基板の受渡しのためのわずかな昇降のみでよい。そのため、２次元的な移動のための大きな駆動機構は不要であり、主搬送ロボットＴＭの移動経路の上方、下方に生じるフリースペースに処理部の一部を配置したり薬液の貯留や圧送のための機構を配置することができ、装置をコンパクトにすることができる。
【０１０７】
Ｂ−４．第２実施例の変形例
なお、スピンコータＳＣの設置台数は１台に限定されるものではなく、エッジ露光部ＥＥＷやスピンデベロッパＳＤと同様に、複数台設け、順次に搬送されてくる基板を順次に複数台に振り分けて処理するようにしてもよい。この場合、処理効率を考慮して、スピンコータＳＣによるレジスト塗布処理後にベーク処理を行う処理部群２００を増設するのが望ましい。また、処理部群２００を増設する場合、図２２に示すように、エレベータＥＶ2およびクールプレートＣＰ2を共用することにより、装置の省スペース化を図ることができる。また、エレベータＥＶ2のみを共用するようにしてもよい。
【０１０８】
また、このようなエレベータＥＶなどの共用は処理部群２００に限定されるものではなく、処理部群１００，３００，４００においても同様である。
【０１０９】
さらに、上記第１実施例では、主搬送ロボットＴＭは２つのハンドを有する、いわゆるダブルアーム・タイプの搬送ロボットであるが、１つのハンドのみを有する、いわゆるシングルアーム・タイプの搬送ロボットであってもよい。
【０１１０】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１の発明によれば、未処理基板をインデクサからレジスト塗布処理が行われる第１処理部群を経てインターフェイスにレジスト塗布処理が行われた基板として渡すまでの基板の搬送を担当するレジスト処理用搬送ロボットと、露光処理が行われた基板をインターフェイスから現像処理が行われる第２処理部群を経て未処理基板が取り出されたインデクサに処理済み基板として戻すまでの基板の搬送を担当する現像処理用搬送ロボットとが設けられるため、各搬送ロボットが担当する処理部のポジション数が減り、装置のスループットを向上させることができる。
【０１１１】
また、請求項２の発明によれば、レジスト処理用搬送ロボットおよび現像処理用搬送ロボットのそれぞれが搬送を分担する複数の搬送ロボットを備えるため、各搬送ロボットが担当する処理部のポジション数が大幅に減り、装置のスループットを向上させることができる。
【０１１２】
また、請求項３の発明によれば、第１処理部群がレジスト塗布処理部、加熱処理部および冷却処理部を含み、第２処理部群が現像処理部、加熱処理部および冷却処理部を含み、各搬送ロボットが担当するレジスト塗布処理部等の処理部のポジション数が減り、装置のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明にかかる基板処理装置の第１実施例の外観斜視図である。
【図２】第１実施例にかかる基板処理装置の部分切欠拡大図である。
【図３】第１実施例にかかる基板処理装置の概念的平面配置図である。
【図４】図１のＶ−Ｖ線に沿って見た断面図である。
【図５】第１実施例にかかる基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図６】第１実施例にかかる基板処理装置のプロセスフロー図である。
【図７】第１実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図８】第１実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図９】第１実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図１０】第１実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図１１】第１実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図１２】この発明にかかる基板処理装置の第２実施例の外観斜視図である。
【図１３】第２実施例にかかる基板処理装置の断面図である。
【図１４】第２実施例にかかる基板処理装置の概念的平面配置図である。
【図１５】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図１６】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図１７】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図１８】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図１９】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図２０】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図２１】第２実施例にかかる基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図２２】第２実施例にかかる基板処理装置の変形例を示す図である。
【図２３】従来の基板処理装置を示す図である。
【図２４】基板処理装置による連続プロセス処理の手順の一例を示す図である。
【符号の説明】
１ 基板
１０，３０ 処理部
２０，４０，５０，１００，２００，３００，４００ 処理部群
ＡＨ 密着強化部
ＣＰ クールプレート
ＣＰ1〜ＣＰ4 クールプレート
ＣＰ21，ＣＰ22，ＣＰ41，ＣＰ51 クールプレート
ＥＥＷ，ＥＥＷA，ＥＥＷB エッジ露光部
ＥＶ1〜ＥＶ4 エレベータ
ＨＰ，ＨＰ21，ＨＰ22，ＨＰ41〜ＨＰ43，ＨＰ51〜ＨＰ53 ホットプレート
ＩＤ インデクサ
ＩＦ インターフェイス
ＲＭ1〜ＲＭ4 循環搬送機構
ＳＣ，ＳＣA，ＳＣB スピンコータ
ＳＤ，ＳＤA，ＳＤB スピンデベロッパ
ＳＰU，ＳＰL フリースペース
ＳＴ１〜ＳＴ５，ＳＴ６Ａ，ＳＴ６Ｂ，ＳＴ７，ＳＴ８Ａ，ＳＴ８Ｂ，ＳＴ９基板受渡し位置
ＴＭL 下部搬送部（第１搬送部）
ＴＭU 上部搬送部（第２搬送部）
ＴＭ 主搬送ロボット
ＴＳ2，ＴＳ4，ＴＳ5 副搬送ロボット
Claims (3)
- 基板を複数の処理部の間で搬送して該基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
未処理基板の取り出しおよび処理済み基板の収容を行うインデクサと、
前記インデクサから取り出された未処理基板に対してレジスト塗布処理が行われる第１処理部群と、
レジスト塗布処理が行われた基板を外部装置に渡すとともに、前記外部装置での露光処理が行われた基板を前記外部装置から受け取るインターフェイスと、
前記露光処理が行われた基板に対して現像処理が行われる第２処理部群と、
未処理基板を前記インデクサから前記第１処理部群を経て前記インターフェイスにレジスト塗布処理が行われた基板として渡すまでの基板の搬送を担当するレジスト処理用搬送ロボットと、
露光処理が行われた基板を前記インターフェイスから前記第２処理部群を経て、前記未処理基板が取り出された前記インデクサに処理済み基板として戻すまでの基板の搬送を担当する現像処理用搬送ロボットと、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１記載の基板処理装置において、
前記レジスト処理用搬送ロボットおよび前記現像処理用搬送ロボットのそれぞれは、搬送を分担する複数の搬送ロボットを備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記第１処理部群は、レジスト塗布処理部、加熱処理部および冷却処理部を含み、
前記第２処理部群は、現像処理部、加熱処理部および冷却処理部を含むことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001363974A JP3756446B2 (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001363974A JP3756446B2 (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 基板処理装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30348894A Division JP3592771B2 (ja) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002237513A JP2002237513A (ja) | 2002-08-23 |
| JP3756446B2 true JP3756446B2 (ja) | 2006-03-15 |
Family
ID=19174225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001363974A Expired - Lifetime JP3756446B2 (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3756446B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4209373B2 (ja) * | 2003-10-13 | 2009-01-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置またはリソグラフィ処理セルの作動方法、リソグラフィ装置およびリソグラフィ処理セル |
| KR101606353B1 (ko) * | 2008-06-27 | 2016-03-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 처리 시스템 및 기판 처리 시스템을 작동시키는 방법 |
| WO2016181467A1 (ja) * | 2015-05-11 | 2016-11-17 | 株式会社安川電機 | 塗布システム及び塗布方法 |
-
2001
- 2001-11-29 JP JP2001363974A patent/JP3756446B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002237513A (ja) | 2002-08-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3779393B2 (ja) | 処理システム | |
| JP3202929B2 (ja) | 処理システム | |
| TWI433255B (zh) | 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 | |
| US7549811B2 (en) | Substrate treating apparatus | |
| US8702370B2 (en) | Substrate transfer method for performing processes including photolithography sequence | |
| US11127613B2 (en) | Substrate treating apparatus and substrate transporting method | |
| US11443968B2 (en) | Substrate treating apparatus and substrate transporting method | |
| JP3592771B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| US11075101B2 (en) | Indexer apparatus, substrate treating apparatus, method for controlling indexer apparatus, and method for controlling substrate treating apparatus | |
| JP5220505B2 (ja) | 熱処理装置および基板処理装置 | |
| KR101996093B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템 | |
| JP3756446B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR101399223B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
| JP3462405B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP3816792B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR102547699B1 (ko) | 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법 | |
| JPH10214872A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3352636B2 (ja) | 処理装置及びその方法 | |
| JP2001168004A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP7360849B2 (ja) | 基板処理システムおよび基板搬送方法 | |
| JP5661584B2 (ja) | 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
| JP3600710B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2009283539A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2021039992A (ja) | 塗布、現像装置 | |
| JP2021039991A (ja) | 塗布装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031224 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051221 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090106 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100106 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100106 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100106 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110106 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110106 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120106 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120106 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130106 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130106 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130106 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140106 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |