JP2002228995A - 半導体光素子及びその作製方法 - Google Patents
半導体光素子及びその作製方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度特性が良好で、優れた高速変調特性を示
すＥＡ光変調器を備えた半導体光素子を提供する。 【解決手段】 ＥＡ−ＤＦＢ１０は、電流ブロック層と
して設けられたＦｅドープの高抵抗ＩｎＰ層５２からな
る半絶縁性埋め込み層で多重量子井戸構造を含むヘテロ
接合構造を埋め込んだＳＩ−ＢＨ型のＧａＩｎＡｓＰ系
ＤＦＢレーザ１０Ａと、埋込リッジ型ＥＡ光変調器１０
Ｂとを備える半導体光素子であって、ＤＦＢレーザとＥ
Ａ光変調器とを一つのｎ−ＩｎＰ基板１２上に導波方向
に同一軸状でモノリシックに集積させたものである。Ｅ
Ａ光変調器は、ＡｌＧａＩｎＡｓ系材料からなるＳＣＨ
−ＭＱＷ３２と、活性層上に設けられたＩｎＰ材料層か
らなる埋め込みリッジ構造５０とを備えている。
すＥＡ光変調器を備えた半導体光素子を提供する。 【解決手段】 ＥＡ−ＤＦＢ１０は、電流ブロック層と
して設けられたＦｅドープの高抵抗ＩｎＰ層５２からな
る半絶縁性埋め込み層で多重量子井戸構造を含むヘテロ
接合構造を埋め込んだＳＩ−ＢＨ型のＧａＩｎＡｓＰ系
ＤＦＢレーザ１０Ａと、埋込リッジ型ＥＡ光変調器１０
Ｂとを備える半導体光素子であって、ＤＦＢレーザとＥ
Ａ光変調器とを一つのｎ−ＩｎＰ基板１２上に導波方向
に同一軸状でモノリシックに集積させたものである。Ｅ
Ａ光変調器は、ＡｌＧａＩｎＡｓ系材料からなるＳＣＨ
−ＭＱＷ３２と、活性層上に設けられたＩｎＰ材料層か
らなる埋め込みリッジ構造５０とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＡ光変調器と、
ＥＡ光変調器の光源として設けられたＤＦＢレーザとを
モノリシックに集積した半導体光素子及びその作製方法
に関し、更に詳細には、変調特性に優れ、光通信等の分
野で最適なＥＡ光変調器を備えた半導体光素子及びその
作製方法に関するものである。
ＥＡ光変調器の光源として設けられたＤＦＢレーザとを
モノリシックに集積した半導体光素子及びその作製方法
に関し、更に詳細には、変調特性に優れ、光通信等の分
野で最適なＥＡ光変調器を備えた半導体光素子及びその
作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光変調器と、光変調器の光源として単一
縦モードの半導体レーザ素子とをモノリシックに集積し
た、光変調器−半導体レーザ素子集積の半導体光素子が
開発され、実用化されつつある。このような集積半導体
光素子の一つとして、光変調器には電界による吸収係数
の変化を利用するElectron-Absorption （電界吸収）型
光変調器（以下、ＥＡ光変調器と言う）を、ＥＡ光変調
器の光源には分布帰還型半導体レーザ素子（以下、ＤＦ
Ｂレーザと言う）を備えた半導体光素子が注目されてい
る。
縦モードの半導体レーザ素子とをモノリシックに集積し
た、光変調器−半導体レーザ素子集積の半導体光素子が
開発され、実用化されつつある。このような集積半導体
光素子の一つとして、光変調器には電界による吸収係数
の変化を利用するElectron-Absorption （電界吸収）型
光変調器（以下、ＥＡ光変調器と言う）を、ＥＡ光変調
器の光源には分布帰還型半導体レーザ素子（以下、ＤＦ
Ｂレーザと言う）を備えた半導体光素子が注目されてい
る。
【０００３】ここで、図１２及び図１３を参照して、従
来のＥＡ光変調器−ＤＦＢレーザ・集積半導体光素子
（以下、ＥＡ−ＤＦＢと言う）１００の構成を説明す
る。図１２は従来のＥＡ−ＤＦＢの平面図である。図１
３（ａ）及び図１３（ｂ）は、それぞれ、従来のＥＡ−
ＤＦＢを構成するＤＦＢレーザ及びＥＡ光変調器の構成
を示す図１２の線VII −VII での断面図、及び図１２の
線VIII−VIIIでの断面図である。従来のＥＡ−ＤＦＢ１
００は、それぞれ、半絶縁性埋め込み層で多重量子井戸
構造を含むヘテロ接合構造を埋め込んだ、ＧａＩｎＡｓ
Ｐ系ＳＩ−ＢＨ型のＤＦＢレーザ及びＥＡ光変調器を有
する半導体光素子であって、図１２に示すように、ＤＦ
Ｂレーザ１００ＡとＥＡ光変調器１００Ｂとを一つのｎ
−ＩｎＰ基板１２上に導波方向に同軸状でモノリシック
に集積させたものである。
来のＥＡ光変調器−ＤＦＢレーザ・集積半導体光素子
（以下、ＥＡ−ＤＦＢと言う）１００の構成を説明す
る。図１２は従来のＥＡ−ＤＦＢの平面図である。図１
３（ａ）及び図１３（ｂ）は、それぞれ、従来のＥＡ−
ＤＦＢを構成するＤＦＢレーザ及びＥＡ光変調器の構成
を示す図１２の線VII −VII での断面図、及び図１２の
線VIII−VIIIでの断面図である。従来のＥＡ−ＤＦＢ１
００は、それぞれ、半絶縁性埋め込み層で多重量子井戸
構造を含むヘテロ接合構造を埋め込んだ、ＧａＩｎＡｓ
Ｐ系ＳＩ−ＢＨ型のＤＦＢレーザ及びＥＡ光変調器を有
する半導体光素子であって、図１２に示すように、ＤＦ
Ｂレーザ１００ＡとＥＡ光変調器１００Ｂとを一つのｎ
−ＩｎＰ基板１２上に導波方向に同軸状でモノリシック
に集積させたものである。
【０００４】ＤＦＢレーザ１００Ａは、図１３（ａ）に
示すように、ＥＡ光変調器１０Ｂと共通のｎ−ＩｎＰ基
板１２のＤＦＢレーザ領域上に、膜厚１００ｎｍのｎ−
ＩｎＰ下部クラッド層１４、バンドギャップ波長λｇが
１．５５μｍのＧａＩｎＡｓＰからなるＳＣＨ−ＭＱＷ
１６、膜厚１００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１
８、バンドギャップ波長λｇが１２００ｎｍのＧａＩｎ
ＡｓＰからなる膜厚１０ｎｍの回折格子層２０に形成さ
れた回折格子２０ａと、膜厚１０ｎｍのｐ−ＩｎＰキャ
ップ層２２を含む膜厚２５０ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラ
ッド層２４と、並びにそれぞれＥＡ光変調器１００Ｂと
共通の、膜厚２０００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層
４０及び膜厚３００ｎｍのｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト
層４２との積層構造を有する。
示すように、ＥＡ光変調器１０Ｂと共通のｎ−ＩｎＰ基
板１２のＤＦＢレーザ領域上に、膜厚１００ｎｍのｎ−
ＩｎＰ下部クラッド層１４、バンドギャップ波長λｇが
１．５５μｍのＧａＩｎＡｓＰからなるＳＣＨ−ＭＱＷ
１６、膜厚１００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１
８、バンドギャップ波長λｇが１２００ｎｍのＧａＩｎ
ＡｓＰからなる膜厚１０ｎｍの回折格子層２０に形成さ
れた回折格子２０ａと、膜厚１０ｎｍのｐ−ＩｎＰキャ
ップ層２２を含む膜厚２５０ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラ
ッド層２４と、並びにそれぞれＥＡ光変調器１００Ｂと
共通の、膜厚２０００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層
４０及び膜厚３００ｎｍのｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト
層４２との積層構造を有する。
【０００５】上述の積層構造の下部クラッド層１４の上
部、ＳＣＨ−ＭＱＷ１６、上部クラッド層１８、回折格
子２０ａ、ｐ−ＩｎＰキャップ層２２を含む上部クラッ
ド層２４、上部クラッド層４０、及びコンタクト層４２
は、メサ構造４８として形成されている。更に、メサ構
造４８の両側は、ＥＡ光変調器１００Ｂと共通の半絶縁
性のＦｅドープＩｎＰ層（以下、Ｆｅ−ＩｎＰ層と言
う）５２で埋め込まれている。ＳｉＮ膜からなる共通の
パッシベーション膜５６が、コンタクト層４２上の窓５
４を除いてメサ構造４８の両側のＦｅ−ＩｎＰ層５２上
に成膜されている。コンタクト層４２上には窓５４を介
してｐ側電極５８が、また、共通のｎ−ＩｎＰ基板１２
の裏面には共通のｎ側電極６０が形成されている。
部、ＳＣＨ−ＭＱＷ１６、上部クラッド層１８、回折格
子２０ａ、ｐ−ＩｎＰキャップ層２２を含む上部クラッ
ド層２４、上部クラッド層４０、及びコンタクト層４２
は、メサ構造４８として形成されている。更に、メサ構
造４８の両側は、ＥＡ光変調器１００Ｂと共通の半絶縁
性のＦｅドープＩｎＰ層（以下、Ｆｅ−ＩｎＰ層と言
う）５２で埋め込まれている。ＳｉＮ膜からなる共通の
パッシベーション膜５６が、コンタクト層４２上の窓５
４を除いてメサ構造４８の両側のＦｅ−ＩｎＰ層５２上
に成膜されている。コンタクト層４２上には窓５４を介
してｐ側電極５８が、また、共通のｎ−ＩｎＰ基板１２
の裏面には共通のｎ側電極６０が形成されている。
【０００６】ＥＡ光変調器１００Ｂは、図１３（ｂ）に
示すように、ＤＦＢレーザ１００Ａと共通のｎ−ＩｎＰ
基板１２のＥＡ光変調器領域上に、膜厚５０ｎｍのｎ−
ＩｎＰバッファー層１０２、バンドギャップ波長λｇが
１．５２μｍのＧａＩｎＡｓＰからなるＳＣＨ−ＭＱＷ
１０４、膜厚２００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１
０６、並びにそれぞれＤＦＢレーザ１００Ａと共通の、
膜厚２０００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層４０及び
膜厚３００ｎｍのｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層４２と
の積層構造を有する。
示すように、ＤＦＢレーザ１００Ａと共通のｎ−ＩｎＰ
基板１２のＥＡ光変調器領域上に、膜厚５０ｎｍのｎ−
ＩｎＰバッファー層１０２、バンドギャップ波長λｇが
１．５２μｍのＧａＩｎＡｓＰからなるＳＣＨ−ＭＱＷ
１０４、膜厚２００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１
０６、並びにそれぞれＤＦＢレーザ１００Ａと共通の、
膜厚２０００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層４０及び
膜厚３００ｎｍのｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層４２と
の積層構造を有する。
【０００７】上述の積層構造のｎ−ＩｎＰバッファー層
１０２の上部、ＳＣＨ−ＭＱＷ１０４、上部クラッド層
１０６、上部クラッド層４０、及びコンタクト層４２
は、メサ構造１０８として形成されている。更に、メサ
構造１０８の両側はＤＦＢレーザ１００Ａと共通の半絶
縁性のＦｅ−ＩｎＰ層５８で埋め込まれている。ＳｉＮ
膜からなる共通のパッシベーション膜５６が、コンタク
ト層４２上の窓１１０を除いてメサ構造１０８の両側の
Ｆｅ−ＩｎＰ層５８上に成膜されている。コンタクト層
４２上には窓１１０を介してｐ側電極１１２が、また、
共通のｎ−ＩｎＰ基板１２の裏面には共通のｎ側電極６
０が形成されている。
１０２の上部、ＳＣＨ−ＭＱＷ１０４、上部クラッド層
１０６、上部クラッド層４０、及びコンタクト層４２
は、メサ構造１０８として形成されている。更に、メサ
構造１０８の両側はＤＦＢレーザ１００Ａと共通の半絶
縁性のＦｅ−ＩｎＰ層５８で埋め込まれている。ＳｉＮ
膜からなる共通のパッシベーション膜５６が、コンタク
ト層４２上の窓１１０を除いてメサ構造１０８の両側の
Ｆｅ−ＩｎＰ層５８上に成膜されている。コンタクト層
４２上には窓１１０を介してｐ側電極１１２が、また、
共通のｎ−ＩｎＰ基板１２の裏面には共通のｎ側電極６
０が形成されている。
【０００８】上述の従来のＥＡ−ＤＦＢ１００の作製方
法を説明する。先ず、ＤＦＢレーザ領域とＥＡ光変調器
領域を有するｎ−ＩｎＰ基板１２上の全面に、ＧａＩｎ
ＡｓＰ系ＤＦＢ−ＬＤ構造を導波層まで形成する。即
ち、ｎ−ＩｎＰ基板１２上全面に、例えばＭＯＣＶＤ法
によってｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１４、ＳＣＨ−ＭＱ
Ｗ１６、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１８、回折格子層２
０、及びｐ−ＩｎＰキャップ層２２をエピタキシャル成
長させる。次いで、キャップ層２２及び回折格子層２０
をエッチングして回折格子２０ａを形成し、続いてｐ−
ＩｎＰ上部クラッド層２４をエピタキシャル成長させ
て、回折格子２０ａを埋め込むと共に回折格子２０ａ上
にクラッド層２４を有する積層構造体を形成する。
法を説明する。先ず、ＤＦＢレーザ領域とＥＡ光変調器
領域を有するｎ−ＩｎＰ基板１２上の全面に、ＧａＩｎ
ＡｓＰ系ＤＦＢ−ＬＤ構造を導波層まで形成する。即
ち、ｎ−ＩｎＰ基板１２上全面に、例えばＭＯＣＶＤ法
によってｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１４、ＳＣＨ−ＭＱ
Ｗ１６、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１８、回折格子層２
０、及びｐ−ＩｎＰキャップ層２２をエピタキシャル成
長させる。次いで、キャップ層２２及び回折格子層２０
をエッチングして回折格子２０ａを形成し、続いてｐ−
ＩｎＰ上部クラッド層２４をエピタキシャル成長させ
て、回折格子２０ａを埋め込むと共に回折格子２０ａ上
にクラッド層２４を有する積層構造体を形成する。
【０００９】次いで、ＤＦＢレーザ領域の積層構造体を
覆うＳｉＮマスクを形成し、マスクから露出しているＥ
Ａ光変調器領域に形成された積層構造体をエッチングし
てｎ−ＩｎＰ基板１２を露出させる。続いて、ＧａＩｎ
ＡｓＰ系ＥＡ光変調器構造を露出させた領域（光変調器
領域）のｎ−ＩｎＰ基板１２上に選択成長させる。つま
り、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、例えばＭＯＣＶＤ法によ
って、ｎ−ＩｎＰバッファー層１０２、ＳＣＨ−ＭＱＷ
１０４、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１０６をエピタキシ
ャル成長させて、積層構造体を形成する。
覆うＳｉＮマスクを形成し、マスクから露出しているＥ
Ａ光変調器領域に形成された積層構造体をエッチングし
てｎ−ＩｎＰ基板１２を露出させる。続いて、ＧａＩｎ
ＡｓＰ系ＥＡ光変調器構造を露出させた領域（光変調器
領域）のｎ−ＩｎＰ基板１２上に選択成長させる。つま
り、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、例えばＭＯＣＶＤ法によ
って、ｎ−ＩｎＰバッファー層１０２、ＳＣＨ−ＭＱＷ
１０４、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１０６をエピタキシ
ャル成長させて、積層構造体を形成する。
【００１０】次に、ＤＦＢレーザ領域のＳｉＮマスクを
除去した後、基板全面にｐ−ＩｎＰ上部クラッド層４０
及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層４２をエピタキシャ
ル成長させる。次いで、幅２μｍのストライプ状のＳｉ
ＮマスクをそれぞれＤＦＢレーザ領域の積層構造体及び
ＥＡ光変調器領域の積層構造体上に連続して形成し、続
いてそれらをマスクにしてドライエッチングを行う。こ
れにより、ＤＦＢレーザ領域には、下部クラッド層１４
の上部、ＳＣＨ−ＭＱＷ１６、上部クラッド層１８、回
折格子２０ａ、ｐ−ＩｎＰキャップ層２２を含む上部ク
ラッド層２４、上部クラッド層４０、及びコンタクト層
４２からなるメサ構造４８を形成する。一方、ＥＡ光変
調器領域には、ｎ−ＩｎＰバッファー層１０２の上部、
ＳＣＨ−ＭＱＷ１０４、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１０
６、上部クラッド層４０、及びコンタクト層４２からな
るメサ構造１０８を形成する。
除去した後、基板全面にｐ−ＩｎＰ上部クラッド層４０
及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層４２をエピタキシャ
ル成長させる。次いで、幅２μｍのストライプ状のＳｉ
ＮマスクをそれぞれＤＦＢレーザ領域の積層構造体及び
ＥＡ光変調器領域の積層構造体上に連続して形成し、続
いてそれらをマスクにしてドライエッチングを行う。こ
れにより、ＤＦＢレーザ領域には、下部クラッド層１４
の上部、ＳＣＨ−ＭＱＷ１６、上部クラッド層１８、回
折格子２０ａ、ｐ−ＩｎＰキャップ層２２を含む上部ク
ラッド層２４、上部クラッド層４０、及びコンタクト層
４２からなるメサ構造４８を形成する。一方、ＥＡ光変
調器領域には、ｎ−ＩｎＰバッファー層１０２の上部、
ＳＣＨ−ＭＱＷ１０４、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１０
６、上部クラッド層４０、及びコンタクト層４２からな
るメサ構造１０８を形成する。
【００１１】次いで、ＳｉＮマスクをそれぞれ選択成長
マスクとして使用し、半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ電流ブロ
ッキング層５２を埋め込み成長させ、形成したメサ構造
４８、及び１０８の両側を埋め込む。更に、パッシベー
ション膜５６、ｐ側電極５８、１１０及びｎ側電極６０
等を形成することにより、ＥＡ−ＤＦＢ１００を作製す
ることができる。
マスクとして使用し、半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ電流ブロ
ッキング層５２を埋め込み成長させ、形成したメサ構造
４８、及び１０８の両側を埋め込む。更に、パッシベー
ション膜５６、ｐ側電極５８、１１０及びｎ側電極６０
等を形成することにより、ＥＡ−ＤＦＢ１００を作製す
ることができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＥＡ−
ＤＦＢ１００は良好な変調特性を示すものの、光通信分
野での大容量高速通信の要求に応えるためには、更に、
温度特性が良好で、優れた高速変調特性を示すＥＡ−Ｄ
ＦＢが求められている。そこで、本発明の目的は、温度
特性が良好で、優れた高速変調特性を示すＥＡ光変調器
を備えた半導体光素子及びその作製方法を提供すること
である。
ＤＦＢ１００は良好な変調特性を示すものの、光通信分
野での大容量高速通信の要求に応えるためには、更に、
温度特性が良好で、優れた高速変調特性を示すＥＡ−Ｄ
ＦＢが求められている。そこで、本発明の目的は、温度
特性が良好で、優れた高速変調特性を示すＥＡ光変調器
を備えた半導体光素子及びその作製方法を提供すること
である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者は、ＥＡ光変調
器の活性層として、従来のＧａＩｎＡｓＰ系量子井戸構
造に代えてＡｌＧａＩｎＡｓ系量子井戸構造を使うこと
により、温度特性及び変調特性を向上させることを着想
した。しかし、ＡｌＧａＩｎＡｓ系量子井戸構造の採用
に際して、ＡｌＧａＩｎＡｓ等のＡｌ含有層を井戸層と
して有するリッジ導波路構造を採用し、リッジ導波路構
造の形成に当たりＡｌＧａＩｎＡｓ等のＡｌ含有層を露
出させると、Ａｌが酸化されてＡｌＧａＩｎＡｓの特性
が変化するおそれがある。従って、従来のＥＡ光変調器
のように、量子井戸層をストライプ領域（メサ構造）に
残し、メサ構造の両側を電流ブロック層で埋め込んだＢ
Ｈ（Buried Heterostructure）構造をＡｌＧａＩｎＡｓ
系量子井戸構造のＥＡ光変調器に採用することは難し
い。
器の活性層として、従来のＧａＩｎＡｓＰ系量子井戸構
造に代えてＡｌＧａＩｎＡｓ系量子井戸構造を使うこと
により、温度特性及び変調特性を向上させることを着想
した。しかし、ＡｌＧａＩｎＡｓ系量子井戸構造の採用
に際して、ＡｌＧａＩｎＡｓ等のＡｌ含有層を井戸層と
して有するリッジ導波路構造を採用し、リッジ導波路構
造の形成に当たりＡｌＧａＩｎＡｓ等のＡｌ含有層を露
出させると、Ａｌが酸化されてＡｌＧａＩｎＡｓの特性
が変化するおそれがある。従って、従来のＥＡ光変調器
のように、量子井戸層をストライプ領域（メサ構造）に
残し、メサ構造の両側を電流ブロック層で埋め込んだＢ
Ｈ（Buried Heterostructure）構造をＡｌＧａＩｎＡｓ
系量子井戸構造のＥＡ光変調器に採用することは難し
い。
【００１４】そこで、本発明者は、ＤＦＢレーザとＥＡ
光変調器をモノリシックに集積させた半導体光素子を形
成するに際して、ＤＦＢレーザをＧａＩｎＡｓＰ系ＢＨ
構造として形成し、ＡｌＧａＩｎＡｓ系ＥＡ変調器をリ
ッジ構造、埋込リッジ構造もしくはＳＡＳ構造等の量子
井戸を全面に残す構造とすることにより、作製に際して
ＡｌＧａＩｎＡｓのようなＡｌ含有層の酸化を防止でき
ることを実験により確認した。また、ＤＦＢレーザ領域
及びＥＡ光変調器領域のストライプ形成、メサエッチン
グ及び埋込成長を一括して同時に行うこと、メサエッチ
ングではメタン系エッチングガス、臭素系エッチングガ
ス等を使い、ドライエッチングする際のエッチングガス
のＡｌ含有層の非Ａｌ含有層に対するエッチング選択性
を利用して、ＤＦＢレーザ領域では下部クラッドまで、
ＥＡ変調器領域はＡｌＧａＩｎＡｓ等のＡｌ含有層をエ
ッチング停止層として機能させることを考えた。そし
て、これにより、自動的にＢＨ構造のＤＦＢレーザと埋
込リッジ構造のＥＡ光変調器を容易に形成できることを
実験によって確認した。
光変調器をモノリシックに集積させた半導体光素子を形
成するに際して、ＤＦＢレーザをＧａＩｎＡｓＰ系ＢＨ
構造として形成し、ＡｌＧａＩｎＡｓ系ＥＡ変調器をリ
ッジ構造、埋込リッジ構造もしくはＳＡＳ構造等の量子
井戸を全面に残す構造とすることにより、作製に際して
ＡｌＧａＩｎＡｓのようなＡｌ含有層の酸化を防止でき
ることを実験により確認した。また、ＤＦＢレーザ領域
及びＥＡ光変調器領域のストライプ形成、メサエッチン
グ及び埋込成長を一括して同時に行うこと、メサエッチ
ングではメタン系エッチングガス、臭素系エッチングガ
ス等を使い、ドライエッチングする際のエッチングガス
のＡｌ含有層の非Ａｌ含有層に対するエッチング選択性
を利用して、ＤＦＢレーザ領域では下部クラッドまで、
ＥＡ変調器領域はＡｌＧａＩｎＡｓ等のＡｌ含有層をエ
ッチング停止層として機能させることを考えた。そし
て、これにより、自動的にＢＨ構造のＤＦＢレーザと埋
込リッジ構造のＥＡ光変調器を容易に形成できることを
実験によって確認した。
【００１５】上記目的を達成するために、上記知見に基
づいて、本発明に係る半導体光素子は、電界吸収型光変
調器（以下、ＥＡ光変調器と言う）と、ＥＡ光変調器の
光源として設けられた分布帰還型半導体レーザ素子（以
下、ＤＦＢレーザと言う）とをモノリシックに集積した
半導体光素子において、ＥＡ光変調器は、ＡｌＧａＩｎ
Ａｓ系材料からなり、光の進行方向に対して垂直な面で
の光のフィールドの幅より広い幅を有する量子井戸構造
活性層を含む化合物半導体積層構造とを備え、ＤＦＢレ
ーザは、ＢＨ構造として形成されたＧａＩｎＡｓＰ系材
料からなる量子井戸構造活性層を備えていることを特徴
としている。
づいて、本発明に係る半導体光素子は、電界吸収型光変
調器（以下、ＥＡ光変調器と言う）と、ＥＡ光変調器の
光源として設けられた分布帰還型半導体レーザ素子（以
下、ＤＦＢレーザと言う）とをモノリシックに集積した
半導体光素子において、ＥＡ光変調器は、ＡｌＧａＩｎ
Ａｓ系材料からなり、光の進行方向に対して垂直な面で
の光のフィールドの幅より広い幅を有する量子井戸構造
活性層を含む化合物半導体積層構造とを備え、ＤＦＢレ
ーザは、ＢＨ構造として形成されたＧａＩｎＡｓＰ系材
料からなる量子井戸構造活性層を備えていることを特徴
としている。
【００１６】ＥＡ光変調器が、埋め込みリッジ構造又は
ＳＡＳ構造のいずれかの化合物半導体積層構造を備え、
埋め込み層として半絶縁性のＩｎＰ層を有するとき、好
適には、上部クラッドの少なくとも一部として、ＧａＩ
ｎＡｓＰ又はＡｌＧａＩｎＡｓからなるストライプ状の
光導波層を備えている。これにより、ＩｎＰからなる埋
め込み層に対して横方向の光閉じ込め構造を形成し、導
波効率を向上させることができる。
ＳＡＳ構造のいずれかの化合物半導体積層構造を備え、
埋め込み層として半絶縁性のＩｎＰ層を有するとき、好
適には、上部クラッドの少なくとも一部として、ＧａＩ
ｎＡｓＰ又はＡｌＧａＩｎＡｓからなるストライプ状の
光導波層を備えている。これにより、ＩｎＰからなる埋
め込み層に対して横方向の光閉じ込め構造を形成し、導
波効率を向上させることができる。
【００１７】本発明に係る半導体光素子の作製方法は、
電界吸収型光変調器（以下、ＥＡ光変調器と言う）と、
ＥＡ光変調器の光源として設けられた分布帰還型半導体
レーザ素子（以下、ＤＦＢレーザと言う）とをモノリシ
ックに集積した半導体光素子の作製方法であって、半導
体基板のＤＦＢレーザ形成領域及びＥＡ光変調器形成領
域上に、ＧａＩｎＡｓＰ系材料からなる量子井戸構造活
性層を備えるＤＦＢレーザ、又はＡｌＧａＩｎＡｓ系材
料からなる量子井戸構造活性層を備えるＥＡ光変調器の
いずれか一方の積層構造を形成する第１の積層構造形成
工程と、半導体基板の他方の形成領域上の一方の積層構
造をエッチングして基板を露出させ、次いで他方の形成
領域上に他方の積層構造を形成する第２の積層構造形成
工程と、一方の積層構造及び他方の積層構造を同時にエ
ッチングして、それぞれ、ストライプ状のメサ構造を形
成するメサ形成エッチング工程とを備えることを特徴と
している。
電界吸収型光変調器（以下、ＥＡ光変調器と言う）と、
ＥＡ光変調器の光源として設けられた分布帰還型半導体
レーザ素子（以下、ＤＦＢレーザと言う）とをモノリシ
ックに集積した半導体光素子の作製方法であって、半導
体基板のＤＦＢレーザ形成領域及びＥＡ光変調器形成領
域上に、ＧａＩｎＡｓＰ系材料からなる量子井戸構造活
性層を備えるＤＦＢレーザ、又はＡｌＧａＩｎＡｓ系材
料からなる量子井戸構造活性層を備えるＥＡ光変調器の
いずれか一方の積層構造を形成する第１の積層構造形成
工程と、半導体基板の他方の形成領域上の一方の積層構
造をエッチングして基板を露出させ、次いで他方の形成
領域上に他方の積層構造を形成する第２の積層構造形成
工程と、一方の積層構造及び他方の積層構造を同時にエ
ッチングして、それぞれ、ストライプ状のメサ構造を形
成するメサ形成エッチング工程とを備えることを特徴と
している。
【００１８】第１又は第２の積層構造形成工程では、上
部クラッドの少なくとも一部としてＧａＩｎＡｓＰ又は
ＡｌＧａＩｎＡｓからなる光導波層を成膜するようにし
ても良い。
部クラッドの少なくとも一部としてＧａＩｎＡｓＰ又は
ＡｌＧａＩｎＡｓからなる光導波層を成膜するようにし
ても良い。
【００１９】メサ形成エッチング工程では、ドライエッ
チング法によるエッチングに際し、ＥＡ光変調器形成領
域で、量子井戸構造活性層又は上部クラッド層の少なく
とも一部を構成するＡｌＧａＩｎＡｓ系材料層をエッチ
ング停止層として機能させる。また、メサ形成エッチン
グ工程では、成膜装置のチャンバ内で積層構造形成工程
に引き続いて、ＣＢｒ4等の臭素系ガスをエッチングガ
スとしたドライエッチングを行う。
チング法によるエッチングに際し、ＥＡ光変調器形成領
域で、量子井戸構造活性層又は上部クラッド層の少なく
とも一部を構成するＡｌＧａＩｎＡｓ系材料層をエッチ
ング停止層として機能させる。また、メサ形成エッチン
グ工程では、成膜装置のチャンバ内で積層構造形成工程
に引き続いて、ＣＢｒ4等の臭素系ガスをエッチングガ
スとしたドライエッチングを行う。
【００２０】メサ形成エッチング工程に続いて、一方の
積層構造のメサ構造及び他方の積層構造のメサ構造を同
時に半絶縁性ＩｎＰ層で同時に埋め込む工程を有し、Ｅ
Ａ光変調器形成領域では埋め込みリッジ構造又はＳＡＳ
構造のいずれかの化合物半導体積層構造を形成し、ＤＦ
Ｂレーザ形成領域ではＢＨ構造を形成する。
積層構造のメサ構造及び他方の積層構造のメサ構造を同
時に半絶縁性ＩｎＰ層で同時に埋め込む工程を有し、Ｅ
Ａ光変調器形成領域では埋め込みリッジ構造又はＳＡＳ
構造のいずれかの化合物半導体積層構造を形成し、ＤＦ
Ｂレーザ形成領域ではＢＨ構造を形成する。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。以下の実施形態例では、ＤＦＢレーザとＥ
Ａ光変調器とを突き合わせ接続させた例を挙げている
が、これに限らず、導波路領域を介してＤＦＢレーザと
ＥＡ光変調器とを接続しても良い。また、基板の組成、
各化合物半導体層の組成及び膜厚は、本発明の理解を容
易にするための例示であって、本発明がこれに限られる
ものではない。
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。以下の実施形態例では、ＤＦＢレーザとＥ
Ａ光変調器とを突き合わせ接続させた例を挙げている
が、これに限らず、導波路領域を介してＤＦＢレーザと
ＥＡ光変調器とを接続しても良い。また、基板の組成、
各化合物半導体層の組成及び膜厚は、本発明の理解を容
易にするための例示であって、本発明がこれに限られる
ものではない。
【００２２】半導体光素子の実施形態例１ 本実施形態例は、ＥＡ光変調器とＤＦＢレーザとをモノ
リシックに集積させた半導体光素子（以下、ＥＡ−ＤＦ
Ｂと言う）に本発明に係る半導体光素子を適用した実施
形態の一例であって、図１は本実施形態例のＥＡ−ＤＦ
Ｂの平面図である。図２（ａ）及び図２（ｂ）は、それ
ぞれ、本実施形態例のＥＡ−ＤＦＢを構成するＤＦＢレ
ーザ及びＥＡ光変調器の構成を示す図１の線Ｉ−Ｉでの
断面図、及び図１の線II−IIでの断面図である。図１及
び図２に示す部位のうち図１２及び図１３と同じものに
は同じ符号を付している。以下の図３から図１０につい
ても同様である。尚、図１に示す符号の説明は、図１の
みならず図２から図６に示す符号に対するものも含む。
本実施形態例のＥＡ−ＤＦＢ１０は、電流ブロック層と
して設けられたＦｅドープの高抵抗ＩｎＰ層からなる半
絶縁性埋め込み層で多重量子井戸構造を含むヘテロ接合
構造を埋め込んだ、ＳＩ−ＢＨ型＋埋め込みリッジ型の
ＧａＩｎＡｓＰ系ＤＦＢレーザ及びＥＡ光変調器を備え
る半導体光素子であって、図１に示すように、ＤＦＢレ
ーザ１０ＡとＥＡ光変調器１０Ｂとを一つのｎ−ＩｎＰ
基板１２上に導波方向に同一軸状でモノリシックに集積
させたものである。
リシックに集積させた半導体光素子（以下、ＥＡ−ＤＦ
Ｂと言う）に本発明に係る半導体光素子を適用した実施
形態の一例であって、図１は本実施形態例のＥＡ−ＤＦ
Ｂの平面図である。図２（ａ）及び図２（ｂ）は、それ
ぞれ、本実施形態例のＥＡ−ＤＦＢを構成するＤＦＢレ
ーザ及びＥＡ光変調器の構成を示す図１の線Ｉ−Ｉでの
断面図、及び図１の線II−IIでの断面図である。図１及
び図２に示す部位のうち図１２及び図１３と同じものに
は同じ符号を付している。以下の図３から図１０につい
ても同様である。尚、図１に示す符号の説明は、図１の
みならず図２から図６に示す符号に対するものも含む。
本実施形態例のＥＡ−ＤＦＢ１０は、電流ブロック層と
して設けられたＦｅドープの高抵抗ＩｎＰ層からなる半
絶縁性埋め込み層で多重量子井戸構造を含むヘテロ接合
構造を埋め込んだ、ＳＩ−ＢＨ型＋埋め込みリッジ型の
ＧａＩｎＡｓＰ系ＤＦＢレーザ及びＥＡ光変調器を備え
る半導体光素子であって、図１に示すように、ＤＦＢレ
ーザ１０ＡとＥＡ光変調器１０Ｂとを一つのｎ−ＩｎＰ
基板１２上に導波方向に同一軸状でモノリシックに集積
させたものである。
【００２３】ＤＦＢレーザ１０Ａは、図８に示した従来
のＤＦＢレーザ１００Ａと同じ構成のＤＦＢレーザであ
って、図２（ａ）に示したように、ＥＡ光変調器１０Ｂ
と共通のｎ−ＩｎＰ基板１２のＤＦＢレーザ領域１２Ａ
上に、膜厚１００ｎｍのｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１
４、バンドギャップ波長λｇが１．５５μｍのＧａＩｎ
ＡｓＰからなるＳＣＨ−ＭＱＷ１６、膜厚１００ｎｍの
ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１８、バンドギャップ波長λ
ｇが１２００ｎｍのＧａＩｎＡｓＰからなる膜厚１０ｎ
ｍの回折格子層２０に形成された回折格子２０ａ、膜厚
１０ｎｍのｐ−ＩｎＰキャップ層２２／膜厚２５０ｎｍ
のｐ−ＩｎＰ上部クラッド層２４、膜厚２０００ｎｍの
ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層４０、及び膜厚３００ｎｍの
ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層４２の積層構造を有す
る。
のＤＦＢレーザ１００Ａと同じ構成のＤＦＢレーザであ
って、図２（ａ）に示したように、ＥＡ光変調器１０Ｂ
と共通のｎ−ＩｎＰ基板１２のＤＦＢレーザ領域１２Ａ
上に、膜厚１００ｎｍのｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１
４、バンドギャップ波長λｇが１．５５μｍのＧａＩｎ
ＡｓＰからなるＳＣＨ−ＭＱＷ１６、膜厚１００ｎｍの
ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１８、バンドギャップ波長λ
ｇが１２００ｎｍのＧａＩｎＡｓＰからなる膜厚１０ｎ
ｍの回折格子層２０に形成された回折格子２０ａ、膜厚
１０ｎｍのｐ−ＩｎＰキャップ層２２／膜厚２５０ｎｍ
のｐ−ＩｎＰ上部クラッド層２４、膜厚２０００ｎｍの
ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層４０、及び膜厚３００ｎｍの
ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層４２の積層構造を有す
る。
【００２４】上述の積層構造のうち、下部クラッド層１
４の上部、ＳＣＨ−ＭＱＷ１６、上部クラッド層１８、
回折格子２０ａ、ｐ−ＩｎＰキャップ層２２／上部クラ
ッド層２４、上部クラッド層４０、及びコンタクト層４
２は、メサ構造４８として形成されている。更に、メサ
構造４８の両側は半絶縁性のＦｅドープドＩｎＰ層（以
下、半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ層と言う）５２で埋め込ま
れている。ＳｉＮ膜からなる共通のパッシベーション膜
５６がコンタクト層４２上の窓５４を除いてメサ構造４
８の両側のＦｅ−ＩｎＰ層５２上に成膜されている。コ
ンタクト層４２上には窓５４を介してｐ側電極５８が、
また、共通のｎ−ＩｎＰ基板１２の裏面には共通のｎ側
電極６０が形成されている。
４の上部、ＳＣＨ−ＭＱＷ１６、上部クラッド層１８、
回折格子２０ａ、ｐ−ＩｎＰキャップ層２２／上部クラ
ッド層２４、上部クラッド層４０、及びコンタクト層４
２は、メサ構造４８として形成されている。更に、メサ
構造４８の両側は半絶縁性のＦｅドープドＩｎＰ層（以
下、半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ層と言う）５２で埋め込ま
れている。ＳｉＮ膜からなる共通のパッシベーション膜
５６がコンタクト層４２上の窓５４を除いてメサ構造４
８の両側のＦｅ−ＩｎＰ層５２上に成膜されている。コ
ンタクト層４２上には窓５４を介してｐ側電極５８が、
また、共通のｎ−ＩｎＰ基板１２の裏面には共通のｎ側
電極６０が形成されている。
【００２５】ＥＡ光変調器１０Ｂは、図２（ｂ）に示す
ように、ＤＦＢレーザ１０Ａと共通のｎ−ＩｎＰ基板１
２のＥＡ光変調器領域１２Ｂ上に、膜厚５０ｎｍのｎ−
ＩｎＰバッファー層３０、バンドギャップ波長λｇが
１．５２μｍのＡｌＧａＩｎＡｓからなるＳＣＨ−ＭＱ
Ｗ３２、バンドギャップ波長λｇが１１００ｎｍのｐ−
ＧａＩｎＡｓＰからなる膜厚２００ｎｍの光導波層３
４、膜厚２００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層３６、
膜厚２０００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層４０、及
び膜厚３００ｎｍのｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層４２
の積層構造を有する。
ように、ＤＦＢレーザ１０Ａと共通のｎ−ＩｎＰ基板１
２のＥＡ光変調器領域１２Ｂ上に、膜厚５０ｎｍのｎ−
ＩｎＰバッファー層３０、バンドギャップ波長λｇが
１．５２μｍのＡｌＧａＩｎＡｓからなるＳＣＨ−ＭＱ
Ｗ３２、バンドギャップ波長λｇが１１００ｎｍのｐ−
ＧａＩｎＡｓＰからなる膜厚２００ｎｍの光導波層３
４、膜厚２００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層３６、
膜厚２０００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層４０、及
び膜厚３００ｎｍのｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層４２
の積層構造を有する。
【００２６】上述の積層構造のうち、光導波層３４、上
部クラッド層３６、上部クラッド層４０、及びコンタク
ト層４２は、メサ構造５０として形成されている。更
に、メサ構造５０の両側は半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ層５
２で埋め込まれている。ＳｉＮ膜からなる共通のパッシ
ベーション膜５６がコンタクト層４２上の窓６２を除い
てメサ構造５０の両側のＦｅ−ＩｎＰ層５２上に成膜さ
れている。コンタクト層４２上には窓６２を介してｐ側
電極６４が、また、共通のｎ−ＩｎＰ基板１２の裏面に
は共通のｎ側電極６０が形成されている。
部クラッド層３６、上部クラッド層４０、及びコンタク
ト層４２は、メサ構造５０として形成されている。更
に、メサ構造５０の両側は半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ層５
２で埋め込まれている。ＳｉＮ膜からなる共通のパッシ
ベーション膜５６がコンタクト層４２上の窓６２を除い
てメサ構造５０の両側のＦｅ−ＩｎＰ層５２上に成膜さ
れている。コンタクト層４２上には窓６２を介してｐ側
電極６４が、また、共通のｎ−ＩｎＰ基板１２の裏面に
は共通のｎ側電極６０が形成されている。
【００２７】半導体光素子の作製方法の実施形態例１ 本実施形態例は、本発明に係る半導体光素子の作製方法
を上述のＥＡ−ＤＦＢ１０の作製に適用した実施形態の
一例であって、図３（ａ）から（ｃ）、図４、図５
（ａ）及び（ｂ）、及び図６（ａ）及び（ｂ）は、それ
ぞれ、本実施形態例の方法に従ってＥＡ−ＤＦＢ１０を
作製する際の工程毎の断面図である。尚、図５（ａ）及
び（ｂ）、及び図６（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図
４の線III −III 、及び線IV−IVでの断面図である。先
ず、図３（ａ）に示すように、ＤＦＢレーザ領域１２Ａ
とＥＡ光変調器領域１２Ｂを有するｎ−ＩｎＰ基板１２
上の全面に、ＧａＩｎＡｓＰ系ＤＦＢ−ＬＤ構造を導波
層まで形成する。即ち、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、例え
ばＭＯＣＶＤ法によって、膜厚１００ｎｍのｎ−ＩｎＰ
下部クラッド層１４、バンドギャップ波長λｇが１．５
５μｍのＧａＩｎＡｓＰからなるＳＣＨ−ＭＱＷ１６、
膜厚１００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１８、バン
ドギャップ波長λｇが１２００ｎｍのＧａＩｎＡｓＰか
らなる膜厚１０ｎｍの回折格子層２０、及び膜厚１０ｎ
ｍのｐ−ＩｎＰキャップ層２２をエピタキシャル成長さ
せる。
を上述のＥＡ−ＤＦＢ１０の作製に適用した実施形態の
一例であって、図３（ａ）から（ｃ）、図４、図５
（ａ）及び（ｂ）、及び図６（ａ）及び（ｂ）は、それ
ぞれ、本実施形態例の方法に従ってＥＡ−ＤＦＢ１０を
作製する際の工程毎の断面図である。尚、図５（ａ）及
び（ｂ）、及び図６（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図
４の線III −III 、及び線IV−IVでの断面図である。先
ず、図３（ａ）に示すように、ＤＦＢレーザ領域１２Ａ
とＥＡ光変調器領域１２Ｂを有するｎ−ＩｎＰ基板１２
上の全面に、ＧａＩｎＡｓＰ系ＤＦＢ−ＬＤ構造を導波
層まで形成する。即ち、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、例え
ばＭＯＣＶＤ法によって、膜厚１００ｎｍのｎ−ＩｎＰ
下部クラッド層１４、バンドギャップ波長λｇが１．５
５μｍのＧａＩｎＡｓＰからなるＳＣＨ−ＭＱＷ１６、
膜厚１００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１８、バン
ドギャップ波長λｇが１２００ｎｍのＧａＩｎＡｓＰか
らなる膜厚１０ｎｍの回折格子層２０、及び膜厚１０ｎ
ｍのｐ−ＩｎＰキャップ層２２をエピタキシャル成長さ
せる。
【００２８】次いで、図３（ｂ）に示すように、キャッ
プ層２２及び回折格子層２０をエッチングして回折格子
２０ａを形成し、次いで膜厚２５０ｎｍのｐ−ＩｎＰ上
部クラッド層２４をエピタキシャル成長させて、回折格
子２０ａを埋め込むと共に回折格子２０ａ上にクラッド
層２４を有する積層構造体２６を形成する。次いで、Ｄ
ＦＢレーザ領域１２Ａの積層構造体２６を覆うＳｉＮマ
スク２８を形成する。
プ層２２及び回折格子層２０をエッチングして回折格子
２０ａを形成し、次いで膜厚２５０ｎｍのｐ−ＩｎＰ上
部クラッド層２４をエピタキシャル成長させて、回折格
子２０ａを埋め込むと共に回折格子２０ａ上にクラッド
層２４を有する積層構造体２６を形成する。次いで、Ｄ
ＦＢレーザ領域１２Ａの積層構造体２６を覆うＳｉＮマ
スク２８を形成する。
【００２９】次いで、ＥＡ光変調器領域に形成された積
層構造体２６Ｂをエッチングしてｎ−ＩｎＰ基板１２を
露出させ、続いて、図３（ｃ）に示すように、ＡｌＧａ
ＩｎＡｓ系ＥＡ光変調器構造を光変調器領域１２Ｂのｎ
−ＩｎＰ基板１２上に選択成長させる。つまり、ｎ−Ｉ
ｎＰ基板１２上に、例えばＭＯＣＶＤ法によって、膜厚
５０ｎｍのｎ−ＩｎＰバッファー層３０、バンドギャッ
プ波長λｇが１．５２μｍのＡｌＧａＩｎＡｓからなる
ＳＣＨ−ＭＱＷ３２、バンドギャップ波長λｇが１１０
０ｎｍのｐ−ＧａＩｎＡｓＰからなる膜厚２００ｎｍの
光導波層３４、及び膜厚２００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部ク
ラッド層３６をエピタキシャル成長させて、積層構造体
３８を形成する。
層構造体２６Ｂをエッチングしてｎ−ＩｎＰ基板１２を
露出させ、続いて、図３（ｃ）に示すように、ＡｌＧａ
ＩｎＡｓ系ＥＡ光変調器構造を光変調器領域１２Ｂのｎ
−ＩｎＰ基板１２上に選択成長させる。つまり、ｎ−Ｉ
ｎＰ基板１２上に、例えばＭＯＣＶＤ法によって、膜厚
５０ｎｍのｎ−ＩｎＰバッファー層３０、バンドギャッ
プ波長λｇが１．５２μｍのＡｌＧａＩｎＡｓからなる
ＳＣＨ−ＭＱＷ３２、バンドギャップ波長λｇが１１０
０ｎｍのｐ−ＧａＩｎＡｓＰからなる膜厚２００ｎｍの
光導波層３４、及び膜厚２００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部ク
ラッド層３６をエピタキシャル成長させて、積層構造体
３８を形成する。
【００３０】次に、図４に示すように、ＤＦＢレーザ領
域のＳｉＮマスク２８を除去した後、基板全面に膜厚２
０００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層４０、及び膜厚
３００ｎｍのｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層４２をエピ
タキシャル成長させる。次いで、連続した幅２μｍのス
トライプ状のＳｉＮマスク４４、４６をそれぞれＤＦＢ
レーザ領域１２Ａの積層構造体及びＥＡ光変調器領域１
２Ｂの積層構造体上に形成する。
域のＳｉＮマスク２８を除去した後、基板全面に膜厚２
０００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層４０、及び膜厚
３００ｎｍのｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層４２をエピ
タキシャル成長させる。次いで、連続した幅２μｍのス
トライプ状のＳｉＮマスク４４、４６をそれぞれＤＦＢ
レーザ領域１２Ａの積層構造体及びＥＡ光変調器領域１
２Ｂの積層構造体上に形成する。
【００３１】続いて、ＳｉＮマスク４４、４６をマスク
にし、ＣＨ4系エッチングガスを用いたＲＩＥ法によ
り、エッチング深さが３０００ｎｍになるように制御し
つつドライエッチングを行う。このエッチングによっ
て、ＤＦＢレーザ領域１２Ａでは、図５（ａ）に示すよ
うに、下部クラッド層１４の途中までエッチングされ、
下部クラッド層１４の上部、ＳＣＨ−ＭＱＷ１６、上部
クラッド層１８、回折格子２０ａ、ｐ−ＩｎＰキャップ
層２２を含む上部クラッド層２４、上部クラッド層４
０、及びコンタクト層４２からなるメサ構造４８が形成
される。一方、ＥＡ光変調器領域１２Ｂでは、図５
（ｂ）に示すように、ＳＣＨ−ＭＱＷ３２を構成するＡ
ｌＧａＩｎＡｓ層がエッチング停止層として機能するの
で、ＳＣＨ−ＭＱＷ３２の上面でエッチングが停止し、
光導波層３４、上部クラッド層３６、上部クラッド層４
０、及びコンタクト層４２からなるメサ構造５０が形成
される。
にし、ＣＨ4系エッチングガスを用いたＲＩＥ法によ
り、エッチング深さが３０００ｎｍになるように制御し
つつドライエッチングを行う。このエッチングによっ
て、ＤＦＢレーザ領域１２Ａでは、図５（ａ）に示すよ
うに、下部クラッド層１４の途中までエッチングされ、
下部クラッド層１４の上部、ＳＣＨ−ＭＱＷ１６、上部
クラッド層１８、回折格子２０ａ、ｐ−ＩｎＰキャップ
層２２を含む上部クラッド層２４、上部クラッド層４
０、及びコンタクト層４２からなるメサ構造４８が形成
される。一方、ＥＡ光変調器領域１２Ｂでは、図５
（ｂ）に示すように、ＳＣＨ−ＭＱＷ３２を構成するＡ
ｌＧａＩｎＡｓ層がエッチング停止層として機能するの
で、ＳＣＨ−ＭＱＷ３２の上面でエッチングが停止し、
光導波層３４、上部クラッド層３６、上部クラッド層４
０、及びコンタクト層４２からなるメサ構造５０が形成
される。
【００３２】次いで、図６（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、ＤＦＢレーザ領域１０Ａ及びＥＡ光変調器１０Ｂの
領域で、それぞれ、ＳｉＮマスク４４及び４６を選択成
長マスクとして使用し、膜厚２５００ｎｍの半絶縁性の
Ｆｅ−ＩｎＰ電流ブロッキング層５２を埋め込み成長さ
せ、形成したメサ構造４８、及び５０の両側を埋め込
む。図示しないが、必要に応じて、パッシベーション
膜、分離溝、電極等を形成することにより、ＤＦＢレー
ザ１０ＡとＥＡ光変調器１０Ｂとを備えた実施形態例１
のＥＡ−ＤＦＢ１０を作製することができる。
に、ＤＦＢレーザ領域１０Ａ及びＥＡ光変調器１０Ｂの
領域で、それぞれ、ＳｉＮマスク４４及び４６を選択成
長マスクとして使用し、膜厚２５００ｎｍの半絶縁性の
Ｆｅ−ＩｎＰ電流ブロッキング層５２を埋め込み成長さ
せ、形成したメサ構造４８、及び５０の両側を埋め込
む。図示しないが、必要に応じて、パッシベーション
膜、分離溝、電極等を形成することにより、ＤＦＢレー
ザ１０ＡとＥＡ光変調器１０Ｂとを備えた実施形態例１
のＥＡ−ＤＦＢ１０を作製することができる。
【００３３】実施形態例１のＥＡ−ＤＦＢ１０と同じ構
成の試料ＥＡ−ＤＦＢを実施形態例方法１で作製し、試
料ＥＡ−ＤＦＢの変調特性を評価したところ、ＥＡ光変
調器をＧａＩｎＡｓＰ系で作製した従来のＥＡ−ＤＦＢ
１００に比べて、変調特性の向上が見られた。即ち、試
料半導体光素子のＥＡ光変調器１０Ｂの周波数特性は１
８ＧＨｚであって、従来のＥＡ光変調器１００Ｂの１０
ＧＨｚに対して大きく向上していることが確認できた。
成の試料ＥＡ−ＤＦＢを実施形態例方法１で作製し、試
料ＥＡ−ＤＦＢの変調特性を評価したところ、ＥＡ光変
調器をＧａＩｎＡｓＰ系で作製した従来のＥＡ−ＤＦＢ
１００に比べて、変調特性の向上が見られた。即ち、試
料半導体光素子のＥＡ光変調器１０Ｂの周波数特性は１
８ＧＨｚであって、従来のＥＡ光変調器１００Ｂの１０
ＧＨｚに対して大きく向上していることが確認できた。
【００３４】半導体光素子の実施形態例２ 本実施形態例は、ＥＡ光変調器とＤＦＢレーザとをモノ
リシックに集積させたＥＡ−ＤＦＢに本発明に係る半導
体光素子を適用した実施形態の別の例であって、図７は
本実施形態例のＥＡ−ＤＦＢの平面図である。図８
（ａ）及（ｂ）は、それぞれ、本実施形態例のＥＡ−Ｄ
ＦＢを構成するＤＦＢレーザ及びＥＡ光変調器の構成を
示す図７の線Ｖ−Ｖでの断面図、及び図７の線VI−VIで
の断面図である。尚、図７に示す符号の説明は、図７の
みならず図８から図１１に示す符号に対するものも含
む。また、図７から図１１に示す部位のうち図１から図
６と同じものには同じ符号を付している。本実施形態例
のＥＡ−ＤＦＢ７０は、電流ブロック層としてＦｅドー
プの高抵抗ＩｎＰ層を採用したＳＩ−ＰＢＨ（SemiInsu
lating Planar Buried Hetrostructure ）構造のＤＦＢ
レーザと、量子井戸構造活性層を基板全面に残した構造
（ＳＡＳ構造）のＥＡ光変調器と有するＥＡ−ＤＦＢで
あって、図７に示すように、ＤＦＢレーザ７０ＡとＥＡ
光変調器７０Ｂを一つのｎ−ＩｎＰ基板１２上にモノリ
シックに導波方向に同一軸状で集積させたものである。
リシックに集積させたＥＡ−ＤＦＢに本発明に係る半導
体光素子を適用した実施形態の別の例であって、図７は
本実施形態例のＥＡ−ＤＦＢの平面図である。図８
（ａ）及（ｂ）は、それぞれ、本実施形態例のＥＡ−Ｄ
ＦＢを構成するＤＦＢレーザ及びＥＡ光変調器の構成を
示す図７の線Ｖ−Ｖでの断面図、及び図７の線VI−VIで
の断面図である。尚、図７に示す符号の説明は、図７の
みならず図８から図１１に示す符号に対するものも含
む。また、図７から図１１に示す部位のうち図１から図
６と同じものには同じ符号を付している。本実施形態例
のＥＡ−ＤＦＢ７０は、電流ブロック層としてＦｅドー
プの高抵抗ＩｎＰ層を採用したＳＩ−ＰＢＨ（SemiInsu
lating Planar Buried Hetrostructure ）構造のＤＦＢ
レーザと、量子井戸構造活性層を基板全面に残した構造
（ＳＡＳ構造）のＥＡ光変調器と有するＥＡ−ＤＦＢで
あって、図７に示すように、ＤＦＢレーザ７０ＡとＥＡ
光変調器７０Ｂを一つのｎ−ＩｎＰ基板１２上にモノリ
シックに導波方向に同一軸状で集積させたものである。
【００３５】ＤＦＢレーザ７０Ａは、図８（ａ）に示す
ように、ＥＡ光変調器７０Ｂと共通のｎ−ＩｎＰ基板１
２のＤＦＢレーザ領域上に、膜厚１００ｎｍのｎ−Ｉｎ
Ｐ下部クラッド層１４、バンドギャップ波長λｇが１．
５５μｍのＧａＩｎＡｓＰからなるＳＣＨ−ＭＱＷ１
６、膜厚１００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１８、
バンドギャップ波長λｇが１２００ｎｍのＧａＩｎＡｓ
Ｐからなる膜厚１０ｎｍの回折格子層２０に形成された
回折格子２０ａと、膜厚１０ｎｍのｐ−ＩｎＰキャップ
層２２を含む膜厚２５０ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド
層２４と、それぞれ、ＥＡ光変調器７０Ｂと共通の、膜
厚２０００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層７２、及び
膜厚３００ｎｍのｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層７４の
積層構造を有する。
ように、ＥＡ光変調器７０Ｂと共通のｎ−ＩｎＰ基板１
２のＤＦＢレーザ領域上に、膜厚１００ｎｍのｎ−Ｉｎ
Ｐ下部クラッド層１４、バンドギャップ波長λｇが１．
５５μｍのＧａＩｎＡｓＰからなるＳＣＨ−ＭＱＷ１
６、膜厚１００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１８、
バンドギャップ波長λｇが１２００ｎｍのＧａＩｎＡｓ
Ｐからなる膜厚１０ｎｍの回折格子層２０に形成された
回折格子２０ａと、膜厚１０ｎｍのｐ−ＩｎＰキャップ
層２２を含む膜厚２５０ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド
層２４と、それぞれ、ＥＡ光変調器７０Ｂと共通の、膜
厚２０００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層７２、及び
膜厚３００ｎｍのｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層７４の
積層構造を有する。
【００３６】上述の積層構造のうち、下部クラッド層１
４の上部、ＳＣＨ−ＭＱＷ１６、上部クラッド層１８、
回折格子２０ａ、及びｐ−ＩｎＰキャップ層２２を含む
上部クラッド層２４は、メサ構造７６として形成されて
いる。更に、メサ構造７６の両側は、ＥＡ光変調器７０
Ｂと共通の半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ層７８で埋め込まれ
ている。更にＦｅ−ＩｎＰ層７８上には、電子を捕獲す
るものの正孔を捕獲しないＦｅ−ＩｎＰ層７８がｐ−Ｉ
ｎＰ上部クラッド層７２と直接接触しないように、ホー
ルボロッキング層として膜厚１００ｎｍのｎ−ＩｎＰ層
８０がＥＡ光変調器７０Ｂと共通に成膜されている。ｐ
−ＩｎＰ上部クラッド層２４及びｎ−ＩｎＰ層８０上に
は、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層７２及びｐ−ＧａＩｎＡ
ｓコンタクト層７４が積層されている。また、コンタク
ト層７４上にはｐ側電極８２が、共通のｎ−ＩｎＰ基板
１２の裏面には共通のｎ側電極６０が形成されている。
４の上部、ＳＣＨ−ＭＱＷ１６、上部クラッド層１８、
回折格子２０ａ、及びｐ−ＩｎＰキャップ層２２を含む
上部クラッド層２４は、メサ構造７６として形成されて
いる。更に、メサ構造７６の両側は、ＥＡ光変調器７０
Ｂと共通の半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ層７８で埋め込まれ
ている。更にＦｅ−ＩｎＰ層７８上には、電子を捕獲す
るものの正孔を捕獲しないＦｅ−ＩｎＰ層７８がｐ−Ｉ
ｎＰ上部クラッド層７２と直接接触しないように、ホー
ルボロッキング層として膜厚１００ｎｍのｎ−ＩｎＰ層
８０がＥＡ光変調器７０Ｂと共通に成膜されている。ｐ
−ＩｎＰ上部クラッド層２４及びｎ−ＩｎＰ層８０上に
は、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層７２及びｐ−ＧａＩｎＡ
ｓコンタクト層７４が積層されている。また、コンタク
ト層７４上にはｐ側電極８２が、共通のｎ−ＩｎＰ基板
１２の裏面には共通のｎ側電極６０が形成されている。
【００３７】ＥＡ光変調器７０Ｂは、図８（ｂ）に示す
ように、ＤＦＢレーザ７０Ａと共通のｎ−ＩｎＰ基板１
２のＥＡ光変調器領域上に、膜厚５０ｎｍのｎ−ＩｎＰ
バッファー層３０、バンドギャップ波長λｇが１．５２
μｍのＡｌＧａＩｎＡｓからなるＳＣＨ−ＭＱＷ３２、
バンドギャップ波長λｇが１１００ｎｍのｐ−ＧａＩｎ
ＡｓＰからなる膜厚２００ｎｍの光導波層３４、及び膜
厚２００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層３６、それぞ
れ、ＤＦＢレーザ７０Ａと共通の、膜厚２０００ｎｍの
ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層７２、及び膜厚３００ｎｍの
ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層７４の積層構造を有す
る。
ように、ＤＦＢレーザ７０Ａと共通のｎ−ＩｎＰ基板１
２のＥＡ光変調器領域上に、膜厚５０ｎｍのｎ−ＩｎＰ
バッファー層３０、バンドギャップ波長λｇが１．５２
μｍのＡｌＧａＩｎＡｓからなるＳＣＨ−ＭＱＷ３２、
バンドギャップ波長λｇが１１００ｎｍのｐ−ＧａＩｎ
ＡｓＰからなる膜厚２００ｎｍの光導波層３４、及び膜
厚２００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層３６、それぞ
れ、ＤＦＢレーザ７０Ａと共通の、膜厚２０００ｎｍの
ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層７２、及び膜厚３００ｎｍの
ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層７４の積層構造を有す
る。
【００３８】上述の積層構造のうち、光導波層３４、上
部クラッド層３６、上部クラッド層４０、及びコンタク
ト層４２は、メサ構造８４として形成されている。更
に、メサ構造８６の両側は半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ層７
８で埋め込まれ、更にｎ−ＩｎＰ層８０が成膜されてい
る。ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層３６及びｎ−ＩｎＰ層８
０上には、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層７２及びｐ−Ｇａ
ＩｎＡｓコンタクト層７４が積層されている。また、コ
ンタクト層７４上にはｐ側電極８６が、共通のｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１２の裏面には共通のｎ側電極６０が形成されて
いる。
部クラッド層３６、上部クラッド層４０、及びコンタク
ト層４２は、メサ構造８４として形成されている。更
に、メサ構造８６の両側は半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ層７
８で埋め込まれ、更にｎ−ＩｎＰ層８０が成膜されてい
る。ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層３６及びｎ−ＩｎＰ層８
０上には、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層７２及びｐ−Ｇａ
ＩｎＡｓコンタクト層７４が積層されている。また、コ
ンタクト層７４上にはｐ側電極８６が、共通のｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１２の裏面には共通のｎ側電極６０が形成されて
いる。
【００３９】半導体光素子の作製方法の実施形態例２ 本実施形態例は、本発明に係る半導体光素子の作製方法
を上述のＥＡ−ＤＦＢ７０の作製に適用した実施形態の
一例である。図９（ａ）と（ｂ）、図１０（ａ）と
（ｂ）、及び図１１（ａ）と（ｂ）は、それぞれ、本実
施形態例の方法に従ってＥＡ−ＤＦＢ７０を作製する際
の工程毎の断面図である。また、（ａ）及び（ｂ）は、
それぞれ、図８の線Ｖ−Ｖ及び線VI−VIに対応する断面
図である。本実施形態例では、先ず、実施形態例１の作
製方法と同様にして、図３（ｃ）に示すように、ｎ−Ｉ
ｎＰ基板１２のＤＦＢレーザ領域上に積層構造体２６
を、ｎ−ＩｎＰ基板１２のＥＡ光変調器領域上に積層構
造体３８を、それぞれ、形成する。
を上述のＥＡ−ＤＦＢ７０の作製に適用した実施形態の
一例である。図９（ａ）と（ｂ）、図１０（ａ）と
（ｂ）、及び図１１（ａ）と（ｂ）は、それぞれ、本実
施形態例の方法に従ってＥＡ−ＤＦＢ７０を作製する際
の工程毎の断面図である。また、（ａ）及び（ｂ）は、
それぞれ、図８の線Ｖ−Ｖ及び線VI−VIに対応する断面
図である。本実施形態例では、先ず、実施形態例１の作
製方法と同様にして、図３（ｃ）に示すように、ｎ−Ｉ
ｎＰ基板１２のＤＦＢレーザ領域上に積層構造体２６
を、ｎ−ＩｎＰ基板１２のＥＡ光変調器領域上に積層構
造体３８を、それぞれ、形成する。
【００４０】次いで、連続した幅２μｍのストライプ状
のＳｉＮマスク８８及び９０をそれぞれＤＦＢレーザ領
域の積層構造体２６及びＥＡ光変調器領域の積層構造体
３８上に形成し、続いてそれらをマスクにし、ＣＨ4系
エッチャントを用いたＲＩＥ法によって、エッチング深
さが５００ｎｍになるように制御してドライエッチング
を行う。このエッチングによって、ＤＦＢレーザ領域１
２Ａでは、図９（ａ）に示すように、下部クラッド層１
４の途中までエッチングされ、下部クラッド層１４の上
部、ＳＣＨ−ＭＱＷ１６、上部クラッド層１８、回折格
子２０ａ、及びｐ−ＩｎＰキャップ層２２を含む上部ク
ラッド層２４からなるメサ構造７６が形成される。一
方、ＥＡ光変調器領域１２Ｂでは、図９（ｂ）に示すよ
うに、ＳＣＨ−ＭＱＷ３２を構成するＡｌＧａＩｎＡｓ
層がエッチング停止層として機能するので、ＳＣＨ−Ｍ
ＱＷ３２の上面でエッチングが停止し、光導波層３４、
及び上部クラッド層３６からなるメサ構造８６が形成さ
れる。
のＳｉＮマスク８８及び９０をそれぞれＤＦＢレーザ領
域の積層構造体２６及びＥＡ光変調器領域の積層構造体
３８上に形成し、続いてそれらをマスクにし、ＣＨ4系
エッチャントを用いたＲＩＥ法によって、エッチング深
さが５００ｎｍになるように制御してドライエッチング
を行う。このエッチングによって、ＤＦＢレーザ領域１
２Ａでは、図９（ａ）に示すように、下部クラッド層１
４の途中までエッチングされ、下部クラッド層１４の上
部、ＳＣＨ−ＭＱＷ１６、上部クラッド層１８、回折格
子２０ａ、及びｐ−ＩｎＰキャップ層２２を含む上部ク
ラッド層２４からなるメサ構造７６が形成される。一
方、ＥＡ光変調器領域１２Ｂでは、図９（ｂ）に示すよ
うに、ＳＣＨ−ＭＱＷ３２を構成するＡｌＧａＩｎＡｓ
層がエッチング停止層として機能するので、ＳＣＨ−Ｍ
ＱＷ３２の上面でエッチングが停止し、光導波層３４、
及び上部クラッド層３６からなるメサ構造８６が形成さ
れる。
【００４１】次いで、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すよ
うに、ＤＦＢレーザ領域１２Ａ及びＥＡ光変調器領域１
２Ｂで、ＳｉＮマスク８８及び９０をそれぞれ選択成長
マスクとして使用し、膜厚４００ｎｍの半絶縁性のＦｅ
−ＩｎＰ電流ブロッキング層７８を埋め込み成長させ、
メサ構造７６及び８４の両側を埋め込み、更に膜厚１０
０ｎｍのｎ−ＩｎＰホールブロッキング層８０を成膜す
る。
うに、ＤＦＢレーザ領域１２Ａ及びＥＡ光変調器領域１
２Ｂで、ＳｉＮマスク８８及び９０をそれぞれ選択成長
マスクとして使用し、膜厚４００ｎｍの半絶縁性のＦｅ
−ＩｎＰ電流ブロッキング層７８を埋め込み成長させ、
メサ構造７６及び８４の両側を埋め込み、更に膜厚１０
０ｎｍのｎ−ＩｎＰホールブロッキング層８０を成膜す
る。
【００４２】次に、ＳｉＮマスク８８及び９０をそれぞ
れ除去した後、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、
ＤＦＢレーザ領域１２Ａ及びＥＡ光変調器領域１２Ｂ
で、基板全面に膜厚２０００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラ
ッド層７２、及び膜厚３００ｎｍのｐ−ＧａＩｎＡｓコ
ンタクト層７４をエピタキシャル成長させる。そして、
必要に応じて、パッシベーション、分離溝、電極等を形
成することにより、図７及び図８に示すＥＡ−ＤＦＢ７
０を形成することができる。
れ除去した後、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、
ＤＦＢレーザ領域１２Ａ及びＥＡ光変調器領域１２Ｂ
で、基板全面に膜厚２０００ｎｍのｐ−ＩｎＰ上部クラ
ッド層７２、及び膜厚３００ｎｍのｐ−ＧａＩｎＡｓコ
ンタクト層７４をエピタキシャル成長させる。そして、
必要に応じて、パッシベーション、分離溝、電極等を形
成することにより、図７及び図８に示すＥＡ−ＤＦＢ７
０を形成することができる。
【００４３】実施形態例２のＥＡ−ＤＦＢ７０と同じ構
成の試料半導体光素子を実施形態例方法２で作製し、試
料半導体光素子の変調特性を評価したところ、実施形態
例１のＥＡ−ＤＦＢ１０と同様の変調特性の向上が確認
できた。
成の試料半導体光素子を実施形態例方法２で作製し、試
料半導体光素子の変調特性を評価したところ、実施形態
例１のＥＡ−ＤＦＢ１０と同様の変調特性の向上が確認
できた。
【００４４】
【発明の効果】本発明の構成によれば、ＡｌＧａＩｎＡ
ｓ系材料からなる量子井戸構造活性層と、活性層上に特
定の化合物半導体積層構造とを備えたＥＡ光変調器と、
ＢＨ構造として形成されたＧａＩｎＡｓＰ系材料からな
る量子井戸構造活性層を備えたＤＦＢレーザとを構成す
ることにより、温度特性及び変調特性に優れたＥＡ光変
調器を備えた半導体光素子を実現している。また、本発
明に係る半導体光素子の作製方法は、本発明に係る半導
体光素子の好適な作製方法を実現している。つまり、メ
サエッチングの際、メタン系エッチングガスや、臭素系
エッチングガスを使ったドライエッチングによって、Ｇ
ａＩｎＡｓＰ系材料で形成されるＤＦＢ−ＬＤ領域は、
基板の一部まで到達できるが、ＡｌＧａＩｎＡｓ系材料
で形成されるＥＡ変調器領域は、ＡｌＧａＩｎＡｓがエ
ッチングされないので、その上側のみエッチングされ
る。従って、容易にＢＨ構造と埋込リッジ構造とを容易
に集積することが可能となる。
ｓ系材料からなる量子井戸構造活性層と、活性層上に特
定の化合物半導体積層構造とを備えたＥＡ光変調器と、
ＢＨ構造として形成されたＧａＩｎＡｓＰ系材料からな
る量子井戸構造活性層を備えたＤＦＢレーザとを構成す
ることにより、温度特性及び変調特性に優れたＥＡ光変
調器を備えた半導体光素子を実現している。また、本発
明に係る半導体光素子の作製方法は、本発明に係る半導
体光素子の好適な作製方法を実現している。つまり、メ
サエッチングの際、メタン系エッチングガスや、臭素系
エッチングガスを使ったドライエッチングによって、Ｇ
ａＩｎＡｓＰ系材料で形成されるＤＦＢ−ＬＤ領域は、
基板の一部まで到達できるが、ＡｌＧａＩｎＡｓ系材料
で形成されるＥＡ変調器領域は、ＡｌＧａＩｎＡｓがエ
ッチングされないので、その上側のみエッチングされ
る。従って、容易にＢＨ構造と埋込リッジ構造とを容易
に集積することが可能となる。
【図１】実施形態例１のＥＡ−ＤＦＢの平面図である。
【図２】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、それぞれ、実施
形態例１のＥＡ−ＤＦＢを構成するＤＦＢレーザ及びＥ
Ａ光変調器の構成を示す図１の線Ｉ−Ｉでの断面図、及
び図１の線II−IIでの断面図である。
形態例１のＥＡ−ＤＦＢを構成するＤＦＢレーザ及びＥ
Ａ光変調器の構成を示す図１の線Ｉ−Ｉでの断面図、及
び図１の線II−IIでの断面図である。
【図３】図３（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、実施形態
例１の方法に従ってＥＡ−ＤＦＢを作製する際の工程毎
の断面図である。
例１の方法に従ってＥＡ−ＤＦＢを作製する際の工程毎
の断面図である。
【図４】図４は、図３（ｃ）に続いて、実施形態例１の
方法に従ってＥＡ−ＤＦＢを作製する際の工程毎の断面
図である。
方法に従ってＥＡ−ＤＦＢを作製する際の工程毎の断面
図である。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図４に続
いて、実施形態例１の方法に従ってＥＡ−ＤＦＢを作製
する際の工程毎の断面図である。
いて、実施形態例１の方法に従ってＥＡ−ＤＦＢを作製
する際の工程毎の断面図である。
【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図５
（ａ）及び（ｂ）に続いて、実施形態例１の方法に従っ
てＥＡ−ＤＦＢを作製した際の工程毎の断面図である。
（ａ）及び（ｂ）に続いて、実施形態例１の方法に従っ
てＥＡ−ＤＦＢを作製した際の工程毎の断面図である。
【図７】実施形態例２のＥＡ−ＤＦＢの平面図である。
【図８】図８（ａ）及（ｂ）は、それぞれ、実施形態例
２のＥＡ−ＤＦＢを構成するＤＦＢレーザ及びＥＡ光変
調器の構成を示す図７の線Ｖ−Ｖでの断面図、及び図７
の線VI−VIでの断面図である。
２のＥＡ−ＤＦＢを構成するＤＦＢレーザ及びＥＡ光変
調器の構成を示す図７の線Ｖ−Ｖでの断面図、及び図７
の線VI−VIでの断面図である。
【図９】図９（ａ）と（ｂ）は、それぞれ、実施形態例
２の方法に従ってＥＡ−ＤＦＢを作製する際の工程毎の
断面図である。
２の方法に従ってＥＡ−ＤＦＢを作製する際の工程毎の
断面図である。
【図１０】図１０（ａ）と（ｂ）は、それぞれ、図９
（ａ）と（ｂ）に続いて、実施形態例２の方法に従って
ＥＡ−ＤＦＢを作製する際の工程毎の断面図である。
（ａ）と（ｂ）に続いて、実施形態例２の方法に従って
ＥＡ−ＤＦＢを作製する際の工程毎の断面図である。
【図１１】図１１（ａ）と（ｂ）は、それぞれ、図１０
（ａ）と（ｂ）に続いて、実施形態例の方法に従ってＥ
Ａ−ＤＦＢを作製する際の工程毎の断面図である。
（ａ）と（ｂ）に続いて、実施形態例の方法に従ってＥ
Ａ−ＤＦＢを作製する際の工程毎の断面図である。
【図１２】従来のＥＡ−ＤＦＢの平面図である。
【図１３】図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、それぞ
れ、従来のＥＡ−ＤＦＢを構成するＤＦＢレーザ及びＥ
Ａ光変調器の構成を示す図１２の線VII −VII での断面
図、及び図１２の線VIII−VIIIでの断面図である。
れ、従来のＥＡ−ＤＦＢを構成するＤＦＢレーザ及びＥ
Ａ光変調器の構成を示す図１２の線VII −VII での断面
図、及び図１２の線VIII−VIIIでの断面図である。
１０ 実施形態例１のＥＡ−ＤＦＢ １０Ａ ＤＦＢレーザ １０Ｂ ＥＡ光変調器 １２ ｎ−ＩｎＰ基板 １２Ａ ＤＦＢレーザ領域 １２Ｂ ＥＡ光変調器領域 １４ ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層 １６ λｇが１．５５μｍのＧａＩｎＡｓＰからなるＳ
ＣＨ−ＭＱＷ １８ ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層 ２０ λｇが１２００ｎｍのＧａＩｎＡｓＰからなる回
折格子層 ２０ａ 回折格子 ２２ ｐ−ＩｎＰキャップ層 ２４ ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層 ２６ ＤＦＢレーザ領域上の積層構造体 ２８ ＳｉＮ膜マスク ３０ ｎ−ＩｎＰバッファー層 ３２ λｇが１．５２μｍのＡｌＧａＩｎＡｓからなる
ＳＣＨ−ＭＱＷ ３４ 波長λｇがｐ−ＧａＩｎＡｓＰからなる光導波層 ３６ ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層 ３８ ＥＡ光変調器領域上の積層構造体 ４０ ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層 ４２ ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層 ４４、４６ ＳｉＮ膜マスク ４８ ＤＦＢレーザ領域上のメサ構造 ５０ ＥＡ光変調器領域上のメサ構造 ５２ 半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ層 ５４ 窓 ５６ ＳｉＮパッシベーション膜 ５８ ｐ側電極 ６０ ｎ側電極 ６２ 窓 ６４ ｐ側電極 ７０ 実施形態例２のＥＡ−ＤＦＢ ７０Ａ ＤＦＢレーザ ７０Ｂ ＥＡ光変調器 ７２ ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層 ７４ ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層 ７６ ＤＦＢレーザ領域上のメサ構造 ７８ 半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ層 ８０ ｎ−ＩｎＰホールボロッキング層 ８２ ｐ側電極 ８４ ＥＡ光変調器領域上のメサ構造 ８６ ｐ側電極 ８８、９０ ＳｉＮ膜マスク １００ ＥＡ−ＤＦＢ １００Ａ ＤＦＢレーザ １００Ｂ ＥＡ光変調器 １０２ ｎ−ＩｎＰバッファー層 １０４ λｇが１．５２μｍのＧａＩｎＡｓＰからなる
ＳＣＨ−ＭＱＷ １０６ ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層 １０８ ＥＡ光変調器領域上のメサ構造 １１０ 窓 １１２ ｐ側電極
ＣＨ−ＭＱＷ １８ ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層 ２０ λｇが１２００ｎｍのＧａＩｎＡｓＰからなる回
折格子層 ２０ａ 回折格子 ２２ ｐ−ＩｎＰキャップ層 ２４ ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層 ２６ ＤＦＢレーザ領域上の積層構造体 ２８ ＳｉＮ膜マスク ３０ ｎ−ＩｎＰバッファー層 ３２ λｇが１．５２μｍのＡｌＧａＩｎＡｓからなる
ＳＣＨ−ＭＱＷ ３４ 波長λｇがｐ−ＧａＩｎＡｓＰからなる光導波層 ３６ ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層 ３８ ＥＡ光変調器領域上の積層構造体 ４０ ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層 ４２ ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層 ４４、４６ ＳｉＮ膜マスク ４８ ＤＦＢレーザ領域上のメサ構造 ５０ ＥＡ光変調器領域上のメサ構造 ５２ 半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ層 ５４ 窓 ５６ ＳｉＮパッシベーション膜 ５８ ｐ側電極 ６０ ｎ側電極 ６２ 窓 ６４ ｐ側電極 ７０ 実施形態例２のＥＡ−ＤＦＢ ７０Ａ ＤＦＢレーザ ７０Ｂ ＥＡ光変調器 ７２ ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層 ７４ ｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層 ７６ ＤＦＢレーザ領域上のメサ構造 ７８ 半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ層 ８０ ｎ−ＩｎＰホールボロッキング層 ８２ ｐ側電極 ８４ ＥＡ光変調器領域上のメサ構造 ８６ ｐ側電極 ８８、９０ ＳｉＮ膜マスク １００ ＥＡ−ＤＦＢ １００Ａ ＤＦＢレーザ １００Ｂ ＥＡ光変調器 １０２ ｎ−ＩｎＰバッファー層 １０４ λｇが１．５２μｍのＧａＩｎＡｓＰからなる
ＳＣＨ−ＭＱＷ １０６ ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層 １０８ ＥＡ光変調器領域上のメサ構造 １１０ 窓 １１２ ｐ側電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 成明 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 (72)発明者 山口 武治 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H079 AA02 AA13 BA01 CA04 DA16 EA07 KA18 5F073 AA22 AA53 AA64 AA74 AB21 CA12 CA15
Claims (7)
- 【請求項１】 電界吸収型光変調器（以下、ＥＡ光変調
器と言う）と、ＥＡ光変調器の光源として設けられた分
布帰還型半導体レーザ素子（以下、ＤＦＢレーザと言
う）とをモノリシックに集積した半導体光素子におい
て、 ＥＡ光変調器は、ＡｌＧａＩｎＡｓ系材料からなり、光
の進行方向に対して垂直な面での光のフィールドの幅よ
り広い幅を有する量子井戸構造活性層を含む化合物半導
体積層構造とを備え、 ＤＦＢレーザは、ＢＨ構造として形成されたＧａＩｎＡ
ｓＰ系材料からなる量子井戸構造活性層を備えているこ
とを特徴とする半導体光素子。 - 【請求項２】 ＥＡ光変調器が、埋め込みリッジ構造又
はＳＡＳ構造のいずれかの化合物半導体積層構造を備
え、埋め込み層として半絶縁性のＩｎＰ層を有すると
き、 上部クラッドの少なくとも一部として、ＧａＩｎＡｓＰ
又はＡｌＧａＩｎＡｓからなるストライプ状の光導波層
を備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体
光素子。 - 【請求項３】 電界吸収型光変調器（以下、ＥＡ光変調
器と言う）と、ＥＡ光変調器の光源として設けられた分
布帰還型半導体レーザ素子（以下、ＤＦＢレーザと言
う）とをモノリシックに集積した半導体光素子の作製方
法であって、 半導体基板のＤＦＢレーザ形成領域及びＥＡ光変調器形
成領域上に、ＧａＩｎＡｓＰ系材料からなる量子井戸構
造活性層を備えるＤＦＢレーザ、又はＡｌＧａＩｎＡｓ
系材料からなる量子井戸構造活性層を備えるＥＡ光変調
器のいずれか一方の積層構造を形成する第１の積層構造
形成工程と、 半導体基板の他方の形成領域上の一方の積層構造をエッ
チングして基板を露出させ、次いで他方の形成領域上に
他方の積層構造を形成する第２の積層構造形成工程と、 一方の積層構造及び他方の積層構造を同時にエッチング
して、それぞれ、ストライプ状のメサ構造を形成するメ
サ形成エッチング工程とを備えることを特徴とする半導
体光素子の作製方法。 - 【請求項４】 第１又は第２の積層構造形成工程では、
ＥＡ光変調器の積層構造の上部クラッドの少なくとも一
部としてＧａＩｎＡｓＰ又はＡｌＧａＩｎＡｓからなる
光導波層を成膜することを特徴とする請求項３に記載の
半導体光素子の作製方法。 - 【請求項５】 メサ形成エッチング工程では、ドライエ
ッチング法によるエッチングに際し、ＥＡ光変調器形成
領域で、量子井戸構造活性層又は上部クラッド層の少な
くとも一部を構成するＡｌＧａＩｎＡｓ系材料層をエッ
チング停止層として機能させることを特徴とする請求項
３又は４に記載の半導体光素子の作製方法。 - 【請求項６】 メサ形成エッチング工程では、第２の積
層構造形成工程に引き続いて成膜装置のチャンバ内で、
ＣＢｒ4等の臭素系ガスをエッチングガスとしたドライ
エッチングを行うことを特徴とする請求項５に記載の半
導体光素子の作製方法。 - 【請求項７】 メサ形成エッチング工程に続いて、一方
の積層構造のメサ構造及び他方の積層構造のメサ構造を
同時に半絶縁性ＩｎＰ層で同時に埋め込む工程を有し、 ＥＡ光変調器形成領域では埋め込みリッジ構造又はＳＡ
Ｓ構造のいずれかの化合物半導体積層構造を形成し、Ｄ
ＦＢレーザ形成領域ではＢＨ構造を形成することを特徴
とする請求項３から６のうちのいずれか１項に記載の半
導体光素子の作製方法。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010114295A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Fujitsu Ltd | 光導波路素子の製造方法 |
| JP2013061632A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-04-04 | Japan Oclaro Inc | 光デバイス、光モジュール、及び光デバイスの製造方法 |
| JP2016092124A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | 三菱電機株式会社 | 光変調器集積半導体レーザ |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2888405B1 (fr) * | 2005-07-08 | 2007-10-26 | Alcatel Sa | Dispositif opto-electronique comportant un laser et un modulateur integres et procede de realisation associe |
| JP2007035784A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 分布帰還型半導体レーザ |
| GB2429331B (en) * | 2005-08-15 | 2011-05-11 | Agilent Technologies Inc | A method of providing electrical separation in integrated devices and related device |
| JP2007103581A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Fujitsu Ltd | 埋込型半導体レーザ |
| JP4135019B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2008-08-20 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レーザ |
| US8594477B2 (en) * | 2009-03-17 | 2013-11-26 | Nec Corporation | Optical waveguide device and method of manufacturing thereof |
| JP5434324B2 (ja) * | 2009-07-14 | 2014-03-05 | 富士通株式会社 | 反射型半導体光増幅器 |
| US8385379B2 (en) * | 2010-01-07 | 2013-02-26 | Furukawa Electric Co., Ltd | Optical semiconductor device and pumping light source for optical fiber amplifier |
| WO2013180291A1 (ja) | 2012-05-31 | 2013-12-05 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
| US9523815B2 (en) * | 2014-03-31 | 2016-12-20 | Stmicroelectronics Sa | ESD protection thyristor adapted to electro-optical devices |
| CN114284865B (zh) * | 2021-12-24 | 2023-07-21 | 中国科学院半导体研究所 | 有源反馈分布式反馈激光器及其制作方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62191822A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 量子井戸形光変調器およびその製造方法 |
| JPH10326942A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 複合光デバイスとその製造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62194691A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光導波路領域を有する半導体光集積装置の製造方法 |
| GB2237654B (en) | 1989-11-02 | 1993-11-10 | Stc Plc | Semiconductor optical source |
| US5165105A (en) * | 1991-08-02 | 1992-11-17 | Minnesota Minning And Manufacturing Company | Separate confinement electroabsorption modulator utilizing the Franz-Keldysh effect |
| US5585957A (en) * | 1993-03-25 | 1996-12-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method for producing various semiconductor optical devices of differing optical characteristics |
| FR2706079B1 (fr) | 1993-06-02 | 1995-07-21 | France Telecom | Composant intégré monolithique laser-modulateur à structure multi-puits quantiques. |
| JPH0738204A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光デバイス及びその製造方法 |
| JP2762951B2 (ja) * | 1995-03-30 | 1998-06-11 | 日本電気株式会社 | 半導体光導波路とその製造方法 |
| GB9523731D0 (en) * | 1995-11-20 | 1996-01-24 | British Telecomm | Optical transmitter |
| US5991473A (en) * | 1996-07-10 | 1999-11-23 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Waveguide type semiconductor photodetector |
| JPH1075009A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Nec Corp | 光半導体装置とその製造方法 |
| FR2756384B1 (fr) * | 1996-11-28 | 1999-02-12 | Minot Christophe | Dispositif bidirectionnel de transposition entre des signaux optiques et des signaux electriques, pour systeme de communication |
| US6026106A (en) * | 1997-03-26 | 2000-02-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Composite optical device |
| US6015979A (en) * | 1997-08-29 | 2000-01-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride-based semiconductor element and method for manufacturing the same |
| US6198853B1 (en) * | 1997-10-31 | 2001-03-06 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor optical functional element |
| JP3191784B2 (ja) * | 1998-10-29 | 2001-07-23 | 日本電気株式会社 | 回折格子の製造方法及び半導体レーザの製造方法 |
-
2001
- 2001-02-02 JP JP2001027145A patent/JP4676068B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-01-15 US US10/044,990 patent/US6821798B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-01-31 EP EP02002409A patent/EP1233486A3/en not_active Withdrawn
- 2002-02-01 CA CA002369831A patent/CA2369831A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62191822A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 量子井戸形光変調器およびその製造方法 |
| JPH10326942A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 複合光デバイスとその製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010114295A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Fujitsu Ltd | 光導波路素子の製造方法 |
| JP2013061632A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-04-04 | Japan Oclaro Inc | 光デバイス、光モジュール、及び光デバイスの製造方法 |
| JP2016092124A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | 三菱電機株式会社 | 光変調器集積半導体レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US6821798B2 (en) | 2004-11-23 |
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| EP1233486A3 (en) | 2003-03-05 |
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