JP2002226579A - 膜形成用組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 平坦性に優れ、印刷作業性に優れる膜形成用
組成物を提供すること。 【解決手段】 下記式（１）で表されるテトラカルボン
酸二無水物と、ジアミンとを反応させて得られるポリア
ミック酸および当該ポリアミック酸を脱水閉環させて得
られる構造を有するポリイミドから選ばれる少なくとも
一種の重合体を含有することを特徴とする、膜形成用組
成物を提供する。 【化１】 （式中、Ｒ¹ およびＲ² は各々独立に、炭素数１〜５０
の１価の有機基であり、ａは０〜１０の整数であり、ｂ
は１〜４の整数であり、ｃおよびｄはそれぞれ独立に０
〜２の整数であり（但し、ｃ＋ｄ≧１である）、ｅは０
〜８の整数である。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、膜形成用組成物に
関する。さらに詳しくは、感光性または非感光性の絶縁
膜、液晶配向膜、半導体のパッシベーション膜、バッフ
ァーコート膜、保護膜などの膜形成に好適な、膜形成用
組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】ポリイミドは、基本的に優れた耐熱性と
高い強度を有するものであるため、電子材料や光学材料
の分野において、絶縁膜、保護膜、封止材、液晶表示素
子における液晶配向膜などとして、広く好適に用いられ
ている。また、ポリイミドに感光性を持たせることによ
り、半導体のパッシベーション膜、バッファーコート
膜、保護膜、絶縁膜などの用途でポリイミドのパターン
形成が可能になる。これらの用途においては、通常、ポ
リイミドの前駆体であり加熱により脱水閉環してポリイ
ミドを生成するポリアミック酸または可溶性のポリイミ
ドを適宜の溶液に溶解させて膜形成用組成物とし、これ
を基板などの基体の表面に、通常、印刷法などにより塗
布し、乾燥させてポリイミドの膜が形成される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】一般に、薄膜トランジ
スタ型液晶表示素子や磁気ヘッド素子、集積回路素子、
固体撮像素子などの電子部品において、絶縁膜は、充分
な平坦性を有するものでなければ良好な絶縁性能を有す
るものとならない。また、液晶表示素子における液晶配
向膜においても、通常、得られた膜表面を、例えばナイ
ロン、レーヨン、コットンなどの繊維からなる布を巻き
付けたロールで一定方向に擦るラビング処理を施して液
晶配向能を付与するため、膜表面が平坦性を有していな
いと、ラビングむらが発生し、配向不良が起こる原因と
なる。

【０００４】しかしながら、ポリアミック酸または可溶
性ポリイミドを印刷法により基板に塗布して膜を形成す
る場合、印刷版周縁部分にポリマー溶液から析出した固
形分が残留してそれが基板上に剥がれ落ちる、ボタ落ち
と呼ばれる現象が起こる場合がある。ボタ落ちは、膜の
平坦性を損ねる原因となる。また、ボタ落ちが起こらな
いようにするためには版の洗浄を頻繁に行う必要があ
り、印刷作業性が劣る結果となる。

【０００５】本発明の第１の目的は、平坦性に優れた膜
を形成することが可能な膜形成用組成物を提供すること
である。本発明の第２の目的は、ボタ落ちがなく、印刷
作業性に優れた膜形成用組成物を提供することである。
本発明の第３の目的は、感光性または非感光性の、絶縁
膜、保護膜、液晶配向膜、半導体のパッシベーション
膜、バッファーコート膜などの形成に好適な、膜形成用
組成物を提供することである。

【０００６】

【発明を解決するための手段】本発明は以上のような事
情に基づいてなされたものである。即ち、本発明の膜形
成用組成物は、下記式（１）で表されるテトラカルボン
酸二無水物（以下、「特定酸無水物」ともいう）と、ジ
アミンとを反応させて得られるポリアミック酸および当
該ポリアミック酸を脱水閉環させて得られる構造を有す
るポリイミドから選ばれる少なくとも一種の重合体を含
有することを特徴とする。

【０００７】

【化１】

【０００８】（式中、Ｒ¹ およびＲ² は各々独立に、炭
素数１〜５０の１価の有機基であり、ａは０〜１０の整
数であり、ｂは１〜４の整数であり、ｃおよびｄはそれ
ぞれ独立に０〜２の整数であり（但し、ｃ＋ｄ≧１であ
る）、ｅは０〜８の整数である。）

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。 ［テトラカルボン酸二無水物］上記式（１）中、Ｒ¹ お
よびＲ² で表される炭素数１〜５０の１価の有機基は、
直鎖状であっても分岐状であっても環状であってもよ
く、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル
基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ヘキサデシル
基、ｎ−オクタデシル基などのアルキル基；シクロブチ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビシクロ
ヘキシル基などの（ビ）シクロアルキル基；ベンジル
基、ビフェニル基、ナフチル基、ビナフチル基などのア
リール基；メトキシエチル基、エトキシメチル基、エト
キシエチル基、ヘキサデシロキシメチル基、ヘキサデシ
ロキシエチル基、オクタデシロキシメチル基、オクタデ
シロキシエチル基などのアルコキシアルキル基；ブチロ
キシエトキシメチル基、ブチロキシエトキシエチル基な
どのアルコキシアルコキシアルキル基；フェノキシメチ
ル基、フェノキシエチル基、メチルフェノキシメチル
基、メチルフェノキシエチル基、オクチルフェノキシメ
チル基、オクチルフェノキシエチル基、ヘキサデシルフ
ェノキシメチル基、ヘキサデシルフェノキシエチル基、
オクタデシルフェノキシメチル基、オクタデシルフェノ
キシエチル基などの（アルキル）アリーロキシアルキル
基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブ
トキシカルボニル基、オクチロキシカルボニル基、ヘキ
サデシロキシカルボニル基、オクタデシロキシカルボニ
ル基などのアルコキシカルボニル基；アセチロキシ基、
プロパノイロキシ基、ヘキサノイロキシ基、オクタノイ
ロキシ基、ヘキサデカノイロキシ基、オクタデカノイロ
キシ基などのアシロキシ基；アセチロキシメチル基、ア
セチロキシエチル基、プロパノイロキシメチル基、プロ
パノイロキシエチル基、ヘキサノイロキシメチル基、ヘ
キサノイロキシエチル基、オクタノイロキシメチル基、
オクタノイロキシエチル基、ヘキサデカノイロキシメチ
ル基、ヘキサデカノイロキシエチル基、オクタデカノイ
ロキシメチル基、オクタデカノイロキシエチル基などの
アシロキシアルキル基；コレスタリル基、コレステリル
基、コレスタノキシメチル基、コレスタノキシエチル
基、コレステロキシメチル基、コレステロキシエチル
基、コレスタノイロキシカルボニル基、コレステリロキ
シカルボニル基、コレステリロキシカルボニル基、コレ
スタリロキシカルボニル基などのステロイド骨格を有す
る基；パーヒドロナフチル基、パーヒドロアントラセニ
ル基ペルヒドロナフチロキシカルボニル基、ペルヒドロ
アントラセニロキシカルボニル基などを挙げることがで
きる。これらは置換されていてもよく、好ましい置換基
としては、フッ素、塩素、臭素などのハロゲン原子が挙
げられる。Ｒ¹ およびＲ² として特に好ましいものとし
ては、アルキル基、アルコキシアルキル基、アリーロキ
シアルキル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。

【００１０】また、上記式（１）中、ａおよびｅは０〜
１、ｂは１、ｃおよびｄは０〜１であることが特に好ま
しく、さらに、ｃ＋ｄ＝１であることが好ましい。

【００１１】本発明に用いられる特定酸無水物は、例え
ば、無水イタコン酸とシクロペンタジエンとをベンゼン
等の有機溶媒中でＤｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応を行い、
酸化の後に無水化させることにより得られる。通常、上
記反応によると立体異性体の混合物（ｅｘｏ体＋ｅｎｄ
ｏ体）が得られるが、得られた特定酸無水物を酸化して
テトラカルボン酸とし、再び脱水反応を行って酸無水物
とすることにより、立体異性体を含まない特定酸無水物
（ｅｘｏ体）としてもよい。

【００１２】本発明で用いられる重合体においては、本
発明の効果を損なわない程度に、特定酸無水物以外のテ
トラカルボン酸二無水物が用いられてもよい。当該テト
ラカルボン酸二無水物としては、例えば、ブタンテトラ
カルボン酸二無水物、１,２,３,４−シクロブタンテト
ラカルボン酸二無水物、１,２−ジメチル−１,２,３,４
−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１,３−ジ
メチル−１,２,３,４−シクロブタンテトラカルボン酸
二無水物、１,３−ジクロロ−１,２,３,４−シクロブタ
ンテトラカルボン酸二無水物、１,２,３,４−テトラメ
チル−１,２,３,４−シクロブタンテトラカルボン酸二
無水物、１,２,３,４−シクロペンタンテトラカルボン
酸二無水物、１,２,４,５−シクロヘキサンテトラカル
ボン酸二無水物、３,３’,４,４’−ジシクロヘキシル
テトラカルボン酸二無水物、２,３,５−トリカルボキシ
シクロペンチル酢酸二無水物、１,３,３ａ,４,５,９ｂ
−ヘキサヒドロ−５（テトラヒドロ−２,５−ジオキソ
−３−フラニル）−ナフト［１,２−ｃ］−フラン−１,
３−ジオン、１,３,３ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−
５−メチル−５（テトラヒドロ−２,５−ジオキソ−３
−フラニル）−ナフト［１,２−ｃ］−フラン−１,３−
ジオン、１,３,３ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−５−
エチル−５（テトラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フ
ラニル）−ナフト［１,２−ｃ］−フラン−１,３−ジオ
ン、１,３,３ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−７−メチ
ル−５（テトラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニ
ル）−ナフト［１,２−ｃ］−フラン−１,３−ジオン、
１,３,３ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−７−エチル−
５（テトラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）
−ナフト［１,２−ｃ］−フラン−１,３−ジオン、１,
３,３ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−８−メチル−５
（テトラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）−
ナフト［１,２−ｃ］−フラン−１,３−ジオン、１,３,
３ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−８−エチル−５（テ
トラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフ
ト［１,２−ｃ］−フラン−１,３−ジオン、１,３,３
ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−５,８−ジメチル−５
（テトラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）−
ナフト［１,２−ｃ］−フラン−１,３−ジオン、５−
（２,５−ジオキソテトラヒドロフラル）−３−メチル
−３−シクロヘキセン−１,２−ジカルボン酸二無水
物、３,５,６−トリカルボキシノルボルナン−２−酢酸
二無水物、２,３,４,５−テトラヒドロフランテトラカ
ルボン酸二無水物、ビシクロ［２.２.２］−オクト−７
−エン−２,３,５,６−テトラカルボン酸二無水物、シ
ス−３,７−ジブチルシクロオクタ−１,５−ジエン−
１,２,５,６−テトラカルボン酸二無水物、下記式
（Ｉ）および（II）で表される化合物等の脂肪族または
脂環族テトラカルボン酸二無水物；

【００１３】

【化２】

【００１４】（式中、Ｒ³ およびＲ⁶ は、脂肪族環を有
する２価の有機基を示し、Ｒ⁴ およびＲ⁵ は、水素原子
またはアルキル基を示し、複数存在するＲ⁴ およびＲ⁵
は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。）

【００１５】ピロメリット酸二無水物、３,３’,４,
４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３,
３’,４,４’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二
無水物、１,４,５,８−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、２,３,６,７−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、３,３’,４,４’−ジメチルジフェニルシラン
テトラカルボン酸二無水物、３,３’,４,４’−テトラ
フェニルシランテトラカルボン酸二無水物、１,２,３,
４−フランテトラカルボン酸二無水物、４,４’−ビス
（３,４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフ
ィド二無水物、４,４’−ビス（３,４−ジカルボキシフ
ェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物、４,４’−ビ
ス（３,４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルプロ
パン二無水物、３,３’,４,４’−パーフルオロイソプ
ロピリデンジフタル酸二無水物、３,３’,４,４’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（フタル酸）
フェニルホスフィンオキサイド二無水物、ｐ−フェニレ
ン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ｍ−フェ
ニレン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ビス
（トリフェニルフタル酸）−４,４’−ジフェニルエー
テル二無水物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４,
４’−ジフェニルメタン二無水物、エチレングリコール
−ビス（アンヒドロトリメリテート）、プロピレングリ
コール−ビス（アンヒドロトリメリテート）、１,４−
ブタンジオール−ビス（アンヒドロトリメリテート）、
１,６−ヘキサンジオール−ビス（アンヒドロトリメリ
テート）、１,８−オクタンジオール−ビス（アンヒド
ロトリメリテート）、２,２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン−ビス（アンヒドロトリメリテー
ト）、下記式（２）〜（５）で表される化合物などの芳
香族テトラカルボン酸二無水物を挙げることができる。
これらは１種単独でまたは２種以上組み合わせて用いら
れる。

【００１６】

【化３】

【００１７】［ジアミン化合物］本発明で用いられるポ
リアミック酸の合成に用いられるジアミン化合物として
は、例えばｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジ
アミン、４,４’−ジアミノジフェニルメタン、４,４’
−ジアミノジフェニルエタン、４,４’−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、４,４’−ジアミノジフェニルスル
ホン、３,３’−ジメチル−４,４’−ジアミノビフェニ
ル、４,４’−ジアミノベンズアニリド、４,４’−ジア
ミノジフェニルエーテル、１,５−ジアミノナフタレ
ン、３,３−ジメチル−４,４’−ジアミノビフェニル、
５−アミノ−１−（４’−アミノフェニル）−１,３,３
−トリメチルインダン、６−アミノ−１−（４’−アミ
ノフェニル）−１,３,３−トリメチルインダン、３,
４’−ジアミノジフェニルエーテル、３,３’−ジアミ
ノベンゾフェノン、３,４’−ジアミノベンゾフェノ
ン、４,４’−ジアミノベンゾフェノン、２,２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、
２,２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス（４−アミ
ノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、
１,４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１,３
−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１,３−ビ
ス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、９,９−ビス
（４−アミノフェニル）−１０−ヒドロアントラセン、
２,７−ジアミノフルオレン、９,９−ビス（４−アミノ
フェニル）フルオレン、４,４’−メチレン−ビス（２
−クロロアニリン）、２,２’,５,５’−テトラクロロ
−４,４’−ジアミノビフェニル、２,２’−ジクロロ−
４,４’−ジアミノ−５,５’−ジメトキシビフェニル、
３,３’−ジメトキシ−４,４’−ジアミノビフェニル、
１,４,４’−（ｐ−フェニレンイソプロピリデン）ビス
アニリン、４,４’−（ｍ−フェニレンイソプロピリデ
ン）ビスアニリン、２,２’−ビス［４−（４−アミノ
−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル］ヘキ
サフルオロプロパン、４,４’−ジアミノ−２,２’−ビ
ス（トリフルオロメチル）ビフェニル、４,４’−ビス
［（４−アミノ−２−トリフルオロメチル）フェノキ
シ］−オクタフルオロビフェニルなどの芳香族ジアミ
ン；

【００１８】１,１−メタキシリレンジアミン、１,３−
プロパンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメ
チレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチ
レンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレン
ジアミン、４,４−ジアミノヘプタメチレンジアミン、
１,４−ジアミノシクロヘキサン、イソホロンジアミ
ン、テトラヒドロジシクロペンタジエニレンジアミン、
ヘキサヒドロ−４,７−メタノインダニレンジメチレン
ジアミン、トリシクロ［６.２.１.０2,7］−ウンデシレ
ンジメチルジアミン、４,４’−メチレンビス（シクロ
ヘキシルアミン）などの脂肪族および脂環式ジアミン；

【００１９】２,３−ジアミノピリジン、２,６−ジアミ
ノピリジン、３,４−ジアミノピリジン、２,４−ジアミ
ノピリミジン、５,６−ジアミノ−２,３−ジシアノピラ
ジン、５,６−ジアミノ−２,４−ジヒドロキシピリミジ
ン、２,４−ジアミノ−６−ジメチルアミノ−１,３,５
−トリアジン、１,４−ビス（３−アミノプロピル）ピ
ペラジン、２,４−ジアミノ−６−イソプロポキシ−１,
３,５−トリアジン、２,４−ジアミノ−６−メトキシ−
１,３,５−トリアジン、２,４−ジアミノ−６−フェニ
ル−１,３,５−トリアジン、２,４−ジアミノ−６−メ
チル−ｓ−トリアジン、２,４−ジアミノ−１,３,５−
トリアジン、４,６−ジアミノ−２−ビニル−ｓ−トリ
アジン、２,４−ジアミノ−５−フェニルチアゾール、
２,６−ジアミノプリン、５,６−ジアミノ−１,３−ジ
メチルウラシル、３,５−ジアミノ−１,２,４−トリア
ゾール、６,９−ジアミノ−２−エトキシアクリジンラ
クテート、３,８−ジアミノ−６−フェニルフェナント
リジン、１,４−ジアミノピペラジン、３,６−ジアミノ
アクリジン、ビス（４−アミノフェニル）フェニルアミ
ンおよび下記式（III）〜（IV）で表される化合物など
の、分子内に２つの１級アミノ基および該１級アミノ基
以外の窒素原子を有するジアミン；

【００２０】

【化４】

【００２１】（式中、Ｒ⁷ は、ピリジン、ピリミジン、
トリアジン、ピペリジンおよびピペラジンから選ばれる
窒素原子を含む環構造を有する１価の有機基を示し、Ｘ
は２価の有機基を示す。）

【００２２】

【化５】

【００２３】（式中、Ｒ⁸ は、ピリジン、ピリミジン、
トリアジン、ピペリジンおよびピペラジンから選ばれる
窒素原子を含む環構造を有する２価の有機基を示し、Ｘ
は２価の有機基を示し、複数存在するＸは、同一でも異
なっていてもよい。）

【００２４】下記式（Ｖ）で表されるモノ置換フェニレ
ンジアミン類；下記式（VI）で表されるジアミノオルガ
ノシロキサン；

【００２５】

【化６】

【００２６】（式中、Ｒ⁹ は、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−
ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−および−ＣＯ−
から選ばれる２価の有機基を示し、Ｒ¹⁰は、ステロイド
骨格、トリフルオロメチル基およびフルオロ基から選ば
れる基を有する１価の有機基または炭素数６〜３０のア
ルキル基を示す。）

【００２７】

【化７】

【００２８】（式中、Ｒ¹¹は炭素数１〜１２の炭化水素
基を示し、複数存在するＲ¹¹は、それぞれ同一でも異な
っていてもよく、ｐは１〜３の整数であり、ｑは１〜２
０の整数である。）

【００２９】下記式（６）〜（１０）で表される化合物
などを挙げることができる。これらのジアミン化合物
は、単独でまたは２種以上組み合わせて用いることがで
きる。

【００３０】

【化８】

【００３１】（式中、ｙは２〜１２の整数であり、ｚは
１〜５の整数である。）

【００３２】これらのうち、ｐ−フェニレンジアミン、
４,４’−ジアミノジフェニルメタン、４,４’−ジアミ
ノジフェニルスルフィド、１,５−ジアミノナフタレ
ン、２,７−ジアミノフルオレン、４,４’−ジアミノジ
フェニルエーテル、２,２−ビス［４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］プロパン、９,９−ビス（４−ア
ミノフェニル）フルオレン、２,２−ビス［４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパ
ン、２,２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン、４,４’−（ｐ−フェニレンジイソプロピ
リデン）ビスアニリン、４,４’−（ｍ−フェニレンジ
イソプロピリデン）ビスアニリン、１,４−シクロヘキ
サンジアミン、４,４’−メチレンビス（シクロヘキシ
ルアミン）、１,４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベ
ンゼン、４,４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフ
ェニル、上記式（６）〜（１０）で表される化合物、
２,６−ジアミノピリジン、３,４−ジアミノピリジン、
２,４−ジアミノピリミジン、３,６−ジアミノアクリジ
ン、上記式（III）で表される化合物のうち下記式（１
１）で表される化合物、上記式（IV）で表される化合物
のうち下記式（１２）で表される化合物および上記式
（Ｖ）で表される化合物のうちドデカノキシ−２，４−
ジアミノベンゼン、ペンタデカノキシ−２，４−ジアミ
ノベンゼン、ヘキサデカノキシ−２，４−ジアミノベン
ゼン、オクタデカノキシ−２，４−ジアミノベンゼン、
下記式（１３）〜（１８）で表される化合物が好まし
い。

【００３３】

【化９】

【００３４】＜ポリアミック酸＞ポリアミック酸の合成
反応に供されるテトラカルボン酸二無水物とジアミン化
合物の使用割合は、ジアミン化合物に含まれるアミノ基
１当量に対して、テトラカルボン酸二無水物の酸無水物
基が０.２〜２当量となる割合が好ましく、さらに好ま
しくは０.６〜１.４当量となる割合である。ポリアミッ
ク酸の合成反応は、有機溶媒中において、通常−２０〜
１５０℃、好ましくは０〜１００℃の温度条件下で行わ
れる。ここで、有機溶媒としては、原料となるテトラカ
ルボン酸二無水物およびジアミン化合物と合成されるポ
リアミック酸をともに溶解できるものであれば特に制限
はなく、好ましいものとして例えばＮ−メチル−２−ピ
ロリドン、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ,Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、１,３−ジ
メチル−２−イミダゾリドン、γ−ブチロラクトン、テ
トラメチル尿素、ヘキサメチルホスホルトリアミドなど
の非プロトン系極性溶媒；ｍ−クレゾール、キシレノー
ル、フェノール、ハロゲン化フェノールなどのフェノー
ル系溶媒を例示することができる。また、有機溶媒の使
用量（ａ）は、通常、テトラカルボン酸二無水物および
ジアミン化合物の総量（ｂ）が反応溶液の全量（ａ＋
ｂ）に対して０.１〜３０重量％になるような量である
ことが好ましい。

【００３５】なお、前記有機溶媒には、得られるポリア
ミック酸の貧溶媒を、生成するポリアミック酸が析出し
ない範囲で併用することができる。かかる貧溶媒の具体
例としては、例えばメチルアルコール、エチルアルコー
ル、イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール、ヘ
キサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、トルエン、キ
シレンなどを挙げることができる。

【００３６】以上のようにして、ポリアミック酸を溶解
してなる反応溶液が得られる。そして、この反応溶液を
大量の貧溶媒中に注いで析出物を得、この析出物を減圧
下乾燥することによりポリアミック酸を得ることができ
る。また、このポリアミック酸を再び有機溶媒に溶解さ
せ、次いで貧溶媒で析出させる工程を１回または数回行
うことにより、ポリアミック酸を精製することができ
る。なお、本発明で用いられるポリアミック酸は、その
カルボキシル基の一部または全部を任意の有機基でエス
テル化して用いてもよい。

【００３７】＜ポリイミド＞本発明の膜形成用組成物を
構成するポリイミドは、上記ポリアミック酸を脱水閉環
することにより調製することができる。本発明で用いら
れるポリイミドは、イミド化率が低いものであってもよ
い。ここで、「イミド化率」とは、重合体におけるアミ
ック酸を形成してなる繰返し単位とイミド環を形成して
なる繰り返し単位の総数に対する、イミド環を形成して
なる繰り返し単位の数の割合を％で表したものとする。
このとき、イミド環の一部がイソイミド環であってもよ
い。脱水閉環反応の条件を調整することにより、イミド
化率を調整することができる。

【００３８】ポリアミック酸の脱水閉環は、（ｉ）ポリ
アミック酸を加熱する方法により、または（ii）ポリア
ミック酸を有機溶媒に溶解し、この溶液中に脱水剤およ
び脱水閉環触媒を添加し必要に応じて加熱する方法によ
り行われる。上記（ｉ）のポリアミック酸を加熱する方
法における反応温度は、好ましくは１００〜３００℃と
され、より好ましくは１５０〜２５０℃とされる。反応
温度が１００℃未満では脱水閉環反応が十分に進行し難
く、反応温度が３００℃を超えると得られるイミド化重
合体の分子量が低下することがある。

【００３９】一方、上記（ii）のポリアミック酸の溶液
中に脱水剤および脱水閉環触媒を添加する方法におい
て、脱水剤としては、例えば無水酢酸、無水プロピオン
酸、無水トリフルオロ酢酸などの酸無水物を用いること
ができる。脱水剤の使用量は、ポリアミック酸の繰り返
し単位１モルに対して０.０１〜２０モルとするのが好
ましい。また、脱水閉環触媒としては、例えばピリジ
ン、コリジン、ルチジン、トリエチルアミンなどの３級
アミンを用いることができる。しかし、これらに限定さ
れるものではない。脱水閉環触媒の使用量は、使用する
脱水剤１モルに対して０.０１〜１０モルとするのが好
ましい。なお、脱水閉環反応に用いられる有機溶媒とし
ては、ポリアミック酸の合成に用いられるものとして例
示した有機溶媒を挙げることができる。そして、脱水閉
環反応の反応温度は、通常０〜１８０℃、好ましくは１
０〜１５０℃とされる。また、このようにして得られる
反応溶液に対し、ポリアミック酸の精製方法と同様の操
作を行うことにより、ポリイミドを精製することができ
る。

【００４０】＜膜形成用組成物＞本発明の膜形成用組成
物は、上記ポリアミック酸および／またはポリイミド
が、通常、有機溶媒中に溶解含有されて構成される。本
発明の膜形成用組成物を構成する有機溶媒としては、ポ
リアミック酸の合成反応に用いられるものとして例示し
た溶媒を挙げることができる。また、ポリアミック酸の
合成反応の際に併用することができるものとして例示し
た貧溶媒も適宜選択して併用することができる。

【００４１】本発明の膜形成用組成物における固形分濃
度は、その用途や、粘性、揮発性などを考慮して選択さ
れるが、好ましくは１〜４０重量％の範囲とされる。す
なわち、本発明の膜形成用組成物は、通常、基板表面に
塗布され、絶縁膜、液晶配向膜などの塗膜を形成するも
のであるが、固形分濃度が１重量％未満である場合に
は、この塗膜の膜厚が過小となって良好な塗膜を得難
い。固形分濃度が４０重量％を超える場合には、塗膜の
膜厚が過大となり、また、膜形成用組成物の粘性が増大
して塗布特性が劣り易くなる。さらに、非感光の絶縁
膜、液晶配向膜などの塗膜を形成する際には、特に好ま
しい固形分濃度は１〜２０重量％であり、感光性の保護
膜、絶縁膜などの塗膜を形成する際には、特に好ましい
固形分濃度は１０〜３５重量％とされる。また、本発明
の膜形成用組成物を調製する際の温度は、好ましくは、
０℃〜２００℃、より好ましくは２０℃〜６０℃であ
る。

【００４２】本発明の膜形成用組成物には、基板表面に
対する接着性を向上させる観点から、官能性シラン含有
化合物またはエポキシ基含有化合物が含有されていても
よい。かかる官能性シラン含有化合物としては、例えば
３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルト
リメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−ア
ミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプ
ロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリ
エトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル
−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリエ
トキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−ト
リメトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、１
０−トリメトキシシリル−１,４,７−トリアザデカン、
１０−トリエトキシシリル−１,４,７−トリアザデカ
ン、９−トリメトキシシリル−３,６−ジアザノニルア
セテート、９−トリエトキシシリル−３,６−ジアザノ
ニルアセテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルト
リメトキシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピル
トリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）
−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビス
（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリエトキシ
シランなどを挙げることができる。

【００４３】また、エポキシ基含有化合物としては、例
えばエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエ
チレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレング
リコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコ
ールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコール
ジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリ
シジルエーテル、１,６−ヘキサンジオールジグリシジ
ルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、２,２
−ジブロモネオペンチルグリコールジグリシジルエーテ
ル、１,３,５,６−テトラグリシジル−２,４−ヘキサン
ジオール、Ｎ,Ｎ,Ｎ’,Ｎ’,−テトラグリシジル−ｍ−
キシレンジアミン、１,３−ビス（Ｎ,Ｎ−ジグリシジル
アミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ,Ｎ,Ｎ’,Ｎ’,−テ
トラグリシジル−４、４’−ジアミノジフェニルメタン
などを好ましいものとして挙げることができる。これら
官能性シラン含有化合物やエポキシ基含有化合物の配合
割合は、重合体１００重量部に対して、好ましくは、４
０重量部以下、より好ましくは０.１〜３０重量部であ
る。

【００４４】なお、本発明の膜形成用組成物に感光性を
持たせる場合には、ナフトキノンジアジドスルホン酸エ
ステルなどのｏ−ジアゾキノン化合物などの感光剤や、
オニウム塩などの光酸発生剤が添加される。また、アル
カリ性溶液に対する溶解阻害効果を有し放射線の照射に
より分解してアルカリ可溶化する溶解性制御剤を添加す
ることにより、感光性組成物としてもよい。

【００４５】＜膜の形成＞本発明の膜形成用組成物を用
いて膜を形成する方法としては、例えばロールコーター
法、スピンナー法、印刷法などの方法によって塗布し、
次いで、塗布面を加熱することにより塗膜を形成する方
法が挙げられる。ここに、基板としては、用途によって
異なるが、液晶表示素子の場合には、例えばフロートガ
ラス、ソーダガラスなどのガラス；ポリエチレンテレフ
タレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテル
スルホン、ポリカーボネートなどのプラスチックからな
る透明基板を用いることができる。また、半導体素子の
場合には、シリコン基板、アルミニウムで被覆された基
板、窒化シリコンや窒化チタンなどの塩基性基板、無機
窒化膜や有機反射防止膜で被覆された基板などを用いる
ことができる。また、透明電極基板としては、酸化スズ
（ＳｎＯ₂ ）からなるＮＥＳＡ膜（米国ＰＰＧ社登録商
標）、酸化インジウム−酸化スズ（Ｉｎ₂Ｏ₃−Ｓｎ
Ｏ₂）からなるＩＴＯ膜などを用いることができる。本
発明の膜形成用組成物の塗布に際しては、基板表面と塗
膜との接着性をさらに良好にするために、基板の該表面
に、官能性シラン含有化合物、官能性チタン含有化合物
などを予め塗布することもできる。膜形成用組成物塗布
後の加熱温度は、好ましくは８０〜３００℃とされ、よ
り好ましくは１２０〜２５０℃とされる。なお、ポリア
ミック酸を含有する本発明の膜形成用組成物は、塗布後
に有機溶媒を除去することによって塗膜を形成するが、
さらに加熱することによって脱水閉環を進行させ、より
イミド化された塗膜とすることもできる。形成される塗
膜の膜厚は、用途によって異なるが、通常、０.００１
〜５０μｍである。非感光性の絶縁膜、液晶配向膜など
に用いる場合には、０.００５〜５μｍ程度が好まし
く、感光性の保護膜、絶縁膜などに用いる場合には、
０．５〜５０μｍ程度である。

【００４６】＜パターンの形成＞本発明の膜形成用組成
物に感光性を持たせてパターンを形成する場合には、通
常、上述したような方法で基板上に塗膜を形成し、所望
のパターンを有するフォトマスクを介して紫外線等の放
射線を照射した後、現像することによりパターンを形成
する。放射線としては、紫外線、水銀灯の輝線スペクト
ル、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー
などの遠紫外線、シンクロトロン放射線などのＸ線ある
いは荷電粒子線などの各種放射線を用いることができ
る。放射線照射の際の露光量は、好ましくは５０〜１０
００ｍＪ／ｃｍ² 、更に好ましくは１００〜６００ｍＪ
／ｃｍ² である。また感光性化合物として放射線照射で
酸を発生する化合物を用いた場合などは、現像前に加熱
（ポストベーク）を行う事が好ましい。現像処理として
は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡ
Ｈ）などのアミン系アルカリやＮａＯＨなどの無機アル
カリからなるアルカリ水溶液に浸漬、あるいはアルカリ
水溶液を塗膜に塗布する方法が挙げられる。現像処理に
より、露光部分がアルカリ水溶液に溶出し、除去され
る。なお、現像処理の後、更に水洗などを行うことが不
純物除去の観点から好ましい。また、現像後、好ましく
は２００〜４５０℃、更に好ましくは３００〜４５０℃
で加熱する事により、パターンを形成する重合体のイミ
ド化率を上げることができる。本発明の膜形成組成物に
より、耐熱性、絶縁性、平坦性に優れるポリイミド膜の
パターン形成が可能である。

【００４７】

【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。なお、実施例中の部および％は、特に断ら
ない限り、重量基準である。また、実施例および比較例
の各種測定は、下記の方法により行った。 （１）印刷性 膜形成用組成物を印刷機（日本写真印刷（株）製）を用
いてＩＴＯ基板１万枚に塗布し、１８０℃で１時間焼成
し、得られた膜の周縁部にボタ落ちが見られるかどうか
を顕微鏡を用いて観察した。 （２）塗膜の表面平滑性 膜形成用組成物をシリコンウェハ基板に印刷法を用いて
塗布し、当該基板を１８０℃で１時間乾燥して得られた
塗膜について、測定点１０点を選び、触針式膜厚計「ア
ルファステップ」（テンコール・インスツルメンツ社
製）で膜厚を測定し、膜厚の最大較差を求めた。 （３）基板との密着性 膜形成用組成物をＩＴＯ基板に塗布、１８０℃で１時間
焼成後に得られた塗膜をＪＩＳ Ｋ−５４００に準じて
碁盤目試験法により評価し、１００個の碁盤目のうち剥
離しなかった碁盤目の数により、密着性を評価した。 （４）液晶の配向性 得られた塗膜を液晶配向膜として用いた液晶表示素子に
電圧をオン・オフ（印加・解除）したときの異常ドメイ
ンの有無を偏光顕微鏡で観察し、異常ドメインのない場
合を「良好」と判定した。 （５）液晶表示素子の電圧保持率 得られた塗膜を液晶配向膜として用いた液晶表示素子
に、５Ｖの電圧を６０マイクロ秒の印加時間、１６７ミ
リ秒のスパンで印加した後、印加解除から１６７ミリ秒
後の電圧保持率を測定した。測定装置は（株）東陽テク
ニカ製ＶＨＲ−１を使用した。 （６）体積固有抵抗 膜形成用組成物を、Ａｓドープウエハー上に、スピンコ
ーターを用いて塗布したのち、１８０℃で２時間焼成を
行なって、膜厚３０００Åの塗膜を形成した。次いで、
体積固有抵抗測定装置Ｒ１２７０６（アドバンテスト
（株）製）、およびデータ処理装置としてＤＥＬＬ社製
パソコン ＸＰＳＴ４５０を用い、形成した樹脂膜に、
印加電圧１Ｖの直流電圧を印加後、３００秒後に飽和し
た値を測定して、樹脂膜の体積固有電流値とした。そし
て、得られた体積固有電流値より、樹脂膜の体積固有抵
抗値を次式から算出した。 体積固有抵抗値＝（電圧×主電極の面積）／（樹脂膜厚
×体積固有電流値）

【００４８】合成例１（特定酸無水物の合成） イタコン酸無水物２４６１ｇ（２２ｍｏｌ）とシクロペ
ンタジエン１７４５ｇ（２６ｍｏｌ）をトルエン３１０
０ｍｌに溶解させ、加熱還流を５時間行った。反応液を
濃縮し、残液を冷却後に得られた結晶をヘキサンにて洗
浄し、乾燥することでディールズアルダー付加体を得ら
れた。これにバナジン酸アンモニウム８１ｇ、硝酸１．
６Ｌを加え、６０℃で約４時間攪拌を行った後に約１／
３体積になるまで濃縮を行い、冷却すると結晶が析出し
た。濾別後に少量のアセトンで洗浄し、減圧乾燥しテト
ラカルボン酸を得た。これにトルエン７．６ｋｇ、無水
酢酸５．４ｋｇ加え、加熱還流を４時間行い、冷却する
と結晶が析出した。これを濾別し、減圧乾燥すること
で、下記式（１−１）で表される特定酸無水物（3-オキ
サビシクロ[3.2.1]オクタン-2,4-ジオン-6-スピロ-3'-
(テトラヒドロフラン-2',5'-ジオン）)１０４０ｇを得
た。

【００４９】

【化１０】

【００５０】合成例２（重合体の合成） テトラカルボン酸二無水物として、合成例１で得られた
特定酸無水物２２４.１７ｇ（１モル）、ジアミン化合
物としてｐ−フェニレンジアミン１８０．１４ｇ（１モ
ル）を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン４５００ｇに溶解
させ、６０℃で６時間反応させた。次いで、反応溶液を
大過剰のメチルアルコールに注いで反応生成物を沈澱さ
せた。その後、メチルアルコールで洗浄し、減圧下４０
℃で１５時間乾燥させることにより、対数粘度０.２０
ｄｌ／ｇのポリアミック酸３９０ｇを得た。得られたポ
リアミック酸３０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン５７
０ｇに溶解させ、ピリジン２３.４ｇおよび無水酢酸１
８.１ｇを添加し１１０℃で４時間脱水閉環させ、上記
と同様にして沈殿、洗浄、減圧を行い、対数粘度０.２
５ｄｌ／ｇ、イミド化率９４％のポリイミド（Ａ−１）
１７.５ｇを得た。

【００５１】合成例３（重合体の合成） 合成例２において、ジアミン化合物として４,４’−メ
チレンジアニリン１９８．２７ｇ（１モル）を用いた以
外は合成例２と同様にして、ポリアミック酸を得、さら
にこれを用いて合成例２と同様にしてイミド化反応を行
い、対数粘度０.２２ｄｌ／ｇ、イミド化率９６％のポ
リイミド（Ａ−２）１７.９ｇを得た。

【００５２】合成例４（重合体の合成） 合成例２において、ジアミンをｐ−フェニレンジアミン
５４.７ｇ（０.５モル）と４,４’−ジアミノジフェニ
ルメタン９９.１４ｇ（０.５モル）とした以外は、合成
例２と同様にしてポリアミック酸を得、さらにこれを用
いて合成例２と同様にしてイミド化反応を行い、対数粘
度０．１７ｄｌ／ｇ、イミド化率９３％のポリイミド
（Ａ−３）２１．０ｇを得た。

【００５３】合成例５（重合体の合成） 合成例２において、ジアミン化合物として２,２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン４
１０．５２ｇ（１．０モル）を用いた以外は合成例２と
同様にしてポリアミック酸を得、さらにこれを用いて合
成例２と同様にしてイミド化反応を行い、対数粘度０.
２０ｄｌ／ｇ、イミド化率９６％のポリイミド（Ａ−
４）２０.９ｇを得た。

【００５４】合成例６（重合体の合成） 合成例２において、ジアミン化合物としてｐ−フェニレ
ンジアミン５４.７ｇ（０.５モル）と２,２−ビス［４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２０
５．２６（０．２２モル）を用いた以外は合成例２と同
様にしてポリアミック酸を得、さらにこれを用いて合成
例２と同様にしてイミド化反応を行い、対数粘度０.２
１ｄｌ／ｇ、イミド化率９５％のポリイミド（Ａ−５）
１９.９ｇを得た。

【００５５】合成例７（重合体の合成） 合成例２において、ジアミン化合物として４,４’−ジ
アミノジフェニルメタン９９.１４ｇ（０.５モル）と
２,２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン２０５．２６（０．５モル）を用いた以外
は合成例２と同様にしてポリアミック酸を得、さらにこ
れを用いて合成例２と同様にしてイミド化反応を行い、
対数粘度０.１８ｄｌ／ｇ、イミド化率９４％のポリイ
ミド（Ａ−６）１９．４ｇを得た。

【００５６】比較例１ 合成例２において、酸無水物として２,３,５−トリカル
ボキシシクロペンチル酢酸二無水物２２４.１７ｇ（１
モル）を用いた以外は合成例２と同様にしてポリアミッ
ク酸を得、さらにこれを用いて合成例２と同様にしてイ
ミド化反応を行い、対数粘度０.７０ｄｌ／ｇ、イミド
化率９５％のポリイミド（Ｂ−１）１９.１ｇを得た。

【００５７】比較例２ 酸無水物として２,３,５−トリカルボキシシクロペンチ
ル酢酸二無水物２２４.１７ｇ（１モル）、ジアミン化
合物として４,４’−メチレンジアニリン１９８．２７
ｇ（１モル）を用いた以外は合成例２と同様にしてポリ
アミック酸を得、さらにこれを用いて合成例２と同様に
してイミド化反応を行い、対数粘度０.６０ｄｌ／ｇ、
イミド化率９６％のポリイミド（Ｂ−２）２０.９ｇを
得た。

【００５８】実施例１ 合成例２で得られたポリイミドをγ−ブチロラクトンに
溶解させて固形分濃度４重量％の溶液とし、この溶液を
孔径１μｍのフィルターを用いて濾過し、本発明の膜形
成用組成物を調製した。上記膜形成用組成物の印刷性を
評価したところ、１０，０００枚印刷した時点でもボタ
落ちの発生は見られなかった。当該膜形成用組成物を、
印刷法により、シリコンウェハ基板とＩＴＯ膜からなる
透明電極付きガラス基板の透明電極面との両方に塗布
し、１８０℃のホットプレート上で１０分間乾燥し、乾
燥平均膜厚５００Åの塗膜を形成した。シリコンウェハ
基板上に形成した塗膜を用いて表面平滑性の評価を行っ
たところ、膜厚の最大較差は５０Åと小さく、表面平滑
性に優れる結果となった。また、ガラス基板上に形成し
た塗膜を用いて密着性の評価を行ったところ、密着性は
良好であった。さらに、ガラス基板上に形成した塗膜
に、レーヨン製の布を巻き付けたロールを有するラビン
グマシーンにより、ロールの回転数４００ｒｐｍ、ステ
ージの移動速度３ｃｍ／秒、毛足押し込み長さ０.４ｍ
ｍでラビング処理を行い、液晶配向膜を得た。上記液晶
配向膜塗布基板を、イソプロピルアルコール中に１分間
浸漬した後、双方の基板を１００℃のホットプレート上
で５分間乾燥した。次に、一対のラビング処理された液
晶挟持基板の液晶配向膜を有するそれぞれの外縁に、直
径５.５μｍの酸化アルミニウム球入りエポキシ樹脂接
着剤を塗布した後、一対の液晶挟持基板を液晶配向膜面
が相対するように重ね合わせて圧着し、接着剤を硬化さ
せた。次いで、液晶注入口より一対の基板間に、ネマテ
ィック型液晶（メルク社製、ＭＬＣ−６２２１）を充填
した後、アクリル系光硬化接着剤で液晶注入口を封止
し、基板の外側の両面に偏光板を張り合わせ、液晶表示
素子を作製した。液晶の配向性および電圧保持率を評価
したところ、液晶の配向性は良好であり、電圧保持率は
９８％以上と高い値を示した。さらに、ガラス基板上に
形成した塗膜を用いて体積固有抵抗値を測定したとこ
ろ、３×１０^１４Ω・ｃｍであった。結果を表１に示
す。

【００５９】実施例２〜６、比較例１〜２ 表１に記載の重合体を用いた以外は実施例１と同様にし
て、塗膜の形成と各種評価を行った。結果を表１に併せ
て示す。

【００６０】

【表１】

【００６１】

【発明の効果】本発明の膜形成用組成物は、平坦性に優
れ、印刷作業性に優れる。本発明の膜形成用組成物は、
薄膜トランジスタ型液晶表示素子や磁気ヘッド素子、集
積回路素子、固体撮像素子などの電子部品における絶縁
膜や保護膜、液晶表示素子における液晶配向膜や保護
膜、半導体のパッシベーション膜やバッファーコート膜
として特に好ましく用いることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J043 PA02 PA04 PA08 PC015 PC016 PC035 PC036 PC075 PC076 QB15 QB26 RA05 RA06 RA34 RA35 SA06 SA14 SA31 SA42 SA46 SA47 SA52 SA54 SA63 SA72 SB01 SB02 TA22 TA71 TB01 TB02 UA022 UA032 UA041 UA042 UA051 UA061 UA062 UA081 UA082 UA121 UA122 UA131 UA132 UA141 UA151 UA152 UA231 UA241 UA261 UA262 UA331 UA361 UA381 UA391 UA591 UA622 UA761 UA762 UB011 UB021 UB061 UB121 UB131 UB132 UB151 UB152 UB162 UB171 UB172 UB241 UB281 UB282 UB301 UB302 UB312 UB351 UB382 XA13 XA16 XA19 YA05 ZA12 ZA31 ZB03 ZB11 ZB47

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記式（１）で表されるテトラカルボン
   酸二無水物と、ジアミンとを反応させて得られるポリア
   ミック酸および当該ポリアミック酸を脱水閉環させて得
   られる構造を有するポリイミドから選ばれる少なくとも
   一種の重合体を含有することを特徴とする、膜形成用組
   成物。 （式中、Ｒ¹ およびＲ² は各々独立に、炭素数１〜５０
   の１価の有機基であり、ａは０〜１０の整数であり、ｂ
   は１〜４の整数であり、ｃおよびｄはそれぞれ独立に０
   〜２の整数であり（但し、ｃ＋ｄ≧１である）、ｅは０
   〜８の整数である。）