JP2002212708A - Ｔｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材およびその製造方法ならびに皮膜コーティング方法 - Google Patents
Ｔｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材およびその製造方法ならびに皮膜コーティング方法Info
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- JP2002212708A JP2002212708A JP2001346814A JP2001346814A JP2002212708A JP 2002212708 A JP2002212708 A JP 2002212708A JP 2001346814 A JP2001346814 A JP 2001346814A JP 2001346814 A JP2001346814 A JP 2001346814A JP 2002212708 A JP2002212708 A JP 2002212708A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドロップレット量、局部溶融の発生が少な
く、安定した放電特性が得られ、かつ長寿命であるＴｉ
−Ｓｉ合金系ターゲット材を提供する。また、その製造
方法と、これら技術の利用による皮膜コーティング方法
を提供する。 【解決手段】 ターゲット材組織中に面積率で純Ｓｉ相
が５％以下、ターゲット材構成元素による金属間化合物
相が３０〜８０％であるＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット
材、具体例として、ターゲット材組織中に面積率で純Ｓ
ｉ相が５％以下、ターゲット材構成元素による金属間化
合物相が３０〜８０％、残部実質的にターゲット材構成
元素による固溶相のＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材であ
る。Ｓｉ：１０〜４０原子％含み、残部実質的にＴｉで
なることが好ましい。本発明のターゲット材は、アーク
イオンプレーティング用に好ましく、例えば切削工具、
金型ならびに摺動部品の表面コーティング用に使用でき
る。
く、安定した放電特性が得られ、かつ長寿命であるＴｉ
−Ｓｉ合金系ターゲット材を提供する。また、その製造
方法と、これら技術の利用による皮膜コーティング方法
を提供する。 【解決手段】 ターゲット材組織中に面積率で純Ｓｉ相
が５％以下、ターゲット材構成元素による金属間化合物
相が３０〜８０％であるＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット
材、具体例として、ターゲット材組織中に面積率で純Ｓ
ｉ相が５％以下、ターゲット材構成元素による金属間化
合物相が３０〜８０％、残部実質的にターゲット材構成
元素による固溶相のＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材であ
る。Ｓｉ：１０〜４０原子％含み、残部実質的にＴｉで
なることが好ましい。本発明のターゲット材は、アーク
イオンプレーティング用に好ましく、例えば切削工具、
金型ならびに摺動部品の表面コーティング用に使用でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空蒸着用のター
ゲット材に関するものであり、特にはアークイオンプレ
ーティング法によるコーティングの際の蒸発源として有
効なＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材およびその製造方法
と、そのターゲット材による皮膜コーティング方法に関
するものである。
ゲット材に関するものであり、特にはアークイオンプレ
ーティング法によるコーティングの際の蒸発源として有
効なＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材およびその製造方法
と、そのターゲット材による皮膜コーティング方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】切削工具、金型ならびに摺動部品等の表
面に耐摩耗性、耐酸化性の向上を目的として、例えばそ
の窒化膜や炭窒化膜、酸窒化膜といったＴｉ−Ｓｉ系硬
質皮膜の適用が検討されている。Ｔｉ−Ｓｉ系硬質皮膜
のコーティングには、蒸発源としてＴｉ−Ｓｉ合金系タ
ーゲット材を使用し、前述のアークイオンプレーティン
グ法にて成膜を行うことが最適である。
面に耐摩耗性、耐酸化性の向上を目的として、例えばそ
の窒化膜や炭窒化膜、酸窒化膜といったＴｉ−Ｓｉ系硬
質皮膜の適用が検討されている。Ｔｉ−Ｓｉ系硬質皮膜
のコーティングには、蒸発源としてＴｉ−Ｓｉ合金系タ
ーゲット材を使用し、前述のアークイオンプレーティン
グ法にて成膜を行うことが最適である。
【０００３】イオンプレーティング法の１種であるアー
クイオンプレーティング法は、減圧した反応ガス雰囲気
中において、皮膜の原料となるターゲット材をアーク放
電にて瞬時に溶解、イオン化し、負に印可した被処理材
に付着させ皮膜を形成する方法である。アークイオンプ
レーティング法は、電子銃等を用いたイオンプレーティ
ング法に比べ、蒸発金属のイオン化率が高いため、密着
力に優れた皮膜が得られることから、現在ではその適用
量が増加している。
クイオンプレーティング法は、減圧した反応ガス雰囲気
中において、皮膜の原料となるターゲット材をアーク放
電にて瞬時に溶解、イオン化し、負に印可した被処理材
に付着させ皮膜を形成する方法である。アークイオンプ
レーティング法は、電子銃等を用いたイオンプレーティ
ング法に比べ、蒸発金属のイオン化率が高いため、密着
力に優れた皮膜が得られることから、現在ではその適用
量が増加している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】成膜に使用する際、ア
ークイオンプレーティング用ターゲット材に要求される
特性は、異常放電が発生しないこと、局部的な溶融が生
じないこと、ドロップレットと呼ばれるマイクロパーテ
ィクルの発生量が少ないこと、強度および靭性不足によ
り割れ等の破損が生じないことである。
ークイオンプレーティング用ターゲット材に要求される
特性は、異常放電が発生しないこと、局部的な溶融が生
じないこと、ドロップレットと呼ばれるマイクロパーテ
ィクルの発生量が少ないこと、強度および靭性不足によ
り割れ等の破損が生じないことである。
【０００５】成膜中の異常放電は、ターゲット材上のア
ーク放電が度々失火する現象として認められるが、これ
により成膜が断続的となるため、得られる皮膜の厚みが
不均一になったり、皮膜の密度を部分的に低下させ、皮
膜の性能は著しく劣化する。
ーク放電が度々失火する現象として認められるが、これ
により成膜が断続的となるため、得られる皮膜の厚みが
不均一になったり、皮膜の密度を部分的に低下させ、皮
膜の性能は著しく劣化する。
【０００６】また、ターゲット材表面の局部溶融は、皮
膜組成を不均一にさせるため、皮膜の性能は著しく劣化
する。さらに、異常放電、局部溶融の不具合現象はター
ゲット材の寿命も極端に低下させる原因となる。そし
て、皮膜表面に形成するドロップレット量が増加するこ
とも、皮膜の性能を劣化させることとなる。
膜組成を不均一にさせるため、皮膜の性能は著しく劣化
する。さらに、異常放電、局部溶融の不具合現象はター
ゲット材の寿命も極端に低下させる原因となる。そし
て、皮膜表面に形成するドロップレット量が増加するこ
とも、皮膜の性能を劣化させることとなる。
【０００７】前述したようにアークイオンプレーティン
グ法では、アーク放電によりターゲット材表面は溶融す
るほど加熱されるため、ターゲット材には大きな熱応力
が発生する。この時、強度や靭性の低いターゲット材の
場合ではクラックが容易に生じるため、異常放電や局部
溶融といった不具合が発生するだけでなく、場合によっ
てはターゲット材が破損することがある。ターゲット材
の破損は、最悪の場合、その裏側に位置する水冷カソー
ド部をも破損させ、冷却水が装置内に流出するという大
事故につながる。したがって、ターゲット材の強度、靭
性はこのような熱応力に耐えることが要求される。
グ法では、アーク放電によりターゲット材表面は溶融す
るほど加熱されるため、ターゲット材には大きな熱応力
が発生する。この時、強度や靭性の低いターゲット材の
場合ではクラックが容易に生じるため、異常放電や局部
溶融といった不具合が発生するだけでなく、場合によっ
てはターゲット材が破損することがある。ターゲット材
の破損は、最悪の場合、その裏側に位置する水冷カソー
ド部をも破損させ、冷却水が装置内に流出するという大
事故につながる。したがって、ターゲット材の強度、靭
性はこのような熱応力に耐えることが要求される。
【０００８】上記不具合現象は、純Ｔｉターゲット材使
用時においては、ほとんど発生することがないものの、
添加元素としてＳｉをターゲット材に含有させた場合、
異常放電、局部溶融、ドロップレット量の増加といった
不具合が頻繁に発生する。そのため、従来のＴｉ−Ｓｉ
合金系ターゲット材は実験的に使用が可能であっても、
工業製品としての量産には十分適用できなかった。
用時においては、ほとんど発生することがないものの、
添加元素としてＳｉをターゲット材に含有させた場合、
異常放電、局部溶融、ドロップレット量の増加といった
不具合が頻繁に発生する。そのため、従来のＴｉ−Ｓｉ
合金系ターゲット材は実験的に使用が可能であっても、
工業製品としての量産には十分適用できなかった。
【０００９】本発明はこうした事情に着目してなされた
ものであって、ターゲット材としてドロップレット量、
局部溶融の発生が少なく、安定した放電特性が得られ、
かつ長寿命であるＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材および
その製造方法を提供することを目的とする。そして、こ
れら技術を利用することにより、例えば切削工具、金型
ならびに摺動部品等の表面への最適なＴｉ−Ｓｉ系硬質
皮膜のコーティング技術として、その有効な皮膜コーテ
ィング方法を確立するものである。
ものであって、ターゲット材としてドロップレット量、
局部溶融の発生が少なく、安定した放電特性が得られ、
かつ長寿命であるＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材および
その製造方法を提供することを目的とする。そして、こ
れら技術を利用することにより、例えば切削工具、金型
ならびに摺動部品等の表面への最適なＴｉ−Ｓｉ系硬質
皮膜のコーティング技術として、その有効な皮膜コーテ
ィング方法を確立するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、Ｔｉ−Ｓｉ
合金系ターゲット材における異常放電、局部溶融の原因
について検討を行った結果、ターゲット材組織中に存在
する未反応の純Ｓｉ相を一定範囲内で存在させることが
最も効果的であり、更にはターゲット材構成元素からな
る金属間化合物相を一定範囲内で存在させることで、ド
ロップレット量も十分抑制でき、真空蒸着法、特にアー
クイオンプレーティング用のターゲット材として安定に
使用可能となることを見いだし、本発明に至った。
合金系ターゲット材における異常放電、局部溶融の原因
について検討を行った結果、ターゲット材組織中に存在
する未反応の純Ｓｉ相を一定範囲内で存在させることが
最も効果的であり、更にはターゲット材構成元素からな
る金属間化合物相を一定範囲内で存在させることで、ド
ロップレット量も十分抑制でき、真空蒸着法、特にアー
クイオンプレーティング用のターゲット材として安定に
使用可能となることを見いだし、本発明に至った。
【００１１】すなわち、本発明は、ターゲット材組織中
に面積率で純Ｓｉ相が５％以下、ターゲット材構成元素
による金属間化合物相が３０〜８０％であるＴｉ−Ｓｉ
合金系ターゲット材、具体例として、ターゲット材組織
中に面積率で純Ｓｉ相が５％以下、ターゲット材構成元
素による金属間化合物相が３０〜８０％、残部実質的に
ターゲット材構成元素による固溶相のＴｉ−Ｓｉ合金系
ターゲット材である。
に面積率で純Ｓｉ相が５％以下、ターゲット材構成元素
による金属間化合物相が３０〜８０％であるＴｉ−Ｓｉ
合金系ターゲット材、具体例として、ターゲット材組織
中に面積率で純Ｓｉ相が５％以下、ターゲット材構成元
素による金属間化合物相が３０〜８０％、残部実質的に
ターゲット材構成元素による固溶相のＴｉ−Ｓｉ合金系
ターゲット材である。
【００１２】本発明のＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材
は、Ｓｉ：１０〜４０原子％含み、残部実質的にＴｉで
なることが好ましい。これらにより、本発明のターゲッ
ト材は、アークイオンプレーティング用に好ましく、切
削工具、金型ならびに摺動部品のいずれかの表面コーテ
ィング用に使用することで、優れた耐摩耗性、耐酸化性
を付与できる。
は、Ｓｉ：１０〜４０原子％含み、残部実質的にＴｉで
なることが好ましい。これらにより、本発明のターゲッ
ト材は、アークイオンプレーティング用に好ましく、切
削工具、金型ならびに摺動部品のいずれかの表面コーテ
ィング用に使用することで、優れた耐摩耗性、耐酸化性
を付与できる。
【００１３】本発明のＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材の
製造方法は、Ｓｉ粉末とＴｉ粉末を所定比率に混合した
混合粉末を、減圧下にて１時間あたり１００℃以下の昇
温速度で９００〜１１００℃の温度まで昇温を行い、９
００〜１１００℃の温度で１時間以上加熱処理し、つい
でＨＩＰ（熱間静水圧プレス）法またはホットプレス法
のいずれかを用いて圧密化することである。ここで混合
粉末の比率は、Ｓｉを１０〜４０原子％、残部Ｔｉの比
率とすることが望ましい。
製造方法は、Ｓｉ粉末とＴｉ粉末を所定比率に混合した
混合粉末を、減圧下にて１時間あたり１００℃以下の昇
温速度で９００〜１１００℃の温度まで昇温を行い、９
００〜１１００℃の温度で１時間以上加熱処理し、つい
でＨＩＰ（熱間静水圧プレス）法またはホットプレス法
のいずれかを用いて圧密化することである。ここで混合
粉末の比率は、Ｓｉを１０〜４０原子％、残部Ｔｉの比
率とすることが望ましい。
【００１４】そして、これら技術を利用することによ
り、例えば切削工具、金型ならびに摺動部品等の表面へ
の最適なＴｉ−Ｓｉ系硬質皮膜のコーティング技術とし
て、その有効な皮膜コーティング方法を確立した。すな
わち、ターゲット材を用いた皮膜コーティング方法にお
いて、面積率で純Ｓｉ相が５％以下、ターゲット材構成
元素による金属間化合物相が３０〜８０％の組織である
Ｔｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材を使用し、アークイオン
プレーティング法によってコーティングすることを特徴
とする皮膜コーティング方法である。
り、例えば切削工具、金型ならびに摺動部品等の表面へ
の最適なＴｉ−Ｓｉ系硬質皮膜のコーティング技術とし
て、その有効な皮膜コーティング方法を確立した。すな
わち、ターゲット材を用いた皮膜コーティング方法にお
いて、面積率で純Ｓｉ相が５％以下、ターゲット材構成
元素による金属間化合物相が３０〜８０％の組織である
Ｔｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材を使用し、アークイオン
プレーティング法によってコーティングすることを特徴
とする皮膜コーティング方法である。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の重要な特徴は、特にアー
クイオンプレーティング法に適用して優れた成膜特性と
ターゲット材の耐久性を発揮し、切削工具、金型ならび
に摺動部品等に優れた耐摩耗性、耐酸化性を付与できる
ターゲット材として、Ｔｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材の
組織中に存在する純Ｓｉ相の面積率と金属間化合物相の
面積率を規定した点である。
クイオンプレーティング法に適用して優れた成膜特性と
ターゲット材の耐久性を発揮し、切削工具、金型ならび
に摺動部品等に優れた耐摩耗性、耐酸化性を付与できる
ターゲット材として、Ｔｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材の
組織中に存在する純Ｓｉ相の面積率と金属間化合物相の
面積率を規定した点である。
【００１６】最初に、本発明のＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲ
ット材の組織について説明する。純Ｓｉ相の面積率は、
ターゲット表面における放電の安定性と、局部溶融の発
生に大きく影響する。純Ｓｉ相の面積率が５％を越える
と使用中にアークが度々失火し放電が極端に不安定にな
る。加えて、純Ｓｉ相が優先的に溶融するため、得られ
る皮膜の性能が低下するのみならず、ターゲット自体の
寿命も極端に短くなる。このため、上記現象を抑制する
ために純Ｓｉ相は面積率で５％以下に規定する。より好
ましくは３％以下である。なお、本発明にいう純Ｓｉ相
とは、Ｔｉと反応していないＳｉ領域を意味するもので
ある。
ット材の組織について説明する。純Ｓｉ相の面積率は、
ターゲット表面における放電の安定性と、局部溶融の発
生に大きく影響する。純Ｓｉ相の面積率が５％を越える
と使用中にアークが度々失火し放電が極端に不安定にな
る。加えて、純Ｓｉ相が優先的に溶融するため、得られ
る皮膜の性能が低下するのみならず、ターゲット自体の
寿命も極端に短くなる。このため、上記現象を抑制する
ために純Ｓｉ相は面積率で５％以下に規定する。より好
ましくは３％以下である。なお、本発明にいう純Ｓｉ相
とは、Ｔｉと反応していないＳｉ領域を意味するもので
ある。
【００１７】本発明におけるターゲット材を構成する元
素からなる金属間化合物相は、ＴｉＳｉ２、ＴｉＳｉ、
Ｔｉ５Ｓｉ４、Ｔｉ５Ｓｉ３といった金属間化合物の一
種以上を主体とし、これらの金属間化合物の面積率がタ
ーゲット材組織中において３０〜８０％の場合、ドロッ
プレットの発生量は著しく抑制される。
素からなる金属間化合物相は、ＴｉＳｉ２、ＴｉＳｉ、
Ｔｉ５Ｓｉ４、Ｔｉ５Ｓｉ３といった金属間化合物の一
種以上を主体とし、これらの金属間化合物の面積率がタ
ーゲット材組織中において３０〜８０％の場合、ドロッ
プレットの発生量は著しく抑制される。
【００１８】これら金属間化合物相の面積率が、３０％
未満であると上記効果は得られなくなり、逆に８０％を
越えるとターゲット材の強度、靭性が不足し、使用中に
クラックや割れが発生し、異常放電や局部溶融の発生原
因となる。よってターゲット材構成元素からなる金属間
化合物相は、面積率で３０〜８０％に規定する。上記金
属間化合物相は、ターゲット材中に均一分散しているこ
とが好ましい。より好ましい範囲は、５０〜７０％であ
る。
未満であると上記効果は得られなくなり、逆に８０％を
越えるとターゲット材の強度、靭性が不足し、使用中に
クラックや割れが発生し、異常放電や局部溶融の発生原
因となる。よってターゲット材構成元素からなる金属間
化合物相は、面積率で３０〜８０％に規定する。上記金
属間化合物相は、ターゲット材中に均一分散しているこ
とが好ましい。より好ましい範囲は、５０〜７０％であ
る。
【００１９】なお、本発明のＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲッ
ト材は、目的とする異常放電や局部溶融、そしてドロッ
プレットの発生量やターゲット材自身の破損を抑制する
において、その組織中の純Ｓｉ相と金属間化合物相を上
記の面積率に規制すれば効果が発揮され、これら規制さ
れる以外の相については別段の規定を要するものではな
い。組織中の純Ｓｉ相と金属間化合物相を規制する本発
明の場合、残部はこれら相以外の、実質的にターゲット
材構成元素による固溶相（合金相）で構成され、これは
上記特性の低下を抑制するにおいても望ましい。
ト材は、目的とする異常放電や局部溶融、そしてドロッ
プレットの発生量やターゲット材自身の破損を抑制する
において、その組織中の純Ｓｉ相と金属間化合物相を上
記の面積率に規制すれば効果が発揮され、これら規制さ
れる以外の相については別段の規定を要するものではな
い。組織中の純Ｓｉ相と金属間化合物相を規制する本発
明の場合、残部はこれら相以外の、実質的にターゲット
材構成元素による固溶相（合金相）で構成され、これは
上記特性の低下を抑制するにおいても望ましい。
【００２０】次に、本発明のＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲッ
ト材の組成について説明する。Ｓｉは、例えばアークイ
オンプレーティングのような成膜方法によって得られる
Ｔｉ−Ｓｉ系硬質皮膜の耐酸化性の向上、高硬度化に効
果を示す元素であり、その添加量は１０〜４０原子％で
あることが好ましい。Ｓｉ添加量が１０原子％未満であ
ると上記効果が得られず、逆に４０原子％を越えて添加
すると皮膜の密着力低下が生じる。そのためＳｉ添加量
は、１０〜４０原子％が好ましい。さらに好ましくは１
５〜３０原子％である。
ト材の組成について説明する。Ｓｉは、例えばアークイ
オンプレーティングのような成膜方法によって得られる
Ｔｉ−Ｓｉ系硬質皮膜の耐酸化性の向上、高硬度化に効
果を示す元素であり、その添加量は１０〜４０原子％で
あることが好ましい。Ｓｉ添加量が１０原子％未満であ
ると上記効果が得られず、逆に４０原子％を越えて添加
すると皮膜の密着力低下が生じる。そのためＳｉ添加量
は、１０〜４０原子％が好ましい。さらに好ましくは１
５〜３０原子％である。
【００２１】本発明のＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材
は、スパッタリングによる成膜に用いることができる
が、例えば切削工具、金型ならびに摺動部品といった皮
膜に用いる際には皮膜の密着性に優れるといった面から
アークイオンプレーティング用途とすることが最も好ま
しいものである。
は、スパッタリングによる成膜に用いることができる
が、例えば切削工具、金型ならびに摺動部品といった皮
膜に用いる際には皮膜の密着性に優れるといった面から
アークイオンプレーティング用途とすることが最も好ま
しいものである。
【００２２】本発明のＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材を
製造するにあたっては、まず、Ｔｉ粉末とＳｉ粉末を所
定量混合した混合粉末を、減圧下で１時間あたり１００
℃以下の昇温速度で９００〜１１００℃の温度まで昇温
を行い、前記９００〜１１００℃の温度で１時間以上加
熱処理を行なう。
製造するにあたっては、まず、Ｔｉ粉末とＳｉ粉末を所
定量混合した混合粉末を、減圧下で１時間あたり１００
℃以下の昇温速度で９００〜１１００℃の温度まで昇温
を行い、前記９００〜１１００℃の温度で１時間以上加
熱処理を行なう。
【００２３】加熱処理を減圧下で行うのは、原料の酸化
を出来るだけ防ぐためである。また、加熱処理におい
て、１時間あたり１００℃を越える昇温速度にすると、
Ｔｉ粉末とＳｉ粉末との反応が急速に進み、強烈な反応
熱が発生し原料が溶融してしまうため、昇温速度は１時
間あたり１００℃以下が好適である。なお、ここでいう
減圧下とは、例えば大気中における酸化雰囲気を低減さ
せるための、大気からの減圧作業を指し、真空を含むも
のである。
を出来るだけ防ぐためである。また、加熱処理におい
て、１時間あたり１００℃を越える昇温速度にすると、
Ｔｉ粉末とＳｉ粉末との反応が急速に進み、強烈な反応
熱が発生し原料が溶融してしまうため、昇温速度は１時
間あたり１００℃以下が好適である。なお、ここでいう
減圧下とは、例えば大気中における酸化雰囲気を低減さ
せるための、大気からの減圧作業を指し、真空を含むも
のである。
【００２４】加熱温度は、９００〜１１００℃を外れる
と本発明のＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材の組織が得ら
れず、ターゲット材使用中の異常放電や局部溶融などの
不具合が発生するため、この温度範囲が好適である。な
お、加熱温度については、加熱時間中に９００〜１１０
０℃の範囲内であれば本発明を外れるものではない。
と本発明のＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材の組織が得ら
れず、ターゲット材使用中の異常放電や局部溶融などの
不具合が発生するため、この温度範囲が好適である。な
お、加熱温度については、加熱時間中に９００〜１１０
０℃の範囲内であれば本発明を外れるものではない。
【００２５】加熱時間については、加熱温度が本発明の
範囲内において低温側の場合では長時間必要であり、高
温側であれば短時間で十分であるが、上述の加熱温度と
同様の理由からいずれも１時間以上が好適である。好ま
しい加熱時間の上限は１０時間以下である。
範囲内において低温側の場合では長時間必要であり、高
温側であれば短時間で十分であるが、上述の加熱温度と
同様の理由からいずれも１時間以上が好適である。好ま
しい加熱時間の上限は１０時間以下である。
【００２６】圧密化の方法としては、ＨＩＰ法またはホ
ットプレス法のいずれか１種を用いることができる。こ
の時、圧密化の温度、圧力等は特に限定されるものでは
ないが、相対密度が９８％以下となるような条件では、
ターゲット材中にミクロポア等の欠陥が多数残存してし
まい、ターゲット材使用中の異常放電や局部溶融等の不
具合が発生するため好ましくない。
ットプレス法のいずれか１種を用いることができる。こ
の時、圧密化の温度、圧力等は特に限定されるものでは
ないが、相対密度が９８％以下となるような条件では、
ターゲット材中にミクロポア等の欠陥が多数残存してし
まい、ターゲット材使用中の異常放電や局部溶融等の不
具合が発生するため好ましくない。
【００２７】そして、これら説明した本発明の技術を利
用することにより、例えば切削工具、金型ならびに摺動
部品等の表面への最適なＴｉ−Ｓｉ系硬質皮膜のコーテ
ィング技術として、その有効な皮膜コーティング方法を
確立した。すなわち、ターゲット材を用いた皮膜コーテ
ィング方法において、面積率で純Ｓｉ相が５％以下、タ
ーゲット材構成元素による金属間化合物相が４０％以下
の組織であるＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材を使用し、
アークイオンプレーティング法によってコーティングす
る皮膜コーティング方法である。なお、本発明の皮膜コ
ーティング方法であっても、その供するターゲット材、
そしてその製造方法については、本発明の条件を適用で
きることは言うまでもない。
用することにより、例えば切削工具、金型ならびに摺動
部品等の表面への最適なＴｉ−Ｓｉ系硬質皮膜のコーテ
ィング技術として、その有効な皮膜コーティング方法を
確立した。すなわち、ターゲット材を用いた皮膜コーテ
ィング方法において、面積率で純Ｓｉ相が５％以下、タ
ーゲット材構成元素による金属間化合物相が４０％以下
の組織であるＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材を使用し、
アークイオンプレーティング法によってコーティングす
る皮膜コーティング方法である。なお、本発明の皮膜コ
ーティング方法であっても、その供するターゲット材、
そしてその製造方法については、本発明の条件を適用で
きることは言うまでもない。
【００２８】本発明であれば、密着性および耐摩耗性、
耐酸化性に優れた皮膜を達成できることから、それら必
要とされる用途に広く適用することが可能である。例え
ばコンプレッサー用ベーン、ピストンリングといった摺
動部品や、エンドミル、ホブ、ブローチといった切削工
具、冷間鍛造、板金プレス、温熱間鍛造を用途とする金
型等の工具類への表面皮膜に用いることで、その効果を
十分に活用できる。また、被処理材についても、本発明
の上記効果はその材質にこだわらず達成されるが、例え
ば被処理材に工具鋼や超硬合金、サーメットを適用すれ
ば、本発明の皮膜の特性が生かされ、また、上記の用途
にも適するものである。
耐酸化性に優れた皮膜を達成できることから、それら必
要とされる用途に広く適用することが可能である。例え
ばコンプレッサー用ベーン、ピストンリングといった摺
動部品や、エンドミル、ホブ、ブローチといった切削工
具、冷間鍛造、板金プレス、温熱間鍛造を用途とする金
型等の工具類への表面皮膜に用いることで、その効果を
十分に活用できる。また、被処理材についても、本発明
の上記効果はその材質にこだわらず達成されるが、例え
ば被処理材に工具鋼や超硬合金、サーメットを適用すれ
ば、本発明の皮膜の特性が生かされ、また、上記の用途
にも適するものである。
【００２９】工具鋼の場合、例えばＪＩＳ Ｇ ４４０
１（炭素工具鋼鋼材）やＪＩＳ Ｇ４４０３（高速度工
具鋼鋼材）、ＪＩＳ Ｇ ４４０４（合金工具鋼鋼材）
にも規定されるような、質量％で３．０％以下のＣを含
む鋼を基に適宜Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃｏ等を選択含有
せしめた材質であるが、その指定される用途も合わせ、
摺動部品、切削工具、金型等に適用される材質を含むも
のである。特に高速度工具鋼鋼材といった、Ｃ：０．５
０〜１．８０％，Ｃｒ：３．５〜５．５％を含む鋼に適
宜Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃｏ等を選択含有せしめた材質は、超
硬合金とともに、切削工具に好ましい。
１（炭素工具鋼鋼材）やＪＩＳ Ｇ４４０３（高速度工
具鋼鋼材）、ＪＩＳ Ｇ ４４０４（合金工具鋼鋼材）
にも規定されるような、質量％で３．０％以下のＣを含
む鋼を基に適宜Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃｏ等を選択含有
せしめた材質であるが、その指定される用途も合わせ、
摺動部品、切削工具、金型等に適用される材質を含むも
のである。特に高速度工具鋼鋼材といった、Ｃ：０．５
０〜１．８０％，Ｃｒ：３．５〜５．５％を含む鋼に適
宜Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃｏ等を選択含有せしめた材質は、超
硬合金とともに、切削工具に好ましい。
【００３０】
【実施例】次に実施例に基づき詳細に説明するが、本発
明は下記実施例によって限定を受けるものではなく、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で任意に変更が可能であ
り、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
明は下記実施例によって限定を受けるものではなく、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で任意に変更が可能であ
り、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
【００３１】（実施例１）Ｔｉ粉末（平均粒径１５０μ
ｍ）、Ｓｉ粉末（平均粒径１５０μｍ）を用い、表１に
示すターゲット材組成と同様の原子量比にそれぞれ調整
しＶ型混合機により混合紛末を作製した後、それぞれを
アルミナ坩堝に挿入し、表１記載の条件にて加熱時間４
時間の真空熱処理を行った。この時、本発明の範囲から
外れる一部の比較品（Ｎｏ．５３）は、混合粉末間の反
応熱によって完全に溶融してしまったため、ターゲット
材の製造が不可能となり、この時点で実験を中止した。
ｍ）、Ｓｉ粉末（平均粒径１５０μｍ）を用い、表１に
示すターゲット材組成と同様の原子量比にそれぞれ調整
しＶ型混合機により混合紛末を作製した後、それぞれを
アルミナ坩堝に挿入し、表１記載の条件にて加熱時間４
時間の真空熱処理を行った。この時、本発明の範囲から
外れる一部の比較品（Ｎｏ．５３）は、混合粉末間の反
応熱によって完全に溶融してしまったため、ターゲット
材の製造が不可能となり、この時点で実験を中止した。
【００３２】一方、真空熱処理中、溶融しなかったもの
については、その後ボール式粉砕機によって平均粒径７
５μｍの粉末に調整し、鋼製の容器に充填後、９００
℃、１４０ＭＰａの条件にてＨＩＰ処理し圧密化した。
については、その後ボール式粉砕機によって平均粒径７
５μｍの粉末に調整し、鋼製の容器に充填後、９００
℃、１４０ＭＰａの条件にてＨＩＰ処理し圧密化した。
【００３３】得られた成形品より、機械加工によって組
織評価用の１５ｍｍ×１５ｍｍ×厚み１０ｍｍのブロッ
クサンプルと、放電特性および皮膜表面のドロップレッ
ト量を調査する目的でφ１００ｍｍ×厚み１４ｍｍ、底
面はφ１０５×厚み２ｍｍの固定用つばがついたターゲ
ット材を削り出した。ターゲット材の組成を表１に示
す。
織評価用の１５ｍｍ×１５ｍｍ×厚み１０ｍｍのブロッ
クサンプルと、放電特性および皮膜表面のドロップレッ
ト量を調査する目的でφ１００ｍｍ×厚み１４ｍｍ、底
面はφ１０５×厚み２ｍｍの固定用つばがついたターゲ
ット材を削り出した。ターゲット材の組成を表１に示
す。
【００３４】
【表１】
【００３５】ブロックサンプルについては、Ｘ線マイク
ロアナライザーによりＴｉ、Ｓｉの面分析を行い、純Ｓ
ｉ相ならびにターゲット材構成元素からなる金属間化合
物相を特定し、画像解析によってそれらの面積率を算出
した。なお、純Ｓｉ相、金属間化合物相以外の部分は、
ターゲット材構成元素による固溶相であった。ここで、
本発明のターゲット材Ｎｏ．４を観察した光学顕微鏡組
織写真を図１に示しておく。灰色の部分が金属間化合物
相、白い部分が固溶相である。なお、純Ｓｉ相は非常に
微細で少量なため、この写真から観察することはできな
かった。
ロアナライザーによりＴｉ、Ｓｉの面分析を行い、純Ｓ
ｉ相ならびにターゲット材構成元素からなる金属間化合
物相を特定し、画像解析によってそれらの面積率を算出
した。なお、純Ｓｉ相、金属間化合物相以外の部分は、
ターゲット材構成元素による固溶相であった。ここで、
本発明のターゲット材Ｎｏ．４を観察した光学顕微鏡組
織写真を図１に示しておく。灰色の部分が金属間化合物
相、白い部分が固溶相である。なお、純Ｓｉ相は非常に
微細で少量なため、この写真から観察することはできな
かった。
【００３６】一方、ターゲット材はアークイオンプレー
ティング装置の水冷カソードへ装着し、実際に成膜を行
い評価した。この時、被処理材としてＳＫＨ５１（硬さ
６０ＨＲＣ）を使用し、始めに１×１０−３Ｐａまで真
空引きし、５００℃に加熱、３０分間保持した後、Ａｒ
雰囲気中１．０Ｐａの圧力にし、被処理材のＢｉａｓ電
圧：−４００Ｖで３０分間、Ａｒイオンによる被処理材
の表面の洗浄を行った後、Ｎ２雰囲気中、圧力：３．０
Ｐａ、ターゲット材のアーク電流：１００Ａ、被処理材
のＢｉａｓ電圧：−５０Ｖにて９０分の条件で窒化膜の
成膜を行った。
ティング装置の水冷カソードへ装着し、実際に成膜を行
い評価した。この時、被処理材としてＳＫＨ５１（硬さ
６０ＨＲＣ）を使用し、始めに１×１０−３Ｐａまで真
空引きし、５００℃に加熱、３０分間保持した後、Ａｒ
雰囲気中１．０Ｐａの圧力にし、被処理材のＢｉａｓ電
圧：−４００Ｖで３０分間、Ａｒイオンによる被処理材
の表面の洗浄を行った後、Ｎ２雰囲気中、圧力：３．０
Ｐａ、ターゲット材のアーク電流：１００Ａ、被処理材
のＢｉａｓ電圧：−５０Ｖにて９０分の条件で窒化膜の
成膜を行った。
【００３７】放電特性については、ターゲット材上でア
ーク放電が失火した回数を測定し、局部溶融については
成膜終了後のターゲット材表面の状態より評価した。ま
た得られた皮膜のドロップレット量については、走査型
電子顕微鏡を用いて１０００倍に拡大した１視野あたり
の個数を求め、単位面積あたりに換算し評価した。なお
対象としたドロップレットは、粒径１μｍ以上の大きさ
のものとした。ターゲット材組織、ターゲット材の使用
状態、皮膜の評価結果を表２に示す。
ーク放電が失火した回数を測定し、局部溶融については
成膜終了後のターゲット材表面の状態より評価した。ま
た得られた皮膜のドロップレット量については、走査型
電子顕微鏡を用いて１０００倍に拡大した１視野あたり
の個数を求め、単位面積あたりに換算し評価した。なお
対象としたドロップレットは、粒径１μｍ以上の大きさ
のものとした。ターゲット材組織、ターゲット材の使用
状態、皮膜の評価結果を表２に示す。
【００３８】
【表２】
【００３９】表２より明らかなように、純Ｓｉ相ならび
に金属間化合物相の面積率が本発明の範囲を外れるター
ゲット材については、９０分の成膜中に４０回以上の異
常放電が発生し、アーク放電が失火した。使用後のター
ゲット材表面を観察したところ、比較品であるターゲッ
ト材Ｎｏ．５２については、純Ｓｉ相が優先的に溶融し
たと思われる痘痕状の外観を示し、Ｎｏ．５４、５５
は、ターゲット材表面で発生したクラックにアーク放電
が集中し発生したと思われる局部溶融痕が認められた。
このような異常放電を伴なって成膜した皮膜は、本発明
のターゲット材より得られた皮膜と比較して、皮膜表面
のドロップレット量が極端に多くなった。
に金属間化合物相の面積率が本発明の範囲を外れるター
ゲット材については、９０分の成膜中に４０回以上の異
常放電が発生し、アーク放電が失火した。使用後のター
ゲット材表面を観察したところ、比較品であるターゲッ
ト材Ｎｏ．５２については、純Ｓｉ相が優先的に溶融し
たと思われる痘痕状の外観を示し、Ｎｏ．５４、５５
は、ターゲット材表面で発生したクラックにアーク放電
が集中し発生したと思われる局部溶融痕が認められた。
このような異常放電を伴なって成膜した皮膜は、本発明
のターゲット材より得られた皮膜と比較して、皮膜表面
のドロップレット量が極端に多くなった。
【００４０】なお、ＨＩＰ処理前に混合粉末の真空熱処
理を実施しなかった比較品Ｎｏ．５１については、ＨＩ
Ｐ処理時にＴｉ粉末とＳｉ粉末が発熱反応をおこし鋼製
容器が溶損してしまい、ターゲット材の製造が不可能と
なった。比較品Ｎｏ．５３については、真空熱処理時の
昇温速度が早かったため、混合粉末間の反応が急速に進
行し、溶融してしまいターゲット材を製造するには至ら
なかった。
理を実施しなかった比較品Ｎｏ．５１については、ＨＩ
Ｐ処理時にＴｉ粉末とＳｉ粉末が発熱反応をおこし鋼製
容器が溶損してしまい、ターゲット材の製造が不可能と
なった。比較品Ｎｏ．５３については、真空熱処理時の
昇温速度が早かったため、混合粉末間の反応が急速に進
行し、溶融してしまいターゲット材を製造するには至ら
なかった。
【００４１】（実施例２）Ｔｉ粉末（平均粒径７５μ
ｍ）、Ｓｉ粉末（平均粒径１５０μｍ）を用い、表３に
示すターゲット組成と同様の原子量比にそれぞれ調整し
Ｖ型混合機により混合紛末を作製した後、それぞれをア
ルミナ坩堝に挿入し、表３記載の条件にて加熱時間６時
間の真空熱処理を行った。その後、ボール式粉砕機によ
って平均粒径４５μｍの粉末に調整し、プレス成形機に
て予備成形体を成形し、これを１０００℃、１５０ＭＰ
ａの条件でホットプレスを用い圧密化した。
ｍ）、Ｓｉ粉末（平均粒径１５０μｍ）を用い、表３に
示すターゲット組成と同様の原子量比にそれぞれ調整し
Ｖ型混合機により混合紛末を作製した後、それぞれをア
ルミナ坩堝に挿入し、表３記載の条件にて加熱時間６時
間の真空熱処理を行った。その後、ボール式粉砕機によ
って平均粒径４５μｍの粉末に調整し、プレス成形機に
て予備成形体を成形し、これを１０００℃、１５０ＭＰ
ａの条件でホットプレスを用い圧密化した。
【００４２】得られた成形品は実施例１と同様に、加工
ならびに評価を行った。ターゲット材の組成を実施例１
と同様に調べ、結果を表３に示す。また、ターゲット材
組織、ターゲット材の使用状態、皮膜の評価結果を表４
に示す。なお、ターゲット材の純Ｓｉ相、金属間化合物
相以外の部分は、ターゲット材構成元素による固溶相で
あった。
ならびに評価を行った。ターゲット材の組成を実施例１
と同様に調べ、結果を表３に示す。また、ターゲット材
組織、ターゲット材の使用状態、皮膜の評価結果を表４
に示す。なお、ターゲット材の純Ｓｉ相、金属間化合物
相以外の部分は、ターゲット材構成元素による固溶相で
あった。
【００４３】
【表３】
【００４４】
【表４】
【００４５】表４に示すごとく、純Ｓｉ相ならび金属間
化合物相の面積率が本発明の範囲にあるターゲット材Ｎ
ｏ．１１〜１４は、ターゲット材の使用状態、皮膜表面
のドロップレット量ともに、比較品ターゲット材Ｎｏ．
６１〜６３に比べ大幅に良好な結果が得られた。
化合物相の面積率が本発明の範囲にあるターゲット材Ｎ
ｏ．１１〜１４は、ターゲット材の使用状態、皮膜表面
のドロップレット量ともに、比較品ターゲット材Ｎｏ．
６１〜６３に比べ大幅に良好な結果が得られた。
【００４６】
【発明の効果】本発明のＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材
は、異常放電や局部溶融等の問題の主要因となるターゲ
ット材組織中の純Ｓｉ相ならびに金属間化合物相の面積
率を特定値に規定したことによって、アークイオンプレ
ーティングにおいても安定した成膜が可能となり、得ら
れる皮膜の特性についても安定した性能が得られるよう
になる。また、異常放電、局部溶融等の問題が解消した
ことによって、ターゲット材の寿命も大幅に改善され
る。これにより、例えば切削工具、金型ならびに摺動部
品等への表面皮膜のコーティングに最適なターゲット材
として、供給が可能である。
は、異常放電や局部溶融等の問題の主要因となるターゲ
ット材組織中の純Ｓｉ相ならびに金属間化合物相の面積
率を特定値に規定したことによって、アークイオンプレ
ーティングにおいても安定した成膜が可能となり、得ら
れる皮膜の特性についても安定した性能が得られるよう
になる。また、異常放電、局部溶融等の問題が解消した
ことによって、ターゲット材の寿命も大幅に改善され
る。これにより、例えば切削工具、金型ならびに摺動部
品等への表面皮膜のコーティングに最適なターゲット材
として、供給が可能である。
【図１】本発明のＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材の一実
施例を示す光学顕微鏡ミクロ組織写真である。
施例を示す光学顕微鏡ミクロ組織写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 14/34 Ｃ２３Ｃ 14/34 Ａ // Ｂ２３Ｂ 27/14 Ｂ２３Ｂ 27/14 Ａ
Claims (11)
- 【請求項１】 ターゲット材組織中に面積率で純Ｓｉ相
が５％以下、ターゲット材構成元素による金属間化合物
相が３０〜８０％であることを特徴とするＴｉ−Ｓｉ合
金系ターゲット材。 - 【請求項２】 ターゲット材組織中に面積率で純Ｓｉ相
が５％以下、ターゲット材構成元素による金属間化合物
相が３０〜８０％、残部実質的にターゲット材構成元素
による固溶相であることを特徴とするＴｉ−Ｓｉ合金系
ターゲット材。 - 【請求項３】 Ｓｉ：１０〜４０原子％、残部実質的に
Ｔｉであることを特徴とする請求項１または２に記載の
Ｔｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材。 - 【請求項４】 ターゲット材はアークイオンプレーティ
ング用であることを特徴とする請求項１ないし３のいず
れかに記載のＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材。 - 【請求項５】 ターゲット材は切削工具、金型ならびに
摺動部品のいずれかの表面コーティング用であることを
特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のＴｉ−
Ｓｉ合金系ターゲット材。 - 【請求項６】 ターゲット材組織中に面積率で純Ｓｉ相
が５％以下、ターゲット材構成元素による金属間化合物
相が３０〜８０％であるＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材
の製造方法であって、Ｓｉ粉末とＴｉ粉末を所定比率に
混合した混合粉末を、減圧下にて１時間あたり１００℃
以下の昇温速度で９００〜１１００℃の温度まで昇温を
行い、９００〜１１００℃の温度で１時間以上加熱処理
し、ついでＨＩＰ法またはホットプレス法のいずれかを
用いて圧密化することを特徴とするＴｉ−Ｓｉ合金系タ
ーゲット材の製造方法。 - 【請求項７】 ターゲット材組織中に面積率で純Ｓｉ相
が５％以下、ターゲット材構成元素による金属間化合物
相が３０〜８０％、残部実質的にターゲット材構成元素
による固溶相であるＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材の製
造方法であって、Ｓｉ粉末とＴｉ粉末を所定比率に混合
した混合粉末を、減圧下にて１時間あたり１００℃以下
の昇温速度で９００〜１１００℃の温度まで昇温を行
い、９００〜１１００℃の温度で１時間以上加熱処理
し、ついでＨＩＰ法またはホットプレス法のいずれかを
用いて圧密化することを特徴とするＴｉ−Ｓｉ合金系タ
ーゲット材の製造方法。 - 【請求項８】 Ｓｉを１０〜４０原子％、残部Ｔｉの比
率で混合した混合粉末を使用することを特徴とする請求
項６または７に記載のＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材の
製造方法。 - 【請求項９】 ターゲット材はアークイオンプレーティ
ング用であることを特徴とする請求項６ないし８のいず
れかに記載のＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材の製造方
法。 - 【請求項１０】 ターゲット材は切削工具、金型ならび
に摺動部品のいずれかの表面コーティング用であること
を特徴とする請求項６ないし９のいずれかに記載のＴｉ
−Ｓｉ合金系ターゲット材の製造方法。 - 【請求項１１】 ターゲット材を用いた皮膜コーティン
グ方法において、面積率で純Ｓｉ相が５％以下、ターゲ
ット材構成元素による金属間化合物相が３０〜８０％の
組織であるＴｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材を使用し、ア
ークイオンプレーティング法によってコーティングする
ことを特徴とする皮膜コーティング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001346814A JP3765475B2 (ja) | 2000-11-16 | 2001-11-13 | Ｔｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材およびその製造方法ならびに皮膜コーティング方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-350218 | 2000-11-16 | ||
| JP2000350218 | 2000-11-16 | ||
| JP2001346814A JP3765475B2 (ja) | 2000-11-16 | 2001-11-13 | Ｔｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材およびその製造方法ならびに皮膜コーティング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002212708A true JP2002212708A (ja) | 2002-07-31 |
| JP3765475B2 JP3765475B2 (ja) | 2006-04-12 |
Family
ID=26604120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001346814A Expired - Lifetime JP3765475B2 (ja) | 2000-11-16 | 2001-11-13 | Ｔｉ−Ｓｉ合金系ターゲット材およびその製造方法ならびに皮膜コーティング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3765475B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006006869A1 (en) * | 2004-07-13 | 2006-01-19 | Elkem Asa | High strength, oxidation and wear resistant titanium-silicon based alloy |
| JP2008156683A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Hitachi Tool Engineering Ltd | 窒化物含有ターゲット材 |
| CN102699325A (zh) * | 2012-06-20 | 2012-10-03 | 江苏美特林科特殊合金有限公司 | 一种钛硅合金靶材的制造方法 |
| JP2016169413A (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | 日本新金属株式会社 | 粗粒であり、かつ、均粒、球状のチタンシリサイド粉末およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-11-13 JP JP2001346814A patent/JP3765475B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006006869A1 (en) * | 2004-07-13 | 2006-01-19 | Elkem Asa | High strength, oxidation and wear resistant titanium-silicon based alloy |
| JP2008506838A (ja) * | 2004-07-13 | 2008-03-06 | エルケム アクシエセルスカプ | 高強度で耐酸化性、耐摩耗性チタン−珪素基質合金 |
| EA010770B1 (ru) * | 2004-07-13 | 2008-10-30 | Элкем Аса | Высокопрочный, стойкий к окислению и износостойкий сплав на основе титана-кремния |
| JP2008156683A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Hitachi Tool Engineering Ltd | 窒化物含有ターゲット材 |
| CN102699325A (zh) * | 2012-06-20 | 2012-10-03 | 江苏美特林科特殊合金有限公司 | 一种钛硅合金靶材的制造方法 |
| JP2016169413A (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | 日本新金属株式会社 | 粗粒であり、かつ、均粒、球状のチタンシリサイド粉末およびその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3765475B2 (ja) | 2006-04-12 |
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