JP6059640B2 - 硬質皮膜および硬質皮膜形成用ターゲット - Google Patents
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Description
0.5≦x≦1を満たすところに特徴を有する[以下、該硬質皮膜を「(Ti,Cr,Ge)(C,N)皮膜」と示す場合がある]。
組成式が(TiαCr1-α)1-a-bGeaSib(C1-xNx)であり、各元素の原子比が、0≦α≦1、0.010≦a≦0.20、b≦0.29、a+b≦0.30、および0.5≦x≦1を満たすところに特徴を有する硬質皮膜[以下、該硬質皮膜を「(Ti,Cr,Ge,Si)(C,N)皮膜」と示す場合がある];や、
組成式が(TiαCr1-α)1-a-cGeaAlc(C1-xNx)であり、各元素の原子比が、0≦α≦1、0.010≦a≦0.15、0.40≦c≦0.70、および0.5≦x≦1を満たすところに特徴を有する硬質皮膜[以下、該硬質皮膜を「(Ti,Cr,Ge,Al)(C,N)皮膜」と示す場合がある];
組成式が(TiαCr1-α)1-a-b-cGeaSibAlc(C1-xNx)であり、各元素の原子比が、0≦α≦1、0.010≦a≦0.10、b≦0.15、0.40≦c≦0.70、および0.5≦x≦1を満たすところに特徴を有する硬質皮膜[以下、該硬質皮膜を「(Ti,Cr,Ge,Si,Al)(C,N)皮膜」と示す場合がある];
も含まれる。
まず(Ti,Cr)(C,N)皮膜をベースに、Geを添加した皮膜について説明する。上記Geによる効果(前記保護皮膜形成による十分な保護性)を発揮させるには、金属元素(Ti,Cr,Ge)に占めるGeの原子比(Ge量、a)を0.010以上とする必要がある。前記Ge量(a)は、より好ましくは0.030以上であり、更に好ましくは0.050以上である。一方、Geは皮膜の非晶質化に作用する元素であり、Geが過度に含まれると皮膜が軟質化する傾向にある。よって、前記Ge量(a)は0.20以下とする。前記Ge量(a)は、好ましくは0.15未満であり、より好ましくは0.10未満である。
(Ti,Cr)(C,N)皮膜に対し、Geと共にSiを添加すると、GeとSiの相乗効果により、Geのみを添加した場合(前記の(Ti,Cr,Ge)(C,N)皮膜)よりも耐酸化性が更に向上する。この効果を十分に発揮させるには、金属元素(Ti,Cr,Ge,Si)に占めるSiの原子比(Si量、b)を0.01以上とすることが好ましい。前記Si量(b)は、より好ましくは0.05以上、更に好ましくは0.10以上である。一方、Siを過度に添加した場合、Geを過度に添加した場合と同じく皮膜の非晶質化を招く。よって前記Si量(b)は0.29以下とする。前記Si量(b)は、好ましくは0.20未満である。また、皮膜の非晶質化を抑える観点から、SiとGeの合計量(a+b)を0.30以下とする。上記SiとGeの合計量(a+b)は、好ましくは0.25以下である。
前記(Ti,Cr)(C,N)皮膜にAlが含まれる、(Ti,Al)(C,N)皮膜、(Cr、Al)(C,N)皮膜、または(Ti,Cr,Al)(C,N)皮膜をベースとした場合も、Geを添加することによって、上記(Ti,Al)(C,N)皮膜等よりも一層優れた耐酸化性を得ることができる。作用効果は、前記(Ti,Cr,Ge)(C,N)皮膜で述べた通りである。
(Ti,Al)(C,N)皮膜、(Cr、Al)(C,N)皮膜、または(Ti,Cr,Al)(C,N)皮膜をベースに、前記(Ti,Cr,Ge,Si)(C,N)皮膜と同じく、GeとSiを複合添加することによって、耐酸化性がより一層向上する。この効果を十分に発揮させるには、金属元素(Ti,Cr,Ge,Si,Al)に占めるSiの原子比(Si量、b)を0.01以上とすることが好ましい。前記Si量(b)は、より好ましくは0.03以上である。一方、Siを過度に添加した場合、Geを過度に添加した場合と同じく皮膜の非晶質化を招く。よって前記Si量(b)は0.15以下とする。前記Si量(b)は、好ましくは0.10以下である。また、皮膜の非晶質化を抑える観点から、SiとGeの合計量(a+b)を0.20以下とすることが好ましい。該SiとGeの合計量(a+b)は、より好ましくは0.15以下である。
全圧力:AIP法の場合:0.5Pa以上4Pa以下、
スパッタリング法の場合:0.05Pa以上1Pa以下
成膜時の基板(被処理体)に印加するバイアス電圧:20〜200V(アース電位に対してマイナス電位)
成膜時の基板(被処理体)温度:300℃以上800℃以下
成膜方法としてアーク法(AIP法)で成膜した。蒸発源に、C、Nを除き成膜に必要な元素を含有する(表1に示す金属成分組成を満たす)ターゲットを取り付け、支持台上には、基板(被処理体)として、超硬合金製チップ、超硬合金製ボールエンドミル(直径10mm、2枚刃)、または酸化試験用の白金箔(30mm×5mm×0.1mmt)を取り付けた。そして、チャンバー内を真空状態にした後、チャンバー内にあるヒーターで基板(被処理体)の温度を500℃に加熱し、Arイオンによる被処理体のクリーニング(Ar、圧力0.6Pa、電圧500V、時間5分)を実施した。その後、窒素ガスを導入してチャンバー内の(全)圧力を4Paとし、アーク放電を行って、基板(被処理体)の表面に、表1に示す成分組成の皮膜(膜厚3μm)を形成して試験片を得た。尚、表1の皮膜の成分組成における空欄は添加していないことを示す。
超硬合金製チップ上に皮膜を形成した試験片を用いて、前記皮膜の成分組成とビッカース硬度を調べた。前記皮膜の成分組成(C、Nを含む)はEPMAにより測定した。前記ビッカース硬度は、マイクロビッカース硬度計(測定荷重0.245N、測定時間15秒)で測定した。
耐酸化性は、白金箔上に皮膜を形成した試験片を使用し、人工乾燥空気中で昇温させながら質量測定を行い、その質量増加曲線から酸化開始温度を求めて評価した。昇温速度は4℃/分とし、1200℃まで測定を行った。
耐摩耗性は、超硬合金製ボールエンドミル上に皮膜を形成した試験片を用い、以下の条件で切削試験を行って、境界部の側面摩耗が100μmに達するまでの切削長(工具寿命)を測定して評価した。
(実施例1における切削試験条件)
被削材:SKD61(HRC55)
切削速度:500m/分
刃送り:0.06mm/刃
軸切り込み:5mm
径切り込み:0.6mm
切削長:境界部の側面摩耗が100μmに達するまでの切削長
その他:ダウンカット、ドライカット、エアブローのみ
実施例1と同じ条件で、表2に示す成分組成の皮膜を形成して試験片を得た。そして実施例1と同様にして、皮膜の成分組成とビッカース硬さを測定すると共に、耐酸化性の評価(酸化試験)を行った。また、切削試験を下記の条件で実施し、下記の「境界部の側面摩耗が100μmに達するまでの切削長」(工具寿命)で耐摩耗性を評価した。尚、表2の皮膜の成分組成における空欄は添加していないことを示す。
(実施例2における切削試験条件)
被削材:SKD11(HRC60)
切削速度:150m/分
刃送り:0.04mm/刃
軸切り込み:4.5mm
径切り込み:0.2mm
切削長:境界部の側面摩耗が100μmに達するまでの切削長
その他:ダウンカット、ドライカット、エアブローのみ
Ti0.15Cr0.20Al0.50Si0.10Ge0.05の組成(下付の数字は、金属元素に占める割合(原子比))からなるターゲット(CおよびNを除く成分が成膜しようとする硬質皮膜の組成と同じターゲット)を、粉末冶金法により粉末成形体を得た後、HIP(熱間等方圧縮プレス)により固化・高密度化して作製した。該作製時の条件(例えばHIP時の圧力)を変えることによって、相対密度の異なるターゲットを得た。尚、表3のNo.1〜6のターゲットは、Ge原料に金属Ge(Ge単体)を用いて作製した。表3のNo.7のターゲットは、Ge原料としてGeとSiが合金化した粉末を用いて作製し、No.8のターゲットは、Ge原料としてGeがAlおよびTi内に固溶した金属粉末を用いて作製した。この様にして得られた表3のNo.7および8のターゲットは、該ターゲットに含まれるGeが合金化または固溶した状態であった。
Claims (7)
- 組成式が(TiαCr1-α)1-aGea(C1-xNx)であり、
各元素の原子比が、
0≦α≦0.78、
0.010≦a≦0.20、および
0.5≦x≦1
を満たすことを特徴とする硬質皮膜。 - 組成式が(TiαCr1-α)1-a-bGeaSib(C1-xNx)であり、
各元素の原子比が、
0≦α≦1、
0.010≦a≦0.20、
0.01≦b≦0.29、
a+b≦0.30、および
0.5≦x≦1
を満たすことを特徴とする硬質皮膜。 - 組成式が(TiαCr1-α)1-a-cGeaAlc(C1-xNx)であり、
各元素の原子比が、
0≦α≦1、
0.010≦a≦0.15、
0.40≦c≦0.70、および
0.5≦x≦1
を満たすことを特徴とする硬質皮膜。 - 組成式が(TiαCr1-α)1-a-b-cGeaSibAlc(C1-xNx)であり、
各元素の原子比が、
0≦α≦1、
0.010≦a≦0.10、
b≦0.15、
0.40≦c≦0.70、および
0.5≦x≦1
を満たすことを特徴とする硬質皮膜。 - 周期律表の第4族元素(Tiを除く)、第5族元素、第6族元素(Crを除く)、Sc、Y、B、および希土類元素よりなる群から選択される1種以上の元素(以下「元素M」という)を、全金属元素(Ti、Cr、元素M、Ge、Si、Al)に占める割合(原子比)で0.20以下含む請求項1〜4のいずれかに記載の硬質皮膜。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の硬質皮膜の形成に用いるターゲットであって、
CおよびNを除く成分組成が請求項1〜5のいずれかに記載の成分組成を満たし、かつ相対密度が92%以上であることを特徴とする硬質皮膜形成用ターゲット。 - 前記成分組成におけるGeは、前記成分組成におけるTi、Cr、AlおよびSiの少なくとも1種の元素と化合物を形成しているか、該元素に固溶している請求項6に記載の硬質皮膜形成用ターゲット。
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