JP2016169413A - 粗粒であり、かつ、均粒、球状のチタンシリサイド粉末およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
しかし、スパッタリングあるいはアークプレーティングでチタンシリサイドを成膜する際には、パーティクル、ドロップレットの発生は避けられず、また、異常放電の発生、局部的なターゲットの溶融等の弊害も生じやすい。
これらの問題を解決すべく、今までに各種の提案がなされている。
また、本発明は、上記粗粒で均粒かつ球状のチタンシリサイド粉末から作製した蒸着用ターゲット材、さらに、上記チタンシリサイド粉末を製造するための製造方法を提供することを別の目的とする。
しかし、このような従来方法によれば、チタンシリサイド粉末中の不純物成分、例えば、W、Feの含有量の低減は図られるものの、このような低不純物含有量のチタンシリサイド粉末を焼結してターゲットを作製しても、焼結時にO(酸素)含有量が増加するとともに粒の粗大化が生じ、ターゲット組織が不均一組織となるため、パーティクル、ドロップレット、局部溶融、異常放電についての発生抑制効果は十分でなかった。
これは、ターゲット全体としての不純物含有量は低減されたものの、局部的に組織の不均一性、不純物含有量のバラツキが存在し、これに起因して、パーティクル、ドロップレット、局部溶融、異常放電が発生するからである。
そして、このようなチタンシリサイド粉末を原料としてターゲットを作製したところ、パーティクル、ドロップレット、局部溶融、異常放電の発生抑制効果が極めて高いものであることを見出したのである。
まず、Ti原料としては、高純度であって粒度D50が20〜40μmの均粒かつ球状のアトマイズTi粉を用いる。
また、Si原料としては、高純度であって粒度が850μm以下の粗粒のSi粉末を用いる。
前記のアトマイズTi粉末とSi粉末を混合し、シリサイド合成反応は熱処理を一次熱処理と二次熱処理の2段階に分けて行う。
即ち、第1段階の一次熱処理では、800〜1000℃の温度範囲かつ水素、真空、またはAr雰囲気中で30分以上2時間以内保持して、Ti粉末とSi粉末の混合粉末を熱処理する。
ただ、一次熱処理は、熱処理温度を高くしていないことから、Ti、TiSi、TiSi2混合粉末の凝集あるいは部分的な粒成長による粒子の粗大化、溶融化現象は生じない。
次に、第2段階の二次熱処理として、1100〜1400の温度範囲かつ水素、真空、またはAr雰囲気中で30分以上2時間以内保持して、シリサイド合成反応を行わせるとともに加熱処理をして、チタンシリサイドからなる凝集体を作製する。第2段階の二次熱処理では、焼結による粒子の成長・粗大化が生じることはないので、この凝集体を解砕処理することによって、粗粒であってかつ均粒、しかも球状のチタンシリサイド粉末を得ることができる。
「(1) 一次粒子が均粒かつ球状であって、D10が15μm以上、D50が45〜85μmおよびD90が145μm以下である粒度分布を有し、一次粒子中に含有される不純物成分のうち、C(炭素)は600ppm以下、O(酸素)は2500ppm以下、N(窒素)は500ppm以下、Fe(鉄)は800ppm以下およびW(タングステン)は100ppm以下であることを特徴とする粗粒であり、かつ、均粒、球状のチタンシリサイド粉末。
(2) 一次粒子のうち、アスペクト比が1.0〜1.2である粒子が、全一次粒子数の60〜90%を占めることを特徴とする前記(1)に記載の粗粒であり、かつ、均粒、球状のチタンシリサイド粉末。
(3) 前記(1)または(2)に記載のチタンシリサイド粉末を、ホットプレスまたは熱間静水圧プレスにより焼結した焼結体からなることを特徴とする蒸着用ターゲット材。
(4) 前記(1)または(2)に記載のチタンシリサイド粉末の製造方法であって、チタン原料粉末として、粒度D50が20〜40μmの球状かつ均粒であって、不純物成分としてのC(炭素)が100 ppm以下、O(酸素)が1500ppm以下のアトマイズTi粉末を用意し、シリコン原料粉末として、粒度が850μm以下の粗粒で、不純物成分としてのO(酸素)が1000ppm以下、Fe(鉄)が400ppm以下、W(タングステン)が100ppm以下のシリコン粉末を用意し、前記チタン原料粉末およびシリコン原料粉末を混合し、800〜1000℃の温度範囲かつ水素、真空、またはAr雰囲気中で30分以上2時間以内保持する一次熱処理を施し、次いで、1100〜1400の温度範囲かつ水素、真空、またはAr雰囲気中で30分以上2時間以内保持する二次熱処理を施すとともに加熱し、得られたチタンシリサイド凝集体を解砕処理することを特徴とする前記(1)または(2)に記載の粗粒であり、かつ、均粒、球状のチタンシリサイド粉末の製造方法。」
を特徴とするものである。
なお、粗粒とは、具体的に、D10が15μm以上、D50が45〜85μmおよびD90が145μm以下である粒度分布を有する一次粒子をいう。
図1に、本発明のチタンシリサイド粉末(本発明粉末)の粒度分布の一例を示すが、図1に示すチタンシリサイド粉末では、D10は18.96μm、D50は57.34μmおよびD90は118.8μmとなっている。
これに対して、図1に併記した従来のチタンシリサイド粉末(従来粉末)は、D10が5.5μm、D50が21.6μmおよびD90が49.5μmである粒度分布を備えている。
図2(a)には、前記粒度分布を有するチタンシリサイド粉末のSEM像を示すが、本発明粉末は、粗粒であるとともに均粒かつ球状であることが明らかである。
一方、図2(b)に示す従来粉末の場合には、微粒の一次粒子が凝着を起こし、凸凹状の形状を有し、表面積の大きな二次粒子が形成されていることが観察され、二次粒子の形状は球状とはいえず、また、均粒でもない。
一方、図2(b)に示す従来粉末にあっては、焼結によって、緻密化・高密度化が図られないばかりか、表面積の大きな二次粒子によって、特にO(酸素)の吸着量が増加するため、ターゲット材中の不純物成分含有量が増加し、あるいは、ターゲット材中における不純物含有量のバラツキが発生し、さらに、不均一組織の形成によって、パーティクル、ドロップレット、局部溶融、異常放電等の抑制効果が低下する。
しかし、チタンシリサイド粉末の一次粒子の粒径が過度に大きくなった場合(例えば、D90が145μmを超える場合)には、ターゲット材焼結時に組織の緻密化・高密度化を図ることができなくなることから、D90を145μm以下と定めた。
本発明では、ターゲット材の組織の均一性を高めるために、チタンシリサイド粉末の一次粒子が均粒であることが必要とされることから、一次粒子のD10を15μm以上、D50=45〜85μm、D90=145μm以下と定めた。
即ち、図2(a)に示されるようなチタンシリサイド粒子のSEM観察において、観察領域における個々の粒子について、個々の粒子の最小径a及び最大径bを測定し、b/aによって算出される個々の粒子のアスペクト比を求めたとき、アスペクト比が1.0〜1.2である粒子が、観察領域における全一次粒子数の60〜90%(個数%)を占める場合に、チタンシリサイド一次粒子が球状であると定義する。
これは、ターゲットを作製した際、上記いずれの不純物成分も、パーティクル、ドロップレット、局部溶融、異常放電の発生を引き起こすからである。
まず、Ti原料としては、粒度D50が20〜40μmの均粒かつ球状であって、高純度(C(炭素)が100ppm以下、O(酸素)が1500ppm以下のアトマイズTi粉末を用いる。このアトマイズTi粉末中の不純物成分含有量を上記のとおり定めたのは、ターゲットを作製した際のターゲット中の不純物成分を可及的に少なくするためである。
また、Si原料としては、高純度(O(酸素)が1000ppm以下、Fe(鉄)が400ppm以下、W(タングステン)が100ppm以下)であって粒度が850μm以下の粗粒のSi粉末を用いる。Si粉末中の不純物成分は、ターゲットを作製した際のターゲット中の不純物成分を可及的に少なくするとの観点から、O(酸素)、Fe(鉄)およびW(タングステン)の許容含有量を上記のとおり定める。
ついで、前記のチタン原料粉末およびシリコン原料粉末を、不活性雰囲気のV型ミキサーで45分〜2時間混合し、この混合粉を、800〜1000℃の温度範囲かつ水素、真空、またはAr雰囲気中で30分以上2時間以内保持する一次熱処理を施す。
ついで、一次熱処理を施した混合粉末を粗粉砕した後、1100〜1400の温度範囲かつ水素、真空、またはAr雰囲気中で30分以上2時間以内保持する二次熱処理を施すことにより、Ti粉末とSi粉末を反応させ、シリサイド合成反応を行わせるとともに混合粉末を加熱して、チタンシリサイドからなる凝集体を作製する。
ついで、前記のチタンシリサイドからなる凝集体を、粗粉砕、微粉砕、篩分けすることにより、本発明の粗粒であり、かつ、均粒、球状のチタンシリサイド粉末を製造することができる。
ホットプレス、熱間静水圧プレスの条件については特に制限するものではないが、従来の条件、例えば、ホットプレスは温度:1000〜1200℃、圧力:250〜600kgf/cm2で行えばよく、また、熱間静水圧プレスは温度:1000〜1200℃、圧力:1000〜2000kgf/cm2で行えばよい。
本発明のチタンシリサイド粉末を用いて作製した蒸着用ターゲット材は、高密度であって緻密性にすぐれ、かつ、均一な組織が得られるとともに含有不純物量が少ないため、蒸着時のパーティクル、ドロップレット、局部溶融、異常放電の発生が抑制される。
また、本発明のチタンシリサイド粉末の製造方法によれば、Ti粉末とSi粉末のシリサイド合成反応を、一次熱処理と二次熱処理の2段階の熱処理として行うことにより、粒の凝着・粗大化を抑制して、粗粒であり、かつ、均粒、球状、さらに、不純物成分含有量の少ないチタンシリサイド粉末を製造することができる。
この混合粉を、表2に示す条件で、かつ、水素、真空、またはAr雰囲気中で一次熱処理を施して得られた混合粉を粗粉砕した。ついで、表2に示す条件で、かつ、水素、真空、またはAr雰囲気中で二次熱処理を施して、シリサイド合成反応を行わせた。
二次熱処理を施した粉末を、粗粉砕、微粉砕、篩分けすることにより、本発明の粗粒であり、かつ、均粒、球状のチタンシリサイド粉末(以下、「本発明粉末」という)1〜6を製造した。
表3に、その結果を示す。
なお、粒度、不純物含有量および球状粒子の割合の測定手法は、それぞれ、以下のとおりである。
得られた粉末の粒度分布は、レーザー回折・散乱法を用いて測定され、得られたD10(μm)、D50、D90の値を表3に示す。また、不純物については、酸素値と炭素値は赤外線吸収法、窒素は熱伝導度法にて測定した。鉄とタングステンは発光分光分析法にて測定した。球状粒子の割合は、500倍のSEM写真10視野において、アスペクト比が1.0〜1.2の範囲の粒子の個数を目視にてカウントした。
この混合粉を、表2に示す条件で、かつ、水素、真空、またはAr雰囲気中で一次熱処理を施して(なお、比較例粉末11〜14については、一次熱処理を施さず)、また、同じく表2に示す条件で、かつ、水素、真空、またはAr雰囲気中で二次熱処理を施して、脱水素反応とシリサイド合成反応を行わせた。
二次熱処理を施した粉末を、粗粉砕、微粉砕、篩分けすることにより、比較例のチタンシリサイド粉末(以下、「比較例粉末」という)7〜14を製造した。
表3に、その結果を示す。
焼結条件は、ホットプレス温度:1000〜1200℃、圧力:250〜600kgf/cm2、時間:30〜120分である。
スパッタリング条件は、以下のとおりである。
基板:Siウエハ(直径200mm)、
基板温度:200℃、
基板とターゲットの距離:50mm、
スパッタガス:7.5TorrのAr、
投入電力:1.2kw、
成膜時間:2分
また、放電特性については、スパッタリング時に、異常放電が発生した回数をカウントし、また、ターゲットの局部溶融の発生については、成膜終了後のターゲット表面の状態から評価した。
表4に、これらの結果を示す。
Claims (4)
- 一次粒子が均粒かつ球状であって、D10が15μm以上、D50が45〜85μmおよびD90が145μm以下である粒度分布を有し、一次粒子中に含有される不純物成分のうち、C(炭素)は600ppm以下、O(酸素)は2500ppm以下、N(窒素)は500ppm以下、Fe(鉄)は800ppm以下およびW(タングステン)は100ppm以下であることを特徴とする粗粒であり、かつ、均粒、球状のチタンシリサイド粉末。
- 一次粒子のうち、アスペクト比が1.0〜1.2である粒子が、全一次粒子数の60〜90%(個数%)を占めることを特徴とする請求項1に記載の粗粒であり、かつ、均粒、球状のチタンシリサイド粉末。
- 請求項1または2に記載のチタンシリサイド粉末を、ホットプレスまたは熱間静水圧プレスにより焼結した焼結体からなることを特徴とする蒸着用ターゲット材。
- 請求項1または2に記載のチタンシリサイド粉末の製造方法であって、チタン原料粉末として、粒度D50が20〜40μmの球状かつ均粒であって、不純物成分としてのC(炭素)が100ppm以下、O(酸素)が1500ppm以下のアトマイズTi粉末を用意し、シリコン原料粉末として、粒度が850μm以下の粗粒で、不純物成分としてのO(酸素)が1000ppm以下、Fe(鉄)が400ppm以下、W(タングステン)が100ppm以下のシリコン粉末を用意し、前記チタン原料粉末およびシリコン原料粉末を混合し、800〜1000℃の温度範囲かつ水素、真空、またはAr雰囲気中で30分以上2時間以内保持する一次熱処理を施し、次いで、1100〜1400の温度範囲かつ水素、真空、またはAr雰囲気中で30分以上2時間以内保持する二次熱処理を施すとともに焼結し、得られたチタンシリサイド焼結体を解粉処理することを特徴とする請求項1または2に記載の粗粒であり、かつ、均粒、球状のチタンシリサイド粉末の製造方法。
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