JP2002193905A - ヒドラジン誘導体の製造方法 - Google Patents
ヒドラジン誘導体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 還元反応が選択的に進行し、かつ副反応であ
る水素化分解反応が抑制された、ヒドラゾン誘導体から
ヒドラジン誘導体を製造する方法の提供。 【解決手段】 有機塩基および無機塩基からなる群より
選ばれる少なくとも１種の塩基、並びに金属系還元触媒
の存在下、式［１］ 【化１】 のヒドラゾン誘導体から式［２］ 【化２】 （式中、各記号は明細書と同義である。）のヒドラジン
誘導体を製造する方法。
る水素化分解反応が抑制された、ヒドラゾン誘導体から
ヒドラジン誘導体を製造する方法の提供。 【解決手段】 有機塩基および無機塩基からなる群より
選ばれる少なくとも１種の塩基、並びに金属系還元触媒
の存在下、式［１］ 【化１】 のヒドラゾン誘導体から式［２］ 【化２】 （式中、各記号は明細書と同義である。）のヒドラジン
誘導体を製造する方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬品原料として
有用な特定のヒドラジン誘導体の製造方法に関する。
有用な特定のヒドラジン誘導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】医薬品原料として有用なヒドラジン誘導
体、例えば後記式［３］で表されるｔｅｒｔ−ブチル
３−［４−（ピリジン−２−イル）ベンジル］カルバゼ
ートは、ＷＯ９７／４００２９に記載の抗エイズ薬
体、例えば後記式［３］で表されるｔｅｒｔ−ブチル
３−［４−（ピリジン−２−イル）ベンジル］カルバゼ
ートは、ＷＯ９７／４００２９に記載の抗エイズ薬
【０００３】
【化３】
【０００４】の中間体として有用であり、当該中間体
は、下記式［４］で表されるＮ−（ｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニル）−Ｎ’−｛［４−（ピリジン−２−イル）
フェニル］メチリデン｝ヒドラゾンを、メタノール中、
１０％Ｐｄ／Ｃの存在下で還元することによって得られ
ることが知られている（ＷＯ９７／４００２９、実施例
４６Ｃ）。しかしながら、詳細な説明はなく、還元によ
る副生物等についても記載がない。
は、下記式［４］で表されるＮ−（ｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニル）−Ｎ’−｛［４−（ピリジン−２−イル）
フェニル］メチリデン｝ヒドラゾンを、メタノール中、
１０％Ｐｄ／Ｃの存在下で還元することによって得られ
ることが知られている（ＷＯ９７／４００２９、実施例
４６Ｃ）。しかしながら、詳細な説明はなく、還元によ
る副生物等についても記載がない。
【０００５】
【化４】
【０００６】本発明者らはＷＯ９７／４００２９の実施
例４６Ｃを追試したところ、式［３］の化合物が水素化
分解された４−（ピリジン−２−イル）トルエンが副生
することを見つけ、これにより式［３］の化合物の生成
率が低下すること、および溶解状態にある副生物が式
［３］の化合物の晶析を妨げて収率を低下させることを
認めた。このため、還元反応が選択的に進行し、かつ副
反応である水素化分解反応が抑制された、式［４］のよ
うなヒドラゾン骨格を有する化合物から式［３］のよう
なヒドラジン骨格を有する化合物を製造する方法の開発
が望まれている。
例４６Ｃを追試したところ、式［３］の化合物が水素化
分解された４−（ピリジン−２−イル）トルエンが副生
することを見つけ、これにより式［３］の化合物の生成
率が低下すること、および溶解状態にある副生物が式
［３］の化合物の晶析を妨げて収率を低下させることを
認めた。このため、還元反応が選択的に進行し、かつ副
反応である水素化分解反応が抑制された、式［４］のよ
うなヒドラゾン骨格を有する化合物から式［３］のよう
なヒドラジン骨格を有する化合物を製造する方法の開発
が望まれている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のことから、本発
明の目的は、還元反応が選択的に進行し、かつ副反応で
ある水素化分解反応が抑制された、ヒドラゾン誘導体か
らヒドラジン誘導体を製造する方法を提供することであ
る。
明の目的は、還元反応が選択的に進行し、かつ副反応で
ある水素化分解反応が抑制された、ヒドラゾン誘導体か
らヒドラジン誘導体を製造する方法を提供することであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するため鋭意研究を行なった結果、下記式［１］
のヒドラゾン誘導体から下記式［２］のヒドラジン誘導
体を製造する際、金属系還元触媒と共に、有機塩基およ
び無機塩基からなる群より選ばれる少なくとも１種の塩
基を反応系に添加することにより、目的の反応である還
元反応が選択的に進行し、かつ副反応である水素化分解
反応が抑制されることを見出し、本発明を完成するに至
った。
を達成するため鋭意研究を行なった結果、下記式［１］
のヒドラゾン誘導体から下記式［２］のヒドラジン誘導
体を製造する際、金属系還元触媒と共に、有機塩基およ
び無機塩基からなる群より選ばれる少なくとも１種の塩
基を反応系に添加することにより、目的の反応である還
元反応が選択的に進行し、かつ副反応である水素化分解
反応が抑制されることを見出し、本発明を完成するに至
った。
【０００９】即ち、本発明は、以下の通りである。 １． 有機塩基および無機塩基からなる群より選ばれる
少なくとも１種の塩基、並びに金属系還元触媒の存在
下、式［１］
少なくとも１種の塩基、並びに金属系還元触媒の存在
下、式［１］
【００１０】
【化５】
【００１１】（式中、Ｒ1は、炭素数１〜１２のアルキ
ル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子、水
酸基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を
有していてもよいアラルキル基または置換基を有してい
てもよいヘテロ芳香環基を示し、Ｒ2は、炭素数１〜１
２のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲ
ン原子、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基
を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していて
もよいフェニルアルコキシ基または置換基を有していて
もよいヘテロ芳香環基を示し、Ａｒは、フェニレン基、
ナフチレン基またはヘテロ芳香環基を示す。）で表され
るヒドラゾン誘導体を還元することを特徴とする、式
［２］
ル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子、水
酸基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を
有していてもよいアラルキル基または置換基を有してい
てもよいヘテロ芳香環基を示し、Ｒ2は、炭素数１〜１
２のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲ
ン原子、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基
を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していて
もよいフェニルアルコキシ基または置換基を有していて
もよいヘテロ芳香環基を示し、Ａｒは、フェニレン基、
ナフチレン基またはヘテロ芳香環基を示す。）で表され
るヒドラゾン誘導体を還元することを特徴とする、式
［２］
【００１２】
【化６】
【００１３】（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＡｒは、前記と同
義である。）で表されるヒドラジン誘導体の製造方法。 ２． 有機塩基が第３アミン類である、上記１．の製造
方法。 ３． 第３アミン類がトリエチルアミンである、上記
２．の製造方法。 ４． 無機塩基が炭酸アルカリである、上記１．の製造
方法。 ５． 炭酸アルカリが炭酸ナトリウムである、上記４．
の製造方法。 ６． 還元反応後、水素ガス単独または不活性ガスとの
混合ガス雰囲気下で反応液を濾過する上記１．の製造方
法。 ７． 還元反応後、反応液を冷却し、不活性ガス単独の
雰囲気下で濾過する、上記１．の製造方法。 ８． 冷却温度が３０℃以下である、上記７．の製造方
法。 ９． 還元反応後、反応液を濾過して得られた濾液に硫
黄系化合物を添加する、上記１．の製造方法。 １０． 硫黄系化合物がハイドロサルファイトナトリウ
ムである、上記９．の製造方法。
義である。）で表されるヒドラジン誘導体の製造方法。 ２． 有機塩基が第３アミン類である、上記１．の製造
方法。 ３． 第３アミン類がトリエチルアミンである、上記
２．の製造方法。 ４． 無機塩基が炭酸アルカリである、上記１．の製造
方法。 ５． 炭酸アルカリが炭酸ナトリウムである、上記４．
の製造方法。 ６． 還元反応後、水素ガス単独または不活性ガスとの
混合ガス雰囲気下で反応液を濾過する上記１．の製造方
法。 ７． 還元反応後、反応液を冷却し、不活性ガス単独の
雰囲気下で濾過する、上記１．の製造方法。 ８． 冷却温度が３０℃以下である、上記７．の製造方
法。 ９． 還元反応後、反応液を濾過して得られた濾液に硫
黄系化合物を添加する、上記１．の製造方法。 １０． 硫黄系化合物がハイドロサルファイトナトリウ
ムである、上記９．の製造方法。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明について、以下に詳細に説
明する。Ｒ1、Ｒ2における「炭素数１〜１２のアルキル
基」としては、直鎖状または分岐鎖状であり、例えば、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イ
ソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、
ウンデシル、ドデシルなどが挙げられ、好ましくは炭素
数１〜６のアルキルである。
明する。Ｒ1、Ｒ2における「炭素数１〜１２のアルキル
基」としては、直鎖状または分岐鎖状であり、例えば、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イ
ソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、
ウンデシル、ドデシルなどが挙げられ、好ましくは炭素
数１〜６のアルキルである。
【００１５】Ｒ1、Ｒ2における「炭素数１〜６のアルコ
キシ基」としては、直鎖状または分岐鎖状であり、メト
キシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキ
シ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブト
キシ、ペントキシ、ヘキシルオキシなどが挙げられ、好
ましくは炭素数１〜４のアルコキシ基が挙げられる。Ｒ
1、Ｒ2における「ハロゲン原子」としては、塩素原子、
フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、好まし
くは、塩素原子、フッ素原子、臭素原子である。
キシ基」としては、直鎖状または分岐鎖状であり、メト
キシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキ
シ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブト
キシ、ペントキシ、ヘキシルオキシなどが挙げられ、好
ましくは炭素数１〜４のアルコキシ基が挙げられる。Ｒ
1、Ｒ2における「ハロゲン原子」としては、塩素原子、
フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、好まし
くは、塩素原子、フッ素原子、臭素原子である。
【００１６】Ｒ1、Ｒ2における「置換基を有していても
よいフェニル基」の「置換基」としては、本発明の還元
条件下で還元しないものであれば特に限定はなく、例え
ば、炭素数１〜１２のアルキル基（直鎖状または分岐鎖
状であり、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、
ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デ
シル、ウンデシル、ドデシルなど）、炭素数１〜６のア
ルコキシ基（直鎖状または分岐鎖状であり、例えば、メ
トキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブト
キシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブ
トキシ、ペントキシ、ヘキシルオキシなど）、ハロゲン
原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子）
などが挙げられる。フェニル基は、これら１種または２
種以上で置換されていてもよい。
よいフェニル基」の「置換基」としては、本発明の還元
条件下で還元しないものであれば特に限定はなく、例え
ば、炭素数１〜１２のアルキル基（直鎖状または分岐鎖
状であり、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、
ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デ
シル、ウンデシル、ドデシルなど）、炭素数１〜６のア
ルコキシ基（直鎖状または分岐鎖状であり、例えば、メ
トキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブト
キシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブ
トキシ、ペントキシ、ヘキシルオキシなど）、ハロゲン
原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子）
などが挙げられる。フェニル基は、これら１種または２
種以上で置換されていてもよい。
【００１７】Ｒ1、Ｒ2における「置換基を有していても
よいアラルキル基」の「アラルキル基」とは、アリール
部がフェニル、ナフチルなどであり、かつアルキル部が
炭素数１〜４、好ましくは１または２のアルキル基であ
るアラルキル基であり、例えば、ベンジル、１−フェニ
ルエチル、２−フェニルエチルなどが挙げられる。当該
「置換基」としては、本発明の還元条件下で還元しない
ものであれば特に限定はなく、例えば、炭素数１〜１２
のアルキル基（直鎖状または分岐鎖状であり、例えば、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｓ
ｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシ
ル、ドデシルなど）、炭素数１〜６のアルコキシ基（直
鎖状または分岐鎖状であり、例えば、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブト
キシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペント
キシ、ヘキシルオキシなど）、ハロゲン原子（フッ素原
子、臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子）などが挙げられ
る。これら１種または２種以上で置換されていてもよ
い。
よいアラルキル基」の「アラルキル基」とは、アリール
部がフェニル、ナフチルなどであり、かつアルキル部が
炭素数１〜４、好ましくは１または２のアルキル基であ
るアラルキル基であり、例えば、ベンジル、１−フェニ
ルエチル、２−フェニルエチルなどが挙げられる。当該
「置換基」としては、本発明の還元条件下で還元しない
ものであれば特に限定はなく、例えば、炭素数１〜１２
のアルキル基（直鎖状または分岐鎖状であり、例えば、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｓ
ｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシ
ル、ドデシルなど）、炭素数１〜６のアルコキシ基（直
鎖状または分岐鎖状であり、例えば、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブト
キシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペント
キシ、ヘキシルオキシなど）、ハロゲン原子（フッ素原
子、臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子）などが挙げられ
る。これら１種または２種以上で置換されていてもよ
い。
【００１８】Ｒ1、Ｒ2における「置換基を有していても
よいヘテロ芳香環基」の「ヘテロ芳香環基」としては、
例えば、ピリジル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラ
ジニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、イ
ソキサゾリル、チエニル、フリル、インドリルなどが挙
げられ、好ましくはピリジルが挙げられる。「置換基」
としては、本発明の還元条件下で還元しないものであれ
ば特に限定はなく、例えば、炭素数１〜１２のアルキル
基（直鎖状または分岐鎖状であり、例えば、メチル、エ
チル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチ
ル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチ
ル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル
など）、炭素数１〜６のアルコキシ基（直鎖状または分
岐鎖状であり、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ
−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペントキシ、ヘキシ
ルオキシなど）、ハロゲン原子（フッ素原子、臭素原
子、ヨウ素原子、塩素原子）などが挙げられる。これら
１種または２種以上で置換されていてもよい。
よいヘテロ芳香環基」の「ヘテロ芳香環基」としては、
例えば、ピリジル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラ
ジニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、イ
ソキサゾリル、チエニル、フリル、インドリルなどが挙
げられ、好ましくはピリジルが挙げられる。「置換基」
としては、本発明の還元条件下で還元しないものであれ
ば特に限定はなく、例えば、炭素数１〜１２のアルキル
基（直鎖状または分岐鎖状であり、例えば、メチル、エ
チル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチ
ル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチ
ル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル
など）、炭素数１〜６のアルコキシ基（直鎖状または分
岐鎖状であり、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ
−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペントキシ、ヘキシ
ルオキシなど）、ハロゲン原子（フッ素原子、臭素原
子、ヨウ素原子、塩素原子）などが挙げられる。これら
１種または２種以上で置換されていてもよい。
【００１９】Ｒ2における「置換基を有していてもよい
フェニルアルコキシ基」の「アルコキシ基」としては、
好ましくは炭素数１〜６の直鎖状または分岐鎖状のアル
コキシであり、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ
−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペントキシ、ヘキシ
ルオキシなどが挙げられる。当該アルコキシ基は、本発
明の還元条件下で還元しない置換基であればどのような
置換基で置換されていてもよく、１または２以上の置換
基で置換されていてもよい。
フェニルアルコキシ基」の「アルコキシ基」としては、
好ましくは炭素数１〜６の直鎖状または分岐鎖状のアル
コキシであり、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ
−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペントキシ、ヘキシ
ルオキシなどが挙げられる。当該アルコキシ基は、本発
明の還元条件下で還元しない置換基であればどのような
置換基で置換されていてもよく、１または２以上の置換
基で置換されていてもよい。
【００２０】Ａｒにおける「ヘテロ芳香環基」とは、ヘ
テロ芳香環の２価基であり、ヘテロ芳香環としては、ピ
リジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、イミダゾ
ール、ピラゾール、オキサゾール、イソキサゾール、チ
オフェン、フラン、インドールなどが挙げられ、好まし
くはピリジンである。
テロ芳香環の２価基であり、ヘテロ芳香環としては、ピ
リジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、イミダゾ
ール、ピラゾール、オキサゾール、イソキサゾール、チ
オフェン、フラン、インドールなどが挙げられ、好まし
くはピリジンである。
【００２１】本発明において、ヒドラジン体［２］は、
有機塩基および無機塩基からなる群より選ばれる少なく
とも１種の塩基、並びに金属系還元触媒の存在下、ヒド
ラゾン体［１］を還元することによって得ることができ
る。具体的には、溶媒に、ヒドラゾン体［１］、金属系
還元触媒および塩基を添加し、これを水素ガス雰囲気下
で攪拌する。
有機塩基および無機塩基からなる群より選ばれる少なく
とも１種の塩基、並びに金属系還元触媒の存在下、ヒド
ラゾン体［１］を還元することによって得ることができ
る。具体的には、溶媒に、ヒドラゾン体［１］、金属系
還元触媒および塩基を添加し、これを水素ガス雰囲気下
で攪拌する。
【００２２】本発明の還元反応に使用する溶媒として
は、ヒドラゾン体［１］を溶解し、かつ反応に悪影響を
及ぼさない溶媒を用いればよく、アルコール系溶媒（例
えば、メタノール、イソプロパノールなど）、エステル
系溶媒（例えば、酢酸エチルなど）、エーテル溶媒（例
えば、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、エーテルな
ど）、炭化水素系溶媒（例えば、トルエンなど）、およ
びこれらの混合溶媒が挙げられ、好ましくはメタノー
ル、イソプロパノールが挙げられる。これらの溶媒に少
量の水を含んでいてもよい。溶媒の使用量としては、ヒ
ドラゾン体［１］に対して、４重量倍から５重量倍程度
が好ましい。
は、ヒドラゾン体［１］を溶解し、かつ反応に悪影響を
及ぼさない溶媒を用いればよく、アルコール系溶媒（例
えば、メタノール、イソプロパノールなど）、エステル
系溶媒（例えば、酢酸エチルなど）、エーテル溶媒（例
えば、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、エーテルな
ど）、炭化水素系溶媒（例えば、トルエンなど）、およ
びこれらの混合溶媒が挙げられ、好ましくはメタノー
ル、イソプロパノールが挙げられる。これらの溶媒に少
量の水を含んでいてもよい。溶媒の使用量としては、ヒ
ドラゾン体［１］に対して、４重量倍から５重量倍程度
が好ましい。
【００２３】本発明の還元反応に使用する金属系還元触
媒としては、通常の還元触媒としての金属触媒を用いる
ことができる。これらの金属触媒としては、パラジウム
系触媒、白金系触媒、ニッケル系触媒が挙げられる。こ
れらの金属系還元触媒のうち、パラジウム系触媒が好ま
しく、Ｐd／Ｃが最も好ましい。触媒の使用量は、使用
する触媒の種類によって異なるが、例えば５％Ｐｄ／Ｃ
を使用する場合には、５％Ｐｄ／Ｃの使用量は、ヒドラ
ゾン体［１］１００重量部に対して、好ましくは０．５
重量部から５重量部、より好ましくは１重量部から３重
量部である。
媒としては、通常の還元触媒としての金属触媒を用いる
ことができる。これらの金属触媒としては、パラジウム
系触媒、白金系触媒、ニッケル系触媒が挙げられる。こ
れらの金属系還元触媒のうち、パラジウム系触媒が好ま
しく、Ｐd／Ｃが最も好ましい。触媒の使用量は、使用
する触媒の種類によって異なるが、例えば５％Ｐｄ／Ｃ
を使用する場合には、５％Ｐｄ／Ｃの使用量は、ヒドラ
ゾン体［１］１００重量部に対して、好ましくは０．５
重量部から５重量部、より好ましくは１重量部から３重
量部である。
【００２４】本発明の還元反応においては、有機塩基お
よび無機塩基からなる群より選ばれる少なくとも１種の
塩基の存在によって、副反応である水素化分解を抑える
ことができる。有機塩基としては、アミン類、特に第３
アミン類（例えば、トリエチルアミンなど）が好まし
く、中でもトリエチルアミンが経済性の観点から好まし
い。無機塩基としては、炭酸アルカリが好ましく、中で
も炭酸カリウム、炭酸ナトリウムが経済性の観点からよ
り好ましい。これらは混合して使用してもよく、好まし
くはトリエチルアミンと炭酸ナトリウムの組み合わせが
挙げられる。
よび無機塩基からなる群より選ばれる少なくとも１種の
塩基の存在によって、副反応である水素化分解を抑える
ことができる。有機塩基としては、アミン類、特に第３
アミン類（例えば、トリエチルアミンなど）が好まし
く、中でもトリエチルアミンが経済性の観点から好まし
い。無機塩基としては、炭酸アルカリが好ましく、中で
も炭酸カリウム、炭酸ナトリウムが経済性の観点からよ
り好ましい。これらは混合して使用してもよく、好まし
くはトリエチルアミンと炭酸ナトリウムの組み合わせが
挙げられる。
【００２５】有機塩基と無機塩基のどちらか一方を使用
する場合の当該塩基の使用量は、ヒドラゾン体［１］１
モルに対して、０．０１〜０．５モルが好ましく、この
場合において、例えば２種以上の有機塩基（または無機
塩基）を使用している時には、それらの塩基の使用量の
和が上記範囲内にあればよい。また、有機塩基と無機塩
基を混合して使用する場合の当該塩基の使用量は、ヒド
ラゾン体［１］１モルに対して、有機塩基が好ましくは
０．０１〜０．５モル、無機塩基は好ましくは０．００
５〜０．１モルである。
する場合の当該塩基の使用量は、ヒドラゾン体［１］１
モルに対して、０．０１〜０．５モルが好ましく、この
場合において、例えば２種以上の有機塩基（または無機
塩基）を使用している時には、それらの塩基の使用量の
和が上記範囲内にあればよい。また、有機塩基と無機塩
基を混合して使用する場合の当該塩基の使用量は、ヒド
ラゾン体［１］１モルに対して、有機塩基が好ましくは
０．０１〜０．５モル、無機塩基は好ましくは０．００
５〜０．１モルである。
【００２６】本発明の還元反応に使用する水素の量は、
ヒドラゾン体［１］を還元できる量であればよく、水素
の吸収が停止するまで反応系に導入すればよい。用いる
水素の圧力は、好ましくは常圧から５気圧、より好まし
くは常圧から２気圧である。
ヒドラゾン体［１］を還元できる量であればよく、水素
の吸収が停止するまで反応系に導入すればよい。用いる
水素の圧力は、好ましくは常圧から５気圧、より好まし
くは常圧から２気圧である。
【００２７】本発明の還元温度は、用いる溶媒などによ
って依存するが、例えばアルコール系溶媒中での還元反
応は、通常４０℃から８０℃、好ましくは４０℃から６
０℃、より好ましくは４０から５０℃で行われ、水素の
吸収が停止した時点を終点とし、通常２時間から１２時
間、好ましくは５時間から８時間で終了する。
って依存するが、例えばアルコール系溶媒中での還元反
応は、通常４０℃から８０℃、好ましくは４０℃から６
０℃、より好ましくは４０から５０℃で行われ、水素の
吸収が停止した時点を終点とし、通常２時間から１２時
間、好ましくは５時間から８時間で終了する。
【００２８】本発明者らは、還元反応後、還元時の雰囲
気下（即ち、水素ガスを含む雰囲気下）で濾過すること
により；水素ガス単独または不活性ガスとの混合ガス雰
囲気下で反応液を濾過することにより；あるいは還元反
応後、反応液を冷却し、不活性ガス単独の雰囲気下で濾
過することにより、出発物質であるヒドラゾン体［１］
への逆反応（酸化反応）が抑制されることを見出した。
例えば、還元反応後、反応液を冷却し、同温度、不活性
ガス単独の雰囲気下（即ち、水素ガスのない雰囲気下）
で濾過する場合、その冷却温度は、通常３０℃以下、好
ましくは１０℃以下であり、３０℃を超える場合には、
逆反応が進行し易くなり、ヒドラジン体［２］の収率が
低下する。反応液の濾過は、不活性ガスと水素ガスとの
混合ガス中で行うのが好ましく、濾過温度は特に限定は
ない。
気下（即ち、水素ガスを含む雰囲気下）で濾過すること
により；水素ガス単独または不活性ガスとの混合ガス雰
囲気下で反応液を濾過することにより；あるいは還元反
応後、反応液を冷却し、不活性ガス単独の雰囲気下で濾
過することにより、出発物質であるヒドラゾン体［１］
への逆反応（酸化反応）が抑制されることを見出した。
例えば、還元反応後、反応液を冷却し、同温度、不活性
ガス単独の雰囲気下（即ち、水素ガスのない雰囲気下）
で濾過する場合、その冷却温度は、通常３０℃以下、好
ましくは１０℃以下であり、３０℃を超える場合には、
逆反応が進行し易くなり、ヒドラジン体［２］の収率が
低下する。反応液の濾過は、不活性ガスと水素ガスとの
混合ガス中で行うのが好ましく、濾過温度は特に限定は
ない。
【００２９】また、還元反応後、反応液を濾過して得ら
れた濾液に硫黄系化合物を添加する工程を経て単離した
ヒドラジン体［２］は溶液状態でも安定である。これ
は、硫黄系化合物を添加することにより、反応液中に残
存する金属系還元触媒の活性が失活するためと考えられ
る。
れた濾液に硫黄系化合物を添加する工程を経て単離した
ヒドラジン体［２］は溶液状態でも安定である。これ
は、硫黄系化合物を添加することにより、反応液中に残
存する金属系還元触媒の活性が失活するためと考えられ
る。
【００３０】本発明で使用する硫黄系化合物としては、
例えば硫黄単体、二硫化炭素、−ＳＨ基を含有する誘導
体、潜在的に−ＳＨ基を含有する誘導体、およびＳ−Ｓ
結合を含有する誘導体が挙げられ、好ましくは潜在的に
−ＳＨ基を含有する誘導体が挙げられる。
例えば硫黄単体、二硫化炭素、−ＳＨ基を含有する誘導
体、潜在的に−ＳＨ基を含有する誘導体、およびＳ−Ｓ
結合を含有する誘導体が挙げられ、好ましくは潜在的に
−ＳＨ基を含有する誘導体が挙げられる。
【００３１】「−ＳＨ基を含有する誘導体」とは、−Ｓ
Ｈ基を１つまたはそれ以上含有する誘導体であり、例え
ば硫化水素、ＮａＳＨ、ＮＨ4ＳＨ、ＫＳＨ等のチオー
ルの塩、メタンチオール、エタンチオール、プロパンチ
オール等のアルカンチオール、ベンゼンチオール等のア
レーンチオール、およびメタンジチオール、エタンジチ
オール等の−ＳＨ基を２つ以上含有する誘導体が挙げら
れる。
Ｈ基を１つまたはそれ以上含有する誘導体であり、例え
ば硫化水素、ＮａＳＨ、ＮＨ4ＳＨ、ＫＳＨ等のチオー
ルの塩、メタンチオール、エタンチオール、プロパンチ
オール等のアルカンチオール、ベンゼンチオール等のア
レーンチオール、およびメタンジチオール、エタンジチ
オール等の−ＳＨ基を２つ以上含有する誘導体が挙げら
れる。
【００３２】「潜在的に−ＳＨ基を含有する誘導体」と
は、もとは−ＳＨ基を含有しておらず、中和または対イ
オンを水素原子に置き換えることにより−ＳＨ基を含有
するような誘導体のことであり、例えば−ＳＮａ基は中
和によりＳＨ基となるため、−ＳＮａ基を有する誘導体
は潜在的に−ＳＨ基を含有する誘導体といえる。具体的
には、硫化ソーダ、硫化アンモニウム、およびハイドロ
サルファイトナトリウムが挙げられ、好ましくはハイド
ロサルファイトナトリウムが挙げられる。
は、もとは−ＳＨ基を含有しておらず、中和または対イ
オンを水素原子に置き換えることにより−ＳＨ基を含有
するような誘導体のことであり、例えば−ＳＮａ基は中
和によりＳＨ基となるため、−ＳＮａ基を有する誘導体
は潜在的に−ＳＨ基を含有する誘導体といえる。具体的
には、硫化ソーダ、硫化アンモニウム、およびハイドロ
サルファイトナトリウムが挙げられ、好ましくはハイド
ロサルファイトナトリウムが挙げられる。
【００３３】「Ｓ−Ｓ結合を含有する誘導体」とは、Ｓ
−Ｓ結合を１つまたはそれ以上含有する誘導体であり、
例えばジメチルジスルフィド、ジフェニルジスルフィド
等の有機ジスルフィド誘導体、Ｓ−Ｓ結合を連続して３
つ以上含有する有機ポリスルフィド誘導体、ポリ硫化ア
ンモニウム等の無機ポリスルフィド誘導体などが挙げら
れる。
−Ｓ結合を１つまたはそれ以上含有する誘導体であり、
例えばジメチルジスルフィド、ジフェニルジスルフィド
等の有機ジスルフィド誘導体、Ｓ−Ｓ結合を連続して３
つ以上含有する有機ポリスルフィド誘導体、ポリ硫化ア
ンモニウム等の無機ポリスルフィド誘導体などが挙げら
れる。
【００３４】本発明における硫黄系化合物の使用量は、
その種類および金属系還元触媒の種類とその使用量に依
存し、使用した触媒の活性が失活するまで硫黄系化合物
を添加すればよい。例えば、金属系還元触媒としてパラ
ジウム炭素をヒドラゾン体［１］１重量部に対して５重
量％使用し、硫黄系化合物としてハイドロサルファイト
ナトリウムを使用した場合、硫黄系化合物はヒドラゾン
体［１］１重量部に対して１〜１０重量％、好ましくは
３〜６重量％使用すればよい。
その種類および金属系還元触媒の種類とその使用量に依
存し、使用した触媒の活性が失活するまで硫黄系化合物
を添加すればよい。例えば、金属系還元触媒としてパラ
ジウム炭素をヒドラゾン体［１］１重量部に対して５重
量％使用し、硫黄系化合物としてハイドロサルファイト
ナトリウムを使用した場合、硫黄系化合物はヒドラゾン
体［１］１重量部に対して１〜１０重量％、好ましくは
３〜６重量％使用すればよい。
【００３５】硫黄系化合物は、通常１０〜６０℃、好ま
しくは２０〜４０℃で添加すればよく、金属系還元剤の
種類や使用量などに依存するが、通常１０分〜６０分で
金属系還元触媒は失活する。
しくは２０〜４０℃で添加すればよく、金属系還元剤の
種類や使用量などに依存するが、通常１０分〜６０分で
金属系還元触媒は失活する。
【００３６】ヒドラジン体［２］の単離および精製は、
常法で行うことができる。
常法で行うことができる。
【００３７】出発物質であるヒドラゾン体［１］は、公
知の方法によって製造することができ、例えば、以下の
２つの方法によって得ることができる。 （ｉ）下記スキームにおいて、アルデヒド体１をヒドラ
ジンと反応させてヒドラゾン体２とし、脱酸剤として塩
基を用いてアシル化剤と反応させることによって、また
は（ｉｉ）下記スキームにおいて、アルデヒド体１とア
シルヒドラジン化合物３とを反応させることによって、
得ることができる。
知の方法によって製造することができ、例えば、以下の
２つの方法によって得ることができる。 （ｉ）下記スキームにおいて、アルデヒド体１をヒドラ
ジンと反応させてヒドラゾン体２とし、脱酸剤として塩
基を用いてアシル化剤と反応させることによって、また
は（ｉｉ）下記スキームにおいて、アルデヒド体１とア
シルヒドラジン化合物３とを反応させることによって、
得ることができる。
【００３８】
【化７】
【００３９】本発明の方法により得られたヒドラジン体
［２］は、ＷＯ９７／４００２９に記載の方法によっ
て、医薬品化合物へと変換することができる。
［２］は、ＷＯ９７／４００２９に記載の方法によっ
て、医薬品化合物へと変換することができる。
【００４０】
【実施例】以下に本発明を参考例、比較例、実施例によ
り説明するが、本発明はこれらによって限定されるもの
ではない。また、下記表における[I]〜[III]は、それぞ
れ下記化合物[I]〜[III]に対応する。
り説明するが、本発明はこれらによって限定されるもの
ではない。また、下記表における[I]〜[III]は、それぞ
れ下記化合物[I]〜[III]に対応する。
【００４１】
【化８】
【００４２】参考例１（塩基を添加しない場合の還元） メタノール２５ｍｌに、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカル
ボニル）−Ｎ’−｛［４−（ピリジン−２−イル）フェ
ニル］メチリデン｝ヒドラジン（５ｇ、１６．８２ｍｍ
ｏｌ）および５％Ｐｄ／Ｃ（０．１２５ｇ、Ｎ−（ｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニル）−Ｎ’−｛［４−（ピリジ
ン−２−イル）フェニル］メチリデン｝ヒドラジンに対
して２．５重量％）を加え、水素置換後、常圧で５０
℃、５時間還元を行った。反応後、反応液の一部を採取
して高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）で分析し
たところ、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−
Ｎ’−［４−（ピリジン−２−イル）ベンジル］ヒドラ
ジン９７．１１％相当、４−（ピリジン−２−イル）ト
ルエン２．６９％相当、原料物質であるＮ−（ｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニル）−Ｎ’−｛［４−（ピリジン−
２−イル）フェニル］メチリデン｝ヒドラジン０．３６
％相当の組成であった。
ボニル）−Ｎ’−｛［４−（ピリジン−２−イル）フェ
ニル］メチリデン｝ヒドラジン（５ｇ、１６．８２ｍｍ
ｏｌ）および５％Ｐｄ／Ｃ（０．１２５ｇ、Ｎ−（ｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニル）−Ｎ’−｛［４−（ピリジ
ン−２−イル）フェニル］メチリデン｝ヒドラジンに対
して２．５重量％）を加え、水素置換後、常圧で５０
℃、５時間還元を行った。反応後、反応液の一部を採取
して高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）で分析し
たところ、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−
Ｎ’−［４−（ピリジン−２−イル）ベンジル］ヒドラ
ジン９７．１１％相当、４−（ピリジン−２−イル）ト
ルエン２．６９％相当、原料物質であるＮ−（ｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニル）−Ｎ’−｛［４−（ピリジン−
２−イル）フェニル］メチリデン｝ヒドラジン０．３６
％相当の組成であった。
【００４３】実施例１〜３（塩基を添加した場合の還
元） 表１に示した反応条件に変更する以外は、参考例１と同
様にして反応を行った。但し、塩基の添加は、水素置換
前に金属系還元触媒の添加と同時に行った。得られた反
応液をＨＰＬＣで分析した結果、表１のようであった。
表１中の塩基の使用量は、原料である式[II]の化合物１
モルに対するモル数である。
元） 表１に示した反応条件に変更する以外は、参考例１と同
様にして反応を行った。但し、塩基の添加は、水素置換
前に金属系還元触媒の添加と同時に行った。得られた反
応液をＨＰＬＣで分析した結果、表１のようであった。
表１中の塩基の使用量は、原料である式[II]の化合物１
モルに対するモル数である。
【００４４】
【表１】
【００４５】比較例１および実施例４ 上記参考例１と同様にして得た反応液を、窒素ガス中、
それぞれ表２に示した条件下で攪拌した液をＨＰＬＣで
分析した。結果は、表２のようであった。
それぞれ表２に示した条件下で攪拌した液をＨＰＬＣで
分析した。結果は、表２のようであった。
【００４６】比較例２および実施例５ 上記実施例１で得た反応液を、窒素ガス中、それぞれ表
２に示した条件下で攪拌した液をＨＰＬＣで分析した。
結果は、表２のようであった。
２に示した条件下で攪拌した液をＨＰＬＣで分析した。
結果は、表２のようであった。
【００４７】実施例６および７ 上記参考例１と同様にして得た反応液を、水素／窒素
（１／２）混合ガス中、それぞれ表２に示した条件下で
攪拌した液をＨＰＬＣで分析した。結果は、表２のよう
であった。
（１／２）混合ガス中、それぞれ表２に示した条件下で
攪拌した液をＨＰＬＣで分析した。結果は、表２のよう
であった。
【００４８】
【表２】
【００４９】本発明により、ヒドラゾン体［１］からヒ
ドラジン体［２］を製造する際、目的の反応である還元
反応が選択的に進行し、かつ副反応である水素化分解反
応が抑制される。これにより、目的化合物を高収率で得
ることができる。
ドラジン体［２］を製造する際、目的の反応である還元
反応が選択的に進行し、かつ副反応である水素化分解反
応が抑制される。これにより、目的化合物を高収率で得
ることができる。
【００５０】実施例８ 水素／窒素（約１／２）の混合ガス中、実施例３の反応
液を濾過後、同温度で、得られた濾液にハイドロサルフ
ァイトナトリウム（１００ｍｇ）を添加して、メタノー
ルを減圧留去した。得られた残渣にヘプタン／イソプロ
パノール（容積比＝９／１）を加えて加熱溶解し、窒素
ガス中で濾過した後、冷却して結晶化することにより、
Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−Ｎ’−［４−
（ピリジン−２−イル）ベンジル］ヒドラジンを４．２
ｇ得た（収率：８３％）。当該結晶に対するＨＰＬＣ分
析の結果、原料物質であるＮ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニル）−Ｎ’−｛［４−（ピリジン−２−イル）フ
ェニル］メチリデン｝ヒドラジンに対応するピークは検
出されなかった。
液を濾過後、同温度で、得られた濾液にハイドロサルフ
ァイトナトリウム（１００ｍｇ）を添加して、メタノー
ルを減圧留去した。得られた残渣にヘプタン／イソプロ
パノール（容積比＝９／１）を加えて加熱溶解し、窒素
ガス中で濾過した後、冷却して結晶化することにより、
Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−Ｎ’−［４−
（ピリジン−２−イル）ベンジル］ヒドラジンを４．２
ｇ得た（収率：８３％）。当該結晶に対するＨＰＬＣ分
析の結果、原料物質であるＮ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニル）−Ｎ’−｛［４−（ピリジン−２−イル）フ
ェニル］メチリデン｝ヒドラジンに対応するピークは検
出されなかった。
【００５１】
【発明の効果】本発明により、還元反応が選択的に進行
し、かつ副反応である水素化分解反応が抑制された、ヒ
ドラゾン誘導体からヒドラジン誘導体を製造する方法を
提供することができる。
し、かつ副反応である水素化分解反応が抑制された、ヒ
ドラゾン誘導体からヒドラジン誘導体を製造する方法を
提供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 服部 広美 大阪市西淀川区歌島３丁目１番21号 住化 ファインケム株式会社総合研究所内 (72)発明者 板谷 信重 大阪市西淀川区歌島３丁目１番21号 住化 ファインケム株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4C055 AA01 BA02 BA08 BA27 BB17 CA01 DA01 FA15 4H006 AA02 AC11 AD17 BA02 BA21 BA25 BA26 BA32 BA51 BA61 BC51 BE20 4H039 CA71 CB30
Claims (10)
- 【請求項１】 有機塩基および無機塩基からなる群より
選ばれる少なくとも１種の塩基、並びに金属系還元触媒
の存在下、式［１］ 【化１】 （式中、Ｒ1は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数
１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、置換基
を有していてもよいフェニル基、置換基を有していても
よいアラルキル基または置換基を有していてもよいヘテ
ロ芳香環基を示し、Ｒ2は、炭素数１〜１２のアルキル
基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子、置換
基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していて
もよいアラルキル基、置換基を有していてもよいフェニ
ルアルコキシ基または置換基を有していてもよいヘテロ
芳香環基を示し、Ａｒは、フェニレン基、ナフチレン基
またはヘテロ芳香環基を示す。）で表されるヒドラゾン
誘導体を還元することを特徴とする、式［２］ 【化２】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＡｒは、前記と同義である。）
で表されるヒドラジン誘導体の製造方法。 - 【請求項２】 有機塩基が第３アミン類である、請求項
１記載の製造方法。 - 【請求項３】 第３アミン類がトリエチルアミンであ
る、請求項２記載の製造方法。 - 【請求項４】 無機塩基が炭酸アルカリである、請求項
１記載の製造方法。 - 【請求項５】 炭酸アルカリが炭酸ナトリウムである、
請求項４記載の製造方法。 - 【請求項６】 還元反応後、水素ガス単独または不活性
ガスとの混合ガス雰囲気下で反応液を濾過する請求項１
記載の製造方法。 - 【請求項７】 還元反応後、反応液を冷却し、不活性ガ
ス単独の雰囲気下で濾過する、請求項１記載の製造方
法。 - 【請求項８】 冷却温度が３０℃以下である、請求項７
記載の製造方法。 - 【請求項９】 還元反応後、反応液を濾過して得られた
濾液に硫黄系化合物を添加する、請求項１記載の製造方
法。 - 【請求項１０】 硫黄系化合物がハイドロサルファイト
ナトリウムである、請求項９記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001186754A JP4278316B2 (ja) | 2000-07-14 | 2001-06-20 | ヒドラジン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000215031 | 2000-07-14 | ||
| JP2000-215031 | 2000-07-14 | ||
| JP2001186754A JP4278316B2 (ja) | 2000-07-14 | 2001-06-20 | ヒドラジン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002193905A true JP2002193905A (ja) | 2002-07-10 |
| JP4278316B2 JP4278316B2 (ja) | 2009-06-10 |
Family
ID=26596096
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001186754A Expired - Fee Related JP4278316B2 (ja) | 2000-07-14 | 2001-06-20 | ヒドラジン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4278316B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06172294A (ja) * | 1992-08-18 | 1994-06-21 | Ciba Geigy Ag | 置換ベンゼン及びベンゼンスルホン酸及びその誘導体の製造方法、並びにｎ，ｎ′−置換尿素の製造方法 |
| JPH0930992A (ja) * | 1995-07-20 | 1997-02-04 | Basf Ag | アルケンの製造方法 |
| JPH11171833A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-06-29 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | β−ヒドロキシイソ酪酸エステルの製造方法 |
| JPH11222465A (ja) * | 1997-10-30 | 1999-08-17 | Degussa Ag | イミンまたはニトリルからのアミンの製造法 |
| JPH11511177A (ja) * | 1996-04-22 | 1999-09-28 | ノバルティス アクチエンゲゼルシャフト | 抗ウイルス性複素環式アザヘキサン誘導体 |
-
2001
- 2001-06-20 JP JP2001186754A patent/JP4278316B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06172294A (ja) * | 1992-08-18 | 1994-06-21 | Ciba Geigy Ag | 置換ベンゼン及びベンゼンスルホン酸及びその誘導体の製造方法、並びにｎ，ｎ′−置換尿素の製造方法 |
| JPH0930992A (ja) * | 1995-07-20 | 1997-02-04 | Basf Ag | アルケンの製造方法 |
| JPH11511177A (ja) * | 1996-04-22 | 1999-09-28 | ノバルティス アクチエンゲゼルシャフト | 抗ウイルス性複素環式アザヘキサン誘導体 |
| JPH11222465A (ja) * | 1997-10-30 | 1999-08-17 | Degussa Ag | イミンまたはニトリルからのアミンの製造法 |
| JPH11171833A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-06-29 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | β−ヒドロキシイソ酪酸エステルの製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 社団法人 日本化学会編, 新実験化学講座 15 酸化と還元 II, JPN6008060739, 20 February 1977 (1977-02-20), pages 390 - 448, ISSN: 0001193150 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4278316B2 (ja) | 2009-06-10 |
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