JPS62138489A - 臭素化チオフエンの製造方法 - Google Patents
臭素化チオフエンの製造方法Info
- Publication number
- JPS62138489A JPS62138489A JP27789085A JP27789085A JPS62138489A JP S62138489 A JPS62138489 A JP S62138489A JP 27789085 A JP27789085 A JP 27789085A JP 27789085 A JP27789085 A JP 27789085A JP S62138489 A JPS62138489 A JP S62138489A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thiophene
- group
- bromine
- substituted
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はチオフェン若しくは置換チオフェンと臭素とを
付加反応させ、選択性良く、なおかつ高収率で臭素化チ
オフェンを製造する方法に関する。
付加反応させ、選択性良く、なおかつ高収率で臭素化チ
オフェンを製造する方法に関する。
〈従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〉チオ
フェン又は置換チオフェンと臭素とは極めて反応しやす
く、−分子のチオフェン又は置換チオフェンに付加する
臭素原子の数が種々の臭素化チオフェンが混合物として
得られていた。このように、チオフェン又は置換チオフ
ェンと臭素との付加反応に於いて一分子のチオフェン又
は置換チオフェンに付加する臭素原子の数を制御するこ
とは困難であった。この現象は、特に無溶媒下での反応
で著しいものであった。そこで、不活性溶媒を用い、１
分子のチオフェン又は置換チオフェンに導入する臭素原
子数に基づく量より過剰の臭素を用いて反応を行なうこ
とが行なわれている。例えば、特開昭４９−１１７６１
７号公報に記載のトリブロムチオフェンの製造方法では
、０．５０モルのチオフェンと１．５６モルの臭素を１
００ｉＪの酢酸溶媒中、３０℃で２時間反応させ、目的
生成物である２、３．５− ）リプロムチオフェンを単
離収率６１．３チで、副生成物である２、５−ジブロム
チオフェン及び２．３，４．５−テトラブロムチオフェ
ンをそれぞれ１７．９ ％と１０．５ ％の単離収率で
得ている。このように、チオフェン又は置換チオフェン
に対して過剰の臭素を用いた場合には、不活性溶媒下で
反応を行なったところで、選択的に、なおかつ高収率で
目的生成物を得ることは困難であった。
フェン又は置換チオフェンと臭素とは極めて反応しやす
く、−分子のチオフェン又は置換チオフェンに付加する
臭素原子の数が種々の臭素化チオフェンが混合物として
得られていた。このように、チオフェン又は置換チオフ
ェンと臭素との付加反応に於いて一分子のチオフェン又
は置換チオフェンに付加する臭素原子の数を制御するこ
とは困難であった。この現象は、特に無溶媒下での反応
で著しいものであった。そこで、不活性溶媒を用い、１
分子のチオフェン又は置換チオフェンに導入する臭素原
子数に基づく量より過剰の臭素を用いて反応を行なうこ
とが行なわれている。例えば、特開昭４９−１１７６１
７号公報に記載のトリブロムチオフェンの製造方法では
、０．５０モルのチオフェンと１．５６モルの臭素を１
００ｉＪの酢酸溶媒中、３０℃で２時間反応させ、目的
生成物である２、３．５− ）リプロムチオフェンを単
離収率６１．３チで、副生成物である２、５−ジブロム
チオフェン及び２．３，４．５−テトラブロムチオフェ
ンをそれぞれ１７．９ ％と１０．５ ％の単離収率で
得ている。このように、チオフェン又は置換チオフェン
に対して過剰の臭素を用いた場合には、不活性溶媒下で
反応を行なったところで、選択的に、なおかつ高収率で
目的生成物を得ることは困難であった。
く問題を解決するための手段〉
本発明者は上記事実に鑑み、副生成物を極力抑え、選択
性良く、なおかつ高収率で所望の数の臭素原子を導入し
た臭素化チオフェンを製造する方法について鋭意検討を
重ねてきた。その結果、意外にもチオフェン又は置換チ
オフェンに対して特定量の臭素を用いることによシ、副
生成物を抑え、選択性よく、なおかつ高収率で所望の数
の臭素原子を導入した臭素化チオフェンを製造できるこ
とを見い出し、本発明を完成させるに至りた。
性良く、なおかつ高収率で所望の数の臭素原子を導入し
た臭素化チオフェンを製造する方法について鋭意検討を
重ねてきた。その結果、意外にもチオフェン又は置換チ
オフェンに対して特定量の臭素を用いることによシ、副
生成物を抑え、選択性よく、なおかつ高収率で所望の数
の臭素原子を導入した臭素化チオフェンを製造できるこ
とを見い出し、本発明を完成させるに至りた。
即ち、本発明はチオフェン又は置換チオフェンと臭素と
を付加反応させて臭素化チオフェンを製造するに際し、
１分子のチオフェン又は置換チオフェンに付加される臭
素原子の数をｎとするとき、該チオフェン又は置換チオ
フェン１モルに対して（０，８８〜０．９９）×ｎモル
の範囲の臭素を反応に用いることを特徴とする臭素化チ
オフェンの製造方法である。
を付加反応させて臭素化チオフェンを製造するに際し、
１分子のチオフェン又は置換チオフェンに付加される臭
素原子の数をｎとするとき、該チオフェン又は置換チオ
フェン１モルに対して（０，８８〜０．９９）×ｎモル
の範囲の臭素を反応に用いることを特徴とする臭素化チ
オフェンの製造方法である。
本発明において、原料として用いられる置換チオフェン
とは、チオフェン環に結合した水素が同種又は異種の置
換基によシ置換された化合物である。該置換チオフェン
の置換基としては、臭素と反応しないものであれば、あ
らゆる置換基が特に制限されず、用いられる。該置換基
の具体例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲン原子：ニトロ基；シアノ基：スルポン基；カル、３
７キシル基；メチル基、エチル基、プロピル基等のアル
キル基；クロルメチル基、ジブロムエチル基、トリフル
オロプロピル基等のハロゲノアルキル基；メトキシ基、
エトキシ基、イソプロポキシ基等のフルコキシ基；メチ
ルチオ基、エチルチオ基、グロピルチオ基等のアルキル
チオ基；メトキシメチル基、エトキシメチル基、ブトキ
シエチル基等のアル；キシアルキル基；メチルチオメチ
ル基、エチルチオプロピル基、ブチルチオエチル基等の
フルキルチオアルキル基；アセチル基、グロビオニル基
等のアルキルカルボニル基；メトキシメル基ニル基、エ
トキシメル基ニル基等のフルコキシヵル？ニル基：クロ
ルカルゴニル基、プロムカルゲ。
とは、チオフェン環に結合した水素が同種又は異種の置
換基によシ置換された化合物である。該置換チオフェン
の置換基としては、臭素と反応しないものであれば、あ
らゆる置換基が特に制限されず、用いられる。該置換基
の具体例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲン原子：ニトロ基；シアノ基：スルポン基；カル、３
７キシル基；メチル基、エチル基、プロピル基等のアル
キル基；クロルメチル基、ジブロムエチル基、トリフル
オロプロピル基等のハロゲノアルキル基；メトキシ基、
エトキシ基、イソプロポキシ基等のフルコキシ基；メチ
ルチオ基、エチルチオ基、グロピルチオ基等のアルキル
チオ基；メトキシメチル基、エトキシメチル基、ブトキ
シエチル基等のアル；キシアルキル基；メチルチオメチ
ル基、エチルチオプロピル基、ブチルチオエチル基等の
フルキルチオアルキル基；アセチル基、グロビオニル基
等のアルキルカルボニル基；メトキシメル基ニル基、エ
トキシメル基ニル基等のフルコキシヵル？ニル基：クロ
ルカルゴニル基、プロムカルゲ。
ニル基等のハログノカルゲニル基；アミノカルぎニルＭ
ＡＮ−メｆルアミノカル♂ニル基、Ｎ−エチルアミノカ
ルブニル基等のＮ−アルキルアミノカルブニル基： Ｎ
、Ｎ−ジメチルアミノカルゲニルＭ、Ｎ−）ｆルーＮ−
エチルーアミノカルゲニル基等のＮ、Ｎ−ジアルキルア
ミノカル♂ニル基ニアミノ基：Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ
−エチルアミノ基等のＮ−フルキルアミノ基： Ｎ、Ｎ
−ジメチルアミノ基、Ｎ−エチル−Ｎ−プロピルアミノ
基等のＮ、Ｎ−ノアルキルアミノ基；フェニル基、トリ
ル基、ナフチル基等の７リール基；シクロペンチル基、
シクロヘキシル基等のシクロアルキル基等が挙げられる
。上記のアリール基、又はシクロアルキル基については
、チオフェン環の２，３位もしくは３，４位に結合した
、ベンゾチオフェン、２．３−シクロブチルチオフェン
等も含まれる。但し、ハロゲノアルキル基のハロゲノが
臭素以外でアル場合には、臭素化反応によシ該ハロダン
が、臭素に変わる場合がある。
ＡＮ−メｆルアミノカル♂ニル基、Ｎ−エチルアミノカ
ルブニル基等のＮ−アルキルアミノカルブニル基： Ｎ
、Ｎ−ジメチルアミノカルゲニルＭ、Ｎ−）ｆルーＮ−
エチルーアミノカルゲニル基等のＮ、Ｎ−ジアルキルア
ミノカル♂ニル基ニアミノ基：Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ
−エチルアミノ基等のＮ−フルキルアミノ基： Ｎ、Ｎ
−ジメチルアミノ基、Ｎ−エチル−Ｎ−プロピルアミノ
基等のＮ、Ｎ−ノアルキルアミノ基；フェニル基、トリ
ル基、ナフチル基等の７リール基；シクロペンチル基、
シクロヘキシル基等のシクロアルキル基等が挙げられる
。上記のアリール基、又はシクロアルキル基については
、チオフェン環の２，３位もしくは３，４位に結合した
、ベンゾチオフェン、２．３−シクロブチルチオフェン
等も含まれる。但し、ハロゲノアルキル基のハロゲノが
臭素以外でアル場合には、臭素化反応によシ該ハロダン
が、臭素に変わる場合がある。
本発明に於いて好適に用いられる置換チオフェンは、下
記式で示されるものである。
記式で示されるものである。
（但し、Ｊ 、Ｆｔ２ ｒ Ｒ３及びＲ４は、同種又は
異種の水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
スルホン基、カルボニル基、アルキル基、）１０ダノア
ルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルコキシ
アルキル基、アルキルチオアルキル基、アルキルカルボ
ニル基、アル；キシアルキル基、ハロゲノアルキル基、
アミノカルボニル基、Ｎ−アルキルアミノカルブニル基
、 Ｎ、Ｎ−ジアルキルアミノカルブニル基、アミン基
、Ｎ−フルキルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジアルキルアミノ基
、アリール基、シクロアルキル基であシ、Ｒ１及びＲ３
が共に項を形成していてもよく、これらＲ１＊ Ｒ２＋
Ｒ５及びＲ４が同時に水素原子になることはなく、ま
た、Ｒ１＋ Ｒ２ｒ Ｒ３及びＲ４のうち少くとも２つ
は水素原子である。） 本発明に於いては、前記したチオフェン又は置換チオフ
ェン１分子に付加させる臭素原子の数をｎとするとき、
チオフェン又は置換チオフェン１モルに対して、（０，
８８〜０．９９ ） Ｘ ｎモルの臭素を用いることが
重要である。さらに、臭素は、（０，９０〜０．９９）
×ｎモルの範囲であることが好ましく、特に（０，９２
〜０．９７）×ｎモルの範囲であることが最も好ましい
。上記の範囲外の臭素を用いたときには、所望する数の
臭素原子を導入した臭素化チオフェンが選択的に高収率
で得られないために好ましくない。
異種の水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
スルホン基、カルボニル基、アルキル基、）１０ダノア
ルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルコキシ
アルキル基、アルキルチオアルキル基、アルキルカルボ
ニル基、アル；キシアルキル基、ハロゲノアルキル基、
アミノカルボニル基、Ｎ−アルキルアミノカルブニル基
、 Ｎ、Ｎ−ジアルキルアミノカルブニル基、アミン基
、Ｎ−フルキルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジアルキルアミノ基
、アリール基、シクロアルキル基であシ、Ｒ１及びＲ３
が共に項を形成していてもよく、これらＲ１＊ Ｒ２＋
Ｒ５及びＲ４が同時に水素原子になることはなく、ま
た、Ｒ１＋ Ｒ２ｒ Ｒ３及びＲ４のうち少くとも２つ
は水素原子である。） 本発明に於いては、前記したチオフェン又は置換チオフ
ェン１分子に付加させる臭素原子の数をｎとするとき、
チオフェン又は置換チオフェン１モルに対して、（０，
８８〜０．９９ ） Ｘ ｎモルの臭素を用いることが
重要である。さらに、臭素は、（０，９０〜０．９９）
×ｎモルの範囲であることが好ましく、特に（０，９２
〜０．９７）×ｎモルの範囲であることが最も好ましい
。上記の範囲外の臭素を用いたときには、所望する数の
臭素原子を導入した臭素化チオフェンが選択的に高収率
で得られないために好ましくない。
本発明の方法は、臭素原子も含めた置換基の数が１〜３
の臭素化チオフェンを得る場合、即ち、原料としてチオ
フェン又は置換基の数が２以下の置換チオフェンを用い
た場合に、特に優れた効果が期待できる。
の臭素化チオフェンを得る場合、即ち、原料としてチオ
フェン又は置換基の数が２以下の置換チオフェンを用い
た場合に、特に優れた効果が期待できる。
本発明のチオフェン又は置換チオフェンと臭素との反応
の態様のうち、特に好ましい態様を具体的に例示すると
次のとおシである。
の態様のうち、特に好ましい態様を具体的に例示すると
次のとおシである。
先ず、チオフェンの場合には本発明は以下の反応式（１
）〜（３）で表わされる。
）〜（３）で表わされる。
また、モノ置換チオフェンの場合には、モノ置反応式（
４）〜（７）で表わされる。
４）〜（７）で表わされる。
さらにまた、ジ置換チオフェンの場合には装置る。
ｒ
但し、Ｒ及びＲ′は兵糧又は同種の前記した置換基を示
し、反応式（５）と（８）におけるチオフェン環の３位
又は４位への臭素化位置はＲ又はＲ′の置換基の種類に
よシ異なり、反応式（６）と００におけるチオフェン環
の２位又は５位への臭素化位置も、Ｒ又はＲ′の置換基
の種類にょシ異なる。
し、反応式（５）と（８）におけるチオフェン環の３位
又は４位への臭素化位置はＲ又はＲ′の置換基の種類に
よシ異なり、反応式（６）と００におけるチオフェン環
の２位又は５位への臭素化位置も、Ｒ又はＲ′の置換基
の種類にょシ異なる。
本発明の付加反応は無溶媒下及び不活性溶媒下のいずれ
でも反応を行なうことができる。該不活性溶媒としては
あらゆる種類の不活性溶媒が使用できる。具体例として
は、メタノール、エタノール等のアルコール類、ベンゼ
ン、トルエン、ヘキサン、二硫化炭素、塩化メチレン、
クロロホルム、四塩化炭素、二塩化プロパン、ツク−ク
ロロエタン、水、酢酸等が挙げられる。
でも反応を行なうことができる。該不活性溶媒としては
あらゆる種類の不活性溶媒が使用できる。具体例として
は、メタノール、エタノール等のアルコール類、ベンゼ
ン、トルエン、ヘキサン、二硫化炭素、塩化メチレン、
クロロホルム、四塩化炭素、二塩化プロパン、ツク−ク
ロロエタン、水、酢酸等が挙げられる。
チオフェン又は置換チオフェンと上記の不活性溶媒の重
量比は特に制限されず、広い範囲から選択できる。本発
明の方法によれば、無溶媒下、又は、チオフェン若しく
は置換チオフェン１Ｍ１１部に対して不活性溶媒が０．
８ Ｍ置部以下、さらに０．５重量部以下というような
少量の溶媒下であっても、目的とする臭素化チオフェン
を選択性良く、且つ高収率で得ることができる。
量比は特に制限されず、広い範囲から選択できる。本発
明の方法によれば、無溶媒下、又は、チオフェン若しく
は置換チオフェン１Ｍ１１部に対して不活性溶媒が０．
８ Ｍ置部以下、さらに０．５重量部以下というような
少量の溶媒下であっても、目的とする臭素化チオフェン
を選択性良く、且つ高収率で得ることができる。
さらに又、本発明の反応温度は特に限定されず広い温度
範囲で選びうるが、副生成物を抑え、しかも目的生成物
を選択性良く、なおかつ高収率で得るという本発明の特
徴を出すには低温であることが望ましい。該温度範囲と
しては一７０〜５０℃、好ましくは一り０℃〜１０℃′
の範囲で反応を行なうのがよい。
範囲で選びうるが、副生成物を抑え、しかも目的生成物
を選択性良く、なおかつ高収率で得るという本発明の特
徴を出すには低温であることが望ましい。該温度範囲と
しては一７０〜５０℃、好ましくは一り０℃〜１０℃′
の範囲で反応を行なうのがよい。
又、本発明を実施する際、反応手順としては特に限定さ
れるものではないが、一般にはチオフェン又は置換チオ
フェンに直接、所定量の臭素を加えるか、またはチオフ
ェン又は置換チオフェンを不活性溶媒に加え、続いて所
定量の臭素を加えるのが良い。
れるものではないが、一般にはチオフェン又は置換チオ
フェンに直接、所定量の臭素を加えるか、またはチオフ
ェン又は置換チオフェンを不活性溶媒に加え、続いて所
定量の臭素を加えるのが良い。
さらに又、本発明で得られる臭素化チオフエ／の精製方
法は特に制限されるものではない。一般には反応液を中
和し、ベンゼン、ヘキサン、トルエン、塩化メチレン、
クロロホルム、四塩化炭素、エーテル等の不活性有機溶
媒で抽出、乾燥し、常圧蒸留、減圧蒸留、再結晶又はク
ロマトグラフィーによって精製することができる。
法は特に制限されるものではない。一般には反応液を中
和し、ベンゼン、ヘキサン、トルエン、塩化メチレン、
クロロホルム、四塩化炭素、エーテル等の不活性有機溶
媒で抽出、乾燥し、常圧蒸留、減圧蒸留、再結晶又はク
ロマトグラフィーによって精製することができる。
く効果〉
以上述べた本発明の方法によれば、これまでの臭素化チ
オフェンの製造方法に比して、よ）選択的に高収率で臭
素化チオフェンを製造できる。
オフェンの製造方法に比して、よ）選択的に高収率で臭
素化チオフェンを製造できる。
即ち、本発明によると、チオフェン又は置換チオフェン
に対して特定量の臭素を用いることによシ、無溶媒下も
しくは少量の不活性温媒下で反応を行なっても、９０％
以上の高収率で臭素化チオフェンを得ることができ、臭
素化チオフェンの単離精製が容易になる。従って、本発
明は、工業的に極めて有利な臭素化チオフェンの製造方
法を提供するものである。
に対して特定量の臭素を用いることによシ、無溶媒下も
しくは少量の不活性温媒下で反応を行なっても、９０％
以上の高収率で臭素化チオフェンを得ることができ、臭
素化チオフェンの単離精製が容易になる。従って、本発
明は、工業的に極めて有利な臭素化チオフェンの製造方
法を提供するものである。
以下に本発明を具体的に説明するために実施例を挙げる
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない
。
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない
。
実施例１
チオフェンと臭素からトリブロムチオフェンを製造する
際、反応条件を無溶媒、反応温度４℃、反応時間２０時
間と設定し、チオフェン１当量に対し、２．５当量から
３．１当量まで臭素量を変化させた時の目的生成物２＋
３ｒ５− トリブロムチオフェンと副生成物である２、
５−ジブロムチオフェン及び２，３．４．５−テトラブ
ロムチオフェンの生成率を第１図に示した。
際、反応条件を無溶媒、反応温度４℃、反応時間２０時
間と設定し、チオフェン１当量に対し、２．５当量から
３．１当量まで臭素量を変化させた時の目的生成物２＋
３ｒ５− トリブロムチオフェンと副生成物である２、
５−ジブロムチオフェン及び２，３．４．５−テトラブ
ロムチオフェンの生成率を第１図に示した。
なお各生成物は、反応液をガスクロマトグラフィーによ
シ確認、定量を行ない、各生成率を算出した。
シ確認、定量を行ない、各生成率を算出した。
実施例２
チオフェン又は置換チオフェンと所定量の臭素を表１記
載の反応条件下で反応を行ない、得られた生成物は単離
精製後、仕込んだチオフェン又は置換チオフェン量に対
しての収率を算出した。その結果を表１に併記した。な
お生成物については元素分析、赤外吸収スペクトル、質
量スペクトル、１３Ｃ−核磁気共鳴スペクトル及び１Ｈ
−核磁気共鳴スペクトルによシ同定、確認した。
載の反応条件下で反応を行ない、得られた生成物は単離
精製後、仕込んだチオフェン又は置換チオフェン量に対
しての収率を算出した。その結果を表１に併記した。な
お生成物については元素分析、赤外吸収スペクトル、質
量スペクトル、１３Ｃ−核磁気共鳴スペクトル及び１Ｈ
−核磁気共鳴スペクトルによシ同定、確認した。
８！、下余白
第１図は実施例１において、チオフェン量に対する臭素
量を変化させた場合の、ジプロムチオフヱン、トリブロ
ムチオフェン及びテトラブロムチオフェンのそれぞれの
生成率（％）を示す。 特許出願人 徳山曹達株式会社 生成学（’／、 ）
量を変化させた場合の、ジプロムチオフヱン、トリブロ
ムチオフェン及びテトラブロムチオフェンのそれぞれの
生成率（％）を示す。 特許出願人 徳山曹達株式会社 生成学（’／、 ）
Claims (1)
- チオフェン又は置換チオフェンと臭素とを付加反応させ
て臭素化チオフェンを製造するに際し、１分子のチオフ
ェン又は置換チオフェンに付加される臭素原子の数をｎ
とするとき、該チオフェン又は置換チオフェン１モルに
対して（０．８８〜０．９９）×ｎモルの範囲の臭素を
反応に用いることを特徴とする臭素化チオフェンの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27789085A JPS62138489A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 臭素化チオフエンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27789085A JPS62138489A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 臭素化チオフエンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62138489A true JPS62138489A (ja) | 1987-06-22 |
Family
ID=17589710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27789085A Expired - Lifetime JPS62138489A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 臭素化チオフエンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62138489A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995027397A1 (de) * | 1994-04-11 | 1995-10-19 | Bayer Aktiengesellschaft | Mikrobizide mittel auf basis von dibrom-thiophen-carbonsäure-derivaten |
| FR2763589A1 (fr) * | 1997-05-22 | 1998-11-27 | Centre Nat Rech Scient | Composes pour la preparation de medicaments destines au traitement de pathologies impliquant le glutamate extracellulaire, et leurs procedes d'obtention |
| US20190119242A1 (en) * | 2016-03-31 | 2019-04-25 | Fujifilm Toyama Chemical Co., Ltd. | Method for producing 5-(bromomethyl)-1-benzothiophene |
-
1985
- 1985-12-12 JP JP27789085A patent/JPS62138489A/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995027397A1 (de) * | 1994-04-11 | 1995-10-19 | Bayer Aktiengesellschaft | Mikrobizide mittel auf basis von dibrom-thiophen-carbonsäure-derivaten |
| CN1069164C (zh) * | 1994-04-11 | 2001-08-08 | 拜尔公司 | 二溴-噻吩-羧酸衍生物杀微生物组合物 |
| FR2763589A1 (fr) * | 1997-05-22 | 1998-11-27 | Centre Nat Rech Scient | Composes pour la preparation de medicaments destines au traitement de pathologies impliquant le glutamate extracellulaire, et leurs procedes d'obtention |
| US20190119242A1 (en) * | 2016-03-31 | 2019-04-25 | Fujifilm Toyama Chemical Co., Ltd. | Method for producing 5-(bromomethyl)-1-benzothiophene |
| US11236062B2 (en) * | 2016-03-31 | 2022-02-01 | Fujifilm Toyama Chemical Co., Ltd. | Method for producing 5-(bromomethyl)-1-benzothiophene |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11512407A (ja) | ２−クロロ−５−クロロメチル−チアゾール化合物を調製するための方法 | |
| KR0178542B1 (ko) | 디티오카르밤산의 염류, 그 제조방법 및 그 디티오카르밤산의 염류를 사용하는 이소티오시아네이트류의 제조방법 | |
| JPS62138489A (ja) | 臭素化チオフエンの製造方法 | |
| JP2008169162A (ja) | メチレンジスルホネート化合物の製造方法 | |
| JPS59231082A (ja) | ４−クロロ−４−メチル−５−メチレン−１，３−ジオキソラン−２−オン | |
| CN111018829B (zh) | 4-烷硫基多取代噻吩衍生物及其合成 | |
| US9951020B2 (en) | Methods of making 2-halonicotinonitriles | |
| JP4041881B2 (ja) | 新規なｎ−チオ置換複素環化合物およびその製造方法 | |
| JPS60237039A (ja) | ベンザルアセトフエノン及びその誘導体の製造方法 | |
| CA1202624A (en) | Process for the preparation of tertiary alkyl cyanides | |
| JP4635251B2 (ja) | 有機ビスマス化合物およびその製法 | |
| JP3066594B2 (ja) | アニリン誘導体及びその製造法 | |
| Inoue et al. | The reaction of thio-substituted cyclopropenium ions with sulfonium methylide. | |
| JP4601274B2 (ja) | γ−ケトアセタール類の製造方法 | |
| JPH0674250B2 (ja) | チオカルバメ−ト誘導体の製法 | |
| JP4013772B2 (ja) | ２−ヒドロキシイミノ−３−オキソプロピオニトリル及びその製法 | |
| JPH01168673A (ja) | １，３−ジアルキルピラゾール−４−アルデヒド類の製造法 | |
| JPH01230574A (ja) | １，３−ジチオラン−２−オン誘導体の製造方法 | |
| JPH01168672A (ja) | １，３−ジアルキルピラゾール−４−アルデヒド誘導体の製造方法 | |
| JP2008137898A (ja) | ４−メチルチオ−３−ブテニルイソチオシアナートの製造方法、その合成中間体、及びこれを含有する抗菌剤組成物 | |
| Bhasin et al. | Synthesis and characterization of some α, ω-bis (naphthylseleno) alkanes: X-ray crystal structure of 1, 2-bis (1-naphthylseleno) ethane | |
| JPS61148148A (ja) | Ｎ−置換アミドの製造方法 | |
| JPS61291566A (ja) | 複素芳香族グリオギザル酸ハロゲニドの製造方法 | |
| JPH0376315B2 (ja) | ||
| JPH06211780A (ja) | ベンゾイルシアナイド誘導体、その製法及びそれを用いた反応 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |