JP2002193662A - 誘電体磁器及びその製造方法 - Google Patents
誘電体磁器及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2002193662A JP2002193662A JP2000396622A JP2000396622A JP2002193662A JP 2002193662 A JP2002193662 A JP 2002193662A JP 2000396622 A JP2000396622 A JP 2000396622A JP 2000396622 A JP2000396622 A JP 2000396622A JP 2002193662 A JP2002193662 A JP 2002193662A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- parts
- weight
- sio
- value
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】導体材料と同時焼成しても反りや歪みが無く、
高いＱ値を有する誘電体磁器を実現する。 【解決手段】ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4
及びＢａＴｉ4Ｏ9のうち少なくとも１種からなる第１の
結晶相とＭｇ2ＴｉＯ4、Ｍｇ2Ｂ2Ｏ5及びＬｉ2ＴｉＳｉ
Ｏ5のうち少なくとも１種からなる第２の結晶相と、Ｓ
ｉ、Ｂ及びＬｉの酸化物とを含むことを特徴とし、前記
第１の結晶相１００重量部に対して、ＢがＢ2Ｏ3換算で
３〜２０重量部、ＬｉがＬｉ2ＣＯ3換算で１〜１０重量
部、ＳｉがＳｉＯ2換算で０〜３０重量部の割合で含有
することが好ましい。
高いＱ値を有する誘電体磁器を実現する。 【解決手段】ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4
及びＢａＴｉ4Ｏ9のうち少なくとも１種からなる第１の
結晶相とＭｇ2ＴｉＯ4、Ｍｇ2Ｂ2Ｏ5及びＬｉ2ＴｉＳｉ
Ｏ5のうち少なくとも１種からなる第２の結晶相と、Ｓ
ｉ、Ｂ及びＬｉの酸化物とを含むことを特徴とし、前記
第１の結晶相１００重量部に対して、ＢがＢ2Ｏ3換算で
３〜２０重量部、ＬｉがＬｉ2ＣＯ3換算で１〜１０重量
部、ＳｉがＳｉＯ2換算で０〜３０重量部の割合で含有
することが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波、ミリ
波等の高周波領域において、５〜９０の範囲の誘電率と
高いＱ値及び従来のガラスセラミックスと同等の低い収
縮開始温度を有する誘電体磁器に関するものであり、例
えば、マイクロ波やミリ波などの高周波領域において使
用される種々の共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材
料、誘電体導波路用材料や積層型セラミックコンデンサ
等に好適に用いることができる誘電体磁器及びその製造
方法に関する。
波等の高周波領域において、５〜９０の範囲の誘電率と
高いＱ値及び従来のガラスセラミックスと同等の低い収
縮開始温度を有する誘電体磁器に関するものであり、例
えば、マイクロ波やミリ波などの高周波領域において使
用される種々の共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材
料、誘電体導波路用材料や積層型セラミックコンデンサ
等に好適に用いることができる誘電体磁器及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、誘電体磁器は、マイクロ波やミリ波
等の高周波領域において、誘電体共振器、ＭＩＣ用誘電
体基板や導波路等に広く利用されている。そして、近年
においては、携帯電話をはじめとする移動体通信等の発
達および普及に伴い、電子回路基板や電子部品の材料と
して、誘電体セラミックスの需要が増大しつつある。
等の高周波領域において、誘電体共振器、ＭＩＣ用誘電
体基板や導波路等に広く利用されている。そして、近年
においては、携帯電話をはじめとする移動体通信等の発
達および普及に伴い、電子回路基板や電子部品の材料と
して、誘電体セラミックスの需要が増大しつつある。
【０００３】電子回路基板や電子部品において、誘電体
セラミックスと内部導体を同時焼成するに際しては、従
来の誘電体セラミックスの焼成温度が１１００℃以上と
いう高温であったため、導体材料としては、比較的高融
点であるＰｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏ等が使用されていた。こ
れら高融点の導体材料は導通抵抗が大きいため、従来の
電子回路基板において、共振回路やインダクタンスのＱ
値が小さくなってしまい、導体線路の伝送損失が大きく
なる等の問題があった。
セラミックスと内部導体を同時焼成するに際しては、従
来の誘電体セラミックスの焼成温度が１１００℃以上と
いう高温であったため、導体材料としては、比較的高融
点であるＰｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏ等が使用されていた。こ
れら高融点の導体材料は導通抵抗が大きいため、従来の
電子回路基板において、共振回路やインダクタンスのＱ
値が小さくなってしまい、導体線路の伝送損失が大きく
なる等の問題があった。
【０００４】そこで、この問題点を解決するために、導
通抵抗の小さいＡｇ、Ｃｕ等と同時焼成可能な低温焼成
の誘電体セラミックスが提案されている。例えば、特開
平８−２０８３３０号公報に開示された誘電体磁器は、
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2とＢ2Ｏ3、Ｌｉ2ＣＯ3からな
るものであり、９００〜１０５０℃の比較的低温でＡ
ｇ、Ｃｕ等の内部導体と同時に焼成でき、誘電体磁器の
比誘電率εｒが１８以上、測定周波数７ＧＨｚでのＱ値
が２０００以上の優れた特性を有し、高周波電子部品の
小型化と多機能化を実現できるものであった。
通抵抗の小さいＡｇ、Ｃｕ等と同時焼成可能な低温焼成
の誘電体セラミックスが提案されている。例えば、特開
平８−２０８３３０号公報に開示された誘電体磁器は、
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2とＢ2Ｏ3、Ｌｉ2ＣＯ3からな
るものであり、９００〜１０５０℃の比較的低温でＡ
ｇ、Ｃｕ等の内部導体と同時に焼成でき、誘電体磁器の
比誘電率εｒが１８以上、測定周波数７ＧＨｚでのＱ値
が２０００以上の優れた特性を有し、高周波電子部品の
小型化と多機能化を実現できるものであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
８−２０８３３０号公報に記載された誘電体磁器は、焼
結温度がまだ高く、さらに焼結における収縮開始温度が
８４５〜９６０℃と高温であるため、収縮開始温度が低
温であるＡｇやＣｕを主成分とする導体材料との収縮挙
動のマッチングが悪く、焼成された基板が反る、歪む等
の問題があった。
８−２０８３３０号公報に記載された誘電体磁器は、焼
結温度がまだ高く、さらに焼結における収縮開始温度が
８４５〜９６０℃と高温であるため、収縮開始温度が低
温であるＡｇやＣｕを主成分とする導体材料との収縮挙
動のマッチングが悪く、焼成された基板が反る、歪む等
の問題があった。
【０００６】また、この誘電体磁器は、共振回路やイン
ダクタンスのＱ値を向上させるために、４０００以上が
要求されており、Ｑ値が十分ではないという問題があっ
た。
ダクタンスのＱ値を向上させるために、４０００以上が
要求されており、Ｑ値が十分ではないという問題があっ
た。
【０００７】従って、本発明は、導体材料と同時焼成し
ても反りや歪みが無く、Ｑ値の高い誘電体磁器及びその
製造方法を実現することを目的とする。
ても反りや歪みが無く、Ｑ値の高い誘電体磁器及びその
製造方法を実現することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】 本発明は、Ｓｉ、Ｂ及
びＬｉを含むガラス相により同時焼成が可能な焼成温度
を達成するとともに、ガラス相を結晶化させ、Ｍｇ2Ｔ
ｉＯ4、Ｍｇ2Ｂ2Ｏ5及びＬｉ2ＴｉＳｉＯ5のうち少なく
とも１種の結晶相を形成することにより、Ｑ値を改善で
きるという知見に基づく。
びＬｉを含むガラス相により同時焼成が可能な焼成温度
を達成するとともに、ガラス相を結晶化させ、Ｍｇ2Ｔ
ｉＯ4、Ｍｇ2Ｂ2Ｏ5及びＬｉ2ＴｉＳｉＯ5のうち少なく
とも１種の結晶相を形成することにより、Ｑ値を改善で
きるという知見に基づく。
【０００９】即ち、本発明の誘電体磁器は、ＭｇＴｉＯ
3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4及びＢａＴｉ4Ｏ9のうち
少なくとも１種からなる第１の結晶相とＭｇ2ＴｉＯ4、
Ｍｇ 2Ｂ2Ｏ5及びＬｉ2ＴｉＳｉＯ5のうち少なくとも１
種からなる第２の結晶相とを特徴とするもので、これら
の結晶相を組み合わせることで、比誘電率を５〜９０、
測定周波数２ＧＨｚでのＱ値を４０００以上にすること
ができる。
3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4及びＢａＴｉ4Ｏ9のうち
少なくとも１種からなる第１の結晶相とＭｇ2ＴｉＯ4、
Ｍｇ 2Ｂ2Ｏ5及びＬｉ2ＴｉＳｉＯ5のうち少なくとも１
種からなる第２の結晶相とを特徴とするもので、これら
の結晶相を組み合わせることで、比誘電率を５〜９０、
測定周波数２ＧＨｚでのＱ値を４０００以上にすること
ができる。
【００１０】さらに、（Ｍｇ，Ｔｉ）2（ＢＯ3）Ｏで表
される結晶相をさらに含むことが好ましい。これによ
り、更に高Ｑ値化することができる。
される結晶相をさらに含むことが好ましい。これによ
り、更に高Ｑ値化することができる。
【００１１】また、本発明の誘電体磁器の製造方法は、
ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4及びＢａＴｉ
4Ｏ9のうち少なくとも１種を構成する原料粉末１００重
量部に対して、Ｂ2Ｏ3を３〜２０重量部、Ｌｉ2ＣＯ3を
１〜１０重量部、ＳｉＯ2を０〜３０重量部の割合で含
む成形体を、８７０〜９２０℃で焼成し、Ｍｇ2Ｔｉ
Ｏ4、Ｍｇ2Ｂ2Ｏ5及びＬｉ2ＴｉＳｉＯ5のうち少なくと
も１種からなる第２の結晶相を析出させることを特徴と
し、これにより、低温焼成が可能となるため、Ａｇ、Ｃ
ｕを主成分とする導体と同時焼成しても、反りや歪み等
を防止できる。
ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4及びＢａＴｉ
4Ｏ9のうち少なくとも１種を構成する原料粉末１００重
量部に対して、Ｂ2Ｏ3を３〜２０重量部、Ｌｉ2ＣＯ3を
１〜１０重量部、ＳｉＯ2を０〜３０重量部の割合で含
む成形体を、８７０〜９２０℃で焼成し、Ｍｇ2Ｔｉ
Ｏ4、Ｍｇ2Ｂ2Ｏ5及びＬｉ2ＴｉＳｉＯ5のうち少なくと
も１種からなる第２の結晶相を析出させることを特徴と
し、これにより、低温焼成が可能となるため、Ａｇ、Ｃ
ｕを主成分とする導体と同時焼成しても、反りや歪み等
を防止できる。
【００１２】特に、ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2
ＳｉＯ4及びＢａＴｉ4Ｏ9のうち少なくとも１種を構成
する原料粉末１００重量部に対して、さらにアルカリ土
類元素を酸化物換算で１〜５重量部、Ｍｎが酸化物換算
で０．１〜１５重量部含有することが好ましい。これに
より、焼成温度を低温化、かつ安定化ができる。
ＳｉＯ4及びＢａＴｉ4Ｏ9のうち少なくとも１種を構成
する原料粉末１００重量部に対して、さらにアルカリ土
類元素を酸化物換算で１〜５重量部、Ｍｎが酸化物換算
で０．１〜１５重量部含有することが好ましい。これに
より、焼成温度を低温化、かつ安定化ができる。
【００１３】また、前記焼成を、２時間以上行うこと、
又は前記焼成の後に、７００〜９００℃で熱処理するこ
とが好ましい。これにより、前記第２結晶相をより析出
しやすくできる。
又は前記焼成の後に、７００〜９００℃で熱処理するこ
とが好ましい。これにより、前記第２結晶相をより析出
しやすくできる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器は、ＭｇＴｉ
Ｏ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4及びＢａＴｉ4Ｏ9のう
ち少なくとも１種からなる第１の結晶相とともに、Ｍｇ
2ＴｉＯ4、Ｍｇ2Ｂ2Ｏ5及びＬｉ2ＴｉＳｉＯ5のうち少
なくとも１種からなる第２の結晶相を含有することが重
要である。第１の結晶相が主結晶相として存在し、第２
の結晶相と組み合わせることにより、比誘電率を５〜９
０、測定周波数２ＧＨｚでのＱ値を４０００以上にする
ことができる。
Ｏ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4及びＢａＴｉ4Ｏ9のう
ち少なくとも１種からなる第１の結晶相とともに、Ｍｇ
2ＴｉＯ4、Ｍｇ2Ｂ2Ｏ5及びＬｉ2ＴｉＳｉＯ5のうち少
なくとも１種からなる第２の結晶相を含有することが重
要である。第１の結晶相が主結晶相として存在し、第２
の結晶相と組み合わせることにより、比誘電率を５〜９
０、測定周波数２ＧＨｚでのＱ値を４０００以上にする
ことができる。
【００１５】また、後述するように、ガラス成分を調整
し、製造方法を制御することによって、焼成温度を８７
０〜９２０℃とすることが可能となり、さらに特性を改
善できる。従って、基板や電子部品において、Ａｇ、Ｃ
ｕを主成分とする導体と同時焼成した場合でも、反りや
歪み等の発生を抑制することができ、かつ高機能な高周
波回路部品の設計が可能となる。
し、製造方法を制御することによって、焼成温度を８７
０〜９２０℃とすることが可能となり、さらに特性を改
善できる。従って、基板や電子部品において、Ａｇ、Ｃ
ｕを主成分とする導体と同時焼成した場合でも、反りや
歪み等の発生を抑制することができ、かつ高機能な高周
波回路部品の設計が可能となる。
【００１６】また、本発明によれば、さらに（Ｍｇ，Ｔ
ｉ）2（ＢＯ3）Ｏが含有されていることが好ましい。こ
の結晶は、磁器に含まれることにより、Ｑ値を高める効
果があり、その結果、２ＧＨｚでのＱ値を更に高めるこ
とができる。
ｉ）2（ＢＯ3）Ｏが含有されていることが好ましい。こ
の結晶は、磁器に含まれることにより、Ｑ値を高める効
果があり、その結果、２ＧＨｚでのＱ値を更に高めるこ
とができる。
【００１７】なお、この結晶相は、Ｘ線回折により同定
されるもので、ＪＣＰＤＳの１９−０７７５に示される
結晶である。そして、少なくともメインピークである
（２０１）面のピーク（面間隔２．５９Å）がＣｕをＸ
線源に用いた場合に、３４〜３５°に認められるもので
ある。
されるもので、ＪＣＰＤＳの１９−０７７５に示される
結晶である。そして、少なくともメインピークである
（２０１）面のピーク（面間隔２．５９Å）がＣｕをＸ
線源に用いた場合に、３４〜３５°に認められるもので
ある。
【００１８】上記のように構成された本発明の誘電体磁
器は、比誘電率が５〜９０、測定周波数２ＧＨｚでのＱ
値が４０００以上になり、また、焼成温度も８７０〜９
２０℃と、ＡｇやＣｕを主成分とする導体との同時焼成
が可能な温度範囲に設定できる。従って、同時焼成でも
反りや歪み等の発生を抑制することができる。
器は、比誘電率が５〜９０、測定周波数２ＧＨｚでのＱ
値が４０００以上になり、また、焼成温度も８７０〜９
２０℃と、ＡｇやＣｕを主成分とする導体との同時焼成
が可能な温度範囲に設定できる。従って、同時焼成でも
反りや歪み等の発生を抑制することができる。
【００１９】次に、本発明の誘電体磁器を製造する方法
について、以下に説明する。
について、以下に説明する。
【００２０】まず、原料粉末を用意する。第１の結晶相
のために、ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4及
びＢａＴｉ4Ｏ9のうち少なくとも１種の組成を含む原料
粉末を準備する。例えば、各金属元素、ＭｇＯ、ＴｉＯ
2、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｉＯ2等の酸化物、及びＭｇＴｉ
Ｏ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4、ＢａＴｉ4Ｏ9の複合
酸化物等の粉末を用いることができる。
のために、ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4及
びＢａＴｉ4Ｏ9のうち少なくとも１種の組成を含む原料
粉末を準備する。例えば、各金属元素、ＭｇＯ、ＴｉＯ
2、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｉＯ2等の酸化物、及びＭｇＴｉ
Ｏ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4、ＢａＴｉ4Ｏ9の複合
酸化物等の粉末を用いることができる。
【００２１】ここで、第１の結晶相の組み合わせとして
は、ＭｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3−Ｍｇ2Ｓ
ｉＯ4、ＭｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｍｇ2ＳｉＯ4、Ｍ
ｇＴｉＯ3−ＢａＴｉ4Ｏ9等がある。
は、ＭｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3−Ｍｇ2Ｓ
ｉＯ4、ＭｇＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｍｇ2ＳｉＯ4、Ｍ
ｇＴｉＯ3−ＢａＴｉ4Ｏ9等がある。
【００２２】本発明によれば、助剤成分として、Ｂ、Ｌ
ｉ及びＳｉからなるガラス成分を用いることが必要であ
る。即ち、ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4及
びＢａＴｉ4Ｏ9のうち少なくとも１種を構成する原料粉
末１００重量部に対して、Ｂ 2Ｏ3を３〜２０重量部、Ｌ
ｉ2ＣＯ3を１〜１０重量部、ＳｉＯ2を０〜３０重量部
の割合で含有することが重要である。
ｉ及びＳｉからなるガラス成分を用いることが必要であ
る。即ち、ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4及
びＢａＴｉ4Ｏ9のうち少なくとも１種を構成する原料粉
末１００重量部に対して、Ｂ 2Ｏ3を３〜２０重量部、Ｌ
ｉ2ＣＯ3を１〜１０重量部、ＳｉＯ2を０〜３０重量部
の割合で含有することが重要である。
【００２３】Ｂを第１の結晶相１００重量部に対してＢ
2Ｏ3換算で３〜２０重量部含有したのは、Ｂ2Ｏ3の含有
量が３重量部未満の場合には１１００℃でも焼結せず、
ＡｇまたはＣｕを主成分とする導体と同時焼成ができな
くなり、逆に２０重量部を越える場合には、焼結体中の
ガラス相の割合が増加して、Ｑ値が低下するからであ
る。
2Ｏ3換算で３〜２０重量部含有したのは、Ｂ2Ｏ3の含有
量が３重量部未満の場合には１１００℃でも焼結せず、
ＡｇまたはＣｕを主成分とする導体と同時焼成ができな
くなり、逆に２０重量部を越える場合には、焼結体中の
ガラス相の割合が増加して、Ｑ値が低下するからであ
る。
【００２４】従って、特に、焼結性を維持し、高いＱ値
を得るという観点から、Ｂの含有量はＢ2Ｏ3換算で５〜
１５重量部が望ましい。なお、添加する際の硼素源であ
る硼素含有化合物としては、Ｂ2Ｏ3の他に、金属硼素、
コレマイト、ＣａＢ2Ｏ4、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ
酸アルカリガラス、ホウケイ酸アルカリ土類ガラス等が
ある。
を得るという観点から、Ｂの含有量はＢ2Ｏ3換算で５〜
１５重量部が望ましい。なお、添加する際の硼素源であ
る硼素含有化合物としては、Ｂ2Ｏ3の他に、金属硼素、
コレマイト、ＣａＢ2Ｏ4、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ
酸アルカリガラス、ホウケイ酸アルカリ土類ガラス等が
ある。
【００２５】また、ＬｉをＬｉ2ＣＯ3換算で１〜１０重
量部添加したのは、添加量が１重量部未満の場合には１
１００℃でも焼結せず、ＡｇまたはＣｕを主成分とする
導体と同時焼成ができなくなり、逆に１０重量部を越え
る場合には、Ｑ値が低下するからである。従って、焼結
性と誘電体磁器のＱ値の観点から、特に４〜９重量部が
望ましい。
量部添加したのは、添加量が１重量部未満の場合には１
１００℃でも焼結せず、ＡｇまたはＣｕを主成分とする
導体と同時焼成ができなくなり、逆に１０重量部を越え
る場合には、Ｑ値が低下するからである。従って、焼結
性と誘電体磁器のＱ値の観点から、特に４〜９重量部が
望ましい。
【００２６】さらに、ＳｉをＳｉＯ2換算で０〜３０重
量部添加したのは、３０重量部を越えると、誘電体磁器
中のガラス相の割合が増加してＱ値が低下するからであ
る。誘電体磁器のＱ値の観点からは、ＳｉＯ2は０〜１
０重量部が望ましい。
量部添加したのは、３０重量部を越えると、誘電体磁器
中のガラス相の割合が増加してＱ値が低下するからであ
る。誘電体磁器のＱ値の観点からは、ＳｉＯ2は０〜１
０重量部が望ましい。
【００２７】また、さらに焼結助剤として、ＭｇＯ、Ｃ
ａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯ等のアルカリ土類元素酸化物粉
末及びＭｎＯ2粉末を加えることが好ましい。
ａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯ等のアルカリ土類元素酸化物粉
末及びＭｎＯ2粉末を加えることが好ましい。
【００２８】即ち、ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2
ＳｉＯ4及びＢａＴｉ4Ｏ9のうち少なくとも１種を構成
する原料粉末１００重量部に対して、さらにアルカリ土
類元素を酸化物換算で少なくとも１種を１〜５重量部含
むことが好ましい。これにより、焼成温度をさらに低下
でき、かつ誘電体磁器のＱ値を高める効果がある。とり
わけ、焼結性とＱ値の点でアルカリ土類元素の含有量
は、酸化物換算で１．５〜３．５重量部が好ましい。な
お、アルカリ土類元素酸化物とは、周期律表２ａ族元素
の酸化物であり、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯ等
を例示できる。
ＳｉＯ4及びＢａＴｉ4Ｏ9のうち少なくとも１種を構成
する原料粉末１００重量部に対して、さらにアルカリ土
類元素を酸化物換算で少なくとも１種を１〜５重量部含
むことが好ましい。これにより、焼成温度をさらに低下
でき、かつ誘電体磁器のＱ値を高める効果がある。とり
わけ、焼結性とＱ値の点でアルカリ土類元素の含有量
は、酸化物換算で１．５〜３．５重量部が好ましい。な
お、アルカリ土類元素酸化物とは、周期律表２ａ族元素
の酸化物であり、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯ等
を例示できる。
【００２９】さらに、ＭｎをＭｎＯ2換算で０．１〜１
５重量部含むことが好ましい。このＭｎも、焼結性を高
め、Ｑ値を高める効果があり、特に、３〜９重量部が望
ましい。
５重量部含むことが好ましい。このＭｎも、焼結性を高
め、Ｑ値を高める効果があり、特に、３〜９重量部が望
ましい。
【００３０】なお、上記の元素以外であっても、Ｑ値が
高く維持され、同時焼成をしたときに、基板に反りや歪
みが発生しない範囲であれば、含有していても差し支え
ない。
高く維持され、同時焼成をしたときに、基板に反りや歪
みが発生しない範囲であれば、含有していても差し支え
ない。
【００３１】これらの原料粉末を含む混合粉末を作製す
る。例えば、原料粉末を上記組成となるように秤量し
て、ＺｒＯ2ボールにより粉砕混合し、粉砕粒径が２．
０μｍ以下となった粉末を６５０〜８５０℃で仮焼した
後、再度ＺｒＯ2ボールにより粉砕粒径が２．５μｍ以
下になるまで粉砕混合し、混合粉末を作製する。
る。例えば、原料粉末を上記組成となるように秤量し
て、ＺｒＯ2ボールにより粉砕混合し、粉砕粒径が２．
０μｍ以下となった粉末を６５０〜８５０℃で仮焼した
後、再度ＺｒＯ2ボールにより粉砕粒径が２．５μｍ以
下になるまで粉砕混合し、混合粉末を作製する。
【００３２】得られた粉末は、各種の公知の成形方法、
例えばプレス法、ドクターブレード法、射出成形法、テ
ープ成形等により任意の形状に成形する。これらの方法
の中で、ドクターブレード法、及びテープ成形が積層体
形成のために特に好ましい。
例えばプレス法、ドクターブレード法、射出成形法、テ
ープ成形等により任意の形状に成形する。これらの方法
の中で、ドクターブレード法、及びテープ成形が積層体
形成のために特に好ましい。
【００３３】得られた成形体は、大気中または酸素雰囲
気中または窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気において８７
０〜９２０℃で焼成することにより得られる。特に、第
２結晶相を析出させるため、焼成時間を２時間以上、特
に３時間以上、さらには４時間以上とすることが好まし
い。また、焼成時間を例えば０．５〜２時間で行った
後、焼成後に５００〜９００℃、特に６５０〜８００℃
で後処理を行って、ガラス相の結晶化を促進しても同様
の効果が得られる。
気中または窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気において８７
０〜９２０℃で焼成することにより得られる。特に、第
２結晶相を析出させるため、焼成時間を２時間以上、特
に３時間以上、さらには４時間以上とすることが好まし
い。また、焼成時間を例えば０．５〜２時間で行った
後、焼成後に５００〜９００℃、特に６５０〜８００℃
で後処理を行って、ガラス相の結晶化を促進しても同様
の効果が得られる。
【００３４】従って、本発明によれば、焼結助剤成分と
して加えられた酸化物は、焼成時に第１の結晶相のため
に加えられた原料粉末と反応し、第２の結晶相であるＭ
ｇ2ＴｉＯ4、Ｍｇ2Ｂ2Ｏ5及びＬｉ2ＴｉＳｉＯ5のうち
少なくとも１種を形成することができる。
して加えられた酸化物は、焼成時に第１の結晶相のため
に加えられた原料粉末と反応し、第２の結晶相であるＭ
ｇ2ＴｉＯ4、Ｍｇ2Ｂ2Ｏ5及びＬｉ2ＴｉＳｉＯ5のうち
少なくとも１種を形成することができる。
【００３５】なお、原料粉末は、焼成により酸化物を生
成する水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の金属塩を用いても
良い。また、本発明の誘電体磁器中には、不可避不純物
として、Ａｌ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｓｎ等が含まれることもあ
るが、特性及び焼結性に影響が無ければ差し支えない。
成する水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の金属塩を用いても
良い。また、本発明の誘電体磁器中には、不可避不純物
として、Ａｌ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｓｎ等が含まれることもあ
るが、特性及び焼結性に影響が無ければ差し支えない。
【００３６】
【実施例】原料として純度９９％以上の、ＭｇＴｉ
Ｏ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4、ＢａＴｉ4Ｏ9粉末、
およびＢ2Ｏ3、Ｌｉ2ＣＯ3、ＳｉＯ2、アルカリ土類元
素酸化物（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ）、ＭｎＯ2粉末を
含むガラスフリットを、表１に示す割合となるように秤
量し、純水を媒体とし、ＺｒＯ2ボールを用いたボール
ミルにて２０時間湿式混合し、粉砕粒径を２．０μｍ以
下とした。
Ｏ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4、ＢａＴｉ4Ｏ9粉末、
およびＢ2Ｏ3、Ｌｉ2ＣＯ3、ＳｉＯ2、アルカリ土類元
素酸化物（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ）、ＭｎＯ2粉末を
含むガラスフリットを、表１に示す割合となるように秤
量し、純水を媒体とし、ＺｒＯ2ボールを用いたボール
ミルにて２０時間湿式混合し、粉砕粒径を２．０μｍ以
下とした。
【００３７】次に、この混合物を乾燥して脱水し、８０
０℃で１時間仮焼した。この仮焼物を、粉砕粒径が１．
４μｍ以下になるように粉砕し、誘電特性評価用の試料
として直径６０ｍｍ高さ２ｍｍの円柱状に１００ＭＰａ
の圧力でプレス成形し、表１に示す焼成条件で焼成し、
直径５０ｍｍ、高さ１ｍｍの円柱状の試料を得た。次い
で、所望により、８５０℃で２時間の熱処理を行った。
０℃で１時間仮焼した。この仮焼物を、粉砕粒径が１．
４μｍ以下になるように粉砕し、誘電特性評価用の試料
として直径６０ｍｍ高さ２ｍｍの円柱状に１００ＭＰａ
の圧力でプレス成形し、表１に示す焼成条件で焼成し、
直径５０ｍｍ、高さ１ｍｍの円柱状の試料を得た。次い
で、所望により、８５０℃で２時間の熱処理を行った。
【００３８】誘電特性の評価は、上記の試料を用いて誘
電体円柱共振器法にて周波数２ＧＨｚにおける比誘電率
とＱ値を測定した。
電体円柱共振器法にて周波数２ＧＨｚにおける比誘電率
とＱ値を測定した。
【００３９】
【表１】
【００４０】本発明の試料Ｎｏ．１〜５、７〜２１は、
比誘電率が５．８〜９０、Ｑ値が４０００以上の優れた
誘電特性を有し、９２０℃以下で同時焼結が可能で反り
や歪みが見られなかった。
比誘電率が５．８〜９０、Ｑ値が４０００以上の優れた
誘電特性を有し、９２０℃以下で同時焼結が可能で反り
や歪みが見られなかった。
【００４１】一方、第２の結晶相がなく、本発明の範囲
外の試料Ｎｏ．６は、Ｑ値が２９００であった。
外の試料Ｎｏ．６は、Ｑ値が２９００であった。
【００４２】
【発明の効果】本発明は、ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、
Ｍｇ2ＳｉＯ4及びＢａＴｉ4Ｏ9のうち少なくとも１種か
らなる第１の結晶相に対して、Ｍｇ2ＴｉＯ4、Ｍｇ2Ｂ2
Ｏ5及びＬｉ2ＴｉＳｉＯ5のうち少なくとも１種の結晶
を含有させることにより、比誘電率を５〜９０、測定周
波数２ＧＨｚでのＱ値を４０００以上にすることができ
るとともに、Ｓｉ、Ｂ及びＬｉの酸化物を含有させるこ
とにより、８７０〜９２０℃の温度でＡｇやＣｕ等の導
体金属との同時焼成を行っても、基板の反りや歪みが抑
制でき、高周波領域において高いＱ値を有するため、電
子部品や基板の高性能化が実現できる。
Ｍｇ2ＳｉＯ4及びＢａＴｉ4Ｏ9のうち少なくとも１種か
らなる第１の結晶相に対して、Ｍｇ2ＴｉＯ4、Ｍｇ2Ｂ2
Ｏ5及びＬｉ2ＴｉＳｉＯ5のうち少なくとも１種の結晶
を含有させることにより、比誘電率を５〜９０、測定周
波数２ＧＨｚでのＱ値を４０００以上にすることができ
るとともに、Ｓｉ、Ｂ及びＬｉの酸化物を含有させるこ
とにより、８７０〜９２０℃の温度でＡｇやＣｕ等の導
体金属との同時焼成を行っても、基板の反りや歪みが抑
制でき、高周波領域において高いＱ値を有するため、電
子部品や基板の高性能化が実現できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｇ 4/12 ３５８ Ｈ０１Ｇ 4/12 ３６４ ３６４ Ｃ０４Ｂ 35/16 Ｚ Ｆターム(参考） 4G030 AA02 AA05 AA07 AA08 AA10 AA16 AA37 BA09 CA01 GA09 GA23 GA33 4G031 AA01 AA02 AA03 AA04 AA06 AA11 AA30 BA09 CA01 GA02 GA07 GA16 5E001 AB03 AE00 AE03 AE04 AH08 AH09 AJ02 5G303 AA01 AB06 AB08 AB15 BA12 CA01 CB02 CB03 CB06 CB17 CB35 DA05
Claims (6)
- 【請求項１】ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4
及びＢａＴｉ4Ｏ9のうち少なくとも１種からなる第１の
結晶相とＭｇ2ＴｉＯ4、Ｍｇ2Ｂ2Ｏ5及びＬｉ2ＴｉＳｉ
Ｏ5のうち少なくとも１種からなる第２の結晶相とを含
むことを特徴とする誘電体磁器。 - 【請求項２】（Ｍｇ，Ｔｉ）2（ＢＯ3）Ｏで表される結
晶相をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の誘電
体磁器。 - 【請求項３】ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4
及びＢａＴｉ4Ｏ9のうち少なくとも１種を構成する原料
粉末１００重量部に対して、Ｂ2Ｏ3を３〜２０重量部、
Ｌｉ2ＣＯ3を１〜１０重量部、ＳｉＯ2を０〜３０重量
部の割合で含む成形体を、８７０〜９２０℃で焼成し、
Ｍｇ2ＴｉＯ4、Ｍｇ2Ｂ2Ｏ5及びＬｉ2ＴｉＳｉＯ5のう
ち少なくとも１種からなる第２の結晶相を析出させるこ
とを特徴とする誘電体磁器の製造方法。 - 【請求項４】ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4
及びＢａＴｉ4Ｏ9のうち少なくとも１種を構成する原料
粉末１００重量部に対して、さらにアルカリ土類元素酸
化物を１〜５重量部、酸化マンガンを０．１〜１５重量
部含有することを特徴とする請求項３記載の誘電体磁器
の製造方法。 - 【請求項５】前記焼成を、２時間以上行うことを特徴と
する請求項３又は４記載の誘電体磁器の製造方法。 - 【請求項６】前記焼成の後に、５００〜９００℃で熱処
理することを特徴とする請求項３又は４記載の誘電体磁
器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000396622A JP4632534B2 (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 誘電体磁器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000396622A JP4632534B2 (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 誘電体磁器及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002193662A true JP2002193662A (ja) | 2002-07-10 |
| JP4632534B2 JP4632534B2 (ja) | 2011-02-16 |
Family
ID=18861880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000396622A Expired - Fee Related JP4632534B2 (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 誘電体磁器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4632534B2 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1460645A2 (en) * | 2003-03-17 | 2004-09-22 | TDK Corporation | Dielectric porcelain composition and dielectric resonator using the composition |
| KR100474249B1 (ko) * | 2002-03-19 | 2005-03-09 | 삼화콘덴서공업주식회사 | 유전체 세라믹 조성물 및 제조방법 |
| JP2006096587A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Kyocera Corp | 誘電体磁器組成物およびその製造方法ならびに配線基板 |
| EP1721878A1 (en) * | 2004-03-01 | 2006-11-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Insulating ceramic composition, insulating ceramic sintered body, and multilayer ceramic electronic component |
| JP2008069056A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Toko Inc | 誘電体磁器組成物 |
| JP2011162417A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Ube Industries Ltd | 高周波用誘電体磁器並びにその製造方法およびそれを用いた高周波回路素子 |
| US8067324B2 (en) * | 2007-11-26 | 2011-11-29 | Elizaveta Arkadievna Nenasheva | Low dielectric loss ceramic ferroelectric composite material |
| CN103360056A (zh) * | 2012-03-31 | 2013-10-23 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种介质陶瓷 |
| JP2014192454A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Hitachi Metals Ltd | 複合被覆軟磁性金属粉末の製造方法および複合被覆軟磁性金属粉末、並びにこれを用いた圧粉磁心 |
| CN109133912A (zh) * | 2017-06-27 | 2019-01-04 | 深圳光启高等理工研究院 | 一种微波介质陶瓷及其制备方法 |
| CN110668795A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-01-10 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用、微波介质陶瓷体及其制备方法和应用、微波器件 |
| CN111925190A (zh) * | 2020-07-02 | 2020-11-13 | 杭州电子科技大学 | Mg3B2O6-CaTiO3复合微波介电陶瓷材料及制备方法 |
| CN112521129A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-03-19 | 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 | 低温烧结的mlcc用低介电常数陶瓷介质材料及其制备方法 |
| CN113321496A (zh) * | 2021-07-01 | 2021-08-31 | 宜宾红星电子有限公司 | 复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
| CN114804857A (zh) * | 2021-01-28 | 2022-07-29 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
| CN114804858A (zh) * | 2021-01-28 | 2022-07-29 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 一种滤波器用低温共烧陶瓷材料及其制备方法与应用 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106904960B (zh) * | 2017-03-14 | 2020-01-14 | 电子科技大学 | 一种Mg2SiO4-Li2TiO3复合体系LTCC材料及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001130952A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-15 | Kyocera Corp | 誘電体磁器および積層体 |
| JP2005089297A (ja) * | 1997-09-26 | 2005-04-07 | Kyocera Corp | 高周波用誘電体磁器および積層体 |
-
2000
- 2000-12-27 JP JP2000396622A patent/JP4632534B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005089297A (ja) * | 1997-09-26 | 2005-04-07 | Kyocera Corp | 高周波用誘電体磁器および積層体 |
| JP2001130952A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-15 | Kyocera Corp | 誘電体磁器および積層体 |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100474249B1 (ko) * | 2002-03-19 | 2005-03-09 | 삼화콘덴서공업주식회사 | 유전체 세라믹 조성물 및 제조방법 |
| EP1460645A2 (en) * | 2003-03-17 | 2004-09-22 | TDK Corporation | Dielectric porcelain composition and dielectric resonator using the composition |
| EP1460645A3 (en) * | 2003-03-17 | 2004-11-03 | TDK Corporation | Dielectric porcelain composition and dielectric resonator using the composition |
| US7160826B2 (en) | 2003-03-17 | 2007-01-09 | Tdk Corporation | Dielectric porcelain composition and dielectric resonator using the composition |
| KR100682744B1 (ko) * | 2003-03-17 | 2007-02-15 | 티디케이가부시기가이샤 | 유전체 자기 조성물 및 그것을 사용한 유전체 공진기 |
| CN1315134C (zh) * | 2003-03-17 | 2007-05-09 | Tdk株式会社 | 电介质瓷器组合物及利用所述组合物的电介质谐振器 |
| EP1721878A1 (en) * | 2004-03-01 | 2006-11-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Insulating ceramic composition, insulating ceramic sintered body, and multilayer ceramic electronic component |
| EP1721878A4 (en) * | 2004-03-01 | 2010-12-22 | Murata Manufacturing Co | INSULATING CERAMIC COMPOSITION, INSULATING CERAMIC SUBSTRATE AND MULTILAYER CERAMIC ELECTRONIC ELEMENT |
| JP2006096587A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Kyocera Corp | 誘電体磁器組成物およびその製造方法ならびに配線基板 |
| JP4594021B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2010-12-08 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器組成物およびその製造方法ならびに配線基板 |
| JP2008069056A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Toko Inc | 誘電体磁器組成物 |
| US8067324B2 (en) * | 2007-11-26 | 2011-11-29 | Elizaveta Arkadievna Nenasheva | Low dielectric loss ceramic ferroelectric composite material |
| JP2011162417A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Ube Industries Ltd | 高周波用誘電体磁器並びにその製造方法およびそれを用いた高周波回路素子 |
| CN103360056A (zh) * | 2012-03-31 | 2013-10-23 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种介质陶瓷 |
| JP2014192454A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Hitachi Metals Ltd | 複合被覆軟磁性金属粉末の製造方法および複合被覆軟磁性金属粉末、並びにこれを用いた圧粉磁心 |
| CN109133912B (zh) * | 2017-06-27 | 2022-09-16 | 深圳光启高等理工研究院 | 一种微波介质陶瓷及其制备方法 |
| CN109133912A (zh) * | 2017-06-27 | 2019-01-04 | 深圳光启高等理工研究院 | 一种微波介质陶瓷及其制备方法 |
| CN110668795A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-01-10 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用、微波介质陶瓷体及其制备方法和应用、微波器件 |
| CN110668795B (zh) * | 2019-11-15 | 2021-07-09 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用、微波介质陶瓷体及其制备方法和应用、微波器件 |
| CN111925190A (zh) * | 2020-07-02 | 2020-11-13 | 杭州电子科技大学 | Mg3B2O6-CaTiO3复合微波介电陶瓷材料及制备方法 |
| CN112521129A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-03-19 | 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 | 低温烧结的mlcc用低介电常数陶瓷介质材料及其制备方法 |
| CN114804857A (zh) * | 2021-01-28 | 2022-07-29 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
| CN114804858A (zh) * | 2021-01-28 | 2022-07-29 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 一种滤波器用低温共烧陶瓷材料及其制备方法与应用 |
| CN114804857B (zh) * | 2021-01-28 | 2023-03-14 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
| CN113321496A (zh) * | 2021-07-01 | 2021-08-31 | 宜宾红星电子有限公司 | 复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4632534B2 (ja) | 2011-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4632534B2 (ja) | 誘電体磁器及びその製造方法 | |
| JP4535592B2 (ja) | 積層体 | |
| JP3860687B2 (ja) | 誘電体磁器および積層体 | |
| JP2002121066A (ja) | アルミナ質焼結体及びその製造方法 | |
| JP3909366B2 (ja) | 低誘電率磁器組成物とその磁器組成物を用いた電子回路用基板の製造方法 | |
| JP4249690B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器および積層体 | |
| JP4618856B2 (ja) | 低温焼成磁器 | |
| JP3754827B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および積層体 | |
| JP3793549B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および積層体 | |
| JP3631589B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および積層体 | |
| JP3631607B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器および積層体 | |
| JP3870015B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP4484297B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3793550B2 (ja) | 誘電体磁器および積層体 | |
| JP2003286074A (ja) | 誘電体磁器組成物および誘電体磁器 | |
| JP3839868B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及び電子部品 | |
| JP4442077B2 (ja) | 高周波部品用磁器組成物 | |
| JPH08239262A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3699598B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3905993B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層部品 | |
| JP4097019B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3225838B2 (ja) | 高周波用誘電体組成物 | |
| JP3909367B2 (ja) | 低誘電率磁器組成物とその磁器組成物を用いた電子回路用基板の製造方法 | |
| JP3439959B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP4006655B2 (ja) | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071019 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100712 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100720 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100921 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101019 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101116 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4632534 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |