JP2002190511A - 半導体装置のアッシング設備のチャックプレート及びこれを用いたチャック組立体 - Google Patents
半導体装置のアッシング設備のチャックプレート及びこれを用いたチャック組立体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 食刻工程の過程においてウェーハの底面に形
成されたポリマーをフォトレジスト除去過程で同時に除
去する半導体装置のアッシング設備のチャックプレート
とこれを用いたチャック組立体を提供する。 【解決手段】 半導体装置のアッシング設備のチャック
プレート３６ａは、上面がポリマーが形成された領域ｄ
を除いたウェーハＷの底面内側部位を密着支持するよう
に形成された支持部Ａと、支持部Ａの上面から下側方向
へ段差をなしその上面がポリマーが形成された領域ｄを
含んだウェーハＷの底面縁部に対向するように形成され
た段差部Ｂとを備えている。
成されたポリマーをフォトレジスト除去過程で同時に除
去する半導体装置のアッシング設備のチャックプレート
とこれを用いたチャック組立体を提供する。 【解決手段】 半導体装置のアッシング設備のチャック
プレート３６ａは、上面がポリマーが形成された領域ｄ
を除いたウェーハＷの底面内側部位を密着支持するよう
に形成された支持部Ａと、支持部Ａの上面から下側方向
へ段差をなしその上面がポリマーが形成された領域ｄを
含んだウェーハＷの底面縁部に対向するように形成され
た段差部Ｂとを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術の分野】本発明は、食刻工程の過程
においてウェーハの底面に形成されたポリマーをフォト
レジスト除去過程で一緒に除去することができる半導体
装置のアッシング設備のチャックプレート及びこれを用
いたチャック組立体に関する。
においてウェーハの底面に形成されたポリマーをフォト
レジスト除去過程で一緒に除去することができる半導体
装置のアッシング設備のチャックプレート及びこれを用
いたチャック組立体に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、食刻工程は写真工程以後の工程
において、フォトレジストパターンから露出したウェー
ハの所定部位を除去するための工程である。食刻工程で
は、投入される工程ガスをプラズマ状態に変換させて、
このプラズマを用いて所定の部位で反応させるプラズマ
食刻が主に利用されている。
において、フォトレジストパターンから露出したウェー
ハの所定部位を除去するための工程である。食刻工程で
は、投入される工程ガスをプラズマ状態に変換させて、
このプラズマを用いて所定の部位で反応させるプラズマ
食刻が主に利用されている。
【０００３】このようなプラズマを用いた食刻工程は、
その工程の実行過程で副産物のポリマーが生成される。
生成される副産物、即ち、ポリマーは食刻チャンバー内
部の全面だけでなくウェーハの底面などの部位に選択性
なしに蒸着される。このようにウェーハＷの底面に形成
されるポリマーＰ’は食刻工程を行う過程でウェーハＷ
の底面がカソードに密着された状態において、図１０に
示したようにウェーハＷの縁部からその内側方向へ約８
〜１０ｍｍ程度の領域ｄに形成されるのが一般的であ
る。
その工程の実行過程で副産物のポリマーが生成される。
生成される副産物、即ち、ポリマーは食刻チャンバー内
部の全面だけでなくウェーハの底面などの部位に選択性
なしに蒸着される。このようにウェーハＷの底面に形成
されるポリマーＰ’は食刻工程を行う過程でウェーハＷ
の底面がカソードに密着された状態において、図１０に
示したようにウェーハＷの縁部からその内側方向へ約８
〜１０ｍｍ程度の領域ｄに形成されるのが一般的であ
る。
【０００４】一方、上述した食刻工程を終了したウェー
ハＷは、図１２に示したようにストリッピング（stripp
ing）またはアッシング（ashing）過程を通じてウェー
ハＷ上に塗布されたフォトレジスト（ＰＲ）（Ｐ）の除
去過程を経て、更に残存するＰＲの残留物または各種パ
ーチクルを除去するための洗浄工程が追加的に実施され
る。
ハＷは、図１２に示したようにストリッピング（stripp
ing）またはアッシング（ashing）過程を通じてウェー
ハＷ上に塗布されたフォトレジスト（ＰＲ）（Ｐ）の除
去過程を経て、更に残存するＰＲの残留物または各種パ
ーチクルを除去するための洗浄工程が追加的に実施され
る。
【０００５】ここで、ウェーハＷ上のＰＲを除去するた
めの過程中におけるアッシング工程では、図１１に示し
たアッシング設備１０からわかるように、密閉されたチ
ャンバー１２の内部にドアー手段１４を通してウェーハ
Ｗが投入された状態で酸素Ｏ 2、窒素Ｎ2などのアッシン
グガスＧが供給される。このときに供給されるアッシン
グガスＧは高周波パワーの影響でプラズマ状態、即ち、
イオン（ラジカル）状態にある。
めの過程中におけるアッシング工程では、図１１に示し
たアッシング設備１０からわかるように、密閉されたチ
ャンバー１２の内部にドアー手段１４を通してウェーハ
Ｗが投入された状態で酸素Ｏ 2、窒素Ｎ2などのアッシン
グガスＧが供給される。このときに供給されるアッシン
グガスＧは高周波パワーの影響でプラズマ状態、即ち、
イオン（ラジカル）状態にある。
【０００６】これにより、ラジカル状態のアッシングガ
スＧは加熱雰囲気のＰＲと反応して気化され、気化状態
のＰＲは真空圧形成手段（図示されず）と連通する排気
管２４を通して排出される。このとき、ウェーハＷの底
面に形成されたポリマーＰ’はチャック組立体１６を構
成するチャックプレート１８の上面に密着され、上側ガ
ス供給部２２から供給される酸素ラジカルと反応するこ
とが困難となる。また、その下部のヒーティング手段２
０からチャックプレート１８を通して伝導される熱はポ
リマーＰ’に含有されたＰＲなどの成分を焼成しカーボ
ン化させチャックプレート１８及びウェーハＷの汚染な
どを誘発する。
スＧは加熱雰囲気のＰＲと反応して気化され、気化状態
のＰＲは真空圧形成手段（図示されず）と連通する排気
管２４を通して排出される。このとき、ウェーハＷの底
面に形成されたポリマーＰ’はチャック組立体１６を構
成するチャックプレート１８の上面に密着され、上側ガ
ス供給部２２から供給される酸素ラジカルと反応するこ
とが困難となる。また、その下部のヒーティング手段２
０からチャックプレート１８を通して伝導される熱はポ
リマーＰ’に含有されたＰＲなどの成分を焼成しカーボ
ン化させチャックプレート１８及びウェーハＷの汚染な
どを誘発する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、ウェー
ハＷの底面に存在するポリマーＰ’は以後のエッチャン
トなどに収容されて洗浄過程を経るが、この過程で容易
に除去することができず、且つ、その洗浄時間を延長さ
せる。ポリマーＰ’が除去されていない状態で次の工程
を行う場合、それに従う工程不良で製造収率が低下する
という問題点があった。
ハＷの底面に存在するポリマーＰ’は以後のエッチャン
トなどに収容されて洗浄過程を経るが、この過程で容易
に除去することができず、且つ、その洗浄時間を延長さ
せる。ポリマーＰ’が除去されていない状態で次の工程
を行う場合、それに従う工程不良で製造収率が低下する
という問題点があった。
【０００８】そこで、本発明の目的は、食刻工程でウェ
ーハの底面に形成されるポリマーをフォトレジスト除去
過程で一緒に除去し、洗浄時間が短縮されるとともに工
程不良が防止され、製造収率が向上する半導体装置のア
ッシング設備のチャックプレート及びこれを用いたチャ
ック組立体を提供することにある。
ーハの底面に形成されるポリマーをフォトレジスト除去
過程で一緒に除去し、洗浄時間が短縮されるとともに工
程不良が防止され、製造収率が向上する半導体装置のア
ッシング設備のチャックプレート及びこれを用いたチャ
ック組立体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため本発明の半導体装置のアッシング設備のチャック
プレートにおいては、上面がポリマー形成領域部位を除
いたウェーハの底面の内側部位を密着して支持するよう
に形成された支持部と、前記支持部の上面から下側方向
へ段差をなしその上面が前記ポリマー形成領域を含んだ
ウェーハ底面縁部に対向するように形成された段差部
と、から構成される。
るため本発明の半導体装置のアッシング設備のチャック
プレートにおいては、上面がポリマー形成領域部位を除
いたウェーハの底面の内側部位を密着して支持するよう
に形成された支持部と、前記支持部の上面から下側方向
へ段差をなしその上面が前記ポリマー形成領域を含んだ
ウェーハ底面縁部に対向するように形成された段差部
と、から構成される。
【００１０】また、前記支持部上面と段差部上面との間
の段差の程度は０．３〜０．５ｍｍ範囲で設定すること
が好ましく、前記段差部の上面は少なくとも前記支持部
に支持されるウェーハ縁部の垂直に対応する位置よりも
外側へ拡張されるように形成することが好ましい。そし
て、前記段差部の外側に前記段差部の上面から上側へ突
出された形状をなす突出部をさらに具備した構成により
形成され、前記突出部の上側部位は前記支持部の上面と
水平線上にあるように形成するのが効果的である。
の段差の程度は０．３〜０．５ｍｍ範囲で設定すること
が好ましく、前記段差部の上面は少なくとも前記支持部
に支持されるウェーハ縁部の垂直に対応する位置よりも
外側へ拡張されるように形成することが好ましい。そし
て、前記段差部の外側に前記段差部の上面から上側へ突
出された形状をなす突出部をさらに具備した構成により
形成され、前記突出部の上側部位は前記支持部の上面と
水平線上にあるように形成するのが効果的である。
【００１１】一方、前記突出部の上面の内側端部の位置
は少なくとも前記支持部に支持されるウェーハ縁部と所
定の間隔の隙間をなすように形成するのが好ましく、そ
の隙間は０．５〜１．５ｍｍの範囲内にあるようにする
のが好ましい。また、前記支持部と突出部の内側壁との
間の間隔は、前記ポリマー形成領域が８〜１０ｍｍの範
囲に形成されるのに対応して１０．５〜１２．５ｍｍ程
度に形成するのが好ましい。
は少なくとも前記支持部に支持されるウェーハ縁部と所
定の間隔の隙間をなすように形成するのが好ましく、そ
の隙間は０．５〜１．５ｍｍの範囲内にあるようにする
のが好ましい。また、前記支持部と突出部の内側壁との
間の間隔は、前記ポリマー形成領域が８〜１０ｍｍの範
囲に形成されるのに対応して１０．５〜１２．５ｍｍ程
度に形成するのが好ましい。
【００１２】そして、前記支持部と段差部との間または
前記段差部と突出部との間に傾斜面をもつように形成す
るのが効果的である。一方、前記支持部と段差部及び突
出部のうち少なくともいずれの一つは分離及び結合が可
能に形成され、また、前記支持部と段差部及び突出部を
一体形に形成することもできる。
前記段差部と突出部との間に傾斜面をもつように形成す
るのが効果的である。一方、前記支持部と段差部及び突
出部のうち少なくともいずれの一つは分離及び結合が可
能に形成され、また、前記支持部と段差部及び突出部を
一体形に形成することもできる。
【００１３】また、前記支持部の上面の外側端部の形状
または前記突出部の上面の内側端部の形状はウェーハフ
ラットゾーンを含んだ縁部の垂直に対応する位置から水
平方向に一定間隔に離隔されるようにウェーハ形状に形
成することが好ましい。これは前記支持部の上面の外側
端部の形状と前記段差部の上面の内外側端部の形状及び
前記突出部の上面の内側端部の形状は、ウェーハのフラ
ットゾーンを含んだ縁部が前記段差部の上面に垂直に対
応する位置にあるように円形状に形成することができ
る。
または前記突出部の上面の内側端部の形状はウェーハフ
ラットゾーンを含んだ縁部の垂直に対応する位置から水
平方向に一定間隔に離隔されるようにウェーハ形状に形
成することが好ましい。これは前記支持部の上面の外側
端部の形状と前記段差部の上面の内外側端部の形状及び
前記突出部の上面の内側端部の形状は、ウェーハのフラ
ットゾーンを含んだ縁部が前記段差部の上面に垂直に対
応する位置にあるように円形状に形成することができ
る。
【００１４】前記目的を達成するため本発明による半導
体装置のアッシング設備のチャック組立体の構成は、ポ
リマー形成領域部位を除いたウェーハ底面を支持するよ
うに形成された支持部と、前記支持部上面と段差をなし
てウェーハ底面の縁部に所定間隔で対向するように形成
されたチャックプレートと、前記チャックプレートの外
側部位を覆う形状に昇降可能に設置され、上側部位にエ
レベーター手段によるウェーハローディング位置を案内
する傾斜部をもつ突出部と、前記チャックプレートの下
部に設置されるヒーティング手段と、から構成される。
そして、前記傾斜部は前記突出部の上側にそって延長さ
れて形成される。
体装置のアッシング設備のチャック組立体の構成は、ポ
リマー形成領域部位を除いたウェーハ底面を支持するよ
うに形成された支持部と、前記支持部上面と段差をなし
てウェーハ底面の縁部に所定間隔で対向するように形成
されたチャックプレートと、前記チャックプレートの外
側部位を覆う形状に昇降可能に設置され、上側部位にエ
レベーター手段によるウェーハローディング位置を案内
する傾斜部をもつ突出部と、前記チャックプレートの下
部に設置されるヒーティング手段と、から構成される。
そして、前記傾斜部は前記突出部の上側にそって延長さ
れて形成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例によるチ
ャック組立体とこれを用いる半導体装置のアッシング設
備に対し添付された図を参照して説明する。図１は、本
発明の一実施例によるチャックプレートとこれを用いた
チャック組立体が設置されるアッシング設備の構成及び
その駆動関係を概略的に示す断面図であり、図２から図
７は図１に示したチャックプレートの各実施例による構
成を概略的に示した断面図であり、図８及び図９はチャ
ックプレートの平面形状を概略的に示した図であり、従
来例の説明と同一な部分に対し同一の符号を付与し、そ
れに従う詳しい説明は省略する。
ャック組立体とこれを用いる半導体装置のアッシング設
備に対し添付された図を参照して説明する。図１は、本
発明の一実施例によるチャックプレートとこれを用いた
チャック組立体が設置されるアッシング設備の構成及び
その駆動関係を概略的に示す断面図であり、図２から図
７は図１に示したチャックプレートの各実施例による構
成を概略的に示した断面図であり、図８及び図９はチャ
ックプレートの平面形状を概略的に示した図であり、従
来例の説明と同一な部分に対し同一の符号を付与し、そ
れに従う詳しい説明は省略する。
【００１６】本実施例によるアッシング設備３０は、図
１に示したように密閉された空間を形成するチャンバー
３２を備えている。このチャンバ３２の一側部には、内
部にウェーハＷがローディングまたはアンローディング
するために開閉されるドア手段１４が設けられている。
１に示したように密閉された空間を形成するチャンバー
３２を備えている。このチャンバ３２の一側部には、内
部にウェーハＷがローディングまたはアンローディング
するために開閉されるドア手段１４が設けられている。
【００１７】また、チャンバ３２の所定位置には、内部
の残留ガスを含んだ空気を排出するための排気管２４の
一方の端部が連通連結されている。排気管２４の他方の
端部はチャンバ３２の内部を真空にするための真空圧形
成手段（図面の単純化のため省略する）と通常の方法に
より連通連結されている。
の残留ガスを含んだ空気を排出するための排気管２４の
一方の端部が連通連結されている。排気管２４の他方の
端部はチャンバ３２の内部を真空にするための真空圧形
成手段（図面の単純化のため省略する）と通常の方法に
より連通連結されている。
【００１８】そして、チャンバ３２の内側の上部の所定
位置には外部から所定のアッシングガスＧが投入される
ガス供給部２２が形成されている。ガス供給部２２に対
向する所定位置にはウェーハＷの底面を支持するチャッ
ク組立体３４が設置されている。
位置には外部から所定のアッシングガスＧが投入される
ガス供給部２２が形成されている。ガス供給部２２に対
向する所定位置にはウェーハＷの底面を支持するチャッ
ク組立体３４が設置されている。
【００１９】このように設置されるチャック組立体３４
は、図１に示したように、投入されるウェーハＷの底面
を密着支持する所定の厚さと面積を有するチャックプレ
ート１８を備えている。チャックプレート１８の中心部
には外部のロボット（図面の単純化のため省略する）に
より移送されたウェーハＷを受け取って下降し、チャッ
クプレート３６に安着させるエレベーター手段が貫通し
て設置されている。
は、図１に示したように、投入されるウェーハＷの底面
を密着支持する所定の厚さと面積を有するチャックプレ
ート１８を備えている。チャックプレート１８の中心部
には外部のロボット（図面の単純化のため省略する）に
より移送されたウェーハＷを受け取って下降し、チャッ
クプレート３６に安着させるエレベーター手段が貫通し
て設置されている。
【００２０】そして、上述したチャックプレート３６の
下部にはチャックプレート３６の上面に安着されるウェ
ーハＷ、ならびにウェーハＷを通じてフォトレジストＰ
及びポリマーＰ’を活性化させるために所定温度で加熱
するヒーティング手段２０を備えている。
下部にはチャックプレート３６の上面に安着されるウェ
ーハＷ、ならびにウェーハＷを通じてフォトレジストＰ
及びポリマーＰ’を活性化させるために所定温度で加熱
するヒーティング手段２０を備えている。
【００２１】このようなチャック組立体３４において、
ウェーハＷが安着されるチャックプレート３６の構成に
ついて詳細に説明する。図２に示したチャックプレート
３６ａは、上面がウェーハＷの縮小された形状をなす支
持部Ａが形成されている。支持部Ａは、安着されるウェ
ーハＷの底面中心部位、即ち、ウェーハＷのフラットゾ
ーンＦ部位を含んだ底面縁部に形成されるポリマー形成
領域ｄを除いたその内側部位に対応して密着支持する。
また、支持部Ａの外側に支持部Ａ上面と所定間隔の段差
ｔをなす段差部Ｂが形成されている。
ウェーハＷが安着されるチャックプレート３６の構成に
ついて詳細に説明する。図２に示したチャックプレート
３６ａは、上面がウェーハＷの縮小された形状をなす支
持部Ａが形成されている。支持部Ａは、安着されるウェ
ーハＷの底面中心部位、即ち、ウェーハＷのフラットゾ
ーンＦ部位を含んだ底面縁部に形成されるポリマー形成
領域ｄを除いたその内側部位に対応して密着支持する。
また、支持部Ａの外側に支持部Ａ上面と所定間隔の段差
ｔをなす段差部Ｂが形成されている。
【００２２】上述したように、支持部Ａの上面と段差部
Ｂの上面とがなす段差ｔの大きさ、即ち、支持部Ａによ
り支持されるウェーハＷの底面縁部とこれに対向する段
差部Ｂの上面との間の間隔は、下部に設置されるヒーテ
ィング手段２０の熱が段差部Ｂの上面からポリマーＰ’
に伝達されるように近接して位置すること、ならびにウ
ェーハＷの底面縁部と段差部Ｂの上面との間へのチャン
バ３２の内部に投入されるアッシングガスＧの流入が確
保されることを互いに折衷した間隔が要求される。その
結果、その段差ｔは約０．３〜０．５ｍｍ程度の範囲に
設定される。
Ｂの上面とがなす段差ｔの大きさ、即ち、支持部Ａによ
り支持されるウェーハＷの底面縁部とこれに対向する段
差部Ｂの上面との間の間隔は、下部に設置されるヒーテ
ィング手段２０の熱が段差部Ｂの上面からポリマーＰ’
に伝達されるように近接して位置すること、ならびにウ
ェーハＷの底面縁部と段差部Ｂの上面との間へのチャン
バ３２の内部に投入されるアッシングガスＧの流入が確
保されることを互いに折衷した間隔が要求される。その
結果、その段差ｔは約０．３〜０．５ｍｍ程度の範囲に
設定される。
【００２３】そして、段差部Ｂの上面は、ウェーハＷの
底面縁部のポリマーＰ’に近接して熱を容易に伝達させ
るため、その上面の外側端の部位が少なくとも安着され
るウェーハＷの縁部の垂直に対応した位置よりも外側に
あるように拡張形成する。また、段差部Ｂの上面、即
ち、ウェーハＷの縁部に垂直に対応する位置から拡張さ
れた所定の部位には複数個のガイドフィン４０が設けら
れている。ガイドフィン４０は、エレベーター手段によ
り下降するウェーハＷの縁部位を支持して正確に安着支
持されるように案内する。さらに、支持部Ａの上面の外
側部とこれに近接する段差部Ｂの上面との間には所定角
度の傾斜面を形成してもよい。
底面縁部のポリマーＰ’に近接して熱を容易に伝達させ
るため、その上面の外側端の部位が少なくとも安着され
るウェーハＷの縁部の垂直に対応した位置よりも外側に
あるように拡張形成する。また、段差部Ｂの上面、即
ち、ウェーハＷの縁部に垂直に対応する位置から拡張さ
れた所定の部位には複数個のガイドフィン４０が設けら
れている。ガイドフィン４０は、エレベーター手段によ
り下降するウェーハＷの縁部位を支持して正確に安着支
持されるように案内する。さらに、支持部Ａの上面の外
側部とこれに近接する段差部Ｂの上面との間には所定角
度の傾斜面を形成してもよい。
【００２４】上記の構成では、ドア手段１４が開放され
ることにより外部からロボットがウェーハＷを投入して
安着させる。このとき、エレベーター手段は昇降駆動さ
れてロボットからウェーハＷを受け取ることになる。以
後、ロボットがチャンバ３２の外側へ退くに従い、ドア
手段１４はチャンバ３２の内部を気密するように閉塞さ
れる。次いでエレベータ手段は下降することによりその
上端部に支持されるウェーハＷを漸次チャックプレート
３６ａに安着させる。
ることにより外部からロボットがウェーハＷを投入して
安着させる。このとき、エレベーター手段は昇降駆動さ
れてロボットからウェーハＷを受け取ることになる。以
後、ロボットがチャンバ３２の外側へ退くに従い、ドア
手段１４はチャンバ３２の内部を気密するように閉塞さ
れる。次いでエレベータ手段は下降することによりその
上端部に支持されるウェーハＷを漸次チャックプレート
３６ａに安着させる。
【００２５】このとき、複数個のガイドフィン４０はウ
ェーハＷの縁部の所定部位を支持することにより、ウェ
ーハＷがチャックプレート３６ａの中心に安着されるよ
うに、即ち、チャックプレート３６ａを構成する支持部
Ａの上面がウェーハＷ底面の縁部位に形成されたポリマ
ーＰ’形成領域ｄの内側部位に密着するように案内す
る。
ェーハＷの縁部の所定部位を支持することにより、ウェ
ーハＷがチャックプレート３６ａの中心に安着されるよ
うに、即ち、チャックプレート３６ａを構成する支持部
Ａの上面がウェーハＷ底面の縁部位に形成されたポリマ
ーＰ’形成領域ｄの内側部位に密着するように案内す
る。
【００２６】ウェーハＷが安着されると、ポリマーＰ’
の形成領域ｄは段差部の上面と所定間隔をなして対向
し、ヒーティング手段２０から熱を受ける。この状態で
ガス供給部２２はアッシングガスＧを供給する。供給さ
れたアッシングガスＧはウェーハＷ上のフォトレジスト
Ｐと反応して気化させるだけでなく、ウェーハＷの縁部
の底面と段差部Ｂの上面との間に流動してポリマーＰ’
と反応して気化させる。このように気化されるＰＲとポ
リマーＰ’は真空圧が提供される排気管２４を通して継
続して排出され、一連の過程を経る。
の形成領域ｄは段差部の上面と所定間隔をなして対向
し、ヒーティング手段２０から熱を受ける。この状態で
ガス供給部２２はアッシングガスＧを供給する。供給さ
れたアッシングガスＧはウェーハＷ上のフォトレジスト
Ｐと反応して気化させるだけでなく、ウェーハＷの縁部
の底面と段差部Ｂの上面との間に流動してポリマーＰ’
と反応して気化させる。このように気化されるＰＲとポ
リマーＰ’は真空圧が提供される排気管２４を通して継
続して排出され、一連の過程を経る。
【００２７】一方、図３に示したチャックプレート３６
ｂは、上述した図２に示しチャックプレート３６ａと同
様に、支持部Ａと０．３〜０．５ｍｍ程度の段差ｔをな
す段差部Ｂが形成されている。ここで段差部Ｂの上面の
外側部位はウェーハＷの縁部の垂直に対応する位置から
所定範囲内にあり、この段差部Ｂの上面の外側部位で上
側に突出した形状をなす突出部Ｃが形成されている。
ｂは、上述した図２に示しチャックプレート３６ａと同
様に、支持部Ａと０．３〜０．５ｍｍ程度の段差ｔをな
す段差部Ｂが形成されている。ここで段差部Ｂの上面の
外側部位はウェーハＷの縁部の垂直に対応する位置から
所定範囲内にあり、この段差部Ｂの上面の外側部位で上
側に突出した形状をなす突出部Ｃが形成されている。
【００２８】突出部Ｃは、図４に示したチャックプレー
ト３６ｃの構成から分かるように、段差部Ｂの上面の外
側部位から垂直に突出しその上面が支持部Ａの上面に対
応して水平線上にあるように形成されている。また、突
出部Ｃは、図５に示したチャックプレート３６ｄの構成
から分かるように、その部位で外側方向に所定角度の傾
斜面Ｔをなしその上面が支持部Ａ上面に対応して水平線
上にあるように形成されている。このときに安着される
ウェーハＷの縁部とこれに対し水平線上に対応する突出
部Ｃの内壁とは互いに隙間Ｓをなし、その隙間は０．５
〜１．５ｍｍの範囲内にある。
ト３６ｃの構成から分かるように、段差部Ｂの上面の外
側部位から垂直に突出しその上面が支持部Ａの上面に対
応して水平線上にあるように形成されている。また、突
出部Ｃは、図５に示したチャックプレート３６ｄの構成
から分かるように、その部位で外側方向に所定角度の傾
斜面Ｔをなしその上面が支持部Ａ上面に対応して水平線
上にあるように形成されている。このときに安着される
ウェーハＷの縁部とこれに対し水平線上に対応する突出
部Ｃの内壁とは互いに隙間Ｓをなし、その隙間は０．５
〜１．５ｍｍの範囲内にある。
【００２９】一方、支持部Ａの上面の外側形状は、図８
に示したようにウェーハＷのフラットゾーンＦを含んだ
縁部にそってポリマーＰ’が形成された領域ｄに近接し
てウェーハ形状に形成されている。また、支持部Ａの上
面の形状を図９に示したように、ウェーハＷのフラット
ゾーンＦのポリマーが形成された領域ｄを基準にして近
接する円形状に形成してもよい。
に示したようにウェーハＷのフラットゾーンＦを含んだ
縁部にそってポリマーＰ’が形成された領域ｄに近接し
てウェーハ形状に形成されている。また、支持部Ａの上
面の形状を図９に示したように、ウェーハＷのフラット
ゾーンＦのポリマーが形成された領域ｄを基準にして近
接する円形状に形成してもよい。
【００３０】これに対応して突出部Ｃの上面の内側部位
と支持部Ａの上面の外側部位との間の間隔は、支持部Ａ
の外側形状と突出部Ｃの内側形状とがウェーハ形状に形
成されていることに対応して、ウェーハＷのフラットゾ
ーンＦを含んだ縁部に対応してウェーハ縁部と突出部Ｃ
の上面内側とがなす隙間Ｓと、約８〜１０ｍｍ程度のポ
リマーが形成された領域ｄの幅とを合わせた間隔に設定
されている。
と支持部Ａの上面の外側部位との間の間隔は、支持部Ａ
の外側形状と突出部Ｃの内側形状とがウェーハ形状に形
成されていることに対応して、ウェーハＷのフラットゾ
ーンＦを含んだ縁部に対応してウェーハ縁部と突出部Ｃ
の上面内側とがなす隙間Ｓと、約８〜１０ｍｍ程度のポ
リマーが形成された領域ｄの幅とを合わせた間隔に設定
されている。
【００３１】また、支持部Ａの外側形状と突出部Ｃの内
側形状とが図９に示したように円形状に形成される場
合、その間隔はウェーハＷの円弧部位の延長線からフラ
ットゾーンＦの中心まで至るその間の間隔をさらに合算
した間隔に設定される。ここでは、上述した支持部Ａ外
側と突出部Ｃ内側との間の間隔を約１０．５〜１２．５
ｍｍ程度に設定している。
側形状とが図９に示したように円形状に形成される場
合、その間隔はウェーハＷの円弧部位の延長線からフラ
ットゾーンＦの中心まで至るその間の間隔をさらに合算
した間隔に設定される。ここでは、上述した支持部Ａ外
側と突出部Ｃ内側との間の間隔を約１０．５〜１２．５
ｍｍ程度に設定している。
【００３２】上述した突出部Ｃの上側部位が支持部Ａの
上面と水平線上にあるように平坦に形成される場合、図
４または図５に示したように、その上面の所定位置には
エレベーター手段によるウェーハＷの安着位置を案内す
るためのガイドフィン４０が設けられる。
上面と水平線上にあるように平坦に形成される場合、図
４または図５に示したように、その上面の所定位置には
エレベーター手段によるウェーハＷの安着位置を案内す
るためのガイドフィン４０が設けられる。
【００３３】このような構成は、図６に示したチャック
プレート３６ｅから分かるように、突出部Ｃの上側の部
位が支持部Ａの上面の高さよりも上側へ突出して形成さ
れている場合、突出部Ｃの内側壁がエレベーター手段に
よるウェーハＷの安着を案内可能とする傾斜面を形成す
るようにしてもよい。
プレート３６ｅから分かるように、突出部Ｃの上側の部
位が支持部Ａの上面の高さよりも上側へ突出して形成さ
れている場合、突出部Ｃの内側壁がエレベーター手段に
よるウェーハＷの安着を案内可能とする傾斜面を形成す
るようにしてもよい。
【００３４】一方、上述した支持部Ａと段差部Ｂ及び突
出部Ｃとは、図３から図６に示したように、それぞれが
一体の形状に形成されている。上述した段差部Ｂはウェ
ーハＷの縁部に対応して所定の幅及び深さ並びに形状を
有する溝から形成され、これらのそれぞれは互いに分離
または組立の可能な構成としてもよい。
出部Ｃとは、図３から図６に示したように、それぞれが
一体の形状に形成されている。上述した段差部Ｂはウェ
ーハＷの縁部に対応して所定の幅及び深さ並びに形状を
有する溝から形成され、これらのそれぞれは互いに分離
または組立の可能な構成としてもよい。
【００３５】ここで、図７に示したチャックプレート３
６ｆは、支持部Ａと段差部Ｂ及び突出部Ｃのうち少なく
ともいずれの一つとがそれぞれ分離または結合される構
成の一例を概略的に示した図である。段差部Ｂの上面の
外側部位がウェーハＷの縁部に垂直に対応する位置の内
側に位置し、段差部Ｂの外側壁には分離された管形状の
突出部Ｃが段差部Ｂの外側壁にそってスライディング昇
降可能に設置された構成である。
６ｆは、支持部Ａと段差部Ｂ及び突出部Ｃのうち少なく
ともいずれの一つとがそれぞれ分離または結合される構
成の一例を概略的に示した図である。段差部Ｂの上面の
外側部位がウェーハＷの縁部に垂直に対応する位置の内
側に位置し、段差部Ｂの外側壁には分離された管形状の
突出部Ｃが段差部Ｂの外側壁にそってスライディング昇
降可能に設置された構成である。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、工
程チャンバ内部に投入されるアッシングガスがウェーハ
全面のフォトレジストと段差部により露出されるポリマ
ーと反応するに従い、フォトレジストと共にポリマーな
どの副産物が同時に分解除去されて以後の洗浄時間が短
縮され、その後の工程不良が防止され、それに従う半導
体装置の製造収率が向上されるという効果がある。
程チャンバ内部に投入されるアッシングガスがウェーハ
全面のフォトレジストと段差部により露出されるポリマ
ーと反応するに従い、フォトレジストと共にポリマーな
どの副産物が同時に分解除去されて以後の洗浄時間が短
縮され、その後の工程不良が防止され、それに従う半導
体装置の製造収率が向上されるという効果がある。
【００３７】本発明は、具体的な実施例に対してのみ詳
しく説明したが、本発明の技術的思想の範囲内で変形及
び変更できることは本発明が属する分野の当業者には明
白なものであるが、そのような変形及び変更は本発明の
特許請求範囲に属するといえる。
しく説明したが、本発明の技術的思想の範囲内で変形及
び変更できることは本発明が属する分野の当業者には明
白なものであるが、そのような変形及び変更は本発明の
特許請求範囲に属するといえる。
【図１】本発明の一実施例による半導体装置のアッシン
グ設備のチャックプレートを適用したアッシング設備を
概略的に示す断面図である。
グ設備のチャックプレートを適用したアッシング設備を
概略的に示す断面図である。
【図２】図１に示すチャックプレートを拡大して示す図
である。
である。
【図３】図１に示すチャックプレートを拡大して示す図
である。
である。
【図４】図１に示すチャックプレートを拡大して示す図
である。
である。
【図５】図１に示すチャックプレートを拡大して示す図
である。
である。
【図６】図１に示すチャックプレートを拡大して示す図
である。
である。
【図７】図１に示すチャックプレートを拡大して示す図
である。
である。
【図８】図１に示したチャックプレートの上に形成され
るガス流入溝形状を概略的に示した平面図である。
るガス流入溝形状を概略的に示した平面図である。
【図９】図１に示したチャックプレート上に形成される
ガス流入溝形状を概略的に示した平面図である。
ガス流入溝形状を概略的に示した平面図である。
【図１０】食刻工程以後にウェーハ底面に形成されるポ
リマーの形成領域を示した底面図である。
リマーの形成領域を示した底面図である。
【図１１】従来の半導体装置のアッシング設備を概略的
に示した断面図である。
に示した断面図である。
【図１２】食刻工程以後のウェーハ進行過程を示したブ
ロック図である。
ロック図である。
３０ アッシング設備 ３２ チャンバ １４ ドア手段 ３４ チャック組立体 ３６ チャックプレート ２０ ヒーティング手段 ２２ ガス供給部 ２４ 排気管 ４０ ガイドフィン
Claims (17)
- 【請求項１】 半導体装置のアッシング設備のチャック
プレートであって、 上面がポリマー形成領域部位を除いたウェーハ底面内側
部位を密着支持するように形成された支持部と、前記支
持部の上面から下側方向へ段差をなしその上面が前記ポ
リマー形成領域を含んだウェーハ底面縁部に対向するよ
うに形成された段差部と、を備えることを特徴とする半
導体装置のアッシング設備のチャックプレート。 - 【請求項２】 前記支持部の上面と前記段差部の上面と
の間の段差は０．３〜０．５ｍｍの範囲に設定されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のアッシン
グ設備のチャックプレート。 - 【請求項３】 前記段差部の上面は少なくとも前記支持
部に支持されるウェーハ縁部の垂直に対応する位置より
も外側に拡張されるように形成されることを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置のアッシング設備のチャッ
クプレート。 - 【請求項４】 前記段差部の上面の前記支持部に支持さ
れるウェーハ縁部の垂直に対応する所定位置に設けられ
ている円錐形状のガイドフィンをさらに備えることを特
徴とする請求項１に記載の半導体装置のアッシング設備
のチャックプレート。 - 【請求項５】 前記段差部の外側に前記段差部の上面か
ら上側へ突出した形状をなす突出部が形成されることを
特徴とする請求項１に記載の半導体装置のアッシング設
備のチャックプレート。 - 【請求項６】 前記突出部の上側と前記支持部の上面と
は水平線上にあるように形成されることを特徴とする請
求項５に記載の半導体装置のアッシング設備のチャック
プレート。 - 【請求項７】 前記突出部の上面の内側端部は、少なく
とも前記支持部に支持されるウェーハ縁部と所定間隔の
隙間をなすように形成されることを特徴とする請求項５
に記載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレー
ト。 - 【請求項８】 前記突出部の上面の内側端部と前記支持
部に支持されているウェーハ縁部との隙間は０．５〜
１．５ｍｍの範囲内の間隔に形成されることを特徴とす
る請求項７に記載の半導体装置のアッシング設備のチャ
ックプレート。 - 【請求項９】 前記支持部の外側壁と前記突出部の内側
壁との間の間隔は、ウェーハのフラットゾーン部位を含
んだ縁部に対応して前記突出部の上面内側がなす隙間と
前記ポリマー形成領域の幅長さとを合算した間隔を基準
にして、約０〜１ｍｍの範囲の値をさらに加えた間隔に
設定されることを特徴とする請求項８に記載の半導体装
置のアッシング設備のチャックプレート。 - 【請求項１０】 前記支持部の外側壁と前記突出部の内
側壁との間の間隔は１０．５〜１２．５ｍｍ程度に設定
されることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の
アッシング設備のチャックプレート。 - 【請求項１１】 前記支持部と前記段差部との間または
前記段差部と前記突出部との間に傾斜面が形成されるこ
とを特徴とする請求項５に記載の半導体装置のアッシン
グ設備のチャックプレート。 - 【請求項１２】 前記支持部と前記段差部又は前記突出
部のうち何れ一つとは分離又は結合が可能に形成される
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置のアッシ
ング設備のチャックプレート。 - 【請求項１３】 前記支持部と前記段差部又は前記突出
部とは一体に形成されることを特徴とする請求項５に記
載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレート。 - 【請求項１４】 前記支持部の上面の外側端部の形状ま
たは前記突出部上面の内側端部の形状はウェーハフラッ
トゾーンを含んだ縁部の垂直に対応する位置から水平方
向に一定間隔に離隔されるようにウェーハ形状に形成さ
れることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置のア
ッシング設備のチャックプレート。 - 【請求項１５】 前記支持部の上面の外側端部の形状と
前記段差部の上面の内外側端部の形状及び前記突出部の
上面の内側端部の形状とはウェーハのフラットゾーンを
含んだ縁部が前記段差部の上面に垂直に対応する位置に
あるように円形状に形成されることを特徴とする請求項
５に記載の半導体装置のアッシング設備のチャックプレ
ート。 - 【請求項１６】 ポリマ形成領域部位を除いたウェーハ
底面を支持するように形成された支持部と、前記支持部
の上面と段差をなして前記ウェーハ底面の縁部に所定間
隔で対向するように形成されたチャックプレートと、前
記チャックプレートの外側の部位を覆う形状に昇降可能
に設置され上側部位にエレベーター手段によるウェーハ
ローディング位置を案内する傾斜部を有する突出部と、
前記チャックプレートの下部に設置されるヒーティング
手段と、を備えることを特徴とする半導体装置のアッシ
ング設備のチャック組立体。 - 【請求項１７】 前記傾斜部は、前記突出部の上側にそ
って延長されて形成されることを特徴とする請求項１６
に記載の半導体装置のアッシング設備のチャック組立
体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20000072878A KR100384060B1 (ko) | 2000-12-04 | 2000-12-04 | 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트 및 이를 이용한 척조립체 |
| KR2000-72878 | 2000-12-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002190511A true JP2002190511A (ja) | 2002-07-05 |
| JP4181764B2 JP4181764B2 (ja) | 2008-11-19 |
Family
ID=19702625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001319834A Expired - Fee Related JP4181764B2 (ja) | 2000-12-04 | 2001-10-17 | 半導体装置のアッシング設備のチャックプレート及びこれを用いたチャック組立体 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6531686B2 (ja) |
| JP (1) | JP4181764B2 (ja) |
| KR (1) | KR100384060B1 (ja) |
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| KR101063588B1 (ko) | 2008-11-05 | 2011-09-07 | 주식회사 디엠에스 | 커버 링의 수명을 연장하고 플라즈마 반응기의 식각 성능을향상시키기 위한 구조를 가지는 정전 척 어셈블리 |
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