JPH11317391A - ウエ―ハを乾式エッチングする装置及びこれに所属の方法 - Google Patents
ウエ―ハを乾式エッチングする装置及びこれに所属の方法Info
- Publication number
- JPH11317391A JPH11317391A JP11068782A JP6878299A JPH11317391A JP H11317391 A JPH11317391 A JP H11317391A JP 11068782 A JP11068782 A JP 11068782A JP 6878299 A JP6878299 A JP 6878299A JP H11317391 A JPH11317391 A JP H11317391A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- support
- etching
- etched
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 74
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 14
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 105
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Weting (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエーハの少なくとも１つの表面において縁
側の定義された区間からそのコーティングを乾式エッチ
ング方法において取り除き、したがって例えば半導体円
板において少なくとも１つの表面において定義された幅
の縁側のリング範囲をエッチング除去する可能性を提供
する。 【解決手段】 本発明は、コーティングされたウエーハ
（半導体円板）の表面の縁に近い定義された区間を乾式
エッチングする装置及び方法に関する。
側の定義された区間からそのコーティングを乾式エッチ
ング方法において取り除き、したがって例えば半導体円
板において少なくとも１つの表面において定義された幅
の縁側のリング範囲をエッチング除去する可能性を提供
する。 【解決手段】 本発明は、コーティングされたウエーハ
（半導体円板）の表面の縁に近い定義された区間を乾式
エッチングする装置及び方法に関する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コーティングされ
たウエーハ（半導体円板）の表面の縁に近い定義された
区間を乾式エッチングする装置及び方法に関する。
たウエーハ（半導体円板）の表面の縁に近い定義された
区間を乾式エッチングする装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばシリコンベースのこのようなウエ
ーハは、例えば全面的に二酸化シリコンベースのコーテ
ィングを有する。後続のプロセスのために（例えば金層
又はポリシリコン（多結晶シリコン）からなる層を取付
けようとするとき）、少なくとも主面の縁範囲におい
て、しかし場合によってはその周面及び／又は第２の主
面においても、ウエーハから存在するコーティングを除
去することが必要な場合がある。このことは、エッチン
グ方法によって行なわれ、これらのエッチング方法は、
とりわけ乾式エッチング方法と湿式エッチング方法とに
細分化することができる。
ーハは、例えば全面的に二酸化シリコンベースのコーテ
ィングを有する。後続のプロセスのために（例えば金層
又はポリシリコン（多結晶シリコン）からなる層を取付
けようとするとき）、少なくとも主面の縁範囲におい
て、しかし場合によってはその周面及び／又は第２の主
面においても、ウエーハから存在するコーティングを除
去することが必要な場合がある。このことは、エッチン
グ方法によって行なわれ、これらのエッチング方法は、
とりわけ乾式エッチング方法と湿式エッチング方法とに
細分化することができる。
【０００３】本発明は、ウエーハの乾式エッチング方法
に向けられている。その際、取り除くべきコーティング
（例えば二酸化シリコン層）は、ガス状のエッチング媒
体（例えばふっ化水素）によって処理され、その際、ガ
ス状のシリコンテトラフルオライド（ＳｉＦ４）が形成
される。
に向けられている。その際、取り除くべきコーティング
（例えば二酸化シリコン層）は、ガス状のエッチング媒
体（例えばふっ化水素）によって処理され、その際、ガ
ス状のシリコンテトラフルオライド（ＳｉＦ４）が形成
される。
【０００４】ヨーロッパ特許出願公開第０７０１２７６
号明細書は、ＨＦガスによりウエーハの片面エッチング
を行なう方法を記載している。他方の側のエッチング
は、エッチング過程の間に、不活性ガスによってこの側
を洗浄することによって阻止される。
号明細書は、ＨＦガスによりウエーハの片面エッチング
を行なう方法を記載している。他方の側のエッチング
は、エッチング過程の間に、不活性ガスによってこの側
を洗浄することによって阻止される。
【０００５】米国特許第５３８４００８号明細書によれ
ば、ウエーハの表面に材料層を取付ける方法及び装置が
公知であり、しかもウエーハの裏側に残留物なしに取付
ける方法及び装置が公知である。ウエーハの裏側におけ
るこのような残留物を取り除くために、ウエーハは支持
体上に置かれ、しかも支持体の縁範囲が突出するように
置かれる。そのために支持体表面は、例えばウエーハの
縁範囲において対応する凹所を有する。このようにして
次のエッチングプロセスにおいて、ウエーハの妨げられ
ずに突出する下側の縁範囲をエッチングすることができ
る。
ば、ウエーハの表面に材料層を取付ける方法及び装置が
公知であり、しかもウエーハの裏側に残留物なしに取付
ける方法及び装置が公知である。ウエーハの裏側におけ
るこのような残留物を取り除くために、ウエーハは支持
体上に置かれ、しかも支持体の縁範囲が突出するように
置かれる。そのために支持体表面は、例えばウエーハの
縁範囲において対応する凹所を有する。このようにして
次のエッチングプロセスにおいて、ウエーハの妨げられ
ずに突出する下側の縁範囲をエッチングすることができ
る。
【０００６】しかしながらこのようにして定義された縁
範囲をエッチング除去することはできず；それどころか
ウエーハの下側において支持体とウエーハとの間の境界
範囲に、相対的に不規則な境界輪郭が生じる。
範囲をエッチング除去することはできず；それどころか
ウエーハの下側において支持体とウエーハとの間の境界
範囲に、相対的に不規則な境界輪郭が生じる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ウエ
ーハの少なくとも１つの表面において縁側の定義された
区間からそのコーティングを乾式エッチング方法におい
て取り除き、したがって例えば半導体円板において少な
くとも１つの表面において定義された幅の縁側のリング
範囲をエッチング除去する可能性を提供することにあ
る。
ーハの少なくとも１つの表面において縁側の定義された
区間からそのコーティングを乾式エッチング方法におい
て取り除き、したがって例えば半導体円板において少な
くとも１つの表面において定義された幅の縁側のリング
範囲をエッチング除去する可能性を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この課題設定から出発し
て、エッチングすべき区間を除外してウエーハ表面を例
えば覆うこと、又はヨーロッパ特許出願公開０７０１２
７６号明細書に暗示されるように、不活性ガスシールド
によってエッチング媒体から保護することは、容易に考
えられる。実際にこの様式及び方法で、ウエーハ表面の
縁側コーティング区間もエッチング除去することができ
るが、“不規則な”輪郭によってエッチング除去され
る。とくにエッチングされる及びエッチングされない表
面の間の移行範囲において、このようにしても、明らか
にこの範囲におけるエッチングガスの管理不能な拡散過
程によって引起こされ、定義された境界領域を形成する
ことはできない。
て、エッチングすべき区間を除外してウエーハ表面を例
えば覆うこと、又はヨーロッパ特許出願公開０７０１２
７６号明細書に暗示されるように、不活性ガスシールド
によってエッチング媒体から保護することは、容易に考
えられる。実際にこの様式及び方法で、ウエーハ表面の
縁側コーティング区間もエッチング除去することができ
るが、“不規則な”輪郭によってエッチング除去され
る。とくにエッチングされる及びエッチングされない表
面の間の移行範囲において、このようにしても、明らか
にこの範囲におけるエッチングガスの管理不能な拡散過
程によって引起こされ、定義された境界領域を形成する
ことはできない。
【０００９】しかし系統的な研究によって、ウエーハの
エッチングすべき（エッチングされた）及びエッチング
しない表面の間に定義された境界線を形成するために、
このような拡散過程を利用できることがわかった。
エッチングすべき（エッチングされた）及びエッチング
しない表面の間に定義された境界線を形成するために、
このような拡散過程を利用できることがわかった。
【００１０】ただしこのような定義された境界線は、
“ある程度の距離”にわたって前記の拡散過程が有効に
なることができるときにしか、達成することはできな
い。
“ある程度の距離”にわたって前記の拡散過程が有効に
なることができるときにしか、達成することはできな
い。
【００１１】そのために本発明は、コーティングされた
ウエーハの少なくとも１つの表面の縁に近い定義された
区間を乾式エッチングする装置を提供し、この装置は、
次の特徴を有する： −エッチング室が、 −ガス状のエッチング媒体のための少なくとも１つの供
給開口、 −ウエーハのための支持面を備えかつエッチング室の内
部空間に配置された支持体、及び −過剰のエッチング媒体及び場合によってはエッチング
過程によって生じる反応生成物のための少なくとも１つ
の取出し開口を有し、その際、 −支持体が、その外側輪郭によって、回りを囲んでウエ
ーハのエッチングすべき表面区間の内側輪郭を越えて突
出するように構成されている。
ウエーハの少なくとも１つの表面の縁に近い定義された
区間を乾式エッチングする装置を提供し、この装置は、
次の特徴を有する： −エッチング室が、 −ガス状のエッチング媒体のための少なくとも１つの供
給開口、 −ウエーハのための支持面を備えかつエッチング室の内
部空間に配置された支持体、及び −過剰のエッチング媒体及び場合によってはエッチング
過程によって生じる反応生成物のための少なくとも１つ
の取出し開口を有し、その際、 −支持体が、その外側輪郭によって、回りを囲んでウエ
ーハのエッチングすべき表面区間の内側輪郭を越えて突
出するように構成されている。
【００１２】その際、エッチング室は、処理すべきウエ
ーハを収容し、かつ定義された処理空間を提供するため
に使われる。エッチング媒体、例えばＨＦガスは、供給
開口を介してエッチング室の内部空間内に供給される。
ーハを収容し、かつ定義された処理空間を提供するため
に使われる。エッチング媒体、例えばＨＦガスは、供給
開口を介してエッチング室の内部空間内に供給される。
【００１３】エッチング室の内部空間において、支持体
は、処理すべきウエーハを収容するために使われる。そ
の際、ウエーハの確実な支持及び周側において均一なエ
ッチング処理を可能にするために、ウエーハのための支
持面を水平に配置すると有利である。支持体、したがっ
てウエーハをエッチング室の中央に配置し、かつ例えば
丸いウエーハのためにエッチング室を回転対称に構成す
ることは、この意図において同様に有利である。
は、処理すべきウエーハを収容するために使われる。そ
の際、ウエーハの確実な支持及び周側において均一なエ
ッチング処理を可能にするために、ウエーハのための支
持面を水平に配置すると有利である。支持体、したがっ
てウエーハをエッチング室の中央に配置し、かつ例えば
丸いウエーハのためにエッチング室を回転対称に構成す
ることは、この意図において同様に有利である。
【００１４】エッチング媒体の供給は、通常連続的に行
なわれるので、少なくとも１つの取出し開口が設けられ
ており、この取出し開口を介して過剰の又は消費された
エッチングガスが、場合によってはエッチング過程によ
って生じる反応生成物と同様に運び去ることができる。
なわれるので、少なくとも１つの取出し開口が設けられ
ており、この取出し開口を介して過剰の又は消費された
エッチングガスが、場合によってはエッチング過程によ
って生じる反応生成物と同様に運び去ることができる。
【００１５】この時、装置の相応する特徴は、支持体の
具体的な幾何学的な構成にある。その外側輪郭、すなわ
ちその支持面の周線は、内側輪郭、すなわちエッチング
除去すべき面区間の内側周線よりも大きくなければなら
ない。その際、ウエーハのエッチング除去すべき表面区
間の周線は、ウエーハを載せた際に、支持体の外側輪郭
内にあるという別の要求が存在することは明らかであ
る。
具体的な幾何学的な構成にある。その外側輪郭、すなわ
ちその支持面の周線は、内側輪郭、すなわちエッチング
除去すべき面区間の内側周線よりも大きくなければなら
ない。その際、ウエーハのエッチング除去すべき表面区
間の周線は、ウエーハを載せた際に、支持体の外側輪郭
内にあるという別の要求が存在することは明らかであ
る。
【００１６】通常ウエーハは、円板の形を有する。ウエ
ーハの仮定された外径Ｄ、及び縁範囲におけるウエーハ
の表面にその外径がｄである（その際、Ｄ＞ｄである）
リング状の区間をエッチング除去する要求の際に、この
ことから支持体の幾何学について、ここに仮定されたリ
ング状又は円形リング状の支持体は、外径ｄ＋ｘを有
し、その際、ｘ＞０であるという結果が生じる。
ーハの仮定された外径Ｄ、及び縁範囲におけるウエーハ
の表面にその外径がｄである（その際、Ｄ＞ｄである）
リング状の区間をエッチング除去する要求の際に、この
ことから支持体の幾何学について、ここに仮定されたリ
ング状又は円形リング状の支持体は、外径ｄ＋ｘを有
し、その際、ｘ＞０であるという結果が生じる。
【００１７】（ｄ＋ｘ）＜Ｄである適用例から出発し
て、エッチング媒体は、始めに主として支持体を越えて
突出するウエーハの縁側の表面区間をエッチング除去す
るが；エッチング媒体は、続いて支持体の支持面とウエ
ーハの相応する面区間との間の範囲に侵入し、かつこの
区間における相応するウエーハコーティングを、拡散プ
ロセスを介したエッチング媒体の侵入深さの増大に相応
して同様にエッチング除去することがわかった。その
際、エッチング媒体は、驚くほど全面的に均一に深く支
持体とウエーハとの間の接触範囲内に侵入するので、そ
の結果、ウエーハ／支持体の接触範囲におけるウエーハ
のエッチングされる及びエッチングされない表面区間の
間の正確に定義可能な境界線が形成される。
て、エッチング媒体は、始めに主として支持体を越えて
突出するウエーハの縁側の表面区間をエッチング除去す
るが；エッチング媒体は、続いて支持体の支持面とウエ
ーハの相応する面区間との間の範囲に侵入し、かつこの
区間における相応するウエーハコーティングを、拡散プ
ロセスを介したエッチング媒体の侵入深さの増大に相応
して同様にエッチング除去することがわかった。その
際、エッチング媒体は、驚くほど全面的に均一に深く支
持体とウエーハとの間の接触範囲内に侵入するので、そ
の結果、ウエーハ／支持体の接触範囲におけるウエーハ
のエッチングされる及びエッチングされない表面区間の
間の正確に定義可能な境界線が形成される。
【００１８】通常支持体の外側輪郭は、回りを囲んでウ
エーハのエッチングすべき表面区間の内側輪郭に対して
同じ間隔を有する。このことは、とくに縁側において定
義されたリング面をエッチング除去しようとする半導体
円板に対して成立つ。
エーハのエッチングすべき表面区間の内側輪郭に対して
同じ間隔を有する。このことは、とくに縁側において定
義されたリング面をエッチング除去しようとする半導体
円板に対して成立つ。
【００１９】しかし個々の境界線を、例えば波形に又は
直線区間を有するように形成することも、わけなく可能
である。
直線区間を有するように形成することも、わけなく可能
である。
【００２０】１つの構成によれば、ウエーハのための支
持体の支持面は、ウエーハ表面よりも明らかに小さい。
持体の支持面は、ウエーハ表面よりも明らかに小さい。
【００２１】支持体は、例えばリング形をしていてもよ
く、その際、リングの幅（又は一般化して：支持面の
幅）は、前記の教示に相応して、エッチング除去しない
表面区間の少なくとも一部を覆うように選択されてい
る。
く、その際、リングの幅（又は一般化して：支持面の
幅）は、前記の教示に相応して、エッチング除去しない
表面区間の少なくとも一部を覆うように選択されてい
る。
【００２２】比較的狭い支持面におけるウエーハの支持
は、支持体上におけるウエーハの位置を安定化する。
は、支持体上におけるウエーハの位置を安定化する。
【００２３】１つの構成によれば、ウエーハのエッチン
グすべき表面区間の内側輪郭と支持体の外側輪郭との間
の間隔は、１ないし６ｍｍである。
グすべき表面区間の内側輪郭と支持体の外側輪郭との間
の間隔は、１ないし６ｍｍである。
【００２４】別の横成によれば、支持体の支持面の外側
輪郭が、ウエーハの外側輪郭に等しいか、又はそれどこ
ろかそれより大きいことが考慮されている。
輪郭が、ウエーハの外側輪郭に等しいか、又はそれどこ
ろかそれより大きいことが考慮されている。
【００２５】その際、縁側のエッチングは、もっぱら前
記の拡散プロセスを介して行なわれるが、同様に定義す
るので、その結果、同様にウエーハのエッチングされた
及びエッチングされない表面区間の間に、定義された境
界線が、例えば正確な円線が形成される。
記の拡散プロセスを介して行なわれるが、同様に定義す
るので、その結果、同様にウエーハのエッチングされた
及びエッチングされない表面区間の間に、定義された境
界線が、例えば正確な円線が形成される。
【００２６】支持体上におけるウエーハの支持及び前記
の拡散プロセスは、ウエーハのエッチングすべき表面区
間に対向する支持体の支持面が、少なくとも１つの循環
する溝を有すると、それにより最適化することができ
る。その際、溝の深さと幅は、μｍより小さい程度に制
限することができる。
の拡散プロセスは、ウエーハのエッチングすべき表面区
間に対向する支持体の支持面が、少なくとも１つの循環
する溝を有すると、それにより最適化することができ
る。その際、溝の深さと幅は、μｍより小さい程度に制
限することができる。
【００２７】支持体上にウエーハをセットし、又は支持
体から取出すために、補助機構が必要である。取付け／
解体は、ウエーハに作用する昇降装置によって容易にす
ることができる。
体から取出すために、補助機構が必要である。取付け／
解体は、ウエーハに作用する昇降装置によって容易にす
ることができる。
【００２８】この昇降装置は、例えば垂直に可動のピン
からなることができ、なるべく少なくとも３つのピンか
らなることができ、これらのピンは、取出すためにウエ
ーハを上方に持ち上げ、したがって支持体から離す。
からなることができ、なるべく少なくとも３つのピンか
らなることができ、これらのピンは、取出すためにウエ
ーハを上方に持ち上げ、したがって支持体から離す。
【００２９】とくに回転対称のウエーハの際に、一定の
幅の縁区間をエッチング除去できるようにするため、さ
らに支持体に関してウエーハを同心的に配置する位置決
め手段を設けることができる。これらの位置決め手段
は、例えば処理すべきウエーハの外側輸郭（外径）に沿
って配置された案内部材（例えば案内ピン）からなるこ
とができる。たとえば３つのピン状の案内部材の場合、
ウエーハは、相応してその周の３つの点において案内ピ
ンに接触し、これらの点は、この場合、なるべく互いに
１２０°の角度を有する。
幅の縁区間をエッチング除去できるようにするため、さ
らに支持体に関してウエーハを同心的に配置する位置決
め手段を設けることができる。これらの位置決め手段
は、例えば処理すべきウエーハの外側輸郭（外径）に沿
って配置された案内部材（例えば案内ピン）からなるこ
とができる。たとえば３つのピン状の案内部材の場合、
ウエーハは、相応してその周の３つの点において案内ピ
ンに接触し、これらの点は、この場合、なるべく互いに
１２０°の角度を有する。
【００３０】相応した案内部材は、同様にウエーハを取
付けかつ解体するために利用することができる。
付けかつ解体するために利用することができる。
【００３１】装置は、同様にウエーハにおいて両方の表
面を縁側においてエッチング除去するために利用するこ
とができる。この場合、ウエーハは、上側において相応
する“マスク”によって覆われ、その際、このマスクの
幾何学的構造に対して、支持体に対するものと同じ予定
が成立つ。ここでもマスクは、例えば帽子状に構成する
ことができ、したがって縁側だけにおいてウエーハ表面
上に載っているこどが成立つ。
面を縁側においてエッチング除去するために利用するこ
とができる。この場合、ウエーハは、上側において相応
する“マスク”によって覆われ、その際、このマスクの
幾何学的構造に対して、支持体に対するものと同じ予定
が成立つ。ここでもマスクは、例えば帽子状に構成する
ことができ、したがって縁側だけにおいてウエーハ表面
上に載っているこどが成立つ。
【００３２】最後にその下側の縁側及び周面及びその上
面をエッチングするように、ウエーハを処理することも
可能である。この場合、初めに述べた支持体を配置する
だけでよい。
面をエッチングするように、ウエーハを処理することも
可能である。この場合、初めに述べた支持体を配置する
だけでよい。
【００３３】ガス状のエッチング媒体によってコーティ
ングされたウエーハの少なくとも１つの表面の縁に近い
定義された少なくとも１つの区間を乾式エッチングする
所属の方法は、次の点で傑出している。すなわち支持体
が、その支持面の外側輪郭によって、回りを囲んでエッ
チングすべき縁に近い表面区間の内側輪郭を越えて突出
するように、ウエーハを、支持体の支持面上に載せ、か
つエッチング媒体が、支持体の支持面によって覆われた
その縁に近い表面区間においてウエーハのコーティング
を所望の定義された程度にエッチング除去するまで、エ
ッチングプロセスを行なう。
ングされたウエーハの少なくとも１つの表面の縁に近い
定義された少なくとも１つの区間を乾式エッチングする
所属の方法は、次の点で傑出している。すなわち支持体
が、その支持面の外側輪郭によって、回りを囲んでエッ
チングすべき縁に近い表面区間の内側輪郭を越えて突出
するように、ウエーハを、支持体の支持面上に載せ、か
つエッチング媒体が、支持体の支持面によって覆われた
その縁に近い表面区間においてウエーハのコーティング
を所望の定義された程度にエッチング除去するまで、エ
ッチングプロセスを行なう。
【００３４】その際、エッチングプロセスの間に消費さ
れなかったエッチング媒体、及びエッチングプロセスに
よって生じた反応生成物、例えばＳｉＦ４、Ｈ２Ｏを取
り除き、かつ同時に新しいエッチング媒体を供給し、か
つエッチング媒体が、支持体の支持面によって覆われた
その縁に近い表面区間においてウエーハのコーティング
を所望の定義された程度にエッチング除去するまで、こ
れら両方の方法ステップを頻繁に繰返すことができる。
れなかったエッチング媒体、及びエッチングプロセスに
よって生じた反応生成物、例えばＳｉＦ４、Ｈ２Ｏを取
り除き、かつ同時に新しいエッチング媒体を供給し、か
つエッチング媒体が、支持体の支持面によって覆われた
その縁に近い表面区間においてウエーハのコーティング
を所望の定義された程度にエッチング除去するまで、こ
れら両方の方法ステップを頻繁に繰返すことができる。
【００３５】別の方法変形によれば、ウエーハをその周
縁から内方に延びた縁に近いその区間によって、支持体
の支持面の範囲に載せ、この支持体が、少なくともウエ
ーハのエッチング除去すべき縁に近い表面区間の程度の
幅を有する。このようにしてウエーハのエッチング除去
された及びエッチング除去されない表面区間の間の境界
線が、前に詳細に説明したように、支持体とウエーハと
の間の接触領域にあることが保証される。
縁から内方に延びた縁に近いその区間によって、支持体
の支持面の範囲に載せ、この支持体が、少なくともウエ
ーハのエッチング除去すべき縁に近い表面区間の程度の
幅を有する。このようにしてウエーハのエッチング除去
された及びエッチング除去されない表面区間の間の境界
線が、前に詳細に説明したように、支持体とウエーハと
の間の接触領域にあることが保証される。
【００３６】同様に支持体から離れた方のウエーハの表
面も処理することができることは、前にすでに述べた。
そのためにウエーハのこの表面をカバーによって覆い、
このカバーが、ウエーハの回りを囲む縁に近い表面区間
を露出するが、その外側輪郭によって、ウエーハのこの
表面においてエッチングすべき縁に近い表面区間の内側
輪郭を越えて突出する構成が考慮されている。それによ
り基本的に、前に“下側エッチング”に関してすでに記
載した特徴は、同様にウエーハの上側に転用される。
面も処理することができることは、前にすでに述べた。
そのためにウエーハのこの表面をカバーによって覆い、
このカバーが、ウエーハの回りを囲む縁に近い表面区間
を露出するが、その外側輪郭によって、ウエーハのこの
表面においてエッチングすべき縁に近い表面区間の内側
輪郭を越えて突出する構成が考慮されている。それによ
り基本的に、前に“下側エッチング”に関してすでに記
載した特徴は、同様にウエーハの上側に転用される。
【００３７】通常の場合、エッチングプロセスによって
生じた反応生成物（例えば水）がウエーハにおいて凝縮
する前に、消費されなかったエッチング媒体及び生じた
反応生成物の除去が行なわれるようにする。
生じた反応生成物（例えば水）がウエーハにおいて凝縮
する前に、消費されなかったエッチング媒体及び生じた
反応生成物の除去が行なわれるようにする。
【００３８】方法は、室温及び大気圧において行なうこ
とができる。
とができる。
【００３９】その他の点において方法に関して、装置に
よって説明したものと同じ特徴及び利点が得られる。
よって説明したものと同じ特徴及び利点が得られる。
【００４０】方法は、記載した装置によって相応して実
行することができる。次の図の説明によってなお詳細に
説明するように、支持体（ウエーハのための支持台）
は、ウエーハを支持体に載せる範囲内に凹所を有する。
この凹所によって全面的にウエーハを載せる際に生じる
ことがある問題は避けられる。ウエーハを支持体上に全
面的に載せる際、これは、縁範囲において支持面に対し
てどこでも同じ間隔を置いて配置することができず、こ
のことは、同様に不均一又は不規則な下側エッチングに
至ることがある。ウエーハが、エッチングすべきその縁
範囲においてのみ載っているとき、後にチップを製造し
ようとするウエーハ（半導体円板）の範囲が接触されな
いという利点も得られる。
行することができる。次の図の説明によってなお詳細に
説明するように、支持体（ウエーハのための支持台）
は、ウエーハを支持体に載せる範囲内に凹所を有する。
この凹所によって全面的にウエーハを載せる際に生じる
ことがある問題は避けられる。ウエーハを支持体上に全
面的に載せる際、これは、縁範囲において支持面に対し
てどこでも同じ間隔を置いて配置することができず、こ
のことは、同様に不均一又は不規則な下側エッチングに
至ることがある。ウエーハが、エッチングすべきその縁
範囲においてのみ載っているとき、後にチップを製造し
ようとするウエーハ（半導体円板）の範囲が接触されな
いという利点も得られる。
【００４１】本発明のその他の特徴は、特許請求の範囲
従属請求項の特徴及びその他の出願書類から明らかであ
る。
従属請求項の特徴及びその他の出願書類から明らかであ
る。
【００４２】
【発明の実施の形態】次に本発明を実施例により詳細に
説明する。
説明する。
【００４３】図１は、丸い内部空間１２を備えたエッチ
ング室１０を示しており、この内部空間は、下側におい
て底部１４によって、かつ上側においてベル状のフード
１６によって区切られている。フード１６は、取り外し
可能に底部１４上に載せられている。
ング室１０を示しており、この内部空間は、下側におい
て底部１４によって、かつ上側においてベル状のフード
１６によって区切られている。フード１６は、取り外し
可能に底部１４上に載せられている。
【００４４】フード１６の蓋１６ｄに供給開口１８が設
けられており、この供給開口内に（図示しない）導管が
口を開いており、この導管は、エッチングガス、ここで
は：ＨＦガスを、エッチング室１０の内部空間１２内に
導く。
けられており、この供給開口内に（図示しない）導管が
口を開いており、この導管は、エッチングガス、ここで
は：ＨＦガスを、エッチング室１０の内部空間１２内に
導く。
【００４５】底部１４に複数の開口２０が設けられてお
り、しかもそれぞれフード１６の壁部分１６ｗに隣接し
て設けられており、これらの開口は、消費された又は過
剰のエッチングガスを放出する（取出す）ために使われ
る。
り、しかもそれぞれフード１６の壁部分１６ｗに隣接し
て設けられており、これらの開口は、消費された又は過
剰のエッチングガスを放出する（取出す）ために使われ
る。
【００４６】開口２０の内側に並べて、底部１４にリン
グ状の凹所２２が延びている。
グ状の凹所２２が延びている。
【００４７】凹所２２の内壁に、リング状の支持体２４
が挿入されており、この支持体は、凹所２２を越えて上
方に突出しており、かつこの凹所の平らに研磨された上
側端面２６は、ウエーハ２８のための水平な支持面を形
成しており、このウエーハは、ここでは外径Ｄを備えた
円板の形を有する。支持体２４の形に相応して、ウエー
ハ２８の中央区間は、支持体２４上に載っていない。
が挿入されており、この支持体は、凹所２２を越えて上
方に突出しており、かつこの凹所の平らに研磨された上
側端面２６は、ウエーハ２８のための水平な支持面を形
成しており、このウエーハは、ここでは外径Ｄを備えた
円板の形を有する。支持体２４の形に相応して、ウエー
ハ２８の中央区間は、支持体２４上に載っていない。
【００４８】図から明らかなように、ウエーハ２８は、
支持体２４に対して同心的に配置されており、かつ周側
において同じ間隔で支持体２４を越えて突出している。
支持体２４に対して同心的に配置されており、かつ周側
において同じ間隔で支持体２４を越えて突出している。
【００４９】ウエーハ２８の外周に複数のピン３０が接
しており、これらのピンは、底部１４の凹所２２の範囲
に固定されている。
しており、これらのピンは、底部１４の凹所２２の範囲
に固定されている。
【００５０】再び支持体２４に対して内側に、さらに底
部１４に昇降棒３２が配置されており、これらの昇降棒
は、矢印方向Ｐに垂直に可動であり、かつ例えば続いて
ウエーハ２８を（あらかじめフード１６を取り除いた後
に）取出し、かつ新しいウエーハ２８に置き換えること
ができるようにするため、上方に垂直に移動する際に、
ウエーハ２８を支持体２４から持ち上げるために使われ
る。
部１４に昇降棒３２が配置されており、これらの昇降棒
は、矢印方向Ｐに垂直に可動であり、かつ例えば続いて
ウエーハ２８を（あらかじめフード１６を取り除いた後
に）取出し、かつ新しいウエーハ２８に置き換えること
ができるようにするため、上方に垂直に移動する際に、
ウエーハ２８を支持体２４から持ち上げるために使われ
る。
【００５１】装置の動作は次のとおりである：
【００５２】支持体２４上にウエーハ２８を挿入し、か
つ底部１４上にフード１６を被せた後に、供給開口１８
を介してエッチング室１０の内部空間１２内にエッチン
グガスが導かれる。
つ底部１４上にフード１６を被せた後に、供給開口１８
を介してエッチング室１０の内部空間１２内にエッチン
グガスが導かれる。
【００５３】その際、エッチングガスは、ウエーハ２８
の上側２８ｏ、ウエーハ２８の周面２８ｆ、及びまず支
持体２４を越えて側方に突出したウエーハ２８の下側２
８ｕの区間２８ｒの回りを洗う。
の上側２８ｏ、ウエーハ２８の周面２８ｆ、及びまず支
持体２４を越えて側方に突出したウエーハ２８の下側２
８ｕの区間２８ｒの回りを洗う。
【００５４】相応してまずこれらの範囲においてウエー
ハ２８の表面コーティングがエッチング除去される。し
かし続いて拡散過程によってエッチングガスは、外側か
ら支持体２４（又はその端面２６）とウエーハ２８の下
側２８ｕにおける対応する面区間との間の接触範囲に侵
入するので、図３に示すように、ウエーハ２８の下側２
８ｕのエッチング除去される縁範囲は、半径方向内方に
継続し、しかも距離ｘ（図３）にわたって継続する。こ
のエッチングプロセスは、ウエーハの“下側においてエ
ッチングされるので、“下側エッチング”とも称する。
ハ２８の表面コーティングがエッチング除去される。し
かし続いて拡散過程によってエッチングガスは、外側か
ら支持体２４（又はその端面２６）とウエーハ２８の下
側２８ｕにおける対応する面区間との間の接触範囲に侵
入するので、図３に示すように、ウエーハ２８の下側２
８ｕのエッチング除去される縁範囲は、半径方向内方に
継続し、しかも距離ｘ（図３）にわたって継続する。こ
のエッチングプロセスは、ウエーハの“下側においてエ
ッチングされるので、“下側エッチング”とも称する。
【００５５】エッチング処理の前における支持体２４上
のウエーハ２８を示す図２と比較して、ウエーハ２８の
表面コーティング３４が、この時、上側２８ｏにおいて
完全に、周面２８ｆにおいて同様に完全に、かつ下側２
８ｕにおいて距離（Ｄ−ｄ）／２にわたってエッチング
除去されていることが明らかであり、その際、ｄは、ウ
エーハ２８の下側２８ｕのエッチング除去されないコー
ティング３４の外径、又はウエーハ２８の下側２８ｕの
エッチング除去される範囲の内径を表わしている。
のウエーハ２８を示す図２と比較して、ウエーハ２８の
表面コーティング３４が、この時、上側２８ｏにおいて
完全に、周面２８ｆにおいて同様に完全に、かつ下側２
８ｕにおいて距離（Ｄ−ｄ）／２にわたってエッチング
除去されていることが明らかであり、その際、ｄは、ウ
エーハ２８の下側２８ｕのエッチング除去されないコー
ティング３４の外径、又はウエーハ２８の下側２８ｕの
エッチング除去される範囲の内径を表わしている。
【００５６】前記の方法における特別な点は、エッチン
グが支持体２４とウエーハ２８との間の接触範囲におい
ても行なわれ、かつその際、同時に定義された境界線、
ここでは直径ｄを有する正確な円線が形成されることに
ある。
グが支持体２４とウエーハ２８との間の接触範囲におい
ても行なわれ、かつその際、同時に定義された境界線、
ここでは直径ｄを有する正確な円線が形成されることに
ある。
【図１】本発明による装置の垂直断面図である。
【図２】エッチング処理の前の載せられたウエーハを備
えた支持体の拡大して示す部分断面図である。
えた支持体の拡大して示す部分断面図である。
【図３】エッチング処理の後の載せられたウエーハを備
えた支持体の拡大して示す部分断面図である。
えた支持体の拡大して示す部分断面図である。
１０ エッチング室 １２ 内部空間 １４ 底部 １６ フード １８ 供給開口 ２０ 開口 ２２ 凹所 ２４ 支持体 ２６ 支持面 ２８ ウエーハ ３０ 案内部材 ３２ 昇降装置
Claims (16)
- 【請求項１】 コーティングされたウエーハ（２８）の
少なくとも１つの表面（２８ｕ）の縁に近い定義された
区間を乾式エッチングする装置において、 １．１、エッチング室（１０）が、 １．１．１、ガス状のエッチング媒体のための少なくと
も１つの供給開口（１８）、 １．１．２、ウエーハ（２８）のための支持面（２６）
を備えかつエッチング室（１０）の内部空間（１２）に
配置された支持体（２４）、及び １．１．３、過剰のエッチング媒体及び場合によっては
エッチング過程によって生じる反応生成物のための少な
くとも１つの取出し開口（２０）を有し、その際、 １．２、支持体（２４）が、その外側輪郭によって、回
りを囲んでウエーハのエッチングすべき表面区間の内側
輪郭を越えて突出するように構成されていることを特徴
とする、ウエーハを乾式エッチングする装置。 - 【請求項２】 支持体（２４）の外側輪郭が、回りを囲
んでウエーハ（２８）のエッチングすべき表面区間の内
側輪郭に対して同じ間隔を有することを特徴とする、請
求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 ウエーハ（２８）のエッチングすべき表
面区間の内側輪郭と支持体（２４）の外側輪郭との間の
間隔が、１ないし６ｍｍであることを特徴とする、請求
項１に記載の装置。 - 【請求項４】 支持体（２４）の外側輪郭が、最大でウ
エーハ（２８）の外側輪郭に相当することを特徴とす
る、請求項１に記載の装置。 - 【請求項５】 支持体（２４）がリング形を有すること
を特徴とする、請求項１に記載の装置。 - 【請求項６】 支持体（２４）の外径が、ウエーハ（２
８）のエッチングすべき表面区間の内径よりも大きいこ
とを特徴とする、請求項１に記載の装置。 - 【請求項７】 ウエーハのエッチングすべき表面区間に
対向する支持体（２４）の支持面（２６）が、少なくと
も１つの循環する溝を有することを特徴とする、請求項
１に記載の装置。 - 【請求項８】 ウエーハ（２８）に作用する昇降装置
（３２）を有することを特徴とする、請求項１に記載の
装置。 - 【請求項９】 昇降装置（３２）が、垂直に可動のピン
からなることを特徴とする、請求項８に記載の装置。 - 【請求項１０】 処理すべきウエーハ（２８）の外側輪
郭に沿って配置されたウエーハ（２８）のための案内部
材（３０）を有することを特徴とする、請求項１に記載
の装置。 - 【請求項１１】 ガス状のエッチング媒体によってコー
ティングされたウエーハの少なくとも１つの表面の縁に
近い定義された少なくとも１つの区間を乾式エッチング
する方法において、支持体が、その支持面の外側輪郭に
よって、回りを囲んでエッチングすべき縁に近い表面区
間の内側輪郭を越えて突出するように、ウエーハを、支
持体の支持面上に載せ、かつエッチング媒体が、支持体
の支持面によって覆われたその縁に近い表面区間におい
てウエーハのコーティングを所望の定義された程度にエ
ッチング除去するまで、エッチングプロセスを行なうこ
とを特徴とする、ウエーハを乾式エッチングする方法。 - 【請求項１２】 エッチングプロセスの間に消費されな
かったエッチング媒体、及びエッチングプロセスによっ
て生じた反応生成物を取り除き、新しいエッチング媒体
を供給し、かつエッチング媒体が、支持体の支持面によ
って覆われたその縁に近い表面区間においてウエーハの
コーティングを所望の定義された程度にエッチング除去
するまで、これら両方の方法ステップを頻繁に繰返すこ
とを特徴とする、請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１３】 ウエーハをその周縁から内方に延びた
縁に近い区間によって、支持体の支持面の範囲に載せ、
この支持体が、少なくともウエーハのエッチング除去す
べき縁に近い表面区間の程度の幅を有することを特徴と
する、請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１４】 支持体から離れた方のウエーハの表面
にカバーを載せ、このカバーが、ウエーハの回りを囲む
縁に近い表面区間を露出するが、その外側輪郭によっ
て、ウエーハのこの表面においてエッチングすべき縁に
近い表面区間の内側輪郭を越えて突出することを特徴と
する、請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１５】 エッチングプロセスによって生じた反
応生成物がウエーハにおいて凝縮する前に、消費されな
かったエッチング媒体及び生じた反応生成物を取り除く
ことを特徴とする、請求項１２に記載の方法。 - 【請求項１６】 室温及び大気圧においてエッチングプ
ロセスを行なうことを特徴とする、請求項１１に記載の
方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19806815 | 1998-02-18 | ||
| DE19806815.8 | 1998-02-18 | ||
| DE19828290.7 | 1998-06-25 | ||
| DE19828290 | 1998-06-25 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011009997A Division JP2011077561A (ja) | 1998-02-18 | 2011-01-20 | ウエーハを乾式エッチングする装置及びこれに所属の方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11317391A true JPH11317391A (ja) | 1999-11-16 |
Family
ID=26043951
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11068782A Pending JPH11317391A (ja) | 1998-02-18 | 1999-02-09 | ウエ―ハを乾式エッチングする装置及びこれに所属の方法 |
| JP2011009997A Pending JP2011077561A (ja) | 1998-02-18 | 2011-01-20 | ウエーハを乾式エッチングする装置及びこれに所属の方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011009997A Pending JP2011077561A (ja) | 1998-02-18 | 2011-01-20 | ウエーハを乾式エッチングする装置及びこれに所属の方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010008804A1 (ja) |
| JP (2) | JPH11317391A (ja) |
| DE (1) | DE19860163B4 (ja) |
| GB (1) | GB2334620B (ja) |
| IT (1) | IT1307767B1 (ja) |
| TW (1) | TW424276B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013182910A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Sumco Corp | シリコンウェーハの表面に形成された酸化膜の除去方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6631935B1 (en) * | 2000-08-04 | 2003-10-14 | Tru-Si Technologies, Inc. | Detection and handling of semiconductor wafer and wafer-like objects |
| JP7322365B2 (ja) * | 2018-09-06 | 2023-08-08 | 株式会社レゾナック | サセプタ及び化学気相成長装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04245431A (ja) * | 1991-01-30 | 1992-09-02 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体基板の酸化膜除去方法とその装置 |
| JPH04271119A (ja) * | 1991-02-20 | 1992-09-28 | Shibaura Eng Works Co Ltd | ドライエッチング装置 |
| JPH0582478A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | ウエーハ端面のエツチング方法とその装置 |
| JPH05217951A (ja) * | 1991-10-24 | 1993-08-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH06314675A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Toshiba Corp | 半導体製造装置の洗浄方法及び半導体装置の製造方法 |
| US5384008A (en) * | 1993-06-18 | 1995-01-24 | Applied Materials, Inc. | Process and apparatus for full wafer deposition |
| JPH08172075A (ja) * | 1994-12-20 | 1996-07-02 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
| JPH08279494A (ja) * | 1995-02-07 | 1996-10-22 | Seiko Epson Corp | 基板周縁の不要物除去方法及び装置並びにそれを用いた塗布方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160334A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板のプラズマ処理装置 |
| JPH05315300A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-26 | Toshiba Corp | ドライエッチング装置 |
| JPH0637050A (ja) * | 1992-07-14 | 1994-02-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハのドライエッチング装置 |
| DE4432210A1 (de) * | 1994-09-09 | 1996-03-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Rückseitenätzung einer mit Siliziumdioxid beschichteten Halbleiterscheibe mit Fluorwasserstoffgas |
| JPH09205130A (ja) * | 1996-01-17 | 1997-08-05 | Applied Materials Inc | ウェハ支持装置 |
-
1998
- 1998-12-24 DE DE19860163A patent/DE19860163B4/de not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-02-08 TW TW088101877A patent/TW424276B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-02-08 IT IT1999MI000241A patent/IT1307767B1/it active
- 1999-02-09 JP JP11068782A patent/JPH11317391A/ja active Pending
- 1999-02-17 GB GB9903653A patent/GB2334620B/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-06 US US09/800,172 patent/US20010008804A1/en not_active Abandoned
-
2011
- 2011-01-20 JP JP2011009997A patent/JP2011077561A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04245431A (ja) * | 1991-01-30 | 1992-09-02 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体基板の酸化膜除去方法とその装置 |
| JPH04271119A (ja) * | 1991-02-20 | 1992-09-28 | Shibaura Eng Works Co Ltd | ドライエッチング装置 |
| JPH0582478A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | ウエーハ端面のエツチング方法とその装置 |
| JPH05217951A (ja) * | 1991-10-24 | 1993-08-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH06314675A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Toshiba Corp | 半導体製造装置の洗浄方法及び半導体装置の製造方法 |
| US5384008A (en) * | 1993-06-18 | 1995-01-24 | Applied Materials, Inc. | Process and apparatus for full wafer deposition |
| JPH08172075A (ja) * | 1994-12-20 | 1996-07-02 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
| JPH08279494A (ja) * | 1995-02-07 | 1996-10-22 | Seiko Epson Corp | 基板周縁の不要物除去方法及び装置並びにそれを用いた塗布方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013182910A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Sumco Corp | シリコンウェーハの表面に形成された酸化膜の除去方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT1307767B1 (it) | 2001-11-19 |
| DE19860163A1 (de) | 1999-08-26 |
| ITMI990241A1 (it) | 2000-08-08 |
| GB2334620B (en) | 2002-12-24 |
| TW424276B (en) | 2001-03-01 |
| DE19860163B4 (de) | 2005-12-29 |
| GB2334620A (en) | 1999-08-25 |
| JP2011077561A (ja) | 2011-04-14 |
| GB9903653D0 (en) | 1999-04-07 |
| US20010008804A1 (en) | 2001-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6623597B1 (en) | Focus ring and apparatus for processing a semiconductor wafer comprising the same | |
| JPH10340884A (ja) | ディスク状の物体の一方の面を処理する方法および装置 | |
| TWI757671B (zh) | 用於改進的熱傳遞和溫度均勻性的加熱的基座設計 | |
| JP2022506672A (ja) | 基板の縁部での向上した処理を伴う処理チャンバ | |
| KR20150040888A (ko) | 다른 크기의 워크피스를 취급하기 위한 장치 및 방법 | |
| JP2011077561A (ja) | ウエーハを乾式エッチングする装置及びこれに所属の方法 | |
| US6531686B2 (en) | Chuck plate of ashing equipment for fabricating semiconductor devices and chuck assembly comprising the same | |
| KR20120095812A (ko) | 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
| US6767170B2 (en) | Wafer handling system and wafer handling method | |
| TW200933789A (en) | Baffle, substrate supporting apparatus and plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| KR20060041497A (ko) | 건식 식각장치 | |
| KR100397891B1 (ko) | 반도체 장치 식각설비의 척 조립체 | |
| KR100686285B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 배기 판 | |
| KR100714265B1 (ko) | 반도체장치 식각설비의 척 조립체 | |
| US20140342571A1 (en) | Wafer etching apparatus and wafer etching method using the same | |
| TWI414016B (zh) | 進行電漿蝕刻製程的裝置 | |
| KR100667675B1 (ko) | 기판 식각에 사용되는 상압 플라즈마 장치 | |
| KR20070009159A (ko) | 플라즈마 식각설비의 웨이퍼 서셉터 | |
| JP4058893B2 (ja) | シリコンボートの製造方法及びシリコンボート | |
| KR100714896B1 (ko) | 건식 식각 장치의 포커스 링 | |
| KR20020071398A (ko) | 반도체 장치의 제조에서 건식 식각 장치 | |
| KR100635377B1 (ko) | 기판 가장자리 식각 장치 | |
| KR20070036215A (ko) | 반도체소자 제조용 건식식각장치 | |
| JP2023536154A (ja) | 低傾斜トレンチエッチングのための薄いシャドウリング | |
| CN115172128A (zh) | 一种清洁晶圆、等离子体处理装置和处理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060124 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090224 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090521 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100511 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100806 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100921 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110120 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110120 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110121 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110126 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110221 |