KR20020043766A - 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트 및 이를 이용한 척조립체 - Google Patents

반도체장치 애싱설비의 척 플레이트 및 이를 이용한 척조립체 Download PDF

Info

Publication number
KR20020043766A
KR20020043766A KR1020000072878A KR20000072878A KR20020043766A KR 20020043766 A KR20020043766 A KR 20020043766A KR 1020000072878 A KR1020000072878 A KR 1020000072878A KR 20000072878 A KR20000072878 A KR 20000072878A KR 20020043766 A KR20020043766 A KR 20020043766A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
support
chuck plate
semiconductor device
ashing
Prior art date
Application number
KR1020000072878A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100384060B1 (ko
Inventor
박민오
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR20000072878A priority Critical patent/KR100384060B1/ko
Priority to US09/956,458 priority patent/US6531686B2/en
Priority to JP2001319834A priority patent/JP4181764B2/ja
Publication of KR20020043766A publication Critical patent/KR20020043766A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100384060B1 publication Critical patent/KR100384060B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32871—Means for trapping or directing unwanted particles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 식각공정 과정에서 웨이퍼의 저면에 형성되는 폴리머를 포토레지스트 제거 과정에서 함께 제거될 수 있도록 하는 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트와 이를 이용한 척 조립체에 관한 것으로서, 이에 대한 척 플레이트의 구성은, 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트에 있어서, 상면이 폴리머 형성 영역 부위를 제외한 웨이퍼 저면 내측 부위를 밀착 지지하도록 형성된 지지부와; 상기 지지부 상면으로부터 하측 방향으로 단차를 이루며 그 상면이 상기 폴리머 형성 영역을 포함한 웨이퍼 저면 가장자리 부위에 대향하도록 형성된 단차부;를 포함하여 이루어진다. 이에 따르면 공정챔버 내부에 투입되는 애싱 가스가 개방된 단차부로 유입되어 웨이퍼 저면 가장자리 부위의 폴리머와 반응하게 됨에 따라 포토레지스트와 동시에 제거되어 이후 공정에서 그에 따른 공정불량이 방지됨과 동시에 제조수율이 향상되는 효과가 있다.

Description

반도체장치 애싱설비의 척 플레이트 및 이를 이용한 척 조립체{chuck plate of ashing equipment for fabricating semiconductor device and chuck assembly having same}
본 발명은 식각공정 과정에서 웨이퍼의 저면에 형성되는 폴리머를 포토레지스트 제거 과정에서 함께 제거될 수 있도록 하는 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트와 이를 이용한 척 조립체에 관한 것이다.
일반적으로 식각공정은 사진공정 이후 형성된 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 웨이퍼의 소정 부위를 제거하기 위한 공정으로서, 그 방법에 있어서 투입되는 공정가스를 플라즈마 상태로 변환시켜 요구되는 불필요한 부위에서 반응토록 하는 플라즈마 식각이 주로 이용되고 있다.
이러한 플라즈마를 이용한 식각 공정은, 그 공정의 수행 과정에서 부산물인 폴리머가 생성되고, 이렇게 생성되는 부산물 즉, 폴리머는 식각챔버 내부의 전면 뿐 아니라 웨이퍼의 저면 등의 부위에 선택성 없이 증착된다.
이렇게, 웨이퍼(W) 저면에 형성되는 폴리머(P')는, 식각 고정을 수행하는 과정에서 웨이퍼(W)의 저면이 캐소드에 밀착된 상태로 있음에 따라, 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 가장자리에서 그 내측 방향으로 약 8∼10㎜ 정도의 영역(d)으로 형성되는 것이 일반적이다.
한편, 상술한 식각 공정을 마친 웨이퍼(W)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 스트리핑(stripping) 또는 애싱(ashing) 과정을 통해 웨이퍼(W) 상에 도포된 포토레지스트(PR)(P)의 제거 과정을 거치게 되고, 이에 더하여 잔존하는 PR 찌꺼기 또는 각종 파티클을 제거하기 위한 세정 공정을 추가적으로 수행하게 된다.
여기서, 웨이퍼(W) 상의 PR을 제거하기 위한 과정 중 애싱 공정은, 도 2에 도시된 애싱설비(10)에서 보는 바와 같이, 밀폐된 챔버(12) 내부로 도어수단(14)을 통해 웨이퍼(W)가 투입된 상태에서 산소(O2), 질소(N2) 등의 애싱가스(G)를 공급하고, 이때 공급되는 애싱가스(G)는 고주파 파워의 영향으로 플라즈마 상태 즉, 이온(래디컬) 상태에 있게 된다.
이에 따라 래디컬 상태의 애싱가스(G)는 가열 분위기의 PR과 반응하여 기화시키고, 이렇게 기화 상태의 PR은 진공압 형성수단(도시 안됨)과 연통하는 배기관(24)을 통해 배출된다.
이때 웨이퍼(W)의 저면에 형성된 폴리머(P')는, 척 조립체(16)를 구성하는 척 플레이트(18) 상면에 밀착됨에 의해 상측 가스공급부(22)로부터 공급되는 산소 래디컬과 반응하기 어렵고, 또 그 하부의 히팅수단(20)으로부터 척 플레이트(18)를통해 전도되는 열은 폴리머(P')에 함유된 PR 등의 성분을 태워 카본화시키는 등 척 플레이트(18) 및 웨이퍼(W)의 오염을 유발하게 된다.
상술한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 저면에 존재하는 폴리머(P')는, 이후의 소정 애쳔트 등에 수용되어 세정 과정을 거치게 되나, 이 과정에서 쉽게 제거되지 않고, 그 세정시간을 지연시키게 되며, 또 폴리머(P')가 제거되지 않은 상태로 다음 공정을 수행하게 될 경우 그에 따른 공정 불량으로 제조수율이 저하되는 등의 문제를 유발하게 된다.
본 발명의 목적은, 상술한 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 식각공정에서 웨이퍼의 저면에 형성되는 폴리머를 포토레지스트 제거 과정에서 함께 제거될 수 있도록 하여 이후의 세정시간을 단축토록 함과 동시에 공정 불량을 방지토록 하고, 이를 통해 제조수율을 향상시키도록 하는 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트 및 이를 이용한 척 조립체를 제공함에 있다.
도 1은, 식각공정 이후 웨이퍼 저면에 형성되는 폴리머의 형성 영역을 나타낸 저면도이다.
도 2는, 종래의 반도체장치 애싱 설비의 구성 및 이들 구성의 결합 관계를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은, 식각공정 이후의 웨이퍼 진행 과정을 나타낸 블록도이다.
도 4는, 본 발명의 일 실시예에 따른 척 플레이트와 이를 이용하는 척 조립체의 설치 구성에 따른 애싱설비를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5a 내지 도 5f는 도 4에 도시된 척 플레이트의 각 실시예에 따른 구성 및 이들 구성의 형성 관계를 개략적으로 나타낸 부분 절취 단면도이다.
도 6은 도 4에 도시된 척 플레이트 상에 형성되는 일 실시예의 가스유입홈 형상을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 7은 도 4에 도시된 척 플레이트 상에 형성되는 다른 실시예의 가스유입홈 형상을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10, 30: 애싱설비12, 32: 챔버
14: 도어수단 16, 34: 척 조립체
18, 36, 36a, 36b, 36c, 36d, 36e, 36f: 척 플레이트
20: 히팅수단22: 가스공급부
24: 배기관40: 가이드핀
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 척 플레이트의 구성은, 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트에 있어서, 상면이 폴리머 형성 영역 부위를 제외한 웨이퍼 저면 내측 부위를 밀착 지지하도록 형성된 지지부와; 상기 지지부 상면으로부터 하측 방향으로 단차를 이루며 그 상면이 상기 폴리머 형성 영역을 포함한 웨이퍼 저면 가장자리 부위에 대향하도록 형성된 단차부;를 포함하여 이루어진다.
또한, 상기 지지부 상면과 단차부 상면 사이의 단차 정도는, 0.3∼0.5㎜ 범위로 설정함이 바람직하고, 상기 단차부의 상면은, 적어도 상기 지지부에 지지되는 웨이퍼 가장자리의 수직 대응하는 위치 보다 더 외측으로 확장되게 형성함이 바람직하다.
그리고, 상기 단차부의 외측에 상기 단차부 상면으로부터 상측으로 돌출된 형상을 이루는 돌출부를 더 구비한 구성으로 형성될 수 있으며, 상기 돌출부의 상측 부위는 상기 지지부의 상면과 수평선상에 있도록 형성함이 효과적이다.
한편, 상기 돌출부 상면의 내측 단부 위치는, 적어도 상기 지지부에 지지되는 웨이퍼 가장자리와 소정 간격의 틈새를 이루도록 형성함이 바람직하고, 그 틈새는 0.5∼1.5㎜ 범위 내에 있도록 함이 바람직하다.
또한, 상기 지지부와 돌출부 내측벽 사이의 간격은, 상기 폴리머 형성 영역이 8∼10㎜ 범위로 형성됨에 대응하여 10.5∼12.5㎜ 정도로 형성함이 바람직하다.
그리고, 상기 지지부와 단차부 사이 또는 상기 단차부와 돌출부 사이에 경사면을 갖도록 형성함이 효과적이다.
한편, 상기 지지부와 단차부 및 돌출부 중 적어도 어는 하나는 분리 및 결합이 가능하게 형성할 수 있고, 또 상기 지지부와 단차부 및 돌출부를 일체형으로 형성할 수도 있는 것이다.
또한, 상기 지지부 상면의 외측 단부 형상 또는 상기 돌출부 상면의 내측 단부 형상은, 웨이퍼 플랫존을 포함한 가장자리의 수직 대응하는 위치로부터 수평 방향 일정 간격으로 이격되게 웨이퍼 형상으로 형성함이 보다 바람직하다.
이것은, 상기 지지부 상면의 외측 단부 형상과 상기 단차부 상면의 내·외측 단부 형상 및 상기 돌출부 상면의 내측 단부 형상은, 웨이퍼의 플랫존을 포함한 가장자리가 상기 단차부 상면에 수직 대응하는 위치에 있도록 원 형상으로 형성될 수도 있는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체장치 애싱설비의 척 조립체의 구성은, 폴리머 형성 영역 부위를 제외한 웨이퍼 저면을 지지하도록 형성된 지지부와, 상기 지지부 상면과 단차를 이루어 웨이퍼 저면 가장자리 부위에 소정 간격으로 대향하도록 형성된 척 플레이트와; 상기 척 플레이트의 외측 부위를 감싸는 형상으로 승·하강 가능하게 설치되고, 상측 부위에 엘리베이터 수단에 의한 웨이퍼 로딩 위치를 안내하는 경사부를 갖는 돌출부; 및 상기 척 플레이트의 하부에 설치되는 히팅수단;을 포함하여 이루어진다.
그리고, 상기 경사면은, 상기 돌출부의 상측을 따라 연장되게 형성될 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 척 조립체와 이를 이용하는 반도체장치 애싱설비에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 척 플레이트와 이를 이용한 척 조립체가 설치되는 애싱설비의 구성 및 그 구동 관계를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 5a 내지 도 5j는 도 4에 도시된 척 플레이트의 각 실시예에 따른 구성을 개략적으로 나타낸 단면도이며, 도 6과 도 7은 척 플레이트의 평면 형상을 개략적으로 나타낸 것으로서, 종래와 동일한 부분에 대하여 동일한 부호를 부여하고, 그에 따른 상세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명에 따른 애싱설비(30)의 구성은, 도 4에 도시된 바와 같이, 밀폐된 공간을 형성하는 챔버(32)가 있고, 이 챔버(32)의 일측 부위에는 그 내부로 웨이퍼(W)의 로딩 또는 언로딩 위치됨에 대응하여 선택적으로 개방되는 도어수단(14)이 구비된다.
또한, 챔버(32)의 측벽 소정 위치에는, 내부의 잔류가스를 포함한 공기를 배출토록 배기관(24)의 일측 단부가 연통 연결되며, 이 배기관(24)의 상대측 단부는 챔버(32) 내부에 진공압을 제공하기 위한 진공압 형성수단(도면의 단순화를 위하여 생략함)과 통상의 방법으로 연통 연결된다.
그리고, 챔버(32)의 내측 상부 소정 위치에는, 외부로부터 소정의 애싱가스(G)를 투입토록 하는 가스공급부(22)가 형성되어 있으며, 이 가스공급부(22)에 대향하는 소정 위치에는 웨이퍼(W)의 저면을 받쳐 지지하도록 하는 척 조립체(34)가 설치된다.
이렇게 설치되는 척 조립체(34)의 구성은, 도 4에 도시된 바와 같이, 투입되는 웨이퍼(W)의 저면을 밀착 지지하는 소정 두께와 면적을 갖는 척 플레이트(18)가 있고, 이 척 플레이트(18) 중심 부위에는 외부의 로봇(도면의 단순화를 위하여 생략함)에 의해 이송된 웨이퍼(W)를 인계 받아 하강함으로써 척 플레이트(36)에 안착 위치시키도록 하는 엘리베이터 수단이 관통하여 설치된다.
그리고, 상술한 척 플레이트(36)의 하부에는 척 플레이트(36) 상면에 안착위치되는 웨이퍼(W) 즉, 웨이퍼(W)를 통한 포토레지스트(P) 및 폴리머(P')를 활성화시키도록 소정 온도로 가열하는 히팅수단(20)이 구비된다.
이러한 척 조립체(34)에 있어서, 웨이퍼(W)가 안착 위치되는 척 플레이트(36)의 구성에 대한 각 실시예에 대하여 보다 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 도 5a에 도시된 척 플레이트(36a)의 구성은, 위치되는 웨이퍼(W)의 저면 중심 부위 즉, 웨이퍼(W)의 플랫존(F) 부위를 포함한 저면 가장자리 부위에 형성되는 폴리머 형성 영역(d)을 제외한 그 내측 부위에 대응하여 밀착 지지하도록 상면이 웨이퍼(W)의 축소된 형상을 이루는 지지부(A)가 형성된다.
또한, 이 지지부(A)의 외측으로 지지부(A) 상면과 소정 간격의 단차(t)를 이루는 단차부(B)가 형성된다.
상술한 바와 같이, 지지부(A) 상면과 단차부(B) 상면이 이루는 단차(t) 정도 즉, 지지부(A)에 지지되는 웨이퍼(W)의 저면 가장자리 부위와 이에 대향하는 단차부(B) 상면 사이의 간격은, 도 5a에 도시된 바와 같이, 그 하부에 설치되는 히팅수단(20)의 열이 단차부(B) 상면으로부터 폴리머(P')에 전달될 수 있도록 근접 위치될 것과 챔버(32) 내부로 투입되는 애싱가스(G)가 그 사이로 유입될 수 있는 정도를 절충된 간격이 요구되며, 그 단차(t) 정도를 약 0.3∼0.5㎜ 정도 범위로 설정된다.
그리고, 단차부(B) 상면은, 웨이퍼(W) 저면 가장자리의 폴리머(P')에 근접 대하여 열을 전달하기 용이하도록 하기 위하여 그 상면의 외측 단부 부위가 적어도 위치되는 웨이퍼(W) 가장자리의 수직 대응 위치 보다 더 외측에 있도록 확장되게형성된다.
또한, 단차부(B)의 상면 즉, 웨이퍼(W)의 가장자리에 수직 대응하는 위치로부터 확장된 소정 부위에는 엘리베이터 수단에 의해 하강하는 웨이퍼(W)의 가장자리 부위를 지지하여 정확히 안착 위치되도록 안내하는 복수개의 가이드핀(40)이 구비된다.
이에 더하여 상술한 지지부(A)의 상면 외측 부위와 이에 근접하는 단차부(B)의 상면 사이에는 소정의 각도의 경사면이 형성된 구성으로 형성될 수도 있다.
이러한 구성에 의하면, 도어수단(14)이 개방됨에 의해 외부로부터 로봇이 웨이퍼(W)를 투입하여 위치시키고, 이때 엘리베이터 수단은 승강 구동하여 로봇으로부터 웨이퍼(W)를 인계 받게 된다.
이후 로봇이 챔버(32) 외측으로 물러남에 따라 도어수단(14)은 챔버(32) 내부를 기밀토록 차단하고, 이어 엘리베이터 수단은 하강함으로써 그 상단부에 지지되는 웨이퍼(W)를 점차 척 플레이트(36a)에 안착 위치시키게 된다.
이때 상술한 복수개의 가이드핀(40)은, 웨이퍼(W)의 가장자리 소정 부위를 지지하게 됨으로써 웨이퍼(W)를 척 플레이트(36a)의 중심에 안착되도록 즉, 척 플레이트(36a)를 구성하는 지지부(A)의 상면으로 하여금 웨이퍼(W) 저면 가장자리 부위에 형성된 폴리머(P') 형성 영역(d) 내측 부위에 밀착 대응하도록 안내하게 된다.
이렇게 웨이퍼(W)가 안착 위치되면, 상술한 폴리머(P') 형성 영역(d)은 단차부 상면과 소정 간격을 이루며 대향하게 되고, 상술한 히팅수단(20)으로부터 열을제공받게 되며, 이러한 상태에서 가스공급부(22)는 애싱가스(G)가 공급하게 된다.
이에 따라 공급되는 애싱가스(G)는, 웨이퍼(W) 상면의 포토레지스트(P)와 반응하여 기화시킬 뿐 아니라 상술한 웨이퍼(W) 가장자리 저면과 단차부(B) 상면 사이로 유동하여 폴리머(P')와 반응하여 기화시키게 되고, 이렇게 기화되는 PR과 폴리머(P')는 진공압이 제공되는 배기관(24)을 통해 계속적으로 배출되는 일련의 과정을 거치게 된다.
한편, 도 5b에 도시된 척 플레이트(36b)의 구성은, 상술한 도 5a의 설명에서와 같이, 지지부(A)와 0.3∼0.5㎜ 정도의 단차(t)를 이루는 단차부(B)가 형성되고, 여기서 단차부(B)의 상면 외측 부위는 웨이퍼(W) 가장자리 부위의 수직 대응 위치로부터 내·외측 소정 범위의 내에 있게 되며, 이 단차부(B)의 상면 외측 부위에서 상측으로 돌출된 형상을 이루는 돌출부(C)가 더 형성된 구성을 이룬다.
이러한 돌출부(C)는, 도 5c에 도시된 척 플레이트(36c)의 구성에서 보는 바와 같이, 단차부(B)의 상면 외측 부위에서 수직하게 돌출되어 그 상면이 지지부(A) 상면에 대응하여 수평선상에 있도록 형성될 수 있다.
또한, 돌출부(C)는, 도 5d에 도시된 척 플레이트(36d)의 구성에서 보는 바와 같이, 그 부위에서 외측 방향으로 소정 각도의 경사면(T)을 이루며 그 상면이 지지부(A) 상면에 대응하여 수평선상에 있도록 형성될 수 있다.
이때 위치되는 웨이퍼(W)의 가장자리와 이에 대하여 수평선상에 대응하는 돌출부(C) 내벽은 상호 틈새(S)를 이루고, 그 정도는 0.5∼1.5㎜ 범위 내에 있게 된다.
한편, 지지부(A)의 상면 외측 형상은, 도 6에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 플랫존(F) 부위를 포함한 가장자리를 따라 형성되는 폴리머(P') 형성 영역(d)에 근접하는 위치에 있도록 웨이퍼(W) 형상으로 형성될 수 있고, 또는 도 7에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 플랫존(F) 부위의 폴리머 형성 영역(d)을 기준하여 근접하는 원 형상으로 형성될 수 있다.
이에 대응하여 돌출부(C)의 상면 내측 부위와 지지부(A)의 상면 외측 부위 사이의 간격은, 지지부(A)의 외측 형상과 돌출부(C)의 내측 형상이 웨이퍼 형상으로 형성됨에 대응하여 웨이퍼(W)의 플랫존(F)을 포함한 가장자리에 대응하여 웨이퍼(W) 가장자리 부위와 돌출부(C)의 상면 내측이 이루는 틈새(S)와 약 8∼10㎜ 정도 범위의 폴리머 형성 영역(d)의 폭 길이를 합산한 간격을 기준하여 약 0∼1㎜ 범위를 더 합산한 간격으로 설정된다.
또한, 지지부(A)의 외측 형상과 돌출부(C)의 내측 형상이 도 7에 도시된 바와 같이, 원 형상으로 형성될 경우 그 간격은 웨이퍼(W)의 원호 부위의 연장선에서 플랫존(F)의 중심까지 이르는 사이 간격을 더 합산한 간격으로 설정된다.
여기서는 상술한 지지부(A) 외측과 돌출부(C) 내측 사이의 간격을 약 10.5∼12.5㎜ 정도의 범위로 설정된다.
그리고, 상술한 돌출부(C)의 상측 부위가 지지부(A) 상면과 수평선상에 있도록 평탄하게 형성될 경우, 도 5c 또는 도 5d에 도시된 바와 같이, 그 상면의 소정 위치에는, 엘리베이터 수단에 의한 웨이퍼(W)의 하강 안착 위치를 안내하기 위한 가이드핀(40)이 구비된다.
이러한 구성은, 다시 도 5e에 도시된 척 플레이트(36e)의 구성에서 보는 바와 같이, 돌출부(C)의 상측 부위가 지지부(A)의 상면 높이보다 상측으로 더 돌출되게 형성될 경우 돌출부(C)의 내측벽은 엘리베이터 수단에 의한 웨이퍼(W)의 안착 위치됨은 안내할 수 있는 경사면을 이루도록 형성될 수도 있다.
한편, 상술한 지지부(A)와 단차부(B) 및 돌출부(C)는, 도 5b 내지 도 5e에 도시된 바와 같이, 각각이 일체의 형상으로 형성되어 상술한 단차부(B)가 웨이퍼(W) 가장자리 부위에 대응하여 소정 폭과 깊이 및 형상의 홈을 이루는 구성으로 형성될 수 있고, 이들 각각은 상호 분리 및 조립이 가능한 구성으로 형성될 수도 있는 것이다.
여기서, 도 5f에 도시된 척 플레이트(36f)의 구성은, 지지부(A)와 단차부(B) 및 돌출부(C)가 각각 분리 결합되는 구성의 일 예를 개략적으로 나타낸 것으로서, 단차부(B)의 상면 외측 부위가 웨이퍼(W) 가장자리에 수직 대응하는 위치의 내측에 위치되고, 이 단차부(B)의 외측벽에는 분리된 관 형상의 돌출부(C)가 단차부(B)의 외측벽을 따라 슬라이딩 수직 승·하강 가능하게 설치된 구성을 이룬다.
따라서, 본 발명에 의하면, 공정챔버 내부에 투입되는 애싱가스가 웨이퍼 전면의 포토레지스트와 단차부에 의해 노출되는 폴리머와 반응하게 됨에 따라 포토레지스트와 함께 폴리머 등의 부산물이 동시에 분해 제거되어 이후의 세정시간이 단축되고, 그 이후의 공정불량이 방지되며, 그에 따른 반도체장치 제조수율이 향상되는 효과가 있다.
본 발명은 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다.

Claims (17)

  1. 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트에 있어서,
    상면이 폴리머 형성 영역 부위를 제외한 웨이퍼 저면 내측 부위를 밀착 지지하도록 형성된 지지부와; 상기 지지부 상면으로부터 하측 방향으로 단차를 이루며 그 상면이 상기 폴리머 형성 영역을 포함한 웨이퍼 저면 가장자리 부위에 대향하도록 형성된 단차부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지부 상면과 단차부 상면 사이의 단차 정도는, 0.3∼0.5㎜ 범위로 설정됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 단차부의 상면은, 적어도 상기 지지부에 지지되는 웨이퍼 가장자리의 수직 대응하는 위치 보다 더 외측으로 확장되게 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 단차부 상면의 상기 지지부에 지지되는 웨이퍼 가장자리의 수직 대응하는 소정 위치에는 원뿔 형상의 가이드핀이 더 구비됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 단차부의 외측에 상기 단차부 상면으로부터 상측으로 돌출된 형상을 이루는 돌출부가 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 돌출부의 상측 부위는 상기 지지부의 상면과 수평선상에 있도록 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 돌출부 상면의 내측 단부는, 위치는, 적어도 상기 지지부에 지지되는 웨이퍼 가장자리와 소정 간격의 틈새를 이루도록 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 돌출부 상면의 내측 단부와 상기 지지부에 지지되어 위치되는 웨이퍼 가장자리 부위와의 틈새(S)는 0.5∼1.5㎜ 범위 내의 간격으로 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 지지부의 외측벽과 돌출부 내측벽 사이의 간격은, 웨이퍼의 플랫존 부위를 포함한 가장자리에 대응하여 돌출부(C)의 상면 내측이 이루는 틈새(S)와 폴리머 형성 영역(d)의 폭 길이를 합산한 간격을 기준하여 약 0∼1㎜ 범위를 더 합산한 간격으로 설정됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 지지부의 외측벽과 돌출부 내측벽 사이의 간격은, 10.5∼12.5㎜ 정도로 설정됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트.
  11. 제 5 항에 있어서,
    상기 지지부와 단차부 사이 또는 상기 단차부와 돌출부 사이에 경사면이 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트.
  12. 제 5 항에 있어서,
    상기 지지부와 단차부 및 돌출부 중 적어도 어는 하나는 분리 및 결합이 가능하게 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트.
  13. 제 5 항에 있어서,
    상기 지지부와 단차부 및 돌출부는, 일체로 형성됨을 특징으로 상기 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트.
  14. 제 5 항에 있어서,
    상기 지지부 상면의 외측 단부 형상 또는 상기 돌출부 상면의 내측 단부 형상은, 웨이퍼 플랫존을 포함한 가장자리의 수직 대응하는 위치로부터 수평 방향 일정 간격으로 이격되게 웨이퍼 형상으로 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치애싱설비의 척 플레이트.
  15. 제 5 항에 있어서,
    상기 지지부 상면의 외측 단부 형상과 상기 단차부 상면의 내·외측 단부 형상 및 상기 돌출부 상면의 내측 단부 형상은, 웨이퍼의 플랫존을 포함한 가장자리가 상기 단차부 상면에 수직 대응하는 위치에 있도록 원 형상으로 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트.
  16. 폴리머 형성 영역 부위를 제외한 웨이퍼 저면을 지지하도록 형성된 지지부와, 상기 지지부 상면과 단차를 이루어 웨이퍼 저면 가장자리 부위에 소정 간격으로 대향하도록 형성된 척 플레이트와; 상기 척 플레이트의 외측 부위를 감싸는 형상으로 승·하강 가능하게 설치되고, 상측 부위에 엘리베이터 수단에 의한 웨이퍼 로딩 위치를 안내하는 경사부가 구비된 돌출부; 및 상기 척 플레이트의 하부에 설치되는 히팅수단;을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체장치 애싱설비의 척 조립체.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 경사면은, 상기 돌출부의 상측을 따라 연장되게 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 애싱설비의 척 조립체.
KR20000072878A 2000-12-04 2000-12-04 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트 및 이를 이용한 척조립체 KR100384060B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20000072878A KR100384060B1 (ko) 2000-12-04 2000-12-04 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트 및 이를 이용한 척조립체
US09/956,458 US6531686B2 (en) 2000-12-04 2001-09-20 Chuck plate of ashing equipment for fabricating semiconductor devices and chuck assembly comprising the same
JP2001319834A JP4181764B2 (ja) 2000-12-04 2001-10-17 半導体装置のアッシング設備のチャックプレート及びこれを用いたチャック組立体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20000072878A KR100384060B1 (ko) 2000-12-04 2000-12-04 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트 및 이를 이용한 척조립체

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020043766A true KR20020043766A (ko) 2002-06-12
KR100384060B1 KR100384060B1 (ko) 2003-05-14

Family

ID=19702625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20000072878A KR100384060B1 (ko) 2000-12-04 2000-12-04 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트 및 이를 이용한 척조립체

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6531686B2 (ko)
JP (1) JP4181764B2 (ko)
KR (1) KR100384060B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100685136B1 (ko) * 2005-09-05 2007-02-22 동부일렉트로닉스 주식회사 가열 척
KR100688747B1 (ko) * 2005-06-27 2007-03-02 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼 에지 식각 장치 및 방법
KR100987675B1 (ko) * 2003-12-08 2010-10-13 엘지디스플레이 주식회사 액정 디스플레이의 베이킹 장치
US8999106B2 (en) 2007-12-19 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling edge performance in an inductively coupled plasma chamber

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100481180B1 (ko) * 2002-09-10 2005-04-07 삼성전자주식회사 포토레지스트 제거방법
US20040137745A1 (en) * 2003-01-10 2004-07-15 International Business Machines Corporation Method and apparatus for removing backside edge polymer
US7024105B2 (en) * 2003-10-10 2006-04-04 Applied Materials Inc. Substrate heater assembly
JP4705816B2 (ja) * 2005-07-27 2011-06-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP2010045200A (ja) * 2008-08-13 2010-02-25 Tokyo Electron Ltd フォーカスリング、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR101063588B1 (ko) 2008-11-05 2011-09-07 주식회사 디엠에스 커버 링의 수명을 연장하고 플라즈마 반응기의 식각 성능을향상시키기 위한 구조를 가지는 정전 척 어셈블리
CN102341902A (zh) * 2009-03-03 2012-02-01 东京毅力科创株式会社 载置台结构、成膜装置和原料回收方法
US10629416B2 (en) * 2017-01-23 2020-04-21 Infineon Technologies Ag Wafer chuck and processing arrangement

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5758320A (en) * 1980-09-24 1982-04-08 Hitachi Ltd Work mounting stage in plasma asher device
JPH04307734A (ja) * 1991-04-04 1992-10-29 Japan Storage Battery Co Ltd アッシング装置
JP2981795B2 (ja) * 1991-10-24 1999-11-22 東京エレクトロン株式会社 静電チャック
US5275683A (en) * 1991-10-24 1994-01-04 Tokyo Electron Limited Mount for supporting substrates and plasma processing apparatus using the same
JPH05347281A (ja) * 1991-11-29 1993-12-27 Sony Corp アッシング方法及びアッシング装置
JPH05206022A (ja) * 1992-01-28 1993-08-13 Hitachi Ltd 半導体製造装置
US5376213A (en) * 1992-07-28 1994-12-27 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JPH06340333A (ja) * 1993-05-31 1994-12-13 Hitachi Ltd 気流搬送装置
US5625526A (en) * 1993-06-01 1997-04-29 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck
KR100302167B1 (ko) * 1993-11-05 2001-11-22 히가시 데쓰로 플라즈마처리장치및플라즈마처리방법
US5556476A (en) * 1994-02-23 1996-09-17 Applied Materials, Inc. Controlling edge deposition on semiconductor substrates
US5606485A (en) * 1994-07-18 1997-02-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved erosion resistance
JPH0857296A (ja) * 1994-08-17 1996-03-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd プラズマ処理装置
JP3150058B2 (ja) * 1994-12-05 2001-03-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JPH08222621A (ja) * 1995-02-16 1996-08-30 Fujitsu Ltd 円形基板の位置決めユニットと位置決め方法
JPH09213683A (ja) * 1996-02-07 1997-08-15 Sony Corp プラズマエッチング装置
KR19990004453U (ko) * 1997-07-03 1999-02-05 문정환 반도체 웨이퍼 에싱장치
JPH1140654A (ja) * 1997-07-17 1999-02-12 Kokusai Electric Co Ltd 基板保持構造
US6104596A (en) * 1998-04-21 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for retaining a subtrate in a semiconductor wafer processing system and a method of fabricating same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100987675B1 (ko) * 2003-12-08 2010-10-13 엘지디스플레이 주식회사 액정 디스플레이의 베이킹 장치
KR100688747B1 (ko) * 2005-06-27 2007-03-02 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼 에지 식각 장치 및 방법
KR100685136B1 (ko) * 2005-09-05 2007-02-22 동부일렉트로닉스 주식회사 가열 척
US8999106B2 (en) 2007-12-19 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling edge performance in an inductively coupled plasma chamber

Also Published As

Publication number Publication date
US6531686B2 (en) 2003-03-11
JP4181764B2 (ja) 2008-11-19
US20020066727A1 (en) 2002-06-06
JP2002190511A (ja) 2002-07-05
KR100384060B1 (ko) 2003-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100384060B1 (ko) 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트 및 이를 이용한 척조립체
KR20020095324A (ko) 고주파 파워를 이용하는 반도체장치 제조설비
JP4627392B2 (ja) 真空処理装置および真空処理方法
KR20090126054A (ko) 반도체 제조 장치
KR100534209B1 (ko) 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비
KR100571841B1 (ko) 베이크 시스템
JP2685006B2 (ja) ドライエッチング装置
KR101015389B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101882902B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20000054968A (ko) 상향식 건식 식각장비의 승강홀더
KR100737713B1 (ko) 플라즈마 처리장치
KR100714265B1 (ko) 반도체장치 식각설비의 척 조립체
KR20040069410A (ko) 반도체장치 제조용 애싱설비의 척 플레이트
KR101248929B1 (ko) 기판지지부재를 포함하는 기판처리장치
KR100526923B1 (ko) 반도체 제조설비의 리프트핀 및 그 제조방법
KR100553711B1 (ko) 종형 확산로 및 이를 조립하는 방법
KR100458637B1 (ko) 반도체 제조용 챔버
KR101433863B1 (ko) 박막처리장치
KR100970859B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR100607197B1 (ko) 밀봉부재 교체 지그 및 이를 이용한 밀봉부재 교체 방법
KR20230139126A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20050040221A (ko) 고온공정용 반도체 제조장치
JP2006261700A (ja) 低圧化学蒸着装置
KR200173948Y1 (ko) 반도체 식각챔버의 전극판 간극조절장치
KR20070051007A (ko) 반도체 기판 가공 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110429

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee