JPS63150922A - アツシング方法 - Google Patents
アツシング方法Info
- Publication number
- JPS63150922A JPS63150922A JP29963586A JP29963586A JPS63150922A JP S63150922 A JPS63150922 A JP S63150922A JP 29963586 A JP29963586 A JP 29963586A JP 29963586 A JP29963586 A JP 29963586A JP S63150922 A JPS63150922 A JP S63150922A
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- wafer
- electrode
- resist
- dry etching
- ozone
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- Pending
Links
- 238000004380 ashing Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
アルミニウム電極配線のエツチングと、その後のレジス
トのアッシングとを、その間にウェーハを大気に接触さ
せないように搬送ボックス内で移動し、アルミニウム電
極の腐食が生じないようにしたことを特徴とするアッシ
ング方法。
トのアッシングとを、その間にウェーハを大気に接触さ
せないように搬送ボックス内で移動し、アルミニウム電
極の腐食が生じないようにしたことを特徴とするアッシ
ング方法。
本発明は、半導体装置の製造工程における電極形成後の
後処理に係り、特に電極のエツチング後のレジストのア
ッシング方法の改良に関するものである。
後処理に係り、特に電極のエツチング後のレジストのア
ッシング方法の改良に関するものである。
、半導体装置の電極をエツチングにより形成した後に、
レジストをアッシングにより除去するが、これらの工程
終了後に電極の腐食がしばしば発生し、半導体装置の製
造工程における障害となっている。
レジストをアッシングにより除去するが、これらの工程
終了後に電極の腐食がしばしば発生し、半導体装置の製
造工程における障害となっている。
以上のような状況から電極形成後の後処理終了後に電極
の腐食が発生しないレジストのアッシング方法が要望さ
れている。
の腐食が発生しないレジストのアッシング方法が要望さ
れている。
従来のレジストのアッシング方法は、第３図に示すよう
なドライエツチング装置１を使用し、下部電極１ｂに取
りつけたウェーハ４をレジストのマスクにより、反応ガ
スとして三塩化硼素（Ｂｃｌｓ）と塩素ガス（ｃ１２）
の混合ガスをガス導入口１ｃから導入し、上部電極１ａ
と下部電極１ｂの間に高周波発振器１ｄにより高周波電
圧を印加してアルミニウム電極（以下Ｍ’電極と略称す
る）をプラズマエツチングした後、引き続き同一の装置
内においてエツチングの反応ガスを酸素（０２）に切り
換えてレジストのアッシングを行うか、又は、一度エッ
チング装置から取り出して他の装置でレジストのアッシ
ングを行っている。
なドライエツチング装置１を使用し、下部電極１ｂに取
りつけたウェーハ４をレジストのマスクにより、反応ガ
スとして三塩化硼素（Ｂｃｌｓ）と塩素ガス（ｃ１２）
の混合ガスをガス導入口１ｃから導入し、上部電極１ａ
と下部電極１ｂの間に高周波発振器１ｄにより高周波電
圧を印加してアルミニウム電極（以下Ｍ’電極と略称す
る）をプラズマエツチングした後、引き続き同一の装置
内においてエツチングの反応ガスを酸素（０２）に切り
換えてレジストのアッシングを行うか、又は、一度エッ
チング装置から取り出して他の装置でレジストのアッシ
ングを行っている。
以上説明の従来のレジストのアッシング方法で問題とな
るのは、Ｍ電極のプラズマエツチングとその後のレジス
トのアッシングを同一の装置で行うか、又はエツチング
後大気にさらすために、Ｍ電極のエツチングに使用した
反応ガスに含まれている塩素の影響により、処理後にし
ばしば電極の腐食が発生することである。
るのは、Ｍ電極のプラズマエツチングとその後のレジス
トのアッシングを同一の装置で行うか、又はエツチング
後大気にさらすために、Ｍ電極のエツチングに使用した
反応ガスに含まれている塩素の影響により、処理後にし
ばしば電極の腐食が発生することである。
本発明は以上のような状況からこのような障害を発生さ
せないアッシング方法の提供を目的としたものである。
せないアッシング方法の提供を目的としたものである。
上記問題点は、ドライエツチング装置とオゾンアッシャ
とを搬送ボックスで接続し、ドライエツチング装置内で
Ｍのエツチングを行い、その後搬送ボックス内でウェー
ハを移動し、オゾンアッシャ内でレジスのアッシングを
行い、その間にウェーハを大気に接触させないで、ＡＩ
の腐食が生じないようにした本発明によるアッシング方
法によって解決される。
とを搬送ボックスで接続し、ドライエツチング装置内で
Ｍのエツチングを行い、その後搬送ボックス内でウェー
ハを移動し、オゾンアッシャ内でレジスのアッシングを
行い、その間にウェーハを大気に接触させないで、ＡＩ
の腐食が生じないようにした本発明によるアッシング方
法によって解決される。
即ち本発明においては、ＡＩ電極のエツチングとレジス
トのアッシングとを、それぞれ別々にドライエツチング
装置とオゾンアッシャの中で行い、工程間のウェーハの
移動を搬送ボックス内で行って大気に接触させないよう
にするので、Ｍ電極のエツチングに用いた反応ガスの影
響を受けることがなく、又、搬送ボックス内を移動させ
るので、大気との接触に起因する障害の防止が可能とな
る。
トのアッシングとを、それぞれ別々にドライエツチング
装置とオゾンアッシャの中で行い、工程間のウェーハの
移動を搬送ボックス内で行って大気に接触させないよう
にするので、Ｍ電極のエツチングに用いた反応ガスの影
響を受けることがなく、又、搬送ボックス内を移動させ
るので、大気との接触に起因する障害の防止が可能とな
る。
以下第１図〜第２図について本発明の一実施例を説明す
る。
る。
第１図は、本発明による一実施例に使用する装置の接続
を示す図であり、Ａｔ’電極のエツチングを行うドライ
エツチング装置１とレジストのアッシングを行うオゾン
アッシャ２とは、ウェーハ４を移動するを搬送ボックス
３で接続されている。
を示す図であり、Ａｔ’電極のエツチングを行うドライ
エツチング装置１とレジストのアッシングを行うオゾン
アッシャ２とは、ウェーハ４を移動するを搬送ボックス
３で接続されている。
ドライエツチング装置１は第３図に示すものと同一の装
置であり、本発明ではＡＩ電極のエツチングのみに使用
する。
置であり、本発明ではＡＩ電極のエツチングのみに使用
する。
オゾンアッシャ２は第２図に示すような装置で、チャン
バ２ａの下部にはヒータ２ｃを内蔵するウェーハ支持台
２ｄがあり、その上にウェーハ４が置かている。
バ２ａの下部にはヒータ２ｃを内蔵するウェーハ支持台
２ｄがあり、その上にウェーハ４が置かている。
上部にはシャワー２ｂがあり、導入ガスである酸素はオ
ヅナイザ２ｆを通過する間に１０％がオゾンとなり、酸
素との混合ガスがガス導入口２ｅからシャワー２ｂに導
入され、ウェーハ４の表面に酸素とオゾンの混合ガスを
吹きつける。
ヅナイザ２ｆを通過する間に１０％がオゾンとなり、酸
素との混合ガスがガス導入口２ｅからシャワー２ｂに導
入され、ウェーハ４の表面に酸素とオゾンの混合ガスを
吹きつける。
この時の酸素の流量は２． ＯＯＯＳＣＣＭであり、ウ
ェーハ４の温度は２８０℃、チャンバ２ａ室内の圧力は
大気圧である。
ェーハ４の温度は２８０℃、チャンバ２ａ室内の圧力は
大気圧である。
このようにＭ電極のエツチングはドライエツチング装置
１で行い、レジストのアッシングはオゾンアッシャ２で
行い、ウェーハ４はその間の搬送ボックス３内を大気に
接触させずに移動するので、アッシング処理後にＡＩ電
極に腐食が発生する障害の防止が可能となる。
１で行い、レジストのアッシングはオゾンアッシャ２で
行い、ウェーハ４はその間の搬送ボックス３内を大気に
接触させずに移動するので、アッシング処理後にＡＩ電
極に腐食が発生する障害の防止が可能となる。
以上説明したように本発明によれば、使用する装置を変
更して各工程をそれぞれ別々の装置を用いて行うので、
電極形成後に発生していた電極の腐食障害を完全に防止
できる利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効
果が期待でき工業的には極めて有用なものである。
更して各工程をそれぞれ別々の装置を用いて行うので、
電極形成後に発生していた電極の腐食障害を完全に防止
できる利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効
果が期待でき工業的には極めて有用なものである。
第１図は本発明による一実施例に使用する装置の接続を
示す図、 第２図は本発明に使用するオゾンアッシャの側断面図、 第３図は従来のアッシング方法に使用するドライエツチ
ング装置の側断面図、 である。 図において、 １はドライエツチング装置１、 ｌａは上部電極、 １ｂは下部電極、 １ｃはガス導入口、 １ｄは高周波発振器、 ２はオゾンアッシャ、 ２ａはチャンバ、 ２ｂはシャワー、 ２ｃはヒータ、 ２ｄはウェーハ支持台、 ２ｅはガス導入口、 ２ｆはオゾナイーザ、 ３は搬送ボックス、 ４はウェーハ、 第１図 本発明に使用するオゾンアッシャの側断面１第２図 従来のアッシング方法に使用するドライエツチング装置
の倒所面図第３図
示す図、 第２図は本発明に使用するオゾンアッシャの側断面図、 第３図は従来のアッシング方法に使用するドライエツチ
ング装置の側断面図、 である。 図において、 １はドライエツチング装置１、 ｌａは上部電極、 １ｂは下部電極、 １ｃはガス導入口、 １ｄは高周波発振器、 ２はオゾンアッシャ、 ２ａはチャンバ、 ２ｂはシャワー、 ２ｃはヒータ、 ２ｄはウェーハ支持台、 ２ｅはガス導入口、 ２ｆはオゾナイーザ、 ３は搬送ボックス、 ４はウェーハ、 第１図 本発明に使用するオゾンアッシャの側断面１第２図 従来のアッシング方法に使用するドライエツチング装置
の倒所面図第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ドライエッチング装置（１）とオゾンアッシャ（２）と
を搬送ボックス（３）で接続し、前記ドライエッチング
装置（１）内でアルミニウムのエッチングを行い、 その後、前記搬送ボックス（３）内でウェーハ（４）を
移動し、 次に、前記オゾンアッシャ（２）内でレジストのアッシ
ングを行い、 その間にウェーハ（４）を大気に接触させないで、アル
ミニウムの腐食が生じないようにしたことを特徴とする
アッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29963586A JPS63150922A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | アツシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29963586A JPS63150922A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | アツシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63150922A true JPS63150922A (ja) | 1988-06-23 |
Family
ID=17875141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29963586A Pending JPS63150922A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | アツシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63150922A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63299341A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法およびその装置 |
| US5359455A (en) * | 1989-12-26 | 1994-10-25 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Polarization forming optical device |
| JPH07326606A (ja) * | 1995-01-30 | 1995-12-12 | Hitachi Ltd | 試料処理方法 |
| JPH088235A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-01-12 | Hitachi Ltd | 試料処理方法 |
-
1986
- 1986-12-15 JP JP29963586A patent/JPS63150922A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63299341A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法およびその装置 |
| US5359455A (en) * | 1989-12-26 | 1994-10-25 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Polarization forming optical device |
| JPH07326606A (ja) * | 1995-01-30 | 1995-12-12 | Hitachi Ltd | 試料処理方法 |
| JPH088235A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-01-12 | Hitachi Ltd | 試料処理方法 |
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