JP2002187799A - 種結晶、種結晶の検査方法及び単結晶の製造方法 - Google Patents
種結晶、種結晶の検査方法及び単結晶の製造方法Info
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- JP2002187799A JP2002187799A JP2000385227A JP2000385227A JP2002187799A JP 2002187799 A JP2002187799 A JP 2002187799A JP 2000385227 A JP2000385227 A JP 2000385227A JP 2000385227 A JP2000385227 A JP 2000385227A JP 2002187799 A JP2002187799 A JP 2002187799A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶に内在する欠陥を簡便にかつ確実に判別
でき、可視光や偏光で調べても結晶内部に含まれている
欠陥を観察できない結晶についても容易にかつ確実に品
質を判別できる種結晶の検査方法を提供する。単結晶製
造の歩留りを向上させることができると共に結晶品質を
安定化させることができる単結晶、及びその単結晶の製
造方法を提供する。 【解決手段】 種結晶の検査方法としては、種結晶又は
種結晶を切り出す前の結晶からＺ軸方向にほぼ垂直な平
面のウエハを切り出し、ウエハの一方の面を鏡面状に仕
上げた後エッチングし、エッチングした面のエッチピッ
トに応じて種結晶の良否判別を行う。単結晶の製造方法
としては、検査によって良好な品質と判別された種結晶
を用いて結晶成長を行う。
でき、可視光や偏光で調べても結晶内部に含まれている
欠陥を観察できない結晶についても容易にかつ確実に品
質を判別できる種結晶の検査方法を提供する。単結晶製
造の歩留りを向上させることができると共に結晶品質を
安定化させることができる単結晶、及びその単結晶の製
造方法を提供する。 【解決手段】 種結晶の検査方法としては、種結晶又は
種結晶を切り出す前の結晶からＺ軸方向にほぼ垂直な平
面のウエハを切り出し、ウエハの一方の面を鏡面状に仕
上げた後エッチングし、エッチングした面のエッチピッ
トに応じて種結晶の良否判別を行う。単結晶の製造方法
としては、検査によって良好な品質と判別された種結晶
を用いて結晶成長を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、種結晶、この種結
晶の検査方法、及びこの種結晶を用いて結晶成長を行う
単結晶の製造方法に関する。
晶の検査方法、及びこの種結晶を用いて結晶成長を行う
単結晶の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】種結晶を使用する結晶成長方法として、
チョクラルスキー法、ブリッジマン法等が良く知られて
いる。
チョクラルスキー法、ブリッジマン法等が良く知られて
いる。
【０００３】チョクラルスキー法は種結晶を用いて融液
から直接的に結晶を引き上げる方法であり、ブリッジマ
ン法は砲弾型のるつぼに原料を入れて溶融し、その先端
から融液を順次冷却して固化させる方法である。
から直接的に結晶を引き上げる方法であり、ブリッジマ
ン法は砲弾型のるつぼに原料を入れて溶融し、その先端
から融液を順次冷却して固化させる方法である。
【０００４】しかしながら、このようないずれの結晶成
長方法によっても、育成された単結晶の品質は、使用す
る種結晶の品質に依るところが大きい。即ち、品質の悪
い種結晶を用いて育成を行うと、肩の部分に生じる歪等
によりクラック、粒界及び／又は異常成長稜が頻繁に発
生し、歩留りが低下する。
長方法によっても、育成された単結晶の品質は、使用す
る種結晶の品質に依るところが大きい。即ち、品質の悪
い種結晶を用いて育成を行うと、肩の部分に生じる歪等
によりクラック、粒界及び／又は異常成長稜が頻繁に発
生し、歩留りが低下する。
【０００５】このような不都合を解決すべく、特開平６
−１６９０号公報では、種結晶をエッチング液に浸して
表面加工歪層を除去し、結晶成長を行う方法を提案して
いる。
−１６９０号公報では、種結晶をエッチング液に浸して
表面加工歪層を除去し、結晶成長を行う方法を提案して
いる。
【０００６】また、特開平６−２１１５９５号公報で
は、種結晶の一部を鏡面研磨し、可視光又は偏光下で種
結晶中にＺ軸方向の筋状パターンがないかどうか調べて
選別し、結晶成長を行う方法を提案している。
は、種結晶の一部を鏡面研磨し、可視光又は偏光下で種
結晶中にＺ軸方向の筋状パターンがないかどうか調べて
選別し、結晶成長を行う方法を提案している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した特開平６−１
６９０号公報に記載の方法によると、表面の加工歪層は
除去できるが、種結晶の内部に含まれる例えば粒界等の
欠陥は除去できず、従って実際に結晶を成長させてみな
いと種結晶が良好な品質を有しているかどうかを判断す
ることができない。
６９０号公報に記載の方法によると、表面の加工歪層は
除去できるが、種結晶の内部に含まれる例えば粒界等の
欠陥は除去できず、従って実際に結晶を成長させてみな
いと種結晶が良好な品質を有しているかどうかを判断す
ることができない。
【０００８】また、特開平６−２１１５９５号公報の方
法は、ランガサイト型構造を有する結晶のように可視光
や偏光で調べても結晶内部に含まれている欠陥を観察で
きない結晶については、全く適用できない。
法は、ランガサイト型構造を有する結晶のように可視光
や偏光で調べても結晶内部に含まれている欠陥を観察で
きない結晶については、全く適用できない。
【０００９】従って本発明の目的は、結晶に内在する欠
陥を簡便にかつ確実に判別できる種結晶の検査方法を提
供することにある。
陥を簡便にかつ確実に判別できる種結晶の検査方法を提
供することにある。
【００１０】本発明の他の目的は、可視光や偏光で調べ
ても結晶内部に含まれている欠陥を観察できない結晶に
ついても容易にかつ確実に品質を判別できる種結晶の検
査方法を提供することにある。
ても結晶内部に含まれている欠陥を観察できない結晶に
ついても容易にかつ確実に品質を判別できる種結晶の検
査方法を提供することにある。
【００１１】本発明のさらに他の目的は、単結晶製造の
歩留りを向上させることができると共に結晶品質を安定
化させることができる単結晶及びその単結晶の製造方法
を提供することにある。
歩留りを向上させることができると共に結晶品質を安定
化させることができる単結晶及びその単結晶の製造方法
を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、種結晶
又は種結晶を切り出す前の結晶からＺ軸方向にほぼ垂直
な平面のウエハを切り出し、ウエハの一方の面を鏡面状
に仕上げた後エッチングし、エッチングした面のエッチ
ピットに応じて種結晶の良否判別を行う種結晶の検査方
法が提供される。
又は種結晶を切り出す前の結晶からＺ軸方向にほぼ垂直
な平面のウエハを切り出し、ウエハの一方の面を鏡面状
に仕上げた後エッチングし、エッチングした面のエッチ
ピットに応じて種結晶の良否判別を行う種結晶の検査方
法が提供される。
【００１３】成長方向であるＺ軸方向にほぼ垂直な平面
として結晶から切り出したウエハの一方の面を鏡面状に
仕上げた後エッチングし、そのエッチングした面のエッ
チピットに応じて良否判別を行っているので、結晶に内
在する欠陥を簡便にかつ確実に判別でき、さらに、例え
ばランガサイト型構造を有する結晶のように可視光や偏
光で調べても結晶内部に含まれている欠陥を観察できな
い結晶についても容易にかつ確実に品質を判別できる。
しかも、ウエハに切り出して鏡面仕上げ処理、エッチン
グ処理及び良否判別処理を行っているので、作業性が非
常に優れている。
として結晶から切り出したウエハの一方の面を鏡面状に
仕上げた後エッチングし、そのエッチングした面のエッ
チピットに応じて良否判別を行っているので、結晶に内
在する欠陥を簡便にかつ確実に判別でき、さらに、例え
ばランガサイト型構造を有する結晶のように可視光や偏
光で調べても結晶内部に含まれている欠陥を観察できな
い結晶についても容易にかつ確実に品質を判別できる。
しかも、ウエハに切り出して鏡面仕上げ処理、エッチン
グ処理及び良否判別処理を行っているので、作業性が非
常に優れている。
【００１４】さらに本発明によれば、種結晶又は種結晶
を切り出す前の結晶からＺ軸方向にほぼ垂直な平面のウ
エハを切り出し、ウエハの一方の面を鏡面状に仕上げた
後エッチングし、エッチングした面のエッチピットに応
じてこの種結晶の良否判別を行い、良好な品質と判別さ
れた種結晶を用いて結晶成長を行う単結晶の製造方法が
提供される。
を切り出す前の結晶からＺ軸方向にほぼ垂直な平面のウ
エハを切り出し、ウエハの一方の面を鏡面状に仕上げた
後エッチングし、エッチングした面のエッチピットに応
じてこの種結晶の良否判別を行い、良好な品質と判別さ
れた種結晶を用いて結晶成長を行う単結晶の製造方法が
提供される。
【００１５】成長方向であるＺ軸方向にほぼ垂直な平面
として結晶から切り出したウエハの一方の面を鏡面状に
仕上げた後エッチングし、そのエッチングした面のエッ
チピットに応じて良否判別し、良好な品質の種結晶を用
いて結晶成長を行っているので、例えばランガサイト型
構造を有する結晶のように可視光や偏光で調べても結晶
内部に含まれている欠陥を観察できない結晶について
も、容易にかつ確実に種結晶の品質を判別できる。従っ
て、欠陥の多い結晶を種結晶として使用しないようにす
ることによって、単結晶製造の歩留りを向上させること
ができる。しかも、ウエハに切り出して鏡面仕上げ処
理、エッチング処理及び良否判別処理を行っているの
で、作業性が非常に優れている。また、良好な品質の種
結晶のみを使用して結晶育成を行えるので、製造した単
結晶品質を安定化させることができる。
として結晶から切り出したウエハの一方の面を鏡面状に
仕上げた後エッチングし、そのエッチングした面のエッ
チピットに応じて良否判別し、良好な品質の種結晶を用
いて結晶成長を行っているので、例えばランガサイト型
構造を有する結晶のように可視光や偏光で調べても結晶
内部に含まれている欠陥を観察できない結晶について
も、容易にかつ確実に種結晶の品質を判別できる。従っ
て、欠陥の多い結晶を種結晶として使用しないようにす
ることによって、単結晶製造の歩留りを向上させること
ができる。しかも、ウエハに切り出して鏡面仕上げ処
理、エッチング処理及び良否判別処理を行っているの
で、作業性が非常に優れている。また、良好な品質の種
結晶のみを使用して結晶育成を行えるので、製造した単
結晶品質を安定化させることができる。
【００１６】ウエハが、種結晶又は種結晶を切り出す前
の結晶の端面から切り出されることがより好ましい。こ
の場合、ウエハの鏡面状に仕上げられる上述の一方の面
が、このウエハを切り出すべく切断された側の面である
ことがより好ましい。種結晶は、実際に成長に貢献する
その端面の特性が重要であり、その端面に対応するウエ
ハの切断された側の面について検査することによって、
より正確に種結晶の品質を把握することが可能となる。
の結晶の端面から切り出されることがより好ましい。こ
の場合、ウエハの鏡面状に仕上げられる上述の一方の面
が、このウエハを切り出すべく切断された側の面である
ことがより好ましい。種結晶は、実際に成長に貢献する
その端面の特性が重要であり、その端面に対応するウエ
ハの切断された側の面について検査することによって、
より正確に種結晶の品質を把握することが可能となる。
【００１７】また、本発明によれば、種結晶又は種結晶
を切り出す前の結晶のＺ軸方向にほぼ垂直な端面を鏡面
状に仕上げた後エッチングし、エッチングした面のエッ
チピットに応じて種結晶の良否判別を行う種結晶の検査
方法が提供される。
を切り出す前の結晶のＺ軸方向にほぼ垂直な端面を鏡面
状に仕上げた後エッチングし、エッチングした面のエッ
チピットに応じて種結晶の良否判別を行う種結晶の検査
方法が提供される。
【００１８】またさらに、本発明によれば、種結晶又は
種結晶を切り出す前の結晶のＺ軸方向にほぼ垂直な端面
を鏡面状に仕上げた後エッチングし、エッチングした面
のエッチピットに応じて種結晶の良否判別を行い、良好
な品質と判別された種結晶を用いて結晶成長を行う単結
晶の製造方法が提供される。
種結晶を切り出す前の結晶のＺ軸方向にほぼ垂直な端面
を鏡面状に仕上げた後エッチングし、エッチングした面
のエッチピットに応じて種結晶の良否判別を行い、良好
な品質と判別された種結晶を用いて結晶成長を行う単結
晶の製造方法が提供される。
【００１９】成長方向であるＺ軸方向にほぼ垂直な端面
を鏡面状に仕上げた後エッチングし、そのエッチングし
た面のエッチピットに応じて良否判別し、良好な品質の
種結晶を用いて結晶成長を行っているので、例えばラン
ガサイト型構造を有する結晶のように可視光や偏光で調
べても結晶内部に含まれている欠陥を観察できない結晶
についても、容易にかつ確実に種結晶の品質を判別でき
る。従って、欠陥の多い結晶を種結晶として使用しない
ようにすることによって、単結晶製造の歩留りを向上さ
せることができる。また、良好な品質の種結晶のみを使
用して結晶育成を行えるので、製造した単結晶品質を安
定化させることができる。
を鏡面状に仕上げた後エッチングし、そのエッチングし
た面のエッチピットに応じて良否判別し、良好な品質の
種結晶を用いて結晶成長を行っているので、例えばラン
ガサイト型構造を有する結晶のように可視光や偏光で調
べても結晶内部に含まれている欠陥を観察できない結晶
についても、容易にかつ確実に種結晶の品質を判別でき
る。従って、欠陥の多い結晶を種結晶として使用しない
ようにすることによって、単結晶製造の歩留りを向上さ
せることができる。また、良好な品質の種結晶のみを使
用して結晶育成を行えるので、製造した単結晶品質を安
定化させることができる。
【００２０】エッチングした面のエッチピットの大きさ
及び分布状態を観察して良否判別を行うか、又はエッチ
ングした面のエッチピットの密度を求めて良否判別を行
うことが好ましい。
及び分布状態を観察して良否判別を行うか、又はエッチ
ングした面のエッチピットの密度を求めて良否判別を行
うことが好ましい。
【００２１】種結晶が、ランガサイト型結晶構造を有す
る物質、ガーネット、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸
リチウムであることも好ましい。このランガサイト型結
晶構造を有する物質が、Ｌａ３Ｔａ０．５Ｇａ５．５Ｏ
１４、Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１ ４又はＬａ３Ｎｂ０．５Ｇ
ａ５．５Ｏ１４であることがより好ましい。
る物質、ガーネット、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸
リチウムであることも好ましい。このランガサイト型結
晶構造を有する物質が、Ｌａ３Ｔａ０．５Ｇａ５．５Ｏ
１４、Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１ ４又はＬａ３Ｎｂ０．５Ｇ
ａ５．５Ｏ１４であることがより好ましい。
【００２２】種結晶が、Ｚ軸方向に対して±１０°以内
の方位を有する結晶であることも好ましい。
の方位を有する結晶であることも好ましい。
【００２３】さらに、本発明によれば、鏡面状に仕上げ
られかつエッチングされたＺ軸方向にほぼ垂直な端面を
有しており、エッチングされた端面のエッチピットの大
きさ及び分布状態が良好と判別される範囲にある種結晶
も提供される。
られかつエッチングされたＺ軸方向にほぼ垂直な端面を
有しており、エッチングされた端面のエッチピットの大
きさ及び分布状態が良好と判別される範囲にある種結晶
も提供される。
【００２４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態におけ
る種結晶の検査手順を概略的に示す図である。
る種結晶の検査手順を概略的に示す図である。
【００２５】種結晶を切り出そうとする結晶を用意す
る。この結晶は、表面弾性波素子等に用いられる圧電性
単結晶の一種であるランガサイト型結晶構造を有する物
質、ニオブ酸リチウム若しくはタンタル酸リチウム、又
は基板材料として用いられるガーネットである。このラ
ンガサイト型結晶構造を有する物質としては、Ｌａ３Ｔ
ａ０．５Ｇａ５．５Ｏ１４、Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４又
はＬａ３Ｎｂ０．５Ｇａ ５．５Ｏ１４である。
る。この結晶は、表面弾性波素子等に用いられる圧電性
単結晶の一種であるランガサイト型結晶構造を有する物
質、ニオブ酸リチウム若しくはタンタル酸リチウム、又
は基板材料として用いられるガーネットである。このラ
ンガサイト型結晶構造を有する物質としては、Ｌａ３Ｔ
ａ０．５Ｇａ５．５Ｏ１４、Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４又
はＬａ３Ｎｂ０．５Ｇａ ５．５Ｏ１４である。
【００２６】まず、同図（Ａ）に示すように、この種結
晶を切り出そうとする結晶１０の肩部とテール部とをＺ
軸方向に垂直な切断面１１及び１２で切断する。次い
で、この切断した結晶の端面における切断線が同図
（Ｂ）のごとくなるように、この結晶を切断し、Ｚ軸方
向が長手方向であり一辺が約５ｍｍ程度の複数の角柱形
状の種結晶を切り出す。
晶を切り出そうとする結晶１０の肩部とテール部とをＺ
軸方向に垂直な切断面１１及び１２で切断する。次い
で、この切断した結晶の端面における切断線が同図
（Ｂ）のごとくなるように、この結晶を切断し、Ｚ軸方
向が長手方向であり一辺が約５ｍｍ程度の複数の角柱形
状の種結晶を切り出す。
【００２７】次いで、同図（Ｃ）に示すように、切り出
した各角柱形状種結晶１３の端面をその長手方向に垂直
な切断面１４で薄く切断することにより、同図（Ｄ）に
示すようなウエハ１５を得る。
した各角柱形状種結晶１３の端面をその長手方向に垂直
な切断面１４で薄く切断することにより、同図（Ｄ）に
示すようなウエハ１５を得る。
【００２８】このウエハ１５の切断面を鏡面研磨し、次
いで、酸によってエッチングした後、光学顕微鏡でエッ
チピットを観察してその種結晶の品質の良否を判別す
る。
いで、酸によってエッチングした後、光学顕微鏡でエッ
チピットを観察してその種結晶の品質の良否を判別す
る。
【００２９】この良否判別は、本実施形態ではエッチピ
ットの大きさ及び分布状態を観察して判断している。即
ち、比較的大きなエッチピットが密集又は連続して存在
する場合は不良品質の種結晶であるとして結晶成長に使
用しない。また、エッチピットが存在しない場合及び比
較的小さなエッチピットが独立して存在している場合は
良好な品質の種結晶として結晶成長用に選別する。比較
的小さなエッチピットが連続して存在する場合及び比較
的大きなエッチピットが独立して存在している場合は、
準良好な品質と判別し、基本的に、結晶成長用に選別す
る。
ットの大きさ及び分布状態を観察して判断している。即
ち、比較的大きなエッチピットが密集又は連続して存在
する場合は不良品質の種結晶であるとして結晶成長に使
用しない。また、エッチピットが存在しない場合及び比
較的小さなエッチピットが独立して存在している場合は
良好な品質の種結晶として結晶成長用に選別する。比較
的小さなエッチピットが連続して存在する場合及び比較
的大きなエッチピットが独立して存在している場合は、
準良好な品質と判別し、基本的に、結晶成長用に選別す
る。
【００３０】図２〜図９は、種々の種結晶のウエハにつ
いてエッチピットを観察した光学顕微鏡写真を表してい
る。
いてエッチピットを観察した光学顕微鏡写真を表してい
る。
【００３１】図２〜図４に示す種結晶は、比較的大きな
エッチピットが密集又は連続して存在しているので不良
品質と判別される。図５及び図６に示す種結晶は、比較
的小さなエッチピットが連続して存在しているから準良
好な品質と判別される。図７及び図８に示す種結晶は、
比較的大きなエッチピットが独立して存在しているので
準良好な品質と判別される。図９に示す種結晶は、比較
的小さなエッチピットが独立して存在しているので良好
な品質と判別される。
エッチピットが密集又は連続して存在しているので不良
品質と判別される。図５及び図６に示す種結晶は、比較
的小さなエッチピットが連続して存在しているから準良
好な品質と判別される。図７及び図８に示す種結晶は、
比較的大きなエッチピットが独立して存在しているので
準良好な品質と判別される。図９に示す種結晶は、比較
的小さなエッチピットが独立して存在しているので良好
な品質と判別される。
【００３２】エッチピットによる種結晶の品質の良否判
別は、上述したようにエッチピットの大きさ及び分布状
態を観察して判断する方法の他に、エッチピットの密度
（ＥＰＤ）を市販のウエハ欠陥解析装置等により計測す
るか又は観察により求め、これを閾値と比較して良否を
判別する方法を用いても良い。
別は、上述したようにエッチピットの大きさ及び分布状
態を観察して判断する方法の他に、エッチピットの密度
（ＥＰＤ）を市販のウエハ欠陥解析装置等により計測す
るか又は観察により求め、これを閾値と比較して良否を
判別する方法を用いても良い。
【００３３】切り出した全ての種結晶について同様の良
否判別を行った後、良好な品質と判別された種結晶のみ
を用いて結晶成長を行う。
否判別を行った後、良好な品質と判別された種結晶のみ
を用いて結晶成長を行う。
【００３４】図１０は、本実施形態における単結晶成長
炉の構成を概略的に示す図である。この実施形態では、
チョクラルスキー法により単結晶成長を行っている。図
１０において、１００は良好な品質であると判別された
種結晶、１０１は育成すべき結晶原料の融液１０２が入
った白金、イリジウム等の貴金属製のるつぼ、１０３は
成長した結晶、１０４は加熱用の高周波誘導コイル、１
０５は耐火材をそれぞれ示している。
炉の構成を概略的に示す図である。この実施形態では、
チョクラルスキー法により単結晶成長を行っている。図
１０において、１００は良好な品質であると判別された
種結晶、１０１は育成すべき結晶原料の融液１０２が入
った白金、イリジウム等の貴金属製のるつぼ、１０３は
成長した結晶、１０４は加熱用の高周波誘導コイル、１
０５は耐火材をそれぞれ示している。
【００３５】所定の条件下、例えば雰囲気が窒素と酸素
との混合ガス中、引き上げ速度が１〜２ｍｍ／ｈｒ、結
晶回転数が１０〜２０ｒｐｍという条件下において結晶
の育成が行われる。チョクラルスキー法による結晶育成
手順は周知であるため詳しい説明は省略する。
との混合ガス中、引き上げ速度が１〜２ｍｍ／ｈｒ、結
晶回転数が１０〜２０ｒｐｍという条件下において結晶
の育成が行われる。チョクラルスキー法による結晶育成
手順は周知であるため詳しい説明は省略する。
【００３６】以上説明した実施形態によれば、成長方向
であるＺ軸方向に垂直な平面として種結晶１３の端面か
ら薄く切断したウエハ１５の切断面を鏡面研磨した後エ
ッチングし、そのエッチングした面のエッチピットを観
察又はその密度を計測して良否判別し、良好な品質の種
結晶を用いて結晶成長を行っているので、例えばランガ
サイト型構造を有する結晶のように可視光や偏光で調べ
ても結晶内部に含まれている欠陥を観察できない結晶に
ついても、容易にかつ確実に種結晶の品質を判別でき
る。従って、欠陥の多い結晶を種結晶として使用しない
ようにすることによって、単結晶製造の歩留りを向上さ
せることができる。また、良好な品質の種結晶のみを使
用して結晶育成を行えるので、製造した単結晶品質を安
定化させることができる。
であるＺ軸方向に垂直な平面として種結晶１３の端面か
ら薄く切断したウエハ１５の切断面を鏡面研磨した後エ
ッチングし、そのエッチングした面のエッチピットを観
察又はその密度を計測して良否判別し、良好な品質の種
結晶を用いて結晶成長を行っているので、例えばランガ
サイト型構造を有する結晶のように可視光や偏光で調べ
ても結晶内部に含まれている欠陥を観察できない結晶に
ついても、容易にかつ確実に種結晶の品質を判別でき
る。従って、欠陥の多い結晶を種結晶として使用しない
ようにすることによって、単結晶製造の歩留りを向上さ
せることができる。また、良好な品質の種結晶のみを使
用して結晶育成を行えるので、製造した単結晶品質を安
定化させることができる。
【００３７】図１１は、本発明の他の実施形態における
種結晶の検査手順を概略的に示す図である。
種結晶の検査手順を概略的に示す図である。
【００３８】種結晶を切り出そうとする結晶を用意す
る。この結晶は、表面弾性波素子等に用いられる圧電性
単結晶の一種であるランガサイト型結晶構造を有する物
質、ニオブ酸リチウム若しくはタンタル酸リチウム、又
は基板材料として用いられるガーネットである。このラ
ンガサイト型結晶構造を有する物質としては、Ｌａ３Ｔ
ａ０．５Ｇａ５．５Ｏ１４、Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４又
はＬａ３Ｎｂ０．５Ｇａ ５．５Ｏ１４である。
る。この結晶は、表面弾性波素子等に用いられる圧電性
単結晶の一種であるランガサイト型結晶構造を有する物
質、ニオブ酸リチウム若しくはタンタル酸リチウム、又
は基板材料として用いられるガーネットである。このラ
ンガサイト型結晶構造を有する物質としては、Ｌａ３Ｔ
ａ０．５Ｇａ５．５Ｏ１４、Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４又
はＬａ３Ｎｂ０．５Ｇａ ５．５Ｏ１４である。
【００３９】まず、同図（Ａ）に示すように、この種結
晶を切り出そうとする結晶１１０の肩部とテール部とを
Ｚ軸方向に垂直な切断面１１１及び１１２で切断する。
さらに、この切断した結晶の端面をそのＺ軸方向に垂直
な切断面１１４で薄く切断することにより、同図（Ｂ）
に示すようなウエハ１１５を得る。
晶を切り出そうとする結晶１１０の肩部とテール部とを
Ｚ軸方向に垂直な切断面１１１及び１１２で切断する。
さらに、この切断した結晶の端面をそのＺ軸方向に垂直
な切断面１１４で薄く切断することにより、同図（Ｂ）
に示すようなウエハ１１５を得る。
【００４０】このウエハ１１５の切断面を鏡面研磨し、
次いで、酸によってエッチングした後、光学顕微鏡でエ
ッチピットを観察して後に個々の種結晶として切り出す
各分割領域の品質の良否を判別する。
次いで、酸によってエッチングした後、光学顕微鏡でエ
ッチピットを観察して後に個々の種結晶として切り出す
各分割領域の品質の良否を判別する。
【００４１】良否判別の方法及びその変更態様は、図１
の実施形態の場合と全く同様である。
の実施形態の場合と全く同様である。
【００４２】結晶１１０の端面（切断面１１２）におけ
る切断線が同図（Ｂ）のごとくなるように、この結晶を
切断し、Ｚ軸方向が長手方向であり一辺が約５ｍｍ程度
の複数の角柱形状の種結晶を切り出しておく。
る切断線が同図（Ｂ）のごとくなるように、この結晶を
切断し、Ｚ軸方向が長手方向であり一辺が約５ｍｍ程度
の複数の角柱形状の種結晶を切り出しておく。
【００４３】ウエハ１１５上の全ての分割領域について
同様の良否判別を行った後、良好な品質と判別された分
割領域に対応する種結晶のみを用いて結晶成長を行う。
同様の良否判別を行った後、良好な品質と判別された分
割領域に対応する種結晶のみを用いて結晶成長を行う。
【００４４】結晶育成方法は、図１の実施形態の場合と
全く同様である。
全く同様である。
【００４５】また、本実施形態における作用効果につい
ても図１の実施形態の場合とほぼ同様である。
ても図１の実施形態の場合とほぼ同様である。
【００４６】以上説明した実施形態においては、種結晶
がＺ軸方向の方位を有する結晶とされているが、Ｚ軸方
向に対して±１０°以内の方位を有する結晶の場合にも
本発明を適用することができる。
がＺ軸方向の方位を有する結晶とされているが、Ｚ軸方
向に対して±１０°以内の方位を有する結晶の場合にも
本発明を適用することができる。
【００４７】また、以上説明した実施形態では、単結晶
の育成にチョクラルスキー法を用いているが、種結晶を
用いる結晶成長方法であればチョクラルスキー法以外の
いかなる方法によっても本発明が実現可能であることは
明らかである。
の育成にチョクラルスキー法を用いているが、種結晶を
用いる結晶成長方法であればチョクラルスキー法以外の
いかなる方法によっても本発明が実現可能であることは
明らかである。
【００４８】さらに、以上説明した実施形態では、鏡面
仕上げ処理、エッチング処理及び良否判別処理の作業性
を容易にするため、種結晶又は種結晶を切り出す前の結
晶からウエハを切り出してこれを検査しているが、本発
明では、種結晶又は種結晶を切り出す前の結晶の端面を
鏡面状に仕上げた後エッチングし、エッチングした面の
エッチピットに応じて種結晶の良否判別を行っても良
い。
仕上げ処理、エッチング処理及び良否判別処理の作業性
を容易にするため、種結晶又は種結晶を切り出す前の結
晶からウエハを切り出してこれを検査しているが、本発
明では、種結晶又は種結晶を切り出す前の結晶の端面を
鏡面状に仕上げた後エッチングし、エッチングした面の
エッチピットに応じて種結晶の良否判別を行っても良
い。
【００４９】
【実施例】イリジウム製のるつぼに、Ｌａ３Ｔａ０．５
Ｇａ５．５Ｏ１４（ＬＴＧ）原料を充填し、高周波加熱
により融解させた後、Ｚ軸方位を有するＬＴＧの種結晶
をこれに浸し、徐々に引き上げることにより直径1イン
チ（約２．５ｃｍ）、長さ８０ｍｍの単結晶を成長させ
た。
Ｇａ５．５Ｏ１４（ＬＴＧ）原料を充填し、高周波加熱
により融解させた後、Ｚ軸方位を有するＬＴＧの種結晶
をこれに浸し、徐々に引き上げることにより直径1イン
チ（約２．５ｃｍ）、長さ８０ｍｍの単結晶を成長させ
た。
【００５０】この単結晶の肩部とテール部とをＺ軸方向
に垂直な切断面で切断し、この切断した結晶からＺ軸方
向が長手方向であり一辺が５ｍｍの複数の角柱形状の種
結晶を切り出した。この切り出した各角柱形状種結晶の
端面をその長手方向に垂直な切断面で薄く切断すること
により、ウエハを得、そのウエハの切断面を鏡面研磨
し、ピロリン酸で１４０℃、１５分間エッチングした
後、光学顕微鏡でエッチピットを観察してその種結晶の
品質の良否を判別した。
に垂直な切断面で切断し、この切断した結晶からＺ軸方
向が長手方向であり一辺が５ｍｍの複数の角柱形状の種
結晶を切り出した。この切り出した各角柱形状種結晶の
端面をその長手方向に垂直な切断面で薄く切断すること
により、ウエハを得、そのウエハの切断面を鏡面研磨
し、ピロリン酸で１４０℃、１５分間エッチングした
後、光学顕微鏡でエッチピットを観察してその種結晶の
品質の良否を判別した。
【００５１】良否判別方法として、エッチピットの大き
さ及び分布状態を観察して判断した。即ち、比較的大き
なエッチピットが密集又は連続して存在する場合は不良
品質の種結晶であるとした。また、エッチピットが存在
しない場合及び比較的小さなエッチピットが独立して存
在している場合は良好な品質の種結晶と判断した。これ
ら、良否判別した種結晶をそれぞれ用い、チョクラルス
キー法によりＺ軸方向のＬＴＧ単結晶の引き上げを行っ
た。
さ及び分布状態を観察して判断した。即ち、比較的大き
なエッチピットが密集又は連続して存在する場合は不良
品質の種結晶であるとした。また、エッチピットが存在
しない場合及び比較的小さなエッチピットが独立して存
在している場合は良好な品質の種結晶と判断した。これ
ら、良否判別した種結晶をそれぞれ用い、チョクラルス
キー法によりＺ軸方向のＬＴＧ単結晶の引き上げを行っ
た。
【００５２】引き上げは窒素と酸素との混合ガス中で行
われ、引き上げ条件としては、引き上げ速度が１〜２ｍ
ｍ／ｈｒ、結晶回転数が１０〜２０ｒｐｍであった。育
成された結晶について、異常成長稜及びクラックを検査
すると、表１の結果が得られた。なお、表１において、
数値の分母は引き上げ回数、分子は異常成長稜又はクラ
ックの発生が認められた回数をそれぞれ示している。
われ、引き上げ条件としては、引き上げ速度が１〜２ｍ
ｍ／ｈｒ、結晶回転数が１０〜２０ｒｐｍであった。育
成された結晶について、異常成長稜及びクラックを検査
すると、表１の結果が得られた。なお、表１において、
数値の分母は引き上げ回数、分子は異常成長稜又はクラ
ックの発生が認められた回数をそれぞれ示している。
【００５３】
【表１】
【００５４】以上の結果から、種結晶の端面を薄く切断
し、切断面を鏡面研磨した後にエッチングして表面を観
察し、エッチピットの大きさ及び分布状態からその種結
晶の品質の良否を判別し、品質が良好な種結晶を選別し
て単結晶の育成を行えば、異常成長稜及びクラック等の
ない良好な品質の結晶を歩留り良く育成することができ
ることが分かる。
し、切断面を鏡面研磨した後にエッチングして表面を観
察し、エッチピットの大きさ及び分布状態からその種結
晶の品質の良否を判別し、品質が良好な種結晶を選別し
て単結晶の育成を行えば、異常成長稜及びクラック等の
ない良好な品質の結晶を歩留り良く育成することができ
ることが分かる。
【００５５】なお、エッチングに用いる酸は、エッチピ
ットが観察できるものであれば良く、ピロリン酸以外
に、例えば塩酸やフッ化水素酸であっても良い。
ットが観察できるものであれば良く、ピロリン酸以外
に、例えば塩酸やフッ化水素酸であっても良い。
【００５６】以上述べた実施形態及び実施例は全て本発
明を例示的に示すものであって限定的に示すものではな
く、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施す
ることができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲
及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
明を例示的に示すものであって限定的に示すものではな
く、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施す
ることができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲
及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【００５７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、成長方向であるＺ軸方向にほぼ垂直な平面として結
晶から切り出したウエハの一方の面を鏡面状に仕上げた
後エッチングし、そのエッチングした面のエッチピット
に応じて良否判別を行っているので、結晶に内在する欠
陥を簡便にかつ確実に判別でき、さらに、例えばランガ
サイト型構造を有する結晶のように可視光や偏光で調べ
ても結晶内部に含まれている欠陥を観察できない結晶に
ついても容易にかつ確実に品質を判別できる。しかも、
ウエハに切り出して鏡面仕上げ処理、エッチング処理及
び良否判別処理を行っているので、作業性が非常に優れ
ている。
ば、成長方向であるＺ軸方向にほぼ垂直な平面として結
晶から切り出したウエハの一方の面を鏡面状に仕上げた
後エッチングし、そのエッチングした面のエッチピット
に応じて良否判別を行っているので、結晶に内在する欠
陥を簡便にかつ確実に判別でき、さらに、例えばランガ
サイト型構造を有する結晶のように可視光や偏光で調べ
ても結晶内部に含まれている欠陥を観察できない結晶に
ついても容易にかつ確実に品質を判別できる。しかも、
ウエハに切り出して鏡面仕上げ処理、エッチング処理及
び良否判別処理を行っているので、作業性が非常に優れ
ている。
【００５８】また、成長方向であるＺ軸方向にほぼ垂直
な平面として結晶から切り出したウエハの一方の面を鏡
面状に仕上げた後エッチングし、そのエッチングした面
のエッチピットに応じて良否判別し、良好な品質の種結
晶を用いて結晶成長を行っているので、例えばランガサ
イト型構造を有する結晶のように可視光や偏光で調べて
も結晶内部に含まれている欠陥を観察できない結晶につ
いても、容易にかつ確実に種結晶の品質を判別できる。
しかも、ウエハに切り出して鏡面仕上げ処理、エッチン
グ処理及び良否判別処理を行っているので、作業性が非
常に優れている。欠陥の多い結晶を種結晶として使用し
ないようにすることによって、単結晶製造の歩留りを向
上させることができる。さらに、良好な品質の種結晶の
みを使用して結晶育成を行えるので、製造した単結晶品
質を安定化させることができる。
な平面として結晶から切り出したウエハの一方の面を鏡
面状に仕上げた後エッチングし、そのエッチングした面
のエッチピットに応じて良否判別し、良好な品質の種結
晶を用いて結晶成長を行っているので、例えばランガサ
イト型構造を有する結晶のように可視光や偏光で調べて
も結晶内部に含まれている欠陥を観察できない結晶につ
いても、容易にかつ確実に種結晶の品質を判別できる。
しかも、ウエハに切り出して鏡面仕上げ処理、エッチン
グ処理及び良否判別処理を行っているので、作業性が非
常に優れている。欠陥の多い結晶を種結晶として使用し
ないようにすることによって、単結晶製造の歩留りを向
上させることができる。さらに、良好な品質の種結晶の
みを使用して結晶育成を行えるので、製造した単結晶品
質を安定化させることができる。
【００５９】またさらに、成長方向であるＺ軸方向にほ
ぼ垂直な端面を鏡面状に仕上げた後エッチングし、その
エッチングした面のエッチピットに応じて良否判別し、
良好な品質の種結晶を用いて結晶成長を行っているの
で、例えばランガサイト型構造を有する結晶のように可
視光や偏光で調べても結晶内部に含まれている欠陥を観
察できない結晶についても、容易にかつ確実に種結晶の
品質を判別できる。従って、欠陥の多い結晶を種結晶と
して使用しないようにすることによって、単結晶製造の
歩留りを向上させることができる。また、良好な品質の
種結晶のみを使用して結晶育成を行えるので、製造した
単結晶品質を安定化させることができる。
ぼ垂直な端面を鏡面状に仕上げた後エッチングし、その
エッチングした面のエッチピットに応じて良否判別し、
良好な品質の種結晶を用いて結晶成長を行っているの
で、例えばランガサイト型構造を有する結晶のように可
視光や偏光で調べても結晶内部に含まれている欠陥を観
察できない結晶についても、容易にかつ確実に種結晶の
品質を判別できる。従って、欠陥の多い結晶を種結晶と
して使用しないようにすることによって、単結晶製造の
歩留りを向上させることができる。また、良好な品質の
種結晶のみを使用して結晶育成を行えるので、製造した
単結晶品質を安定化させることができる。
【図１】本発明の一実施形態における種結晶の検査手順
を概略的に示す図である。
を概略的に示す図である。
【図２】種結晶のウエハについてエッチピットを観察し
た光学顕微鏡写真である。
た光学顕微鏡写真である。
【図３】種結晶のウエハについてエッチピットを観察し
た光学顕微鏡写真である。
た光学顕微鏡写真である。
【図４】種結晶のウエハについてエッチピットを観察し
た光学顕微鏡写真である。
た光学顕微鏡写真である。
【図５】種結晶のウエハについてエッチピットを観察し
た光学顕微鏡写真である。
た光学顕微鏡写真である。
【図６】種結晶のウエハについてエッチピットを観察し
た光学顕微鏡写真である。
た光学顕微鏡写真である。
【図７】種結晶のウエハについてエッチピットを観察し
た光学顕微鏡写真である。
た光学顕微鏡写真である。
【図８】種結晶のウエハについてエッチピットを観察し
た光学顕微鏡写真である。
た光学顕微鏡写真である。
【図９】種結晶のウエハについてエッチピットを観察し
た光学顕微鏡写真である。
た光学顕微鏡写真である。
【図１０】図１の実施形態における単結晶成長装置の構
成を概略的に示す図である。
成を概略的に示す図である。
【図１１】本発明の他の実施形態における種結晶の検査
手順を概略的に示す図である。
手順を概略的に示す図である。
１０、１１０ 種結晶を切り出そうとする結晶 １１、１２、１４、１１１、１１２、１１４ 切断面 １３、１００ 種結晶 １５、１１５ ウエハ １０１ るつぼ １０２ 融液 １０３ 成長した結晶 １０４ 高周波誘導コイル １０５ 耐火材
Claims (19)
- 【請求項１】 種結晶又は該種結晶を切り出す前の結晶
からＺ軸方向にほぼ垂直な平面のウエハを切り出し、該
ウエハの一方の面を鏡面状に仕上げた後エッチングし、
エッチングした面のエッチピットに応じて該種結晶の良
否判別を行うことを特徴とする種結晶の検査方法。 - 【請求項２】 前記ウエハが、種結晶又は該種結晶を切
り出す前の結晶の端面から切り出されることを特徴とす
る請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記ウエハの鏡面状に仕上げられる前記
一方の面が、該ウエハを切り出すべく切断された側の面
であることを特徴とする請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】 種結晶又は該種結晶を切り出す前の結晶
のＺ軸方向にほぼ垂直な端面を鏡面状に仕上げた後エッ
チングし、エッチングした面のエッチピットに応じて該
種結晶の良否判別を行うことを特徴とする種結晶の検査
方法。 - 【請求項５】 エッチングした面のエッチピットの大き
さ及び分布状態を観察して前記良否判別を行うことを特
徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項６】 エッチングした面のエッチピットの密度
を求めて前記良否判別を行うことを特徴とする請求項１
から４のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項７】 前記種結晶が、ランガサイト型結晶構造
を有する物質、ガーネット、ニオブ酸リチウム又はタン
タル酸リチウムであることを特徴とする請求項１から６
のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項８】 前記ランガサイト型結晶構造を有する物
質が、Ｌａ３Ｔａ０ ．５Ｇａ５．５Ｏ１４、Ｌａ３Ｇａ
５ＳｉＯ１４又はＬａ３Ｎｂ０．５Ｇａ５． ５Ｏ１４で
あることを特徴とする請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】 前記種結晶が、Ｚ軸方向に対して±１０
°以内の方位を有する結晶であることを特徴とする請求
項１から８のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１０】 種結晶又は該種結晶を切り出す前の結
晶からＺ軸方向にほぼ垂直な平面のウエハを切り出し、
該ウエハの一方の面を鏡面状に仕上げた後エッチング
し、エッチングした面のエッチピットに応じて該種結晶
の良否判別を行い、良好な品質と判別された種結晶を用
いて結晶成長を行うことを特徴とする単結晶の製造方
法。 - 【請求項１１】 前記ウエハが、種結晶又は該種結晶を
切り出す前の結晶の端面から切り出されることを特徴と
する請求項１０に記載の製造方法。 - 【請求項１２】 前記ウエハの鏡面状に仕上げられる前
記一方の面が、該ウエハを切り出すべく切断された側の
面であることを特徴とする請求項１１に記載の製造方
法。 - 【請求項１３】 種結晶又は該種結晶を切り出す前の結
晶のＺ軸方向にほぼ垂直な端面を鏡面状に仕上げた後エ
ッチングし、エッチングした面のエッチピットに応じて
該種結晶の良否判別を行い、良好な品質と判別された種
結晶を用いて結晶成長を行うことを特徴とする単結晶の
製造方法。 - 【請求項１４】 エッチングした面のエッチピットの大
きさ及び分布状態を観察して種結晶の前記良否判別を行
うことを特徴とする請求項１０から１３のいずれか１項
に記載の製造方法。 - 【請求項１５】 エッチングした面のエッチピットの密
度を求めて種結晶の前記良否判別を行うことを特徴とす
る請求項１０から１３のいずれか１項に記載の製造方
法。 - 【請求項１６】 前記単結晶が、ランガサイト型結晶構
造を有する物質、ガーネット、ニオブ酸リチウム又はタ
ンタル酸リチウムであることを特徴とする請求項１０か
ら１５のいずれか１項に記載の製造方法。 - 【請求項１７】 前記ランガサイト型結晶構造を有する
物質が、Ｌａ３Ｔａ ０．５Ｇａ５．５Ｏ１４、Ｌａ３Ｇ
ａ５ＳｉＯ１４又はＬａ３Ｎｂ０．５Ｇａ５ ．５Ｏ１４
であることを特徴とする請求項１６に記載の製造方法。 - 【請求項１８】 前記種結晶が、Ｚ軸方向に対して±１
０°以内の方位を有する結晶であることを特徴とする請
求項１０から１７のいずれか１項に記載の製造方法。 - 【請求項１９】 鏡面状に仕上げられかつエッチングさ
れたＺ軸方向にほぼ垂直な端面を有しており、該エッチ
ングされた端面のエッチピットの大きさ及び分布状態が
良好と判別される範囲にあることを特徴とする種結晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000385227A JP4000772B2 (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | 種結晶の検査方法及び単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000385227A JP4000772B2 (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | 種結晶の検査方法及び単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002187799A true JP2002187799A (ja) | 2002-07-05 |
| JP4000772B2 JP4000772B2 (ja) | 2007-10-31 |
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ID=18852531
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000385227A Expired - Fee Related JP4000772B2 (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | 種結晶の検査方法及び単結晶の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4000772B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101561401B (zh) * | 2009-05-23 | 2011-08-17 | 青岛大学 | 一种晶体生长表面微结构的实时观测方法 |
| CN112746323A (zh) * | 2019-10-31 | 2021-05-04 | 信越化学工业株式会社 | 单晶锭的制造方法和单晶晶片的制造方法 |
| CN114717639A (zh) * | 2022-06-07 | 2022-07-08 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 基于光电化学腐蚀工艺定位氧化镓晶片表面缺陷的方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09165295A (ja) * | 1994-12-05 | 1997-06-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 低欠陥ダイヤモンド単結晶及びその合成方法 |
| JPH10265299A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の熱処理方法 |
| JPH11106295A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-20 | Tdk Corp | Ｎｄ３Ｇａ５ＳｉＯ１４単結晶の製造方法 |
| JP2002029897A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶ＧａＮ基板の製造方法と単結晶ＧａＮ基板 |
-
2000
- 2000-12-19 JP JP2000385227A patent/JP4000772B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09165295A (ja) * | 1994-12-05 | 1997-06-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 低欠陥ダイヤモンド単結晶及びその合成方法 |
| JPH10265299A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の熱処理方法 |
| JPH11106295A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-20 | Tdk Corp | Ｎｄ３Ｇａ５ＳｉＯ１４単結晶の製造方法 |
| JP2002029897A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶ＧａＮ基板の製造方法と単結晶ＧａＮ基板 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101561401B (zh) * | 2009-05-23 | 2011-08-17 | 青岛大学 | 一种晶体生长表面微结构的实时观测方法 |
| CN112746323A (zh) * | 2019-10-31 | 2021-05-04 | 信越化学工业株式会社 | 单晶锭的制造方法和单晶晶片的制造方法 |
| JP2021070614A (ja) * | 2019-10-31 | 2021-05-06 | 信越化学工業株式会社 | 単結晶インゴットの製造方法及び単結晶ウエハの製造方法 |
| JP7336961B2 (ja) | 2019-10-31 | 2023-09-01 | 信越化学工業株式会社 | 単結晶インゴットの製造方法及び単結晶ウエハの製造方法 |
| CN114717639A (zh) * | 2022-06-07 | 2022-07-08 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 基于光电化学腐蚀工艺定位氧化镓晶片表面缺陷的方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4000772B2 (ja) | 2007-10-31 |
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