JP2002170739A - 積層セラミックコンデンサモジュール - Google Patents
積層セラミックコンデンサモジュールInfo
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
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-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大電流用途に適しており、放熱性に優れてお
り、小型化及び低価格化を図り得る積層セラミックコン
デンサモジュールを提供する。 【解決手段】 少なくとも１個の積層セラミックコンデ
ンサ３，４が基板２の表面２ａ及び裏面２ｂに実装され
ており、実装されている積層セラミックコンデンサ３，
４の基板２に対向している面を除く残りの外表面の総表
面積をＳ２、Ｓ２と、基板２の積層セラミックコンデン
サ３，４により覆われている領域を除いた外表面の面積
との合計を総表面積Ｓ１としたときに、Ｓ１がＳ２の
１．３倍以上とされている、積層セラミックコンデンサ
モジュール１。
り、小型化及び低価格化を図り得る積層セラミックコン
デンサモジュールを提供する。 【解決手段】 少なくとも１個の積層セラミックコンデ
ンサ３，４が基板２の表面２ａ及び裏面２ｂに実装され
ており、実装されている積層セラミックコンデンサ３，
４の基板２に対向している面を除く残りの外表面の総表
面積をＳ２、Ｓ２と、基板２の積層セラミックコンデン
サ３，４により覆われている領域を除いた外表面の面積
との合計を総表面積Ｓ１としたときに、Ｓ１がＳ２の
１．３倍以上とされている、積層セラミックコンデンサ
モジュール１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば高周波領域
で平滑用途やスナバ用途などに用いられる比較的大きな
電流が流れる回路に用いられる積層セラミックコンデン
サモジュールに関し、より詳細には、放熱構造が改良さ
れた積層セラミックコンデンサモジュールに関する。
で平滑用途やスナバ用途などに用いられる比較的大きな
電流が流れる回路に用いられる積層セラミックコンデン
サモジュールに関し、より詳細には、放熱構造が改良さ
れた積層セラミックコンデンサモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、大電流用途に用いられるコンデン
サとして、複数個の積層セラミックコンデンサを並列接
続してなる積層セラミックコンデンサモジュールが種々
提案されている。例えば、特開平１０−２４１９８９号
公報や特開平１０−２２３４７３号公報に記載のよう
に、この種の積層セラミックコンデンサモジュールで
は、複数個の積層セラミックコンデンサが外部電極の電
極方向を合わせて積層され、一体化されている。この一
体化された構造に外部との電気的接続を果たすための金
属端子が接合されている。
サとして、複数個の積層セラミックコンデンサを並列接
続してなる積層セラミックコンデンサモジュールが種々
提案されている。例えば、特開平１０−２４１９８９号
公報や特開平１０−２２３４７３号公報に記載のよう
に、この種の積層セラミックコンデンサモジュールで
は、複数個の積層セラミックコンデンサが外部電極の電
極方向を合わせて積層され、一体化されている。この一
体化された構造に外部との電気的接続を果たすための金
属端子が接合されている。
【０００３】外電流用途用の単一の積層セラミックコン
デンサも知られている。
デンサも知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】大電流用途の積層セラ
ミックコンデンサは、比較的多くの熱を発生する。従っ
て、発生した熱を効率よく放散させる必要がある。
ミックコンデンサは、比較的多くの熱を発生する。従っ
て、発生した熱を効率よく放散させる必要がある。
【０００５】ところで、基板上に実装された単一の積層
セラミックコンデンサで発生した熱は、基板への熱伝導
や積層セラミックコンデンサの露出している表面から空
気中への対流により放出される。このように、単一の積
層セラミックコンデンサが基板に実装されている構造で
は、自然対流熱伝達率は通常０．９６程度であり、冷却
効率をこれ以上高めるには、各コンデンサに冷却フィン
などを取り付けなければならない。
セラミックコンデンサで発生した熱は、基板への熱伝導
や積層セラミックコンデンサの露出している表面から空
気中への対流により放出される。このように、単一の積
層セラミックコンデンサが基板に実装されている構造で
は、自然対流熱伝達率は通常０．９６程度であり、冷却
効率をこれ以上高めるには、各コンデンサに冷却フィン
などを取り付けなければならない。
【０００６】ところが、単一の積層セラミックコンデン
サの場合には、回路基板上に直接実装されるので、それ
以上放熱面積を高めることが困難であり、かつ他の部品
との干渉が生じるので、ヒートシンクなどの冷却部材に
接触させることが困難であった。
サの場合には、回路基板上に直接実装されるので、それ
以上放熱面積を高めることが困難であり、かつ他の部品
との干渉が生じるので、ヒートシンクなどの冷却部材に
接触させることが困難であった。
【０００７】他方、複数個の積層セラミックコンデンサ
を積層してなる従来のスタック型積層セラミックコンデ
ンサモジュールの場合には、回路基板上に実装された場
合、外部電極及び金属端子を介して基板まで熱が伝達さ
れる放熱経路と、かろうじて露出している積層セラミッ
クコンデンサの側面から対流により熱が放出される放熱
経路しか存在しない。すなわち、複数の積層セラミック
コンデンサが積層されているので、積層セラミックコン
デンサ同士の積層部分に熱がこもりやすいため、放熱効
率が充分でなく、積層セラミックコンデンサモジュール
の温度が高くなりがちであった。
を積層してなる従来のスタック型積層セラミックコンデ
ンサモジュールの場合には、回路基板上に実装された場
合、外部電極及び金属端子を介して基板まで熱が伝達さ
れる放熱経路と、かろうじて露出している積層セラミッ
クコンデンサの側面から対流により熱が放出される放熱
経路しか存在しない。すなわち、複数の積層セラミック
コンデンサが積層されているので、積層セラミックコン
デンサ同士の積層部分に熱がこもりやすいため、放熱効
率が充分でなく、積層セラミックコンデンサモジュール
の温度が高くなりがちであった。
【０００８】負荷が印加された時のコンデンサの温度は
放熱効率により左右される。したがって、高温化しやす
いスタック型の積層セラミックコンデンサモジュールで
は、コンデンサモジュールを構成している各積層セラミ
ックコンデンサの最大電流容量特性を利用することはで
きなかった。
放熱効率により左右される。したがって、高温化しやす
いスタック型の積層セラミックコンデンサモジュールで
は、コンデンサモジュールを構成している各積層セラミ
ックコンデンサの最大電流容量特性を利用することはで
きなかった。
【０００９】また、大電流用途では、冷却効率を高める
ために、ヒートシンクなどの冷却部材を用いる方法も考
えられる。しかしながら、従来のスタック型の積層セラ
ミックコンデンサモジュールでは、一部の積層セラミッ
クコンデンサにしかヒートシンクが当接し難い。したが
って、ヒートシンクから離れた位置に存在する積層セラ
ミックコンデンサが充分に冷却され難い。
ために、ヒートシンクなどの冷却部材を用いる方法も考
えられる。しかしながら、従来のスタック型の積層セラ
ミックコンデンサモジュールでは、一部の積層セラミッ
クコンデンサにしかヒートシンクが当接し難い。したが
って、ヒートシンクから離れた位置に存在する積層セラ
ミックコンデンサが充分に冷却され難い。
【００１０】従って、従来の積層セラミックコンデンサ
モジュールで大電流用途に対応するには、複数の積層セ
ラミックコンデンサモジュールをさらに並列接続して大
容量化する必要があり、コンデンサ部分の体積が大きく
なり、コストが高くつくという問題があった。
モジュールで大電流用途に対応するには、複数の積層セ
ラミックコンデンサモジュールをさらに並列接続して大
容量化する必要があり、コンデンサ部分の体積が大きく
なり、コストが高くつくという問題があった。
【００１１】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、放熱効率が高められており、従って所望とす
る電流容量が確保され、かつ小型に構成され得る積層セ
ラミックコンデンサモジュールを提供することにある。
を解消し、放熱効率が高められており、従って所望とす
る電流容量が確保され、かつ小型に構成され得る積層セ
ラミックコンデンサモジュールを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の広い局面によれ
ば、少なくとも１個の積層セラミックコンデンサと、前
記積層セラミックコンデンサが密着して実装されるよう
に構成されており、かつ前記積層セラミックコンデンサ
に電気的に接続される複数の電極ランドを有する基板と
を備える積層セラミックコンデンサモジュールであっ
て、前記積層セラミックコンデンサ及び基板の表面積の
合計である総表面積Ｓ１が、基板上に実装されている前
記積層セラミックコンデンサの基板に対向されている面
を除く外表面の合計である総表面積Ｓ２の１．３倍以上
であることを特徴とする積層セラミックコンデンサモジ
ュールが提供される。
ば、少なくとも１個の積層セラミックコンデンサと、前
記積層セラミックコンデンサが密着して実装されるよう
に構成されており、かつ前記積層セラミックコンデンサ
に電気的に接続される複数の電極ランドを有する基板と
を備える積層セラミックコンデンサモジュールであっ
て、前記積層セラミックコンデンサ及び基板の表面積の
合計である総表面積Ｓ１が、基板上に実装されている前
記積層セラミックコンデンサの基板に対向されている面
を除く外表面の合計である総表面積Ｓ２の１．３倍以上
であることを特徴とする積層セラミックコンデンサモジ
ュールが提供される。
【００１３】本発明の他の特定の局面では、前記積層セ
ラミックコンデンサは、金属酸化物を含有している樹脂
を介して前記基板に密着されている。本発明の他の特定
の局面では、前記積層セラミックコンデンサが複数個、
積層されることなく実装されており、かつ複数の積層セ
ラミックコンデンサが上記電極ランドを利用して並列に
接続されている。
ラミックコンデンサは、金属酸化物を含有している樹脂
を介して前記基板に密着されている。本発明の他の特定
の局面では、前記積層セラミックコンデンサが複数個、
積層されることなく実装されており、かつ複数の積層セ
ラミックコンデンサが上記電極ランドを利用して並列に
接続されている。
【００１４】また、本発明のさらに特定の局面では、複
数の積層セラミックコンデンサが基板の表裏面に実装さ
れている。本発明の別の特定の局面では、前記積層セラ
ミックコンデンサと前記基板との電気的接続が、金属製
端子により行われる。
数の積層セラミックコンデンサが基板の表裏面に実装さ
れている。本発明の別の特定の局面では、前記積層セラ
ミックコンデンサと前記基板との電気的接続が、金属製
端子により行われる。
【００１５】本発明のさらに他の特定の局面では、上記
基板が外部と電気的接続のための端子電極を有し、該端
子電極が設けられている部分に、積層セラミックコンデ
ンサモジュールをボルトやネジにより締結するための貫
通孔が形成されている。
基板が外部と電気的接続のための端子電極を有し、該端
子電極が設けられている部分に、積層セラミックコンデ
ンサモジュールをボルトやネジにより締結するための貫
通孔が形成されている。
【００１６】本発明のさらに別の特定の局面では、基板
が外部と電気的に接続するための端子電極を有し、該端
子電極に金属製端子が接合されている。本発明にかかる
積層セラミックコンデンサモジュールの別の特定の局面
では、基板の表裏面の電極を電気的に接続するためのス
ルーホール電極が基板に構成されている。
が外部と電気的に接続するための端子電極を有し、該端
子電極に金属製端子が接合されている。本発明にかかる
積層セラミックコンデンサモジュールの別の特定の局面
では、基板の表裏面の電極を電気的に接続するためのス
ルーホール電極が基板に構成されている。
【００１７】本発明の別の局面によれば、本発明に従っ
て構成された積層セラミックコンデンサモジュールを搭
載した電力変換装置が提供される。
て構成された積層セラミックコンデンサモジュールを搭
載した電力変換装置が提供される。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
具体的な実施例を説明することにより、本発明を明らか
にする。
具体的な実施例を説明することにより、本発明を明らか
にする。
【００１９】図１（ａ），（ｂ）は、本発明の第１の実
施例にかかる積層セラミックコンデンサモジュールを説
明するための斜視図及び基板の一方面側から見た側面図
である。
施例にかかる積層セラミックコンデンサモジュールを説
明するための斜視図及び基板の一方面側から見た側面図
である。
【００２０】積層セラミックコンデンサモジュール１
は、基板２と、複数の積層セラミックコンデンサ３，４
とを有する。基板２を構成する材料については特に限定
されないが、放熱性の良好なものが好ましい。より好ま
しくは、従来この種の用途に用いられているガラスエポ
キシ基板よりも放熱性の良好な基板が用いられる。この
ように放熱性を重視する場合には、基板として、アルミ
ニウムなどの金属またはアルミナなどからなるものが好
適に用いられる。金属からなる基板の場合には、表面が
絶縁性被覆層により被覆され、絶縁性被覆層上に電極ラ
ンド等が形成される。また、耐熱衝撃性などの特性を重
視する場合には、アルミナなどのセラミック基板が好適
に用いられる。さらに、ガラスエポキシ基板や他の合成
樹脂もしくは合成樹脂複合材料からなる基板を用いるこ
とにより、基板２のコストを低減することも可能であ
る。
は、基板２と、複数の積層セラミックコンデンサ３，４
とを有する。基板２を構成する材料については特に限定
されないが、放熱性の良好なものが好ましい。より好ま
しくは、従来この種の用途に用いられているガラスエポ
キシ基板よりも放熱性の良好な基板が用いられる。この
ように放熱性を重視する場合には、基板として、アルミ
ニウムなどの金属またはアルミナなどからなるものが好
適に用いられる。金属からなる基板の場合には、表面が
絶縁性被覆層により被覆され、絶縁性被覆層上に電極ラ
ンド等が形成される。また、耐熱衝撃性などの特性を重
視する場合には、アルミナなどのセラミック基板が好適
に用いられる。さらに、ガラスエポキシ基板や他の合成
樹脂もしくは合成樹脂複合材料からなる基板を用いるこ
とにより、基板２のコストを低減することも可能であ
る。
【００２１】さらに、基板２の放熱性を高める場合、基
板材料を工夫するだけでなく、基板上の電極の幅や面積
を大きくし、それによって基板全体の放熱性を高めても
よい。このように電極構造を工夫することにより放熱性
が高められた基板もまた、放熱性の良好な基板に包含さ
れる。
板材料を工夫するだけでなく、基板上の電極の幅や面積
を大きくし、それによって基板全体の放熱性を高めても
よい。このように電極構造を工夫することにより放熱性
が高められた基板もまた、放熱性の良好な基板に包含さ
れる。
【００２２】基板２の表面２ａには、互いに対向しあう
側縁に沿ってストリップ状の電極ランド５，６が形成さ
れている。図１（ａ）では図示されていないが、基板２
の裏面２ｂ上にも同様に一対の電極ランドが形成されて
いる。
側縁に沿ってストリップ状の電極ランド５，６が形成さ
れている。図１（ａ）では図示されていないが、基板２
の裏面２ｂ上にも同様に一対の電極ランドが形成されて
いる。
【００２３】電極ランド５，６は、薄膜形成法あるいは
導電ペーストの焼付けなどの適宜の方法で形成されてい
る。電極ランド５，６の一方端近傍は、外部と電気的接
続を行うための端子電極５ａ，６ａを構成している。
導電ペーストの焼付けなどの適宜の方法で形成されてい
る。電極ランド５，６の一方端近傍は、外部と電気的接
続を行うための端子電極５ａ，６ａを構成している。
【００２４】他方、基板２の表面２ａ及び裏面２ｂ上に
は、略図的に示す積層セラミックコンデンサ３，４が基
板２の表面２ａ及び裏面２ｂにそれぞれ密着するように
実装されている。積層セラミックコンデンサ３は、電極
ランド５，６に電気的に接続されている。すなわち、半
田あるいは導電性接着材により積層セラミックコンデン
サ３の一方の外部電極が電極ランド５に、他方の外部電
極が電極ランド６に電気的に接続されるとともに、固定
されている。同様に積層セラミックコンデンサ４につい
ても、基板２の裏面に形成された電極ランドに電気的に
接続され、かつ固定されている。また、表面の電極ラン
ド５，６と裏面の電極ランドとは、図示しない基板下面
の電極により電気的に 接続されており、それによって
積層セラミックコンデンサ３，４が並列に接 続されて
いる。なお、スルーホール電極により、表裏面の電極ラ
ンドを接続 してもよい。
は、略図的に示す積層セラミックコンデンサ３，４が基
板２の表面２ａ及び裏面２ｂにそれぞれ密着するように
実装されている。積層セラミックコンデンサ３は、電極
ランド５，６に電気的に接続されている。すなわち、半
田あるいは導電性接着材により積層セラミックコンデン
サ３の一方の外部電極が電極ランド５に、他方の外部電
極が電極ランド６に電気的に接続されるとともに、固定
されている。同様に積層セラミックコンデンサ４につい
ても、基板２の裏面に形成された電極ランドに電気的に
接続され、かつ固定されている。また、表面の電極ラン
ド５，６と裏面の電極ランドとは、図示しない基板下面
の電極により電気的に 接続されており、それによって
積層セラミックコンデンサ３，４が並列に接 続されて
いる。なお、スルーホール電極により、表裏面の電極ラ
ンドを接続 してもよい。
【００２５】なお、積層セラミックコンデンサ３，４
は、外部電極に接合された金属製端子を有していてもよ
く、その場合には、金属製端子が電極ランド５，６に半
田等により接合される。
は、外部電極に接合された金属製端子を有していてもよ
く、その場合には、金属製端子が電極ランド５，６に半
田等により接合される。
【００２６】さらに、積層セラミックコンデンサ３，４
は、リード端子を有するものであってもよく、その場合
には、電極ランド５，６にリード端子が挿入される貫通
孔が形成され、該貫通孔にリード端子が挿入されて、半
田等によりリード端子と電極ランド５，６とが電気的に
接続される。この場合には、リード端子と裏面２ｂ側の
電極ランドとの電気的絶縁を果たすために、裏面２ｂ側
の電極ランドにはリード端子の周囲において電極ランド
が欠落されることになる。また、この場合には、積層セ
ラミックコンデンサ３，４は、放熱性の良い樹脂を介し
て基板２に密着される。このような放熱性の良い樹脂と
しては、特に限定されるわけではないが、エポキシ樹脂
などを挙げることができ、より好ましくは、樹脂に例え
ばアルミニウム酸化物のような絶縁性の金属酸化物を含
有させ、それによって放熱性をより一層高めてもよい。
は、リード端子を有するものであってもよく、その場合
には、電極ランド５，６にリード端子が挿入される貫通
孔が形成され、該貫通孔にリード端子が挿入されて、半
田等によりリード端子と電極ランド５，６とが電気的に
接続される。この場合には、リード端子と裏面２ｂ側の
電極ランドとの電気的絶縁を果たすために、裏面２ｂ側
の電極ランドにはリード端子の周囲において電極ランド
が欠落されることになる。また、この場合には、積層セ
ラミックコンデンサ３，４は、放熱性の良い樹脂を介し
て基板２に密着される。このような放熱性の良い樹脂と
しては、特に限定されるわけではないが、エポキシ樹脂
などを挙げることができ、より好ましくは、樹脂に例え
ばアルミニウム酸化物のような絶縁性の金属酸化物を含
有させ、それによって放熱性をより一層高めてもよい。
【００２７】このように、積層セラミックコンデンサ
３，４の基板２に対する取り付け構造については特に限
定されるものではない。本実施例の特徴は、基板２に取
り付けられている状態の積層セラミックコンデンサ３，
４の基板２に対向している面を除く残りの外表面の総表
面積をＳ２、Ｓ２と基板２の積層セラミックコンデンサ
３，４により覆われている部分を除いた外表面の面積と
の合計をＳ１とした時に、Ｓ１がＳ２の１．３倍以上で
あることを特徴とする。
３，４の基板２に対する取り付け構造については特に限
定されるものではない。本実施例の特徴は、基板２に取
り付けられている状態の積層セラミックコンデンサ３，
４の基板２に対向している面を除く残りの外表面の総表
面積をＳ２、Ｓ２と基板２の積層セラミックコンデンサ
３，４により覆われている部分を除いた外表面の面積と
の合計をＳ１とした時に、Ｓ１がＳ２の１．３倍以上で
あることを特徴とする。
【００２８】本実施例では、より具体的には、基板２
は、一辺の長さＸが８ｍｍの正方形の形状を有し、かつ
厚みが１ｍｍとされている。積層セラミックコンデンサ
３，４の総表面積Ｓ２は、本実施例では、積層セラミッ
クコンデンサ３，４の横方向寸法Ａが６ｍｍ、高さ方向
寸法Ｂが５ｍｍ、厚みが３．５ｍｍとされているので、
Ｓ２＝６×５×２＋（６＋５）×２×３．５×２＝２１
４ｍｍ2 とされている。
は、一辺の長さＸが８ｍｍの正方形の形状を有し、かつ
厚みが１ｍｍとされている。積層セラミックコンデンサ
３，４の総表面積Ｓ２は、本実施例では、積層セラミッ
クコンデンサ３，４の横方向寸法Ａが６ｍｍ、高さ方向
寸法Ｂが５ｍｍ、厚みが３．５ｍｍとされているので、
Ｓ２＝６×５×２＋（６＋５）×２×３．５×２＝２１
４ｍｍ2 とされている。
【００２９】従って、Ｓ１＝２１４＋（８×８−６×
５）×２＋８×１×４＝３１４となる。積層セラミック
コンデンサモジュール１では、上記のようにＳ１が１．
３Ｓ２以上であるため、自然対流により積層セラミック
コンデンサ３，４から効果的に熱が放散される。特に、
基板２の表面２ａ及び裏面２ｂ上にそれぞれ積層セラミ
ックコンデンサ３，４が取り付けられているので、個々
のセラミックコンデンサ３，４からの自然対流による放
熱経路と、基板２への熱伝導経路とにより熱が効率よく
放散される。従って、従来のスタック型の積層セラミッ
クコンデンサモジュールに比べ、自然対熱製伝達率が約
２倍となる。なお、Ｓ１を１．３Ｓ２以上とした場合
に、放熱効果が著しく高められることについては、のち
ほど具体的な実験例に基づき説明する。
５）×２＋８×１×４＝３１４となる。積層セラミック
コンデンサモジュール１では、上記のようにＳ１が１．
３Ｓ２以上であるため、自然対流により積層セラミック
コンデンサ３，４から効果的に熱が放散される。特に、
基板２の表面２ａ及び裏面２ｂ上にそれぞれ積層セラミ
ックコンデンサ３，４が取り付けられているので、個々
のセラミックコンデンサ３，４からの自然対流による放
熱経路と、基板２への熱伝導経路とにより熱が効率よく
放散される。従って、従来のスタック型の積層セラミッ
クコンデンサモジュールに比べ、自然対熱製伝達率が約
２倍となる。なお、Ｓ１を１．３Ｓ２以上とした場合
に、放熱効果が著しく高められることについては、のち
ほど具体的な実験例に基づき説明する。
【００３０】また、本実施例の積層セラミックコンデン
サモジュール１では、基板２の表面２ａ及び裏面２ｂに
それぞれ積層セラミックコンデンサ３，４が取り付けら
れているので、基板２を図１（ａ）に示すように立てた
状態で回路基板などに実装することができる。よって、
ヒートシンクなどの冷却部材を積層セラミックコンデン
サ３，４に容易に接触させることができ、それによって
より一層冷却効率を高めることができる。
サモジュール１では、基板２の表面２ａ及び裏面２ｂに
それぞれ積層セラミックコンデンサ３，４が取り付けら
れているので、基板２を図１（ａ）に示すように立てた
状態で回路基板などに実装することができる。よって、
ヒートシンクなどの冷却部材を積層セラミックコンデン
サ３，４に容易に接触させることができ、それによって
より一層冷却効率を高めることができる。
【００３１】また、放熱効果が高められるので、その分
だけＥＳＲが大きくともよいため、結果としてコンデン
サの体積を小さくすることができる。また、同一体積
（容量特性）の積層セラミックコンデンサを用いた場合
には、冷却効率が高められる分だけ、積層セラミックコ
ンデンサの温度上昇を抑制することができ、それによっ
て積層セラミックコンデンサ３，４に流す電流容量を増
大させることができる。
だけＥＳＲが大きくともよいため、結果としてコンデン
サの体積を小さくすることができる。また、同一体積
（容量特性）の積層セラミックコンデンサを用いた場合
には、冷却効率が高められる分だけ、積層セラミックコ
ンデンサの温度上昇を抑制することができ、それによっ
て積層セラミックコンデンサ３，４に流す電流容量を増
大させることができる。
【００３２】図２（ａ），（ｂ）は、本発明の第２の実
施例にかかる積層セラミックコンデンサモジュールを示
す平面図及び正面図である。積層セラミックコンデンサ
モジュール１１では、矩形板状の基板１２の上面及び下
面上に、それぞれ、積層セラミックコンデンサ１３，１
４が取り付けられている。すなわち、第１の実施例と同
様に、基板１２の両側に放熱性の良い樹脂を介してそれ
ぞれ積層セラミックコンデンサが密着して取り付けられ
ている。
施例にかかる積層セラミックコンデンサモジュールを示
す平面図及び正面図である。積層セラミックコンデンサ
モジュール１１では、矩形板状の基板１２の上面及び下
面上に、それぞれ、積層セラミックコンデンサ１３，１
４が取り付けられている。すなわち、第１の実施例と同
様に、基板１２の両側に放熱性の良い樹脂を介してそれ
ぞれ積層セラミックコンデンサが密着して取り付けられ
ている。
【００３３】本実施例においても、積層セラミックコン
デンサ１３，１４は電気的に並列に接続されている。基
板１２上面には、図３に平面図で示すように、電極ラン
ド１２ａ，１２ｂが一対の長辺に沿うように形成されて
いる。また、電極ランド１２ａ，１２ｂの各一方端部が
電極ランド１２ａ，１２ｂの本体部分に直交するよう
に、基板１２の一方端部において内側に折り曲げられて
おり、それによって端子電極１２ｃ，１２ｄが形成され
ている。端子電極１２ｃ，１２ｄには、貫通孔１２ｅ，
１２ｆが形成されている。
デンサ１３，１４は電気的に並列に接続されている。基
板１２上面には、図３に平面図で示すように、電極ラン
ド１２ａ，１２ｂが一対の長辺に沿うように形成されて
いる。また、電極ランド１２ａ，１２ｂの各一方端部が
電極ランド１２ａ，１２ｂの本体部分に直交するよう
に、基板１２の一方端部において内側に折り曲げられて
おり、それによって端子電極１２ｃ，１２ｄが形成され
ている。端子電極１２ｃ，１２ｄには、貫通孔１２ｅ，
１２ｆが形成されている。
【００３４】貫通孔１２ｅ，１２ｆは、図２に示すネジ
１５，１６を用いて積層セラミックコンデンサモジュー
ル１１を外部の回路基板や端子台などに締結するために
設けられている。すなわち、ネジ１５，１６を用いて、
端子電極１２ｃ，１２ｄが外部の回路基板などに電気的
に接続されるとともに、積層セラミックコンデンサモジ
ュール１１が回路基板や端子台に機械的に固定される。
１５，１６を用いて積層セラミックコンデンサモジュー
ル１１を外部の回路基板や端子台などに締結するために
設けられている。すなわち、ネジ１５，１６を用いて、
端子電極１２ｃ，１２ｄが外部の回路基板などに電気的
に接続されるとともに、積層セラミックコンデンサモジ
ュール１１が回路基板や端子台に機械的に固定される。
【００３５】積層セラミックコンデンサ１３，１４は、
それぞれ、金属端子１３ａ，１３ｂ，１４ｂを有する。
端子１３ａ，１３ｂ，１４ｂは、先端が複数本の細片状
リード部に分かれている。
それぞれ、金属端子１３ａ，１３ｂ，１４ｂを有する。
端子１３ａ，１３ｂ，１４ｂは、先端が複数本の細片状
リード部に分かれている。
【００３６】積層セラミックコンデンサ１３を例にとる
と、端子１３ａ，１３ｂは、積層セラミックコンデンサ
１３の側面から下方に伸び、かつ本体の下面に平行とな
るように内側に折り曲げられている。したがって、端子
１３ａ，１３ｂの先端リード部の内側に折り曲げられた
部分が電極ランド１２ａ，１２ｂと平行に延ばされてい
るので、電極ランド１２ａ，１２ｂに対して半田により
安定にかつ確実に固定されている。このようにして、積
層セラミックコンデンサ１３の端子１３ａ，１３ｂが電
極ランド１２ａ，１２ｂに電気的に接続され、かつ機械
的に固定されている。
と、端子１３ａ，１３ｂは、積層セラミックコンデンサ
１３の側面から下方に伸び、かつ本体の下面に平行とな
るように内側に折り曲げられている。したがって、端子
１３ａ，１３ｂの先端リード部の内側に折り曲げられた
部分が電極ランド１２ａ，１２ｂと平行に延ばされてい
るので、電極ランド１２ａ，１２ｂに対して半田により
安定にかつ確実に固定されている。このようにして、積
層セラミックコンデンサ１３の端子１３ａ，１３ｂが電
極ランド１２ａ，１２ｂに電気的に接続され、かつ機械
的に固定されている。
【００３７】他方、基板１２の下面側においても、積層
セラミックコンデンサ１４が同様にして取り付けられて
いる。したがって、積層セラミックコンデンサ１３の一
方の電位に接続される端子１３ａと積層セラミックコン
デンサ１４の同じ電位に接続される端子とが、ネジ１５
により電気的に接続され、積層セラミックコンデンサ１
３の他方電位に接続される端子１３ｂと積層セラミック
コンデンサ１４の他方電位に接続される端子（１４ｂ）
とがネジ１６により電気的に接続される。よって、上記
電極ランド１２ａ，１２ｂを利用して、複数の積層セラ
ミックコンデンサ１３，１４が電気的に並列に接続され
ている。
セラミックコンデンサ１４が同様にして取り付けられて
いる。したがって、積層セラミックコンデンサ１３の一
方の電位に接続される端子１３ａと積層セラミックコン
デンサ１４の同じ電位に接続される端子とが、ネジ１５
により電気的に接続され、積層セラミックコンデンサ１
３の他方電位に接続される端子１３ｂと積層セラミック
コンデンサ１４の他方電位に接続される端子（１４ｂ）
とがネジ１６により電気的に接続される。よって、上記
電極ランド１２ａ，１２ｂを利用して、複数の積層セラ
ミックコンデンサ１３，１４が電気的に並列に接続され
ている。
【００３８】本実施例の積層セラミックコンデンサモジ
ュール１１では、基板１２の短辺の寸法が４０．６ｍ
ｍ、長辺の寸法が５３ｍｍ、厚みが１ｍｍとされてい
る。他方、基板１２に積層される積層セラミックコンデ
ンサ１３，１４の本体の上面の短辺側寸法は３２ｍｍ、
長辺側寸法は４０ｍｍ、厚みは４．５ｍｍとされている
ので、総表面積Ｓ２は、３２×４０×２＋（３２＋４
０）×４．５×２＝３２０８ｍｍ2 となる。また、Ｓ１
は、Ｓ１＝Ｓ２＋（４０．６×５６．２−３２×４０）
×２＋（４０．６＋５３）×２×１＝５３９８．６４ｍ
ｍ2 、すなわち、第２の実施例においても、Ｓ１は、
１．３Ｓ２以上とされている。
ュール１１では、基板１２の短辺の寸法が４０．６ｍ
ｍ、長辺の寸法が５３ｍｍ、厚みが１ｍｍとされてい
る。他方、基板１２に積層される積層セラミックコンデ
ンサ１３，１４の本体の上面の短辺側寸法は３２ｍｍ、
長辺側寸法は４０ｍｍ、厚みは４．５ｍｍとされている
ので、総表面積Ｓ２は、３２×４０×２＋（３２＋４
０）×４．５×２＝３２０８ｍｍ2 となる。また、Ｓ１
は、Ｓ１＝Ｓ２＋（４０．６×５６．２−３２×４０）
×２＋（４０．６＋５３）×２×１＝５３９８．６４ｍ
ｍ2 、すなわち、第２の実施例においても、Ｓ１は、
１．３Ｓ２以上とされている。
【００３９】よって、第２の実施例の積層セラミックコ
ンデンサモジュール１１においても、第１の実施例と同
様に、従来のスタック型の積層セラミックコンデンサモ
ジュールに比べて、積層セラミックコンデンサ１３，１
４の熱を効果的に放散させることができる。また、第２
の実施例においても、基板１２の両面に振り分けて積層
セラミックコンデンサ１３，１４が取り付けられている
ので、ヒートシンクなどの冷却部材を積層セラミックコ
ンデンサ１３，１４に容易に接触させることができる。
ンデンサモジュール１１においても、第１の実施例と同
様に、従来のスタック型の積層セラミックコンデンサモ
ジュールに比べて、積層セラミックコンデンサ１３，１
４の熱を効果的に放散させることができる。また、第２
の実施例においても、基板１２の両面に振り分けて積層
セラミックコンデンサ１３，１４が取り付けられている
ので、ヒートシンクなどの冷却部材を積層セラミックコ
ンデンサ１３，１４に容易に接触させることができる。
【００４０】さらに、積層セラミックコンデンサモジュ
ール１１は、ネジ１５，１６を用いて外部の回路基板や
端子台に取り付けられるので、外部の回路基板や端子台
に対して基板１１の一部が接触されることになるため、
接触面積の増大により熱伝達経路が大きくなり、積層セ
ラミックコンデンサをプリント回路基板などに半田付け
する場合に比べて、放熱効率をより一層高めることがで
きる。
ール１１は、ネジ１５，１６を用いて外部の回路基板や
端子台に取り付けられるので、外部の回路基板や端子台
に対して基板１１の一部が接触されることになるため、
接触面積の増大により熱伝達経路が大きくなり、積層セ
ラミックコンデンサをプリント回路基板などに半田付け
する場合に比べて、放熱効率をより一層高めることがで
きる。
【００４１】図４は、本発明の第２の実施例の変形例を
説明するための正面図である。図４に示す積層セラミッ
クコンデンサモジュール２１では、基板２２の上面２２
ａ上にのみ積層セラミックコンデンサ２３が固定されて
いる。その他の点については、第２の実施例の積層セラ
ミックコンデンサモジュール１１と同様である。
説明するための正面図である。図４に示す積層セラミッ
クコンデンサモジュール２１では、基板２２の上面２２
ａ上にのみ積層セラミックコンデンサ２３が固定されて
いる。その他の点については、第２の実施例の積層セラ
ミックコンデンサモジュール１１と同様である。
【００４２】積層セラミックコンデンサモジュール２１
のように、本発明においては、基板２２の上面２２ａの
み、すなわち一方面にのみ積層セラミックコンデンサ２
３が取り付けられていてもよい。この場合においても、
上記のように定義される総表面積Ｓ１を、実装されてい
る状態の積層セラミックコンデンサ２３の基板２２に対
向されている面を除く外表面の面積の合計である総表面
積Ｓ２の１．３倍以上とすることにより、第１，第２の
実施例と同様に放熱効率を高めることができる。
のように、本発明においては、基板２２の上面２２ａの
み、すなわち一方面にのみ積層セラミックコンデンサ２
３が取り付けられていてもよい。この場合においても、
上記のように定義される総表面積Ｓ１を、実装されてい
る状態の積層セラミックコンデンサ２３の基板２２に対
向されている面を除く外表面の面積の合計である総表面
積Ｓ２の１．３倍以上とすることにより、第１，第２の
実施例と同様に放熱効率を高めることができる。
【００４３】また、第２の実施例においても、積層セラ
ミックコンデンサ２３の上面及び側面が露出されるの
で、複数の積層セラミックコンデンサを積層した従来の
スタック型の積層セラミックコンデンサモジュールに比
べて放熱効率を高めることができる。
ミックコンデンサ２３の上面及び側面が露出されるの
で、複数の積層セラミックコンデンサを積層した従来の
スタック型の積層セラミックコンデンサモジュールに比
べて放熱効率を高めることができる。
【００４４】なお、第１，第２の実施例及び上記変形例
にかかる積層セラミックコンデンサモジュール１，１
１，２１においては、基板２，１２，２２の一方面側に
おいて単一の積層セラミックコンデンサ３，１３，２３
が実装されていたが、一方面側に複数の積層セラミック
コンデンサが並べられて配置されていてもよい。例え
ば、第２の実施例の積層セラミックコンデンサ１３が、
同２（ａ）の一点鎖線Ａ−Ａで示す部分で分割された２
個の積層セラミックコンデンサにより構成されていても
よい。
にかかる積層セラミックコンデンサモジュール１，１
１，２１においては、基板２，１２，２２の一方面側に
おいて単一の積層セラミックコンデンサ３，１３，２３
が実装されていたが、一方面側に複数の積層セラミック
コンデンサが並べられて配置されていてもよい。例え
ば、第２の実施例の積層セラミックコンデンサ１３が、
同２（ａ）の一点鎖線Ａ−Ａで示す部分で分割された２
個の積層セラミックコンデンサにより構成されていても
よい。
【００４５】すなわち、本発明にかかる積層セラミック
コンデンサモジュールでは、基板の少なくとも一方面に
おいて、複数の積層セラミックコンデンサが基板面上に
おいて並設されていてもよく、複数の積層セラミックコ
ンデンサを電気的に並列に接続することにより、より大
きな電流容量を得ることができる。
コンデンサモジュールでは、基板の少なくとも一方面に
おいて、複数の積層セラミックコンデンサが基板面上に
おいて並設されていてもよく、複数の積層セラミックコ
ンデンサを電気的に並列に接続することにより、より大
きな電流容量を得ることができる。
【００４６】次に、本発明において、Ｓ１を１．３Ｓ２
以上とした場合、積層セラミックコンデンサモジュール
における放熱効果を著しく高め得ることを、具体的な実
験例に基き説明する。
以上とした場合、積層セラミックコンデンサモジュール
における放熱効果を著しく高め得ることを、具体的な実
験例に基き説明する。
【００４７】図４に示した積層セラミックコンデンサモ
ジュール２１において、基板２２の片面に積層セラミッ
クコンデンサ２３を５個並列接近されるように並設し、
定格電圧ＤＣ２５０Ｖの積層セラミックコンデンサモジ
ュールを作成した。この積層セラミックコンデンサモジ
ュールにおいて、直流２００Ｖの電圧をバイアスし、１
０ｋＨｚの正弦波電流を１Ａｒｍｓ／μＦの割合で通電
し、定常状態における温度を測定した。この場合、５個
の積層コンデンサとして、基板２２に実装される面を除
いた部分の表面積が１９２８ｍｍ2 のものを用い、従っ
て、実装される５個の積層セラミックコンデンサの実装
面を除く上記表面積の合計である、総表面積Ｓ２は９６
４０ｍｍ2 となる。そして、基板２２として、積層コン
デンサが実装される部分である一方面の面積を種々異な
らせ、従ってＳ１を種々異ならせて上記実験を行った。
結果を図１５に示す。
ジュール２１において、基板２２の片面に積層セラミッ
クコンデンサ２３を５個並列接近されるように並設し、
定格電圧ＤＣ２５０Ｖの積層セラミックコンデンサモジ
ュールを作成した。この積層セラミックコンデンサモジ
ュールにおいて、直流２００Ｖの電圧をバイアスし、１
０ｋＨｚの正弦波電流を１Ａｒｍｓ／μＦの割合で通電
し、定常状態における温度を測定した。この場合、５個
の積層コンデンサとして、基板２２に実装される面を除
いた部分の表面積が１９２８ｍｍ2 のものを用い、従っ
て、実装される５個の積層セラミックコンデンサの実装
面を除く上記表面積の合計である、総表面積Ｓ２は９６
４０ｍｍ2 となる。そして、基板２２として、積層コン
デンサが実装される部分である一方面の面積を種々異な
らせ、従ってＳ１を種々異ならせて上記実験を行った。
結果を図１５に示す。
【００４８】図１５から明らかなように、Ｓ１が１．３
未満では定常状態において温度上昇値が２７℃より高い
のに対し、１．３Ｓ２以上ではほぼ２７℃以下となり、
ほぼ一定化することがわかる。従って、本発明では、上
記総表面積Ｓ１が１．３Ｓ２以上であることが必要であ
ることがわかる。
未満では定常状態において温度上昇値が２７℃より高い
のに対し、１．３Ｓ２以上ではほぼ２７℃以下となり、
ほぼ一定化することがわかる。従って、本発明では、上
記総表面積Ｓ１が１．３Ｓ２以上であることが必要であ
ることがわかる。
【００４９】次に、図４に示した積層セラミックコンデ
ンサモジュール２１において、基板２２に実装される積
層セラミックコンデンサの数を１個から８個まで変化さ
せ、ただしいずれの場合においてもＳ１が１．３Ｓ２以
上となるように各積層セラミックコンデンサモジュール
を作成した。使用した積層コンデンサは、図１５に示し
た結果を得た場合と同様に定格電圧がＤＣ２５０Ｖであ
り、温度上昇値を測定するに際しては、先の実験例と同
様に直流２５０Ｖの電圧をバイアスし、１０ｋＨｚの正
弦波電流を１Ａｒｍｓ／μＦの割合で流した。
ンサモジュール２１において、基板２２に実装される積
層セラミックコンデンサの数を１個から８個まで変化さ
せ、ただしいずれの場合においてもＳ１が１．３Ｓ２以
上となるように各積層セラミックコンデンサモジュール
を作成した。使用した積層コンデンサは、図１５に示し
た結果を得た場合と同様に定格電圧がＤＣ２５０Ｖであ
り、温度上昇値を測定するに際しては、先の実験例と同
様に直流２５０Ｖの電圧をバイアスし、１０ｋＨｚの正
弦波電流を１Ａｒｍｓ／μＦの割合で流した。
【００５０】比較のために、５０ｍｍ×５０ｍｍの基板
上に上記実験例に用いた積層コンデンサを積層して成る
スタック型の従来の積層セラミックコンデンサモジュー
ルを作成し、同様に温度上昇値を比較した。結果を図１
６に示す。
上に上記実験例に用いた積層コンデンサを積層して成る
スタック型の従来の積層セラミックコンデンサモジュー
ルを作成し、同様に温度上昇値を比較した。結果を図１
６に示す。
【００５１】図１６において、実線が本発明の積層セラ
ミックコンデンサモジュールを用いた場合の結果を、破
線が従来のスタック型の積層セラミックコンデンサモジ
ュールの場合の結果を示す。
ミックコンデンサモジュールを用いた場合の結果を、破
線が従来のスタック型の積層セラミックコンデンサモジ
ュールの場合の結果を示す。
【００５２】図１６から明らかなように、従来のスタッ
ク型の積層セラミックコンデンサモジュールでは、積層
セラミックコンデンサの数が増加するにつれて、温度上
昇値が高くなっているのに対し、本実施例の積層セラミ
ックコンデンサモジュールでは、積層セラミックコンデ
ンサの数が増加しても、Ｓ１とＳ２との割合を一定とす
ることにより、温度上昇値がほとんど増加しないことが
わかる。
ク型の積層セラミックコンデンサモジュールでは、積層
セラミックコンデンサの数が増加するにつれて、温度上
昇値が高くなっているのに対し、本実施例の積層セラミ
ックコンデンサモジュールでは、積層セラミックコンデ
ンサの数が増加しても、Ｓ１とＳ２との割合を一定とす
ることにより、温度上昇値がほとんど増加しないことが
わかる。
【００５３】次に、図４に示した積層セラミックコンデ
ンサモジュール２１を例にとり、冷却部材との結合構造
例を、図５〜図７を参照して説明する。図５に示すよう
に、積層セラミックコンデンサモジュール２１の基板２
２を外部と電気的に接続するためのバスバー２４にネジ
２５を用いて固定する場合、基板２２の下面に冷却部材
としてのヒートシンク２６を固定することにより、基板
２２の下面側から積層セラミックコンデンサ２３を冷却
することができる。
ンサモジュール２１を例にとり、冷却部材との結合構造
例を、図５〜図７を参照して説明する。図５に示すよう
に、積層セラミックコンデンサモジュール２１の基板２
２を外部と電気的に接続するためのバスバー２４にネジ
２５を用いて固定する場合、基板２２の下面に冷却部材
としてのヒートシンク２６を固定することにより、基板
２２の下面側から積層セラミックコンデンサ２３を冷却
することができる。
【００５４】あるいは、図６に示すように、積層セラミ
ックコンデンサ２３の上面に冷却部材としてのヒートシ
ンク２７を接触・固定し、それによって積層セラミック
コンデンサ２３の上面側から積層セラミックコンデンサ
２３を冷却してもよい。さらに、図７に示すように、基
板２２の下面及び積層セラミックコンデンサ２３の上面
の双方に、それぞれ、ヒートシンク２６，２７を接触さ
せて積層セラミックコンデンサ２３を冷却してもよい。
このように、基板上に取り付けられた積層セラミックコ
ンデンサに冷却部材を様々な方法で直接接触させること
ができ、それによって積層セラミックコンデンサ２３か
らの放熱効率をより一層高めることができる。
ックコンデンサ２３の上面に冷却部材としてのヒートシ
ンク２７を接触・固定し、それによって積層セラミック
コンデンサ２３の上面側から積層セラミックコンデンサ
２３を冷却してもよい。さらに、図７に示すように、基
板２２の下面及び積層セラミックコンデンサ２３の上面
の双方に、それぞれ、ヒートシンク２６，２７を接触さ
せて積層セラミックコンデンサ２３を冷却してもよい。
このように、基板上に取り付けられた積層セラミックコ
ンデンサに冷却部材を様々な方法で直接接触させること
ができ、それによって積層セラミックコンデンサ２３か
らの放熱効率をより一層高めることができる。
【００５５】なお、第１，第２の実施例にかかる積層セ
ラミックコンデンサモジュール１，１１においても、同
様に積層セラミックコンデンサ３，４，１３，１４の基
板に取り付けられている側とは反対側の面及び側面が露
出されているので、ヒートシンクなどの冷却部材を直接
接触させることができる。
ラミックコンデンサモジュール１，１１においても、同
様に積層セラミックコンデンサ３，４，１３，１４の基
板に取り付けられている側とは反対側の面及び側面が露
出されているので、ヒートシンクなどの冷却部材を直接
接触させることができる。
【００５６】図８（ａ），（ｂ）は、本発明の第３の実
施例にかかる積層セラミックコンデンサモジュールを説
明するための平面図及び正面図であり、第２の実施例の
図２（ａ）及び（ｂ）に相当する図である。第３の実施
例の積層セラミックコンデンサモジュール３１では、基
板３２の上面及び下面に積層セラミックコンデンサ３
３，３４が取り付けられている。第２の実施例と異なる
ところは、積層セラミックコンデンサ３３，３４が、そ
れぞれ、基板３２側に延びる複数本のリード端子３３
ａ，３３ｂ，３４ｂを有することことにある。なお、積
層セラミックコンデンサ３４では、一方側のリード端子
３４ｂのみが図示されているが、他方側のリード端子も
同様に構成されている。
施例にかかる積層セラミックコンデンサモジュールを説
明するための平面図及び正面図であり、第２の実施例の
図２（ａ）及び（ｂ）に相当する図である。第３の実施
例の積層セラミックコンデンサモジュール３１では、基
板３２の上面及び下面に積層セラミックコンデンサ３
３，３４が取り付けられている。第２の実施例と異なる
ところは、積層セラミックコンデンサ３３，３４が、そ
れぞれ、基板３２側に延びる複数本のリード端子３３
ａ，３３ｂ，３４ｂを有することことにある。なお、積
層セラミックコンデンサ３４では、一方側のリード端子
３４ｂのみが図示されているが、他方側のリード端子も
同様に構成されている。
【００５７】図９に平面図で示すように、基板３２に
は、電極ランド３２ａ，３２ｂが設けられている部分に
複数の貫通孔３２ｃ，３２ｄが設けられており、該貫通
孔３２ｃ，３２ｄにリード端子３３ａ，３３ｂが挿入さ
れ、半田等により接合されている。基板３２の下面側の
積層セラミックコンデンサ３４のリード端子３４ｂにつ
いても、同様に残りの貫通孔３２ｃ，３２ｄに挿入さ
れ、かつ半田により電極ランド３２ａ，３２ｂに電気的
に接続されている。その他の点については、第２の実施
例と同様に構成されている。
は、電極ランド３２ａ，３２ｂが設けられている部分に
複数の貫通孔３２ｃ，３２ｄが設けられており、該貫通
孔３２ｃ，３２ｄにリード端子３３ａ，３３ｂが挿入さ
れ、半田等により接合されている。基板３２の下面側の
積層セラミックコンデンサ３４のリード端子３４ｂにつ
いても、同様に残りの貫通孔３２ｃ，３２ｄに挿入さ
れ、かつ半田により電極ランド３２ａ，３２ｂに電気的
に接続されている。その他の点については、第２の実施
例と同様に構成されている。
【００５８】従って、本実施例の積層セラミックコンデ
ンサモジュール３１においても、Ｓ１が１．３Ｓ２以上
とされているので、積層セラミックコンデンサの熱を効
果的に放散することができる。また、第２の実施例と同
様に、積層セラミックコンデンサ３３，３４の上面に直
接ヒートシンクなどの冷却部材を当接させて冷却効率を
高めることができる。
ンサモジュール３１においても、Ｓ１が１．３Ｓ２以上
とされているので、積層セラミックコンデンサの熱を効
果的に放散することができる。また、第２の実施例と同
様に、積層セラミックコンデンサ３３，３４の上面に直
接ヒートシンクなどの冷却部材を当接させて冷却効率を
高めることができる。
【００５９】加えて、端子と３２ｅ，３２ｆに設けられ
た貫通孔３２ｇ，３２ｈを利用してネジ３５，３６によ
り、外部の回路基板や金属から成る端子台に締結するこ
とにより、さらに放熱効果を高めることができる。
た貫通孔３２ｇ，３２ｈを利用してネジ３５，３６によ
り、外部の回路基板や金属から成る端子台に締結するこ
とにより、さらに放熱効果を高めることができる。
【００６０】図１０（ａ），（ｂ）は、第２の実施例の
積層セラミックコンデンサモジュール１１の他の変形例
を示す平面図及び正面図である。図１０に示す積層セラ
ミックコンデンサモジュール４１では、基板４２の端部
において、金属製端子４３，４３が接合されている。金
属製端子４３，４３は、電極ランド２２ａ，２２ｂに連
ねられた端子電極２２ｃ，２２ｄに電気的に接続される
ように、半田等を用いて接合されている。その他の点に
ついては、第２の実施例と同様に構成されているので、
同一部分については、同一の参照番号を付することによ
り説明を省略する。
積層セラミックコンデンサモジュール１１の他の変形例
を示す平面図及び正面図である。図１０に示す積層セラ
ミックコンデンサモジュール４１では、基板４２の端部
において、金属製端子４３，４３が接合されている。金
属製端子４３，４３は、電極ランド２２ａ，２２ｂに連
ねられた端子電極２２ｃ，２２ｄに電気的に接続される
ように、半田等を用いて接合されている。その他の点に
ついては、第２の実施例と同様に構成されているので、
同一部分については、同一の参照番号を付することによ
り説明を省略する。
【００６１】金属製端子４３，４３は、基板２２の端子
電極２２ｃ，２２ｄに取り付けられている部分４３ａ
と、該部分４３ａと直交する方向に延びる部分４３ｂと
を有する。基板２２と直交する方向に延びる部分４３ｂ
には、ネジ等が並通される貫通孔が形成されており、貫
通孔を用いて、外部の端子台や回路基板にネジやボルト
で締結し得るように構成されている。
電極２２ｃ，２２ｄに取り付けられている部分４３ａ
と、該部分４３ａと直交する方向に延びる部分４３ｂと
を有する。基板２２と直交する方向に延びる部分４３ｂ
には、ネジ等が並通される貫通孔が形成されており、貫
通孔を用いて、外部の端子台や回路基板にネジやボルト
で締結し得るように構成されている。
【００６２】積層セラミックコンデンサモジュール４１
では、基板４２に対して直交する方向に延びる部分４３
ｂを有する金属製端子４３，４３が設けられているの
で、図１０（ｂ）の上下方向に延びる他の部材に設けら
れたネジ穴等を利用して、図１０（ｂ）に示す向きのま
ま積層セラミックコンデンサモジュール４１を固定する
ことができる。あるいは、プリント回路基板の上面に、
金属製端子４３の延びている方向が水平方向を向くよう
に取り付け、基板４２が立設されるように積層セラミッ
クコンデンサモジュール４１を取り付けることも可能で
ある。
では、基板４２に対して直交する方向に延びる部分４３
ｂを有する金属製端子４３，４３が設けられているの
で、図１０（ｂ）の上下方向に延びる他の部材に設けら
れたネジ穴等を利用して、図１０（ｂ）に示す向きのま
ま積層セラミックコンデンサモジュール４１を固定する
ことができる。あるいは、プリント回路基板の上面に、
金属製端子４３の延びている方向が水平方向を向くよう
に取り付け、基板４２が立設されるように積層セラミッ
クコンデンサモジュール４１を取り付けることも可能で
ある。
【００６３】本実施例では、金属製端子４３が金属より
なるので、積層セラミックコンデンサ２３，２４から伝
わった熱が、電極ランド２２ａ，２２ｂ及び金属製端子
４３を介して、金属製端子４３が取り付けられる部分に
熱が逃がされる。従って、厚みを有する金属製端子４３
を用いて、熱が効率よく放散される。
なるので、積層セラミックコンデンサ２３，２４から伝
わった熱が、電極ランド２２ａ，２２ｂ及び金属製端子
４３を介して、金属製端子４３が取り付けられる部分に
熱が逃がされる。従って、厚みを有する金属製端子４３
を用いて、熱が効率よく放散される。
【００６４】本変形例の積層セラミックコンデンサモジ
ュール４１から明らかなように、本発明にかかる積層セ
ラミックコンデンサモジュールでは、基板に金属製端子
が接合されていてもよい。なお、積層セラミックコンデ
ンサモジュール４１では、金属製端子４３は、図１０
（ｂ）に示すように、基板４２に取り付けられている部
分４３ａと、基板４２に取り付けられているから略直交
する方向に延びる部分４３ｂとを有する略Ｌ字状の形状
を有していたが、金属製端子は平板状の形状を有するも
のであってもよい。
ュール４１から明らかなように、本発明にかかる積層セ
ラミックコンデンサモジュールでは、基板に金属製端子
が接合されていてもよい。なお、積層セラミックコンデ
ンサモジュール４１では、金属製端子４３は、図１０
（ｂ）に示すように、基板４２に取り付けられている部
分４３ａと、基板４２に取り付けられているから略直交
する方向に延びる部分４３ｂとを有する略Ｌ字状の形状
を有していたが、金属製端子は平板状の形状を有するも
のであってもよい。
【００６５】本発明にかかる積層セラミックコンデンサ
モジュールは、大電流用途のコンデンサとして用いるこ
とができ、例えばＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトラ
ンジスタ）などを用いた電力変換装置における平滑コン
デンサとして好適に用いることができる。このような電
力変換装置に本発明にかかる積層セラミックコンデンサ
モジュールを用いた応用例を、図１１〜図１４を参照し
て説明する。
モジュールは、大電流用途のコンデンサとして用いるこ
とができ、例えばＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトラ
ンジスタ）などを用いた電力変換装置における平滑コン
デンサとして好適に用いることができる。このような電
力変換装置に本発明にかかる積層セラミックコンデンサ
モジュールを用いた応用例を、図１１〜図１４を参照し
て説明する。
【００６６】図１１に示す電力変換装置５１では、電力
変換装置本体５２が、入力端子５３及び出力端子５４を
有する。なお、電力変換装置本体５２は、適宜のインバ
ーターなどで構成され、特に限定されるものではない。
電力変換装置５２では大きな電流が取り扱われる。従っ
て、このような電力変換装置本体５２に平滑コンデンサ
として用いられるコンデンサは大電流容量を有するもの
であることが必要である。
変換装置本体５２が、入力端子５３及び出力端子５４を
有する。なお、電力変換装置本体５２は、適宜のインバ
ーターなどで構成され、特に限定されるものではない。
電力変換装置５２では大きな電流が取り扱われる。従っ
て、このような電力変換装置本体５２に平滑コンデンサ
として用いられるコンデンサは大電流容量を有するもの
であることが必要である。
【００６７】電力変換装置５１では、金属からなる入力
端子５３上に、本発明に従って構成された積層セラミッ
クコンデンサモジュール５５が取り付けられている。積
層セラミックコンデンサモジュール５５は、図４に示し
た積層セラミックコンデンサモジュール２１とほぼ同様
に構成されている。もっとも、ここでは、基板５６の上
面に２個の積層セラミックコンデンサ５７，５８が並設
されている。なお、図１０では略図的に示されている
が、積層セラミックコンデンサ５７，５８は、図４に示
した積層セラミックコンデンサ２３と同様に取り付けら
れている。
端子５３上に、本発明に従って構成された積層セラミッ
クコンデンサモジュール５５が取り付けられている。積
層セラミックコンデンサモジュール５５は、図４に示し
た積層セラミックコンデンサモジュール２１とほぼ同様
に構成されている。もっとも、ここでは、基板５６の上
面に２個の積層セラミックコンデンサ５７，５８が並設
されている。なお、図１０では略図的に示されている
が、積層セラミックコンデンサ５７，５８は、図４に示
した積層セラミックコンデンサ２３と同様に取り付けら
れている。
【００６８】また、積層セラミックコンデンサモジュー
ル５５は、ネジ５９により、電力変換装置本体５２に固
定されている。すなわち、入力端子５３に図示しないネ
ジ穴が形成されており、該ネジ穴にネジ５９が挿通され
ている。また、ネジ５９には、スペーサー６０ａ，６０
ｂが外挿されている。さらに、スペーサー６０ａ，６０
ｂ間に制御基板６１が配置されている。制御基板６１に
も、ネジ５９が挿通する貫通孔が形成されている。従っ
て、ネジ５９を締めつけることにより、スペーサー６０
ａ，６０ｂ及び制御基板６１を介して、入力端子５３に
積層セラミックコンデンサモジュール５５が締結されて
いる。ここでは、スペーサー６０ａ，６０ｂは熱伝導性
に優れた金属により構成されている。したがって、積層
セラミックコンデンサ５７，５８で生じた熱が、ネジ５
９、スペーサー６０ａ，６０ｂを介して入力端子５３側
に効果的に放散される。
ル５５は、ネジ５９により、電力変換装置本体５２に固
定されている。すなわち、入力端子５３に図示しないネ
ジ穴が形成されており、該ネジ穴にネジ５９が挿通され
ている。また、ネジ５９には、スペーサー６０ａ，６０
ｂが外挿されている。さらに、スペーサー６０ａ，６０
ｂ間に制御基板６１が配置されている。制御基板６１に
も、ネジ５９が挿通する貫通孔が形成されている。従っ
て、ネジ５９を締めつけることにより、スペーサー６０
ａ，６０ｂ及び制御基板６１を介して、入力端子５３に
積層セラミックコンデンサモジュール５５が締結されて
いる。ここでは、スペーサー６０ａ，６０ｂは熱伝導性
に優れた金属により構成されている。したがって、積層
セラミックコンデンサ５７，５８で生じた熱が、ネジ５
９、スペーサー６０ａ，６０ｂを介して入力端子５３側
に効果的に放散される。
【００６９】また、積層セラミックコンデンサモジュー
ル５５は、本発明に従って構成されており、Ｓ１が１．
３Ｓ２より大きいので、上述してきた各実施例及び変形
例と同様に、積層セラミックコンデンサ５７，５８から
自然対流により熱が効率的に放散される。
ル５５は、本発明に従って構成されており、Ｓ１が１．
３Ｓ２より大きいので、上述してきた各実施例及び変形
例と同様に、積層セラミックコンデンサ５７，５８から
自然対流により熱が効率的に放散される。
【００７０】なお、電力変換装置本体５２はヒートシン
ク６１上に固定されている。図１２は、本発明にかかる
積層セラミックコンデンサモジュールが用いられた電力
変換装置の他の例を示す模式的平面図である。電力変換
装置７１では、図４に示した積層セラミックコンデンサ
モジュール２１がそのまま用いられている。ここでは、
電力変換装置本体５２の上面に、ネジ２５を用いて直接
積層セラミックコンデンサモジュール２１が固定されて
いる。また、積層セラミックコンデンサモジュール２１
の積層セラミックコンデンサ２３上にヒートシンク７２
が接触されている。他方、電力変換装置本体５２の下面
にもヒートシンク７３が配置されている。従って、積層
セラミックコンデンサモジュール２１の積層セラミック
コンデンサ２３，２４が発熱したとしても、直接接触し
ているヒートシンク７２で効果的に冷却される。また、
発生した熱は、自然対流により放熱されるとともに、ネ
ジ２５を経由して、電力変換装置本体５２に伝わり、ヒ
ートシンク７３により冷却される。
ク６１上に固定されている。図１２は、本発明にかかる
積層セラミックコンデンサモジュールが用いられた電力
変換装置の他の例を示す模式的平面図である。電力変換
装置７１では、図４に示した積層セラミックコンデンサ
モジュール２１がそのまま用いられている。ここでは、
電力変換装置本体５２の上面に、ネジ２５を用いて直接
積層セラミックコンデンサモジュール２１が固定されて
いる。また、積層セラミックコンデンサモジュール２１
の積層セラミックコンデンサ２３上にヒートシンク７２
が接触されている。他方、電力変換装置本体５２の下面
にもヒートシンク７３が配置されている。従って、積層
セラミックコンデンサモジュール２１の積層セラミック
コンデンサ２３，２４が発熱したとしても、直接接触し
ているヒートシンク７２で効果的に冷却される。また、
発生した熱は、自然対流により放熱されるとともに、ネ
ジ２５を経由して、電力変換装置本体５２に伝わり、ヒ
ートシンク７３により冷却される。
【００７１】図１２に示す電力変換装置７１では、積層
セラミックコンデンサモジュール２１の主要部が電力変
換装置本体５２の外側に位置するように取り付けられて
いたが、図１３に示す変形例のように、積層セラミック
コンデンサモジュール２１の基板２２の全面が電力変換
装置５２上に位置するように積層セラミックコンデンサ
モジュール２１を取り付けてもよい。
セラミックコンデンサモジュール２１の主要部が電力変
換装置本体５２の外側に位置するように取り付けられて
いたが、図１３に示す変形例のように、積層セラミック
コンデンサモジュール２１の基板２２の全面が電力変換
装置５２上に位置するように積層セラミックコンデンサ
モジュール２１を取り付けてもよい。
【００７２】図１４は、本発明にかかる積層セラミック
コンデンサモジュールが取り付けられた電力変換装置の
さらに他の例を示す模式的正面図である。ここでは、図
１２に示した電力変換装置７１と同様にして、電力変換
装置本体５２に積層セラミックコンデンサモジュール２
１が取り付けられている。もっとも、ヒートシンク７３
に代えて、正面から見た形状が略Ｌ字状のヒートシンク
７４が用いられている。ヒートシンク７４は、電力変換
装置５２の下面に接触しているだけでなく、電力変換装
置本体５２の側方において、上方に突出しており、該突
出部が、積層セラミックコンデンサモジュール２１の基
板２２の下面に接触するように構成されている。
コンデンサモジュールが取り付けられた電力変換装置の
さらに他の例を示す模式的正面図である。ここでは、図
１２に示した電力変換装置７１と同様にして、電力変換
装置本体５２に積層セラミックコンデンサモジュール２
１が取り付けられている。もっとも、ヒートシンク７３
に代えて、正面から見た形状が略Ｌ字状のヒートシンク
７４が用いられている。ヒートシンク７４は、電力変換
装置５２の下面に接触しているだけでなく、電力変換装
置本体５２の側方において、上方に突出しており、該突
出部が、積層セラミックコンデンサモジュール２１の基
板２２の下面に接触するように構成されている。
【００７３】なお、本願発明者の実験によれば、図１１
に示した電力変換装置では、同一容量の従来のスタック
型の積層セラミックコンデンサモジュールを用いた場合
に比べて、コンデンサの体積を小さくし得ることが確か
められた。また、図１２及び図１４に示す電力変換装置
では、積層コンデンサ部分の体制を、相当の従来のスタ
ック型の積層セラミックコンデンサモジュールの場合に
比べて、コンデンサ部分の体積を３９％未満に低減し得
ることが確かめられた。従って、図１２及び図１４に示
す構成では、図１１に示した電力変換装置の積層セラミ
ックコンデンサモジュールよりも、積層セラミックコン
デンサ部分の体積をより小さくし得ることがわかる。
に示した電力変換装置では、同一容量の従来のスタック
型の積層セラミックコンデンサモジュールを用いた場合
に比べて、コンデンサの体積を小さくし得ることが確か
められた。また、図１２及び図１４に示す電力変換装置
では、積層コンデンサ部分の体制を、相当の従来のスタ
ック型の積層セラミックコンデンサモジュールの場合に
比べて、コンデンサ部分の体積を３９％未満に低減し得
ることが確かめられた。従って、図１２及び図１４に示
す構成では、図１１に示した電力変換装置の積層セラミ
ックコンデンサモジュールよりも、積層セラミックコン
デンサ部分の体積をより小さくし得ることがわかる。
【００７４】図１１〜図１４に示した各電力変換装置か
ら明らかなように、本発明にかかる積層セラミックコン
デンサモジュールを電力変換装置に平滑コンデンサとし
て用いた場合、電力変換装置本体への結合構造及びヒー
トシンクの結合構造については、適宜変形することがで
きる。
ら明らかなように、本発明にかかる積層セラミックコン
デンサモジュールを電力変換装置に平滑コンデンサとし
て用いた場合、電力変換装置本体への結合構造及びヒー
トシンクの結合構造については、適宜変形することがで
きる。
【００７５】
【発明の効果】本発明にかかる積層セラミックコンデン
サモジュールでは、基板上に少なくとも１個の積層セラ
ミックコンデンサが取り付けられており、定量状態の基
板及び積層セラミックコンデンサの表面積の合計である
総表面積Ｓ１が、基板に実装されている積層セラミック
コンデンサの基板に実装されている面を除く総表面積Ｓ
２の１．３倍以上であるため、積層セラミックコンデン
サに発生した熱を基板側への熱伝導だけでなく自然対流
により効率よく放熱することができる。従って、大電流
用途の積層セラミックコンデンサを用いた場合、温度上
昇を抑制することができるので、電流容量を確保するこ
とができ、使用する積層セラミックコンデンサの数を低
減することができるとともに、大電流用の積層セラミッ
クコンデンサモジュールの小型化及び低価格化を図るこ
とができる。
サモジュールでは、基板上に少なくとも１個の積層セラ
ミックコンデンサが取り付けられており、定量状態の基
板及び積層セラミックコンデンサの表面積の合計である
総表面積Ｓ１が、基板に実装されている積層セラミック
コンデンサの基板に実装されている面を除く総表面積Ｓ
２の１．３倍以上であるため、積層セラミックコンデン
サに発生した熱を基板側への熱伝導だけでなく自然対流
により効率よく放熱することができる。従って、大電流
用途の積層セラミックコンデンサを用いた場合、温度上
昇を抑制することができるので、電流容量を確保するこ
とができ、使用する積層セラミックコンデンサの数を低
減することができるとともに、大電流用の積層セラミッ
クコンデンサモジュールの小型化及び低価格化を図るこ
とができる。
【００７６】よって、本発明にかかる積層セラミックコ
ンデンサモジュールは、例えばインバーターなどの電力
変換装置の平滑コンデンサとして用いた場合、大きな効
果を得ることができる。
ンデンサモジュールは、例えばインバーターなどの電力
変換装置の平滑コンデンサとして用いた場合、大きな効
果を得ることができる。
【００７７】上記積層セラミックコンデンサを樹脂によ
り基板に密着させた場合には、密着強度を高めることが
でき、さらに金属酸化物含有樹脂を用いることにより、
放熱性も高められる。
り基板に密着させた場合には、密着強度を高めることが
でき、さらに金属酸化物含有樹脂を用いることにより、
放熱性も高められる。
【００７８】また、複数の積層セラミックコンデンサが
基板に実装されている場合には、複数の積層セラミック
コンデンサが電気的に並列に接続されており、それによ
ってより一層の電流容量の拡大を図ることができる。
基板に実装されている場合には、複数の積層セラミック
コンデンサが電気的に並列に接続されており、それによ
ってより一層の電流容量の拡大を図ることができる。
【００７９】さらに、基板の表裏面に分けて複数の積層
セラミックコンデンサが実装されている場合には、積層
セラミックコンデンサからの自然対流に放熱をより一層
高めることができるとともに、基板の表面側及び裏面側
においてヒートシンクなどの冷却部材を直接積層セラミ
ックコンデンサに接触させることができ、ヒートシンク
などの冷却部材による冷却効率を高めることができる。
セラミックコンデンサが実装されている場合には、積層
セラミックコンデンサからの自然対流に放熱をより一層
高めることができるとともに、基板の表面側及び裏面側
においてヒートシンクなどの冷却部材を直接積層セラミ
ックコンデンサに接触させることができ、ヒートシンク
などの冷却部材による冷却効率を高めることができる。
【００８０】金属製端子により基板と積層セラミックコ
ンデンサとの電気的接続が行われている場合には、端子
によっても放熱性が高められる。基板に外部と電気的に
接続するための端子電極が設けられており、該端子電極
に基板をネジやボルトにより外部に対して締結し得るよ
うに構成されている場合には、締結により基板が外部の
端子などに密着され、従って端子電極部分から外部の端
子台などへの熱伝導経路が確保される。よって、より一
層放熱効果を高めることができる。
ンデンサとの電気的接続が行われている場合には、端子
によっても放熱性が高められる。基板に外部と電気的に
接続するための端子電極が設けられており、該端子電極
に基板をネジやボルトにより外部に対して締結し得るよ
うに構成されている場合には、締結により基板が外部の
端子などに密着され、従って端子電極部分から外部の端
子台などへの熱伝導経路が確保される。よって、より一
層放熱効果を高めることができる。
【００８１】基板に設けられた端子電極に金属製端子が
接合されている場合には、金属製端子を介して熱が外部
の端子台や回路基板に放熱されるので、より一層放熱効
果を高めることができる。
接合されている場合には、金属製端子を介して熱が外部
の端子台や回路基板に放熱されるので、より一層放熱効
果を高めることができる。
【００８２】基板の表裏面を電気的に接続するスルーホ
ール電極が形成されている場合には、基板の裏面の電気
的接続のための構造を基板外周部に必要としないので、
基板の小型化を図ることができる。また、複数の積層セ
ラミックコンデンサが表裏面に実装されている場合に
は、両側の積層セラミックコンデンサを容易に電気的に
並列に接続することができる。
ール電極が形成されている場合には、基板の裏面の電気
的接続のための構造を基板外周部に必要としないので、
基板の小型化を図ることができる。また、複数の積層セ
ラミックコンデンサが表裏面に実装されている場合に
は、両側の積層セラミックコンデンサを容易に電気的に
並列に接続することができる。
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施例に
かかる積層セラミックコンデンサモジュールを示す斜視
図及び基板の一方面側から見た略図的側面図。
かかる積層セラミックコンデンサモジュールを示す斜視
図及び基板の一方面側から見た略図的側面図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施例に
かかる積層セラミックコンデンサモジュールを示す平面
図及び正面図。
かかる積層セラミックコンデンサモジュールを示す平面
図及び正面図。
【図３】第２実施例で用いられている基板を説明するた
めの平面図。
めの平面図。
【図４】第２の実施例の積層セラミックコンデンサモジ
ュールの変形例を示す表面図。
ュールの変形例を示す表面図。
【図５】第２の実施例の積層セラミックコンデンサモジ
ュールとヒートシンクとの結合構造の１例を示す表面
図。
ュールとヒートシンクとの結合構造の１例を示す表面
図。
【図６】第２の実施例の積層セラミックコンデンサモジ
ュールとヒートシンクとの結合構造の他の例を示す表面
図。
ュールとヒートシンクとの結合構造の他の例を示す表面
図。
【図７】第２の実施例の積層セラミックコンデンサモジ
ュールとヒートシンクとの結合構造のさらに他の例を示
す表面図。
ュールとヒートシンクとの結合構造のさらに他の例を示
す表面図。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、第３の実施例にかかる積
層セラミックコンデンサモジュールの平面図及び正面
図。
層セラミックコンデンサモジュールの平面図及び正面
図。
【図９】第３の実施例に用いられる基板の平面図。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は、第二の実施例の積層セ
ラミックコンデンサモジュールの他の変形例を説明する
ための平面図及び正面図。
ラミックコンデンサモジュールの他の変形例を説明する
ための平面図及び正面図。
【図１１】本発明にかかる積層セラミックコンデンサモ
ジュールを用いた電力変換装置の第１の例を示す初期的
正面図。
ジュールを用いた電力変換装置の第１の例を示す初期的
正面図。
【図１２】本発明にかかる積層セラミックコンデンサモ
ジュールが用いられた電力変換装置の第２の例を示す模
式的正面図。
ジュールが用いられた電力変換装置の第２の例を示す模
式的正面図。
【図１３】図１２に示した電力変換装置の変形例を説明
するための模式的正面図。
するための模式的正面図。
【図１４】本発明にかかる積層セラミックコンデンサモ
ジュールが用いられた電力変換装置の第３の例を示す模
式的正面図。
ジュールが用いられた電力変換装置の第３の例を示す模
式的正面図。
【図１５】本発明にかかる積層セラミックコンデンサモ
ジュールにおける非ヒヨクラビレンスＳ１／Ｓ２と、温
度上昇値との関係を示す。
ジュールにおける非ヒヨクラビレンスＳ１／Ｓ２と、温
度上昇値との関係を示す。
【図１６】本発明の実施例にかかる積層セラミックコン
デンサモジュール及び従来のスタック型積層セラミック
コンデンサモジュールにおける積層セラミックコンデン
サの数と温度上昇値との関係を示す。
デンサモジュール及び従来のスタック型積層セラミック
コンデンサモジュールにおける積層セラミックコンデン
サの数と温度上昇値との関係を示す。
１…積層セラミックコンデンサモジュール ２…基板 ３，４…積層セラミックコンデンサ ５，６…電極ランド １１…積層セラミックコンデンサモジュール １２…基板 １２ａ，１２ｂ…電極ランド １２ｃ，１２ｄ…端子電極 １２ｅ，１２ｆ…貫通孔 １３，１４…積層セラミックコンデンサ ２１…積層セラミックコンデンサモジュール ２２…基板 ２３…積層セラミックコンデンサ ２５…ネジ ２６，２７…ヒートシンク ３１…積層セラミックコンデンサモジュール ３２…基板 ３２ａ，３２ｂ…電極ランド ３２ｃ，３２ｄ…貫通孔 ３３，３４…積層セラミックコンデンサ ３５，３６…ネジ ４１…積層セラミックコンデンサモジュール ４２…基板 ４３…金属製端子 ５５…積層セラミックコンデンサモジュール ５６…基板 ５７，５８…積層セラミックコンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 和宏 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 久保田 和幸 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 西山 茂紀 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5E082 BC25 CC03 CC13 FG26 KK07 MM28 PP10
Claims (9)
- 【請求項１】 少なくとも１個の積層セラミックコンデ
ンサと、前記積層セラミックコンデンサが密着して実装
されるように構成されており、かつ前記積層セラミック
コンデンサに電気的に接続される複数の電極ランドを有
する基板とを備える積層セラミックコンデンサモジュー
ルであって、 前記基板上に実装されている前記積層セラミックコンデ
ンサの基板に対向されている面を除く外表面の面積の合
計を総表面積Ｓ２とし、総表面積Ｓ２と、基板の積層セ
ラミックコンデンサにより覆われていない部分の表面積
との合計を総表面積Ｓ１としたときに、Ｓ１が１．３Ｓ
２以上であることを特徴とする積層セラミックコンデン
サモジュール。 - 【請求項２】 前記積層セラミックコンデンサは、金属
酸化物を含有している樹脂を介して前記基板に密着され
ている、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサモ
ジュール。 - 【請求項３】 複数の積層セラミックコンデンサが前記
基板に積層されることなく実装されており、かつ複数の
電極ランドにより複数の積層セラミックコンデンサが電
気的に並列に接続されている、請求項１または２に記載
の積層セラミックコンデンサモジュール。 - 【請求項４】 前記基板の表裏面にそれぞれ積層セラミ
ックコンデンサが実装されている、請求項１〜３のいず
れかに記載の積層セラミックコンデンサモジュール。 - 【請求項５】 前記積層セラミックコンデンサと前記基
板との電気的接続が、金属製端子により行われる、請求
項１〜４のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ
モジュール。 - 【請求項６】 前記基板が、外部と電気的に接続するた
めの端子電極を有し、該端子電極が設けられている部分
に、前記基板をネジまたはボルトにより他の部材に締結
するための貫通孔が形成されている、請求項１〜５のい
ずれかに記載の積層セラミックコンデンサモジュール。 - 【請求項７】 前記基板が外部と電気的に接続するため
の端子電極を有し、該端子電極に外部と電気的に接続す
るために接合された金属製端子をさらに備える、請求項
１〜６のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサモ
ジュール。 - 【請求項８】 前記基板に、基板の表裏面を電気的に接
続するためのスルホール電極が形成されている、請求項
１〜７のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサモ
ジュール。 - 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかに記載の積層セ
ラミックコンデンサモジュールを搭載した電力変換装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000363317A JP2002170739A (ja) | 2000-11-29 | 2000-11-29 | 積層セラミックコンデンサモジュール |
| EP01128045A EP1215690A3 (en) | 2000-11-29 | 2001-11-26 | Ceramic condenser module |
| US09/993,566 US6583981B2 (en) | 2000-11-29 | 2001-11-27 | Ceramic condenser module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000363317A JP2002170739A (ja) | 2000-11-29 | 2000-11-29 | 積層セラミックコンデンサモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002170739A true JP2002170739A (ja) | 2002-06-14 |
Family
ID=18834443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000363317A Pending JP2002170739A (ja) | 2000-11-29 | 2000-11-29 | 積層セラミックコンデンサモジュール |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6583981B2 (ja) |
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| JP (1) | JP2002170739A (ja) |
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- 2000-11-29 JP JP2000363317A patent/JP2002170739A/ja active Pending
-
2001
- 2001-11-26 EP EP01128045A patent/EP1215690A3/en not_active Withdrawn
- 2001-11-27 US US09/993,566 patent/US6583981B2/en not_active Expired - Lifetime
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