CN108288653B - 一种具有参考电容的传感器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种具有参考电容的传感器件及其制造方法，其利用片状导电鳍片实现参考电容的一体化封装，且利用片状导电鳍片的多少实现参考电容的电容值可调；具有条形槽道的凹槽是散热的基础，利用多个片状导电鳍片进行二次散热，最大程度的提高了散热效率；第二焊盘在侧面形成，可以避免焊盘在背面形成时所产生的较大的寄生电容问题。
Description
技术领域
本发明涉及传感器领域，具体涉及一种具有参考电容的传感器件及其制造方法。
背景技术
光敏传感器中最简单的电子器件是光敏电阻，它能感应光线的明暗变化，输出微弱的电信号，通过简单电子线路放大处理，可以控制LED灯具的自动开关。因此在自动控制、家用电器中得到广泛的应用，对于远程的照明灯具，例如：在电视机中作亮度自动调节，照相机种作自动曝光；另外，在路灯、航标等自动控制电路、卷带自停装置及防盗报警装置中等
光敏传感器是最常见的传感器之一，它的种类繁多，主要有：光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏三极管、太阳能电池、红外线传感器、紫外线传感器、光纤式光电传感器、色彩传感器、CCD和CMOS图像传感器等。国内主要厂商有OTRON品牌等。光传感器是目前产量最多、应用最广的传感器之一，它在自动控制和非电量电测技术中占有非常重要的地位。最简单的光敏传感器是光敏电阻，当光子冲击接合处就会产生电流。
对于传感器而言，一般会使用一个参考电容进行参照，往往通过外连一个单独的电容器实现该目的，其不利于封装的一体化，且传感器本身热辐射较大，需要快速的将热量从封装体内散出。
发明内容
基于解决上述问题，本发明提供了一种具有参考电容的传感器件，其包括：
衬底，所述衬底包括具有半导体元件的正面、所述正面相对的背面以及与所述正面和背面垂直的侧面；
在所述衬底的所述背面的凹槽，所述凹槽深度小于或等于所述衬底的厚度的一半，所述凹槽底面具有均匀排布的多个条形槽道；
多个片状导电鳍片，所述片状导电鳍片的端部插入所述条形槽道中，并且从所述凹槽内伸出；
在所述衬底的正面上的多个第一焊盘和在所述衬底的背面上的、位于凹槽两侧的布线层，并且所述布线层分别电连接所述片状导电鳍片的位于最外侧的两个鳍片；
电连接所述第一焊盘与所述布线层的多个导电通孔，所述导电通孔贯穿所述衬底；
绝缘树脂层，所述绝缘树脂层覆盖所述背面、所述布线层、所述片状导电鳍片以及所述凹槽，且所述绝缘树脂层的侧面与所述衬底的侧面齐平。
根据本发明的实施例，还包括覆盖在所述衬底的正面上的粘合树脂和滤光玻璃片，所述滤光玻璃片通过粘合树脂粘合于所述正面上。
根据本发明的实施例，所述片状导电鳍片是通过紫外光活化树脂进行紫外光照射活化树脂内的金属而形成的。
根据本发明的实施例，所述条形槽道的每一个均插入一个所述片状导电鳍片。
根据本发明的实施例，所述条形槽道的中的至少一个未插入所述片状导电鳍片。
根据本发明的实施例，还包括第二焊盘，所述第二焊盘位于所述绝缘树脂的侧面以及所述衬底的侧面上，并且其电连接于所述布线层。
本发明还提供了一种具有参考电容的传感器件的制造方法，其包括：
(1)提供一衬底，所述衬底包括具有半导体元件的正面、所述正面相对的背面以及与所述正面和背面垂直的侧面；
(2)在所述衬底的所述背面蚀刻出凹槽，所述凹槽深度小于或等于所述衬底的厚度的一半，所述凹槽底面具有均匀排布的多个条形槽道；
(3)在所述衬底内钻孔形成过孔，所述过孔贯穿所述衬底；
(4)在所述过孔中填充导电物质形成导电通孔，并在所述正面形成多个第一焊盘，在所述背面形成位于凹槽两侧的布线层，以使得所述第一焊盘通过所述导电通孔电连接至所述布线层；
(5)在所述衬底的背面涂覆紫外活化树脂，并进行蚀刻去除部分的所述紫外活化树脂，形成插入所述条形槽道的片状树脂，利用紫外光充分照射所述片状树脂形成多个片状导电鳍片，所述片状导电鳍片的一端部插入所述条形槽道中，另一端部从所述凹槽内伸出，且所述布线层分别电连接所述片状导电鳍片的位于最外侧的两个鳍片；
(6)层压绝缘树脂层，所述绝缘树脂层覆盖所述背面、所述布线层、所述片状导电鳍片以及所述凹槽，且所述绝缘树脂层的侧面与所述衬底的侧面齐平。
根据本发明的实施例，还包括在所述正面上涂覆粘合树脂，并将滤光玻璃片压合在所述粘合树脂上。
根据本发明的实施例，还包括形成第二焊盘，所述第二焊盘位于所述绝缘树脂的侧面以及所述衬底的侧面上，并且其电连接于所述布线层。
根据本发明的实施例，所述步骤(2)中的蚀刻采用等离子体蚀刻等干法蚀刻工艺实现。
本发明的优点如下：
(1)利用片状导电鳍片实现参考电容的一体化封装，且利用片状导电鳍片的多少实现参考电容的电容值可调；
(2)具有条形槽道的凹槽是散热的基础，利用多个片状导电鳍片进行二次散热，最大程度的提高了散热效率；
(3)第二焊盘在侧面形成，可以避免焊盘在背面形成时所产生的较大的寄生电容问题。
附图说明
图1-7为本发明的具有参考电容的传感器件的制造方法示意图；
图8为部分条形槽道未被插入片状导电鳍片时的示意图。
具体实施方式
参考图7，本发明的具有参考电容的传感器件，其包括：
衬底1，所述衬底1包括具有半导体元件2的正面、所述正面相对的背面以及与所述正面和背面垂直的侧面；
在所述衬底1的所述背面的凹槽7，所述凹槽7深度小于或等于所述衬底1的厚度的一半，所述凹槽7底面具有均匀排布的多个条形槽道8；
多个片状导电鳍片9，所述片状导电鳍片9的端部插入所述条形槽道8中，并且从所述凹槽7内伸出；
在所述衬底1的正面上的多个第一焊盘3和在所述衬底1的背面上的、位于凹槽7两侧的布线层10，并且所述布线层10分别电连接所述片状导电鳍片9的位于最外侧的两个鳍片；
电连接所述第一焊盘3与所述布线层10的多个导电通孔4，所述导电通孔4贯穿所述衬底1；
绝缘树脂层11，所述绝缘树脂层11覆盖所述背面、所述布线层10、所述片状导电鳍片9以及所述凹槽7，且所述绝缘树脂层11的侧面与所述衬底1的侧面齐平。
还包括覆盖在所述衬底1的正面上的粘合树脂5和滤光玻璃片6，所述滤光玻璃片6通过粘合树脂5粘合于所述正面上。
所述片状导电鳍片9是通过紫外光活化树脂进行紫外光照射活化树脂内的金属而形成的。所述条形槽道8的每一个均插入一个所述片状导电鳍片9。还包括第二焊盘，所述第二焊盘12位于所述绝缘树脂11的侧面以及所述衬底1的侧面上，并且其电连接于所述布线层10。
参考图8，为了实现参考了电容的可调性，所述条形槽道8的中的至少一个未被插入所述片状导电鳍片9。
参考图1-7，本发明还提供了一种具有参考电容的传感器件的制造方法，其包括：
(1)提供一衬底1，所述衬底1包括具有半导体元件2的正面、所述正面相对的背面以及与所述正面和背面垂直的侧面；
(2)在所述衬底1的所述背面蚀刻出凹槽7，所述凹槽7深度小于或等于所述衬底1的厚度的一半，所述凹槽7底面具有均匀排布的多个条形槽道8；
(3)在所述衬底1内钻孔形成过孔，所述过孔贯穿所述衬底1；
(4)在所述过孔中填充导电物质形成导电通孔4，并在所述正面形成多个第一焊盘3，在所述背面形成位于凹槽7两侧的布线层10，以使得所述第一焊盘3通过所述导电通孔4电连接至所述布线层10；
(5)在所述正面上涂覆粘合树脂，并将滤光玻璃片压合在所述粘合树脂上；
(6)在所述衬底1的背面涂覆紫外活化树脂，并进行蚀刻去除部分的所述紫外活化树脂，形成插入所述条形槽道的片状树脂，利用紫外光充分照射所述片状树脂形成多个片状导电鳍片9，所述片状导电鳍片9的一端部插入所述条形槽道8中，另一端部从所述凹槽7内伸出，且所述布线层10分别电连接所述片状导电鳍片9的位于最外侧的两个鳍片；
(7)层压绝缘树脂层11，所述绝缘树脂层11覆盖所述背面、所述布线层10、所述片状导电鳍片9以及所述凹槽7，且所述绝缘树脂层11的侧面与所述衬底1的侧面齐平。
(8)形成第二焊盘12，所述第二焊盘12位于所述绝缘树脂11的侧面以及所述衬底1的侧面上，并且其电连接于所述布线层10。
其中，所述步骤(2)中的蚀刻采用等离子体蚀刻等干法蚀刻工艺实现。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
Claims (4)
1.一种具有参考电容的传感器件的制造方法，其包括：
(1)提供一衬底，所述衬底包括具有半导体元件的正面、所述正面相对的背面以及与所述正面和背面垂直的侧面；
(2)在所述衬底的所述背面蚀刻出凹槽，所述凹槽深度小于或等于所述衬底的厚度的一半，所述凹槽底面具有均匀排布的多个条形槽道；
(3)在所述衬底内钻孔形成过孔，所述过孔贯穿所述衬底；
(4)在所述过孔中填充导电物质形成导电通孔，并在所述正面形成多个第一焊盘，在所述背面形成位于凹槽两侧的布线层，以使得所述第一焊盘通过所述导电通孔电连接至所述布线层；
(5)在所述衬底的背面涂覆紫外活化树脂，并进行蚀刻去除部分的所述紫外活化树脂，形成插入所述条形槽道的片状树脂，利用紫外光充分照射所述片状树脂形成多个片状导电鳍片，所述片状导电鳍片的一端部插入所述条形槽道中，另一端部从所述凹槽内伸出，且所述布线层分别电连接所述片状导电鳍片的位于最外侧的两个鳍片；
(6)层压绝缘树脂层，所述绝缘树脂层覆盖所述背面、所述布线层、所述片状导电鳍片以及所述凹槽，且所述绝缘树脂层的侧面与所述衬底的侧面齐平。
2.根据权利要求1所述的具有参考电容的传感器件的制造方法，其特征在于：还包括在所述正面上涂覆粘合树脂，并将滤光玻璃片压合在所述粘合树脂上。
3.根据权利要求1所述的具有参考电容的传感器件的制造方法，其特征在于：还包括形成第二焊盘，所述第二焊盘位于所述绝缘树脂的侧面以及所述衬底的侧面上，并且其电连接于所述布线层。
4.根据权利要求1所述的具有参考电容的传感器件的制造方法，其特征在于：所述步骤(2)中的蚀刻采用等离子体蚀刻工艺实现。
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