JP2002168702A - 温度センサ - Google Patents
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- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ケースの一端側に、温度検出用の抵抗体及び
抵抗体と導通する配線層が形成されたセラミック基板を
収納し、ケースの他端側にてリード線の端子部と配線層
とをレーザ溶接し、リード線を介して抵抗体からの信号
を外部に取り出すようにした温度センサにおいて、リー
ド線に接続された端子部と配線層との接合強度を向上さ
せる。 【解決手段】 リード線４１に接続された端子部３０
は、抵抗体２１と導通するセラミック基板２０の配線層
２２にレーザ溶接されたレーザ溶接部３１と、このレー
ザ溶接部３１よりもリード線４１側に位置しセラミック
基板２０を抱え込んだ形でセラミック基板２０に支持さ
れる抱え部３２と、レーザ溶接部３１と抱え部３２との
間に位置しこれら両部間に発生する応力を吸収する応力
吸収部３３とを備える。
抵抗体と導通する配線層が形成されたセラミック基板を
収納し、ケースの他端側にてリード線の端子部と配線層
とをレーザ溶接し、リード線を介して抵抗体からの信号
を外部に取り出すようにした温度センサにおいて、リー
ド線に接続された端子部と配線層との接合強度を向上さ
せる。 【解決手段】 リード線４１に接続された端子部３０
は、抵抗体２１と導通するセラミック基板２０の配線層
２２にレーザ溶接されたレーザ溶接部３１と、このレー
ザ溶接部３１よりもリード線４１側に位置しセラミック
基板２０を抱え込んだ形でセラミック基板２０に支持さ
れる抱え部３２と、レーザ溶接部３１と抱え部３２との
間に位置しこれら両部間に発生する応力を吸収する応力
吸収部３３とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一端側から測定媒
体を導入可能な筒状のケース内に、測定媒体の温度検出
用の感温素子及び感温素子からの信号取出用の配線層が
形成されたセラミック基板を収納し、ケースの他端側か
らケースに挿入されたリード線と配線層とを電気的に接
続することにより、リード線を介して感温素子からの信
号を外部に取り出すようにした温度センサに関し、特
に、リード線と配線層との接合強度向上に関する。
体を導入可能な筒状のケース内に、測定媒体の温度検出
用の感温素子及び感温素子からの信号取出用の配線層が
形成されたセラミック基板を収納し、ケースの他端側か
らケースに挿入されたリード線と配線層とを電気的に接
続することにより、リード線を介して感温素子からの信
号を外部に取り出すようにした温度センサに関し、特
に、リード線と配線層との接合強度向上に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の温度センサとして、例えば、エ
ンジンの排気管内の排気ガス温度を検出する排気温セン
サがある。この排気温センサの従来の一般的な断面構成
を図５に示す。このものは、一端側に測定媒体導入用の
穴部１１を有する金属製筒状のケース１０と、このケー
ス１０内に収納され、感温素子としての白金等よりなる
抵抗体２１が搭載されたセラミック基板２０とを備えて
いる。
ンジンの排気管内の排気ガス温度を検出する排気温セン
サがある。この排気温センサの従来の一般的な断面構成
を図５に示す。このものは、一端側に測定媒体導入用の
穴部１１を有する金属製筒状のケース１０と、このケー
ス１０内に収納され、感温素子としての白金等よりなる
抵抗体２１が搭載されたセラミック基板２０とを備えて
いる。
【０００３】ここで、図６（ａ）は、図５中のセラミッ
ク基板２０に係る部分の詳細構成を示すもので、（ｂ）
は（ａ）の上視平面構成を示す。セラミック基板２０に
は、印刷等により抵抗体２１が形成され、この抵抗体２
１からの信号を取り出すための配線層２２が白金ペース
トを用いて形成されている。さらに、配線層２２には、
ケース１０の他端側から挿入されたシース配線４０のリ
ード線４１が、金属製の端子部３００を介して電気的に
接続されている。
ク基板２０に係る部分の詳細構成を示すもので、（ｂ）
は（ａ）の上視平面構成を示す。セラミック基板２０に
は、印刷等により抵抗体２１が形成され、この抵抗体２
１からの信号を取り出すための配線層２２が白金ペース
トを用いて形成されている。さらに、配線層２２には、
ケース１０の他端側から挿入されたシース配線４０のリ
ード線４１が、金属製の端子部３００を介して電気的に
接続されている。
【０００４】また、シース配線４０のリード線４１は、
ケース１０の外部にて、外部回路と連絡するための配線
部材２００と端子２１０を介して電気的に接続され、当
該接続部は、モールド樹脂２２０にて被覆保護されてい
る。
ケース１０の外部にて、外部回路と連絡するための配線
部材２００と端子２１０を介して電気的に接続され、当
該接続部は、モールド樹脂２２０にて被覆保護されてい
る。
【０００５】かかる温度センサは、ケース１０の外周に
保持されたネジ部材（ニッブル）７０を介して、当該ネ
ジ部材７０よりもケース１０の一端側が上記排気管内に
位置するように、排気管にネジ結合される。
保持されたネジ部材（ニッブル）７０を介して、当該ネ
ジ部材７０よりもケース１０の一端側が上記排気管内に
位置するように、排気管にネジ結合される。
【０００６】そして、排気管内の排気ガスは、ケース１
０の穴部１１から導入されて、抵抗体２１にて排気ガス
の温度に応じた信号が出力される。この信号は配線層２
２から、シース配線４０を介して配線部材２００から上
記外部回路へ出力されるようになっている。
０の穴部１１から導入されて、抵抗体２１にて排気ガス
の温度に応じた信号が出力される。この信号は配線層２
２から、シース配線４０を介して配線部材２００から上
記外部回路へ出力されるようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記排気温
センサにおいて、リード線４１と配線層２２との接合
は、図６に示す様に、リード線４１にレーザ溶接された
金属製の端子部３００を介して行われている。
センサにおいて、リード線４１と配線層２２との接合
は、図６に示す様に、リード線４１にレーザ溶接された
金属製の端子部３００を介して行われている。
【０００８】この端子部３００は、セラミック基板２０
との間に配線層２２を挟み込んだ形で配線層２２にレー
ザ溶接されており、このレーザ溶接部３１０よりもリー
ド線４１側には、リード線４１に加わる引っ張り応力
（図５の左右方向へ加わる応力）を吸収するための応力
吸収部３２０が形成されたものである。
との間に配線層２２を挟み込んだ形で配線層２２にレー
ザ溶接されており、このレーザ溶接部３１０よりもリー
ド線４１側には、リード線４１に加わる引っ張り応力
（図５の左右方向へ加わる応力）を吸収するための応力
吸収部３２０が形成されたものである。
【０００９】しかしながら、本発明者等の検討によれ
ば、配線層２２は白金ペーストにて形成されているた
め、強度的に弱く、端子部３００に応力吸収部３２０が
形成されていても、上記引っ張り応力によってレーザ溶
接部３１０が破損する可能性があることがわかった。
ば、配線層２２は白金ペーストにて形成されているた
め、強度的に弱く、端子部３００に応力吸収部３２０が
形成されていても、上記引っ張り応力によってレーザ溶
接部３１０が破損する可能性があることがわかった。
【００１０】そこで、本発明は上記問題に鑑み、ケース
の一端側に、温度検出用の感温素子及び感温素子と導通
する配線層が形成されたセラミック基板を収納し、ケー
スの他端側にてリード線の端子部と配線層とをレーザ溶
接し、リード線を介して感温素子からの信号を外部に取
り出すようにした温度センサにおいて、リード線に接続
された端子部と配線層との接合強度を向上させることを
目的とする。
の一端側に、温度検出用の感温素子及び感温素子と導通
する配線層が形成されたセラミック基板を収納し、ケー
スの他端側にてリード線の端子部と配線層とをレーザ溶
接し、リード線を介して感温素子からの信号を外部に取
り出すようにした温度センサにおいて、リード線に接続
された端子部と配線層との接合強度を向上させることを
目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１〜請求項４に記載の各発明は、一端側から
測定媒体を導入可能な筒状のケース（１０）と、このケ
ース内に収納されたセラミック基板（２０）と、このセ
ラミック基板に固定されケースに導入された測定媒体の
温度を検出するための感温素子（２１）と、セラミック
基板に形成され感温素子と導通する配線層（２２）と、
ケースの他端側からケースに挿入されるとともに感温素
子からの信号を外部に取り出すために配線層と電気的に
接続されたリード線（４１）とを備える温度センサにお
いて、それぞれ以下の特徴を有するものである。
め、請求項１〜請求項４に記載の各発明は、一端側から
測定媒体を導入可能な筒状のケース（１０）と、このケ
ース内に収納されたセラミック基板（２０）と、このセ
ラミック基板に固定されケースに導入された測定媒体の
温度を検出するための感温素子（２１）と、セラミック
基板に形成され感温素子と導通する配線層（２２）と、
ケースの他端側からケースに挿入されるとともに感温素
子からの信号を外部に取り出すために配線層と電気的に
接続されたリード線（４１）とを備える温度センサにお
いて、それぞれ以下の特徴を有するものである。
【００１２】まず、請求項１に記載の温度センサにおい
ては、配線層（２２）に電気的に接続するためにリード
線（４１）に接続された端子部（３０）を、セラミック
基板（２０）との間に配線層を挟み込んだ形で配線層に
レーザ溶接されたレーザ溶接部（３１）と、このレーザ
溶接部よりもリード線側に位置しセラミック基板を抱え
込んだ形でセラミック基板に支持される抱え部（３２）
と、レーザ溶接部と抱え部との間に位置しレーザ溶接部
と抱え部との間に発生する応力を吸収する応力吸収部
（３３）とを備えたものとしたことを特徴としている。
ては、配線層（２２）に電気的に接続するためにリード
線（４１）に接続された端子部（３０）を、セラミック
基板（２０）との間に配線層を挟み込んだ形で配線層に
レーザ溶接されたレーザ溶接部（３１）と、このレーザ
溶接部よりもリード線側に位置しセラミック基板を抱え
込んだ形でセラミック基板に支持される抱え部（３２）
と、レーザ溶接部と抱え部との間に位置しレーザ溶接部
と抱え部との間に発生する応力を吸収する応力吸収部
（３３）とを備えたものとしたことを特徴としている。
【００１３】それによれば、端子部（３０）において、
共に端子部をセラミック基板（２０）に固定する役割を
有するレーザ溶接部（３１）及び抱え部（３２）が、応
力吸収部（３３）を介して互いに離れて位置した構成と
なるため、リード線（４１）に加わる引っ張り応力は、
まず、リード線側に位置する抱え部にて吸収され、更に
応力吸収部にて吸収され、残りがレーザ溶接部に加わ
る。
共に端子部をセラミック基板（２０）に固定する役割を
有するレーザ溶接部（３１）及び抱え部（３２）が、応
力吸収部（３３）を介して互いに離れて位置した構成と
なるため、リード線（４１）に加わる引っ張り応力は、
まず、リード線側に位置する抱え部にて吸収され、更に
応力吸収部にて吸収され、残りがレーザ溶接部に加わ
る。
【００１４】ちなみに、従来の端子部（上記図６参照）
では、レーザ溶接部とリード線との間には、応力吸収部
が介在するのみであるため、リード線に加わる引っ張り
応力が、応力吸収部にて十分に吸収されないと、レーザ
溶接部に大きな引っ張り応力が加わり、レーザ溶接部が
破損する可能性がある。
では、レーザ溶接部とリード線との間には、応力吸収部
が介在するのみであるため、リード線に加わる引っ張り
応力が、応力吸収部にて十分に吸収されないと、レーザ
溶接部に大きな引っ張り応力が加わり、レーザ溶接部が
破損する可能性がある。
【００１５】その点、本発明の温度センサによれば、応
力吸収部とリード線との間に位置する抱え部にて、上記
引っ張り応力を、更に吸収することができる。よって、
レーザ溶接部に伝わる引っ張り応力を極力低減すること
が可能となるため、結果的に、リード線に接続された端
子部と配線層との接合強度を向上させることができる。
力吸収部とリード線との間に位置する抱え部にて、上記
引っ張り応力を、更に吸収することができる。よって、
レーザ溶接部に伝わる引っ張り応力を極力低減すること
が可能となるため、結果的に、リード線に接続された端
子部と配線層との接合強度を向上させることができる。
【００１６】また、請求項２に記載の温度センサにおい
ては、配線層（２２）に電気的に接続するためにリード
線（４１）に接続された金属製の端子部（３０）を、セ
ラミック基板（２０）との間に配線層を挟み込んだ形で
配線層にレーザ溶接し、端子部におけるレーザ溶接部
（３１）を、レーザ溶接部の外周に配された無機接着剤
（３５）を介して電気絶縁性の絶縁部材（３６）にて被
覆したことを特徴としている。
ては、配線層（２２）に電気的に接続するためにリード
線（４１）に接続された金属製の端子部（３０）を、セ
ラミック基板（２０）との間に配線層を挟み込んだ形で
配線層にレーザ溶接し、端子部におけるレーザ溶接部
（３１）を、レーザ溶接部の外周に配された無機接着剤
（３５）を介して電気絶縁性の絶縁部材（３６）にて被
覆したことを特徴としている。
【００１７】それによれば、端子部（３０）におけるレ
ーザ溶接部（３１）の外周を、無機接着剤（３５）で被
覆してレーザ溶接部を補強することができるとともに、
この無機接着剤を更に絶縁部材（３６）にて被覆してい
るため、レーザ溶接部が無機接着剤を介してケース（１
０）と短絡するのを防止することができる。
ーザ溶接部（３１）の外周を、無機接着剤（３５）で被
覆してレーザ溶接部を補強することができるとともに、
この無機接着剤を更に絶縁部材（３６）にて被覆してい
るため、レーザ溶接部が無機接着剤を介してケース（１
０）と短絡するのを防止することができる。
【００１８】つまり、従来の温度センサにおけるリード
線に接続された端子部と配線層との接合強度が、実質的
にレーザ溶接の接合力に依存していたのに対し、本発明
の温度センサによれば、更に無機接着剤の補強が加わる
ため、当該接合強度の更なる向上が可能となる。
線に接続された端子部と配線層との接合強度が、実質的
にレーザ溶接の接合力に依存していたのに対し、本発明
の温度センサによれば、更に無機接着剤の補強が加わる
ため、当該接合強度の更なる向上が可能となる。
【００１９】ここで、請求項３に記載の温度センサのよ
うに、レーザ溶接部（３１）を、絶縁部材（３６）を介
してケース（１０）の内壁に支持するようにすれば、よ
り接合強度を向上させることができ、好ましい。
うに、レーザ溶接部（３１）を、絶縁部材（３６）を介
してケース（１０）の内壁に支持するようにすれば、よ
り接合強度を向上させることができ、好ましい。
【００２０】また、請求項４に記載の温度センサのよう
に、絶縁部材（３６）を、絶縁碍子よりなるものとすれ
ば、耐高温性に優れた絶縁部材となるため、高温に適し
た温度センサを実現することができる。
に、絶縁部材（３６）を、絶縁碍子よりなるものとすれ
ば、耐高温性に優れた絶縁部材となるため、高温に適し
た温度センサを実現することができる。
【００２１】また、請求項５に記載の温度センサのよう
に、配線層（２２）としては、白金ペーストを用いて形
成されたものを採用し、端子部（３０）としては、Ｎｉ
合金よりなるものを採用することができる。
に、配線層（２２）としては、白金ペーストを用いて形
成されたものを採用し、端子部（３０）としては、Ｎｉ
合金よりなるものを採用することができる。
【００２２】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。限定するものではないが、本実施形
態は、本発明の温度センサを、エンジンの排気管内の排
気ガス温度を検出する排気温センサに具体化したものと
して説明する。なお、以下の各実施形態において、互い
に同一部分には、説明の簡略化のために、図中、同一符
号を付してある。
について説明する。限定するものではないが、本実施形
態は、本発明の温度センサを、エンジンの排気管内の排
気ガス温度を検出する排気温センサに具体化したものと
して説明する。なお、以下の各実施形態において、互い
に同一部分には、説明の簡略化のために、図中、同一符
号を付してある。
【００２４】（第１実施形態）図１に、本発明の第１実
施形態に係る温度センサの概略断面構成を示す。また、
図２は、図１中のセラミック基板２０に係る部分の詳細
構成を示すもので、（ｂ）は（ａ）の上視平面構成を示
す。
施形態に係る温度センサの概略断面構成を示す。また、
図２は、図１中のセラミック基板２０に係る部分の詳細
構成を示すもので、（ｂ）は（ａ）の上視平面構成を示
す。
【００２５】図１において、１０は、温度センサの本体
を区画する筒状のケースであり、Ｎｉ（ニッケル）基合
金等の耐熱性の金属よりなる。ケース１０の一端側（図
中、左側）には、ケース１０の内外を連通する複数個の
穴部１１が形成されており、この穴部１１から、測定媒
体としての排気ガスが導入可能となっている。
を区画する筒状のケースであり、Ｎｉ（ニッケル）基合
金等の耐熱性の金属よりなる。ケース１０の一端側（図
中、左側）には、ケース１０の内外を連通する複数個の
穴部１１が形成されており、この穴部１１から、測定媒
体としての排気ガスが導入可能となっている。
【００２６】また、ケース１０内には、ケース１０の長
手方向に沿って延びる長方形状のセラミック基板２０が
収納されている。このセラミック基板２０はアルミナ等
よりなり、セラミック基板２０の一面のうちケース１０
の一端側に対応する部位には、温度検出用の感温素子と
しての白金系材料等のサーミスタ材料よりなる抵抗体２
１が印刷等により形成されている。なお、抵抗体２１
は、ガラス等よりなる保護膜（図示せず）により被覆さ
れている。
手方向に沿って延びる長方形状のセラミック基板２０が
収納されている。このセラミック基板２０はアルミナ等
よりなり、セラミック基板２０の一面のうちケース１０
の一端側に対応する部位には、温度検出用の感温素子と
しての白金系材料等のサーミスタ材料よりなる抵抗体２
１が印刷等により形成されている。なお、抵抗体２１
は、ガラス等よりなる保護膜（図示せず）により被覆さ
れている。
【００２７】また、図２（ｂ）に示す様に、セラミック
基板２０の一面には、ケース１０の他端側（図中、右
側）に向かうように、白金ペースト等よりなる配線層２
２が形成されている。配線層２２の一端は抵抗体２１に
電気的に導通しており、他端は、ケース１０の他端側か
ら挿入されたシース配線４０の一端側から露出するリー
ド線４１と電気的に接続されている。
基板２０の一面には、ケース１０の他端側（図中、右
側）に向かうように、白金ペースト等よりなる配線層２
２が形成されている。配線層２２の一端は抵抗体２１に
電気的に導通しており、他端は、ケース１０の他端側か
ら挿入されたシース配線４０の一端側から露出するリー
ド線４１と電気的に接続されている。
【００２８】ここで、リード線４１は、抵抗体（感温素
子）２１からの信号を外部に取り出すためのもので、配
線層２２との接続端部側に、配線層２２に電気的に接続
するためのＮｉ合金やステンレス等の耐熱性金属よりな
る端子部（素子部端子）３０が接続されている。この端
子部３０の詳細構成を図３に斜視図として示す。
子）２１からの信号を外部に取り出すためのもので、配
線層２２との接続端部側に、配線層２２に電気的に接続
するためのＮｉ合金やステンレス等の耐熱性金属よりな
る端子部（素子部端子）３０が接続されている。この端
子部３０の詳細構成を図３に斜視図として示す。
【００２９】本実施形態の端子部３０は、セラミック基
板２０との間に配線層２２を挟み込んだ形で配線層２２
にレーザ溶接されたレーザ溶接部３１と、このレーザ溶
接部３１よりもリード線４１側に位置しセラミック基板
２０を抱え込んだ形でセラミック基板２０に支持される
抱え部３２と、レーザ溶接部３１と抱え部３２との間に
位置し、これら両３１、３２との間に発生する応力を吸
収するための応力吸収部３３とを備えたものである。
板２０との間に配線層２２を挟み込んだ形で配線層２２
にレーザ溶接されたレーザ溶接部３１と、このレーザ溶
接部３１よりもリード線４１側に位置しセラミック基板
２０を抱え込んだ形でセラミック基板２０に支持される
抱え部３２と、レーザ溶接部３１と抱え部３２との間に
位置し、これら両３１、３２との間に発生する応力を吸
収するための応力吸収部３３とを備えたものである。
【００３０】ここで、応力吸収部３３は、リード線４１
の引っ張り応力が加わる方向（図２中の左右方向）にバ
ネ変形可能なように、折り曲げられた形状を有してい
る。また、端子部３０においては、レーザ溶接部３１と
抱え部３２との異なる離れた２箇所にて、端子部３０の
セラミック基板２０への固定がなされている。
の引っ張り応力が加わる方向（図２中の左右方向）にバ
ネ変形可能なように、折り曲げられた形状を有してい
る。また、端子部３０においては、レーザ溶接部３１と
抱え部３２との異なる離れた２箇所にて、端子部３０の
セラミック基板２０への固定がなされている。
【００３１】つまり、レーザ溶接部３１は、配線層２２
との溶融部３１ａによりセラミック基板２０に固定さ
れ、一方、抱え部３２は、抱え部３２のバネ力によりセ
ラミック基板２０を挟み付けたり、抱え部３２をセラミ
ック基板２０にかしめたりすることによって、セラミッ
ク基板２０に固定されている。
との溶融部３１ａによりセラミック基板２０に固定さ
れ、一方、抱え部３２は、抱え部３２のバネ力によりセ
ラミック基板２０を挟み付けたり、抱え部３２をセラミ
ック基板２０にかしめたりすることによって、セラミッ
ク基板２０に固定されている。
【００３２】また、リード線４１と端子部３０とは、端
子部３０のうち抱え部３２よりもリード線４１側の部位
にてレーザ溶接やかしめ固定等により接続されている。
本例では、リード線４１と端子部３０とは、図２（ｂ）
に示す様に、レーザ溶接により形成されたリード線４１
と端子部３０との溶融部４１ａにより、接続されてい
る。
子部３０のうち抱え部３２よりもリード線４１側の部位
にてレーザ溶接やかしめ固定等により接続されている。
本例では、リード線４１と端子部３０とは、図２（ｂ）
に示す様に、レーザ溶接により形成されたリード線４１
と端子部３０との溶融部４１ａにより、接続されてい
る。
【００３３】これら配線層２２、端子部３０、リード線
４１の接続は、例えば、次のようにして行うことができ
る。配線層２２の上に、端子部３０のレーザ溶接部３１
を重ね合わせるとともに、抱え部３２にてセラミック基
板２０を抱え込ませることにより、セラミック基板２０
に端子部３０を固定する。
４１の接続は、例えば、次のようにして行うことができ
る。配線層２２の上に、端子部３０のレーザ溶接部３１
を重ね合わせるとともに、抱え部３２にてセラミック基
板２０を抱え込ませることにより、セラミック基板２０
に端子部３０を固定する。
【００３４】そして、レーザ溶接部３１を配線層２２に
レーザ溶接し、一方、端子部３０とリード線４１とを重
ね合わせてレーザ溶接やかしめ固定を行う。各固定や溶
接の順序は限定しないが、このようにして、配線層２
２、端子部３０、リード線４１の接続を行うことができ
る。
レーザ溶接し、一方、端子部３０とリード線４１とを重
ね合わせてレーザ溶接やかしめ固定を行う。各固定や溶
接の順序は限定しないが、このようにして、配線層２
２、端子部３０、リード線４１の接続を行うことができ
る。
【００３５】また、図１に示す様に、シース配線（シー
スピン）４０は、その本体を区画するチューブ（シース
ピン保護管）４２の内部にリード線（シースピンリード
線）４１を配するとともに、リード線４１とチューブ４
２との隙間にマグネシア等の絶縁粉末を充填することに
より、チューブ４２にリード線４１を絶縁保持してなる
ものである。なお、リード線４１とチューブ４２は共
に、例えばＮｉ（ニッケル）基合金等の耐熱性の金属よ
り構成することができる。
スピン）４０は、その本体を区画するチューブ（シース
ピン保護管）４２の内部にリード線（シースピンリード
線）４１を配するとともに、リード線４１とチューブ４
２との隙間にマグネシア等の絶縁粉末を充填することに
より、チューブ４２にリード線４１を絶縁保持してなる
ものである。なお、リード線４１とチューブ４２は共
に、例えばＮｉ（ニッケル）基合金等の耐熱性の金属よ
り構成することができる。
【００３６】また、図１では示さないが、シース配線４
０の他端側では、上記図５と同様に、ケース１０の外部
にて、外部回路と連絡するための配線部材と端子を介し
て電気的に接続されるようになっている。なお、当該接
続部は、上記図５と同様、モールド樹脂にて被覆保護さ
れた形としてもよい。
０の他端側では、上記図５と同様に、ケース１０の外部
にて、外部回路と連絡するための配線部材と端子を介し
て電気的に接続されるようになっている。なお、当該接
続部は、上記図５と同様、モールド樹脂にて被覆保護さ
れた形としてもよい。
【００３７】そして、図１に示す様に、セラミック基板
２０はケース１０内に挿入されており、セラミック基板
２０は、ケース１０とセラミック基板２０との間に介在
する保持部材５０によってケース１０の内壁に保持され
ている。この保持部材５０は、Ｎｉ合金等の耐熱性の金
属よりなる金網により構成されている。
２０はケース１０内に挿入されており、セラミック基板
２０は、ケース１０とセラミック基板２０との間に介在
する保持部材５０によってケース１０の内壁に保持され
ている。この保持部材５０は、Ｎｉ合金等の耐熱性の金
属よりなる金網により構成されている。
【００３８】この保持部材５０は、セラミック基板２０
を取り囲むとともに、ケース１０の内壁に接触するよう
に配設されている。そして、保持部材５０自身が外側に
広がるように（つまり、ケース１０の内壁を押すよう
に）、金網の弾性力が作用することにより、セラミック
基板２０はケース１０に弾性的に支持される。
を取り囲むとともに、ケース１０の内壁に接触するよう
に配設されている。そして、保持部材５０自身が外側に
広がるように（つまり、ケース１０の内壁を押すよう
に）、金網の弾性力が作用することにより、セラミック
基板２０はケース１０に弾性的に支持される。
【００３９】一方、セラミック基板２０の配線層２２と
接続されたシース配線４０は、ケース１０の他端側に
て、Ｎｉ合金等の耐熱性の金属よりなる環状のスペーサ
６０を介して、ケース１０に支持固定されている。な
お、ケース１０の他端側は、シース配線４０及びスペー
サ６０により、封止されている。ここで、スペーサ６０
は、例えば、シース配線４０とは、かしめによって固定
され、ケース１０とは溶接によって固定される。
接続されたシース配線４０は、ケース１０の他端側に
て、Ｎｉ合金等の耐熱性の金属よりなる環状のスペーサ
６０を介して、ケース１０に支持固定されている。な
お、ケース１０の他端側は、シース配線４０及びスペー
サ６０により、封止されている。ここで、スペーサ６０
は、例えば、シース配線４０とは、かしめによって固定
され、ケース１０とは溶接によって固定される。
【００４０】また、ケース１０の外周面の途中部には、
当該外周面から突出するリブ１２がケース１０と一体に
形成されており、このリブ１２には、温度センサを上記
排気管に取り付けるためのネジ部材（ニッブル）７０が
保持されている。ネジ部材７０はステンレス等の金属よ
りなるもので、排気管に形成された取付用のネジ部（図
示せず）とネジ結合可能なネジが形成されている。
当該外周面から突出するリブ１２がケース１０と一体に
形成されており、このリブ１２には、温度センサを上記
排気管に取り付けるためのネジ部材（ニッブル）７０が
保持されている。ネジ部材７０はステンレス等の金属よ
りなるもので、排気管に形成された取付用のネジ部（図
示せず）とネジ結合可能なネジが形成されている。
【００４１】かかる温度センサは、例えば、次のように
して組み付けることができる。シース配線４０にスペー
サ６０をかしめ固定し、シース配線４０のリード線４１
とセラミック基板２０の配線層２２とを端子部３０を介
して、上述した方法により接続する。
して組み付けることができる。シース配線４０にスペー
サ６０をかしめ固定し、シース配線４０のリード線４１
とセラミック基板２０の配線層２２とを端子部３０を介
して、上述した方法により接続する。
【００４２】また、保持部材５０は、保持部材５０を構
成する金網をセラミック基板２０の外周に巻き付けた
り、当該金網を予めセラミック基板２０の挿入可能な穴
を有する筒形状に成形した後に、この成形体にセラミッ
ク基板２０を挿入したりする等により、セラミック基板
２０に取り付ける。
成する金網をセラミック基板２０の外周に巻き付けた
り、当該金網を予めセラミック基板２０の挿入可能な穴
を有する筒形状に成形した後に、この成形体にセラミッ
ク基板２０を挿入したりする等により、セラミック基板
２０に取り付ける。
【００４３】こうして、セラミック基板２０、端子部３
０、シース配線４０、保持部材５０及びスペーサ６０が
一体化されたものを、ケース１０の他端側から挿入し、
スペーサ６０とケース１０とを溶接することにより、図
１に示す温度センサが完成する。
０、シース配線４０、保持部材５０及びスペーサ６０が
一体化されたものを、ケース１０の他端側から挿入し、
スペーサ６０とケース１０とを溶接することにより、図
１に示す温度センサが完成する。
【００４４】このように組み付けられた温度センサは、
ネジ部材７０を介して排気管にネジ結合され、当該ネジ
部材７０よりもケース１０の一端側が上記排気管内に位
置するように取り付けられる。ここで、ケース１０の一
端側が排気管の内壁から排気管内へ突出した形となり、
排気ガスは、例えば図１中の上から下へ流れる。
ネジ部材７０を介して排気管にネジ結合され、当該ネジ
部材７０よりもケース１０の一端側が上記排気管内に位
置するように取り付けられる。ここで、ケース１０の一
端側が排気管の内壁から排気管内へ突出した形となり、
排気ガスは、例えば図１中の上から下へ流れる。
【００４５】そして、温度検出は次のようにして行われ
る。排気管内の排気ガス（測定媒体）は、ケース１０の
穴部１１から導入されて、抵抗体２１にて排気ガスの温
度に応じた信号が出力される。この信号は配線層２２か
ら、シース配線４０を介して外部へ出力されるようにな
っている。
る。排気管内の排気ガス（測定媒体）は、ケース１０の
穴部１１から導入されて、抵抗体２１にて排気ガスの温
度に応じた信号が出力される。この信号は配線層２２か
ら、シース配線４０を介して外部へ出力されるようにな
っている。
【００４６】ところで、本実施形態によれば、端子部３
０において、共に端子部３０をセラミック基板２０に固
定する役割を有するレーザ溶接部３１及び抱え部３２
が、応力吸収部３３を介して互いに離れて位置した構成
となるため、リード線４１に加わる引っ張り応力は、ま
ず、リード線４１側に位置する抱え部３２にて吸収さ
れ、更に応力吸収部３３にて吸収され、残りがレーザ溶
接部３１に加わる。
０において、共に端子部３０をセラミック基板２０に固
定する役割を有するレーザ溶接部３１及び抱え部３２
が、応力吸収部３３を介して互いに離れて位置した構成
となるため、リード線４１に加わる引っ張り応力は、ま
ず、リード線４１側に位置する抱え部３２にて吸収さ
れ、更に応力吸収部３３にて吸収され、残りがレーザ溶
接部３１に加わる。
【００４７】ちなみに、従来の端子部３００（上記図６
参照）では、レーザ溶接部３１０とリード線４１との間
には、応力吸収部３２０が介在するのみであるため、リ
ード線４１に加わる引っ張り応力が、応力吸収部３２０
にて十分に吸収されないと、レーザ溶接部３１０に大き
な引っ張り応力が加わり、レーザ溶接部３１０が破損す
る可能性がある。
参照）では、レーザ溶接部３１０とリード線４１との間
には、応力吸収部３２０が介在するのみであるため、リ
ード線４１に加わる引っ張り応力が、応力吸収部３２０
にて十分に吸収されないと、レーザ溶接部３１０に大き
な引っ張り応力が加わり、レーザ溶接部３１０が破損す
る可能性がある。
【００４８】その点、本実施形態によれば、応力吸収部
３３とリード線４１との間に位置する抱え部３２にて、
上記引っ張り応力を、更に吸収することができる。よっ
て、レーザ溶接部３１に伝わる上記引っ張り応力を極力
低減することが可能となるため、結果的に、端子部３０
と配線層２２との接合強度を向上させることができる。
３３とリード線４１との間に位置する抱え部３２にて、
上記引っ張り応力を、更に吸収することができる。よっ
て、レーザ溶接部３１に伝わる上記引っ張り応力を極力
低減することが可能となるため、結果的に、端子部３０
と配線層２２との接合強度を向上させることができる。
【００４９】（第２実施形態）本第２実施形態は、上記
第１実施形態において、リード線４１の端子部３０と配
線層２２との接合部（信号取出接合部）の構成を変形し
たものであり、以下、主として上記第１実施形態との相
違点について、図４を参照して説明する。図４は、本実
施形態の要部を示す概略断面図である。
第１実施形態において、リード線４１の端子部３０と配
線層２２との接合部（信号取出接合部）の構成を変形し
たものであり、以下、主として上記第１実施形態との相
違点について、図４を参照して説明する。図４は、本実
施形態の要部を示す概略断面図である。
【００５０】図４に示す様に、本実施形態の信号取出接
合部は、配線層２２に電気的に接続するためにリード線
４１に接続された金属製の端子部３０を、セラミック基
板２０との間に配線層２２を挟み込んだ形で配線層２２
にレーザ溶接し、端子部３０におけるレーザ溶接部３１
を、レーザ溶接部３１の外周に配された無機接着剤３５
を介して電気絶縁性の絶縁部材３６にて被覆したものと
している。
合部は、配線層２２に電気的に接続するためにリード線
４１に接続された金属製の端子部３０を、セラミック基
板２０との間に配線層２２を挟み込んだ形で配線層２２
にレーザ溶接し、端子部３０におけるレーザ溶接部３１
を、レーザ溶接部３１の外周に配された無機接着剤３５
を介して電気絶縁性の絶縁部材３６にて被覆したものと
している。
【００５１】ここで、本実施形態の端子部３０は、上記
第１実施形態に示した抱え部３２、応力吸収部３３は形
成されておらず、レーザ溶接部３１とリード線４１との
接続部（図示せず）のみで構成されたものである。ま
た、無機接着剤３５としては、耐熱性に優れたアルミナ
等よりなる接着剤を用いることが出来る。また、絶縁部
材３６としては、アルミナやシリカ等よりなる絶縁碍子
を用いることが出来る。
第１実施形態に示した抱え部３２、応力吸収部３３は形
成されておらず、レーザ溶接部３１とリード線４１との
接続部（図示せず）のみで構成されたものである。ま
た、無機接着剤３５としては、耐熱性に優れたアルミナ
等よりなる接着剤を用いることが出来る。また、絶縁部
材３６としては、アルミナやシリカ等よりなる絶縁碍子
を用いることが出来る。
【００５２】図示例では、絶縁部材３６は管状をなし、
その外周側面がケース１０の内壁に当接して支持されて
おり、その内周側面は、無機接着剤３５を介してレーザ
溶接部３１及びセラミック基板２０に接着されている。
つまり、レーザ溶接部３１は、無機接着剤３５及び絶縁
部材３６を介してケース１０の内壁に支持された形とな
っている。
その外周側面がケース１０の内壁に当接して支持されて
おり、その内周側面は、無機接着剤３５を介してレーザ
溶接部３１及びセラミック基板２０に接着されている。
つまり、レーザ溶接部３１は、無機接着剤３５及び絶縁
部材３６を介してケース１０の内壁に支持された形とな
っている。
【００５３】本実施形態の信号取出接合部は、例えば、
セラミック基板２０の配線層２２と端子部３０とをレー
ザ溶接し、リード線４１と端子部３０とをレーザ溶接や
かしめ等によって接続した後、セラミック基板２０を絶
縁部材３６に挿入し、無機接着剤３５を介して接着する
ことにより、形成可能である。その後は、上記第１実施
形態同様に、組付を行い、温度センサを完成させ、排気
管に取り付けて、排気ガスの温度検出が可能となってい
る。
セラミック基板２０の配線層２２と端子部３０とをレー
ザ溶接し、リード線４１と端子部３０とをレーザ溶接や
かしめ等によって接続した後、セラミック基板２０を絶
縁部材３６に挿入し、無機接着剤３５を介して接着する
ことにより、形成可能である。その後は、上記第１実施
形態同様に、組付を行い、温度センサを完成させ、排気
管に取り付けて、排気ガスの温度検出が可能となってい
る。
【００５４】ところで、上記第１実施形態と同様に、温
度検出時等において、温度センサには、リード線４１の
引っ張り応力が図４中の左右方向に沿って端子部３０に
加わる。しかし、本実施形態によれば、端子部３０にお
けるレーザ溶接部３１の外周を、無機接着剤３５で被覆
してレーザ溶接部３１を補強することができるととも
に、この無機接着剤３５を更に絶縁部材３６にて被覆し
ているため、レーザ溶接部３１が無機接着剤３５を介し
てケース１０と短絡するのを防止することができる。
度検出時等において、温度センサには、リード線４１の
引っ張り応力が図４中の左右方向に沿って端子部３０に
加わる。しかし、本実施形態によれば、端子部３０にお
けるレーザ溶接部３１の外周を、無機接着剤３５で被覆
してレーザ溶接部３１を補強することができるととも
に、この無機接着剤３５を更に絶縁部材３６にて被覆し
ているため、レーザ溶接部３１が無機接着剤３５を介し
てケース１０と短絡するのを防止することができる。
【００５５】つまり、従来の温度センサ（上記図５、図
６参照）における端子部３００と配線層２２との接合強
度が、実質的にレーザ溶接の接合力に依存していたのに
対し、本実施形態の温度センサによれば、更に無機接着
剤３５の補強が加わるため、当該接合強度の更なる向上
が可能となる。
６参照）における端子部３００と配線層２２との接合強
度が、実質的にレーザ溶接の接合力に依存していたのに
対し、本実施形態の温度センサによれば、更に無機接着
剤３５の補強が加わるため、当該接合強度の更なる向上
が可能となる。
【００５６】特に、図４に示す例では、レーザ溶接部３
１を、絶縁部材３６を介してケース１０の内壁に支持し
ているため、より接合強度を向上させることができ、好
ましい。また、本例のように、絶縁部材３６を絶縁碍子
よりなるものとすれば、耐高温性に優れた絶縁部材とな
るため、高温に適した温度センサを実現することができ
る。なお、絶縁部材３６は、センサの用途によっては有
機絶縁物でも良い。
１を、絶縁部材３６を介してケース１０の内壁に支持し
ているため、より接合強度を向上させることができ、好
ましい。また、本例のように、絶縁部材３６を絶縁碍子
よりなるものとすれば、耐高温性に優れた絶縁部材とな
るため、高温に適した温度センサを実現することができ
る。なお、絶縁部材３６は、センサの用途によっては有
機絶縁物でも良い。
【００５７】（他の実施形態）なお、上記第１実施形態
において、端子部３０のレーザ溶接部３１の外周に、図
４に示す様に、無機接着剤３５及び絶縁部材３６を配設
しても良い。それによれば、第１実施形態と第２実施形
態とを組み合わせた構成となり、より接合強度の向上が
図れる。
において、端子部３０のレーザ溶接部３１の外周に、図
４に示す様に、無機接着剤３５及び絶縁部材３６を配設
しても良い。それによれば、第１実施形態と第２実施形
態とを組み合わせた構成となり、より接合強度の向上が
図れる。
【００５８】以上、本発明は、一端側から測定媒体を導
入可能な筒状のケース内に、測定媒体の温度検出用の感
温素子及び感温素子からの信号取出用の配線層が形成さ
れたセラミック基板を収納し、ケースの他端側からケー
スに挿入されたリード線と配線層とを電気的に接続する
ことにより、リード線を介して感温素子からの信号を外
部に取り出すようにした温度センサにおいて、リード線
に接続された端子部と配線層との接合構造に特徴を持た
せたものであり、他の部分は適宜設計変更可能である。
入可能な筒状のケース内に、測定媒体の温度検出用の感
温素子及び感温素子からの信号取出用の配線層が形成さ
れたセラミック基板を収納し、ケースの他端側からケー
スに挿入されたリード線と配線層とを電気的に接続する
ことにより、リード線を介して感温素子からの信号を外
部に取り出すようにした温度センサにおいて、リード線
に接続された端子部と配線層との接合構造に特徴を持た
せたものであり、他の部分は適宜設計変更可能である。
【００５９】また、本発明は、排気温センサ以外にも、
例えば、エンジンの吸気温度や、その他、室内、室外の
空気温度等を測定する温度センサに用いることが可能で
ある。
例えば、エンジンの吸気温度や、その他、室内、室外の
空気温度等を測定する温度センサに用いることが可能で
ある。
【図１】本発明の第１実施形態に係る温度センサの概略
断面図である。
断面図である。
【図２】図１中のセラミック基板に係る部分の詳細構成
を示す図である。
を示す図である。
【図３】図１中の端子部の詳細構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図４】本発明の第２実施形態に係る温度センサの要部
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図５】従来の温度センサの一般的な断面構成を示す図
である。
である。
【図６】図５中のセラミック基板に係る部分の詳細構成
を示す図である。
を示す図である。
１０…ケース、２０…セラミック基板、２１…抵抗体
（感温素子）、２２…配線層、３０…端子部、３１…レ
ーザ溶接部、３２…抱え部、３３…応力吸収部、３５…
無機接着剤、３６…絶縁部材、４１…リード線。
（感温素子）、２２…配線層、３０…端子部、３１…レ
ーザ溶接部、３２…抱え部、３３…応力吸収部、３５…
無機接着剤、３６…絶縁部材、４１…リード線。
Claims (5)
- 【請求項１】 一端側から測定媒体を導入可能な筒状の
ケース（１０）と、 このケース内に収納されたセラミック基板（２０）と、 このセラミック基板に固定され前記ケースに導入された
前記測定媒体の温度を検出するための感温素子（２１）
と、 前記セラミック基板に形成され前記感温素子と導通する
配線層（２２）と、 前記ケースの他端側から前記ケースに挿入されるととも
に、前記感温素子からの信号を外部に取り出すために前
記配線層と電気的に接続されたリード線（４１）とを備
える温度センサにおいて、 前記リード線には、前記配線層に電気的に接続するため
の金属製の端子部（３０）が接続されており、 前記端子部は、前記セラミック基板との間に前記配線層
を挟み込んだ形で前記配線層にレーザ溶接されたレーザ
溶接部（３１）と、 このレーザ溶接部よりも前記リード線側に位置し前記セ
ラミック基板を抱え込んだ形で前記セラミック基板に支
持される抱え部（３２）と、 前記レーザ溶接部と前記抱え部との間に位置し前記レー
ザ溶接部と前記抱え部との間に発生する応力を吸収する
応力吸収部（３３）とを備えたものであることを特徴と
する温度センサ。 - 【請求項２】 一端側から測定媒体を導入可能な筒状の
ケース（１０）と、 このケース内に収納されたセラミック基板（２０）と、 このセラミック基板に固定され前記ケースに導入された
前記測定媒体の温度を検出するための感温素子（２１）
と、 前記セラミック基板に形成され前記感温素子と導通する
配線層（２２）と、 前記ケースの他端側から前記ケースに挿入されるととも
に、前記感温素子からの信号を外部に取り出すために前
記配線層と電気的に接続されたリード線（４１）とを備
える温度センサにおいて、 前記リード線には、前記配線層に電気的に接続するため
の金属製の端子部（３０）が接続されており、 この端子部が、前記セラミック基板との間に前記配線層
を挟み込んだ形で前記配線層にレーザ溶接されており、 前記端子部におけるレーザ溶接部（３１）の外周は、前
記レーザ溶接部の外周に配された無機接着剤（３５）を
介して電気絶縁性の絶縁部材（３６）にて被覆されてい
ることを特徴とする温度センサ。 - 【請求項３】 前記レーザ溶接部（３１）は、前記絶縁
部材（３６）を介して前記ケース（１０）の内壁に支持
されていることを特徴とする請求項２に記載の温度セン
サ。 - 【請求項４】 前記絶縁部材（３６）は、絶縁碍子より
なることを特徴とする請求項２または３に記載の温度セ
ンサ。 - 【請求項５】 前記配線層（２２）は白金ペーストを用
いて形成されたものであり、前記端子部（３０）はＮｉ
合金よりなるものであることを特徴とする請求項１ない
し４のいずれか１つに記載の温度センサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000365508A JP4147740B2 (ja) | 2000-11-30 | 2000-11-30 | 温度センサ |
| DE2001158529 DE10158529B4 (de) | 2000-11-30 | 2001-11-29 | Temperaturfühler |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000365508A JP4147740B2 (ja) | 2000-11-30 | 2000-11-30 | 温度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002168702A true JP2002168702A (ja) | 2002-06-14 |
| JP4147740B2 JP4147740B2 (ja) | 2008-09-10 |
Family
ID=18836268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000365508A Expired - Fee Related JP4147740B2 (ja) | 2000-11-30 | 2000-11-30 | 温度センサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4147740B2 (ja) |
| DE (1) | DE10158529B4 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006215029A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-17 | Texas Instruments Inc | 圧力・温度共用トランスデューサー |
| WO2010061583A1 (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-03 | 日本特殊陶業株式会社 | 温度センサ |
| JP2010520443A (ja) * | 2007-03-01 | 2010-06-10 | ヘレーウス ゼンゾール テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ターボチャージャ保護装置 |
| JP2014089176A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-05-15 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 温度センサ |
| WO2015020081A1 (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-12 | Ｓｅｍｉｔｅｃ株式会社 | 赤外線温度センサ及び赤外線温度センサを用いた装置 |
| KR101759952B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2017-07-20 | 홍종국 | 하우징이 구비된 온도센서 |
| JP2017523415A (ja) * | 2014-07-25 | 2017-08-17 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | センサ素子、センサ装置、およびセンサ素子とセンサ装置の製造方法 |
| US10861624B2 (en) | 2014-07-25 | 2020-12-08 | Epcos Ag | Sensor element, sensor arrangement, and method for manufacturing a sensor element |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7121722B2 (en) * | 2003-05-02 | 2006-10-17 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Temperature sensor |
| DE102006034181B3 (de) * | 2006-07-24 | 2008-04-03 | Siemens Ag | Temperatursensor |
| DE102017100820A1 (de) | 2017-01-17 | 2018-07-19 | Epcos Ag | Sensor |
| DE102018105400B3 (de) * | 2018-03-08 | 2019-07-04 | Tmc Sensortechnik Gmbh | Elektrischer Temperaturfühler |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD254644A1 (de) * | 1986-12-11 | 1988-03-02 | Berlin Fahrzeugausruestung | Temperaturfuehler |
| CH673061A5 (en) * | 1987-07-13 | 1990-01-31 | Landis & Gyr Gmbh | Resistance thermometer with unstressed sensing element in housing - has annular grooves around sheath of cable end pressed into housing protecting element against bending stresses |
| DE19806110C2 (de) * | 1997-10-10 | 2001-01-04 | Heraeus Electro Nite Int | Verfahren zur Ermittlung der Abgastemperatur und der Luft/Kraftstoff-Verhältniszahl Lambda und Sensoranordnung zur Durchführung des Verfahrens |
-
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Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006215029A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-17 | Texas Instruments Inc | 圧力・温度共用トランスデューサー |
| JP2010520443A (ja) * | 2007-03-01 | 2010-06-10 | ヘレーウス ゼンゾール テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ターボチャージャ保護装置 |
| WO2010061583A1 (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-03 | 日本特殊陶業株式会社 | 温度センサ |
| JP2010127747A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 温度センサ |
| JP4541436B2 (ja) * | 2008-11-27 | 2010-09-08 | 日本特殊陶業株式会社 | 温度センサ |
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| JP2014089176A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-05-15 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 温度センサ |
| US9500536B2 (en) | 2012-10-01 | 2016-11-22 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Temperature sensor |
| JP5847985B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2016-01-27 | Ｓｅｍｉｔｅｃ株式会社 | 赤外線温度センサ及び赤外線温度センサを用いた装置 |
| CN105452826A (zh) * | 2013-08-09 | 2016-03-30 | 世美特株式会社 | 红外线温度传感器及利用红外线温度传感器的装置 |
| WO2015020081A1 (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-12 | Ｓｅｍｉｔｅｃ株式会社 | 赤外線温度センサ及び赤外線温度センサを用いた装置 |
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