JP2002167668A - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
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- JP2002167668A JP2002167668A JP2000364514A JP2000364514A JP2002167668A JP 2002167668 A JP2002167668 A JP 2002167668A JP 2000364514 A JP2000364514 A JP 2000364514A JP 2000364514 A JP2000364514 A JP 2000364514A JP 2002167668 A JP2002167668 A JP 2002167668A
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラグやバリアメタルのような下地に対する
密着力が高く、かつ電極として用いた場合、比抵抗が小
さいＲｕ膜あるいはＲｕ酸化物の薄膜をスパッタリング
により成膜することが可能なスパッタリングターゲット
を提供する。 【解決手段】 Ｘ元素１〜５０原子％、残部が実質的に
Ｒｕであって、前記Ｘ元素は、［Ｘ元素の原子量÷Ｒｕ
の原子量（１０１．０７）］＝０．２〜２の範囲で、か
つ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、VIａ
族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素から
選ばれる少なくとも１種の元素からなることを特徴とす
る。
密着力が高く、かつ電極として用いた場合、比抵抗が小
さいＲｕ膜あるいはＲｕ酸化物の薄膜をスパッタリング
により成膜することが可能なスパッタリングターゲット
を提供する。 【解決手段】 Ｘ元素１〜５０原子％、残部が実質的に
Ｒｕであって、前記Ｘ元素は、［Ｘ元素の原子量÷Ｒｕ
の原子量（１０１．０７）］＝０．２〜２の範囲で、か
つ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、VIａ
族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素から
選ばれる少なくとも１種の元素からなることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩや液晶、Ｐ
ＤＰ等のエレクトロニクス分野、磁気記録分野の膜形成
に用いられるスパッタリングターゲットに関するもので
ある。
ＤＰ等のエレクトロニクス分野、磁気記録分野の膜形成
に用いられるスパッタリングターゲットに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＤＲＡＭ等の半導体メモリ開発に
おいてペロブスカイト構造を有するＢａＴｉ複合酸化物
薄膜、ＳｒＴｉ複合酸化物薄膜、ＢａＳｒＴｉ複合酸化
物やＴａＯｘなどの薄膜をメモリのキャパシタとして使
用する研究が進んでいる。
おいてペロブスカイト構造を有するＢａＴｉ複合酸化物
薄膜、ＳｒＴｉ複合酸化物薄膜、ＢａＳｒＴｉ複合酸化
物やＴａＯｘなどの薄膜をメモリのキャパシタとして使
用する研究が進んでいる。
【０００３】上述したような複合酸化物薄膜を半導体メ
モリのキャパシタと使用する場合、上部および下部の電
極はＲｕからなるターゲットを用いてＡｒやＡｒとＯ2
との混合ガス雰囲気中で成膜したＲｕもしくはＲｕ酸化
物の薄膜を使用することが検討されている。
モリのキャパシタと使用する場合、上部および下部の電
極はＲｕからなるターゲットを用いてＡｒやＡｒとＯ2
との混合ガス雰囲気中で成膜したＲｕもしくはＲｕ酸化
物の薄膜を使用することが検討されている。
【０００４】一方、前述した方法により形成されるキャ
パシタは、下部に形成された電極や配線とコンタクトす
ることにより半導体素子として機能する。一般的には、
配線材料は、Ａｌ−Ｃｕ合金やＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｇが
使用されている。また、配線とのコンタクト部、つまり
プラグ材料はＷやＡｌ、もしくはＣｕが用いられてい
る。また、このプラグと電極との間にはバリアメタルが
形成される場合もある。バリアメタルの材料は、Ｔｉや
ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＡｌもしくはＴｉＡｌＮが
用いられる。
パシタは、下部に形成された電極や配線とコンタクトす
ることにより半導体素子として機能する。一般的には、
配線材料は、Ａｌ−Ｃｕ合金やＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｇが
使用されている。また、配線とのコンタクト部、つまり
プラグ材料はＷやＡｌ、もしくはＣｕが用いられてい
る。また、このプラグと電極との間にはバリアメタルが
形成される場合もある。バリアメタルの材料は、Ｔｉや
ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＡｌもしくはＴｉＡｌＮが
用いられる。
【０００５】このようなことから、前記キャパシタはプ
ラグ上もしくはバリアメタル上に前述した方法によりＲ
ｕもしくはＲｕ酸化物の下部電極を形成した後、キャパ
シタ材料を形成し、その上にさらに上部電極を形成した
構造を有する。
ラグ上もしくはバリアメタル上に前述した方法によりＲ
ｕもしくはＲｕ酸化物の下部電極を形成した後、キャパ
シタ材料を形成し、その上にさらに上部電極を形成した
構造を有する。
【０００６】近年、ＲｕやＲｕ酸化物を形成するために
使用されてきたＲｕターゲットは、半導体デバイスヘの
信頼性を向上させるため、ＮａやＫに代表されるアルカ
リ金属の低減化や、Ｕ、Ｔｈなどの放射線元素から放出
されるα線によるソフトエラーを防ぐ目的で更なる放射
性元素の低減化など極力不純物を低減化する方向へ進ん
でいる。
使用されてきたＲｕターゲットは、半導体デバイスヘの
信頼性を向上させるため、ＮａやＫに代表されるアルカ
リ金属の低減化や、Ｕ、Ｔｈなどの放射線元素から放出
されるα線によるソフトエラーを防ぐ目的で更なる放射
性元素の低減化など極力不純物を低減化する方向へ進ん
でいる。
【０００７】例えば、特開平１１−５０１６３号公報に
はアルカリ金属元素各１ｐｐｍ未満、アルカリ土類金属
各１ｐｐｍ未満、遷移金属元素各１ｐｐｍ未満、放射性
元素各１０ｐｐｂ未満、炭素およびガス成分の合計が５
００ｐｐｍ未満、ガス成分を除いた純度が９９．９９５
％以上であるＲｕターゲットが開示されている。
はアルカリ金属元素各１ｐｐｍ未満、アルカリ土類金属
各１ｐｐｍ未満、遷移金属元素各１ｐｐｍ未満、放射性
元素各１０ｐｐｂ未満、炭素およびガス成分の合計が５
００ｐｐｍ未満、ガス成分を除いた純度が９９．９９５
％以上であるＲｕターゲットが開示されている。
【０００８】また、特開平８−１９９３５０号公報には
Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇの合計が５ｐｐｍ以下でありかつ
Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうち１種または２種以上の合計が
０．５〜５０ｐｐｍ含有し、Ｕ、Ｔｈならびに放射性同
位元素の含有量を５ｐｐｂ以下にした、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｏを除く元素で９９．９９９％以上の純度を特徴とする
Ｒｕターゲットが開示されている。
Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇの合計が５ｐｐｍ以下でありかつ
Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうち１種または２種以上の合計が
０．５〜５０ｐｐｍ含有し、Ｕ、Ｔｈならびに放射性同
位元素の含有量を５ｐｐｂ以下にした、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｏを除く元素で９９．９９９％以上の純度を特徴とする
Ｒｕターゲットが開示されている。
【０００９】このような高純度であるＲｕターゲットを
用いて電極となるＲｕもしくはＲｕ酸化物をＷ、Ａｌ−
Ｃｕ、ＣｕまたはＡｇからなるプラグ上もしくはＴｉ、
ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＡｌまたはＴｉＡｌＮから
なるバリアメタル上に形成した場合、１０ｎｍを超える
厚さにすると、下地（プラグまたはバリアメタル）と電
極との密着力が弱いため、剥がれるという問題が生じて
しまう。このような剥がれが生じると、半導体デバイス
は全く駆動せず、不良品として廃棄しなければならな
い。
用いて電極となるＲｕもしくはＲｕ酸化物をＷ、Ａｌ−
Ｃｕ、ＣｕまたはＡｇからなるプラグ上もしくはＴｉ、
ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＡｌまたはＴｉＡｌＮから
なるバリアメタル上に形成した場合、１０ｎｍを超える
厚さにすると、下地（プラグまたはバリアメタル）と電
極との密着力が弱いため、剥がれるという問題が生じて
しまう。このような剥がれが生じると、半導体デバイス
は全く駆動せず、不良品として廃棄しなければならな
い。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、プラグやバ
リアメタルのような下地に対する密着力が高く、かつ電
極として用いた場合、比抵抗が小さいＲｕ膜あるいはＲ
ｕ酸化物の薄膜をスパッタリングにより成膜することが
可能なスパッタリングターゲットを提供しようとするも
のである。
リアメタルのような下地に対する密着力が高く、かつ電
極として用いた場合、比抵抗が小さいＲｕ膜あるいはＲ
ｕ酸化物の薄膜をスパッタリングにより成膜することが
可能なスパッタリングターゲットを提供しようとするも
のである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係るスパッタリ
ングターゲットは、Ｘ元素１〜５０原子％、残部が実質
的にＲｕであって、前記Ｘ元素は、［Ｘ元素の原子量÷
Ｒｕの原子量（１０１．０７）］＝０．２〜２の範囲
で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、
VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素
から選ばれる少なくとも１種の元素からなることを特徴
とするものである。
ングターゲットは、Ｘ元素１〜５０原子％、残部が実質
的にＲｕであって、前記Ｘ元素は、［Ｘ元素の原子量÷
Ｒｕの原子量（１０１．０７）］＝０．２〜２の範囲
で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、
VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素
から選ばれる少なくとも１種の元素からなることを特徴
とするものである。
【００１２】このようなターゲットをスパッタリングし
てＷ、Ａｌ−Ｃｕ、ＣｕまたはＡｇからなるプラグ上も
しくはＴｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＡｌまたはＴ
ｉＡｌＮからなるバリアメタル上に成膜することによっ
て、前記プラグ材またはバリアメタルに対して高い密着
力を有し、かつ電極に適用した場合、十分に小さい比抵
抗を有するＲｕまたはＲｕ酸化物の薄膜を得ることが可
能になる。
てＷ、Ａｌ−Ｃｕ、ＣｕまたはＡｇからなるプラグ上も
しくはＴｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＡｌまたはＴ
ｉＡｌＮからなるバリアメタル上に成膜することによっ
て、前記プラグ材またはバリアメタルに対して高い密着
力を有し、かつ電極に適用した場合、十分に小さい比抵
抗を有するＲｕまたはＲｕ酸化物の薄膜を得ることが可
能になる。
【００１３】すなわち、従来の高純度Ｒｕターゲットを
用いてスパッタリングした場合、成膜条件を問わず、膜
厚が例えば１０ｎｍを超えると剥がれが生じる。これ
は、プラグやバリアメタル上にＲｕもしくはＲｕＯxが
マイグレーションを起こさずに成膜されるため、高い内
部応力を保持した状態で、後工程から受ける熱影響、例
えば絶縁膜やキャパシタを形成するＣＶＤ処理時におけ
る加熱等によって膜の内部応力が開放されクラック、割
れが生じることに起因する。
用いてスパッタリングした場合、成膜条件を問わず、膜
厚が例えば１０ｎｍを超えると剥がれが生じる。これ
は、プラグやバリアメタル上にＲｕもしくはＲｕＯxが
マイグレーションを起こさずに成膜されるため、高い内
部応力を保持した状態で、後工程から受ける熱影響、例
えば絶縁膜やキャパシタを形成するＣＶＤ処理時におけ
る加熱等によって膜の内部応力が開放されクラック、割
れが生じることに起因する。
【００１４】このようなことから、本発明者らは電極の
比抵抗に悪影響を及ぼさず、かつ下地材料とＲｕもしく
はＲｕ酸化物とのマイグレーション効果について種々検
討した結果、Ｘ元素１〜５０原子％、残部が実質的にＲ
ｕである組成、ここでＸ元素は［Ｘ元素の原子量÷Ｒｕ
の原子量（１０１．０７）］＝０．２〜２の範囲で、か
つ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、VIａ
族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素から
選ばれる少なくとも１種の元素、からなるスパッタリン
グターゲットを用いることによって、電極の比抵抗に悪
影響を及ぼさず、かつスパッタリングによってはじき出
される粒子に大きなエネルギーを付加させて、下地材料
上でマイグレーション効果が大きくなリ、その結果前記
下地に対して高い密着力を有し、例えば厚さを１０ｎｍ
以上に厚くして剥離を生じないＲｕもしくはＲｕ酸化物
の薄膜を成膜できることを見出した。
比抵抗に悪影響を及ぼさず、かつ下地材料とＲｕもしく
はＲｕ酸化物とのマイグレーション効果について種々検
討した結果、Ｘ元素１〜５０原子％、残部が実質的にＲ
ｕである組成、ここでＸ元素は［Ｘ元素の原子量÷Ｒｕ
の原子量（１０１．０７）］＝０．２〜２の範囲で、か
つ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、VIａ
族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素から
選ばれる少なくとも１種の元素、からなるスパッタリン
グターゲットを用いることによって、電極の比抵抗に悪
影響を及ぼさず、かつスパッタリングによってはじき出
される粒子に大きなエネルギーを付加させて、下地材料
上でマイグレーション効果が大きくなリ、その結果前記
下地に対して高い密着力を有し、例えば厚さを１０ｎｍ
以上に厚くして剥離を生じないＲｕもしくはＲｕ酸化物
の薄膜を成膜できることを見出した。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１６】本発明のスパッタリングターゲットは、Ｘ
元素１〜５０原子％、残部が実質的にＲｕからなる組成
を有する。このＸ元素は、［Ｘ元素の原子量÷Ｒｕの原
子量（１０１．０７）］＝０．２〜２の範囲で、かつ比
抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VI
II族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素から選ばれ
る少なくとも１種の元素からなる。
元素１〜５０原子％、残部が実質的にＲｕからなる組成
を有する。このＸ元素は、［Ｘ元素の原子量÷Ｒｕの原
子量（１０１．０７）］＝０．２〜２の範囲で、かつ比
抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VI
II族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素から選ばれ
る少なくとも１種の元素からなる。
【００１７】（Ｘ元素の原子量÷Ｒｕの原子量）の値が
０．２未満のＸ元素では、Ｒｕの原子量に対して原子量
が小さいため下地材料上でマイグレーションを十分に起
こさすことが困難になる。一方、（Ｘ元素の原子量÷Ｒ
ｕの原子量）の値が２を超えるＸ元素ではＲｕの原子量
に対して大きいため、スパッタリングすると下地膜中に
打ち込まれて、下地材料の特性に悪影響を及ぼす虞があ
る。より好ましい（Ｘ元素の原子量÷Ｒｕの原子量）の
値は、０．４〜１．６、最も好ましい前記値は０．６〜
１．２である。
０．２未満のＸ元素では、Ｒｕの原子量に対して原子量
が小さいため下地材料上でマイグレーションを十分に起
こさすことが困難になる。一方、（Ｘ元素の原子量÷Ｒ
ｕの原子量）の値が２を超えるＸ元素ではＲｕの原子量
に対して大きいため、スパッタリングすると下地膜中に
打ち込まれて、下地材料の特性に悪影響を及ぼす虞があ
る。より好ましい（Ｘ元素の原子量÷Ｒｕの原子量）の
値は、０．４〜１．６、最も好ましい前記値は０．６〜
１．２である。
【００１８】前記Ｘ元素の比抵抗が６０μΩｃｍを超え
ると、得られたターゲットをスパッタリングして成膜さ
れたＲｕもしくはＲｕ酸化物の薄膜の比抵抗が極端に大
きな値を示し、電極として用いることが困難になる。
ると、得られたターゲットをスパッタリングして成膜さ
れたＲｕもしくはＲｕ酸化物の薄膜の比抵抗が極端に大
きな値を示し、電極として用いることが困難になる。
【００１９】前記（Ｘ元素の原子量÷Ｒｕの原子量）の
値と比抵抗を満たすＸ元素を以下に具体的に例示する。
値と比抵抗を満たすＸ元素を以下に具体的に例示する。
【００２０】IVａ族元素；Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ、Ｖａ族元
素；Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ、VIａ族元素；Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ、VI
II族元素；Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉ
ｒ，Ｐｔ、Ｉｂ族元素；Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ、IIｂ族元
素；Ｚｎ，Ｃｄ、IIIｂ族；Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ。
素；Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ、VIａ族元素；Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ、VI
II族元素；Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉ
ｒ，Ｐｔ、Ｉｂ族元素；Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ、IIｂ族元
素；Ｚｎ，Ｃｄ、IIIｂ族；Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ。
【００２１】前記Ｘ元素は、特にＲｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐ
ｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕが好ましい。これらの元素は、イ
オン加工率が高く、マイグレーションを起こし易くなる
ために好適である。
ｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕが好ましい。これらの元素は、イ
オン加工率が高く、マイグレーションを起こし易くなる
ために好適である。
【００２２】前記Ｘ元素の量を１原子％未満にすると、
下地膜上へのスパッタリング時においてマイグレーショ
ンが殆ど起きず、成膜されたＲｕ，Ｒｕ酸化物の薄膜が
剥離し易くなる虞がある。一方、前記Ｘ元素の量が５０
原子％を超えると、スパッタリングにより成膜された薄
膜の格子歪が増大する、つまり内部応力が増大して薄膜
が剥離し易くなる虞がある。より好ましい前記Ｘ元素の
量は、２〜３０原子％、最も好ましいＸ元素の量は３〜
１０原子％である。
下地膜上へのスパッタリング時においてマイグレーショ
ンが殆ど起きず、成膜されたＲｕ，Ｒｕ酸化物の薄膜が
剥離し易くなる虞がある。一方、前記Ｘ元素の量が５０
原子％を超えると、スパッタリングにより成膜された薄
膜の格子歪が増大する、つまり内部応力が増大して薄膜
が剥離し易くなる虞がある。より好ましい前記Ｘ元素の
量は、２〜３０原子％、最も好ましいＸ元素の量は３〜
１０原子％である。
【００２３】本発明に係るスパッタリングターゲット
は、通常の高純度金属材料と同程度の不純物を含むこと
を許容する。ただし、不純物元素があまりにも多いと、
例えばリーク電流が増大したり、比抵抗が高くなるなど
特性の低下したりする虞がある。したがって、本発明に
係るスパッタリングターゲットは不純物元素としてのＮ
ａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｕ、Ｔｈの合計含有量が５００ｐ
ｐｍ以下の高純度Ｒｕ合金で構成することが好ましい。
換言すれば、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｕ、Ｔｈの各含有
量（重量％）の合計量を１００％から引いた値［１００
−（Ｎａ＋Ｋ＋Ｃａ＋Ｍｇ＋Ｕ＋Ｔｈ）が９９．９５％
以上の高純度Ｒｕ合金を用いることが好ましい。
は、通常の高純度金属材料と同程度の不純物を含むこと
を許容する。ただし、不純物元素があまりにも多いと、
例えばリーク電流が増大したり、比抵抗が高くなるなど
特性の低下したりする虞がある。したがって、本発明に
係るスパッタリングターゲットは不純物元素としてのＮ
ａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｕ、Ｔｈの合計含有量が５００ｐ
ｐｍ以下の高純度Ｒｕ合金で構成することが好ましい。
換言すれば、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｕ、Ｔｈの各含有
量（重量％）の合計量を１００％から引いた値［１００
−（Ｎａ＋Ｋ＋Ｃａ＋Ｍｇ＋Ｕ＋Ｔｈ）が９９．９５％
以上の高純度Ｒｕ合金を用いることが好ましい。
【００２４】本発明に係るスパッタリングターゲット
は、例えば以下のような方法により製造することができ
る。
は、例えば以下のような方法により製造することができ
る。
【００２５】例えば、市販されているＲｕ粉末と所定量
の添加元素（Ｘ元素）の粉末を、ボールミルやアトライ
タなどに代表されるメカニカルアロインクなどの混合を
施した粉末やプラズマ溶融法により合金化した粉末を、
ターゲットサイズにあわせたカーボン型などに充填し、
ホットプレス、熱間静水圧プレスもしくはプラズマ放電
焼結により加圧焼結する。
の添加元素（Ｘ元素）の粉末を、ボールミルやアトライ
タなどに代表されるメカニカルアロインクなどの混合を
施した粉末やプラズマ溶融法により合金化した粉末を、
ターゲットサイズにあわせたカーボン型などに充填し、
ホットプレス、熱間静水圧プレスもしくはプラズマ放電
焼結により加圧焼結する。
【００２６】前記ホットプレスでは、例えば６００℃〜
９００℃の温度で最低１時間以上脱ガス処理を施すこと
が好ましい。これは、ホットプレス温度を６００℃未満
にすると脱ガスが困難になる。一方、前記ホットプレス
温度が９００℃を超えると焼結が進行し、内部にガスが
残留し、この残留ガスが脱ガスされ難くなる。前記プラ
ズマ放電焼結では、例えば６００℃〜９００℃の温度で
最低５分間以上脱ガス処理を施すことが好ましい。これ
は、原料粉末に付着している吸着酸素や他の不純物元素
を除去するためである。雰囲気は、真空中（１Ｐａ以
下）、もしくは水素雰囲気中が好ましい。
９００℃の温度で最低１時間以上脱ガス処理を施すこと
が好ましい。これは、ホットプレス温度を６００℃未満
にすると脱ガスが困難になる。一方、前記ホットプレス
温度が９００℃を超えると焼結が進行し、内部にガスが
残留し、この残留ガスが脱ガスされ難くなる。前記プラ
ズマ放電焼結では、例えば６００℃〜９００℃の温度で
最低５分間以上脱ガス処理を施すことが好ましい。これ
は、原料粉末に付着している吸着酸素や他の不純物元素
を除去するためである。雰囲気は、真空中（１Ｐａ以
下）、もしくは水素雰囲気中が好ましい。
【００２７】前記脱ガス処理を実施した後に、ホットプ
レスでは加圧しながら１３００℃〜１７００℃の焼結温
度の範囲で最低３時間以上、プラズマ放電焼結では同温
度で最低１０分以上保持することが好ましい。
レスでは加圧しながら１３００℃〜１７００℃の焼結温
度の範囲で最低３時間以上、プラズマ放電焼結では同温
度で最低１０分以上保持することが好ましい。
【００２８】前記焼結工程を実施した後に、例えば加圧
を解除し、冷却速度１０℃／ｍｉｎ以上で冷却すること
が好ましい。また、加圧焼結された焼結体をＨＩＰ処理
してもよい。ＨＩＰ処理温度は、１３００℃〜１７００
℃、加圧力は１５０ＭＰａ以上とすることが好ましい。
このようなＨＩＰ処理を行うことによって、より一層緻
密な焼結体を得ることが可能となる。
を解除し、冷却速度１０℃／ｍｉｎ以上で冷却すること
が好ましい。また、加圧焼結された焼結体をＨＩＰ処理
してもよい。ＨＩＰ処理温度は、１３００℃〜１７００
℃、加圧力は１５０ＭＰａ以上とすることが好ましい。
このようなＨＩＰ処理を行うことによって、より一層緻
密な焼結体を得ることが可能となる。
【００２９】次いで、前記加圧焼結工程によって得られ
たターゲット材料を機械加工し、これにＣｕ、Ａｌ、も
しくはそれらの合金からなるバッキングプレートと接合
する。バッキングプレートの接合は、ソルダー接合や拡
散接合などが適用される。ソルダー接合は、公知のＩｎ
系やＳｎ系の接合材を使用して実施する。拡散接合時の
温度は、６００℃以下にすることが好ましい。これは、
バッキングプレートの材料であるＡｌの融点が６６０℃
であるためである。得られたターゲット素材を所定サイ
ズに機械加工することによって、スパッタリングターゲ
ットを製造する。
たターゲット材料を機械加工し、これにＣｕ、Ａｌ、も
しくはそれらの合金からなるバッキングプレートと接合
する。バッキングプレートの接合は、ソルダー接合や拡
散接合などが適用される。ソルダー接合は、公知のＩｎ
系やＳｎ系の接合材を使用して実施する。拡散接合時の
温度は、６００℃以下にすることが好ましい。これは、
バッキングプレートの材料であるＡｌの融点が６６０℃
であるためである。得られたターゲット素材を所定サイ
ズに機械加工することによって、スパッタリングターゲ
ットを製造する。
【００３０】本発明に係るスパッタリングターゲットを
スパッタリングして成膜され、パターニングされたＲｕ
もしくはＲｕ酸化物の下部電極、上部電極を有するキャ
パシタを備えた半導体装置を以下に図１を参照して説明
する。
スパッタリングして成膜され、パターニングされたＲｕ
もしくはＲｕ酸化物の下部電極、上部電極を有するキャ
パシタを備えた半導体装置を以下に図１を参照して説明
する。
【００３１】ｎ型（１００）シリコン基板１表面には、
ｐウェル２が形成されている。ＢＯＸ(buried oxide)法
等により形成された素子分離用酸化膜３は、前記ｐウェ
ル２に形成され、隣接するセル間を分離している。ｎ+
型ソース、ドレイン領域４，５は、前記素子分離用酸化
膜３で囲まれた前記ｐウェル２表面に互いに電気的に分
離して形成されている。ワード線を兼ねたゲート電極６
は、前記ｎ+型ソース、ドレイン領域４，５間のチャン
ネル領域を含む前記ｐウェル２表面にゲート絶縁膜７を
介して形成されている。
ｐウェル２が形成されている。ＢＯＸ(buried oxide)法
等により形成された素子分離用酸化膜３は、前記ｐウェ
ル２に形成され、隣接するセル間を分離している。ｎ+
型ソース、ドレイン領域４，５は、前記素子分離用酸化
膜３で囲まれた前記ｐウェル２表面に互いに電気的に分
離して形成されている。ワード線を兼ねたゲート電極６
は、前記ｎ+型ソース、ドレイン領域４，５間のチャン
ネル領域を含む前記ｐウェル２表面にゲート絶縁膜７を
介して形成されている。
【００３２】第１層間絶縁膜８は、前記ゲート電極６を
含む前記ｐウェル２上に形成されている。コンタクトホ
ール９1，９2は、前記ｎ+型ソース、ドレイン領域４，
５に位置する前記第１層間絶縁膜８部分にそれぞれ開口
されている。例えばＷからなるプラグ１０1，１０2は、
前記コンタクトホール９1，９2にそれぞれ埋込まれ、か
つ前記ドレイン領域５と接続されるプラグ１０2上には
例えばＰｔからなるバリア層１１が形成されている。
含む前記ｐウェル２上に形成されている。コンタクトホ
ール９1，９2は、前記ｎ+型ソース、ドレイン領域４，
５に位置する前記第１層間絶縁膜８部分にそれぞれ開口
されている。例えばＷからなるプラグ１０1，１０2は、
前記コンタクトホール９1，９2にそれぞれ埋込まれ、か
つ前記ドレイン領域５と接続されるプラグ１０2上には
例えばＰｔからなるバリア層１１が形成されている。
【００３３】第２層間絶縁膜１２は、前記プラグ１０1
および前記バリア層１１を含む前記第１層間絶縁膜８上
に形成されている。コンタクトホール１３は、前記バリ
ア層１１が位置する前記第２層間絶縁膜１２部分に開口
されている。下部電極１４は、前記コンタクトホール１
３の内面に形成され、前記バリア層１１と接続されてい
る。この下部電極１４は、本発明に係るスパッタリング
ターゲットをスパッタリングして例えばＲｕ酸化物薄膜
を成膜した後、この薄膜をパターニングすることにより
形成される。例えばＢａ0.5Ｓｒ0.5ＴｉＯ3のようなペ
ロブスカイト型高誘電体からなるキャパシタ絶縁膜１５
は、前記下部電極１４を含む前記第２層間絶縁膜１２上
に形成されている。上部電極１６は、後述するビット線
用の配線が埋込まれるコンタクトホールおよびその周囲
を除く前記キャパシタ絶縁膜１６上に形成されている。
この上部電極１６は、本発明に係るスパッタリングター
ゲットをスパッタリングして例えばＲｕ酸化物薄膜を成
膜した後、この薄膜をパターニングすることにより形成
される。
および前記バリア層１１を含む前記第１層間絶縁膜８上
に形成されている。コンタクトホール１３は、前記バリ
ア層１１が位置する前記第２層間絶縁膜１２部分に開口
されている。下部電極１４は、前記コンタクトホール１
３の内面に形成され、前記バリア層１１と接続されてい
る。この下部電極１４は、本発明に係るスパッタリング
ターゲットをスパッタリングして例えばＲｕ酸化物薄膜
を成膜した後、この薄膜をパターニングすることにより
形成される。例えばＢａ0.5Ｓｒ0.5ＴｉＯ3のようなペ
ロブスカイト型高誘電体からなるキャパシタ絶縁膜１５
は、前記下部電極１４を含む前記第２層間絶縁膜１２上
に形成されている。上部電極１６は、後述するビット線
用の配線が埋込まれるコンタクトホールおよびその周囲
を除く前記キャパシタ絶縁膜１６上に形成されている。
この上部電極１６は、本発明に係るスパッタリングター
ゲットをスパッタリングして例えばＲｕ酸化物薄膜を成
膜した後、この薄膜をパターニングすることにより形成
される。
【００３４】第３層間絶縁膜１７は、前記上部電極１６
を含む前記キャパシタ絶縁膜１５上に形成されている。
コンタクトホール１８は、前記プラグ１０1上に位置す
る前記第２層間絶縁膜１２，前記キャパシタ絶縁膜１５
および前記第３層間絶縁膜１７を貫通して開口されてい
る。ビット線用の配線１９は、前記コンタクトホール１
８内を含む前記第３層間絶縁膜１７上に形成され、前記
コンタクトホール１８の埋込み部で前記プラグ１０1と
電気的に接続されている。
を含む前記キャパシタ絶縁膜１５上に形成されている。
コンタクトホール１８は、前記プラグ１０1上に位置す
る前記第２層間絶縁膜１２，前記キャパシタ絶縁膜１５
および前記第３層間絶縁膜１７を貫通して開口されてい
る。ビット線用の配線１９は、前記コンタクトホール１
８内を含む前記第３層間絶縁膜１７上に形成され、前記
コンタクトホール１８の埋込み部で前記プラグ１０1と
電気的に接続されている。
【００３５】このような構成において、前記下部電極１
４はＸ元素１〜５０原子％、残部が実質的にＲｕである
組成（ここでＸ元素はＸ元素の原子量÷Ｒｕの原子量
（１０１．０７）＝０．２〜２の範囲で、かつ比抵抗が
６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VIII族、
Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素から選ばれる少な
くとも１種の元素）からなるスパッタリングターゲット
をスパッタリングしてＲｕまたはＲｕ酸化物の薄膜を成
膜し、この薄膜をパターニングすることにより形成さ
れ、前記プラグ１０2上のバリア層１１に対して高い密
着力を有し、かつ十分に小さい比抵抗を有するため、高
信頼性のキャパシタを備えた半導体装置を実現すること
が可能になる。
４はＸ元素１〜５０原子％、残部が実質的にＲｕである
組成（ここでＸ元素はＸ元素の原子量÷Ｒｕの原子量
（１０１．０７）＝０．２〜２の範囲で、かつ比抵抗が
６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VIII族、
Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素から選ばれる少な
くとも１種の元素）からなるスパッタリングターゲット
をスパッタリングしてＲｕまたはＲｕ酸化物の薄膜を成
膜し、この薄膜をパターニングすることにより形成さ
れ、前記プラグ１０2上のバリア層１１に対して高い密
着力を有し、かつ十分に小さい比抵抗を有するため、高
信頼性のキャパシタを備えた半導体装置を実現すること
が可能になる。
【００３６】なお、本発明に係るスパッタリングターゲ
ットを用いてスパッタリングして成膜した被膜の適用例
として、この被膜を有するキャパシタを備えた半導体装
置を説明したが、図１に示す構成に限らず、バリア層１
１を有さない構造など、各所構造にに対して本発明のス
パッタリングターゲットを適用することができる。
ットを用いてスパッタリングして成膜した被膜の適用例
として、この被膜を有するキャパシタを備えた半導体装
置を説明したが、図１に示す構成に限らず、バリア層１
１を有さない構造など、各所構造にに対して本発明のス
パッタリングターゲットを適用することができる。
【００３７】
【実施例】以下、本発明の好ましい実施例を詳細に説明
する。
する。
【００３８】（実施例１） (1-1)まず、純度３ＮのＲｕ粉末をカーボン型内に充填
してホットプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰
囲気中にて６００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行
った。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧
力を加えつつ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１４００℃で
５時間保持して焼結体を作製した。焼結後の冷却は雰囲
気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で行
った。ひきつづき、得られた焼結体を直径１２７ｍｍ、
厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレー
トにろう付け接合することによって、Ｒｕターゲットを
製造した。
してホットプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰
囲気中にて６００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行
った。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧
力を加えつつ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１４００℃で
５時間保持して焼結体を作製した。焼結後の冷却は雰囲
気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で行
った。ひきつづき、得られた焼結体を直径１２７ｍｍ、
厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレー
トにろう付け接合することによって、Ｒｕターゲットを
製造した。
【００３９】(1-2)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と所定量
の純度４ＮのＴｉ粉末をＲｕ−０．１原子％Ｔｉ、Ｒｕ
−５原子％Ｔｉ、Ｒｕ−２０原子％Ｔｉ、Ｒｕ−４０原
子％Ｔｉ、Ｒｕ−７０原子％Ｔｉになるように配合し、
これらの粉末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合
した。これらの粉末をカーボン型内にそれぞれ充填し、
ホットプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気
中にて６００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を実施し
た。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力
を加えつつ、昇温違度１０℃／ｍｉｎ、１４００℃で５
時間保持することにより５種の焼結体を作製した。焼結
後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉ
ｎの冷却速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結
体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃ
ｕ製バッキングプレートにろう付け接合することによっ
て、５種類のＲｕＴｉターゲットを製造した。
の純度４ＮのＴｉ粉末をＲｕ−０．１原子％Ｔｉ、Ｒｕ
−５原子％Ｔｉ、Ｒｕ−２０原子％Ｔｉ、Ｒｕ−４０原
子％Ｔｉ、Ｒｕ−７０原子％Ｔｉになるように配合し、
これらの粉末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合
した。これらの粉末をカーボン型内にそれぞれ充填し、
ホットプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気
中にて６００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を実施し
た。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力
を加えつつ、昇温違度１０℃／ｍｉｎ、１４００℃で５
時間保持することにより５種の焼結体を作製した。焼結
後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉ
ｎの冷却速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結
体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃ
ｕ製バッキングプレートにろう付け接合することによっ
て、５種類のＲｕＴｉターゲットを製造した。
【００４０】(1-3)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度５
ＮのＷ粉末をＲｕ−０．５原子％Ｗ、Ｒｕ−１０原子％
Ｗ、Ｒｕ−３０原子％Ｗ、Ｒｕ−５５原子％Ｗ、Ｒｕ−
８０原子％Ｗになるように配合した。この粉末をアトラ
イタで１０時間混合した。これらの粉末をカーボン型内
にそれぞれ充填してホットプレス装置にセットし、１Ｐ
ａ以下の真空雰囲気中にて９００℃、保持時間３時間の
脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中で
２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度１０℃／ｍｉ
ｎ、１６５０℃で５時間保持して５種の焼結体を作製し
た。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０
℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつづき、得られ
た各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工し
た後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合するこ
とによって、５種類のＲｕＷターゲットを製造した。
ＮのＷ粉末をＲｕ−０．５原子％Ｗ、Ｒｕ−１０原子％
Ｗ、Ｒｕ−３０原子％Ｗ、Ｒｕ−５５原子％Ｗ、Ｒｕ−
８０原子％Ｗになるように配合した。この粉末をアトラ
イタで１０時間混合した。これらの粉末をカーボン型内
にそれぞれ充填してホットプレス装置にセットし、１Ｐ
ａ以下の真空雰囲気中にて９００℃、保持時間３時間の
脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中で
２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度１０℃／ｍｉ
ｎ、１６５０℃で５時間保持して５種の焼結体を作製し
た。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０
℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつづき、得られ
た各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工し
た後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合するこ
とによって、５種類のＲｕＷターゲットを製造した。
【００４１】(1-4)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度３
ＮのＹ粉末をＲｕ−０．２ａｔ％Ｙ、Ｒｕ−５ａｔ％
Ｙ、Ｒｕ−２２ａｔ％Ｙ、Ｒｕ−４９ａｔ％Ｙ、Ｒｕ−
７５ａｔ％Ｙになるように配合した。この粉末をＡｒ雰
囲気中ボールミルで１０時間混合した。これら粉末をカ
ーボン型内にそれぞれ充填し、プラズマ放量焼結装置に
セットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて９００℃、保
持時間１０分の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な
真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度
３０℃／ｍｉｎ、１３００℃で５時間保持して５種の焼
結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換
し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつ
づき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍ
に機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付
け接合することによって、５種類のＲｕＹターゲットを
製造した。
ＮのＹ粉末をＲｕ−０．２ａｔ％Ｙ、Ｒｕ−５ａｔ％
Ｙ、Ｒｕ−２２ａｔ％Ｙ、Ｒｕ−４９ａｔ％Ｙ、Ｒｕ−
７５ａｔ％Ｙになるように配合した。この粉末をＡｒ雰
囲気中ボールミルで１０時間混合した。これら粉末をカ
ーボン型内にそれぞれ充填し、プラズマ放量焼結装置に
セットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて９００℃、保
持時間１０分の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な
真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度
３０℃／ｍｉｎ、１３００℃で５時間保持して５種の焼
結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換
し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつ
づき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍ
に機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付
け接合することによって、５種類のＲｕＹターゲットを
製造した。
【００４２】前記(1-2)〜(1-4)で製造したＲｕ合金ター
ゲット中の各元素の含有量について、ＩＣＰ−ＭＡＳＳ
（セイコーインスツルメント社製商品名；ＳＰＱ９００
０）を用いて測定した。その結果を下記表１に示す。
ゲット中の各元素の含有量について、ＩＣＰ−ＭＡＳＳ
（セイコーインスツルメント社製商品名；ＳＰＱ９００
０）を用いて測定した。その結果を下記表１に示す。
【００４３】また、前記(1-1)で製造したＲｕターゲト
および前記(1-2)〜(1-4)で製造したＲｕ合金ターゲット
を予めＷ膜が被覆された５枚の直径４インチのＳｉウェ
ハ上（Ｗ膜上）にそれぞれ下記条件でスパッタし、１０
ｎｍの厚さのＲｕ薄膜、Ｒｕ合金薄膜を成膜した。
および前記(1-2)〜(1-4)で製造したＲｕ合金ターゲット
を予めＷ膜が被覆された５枚の直径４インチのＳｉウェ
ハ上（Ｗ膜上）にそれぞれ下記条件でスパッタし、１０
ｎｍの厚さのＲｕ薄膜、Ｒｕ合金薄膜を成膜した。
【００４４】＜スパッタ条件＞ スパッタ方式：マグネトロンスパッタ、 背圧：１×ｌ０-5（Ｐａ）、 出力ＤＣ：２（ｋＷ）、 Ａｒ：０．５Ｐａ。
【００４５】得られた各ウェハを真空中、４５０℃×３
０ｍｉｎの熱処理を施した後、ウェハの中央部、端部お
よび中央部と端部の間から３０ｍｍ角のサンプルを合計
５個取出し、比抵抗測定および膜剥がれの状態を調べ
た。
０ｍｉｎの熱処理を施した後、ウェハの中央部、端部お
よび中央部と端部の間から３０ｍｍ角のサンプルを合計
５個取出し、比抵抗測定および膜剥がれの状態を調べ
た。
【００４６】前記比抵抗は、四端針装置（ナブソン社製
商品名；抵抗率測定器ＲＴ−８Ａ）を用い、前記サンプ
ルを測定針の直下に設置し、その上で針を直接サンプル
に接触させる。この装置は、自動的にサンプルの比抵抗
値が得られる。なお、比抵抗値はウェハ５枚でサンプル
各５個の合計２５個のサンプルの平均値として算出し
た。
商品名；抵抗率測定器ＲＴ−８Ａ）を用い、前記サンプ
ルを測定針の直下に設置し、その上で針を直接サンプル
に接触させる。この装置は、自動的にサンプルの比抵抗
値が得られる。なお、比抵抗値はウェハ５枚でサンプル
各５個の合計２５個のサンプルの平均値として算出し
た。
【００４７】前記膜剥がれの測定は、前記３０ｍｍ角の
サンプルの薄膜上に５ｍｍ角の升目をダイヤモンドペン
で切り込み、この薄膜上にカプトンテープを直接貼着
し、テープ側から２〜３回擦って薄膜とテープの密着さ
せた後、テープを剥がす。剥がしたテープを透過する方
眼紙に付着させ、画像処理により３０ｍｍ角内に確認さ
れる薄膜の付着量から以下の式に従って剥がれ量を算出
する。
サンプルの薄膜上に５ｍｍ角の升目をダイヤモンドペン
で切り込み、この薄膜上にカプトンテープを直接貼着
し、テープ側から２〜３回擦って薄膜とテープの密着さ
せた後、テープを剥がす。剥がしたテープを透過する方
眼紙に付着させ、画像処理により３０ｍｍ角内に確認さ
れる薄膜の付着量から以下の式に従って剥がれ量を算出
する。
【００４８】 剥がれ量（％）＝（付着膜面積／３０ｍｍ角）×１００ このような剥がれ量の算出を前述した５枚のウェハの５
箇所から切出したサンプル全てに行い、それらの平均値
から次のように評価した。
箇所から切出したサンプル全てに行い、それらの平均値
から次のように評価した。
【００４９】Ａ：全く剥がれなし、 Ｂ：０を超え、５％以下の剥がれあり、 Ｃ：５％を超え、３０％以下の剥がれあり、 Ｄ：３０％を超える剥がれあり。
【００５０】これらの結果を下記表１に示す。
【００５１】
【表１】
【００５２】前記表１から明らかのようにＸ元素１〜５
０原子％、残部が実質的にＲｕである組成（ここで、Ｘ
元素はＸ元素の原子量÷Ｒｕの原子量＝０．２〜２の範
囲で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ
族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の
元素から選ばれる少なくとも１種の元素、つまりＴｉ，
Ｗ）からなるＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．８〜Ｎｏ．１
０のスパッタリングターゲットをスパッタリングするこ
とにより成膜されたＲｕ合金薄膜は、下地膜であるＷ膜
に対して高い密着力を有することがわかる。
０原子％、残部が実質的にＲｕである組成（ここで、Ｘ
元素はＸ元素の原子量÷Ｒｕの原子量＝０．２〜２の範
囲で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ
族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の
元素から選ばれる少なくとも１種の元素、つまりＴｉ，
Ｗ）からなるＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．８〜Ｎｏ．１
０のスパッタリングターゲットをスパッタリングするこ
とにより成膜されたＲｕ合金薄膜は、下地膜であるＷ膜
に対して高い密着力を有することがわかる。
【００５３】（実施例２） (2-1)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と所定量の純度３Ｎの
Ｐｔ粉末をＲｕ−０．６ａｔ％Ｐｔ、Ｒｕ−８ａｔ％Ｐ
ｔ、Ｒｕ−１９ａｔ％Ｐｔ、Ｒｕ−４８ａｔ％Ｐｔ、Ｒ
ｕ−９０ａｔ％Ｐｔになるように配合した。これらの粉
末をプラズマ溶融法により合金化した粉末を作製した。
これら合金粉末をカーボン型内に充填してプラズマ焼結
装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて６００
℃、保持時間１５分の脱ガス処理を行った。つづいて、
同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇
温速度２５℃／ｍｉｎ、１５００℃で５時間保持するこ
とにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰
囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で
実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７
ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキング
プレートにろう付け接合することによって、５種類のＲ
ｕＰｔターゲットを製造した。
Ｐｔ粉末をＲｕ−０．６ａｔ％Ｐｔ、Ｒｕ−８ａｔ％Ｐ
ｔ、Ｒｕ−１９ａｔ％Ｐｔ、Ｒｕ−４８ａｔ％Ｐｔ、Ｒ
ｕ−９０ａｔ％Ｐｔになるように配合した。これらの粉
末をプラズマ溶融法により合金化した粉末を作製した。
これら合金粉末をカーボン型内に充填してプラズマ焼結
装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて６００
℃、保持時間１５分の脱ガス処理を行った。つづいて、
同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇
温速度２５℃／ｍｉｎ、１５００℃で５時間保持するこ
とにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰
囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で
実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７
ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキング
プレートにろう付け接合することによって、５種類のＲ
ｕＰｔターゲットを製造した。
【００５４】(2-2)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度３
ＮのＮｂ粉末をＲｕ−０．１ａｔ％Ｎｂ、Ｒｕ−３ａｔ
％Ｎｂ、Ｒｕ−２５ａｔ％Ｎｂ、Ｒｕ−４０ａｔ％Ｎ
ｂ、Ｒｕ−６５ａｔ％Ｎｂになるように配合した。これ
らの粉末をアトライタ法で１０時間混合した。これらの
粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置にセッ
トし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて９００℃、保持時
間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空
雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度１０
℃／ｍｉｎ、１６５０℃で５時間保持することにより５
種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は雰囲気をＡｒで
置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひ
きつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５
ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろ
う付け接合することによって、５種類のＲｕＮｂターゲ
ットを製造した。
ＮのＮｂ粉末をＲｕ−０．１ａｔ％Ｎｂ、Ｒｕ−３ａｔ
％Ｎｂ、Ｒｕ−２５ａｔ％Ｎｂ、Ｒｕ−４０ａｔ％Ｎ
ｂ、Ｒｕ−６５ａｔ％Ｎｂになるように配合した。これ
らの粉末をアトライタ法で１０時間混合した。これらの
粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置にセッ
トし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて９００℃、保持時
間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空
雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度１０
℃／ｍｉｎ、１６５０℃で５時間保持することにより５
種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は雰囲気をＡｒで
置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひ
きつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５
ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろ
う付け接合することによって、５種類のＲｕＮｂターゲ
ットを製造した。
【００５５】(2-3)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度３
ＮのＳｃ粉末をＲｕ−０．３ａｔ％Ｓｃ、Ｒｕ−５ａｔ
％Ｓｃ、Ｒｕ−３０ａｔ％Ｓｃ、Ｒｕ−４６ａｔ％Ｓ
ｃ、Ｒｕ−８５ａｔ％Ｓｃになるように配合した。これ
らの粉末をプラズマ溶融法により合金化させた粉末を作
製した。これらの合金粉末をカーボン型内に充填してホ
ットプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中
にて６００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。
つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加
えつつ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１０００℃で５時間
保持することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の
冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの
冷却速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を
直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製
バッキングプレートにろう付け接合することによって、
５種類のＲｕＳｃターゲットを製造した。
ＮのＳｃ粉末をＲｕ−０．３ａｔ％Ｓｃ、Ｒｕ−５ａｔ
％Ｓｃ、Ｒｕ−３０ａｔ％Ｓｃ、Ｒｕ−４６ａｔ％Ｓ
ｃ、Ｒｕ−８５ａｔ％Ｓｃになるように配合した。これ
らの粉末をプラズマ溶融法により合金化させた粉末を作
製した。これらの合金粉末をカーボン型内に充填してホ
ットプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中
にて６００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。
つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加
えつつ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１０００℃で５時間
保持することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の
冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの
冷却速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を
直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製
バッキングプレートにろう付け接合することによって、
５種類のＲｕＳｃターゲットを製造した。
【００５６】前記(2-1)〜(2-3)で製造したＲｕ合金ター
ゲット中の各元素の含有量について、ＩＣＰ−ＭＡＳＳ
（セイコーインスツルメント社製商品名；ＳＰＱ９００
０）を用いて測定した。その結果を下記表２に示す。
ゲット中の各元素の含有量について、ＩＣＰ−ＭＡＳＳ
（セイコーインスツルメント社製商品名；ＳＰＱ９００
０）を用いて測定した。その結果を下記表２に示す。
【００５７】また、実施例１の(1-1)で製造したＲｕタ
ーゲットおよび前記(2-1)〜(2-3)で製造したＲｕ合金タ
ーゲットを予めＡｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕ膜が被覆された
５枚の直径４インチのＳｉウェハ上（Ａｌ−０．５ｗｔ
％Ｃｕ膜上）にそれぞれ実施例１と同様な条件でスパッ
タし、１０ｎｍの厚さのＲｕ薄膜、Ｒｕ合金薄膜を成膜
した。
ーゲットおよび前記(2-1)〜(2-3)で製造したＲｕ合金タ
ーゲットを予めＡｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕ膜が被覆された
５枚の直径４インチのＳｉウェハ上（Ａｌ−０．５ｗｔ
％Ｃｕ膜上）にそれぞれ実施例１と同様な条件でスパッ
タし、１０ｎｍの厚さのＲｕ薄膜、Ｒｕ合金薄膜を成膜
した。
【００５８】得られた各ウェハを真空中、４５０℃×３
０ｍｉｎの熱処理を施した後、ウェハの中央部、端部お
よび中央部と端部の間から３０ｍｍ角のサンプルを取出
し、実施例１と同様の方法により比抵抗測定および膜剥
がれの状態を調べた。これらの結果を下記表２に示す。
０ｍｉｎの熱処理を施した後、ウェハの中央部、端部お
よび中央部と端部の間から３０ｍｍ角のサンプルを取出
し、実施例１と同様の方法により比抵抗測定および膜剥
がれの状態を調べた。これらの結果を下記表２に示す。
【００５９】
【表２】
【００６０】前記表２から明らかのようにＸ元素１〜５
０原子％、残部が実質的にＲｕである組成（ここで、Ｘ
元素はＸ元素の原子量÷Ｒｕの原子量＝０．２〜２の範
囲で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ
族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の
元素から選ばれる少なくとも１種の元素、つまりＰｔ，
Ｎｂ）からなるＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．８〜Ｎｏ．
１０のスパッタリングターゲットをスパッタリングする
ことにより成膜されたＲｕ合金薄膜は、下地膜であるＡ
ｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕ膜に対して高い密着力を有するこ
とがわかる。
０原子％、残部が実質的にＲｕである組成（ここで、Ｘ
元素はＸ元素の原子量÷Ｒｕの原子量＝０．２〜２の範
囲で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ
族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の
元素から選ばれる少なくとも１種の元素、つまりＰｔ，
Ｎｂ）からなるＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．８〜Ｎｏ．
１０のスパッタリングターゲットをスパッタリングする
ことにより成膜されたＲｕ合金薄膜は、下地膜であるＡ
ｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕ膜に対して高い密着力を有するこ
とがわかる。
【００６１】（実施例３） (3-1)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と所定量の純度４Ｎの
Ａｇ粉末をＲｕ−０．４ａｔ％Ａｇ、Ｒｕ−１０ａｔ％
Ａｇ、Ｒｕ−２５ａｔ％Ａｇ、Ｒｕ−３８ａｔ％Ａｇ、
Ｒｕ−５９ａｔ％Ａｇになるように配合した。これらの
粉末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合した。こ
れらの粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置
にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて６００℃、
保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様
な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速
度１０℃／ｍｉｎ、９００℃で５時間保持することによ
り５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気を
Ａｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施し
た。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、
厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレー
トにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＡｇ
ターゲットを製造した。
Ａｇ粉末をＲｕ−０．４ａｔ％Ａｇ、Ｒｕ−１０ａｔ％
Ａｇ、Ｒｕ−２５ａｔ％Ａｇ、Ｒｕ−３８ａｔ％Ａｇ、
Ｒｕ−５９ａｔ％Ａｇになるように配合した。これらの
粉末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合した。こ
れらの粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置
にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて６００℃、
保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様
な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速
度１０℃／ｍｉｎ、９００℃で５時間保持することによ
り５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気を
Ａｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施し
た。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、
厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレー
トにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＡｇ
ターゲットを製造した。
【００６２】(3-2)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度５
ＮのＣｏ粉末をＲｕ−０．３ａｔ％Ｃｏ、Ｒｕ−４ａｔ
％Ｃｏ、Ｒｕ−２２ａｔ％Ｃｏ、Ｒｕ−４７ａｔ％Ｃ
ｏ、Ｒｕ−６９ａｔ％Ｃｏになるように配合した。これ
らの粉末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合し
た。得られた各粉末をカーボン型内に充填してホットプ
レス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて９
００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづい
て、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつ
つ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１３００℃で５時間保持
することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却
は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却
速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径
１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッ
キングプレートにろう付け接合することによって、５種
類のＲｕＣｏターゲットを製造した。
ＮのＣｏ粉末をＲｕ−０．３ａｔ％Ｃｏ、Ｒｕ−４ａｔ
％Ｃｏ、Ｒｕ−２２ａｔ％Ｃｏ、Ｒｕ−４７ａｔ％Ｃ
ｏ、Ｒｕ−６９ａｔ％Ｃｏになるように配合した。これ
らの粉末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合し
た。得られた各粉末をカーボン型内に充填してホットプ
レス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて９
００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづい
て、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつ
つ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１３００℃で５時間保持
することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却
は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却
速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径
１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッ
キングプレートにろう付け接合することによって、５種
類のＲｕＣｏターゲットを製造した。
【００６３】(3-3)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度４
ＮのＣ粉末をＲｕ−０．０１ａｔ％Ｃ、Ｒｕ−１０ａｔ
％Ｃ、Ｒｕ−３０ａｔ％Ｃ、Ｒｕ−４７ａｔ％Ｃ、Ｒｕ
−８５ａｔ％Ｃになるように配合した。これらの粉末を
アトライタ法で１０時間混合し、得られた各粉末をカー
ボン型内に充填してプラズマ放電焼結装置にセットし、
１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて９００℃、保持時間８分
の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中
で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度２０℃／ｍｉ
ｎ、１７５０℃で５時間保持することにより５種の焼結
体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換
し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつ
づき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍ
に機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付
け接合することによって、５種類のＲｕＣターゲットを
製造した。
ＮのＣ粉末をＲｕ−０．０１ａｔ％Ｃ、Ｒｕ−１０ａｔ
％Ｃ、Ｒｕ−３０ａｔ％Ｃ、Ｒｕ−４７ａｔ％Ｃ、Ｒｕ
−８５ａｔ％Ｃになるように配合した。これらの粉末を
アトライタ法で１０時間混合し、得られた各粉末をカー
ボン型内に充填してプラズマ放電焼結装置にセットし、
１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて９００℃、保持時間８分
の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中
で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度２０℃／ｍｉ
ｎ、１７５０℃で５時間保持することにより５種の焼結
体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換
し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつ
づき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍ
に機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付
け接合することによって、５種類のＲｕＣターゲットを
製造した。
【００６４】前記(3-1)〜(3-3)で製造したＲｕ合金ター
ゲット中の各元素の含有量について、ＩＣＰ−ＭＡＳＳ
（セイコーインスツルメント社製商品名；ＳＰＱ９００
０）を用いて測定した。その結果を下記表３に示す。
ゲット中の各元素の含有量について、ＩＣＰ−ＭＡＳＳ
（セイコーインスツルメント社製商品名；ＳＰＱ９００
０）を用いて測定した。その結果を下記表３に示す。
【００６５】また、実施例１の(1-1)で製造したＲｕタ
ーゲトおよび前記(3-1)〜(3-3)で製造したＲｕ合金ター
ゲットを予めＴｉＮ膜が被覆された５枚の直径４インチ
のＳｉウェハ上（ＴｉＮ膜上）にそれぞれ実施例１と同
様な条件でスパッタし、１０ｎｍの厚さのＲｕ薄膜、Ｒ
ｕ合金薄膜を成膜した。
ーゲトおよび前記(3-1)〜(3-3)で製造したＲｕ合金ター
ゲットを予めＴｉＮ膜が被覆された５枚の直径４インチ
のＳｉウェハ上（ＴｉＮ膜上）にそれぞれ実施例１と同
様な条件でスパッタし、１０ｎｍの厚さのＲｕ薄膜、Ｒ
ｕ合金薄膜を成膜した。
【００６６】得られた各ウェハを真空中、４５０℃×３
０ｍｉｎの熱処理を施した後、ウェハの中央部、端部お
よび中央部と端部の間から３０ｍｍ角のサンプルを取出
し、実施例１と同様の方法により比抵抗測定および膜剥
がれの状態を調べた。これらの結果を下記表３に示す。
０ｍｉｎの熱処理を施した後、ウェハの中央部、端部お
よび中央部と端部の間から３０ｍｍ角のサンプルを取出
し、実施例１と同様の方法により比抵抗測定および膜剥
がれの状態を調べた。これらの結果を下記表３に示す。
【００６７】
【表３】
【００６８】前記表３から明らかのようにＸ元素１〜５
０原子％、残部が実質的にＲｕである組成（ここで、Ｘ
元素はＸ元素の原子量÷Ｒｕの原子量＝０．２〜２の範
囲で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ
族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の
元素から選ばれる少なくとも１種の元素、つまりＡｇ，
Ｃｏ）からなるＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．８〜Ｎｏ．
１０のスパッタリングターゲットをスパッタリングする
ことにより成膜されたＲｕ合金薄膜は、下地膜であるＴ
ｉＮに対して高い密着力を有することがわかる。
０原子％、残部が実質的にＲｕである組成（ここで、Ｘ
元素はＸ元素の原子量÷Ｒｕの原子量＝０．２〜２の範
囲で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ
族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の
元素から選ばれる少なくとも１種の元素、つまりＡｇ，
Ｃｏ）からなるＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．８〜Ｎｏ．
１０のスパッタリングターゲットをスパッタリングする
ことにより成膜されたＲｕ合金薄膜は、下地膜であるＴ
ｉＮに対して高い密着力を有することがわかる。
【００６９】（実施例４） (4-1)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と所定量の純度４Ｎの
Ｐｄ粉末をＲｕ−０．１ａｔ％Ｐｄ、Ｒｕ−５ａｔ％Ｐ
ｄ、Ｒｕ−３０ａｔ％Ｐｄ、Ｒｕ−４５ａｔ％Ｐｄ、Ｒ
ｕ−６０ａｔ％Ｐｄになるように配合した。これらの粉
末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合した。得ら
れた各粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置
にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて６００℃、
保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様
な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速
度１０℃／ｍｉｎ、１４５０℃で５時間保持することに
より５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気
をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施
した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍ
ｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプ
レートにろう付け接合することによって、５種類のＲｕ
Ｐｄターゲットを製造した。
Ｐｄ粉末をＲｕ−０．１ａｔ％Ｐｄ、Ｒｕ−５ａｔ％Ｐ
ｄ、Ｒｕ−３０ａｔ％Ｐｄ、Ｒｕ−４５ａｔ％Ｐｄ、Ｒ
ｕ−６０ａｔ％Ｐｄになるように配合した。これらの粉
末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合した。得ら
れた各粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置
にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて６００℃、
保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様
な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速
度１０℃／ｍｉｎ、１４５０℃で５時間保持することに
より５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気
をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施
した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍ
ｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプ
レートにろう付け接合することによって、５種類のＲｕ
Ｐｄターゲットを製造した。
【００７０】(4-2)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度５
ＮのＡｕ粉末をＲｕ−０．７ａｔ％Ａｕ、Ｒｕ−１０ａ
ｔ％Ａｕ、Ｒｕ−３０ａｔ％Ａｕ、Ｒｕ−４５ａｔ％Ａ
ｕ、Ｒｕ−６５ａｔ％Ａｕになるように配合した。この
粉末をプラズマ溶融法により合金化させた粉末を作製し
た。得られた各粉末をカーボン型内に充填してホットプ
レス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて９
００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづい
て、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつ
つ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１６５０℃で５時間保持
することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却
は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却
速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径
１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッ
キングプレートにろう付け接合することによって、５種
類のＲｕＡｕターゲットを製造した。
ＮのＡｕ粉末をＲｕ−０．７ａｔ％Ａｕ、Ｒｕ−１０ａ
ｔ％Ａｕ、Ｒｕ−３０ａｔ％Ａｕ、Ｒｕ−４５ａｔ％Ａ
ｕ、Ｒｕ−６５ａｔ％Ａｕになるように配合した。この
粉末をプラズマ溶融法により合金化させた粉末を作製し
た。得られた各粉末をカーボン型内に充填してホットプ
レス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて９
００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづい
て、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつ
つ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１６５０℃で５時間保持
することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却
は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却
速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径
１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッ
キングプレートにろう付け接合することによって、５種
類のＲｕＡｕターゲットを製造した。
【００７１】(4-3)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度３
ＮのＭｎ粉末をＲｕ−０．０１ａｔ％Ｍｎ、Ｒｕ−２ａ
ｔ％Ｍｎ、Ｒｕ−２８ａｔ％Ｍｎ、Ｒｕ−４２ａｔ％Ｍ
ｎ、Ｒｕ−７２ａｔ％Ｍｎになるように配合した。これ
らの粉末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合し
た。得られた各粉末をカーボン型内に充填してホットプ
レス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて１
６５０℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづ
いて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつ
つ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１３００℃で５時間保持
することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却
は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却
速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径
１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッ
キングプレートにろう付け接合することによって、５種
類のＲｕＭｎターゲットを製造した。
ＮのＭｎ粉末をＲｕ−０．０１ａｔ％Ｍｎ、Ｒｕ−２ａ
ｔ％Ｍｎ、Ｒｕ−２８ａｔ％Ｍｎ、Ｒｕ−４２ａｔ％Ｍ
ｎ、Ｒｕ−７２ａｔ％Ｍｎになるように配合した。これ
らの粉末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合し
た。得られた各粉末をカーボン型内に充填してホットプ
レス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて１
６５０℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづ
いて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつ
つ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１３００℃で５時間保持
することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却
は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却
速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径
１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッ
キングプレートにろう付け接合することによって、５種
類のＲｕＭｎターゲットを製造した。
【００７２】前記(4-1)〜(4-3)で製造したＲｕ合金ター
ゲット中の各元素の含有量について、ＩＣＰ−ＭＡＳＳ
（セイコーインスツルメント社製商品名；ＳＰＱ９００
０）を用いて測定した。その結果を下記表４に示す。
ゲット中の各元素の含有量について、ＩＣＰ−ＭＡＳＳ
（セイコーインスツルメント社製商品名；ＳＰＱ９００
０）を用いて測定した。その結果を下記表４に示す。
【００７３】また、実施例１の前記(1-1)で製造したＲ
ｕターゲトおよび前記(4-1)〜(4-3)で製造したＲｕ合金
ターゲットを予めＴｉＡｌＮ膜が被覆された５枚の直径
４インチのＳｉウェハ上（ＴｉＡｌＮ膜上）にそれぞれ
下記条件でスパッタし、１０ｎｍの厚さのＲｕ酸化物薄
膜、Ｒｕ合金酸化物薄膜を成膜した。
ｕターゲトおよび前記(4-1)〜(4-3)で製造したＲｕ合金
ターゲットを予めＴｉＡｌＮ膜が被覆された５枚の直径
４インチのＳｉウェハ上（ＴｉＡｌＮ膜上）にそれぞれ
下記条件でスパッタし、１０ｎｍの厚さのＲｕ酸化物薄
膜、Ｒｕ合金酸化物薄膜を成膜した。
【００７４】１０ｎｍの厚さに成膜した。
【００７５】＜スパッタ条件＞ スパッタ方式：マグネトロンスパッタ、 背圧：１×ｌ０-5（Ｐａ）、 出力ＤＣ：２（ｋＷ）、 Ａｒ：０．５Ｐａ、 Ｏ2：０．５Ｐａ。
【００７６】得られた各ウェハを真空中、４５０℃×３
０ｍｉｎの熱処理を施した後、ウェハの中央部、端部お
よび中央部と端部の間から３０ｍｍ角のサンプルを取出
し、実施例１と同様な方法により比抵抗測定および膜剥
がれの状態を調べた。その結果を下記表４に示す。
０ｍｉｎの熱処理を施した後、ウェハの中央部、端部お
よび中央部と端部の間から３０ｍｍ角のサンプルを取出
し、実施例１と同様な方法により比抵抗測定および膜剥
がれの状態を調べた。その結果を下記表４に示す。
【００７７】
【表４】
【００７８】前記表４から明らかのようにＸ元素１〜５
０原子％、残部が実質的にＲｕである組成（ここで、Ｘ
元素はＸ元素の原子量÷Ｒｕの原子量＝０．２〜２の範
囲で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ
族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の
元素から選ばれる少なくとも１種の元素、つまりＰｄ，
Ａｕ）からなるＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．８〜Ｎｏ．
１０のスパッタリングターゲットをスパッタリングする
ことにより成膜されたＲｕ合金酸化物薄膜は、下地膜で
あるＴｉＡｌＮ膜に対して高い密着力を有することがわ
かる。
０原子％、残部が実質的にＲｕである組成（ここで、Ｘ
元素はＸ元素の原子量÷Ｒｕの原子量＝０．２〜２の範
囲で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ
族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の
元素から選ばれる少なくとも１種の元素、つまりＰｄ，
Ａｕ）からなるＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．８〜Ｎｏ．
１０のスパッタリングターゲットをスパッタリングする
ことにより成膜されたＲｕ合金酸化物薄膜は、下地膜で
あるＴｉＡｌＮ膜に対して高い密着力を有することがわ
かる。
【００７９】（実施例５） (5-1)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と所定量の純度４Ｎの
Ａｌ粉末をＲｕ−０．４ａｔ％Ａｌ、Ｒｕ−３ａｔ％Ａ
ｌ、Ｒｕ−２６ａｔ％Ａｌ、Ｒｕ−４０ａｔ％Ａｌ、Ｒ
ｕ−７０ａｔ％Ａｌになるように配合した。これらの粉
末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合した。得ら
れた各粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置
にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて３００℃、
保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様
な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速
度１０℃／ｍｉｎ、８５０℃で５時間保持することによ
り５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気を
Ａｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施し
た。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、
厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレー
トにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＡｌ
ターゲットを製造した。
Ａｌ粉末をＲｕ−０．４ａｔ％Ａｌ、Ｒｕ−３ａｔ％Ａ
ｌ、Ｒｕ−２６ａｔ％Ａｌ、Ｒｕ−４０ａｔ％Ａｌ、Ｒ
ｕ−７０ａｔ％Ａｌになるように配合した。これらの粉
末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合した。得ら
れた各粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置
にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて３００℃、
保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様
な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速
度１０℃／ｍｉｎ、８５０℃で５時間保持することによ
り５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気を
Ａｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施し
た。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、
厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレー
トにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＡｌ
ターゲットを製造した。
【００８０】(5-2)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度４
ＮのＴａ粉末をＲｕ−０．１ａｔ％Ｔａ、Ｒｕ−５ａｔ
％Ｔａ、Ｒｕ−１８ａｔ％Ｔａ、Ｒｕ−４３ａｔ％Ｔ
ａ、Ｒｕ−５４ａｔ％Ｔａになるように配合した。これ
らの粉末をプラズマ溶融法により合金化させた粉末を作
製した。得られた各粉末をカーボン型内に充填してホッ
トプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中に
て９００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つ
づいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加え
つつ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１８５０℃で５時間保
持することによ５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却
は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却
速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径
１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッ
キングプレートにろう付け接合することによって、５種
類のＲｕＴａターゲットを製造した。
ＮのＴａ粉末をＲｕ−０．１ａｔ％Ｔａ、Ｒｕ−５ａｔ
％Ｔａ、Ｒｕ−１８ａｔ％Ｔａ、Ｒｕ−４３ａｔ％Ｔ
ａ、Ｒｕ−５４ａｔ％Ｔａになるように配合した。これ
らの粉末をプラズマ溶融法により合金化させた粉末を作
製した。得られた各粉末をカーボン型内に充填してホッ
トプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中に
て９００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つ
づいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加え
つつ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１８５０℃で５時間保
持することによ５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却
は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却
速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径
１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッ
キングプレートにろう付け接合することによって、５種
類のＲｕＴａターゲットを製造した。
【００８１】(5-3)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度３
ＮのＴｈ粉末をＲｕ−０．８ａｔ％Ｔｈ、Ｒｕ−６ａｔ
％Ｔｈ、Ｒｕ−２９ａｔ％Ｔｈ、Ｒｕ−３８ａｔ％Ｔ
ｈ、Ｒｕ−７１ａｔ％Ｔｈになるように配合した。これ
らの粉末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合し
た。得られた各粉末をカーボン型内に充填してプラズマ
放電焼結装１にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中に
て９００℃、保持時間１０分の脱ガス処理を行った。つ
づいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加え
つつ、昇温速度４０℃／ｍｉｎ、１７００℃で５時間保
持することにより５種の焼結体を作製した。ひきつづ
き、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに
機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け
接合することによって、５種類のＲｕＴｈターゲットを
製造した。
ＮのＴｈ粉末をＲｕ−０．８ａｔ％Ｔｈ、Ｒｕ−６ａｔ
％Ｔｈ、Ｒｕ−２９ａｔ％Ｔｈ、Ｒｕ−３８ａｔ％Ｔ
ｈ、Ｒｕ−７１ａｔ％Ｔｈになるように配合した。これ
らの粉末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合し
た。得られた各粉末をカーボン型内に充填してプラズマ
放電焼結装１にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中に
て９００℃、保持時間１０分の脱ガス処理を行った。つ
づいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加え
つつ、昇温速度４０℃／ｍｉｎ、１７００℃で５時間保
持することにより５種の焼結体を作製した。ひきつづ
き、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに
機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け
接合することによって、５種類のＲｕＴｈターゲットを
製造した。
【００８２】前記(5-1)〜(5-3)で製造したＲｕ合金ター
ゲット中の各元素の含有量について、ＩＣＰ−ＭＡＳＳ
（セイコーインスツルメント社製商品名；ＳＰＱ９００
０）を用いて測定した。その結果を下記表５に示す。
ゲット中の各元素の含有量について、ＩＣＰ−ＭＡＳＳ
（セイコーインスツルメント社製商品名；ＳＰＱ９００
０）を用いて測定した。その結果を下記表５に示す。
【００８３】また、実施例１の(1-1)で製造したＲｕタ
ーゲトおよび前記(5-1)〜(5-3)で製造したＲｕ合金ター
ゲットを予めＣｕＮ膜が被覆された５枚の直径４インチ
のＳｉウェハ上（Ｃｕ膜上）にそれぞれ実施例４と同様
な条件でスパッタし、１０ｎｍの厚さのＲｕ酸化物薄
膜、Ｒｕ合金酸化物薄膜を成膜した。
ーゲトおよび前記(5-1)〜(5-3)で製造したＲｕ合金ター
ゲットを予めＣｕＮ膜が被覆された５枚の直径４インチ
のＳｉウェハ上（Ｃｕ膜上）にそれぞれ実施例４と同様
な条件でスパッタし、１０ｎｍの厚さのＲｕ酸化物薄
膜、Ｒｕ合金酸化物薄膜を成膜した。
【００８４】得られた各ウェハを真空中、４５０℃×３
０ｍｉｎの熱処理を施した後、ウェハの中央部、端部お
よび中央部と端部の間から３０ｍｍ角のサンプルを取出
し、実施例１と同様の方法により比抵抗測定および膜剥
がれの状態を調べた。これらの結果を下記表５に示す。
０ｍｉｎの熱処理を施した後、ウェハの中央部、端部お
よび中央部と端部の間から３０ｍｍ角のサンプルを取出
し、実施例１と同様の方法により比抵抗測定および膜剥
がれの状態を調べた。これらの結果を下記表５に示す。
【００８５】
【表５】
【００８６】前記表５から明らかのようにＸ元素１〜５
０原子％、残部が実質的にＲｕである組成（ここで、Ｘ
元素はＸ元素の原子量÷Ｒｕの原子量＝０．２〜２の範
囲で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ
族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の
元素から選ばれる少なくとも１種の元素、つまりＡｌ，
Ｔａ）からなるＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．８〜Ｎｏ．
１０のスパッタリングターゲットをスパッタリングする
ことにより成膜されたＲｕ合金酸化物薄膜は、下地膜で
あるＣｕ膜に対して高い密着力を有することがわかる。
０原子％、残部が実質的にＲｕである組成（ここで、Ｘ
元素はＸ元素の原子量÷Ｒｕの原子量＝０．２〜２の範
囲で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ
族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の
元素から選ばれる少なくとも１種の元素、つまりＡｌ，
Ｔａ）からなるＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．８〜Ｎｏ．
１０のスパッタリングターゲットをスパッタリングする
ことにより成膜されたＲｕ合金酸化物薄膜は、下地膜で
あるＣｕ膜に対して高い密着力を有することがわかる。
【００８７】また、前述した図１の半導体装置において
前記実施例１〜４のＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．６〜Ｎ
ｏ．１０のスパッタリングターゲットおよび実施例５の
Ｎｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．８〜Ｎｏ．１０のスパッタ
リングターゲットをスパッタリングしてＲｕ合金薄膜ま
たはＲｕ合金酸化物薄膜を成膜し、これら薄膜をパター
ニングすることによって、プラグ１０2上のバリア層１
１に対して高い密着力を有し、かつ小さい比抵抗を有す
る下部電極１４を形成することができた。
前記実施例１〜４のＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．６〜Ｎ
ｏ．１０のスパッタリングターゲットおよび実施例５の
Ｎｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．８〜Ｎｏ．１０のスパッタ
リングターゲットをスパッタリングしてＲｕ合金薄膜ま
たはＲｕ合金酸化物薄膜を成膜し、これら薄膜をパター
ニングすることによって、プラグ１０2上のバリア層１
１に対して高い密着力を有し、かつ小さい比抵抗を有す
る下部電極１４を形成することができた。
【００８８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればプ
ラグやバリアメタルのような下地に対する密着力が高
く、膜剥がれを防止でき、かつ電極として用いた場合、
比抵抗が小さいＲｕ膜あるいはＲｕ酸化物の薄膜をスパ
ッタリングにより成膜することが可能なスパッタリング
ターゲットを提供することができる。
ラグやバリアメタルのような下地に対する密着力が高
く、膜剥がれを防止でき、かつ電極として用いた場合、
比抵抗が小さいＲｕ膜あるいはＲｕ酸化物の薄膜をスパ
ッタリングにより成膜することが可能なスパッタリング
ターゲットを提供することができる。
【図１】本発明に係るスパッタリングターゲットをスパ
ッタし、パターニングすることにより形成された下部電
極（キャパシタの下部電極）を備えた半導体装置を示す
断面図。
ッタし、パターニングすることにより形成された下部電
極（キャパシタの下部電極）を備えた半導体装置を示す
断面図。
１…ｎ型シリコン基板、 ２…ｐウェル、 ４…ｎ+型ソース領域、 ５…ｎ+型ドレイン領域、 ６…ゲート電極、 １０1，１０2…プラグ、 １１…バリア層、 １４…下部電極、 １５…キャパシタ絶縁膜、 １６…上部電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/285 ３０１ Ｈ０１Ｌ 21/285 ３０１Ｚ 21/316 21/316 Ｙ 27/108 27/10 ６２１Ｃ 21/8242 (72)発明者 石上 隆 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 矢部 洋一郎 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 東 芝電子エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 渡辺 高志 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 鈴木 幸伸 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 高阪 泰郎 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Ｆターム(参考） 4K029 AA06 BA21 BA50 BD01 BD02 CA05 CA06 DC03 DC04 DC09 4M104 BB04 BB36 BB38 BB39 DD40 GG16 HH08 5F058 BA11 BC03 BF12 5F083 AD24 GA18 GA25 JA06 JA14 JA31 JA36 JA37 JA38 JA39 JA40 JA43 MA06 MA17 PR22 5F103 AA08 BB14 BB22 DD27 LL01 LL14 RR05
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｘ元素１〜５０原子％、残部が実質的に
Ｒｕであって、 前記Ｘ元素は、［Ｘ元素の原子量÷Ｒｕの原子量（１０
１．０７）］＝０．２〜２の範囲で、かつ比抵抗が６０
μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ
族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素から選ばれる少なくと
も１種の元素からなることを特徴とするスパッタリング
ターゲット。 - 【請求項２】 前記Ｘ元素は、ロジウム、パラジウム、
イリジウム、白金、銅、銀および金から選ばれる少なく
とも１種の元素であることを特徴とする請求項１記載の
スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】 前記Ｘ元素の含有量は、２〜３０原子％
であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリング
ターゲット。 - 【請求項４】 不純物元素としてのナトリウム、カリウ
ム、カルシウム、マグネシウム、ウランおよびトリウム
の各元素の合計含有量が５００ｐｐｍ以下であることを
特徴とする請求項１または２記載のスパッタリングター
ゲット。 - 【請求項５】 Ｃｕ、Ａｌもしくはこれらの合金材のバ
ッキングプレートが拡散接合もしくはソルダー接合され
ていることを特徴とする請求項１ないし４いずれか記載
のスパッタリングターゲット。
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|---|---|---|---|
| JP2000364514A JP4503817B2 (ja) | 2000-11-30 | 2000-11-30 | スパッタリングターゲットおよび薄膜 |
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-
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- 2000-11-30 JP JP2000364514A patent/JP4503817B2/ja not_active Expired - Fee Related
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