JP2002158056A - 電気接点部材およびその製造方法 - Google Patents
電気接点部材およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 突き当て式コネクタ用として、小さい接触力
（０．１Ｎ〜０．５Ｎ）で、多数回（１００回〜１００
００回）の嵌合・離脱においても安定な接触抵抗を可能
にすることができる電気接触部材とその製造方法とを提
供すること。 【解決手段】 ばね性を備えた電気接点部材において、
電気接点部材の表面の少なくとも一部に粒子径１．０〜
５．０μｍの硬質粒子１５ｂを含む複合めっきから成る
第１のめっき層１５ａと、前記第１のめっき層１５ａ上
に前記複合めっきと同種の金属めっきから成る第２のめ
っき層１５ａと、前記第２のめっき層１５ａ上に前記第
２のめっき層１５ａと異なり、かつ仕上げめっきとして
の金属めっきから成る第３のめっき層１５ｃとを施し
た。
（０．１Ｎ〜０．５Ｎ）で、多数回（１００回〜１００
００回）の嵌合・離脱においても安定な接触抵抗を可能
にすることができる電気接触部材とその製造方法とを提
供すること。 【解決手段】 ばね性を備えた電気接点部材において、
電気接点部材の表面の少なくとも一部に粒子径１．０〜
５．０μｍの硬質粒子１５ｂを含む複合めっきから成る
第１のめっき層１５ａと、前記第１のめっき層１５ａ上
に前記複合めっきと同種の金属めっきから成る第２のめ
っき層１５ａと、前記第２のめっき層１５ａ上に前記第
２のめっき層１５ａと異なり、かつ仕上げめっきとして
の金属めっきから成る第３のめっき層１５ｃとを施し
た。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気接点部材とそ
の製造方法に関し、詳しくは、突き当て式コネクタに適
用され、多数回の嵌合・離脱においても安定な接触抵抗
を可能にする電気接点部材およびその製造方法に関す
る。
の製造方法に関し、詳しくは、突き当て式コネクタに適
用され、多数回の嵌合・離脱においても安定な接触抵抗
を可能にする電気接点部材およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、電子機器等に用いられているコネ
クタの大部分は摺動を伴うスライド式接触機構を有す
る。これは、接触金属表面上に生成した酸化物、硫化
物、大気中からの吸着汚染物、ピンホールからの腐食物
などを摺動により排除し、確実に金属接触を行わせ導通
を安定化させるためである。
クタの大部分は摺動を伴うスライド式接触機構を有す
る。これは、接触金属表面上に生成した酸化物、硫化
物、大気中からの吸着汚染物、ピンホールからの腐食物
などを摺動により排除し、確実に金属接触を行わせ導通
を安定化させるためである。
【０００３】しかしながら、このスライド式の場合、嵌
合・離脱時には挿入力と抜去力が発生し、操作に大きな
力が必要となる。また、摺動により金属摩耗が進行する
という欠点があった。
合・離脱時には挿入力と抜去力が発生し、操作に大きな
力が必要となる。また、摺動により金属摩耗が進行する
という欠点があった。
【０００４】これに対して、突き当て式のコネクタの場
合、通常の摺動を伴うコネクタ（スライド式）に比べ、
挿入，抜去時の力が小さく、嵌合・離脱の操作，取り扱
いが楽でまた簡単であるという利点がある。
合、通常の摺動を伴うコネクタ（スライド式）に比べ、
挿入，抜去時の力が小さく、嵌合・離脱の操作，取り扱
いが楽でまた簡単であるという利点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この突
き当て式のコネクタの場合、電気接点部材としてのコン
タクトの金属接触時の摺動がほとんど発生しないため、
接触金属表面上に形成された酸化皮膜、硫化皮膜酸や付
着した汚染物、腐食物等の排除ができなく接触抵抗が上
昇し導通が不安定になるという欠点があった。
き当て式のコネクタの場合、電気接点部材としてのコン
タクトの金属接触時の摺動がほとんど発生しないため、
接触金属表面上に形成された酸化皮膜、硫化皮膜酸や付
着した汚染物、腐食物等の排除ができなく接触抵抗が上
昇し導通が不安定になるという欠点があった。
【０００６】この欠点を補うため、従来接触金属として
酸化膜、硫化膜が生成しない金を採用し、また、突き当
てによる接触力を、０．５Ｎ以上とし、更に、１ｍｍ前
後の摺動が発生するように、コンタクト形状を工夫する
ことで対処していた。
酸化膜、硫化膜が生成しない金を採用し、また、突き当
てによる接触力を、０．５Ｎ以上とし、更に、１ｍｍ前
後の摺動が発生するように、コンタクト形状を工夫する
ことで対処していた。
【０００７】しかし、この場合においても、大きい接触
力とスライド式よりは短いが、摺動により接触金属の摩
耗が進行し、多数回（１０００回以上）の使用に耐えら
れないという状況であった。また、コンタクト芯数が多
くなれば突き当てによる総合接触力が大きくなり、嵌合
状態を保持するためのロック機構をより強固なものにす
る必要があるなど突き当て式のコネクタの使用を困難に
していた。
力とスライド式よりは短いが、摺動により接触金属の摩
耗が進行し、多数回（１０００回以上）の使用に耐えら
れないという状況であった。また、コンタクト芯数が多
くなれば突き当てによる総合接触力が大きくなり、嵌合
状態を保持するためのロック機構をより強固なものにす
る必要があるなど突き当て式のコネクタの使用を困難に
していた。
【０００８】これに対し、接触金属の表面上に突起を形
成させ相手金属に対して突き刺すことにより、汚染皮膜
を破り金属接触を確保するという提案がされている（特
開平１１−７４０１２号公報、以下、参考例と呼ぶ、参
照）。
成させ相手金属に対して突き刺すことにより、汚染皮膜
を破り金属接触を確保するという提案がされている（特
開平１１−７４０１２号公報、以下、参考例と呼ぶ、参
照）。
【０００９】しかしながら、この参考例においては、ば
ね性を備えたコンタクトを押し付けることによって、微
小の摺動が発生し、これによって、コンタクトの相手金
属を摩耗させ、ダメージを与えたり、多数回（例えば、
１００回）のコネクタの嵌合には耐えられないという欠
点を有している。
ね性を備えたコンタクトを押し付けることによって、微
小の摺動が発生し、これによって、コンタクトの相手金
属を摩耗させ、ダメージを与えたり、多数回（例えば、
１００回）のコネクタの嵌合には耐えられないという欠
点を有している。
【００１０】そこで、本発明の一技術的課題は、突き当
て式コネクタ用として、小さい接触力（０．１Ｎ〜０．
５Ｎ）で、多数回（１００回〜１００００回）の嵌合・
離脱においても安定な接触抵抗を可能にすることができ
る電気接触部材とその製造方法とを提供することにあ
る。
て式コネクタ用として、小さい接触力（０．１Ｎ〜０．
５Ｎ）で、多数回（１００回〜１００００回）の嵌合・
離脱においても安定な接触抵抗を可能にすることができ
る電気接触部材とその製造方法とを提供することにあ
る。
【００１１】また、本発明のもう一つの技術的課題は、
小さい接触力で可能なため多芯数においても、総合接触
力を小さく抑えることができ、ロック機構を簡便にする
ことが可能となる電気接触部材と、その製造方法と、そ
れを用いたコネクタとを提供することにある。
小さい接触力で可能なため多芯数においても、総合接触
力を小さく抑えることができ、ロック機構を簡便にする
ことが可能となる電気接触部材と、その製造方法と、そ
れを用いたコネクタとを提供することにある。
【００１２】さらに、本発明のさらにもう一つの技術的
課題は、コンタクト形状をシンプルにできる電気接触部
材と、その製造方法と、それを用いたコネクタとを提供
することにある。
課題は、コンタクト形状をシンプルにできる電気接触部
材と、その製造方法と、それを用いたコネクタとを提供
することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ばね性
を備えた電気接点部材において、電気接点部材の表面の
少なくとも一部に粒子径１．０〜５．０μｍの硬質粒子
を含む複合めっきから成る第１のめっき層と、前記第１
のめっき層上に前記複合めっきと同種の金属めっきから
成る第２のめっき層と、前記第２のめっき層上に前記第
２のめっき層と異なり、かつ仕上げめっきとしての金属
めっきから成る第３のめっき層とを施したことを特徴と
する電気接点部材が得られる。
を備えた電気接点部材において、電気接点部材の表面の
少なくとも一部に粒子径１．０〜５．０μｍの硬質粒子
を含む複合めっきから成る第１のめっき層と、前記第１
のめっき層上に前記複合めっきと同種の金属めっきから
成る第２のめっき層と、前記第２のめっき層上に前記第
２のめっき層と異なり、かつ仕上げめっきとしての金属
めっきから成る第３のめっき層とを施したことを特徴と
する電気接点部材が得られる。
【００１４】また、本発明によれば、前記電気接点部材
において、前記硬質粒子によって、前記電気接点部材の
表面の少なくとも一部に夫々高さが３μｍ以下の複数の
突起部が形成されていることを特徴とする電気接点部材
が得られる。
において、前記硬質粒子によって、前記電気接点部材の
表面の少なくとも一部に夫々高さが３μｍ以下の複数の
突起部が形成されていることを特徴とする電気接点部材
が得られる。
【００１５】また、本発明によれば、前記いずれか一つ
の電気接点部材において、前記第３のめっき層は、錫、
ニッケル、銀の内の少なくとも一種を含む合金から実質
的になることを特徴とする電気接点部材が得られる。
の電気接点部材において、前記第３のめっき層は、錫、
ニッケル、銀の内の少なくとも一種を含む合金から実質
的になることを特徴とする電気接点部材が得られる。
【００１６】また、本発明によれば、前記いずれか一つ
の電気接点部材において、前記第１のめっき層は、ニッ
ケル複合めっき層から実質的になることを特徴とする電
気接点部材が得られる。
の電気接点部材において、前記第１のめっき層は、ニッ
ケル複合めっき層から実質的になることを特徴とする電
気接点部材が得られる。
【００１７】また、本発明によれば、前記いずれか一つ
の電気接点部材をコンタクトに用いたことを特徴とする
コネクタが得られる。
の電気接点部材をコンタクトに用いたことを特徴とする
コネクタが得られる。
【００１８】また、本発明によれば、前記コネクタにお
いて、前記電気接点部材は突き当て式の前記コンタクト
に用いたことを特徴とするコネクタが得られる。
いて、前記電気接点部材は突き当て式の前記コンタクト
に用いたことを特徴とするコネクタが得られる。
【００１９】また、本発明によれば、電気接点部材の形
成方法において、電気接点部材の表面の少なくとも一部
に、粒子径１．０〜５．０μｍの硬質粒子を含む電解ま
たは無電解複合めっきによって硬質粒子を共析させて突
起部を形成する第１工程と、前記複合めっきと同種の金
属めっきにより突起部の高さを制御し、かつ粒子部表面
を覆う第２工程と、前記複合めっきと異なり、かつ仕上
げめっきとしての金属めっきを施す第３工程とを備えて
いることを特徴とする電気接点部材の製造方法が得られ
る。
成方法において、電気接点部材の表面の少なくとも一部
に、粒子径１．０〜５．０μｍの硬質粒子を含む電解ま
たは無電解複合めっきによって硬質粒子を共析させて突
起部を形成する第１工程と、前記複合めっきと同種の金
属めっきにより突起部の高さを制御し、かつ粒子部表面
を覆う第２工程と、前記複合めっきと異なり、かつ仕上
げめっきとしての金属めっきを施す第３工程とを備えて
いることを特徴とする電気接点部材の製造方法が得られ
る。
【００２０】また、本発明によれば、前記電気接点部材
の製造方法において、前記硬質粒子によって、前記電気
接点部材の表面の少なくとも一部に夫々高さが３μｍ以
下の複数の突起部を形成することを特徴とする電気接点
部材の製造方法が得られる。
の製造方法において、前記硬質粒子によって、前記電気
接点部材の表面の少なくとも一部に夫々高さが３μｍ以
下の複数の突起部を形成することを特徴とする電気接点
部材の製造方法が得られる。
【００２１】また、本発明によれば、前記いずれか一つ
の電気接点部材の製造方法において、前記第３のめっき
層は、錫、ニッケル、銀の内の少なくとも一種を含む合
金から実質的になることを特徴とする電気接点部材の製
造方法が得られる。
の電気接点部材の製造方法において、前記第３のめっき
層は、錫、ニッケル、銀の内の少なくとも一種を含む合
金から実質的になることを特徴とする電気接点部材の製
造方法が得られる。
【００２２】さらに、本発明によれば、前記いずれか一
つの電気接点部材の製造方法において、前記第１のめっ
き層は、ニッケル複合めっき層から実質的になることを
特徴とする電気接点部材の製造方法が得られる。
つの電気接点部材の製造方法において、前記第１のめっ
き層は、ニッケル複合めっき層から実質的になることを
特徴とする電気接点部材の製造方法が得られる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００２４】図１（ａ）は本発明の実施の形態によるコ
ネクタを示す斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）のコネク
タのレセプタクル側コネクタのコンタクトとプラグ側コ
ネクタのコンタクトとの接触の説明に供せられる斜視図
である。
ネクタを示す斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）のコネク
タのレセプタクル側コネクタのコンタクトとプラグ側コ
ネクタのコンタクトとの接触の説明に供せられる斜視図
である。
【００２５】図１（ａ）を参照すると、本発明の実施の
形態によるコネクタ３０は、互いに接触面を対向させて
接触するプラグコネクタ１０とレセプタクルコネクタ２
０とを備えている。
形態によるコネクタ３０は、互いに接触面を対向させて
接触するプラグコネクタ１０とレセプタクルコネクタ２
０とを備えている。
【００２６】プラグコネクタ１０は、インシュレータ２
と、このインシュレータ２の収容部２ａに収容された電
気接点としてのプラグコンタクト１とを備えている。
と、このインシュレータ２の収容部２ａに収容された電
気接点としてのプラグコンタクト１とを備えている。
【００２７】また、レセプタクルコネクタ２０は、接触
側の一面に形成された矩形の電極１１と、他面に形成さ
れ電極１１に夫々接続する導体パターン１２とを備えて
いる。
側の一面に形成された矩形の電極１１と、他面に形成さ
れ電極１１に夫々接続する導体パターン１２とを備えて
いる。
【００２８】矢印５に示されるように、プラグコンタク
ト１と電極１１とは、接触及び離脱する。
ト１と電極１１とは、接触及び離脱する。
【００２９】図１（ｂ）に示すように、レセプタクルコ
ンタクトである電極１１は平板形状を備えている。
ンタクトである電極１１は平板形状を備えている。
【００３０】一方、プラグコンタクト１は、四角板状で
インシュレータ２に支持された支持部１ａと、支持部１
ａの一端から延び、折れ曲がって斜め下方に延び、さら
に、折れ曲がって支持部と平行に延在する基板実装用の
端子部１ｂと、支持部１ａの他端から外方延在し、上方
にＵターンして幾分支持部１ａ側に戻る形状のＵターン
部１ｄ、Ｕターン部１ｄからさらに上方に凸となるよう
に湾曲した湾曲部１ｅ、及び先端部１ｆを備え、先端部
１ｆがこの湾曲部１ｅの内側となるように形成されたバ
ネ性を備えた接触部１ｃとを備えている。
インシュレータ２に支持された支持部１ａと、支持部１
ａの一端から延び、折れ曲がって斜め下方に延び、さら
に、折れ曲がって支持部と平行に延在する基板実装用の
端子部１ｂと、支持部１ａの他端から外方延在し、上方
にＵターンして幾分支持部１ａ側に戻る形状のＵターン
部１ｄ、Ｕターン部１ｄからさらに上方に凸となるよう
に湾曲した湾曲部１ｅ、及び先端部１ｆを備え、先端部
１ｆがこの湾曲部１ｅの内側となるように形成されたバ
ネ性を備えた接触部１ｃとを備えている。
【００３１】矢印６で示される方向で、プラグコンタク
ト１と電極１１とは、接触及び脱離する。
ト１と電極１１とは、接触及び脱離する。
【００３２】次に、本発明のコネクタの原理について説
明する。
明する。
【００３３】本発明者らは、突き当て接触機構について
誠意検討した結果、接触における理想的嵌合条件におけ
る場合においても、プラグコンタクト対レセプタクルコ
ンタクトの接触により、ミクロ的に観察した場合、接触
部分には微少な摺動が発生することを見出した。
誠意検討した結果、接触における理想的嵌合条件におけ
る場合においても、プラグコンタクト対レセプタクルコ
ンタクトの接触により、ミクロ的に観察した場合、接触
部分には微少な摺動が発生することを見出した。
【００３４】これは、本発明のように、突き当て方式に
する場合、少なくとも一方のコンタクト（主にプラグ
側）を接触力が発生するようバネ性のある形状にするこ
とが有効であるためである。
する場合、少なくとも一方のコンタクト（主にプラグ
側）を接触力が発生するようバネ性のある形状にするこ
とが有効であるためである。
【００３５】バネ性のない、例えば、棒状のものを用い
た場合、接触力を発生させるためにスプリングなどのコ
ンタクトを押し付けるための別の機構を加える必要があ
り構造的に複雑となるため好ましくない。
た場合、接触力を発生させるためにスプリングなどのコ
ンタクトを押し付けるための別の機構を加える必要があ
り構造的に複雑となるため好ましくない。
【００３６】これに対して、本発明のように、バネ性の
あるコンタクトをレセプタクル側の平面に押し当てた場
合、押し付ける力（接触力）によりコンタクトは微少変
形し同時に微少の摺動が生じることとなる。
あるコンタクトをレセプタクル側の平面に押し当てた場
合、押し付ける力（接触力）によりコンタクトは微少変
形し同時に微少の摺動が生じることとなる。
【００３７】この摺動距離は、バネ変形量すなわち接触
力に関係し、バネ変形量は、コンタクトの特性（素材，
板厚，形状など）に関係する。
力に関係し、バネ変形量は、コンタクトの特性（素材，
板厚，形状など）に関係する。
【００３８】図２は図１（ａ）及び（ｂ）に示した本発
明の実施の形態によるコネクタと同様な形状のものにお
けるプラグコンタクトと平面との突き当ての場合の摺動
距離と接触力との関係を示す図である。
明の実施の形態によるコネクタと同様な形状のものにお
けるプラグコンタクトと平面との突き当ての場合の摺動
距離と接触力との関係を示す図である。
【００３９】図２に示すように、接触力が０．４Ｎ以下
では１００μｍ以下の摺動が略比例関係を保って発生す
る。また、プラグ側として棒状のものを用いた場合、面
に対して正確に突き当てれば摺動はないが、振動やプラ
グとレセプタクルの突き当て角度の変化により容易に摺
動が発生してしまうことが判明した。
では１００μｍ以下の摺動が略比例関係を保って発生す
る。また、プラグ側として棒状のものを用いた場合、面
に対して正確に突き当てれば摺動はないが、振動やプラ
グとレセプタクルの突き当て角度の変化により容易に摺
動が発生してしまうことが判明した。
【００４０】このような突き当て式接触において、突起
のある金属表面を用いた場合、より汚染皮膜を破り、金
属接触を確保するためには、突起は凸部が大きく鋭い形
状の方が良い。
のある金属表面を用いた場合、より汚染皮膜を破り、金
属接触を確保するためには、突起は凸部が大きく鋭い形
状の方が良い。
【００４１】しかしながら、上記で説明のように微少の
摺動が生じるため、突起部は相手金属を摩耗させダメー
ジを与えることが判明した。このため１００回以上の多
数回使用には、採用できないということがわかった。
摺動が生じるため、突起部は相手金属を摩耗させダメー
ジを与えることが判明した。このため１００回以上の多
数回使用には、採用できないということがわかった。
【００４２】したがって、本発明者らは、鋭意検討を重
ねた結果、硬質の粒子（１．０から５．０μｍ径）を含
有させためっき皮膜で、突起部の高さを３μｍ以下と
し、最適には０．５〜１．５μｍとすれば、突起による
汚染皮膜の突き破りの効果を保持し更に微少の摺動発生
によるワイピング効果をより効果のあるものにすること
ができ、しかも、相手金属に対する摩耗によるダメージ
を抑えることができるということが判った。
ねた結果、硬質の粒子（１．０から５．０μｍ径）を含
有させためっき皮膜で、突起部の高さを３μｍ以下と
し、最適には０．５〜１．５μｍとすれば、突起による
汚染皮膜の突き破りの効果を保持し更に微少の摺動発生
によるワイピング効果をより効果のあるものにすること
ができ、しかも、相手金属に対する摩耗によるダメージ
を抑えることができるということが判った。
【００４３】これによって、突き当て式のコンタクトに
おいても、１００回以上の多数回嵌合が可能となった。
おいても、１００回以上の多数回嵌合が可能となった。
【００４４】更に、本発明によって、酸化膜や硫化膜の
生成する錫および錫合金，ニッケルおよびニッケル合
金，銀および銀合金を、金の代替え接触金属として採用
することが可能となった。
生成する錫および錫合金，ニッケルおよびニッケル合
金，銀および銀合金を、金の代替え接触金属として採用
することが可能となった。
【００４５】次に、本発明の実施の形態におけるコネク
タの突き当て式用の電気接点部材の製造方法について説
明する。
タの突き当て式用の電気接点部材の製造方法について説
明する。
【００４６】電気接点部材は、低接触力でしかも多数回
の嵌合においても安定した接触抵抗を維持し、更に金以
外のより卑な金属を採用するために、硬質の粒子（１．
０から５．０μｍ径）を含有させためっき皮膜で、突起
部の高さを３μｍ以下とし、最適には０．５〜１．５μ
ｍとすればよい。
の嵌合においても安定した接触抵抗を維持し、更に金以
外のより卑な金属を採用するために、硬質の粒子（１．
０から５．０μｍ径）を含有させためっき皮膜で、突起
部の高さを３μｍ以下とし、最適には０．５〜１．５μ
ｍとすればよい。
【００４７】この電気接点部材を形成するために、素材
上の第１のめっき層として硬質粒子を含むニッケル複合
めっき方法により粒子をニッケルとともに共析させ、突
起表面を形成させる。この場合、めっきは電解法あるい
は無電解法のいずれも用いることができる。また、粒子
は硬質で不溶性のものであれば、内容をとわないが、好
ましくは導電性を持つものがよく、ＴｉＮ，ＷＣ，Ｚｒ
Ｂ２，Ｎｉ粒子が適する。
上の第１のめっき層として硬質粒子を含むニッケル複合
めっき方法により粒子をニッケルとともに共析させ、突
起表面を形成させる。この場合、めっきは電解法あるい
は無電解法のいずれも用いることができる。また、粒子
は硬質で不溶性のものであれば、内容をとわないが、好
ましくは導電性を持つものがよく、ＴｉＮ，ＷＣ，Ｚｒ
Ｂ２，Ｎｉ粒子が適する。
【００４８】更に、第１のめっき層上を覆うように形成
される第２のめっき層として、粒子を含まないめっき液
によりニッケル皮膜を電気めっきにより生成させ、粒子
表面のニッケル被覆を十分に達成すると同時に突起の高
さを調整する。この場合、突起部によりめっき電流の集
中が生じ突起部の高さが大きくなるためレベリング作用
のあるめっき光沢剤を用いることで、高さを抑えること
ができる。
される第２のめっき層として、粒子を含まないめっき液
によりニッケル皮膜を電気めっきにより生成させ、粒子
表面のニッケル被覆を十分に達成すると同時に突起の高
さを調整する。この場合、突起部によりめっき電流の集
中が生じ突起部の高さが大きくなるためレベリング作用
のあるめっき光沢剤を用いることで、高さを抑えること
ができる。
【００４９】更に、第２のめっき層を覆う第３のめっき
層として、接触用の金属錫及び錫合金，ニッケルおよび
ニッケル合金，銀および銀合金を電解法あるいは無電解
法で生成させ、図３に示すような表面状態を備えた本発
明の電気接点部材が完成する。
層として、接触用の金属錫及び錫合金，ニッケルおよび
ニッケル合金，銀および銀合金を電解法あるいは無電解
法で生成させ、図３に示すような表面状態を備えた本発
明の電気接点部材が完成する。
【００５０】次に、本発明の実施の形態による電気接点
部材の具体例について説明する。
部材の具体例について説明する。
【００５１】以下の例においては、プラグコンタクトを
バネ性のある図１の形状のコンタクトを用いるととも
に、レセプタクルコンタクトとしてフラットな面を持つ
コンタクトを用い、６芯を１コネクタとして、突き当て
による嵌合・離脱による接触抵抗の状況を測定した。
バネ性のある図１の形状のコンタクトを用いるととも
に、レセプタクルコンタクトとしてフラットな面を持つ
コンタクトを用い、６芯を１コネクタとして、突き当て
による嵌合・離脱による接触抵抗の状況を測定した。
【００５２】下記表１の試料１乃至試料８の結果は、○
は接触抵抗安定で良好×は、接触抵抗上昇し不安定で不
良を示す。また、試料１，３，５，７は本発明例、試料
２，４，６，８は比較例である。
は接触抵抗安定で良好×は、接触抵抗上昇し不安定で不
良を示す。また、試料１，３，５，７は本発明例、試料
２，４，６，８は比較例である。
【００５３】
【表１】
【００５４】また、試料１乃至試料６（接触金属として
錫、錫・鉛合金，ニッケル）についてはめっき処理後２
週間室内オフィス環境中に、例７（接触金属として銀）
についてはめっき処理後１ケ月間室内オフィス環境中に
放置後試験に使用した。
錫、錫・鉛合金，ニッケル）についてはめっき処理後２
週間室内オフィス環境中に、例７（接触金属として銀）
についてはめっき処理後１ケ月間室内オフィス環境中に
放置後試験に使用した。
【００５５】ここで、試料１では、レセプタクル側とし
て、平均粒径２μｍのＺｒＢ２硬質粒子を３０ｇ／Ｌの
濃度でスルファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして換
算）１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ，ほう酸３０ｇ／Ｌ〜
５０ｇ／Ｌの範囲で調製したニッケル複合めっき液によ
り、液温６０℃で、電流密度２０Ａ／ｄｍ２で６０秒間
めっきし、粒子をニッケル析出により固定し、突起部の
ある第１層とした。次に表面に完全に固定されていない
粒子や付着しただけの粒子を取り除くために温度５０℃
の水を用いて超音波洗浄を実施し不要な粒子を取り除く
工程を実施した。次に、粒子を含まないスルファミン酸
ニッケル（金属ニッケルとして換算）１００ｇ／Ｌ〜１
４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調
製したニッケルめっき液にさらに一次光沢剤および二次
光沢剤を適量添加しレベリング作用のあるめっき液とし
た。
て、平均粒径２μｍのＺｒＢ２硬質粒子を３０ｇ／Ｌの
濃度でスルファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして換
算）１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ，ほう酸３０ｇ／Ｌ〜
５０ｇ／Ｌの範囲で調製したニッケル複合めっき液によ
り、液温６０℃で、電流密度２０Ａ／ｄｍ２で６０秒間
めっきし、粒子をニッケル析出により固定し、突起部の
ある第１層とした。次に表面に完全に固定されていない
粒子や付着しただけの粒子を取り除くために温度５０℃
の水を用いて超音波洗浄を実施し不要な粒子を取り除く
工程を実施した。次に、粒子を含まないスルファミン酸
ニッケル（金属ニッケルとして換算）１００ｇ／Ｌ〜１
４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調
製したニッケルめっき液にさらに一次光沢剤および二次
光沢剤を適量添加しレベリング作用のあるめっき液とし
た。
【００５６】液温６０℃で、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で
５０秒間めっきし、突起部のさらなるニッケルめっきの
被服と高さ調整を行ない第２層とした。さらに接触金属
として、硫酸第一錫（金属錫として換算）３０ｇ／Ｌ、
濃硫酸１３０ｇ／Ｌに光沢剤を適量加えた錫めっき液を
調製し、液温２０℃で電流密度３Ａ／ｄｍ２で１２０秒
間めっきし第３のめっき層とした。
５０秒間めっきし、突起部のさらなるニッケルめっきの
被服と高さ調整を行ない第２層とした。さらに接触金属
として、硫酸第一錫（金属錫として換算）３０ｇ／Ｌ、
濃硫酸１３０ｇ／Ｌに光沢剤を適量加えた錫めっき液を
調製し、液温２０℃で電流密度３Ａ／ｄｍ２で１２０秒
間めっきし第３のめっき層とした。
【００５７】図３は試料１の電気接点部材の表面を示す
電子顕微鏡写真である。
電子顕微鏡写真である。
【００５８】試料１のプラグ側は、粒子を含まないスル
ファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして換算）１００
ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ
の範囲で調整したニッケルめっき液にさらに一次光沢剤
および二次光沢剤を適量添加しレベリング作用のあるめ
っき液とした。液温６０℃、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で
９０秒間めっきし第１層とした。さらに接触金属とし
て、硫酸第一錫（金属錫として換算）３０ｇ／Ｌ、濃硫
酸１３０ｇ／Ｌに光沢剤を適量加えた錫めっき液を調整
し、液温２０℃、電流密度３Ａ／ｄｍ２で１２０秒間め
っきし第２層とした。
ファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして換算）１００
ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ
の範囲で調整したニッケルめっき液にさらに一次光沢剤
および二次光沢剤を適量添加しレベリング作用のあるめ
っき液とした。液温６０℃、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で
９０秒間めっきし第１層とした。さらに接触金属とし
て、硫酸第一錫（金属錫として換算）３０ｇ／Ｌ、濃硫
酸１３０ｇ／Ｌに光沢剤を適量加えた錫めっき液を調整
し、液温２０℃、電流密度３Ａ／ｄｍ２で１２０秒間め
っきし第２層とした。
【００５９】試料２の比較例プラグ、レセプタクル側は
試料１のプラグ側と同一の仕様とした。
試料１のプラグ側と同一の仕様とした。
【００６０】また、試料３では、プラグ側として、錫−
鉛合金を用いた。具体的には、平均粒径２μｍのＴｉＮ
硬質粒子を２０ｇ／Ｌの濃度でスルファミン酸ニッケル
（金属ニッケルとして換算）１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／
Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調製したニ
ッケル複合めっき液により、液温６０℃で、電流密度２
０Ａ／ｄｍ２で６０秒間めっきし、粒子をニッケル析出
により固定し、突起部のある第１層とした。次に、表面
に完全に固定されていない粒子や付着しただけの粒子を
取り除くために温度５０℃の水を用いて超音波洗浄を実
施し不要な粒子を取り除く工程を実施した。その次に、
粒子を含まないスルファミン酸ニッケル（金属ニッケル
として換算）１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０
ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調整したニッケルめっき液
にさらに一次光沢剤および二次光沢剤を適量添加しレベ
リング作用のあるめっき液とした。
鉛合金を用いた。具体的には、平均粒径２μｍのＴｉＮ
硬質粒子を２０ｇ／Ｌの濃度でスルファミン酸ニッケル
（金属ニッケルとして換算）１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／
Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調製したニ
ッケル複合めっき液により、液温６０℃で、電流密度２
０Ａ／ｄｍ２で６０秒間めっきし、粒子をニッケル析出
により固定し、突起部のある第１層とした。次に、表面
に完全に固定されていない粒子や付着しただけの粒子を
取り除くために温度５０℃の水を用いて超音波洗浄を実
施し不要な粒子を取り除く工程を実施した。その次に、
粒子を含まないスルファミン酸ニッケル（金属ニッケル
として換算）１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０
ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調整したニッケルめっき液
にさらに一次光沢剤および二次光沢剤を適量添加しレベ
リング作用のあるめっき液とした。
【００６１】液温６０℃で、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で
５０秒間めっきし、突起部のさらなるニッケルめっきの
被覆と高さ調整を行ない第２層とした。さらに接触金属
として、アルカノールスルホン酸第一錫（金属錫として
換算）４０ｇ／Ｌ、アルカノールスルホン酸鉛（金属鉛
として換算）５ｇ／Ｌ，遊離アルカノールスルホン酸１
００ｇ／Ｌに光沢剤を適量加えたはんだめっき液を調製
し、液温２０℃で電流密度１０Ａ／ｄｍ２で４０秒間め
っきし、第３層とした。
５０秒間めっきし、突起部のさらなるニッケルめっきの
被覆と高さ調整を行ない第２層とした。さらに接触金属
として、アルカノールスルホン酸第一錫（金属錫として
換算）４０ｇ／Ｌ、アルカノールスルホン酸鉛（金属鉛
として換算）５ｇ／Ｌ，遊離アルカノールスルホン酸１
００ｇ／Ｌに光沢剤を適量加えたはんだめっき液を調製
し、液温２０℃で電流密度１０Ａ／ｄｍ２で４０秒間め
っきし、第３層とした。
【００６２】試料３のレセプタクル側は、粒子を含まな
いスルファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして換算）
１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０
ｇ／Ｌの範囲で調整したニッケルめっき液にさらに一次
光沢剤および二次光沢剤を適量添加しレベリング作用の
あるめっき液とした。液温６０℃、電流密度３０Ａ／ｄ
ｍ２で９０秒間めっきし第１層とした。さらに接触金属
として、アルカノールスルホン酸第一錫（金属錫として
換算）４０ｇ／Ｌ、アルカノールスルホン酸鉛（金属鉛
として換算）５ｇ／Ｌ、遊離アルカノールスルホン酸１
００ｇ／Ｌに光沢剤を適量加えたはんだめっき液を調整
し、液温２０℃、電流密度１０Ａ／ｄｍ ２で４０秒間め
っきし第２層とした。
いスルファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして換算）
１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０
ｇ／Ｌの範囲で調整したニッケルめっき液にさらに一次
光沢剤および二次光沢剤を適量添加しレベリング作用の
あるめっき液とした。液温６０℃、電流密度３０Ａ／ｄ
ｍ２で９０秒間めっきし第１層とした。さらに接触金属
として、アルカノールスルホン酸第一錫（金属錫として
換算）４０ｇ／Ｌ、アルカノールスルホン酸鉛（金属鉛
として換算）５ｇ／Ｌ、遊離アルカノールスルホン酸１
００ｇ／Ｌに光沢剤を適量加えたはんだめっき液を調整
し、液温２０℃、電流密度１０Ａ／ｄｍ ２で４０秒間め
っきし第２層とした。
【００６３】試料４の比較例プラグ、レセプタクル側は
試料３のレセプタクル側と同一の仕様とした。
試料３のレセプタクル側と同一の仕様とした。
【００６４】また、試料５では、レセプタクル側にニッ
ケルを用いた。具体的には、平均粒径２μｍの金属Ｎｉ
粒子を４０ｇ／Ｌの濃度でスルファミン酸ニッケル（金
属ニッケルとして換算）１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、
ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調製したニッケ
ル複合めっき液により、液温６０℃で、電流密度２０Ａ
／ｄｍ２で４０秒間めっきし、粒子をニッケル析出によ
り固定し、突起部のある第１層とした。次に、表面に完
全に固定さていない粒子や付着しただけの粒子を取り除
くために温度５０℃の水を用いて超音波洗浄を実施し、
不要な粒子を取り除く工程を実施した。その次に粒子を
含まないスルファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして
換算）１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ
〜５０ｇ／Ｌの範囲で調製したニッケルめっき液にさら
に一次光沢剤および二次光沢剤を適量添加しレベリング
作用のあるめっき液とした。
ケルを用いた。具体的には、平均粒径２μｍの金属Ｎｉ
粒子を４０ｇ／Ｌの濃度でスルファミン酸ニッケル（金
属ニッケルとして換算）１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、
ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調製したニッケ
ル複合めっき液により、液温６０℃で、電流密度２０Ａ
／ｄｍ２で４０秒間めっきし、粒子をニッケル析出によ
り固定し、突起部のある第１層とした。次に、表面に完
全に固定さていない粒子や付着しただけの粒子を取り除
くために温度５０℃の水を用いて超音波洗浄を実施し、
不要な粒子を取り除く工程を実施した。その次に粒子を
含まないスルファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして
換算）１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ
〜５０ｇ／Ｌの範囲で調製したニッケルめっき液にさら
に一次光沢剤および二次光沢剤を適量添加しレベリング
作用のあるめっき液とした。
【００６５】液温６０℃で、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で
４０秒間めっきし、突起部のさらなるニッケルめっきの
被覆と高さ調整を行ない第２層とした。更に、同めっき
液（二次光沢剤を加えない）により、電流密度を６０Ａ
／ｄｍ２に上げ、２０秒間めっきし第３層とした。
４０秒間めっきし、突起部のさらなるニッケルめっきの
被覆と高さ調整を行ない第２層とした。更に、同めっき
液（二次光沢剤を加えない）により、電流密度を６０Ａ
／ｄｍ２に上げ、２０秒間めっきし第３層とした。
【００６６】試料５のプラグ側は、粒子を含まないスル
ファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして換算）１００
ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ
の範囲で調整したニッケルめっき液にさらに一次光沢剤
および二次光沢剤を適量添加しレベリング作用のあるめ
っき液とした。液温６０℃、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で
１１０秒間めっきし接触金属とした。
ファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして換算）１００
ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ
の範囲で調整したニッケルめっき液にさらに一次光沢剤
および二次光沢剤を適量添加しレベリング作用のあるめ
っき液とした。液温６０℃、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で
１１０秒間めっきし接触金属とした。
【００６７】試料６の比較例プラグ、レセプタクル側
は、試料５のプラグ側と同一の仕様とした。
は、試料５のプラグ側と同一の仕様とした。
【００６８】また、同じ試料７においては、プラグ側の
電気接点部材として銀めっきを用いた。具体的には、第
１，第２層は、上記例と同様にめっきした。それは、平
均粒径２μｍのＺｒＢ２硬質粒子を３０ｇ／Ｌの濃度で
スルファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして換算）１
００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ
／Ｌの範囲で調製したニッケル複合めっき液により、液
温６０℃で、電流密度２０Ａ／ｄｍ２で６０秒間めっき
し、粒子をニッケル析出により固定し、突起部のある第
１層とした。次に表面に完全に固定されていない粒子や
付着しただけの粒子を取り除くために温度５０℃の水を
用いて超音波洗浄の実施し、不要な粒子を取り除く工程
を実施した。その次に、粒子を含まないスルファミン酸
ニッケル（金属ニッケルとして換算）１００ｇ／Ｌ〜１
４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調
製したニッケルめっき液にさらに一次光沢剤および二次
光沢剤を適量添加しレベリング作用のあるめっき液とし
た。
電気接点部材として銀めっきを用いた。具体的には、第
１，第２層は、上記例と同様にめっきした。それは、平
均粒径２μｍのＺｒＢ２硬質粒子を３０ｇ／Ｌの濃度で
スルファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして換算）１
００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ
／Ｌの範囲で調製したニッケル複合めっき液により、液
温６０℃で、電流密度２０Ａ／ｄｍ２で６０秒間めっき
し、粒子をニッケル析出により固定し、突起部のある第
１層とした。次に表面に完全に固定されていない粒子や
付着しただけの粒子を取り除くために温度５０℃の水を
用いて超音波洗浄の実施し、不要な粒子を取り除く工程
を実施した。その次に、粒子を含まないスルファミン酸
ニッケル（金属ニッケルとして換算）１００ｇ／Ｌ〜１
４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調
製したニッケルめっき液にさらに一次光沢剤および二次
光沢剤を適量添加しレベリング作用のあるめっき液とし
た。
【００６９】液温６０℃で、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で
５０秒間めっきし、突起部のさらなるニッケルめっきの
被覆と高さ調整を行ない第２層とした。さらに、接触金
属として、シアン化銀（金属銀として換算）４０ｇ／
Ｌ、遊離シアンナトリウム３５ｇ／Ｌ、炭酸カリウム５
０ｇ／Ｌに光沢剤を適量加えた銀めっき液を調製し、液
温２５℃で電流密度１．５Ａ／ｄｍ２で５分間めっきし
第３層とした。
５０秒間めっきし、突起部のさらなるニッケルめっきの
被覆と高さ調整を行ない第２層とした。さらに、接触金
属として、シアン化銀（金属銀として換算）４０ｇ／
Ｌ、遊離シアンナトリウム３５ｇ／Ｌ、炭酸カリウム５
０ｇ／Ｌに光沢剤を適量加えた銀めっき液を調製し、液
温２５℃で電流密度１．５Ａ／ｄｍ２で５分間めっきし
第３層とした。
【００７０】試料７のレセプタクル側は、粒子を含まな
いスルファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして換算）
１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０
ｇ／Ｌの範囲で調整したニッケルめっき液にさらに一次
光沢剤および二次光沢剤を適量添加しレベリング作用の
あるめっき液とした。液温６０℃、電流密度３０Ａ／ｄ
ｍ２で９０秒間めっきし第１層とした。さらに接触金属
としてシアン化銀（金属銀として換算）４０ｇ／Ｌ、遊
離シアンナトリウム３５ｇ／Ｌ、炭酸カリウム５０ｇ／
Ｌに光沢剤を適量加えた銀めっき液を調整し、液温２５
℃、電流密度１．５Ａ／ｄｍ２，５分間めっきし第２層
とした。
いスルファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして換算）
１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０
ｇ／Ｌの範囲で調整したニッケルめっき液にさらに一次
光沢剤および二次光沢剤を適量添加しレベリング作用の
あるめっき液とした。液温６０℃、電流密度３０Ａ／ｄ
ｍ２で９０秒間めっきし第１層とした。さらに接触金属
としてシアン化銀（金属銀として換算）４０ｇ／Ｌ、遊
離シアンナトリウム３５ｇ／Ｌ、炭酸カリウム５０ｇ／
Ｌに光沢剤を適量加えた銀めっき液を調整し、液温２５
℃、電流密度１．５Ａ／ｄｍ２，５分間めっきし第２層
とした。
【００７１】試料８の比較例プラグレセプタクル側は、
試料７のレセプタクル側と同一の仕様とした。試料９は
本発明のめっき工程内の超音波工程を施さないものを試
料１の比較例として作製した。作製上のレセプタクル側
は、試料１の超音波工程を除いた以外は、同仕様であ
る。プラグ側は、試料１のプラグ側と同じ仕様のもので
ある。
試料７のレセプタクル側と同一の仕様とした。試料９は
本発明のめっき工程内の超音波工程を施さないものを試
料１の比較例として作製した。作製上のレセプタクル側
は、試料１の超音波工程を除いた以外は、同仕様であ
る。プラグ側は、試料１のプラグ側と同じ仕様のもので
ある。
【００７２】また、超音波工程は、表面に完全に固定さ
れていない粒子や付着しただけの粒子を取り除く効果が
あり、粒子の脱落、めっき欠損部をなくすことで、初期
接触抵抗、耐摩耗性を含め耐食性の向上にも効果があ
る。
れていない粒子や付着しただけの粒子を取り除く効果が
あり、粒子の脱落、めっき欠損部をなくすことで、初期
接触抵抗、耐摩耗性を含め耐食性の向上にも効果があ
る。
【００７３】試料１と試料９の初期抵抗の安定性につい
て、接触力と接触抵抗の関係を測定し、図４に示した。
図４を参照すると、試料１は試料９に比べて低接触力で
安定している。
て、接触力と接触抵抗の関係を測定し、図４に示した。
図４を参照すると、試料１は試料９に比べて低接触力で
安定している。
【００７４】また、図５に示すように、試料１，９の挿
抜回数１００００回までの接触抵抗変化を比べると試料
１は１００００回でも接触抵抗は安定しているが、超音
波工程がない試料９は５０００回ぐらいから徐々に接触
抵抗は問題にならない程度であるが上昇していることか
らも超音波工程の効果は、十分にあると考える。
抜回数１００００回までの接触抵抗変化を比べると試料
１は１００００回でも接触抵抗は安定しているが、超音
波工程がない試料９は５０００回ぐらいから徐々に接触
抵抗は問題にならない程度であるが上昇していることか
らも超音波工程の効果は、十分にあると考える。
【００７５】図６乃至図９は嵌合・離脱回数における接
触抵抗の変動状況（挿抜回数と接触抵抗）に示す図であ
る。尚、図６乃至図９においては、接触抵抗オープン値
はグラフ上２０００ｍΩとしている。
触抵抗の変動状況（挿抜回数と接触抵抗）に示す図であ
る。尚、図６乃至図９においては、接触抵抗オープン値
はグラフ上２０００ｍΩとしている。
【００７６】図６乃至図９から明らかなように、本発明
例（試料１，３，５，７）は、比較例（試料２，４，
６，８）よりも、挿抜回数が増加しても接触抵抗が増加
していないことが判る。
例（試料１，３，５，７）は、比較例（試料２，４，
６，８）よりも、挿抜回数が増加しても接触抵抗が増加
していないことが判る。
【００７７】図１０は本発明の第２の実施の形態による
コネクタを示す断面図である。図１１は図１０のコネク
タの要部を示す部分斜視図である。図１２は図１０及び
図１１のコンタクトの斜視図である。図１３は図１２の
コンタクトの断面図である。
コネクタを示す断面図である。図１１は図１０のコネク
タの要部を示す部分斜視図である。図１２は図１０及び
図１１のコンタクトの斜視図である。図１３は図１２の
コンタクトの断面図である。
【００７８】図１０及び図１１を参照すると、基板２１
上にコネクタ３１が搭載され、このコネクタ３１間に跨
ってＩＣ７が搭載されている。基板２１は、一面に印刷
又はめっきによって形成された第１の導体パターン２２
と、第１の導体パターン２２上に形成された２層構造の
第２の導体パターン２８とを備えている。第２の導体パ
ターン２８は、下層の第１層２８ａとしてＮｉ層及びそ
の上に形成されたＡｕ，Ｓｎ，又はＳｎ／Ｐｂからなる
第２層２８ｂとを備えている。
上にコネクタ３１が搭載され、このコネクタ３１間に跨
ってＩＣ７が搭載されている。基板２１は、一面に印刷
又はめっきによって形成された第１の導体パターン２２
と、第１の導体パターン２２上に形成された２層構造の
第２の導体パターン２８とを備えている。第２の導体パ
ターン２８は、下層の第１層２８ａとしてＮｉ層及びそ
の上に形成されたＡｕ，Ｓｎ，又はＳｎ／Ｐｂからなる
第２層２８ｂとを備えている。
【００７９】コネクタ３１は、コンタクト収容孔２３ａ
を備えており、下面を基板２１上の第１の導体パターン
２２に接触するとともに、コンタクト収容孔２３ａ内に
第２の導体パターン２８が収容されるように、基板２１
上に載置されている。
を備えており、下面を基板２１上の第１の導体パターン
２２に接触するとともに、コンタクト収容孔２３ａ内に
第２の導体パターン２８が収容されるように、基板２１
上に載置されている。
【００８０】コンタクト収容孔２３ａには、Ｗ形状のコ
ンタクト８が収容されており、一端は第２の導体パター
ン２８に接触するとともに、他端は上方にその一面を向
けて収容されている。このコンタクト８の他端に、ＩＣ
７のリード２４が接触するように、搭載されている。
ンタクト８が収容されており、一端は第２の導体パター
ン２８に接触するとともに、他端は上方にその一面を向
けて収容されている。このコンタクト８の他端に、ＩＣ
７のリード２４が接触するように、搭載されている。
【００８１】図１２及び図１３に示すように、コンタク
ト８は略Ｗ字型に屈曲しており、やや幅が広い中心部８
ａと、その中心部８ａから屈曲して延在するばね部８
ｂ、８ｃとを備えている。
ト８は略Ｗ字型に屈曲しており、やや幅が広い中心部８
ａと、その中心部８ａから屈曲して延在するばね部８
ｂ、８ｃとを備えている。
【００８２】ばね部８ｂは、中心部８ａの一端が円弧を
描いて屈曲して延在し、その先端で下方に屈曲して、さ
らに上方に向かって屈曲して上方に延び、さらに、中心
部に向かって水平に延在する基部８ｄと、基部８ｄから
斜め上方に延び先端付近で上方に凸となるように湾曲す
る接点部８ｅとを備えている。接点部８ｅの頂点付近に
は、複合めっき１５が施されている。
描いて屈曲して延在し、その先端で下方に屈曲して、さ
らに上方に向かって屈曲して上方に延び、さらに、中心
部に向かって水平に延在する基部８ｄと、基部８ｄから
斜め上方に延び先端付近で上方に凸となるように湾曲す
る接点部８ｅとを備えている。接点部８ｅの頂点付近に
は、複合めっき１５が施されている。
【００８３】同様に、ばね部８ｃは、中心部８ａの一端
が円弧を描いて屈曲して延在し、その先端で上方に屈曲
して、さらに下方に向かって屈曲して下方に延び、さら
に、中心部８ａに向かって水平に延在する基部８ｇと、
基部８ｇから斜め上方に延び先端付近で下方に凸となる
ように湾曲する接点部８ｆとを備えている。接点部８ｆ
の下底部付近には、複合めっき１５が施されている。
が円弧を描いて屈曲して延在し、その先端で上方に屈曲
して、さらに下方に向かって屈曲して下方に延び、さら
に、中心部８ａに向かって水平に延在する基部８ｇと、
基部８ｇから斜め上方に延び先端付近で下方に凸となる
ように湾曲する接点部８ｆとを備えている。接点部８ｆ
の下底部付近には、複合めっき１５が施されている。
【００８４】図１３（ｂ）を参照すると、コンタクトの
接点部８ｅ，８ｈの表面には、まず、硬質粒子１５ｂを
含むＮｉめっき層１５ａ，が形成され、その上に第２肯
定のニッケルめっき層１５ｃが形成され、その上に仕上
めっき層１５ｄが形成されている。
接点部８ｅ，８ｈの表面には、まず、硬質粒子１５ｂを
含むＮｉめっき層１５ａ，が形成され、その上に第２肯
定のニッケルめっき層１５ｃが形成され、その上に仕上
めっき層１５ｄが形成されている。
【００８５】図１４（ａ）及び（ｂ）は図１２に示した
コンタクトの製造方法の説明に供せられる斜視図であ
る。
コンタクトの製造方法の説明に供せられる斜視図であ
る。
【００８６】図１４（ａ）を参照すると、ばね性を備え
た金属一枚板９の打ち抜き、折り曲げ加工によって、金
属一枚板９の一端にコンタクト８を形成する。但し、図
示の状態においては、コンタクト８の中心部８ａは常
に、金属板９に結合したままである。
た金属一枚板９の打ち抜き、折り曲げ加工によって、金
属一枚板９の一端にコンタクト８を形成する。但し、図
示の状態においては、コンタクト８の中心部８ａは常
に、金属板９に結合したままである。
【００８７】図１４（ｂ）に示すように、一端にコンタ
クト８が形成された金属板のコンタクトの部位をめっき
装置４１に浸漬する。図示の装置は、第１のめっき層を
形成するための装置で、このめっき装置４１は、めっき
槽３７と、めっき槽３７中に満たされためっき液とを備
えており、アノード金属板を陽極３５とし、陰極に金属
板９を接続して、コンタクト８をめっき液に浸すことに
よって行われる。めっき液中には、ＴｉＮ，ＷＣ，Ｚｒ
Ｂ２，Ｎｉ粒子等の硬質粒子３３が攪拌機３２によって
攪拌されて浮遊している。めっき浴の組成、条件等は、
第１の実施の形態による試料１乃至８の製造方法と同様
である。尚、コンタクト８はめっきを施す部分以外の表
面は、樹脂等の吹き付けによってマスキングを施しても
良い。
クト８が形成された金属板のコンタクトの部位をめっき
装置４１に浸漬する。図示の装置は、第１のめっき層を
形成するための装置で、このめっき装置４１は、めっき
槽３７と、めっき槽３７中に満たされためっき液とを備
えており、アノード金属板を陽極３５とし、陰極に金属
板９を接続して、コンタクト８をめっき液に浸すことに
よって行われる。めっき液中には、ＴｉＮ，ＷＣ，Ｚｒ
Ｂ２，Ｎｉ粒子等の硬質粒子３３が攪拌機３２によって
攪拌されて浮遊している。めっき浴の組成、条件等は、
第１の実施の形態による試料１乃至８の製造方法と同様
である。尚、コンタクト８はめっきを施す部分以外の表
面は、樹脂等の吹き付けによってマスキングを施しても
良い。
【００８８】めっきを施されたコンタクト８は、さらに
個々に切り離されて、図１３（ａ）及び（ｂ）に示すコ
ンタクトとなる。
個々に切り離されて、図１３（ａ）及び（ｂ）に示すコ
ンタクトとなる。
【００８９】次に本発明の更なる具体例について説明す
る。
る。
【００９０】プラグ側をばね性のある図１の形状のコン
タクトを用い、レセプタクル側としてフラットな面を持
つコンタクトを用い、突き当てによる嵌合・離脱による
接触抵抗の状況を測定した例を示す。６芯を一つのコネ
クタとして測定した。
タクトを用い、レセプタクル側としてフラットな面を持
つコンタクトを用い、突き当てによる嵌合・離脱による
接触抵抗の状況を測定した例を示す。６芯を一つのコネ
クタとして測定した。
【００９１】
【表２】
【００９２】上記表２の例の結果は、◎は接触抵抗安定
で良好、×は接触抵抗上昇し、不安定で不良を示す。嵌
合・離脱回数による接触抵抗の変動状況を図１５〜１９
に示す。
で良好、×は接触抵抗上昇し、不安定で不良を示す。嵌
合・離脱回数による接触抵抗の変動状況を図１５〜１９
に示す。
【００９３】また、試料１０〜１４については、めっき
処理後２週間室内オフィス環境中に放置後、試験に使用
した。
処理後２週間室内オフィス環境中に放置後、試験に使用
した。
【００９４】本発明による初期接触抵抗測定例を示す。
【００９５】本発明に使用しているソケットコンタクト
１と複合めっきした相手側の平板５２とを用意し、図２
０に示すように、基板（パターンは金めっき）２０上の
コンタクト１を金めっき済のコンタクト押さえ治具５１
をセットし、金めっきを施したプローブ（金プローブ）
５３に相手側平板５２をセットし、金プローブ５３を上
から押し当てて、荷重５４を加えながらながら接触力と
接触抵抗（４端子法）の関係を求めた。
１と複合めっきした相手側の平板５２とを用意し、図２
０に示すように、基板（パターンは金めっき）２０上の
コンタクト１を金めっき済のコンタクト押さえ治具５１
をセットし、金めっきを施したプローブ（金プローブ）
５３に相手側平板５２をセットし、金プローブ５３を上
から押し当てて、荷重５４を加えながらながら接触力と
接触抵抗（４端子法）の関係を求めた。
【００９６】ここで、試料１０の作成方法を説明する。
レセプタクル側として、平均粒径２μｍのＺｒＢ２硬質
粒子を３０ｇ／Ｌの濃度でスルファミン酸ニッケル（金
属ニッケルとして換算、以下同様）１００ｇ／Ｌ〜１４
０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調整
したニッケル複合めっき液により、液温６０℃で、電流
密度２０Ａ／ｄｍ２で６０秒間めっきし、粒子をニッケ
ル析出により固定し、突起部のある第１層とした。次
に、表面に完全に固定されていない粒子や付着しただけ
の粒子を取り除くために、温度５０℃の水を用いて超音
波洗浄を実施し、不要な粒子を取り除く工程を実施し
た。超音波工程は、表面の完全に固定されていない粒子
や付着しただけの粒子を取り除く効果があり、粒子の脱
落、めっきの欠損部をなくすことで初期接触抵抗、耐摩
耗性を含め、耐食性の向上にも効果がある。
レセプタクル側として、平均粒径２μｍのＺｒＢ２硬質
粒子を３０ｇ／Ｌの濃度でスルファミン酸ニッケル（金
属ニッケルとして換算、以下同様）１００ｇ／Ｌ〜１４
０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調整
したニッケル複合めっき液により、液温６０℃で、電流
密度２０Ａ／ｄｍ２で６０秒間めっきし、粒子をニッケ
ル析出により固定し、突起部のある第１層とした。次
に、表面に完全に固定されていない粒子や付着しただけ
の粒子を取り除くために、温度５０℃の水を用いて超音
波洗浄を実施し、不要な粒子を取り除く工程を実施し
た。超音波工程は、表面の完全に固定されていない粒子
や付着しただけの粒子を取り除く効果があり、粒子の脱
落、めっきの欠損部をなくすことで初期接触抵抗、耐摩
耗性を含め、耐食性の向上にも効果がある。
【００９７】次に、粒子を含まないスルファミン酸ニッ
ケル（金属ニッケルとして換算）１００ｇ／Ｌ〜１４０
ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調整し
たニッケルめっき液にさらに、一次光沢剤および二次光
沢剤を適量添加し、レベリング作用のあるめっき液とし
た。液温６０℃、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で５０秒間め
っきし、突起部のさらなるニッケルめっきの被覆と高さ
調整を行い第２層とした。さらに接触金属として、硫酸
第１錫（金属錫として換算）３０ｇ／Ｌ、濃硫酸１３０
ｇ／Ｌに光沢剤を適量加えた錫めっき液を調整し、液温
２０℃、電流密度３Ａ／ｄｍ２で１２０秒間めっきし第
３層とした。図２１は試料１０の電気接点部材の表面を
示す電子顕微鏡写真である。
ケル（金属ニッケルとして換算）１００ｇ／Ｌ〜１４０
ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調整し
たニッケルめっき液にさらに、一次光沢剤および二次光
沢剤を適量添加し、レベリング作用のあるめっき液とし
た。液温６０℃、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で５０秒間め
っきし、突起部のさらなるニッケルめっきの被覆と高さ
調整を行い第２層とした。さらに接触金属として、硫酸
第１錫（金属錫として換算）３０ｇ／Ｌ、濃硫酸１３０
ｇ／Ｌに光沢剤を適量加えた錫めっき液を調整し、液温
２０℃、電流密度３Ａ／ｄｍ２で１２０秒間めっきし第
３層とした。図２１は試料１０の電気接点部材の表面を
示す電子顕微鏡写真である。
【００９８】試料１０のプラグ側は、粒子を含まないス
ルファミン酸ニッケル（金属ニッケルに換算して）１０
０ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０〜５０ｇ／Ｌの範
囲で調整したニッケルめっき液に更に，一次光沢剤およ
び二次光沢剤を適量添加し、レベリング作用のあるめっ
き液とした。液温６０℃、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で９
０秒間めっきして第１層とした。さらに、接触金属とし
て、硫酸第１錫（金属錫として換算）３０ｇ／Ｌ、濃硫
酸１３０ｇ／Ｌに光沢剤を適量加えた錫めっき液を調整
し、液温２０℃、電流密度３Ａ／ｄｍ２で１２０秒間め
っきし第２層とした。
ルファミン酸ニッケル（金属ニッケルに換算して）１０
０ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０〜５０ｇ／Ｌの範
囲で調整したニッケルめっき液に更に，一次光沢剤およ
び二次光沢剤を適量添加し、レベリング作用のあるめっ
き液とした。液温６０℃、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で９
０秒間めっきして第１層とした。さらに、接触金属とし
て、硫酸第１錫（金属錫として換算）３０ｇ／Ｌ、濃硫
酸１３０ｇ／Ｌに光沢剤を適量加えた錫めっき液を調整
し、液温２０℃、電流密度３Ａ／ｄｍ２で１２０秒間め
っきし第２層とした。
【００９９】試料１１のレセプタクル側は、試料１０の
ＺｒＢ２粒子にしたものである。粒子の析出状態の違い
による接触特性の際を比較する。めっき条件は、試料１
０と粒子以外は同じ仕様とした。レセプタクル側とし
て、平均粒径２μｍのＴｉＮ硬質粒子を３０ｇ／Ｌの濃
度でスルファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして換
算、以下同様）１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３
０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調整したニッケル複合め
っき液により、液温６０℃で、電流密度２０Ａ／ｄｍ２
で６０秒間めっきし、粒子をニッケル析出により固定
し、突起部のある第１層とした。次に表面に完全に固定
されていない粒子や付着しただけの粒子を取り除くため
に、温度５０℃の水を用いて超音波洗浄を実施し、不要
な粒子を取り除く工程を実施した。次に粒子を含まない
スルファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして換算）１
００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ
／Ｌの範囲で調整したニッケルめっき液にさらに、一次
光沢剤および二次光沢剤を適量添加し、レベリング作用
のあるめっき液とした。液温６０℃、電流密度３０Ａ／
ｄｍ２で５０秒間めっきし、突起部のさらなるニッケル
めっきの被覆と高さ調整を行い第２層とした。さらに、
接触金属として、硫酸第一錫（金属錫として換算）３０
ｇ／Ｌ、濃硫酸１３０ｇ／Ｌに光沢剤を適量加えた錫め
っき液を調製し、液温２０℃、電流密度３Ａ／ｄｍ２で
１２０秒間めっきし、第３層とした。
ＺｒＢ２粒子にしたものである。粒子の析出状態の違い
による接触特性の際を比較する。めっき条件は、試料１
０と粒子以外は同じ仕様とした。レセプタクル側とし
て、平均粒径２μｍのＴｉＮ硬質粒子を３０ｇ／Ｌの濃
度でスルファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして換
算、以下同様）１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３
０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調整したニッケル複合め
っき液により、液温６０℃で、電流密度２０Ａ／ｄｍ２
で６０秒間めっきし、粒子をニッケル析出により固定
し、突起部のある第１層とした。次に表面に完全に固定
されていない粒子や付着しただけの粒子を取り除くため
に、温度５０℃の水を用いて超音波洗浄を実施し、不要
な粒子を取り除く工程を実施した。次に粒子を含まない
スルファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして換算）１
００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ
／Ｌの範囲で調整したニッケルめっき液にさらに、一次
光沢剤および二次光沢剤を適量添加し、レベリング作用
のあるめっき液とした。液温６０℃、電流密度３０Ａ／
ｄｍ２で５０秒間めっきし、突起部のさらなるニッケル
めっきの被覆と高さ調整を行い第２層とした。さらに、
接触金属として、硫酸第一錫（金属錫として換算）３０
ｇ／Ｌ、濃硫酸１３０ｇ／Ｌに光沢剤を適量加えた錫め
っき液を調製し、液温２０℃、電流密度３Ａ／ｄｍ２で
１２０秒間めっきし、第３層とした。
【０１００】図２１は試料１１の電気接点部材の表面を
示す電子顕微鏡写真である。粒子が均一に析出しておら
ず、凝集して析出している様子がわかる。電流密度をあ
る程度下げ５Ａ／ｄｍ２、３０秒間にて行なっても、凝
集傾向は、小さくなるが完全になくなりはしなかつた。
また、試料１１のプラグ側は、試料１０のプラグ側と同
仕様である。さらに、試料１２のレセブタクル側は、試
料１１のＺｒＢ２粒子径をかえたものである。粒子径の
違いによる接触特性の差異を比較するする。めっき条件
は、試料１０と粒子以外は同じ仕様とした。レセプタク
ル側として、平均粒径１０μｍ以上のＺｒＢ２硬質粒子
を３０ｇ／Ｌの濃度でスルファミン酸ニツケル（金属ニ
ッケルとして換算）１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ，ほう
酸３０ｇ／Ｌの範囲で調整したニッケル複合めっき液に
より、液温６０℃で、電流密度２０Ａ／ｄｍ２で６０秒
間めっきし、粒子をニッケル析出により固定し、突起部
のある第１層とした。次に、表面に完全に固定されてい
ない粒子や付着しただけの粒子を取り除くために、温度
５０℃の水を用いて超音波洗浄を実施し、不要な粒子を
取り除く工程を実施した。
示す電子顕微鏡写真である。粒子が均一に析出しておら
ず、凝集して析出している様子がわかる。電流密度をあ
る程度下げ５Ａ／ｄｍ２、３０秒間にて行なっても、凝
集傾向は、小さくなるが完全になくなりはしなかつた。
また、試料１１のプラグ側は、試料１０のプラグ側と同
仕様である。さらに、試料１２のレセブタクル側は、試
料１１のＺｒＢ２粒子径をかえたものである。粒子径の
違いによる接触特性の差異を比較するする。めっき条件
は、試料１０と粒子以外は同じ仕様とした。レセプタク
ル側として、平均粒径１０μｍ以上のＺｒＢ２硬質粒子
を３０ｇ／Ｌの濃度でスルファミン酸ニツケル（金属ニ
ッケルとして換算）１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ，ほう
酸３０ｇ／Ｌの範囲で調整したニッケル複合めっき液に
より、液温６０℃で、電流密度２０Ａ／ｄｍ２で６０秒
間めっきし、粒子をニッケル析出により固定し、突起部
のある第１層とした。次に、表面に完全に固定されてい
ない粒子や付着しただけの粒子を取り除くために、温度
５０℃の水を用いて超音波洗浄を実施し、不要な粒子を
取り除く工程を実施した。
【０１０１】次に、粒子を含まないスルファミン酸ニッ
ケル（金属ニッケルとして換算）１００ｇ／Ｌ〜１４０
ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調整し
たニッケルめっき液に、さらに、一次光沢剤および二次
光沢剤を適量添加し、レベリング作用のあるめっき液と
した。液温６０℃、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で５０秒間
めっきし、突起部のさらなるニッケルめっきの被覆と高
さ調整を行い、第２層とした。さらに、接触金属とし
て、硫酸第１錫（金属錫として換算）３０ｇ／Ｌ，濃硫
酸１３０ｇ／Ｌに光沢剤を適量加えた錫めっき液を調整
し、液温２０℃、電流密度３Ａ／ｄｍ２で１２０秒間め
っきし、第３層とした。図２２は、試料１２の電気接点
部材の表面を示す電子顕微鏡写真である。また、試料１
２のブラグ側は、試料１０のプラグ側と同仕様である。
さらに、試料１３のレセプタクル側は、第２、第３のめ
っき液に光沢剤を加えないもしくは光沢作用がない添加
剤を加えたもので突起形状を形成すると粒子に沿っため
っき層を形成し粒子の形に近い突起が作られ、光沢剤の
入っためっき液によって作られた突起形状との差異を接
触抵抗特性にて比較する。平均粒径２μｍのＺｒＢ２硬
質粒子を２０ｇ／Ｌの濃度で、スルファミン酸ニッケル
（金属ニッケルに換算）１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、
ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調整したニッケ
ル複合めっき液により、液温６０℃、電流密度２０Ａ／
ｄｍ２で６０秒間めっきし、粒子をニッケル析出により
固定し、突起部のある第１層とした。次に表面に完全に
固定されていない粒子や付着しただけの粒子を除くため
に、温度５０℃の水を用いて超音波洗浄を実施し、不要
な粒子を取り除く工程を実施した。その次に、粒子を含
まないスルファミン酸ニッケル（金属ニッケルに換算）
１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０
ｇ／Ｌの範囲で調整したニッケルめっき液に一次光沢剤
および二次光沢剤を添加せずレベリング作用のないめっ
き液とした。液温６０℃で、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で
５０秒間めっきし、突起部のさらなるニッケルめっきを
行い第２層とした。さらに、接触金属として、硫酸第１
錫（金属錫として換算）３０ｇ／Ｌ、濃硫酸１３０ｇ／
Ｌに無光沢添加剤を適量加えた錫めっき液を調整し、液
温２０℃、電流密度３Ａ／ｄｍ２で１２０秒間めっきし
第３層とした。図２３は試料１３の電気接点部材の表面
を示す電子顕微鏡写真である。
ケル（金属ニッケルとして換算）１００ｇ／Ｌ〜１４０
ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調整し
たニッケルめっき液に、さらに、一次光沢剤および二次
光沢剤を適量添加し、レベリング作用のあるめっき液と
した。液温６０℃、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で５０秒間
めっきし、突起部のさらなるニッケルめっきの被覆と高
さ調整を行い、第２層とした。さらに、接触金属とし
て、硫酸第１錫（金属錫として換算）３０ｇ／Ｌ，濃硫
酸１３０ｇ／Ｌに光沢剤を適量加えた錫めっき液を調整
し、液温２０℃、電流密度３Ａ／ｄｍ２で１２０秒間め
っきし、第３層とした。図２２は、試料１２の電気接点
部材の表面を示す電子顕微鏡写真である。また、試料１
２のブラグ側は、試料１０のプラグ側と同仕様である。
さらに、試料１３のレセプタクル側は、第２、第３のめ
っき液に光沢剤を加えないもしくは光沢作用がない添加
剤を加えたもので突起形状を形成すると粒子に沿っため
っき層を形成し粒子の形に近い突起が作られ、光沢剤の
入っためっき液によって作られた突起形状との差異を接
触抵抗特性にて比較する。平均粒径２μｍのＺｒＢ２硬
質粒子を２０ｇ／Ｌの濃度で、スルファミン酸ニッケル
（金属ニッケルに換算）１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、
ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調整したニッケ
ル複合めっき液により、液温６０℃、電流密度２０Ａ／
ｄｍ２で６０秒間めっきし、粒子をニッケル析出により
固定し、突起部のある第１層とした。次に表面に完全に
固定されていない粒子や付着しただけの粒子を除くため
に、温度５０℃の水を用いて超音波洗浄を実施し、不要
な粒子を取り除く工程を実施した。その次に、粒子を含
まないスルファミン酸ニッケル（金属ニッケルに換算）
１００ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０
ｇ／Ｌの範囲で調整したニッケルめっき液に一次光沢剤
および二次光沢剤を添加せずレベリング作用のないめっ
き液とした。液温６０℃で、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で
５０秒間めっきし、突起部のさらなるニッケルめっきを
行い第２層とした。さらに、接触金属として、硫酸第１
錫（金属錫として換算）３０ｇ／Ｌ、濃硫酸１３０ｇ／
Ｌに無光沢添加剤を適量加えた錫めっき液を調整し、液
温２０℃、電流密度３Ａ／ｄｍ２で１２０秒間めっきし
第３層とした。図２３は試料１３の電気接点部材の表面
を示す電子顕微鏡写真である。
【０１０２】試料１３のプラグ側は、粒子を含まないス
ルファミン酸ニッケル（金属ニッケルに換算）１００ｇ
／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの
範囲で調製したニッケルめっき液にさらに、一次光沢剤
及び二次光沢剤を添加しないめっき液とした。液温６０
℃、電流密度３０ｇ／Ｌで９０秒間めっきし、第１層と
しさらに接触金属として、硫酸第１錫（金属錫として換
算）３０ｇ／Ｌ、濃硫酸１３０ｇ／Ｌに無光沢の添加剤
を適量加えた錫めっき液を調整し、液温２０℃、電流密
度３Ａ／ｄｍ２で１２０秒間めっきし、第３層とした。
ルファミン酸ニッケル（金属ニッケルに換算）１００ｇ
／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの
範囲で調製したニッケルめっき液にさらに、一次光沢剤
及び二次光沢剤を添加しないめっき液とした。液温６０
℃、電流密度３０ｇ／Ｌで９０秒間めっきし、第１層と
しさらに接触金属として、硫酸第１錫（金属錫として換
算）３０ｇ／Ｌ、濃硫酸１３０ｇ／Ｌに無光沢の添加剤
を適量加えた錫めっき液を調整し、液温２０℃、電流密
度３Ａ／ｄｍ２で１２０秒間めっきし、第３層とした。
【０１０３】試料１４は本発明のめっき工程内の超音波
工程をしないものを試料１０の比較例として作製した。
工程をしないものを試料１０の比較例として作製した。
【０１０４】また、試料１４のレセプタクル側は、平均
粒径２μｍのＺｒＢ２硬質粒子を３０ｇ／Ｌの濃度でス
ルファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして換算）１０
０ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／
Ｌの範囲で調整したニッケル複合めっき液により液温６
０℃で、電流密度２０Ａ／ｄｍ２ で６０秒間めっき
し、粒子をニッケル析出により固定し、突起部のある第
１層とした。次に表面に完全に固定されていない粒子や
付着しただけの粒子を取り除くための超音波洗浄工程を
実施しなかった。
粒径２μｍのＺｒＢ２硬質粒子を３０ｇ／Ｌの濃度でス
ルファミン酸ニッケル（金属ニッケルとして換算）１０
０ｇ／Ｌ〜１４０ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／
Ｌの範囲で調整したニッケル複合めっき液により液温６
０℃で、電流密度２０Ａ／ｄｍ２ で６０秒間めっき
し、粒子をニッケル析出により固定し、突起部のある第
１層とした。次に表面に完全に固定されていない粒子や
付着しただけの粒子を取り除くための超音波洗浄工程を
実施しなかった。
【０１０５】次に、粒子を含まないスルファミン酸ニッ
ケル（金属ニッケルとして換算）１００ｇ／Ｌ〜１４０
ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調整し
たニッケルめっき液に更に，一次光沢剤および二次光沢
剤を適量添加し、レベリング作用のあるめっき液とし
た。液温６０℃、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で５０秒間め
っきし、突起部のさらなるニッケルめっきの被覆と高さ
の調整を行い、第２層とした。さらに、接触金属とし
て、硫酸第１錫（金属錫として換算）３０ｇ／Ｌ、濃硫
酸１３０ｇ／Ｌに光沢剤を加えた錫めっき液を調整し、
液温２０℃、電流密度３Ａ／ｄｍ２で１２０秒間めっき
し、第３層とした。
ケル（金属ニッケルとして換算）１００ｇ／Ｌ〜１４０
ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの範囲で調整し
たニッケルめっき液に更に，一次光沢剤および二次光沢
剤を適量添加し、レベリング作用のあるめっき液とし
た。液温６０℃、電流密度３０Ａ／ｄｍ２で５０秒間め
っきし、突起部のさらなるニッケルめっきの被覆と高さ
の調整を行い、第２層とした。さらに、接触金属とし
て、硫酸第１錫（金属錫として換算）３０ｇ／Ｌ、濃硫
酸１３０ｇ／Ｌに光沢剤を加えた錫めっき液を調整し、
液温２０℃、電流密度３Ａ／ｄｍ２で１２０秒間めっき
し、第３層とした。
【０１０６】作製上のレセプタクル側は、試料１０の超
音波工程を除いた以外は、同じ仕様のものである。
音波工程を除いた以外は、同じ仕様のものである。
【０１０７】また、試料１０と試料１４の初期抵抗の安
定性について、接触力と接触抵抗の関係を測定し、図１
９に示した。試料１０は、試料１４に比べ抵抗力が安定
している。
定性について、接触力と接触抵抗の関係を測定し、図１
９に示した。試料１０は、試料１４に比べ抵抗力が安定
している。
【０１０８】さらに、図１８にて試料１０，１４の挿抜
回数１００００回までの接触抵抗変化を比べると試料１
０は、１００００回でも接触抵抗は安定しているが、超
音波工程がない試料１４は、５０００回ぐらいから徐々
に接触抵抗は上昇していることからも超音波工程の効果
は十分にあると考える。
回数１００００回までの接触抵抗変化を比べると試料１
０は、１００００回でも接触抵抗は安定しているが、超
音波工程がない試料１４は、５０００回ぐらいから徐々
に接触抵抗は上昇していることからも超音波工程の効果
は十分にあると考える。
【０１０９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
突き当て式コネクタ用として、小さい接触力（０．１Ｎ
〜０．５Ｎ）で、多数回（１０００回〜１００００回）
の嵌合・離脱においても安定な接触抵抗を可能にするこ
とができる接点部材とその製造方法とを提供することが
できる。
突き当て式コネクタ用として、小さい接触力（０．１Ｎ
〜０．５Ｎ）で、多数回（１０００回〜１００００回）
の嵌合・離脱においても安定な接触抵抗を可能にするこ
とができる接点部材とその製造方法とを提供することが
できる。
【０１１０】また、本発明によれば、特別にコンタクト
形状を工夫して、摺動距離を長くとれるようにする必要
がないためコンタクト形状をシンプルにすることができ
る。しかも、接触金属として金を用いることなく、より
卑な金属として安価な錫および錫合金，ニッケルおよび
ニッケル合金，銀および銀合金を用いることができるた
め、価格を低くすることができる接点部材とその製造方
法とを提供することができる。
形状を工夫して、摺動距離を長くとれるようにする必要
がないためコンタクト形状をシンプルにすることができ
る。しかも、接触金属として金を用いることなく、より
卑な金属として安価な錫および錫合金，ニッケルおよび
ニッケル合金，銀および銀合金を用いることができるた
め、価格を低くすることができる接点部材とその製造方
法とを提供することができる。
【０１１１】また、本発明によれば、小さい接触力で可
能なため多芯数においても、総合接触力を小さく抑える
ことができ、ロック機構を簡便にすることが可能となる
電子部品の生産方法を提供することができる。
能なため多芯数においても、総合接触力を小さく抑える
ことができ、ロック機構を簡便にすることが可能となる
電子部品の生産方法を提供することができる。
【図１】（ａ）は本発明の実施の形態によるコネクタを
示す斜視図である。（ｂ）は図１（ａ）のコネクタのレ
セプタクル側コネクタのコンタクトとプラグ側コネクタ
のコンタクトとの接触の説明に供せられる斜視図であ
る。
示す斜視図である。（ｂ）は図１（ａ）のコネクタのレ
セプタクル側コネクタのコンタクトとプラグ側コネクタ
のコンタクトとの接触の説明に供せられる斜視図であ
る。
【図２】図１（ａ）及び（ｂ）に示した本発明の実施の
形態によるコネクタと同様な形状のものにおけるプラグ
コンタクトと平面との突き当ての場合の摺動距離と接触
力との関係を示す図である。
形態によるコネクタと同様な形状のものにおけるプラグ
コンタクトと平面との突き当ての場合の摺動距離と接触
力との関係を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態による電気接点部材の表面
の金属組識を示す電子顕微鏡写真であり、例として試料
１の表面を斜め上方から眺めた像を示している。
の金属組識を示す電子顕微鏡写真であり、例として試料
１の表面を斜め上方から眺めた像を示している。
【図４】試料１及び９のＷ−Ｒ初期特性を示す図であ
る。
る。
【図５】試料１及び９の挿抜１００００回までの接触抵
抗変化を示す図である。
抗変化を示す図である。
【図６】試料１及び２の嵌合・離脱回数における接触抵
抗の変動状況（挿抜回数と接触抵抗）を示す図である。
抗の変動状況（挿抜回数と接触抵抗）を示す図である。
【図７】試料３及び４の嵌合・離脱回数における接触抵
抗の変動状況（挿抜回数と接触抵抗）を示す図である。
抗の変動状況（挿抜回数と接触抵抗）を示す図である。
【図８】試料５及び６の嵌合・離脱回数における接触抵
抗の変動状況（挿抜回数と接触抵抗）を示す図である。
抗の変動状況（挿抜回数と接触抵抗）を示す図である。
【図９】試料７及び８の嵌合・離脱回数における接触抵
抗の変動状況（挿抜回数と接触抵抗）を示す図である。
抗の変動状況（挿抜回数と接触抵抗）を示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態によるコネクタを
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１１】図１０のコネクタの要部を示す部分斜視図で
ある。
ある。
【図１２】図１０及び図１１のコンタクトの斜視図であ
る。
る。
【図１３】（ａ）は図１２のコンタクトの断面図であ
る。（ｂ）は（ａ）のコンタクトの部分断面図である。
る。（ｂ）は（ａ）のコンタクトの部分断面図である。
【図１４】（ａ）及び（ｂ）は図１２に示したコンタク
トの製造方法の説明に供せられる斜視図である。
トの製造方法の説明に供せられる斜視図である。
【図１５】本発明の実施の形態によるコンタクトの挿抜
回数と接触抵抗との関係を示す図である。
回数と接触抵抗との関係を示す図である。
【図１６】本発明の実施の形態によるコンタクトの挿抜
回数と接触抵抗との関係を示す図である。
回数と接触抵抗との関係を示す図である。
【図１７】本発明の実施の形態によるコンタクトの挿抜
回数と接触抵抗との関係を示す図である。
回数と接触抵抗との関係を示す図である。
【図１８】本発明の実施の形態によるコンタクトの挿抜
回数と接触抵抗との関係を示す図である。
回数と接触抵抗との関係を示す図である。
【図１９】本発明の実施の形態によるコンタクトの荷重
と接触抵抗との関係を示す図である。
と接触抵抗との関係を示す図である。
【図２０】本発明の実施の形態によるソケットコンタク
トと、複合めっきした平板との接触力と接触抵抗との関
係を示す図である。
トと、複合めっきした平板との接触力と接触抵抗との関
係を示す図である。
【図２１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態に
よるコンタクト試料１０及び１１の電気接点部材の表面
の金属組織を示す電子顕微鏡写真である。
よるコンタクト試料１０及び１１の電気接点部材の表面
の金属組織を示す電子顕微鏡写真である。
【図２２】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態に
よるコンタクト試料１０及び１２の電気接点部材の表面
の金属組織を示す電子顕微鏡写真である。
よるコンタクト試料１０及び１２の電気接点部材の表面
の金属組織を示す電子顕微鏡写真である。
【図２３】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態に
よるコンタクト試料１０及び１３の電気接点部材の表面
の金属組織を示す電子顕微鏡写真である。
よるコンタクト試料１０及び１３の電気接点部材の表面
の金属組織を示す電子顕微鏡写真である。
【図２４】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態に
よるコンタクト試料１０及び１４の電機接点部材の表面
の金属組織を示す電子顕微鏡写真である。
よるコンタクト試料１０及び１４の電機接点部材の表面
の金属組織を示す電子顕微鏡写真である。
１ プラグコンタクト １ａ 支持部 １ｂ 端子部 １ｃ 接触部 １ｄ Ｕターン部 １ｅ 湾曲部 １ｆ 先端部 ２ インシュレータ ２ａ 収容部 ５，６ 矢印 ７ ＩＣ ８ コンタクト ８ａ 中心部 ８ｂ，８ｃ ばね部 ８ｄ 基部 ８ｅ，８ｆ 接点部 ８ｇ 基部 ９ 金属（一枚）板 １０ プラグコネクタ １１ 電極 １２ 導体パターン １５ 複合めっき １５ａ Ｎｉめっき層 １５ｂ 仕上めっき層 ２０ レセプタクルコネクタ ２１ 基板 ２２ 第１の導体パターン ２３ａ コンタクト収容孔 ２４ リード ２８ 第２の導体パターン ３０ コネクタ ３１ コネクタ ３２ 攪拌機 ３３ 硬質粒子 ３５ 陽極 ３７ めっき槽 ４１ めっき装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２５Ｄ 15/02 Ｃ２５Ｄ 15/02 Ｅ Ｆ Ｈ０１Ｈ 1/04 Ｈ０１Ｈ 1/04 Ｅ 1/06 1/06 Ｋ Ｈ０１Ｒ 43/00 Ｈ０１Ｒ 43/00 Ｚ Ｆターム(参考） 4K022 AA02 AA42 BA14 BA21 BA32 BA34 CA03 4K024 AA03 AA07 AA10 AA21 AA23 AB03 BA01 BB10 BC10 CA02 CA06 DA04 GA03 5E051 GA06 GB10 5G050 AA01 AA29 BA05 DA06 EA09 FA01 5G051 AA12 AB08 AC06 AC32
Claims (10)
- 【請求項１】 ばね性を備えた電気接点部材において、
電気接点部材の表面の少なくとも一部に粒子径１．０〜
５．０μｍの硬質粒子を含む複合めっきから成る第１の
めっき層と、前記第１のめっき層上に前記複合めっきと
同種の金属めっきから成る第２のめっき層と、前記第２
のめっき層上に前記第２のめっき層と異なり、かつ仕上
げめっきとしての金属めっきから成る第３のめっき層と
を施したことを特徴とする電気接点部材。 - 【請求項２】 請求項１記載の電気接点部材において、
前記硬質粒子によって、前記電気接点部材の表面の少な
くとも一部に夫々高さが３μｍ以下の複数の突起部が形
成されていることを特徴とする電気接点部材。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の電気接点部材にお
いて、前記第３のめっき層は、錫、ニッケル、銀の内の
少なくとも一種を含む合金から実質的になることを特徴
とする電気接点部材。 - 【請求項４】 請求項１乃至３の内のいずれか一つに記
載の電気接点部材において、前記第１のめっき層は、ニ
ッケル複合めっき層から実質的になることを特徴とする
電気接点部材。 - 【請求項５】 請求項１乃至４の内のいずれか一つに記
載の電気接点部材をコンタクトに用いたことを特徴とす
るコネクタ。 - 【請求項６】 請求項５記載のコネクタにおいて、前記
電気接点部材は突き当て式の前記コンタクトに用いたこ
とを特徴とするコネクタ。 - 【請求項７】 電気接点部材の形成方法において、電気
接点部材の表面の少なくとも一部に、粒子径１．０〜
５．０μｍの硬質粒子を含む電解または無電解複合めっ
きによって硬質粒子を共析させて突起部を形成する第１
工程と、前記複合めっきと同種の金属めっきにより突起
部の高さを制御し、かつ粒子部表面を覆う第２工程と、
前記複合めっきと異なり、かつ仕上げめっきとしての金
属めっきを施す第３工程とを備えていることを特徴とす
る電気接点部材の製造方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の電気接点部材の製造方法
において、前記硬質粒子によって、前記電気接点部材の
表面の少なくとも一部に夫々高さが３μｍ以下の複数の
突起部を形成することを特徴とする電気接点部材の製造
方法。 - 【請求項９】 請求項７又は８記載の電気接点部材の製
造方法において、前記第３のめっき層は、錫、ニッケ
ル、銀の内の少なくとも一種を含む合金から実質的にな
ることを特徴とする電気接点部材の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項７乃至９の内のいずれか一つに
記載の電気接点部材の製造方法において、前記第１のめ
っき層は、ニッケル複合めっき層から実質的になること
を特徴とする電気接点部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001122901A JP3707007B2 (ja) | 2000-09-11 | 2001-04-20 | 電気接点部材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-274845 | 2000-09-11 | ||
| JP2000274845 | 2000-09-11 | ||
| JP2001122901A JP3707007B2 (ja) | 2000-09-11 | 2001-04-20 | 電気接点部材およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002158056A true JP2002158056A (ja) | 2002-05-31 |
| JP3707007B2 JP3707007B2 (ja) | 2005-10-19 |
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ID=26599640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001122901A Expired - Fee Related JP3707007B2 (ja) | 2000-09-11 | 2001-04-20 | 電気接点部材およびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3707007B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004193073A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Yazaki Corp | 圧着端子 |
| JP2006068981A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド |
| DE102008024775A1 (de) | 2007-05-23 | 2008-12-11 | Japan Aviation Electronics Industry, Ltd. | Verbinder, der mit einem geringen Kontaktdruck verbindbar ist |
| JP4924854B1 (ja) * | 2011-03-15 | 2012-04-25 | オムロン株式会社 | コンタクト及び金属部品の製造方法 |
-
2001
- 2001-04-20 JP JP2001122901A patent/JP3707007B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2006068981A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド |
| JP4556562B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2010-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド |
| DE102008024775A1 (de) | 2007-05-23 | 2008-12-11 | Japan Aviation Electronics Industry, Ltd. | Verbinder, der mit einem geringen Kontaktdruck verbindbar ist |
| US7614884B2 (en) | 2007-05-23 | 2009-11-10 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Connector connectable with low contact pressure |
| JP4924854B1 (ja) * | 2011-03-15 | 2012-04-25 | オムロン株式会社 | コンタクト及び金属部品の製造方法 |
| WO2012124167A1 (ja) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | オムロン株式会社 | コンタクト及び金属部品の製造方法 |
| JP2012195108A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Omron Corp | コンタクト及び金属部品の製造方法 |
| US8678851B2 (en) | 2011-03-15 | 2014-03-25 | Omron Corporation | Contact section having an irregular shape formed thereon by electroforming |
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| JP3707007B2 (ja) | 2005-10-19 |
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