JP2002144054A - ビームスキャン式レーザマーキング装置 - Google Patents
ビームスキャン式レーザマーキング装置Info
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- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
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Abstract
(57)【要約】
【課題】視認性が確保される微小ドットマークを形成す
るに好適なビームスキャン式レーザマーキング装置を提
供する。 【解決手段】レーザ発振器(1) から出射されるレーザ光
をスキャンミラー(5x,5y) により所望のパターンで走査
させ、収束レンズ系(6〜8)を通して被マーキング面(MS)
にマーキングを行うビームスキャン式レーザマーキング
装置にあって、前記収束レンズ系(6〜8)を３以上の収束
系レンズから構成する。最もスキャンミラー側に配され
るｆθレンズ(6) の焦点距離(fb1) を、それに対向して
配される第１スキャンミラー(5x)と干渉しない距離に設
定すると共に、第１のスキャンミラー(5x)の中心を同レ
ンズ(6) の前側焦点位置 (fb1)に一致して配して、前記
収束レンズ系(6〜8)を、互いにテレセントリックな関係
に順次配している。その結果、結像のずれ量を極力小さ
くし、微小な形態のドットマークであっても視認性に影
響しないドット間隔を確保する。
るに好適なビームスキャン式レーザマーキング装置を提
供する。 【解決手段】レーザ発振器(1) から出射されるレーザ光
をスキャンミラー(5x,5y) により所望のパターンで走査
させ、収束レンズ系(6〜8)を通して被マーキング面(MS)
にマーキングを行うビームスキャン式レーザマーキング
装置にあって、前記収束レンズ系(6〜8)を３以上の収束
系レンズから構成する。最もスキャンミラー側に配され
るｆθレンズ(6) の焦点距離(fb1) を、それに対向して
配される第１スキャンミラー(5x)と干渉しない距離に設
定すると共に、第１のスキャンミラー(5x)の中心を同レ
ンズ(6) の前側焦点位置 (fb1)に一致して配して、前記
収束レンズ系(6〜8)を、互いにテレセントリックな関係
に順次配している。その結果、結像のずれ量を極力小さ
くし、微小な形態のドットマークであっても視認性に影
響しないドット間隔を確保する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パルス励起レーザ
光を走査させて、被マーキング面に文字等のパターンを
マーキングするビームスキャン式レーザマーキング装置
に関する。
光を走査させて、被マーキング面に文字等のパターンを
マーキングするビームスキャン式レーザマーキング装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ＣＷ励起Ｑスイッチパルス発
振で得られるレーザ光を、スキャンミラー及び収束レン
ズ系を用いてマーキング面に集光して走査させることに
よって、被マーキング面に多数のドット群により２Ｄコ
ードや所要の文字などからなる各種の情報をマーキング
するビームスキャン式レーザマーキング装置が知られて
いる。
振で得られるレーザ光を、スキャンミラー及び収束レン
ズ系を用いてマーキング面に集光して走査させることに
よって、被マーキング面に多数のドット群により２Ｄコ
ードや所要の文字などからなる各種の情報をマーキング
するビームスキャン式レーザマーキング装置が知られて
いる。
【０００３】図５は、例えば特開平８−１５０４８４号
公報にも開示されている一般的なビームスキャン式レー
ザマーキング装置の概略構成を示している。レーザ発振
器１は、超音波Ｑスイッチ素子２を備えており、超音波
Ｑスイッチ素子２は制御装置４から送られるＲＦパワー
の繰り返し周波数であるＱスイッチ制御信号に同期して
駆動回路３を介してＣＷ励起Ｑスイッチパルス発振して
レーザ光を出射する。レーザ発振器１から出射されたレ
ーザ光は、一対のガルバノメータ４ｘ，４ｙに取り付け
られたスキャンミラー５ｘ，５ｙで反射されてｆθレン
ズ６を通って被マーキング面に集光される。スキャンミ
ラー５ｘ，５ｙは、それぞれ紙面に直角な軸、紙面に平
行で斜め４５°の軸の回りを往復回転駆動され被マーキ
ング面上を走査する。こうして、マーキング面上には所
望のパターンがマーキングされる。
公報にも開示されている一般的なビームスキャン式レー
ザマーキング装置の概略構成を示している。レーザ発振
器１は、超音波Ｑスイッチ素子２を備えており、超音波
Ｑスイッチ素子２は制御装置４から送られるＲＦパワー
の繰り返し周波数であるＱスイッチ制御信号に同期して
駆動回路３を介してＣＷ励起Ｑスイッチパルス発振して
レーザ光を出射する。レーザ発振器１から出射されたレ
ーザ光は、一対のガルバノメータ４ｘ，４ｙに取り付け
られたスキャンミラー５ｘ，５ｙで反射されてｆθレン
ズ６を通って被マーキング面に集光される。スキャンミ
ラー５ｘ，５ｙは、それぞれ紙面に直角な軸、紙面に平
行で斜め４５°の軸の回りを往復回転駆動され被マーキ
ング面上を走査する。こうして、マーキング面上には所
望のパターンがマーキングされる。
【０００４】ところで、近年、例えば特開平４−１３７
７４４号公報にも開示されているごとく、連続パルスレ
ーザ光を走査させることにより形成されるドットマーク
は穴径が３０μｍ、深さが０．５〜１．５μｍと、従来
のドットマーク形態よりも微小化されてきており、最近
では、例えば特開平１１−１６２８００号公報や特開２
０００−２２３３８２号公報に記載されているように穴
径が１〜１５μｍ、深さが０．５〜１．５μｍのドット
マーク、或いは同一数値範囲のスカート径をもち中央が
隆起する特異な形態であって、その隆起高さが０．０１
〜０．５μｍという極めて微小化されたドットーマーク
が出現している。
７４４号公報にも開示されているごとく、連続パルスレ
ーザ光を走査させることにより形成されるドットマーク
は穴径が３０μｍ、深さが０．５〜１．５μｍと、従来
のドットマーク形態よりも微小化されてきており、最近
では、例えば特開平１１−１６２８００号公報や特開２
０００−２２３３８２号公報に記載されているように穴
径が１〜１５μｍ、深さが０．５〜１．５μｍのドット
マーク、或いは同一数値範囲のスカート径をもち中央が
隆起する特異な形態であって、その隆起高さが０．０１
〜０．５μｍという極めて微小化されたドットーマーク
が出現している。
【０００５】しかして、ビームスキャン式レーザマーキ
ング装置の基本構造は上述のとおりであり、特に従来の
ごとく大きな形態をもつドットマークの形成であれば不
具合が生じないことから、ｆθレンズを通して集光する
パルスレーザ光を一対のスキャンミラーによりｘ軸，ｙ
軸の２軸方向に振りながら刻印する収束レンズ系及びス
キャニング構造に格別の改良が加えられていないのが現
状である。
ング装置の基本構造は上述のとおりであり、特に従来の
ごとく大きな形態をもつドットマークの形成であれば不
具合が生じないことから、ｆθレンズを通して集光する
パルスレーザ光を一対のスキャンミラーによりｘ軸，ｙ
軸の２軸方向に振りながら刻印する収束レンズ系及びス
キャニング構造に格別の改良が加えられていないのが現
状である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図３は、従来の収束レ
ンズ系及びスキャニング構造からなる収束光学系を示し
ている。従来の収束レンズ系は、既述したとおり単一の
ｆθレンズ６から構成され、図示せぬ第２スキャンミラ
ーで反射するパルスレーザ光は、第１スキャンミラー５
ｘで再度反射してｆθレンズ６に入射する。ｆθレンズ
６を通過したレーザ光は集束されてマーキング面ＭＳ上
に集光し、ドットマークが形成される。
ンズ系及びスキャニング構造からなる収束光学系を示し
ている。従来の収束レンズ系は、既述したとおり単一の
ｆθレンズ６から構成され、図示せぬ第２スキャンミラ
ーで反射するパルスレーザ光は、第１スキャンミラー５
ｘで再度反射してｆθレンズ６に入射する。ｆθレンズ
６を通過したレーザ光は集束されてマーキング面ＭＳ上
に集光し、ドットマークが形成される。
【０００７】第１スキャンミラー５ｘの回転軸上に前記
ｆθレンズ６の前側焦点位置を一致させると共に、ｆθ
レンズ６の光軸上に第１スキャンミラー５ｘの中心位置
が来るように同ミラー５ｘを配している。従って、第１
スキャンミラー５ｘの振り角がθ（ｒａｄ）のとき、第
１スキャンミラー５ｘの中心に入射する光の反射光はｆ
θレンズ６を通ると光軸に平行な光路上を進行し、同ミ
ラー５ｘの中心に入射する光と平行な入射光は、後側焦
点を通り光軸に直交する平面上に結像する、所謂、テレ
セントリックな配置関係におかれている。
ｆθレンズ６の前側焦点位置を一致させると共に、ｆθ
レンズ６の光軸上に第１スキャンミラー５ｘの中心位置
が来るように同ミラー５ｘを配している。従って、第１
スキャンミラー５ｘの振り角がθ（ｒａｄ）のとき、第
１スキャンミラー５ｘの中心に入射する光の反射光はｆ
θレンズ６を通ると光軸に平行な光路上を進行し、同ミ
ラー５ｘの中心に入射する光と平行な入射光は、後側焦
点を通り光軸に直交する平面上に結像する、所謂、テレ
セントリックな配置関係におかれている。
【０００８】この結像面上における光軸から結像位置ま
での距離ｈは、次式 ｈ＝ｆｂ’・（２θ） で与えられ、前記第１スキャンミラー５ｘの振り角θに
より決まる。
での距離ｈは、次式 ｈ＝ｆｂ’・（２θ） で与えられ、前記第１スキャンミラー５ｘの振り角θに
より決まる。
【０００９】従って、第１スキャンミラーの振り角θに
僅かな変動δθが生じると、前記結像位置における光軸
と直交する方向に像がずれ量δｈ（＝ｆｂ’・（２δ
θ））で結像の変動が生じる。一方、前記第１スキャン
ミラー５ｘの配置位置が、図４に示すように、ｆθレン
ズ６の前側焦点位置から光軸方向にずれると、結像位置
が前記結像面を挟んで光軸に沿った前後にずれると、テ
レセントリック性が崩れ、刻印面に対して主光線が垂直
でなくなる。このことは、刻印面がデフォーカスした場
合に、ドット間隔が変化してしまい、その結果、設計値
からのずれ量が大きくなることを意味する。
僅かな変動δθが生じると、前記結像位置における光軸
と直交する方向に像がずれ量δｈ（＝ｆｂ’・（２δ
θ））で結像の変動が生じる。一方、前記第１スキャン
ミラー５ｘの配置位置が、図４に示すように、ｆθレン
ズ６の前側焦点位置から光軸方向にずれると、結像位置
が前記結像面を挟んで光軸に沿った前後にずれると、テ
レセントリック性が崩れ、刻印面に対して主光線が垂直
でなくなる。このことは、刻印面がデフォーカスした場
合に、ドット間隔が変化してしまい、その結果、設計値
からのずれ量が大きくなることを意味する。
【００１０】従って、前記ｆθレンズ６の前側焦点位置
から光軸方向に対するずれが大きくなればなるほど、テ
レセントリック性が崩れ、同時に結像面上における結像
位置の前記ずれ量δｈも大きくなって、焦点深度が小さ
くなってしまい、レーザマーカとしてはマーキング操作
時の操作性を著しく低下させることになる。なお、以上
の説明では、ｆθレンズ６に対向する第１スキャンミラ
ー５ｘについて述べたが、レーザ光をｙ軸方向に走査さ
せる第２スキャンミラー５ｙについても同様の現象が生
じる。
から光軸方向に対するずれが大きくなればなるほど、テ
レセントリック性が崩れ、同時に結像面上における結像
位置の前記ずれ量δｈも大きくなって、焦点深度が小さ
くなってしまい、レーザマーカとしてはマーキング操作
時の操作性を著しく低下させることになる。なお、以上
の説明では、ｆθレンズ６に対向する第１スキャンミラ
ー５ｘについて述べたが、レーザ光をｙ軸方向に走査さ
せる第２スキャンミラー５ｙについても同様の現象が生
じる。
【００１１】こうしたずれの現象は、比較的大きな形態
をもつドットマークの形成では影響が少ない。その理由
は、ドット形態が大きい分だけ、そのドット間のピッチ
も大きくなり、スキャンミラーを駆動するガルバノメー
タによる駆動制御が比較的高精度になされることとが相
まって、例えばガルバノメータの加工精度や設置時の位
置決め精度に基づくずれの影響が容易に吸収されるがた
めである。
をもつドットマークの形成では影響が少ない。その理由
は、ドット形態が大きい分だけ、そのドット間のピッチ
も大きくなり、スキャンミラーを駆動するガルバノメー
タによる駆動制御が比較的高精度になされることとが相
まって、例えばガルバノメータの加工精度や設置時の位
置決め精度に基づくずれの影響が容易に吸収されるがた
めである。
【００１２】これに対して、既述したような微小なドッ
トマークにあっては、そのドット間のピッチも必然的に
極めて微小となり、上記ずれの影響をまともに受け、設
定されたピッチが崩れてしまい、以降の視認性にも大き
な影響を与えるため、マーキング面におけるドットマー
クの形成位置に対する更に高精度な制御が要求される。
トマークにあっては、そのドット間のピッチも必然的に
極めて微小となり、上記ずれの影響をまともに受け、設
定されたピッチが崩れてしまい、以降の視認性にも大き
な影響を与えるため、マーキング面におけるドットマー
クの形成位置に対する更に高精度な制御が要求される。
【００１３】一般に、ガルバノメータにおける性能は、
指令電圧に対するスキャンミラーの振り角θの直線性と
温度ドリフト（ゲインドリフト）によって決定される。
高性能なガルバノメータであっても、公差による直線性
の変動、或いは温度変化による振り角θの変動は避けら
れない。例えば、現状の高性能なガルバノメータであっ
ても、スキャンミラーの振り角θの変動δθは３０μｒ
ａｄ程度が生じている。
指令電圧に対するスキャンミラーの振り角θの直線性と
温度ドリフト（ゲインドリフト）によって決定される。
高性能なガルバノメータであっても、公差による直線性
の変動、或いは温度変化による振り角θの変動は避けら
れない。例えば、現状の高性能なガルバノメータであっ
ても、スキャンミラーの振り角θの変動δθは３０μｒ
ａｄ程度が生じている。
【００１４】一方、ｆθレンズの入射側には２軸に振ら
れる一対のスキャンミラーを設置しなければならず、ま
たレーザ発振器から出射されるレーザ光の光径と前記ス
キャンミラーの寸法などを考慮すると、ｆθレンズの前
側焦点距離ｆｂは最低でも３０ｍｍはなくてはならな
い。この場合、上記結像面上における結像のずれ量δｈ
は、δｈ＝３０×２×３０×１０-6＝１．８×１０-3ｍ
ｍ＝１．８μｍとなる。
れる一対のスキャンミラーを設置しなければならず、ま
たレーザ発振器から出射されるレーザ光の光径と前記ス
キャンミラーの寸法などを考慮すると、ｆθレンズの前
側焦点距離ｆｂは最低でも３０ｍｍはなくてはならな
い。この場合、上記結像面上における結像のずれ量δｈ
は、δｈ＝３０×２×３０×１０-6＝１．８×１０-3ｍ
ｍ＝１．８μｍとなる。
【００１５】いま、仮に既述したようにドット径が５μ
ｍの微小なドットマークを半導体ウェハの所定領域に形
成しようとすれば、前述の結像面上における結像のずれ
量δｈ（１．８μｍ）は、実にドット径の３６％に相当
する。通常、ドットマーク間のピッチはドット径と同等
に設定されている。すなわち、前記ずれ量δｈ（１．８
μｍ）の場合には、隣り合うドットマーク間のピッチが
３．２μｍとなり、これ以上に狭まると、以降の読取り
時における視認性が失われてしまう。ドット径が更に小
さくなると、ますます読み取ることが不可能となる。
ｍの微小なドットマークを半導体ウェハの所定領域に形
成しようとすれば、前述の結像面上における結像のずれ
量δｈ（１．８μｍ）は、実にドット径の３６％に相当
する。通常、ドットマーク間のピッチはドット径と同等
に設定されている。すなわち、前記ずれ量δｈ（１．８
μｍ）の場合には、隣り合うドットマーク間のピッチが
３．２μｍとなり、これ以上に狭まると、以降の読取り
時における視認性が失われてしまう。ドット径が更に小
さくなると、ますます読み取ることが不可能となる。
【００１６】また、仮に上記特開平４−１３７７４４号
公報に記載されているように、従来の一般的なドット径
よりも小さい３０μｍの場合についてみると、結像面上
における結像の上記ずれ量δｈ（１．８μｍ）によるピ
ッチの変動は僅かに６％に過ぎず、微小ではあるもの
の、視認性は十分に確保される。
公報に記載されているように、従来の一般的なドット径
よりも小さい３０μｍの場合についてみると、結像面上
における結像の上記ずれ量δｈ（１．８μｍ）によるピ
ッチの変動は僅かに６％に過ぎず、微小ではあるもの
の、視認性は十分に確保される。
【００１７】本発明の目的は、特に極めて微小なドット
マークの形成に適し、必然的に発生するスキャンミラー
の取付誤差、その駆動装置の公差や温度変化による結像
面上における結像のずれ量を容認した上で、それらの影
響を吸収できるビームスキャン式レーザマーキング装置
を提供することにある。
マークの形成に適し、必然的に発生するスキャンミラー
の取付誤差、その駆動装置の公差や温度変化による結像
面上における結像のずれ量を容認した上で、それらの影
響を吸収できるビームスキャン式レーザマーキング装置
を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、スキャン
ミラーと、その駆動装置の性能限界を踏まえると共に、
回動するスキャンミラーとｆθレンズとの干渉を回避し
て、しかも上記目的を達成できる技術の開発をすべく多
様な検討と試験を繰り返した。
ミラーと、その駆動装置の性能限界を踏まえると共に、
回動するスキャンミラーとｆθレンズとの干渉を回避し
て、しかも上記目的を達成できる技術の開発をすべく多
様な検討と試験を繰り返した。
【００１９】結像面における結像のずれ量δｈは、上述
のごとくｆθレンズの後側焦点距離ｆｂ’とスキャンミ
ラーの振り角θの変動量δθに比例する。従って、結像
のずれ量δｈを少なくしようとすれば、ｆθレンズの後
側焦点距離ｆｂ’を極力小さくすると共に、スキャンミ
ラーの振り角θの変動量δθをも更に小さくする必要が
ある。
のごとくｆθレンズの後側焦点距離ｆｂ’とスキャンミ
ラーの振り角θの変動量δθに比例する。従って、結像
のずれ量δｈを少なくしようとすれば、ｆθレンズの後
側焦点距離ｆｂ’を極力小さくすると共に、スキャンミ
ラーの振り角θの変動量δθをも更に小さくする必要が
ある。
【００２０】しかるに、既述したとおりこの種のレーザ
マーキング装置にあっては更なる小型化が進んでおり、
前記スキャンミラー及びｆθレンズが配される光学系の
部分も当然にコンパクトでなければならない。
マーキング装置にあっては更なる小型化が進んでおり、
前記スキャンミラー及びｆθレンズが配される光学系の
部分も当然にコンパクトでなければならない。
【００２１】上記目的は請求項１及び２に係る発明によ
って効果的に達成される。請求項１に係る発明は、レー
ザ発振器から出射されるレーザ光をスキャンミラーによ
り所望のパターンで走査させ、収束レンズ系を通して被
マーキング面にマーキングを行うビームスキャン式レー
ザマーキング装置にあって、前記収束レンズ系が３以上
の収束系レンズから構成され、最もスキャンミラー側に
配されるｆθレンズの焦点距離を、それに対向して配さ
れる第１スキャンミラーと干渉しない距離に設定し、第
１のスキャンミラーの中心を同レンズの前側焦点位置に
一致して配しており、前記収束レンズ系は、互いがテレ
セントリックな関係に順次配されていることを特徴とし
ている。
って効果的に達成される。請求項１に係る発明は、レー
ザ発振器から出射されるレーザ光をスキャンミラーによ
り所望のパターンで走査させ、収束レンズ系を通して被
マーキング面にマーキングを行うビームスキャン式レー
ザマーキング装置にあって、前記収束レンズ系が３以上
の収束系レンズから構成され、最もスキャンミラー側に
配されるｆθレンズの焦点距離を、それに対向して配さ
れる第１スキャンミラーと干渉しない距離に設定し、第
１のスキャンミラーの中心を同レンズの前側焦点位置に
一致して配しており、前記収束レンズ系は、互いがテレ
セントリックな関係に順次配されていることを特徴とし
ている。
【００２２】レーザ発振器から出射されるレーザ光は、
例えば光軸調整ミラーで反射し、ビームエキスハンダに
よりビーム径が拡大されて、平行光となって第２スキャ
ンミラー及び第１スキャンミラーで反射し、３以上のｆ
θレンズをアフォーカル系に配された収束レンズ系へと
平行光として入射する。第１スキャンミラーで反射した
平行光は、収束レンズ系に入射し、先ず第１スキャンミ
ラーに対向して配された第１ｆθレンズにより集束され
て、その後側の焦点位置近傍に第１の中間像が結像され
る。
例えば光軸調整ミラーで反射し、ビームエキスハンダに
よりビーム径が拡大されて、平行光となって第２スキャ
ンミラー及び第１スキャンミラーで反射し、３以上のｆ
θレンズをアフォーカル系に配された収束レンズ系へと
平行光として入射する。第１スキャンミラーで反射した
平行光は、収束レンズ系に入射し、先ず第１スキャンミ
ラーに対向して配された第１ｆθレンズにより集束され
て、その後側の焦点位置近傍に第１の中間像が結像され
る。
【００２３】この場合、前記第１ｆθレンズの前側焦点
距離は第１スキャンミラーとの干渉を避けるため、必要
最小限の距離に設定されている。そのため、第１ｆθレ
ンズによる結像位置のずれ量は、既述した式によりある
程度大きなものとなる。この第１中間像から発せられる
レーザ光は、第２ｆθレンズに入射して平行光となって
出射し、第３ｆθレンズに入射する平行光からなる光束
は、同第３ｆθレンズにより、その後側焦点位置の近傍
で集束され第２の中間像を結像する。このとき、前記第
３ｆθレンズの焦点距離を小さく設定しておけば、第２
の中間像は第１中間像よりも縮小され、その結像位置の
ずれ量は第１中間像のずれ量よりも小さくなる。
距離は第１スキャンミラーとの干渉を避けるため、必要
最小限の距離に設定されている。そのため、第１ｆθレ
ンズによる結像位置のずれ量は、既述した式によりある
程度大きなものとなる。この第１中間像から発せられる
レーザ光は、第２ｆθレンズに入射して平行光となって
出射し、第３ｆθレンズに入射する平行光からなる光束
は、同第３ｆθレンズにより、その後側焦点位置の近傍
で集束され第２の中間像を結像する。このとき、前記第
３ｆθレンズの焦点距離を小さく設定しておけば、第２
の中間像は第１中間像よりも縮小され、その結像位置の
ずれ量は第１中間像のずれ量よりも小さくなる。
【００２４】いま、この第２中間像のずれ量δｈ２が、
所定の最終的な微小寸法に設定されたドットマークの視
認性を損なわない値であるときは、この第２中間像をマ
ーキング面上に直接結像させてマーキングを実行する。
しかし、ドットマークのドット径が、例えば５μｍ以下
と極めて小さい場合には、第２中間像のずれ量δｈ２に
よっても視認性が損なわれる。そのときは、前記収束レ
ンズ系に、更に第４、第５のｆθレンズを追加して配す
るようにする。
所定の最終的な微小寸法に設定されたドットマークの視
認性を損なわない値であるときは、この第２中間像をマ
ーキング面上に直接結像させてマーキングを実行する。
しかし、ドットマークのドット径が、例えば５μｍ以下
と極めて小さい場合には、第２中間像のずれ量δｈ２に
よっても視認性が損なわれる。そのときは、前記収束レ
ンズ系に、更に第４、第５のｆθレンズを追加して配す
るようにする。
【００２５】これらの第１〜第５〜第ｎの順で配される
複数のｆθレンズは、それぞれの隣接するｆθレンズの
前側焦点位置と後側焦点位置とを順次合致させて配され
るアフォーカル系に構成し、テレセントリックの関係を
同時に満足させる必要がある。
複数のｆθレンズは、それぞれの隣接するｆθレンズの
前側焦点位置と後側焦点位置とを順次合致させて配され
るアフォーカル系に構成し、テレセントリックの関係を
同時に満足させる必要がある。
【００２６】請求項２に係る発明は、前記請求項１に係
る発明に加えて、更に前記第１スキャンミラーと所要の
距離をもって離間して配される第２スキャンミラーとの
間の同一光路上に、２枚のｆθレンズをアフォーカル系
に配していることを特徴としている。
る発明に加えて、更に前記第１スキャンミラーと所要の
距離をもって離間して配される第２スキャンミラーとの
間の同一光路上に、２枚のｆθレンズをアフォーカル系
に配していることを特徴としている。
【００２７】第１スキャンミラーは、同ミラーに対向し
て配される収束レンズ系の光軸に対して４５°の傾斜角
をもって配されており、例えばその回動軸線を中心とし
てｘ軸方向に往復回動する。また、第２スキャンミラー
は、前記第１スキャンミラーのレーザ光入射側に、同第
１スキャンミラーと反射面を対向させて平行に配され、
例えば収束レンズ系の光軸と平行な回動軸線を中心にｙ
軸方向に往復回動する。従って、これらの第１及び第２
スキャンミラーは離間して配する必要があるが、このこ
とは第２スキャンミラーと収束レンズ系の第１ｆθレン
ズとの間に不要な離間距離を余儀なくされることを意味
する。その結果、刻印面がデフォーカスしたばあいのド
ット間隔のずれ量が大きくなってしまう。
て配される収束レンズ系の光軸に対して４５°の傾斜角
をもって配されており、例えばその回動軸線を中心とし
てｘ軸方向に往復回動する。また、第２スキャンミラー
は、前記第１スキャンミラーのレーザ光入射側に、同第
１スキャンミラーと反射面を対向させて平行に配され、
例えば収束レンズ系の光軸と平行な回動軸線を中心にｙ
軸方向に往復回動する。従って、これらの第１及び第２
スキャンミラーは離間して配する必要があるが、このこ
とは第２スキャンミラーと収束レンズ系の第１ｆθレン
ズとの間に不要な離間距離を余儀なくされることを意味
する。その結果、刻印面がデフォーカスしたばあいのド
ット間隔のずれ量が大きくなってしまう。
【００２８】本発明は、こうした刻印面におけるデフォ
ーカスによるドット間隔のずれを抑えてドットマークを
正確に形成するものである。すなわち、第１スキャンミ
ラーと第２スキャンミラーとの間の同一光軸上に２枚の
ｆθレンズをアフォーカル系に配する。このように、２
枚のｆθレンズを配することにより、平行光からなる光
束で第２スキャンミラーに入射されたレーザ光は、その
まま平行光として第２スキャンミラー側に配されたｆθ
レンズを通り、第１スキャンミラー側に配されたｆθレ
ンズにその前側焦点から放射される拡大光が入射する。
ーカスによるドット間隔のずれを抑えてドットマークを
正確に形成するものである。すなわち、第１スキャンミ
ラーと第２スキャンミラーとの間の同一光軸上に２枚の
ｆθレンズをアフォーカル系に配する。このように、２
枚のｆθレンズを配することにより、平行光からなる光
束で第２スキャンミラーに入射されたレーザ光は、その
まま平行光として第２スキャンミラー側に配されたｆθ
レンズを通り、第１スキャンミラー側に配されたｆθレ
ンズにその前側焦点から放射される拡大光が入射する。
【００２９】この入射光は同ｆθレンズを通って再び平
行光として第１スキャンミラーに入射して、同ミラーで
反射し、テレセントリックに配された収束レンズ系の第
１ｆθレンズへと入射される。こうして入射するレーザ
光は第１及び第２のスキャンミラーの間の光学的な離間
距離を短縮することができ、最終的なマーキング面上
に、請求項１の上記収束レンズ系と相まって、結像点か
らの最小のずれ量δｈをもって結像させることができる
ようになる。
行光として第１スキャンミラーに入射して、同ミラーで
反射し、テレセントリックに配された収束レンズ系の第
１ｆθレンズへと入射される。こうして入射するレーザ
光は第１及び第２のスキャンミラーの間の光学的な離間
距離を短縮することができ、最終的なマーキング面上
に、請求項１の上記収束レンズ系と相まって、結像点か
らの最小のずれ量δｈをもって結像させることができる
ようになる。
【００３０】
【発明の実施形態】以下、本発明の好適な実施形態を図
面を参照して具体的に説明する。図１は本発明の第１実
施形態である第１スキャンミラーと収束レンズ系による
代表的な結像機構を示している。なお、本発明にあっ
て、前記収束レンズ系に配されるｆθレンズの数は、そ
の縮小比により３枚以上とすることもある。また、同図
にあっては第１スキャンミラーと物体側に対向して配さ
れる第２スキャンミラーの図示は省略している。
面を参照して具体的に説明する。図１は本発明の第１実
施形態である第１スキャンミラーと収束レンズ系による
代表的な結像機構を示している。なお、本発明にあっ
て、前記収束レンズ系に配されるｆθレンズの数は、そ
の縮小比により３枚以上とすることもある。また、同図
にあっては第１スキャンミラーと物体側に対向して配さ
れる第２スキャンミラーの図示は省略している。
【００３１】同図において、第１スキャンミラー５ｘの
結像側には、第１〜第３のｆθレンズ６〜８がその光軸
上に配されている。いま、第１スキャンミラー５ｘが前
記光軸に対して略４５°の傾斜角をもって配され、その
交差線を中心として倒伏方向（Ｘ軸方向）に、図示せぬ
ガルバノメータにより往復回動する。この第１スキャン
ミラー５ｘの前記交差線は第１ｆθレンズ６の前側焦点
位置ｆｂ１に合致させている。
結像側には、第１〜第３のｆθレンズ６〜８がその光軸
上に配されている。いま、第１スキャンミラー５ｘが前
記光軸に対して略４５°の傾斜角をもって配され、その
交差線を中心として倒伏方向（Ｘ軸方向）に、図示せぬ
ガルバノメータにより往復回動する。この第１スキャン
ミラー５ｘの前記交差線は第１ｆθレンズ６の前側焦点
位置ｆｂ１に合致させている。
【００３２】前記第１〜第３のｆθレンズ６〜８が、本
発明における収束レンズ系を構成しており、第１ｆθレ
ンズ６の後側焦点位置ｆｂ’１と第２ｆθレンズ７の前
側焦点位置ｆｂ２とを合致させ、更に第２ｆθレンズ７
の後側焦点位置ｆｂ’２と第３ｆθレンズ８の前側焦点
位置ｆｂ３とを合致させて、全体をアフォーカル系で且
つテレセントリックの関係に配している。結像面である
マーキング面ＭＳを前記第３ｆθレンズ８の後側焦点位
置ｆｂ’３に合わせてある。
発明における収束レンズ系を構成しており、第１ｆθレ
ンズ６の後側焦点位置ｆｂ’１と第２ｆθレンズ７の前
側焦点位置ｆｂ２とを合致させ、更に第２ｆθレンズ７
の後側焦点位置ｆｂ’２と第３ｆθレンズ８の前側焦点
位置ｆｂ３とを合致させて、全体をアフォーカル系で且
つテレセントリックの関係に配している。結像面である
マーキング面ＭＳを前記第３ｆθレンズ８の後側焦点位
置ｆｂ’３に合わせてある。
【００３３】本実施形態では、前記第１及び第２ｆθレ
ンズ６，７は同一の焦点距離とし、第３θレンズ８の焦
点距離をそれらよりも短く設定しているが、必ずしも、
第１及び第２ｆθレンズ６，７を同一の焦点距離としな
くてもよい。しかし、いずれにしても第１〜第３のｆθ
レンズ６〜８の間では収束レンズ系を構成する必要があ
る。
ンズ６，７は同一の焦点距離とし、第３θレンズ８の焦
点距離をそれらよりも短く設定しているが、必ずしも、
第１及び第２ｆθレンズ６，７を同一の焦点距離としな
くてもよい。しかし、いずれにしても第１〜第３のｆθ
レンズ６〜８の間では収束レンズ系を構成する必要があ
る。
【００３４】いま、図示せぬレーザ発振器から出射され
たパルスレーザ光は、同じく図示せぬ光軸調整ミラーや
ビームエキスパンダなどを通して、図示せぬ第２のガル
バノメータにより制御駆動される第２スキャンミラーに
より反射して、第１スキャンミラー５ｘへと入射する。
第１スキャンミラー５ｘに入射したレーザ光は同ミラー
５ｘで反射して第１ｆθレンズ６に入射する。このとき
レーザ光の主光線は第１ｆθレンズ６の前側焦点を通っ
て同レンズ６に入射し、光軸に平行な光となって進み、
第１ｆθレンズ６の他の部分に入射するレーザ光は同レ
ンズ６の後側焦点位置ｆｂ’１の近傍に結像（中間像Ａ
１）し、その結像点から第２ｆθレンズ７へと入射す
る。
たパルスレーザ光は、同じく図示せぬ光軸調整ミラーや
ビームエキスパンダなどを通して、図示せぬ第２のガル
バノメータにより制御駆動される第２スキャンミラーに
より反射して、第１スキャンミラー５ｘへと入射する。
第１スキャンミラー５ｘに入射したレーザ光は同ミラー
５ｘで反射して第１ｆθレンズ６に入射する。このとき
レーザ光の主光線は第１ｆθレンズ６の前側焦点を通っ
て同レンズ６に入射し、光軸に平行な光となって進み、
第１ｆθレンズ６の他の部分に入射するレーザ光は同レ
ンズ６の後側焦点位置ｆｂ’１の近傍に結像（中間像Ａ
１）し、その結像点から第２ｆθレンズ７へと入射す
る。
【００３５】このときの中間像Ａ１の光軸上からのずれ
量δｈ１はｆｂ’１・２δθとなり、第１スキャンミラ
ー５ｘの設置位置の位置精度とガルバノメータの交差な
どにより決まる。また、この中間像Ａ１は第２ｆθレン
ズ７の前側焦点位置ｆｂ２の近傍に結像されるため、同
レンズ７を通過する光束は平行光となって第３ｆθレン
ズ８へと入射する。この第２及び第３ｆθレンズ７，８
もアフォーカル系に配されるため、こうして第３ｆθレ
ンズ８に入射する光束は、マーキング面に最終像Ａ２を
結像する。
量δｈ１はｆｂ’１・２δθとなり、第１スキャンミラ
ー５ｘの設置位置の位置精度とガルバノメータの交差な
どにより決まる。また、この中間像Ａ１は第２ｆθレン
ズ７の前側焦点位置ｆｂ２の近傍に結像されるため、同
レンズ７を通過する光束は平行光となって第３ｆθレン
ズ８へと入射する。この第２及び第３ｆθレンズ７，８
もアフォーカル系に配されるため、こうして第３ｆθレ
ンズ８に入射する光束は、マーキング面に最終像Ａ２を
結像する。
【００３６】このときの最終像Ａ２の結像位置からの光
軸に対するずれ量δｈ２は、（ｆｂ’３／ｆｂ２）・ｆ
ｂ’１・２δθとなり、上記中間像Ａ１の（ｆｂ’３／
ｆｂ２）となる。ここで、ｆｂ’３＜ｆｂ２であるか
ら、結果的に中間像Ａ１のずれ量δｈ１をｆｂ’３／ｆ
ｂ２だけ縮小したことになる。
軸に対するずれ量δｈ２は、（ｆｂ’３／ｆｂ２）・ｆ
ｂ’１・２δθとなり、上記中間像Ａ１の（ｆｂ’３／
ｆｂ２）となる。ここで、ｆｂ’３＜ｆｂ２であるか
ら、結果的に中間像Ａ１のずれ量δｈ１をｆｂ’３／ｆ
ｂ２だけ縮小したことになる。
【００３７】このように、本実施形態によれば、第１ス
キャンミラー５ｘに対向させて配される収束レンズ系
を、上述のごとく配しているため、途中に中間像を結像
させたのちに収束系レンズを通して、その結像位置から
の光軸に対するずれ量δｈを最終的に小さくするため、
ガルバノメータやスキャンミラーなどの特性限界があっ
たとしても、それらの公差などによる影響を少なくし
て、所望のマーキング面上に所望の微小寸法のドットマ
ークを正確に形成することができる。
キャンミラー５ｘに対向させて配される収束レンズ系
を、上述のごとく配しているため、途中に中間像を結像
させたのちに収束系レンズを通して、その結像位置から
の光軸に対するずれ量δｈを最終的に小さくするため、
ガルバノメータやスキャンミラーなどの特性限界があっ
たとしても、それらの公差などによる影響を少なくし
て、所望のマーキング面上に所望の微小寸法のドットマ
ークを正確に形成することができる。
【００３８】図２は本発明の第２実施形態を示してい
る。この実施形態によれば、上記収束レンズ系から遠く
に配される第２スキャンミラー５ｙとスキャンミラー側
のｆθレンズ６との間に生じるデフォーカスを極力少な
くしようとするものである。すなわち、ｙ軸方向に往復
回動する第２スキャンミラー５ｙの反射光は、９０°の
位相差をもってｘ軸方向に往復回動する第１スキャンミ
ラー５ｘを介して収束レンズ系の最もスキャンミラー側
に配されるｆθレンズ６へと入射されるため、前記ｆθ
レンズ６と第２スキャンミラー５ｙの配置位置との間の
離間距離が遠ざかれば遠ざかるほど、第１及び／又は第
２スキャンミラー５ｘ，５ｙの往復回動位置がｆθレン
ズ６の前側焦点距離から大きくずれやすくなり、ｆθレ
ンズ６のテレセントリックな光学系のずれも大きくな
る。また、第１及び／又は第２スキャンミラー５ｘ，５
ｙの振り角θ１，θ２のずれ量が拡大する。
る。この実施形態によれば、上記収束レンズ系から遠く
に配される第２スキャンミラー５ｙとスキャンミラー側
のｆθレンズ６との間に生じるデフォーカスを極力少な
くしようとするものである。すなわち、ｙ軸方向に往復
回動する第２スキャンミラー５ｙの反射光は、９０°の
位相差をもってｘ軸方向に往復回動する第１スキャンミ
ラー５ｘを介して収束レンズ系の最もスキャンミラー側
に配されるｆθレンズ６へと入射されるため、前記ｆθ
レンズ６と第２スキャンミラー５ｙの配置位置との間の
離間距離が遠ざかれば遠ざかるほど、第１及び／又は第
２スキャンミラー５ｘ，５ｙの往復回動位置がｆθレン
ズ６の前側焦点距離から大きくずれやすくなり、ｆθレ
ンズ６のテレセントリックな光学系のずれも大きくな
る。また、第１及び／又は第２スキャンミラー５ｘ，５
ｙの振り角θ１，θ２のずれ量が拡大する。
【００３９】このため、本実施形態では、図２に示すよ
うに第１スキャンミラー５ｘと第２スキャンミラー５ｙ
との間の光通路上に２枚のｆθレンズ９，１０をアフォ
ーカル系に配して、デフォーカス時の影響及びテレセン
トリック性の崩れを低減させて、マーキング面における
結像の位置ずれを極力小さなものとしている。
うに第１スキャンミラー５ｘと第２スキャンミラー５ｙ
との間の光通路上に２枚のｆθレンズ９，１０をアフォ
ーカル系に配して、デフォーカス時の影響及びテレセン
トリック性の崩れを低減させて、マーキング面における
結像の位置ずれを極力小さなものとしている。
【００４０】以上の説明からも明らかなように、本発明
のビームスキャン式レーザマーキング装置によれば、収
束レンズ系に最もスキャンミラー側に配されるｆθレン
ズの焦点距離をレーザ光の入射側に対向して配される第
１スキャンミラーとの干渉が回避できる距離に設定する
と共に、収束レンズ系を複数のｆθレンズをもって互い
にテレセントリック性を確保するアフォーカル系に配
し、第１及び第２スキャンミラーの駆動時における振り
角の公差などを踏まえた上で、第１ｆθレンズにより、
通常のずれ量をもって結像される中間像を一旦作りだ
し、次いで第２ｆθレンズを通して焦点距離の小さい縮
小レンズである第３ｆθレンズにより縮小された結像を
マーキング面に形成する。
のビームスキャン式レーザマーキング装置によれば、収
束レンズ系に最もスキャンミラー側に配されるｆθレン
ズの焦点距離をレーザ光の入射側に対向して配される第
１スキャンミラーとの干渉が回避できる距離に設定する
と共に、収束レンズ系を複数のｆθレンズをもって互い
にテレセントリック性を確保するアフォーカル系に配
し、第１及び第２スキャンミラーの駆動時における振り
角の公差などを踏まえた上で、第１ｆθレンズにより、
通常のずれ量をもって結像される中間像を一旦作りだ
し、次いで第２ｆθレンズを通して焦点距離の小さい縮
小レンズである第３ｆθレンズにより縮小された結像を
マーキング面に形成する。
【００４１】その結果、第１ｆθレンズにより最初に生
じた結像位置に対する結像のずれ量も縮小されるように
なり、ずれ量の影響の少ないドットマークが形成でき、
特に微小なドット形態を有するドットマークであって
も、そのドットマーク間のピッチへの影響が少なくな
り、以降の視認性が十分に確保できる。
じた結像位置に対する結像のずれ量も縮小されるように
なり、ずれ量の影響の少ないドットマークが形成でき、
特に微小なドット形態を有するドットマークであって
も、そのドットマーク間のピッチへの影響が少なくな
り、以降の視認性が十分に確保できる。
【００４２】また、第１及び第２スキャンミラーの配置
のずれや、振り角などのずれに対しても、両ミラー間に
２枚のｆθレンズをアフォーカル系に配することによ
り、そのずれ量を極力小さくすることができるため、テ
レセントリック性が確保され、更に結像の位置ずれが少
なくなる。
のずれや、振り角などのずれに対しても、両ミラー間に
２枚のｆθレンズをアフォーカル系に配することによ
り、そのずれ量を極力小さくすることができるため、テ
レセントリック性が確保され、更に結像の位置ずれが少
なくなる。
【００４３】以上は、本発明の典型的な実施の形態を説
明したものであり、本発明は既述したとおり特許請求の
範囲に記載した範囲において多様な変更が可能であるこ
とは理解すべきであろう。
明したものであり、本発明は既述したとおり特許請求の
範囲に記載した範囲において多様な変更が可能であるこ
とは理解すべきであろう。
【図１】本発明のビームスキャン式レーザマーキング装
置における代表的な第１の実施形態を示す収束光学系の
概略構成とその機能の説明図である。
置における代表的な第１の実施形態を示す収束光学系の
概略構成とその機能の説明図である。
【図２】その第２の実施形態を示す収束光学系の概略構
成とその機能の説明図である。
成とその機能の説明図である。
【図３】従来の同収束光学系の概略構成とその第１スキ
ャンミラーの振り角による影響を示す機能説明図であ
る。
ャンミラーの振り角による影響を示す機能説明図であ
る。
【図４】同じく従来の収束光学系の第１スキャンミラー
の配置ずれによる影響を示す機能説明図である。
の配置ずれによる影響を示す機能説明図である。
【図５】一般のビームスキャン式レーザマーキング装置
の概略構成を示す説明図である。
の概略構成を示す説明図である。
１ レーザ発振器 ２ 超音波Ｑスィッチ ３ 駆動回路 ４ 制御装置 ４ｘ 第１ガルバノメータ ４ｙ 第２ガルバノメータ ５ｘ 第１スキャンミラー ５ｙ 第２スキャンミラー ６ 第１ｆθレンズ ７ 第２ｆθレンズ ８ 第３ｆθレンズ ９，１０ ｆθレンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｂ 26/10 Ｇ０２Ｂ 26/10 Ｃ Ｅ １０１ １０１ (72)発明者 千葉 貞一郎 神奈川県平塚市万田1200 株式会社小松製 作所研究本部内 Ｆターム(参考） 2H045 AB01 BA12 CA64 DA14 DA31 2H087 KA19 KA26 LA22 NA02 4E068 AB00 CA11 CB08 CD13 CE02
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザ発振器から出射されるレーザ光を
スキャンミラーにより所望のパターンで走査させ、収束
レンズ系を通して被マーキング面にマーキングを行うビ
ームスキャン式レーザマーキング装置にあって、 前記収束レンズ系が３以上の収束系レンズから構成さ
れ、 スキャンミラー側に近く配されるｆθレンズの焦点距離
を、それに対向して配される第１スキャンミラーと干渉
しない距離に設定すると共に、第１スキャンミラーの中
心を同レンズの前側焦点位置に一致して配し、 前記収束レンズ系は、互いがテレセントリックな関係に
順次配されてなる、ことを特徴とするビームスキャン式
レーザマーキング装置。 - 【請求項２】 前記第１スキャンミラーと所要の距離を
もって離間して配される第２スキャンミラーとの間の同
一光路上に、２枚のｆθレンズがアフォーカル系に配さ
れてなることを特徴とする請求項１記載のビームスキャ
ン式レーザマーキング装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000338848A JP4159738B2 (ja) | 2000-11-07 | 2000-11-07 | ビームスキャン式レーザマーキング装置 |
| US09/984,916 US20020057481A1 (en) | 2000-11-07 | 2001-10-31 | Beam scanning type laser marking device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000338848A JP4159738B2 (ja) | 2000-11-07 | 2000-11-07 | ビームスキャン式レーザマーキング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002144054A true JP2002144054A (ja) | 2002-05-21 |
| JP4159738B2 JP4159738B2 (ja) | 2008-10-01 |
Family
ID=18813999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000338848A Expired - Fee Related JP4159738B2 (ja) | 2000-11-07 | 2000-11-07 | ビームスキャン式レーザマーキング装置 |
Country Status (2)
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|---|---|
| US (1) | US20020057481A1 (ja) |
| JP (1) | JP4159738B2 (ja) |
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| JP2016531004A (ja) * | 2013-08-06 | 2016-10-06 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングＲｏｂｅｒｔ Ｂｏｓｃｈ Ｇｍｂｈ | レーザビームを用いた材料加工装置 |
| JP2020196023A (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-10 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工方法ならびに素子チップの製造方法 |
| WO2023238175A1 (ja) * | 2022-06-06 | 2023-12-14 | 株式会社ニコン | 集光光学系、ｆθ光学系、光加工装置、および光計測装置 |
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| US6924458B2 (en) * | 2003-07-17 | 2005-08-02 | Great Computer Corp. | Auxiliary focusing tool for laser marker |
| WO2009018858A1 (en) * | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Stephen Hastings | Three-dimensional scanning method using galvano scanning apparatus |
| CN104238071B (zh) * | 2013-06-24 | 2016-12-28 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种F‑theta光学镜头及激光加工系统 |
| EP3647859A4 (en) * | 2017-06-28 | 2021-02-24 | Hoya Lens Thailand Ltd. | EYEGLASS GLASS MANUFACTURING PROCESS, EYEGLASS GLASS AND GLASS MANUFACTURING SYSTEM |
| US11500070B2 (en) * | 2019-09-04 | 2022-11-15 | Lumentum Operations Llc | Optical device having two scanning components, one configured to compensate for field distortion |
-
2000
- 2000-11-07 JP JP2000338848A patent/JP4159738B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2001
- 2001-10-31 US US09/984,916 patent/US20020057481A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009267110A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Japan Steel Works Ltd:The | 薄膜材料の結晶化方法及びその装置 |
| JP2016531004A (ja) * | 2013-08-06 | 2016-10-06 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングＲｏｂｅｒｔ Ｂｏｓｃｈ Ｇｍｂｈ | レーザビームを用いた材料加工装置 |
| JP2020196023A (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-10 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工方法ならびに素子チップの製造方法 |
| WO2023238175A1 (ja) * | 2022-06-06 | 2023-12-14 | 株式会社ニコン | 集光光学系、ｆθ光学系、光加工装置、および光計測装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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