JP2002139735A - 液晶表示パネル及びその開発方法 - Google Patents

液晶表示パネル及びその開発方法

Info

Publication number
JP2002139735A
JP2002139735A JP2000331570A JP2000331570A JP2002139735A JP 2002139735 A JP2002139735 A JP 2002139735A JP 2000331570 A JP2000331570 A JP 2000331570A JP 2000331570 A JP2000331570 A JP 2000331570A JP 2002139735 A JP2002139735 A JP 2002139735A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
liquid crystal
substrate
crystal display
display panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000331570A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4368515B2 (ja
Inventor
Yohei Nakanishi
洋平 仲西
Hideshi Yoshida
秀史 吉田
Takashi Sasabayashi
貴 笹林
Yasutoshi Tasaka
泰俊 田坂
Tetsuya Fujikawa
徹也 藤川
Hidetomo Sukenori
英智 助則
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2000331570A priority Critical patent/JP4368515B2/ja
Priority to US09/927,005 priority patent/US6819384B2/en
Priority to TW090121487A priority patent/TW583480B/zh
Priority to KR1020010053819A priority patent/KR100739846B1/ko
Publication of JP2002139735A publication Critical patent/JP2002139735A/ja
Priority to US10/747,517 priority patent/US7095473B2/en
Priority to US11/312,912 priority patent/US7136131B2/en
Priority to US11/521,778 priority patent/US7397454B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4368515B2 publication Critical patent/JP4368515B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3614—Control of polarity reversal in general
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0247—Flicker reduction other than flicker reduction circuits used for single beam cathode-ray tubes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0257—Reduction of after-image effects
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/028—Improving the quality of display appearance by changing the viewing angle properties, e.g. widening the viewing angle, adapting the viewing angle to the view direction
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G09G2320/046—Dealing with screen burn-in prevention or compensation of the effects thereof
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/06—Adjustment of display parameters
    • G09G2320/0693—Calibration of display systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】焼付率を低減可能な構造の液晶表示装置及びそ
の開発期間短縮化を可能にする液晶表示装置開発方法を
提供する。 【解決手段】画素電極２５Ａとコモン電極２３Ａとの間
に矩形交流電圧を印加し、その交流電圧成分の振幅Ｖac
及び直流電圧成分Ｖdcを変化させて最適直流成分変動幅
ΔＶdcを測定し、ΔＶdcが所定値以下になるように液晶
表示装置の構成又は構成材料を決定する。ここに、ΔＶ
dc＝｜Ｖdcb−Ｖdcw｜、Ｖdcbは、Ｖacを黒表示用交流
電圧振幅（２Ｖ）に固定してＶdcを変化させた場合に透
過率振幅が最小となるＶdcの値であり、Ｖdcwは、Ｖac
を白表示用交流電圧振幅（７Ｖ）に固定してＶdcを変化
させた場合に透過率振幅が最小となるＶdcの値である。
画素電極２５Ａとコモン電極２３Ａの上方の絶縁体２６
Ａの厚みを同じにする。電極交差部を線対称にする。画
素電極のスプライト電極部の表面を土手形にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、焼付率を低減可能
な構造の液晶表示パネル及びその開発方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３１及び図３２はいずれも液晶表示パ
ネルの１画素の構造を示す概略断面図である。図３１は
電圧無印加時の状態を示し、図３２は電圧印加時の状態
を示す。
【０００３】液晶表示パネルは、互いに対向する基板１
０及び２０と、これらの間に封入された、正の誘電率異
方性を有するネマティック液晶３０とを備えている。基
板１０では、透明絶縁基板１１、例えばガラス基板の一
面に、面電極１２、誘電体１３及び垂直配向層１４が積
層され、透明絶縁基板１１の他面に偏光子１５が被着さ
れている。基板２０では、透明絶縁基板２１、例えばガ
ラス基板の一面に、コモン電極２３が形成され、その上
に絶縁層２４を介して画素電極２５が形成されている。
絶縁層２４及び画素電極２５の上には、絶縁層２６及び
垂直配向層２７が積層されている。透明絶縁基板２１の
他面には、偏光子２８が被着されている。偏光子１５と
２８の透過軸は互いに離間して直交している。
【０００４】図示矢印方向のバックライト光がへこの液
晶表示パネルに入射すると、偏光子２８を通って直線偏
光になる。面電極１２、コモン電極２３及び画素電極２
５が同電位のとき、この直線偏光の偏光面は液晶３０内
で変化しないので、偏光子１５を透過できず、暗状態に
なる。
【０００５】図３２に示す如く、面電極１２とコモン電
極２３とを同電位にし、画素電極２５を該電位と異なる
電位にすると、電界が生ずる。図３２中の点線は、電気
力線を示している。この電界により、入射光の方向に対
し液晶分子が傾くので、複屈折が生じ、この光の一部が
偏光子１５を透過して、明状態になる。
【０００６】コモン電極２３及び画素電極２５は遮光性
のメタルであり、これらの上方の液晶分子の挙動は表示
上問題にならない。
【０００７】面電極１２が存在しないと、画素電極２５
とコモン電極２３との中間の液晶分子の傾斜が小さくな
って透過率が落ち込む領域が存在する。面電極１２はこ
の部分の横電界を斜め非対称にして透過率落込を防止す
るのに寄与する。誘電体１３は、液晶３０中の横電界を
強化して、より低い印加電圧で液晶を駆動可能にするた
めのものである。コモン電極２３と画素電極２５とは、
紙面垂直方向に延び且つ交互に形成されたストライプ電
極である。絶縁層２４は、コモン電極２３と画素電極２
５とが後述のように上下に重なる部分で短絡するのを防
止するためのものである。絶縁層２６は焼付率を低減す
るためのものである。
【０００８】図３３は、基板２０に形成された電極パタ
ーンの１画素分を示す。図３４及び図３５はそれぞれ、
図３３中の画素電極２５及びコモン電極２３のパターン
図である。
【０００９】データラインＤＬ１と走査ラインＳＬ１と
は、絶縁膜を介して互いに直交している。画素電極２５
及びコモン電極２３はいずれも、ストライプ部と、スト
ライプ部の端部を繋ぐ周囲部とを有する。ストライプ部
は、走査ラインＳＬ１及びデータラインＤＬ１の各々に
対し４５°傾斜している。
【００１０】走査ラインＳＬ１が高レベルになると、Ｔ
ＦＴ２９がオンになって、データラインＤＬ１上の電圧
が画素電極２５に印加され、画素電極２５とコモン電極
２３のストライプ電極間に電界が生ずる。ストライプ電
極の長手方向は、図３３の上半分と下半分とで互いに９
０°異なる。これにより、上半分と下半分とで互いに平
行である場合よりも液晶表示パネルの視野角が広くな
る。
【００１１】コモン電極２３の周囲突起部は、不図示の
隣の画素のコモン電極２３に繋がっている。
【００１２】図３６（Ａ）は、図３３中の線電極交差付
近の部分拡大図である。図３６（Ｂ）は、画素電極２５
とコモン電極２３との間に電圧が印加された時の電気力
線を点線で示す。
【００１３】画素が矩形であることと、画素電極２５及
びコモン電極２３が互いに平行なストライプ部を有する
ことと、画素電極２５及びコモン電極２３がいずれも一
繋がりのものであることから、画素電極２５の周囲部と
コモン電極２３の周囲部とは絶縁部を介し互いに重なる
部分を有する。このため、画素電極２５とコモン電極２
３の隣り合う線電極の端部が、絶縁部を介し交差する。
例えば、画素電極２５の辺２５１は、周囲部の辺２５２
に繋がり、コモン電極２３の辺２３１は、辺２５１と平
行であるが辺２５２とは鋭角で交差している。
【００１４】図３７は、液晶表示パネルの１画素の画素
電極とコモン電極との間に電圧を印加した場合の電極間
付近の液晶分子の傾斜を示す概略断面図である。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】図３２において、画素
電極２５と液晶３０との間の構成が、コモン電極２３と
液晶３０との間の構成と異なるので、焼付きが生ずる原
因となる。
【００１６】また、図３６（Ｂ）に示す如く、辺２５２
と辺２３１とが鋭角で交差するので、この付近の電極間
の電界が平行部分のそれよりも強くなる。さらに、交差
付近の電界の方向が、平行部分のそれと異なる。このよ
うなことから、交差付近の電極間印加電圧に対する透過
特性が平行部分のそれと異なって、画質が劣化するとと
もに、焼付きが生ずる原因となる。
【００１７】さらに、図３７において、画素電極２５の
上方に絶縁層２６が存在するので、これらの部分に電界
が印加されても無駄になり、液晶３０に対し効率的に電
界を印加することができない。垂直配向層２７の絶縁性
が低いので、この問題を解決するために絶縁層２６を省
略すると、焼付きが生ずる原因となる。液晶３０に対し
画素電極２５を剥き出しにすると、さらに焼付きが大き
くなるとともに、液晶分子が分解する。また、画素電極
２５の表面が平坦であるので、透過率との関係で液晶３
０に対し効果的に電界を印加することができず、表示の
高コントラスト化が妨げられていた。
【００１８】液晶表示パネルの開発において、焼付率を
所定値以下にするために、液晶表示パネルの構造や材料
を変える毎に焼付率を測定すると、１回の測定に例えば
４８時間要するので、開発期間が長くなる。
【００１９】本発明の目的は、このような点に鑑み、焼
付率を低減可能な構造の液晶表示パネル及びその開発期
間短縮化を可能にする液晶表示パネル開発方法を提供す
ることにある。
【００２０】本発明の他の目的は、表示のコントラスト
を向上させることが可能な液晶表示パネルを提供するこ
とにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段及びその作用効果】本発明
の液晶表示パネルでは、第１基板と第２基板との間に液
晶が封入され、該第１基板は、透明絶縁基板と、該透明
絶縁基板の上方に形成された第１電極及び第２電極と、
該第１電極と該第２電極とを被う第１絶縁膜とを有し、
該透明絶縁基板の液晶側の面を基準として、該第１電極
の位置が該第２電極の位置よりも高く、該第１電極と該
第２電極とが第２絶縁膜を介して重なり合う部分を有
し、該第１絶縁膜は、該第１電極上と該第２電極上とで
厚みが実質的に同一である。
【００２２】この液晶表示パネルによれば、第１電極と
第２電極との間に矩形交流電圧を印加した場合に、第１
電極の上方と第２電極の上方とで電気的状態がほぼ同一
になって、例えば図３１のように該第１電極上と該第２
電極上とで厚みが異なる場合よりも、焼付きが低減され
る。
【００２３】本発明の他の液晶表示パネルでは、第１基
板と第２基板との間に液晶が封入され、該第１基板は、
透明絶縁基板と、該透明絶縁基板の上方に形成され絶縁
膜を介し互いに交差する部分を有する第１電極及び第２
電極とを備え、該第１電極及び該第２電極はいずれも、
該交差部分と連続する互いに平行な線電極部分を有し、
該交差部分の該第１電極と該第２電極の隣り合う辺が互
いに鈍角で交差している。
【００２４】この液晶表示パネルによれば、鋭角で交差
する場合よりも、電気力線の集中が緩和されて電界強度
が大きくなるのが抑制され、表示画質が向上するととも
に、焼付きが低減される。
【００２５】高さ方向を無視した平面上について、上記
交差部分の上記隣り合う辺が、上記平行線分の間を通る
直線に関し実質的に対称である場合には、電界ベクトル
の方向が交差部分の電界ベクトルの方向が平行部分のそ
れと平行になるので、表示画質がさらに向上するととも
に、焼付きがさらに低減される。
【００２６】本発明のさらに他の液晶表示パネルでは、
透明絶縁基板に対し第２電極より上方に位置する第１電
極の表面が凸形である。
【００２７】これにより、第１及び第２電極間に同一電
圧を印加した場合に、第１電極の表面が平坦である場合
よりも液晶分子をより傾斜させることが可能になり、表
示のコントラストが向上する。
【００２８】本発明の液晶表示パネルの開発方法では、
第１基板と第２基板との間に液晶が封入され、該第１基
板に第１電極が形成され、該第１基板又は該第２基板に
第２電極が形成された画素を有する液晶表示パネルに対
するものであって、該第１電極と該第２電極との間に交
流電圧成分と直流電圧成分Ｖdcとの和である信号電圧を
印加し、該交流電圧成分の振幅Ｖac及び該直流電圧成分
Ｖdcを変化させて実質的に最適直流成分変動幅ΔＶdcを
測定し、該最適直流成分変動幅ΔＶdcが所定値以下にな
るように該液晶表示パネルの構成又は構成材料を決定
し、ここに、該最適直流成分変動幅ΔＶdcは、ΔＶdc＝
｜Ｖdcb−Ｖdcw｜と表され、Ｖdcbは、該振幅Ｖacを黒
表示用交流電圧振幅に固定し該直流電圧成分Ｖdcを変化
させた場合に、該画素の透過率振幅が最小となる該直流
電圧成分Ｖdcの値であり、Ｖdcwは、該振幅Ｖacを白表
示用交流電圧振幅に固定し該直流電圧成分Ｖdcを変化さ
せた場合に、該画素の透過率振幅が最小となる該直流電
圧成分Ｖdcの値である。
【００２９】この液晶表示パネル開発方法によれば、焼
付率との相関度が高い最適直流成分変動幅ΔＶdcを短時
間で容易に測定することができるので、最適直流成分変
動幅ΔＶdcを用いることにより、焼付率が所望の値以下
の液晶表示パネルを開発するための期間を短縮すること
が可能となる。
【００３０】焼付きを人が認識できないようにするため
には、焼付率を、室内の通常照明下の場合には６％以
下、暗室内の場合には３％以下にしなければならない。
【００３１】上記所定値は、例えば０．５Ｖ以下の値で
あり、該所定値が０．５Ｖのとき焼付率が６％、該所定
値が０．２Ｖのとき焼付率が３％であることを確認し
た。
【００３２】本発明の他の目的、構成及び効果は以下の
説明から明らかになる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。
【００３４】［第１実施形態］最初に、焼付率を低減可
能な構造又は材料を用いた液晶表示パネルの開発期間短
縮化を可能にする液晶表示パネル開発方法を説明する。
【００３５】図１は、本発明の方法に用いられる液晶表
示装置の概略回路図である。図１では簡単化のために、
画素アレイが３行６列の場合を示している。
【００３６】この回路自体は、従来と同一である。デー
タラインＤＬ１、走査ラインＳＬ１、ＴＦＴ２９、画素
電極２５及びコモン電極２３は、例えば図３１に示す如
く形成されている。画素電極２５と対向する電極は、こ
のコモン電極２３と、図３１に示す面電極１２との両方
である。走査ライン及びデータラインはそれぞれ、走査
ドライバ３１及びデータドライバ３２の出力端に接続さ
れている。制御回路３３は、ピクセルクロックＣＬＫ及
び水平同期信号ＨＳＹＮＣに基づいてデータドライバ３
２を制御するとともに、ビデオ信号ＶＳをデータドライ
バ３２に供給し、水平同期信号ＨＳＹＮＣ及び垂直同期
信号ＶＳＹＮＣに基づいて走査ドライバ３１を制御す
る。走査ドライバ３１により、画素アレイの行が順次選
択され、選択された行にデータドライバ３２から表示デ
ータ（階調電圧）が供給される。
【００３７】図２は、焼付率説明図である。
【００３８】例えば、表示データが６４階調、「白」が
第６４階調、「黒」が第１階調である場合を考える。焼
付率は次のようにして測定される。
【００３９】（Ａ）白（第６４階調）を表示させて輝度
Ｂmを測定する。
【００４０】（Ｂ）次に、白と黒の固定パターンを例え
ば４８時間表示させる。
【００４１】（Ｃ）この直後に中間調（第３２階調）を
表示させて、上記（Ｂ）で白を表示していた領域と黒を
表示していた領域との輝度Ｂmw及びＢmbを測定する。焼
付率は、次式で計算される。
【００４２】焼付率＝１００（Ｂmw−Ｂmb）／Ｂm 上記（Ｃ）において、焼付きを人が認識できないように
するためには、焼付率を、室内の通常照明下の場合には
６％以下、暗室内の場合には３％以下にしなければなら
ない。
【００４３】焼付率は、液晶表示パネルの構造や構成材
料により異なる。液晶表示パネルの開発において、焼付
率を所定値以下にするために、液晶表示パネルの構造や
材料を変える毎に焼付率を測定すると、１回の測定に例
えば４８時間要するので、開発期間が長くなる。そこ
で、焼付率と相関度が高い物理量であって、短時間で測
定できるものを探すことを考える。
【００４４】液晶画素には、その劣化を防止するために
矩形交流電圧が印加される。図３は、図３２の画素電極
２５とコモン電極２３との間及び画素電極２５と面電極
１２との間に印加される電圧波形を示す。周波数は３０
Ｈｚである。
【００４５】交流電圧印加によりフリッカが生ずるのを
防止するため、すなわち透過率が周期的に変化するのを
防止するために、液晶画素印加電圧には直流電圧成分が
加えられる。矩形交流電圧の振幅及び直流電圧成分をそ
れぞれＶac及びＶdcで表す。
【００４６】交流振幅Ｖacを固定し、直流成分Ｖdcを段
階的に変化させた場合の液晶表示パネル透過率を測定し
た。図４〜図１２は、交流振幅Ｖacを黒表示用電圧であ
る２Ｖに固定し、直流成分Ｖdcを−３Ｖ、−２Ｖ、−１
Ｖ、−０．５Ｖ、０Ｖ、０．５Ｖ、１Ｖ、２Ｖ及び３Ｖ
にした場合のそれぞれの透過率変動を示す。図４に示す
如く、透過率変動幅をΔＴで表す。
【００４７】図１３は、Ｖac＝２Ｖの場合の直流成分Ｖ
dcと透過率変動幅ΔＴとの関係を示すグラフである。こ
のグラフから、透過率変動幅ΔＴが最小となる直流成分
Ｖdcの値は−０．３８Ｖと推定される。
【００４８】さらに、交流振幅Ｖacが白表示用電圧であ
る７Ｖと中間調表示用電圧（２＋７）／２＝４．５Ｖの
場合に、透過率変動幅ΔＴが最小値ΔＴminとなる直流
成分Ｖdcを上記同様にして求めた。これらの結果を、図
１４に示す。交流振幅Ｖacが白表示用電圧と黒表示用電
圧であるときの直流成分Ｖdcの差をΔＶdcで表す。実際
の液晶表示装置では直流成分Ｖdcが固定値であるので、
最適直流成分変動幅ΔＶdcが狭いほどフリッカが弱くな
る。
【００４９】図１５は、液晶表示パネルの構造や材料を
変えて焼付率及び最適直流成分変動幅ΔＶdcを測定し、
両者の関係を表したグラフである。このグラフから、焼
付率と最適直流成分変動幅ΔＶdcとの相関度が高いこと
が判る。また、焼付率が上記６％以下であるためには、
最適直流成分変動幅ΔＶdcが０．５Ｖ以下でなければな
らず、焼付率が上記３％以下であるためには、最適直流
成分変動幅ΔＶdcが０．２Ｖ以下でなければならないこ
とが判る。
【００５０】最適直流成分変動幅ΔＶdcは短時間で容易
に測定することができるので、ΔＶdcを用いることによ
り、焼付率が所望の値以下の液晶表示パネルを開発する
ための期間を大幅に短縮することが可能となる。
【００５１】なお、図３１において、面電極１２を用い
ずに、画素電極２５とコモン電極２３を用いた構成、及
び、コモン電極２３を用いずに、画素電極２５と面電極
１２とを用いた構成であっても、最適直流成分変動幅Δ
Ｖdcと焼付率との相関度は高く、その他の構成の液晶表
示パネルについても同様の相関関係があると考えられ
る。
【００５２】［第２実施形態］図１６及び図１７はいず
れも、焼付率を低減可能な本発明の第２実施形態の液晶
画素の構成を示す概略断面図である。図１６は電圧無印
加時の状態を示し、図１７は電圧印加時の状態を示す。
【００５３】この画素を有する液晶パネルは、基板２０
Ａの構成が図２２の基板２０のそれと異なっている。他
の構成は、図２２のそれと同一である。
【００５４】図１８は、基板２０Ａの製造工程図であ
る。図１８中、右端部はコモン電極２３Ａと画素電極２
５Ａとが絶縁層２４Ａを介し重なっている部分に関す
る。
【００５５】（Ａ）フォトリソグラフィー技術により、
透明絶縁基板２１上にメタルのコモン電極２３Ａが形成
される。
【００５６】（Ｂ）透明絶縁基板２１上に絶縁層２４が
被着される。
【００５７】（Ｃ）フォトリソグラフィー技術により、
絶縁層２４上に画素電極２５Ａが形成される。
【００５８】（Ｄ）画素電極２５Ａをマスクとして絶縁
層２４がエッチングされ、画素電極２５Ａの真下の部分
のみ絶縁層２４Ａが残される。
【００５９】（Ｅ）透明絶縁基板２１上に絶縁層２６Ａ
が被着される。
【００６０】（Ｆ）絶縁層２６Ａ上に垂直配向層２７が
積層される。
【００６１】このようにして基板２０Ａを形成すること
により、画素電極２５Ａ上の絶縁層２６Ａの厚みとコモ
ン電極２３Ａ上の絶縁層２６Ａの厚みとが実質的に同一
になるので、図１７に示す如く画素電極２５Ａとコモン
電極２３Ａとの間に矩形交流電圧を印加した場合に、コ
モン電極２３Ａの上方と画素電極２５Ａの上方とで電気
的状態がほぼ同一になって、図３１の構成の液晶表示パ
ネルよりも焼付きが低減される。換言すれば、図１５の
最適直流成分変動幅ΔＶdcがより小さくなって、焼付率
が低くなる。
【００６２】絶縁層２４Ａ及び２６Ａは例えば、ＳｉＮ
ｘ、ＳｉＯ2、レジスト又はアクリル樹脂のいずれかで
ある。試作においては、絶縁層２４Ａ及び２６Ａとして
ＳｉＮｘを用い、垂直配向層２７としてＪＡＬＳ２０４
（ＪＳＲ社）を用い、液晶３０としてＺＬＩ４５３５
（メルク・ジャパン社）を用い、試作品の焼付率低減効
果が確認された。
【００６３】［第３実施形態］図１９は、焼付率を低減
可能な、本発明の第３実施形態の液晶画素の電極パター
ン図であり、図３３と類似している。
【００６４】この電極パターンは、例えば図１６の基板
２０Ａ又は図３１の基板２０に形成されている。
【００６５】図２０及び図２１はそれぞれ、図１９中の
画素電極２５Ａ及びコモン電極２３Ａのパターン図であ
り、それぞれ図３４及び図３５と類似している。
【００６６】画素が矩形であることと、画素電極２５Ａ
及びコモン電極２３Ａが互いに平行なストライプ部を有
することと、画素電極２５Ａ及びコモン電極２３Ａがい
ずれも一繋がりのものであることから、画素電極２５Ａ
の周囲部とコモン電極２３Ａの周囲部とは、絶縁膜を介
し互いに重なる部分を有する。このため、画素電極２５
Ａとコモン電極２３Ａの隣り合う線電極の端部が、絶縁
部を介し交差する。例えば、画素電極２５Ａの辺２５１
とコモン電極２３Ａの辺２３１とは互いに平行であり、
辺２５１及び辺２３１にそれぞれ連続する辺２５２と辺
２３２とが交差する。
【００６７】図２２（Ａ）は、この電極交差付近の拡大
図である。図２２（Ｂ）は、画素電極２５Ａとコモン電
極２３Ａとの間に電圧が印加された時の電気力線を点線
で示す。
【００６８】辺２５２と辺２３２とが鈍角で互いに交差
しているので、図３６（Ａ）に示すように辺２５２と辺
２３１とが鋭角で交差する場合よりも、電気力線の集中
が緩和されて電界強度が大きくなるのが抑制される。
【００６９】また、辺２５１と辺２３１との間を通る線
ＳＡに関し辺２５１及び２５２と辺２３１及び２３２と
が対称になっている。これにより、辺２５２と辺２３２
の間の電界ベクトルの方向は、辺２５１と辺２３１との
間のそれと平行になる。
【００７０】このようなことから、電極交差付近の透過
特性の急変分布が緩和されて、表示画質が向上するとと
もに、焼付きが低減される。他の電極交差付近について
も上記同様である。
【００７１】電極パターン以外は上記試作例と同一にし
て、図１９の電極パターンを用いた液晶パネルと図３３
の電極パターンを用いた液晶パネルとを試作し、図１９
の電極パターンを用いた液晶パネルの方が焼付率が低く
なることを確認した。
【００７２】［第４実施形態］図２３は、焼付率を低減
可能な、本発明の第４実施形態の液晶画素の電極パター
ン図であり、図１９と類似している。図２４は、図２３
中のコモン電極２３Ｂのパターン図である。画素電極２
５Ａは、図２０のそれと同一である。
【００７３】コモン電極２３Ｂの周囲部には、コモン電
極２３Ｂの一体性を確保しつつ切除部２３Ｂ１〜２３Ｂ
８が形成されている。これら切除部２３Ｂ１〜２３Ｂ８
の位置は、コモン電極２３Ｂと画素電極２５Ｄの、絶縁
体を介した交差部付近である。
【００７４】この切除部が無い場合には、電圧印加時に
この部分と画素電極２５Ａとの間の非表示領域で電界が
生じてその付近の表示領域の液晶分子の配列に影響を与
える。切除部によりこの影響がなくなるので、上記第３
実施形態の場合よりも表示画質が向上すると共に、焼付
きが低減される。
【００７５】［第５実施形態］図２５は、焼付率を低減
可能な、本発明の第５実施形態の液晶画素の電極パター
ン図であり、図３３と類似している。図２６は、図２５
中のコモン電極２３Ｃのパターン図である。画素電極２
５は、図３４のそれと同一である。
【００７６】コモン電極２３Ｃは、図２４の場合と同様
に、コモン電極２３Ｃの一体性を確保しつつ切除部２３
Ｂ１〜２３Ｂ８が形成されている。これにより、図２３
の構成と比べて、上記第５実施形態と同じ理由で表示画
質が向上すると共に、焼付きが低減される。
【００７７】［第６実施形態］図２７は、本発明の第６
実施形態の、隣り合う２つの液晶画素の電極パターン図
である。両画素は、同一パターンを有する。
【００７８】コモン電極２３Ｄと画素電極２５Ｄの枠部
は、絶縁膜を介し互いに重なっている。画素電極２５Ｄ
のストライプ電極の下方及び線電極間の下方に、コモン
電極２３Ｄのストライプ電極部が形成されており、その
線密度は画素電極２５Ｄのそれの２倍である。
【００７９】図２８は、図２７中のＡ−Ａ線に沿った断
面拡大図である。
【００８０】図３２の液晶画素と異なる点は、画素電極
２５Ｄの線電極部が凸形であることと、絶縁層２６Ｄが
画素電極２５Ｄ上のみに形成され、コモン電極２３Ｄと
画素電極２５Ｄの線電極間表示領域に絶縁層が形成され
ていないことである。垂直配向層２７は絶縁層２６Ｄよ
りも薄いので、図２８ではこれを太線で示している。
【００８１】画素電極２５Ｄの線電極部が凸形であるこ
とから、その面が中央線から両側へ傾斜している。該凸
形に形成するために、図３２と異なり、画素電極２５Ｄ
の線電極部下方にも、画素電極２５Ｄの線電極部より細
幅の、コモン電極２３Ｄの線部が形成されている。この
凸形を強調するために、図２７のＴＦＴ２９を作る時に
形成されるチャンネル保護膜３１が、コモン電極２３Ｄ
の線部上方に残されている。チャンネル保護膜３１の幅
は、コモン電極２３Ｄの線部のそれよりも細い。
【００８２】これにより、画素電極２５Ｄの線電極部が
土手形となるので、画素電極２５Ｄとコモン電極２３Ｄ
との間に電圧を印加した場合に、電気力線が図２８中の
点線で示すようになる。すなわち、画素電極２５Ｄの傾
斜面付近の電気力線がこの面に垂直になるので、液晶分
子の傾斜が、透明絶縁基板２１の面の法線に対しより大
きくなり、図３２の場合よりも白表示の透過率が増す。
したがって、表示のコントラストが向上する。
【００８３】また、画素電極２５Ｄと絶縁層２６Ｄのパ
ターンが同一で画素電極２５Ｄとコモン電極２３Ｄの間
の表示領域に絶縁層２６Ｄが存在しないので、図３２の
場合よりも液晶分子に対し電界が有効利用され、同じ印
加電圧の場合に図３２の場合よりもコントラストが向上
する。
【００８４】さらに、液晶が画素電極２５Ｄに直接接触
しないので、液晶の分解が防止されると共に、焼付きが
低減される。
【００８５】図２９及び図３０は、基板２０Ｄの製造工
程を示す。各図は、図２７中のＢ−Ｂ線に沿った断面に
対応している。次に、これについて説明する。
【００８６】（Ａ）フォトリソグラフィ技術により、透
明絶縁基板２１上にメタルのコモン電極２３Ｄ及び走査
（ゲート）ラインＳＬ１が形成される。
【００８７】（Ｂ）透明絶縁基板２１上に絶縁層２４、
真性半導体膜３２及びチャンネル保護膜３１が積層され
る。フォトリソグラフィ技術により、走査ラインＳＬ１
とコモン電極２３Ｄの上方のみにチャンネル保護膜３１
が残される。
【００８８】（Ｄ）半導体膜３２上にｎ+半導体膜３
３、導電膜２５Ｄ及び絶縁層２６Ｄが積層され、これら
が同一パターンで食刻されて、走査ラインＳＬ１の上方
にＴＦＴ２９のソースＳとドレインＤとが形成されると
同時に、コモン電極２３Ｄの線部上方に、画素電極２５
Ｄの線電極部及び絶縁層２６Ｄが形成される。画素電極
２５Ｄ並びにＴＦＴ２９の電極は、３層の導電膜２５
ａ、２５ｂ及び２５ｃで形成されている。導電膜２５ａ
〜２５ｃは例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉである。電極２５
ＤとしてＡｌ膜のみ用いるとこれがｎ+半導体膜３３内
に拡散するので、これを避けるためにＴｉ膜が用いら
れ、Ｔｉ膜のみ用いると抵抗率が高くなるので、Ａｌ膜
も用いられている。絶縁層２６Ｄは、ＤＶＤで形成され
る窒化シリコン膜又は酸化シリコン膜である。
【００８９】なお、画素電極２５Ｄとして２層のＴｉ／
Ａｌを用い、絶縁層２６Ｄとして窒化アルミニウムを用
いれば、スパッタ装置でこれらを連続的に成膜すること
ができるので、工程数が削減される。また、絶縁層２６
Ｄとしては、パターニングで用いられるフォトレジスト
を残存させたものであってもよい。
【００９０】（Ｅ）絶縁層２４上及び２６上に、太線で
示す垂直配向層２７が被着される。
【００９１】本第６実施形態によれば、画素電極２５Ｄ
の土手形線電極部及びその上の絶縁層２６ＤがＴＦＴ２
９と同時に形成されるので、画素電極２５Ｄ及び絶縁層
２６Ｄを形成するために工程数を増加する必要がない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法に用いられる液晶表示装置の概略
回路図である。
【図２】焼付率説明図である。
【図３】画素印加電圧波形を示す図である。
【図４】交流振幅Ｖacが２Ｖ、直流成分Ｖdcが−３Ｖで
ある場合の液晶画素透過率測定波形図である。
【図５】交流振幅Ｖacが２Ｖ、直流成分Ｖdcが−２Ｖで
ある場合の液晶画素透過率測定波形図である。
【図６】交流振幅Ｖacが２Ｖ、直流成分Ｖdcが−１Ｖで
ある場合の液晶画素透過率測定波形図である。
【図７】交流振幅Ｖacが２Ｖ、直流成分Ｖdcが−０．５
Ｖである場合の液晶画素透過率測定波形図である。
【図８】交流振幅Ｖacが２Ｖ、直流成分Ｖdcが０Ｖであ
る場合の液晶画素透過率測定波形図である。
【図９】交流振幅Ｖacが２Ｖ、直流成分Ｖdcが０．５Ｖ
である場合の液晶画素透過率測定波形図である。
【図１０】交流振幅Ｖacが２Ｖ、直流成分Ｖdcが１Ｖで
ある場合の液晶画素透過率測定波形図である。
【図１１】交流振幅Ｖacが２Ｖ、直流成分Ｖdcが２Ｖで
ある場合の液晶画素透過率測定波形図である。
【図１２】交流振幅Ｖacが２Ｖ、直流成分Ｖdcが３Ｖで
ある場合の液晶画素透過率測定波形図である。
【図１３】交流振幅Ｖacが２Ｖである場合の、直流成分
Ｖdcと液晶画素透過率変動幅ΔＴとの関係の測定結果を
示すグラフである。
【図１４】交流振幅Ｖacと液晶画素透過率変動幅ΔＴが
最小となる直流成分Ｖdcとの関係の測定結果を示すグラ
フである。
【図１５】焼付率と最適直流成分変動幅ΔＶdcとの関係
の測定結果を示すグラフである。
【図１６】本発明の第２実施形態の、焼付率を低減可能
な液晶画素の構成の電圧無印加状態を示す概略断面図で
ある。
【図１７】図１６の液晶画素の電圧印加状態を示す概略
断面図である。
【図１８】図１６中の基板２０Ａの製造工程図である。
【図１９】本発明の第３実施形態の、焼付率を低減可能
な液晶画素の電極パターン図である。
【図２０】図１９中の画素電極のパターン図である。
【図２１】図１９中のコモン電極のパターン図である。
【図２２】（Ａ）は図１９中の電極交差付近の拡大図で
あり、（Ｂ）は（Ａ）の電極間に電圧が印加された時の
電気力線を点線で示す図である。
【図２３】本発明の第４実施形態の、焼付率を低減可能
な液晶画素の電極パターン図である。
【図２４】図２３中のコモン電極のパターン図である。
【図２５】本発明の第５実施形態の、焼付率を低減可能
な液晶画素の電極パターン図である。
【図２６】図２５中のコモン電極のパターン図である。
【図２７】本発明の第６実施形態の、隣り合う２つの液
晶画素の電極パターン図である。
【図２８】図２７中のＡ−Ａ線に沿った断面拡大図であ
る。
【図２９】バックライト入射側基板の製造工程を示す図
である。
【図３０】図２９の続きを示す製造工程図である。
【図３１】本発明と対比される、液晶表示パネルの１画
素の構造の電圧無印加状態を示す概略断面図である。
【図３２】図３１の画素の電圧印加状態を示す概略断面
図である。
【図３３】図３２中の基板２０に形成された電極パター
ンの１画素分を示す図である。
【図３４】図３３中の画素電極のパターン図である。
【図３５】図３３中のコモン電極のパターン図である。
【図３６】（Ａ）は図３３中の電極交差付近の拡大図で
あり、（Ｂ）は（Ａ）の電極間に電圧が印加された時の
電気力線を点線で示す図である。
【図３７】従来の液晶表示パネルの１画素の画素電極と
コモン電極との間に電圧を印加した場合の電極間付近の
液晶分子の傾斜を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１０、２０、２０Ａ 基板 １１、２１ 透明絶縁基板 １２ 面電極 １３ 誘電体 １４、２７ 垂直配向層 １５、２８ 偏光子 ２３、２３Ａ〜２３Ｄ コモン電極 ２３１、２３２、２５１、２５２ 辺 ２３Ｂ１〜２３Ｂ８ 切除部 ２４、２４Ａ、２６、２６Ａ、２６Ｄ 絶縁層 ２５、２５Ａ、２５Ｄ 画素電極 ２５ａ〜２５ｃ 導電膜 ２９ ＴＦＴ ３０ 液晶 ３１ チャンネル保護膜 ３２ 半導体膜 ３３ ｎ+半導体膜 ＤＬ１ データライン ＳＬ１ 走査ライン
フロントページの続き (72)発明者 笹林 貴 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 田坂 泰俊 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 藤川 徹也 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 助則 英智 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H092 GA13 GA16 GA17 HA06 HA14 JA24 KA12 KA18 KB25 MA13 NA01 NA27 NA29 PA06 PA11

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１基板と第２基板との間に液晶が封入
    され、該第１基板は、絶縁基板と、該絶縁基板の上方に
    形成された第１電極及び第２電極と、該第１電極と該第
    ２電極とを被う第１絶縁膜とを有する液晶表示パネルに
    おいて、 該絶縁基板の液晶側の面を基準として、該第１電極の位
    置が該第２電極の位置よりも高く、該第１電極と該第２
    電極とが第２絶縁膜を介して重なり合う部分を有し、 該第１絶縁膜は、該第１電極上と該第２電極上とで厚み
    が実質的に同一である、 ことを特徴とする液晶表示パネル。
  2. 【請求項２】 上記第２電極は、上記絶縁基板上に形成
    され、 上記第１電極は、該第２電極が形成された後に第２絶縁
    膜を介して形成され、 上記第１絶縁膜は、該第１電極の下方の部分以外の該第
    ２絶縁膜が除去された後に形成されている、 ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示パネル。
  3. 【請求項３】 第１基板と第２基板との間に液晶が封入
    され、該第１基板は、絶縁基板と、該絶縁基板の上方に
    形成され絶縁膜を介し互いに交差する部分を有する第１
    電極及び第２電極とを備えた液晶表示パネルにおいて、 該第１電極及び該第２電極はいずれも、該交差部分と連
    続する互いに平行な線電極部分を有し、該交差部分の該
    第１電極と該第２電極の隣り合う辺が互いに鈍角で交差
    している、 ことを特徴とする液晶表示パネル。
  4. 【請求項４】 高さ方向を無視した平面上について、上
    記交差部分の上記隣り合う辺が、上記平行線分の間を通
    る直線に関し実質的に対称であることを特徴とする請求
    項３記載の液晶表示パネル。
  5. 【請求項５】 上記交差部分の上記隣り合う辺のいずれ
    についても、上記絶縁基板の上下方向に関し上記第１電
    極の辺と上記該第２電極の辺とが重なっていないことを
    特徴とする請求項３又は４記載の液晶表示パネル。
  6. 【請求項６】 第１基板と第２基板との間に液晶が封入
    され、該第１基板は、絶縁基板と、該絶縁基板の上方に
    形成された第１電極及び第２電極を有する液晶表示パネ
    ルにおいて、 該絶縁基板の液晶側の面を基準として、該第１電極の位
    置が該第２電極の位置よりも高く、該第１電極と該第２
    電極とが第１絶縁膜を介して重なり合う部分を有し、該
    第１電極の表面が凸形である、 ことを特徴とする液晶表示パネル。
  7. 【請求項７】 上記第１電極が第２絶縁膜で覆われ、上
    記第２電極と該第１電極との間の表示領域に該第２絶縁
    膜が実質的に形成されていない、 ことを特徴とする請求項６記載の液晶表示パネル。
  8. 【請求項８】 第１基板と第２基板との間に液晶が封入
    され、該第１基板に第１電極が形成され、該第１基板又
    は該第２基板に第２電極が形成された画素を有する液晶
    表示パネルの開発方法において、 該第１電極と該第２電極との間に交流電圧成分と直流電
    圧成分Ｖdcとの和である信号電圧を印加し、該交流電圧
    成分の振幅Ｖac及び該直流電圧成分Ｖdcを変化させて実
    質的に最適直流成分変動幅ΔＶdcを測定し、 該最適直流成分変動幅ΔＶdcが所定値以下になるように
    該液晶表示パネルの構成又は構成材料を決定し、ここ
    に、 該最適直流成分変動幅ΔＶdcは、ΔＶdc＝｜Ｖdcb−Ｖd
    cw｜と表され、 Ｖdcbは、該振幅Ｖacを黒表示用交流電圧振幅に固定し
    該直流電圧成分Ｖdcを変化させた場合に、該画素の透過
    率振幅が最小となる該直流電圧成分Ｖdcの値であり、 Ｖdcwは、該振幅Ｖacを白表示用交流電圧振幅に固定し
    該直流電圧成分Ｖdcを変化させた場合に、該画素の透過
    率振幅が最小となる該直流電圧成分Ｖdcの値である、 ことを特徴とする液晶表示パネル開発方法。
  9. 【請求項９】 上記所定値は０．５Ｖ以下の値であるこ
    とを特徴とする請求項８記載の液晶表示パネル開発方
    法。
JP2000331570A 2000-10-31 2000-10-31 液晶表示パネル Expired - Fee Related JP4368515B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000331570A JP4368515B2 (ja) 2000-10-31 2000-10-31 液晶表示パネル
US09/927,005 US6819384B2 (en) 2000-10-31 2001-08-09 Liquid crystal display panel capable of reducing persistence degree and development method thereof
TW090121487A TW583480B (en) 2000-10-31 2001-08-30 Liquid crystal display panel capable of reducing persistence degree and development method thereof
KR1020010053819A KR100739846B1 (ko) 2000-10-31 2001-09-03 액정표시패널
US10/747,517 US7095473B2 (en) 2000-10-31 2003-12-29 Liquid crystal display panel capable of reducing persistence degree and development method thereof
US11/312,912 US7136131B2 (en) 2000-10-31 2005-12-20 Liquid crystal display panel capable of reducing persistence degree and development method thereof
US11/521,778 US7397454B2 (en) 2000-10-31 2006-09-15 Liquid crystal display panel development method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000331570A JP4368515B2 (ja) 2000-10-31 2000-10-31 液晶表示パネル

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009092113A Division JP5037554B2 (ja) 2009-04-06 2009-04-06 液晶表示パネル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002139735A true JP2002139735A (ja) 2002-05-17
JP4368515B2 JP4368515B2 (ja) 2009-11-18

Family

ID=18807897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000331570A Expired - Fee Related JP4368515B2 (ja) 2000-10-31 2000-10-31 液晶表示パネル

Country Status (4)

Country Link
US (4) US6819384B2 (ja)
JP (1) JP4368515B2 (ja)
KR (1) KR100739846B1 (ja)
TW (1) TW583480B (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004053994A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Ricoh Co Ltd 光偏向素子及び画像表示装置
CN100416352C (zh) * 2004-12-31 2008-09-03 乐金显示有限公司 液晶显示板及其驱动方法
US7595781B2 (en) 2002-06-17 2009-09-29 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
WO2010044289A1 (ja) * 2008-10-14 2010-04-22 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2011203763A (ja) * 2002-12-03 2011-10-13 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板
WO2012017863A1 (ja) * 2010-08-02 2012-02-09 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2013037103A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Japan Display Central Co Ltd 液晶表示装置
WO2017104623A1 (ja) * 2015-12-16 2017-06-22 コニカミノルタ株式会社 異形表示装置

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3966614B2 (ja) * 1997-05-29 2007-08-29 三星電子株式会社 広視野角液晶表示装置
KR100354904B1 (ko) 1998-05-19 2002-12-26 삼성전자 주식회사 광시야각액정표시장치
US7230592B2 (en) * 2002-03-04 2007-06-12 Hitachi, Ltd. Organic electroluminescent light emitting display device
JP4248835B2 (ja) * 2002-04-15 2009-04-02 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置
KR100840326B1 (ko) * 2002-06-28 2008-06-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 박막 트랜지스터 기판
CN100363826C (zh) * 2002-08-26 2008-01-23 中佛罗里达州大学研究基金会股份有限公司 高速、宽视角液晶显示器
US7995181B2 (en) * 2002-08-26 2011-08-09 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. High speed and wide viewing angle liquid crystal displays
US7488430B2 (en) * 2003-03-24 2009-02-10 Lg Display Co., Ltd. Method of fabricating in-plane switching mode LCD
JP4627148B2 (ja) * 2004-04-09 2011-02-09 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
TWI307419B (en) * 2004-12-27 2009-03-11 Au Optronics Corp Method of preparing reflective substrate and liquid crystal display device comprising the reflective substrate preparing by the same
KR101156510B1 (ko) * 2004-12-30 2012-06-18 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자
US7697093B2 (en) * 2006-08-08 2010-04-13 Au Optronics Corp. Array panel
KR101500969B1 (ko) 2007-04-17 2015-03-10 코닌클리케 필립스 엔.브이. 빔 형상화 디바이스
JP2011149967A (ja) * 2008-05-12 2011-08-04 Sharp Corp 液晶表示装置
WO2009157271A1 (ja) * 2008-06-27 2009-12-30 シャープ株式会社 液晶表示装置
TWI405175B (zh) * 2009-02-27 2013-08-11 Au Optronics Corp 液晶子畫素的驅動方法
TWI403810B (zh) * 2009-11-06 2013-08-01 Innolux Corp 垂直配向型液晶顯示裝置
KR101798489B1 (ko) 2011-01-14 2017-11-17 삼성디스플레이 주식회사 감마전압 생성장치, 이를 포함하는 액정표시장치 및 액정표시장치의 구동방법
WO2013018965A1 (ko) * 2011-08-02 2013-02-07 부산대학교 산학협력단 수평 스위칭 모드 액정 표시 장치
JP2014112195A (ja) * 2012-10-31 2014-06-19 Japan Display Inc 液晶表示装置
KR102184447B1 (ko) * 2014-04-10 2020-12-01 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 정전 용량 측정 방법
CN105807860A (zh) * 2016-03-21 2016-07-27 联想(北京)有限公司 一种电子设备的安全皮套及安全防护方法
CN109509458B (zh) * 2019-01-15 2021-08-03 深圳禾苗通信科技有限公司 一种消除lcd显示屏残影的驱动方法、lcd显示屏及存储介质

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69428363T2 (de) 1994-06-24 2002-04-18 Hitachi Ltd Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit aktiver matrix und steuerverfahren dafür
JPH08220518A (ja) * 1995-02-15 1996-08-30 Hitachi Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
KR100235592B1 (ko) * 1997-01-22 1999-12-15 구본준 평행전계형 액정표시장치
JP3016223B2 (ja) * 1997-03-11 2000-03-06 多摩岡産業株式会社 メガネ用ノーズパッド及びその製造方法
JP3780082B2 (ja) 1997-12-05 2006-05-31 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス型液晶表示装置
KR100646776B1 (ko) * 1997-10-27 2007-06-07 삼성전자주식회사 액정표시장치의제조방법
TW451099B (en) * 1998-01-23 2001-08-21 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
KR100304915B1 (ko) * 1998-04-09 2001-09-24 구본준, 론 위라하디락사 복합전계방식 액정표시소자
KR100293809B1 (ko) * 1998-05-29 2001-10-26 박종섭 다중도메인을갖는아이피에스-브이에이모드액정표시장치
KR100487424B1 (ko) * 1998-07-09 2005-08-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 복합전계방식액정표시소자및그제조방법
TWI251697B (en) * 1999-05-26 2006-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display element and producing method thereof
KR100433596B1 (ko) * 1999-10-21 2004-05-31 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 액정표시장치
KR100380222B1 (ko) * 2000-10-13 2003-04-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평 전계 방식 액정 표시 장치용 어레이 기판
JP2004109794A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7595781B2 (en) 2002-06-17 2009-09-29 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
JP2004053994A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Ricoh Co Ltd 光偏向素子及び画像表示装置
US8467025B2 (en) 2002-12-03 2013-06-18 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel for liquid crystal display
JP2011203763A (ja) * 2002-12-03 2011-10-13 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板
CN100416352C (zh) * 2004-12-31 2008-09-03 乐金显示有限公司 液晶显示板及其驱动方法
WO2010044289A1 (ja) * 2008-10-14 2010-04-22 シャープ株式会社 液晶表示装置
JPWO2010044289A1 (ja) * 2008-10-14 2012-03-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
US8421975B2 (en) 2008-10-14 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
WO2012017863A1 (ja) * 2010-08-02 2012-02-09 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2013037103A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Japan Display Central Co Ltd 液晶表示装置
US8797482B2 (en) 2011-08-05 2014-08-05 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
WO2017104623A1 (ja) * 2015-12-16 2017-06-22 コニカミノルタ株式会社 異形表示装置
JPWO2017104623A1 (ja) * 2015-12-16 2018-10-04 コニカミノルタ株式会社 異形表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4368515B2 (ja) 2009-11-18
TW583480B (en) 2004-04-11
US7136131B2 (en) 2006-11-14
US20040141134A1 (en) 2004-07-22
US20020051109A1 (en) 2002-05-02
US20070008476A1 (en) 2007-01-11
US7095473B2 (en) 2006-08-22
US6819384B2 (en) 2004-11-16
KR20020034857A (ko) 2002-05-09
US7397454B2 (en) 2008-07-08
KR100739846B1 (ko) 2007-07-16
US20060103801A1 (en) 2006-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002139735A (ja) 液晶表示パネル及びその開発方法
KR100875323B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
KR100246980B1 (ko) 액티브 매트릭스형 액정표시소자
US7379143B2 (en) Liquid crystal display having predetermined steepness of light transmittance within a predetermined range on light transmittance gradient for improved visibility
US8194201B2 (en) Display panel and liquid crystal display including the same
US8810759B2 (en) Liquid crystal display device
JP3127894B2 (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2003186038A (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板
KR101157975B1 (ko) 액정표시소자의 구동방법
TW200815887A (en) Liquid crystal display device
US7136132B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method therefor
JP2006330609A (ja) 液晶表示装置
JPH10148826A (ja) アクティブマトリックス型液晶表示装置
JP3481074B2 (ja) 液晶表示素子
JPH08271899A (ja) 液晶表示装置
JP2001235748A (ja) マルチドメイン型液晶表示装置
US20120154716A1 (en) Liquid crystal display
JP5037554B2 (ja) 液晶表示パネル
JP5222389B2 (ja) 液晶表示パネル
JP2005241932A (ja) 液晶表示装置の駆動方法
JP2012073640A (ja) 液晶表示パネル
JP2000147462A (ja) アクティブマトリックス型液晶表示素子

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050712

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050713

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20050722

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061011

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080806

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080819

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081017

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090203

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090406

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090825

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090826

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4368515

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120904

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130904

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees