JP2002134787A5 - - Google Patents
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001267038A JP2002134787A (ja) | 1996-04-26 | 2001-09-04 | 発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10783396 | 1996-04-26 | ||
JP8-107833 | 1996-04-26 | ||
JP2001267038A JP2002134787A (ja) | 1996-04-26 | 2001-09-04 | 発光素子およびその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05522197A Division JP3448450B2 (ja) | 1996-04-26 | 1997-03-10 | 発光素子およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008267301A Division JP2009010432A (ja) | 1996-04-26 | 2008-10-16 | 発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002134787A JP2002134787A (ja) | 2002-05-10 |
JP2002134787A5 true JP2002134787A5 (de) | 2005-02-17 |
Family
ID=40325122
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001267038A Pending JP2002134787A (ja) | 1996-04-26 | 2001-09-04 | 発光素子およびその製造方法 |
JP2003114877A Pending JP2003309291A (ja) | 1996-04-26 | 2003-04-18 | 発光素子の製造方法 |
JP2008267301A Pending JP2009010432A (ja) | 1996-04-26 | 2008-10-16 | 発光素子の製造方法 |
JP2012100648A Pending JP2012165011A (ja) | 1996-04-26 | 2012-04-26 | 発光素子の製造方法 |
JP2013079241A Expired - Lifetime JP5647289B2 (ja) | 1996-04-26 | 2013-04-05 | 発光素子の製造方法 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003114877A Pending JP2003309291A (ja) | 1996-04-26 | 2003-04-18 | 発光素子の製造方法 |
JP2008267301A Pending JP2009010432A (ja) | 1996-04-26 | 2008-10-16 | 発光素子の製造方法 |
JP2012100648A Pending JP2012165011A (ja) | 1996-04-26 | 2012-04-26 | 発光素子の製造方法 |
JP2013079241A Expired - Lifetime JP5647289B2 (ja) | 1996-04-26 | 2013-04-05 | 発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (5) | JP2002134787A (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101045202B1 (ko) * | 2003-10-17 | 2011-06-30 | 삼성전자주식회사 | III-V 족 GaN 계 반도체 소자 및 그 제조방법 |
JP2005203520A (ja) * | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子 |
US9524869B2 (en) | 2004-03-11 | 2016-12-20 | Epistar Corporation | Nitride-based semiconductor light-emitting device |
TWI244222B (en) | 2004-03-11 | 2005-11-21 | Epistar Corp | A ternary nitride buffer layer containing nitride light-emitting device and manufacturing method of the same |
US8562738B2 (en) | 2004-03-11 | 2013-10-22 | Epistar Corporation | Nitride-based light-emitting device |
US7928424B2 (en) | 2004-03-11 | 2011-04-19 | Epistar Corporation | Nitride-based light-emitting device |
KR101517808B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2015-05-06 | 전자부품연구원 | 크랙 감소를 위한 실리콘 기판 위 GaN 성장방법 |
JP6423663B2 (ja) * | 2014-09-17 | 2018-11-14 | 花王株式会社 | 液体洗浄剤物品、及び液体洗浄剤の計量方法 |
KR101928479B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2019-02-26 | 한국광기술원 | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH088390B2 (ja) * | 1984-11-30 | 1996-01-29 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ |
JP2875437B2 (ja) * | 1992-07-30 | 1999-03-31 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JPH07106698A (ja) * | 1993-09-29 | 1995-04-21 | Sony Corp | 半導体発光素子 |
JPH07267796A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-10-17 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | GaN単結晶の製造方法 |
JP3509260B2 (ja) * | 1994-03-08 | 2004-03-22 | 住友化学工業株式会社 | 3−5族化合物半導体と発光素子 |
JP3325380B2 (ja) * | 1994-03-09 | 2002-09-17 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2956489B2 (ja) * | 1994-06-24 | 1999-10-04 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法 |
JP3728332B2 (ja) * | 1995-04-24 | 2005-12-21 | シャープ株式会社 | 化合物半導体発光素子 |
-
2001
- 2001-09-04 JP JP2001267038A patent/JP2002134787A/ja active Pending
-
2003
- 2003-04-18 JP JP2003114877A patent/JP2003309291A/ja active Pending
-
2008
- 2008-10-16 JP JP2008267301A patent/JP2009010432A/ja active Pending
-
2012
- 2012-04-26 JP JP2012100648A patent/JP2012165011A/ja active Pending
-
2013
- 2013-04-05 JP JP2013079241A patent/JP5647289B2/ja not_active Expired - Lifetime
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