JP2008047940A - 化合物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板上に、少なくとも下部クラッド層と、活性層または発光層と、上部クラッド層を備える化合物半導体発光素子において、活性層または発光層はAlInGaNからなり、上部または下部クラッド層は緩衝層とクラッド層の繰り返しからなり、緩衝層とクラッド層は組成が異なり、かつ、緩衝層の厚さは、クラッド層の厚さよりも薄くすることによって、良質なクラッド層を得ることができる。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の一実施形態であるAlGaN/InGaN/AlGaN系半導体レーザ[または発光ダイオード]を示す断面図である。
この実施形態2では、厚み約0.15〜0.3μmのn型Al0.3Ga0.7Nクラッド層4aと厚み約200オングストロームのn型GaN緩衝層5とを繰り返し成長して下部クラッド層4の厚みを約1μmとし、厚み約0.15〜0.3μmのp型Al0.3Ga0.7NNクラッド層7aと厚み約200オングストロームのp型GaN緩衝層8とを繰り返し成長して上部クラッド層7の厚みを約1μmとしている。また、活性層[または発光層]6としては、実施形態1と同様に、厚み約200オングストロームのノンドープまたはSiドープGa0.2In0.8N層を形成している。その他の構造は、実施形態1と同様である。
この実施形態3では、厚み約0.15〜0.3μmのn型Al0.1Ga0.9Nクラッド層4aと厚み約200オングストロームのn型AlN緩衝層5とを繰り返し成長して下部クラッド層4の厚みを約1μmとし、厚み約0.15〜0.3μmのp型Al0.1Ga0.9Nクラッド層7aと厚み約200オングストロームのp型AlN緩衝層8とを繰り返し成長して上部クラッド層7の厚みを約1μmとしている。また、活性層[または発光層]6としては、実施形態1と同様に、厚み約200オングストロームのノンドープまたはSiドープGa0.2In0.8N層を形成している。その他の構造は、実施形態1と同様である。
この実施形態4では、厚み約0.15〜0.3μmのn型Al0.3Ga0.7Nクラッド層4aと厚み約200オングストロームのn型Al0.05Ga0.95N緩衝層5とを繰り返し成長して下部クラッド層4の厚みを約1μmとし、厚み約0.15〜0.3μmのp型Al0.3Ga0.7Nクラッド層7aと厚み約200オングストロームのp型Al0.05Ga0.95N緩衝層8とを繰り返し成長して上部クラッド層7aの厚みを約1μmとしている。また、活性層[または発光層]6としては、実施形態1と同様に、厚み約200オングストロームのノンドープまたはSiドープGa0.2In0.8N層を形成している。その他の構造は、実施形態1と同様である。
各半導体層の成長は実施形態1と同様にMOCVD法により行い、基板としてサファイア(0001)C面を用いる。III族ガス源、V族ガス源、n型ドーパント源、p型ドーパント源およびキャリアガスとしては実施形態1と同様のものを用いる。
図2は、本発明の他の実施形態であるAlGaN/InGaN/AlGaN系半導体レーザ[または発光ダイオード]を示す断面図である。
Claims (1)
- 基板上に、少なくとも下部クラッド層と、活性層または発光層と、上部クラッド層を備える化合物半導体発光素子において、
活性層または発光層はAlInGaNからなり、
上部または下部クラッド層は、緩衝層とクラッド層の繰り返しからなり、
緩衝層とクラッド層は組成が異なり、かつ、緩衝層の厚さは、クラッド層の厚さよりも薄いことを特徴とする化合物半導体発光素子。
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---|---|---|---|---|
JPS61190980A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-25 | Canon Inc | 半導体装置 |
JPH05110139A (ja) * | 1991-10-12 | 1993-04-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。 |
JPH0897508A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-04-12 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
JPH0955560A (ja) * | 1995-08-14 | 1997-02-25 | Sharp Corp | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61190980A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-25 | Canon Inc | 半導体装置 |
JPH05110139A (ja) * | 1991-10-12 | 1993-04-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。 |
JPH0897508A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-04-12 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
JPH0955560A (ja) * | 1995-08-14 | 1997-02-25 | Sharp Corp | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
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