JP2002134756A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2002134756A5 JP2002134756A5 JP2000326581A JP2000326581A JP2002134756A5 JP 2002134756 A5 JP2002134756 A5 JP 2002134756A5 JP 2000326581 A JP2000326581 A JP 2000326581A JP 2000326581 A JP2000326581 A JP 2000326581A JP 2002134756 A5 JP2002134756 A5 JP 2002134756A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- film transistor
- thin film
- gate
- electrode layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000326581A JP2002134756A (ja) | 2000-10-26 | 2000-10-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000326581A JP2002134756A (ja) | 2000-10-26 | 2000-10-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002134756A JP2002134756A (ja) | 2002-05-10 |
JP2002134756A5 true JP2002134756A5 (fr) | 2005-09-08 |
Family
ID=18803742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000326581A Pending JP2002134756A (ja) | 2000-10-26 | 2000-10-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002134756A (fr) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4954498B2 (ja) * | 2004-06-01 | 2012-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI366218B (en) | 2004-06-01 | 2012-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Method for manufacturing semiconductor device |
KR100752368B1 (ko) | 2004-11-15 | 2007-08-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시소자 및 그 제조방법 |
KR101107252B1 (ko) | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 일렉트로-루미네센스 표시 패널의 박막 트랜지스터 기판및 그 제조 방법 |
JP4817946B2 (ja) * | 2005-04-15 | 2011-11-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US7888702B2 (en) | 2005-04-15 | 2011-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of the display device |
JP5177962B2 (ja) * | 2005-05-20 | 2013-04-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5046565B2 (ja) * | 2005-06-10 | 2012-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5137342B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2013-02-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4708099B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2011-06-22 | シャープ株式会社 | トランジスタ製造用マスクおよびこれを用いてトランジスタを製造する方法 |
JP5177971B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2013-04-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、及び半導体装置 |
US7867791B2 (en) | 2005-07-29 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device using multiple mask layers formed through use of an exposure mask that transmits light at a plurality of intensities |
KR101267499B1 (ko) * | 2005-08-18 | 2013-05-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 그에 의해 제조된박막 트랜지스터 |
JP2007199708A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
US7821613B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
KR100943953B1 (ko) * | 2008-04-03 | 2010-02-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시 장치의 제조방법 |
KR100908236B1 (ko) * | 2008-04-24 | 2009-07-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR101117642B1 (ko) * | 2009-11-16 | 2012-03-05 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101636998B1 (ko) | 2010-02-12 | 2016-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
JP2012151417A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-09 | Japan Display Central Co Ltd | 薄膜トランジスタ回路基板及びその製造方法 |
CN104409518B (zh) * | 2014-12-11 | 2018-11-09 | 昆山国显光电有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法 |
CN107533981B (zh) | 2015-04-28 | 2020-12-15 | 夏普株式会社 | 半导体装置以及其制造方法 |
CN113725158B (zh) * | 2021-08-31 | 2024-03-12 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | Tft阵列基板及其制作方法 |
-
2000
- 2000-10-26 JP JP2000326581A patent/JP2002134756A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2002134756A5 (fr) | ||
WO2006025609A3 (fr) | Transistor a couche mince et son procede de fabrication | |
KR960012564A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 형성방법 | |
EP2259316A3 (fr) | Circuit à semiconducteur avec des TFTs | |
MY124513A (en) | Semiconductor device | |
TW200500702A (en) | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof | |
KR980003732A (ko) | 액정표시소자의 제조방법 | |
KR960015962A (ko) | 박막트랜지스터 | |
TW200505274A (en) | Electro-luminescence device including a thin film transistor and method of fabricating an electro-luminescence device | |
TW200703666A (en) | Thin film transistor | |
KR890004444A (ko) | Mos트랜지스터 | |
JP2002094064A5 (fr) | ||
TW200733386A (en) | Semiconductor device | |
JP2003207794A5 (fr) | ||
EP1524702A3 (fr) | Transistor a couche mince avec une connexion substrat | |
TW200512939A (en) | Control TFT for OLED display | |
TW200502632A (en) | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof | |
JP2007201399A5 (fr) | ||
KR960001851A (ko) | 박막트랜지스터 어레이 및 액정표시장치 | |
JPH0595117A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
KR960030429A (ko) | 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자 및 그 제조방법 | |
RU94037403A (ru) | Полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник | |
TW200507263A (en) | Semiconductor device comprising extensions produced from material with a low melting point | |
KR970016683A (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
DE602004017611D1 (de) | Splay-bauelements |