JP2002103262A

JP2002103262A - 半導体ウェーハの吸着装置

Info

Publication number: JP2002103262A
Application number: JP2000293253A
Authority: JP
Inventors: Kunihiro Saida; 国廣斎田
Original assignee: Nippei Toyama Corp
Current assignee: Nippei Toyama Corp
Priority date: 2000-09-27
Filing date: 2000-09-27
Publication date: 2002-04-09

Abstract

(57)【要約】【課題】液体の侵入に伴なうエジェクタの機能低下を
未然に防止でき、半導体ウェーハを確実に吸着すること
ができる半導体ウェーハの吸着装置を提供する。【解決手段】加圧空気の流通により吸引負圧を発生す
るエジェクタ（１１）と、エジェクタ（１１）が発生す
る吸引負圧を半導体ウェーハの吸着部である吸着盤
（５）に導く負圧通路（１４）とを備えている。負圧通
路（１４）には気液分離器（２０）が介設され、気液分
離器（２０）には逆流防止用の逆止弁（２２）を有する
排液通路（２１）が接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハを
吸引負圧により吸着部に吸着する半導体ウェーハの吸着
装置に関し、詳しくは、積層状態に相互に密着した一群
の半導体ウェーハを浴液中にて１枚づつ吸着して分離す
る枚葉装置用などの、液体を吸引し易い状況での使用に
好適な半導体ウェーハの吸着装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェーハの製造工程において、イ
ンゴットからワイヤーソー等によりスライスされた各半
導体ウェーハは、スライスの際に使用する切削液の洗浄
分離後には相互に密着した積層状態となっているため、
通常、枚葉装置により浴液中で１枚づつ分離される。分
離された各半導体ウェーハは、研削装置により研削液の
噴射を受けながら両面が平滑面に研削加工され、所定の
厚さに形成される。続いて、各半導体ウェーハは、スピ
ン洗浄装置によって高速回転されつつ洗浄水の噴射によ
り洗浄され、乾燥空気の噴射により乾燥される。そし
て、各半導体ウェーハは、その片面にＩＣ回路が形成さ
れ、その後、多数のチップにダイシングされる。

【０００３】ここで、前記枚葉装置には、積層状態に相
互に密着した一群の半導体ウェーハを浴液中にて１枚づ
つ吸着して分離するための吸着盤が装備されている（特
開２０００−１５６３９６号公報参照）。また、前記研
削装置やスピン洗浄装置には、半導体ウェーハを吸着パ
ッドに吸着して回転駆動する、いわゆる真空チャックが
装備されている。そして、前記吸着盤や真空チャック
は、通常、加圧空気の流通により吸引負圧を発生するエ
ジェクタに負圧通路を介して連通構成されている。な
お、前記真空チャック用の吸着パッドとしては、半導体
ウェーハを略均一に吸引固定可能な多孔質材からなる多
孔質吸着パッドが多用されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のよう
に吸着盤や真空チャックに作用させる吸引負圧の発生源
としてエジェクタを使用するエジェクタ方式の吸着装置
においては、枚葉装置の浴液、研削装置の研削液、洗浄
装置の洗浄液などの液体が吸引負圧により負圧通路を介
してエジェクタに吸い込まれることがある。この場合、
エジェクタは、液体の侵入による通路抵抗の増加によっ
てエアーの流速が低下し、その機能が低下して十分な吸
引負圧を発生できなくなる。その結果、吸着盤や真空チ
ャックは、半導体ウェーハを確実に吸着することが困難
となる。この傾向は、液体を吸い込み易い多孔質の吸着
パッドを有する真空チャック等において著しい。

【０００５】そこで、本発明は、液体の侵入に伴なうエ
ジェクタの機能低下を未然に防止でき、半導体ウェーハ
を確実に吸着することができる半導体ウェーハの吸着装
置を提供することを課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記の課題を解決する手
段として、本発明に係る半導体ウェーハの吸着装置は、
加圧空気の流通により吸引負圧を発生するエジェクタ
と、このエジェクタが発生する吸引負圧を半導体ウェー
ハの吸着部に導く負圧通路とを備え、前記エジェクタの
作動により半導体ウェーハを吸着部に吸着する装置であ
って、前記負圧通路には気液分離器が介設され、この気
液分離器には逆流防止用の逆止弁を有する排液通路が接
続されていることを特徴とする。

【０００７】本発明に係る半導体ウェーハの吸着装置で
は、エジェクタが加圧空気の流通により吸引負圧を発生
し、この吸引負圧を負圧通路が吸着部に導くことによ
り、吸着部が半導体ウェーハを吸着する。その際、吸着
部を通して枚葉装置の浴液、研削装置の研削液、スピン
洗浄装置の洗浄液などの液体が負圧通路に侵入しても、
この液体は負圧通路に介設された気液分離器により分離
されて捕捉されるため、エジェクタに吸い込まれること
がない。その結果、エジェクタは機能低下を起こすこと
なく初期の機能を発揮する。

【０００８】本発明の半導体ウェーハの吸着装置におい
て、前記気液分離器に加圧空気の送気通路が接続され、
この送気通路を開閉可能な切換弁が送気通路に介設され
ていると、切換弁により送気通路を開くことで、加圧空
気が送気通路を介して気液分離器に流入し、気液分離器
に捕捉された液体を逆止弁に抗して排液通路から排出す
る。

【０００９】本発明の半導体ウェーハの吸着装置におい
て、前記吸着部は、半導体ウェーハを吸着する機能を有
する限り、枚葉装置用の吸着盤や、研削装置あるいはス
ピン洗浄装置用の真空チャックであってもよい。また、
この吸着部は、半導体ウェーハを吸着する伸縮自在なフ
レキシブルパイプや多孔質吸着パッドを有する構造であ
ってもよい。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る半導体ウェーハの吸着装置の実施の形態を説明する。
参照する図面において、図１は本発明の第１実施形態に
係る半導体ウェーハの吸着装置を構成する吸着盤を備え
た枚葉装置の全体構造を一部破断して示す斜視図、図２
は図１に示す枚葉装置の吸着盤の正面図、図３は図２に
示す吸着盤の側面図、図４は第１実施形態に係る半導体
ウェーハの吸着装置を構成する空気圧回路の構成図であ
る。

【００１１】本発明に係る半導体ウェーハの吸着装置
は、図１に示すような枚葉装置１に適用される。そこ
で、この枚葉装置１について若干説明する。この枚葉装
置１は、ワイヤーソー等によりインゴットからスライス
されて切削液を洗浄分離後に相互に密着した積層状態の
一群の半導体ウェーハＷＨを対象とし、これを浴液中で
１枚づつ分離するための装置である。なお、前記半導体
ウェーハＷＨは、代表的には単結晶または多結晶のシリ
コンウェーハであるが、ＧａＡｓ（ガリウム・ヒ素）ウ
ェーハ、ＧａＰ（ガリウム・リン）ウェーハ等の化合物
半導体もこれに含まれる。

【００１２】前記枚葉装置１は、積層状態に相互に密着
した円柱状の一群の半導体ウェーハＷＨを横向きに載置
する支持ラック２と、この支持ラック２を着脱自在に固
定して前記一群の半導体ウェーハＷＨの積層方向である
Ｙ軸方向に進退駆動される移動テーブル３と、この移動
テーブル３の前進端側に配置されるストッパ４、吸着盤
５、駆動機構６などを備え、これらは浴槽７内に収容さ
れた図示しない浴液中に浸漬される。

【００１３】前記支持ラック２は、前後の側板２Ａ間に
架設された左右一対の支持ロッド２Ｂ上に積層状態の一
群の半導体ウェーハＷＨの外周下部を支持するように構
成されている。この支持ラック２は、積層状態の一群の
半導体ウェーハＷＨの後端面に当接してその倒れを防止
するための間隔調整板２Ｃを前後の側板２Ａ間に位置調
整可能に備えている。

【００１４】前記移動テーブル３は、浴槽７の底壁およ
び側壁に沿う概略Ｌ字状を呈し、その底壁に沿う一片上
に前記支持ラック２を着脱自在に固定する。この移動テ
ーブル３は、図示しないサーボーモータによりＹ軸方向
に進退駆動される。

【００１５】前記ストッパ４は、前記駆動機構６に一端
部が支持されたアーム状に構成されており、その下部に
は、円柱状を呈する積層状態の一群の半導体ウェーハＷ
Ｈの外周上部を係止可能な円弧状の係止面４Ａが形成さ
れている。

【００１６】前記吸着盤５は、前記駆動機構６に設けら
れた揺動アーム６Ａの先端に固定されたベース板５Ａ
と、積層状態の一群の半導体ウェーハＷＨの前端面に対
向して前記ベース板５Ａの下部に固定された吸着パッド
５Ｂと、その上方に配置してベース板５Ａに装着された
左右一対の伸縮吸着パイプ５Ｃとを備えている。

【００１７】前記吸着パッド５Ｂは、図２に示すよう
に、横長長方形の吸着面５Ｂ１を有し、この吸着面５Ｂ
１には複数の吸引孔５Ｂ２が開口されている。そして、
これらの吸引孔５Ｂ２は、吸着パッド５Ｂ内に設けられ
た負圧導入通路５Ｂ３を介して吸着パッド５Ｂの側面に
開口する上下の負圧導入口５Ｂ４（図３参照）に連通し
ている。一方、前記伸縮吸着パイプ５Ｃは、伸縮自在な
蛇腹構造の筒状を呈し、その基端部はベース板５Ａの装
着穴５Ａ１に嵌合してベース板５Ａの背面に開口する負
圧導入口５Ａ２に連通している。

【００１８】ここで、本発明の第１実施形態に係る半導
体ウェーハの吸着装置は、前記枚葉装置１の吸着盤５を
半導体ウェーハＷＨの吸着部として構成されており、図
４に示すように、前記吸着盤５に吸引負圧を作用させる
ための空気圧回路１０を備えている。この空気圧回路１
０は、加圧空気の流通により吸引負圧を発生するエジェ
クタ１１と、このエジェクタ１１に加圧空気を供給する
加圧通路１２と、エジェクタ１１を通過した空気を排出
する排気通路１３と、エジェクタ１１が発生する吸引負
圧を前記吸着盤５に導く負圧通路１４と、前記加圧通路
１２から分岐して負圧通路１４に連通する送気通路１５
とを有している。

【００１９】前記エジェクタ１１は、その最大流量が１
５０Ｌ／ｍｉｎであり、６６，５００ｋＰａ（５００ｍ
Ｈｇ）程度の吸引負圧を発生する。このエジェクタ１１
に加圧空気を供給する加圧通路１２は、内径が例えば８
ｍｍに設定されており、その端部にはエアコンプレッサ
１６が接続されている。この加圧通路１２の途中には、
エアコンプレッサ１６から供給される加圧空気を０．４
ＭＰａ程度に減圧する減圧弁１７と、この減圧弁１７よ
り下流側に配置されて加圧通路１２を開閉する負圧発生
用切換弁１８とが介設されている。また、前記エジェク
タ１１を通過した空気を排出する排気通路１３は、内径
が例えば１０ｍｍに設定されており、その端部はドレン
タンク１９内に臨んでいる。

【００２０】前記負圧通路１４は、吸着盤５側の末端部
の内径が例えば６ｍｍに設定され、末端部を除く部分の
内径は例えば１０ｍｍに設定されている。負圧通路１４
の末端部は、吸着盤５の吸着パッド５Ｂの側面に開口す
る負圧導入口５Ｂ４に接続されると共に、吸着盤５のベ
ース板５Ａの背面に開口する負圧導入口５Ａ２に接続さ
れている。そして、この負圧通路１４の途中には、吸着
盤５の吸着パッド５Ｂおよび伸縮吸着パイプ５Ｃを通し
て負圧通路１４内に侵入する浴槽７内の浴液を分離して
捕捉するための気液分離器２０が介設されている。

【００２１】前記気液分離器２０は、例えばパイプ材の
両端部を閉塞して縦置き状態に配置した密閉容器であ
り、その容量は、前記枚葉装置１の稼動時間中に侵入す
る浴槽７内の浴液を十分収容できる容量に適宜設定され
ている。この気液分離器２０の上下方向中央部の周壁に
は、吸着盤５に連通する負圧通路１４の上流側が接続さ
れ、その上端壁にはエジェクタ１１に連通する負圧通路
１４の下流側が接続されている。そして、この気液分離
器２０の下端壁には、気液分離器２０に捕捉された液体
を排出するための排液通路２１が接続されている。この
排液通路２１の途中には液体の逆流を防止するための逆
止弁２２が介設されており、排液通路２１の端部は前記
ドレンタンク１９内に臨んでいる。

【００２２】前記送気通路１５は、前記負圧発生用切換
弁１８より上流側の加圧通路１２から分岐して前記気液
分離器２０より下流側の負圧通路１４に連通しており、
この負圧通路１４を介して気液分離器２０の上端壁に接
続されている。そして、この送気通路１５の途中には、
送気通路１５を開閉可能な負圧破壊用切換弁２３が介設
され、その下流側には流量調整弁２４が介設されてい
る。

【００２３】以上のように構成された本発明の第１実施
形態に係る半導体ウェーハの吸着装置は、例えば図１に
示す枚葉装置１の吸着盤５に吸引負圧を供給して半導体
ウェーハＷＨを吸着盤５に吸着するために使用される。
以下、第１実施形態に係る半導体ウェーハの吸着装置の
使用例を説明する。

【００２４】まず、準備作業として、図１に示すよう
に、積層状態に相互に密着した円柱状の一群の半導体ウ
ェーハＷＨを支持ラック２の左右一対の支持ロッド２Ｂ
上に横向きに載置し、この支持ラック２を移動テーブル
３の一片上に固定する。その後、移動テーブル３を図示
しないサーボモータによりＹ軸方向に前進駆動する。そ
して、図３に示すように、支持ラック２上の一群の半導
体ウェーハＷＨの前端部をストッパ４の下方に臨ませ、
最前端の半導体ウェーハＷＨの前面を吸着盤５の下部に
設けられた吸着パッド５Ｂの吸着面５Ｂ１および吸着盤
５の上部に設けられた左右一対の伸縮吸着パイプ５Ｃの
先端に当接させる。

【００２５】次に、図４に示す空気圧回路１０のエアコ
ンプレッサ１６が運転された状態で、負圧発生用切換弁
１８を開操作して加圧通路１２を開く。すると、減圧弁
１７により０．４ＭＰａ程度に減圧された加圧空気が加
圧通路１２を介してエジェクタ１１に供給され、排気通
路１３を介してエジェクタ１１から排出される。その
際、前記加圧空気がエジェクタ１１内を高速度で流通す
ることにより、エジェクタ１１が吸引負圧を発生する。
そして、このエジェクタ１１が発生する吸引負圧を前記
負圧通路１４が気液分離器２０内の空間を介して吸着盤
５の吸着パッド５Ｂおよび左右一対の伸縮吸着パイプ５
Ｃに導く。

【００２６】エジェクタ１１が発生する吸引負圧を浴槽
７内の浴液中で受けた吸着パッド５Ｂおよび左右一対の
伸縮吸着パイプ５Ｃにおいて、吸着パッド５Ｂは、図３
に示すように、積層状態の一群の半導体ウェーハＷＨか
ら分離しようとする最前端の半導体ウェーハＷＨの前面
下部を吸着する。一方、左右一対の伸縮吸着パイプ５Ｃ
は、分離しようとする最前端の半導体ウェーハＷＨの前
面上部を吸着して収縮する。その結果、分離しようとす
る半導体ウェーハＷＨの上端部は、図３に一点鎖線で示
すように、吸着盤５のベース板５Ａ側へ若干湾曲してス
トッパ４の係止面４Ａから外れた位置となる。

【００２７】そこで、図１に示す枚葉装置１における駆
動機構６の揺動アーム６Ａを上方に揺動させ、また、駆
動機構６をストッパ４から離間する方向に若干移動させ
る。この操作により、吸着盤５に吸着された半導体ウェ
ーハＷＨは、これが密着していた他の半導体ウェーハＷ
Ｈに対して円弧状軌跡を描きながらストッパ４に当接す
ることなく上方に揺動する。その際、前記他の半導体ウ
ェーハＷＨの上部外周がストッパ４の係止面４Ａに係止
されることにより、吸着盤５に吸着された半導体ウェー
ハＷＨは、他の半導体ウェーハＷＨに対して浴槽７内の
浴液中でスムーズにスライドして分離され、浴槽７の上
方に揺動する。

【００２８】ここで、前記のように浴槽７内の浴液中で
半導体ウェーハＷＨを吸着盤５の吸着パッド５Ｂおよび
伸縮吸着パイプ５Ｃに吸着する際には、吸着パッド５Ｂ
の吸着面５Ｂ１に開口する吸引孔５Ｂ２から負圧導入通
路５Ｂ３、負圧導入口５Ｂ４を介して空気圧回路１０の
負圧通路１４に浴液が侵入する。同様に、伸縮吸着パイ
プ５Ｃの先端の開口からベース板５Ａの負圧導入口５Ａ
２を介して前記負圧通路１４に浴液が侵入する。しかし
ながら、この場合、負圧通路１４内に侵入した浴液は、
負圧通路１４の途中に介設された気液分離器２０内に吸
引されて分離され、気液分離器２０内の下方に滴下して
捕捉される。このため、エジェクタ１１は、浴液を吸い
込んで機能低下を起こすことがなく、所期の吸引負圧を
発生する。従って、第１実施形態に係る半導体ウェーハ
の吸着装置によれば、枚葉装置１の浴槽７に収容された
浴液が負圧通路１４内へ侵入することに伴なうエジェク
タ１１の機能低下を未然に防止でき、半導体ウェーハＷ
Ｈを浴液中で吸着盤５に確実に吸着することができる。

【００２９】また、前記のように吸着盤５に吸着されて
他の半導体ウェーハＷＨから分離され、吸着盤５と共に
浴槽７の上方に移動した半導体ウェーハＷＨは、吸着盤
５への吸引負圧が解除されることにより吸着盤５から取
り外され、図示しないウェーハ搬送手段により所定の収
納場所に搬送されて収納される。ここで、吸着盤５への
吸引負圧を解除するには、図４に示す空気圧回路１０の
負圧発生用切換弁１８を閉操作してエジェクタ１１側の
加圧通路１２を閉じると共に、負圧破壊用切換弁２３を
開操作して送気通路１５を開く。すると、減圧弁１７に
より０．４ＭＰａ程度に減圧された加圧空気が加圧通路
１２、送気通路１５および負圧通路１４を経由してエジ
ェクタ１１および気液分離器２０に流入する。そして、
エジェクタ１１内に負圧通路１４を介して流入する加圧
空気は、エジェクタ１１内を清掃して排気通路１３側に
排出される。一方、気液分離器２０内に負圧通路１４を
介して流入する加圧空気は、気液分離器２０内に捕捉さ
れた浴液を排液通路２１に押し出し、逆止弁２２を開い
て浴液と共にドレンタンク１９に排出される。

【００３０】本発明に係る半導体ウェーハの吸着装置
は、図５に示すようなスピン洗浄装置３０にも適用され
る。そこで、このスピン洗浄装置３０について若干説明
する。このスピン洗浄装置３０は、研削加工された半導
体ウェーハＷＨを高速回転しつつ洗浄水の噴射により洗
浄し、乾燥空気の噴射により乾燥させる装置であり、半
導体ウェーハＷＨを吸着して高速回転駆動するための真
空チャック３１を備えている。

【００３１】前記真空チャック３１は、半導体ウェーハ
ＷＨを略水平な状態で上面に吸着する吸着パッド３２
と、この吸着パッド３２の下面中心部を上端に固定した
状態で垂直軸廻りに回転駆動される回転支持軸３３と、
この回転支持軸３３をプーリ伝動機構３４を介して回転
駆動する駆動モータ３５とを備えている。

【００３２】前記吸着パッド３２は、その上面に半導体
ウェーハＷＨの下面中心部を均一に吸着できるように、
直径２０〜４０ｍｍ程度の円形ブロック状に燒結された
多孔質微粒子燒結体などの多孔質材料で構成されてい
る。なお、この吸着パッド３２は、半導体ウェーハＷＨ
の下面に吸引負圧を作用させる複数の吸引孔や吸引溝が
上面に形成された金属ブロック等で構成してもよい。

【００３３】前記回転支持軸３３は、吸着パッド３２に
吸引負圧を導く前記空気圧回路１０の負圧通路１４に連
通する管状に構成されており、その下端部には、負圧通
路１４に接続される接続口３３Ａが設けられている。ま
た、回転支持軸３３の上端には、前記吸着パッド３２を
ボルトＢにより着脱自在に固定するための取付ベース３
３Ｂが設けられている。この取付ベース３３Ｂの上面
は、前記吸着パッド３２の下面に均一に密着できるよう
に、回転支持軸３３の上端面と面一に仕上げ加工されて
いる。

【００３４】前記回転支持軸３３は、取付フランジ３６
Ａを有する筒状の支持ホルダ３６内にベアリングＢＧを
介して回転自在に支持されており、その上下両端部は支
持ホルダ３６から突出している。そして、この支持ホル
ダ３６は、下端部が貫通した状態で支持ベース３７の上
段プレート３７Ａに取付フランジ３６ＡがボルトＢを介
して着脱自在に固定されている。

【００３５】前記プーリ伝動機構３４は、駆動モータ３
５の回転軸３５Ａに固定された駆動プーリ３４Ａと、前
記回転支持軸３３の下端部に固定された従動プーリ３４
Ｂと、前記駆動プーリ３４Ａと従動プーリ３４Ｂとの間
に巻回される伝動ベルト３４Ｃによって構成されてい
る。そして、駆動モータ３５は、回転軸３５Ａを上方に
突出させた状態で支持ベース３７の下段プレート３７Ｂ
に固定されている。

【００３６】ここで、本発明の第２実施形態に係る半導
体ウェーハの吸着装置は、前記スピン洗浄装置３０の真
空チャック３１を半導体ウェーハＷＨの吸着部として構
成されている。なお、前記真空チャック３１に吸引負圧
を作用させるための空気圧回路は、図４に示した第１実
施形態における空気圧回路１０と同様であるため、説明
を省略する。

【００３７】第２実施形態に係る半導体ウェーハの吸着
装置は、例えば図５に示すスピン洗浄装置３０の真空チ
ャック３１に吸引負圧を供給して半導体ウェーハＷＨを
吸着パッド３２に吸着するために使用される。以下、第
２実施形態に係る半導体ウェーハの吸着装置の使用例を
説明する。

【００３８】まず、真空チャック３１の吸着パッド３２
の上面に半導体ウェーハＷＨを載置してその中心を吸着
パッド３２の中心に位置合せする。次に、エアコンプレ
ッサ１６が運転された状態で、負圧発生用切換弁１８を
開操作して加圧通路１２を開く。すると、減圧弁１７に
より０．４ＭＰａ程度に減圧された加圧空気が加圧通路
１２を介してエジェクタ１１に供給され、排気通路１３
を介してエジェクタ１１から排出される。その際、前記
加圧空気がエジェクタ１１内を高速度で流通することに
より、エジェクタ１１が吸引負圧を発生する。そして、
このエジェクタ１１が発生する吸引負圧を前記負圧通路
１４が気液分離器２０内の空間および回転支持軸３３内
の空間を介して真空チャック３１の吸着パッド３２に導
くことにより、多孔質材料からなる吸着パッド３２が吸
引負圧を受けて半導体ウェーハＷＨの下面中心部を均一
に吸着する。

【００３９】続いて、真空チャック３１の駆動モータ３
５を駆動し、プーリ伝動機構３４を介して回転支持軸３
３を１０００〜２０００ｒｐｍ程度で高速回転する。そ
して、この回転支持軸３３の上端部に設けられた吸着パ
ッド３２に吸着されて回転支持軸３３と共に高速回転す
る半導体ウェーハＷＨに対し、純水噴射ノズル３８から
洗浄液としての純水を噴射して半導体ウェーハＷＨをス
ピン洗浄し、その後、空気噴射ノズル３９から乾燥空気
を噴射してスピン洗浄された半導体ウェーハＷＨを乾燥
させる。

【００４０】ここで、前記のように純水噴射ノズル３８
から半導体ウェーハＷＨに向けて純水を噴射するスピン
洗浄工程においては、純水噴射ノズル３８から噴射され
る純水が多孔質材料から成る吸着パッド３２に吸引され
て図４に示す空気圧回路１０の負圧通路１４内に侵入す
ることがある。しかしながら、この場合、負圧通路１４
内に侵入した純水は、負圧通路１４の途中に介設された
気液分離器２０内に吸引されて分離され、気液分離器２
０内の下方に滴下して捕捉される。このため、エジェク
タ１１は、純水を吸い込んで機能低下を起こすことがな
く、所期の吸引負圧を発生する。従って、第２実施形態
に係る半導体ウェーハの吸着装置によれば、洗浄液であ
る純水の負圧通路１４内への侵入に伴なうエジェクタ１
１の機能低下を未然に防止でき、半導体ウェーハＷＨを
吸着パッド３２に確実に吸着することができる。

【００４１】前記した純水の噴射によるスピン洗浄工程
および乾燥空気の噴射による乾燥工程が終了して半導体
ウェーハＷＨを図５に示す真空チャック３１から取り外
すには、まず、駆動モータ３５の駆動を停止して回転支
持軸３３の回転を停止させる。そして、図４に示す負圧
発生用切換弁１８を閉操作してエジェクタ１１側の加圧
通路１２を閉じると共に、負圧破壊用切換弁２３を開操
作して送気通路１５を開く。すると、減圧弁１７により
０．４ＭＰａ程度に減圧された加圧空気が加圧通路１
２、送気通路１５および負圧通路１４を経由してエジェ
クタ１１および気液分離器２０に流入する。そして、エ
ジェクタ１１内に負圧通路１４を介して流入する加圧空
気は、エジェクタ１１内を清掃して排気通路１３側に排
出される。一方、気液分離器２０内に負圧通路１４を介
して流入する加圧空気は、気液分離器２０内に捕捉され
た純水を排液通路２１に押し出し、逆止弁２２を開いて
純水と共にドレンタンク１９に排出される。

【００４２】以上、本発明に係る半導体ウェーハの吸着
装置として、半導体ウェーハの枚葉装置１に装備される
吸着盤５を吸着部とする第１実施形態、および、スピン
洗浄装置３０に装備される真空チャック３１を吸着部と
する第２実施形態について説明したが、本発明に係る半
導体ウェーハの吸着装置は、半導体ウェーハの研削装置
に装備される真空チャックを吸着部として構成してもよ
い。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体ウェーハの吸着装置では、エジェクタが加圧空気の流
通により吸引負圧を発生し、この吸引負圧を負圧通路が
吸着部に導くことにより、吸着部が半導体ウェーハを吸
着する。その際、吸着部を通して枚葉装置の浴液、スピ
ン洗浄装置の洗浄液、研削装置の研削液などの液体が負
圧通路に侵入しても、この液体は負圧通路に介設された
気液分離器により分離されて捕捉されるため、エジェク
タに吸い込まれることがない。その結果、エジェクタは
機能低下を起こすことなく所期の機能を発揮する。従っ
て、本発明の半導体ウェーハの吸着装置によれば、液体
の侵入に伴なうエジェクタの機能低下を未然に防止で
き、半導体ウェーハを確実に吸着することができる。

【００４４】本発明の半導体ウェーハの吸着装置におい
て、前記気液分離器に加圧空気の送気通路が接続され、
この送気通路を開閉可能な切換弁が送気通路に介設され
ている場合、切換弁により送気通路を開くと、加圧空気
が送気通路を介して気液分離器に流入するため、気液分
離器に捕捉された液体を逆止弁に抗して排液通路から排
出することができ、気液分離器の機能を容易に回復させ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体ウェーハの
吸着装置を構成する吸着盤を備えた枚葉装置の全体構造
を一部破断して示す斜視図である。

【図２】図１に示す枚葉装置の吸着盤の正面図である。

【図３】図２に示す吸着盤の側面図である。

【図４】第１実施形態に係る半導体ウェーハの吸着装置
を構成する空気圧回路の構成図である。

【図５】本発明の第２実施形態に係る半導体ウェーハの
吸着装置を構成する真空チャックを備えたスピン洗浄装
置の概略構造を示す断面図である。

【符号の説明】

１：枚葉装置５：吸着盤（吸着部）５Ａ：ベース板５Ｂ：吸着パッド５Ｃ：伸縮吸着パイプ１０：空気圧回路１１：エジェクタ１２：加圧通路１３：排気通路１４：負圧通路１５：送気通路１６：エアコンプレッサ１７：減圧弁１８：負圧発生用切換弁１９：ドレンタンク２０：気液分離器２１：排液通路２２：逆止弁２１：排液通路２２：逆止弁２３：負圧破壊用切換弁２４：流量調整弁３０：スピン洗浄装置３１：真空チャック（吸着部）３２：吸着パッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２Ｈ６４３６４３Ａ６５１６５１Ａ 21/68 21/68 Ｂ // Ｂ２３Ｑ 3/08 Ｂ２３Ｑ 3/08 ＡＦターム(参考） 3C007 DS01 FS03 FT06 FT11 FU06 FU08 NS09 3C016 AA01 BA01 CE05 DA01 DA05 3E036 AA13 3F061 AA01 CA03 CB02 CB05 CC11 CC15 DB04 5F031 CA02 FA01 FA11 GA24 GA26 HA14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】加圧空気の流通により吸引負圧を発生す
るエジェクタと、このエジェクタが発生する吸引負圧を
半導体ウェーハの吸着部に導く負圧通路とを備え、前記
エジェクタの作動により半導体ウェーハを吸着部に吸着
する装置であって、前記負圧通路には気液分離器が介設
され、この気液分離器には逆流防止用の逆止弁を有する
排液通路が接続されていることを特徴とする半導体ウェ
ーハの吸着装置。
【請求項２】請求項１に記載された半導体ウェーハの
吸着装置であって、前記気液分離器には加圧空気の送気
通路が接続され、この送気通路には通路を開閉可能な切
換弁が介設されていることを特徴とする半導体ウェーハ
の吸着装置。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載された半
導体ウェーハの吸着装置であって、前記吸着部は、積層
状態の各半導体ウェーハを浴液中にて１枚づつ吸着して
分離する枚葉装置用の吸着盤であることを特徴とする半
導体ウェーハの吸着装置。
【請求項４】請求項３に記載された半導体ウェーハの
吸着装置であって、前記吸着盤は、半導体ウェーハを吸
着する伸縮自在なフレキシブルパイプを有することを特
徴とする半導体ウェーハの吸着装置。
【請求項５】請求項１または請求項２に記載された半
導体ウェーハの吸着装置であって、前記吸着部は、半導
体ウェーハを吸着して回転駆動可能に構成された研削装
置用またはスピン洗浄装置用の真空チャックであること
を特徴とする半導体ウェーハの吸着装置。
【請求項６】請求項５に記載された半導体ウェーハの
吸着装置であって、前記真空チャックは、半導体ウェー
ハを吸着する多孔質吸着パッドを有することを特徴とす
る半導体ウェーハの吸着装置。